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JP2002060691A - Film-forming composition and insulating film-forming material - Google Patents

Film-forming composition and insulating film-forming material

Info

Publication number
JP2002060691A
JP2002060691A JP2000250362A JP2000250362A JP2002060691A JP 2002060691 A JP2002060691 A JP 2002060691A JP 2000250362 A JP2000250362 A JP 2000250362A JP 2000250362 A JP2000250362 A JP 2000250362A JP 2002060691 A JP2002060691 A JP 2002060691A
Authority
JP
Japan
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ammonium
acid
film
bis
group
Prior art date
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Granted
Application number
JP2000250362A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4697363B2 (en
Inventor
Eiji Hayashi
英治 林
Koichi Hasegawa
公一 長谷川
Michinori Nishikawa
通則 西川
Kinji Yamada
欣司 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a film-forming composition and an insulating film-forming material useful as interlayer insulating film materials for semiconductor elements, etc., each of which yields a coated film having a relative dielectric constant showing little temperature dependence and a silica film having an excellent crack resistance and mechanical properties. SOLUTION: The film-forming composition contains a condensate obtained by hydrolyzing and condensing at least one compound chosen from the group consisting of compounds of the formula: RaSi(OR1)4-a, the formula: Si(OR2)4 and the formula: R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c (wherein R is H, F or a monovalent organic group; R1-R6 are each a monovalent organic group; R7 is O, a phenylene group or -(CH2)n-; (a) is 1-2; (b) and (c) are each an integer of 0-2; (d) is 0 or 1; and (n) is 1-6) (A) in the presence of a nitrogen-containing onium salt compound and (B) in the presence of a metal chelate catalyst and/or an acid catalyst, and (C) an organic solvent.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶
縁膜材料として、塗膜の比誘電率の温度依存が少なく、
クラック耐性や機械的強度に優れたシリカ系膜が形成可
能な膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a film-forming composition, and more particularly, as a material for an interlayer insulating film in a semiconductor device or the like, the temperature dependence of the relative dielectric constant of a coating film is small.
The present invention relates to a film-forming composition and a material for forming an insulating film capable of forming a silica-based film having excellent crack resistance and mechanical strength.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、CVD法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ(SiO2 )膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、S
OG(Spin on Glass)膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導
体素子などの高集積化に伴い、有機SOGと呼ばれるポ
リオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間
絶縁膜が開発されている。特に半導体素子などのさらな
る高集積化や多層化に伴い、より優れた導体間の電気絶
縁性が要求されており、したがって、より低比誘電率で
かつ塗膜の比誘電率の温度依存が少なく、クラック耐性
や機械的強度に優れた層間絶縁膜材料が求められるよう
になっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a silica (SiO 2 ) film formed by a vacuum process such as a CVD method is often used as an interlayer insulating film in a semiconductor device or the like. And in recent years,
In order to form a more uniform interlayer insulating film, S
A coating-type insulating film called a OG (Spin on Glass) film, which is mainly composed of a hydrolysis product of tetraalkoxylan, has also been used. Further, with the increase in integration of semiconductor elements and the like, an interlayer insulating film having a low relative dielectric constant and mainly containing polyorganosiloxane called organic SOG has been developed. In particular, with higher integration and multilayering of semiconductor devices and the like, better electrical insulation between conductors is required, and therefore, the relative dielectric constant of the coating is lower and the relative dielectric constant of the coating film is less dependent on temperature. Therefore, an interlayer insulating film material having excellent crack resistance and mechanical strength has been required.

【0003】低比誘電率の材料としては、アンモニアの
存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子と
アルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物か
らなる組成物(特開平5−263045、同5−315
319)や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物
をアンモニアの存在下縮合することにより得られた塗布
液(特開平11−340219、同11−34022
0)が提案されているが、これらの方法で得られる材料
は、反応の生成物の性質が安定せず、塗膜の比誘電率の
温度依存が大きく、クラック耐性や機械的強度などのバ
ラツキも大きいため、工業的生産には不向きであった。
As a material having a low relative dielectric constant, a composition comprising a mixture of fine particles obtained by condensing alkoxysilane in the presence of ammonia and a basic partial hydrolyzate of alkoxysilane (Japanese Patent Application Laid-Open No. H5-263045; 5-315
319) and a coating solution obtained by condensing a basic hydrolyzate of polyalkoxysilane in the presence of ammonia (JP-A-11-340219, JP-A-11-34022).
0) has been proposed, but the materials obtained by these methods are not stable in the nature of the reaction product, the temperature dependence of the relative dielectric constant of the coating film is large, and there are variations in crack resistance and mechanical strength. Therefore, it was not suitable for industrial production.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、塗膜の
比誘電率の温度依存が少なく、クラック耐性や機械的強
度に優れた膜形成用組成物および該組成物から得られる
絶縁膜形成用材料を提供することを目的とする。
The present invention relates to a film-forming composition for solving the above-mentioned problems, and more particularly to a temperature-dependent dielectric constant of a coating film as an interlayer insulating film in a semiconductor device or the like. It is an object of the present invention to provide a film-forming composition which is low in crack resistance and excellent in mechanical strength and an insulating film-forming material obtained from the composition.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)下記一
般式(1)で表される化合物(以下、「化合物(1)」
という)、下記一般式(2)で表される化合物(以下、
「化合物(2)」という)および下記一般式(3)で表
される化合物(以下、「化合物(3)」という)の群か
ら選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカリ触
媒の存在下に加水分解し、縮合した加水分解縮合物、
(B)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式
(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表さ
れる化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化
合物を金属キレート触媒および酸触媒もしくはいずれか
一方の存在下に加水分解し、縮合した加水分解縮合物 Ra Si(OR14-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR24 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7d −Si(OR53-c6 c ・・・・・(3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、
7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH2n
で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、d
は0または1を示す。〕(C)有機溶剤を含有すること
を特徴とする膜形成用組成物に関する。次に、本発明
は、上記膜形成用組成物膜形成用組成物からなる絶縁膜
形成用材料に関する。
The present invention relates to (A) a compound represented by the following general formula (1) (hereinafter referred to as "compound (1)").
), A compound represented by the following general formula (2) (hereinafter, referred to as
At least one silane compound selected from the group consisting of “compound (2)”) and a compound represented by the following general formula (3) (hereinafter, referred to as “compound (3)”) in the presence of an alkali catalyst Hydrolyzed and condensed hydrolyzed condensate,
(B) at least one silane compound selected from the group consisting of a compound represented by the following general formula (1), a compound represented by the following general formula (2), and a compound represented by the following general formula (3) Is hydrolyzed and condensed in the presence of a metal chelate catalyst and / or an acid catalyst, and a condensed hydrolysis product R a Si (OR 1 ) 4-a ... (1) (where R is hydrogen An atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R 1 is a monovalent organic group, and a is an integer of 1 to 2.) Si (OR 2 ) 4 (2) 2 represents a monovalent organic group.) R 3 b (R 4 O) 3-b Si- (R 7 ) d -Si (OR 5 ) 3-c R 6 c (3) [ In the formula, R 3 to R 6 are the same or different, each is a monovalent organic group, b to c are the same or different, and an integer of 0 to 2,
R 7 is an oxygen atom, a phenylene group or — (CH 2 ) n
(Where n is an integer of 1 to 6), d
Represents 0 or 1. ] (C) A film-forming composition comprising an organic solvent. Next, the present invention relates to a material for forming an insulating film comprising the above-described composition for forming a film.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明において、(A)および
(B)成分の加水分解縮合物とは、上記化合物(1)〜
(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物
の加水分解物、縮合物である。ここで、加水分解では、
上記(A)および(B)成分を構成する化合物(1)〜
(3)に含まれるR1 O−基,R2 O−基,R4 O−基
およびR5 O−基のすべてが加水分解されている必要は
なく、例えば、1個だけが加水分解されているもの、2
個以上が加水分解されているもの、あるいは、これらの
混合物であってもよい。また、(A)および(B)成分
における縮合とは、(A)および(B)成分を構成する
化合物(1)〜(3)の加水分解物のシラノール基が縮
合してSi−O−Si結合を形成することであるが、本
発明では、シラノール基がすべて縮合している必要はな
く、僅かな一部のシラノール基が縮合したもの、縮合の
程度が異なっているものの混合物などをも包含した概念
である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, the hydrolyzed condensate of the components (A) and (B) refers to the above compounds (1) to (1).
It is a hydrolyzate or condensate of at least one silane compound selected from the group (3). Here, in the hydrolysis,
Compounds (1) to (C) constituting the above components (A) and (B)
Not all of the R 1 O—, R 2 O—, R 4 O— and R 5 O— groups contained in (3) need to be hydrolyzed, for example, only one is hydrolyzed. What 2
One or more of them may be hydrolyzed, or a mixture thereof. The condensation in the components (A) and (B) means that the silanol groups of the hydrolyzates of the compounds (1) to (3) constituting the components (A) and (B) condense to form Si—O—Si In the present invention, it is not necessary that all of the silanol groups are condensed, and the present invention also includes a mixture of a small number of silanol groups condensed and a mixture of those having different degrees of condensation. This is the concept.

【0007】(A)および(B)加水分解縮合物 (A)および(B)加水分解縮合物は、上記化合物
(1)〜(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシラ
ン化合物を触媒の存在下に、加水分解、縮合して得られ
る。 化合物(1);上記一般式(1)において、RおよびR
1 の1価の有機基としては、アルキル基、アリール基、
アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。ま
た、一般式(1)において、Rは1価の有機基、特にア
ルキル基またはフェニル基であることが好ましい。ここ
で、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数1〜
5であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐してい
てもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換され
ていてもよい。一般式(1)において、アリール基とし
ては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エ
チルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル
基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。
[0007] (A) and (B) hydrolysis condensate (A) and (B) hydrolysis condensate are formed by catalyzing at least one silane compound selected from the group of compounds (1) to (3). Is obtained by hydrolysis and condensation in the presence of Compound (1): In the above general formula (1), R and R
The 1 monovalent organic group, an alkyl group, an aryl group,
Examples include an allyl group and a glycidyl group. In the general formula (1), R is preferably a monovalent organic group, particularly an alkyl group or a phenyl group. Here, examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group, and preferably have 1 to 1 carbon atoms.
5, and these alkyl groups may be chain-like or branched, and a hydrogen atom may be substituted with a fluorine atom or the like. In the general formula (1), examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a methylphenyl group, an ethylphenyl group, a chlorophenyl group, a bromophenyl group, and a fluorophenyl group.

【0008】一般式(1)で表される化合物の具体例と
しては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ト
リ−n−プロポキシシラン、トリ−iso−プロポキシ
シラン、トリ−n−ブトキシシラン、トリ−sec−ブ
トキシシラン、トリ−tert−ブトキシシラン、トリ
フェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フル
オロトリエトキシシラン、フルオロトリ−n−プロポキ
シシラン、フルオロトリ−iso−プロポキシシラン、
フルオロトリ−n−ブトキシシラン、フルオロトリ−s
ec−ブトキシシラン、フルオロトリ−tert−ブト
キシシラン、フルオロトリフェノキシシランなど;
Specific examples of the compound represented by the general formula (1) include trimethoxysilane, triethoxysilane, tri-n-propoxysilane, tri-iso-propoxysilane, tri-n-butoxysilane and tri-silane. sec-butoxysilane, tri-tert-butoxysilane, triphenoxysilane, fluorotrimethoxysilane, fluorotriethoxysilane, fluorotri-n-propoxysilane, fluorotri-iso-propoxysilane,
Fluorotri-n-butoxysilane, fluorotri-s
ec-butoxysilane, fluorotri-tert-butoxysilane, fluorotriphenoxysilane and the like;

【0009】メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メ
チルトリ−iso−プロポキシシラン、メチルトリ−n
−ブトキシシラン、メチルトリ−sec−ブトキシシラ
ン、メチルトリ−tert−ブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシ
ラン、エチルトリ−iso−プロポキシシラン、エチル
トリ−n−ブトキシシラン、エチルトリ−sec−ブト
キシシラン、エチルトリ−tert−ブトキシシラン、
エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、ビニルトリ−n−ブトキシシラン、ビニルトリ−s
ec−ブトキシシラン、ビニルトリ−tert−ブトキ
シシラン、ビニルトリフェノキシシラン、n−プロピル
トリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラ
ン、n−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、n−プ
ロピルトリ−iso−プロポキシシラン、n−プロピル
トリ−n−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−sec
−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−tert−ブト
キシシラン、n−プロピルトリフェノキシシラン、i−
プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキ
シシラン、i−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、
i−プロピルトリ−iso−プロポキシシラン、i−プ
ロピルトリ−n−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−
sec−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−tert
−ブトキシシラン、i−プロピルトリフェノキシシラ
ン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエ
トキシシラン、n−ブチルトリ−n−プロポキシシラ
ン、n−ブチルトリ−iso−プロポキシシラン、n−
ブチルトリ−n−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−s
ec−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−tert−ブ
トキシシラン、n−ブチルトリフェノキシシラン、se
c−ブチルトリメトキシシラン、sec−ブチルトリエ
トキシシラン、sec−ブチル−トリ−n−プロポキシ
シラン、sec−ブチル−トリ−iso−プロポキシシ
ラン、sec−ブチル−トリ−n−ブトキシシラン、s
ec−ブチル−トリ−sec−ブトキシシラン、sec
−ブチル−トリ−tert−ブトキシシラン、sec−
ブチル−トリフェノキシシラン、t−ブチルトリメトキ
シシラン、t−ブチルトリエトキシシラン、t−ブチル
トリ−n−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−iso
−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−n−ブトキシシ
ラン、t−ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、t−
ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、t−ブチルト
リフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−n−プロポ
キシシラン、フェニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−n−ブトキシシラン、フェニルトリ
−sec−ブトキシシラン、フェニルトリ−tert−
ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど;
[0009] Methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-iso-propoxysilane, methyltri-n
-Butoxysilane, methyltri-sec-butoxysilane, methyltri-tert-butoxysilane, methyltriphenoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-n-propoxysilane, ethyltri-iso-propoxysilane, ethyltri-n -Butoxysilane, ethyltri-sec-butoxysilane, ethyltri-tert-butoxysilane,
Ethyl triphenoxy silane, vinyl trimethoxy silane, vinyl triethoxy silane, vinyl tri-n-propoxy silane, vinyl tri-iso-propoxy silane, vinyl tri-n-butoxy silane, vinyl tri-s
ec-butoxysilane, vinyltri-tert-butoxysilane, vinyltriphenoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-propyltri-n-propoxysilane, n-propyltri-iso-propoxysilane , N-propyltri-n-butoxysilane, n-propyltri-sec
-Butoxysilane, n-propyltri-tert-butoxysilane, n-propyltriphenoxysilane, i-
Propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxysilane, i-propyltri-n-propoxysilane,
i-propyltri-iso-propoxysilane, i-propyltri-n-butoxysilane, i-propyltri-
sec-butoxysilane, i-propyltri-tert
-Butoxysilane, i-propyltriphenoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-butyltri-n-propoxysilane, n-butyltri-iso-propoxysilane, n-
Butyltri-n-butoxysilane, n-butyltri-s
ec-butoxysilane, n-butyltri-tert-butoxysilane, n-butyltriphenoxysilane, se
c-butyltrimethoxysilane, sec-butyltriethoxysilane, sec-butyl-tri-n-propoxysilane, sec-butyl-tri-iso-propoxysilane, sec-butyl-tri-n-butoxysilane, s
ec-butyl-tri-sec-butoxysilane, sec
-Butyl-tri-tert-butoxysilane, sec-
Butyl-triphenoxysilane, t-butyltrimethoxysilane, t-butyltriethoxysilane, t-butyltri-n-propoxysilane, t-butyltri-iso
-Propoxysilane, t-butyltri-n-butoxysilane, t-butyltri-sec-butoxysilane, t-
Butyl tri-tert-butoxy silane, t-butyl triphenoxy silane, phenyl trimethoxy silane, phenyl triethoxy silane, phenyl tri-n-propoxy silane, phenyl tri-iso-propoxy silane, phenyl tri-n-butoxy silane, phenyl tri -Sec-butoxysilane, phenyltri-tert-
Butoxysilane, phenyltriphenoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ
-Aminopropyltrimethoxysilane, gamma-aminopropyltriethoxysilane, gamma-glycidoxypropyltrimethoxysilane, gamma-glycidoxypropyltriethoxysilane, gamma-trifluoropropyltrimethoxysilane, gamma-trifluoropropyltrimethylsilane Ethoxysilane and the like;

【0010】ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエ
トキシシラン、ジメチル−ジ−n−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−n−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−sec−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−tert−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−n
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−te
rt−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−n−プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、
ジ−n−プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ
−n−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−iso−
プロピルジメトキシシラン、ジ−iso−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−iso−プロ
ポキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−sec−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−tert−ブト
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−iso−プロポキシ
シラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ
−n−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−n−
ブチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−n−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−sec−ブチルジメト
キシシラン、ジ−sec−ブチルジエトキシシラン、ジ
−sec−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−sec−
ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−tert−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−tert−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−プロポキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−iso−プロポキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−tert−ブトキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−n−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−sec−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−tert−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど;を挙げることができる。
Dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyl-di-n-propoxysilane,
Dimethyl-di-iso-propoxysilane, dimethyl-
Di-n-butoxysilane, dimethyl-di-sec-butoxysilane, dimethyl-di-tert-butoxysilane, dimethyldiphenoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyl-di-n
-Propoxysilane, diethyl-di-iso-propoxysilane, diethyl-di-n-butoxysilane, diethyl-di-sec-butoxysilane, diethyl-di-te
rt-butoxysilane, diethyldiphenoxysilane,
Di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-n-propyl-di-n-propoxysilane, di-n-propyl-di-iso-propoxysilane, di-n-propyl-di -N-butoxysilane, di-n-propyl-di-sec-butoxysilane,
Di-n-propyl-di-tert-butoxysilane, di-n-propyl-di-phenoxysilane, di-iso-
Propyldimethoxysilane, di-iso-propyldiethoxysilane, di-iso-propyl-di-n-propoxysilane, di-iso-propyl-di-iso-propoxysilane, di-iso-propyl-di-n-butoxy Silane, di-iso-propyl-di-sec-butoxysilane, di-iso-propyl-di-tert-butoxysilane, di-iso-propyl-di-phenoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n -Butyldiethoxysilane, di-n-butyl-di-n-propoxysilane, di-n-butyl-di-iso-propoxysilane, di-n-butyl-di-n-butoxysilane, di-n-butyl -Di-sec-butoxysilane, di-n-
Butyl-di-tert-butoxysilane, di-n-butyl-di-phenoxysilane, di-sec-butyldimethoxysilane, di-sec-butyldiethoxysilane, di-sec-butyl-di-n-propoxysilane, Di-s
ec-butyl-di-iso-propoxysilane, di-s
ec-butyl-di-n-butoxysilane, di-sec-
Butyl-di-sec-butoxysilane, di-sec-butyl-di-tert-butoxysilane, di-sec-butyl-di-phenoxysilane, di-tert-butyldimethoxysilane, di-tert-butyldiethoxysilane, Di-tert-butyl-di-n-propoxysilane, di-tert-butyl-di-iso-propoxysilane, di-tert-butyl-di-n-butoxysilane, di-tert-butyl-di-sec-butoxy Silane, di-tert-butyl-di-tert-butoxysilane, di-tert-butyl-di-phenoxysilane,
Diphenyldimethoxysilane, diphenyl-di-ethoxysilane, diphenyl-di-n-propoxysilane, diphenyl-di-iso-propoxysilane, diphenyl-di-n-butoxysilane, diphenyl-di-sec-
Butoxysilane, diphenyl-di-tert-butoxysilane, diphenyldiphenoxysilane, divinyltrimethoxysilane, and the like.

【0011】化合物(1)として好ましい化合物は、メ
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリ−is
o−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキ
シシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメ
トキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどであ
る。これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用して
もよい。
Preferred compounds as compound (1) are methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane,
Methyltri-n-propoxysilane, methyltri-is
o-propoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane,
Vinyl triethoxy silane, phenyl trimethoxy silane, phenyl triethoxy silane, dimethyl dimethoxy silane, dimethyl diethoxy silane, diethyl dimethoxy silane, diethyl diethoxy silane, diphenyl dimethoxy silane, diphenyl diethoxy silane, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【0012】化合物(2);上記一般式(2)におい
て、R2 で表される1価の有機基としては、先の一般式
(1)と同様な有機基を挙げることができる。一般式
(2)で表される化合物の具体例としては、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロ
ポキシシラン、テトラ−iso−プロポキシシラン、テ
トラ−n−ブトキシラン、テトラ−sec−ブトキシシ
ラン、テトラ−tert−ブトキシシラン、テトラフェ
ノキシシランなどが挙げられる。
Compound (2): In the above formula (2), examples of the monovalent organic group represented by R 2 include the same organic groups as in the above formula (1). Specific examples of the compound represented by the general formula (2) include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane, and tetra-sec-butoxysilane. , Tetra-tert-butoxysilane, tetraphenoxysilane and the like.

【0013】化合物(3);上記一般式(3)におい
て、R3 〜R6 で表される1価の有機基としては、先の
一般式(1)と同様な有機基を挙げることができる。一
般式(3)のうち、R7 が酸素原子の化合物としては、
ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキ
サン、ヘキサフェノキシジシロキサン、1,1,1,
3,3−ペンタメトキシ−3−メチルジシロキサン、
1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−3−メチルジシ
ロキサン、1,1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3
−メチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタメ
トキシ−3−エチルジシロキサン、1,1,1,3,3
−ペンタエトキシ−3−エチルジシロキサン、1,1,
1,3,3−ペンタフェノキシ−3−エチルジシロキサ
ン、1,1,1,3,3−ペンタメトキシ−3−フェニ
ルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタエトキシ
−3−フェニルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペ
ンタフェノキシ−3−フェニルジシロキサン、1,1,
3,3−テトラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサ
ン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチ
ルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−
1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テト
ラメトキシ−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,
3,3−テトラエトキシ−1,3−ジエチルジシロキサ
ン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ジエ
チルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−
1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,3,3−テ
トラエトキシ−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,
1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ジフェニルジ
シロキサン、1,1,3−トリメトキシ−1,3,3−
トリメチルジシロキサン、1,1,3−トリエトキシ−
1,3,3−トリメチルジシロキサン、1,1,3−ト
リフェノキシ−1,3,3−トリメチルジシロキサン、
1,1,3−トリメトキシ−1,3,3−トリエチルジ
シロキサン、、1,1,3−トリエトキシ−1,3,3
−トリエチルジシロキサン、、1,1,3−トリフェノ
キシ−1,3,3−トリエチルジシロキサン、、1,
1,3−トリメトキシ−1,3,3−トリフェニルジシ
ロキサン、1,1,3−トリエトキシ−1,3,3−ト
リフェニルジシロキサン、1,1,3−トリフェノキシ
−1,3,3−トリフェニルジシロキサン、1,3−ジ
メトキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン、1,3−ジフェノキシ−1,1,3,
3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−
1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−
ジエトキシ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサ
ン、1,3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラエ
チルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,
3−テトラフェニルジシロキサン、1,3−ジエトキシ
−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、1,
3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジ
シロキサンなどを挙げることができる。
Compound (3) In the above formula (3), examples of the monovalent organic group represented by R 3 to R 6 include the same organic groups as in the above formula (1). . In the general formula (3), as a compound in which R 7 is an oxygen atom,
Hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, hexaphenoxydisiloxane, 1,1,1,
3,3-pentamethoxy-3-methyldisiloxane,
1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3
-Methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentamethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3
-Pentaethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,
1,3,3-pentaphenoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentamethoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-phenyl Disiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,
3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-
1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,
3,3-tetraethoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-
1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,
1,3,3-tetraphenoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1,3,3-
Trimethyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-
1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane,
1,1,3-trimethoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3
Triethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,
1,3-trimethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3 -Triphenyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diphenoxy- 1,1,3
3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-
1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-
Diethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-diphenoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,
3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,
Examples thereof include 3-diphenoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane.

【0014】これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサ
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、1,1,3,3−テ
トラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,
1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチルジシロ
キサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジ
フェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキ
シ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,
3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシ
ロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。
Among them, hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane,
1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,1
3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,
Preferred examples include 3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane and 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane.

【0015】また、一般式(3)において、dが0の化
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、1,1,1,
2,2−ペンタメトキシ−2−メチルジシラン、1,
1,1,2,2−ペンタエトキシ−2−メチルジシラ
ン、1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−メチ
ルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタメトキシ−2
−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタエトキ
シ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタ
フェノキシ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2
−ペンタメトキシ−2−フェニルジシラン、1,1,
1,2,2−ペンタエトキシ−2−フェニルジシラン、
1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−フェニル
ジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−
ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラエトキシ−
1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラフ
ェノキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2
−テトラメトキシ−1,2−ジエチルジシラン、1,
1,2,2−テトラエトキシ−1,2−ジエチルジシラ
ン、1,1,2,2−テトラフェノキシ−1,2−ジエ
チルジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,
2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−テトラエト
キシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−
テトラフェノキシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,
1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリメチルジシラ
ン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−トリメチ
ルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−1,2,2
−トリメチルジシラン、1,1,2−トリメトキシ−
1,2,2−トリエチルジシラン、、1,1,2−トリ
エトキシ−1,2,2−トリエチルジシラン、、1,
1,2−トリフェノキシ−1,2,2−トリエチルジシ
ラン、、1,1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリ
フェニルジシラン、1,1,2−トリエトキシ−1,
2,2−トリフェニルジシラン、、1,1,2−トリフ
ェノキシ−1,2,2−トリフェニルジシラン、1,2
−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラ
ン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−
テトラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジエトキシ−
1,1,2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジフ
ェノキシ−1,1,2,2−テトラエチルジシラン、
1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラフェニル
ジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テト
ラフェニルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシランなどを挙げることがで
きる。
In the general formula (3), the compound in which d is 0 includes hexamethoxydisilane, hexaethoxydisilane, hexaphenoxydisilane, 1,1,1,1
2,2-pentamethoxy-2-methyldisilane, 1,
1,1,2,2-pentaethoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2
-Ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaethoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2
-Pentamethoxy-2-phenyldisilane, 1,1,
1,2,2-pentaethoxy-2-phenyldisilane,
1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-phenyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-
Dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-
1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2
-Tetramethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,
1,2,2-tetraethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,
2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-
Tetraphenoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,
1,2-trimethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2
-Trimethyldisilane, 1,1,2-trimethoxy-
1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,
1,2-triphenoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,
2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,2
-Dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-
Tetramethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,1
2,2-tetraethyldisilane, 1,2-diethoxy-
1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane,
1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diphenoxy-1,1,1
2,2-tetraphenyldisilane and the like can be mentioned.

【0016】これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、1,1,2,2−テトラメト
キシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テ
トラエトキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,
2,2−テトラメトキシ−1,2−ジフェニルジシラ
ン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テ
トラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシラン、1,2−ジエトキシ
−1,1,2,2−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。
Of these, hexamethoxydisilane,
Hexaethoxydisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,
2,2-tetramethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,1,
Preferred examples include 2,2-tetraphenyldisilane and 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane.

【0017】さらに、一般式(3)において、R7 が−
(CH2n −で表される基の化合物としては、ビス
(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシ
リル)メタン、ビス(トリ−n−プロポキシシリル)メ
タン、ビス(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、ビ
ス(トリ−n−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−
sec−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−t−ブ
トキシシリル)メタン、1,2−ビス(トリメトキシシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメト
キシシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)
−1−(トリエトキシシリル)メタン、1−(ジ−n−
プロポキシメチルシリル)−1−(トリ−n−プロポキ
シシリル)メタン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシ
リル)−1−(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、
1−(ジ−n−ブトキシメチルシリル)−1−(トリ−
n−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ−sec−ブト
キシメチルシリル)−1−(トリ−sec−ブトキシシ
リル)メタン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)
−1−(トリ−t−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ
メトキシメチルシリル)−2−(トリメトキシシリル)
エタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−2−(トリ
エトキシシリル)エタン、1−(ジ−n−プロポキシメ
チルシリル)−2−(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシリル)−2−
(トリ−i−プロポキシシリル)エタン、1−(ジ−n
−ブトキシメチルシリル)−2−(トリ−n−ブトキシ
シリル)エタン、1−(ジ−sec−ブトキシメチルシ
リル)−2−(トリ−sec−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)−2−(ト
リ−t−ブトキシシリル)エタン、ビス(ジメトキシメ
チルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)
メタン、ビス(ジ−n−プロポキシメチルシリル)メタ
ン、ビス(ジ−i−プロポキシメチルシリル)メタン、
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−t−ブトキシメチルシリル)メタン、1,2−ビ
ス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジエトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ
−n−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジ−i−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)エタン、1,2
−ビス(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)エタン、
1,2−ビス(ジ−t−ブトキシメチルシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,2
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,2−ビス(トリ-t- ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,3
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
3−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
4−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ンなど挙げることができる。
Further, in the general formula (3), R 7 is-
Examples of the compound having a group represented by (CH 2 ) n — include bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, bis (tri-n-propoxysilyl) methane, and bis (tri-i-propoxy). Silyl) methane, bis (tri-n-butoxysilyl) methane, bis (tri-
sec-butoxysilyl) methane, bis (tri-t-butoxysilyl) methane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri- n-propoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-i-propoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-n-butoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-sec-butoxysilyl) Ethane, 1,2-bis (tri-t-butoxysilyl) ethane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -1- (trimethoxysilyl) methane, 1- (diethoxymethylsilyl)
-1- (triethoxysilyl) methane, 1- (di-n-
Propoxymethylsilyl) -1- (tri-n-propoxysilyl) methane, 1- (di-i-propoxymethylsilyl) -1- (tri-i-propoxysilyl) methane,
1- (di-n-butoxymethylsilyl) -1- (tri-
n-butoxysilyl) methane, 1- (di-sec-butoxymethylsilyl) -1- (tri-sec-butoxysilyl) methane, 1- (di-t-butoxymethylsilyl)
-1- (tri-t-butoxysilyl) methane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -2- (trimethoxysilyl)
Ethane, 1- (diethoxymethylsilyl) -2- (triethoxysilyl) ethane, 1- (di-n-propoxymethylsilyl) -2- (tri-n-propoxysilyl) ethane, 1- (di-i -Propoxymethylsilyl) -2-
(Tri-i-propoxysilyl) ethane, 1- (di-n
-Butoxymethylsilyl) -2- (tri-n-butoxysilyl) ethane, 1- (di-sec-butoxymethylsilyl) -2- (tri-sec-butoxysilyl) ethane, 1- (di-t-butoxy) Methylsilyl) -2- (tri-t-butoxysilyl) ethane, bis (dimethoxymethylsilyl) methane, bis (diethoxymethylsilyl)
Methane, bis (di-n-propoxymethylsilyl) methane, bis (di-i-propoxymethylsilyl) methane,
Bis (di-n-butoxymethylsilyl) methane, bis (di-sec-butoxymethylsilyl) methane, bis (di-tert-butoxymethylsilyl) methane, 1,2-bis (dimethoxymethylsilyl) ethane, 1, 2-bis (diethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-n-propoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-i-propoxymethylsilyl) ethane, 1,2-
Bis (di-n-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2
-Bis (di-sec-butoxymethylsilyl) ethane,
1,2-bis (di-t-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) benzene,
1,2-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,2
-Bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,
2-bis (tri-i-propoxysilyl) benzene,
1,2-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene,
1,2-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-t-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis (trimethoxysilyl) benzene,
1,3-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,3
-Bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,
3-bis (tri-i-propoxysilyl) benzene,
1,3-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene,
1,3-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-t-butoxysilyl) benzene, 1,4-bis (trimethoxysilyl) benzene,
1,4-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,4
-Bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,
4-bis (tri-i-propoxysilyl) benzene,
1,4-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene,
Examples thereof include 1,4-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene and 1,4-bis (tri-t-butoxysilyl) benzene.

【0018】これらのうち、ビス(トリメトキシシリ
ル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1,
2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス
(トリエトキシシリル)エタン、1−(ジメトキシメチ
ルシリル)−1−(トリメトキシシリル)メタン、1−
(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリエトキシシリ
ル)メタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−2−
(トリメトキシシリル)エタン、1−(ジエトキシメチ
ルシリル)−2−(トリエトキシシリル)エタン、ビス
(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシ
メチルシリル)メタン、1,2−ビス(ジメトキシメチ
ルシリル)エタン、1,2−ビス(ジエトキシメチルシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベ
ンゼン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス
(トリエトキシシリル)ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。本発明において、化合物(1)
〜(3)としては、1種もしくは2種以上を用いること
ができる。
Of these, bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane,
2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -1- (trimethoxysilyl) methane, 1-
(Diethoxymethylsilyl) -1- (triethoxysilyl) methane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -2-
(Trimethoxysilyl) ethane, 1- (diethoxymethylsilyl) -2- (triethoxysilyl) ethane, bis (dimethoxymethylsilyl) methane, bis (diethoxymethylsilyl) methane, 1,2-bis (dimethoxymethyl) (Silyl) ethane, 1,2-bis (diethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,2-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (trimethoxysilyl) )benzene,
1,3-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,4
Preferred examples include -bis (trimethoxysilyl) benzene and 1,4-bis (triethoxysilyl) benzene. In the present invention, compound (1)
As (1) to (3), one or more kinds can be used.

【0019】なお、上記化合物(1)〜(3)の群から
選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解、縮
合させる際に、化合物(1)〜(3)1モル当たり0.
5モルを越え150モル以下の水を用いることが好まし
く、0.5モルを越え130モルの水を加えることが特
に好ましい。
When hydrolyzing and condensing at least one silane compound selected from the group consisting of the compounds (1) to (3), 0.1 mol / mol of the compounds (1) to (3) is used.
It is preferred to use more than 5 mol and up to 150 mol of water, particularly preferred to add more than 0.5 mol and 130 mol of water.

【0020】本発明の(A)および(B)加水分解縮合
物を製造するに際しては、上記化合物(1)〜(3)の
群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分
解、縮合させる際に、特定の触媒を用いることが特徴で
ある。
In producing the hydrolyzed condensates (A) and (B) of the present invention, at least one silane compound selected from the group of the compounds (1) to (3) is hydrolyzed and condensed. In this case, a specific catalyst is used.

【0021】具体的には、(A)加水分解縮合物の製造
には含窒素オニウム塩化合物を、(B)加水分解縮合物
の製造には金属キレート触媒および酸触媒もしくはいず
れか一方を使用する。含窒素オニウム塩化合物として
は、水酸化アンモニウム、塩化アンモニウム、臭化アン
モニウム、沃化アンモニウム、フッ化アンモニウム、硝
酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硫酸水素アンモニ
ウム、リン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、フェノ
ールアンモニウム、酢酸アンモニウム、アジピン酸アン
モニウム、アルギン酸アンモニウム、安息香酸アンモニ
ウム、硫酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、ギ酸
アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、フタル酸アンモ
ニウム、サリチル酸アンモニウム、コハク酸アンモニウ
ム、マレイン酸アンモニウム、プロピオン酸アンモニウ
ム、ブタン酸アンモニウム、ペンタン酸アンモニウム、
ヘキサン酸アンモニウム、ヘプタン酸アンモニウム、オ
クタン酸アンモニウム、ノナン酸アンモニウム、デカン
酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、メチルマロン
酸アンモニウム、セバシン酸アンモニウム、没食子酸ア
ンモニウム、酪酸アンモニウム、メリット酸アンモニウ
ム、アラキドン酸アンモニウム、シキミ酸アンモニウ
ム、2−エチルヘキサン酸アンモニウム、オレイン酸ア
ンモニウム、ステアリン酸アンモニウム、リノール酸ア
ンモニウム、リノレイン酸アンモニウム、p−アミノ安
息香酸アンモニウム、p−トルエンスルホン酸アンモニ
ウム、ベンゼンスルホン酸アンモニウム、モノクロロ酢
酸アンモニウム、ジクロロ酢酸アンモニウム、トリクロ
ロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸アンモニウム、
マロン酸アンモニウム、スルホン酸アンモニウム、フマ
ル酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、イタコン酸ア
ンモニウム、メサコン酸アンモニウム、シトラコン酸ア
ンモニウム、リンゴ酸アンモニウム、グルタル酸アンモ
ニウム;水酸化メチルアンモニウム、塩化メチルアンモ
ニウム、臭化メチルアンモニウム、沃化メチルアンモニ
ウム、フッ化メチルアンモニウム、硝酸メチルアンモニ
ウム、硫酸メチルアンモニウム、硫酸水素メチルアンモ
ニウム、リン酸メチルアンモニウム、炭酸メチルアンモ
ニウム、フェノールメチルアンモニウム、酢酸メチルア
ンモニウム、アジピン酸メチルアンモニウム、アルギン
酸メチルアンモニウム、安息香酸メチルアンモニウム、
硫酸メチルアンモニウム、クエン酸メチルアンモニウ
ム、ギ酸メチルアンモニウム、炭酸水素メチルアンモニ
ウム、フタル酸メチルアンモニウム、サリチル酸メチル
アンモニウム、コハク酸メチルアンモニウム、マレイン
酸メチルアンモニウム、プロピオン酸メチルアンモニウ
ム、ブタン酸メチルアンモニウム、ペンタン酸メチルア
ンモニウム、ヘキサン酸メチルアンモニウム、ヘプタン
酸メチルアンモニウム、オクタン酸メチルアンモニウ
ム、ノナン酸メチルアンモニウム、デカン酸メチルアン
モニウム、シュウ酸メチルアンモニウム、メチルマロン
酸メチルアンモニウム、セバシン酸メチルアンモニウ
ム、没食子酸メチルアンモニウム、酪酸メチルアンモニ
ウム、メリット酸メチルアンモニウム、アラキドン酸メ
チルアンモニウム、シキミ酸メチルアンモニウム、2−
エチルヘキサン酸メチルアンモニウム、オレイン酸メチ
ルアンモニウム、ステアリン酸メチルアンモニウム、リ
ノール酸メチルアンモニウム、リノレイン酸メチルアン
モニウム、p−アミノ安息香酸メチルアンモニウム、p
−トルエンスルホン酸メチルアンモニウム、ベンゼンス
ルホン酸メチルアンモニウム、モノクロロ酢酸メチルア
ンモニウム、ジクロロ酢酸メチルアンモニウム、トリク
ロロ酢酸メチルアンモニウム、トリフルオロ酢酸メチル
アンモニウム、マロン酸メチルアンモニウム、スルホン
酸メチルアンモニウム、フマル酸メチルアンモニウム、
酒石酸メチルアンモニウム、イタコン酸メチルアンモニ
ウム、メサコン酸メチルアンモニウム、シトラコン酸メ
チルアンモニウム、リンゴ酸メチルアンモニウム、グル
タル酸メチルアンモニウム;水酸化ジメチルアンモニウ
ム、塩化ジメチルアンモニウム、臭化ジメチルアンモニ
ウム、沃化ジメチルアンモニウム、フッ化ジメチルアン
モニウム、硝酸ジメチルアンモニウム、硫酸ジメチルア
ンモニウム、硫酸水素ジメチルアンモニウム、リン酸ジ
メチルアンモニウム、炭酸ジメチルアンモニウム、フェ
ノールジメチルアンモニウム、酢酸ジメチルアンモニウ
ム、アジピン酸ジメチルアンモニウム、アルギン酸ジメ
チルアンモニウム、安息香酸ジメチルアンモニウム、硫
酸ジメチルアンモニウム、クエン酸ジメチルアンモニウ
ム、ギ酸ジメチルアンモニウム、炭酸水素ジメチルアン
モニウム、フタル酸ジメチルアンモニウム、サリチル酸
ジメチルアンモニウム、コハク酸ジメチルアンモニウ
ム、マレイン酸ジメチルアンモニウム、プロピオン酸ジ
メチルアンモニウム、ブタン酸ジメチルアンモニウム、
ペンタン酸ジメチルアンモニウム、ヘキサン酸ジメチル
アンモニウム、ヘプタン酸ジメチルアンモニウム、オク
タン酸ジメチルアンモニウム、ノナン酸ジメチルアンモ
ニウム、デカン酸ジメチルアンモニウム、シュウ酸ジメ
チルアンモニウム、メチルマロン酸ジメチルアンモニウ
ム、セバシン酸ジメチルアンモニウム、没食子酸ジメチ
ルアンモニウム、酪酸ジメチルアンモニウム、メリット
酸ジメチルアンモニウム、アラキドン酸ジメチルアンモ
ニウム、シキミ酸ジメチルアンモニウム、2−エチルヘ
キサン酸ジメチルアンモニウム、オレイン酸ジメチルア
ンモニウム、ステアリン酸ジメチルアンモニウム、リノ
ール酸ジメチルアンモニウム、リノレイン酸ジメチルア
ンモニウム、p−アミノ安息香酸ジメチルアンモニウ
ム、p−トルエンスルホン酸ジメチルアンモニウム、ベ
ンゼンスルホン酸ジメチルアンモニウム、モノクロロ酢
酸ジメチルアンモニウム、ジクロロ酢酸ジメチルアンモ
ニウム、トリクロロ酢酸ジメチルアンモニウム、トリフ
ルオロ酢酸ジメチルアンモニウム、マロン酸ジメチルア
ンモニウム、スルホン酸ジメチルアンモニウム、フマル
酸ジメチルアンモニウム、酒石酸ジメチルアンモニウ
ム、イタコン酸ジメチルアンモニウム、メサコン酸ジメ
チルアンモニウム、シトラコン酸ジメチルアンモニウ
ム、リンゴ酸ジメチルアンモニウム、グルタル酸ジメチ
ルアンモニウム;水酸化トリメチルアンモニウム、塩化
トリメチルアンモニウム、臭化トリメチルアンモニウ
ム、沃化トリメチルアンモニウム、フッ化トリメチルア
ンモニウム、硝酸トリメチルアンモニウム、硫酸トリメ
チルアンモニウム、硫酸水素トリメチルアンモニウム、
リン酸トリメチルアンモニウム、炭酸トリメチルアンモ
ニウム、フェノールトリメチルアンモニウム、酢酸トリ
メチルアンモニウム、アジピン酸トリメチルアンモニウ
ム、アルギン酸トリメチルアンモニウム、安息香酸トリ
メチルアンモニウム、硫酸トリメチルアンモニウム、ク
エン酸トリメチルアンモニウム、ギ酸トリメチルアンモ
ニウム、炭酸水素トリメチルアンモニウム、フタル酸ト
リメチルアンモニウム、サリチル酸トリメチルアンモニ
ウム、コハク酸トリメチルアンモニウム、マレイン酸ト
リメチルアンモニウム、プロピオン酸トリメチルアンモ
ニウム、ブタン酸トリメチルアンモニウム、ペンタン酸
トリメチルアンモニウム、ヘキサン酸トリメチルアンモ
ニウム、ヘプタン酸トリメチルアンモニウム、オクタン
酸トリメチルアンモニウム、ノナン酸トリメチルアンモ
ニウム、デカン酸トリメチルアンモニウム、シュウ酸ト
リメチルアンモニウム、メチルマロン酸トリメチルアン
モニウム、セバシン酸トリメチルアンモニウム、没食子
酸トリメチルアンモニウム、酪酸トリメチルアンモニウ
ム、メリット酸トリメチルアンモニウム、アラキドン酸
トリメチルアンモニウム、シキミ酸トリメチルアンモニ
ウム、2−エチルヘキサン酸トリメチルアンモニウム、
オレイン酸トリメチルアンモニウム、ステアリン酸トリ
メチルアンモニウム、リノール酸トリメチルアンモニウ
ム、リノレイン酸トリメチルアンモニウム、p−アミノ
安息香酸トリメチルアンモニウム、p−トルエンスルホ
ン酸トリメチルアンモニウム、ベンゼンスルホン酸トリ
メチルアンモニウム、モノクロロ酢酸トリメチルアンモ
ニウム、ジクロロ酢酸トリメチルアンモニウム、トリク
ロロ酢酸トリメチルアンモニウム、トリフルオロ酢酸ト
リメチルアンモニウム、マロン酸トリメチルアンモニウ
ム、スルホン酸トリメチルアンモニウム、フマル酸トリ
メチルアンモニウム、酒石酸トリメチルアンモニウム、
イタコン酸トリメチルアンモニウム、メサコン酸トリメ
チルアンモニウム、シトラコン酸トリメチルアンモニウ
ム、リンゴ酸トリメチルアンモニウム、グルタル酸トリ
メチルアンモニウム;水酸化エチルアンモニウム、塩化
エチルアンモニウム、臭化エチルアンモニウム、沃化エ
チルアンモニウム、フッ化エチルアンモニウム、硝酸エ
チルアンモニウム、硫酸エチルアンモニウム、硫酸水素
エチルアンモニウム、リン酸エチルアンモニウム、炭酸
エチルアンモニウム、フェノールエチルアンモニウム、
酢酸エチルアンモニウム、アジピン酸エチルアンモニウ
ム、アルギン酸エチルアンモニウム、安息香酸エチルア
ンモニウム、硫酸エチルアンモニウム、クエン酸エチル
アンモニウム、ギ酸エチルアンモニウム、炭酸水素エチ
ルアンモニウム、フタル酸エチルアンモニウム、サリチ
ル酸エチルアンモニウム、コハク酸エチルアンモニウ
ム、マレイン酸エチルアンモニウム、プロピオン酸エチ
ルアンモニウム、ブタン酸エチルアンモニウム、ペンタ
ン酸エチルアンモニウム、ヘキサン酸エチルアンモニウ
ム、ヘプタン酸エチルアンモニウム、オクタン酸エチル
アンモニウム、ノナン酸エチルアンモニウム、デカン酸
エチルアンモニウム、シュウ酸エチルアンモニウム、メ
チルマロン酸エチルアンモニウム、セバシン酸エチルア
ンモニウム、没食子酸エチルアンモニウム、酪酸エチル
アンモニウム、メリット酸エチルアンモニウム、アラキ
ドン酸エチルアンモニウム、シキミ酸エチルアンモニウ
ム、2−エチルヘキサン酸エチルアンモニウム、オレイ
ン酸エチルアンモニウム、ステアリン酸エチルアンモニ
ウム、リノール酸エチルアンモニウム、リノレイン酸エ
チルアンモニウム、p−アミノ安息香酸エチルアンモニ
ウム、p−トルエンスルホン酸エチルアンモニウム、ベ
ンゼンスルホン酸エチルアンモニウム、モノクロロ酢酸
エチルアンモニウム、ジクロロ酢酸エチルアンモニウ
ム、トリクロロ酢酸エチルアンモニウム、トリフルオロ
酢酸エチルアンモニウム、マロン酸エチルアンモニウ
ム、スルホン酸エチルアンモニウム、フマル酸エチルア
ンモニウム、酒石酸エチルアンモニウム、イタコン酸エ
チルアンモニウム、メサコン酸エチルアンモニウム、シ
トラコン酸エチルアンモニウム、リンゴ酸エチルアンモ
ニウム、グルタル酸エチルアンモニウム;水酸化ジエチ
ルアンモニウム、塩化ジエチルアンモニウム、臭化ジエ
チルアンモニウム、沃化ジエチルアンモニウム、フッ化
ジエチルアンモニウム、硝酸ジエチルアンモニウム、硫
酸ジエチルアンモニウム、硫酸水素ジエチルアンモニウ
ム、リン酸ジエチルアンモニウム、炭酸ジエチルアンモ
ニウム、フェノールジエチルアンモニウム、酢酸ジエチ
ルアンモニウム、アジピン酸ジエチルアンモニウム、ア
ルギン酸ジエチルアンモニウム、安息香酸ジエチルアン
モニウム、硫酸ジエチルアンモニウム、クエン酸ジエチ
ルアンモニウム、ギ酸ジエチルアンモニウム、炭酸水素
ジエチルアンモニウム、フタル酸ジエチルアンモニウ
ム、サリチル酸ジエチルアンモニウム、コハク酸ジエチ
ルアンモニウム、マレイン酸ジエチルアンモニウム、プ
ロピオン酸ジエチルアンモニウム、ブタン酸ジエチルア
ンモニウム、ペンタン酸ジエチルアンモニウム、ヘキサ
ン酸ジエチルアンモニウム、ヘプタン酸ジエチルアンモ
ニウム、オクタン酸ジエチルアンモニウム、ノナン酸ジ
エチルアンモニウム、デカン酸ジエチルアンモニウム、
シュウ酸ジエチルアンモニウム、メチルマロン酸ジエチ
ルアンモニウム、セバシン酸ジエチルアンモニウム、没
食子酸ジエチルアンモニウム、酪酸ジエチルアンモニウ
ム、メリット酸ジエチルアンモニウム、アラキドン酸ジ
エチルアンモニウム、シキミ酸ジエチルアンモニウム、
2−エチルヘキサン酸ジエチルアンモニウム、オレイン
酸ジエチルアンモニウム、ステアリン酸ジエチルアンモ
ニウム、リノール酸ジエチルアンモニウム、リノレイン
酸ジエチルアンモニウム、p−アミノ安息香酸ジエチル
アンモニウム、p−トルエンスルホン酸ジエチルアンモ
ニウム、ベンゼンスルホン酸ジエチルアンモニウム、モ
ノクロロ酢酸ジエチルアンモニウム、ジクロロ酢酸ジエ
チルアンモニウム、トリクロロ酢酸ジエチルアンモニウ
ム、トリフルオロ酢酸ジエチルアンモニウム、マロン酸
ジエチルアンモニウム、スルホン酸ジエチルアンモニウ
ム、フマル酸ジエチルアンモニウム、酒石酸ジエチルア
ンモニウム、イタコン酸ジエチルアンモニウム、メサコ
ン酸ジエチルアンモニウム、シトラコン酸ジエチルアン
モニウム、リンゴ酸ジエチルアンモニウム、グルタル酸
ジエチルアンモニウム;水酸化トリエチルアンモニウ
ム、塩化トリエチルアンモニウム、臭化トリエチルアン
モニウム、沃化トリエチルアンモニウム、フッ化トリエ
チルアンモニウム、硝酸トリエチルアンモニウム、硫酸
トリエチルアンモニウム、硫酸水素トリエチルアンモニ
ウム、リン酸トリエチルアンモニウム、炭酸トリエチル
アンモニウム、フェノールトリエチルアンモニウム、酢
酸トリエチルアンモニウム、アジピン酸トリエチルアン
モニウム、アルギン酸トリエチルアンモニウム、安息香
酸トリエチルアンモニウム、硫酸トリエチルアンモニウ
ム、クエン酸トリエチルアンモニウム、ギ酸トリエチル
アンモニウム、炭酸水素トリエチルアンモニウム、フタ
ル酸トリエチルアンモニウム、サリチル酸トリエチルア
ンモニウム、コハク酸トリエチルアンモニウム、マレイ
ン酸トリエチルアンモニウム、プロピオン酸トリエチル
アンモニウム、ブタン酸トリエチルアンモニウム、ペン
タン酸トリエチルアンモニウム、ヘキサン酸トリエチル
アンモニウム、ヘプタン酸トリエチルアンモニウム、オ
クタン酸トリエチルアンモニウム、ノナン酸トリエチル
アンモニウム、デカン酸トリエチルアンモニウム、シュ
ウ酸トリエチルアンモニウム、メチルマロン酸トリエチ
ルアンモニウム、セバシン酸トリエチルアンモニウム、
没食子酸トリエチルアンモニウム、酪酸トリエチルアン
モニウム、メリット酸トリエチルアンモニウム、アラキ
ドン酸トリエチルアンモニウム、シキミ酸トリエチルア
ンモニウム、2−エチルヘキサン酸トリエチルアンモニ
ウム、オレイン酸トリエチルアンモニウム、ステアリン
酸トリエチルアンモニウム、リノール酸トリエチルアン
モニウム、リノレイン酸トリエチルアンモニウム、p−
アミノ安息香酸トリエチルアンモニウム、p−トルエン
スルホン酸トリエチルアンモニウム、ベンゼンスルホン
酸トリエチルアンモニウム、モノクロロ酢酸トリエチル
アンモニウム、ジクロロ酢酸トリエチルアンモニウム、
トリクロロ酢酸トリエチルアンモニウム、トリフルオロ
酢酸トリエチルアンモニウム、マロン酸トリエチルアン
モニウム、スルホン酸トリエチルアンモニウム、フマル
酸トリエチルアンモニウム、酒石酸トリエチルアンモニ
ウム、イタコン酸トリエチルアンモニウム、メサコン酸
トリエチルアンモニウム、シトラコン酸トリエチルアン
モニウム、リンゴ酸トリエチルアンモニウム、グルタル
酸トリエチルアンモニウム;水酸化トリプロピルアンモ
ニウム、塩化トリプロピルアンモニウム、臭化トリプロ
ピルアンモニウム、沃化トリプロピルアンモニウム、フ
ッ化トリプロピルアンモニウム、硝酸トリプロピルアン
モニウム、硫酸トリプロピルアンモニウム、硫酸水素ト
リプロピルアンモニウム、リン酸トリプロピルアンモニ
ウム、炭酸トリプロピルアンモニウム、フェノールトリ
プロピルアンモニウム、酢酸トリプロピルアンモニウ
ム、アジピン酸トリプロピルアンモニウム、アルギン酸
トリプロピルアンモニウム、安息香酸トリプロピルアン
モニウム、硫酸トリプロピルアンモニウム、クエン酸ト
リプロピルアンモニウム、ギ酸トリプロピルアンモニウ
ム、炭酸水素トリプロピルアンモニウム、フタル酸トリ
プロピルアンモニウム、サリチル酸トリプロピルアンモ
ニウム、コハク酸トリプロピルアンモニウム、マレイン
酸トリプロピルアンモニウム、プロピオン酸トリプロピ
ルアンモニウム、ブタン酸トリプロピルアンモニウム、
ペンタン酸トリプロピルアンモニウム、ヘキサン酸トリ
プロピルアンモニウム、ヘプタン酸トリプロピルアンモ
ニウム、オクタン酸トリプロピルアンモニウム、ノナン
酸トリプロピルアンモニウム、デカン酸トリプロピルア
ンモニウム、シュウ酸トリプロピルアンモニウム、メチ
ルマロン酸トリプロピルアンモニウム、セバシン酸トリ
プロピルアンモニウム、没食子酸トリプロピルアンモニ
ウム、酪酸トリプロピルアンモニウム、メリット酸トリ
プロピルアンモニウム、アラキドン酸トリプロピルアン
モニウム、シキミ酸トリプロピルアンモニウム、2−エ
チルヘキサン酸トリプロピルアンモニウム、オレイン酸
トリプロピルアンモニウム、ステアリン酸トリプロピル
アンモニウム、リノール酸トリプロピルアンモニウム、
リノレイン酸トリプロピルアンモニウム、p−アミノ安
息香酸トリプロピルアンモニウム、p−トルエンスルホ
ン酸トリプロピルアンモニウム、ベンゼンスルホン酸ト
リプロピルアンモニウム、モノクロロ酢酸トリプロピル
アンモニウム、ジクロロ酢酸トリプロピルアンモニウ
ム、トリクロロ酢酸トリプロピルアンモニウム、トリフ
ルオロ酢酸トリプロピルアンモニウム、マロン酸トリプ
ロピルアンモニウム、スルホン酸トリプロピルアンモニ
ウム、フマル酸トリプロピルアンモニウム、酒石酸トリ
プロピルアンモニウム、イタコン酸トリプロピルアンモ
ニウム、メサコン酸トリプロピルアンモニウム、シトラ
コン酸トリプロピルアンモニウム、リンゴ酸トリプロピ
ルアンモニウム、グルタル酸トリプロピルアンモニウ
ム;水酸化トリブチルアンモニウム、塩化トリブチルア
ンモニウム、臭化トリブチルアンモニウム、沃化トリブ
チルアンモニウム、フッ化トリブチルアンモニウム、硝
酸トリブチルアンモニウム、硫酸トリブチルアンモニウ
ム、硫酸水素トリブチルアンモニウム、リン酸トリブチ
ルアンモニウム、炭酸トリブチルアンモニウム、フェノ
ールトリブチルアンモニウム、酢酸トリブチルアンモニ
ウム、アジピン酸トリブチルアンモニウム、アルギン酸
トリブチルアンモニウム、安息香酸トリブチルアンモニ
ウム、硫酸トリブチルアンモニウム、クエン酸トリブチ
ルアンモニウム、ギ酸トリブチルアンモニウム、炭酸水
素トリブチルアンモニウム、フタル酸トリブチルアンモ
ニウム、サリチル酸トリブチルアンモニウム、コハク酸
トリブチルアンモニウム、マレイン酸トリブチルアンモ
ニウム、プロピオン酸トリブチルアンモニウム、ブタン
酸トリブチルアンモニウム、ペンタン酸トリブチルアン
モニウム、ヘキサン酸トリブチルアンモニウム、ヘプタ
ン酸トリブチルアンモニウム、オクタン酸トリブチルア
ンモニウム、ノナン酸トリブチルアンモニウム、デカン
酸トリブチルアンモニウム、シュウ酸トリブチルアンモ
ニウム、メチルマロン酸トリブチルアンモニウム、セバ
シン酸トリブチルアンモニウム、没食子酸トリブチルア
ンモニウム、酪酸トリブチルアンモニウム、メリット酸
トリブチルアンモニウム、アラキドン酸トリブチルアン
モニウム、シキミ酸トリブチルアンモニウム、2−エチ
ルヘキサン酸トリブチルアンモニウム、オレイン酸トリ
ブチルアンモニウム、ステアリン酸トリブチルアンモニ
ウム、リノール酸トリブチルアンモニウム、リノレイン
酸トリブチルアンモニウム、p−アミノ安息香酸トリブ
チルアンモニウム、p−トルエンスルホン酸トリブチル
アンモニウム、ベンゼンスルホン酸トリブチルアンモニ
ウム、モノクロロ酢酸トリブチルアンモニウム、ジクロ
ロ酢酸トリブチルアンモニウム、トリクロロ酢酸トリブ
チルアンモニウム、トリフルオロ酢酸トリブチルアンモ
ニウム、マロン酸トリブチルアンモニウム、スルホン酸
トリブチルアンモニウム、フマル酸トリブチルアンモニ
ウム、酒石酸トリブチルアンモニウム、イタコン酸トリ
ブチルアンモニウム、メサコン酸トリブチルアンモニウ
ム、シトラコン酸トリブチルアンモニウム、リンゴ酸ト
リブチルアンモニウム、グルタル酸トリブチルアンモニ
ウム;水酸化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラメ
チルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、沃
化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラメチルアン
モニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、硫酸テトラ
メチルアンモニウム、硫酸水素テトラメチルアンモニウ
ム、リン酸テトラメチルアンモニウム、炭酸テトラメチ
ルアンモニウム、フェノールテトラメチルアンモニウ
ム、酢酸テトラメチルアンモニウム、アジピン酸テトラ
メチルアンモニウム、アルギン酸テトラメチルアンモニ
ウム、安息香酸テトラメチルアンモニウム、硫酸テトラ
メチルアンモニウム、クエン酸テトラメチルアンモニウ
ム、ギ酸テトラメチルアンモニウム、炭酸水素テトラメ
チルアンモニウム、フタル酸テトラメチルアンモニウ
ム、サリチル酸テトラメチルアンモニウム、コハク酸テ
トラメチルアンモニウム、マレイン酸テトラメチルアン
モニウム、プロピオン酸テトラメチルアンモニウム、ブ
タン酸テトラメチルアンモニウム、ペンタン酸テトラメ
チルアンモニウム、ヘキサン酸テトラメチルアンモニウ
ム、ヘプタン酸テトラメチルアンモニウム、オクタン酸
テトラメチルアンモニウム、ノナン酸テトラメチルアン
モニウム、デカン酸テトラメチルアンモニウム、シュウ
酸テトラメチルアンモニウム、メチルマロン酸テトラメ
チルアンモニウム、セバシン酸テトラメチルアンモニウ
ム、没食子酸テトラメチルアンモニウム、酪酸テトラメ
チルアンモニウム、メリット酸テトラメチルアンモニウ
ム、アラキドン酸テトラメチルアンモニウム、シキミ酸
テトラメチルアンモニウム、2−エチルヘキサン酸テト
ラメチルアンモニウム、オレイン酸テトラメチルアンモ
ニウム、ステアリン酸テトラメチルアンモニウム、リノ
ール酸テトラメチルアンモニウム、リノレイン酸テトラ
メチルアンモニウム、p−アミノ安息香酸テトラメチル
アンモニウム、p−トルエンスルホン酸テトラメチルア
ンモニウム、ベンゼンスルホン酸テトラメチルアンモニ
ウム、モノクロロ酢酸テトラメチルアンモニウム、ジク
ロロ酢酸テトラメチルアンモニウム、トリクロロ酢酸テ
トラメチルアンモニウム、トリフルオロ酢酸テトラメチ
ルアンモニウム、マロン酸テトラメチルアンモニウム、
スルホン酸テトラメチルアンモニウム、フマル酸テトラ
メチルアンモニウム、酒石酸テトラメチルアンモニウ
ム、イタコン酸テトラメチルアンモニウム、メサコン酸
テトラメチルアンモニウム、シトラコン酸テトラメチル
アンモニウム、リンゴ酸テトラメチルアンモニウム、グ
ルタル酸テトラメチルアンモニウム;水酸化テトラエチ
ルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、臭化
テトラエチルアンモニウム、沃化テトラエチルアンモニ
ウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、硝酸テトラエ
チルアンモニウム、硫酸テトラエチルアンモニウム、硫
酸水素テトラエチルアンモニウム、リン酸テトラエチル
アンモニウム、炭酸テトラエチルアンモニウム、フェノ
ールテトラエチルアンモニウム、酢酸テトラエチルアン
モニウム、アジピン酸テトラエチルアンモニウム、アル
ギン酸テトラエチルアンモニウム、安息香酸テトラエチ
ルアンモニウム、硫酸テトラエチルアンモニウム、クエ
ン酸テトラエチルアンモニウム、ギ酸テトラエチルアン
モニウム、炭酸水素テトラエチルアンモニウム、フタル
酸テトラエチルアンモニウム、サリチル酸テトラエチル
アンモニウム、コハク酸テトラエチルアンモニウム、マ
レイン酸テトラエチルアンモニウム、プロピオン酸テト
ラエチルアンモニウム、ブタン酸テトラエチルアンモニ
ウム、ペンタン酸テトラエチルアンモニウム、ヘキサン
酸テトラエチルアンモニウム、ヘプタン酸テトラエチル
アンモニウム、オクタン酸テトラエチルアンモニウム、
ノナン酸テトラエチルアンモニウム、デカン酸テトラエ
チルアンモニウム、シュウ酸テトラエチルアンモニウ
ム、メチルマロン酸テトラエチルアンモニウム、セバシ
ン酸テトラエチルアンモニウム、没食子酸テトラエチル
アンモニウム、酪酸テトラエチルアンモニウム、メリッ
ト酸テトラエチルアンモニウム、アラキドン酸テトラエ
チルアンモニウム、シキミ酸テトラエチルアンモニウ
ム、2−エチルヘキサン酸テトラエチルアンモニウム、
オレイン酸テトラエチルアンモニウム、ステアリン酸テ
トラエチルアンモニウム、リノール酸テトラエチルアン
モニウム、リノレイン酸テトラエチルアンモニウム、p
−アミノ安息香酸テトラエチルアンモニウム、p−トル
エンスルホン酸テトラエチルアンモニウム、ベンゼンス
ルホン酸テトラエチルアンモニウム、モノクロロ酢酸テ
トラエチルアンモニウム、ジクロロ酢酸テトラエチルア
ンモニウム、トリクロロ酢酸テトラエチルアンモニウ
ム、トリフルオロ酢酸テトラエチルアンモニウム、マロ
ン酸テトラエチルアンモニウム、スルホン酸テトラエチ
ルアンモニウム、フマル酸テトラエチルアンモニウム、
酒石酸テトラエチルアンモニウム、イタコン酸テトラエ
チルアンモニウム、メサコン酸テトラエチルアンモニウ
ム、シトラコン酸テトラエチルアンモニウム、リンゴ酸
テトラエチルアンモニウム、グルタル酸テトラエチルア
ンモニウム;水酸化テトラプロピルアンモニウム、塩化
テトラプロピルアンモニウム、臭化テトラプロピルアン
モニウム、沃化テトラプロピルアンモニウム、フッ化テ
トラプロピルアンモニウム、硝酸テトラプロピルアンモ
ニウム、硫酸テトラプロピルアンモニウム、硫酸水素テ
トラプロピルアンモニウム、リン酸テトラプロピルアン
モニウム、炭酸テトラプロピルアンモニウム、フェノー
ルテトラプロピルアンモニウム、酢酸テトラプロピルア
ンモニウム、アジピン酸テトラプロピルアンモニウム、
アルギン酸テトラプロピルアンモニウム、安息香酸テト
ラプロピルアンモニウム、硫酸テトラプロピルアンモニ
ウム、クエン酸テトラプロピルアンモニウム、ギ酸テト
ラプロピルアンモニウム、炭酸水素テトラプロピルアン
モニウム、フタル酸テトラプロピルアンモニウム、サリ
チル酸テトラプロピルアンモニウム、コハク酸テトラプ
ロピルアンモニウム、マレイン酸テトラプロピルアンモ
ニウム、プロピオン酸テトラプロピルアンモニウム、ブ
タン酸テトラプロピルアンモニウム、ペンタン酸テトラ
プロピルアンモニウム、ヘキサン酸テトラプロピルアン
モニウム、ヘプタン酸テトラプロピルアンモニウム、オ
クタン酸テトラプロピルアンモニウム、ノナン酸テトラ
プロピルアンモニウム、デカン酸テトラプロピルアンモ
ニウム、シュウ酸テトラプロピルアンモニウム、メチル
マロン酸テトラプロピルアンモニウム、セバシン酸テト
ラプロピルアンモニウム、没食子酸テトラプロピルアン
モニウム、酪酸テトラプロピルアンモニウム、メリット
酸テトラプロピルアンモニウム、アラキドン酸テトラプ
ロピルアンモニウム、シキミ酸テトラプロピルアンモニ
ウム、2−エチルヘキサン酸テトラプロピルアンモニウ
ム、オレイン酸テトラプロピルアンモニウム、ステアリ
ン酸テトラプロピルアンモニウム、リノール酸テトラプ
ロピルアンモニウム、リノレイン酸テトラプロピルアン
モニウム、p−アミノ安息香酸テトラプロピルアンモニ
ウム、p−トルエンスルホン酸テトラプロピルアンモニ
ウム、ベンゼンスルホン酸テトラプロピルアンモニウ
ム、モノクロロ酢酸テトラプロピルアンモニウム、ジク
ロロ酢酸テトラプロピルアンモニウム、トリクロロ酢酸
テトラプロピルアンモニウム、トリフルオロ酢酸テトラ
プロピルアンモニウム、マロン酸テトラプロピルアンモ
ニウム、スルホン酸テトラプロピルアンモニウム、フマ
ル酸テトラプロピルアンモニウム、酒石酸テトラプロピ
ルアンモニウム、イタコン酸テトラプロピルアンモニウ
ム、メサコン酸テトラプロピルアンモニウム、シトラコ
ン酸テトラプロピルアンモニウム、リンゴ酸テトラプロ
ピルアンモニウム、グルタル酸テトラプロピルアンモニ
ウム;水酸化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブ
チルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、沃
化テトラブチルアンモニウム、フッ化テトラブチルアン
モニウム、硝酸テトラブチルアンモニウム、硫酸テトラ
ブチルアンモニウム、硫酸水素テトラブチルアンモニウ
ム、リン酸テトラブチルアンモニウム、炭酸テトラブチ
ルアンモニウム、フェノールテトラブチルアンモニウ
ム、酢酸テトラブチルアンモニウム、アジピン酸テトラ
ブチルアンモニウム、アルギン酸テトラブチルアンモニ
ウム、安息香酸テトラブチルアンモニウム、硫酸テトラ
ブチルアンモニウム、クエン酸テトラブチルアンモニウ
ム、ギ酸テトラブチルアンモニウム、炭酸水素テトラブ
チルアンモニウム、フタル酸テトラブチルアンモニウ
ム、サリチル酸テトラブチルアンモニウム、コハク酸テ
トラブチルアンモニウム、マレイン酸テトラブチルアン
モニウム、プロピオン酸テトラブチルアンモニウム、ブ
タン酸テトラブチルアンモニウム、ペンタン酸テトラブ
チルアンモニウム、ヘキサン酸テトラブチルアンモニウ
ム、ヘプタン酸テトラブチルアンモニウム、オクタン酸
テトラブチルアンモニウム、ノナン酸テトラブチルアン
モニウム、デカン酸テトラブチルアンモニウム、シュウ
酸テトラブチルアンモニウム、メチルマロン酸テトラブ
チルアンモニウム、セバシン酸テトラブチルアンモニウ
ム、没食子酸テトラブチルアンモニウム、酪酸テトラブ
チルアンモニウム、メリット酸テトラブチルアンモニウ
ム、アラキドン酸テトラブチルアンモニウム、シキミ酸
テトラブチルアンモニウム、2−エチルヘキサン酸テト
ラブチルアンモニウム、オレイン酸テトラブチルアンモ
ニウム、ステアリン酸テトラブチルアンモニウム、リノ
ール酸テトラブチルアンモニウム、リノレイン酸テトラ
ブチルアンモニウム、p−アミノ安息香酸テトラブチル
アンモニウム、p−トルエンスルホン酸テトラブチルア
ンモニウム、ベンゼンスルホン酸テトラブチルアンモニ
ウム、モノクロロ酢酸テトラブチルアンモニウム、ジク
ロロ酢酸テトラブチルアンモニウム、トリクロロ酢酸テ
トラブチルアンモニウム、トリフルオロ酢酸テトラブチ
ルアンモニウム、マロン酸テトラブチルアンモニウム、
スルホン酸テトラブチルアンモニウム、フマル酸テトラ
ブチルアンモニウム、酒石酸テトラブチルアンモニウ
ム、イタコン酸テトラブチルアンモニウム、メサコン酸
テトラブチルアンモニウム、シトラコン酸テトラブチル
アンモニウム、リンゴ酸テトラブチルアンモニウム、グ
ルタル酸テトラブチルアンモニウム;水酸化トリメチル
ベンジルアンモニウム、塩化トリメチルベンジルアンモ
ニウム、臭化トリメチルベンジルアンモニウム、沃化ト
リメチルベンジルアンモニウム、フッ化トリメチルベン
ジルアンモニウム、硝酸トリメチルベンジルアンモニウ
ム、硫酸トリメチルベンジルアンモニウム、硫酸水素ト
リメチルベンジルアンモニウム、リン酸トリメチルベン
ジルアンモニウム、炭酸トリメチルベンジルアンモニウ
ム、フェノールトリメチルベンジルアンモニウム、酢酸
トリメチルベンジルアンモニウム、アジピン酸トリメチ
ルベンジルアンモニウム、アルギン酸トリメチルベンジ
ルアンモニウム、安息香酸トリメチルベンジルアンモニ
ウム、硫酸トリメチルベンジルアンモニウム、クエン酸
トリメチルベンジルアンモニウム、ギ酸トリメチルベン
ジルアンモニウム、炭酸水素トリメチルベンジルアンモ
ニウム、フタル酸トリメチルベンジルアンモニウム、サ
リチル酸トリメチルベンジルアンモニウム、コハク酸ト
リメチルベンジルアンモニウム、マレイン酸トリメチル
ベンジルアンモニウム、プロピオン酸トリメチルベンジ
ルアンモニウム、ブタン酸トリメチルベンジルアンモニ
ウム、ペンタン酸トリメチルベンジルアンモニウム、ヘ
キサン酸トリメチルベンジルアンモニウム、ヘプタン酸
トリメチルベンジルアンモニウム、オクタン酸トリメチ
ルベンジルアンモニウム、ノナン酸トリメチルベンジル
アンモニウム、デカン酸トリメチルベンジルアンモニウ
ム、シュウ酸トリメチルベンジルアンモニウム、メチル
マロン酸トリメチルベンジルアンモニウム、セバシン酸
トリメチルベンジルアンモニウム、没食子酸トリメチル
ベンジルアンモニウム、酪酸トリメチルベンジルアンモ
ニウム、メリット酸トリメチルベンジルアンモニウム、
アラキドン酸トリメチルベンジルアンモニウム、シキミ
酸トリメチルベンジルアンモニウム、2−エチルヘキサ
ン酸トリメチルベンジルアンモニウム、オレイン酸トリ
メチルベンジルアンモニウム、ステアリン酸トリメチル
ベンジルアンモニウム、リノール酸トリメチルベンジル
アンモニウム、リノレイン酸トリメチルベンジルアンモ
ニウム、p−アミノ安息香酸トリメチルベンジルアンモ
ニウム、p−トルエンスルホン酸トリメチルベンジルア
ンモニウム、ベンゼンスルホン酸トリメチルベンジルア
ンモニウム、モノクロロ酢酸トリメチルベンジルアンモ
ニウム、ジクロロ酢酸トリメチルベンジルアンモニウ
ム、トリクロロ酢酸トリメチルベンジルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸トリメチルベンジルアンモニウム、マ
ロン酸トリメチルベンジルアンモニウム、スルホン酸ト
リメチルベンジルアンモニウム、フマル酸トリメチルベ
ンジルアンモニウム、酒石酸トリメチルベンジルアンモ
ニウム、イタコン酸トリメチルベンジルアンモニウム、
メサコン酸トリメチルベンジルアンモニウム、シトラコ
ン酸トリメチルベンジルアンモニウム、リンゴ酸トリメ
チルベンジルアンモニウム、グルタル酸トリメチルベン
ジルアンモニウム;
Specifically, (A) Production of hydrolysis condensate
And (B) a hydrolyzed condensate.
Of metal chelate and acid catalysts
Use one or the other. As a nitrogen-containing onium salt compound
Are ammonium hydroxide, ammonium chloride, ammonium bromide
Monium, ammonium iodide, ammonium fluoride, nitrate
Ammonium sulfate, ammonium sulfate, ammonium hydrogen sulfate
, Ammonium phosphate, ammonium carbonate, pheno
Ammonium, ammonium acetate, and adipic acid
Monium, ammonium alginate, ammonium benzoate
, Ammonium sulfate, ammonium citrate, formic acid
Ammonium, ammonium bicarbonate, ammonium phthalate
, Ammonium salicylate, ammonium succinate
, Ammonium maleate, ammonium propionate
, Ammonium butanoate, ammonium pentanate,
Ammonium hexanoate, ammonium heptanoate,
Ammonium butanoate, ammonium nonanoate, decane
Ammonium oxalate, ammonium oxalate, methylmalon
Ammonium, ammonium sebacate, gallic acid
Ammonium, ammonium butyrate, ammonium nitrate
Ammonium, arachidonic acid, ammonium shikimate
System, ammonium 2-ethylhexanoate, ammonium oleate
Ammonium, ammonium stearate, linoleic acid
Ammonium, ammonium linoleate, p-amino ammonium
Ammonium benzoate, p-toluenesulfonic acid ammonium
, Ammonium benzenesulfonate, monochloro vinegar
Ammonium, ammonium dichloroacetate, trichloro
Ammonium acetate, ammonium trifluoroacetate,
Ammonium malonate, ammonium sulfonate, fuma
Ammonium luate, ammonium tartrate, itaconic acid
Ammonium, ammonium mesaconate, citraconate
Ammonium, ammonium malate, ammonium glutarate
Nium: methyl ammonium hydroxide, methyl ammonium chloride
Ammonium, methyl ammonium bromide, methyl ammonium iodide
Ammonium, methyl ammonium fluoride, methyl ammonium nitrate
Ammonium, methyl ammonium sulfate, methyl ammonium sulfate
, Methyl ammonium phosphate, methyl ammonium carbonate
, Phenol methyl ammonium, methyl acetate
Ammonium, methylammonium adipate, algin
Ammonium methylate, methylammonium benzoate,
Methyl ammonium sulfate, methyl ammonium citrate
, Methyl ammonium formate, methyl ammonium bicarbonate
, Ammonium ammonium phthalate, methyl salicylate
Ammonium, methyl ammonium succinate, maleic
Ammonium methylate, methyl ammonium propionate
System, methyl ammonium butanoate, methyl ammonium pentanate
Ammonium, methyl ammonium hexanoate, heptane
Ammonium methylate, methyl ammonium octoate
Methyl, ammonium ammonium nonanoate, methyl ammonium decanoate
Monium, methyl ammonium oxalate, methyl malon
Ammonium, methyl ammonium sebacate
, Methyl ammonium gallate, methyl ammonium butyrate
Ammonium, methylammonium melitate, arachidonic acid
Tyl ammonium, methyl ammonium shikimate, 2-
Methyl ammonium hexanoate, methyl oleate
Ammonium, methyl ammonium stearate,
Methyl ammonium oleate, methyl linoleate
Monium, methyl ammonium p-aminobenzoate, p
-Methyl ammonium toluenesulfonate, benzenes
Methyl ammonium sulfonate, methyl monoacetate
Ammonium, methylammonium dichloroacetate, tric
Methyl ammonium roloacetate, methyl trifluoroacetate
Ammonium, methyl ammonium malonate, sulfone
Ammonium methylate, methylammonium fumarate,
Methyl ammonium tartrate, methyl ammonium itaconate
Ium, methylammonium mesaconate, citraconate
Tyl ammonium, methyl ammonium malate, glue
Methyl ammonium tallate; dimethyl ammonium hydroxide
Dimethyl ammonium chloride, dimethyl ammonium bromide
, Dimethyl ammonium iodide, dimethyl ammonium fluoride
Monium, dimethyl ammonium nitrate, dimethyl ammonium sulfate
Ammonium, dimethyl ammonium hydrogen sulfate, diphosphate
Methyl ammonium, dimethyl ammonium carbonate,
Nordimethylammonium, dimethylammonium acetate
Dimethylammonium adipate, dimethyl ammonium alginate
Tyl ammonium, dimethyl ammonium benzoate, sulfuric acid
Ammonium citrate, dimethyl ammonium citrate
Dimethyl ammonium formate, dimethyl ammonium bicarbonate
Monium, dimethyl ammonium phthalate, salicylic acid
Dimethyl ammonium, dimethyl ammonium succinate
Dimethyl ammonium maleate, dipropionate
Methyl ammonium, dimethyl ammonium butanoate,
Dimethyl ammonium pentanoate, dimethyl hexanoate
Ammonium, dimethyl ammonium heptanoate, octane
Dimethyl ammonium tannate, dimethyl ammonium nonanoate
, Dimethyl ammonium decanoate, dimethyl oxalate
Thilammonium, dimethylammonium methylmalonate
Dimethylammonium sebacate, dimethic gallate
Luammonium, dimethyl ammonium butyrate, benefits
Dimethyl ammonium, arachidonic acid dimethyl ammonium
, Dimethyl ammonium shikimate, 2-ethyl
Dimethyl ammonium oxalate, dimethyl oleate
Ammonium, dimethyl ammonium stearate, reno
Dimethyl ammonium oleate, dimethyl linoleate
Ammonium, dimethylammonium p-aminobenzoate
Dimethyl ammonium p-toluenesulfonate,
Dimethylammonium sulfonate, monochloro vinegar
Ammonium dimethylammonium salt
, Dimethyl ammonium trichloroacetate, torif
Dimethyl ammonium fluoroacetate, Dimethyl malonate
Ammonium, dimethyl ammonium sulfonate, fumar
Dimethylammonium, dimethylammonium tartrate
Dimethyl ammonium itaconate, dimesameconate
Thilammonium, dimethyl ammonium citraconic acid
Dimethyl ammonium malate, glutaric acid dimethyl
Ammonium, trimethylammonium hydroxide, chloride
Trimethylammonium, trimethylammonium bromide
System, trimethyl ammonium iodide, trimethyl ammonium fluoride
Ammonium, trimethylammonium nitrate, trime sulfate
Tyl ammonium, trimethyl ammonium hydrogen sulfate,
Trimethylammonium phosphate, trimethylammonium carbonate
, Phenoltrimethylammonium, triacetate
Methyl ammonium, trimethylammonium adipate
Trimethylammonium alginate, tribenzoic acid
Methyl ammonium, trimethyl ammonium sulfate,
Trimethylammonium formate, trimethylammonium formate
, Trimethyl ammonium bicarbonate, phthalic acid
Limethyl ammonium, trimethyl ammonium salicylate
And trimethylammonium succinate, maleate
Limethylammonium, trimethylammonium propionate
, Trimethylammonium butanoate, pentanoic acid
Trimethylammonium, trimethylammonium hexanoate
, Trimethylammonium heptanoate, octane
Ammonium trimethylammonate, trimethylammonium nonanoate
, Trimethylammonium decanoate, oxalate
Limethylammonium, trimethylan methyl malonate
Monium, trimethylammonium sebacate, gallic
Trimethylammonium, trimethylammonium butyrate
System, trimethylammonium melitate, arachidonic acid
Trimethyl ammonium, trimethyl ammonium shikimate
, Trimethylammonium 2-ethylhexanoate,
Trimethylammonium oleate, Tristearate
Methyl ammonium, trimethylammonium linoleate
Trimethylammonium linoleate, p-amino
Trimethylammonium benzoate, p-toluenesulfo
Trimethylammonium phosphate, tribenzenesulfonate
Methyl ammonium, trimethylammonium monochloroacetate
, Trimethylammonium dichloroacetate, Trik
Trimethylammonium loloacetate, trifluoroacetic acid
Limethylammonium, trimethylammonium malonate
Trimethylammonium sulfonate, trimethyl fumarate
Methyl ammonium, trimethyl ammonium tartrate,
Trimethylammonium itaconate, trime mesaconate
Thilammonium, trimethylammonium citraconic acid
, Trimethylammonium malate, triglutarate
Methyl ammonium; ethyl ammonium hydroxide, chloride
Ethyl ammonium, ethyl ammonium bromide, ethyl iodide
Tillammonium, ethylammonium fluoride, nitric acid
Tilammonium, ethylammonium sulfate, hydrogen sulfate
Ethyl ammonium, ethyl ammonium phosphate, carbonic acid
Ethyl ammonium, phenol ethyl ammonium,
Ethyl ammonium acetate, ethyl ammonium adipate
, Ethyl ammonium alginate, ethyl benzoate
Ammonium, ethyl ammonium sulfate, ethyl citrate
Ammonium, ethyl ammonium formate, hydrogen bicarbonate
Ammonium, ethyl ammonium phthalate, salicy
Ethyl ammonium oxalate, ethyl ammonium succinate
, Ethyl ammonium maleate, ethyl propionate
Ammonium, ethyl ammonium butanoate, penta
Ethyl ammonium phosphate, ethyl ammonium hexanoate
System, ethyl ammonium heptanoate, ethyl octanoate
Ammonium, ethyl ammonium nonanoate, decanoic acid
Ethyl ammonium, ethyl ammonium oxalate,
Ethyl ammonium tilmaronate, ethyl acetate sebacate
Ammonium, ethyl ammonium gallate, ethyl butyrate
Ammonium, ethyl ammonium melitate, arachi
Ethyl ammonium donate, ethyl ammonium shikimate
System, ethyl ammonium 2-ethylhexanoate, Olay
Ethyl ammonium, ethyl ammonium stearate
, Ethyl ammonium linoleate, linoleate
Tylammonium, ethyl ammonium p-aminobenzoate
, Ethyl ammonium p-toluenesulfonate,
Ethylammonium sulfonate, monochloroacetic acid
Ethyl ammonium, ethyl ammonium dichloroacetate
System, ethyl ammonium trichloroacetate, trifluoro
Ethyl ammonium acetate, ethyl ammonium malonate
System, ethyl ammonium sulfonate, ethyl ammonium fumarate
Ammonium, ethyl ammonium tartrate, itaconic acid
Tyl ammonium, ethyl ammonium mesaconate,
Ethyl ammonium traconic acid, ethyl ammonium malate
, Ethylammonium glutarate; diethyl hydroxide
Ammonium, diethylammonium chloride, diem bromide
Tilammonium, diethylammonium iodide, fluoride
Diethyl ammonium, diethyl ammonium nitrate, sulfuric acid
Ammonium diethyl sulfate, diethyl ammonium hydrogen sulfate
, Diethylammonium phosphate, diethylammonium carbonate
Phenol, diethylammonium, diethyl acetate
Ammonium, diethylammonium adipate,
Diethyl ammonium luginate, diethyl benzoate
Monium, diethylammonium sulfate, diethyl citrate
Luammonium, diethylammonium formate, hydrogen carbonate
Diethylammonium, diethylammonium phthalate
System, diethylammonium salicylate, diethyl succinate
Ammonium, diethylammonium maleate,
Diethylammonium lopionate, diethylabutanoate
Ammonium, diethyl ammonium pentanate, hexa
Diethyl ammonium phosphate, diethyl heptanoate
Ammonium, diethyl ammonium octoate, nonanoic acid di
Ethyl ammonium, diethyl ammonium decanoate,
Diethyl ammonium oxalate, methyl malonate
Ammonium, diethylammonium sebacate,
Diethylammonium succinate, diethylammonium butyrate
System, diethylammonium melitate, diarachidonic acid
Ethyl ammonium, diethyl ammonium shikimate,
Diethyl ammonium 2-ethylhexanoate, olein
Ammonium diethylate, diethylammonium stearate
, Diethylammonium linoleate, linolein
Ammonium diethylate, diethyl p-aminobenzoate
Ammonium, diethyl ammonium p-toluenesulfonate
Ammonium, diethylammonium benzenesulfonate,
Diethylammonium dichloroacetate
Thilammonium, diethylammonium trichloroacetate
System, diethylammonium trifluoroacetate, malonic acid
Diethyl ammonium, diethyl ammonium sulfonate
System, diethyl ammonium fumarate, diethyl ammonium tartrate
Ammonium, diethylammonium itaconate, mesaco
Ammonium diethylate, diethylanthrate citraconic acid
Monium, diethylammonium malate, glutaric acid
Diethylammonium; triethylammonium hydroxide
Triethylammonium chloride, triethylammonium bromide
Monium, triethylammonium iodide, trifluoride
Tyl ammonium, triethyl ammonium nitrate, sulfuric acid
Triethylammonium, triethylammonium hydrogen sulfate
, Triethylammonium phosphate, triethyl carbonate
Ammonium, phenol triethyl ammonium, vinegar
Triethylammonium, triethylammonium adipate
Monium, triethylammonium alginate, benzoic
Triethylammonium, triethylammonium sulfate
System, triethylammonium citrate, triethyl formate
Ammonium, triethylammonium bicarbonate, lid
Triethylammonium luate, triethyl ammonium salicylate
Ammonium, triethylammonium succinate, male
Triethylammonium, Triethylpropionate
Ammonium, triethylammonium butanoate, pen
Triethylammonium titanate, triethylhexanoate
Ammonium, triethylammonium heptanoate,
Triethylammonium butanoate, triethyl nonanoate
Ammonium, triethylammonium decanoate,
Triethylammonium oxalate, triethyl methylmalonate
Ammonium, triethylammonium sebacate,
Triethylammonium gallate, triethylanbutyrate
Monium, triethylammonium melitate, arachi
Triethyl ammonium donate, triethyl ammonium shikimate
Ammonium, triethylammonium 2-ethylhexanoate
, Triethylammonium oleate, stearin
Triethylammonium linoleate
Monium, triethylammonium linoleate, p-
Triethylammonium aminobenzoate, p-toluene
Triethylammonium sulfonate, benzene sulfone
Ammonium triethylate, triethyl monochloroacetate
Ammonium, triethylammonium dichloroacetate,
Triethylammonium trichloroacetate, trifluoro
Triethyl ammonium acetate, triethyl ammonium malonate
Monium, triethylammonium sulfonate, fumar
Ammonium triethylate, triethylammonium tartrate
, Triethylammonium itaconate, mesaconic acid
Triethyl ammonium, triethyl citrate
Monium, triethylammonium malate, glutar
Triethylammonium acid; tripropylammonium hydroxide
, Tripropylammonium chloride, Triprobromide
Pyrammonium, tripropylammonium iodide,
Tripropylammonium nitride, tripropylan nitrate
Monium, tripropylammonium sulfate, hydrogen sulfate
Lipropyl ammonium, tripropyl ammonium phosphate
, Tripropyl ammonium carbonate, phenol tri
Propyl ammonium, tripropyl ammonium acetate
, Tripropyl ammonium adipate, alginic acid
Tripropyl ammonium, tripropyl benzoate
Monium, tripropylammonium sulfate, citric acid
Lipropylammonium, tripropylammonium formate
Tripropyl ammonium bicarbonate, triphthalic phthalate
Propyl ammonium, tripropyl ammonium salicylate
, Tripropylammonium succinate, maleic
Ammonium tripropylate, tripropionate propionate
Ammonium, tripropylammonium butanoate,
Tripropylammonium pentanoate, trihexanoate
Propyl ammonium, tripropyl heptanoate
, Tripropylammonium octoate, nonane
Ammonium tripropylate, tripropyl ammonium decanoate
Ammonium, tripropylammonium oxalate, methyl
Tripropyl ammonium lumaronate, tri sebacate
Propyl ammonium, tripropyl ammonium gallate
, Tripropylammonium butyrate, trimeritate
Propyl ammonium, tripropyl arachidonic acid
Monium, tripropylammonium shikimate, 2-d
Tripropylammonium tylhexanoate, oleic acid
Tripropyl ammonium, tripropyl stearate
Ammonium, tripropylammonium linoleate,
Tripropyl ammonium linoleate, p-amino ammonium
Tripropyl ammonium benzoate, p-toluene sulfo
Ammonium tripropylate, benzenesulfonic acid
Lipropyl ammonium, tripropyl monochloroacetate
Ammonium, tripropylammonium dichloroacetate
System, tripropylammonium trichloroacetate, torif
Tripropylammonium fluoroacetate, triplon malonate
Ropylammonium, tripropylammonium sulfonate
, Tripropylammonium fumarate, tritartrate
Propyl ammonium, tripropylammonate itaconate
, Tripropylammonium mesaconate, citrus
Tripropyl ammonium conate, tripropyl malate
Luammonium, tripropylammonium glutarate
Tributyl ammonium hydroxide, tributyl ammonium chloride
Ammonium, tributylammonium bromide, trib iodide
Tyl ammonium, tributyl ammonium fluoride, nitrate
Ammonium tributylate, ammonium tributyl sulfate
System, tributylammonium hydrogen sulfate, tributyl phosphate
Ammonium, tributylammonium carbonate, pheno
Tributylammonium, tributylammonium acetate
, Tributylammonium adipate, alginic acid
Tributyl ammonium, tributyl ammonium benzoate
, Tributylammonium sulfate, Tributyl citrate
Luammonium, tributylammonium formate, carbonated water
Tributyl ammonium hydrogen, tributyl ammonium phthalate
, Tributylammonium salicylate, succinic acid
Tributyl ammonium, tributyl ammonium maleate
, Tributylammonium propionate, butane
Ammonium tributylate, tributyl ammonium pentanate
Monium, tributylammonium hexanoate, hepta
Tributyl ammonium octoate, tributyl ammonium octoate
Ammonium, tributylammonium nonanoate, decane
Tributyl ammonium oxalate, tributyl ammonium oxalate
, Tributylammonium methylmalonate, SEVA
Tributyl ammonium succinate, tributyl ammonium gallate
Ammonium, tributylammonium butyrate, melitic acid
Tributylammonium, tributylan arachidonic acid
Monium, tributylammonium shikimate, 2-ethyl
Tributylammonium hexanoate, trioleate
Butyl ammonium, tributyl ammonium stearate
, Tributylammonium linoleate, linolein
Ammonium tributyl, tri-p-aminobenzoate
Tyl ammonium, tributyl p-toluenesulfonate
Ammonium, tributylammonium benzenesulfonate
, Tributyl ammonium monochloroacetate, dichloromethane
Tributylammonium roacetate, Trib trichloroacetate
Thilammonium, tributylammonium trifluoroacetate
, Tributylammonium malonate, sulfonic acid
Tributyl ammonium, tributyl ammonium fumarate
, Tributylammonium tartrate, triitaconate
Butyl ammonium, tributyl ammonium mesaconate
System, tributylammonium citraconic acid, malic acid
Libutyl ammonium, tributyl ammonium glutarate
Um; tetramethylammonium hydroxide, tetramethyl chloride
Tyl ammonium, tetramethyl ammonium bromide, iodine
Tetramethylammonium fluoride, tetramethylammonium fluoride
Monium, tetramethylammonium nitrate, tetrasulfate
Methyl ammonium, tetramethylammonium hydrogen sulfate
System, tetramethylammonium phosphate, tetramethyl carbonate
Luammonium, phenol tetramethylammonium
System, tetramethylammonium acetate, tetraadipate
Methyl ammonium, tetramethylammonium alginate
, Tetramethylammonium benzoate, tetrasulfate
Methyl ammonium, tetramethyl ammonium citrate
Tetramethylammonium formate, hydrogen carbonate
Tylammonium, tetramethylammonium phthalate
Tetramethylammonium salicylate,
Tramethylammonium, tetramethylan maleate
Monium, tetramethylammonium propionate,
Tetramethylammonium tannate, tetramepentanoate
Thilammonium, tetramethylammonium hexanoate
System, tetramethylammonium heptanoate, octanoic acid
Tetramethyl ammonium, tetramethyl ammonium nonanoate
Monium, Tetramethylammonium decanoate, Shu
Ammonium tetramethylammonate, tetramethyl methylmalonate
Thilammonium, tetramethylammonium sebacate
Tetramethylammonium gallate, tetrame butyrate
Thilammonium, tetramethylammonium melitate
System, tetramethylammonium arachidonic acid, shikimic acid
Tetramethylammonium, 2-ethylhexanoic acid tet
Lamethylammonium, tetramethylammonium oleate
, Tetramethylammonium stearate, Reno
Tetramethylammonium oleate, Tetralinoleate
Methyl ammonium, tetramethyl p-aminobenzoate
Ammonium, tetramethyl ammonium p-toluenesulfonate
Ammonium, benzenesulfonic acid tetramethylammonium
Ium, tetramethylammonium monochloroacetate, dik
Tetramethyl ammonium roloacetate, trichloroacetic acid
Tramethylammonium, tetramethyl trifluoroacetate
Ammonium, tetramethylammonium malonate,
Tetramethyl ammonium sulfonate, tetra fumarate
Methyl ammonium, tetramethylammonium tartrate
, Tetramethylammonium itaconate, mesaconic acid
Tetramethyl ammonium, tetramethyl citraconic acid
Ammonium, tetramethylammonium malate,
Tetramethylammonium rutharate; Tetraethyl hydroxide
Ammonium, tetraethylammonium chloride, bromide
Tetraethylammonium, tetraethylammonium iodide
, Tetraethylammonium fluoride, tetraethyl nitrate
Tillammonium, tetraethylammonium sulfate, sulfuric acid
Tetraethylammonium hydrogen acid, tetraethyl phosphate
Ammonium, tetraethylammonium carbonate, pheno
Tetraethylammonium, tetraethylammonium acetate
Monium, tetraethylammonium adipate, aluminum
Tetraethylammonium formate, tetraethyl benzoate
Ammonium, tetraethylammonium sulfate, que
Tetraethylammonium formate, tetraethylammonium formate
Monium, tetraethylammonium bicarbonate, phthalate
Ammonium tetraethyl salicylate
Ammonium, tetraethylammonium succinate,
Tetraethylammonium oleate, Tetopropionate
Laethyl ammonium, tetraethyl ammonium butanoate
, Tetraethylammonium pentanoate, hexane
Ammonium tetraethyl, tetraethyl heptanoate
Ammonium, tetraethylammonium octoate,
Tetraethylammonium nonanoate, Tetraethyl decanoate
Tylammonium, tetraethylammonium oxalate
System, tetraethylammonium methylmalonate, SEBASHI
Tetraethylammonium acid, tetraethyl gallate
Ammonium, tetraethylammonium butyrate,
Tetraethylammonium tomate, arachidonic acid tetraet
Thilammonium, tetraethylammonium shikimate
Tetraethylammonium 2-ethylhexanoate,
Tetraethylammonium oleate, Te stearate
Traethylammonium, tetraethylanole linoleate
Monium, tetraethylammonium linoleate, p
Tetraethylammonium aminobenzoate, p-toluene
Tetraethylammonium enesulfonate, benzenes
Tetraethylammonium sulfonate, monochloroacetic acid
Traethylammonium, tetraethyl acetate dichloroacetate
Ammonium, tetraethylammonium trichloroacetate
System, tetraethylammonium trifluoroacetate, malo
Ammonium tetraethylammonium, sulfonic acid tetraethyl
Ammonium, tetraethylammonium fumarate,
Tetraethylammonium tartrate, tetraethyl itaconate
Thilammonium, tetraethylammonium mesaconate
System, tetraethylammonium citraconic acid, malic acid
Tetraethyl ammonium, tetraethyl glutarate
Ammonium; tetrapropylammonium hydroxide, chloride
Tetrapropylammonium, tetrapropylanbromide
Monium, tetrapropylammonium iodide,
Trapropylammonium, tetrapropylammonium nitrate
Ammonium, tetrapropylammonium sulfate, hydrogen sulfate
Trapropylammonium, tetrapropylan phosphate
Monium, tetrapropylammonium carbonate, phenol
Tetrapropyl ammonium, tetrapropyl ammonium acetate
Ammonium, tetrapropylammonium adipate,
Tetrapropylammonium alginate, Tetobenzoate
Lapropyl ammonium, tetrapropyl ammonium sulfate
, Tetrapropyl ammonium citrate, tet
Lapropylammonium, tetrapropylan bicarbonate
Monium, tetrapropylammonium phthalate, sari
Tetrapropyl ammonium citrate, tetrap succinate
Ropylammonium, tetrapropylammonate maleate
, Tetrapropylammonium propionate,
Tetrapropylammonium tannate, tetrapentanoate
Propyl ammonium, tetrapropylan hexanoate
Monium, tetrapropylammonium heptanoate,
Tetrapropylammonium butanoate, tetranonanoate
Propyl ammonium, tetrapropyl ammonium decanoate
Ium, tetrapropylammonium oxalate, methyl
Tetrapropylammonium malonate, tetose sebacate
Lapropylammonium, tetrapropylan gallate
Monium, tetrapropyl ammonium butyrate, benefits
Ammonium tetraacrylate, tetrap arachidonic acid
Ropylammonium, tetrapropylammonium shikimate
Um, tetrapropylammonium 2-ethylhexanoate
System, tetrapropylammonium oleate, stearyl
Ammonium tetrapropylate, tetrap linoleate
Ropylammonium, tetrapropyl linoleate
Monium, tetrapropylammonium p-aminobenzoate
And p-toluenesulfonic acid tetrapropyl ammonium
Ium, tetrapropylammonium benzenesulfonate
System, tetrapropylammonium monochloroacetate, dik
Tetrapropylammonium loroacetate, trichloroacetic acid
Tetrapropylammonium, tetratrifluoroacetate
Propylammonium, tetrapropylammonate malonate
, Tetrapropylammonium sulfonate, Fuma
Tetrapropylammonium luate, tetrapropyl tartrate
Luammonium, tetrapropylammonium itaconate
, Tetrapropylammonium mesaconate, citraco
Ammonium tetrapropylate, tetrapromalate
Pyrammonium, tetrapropylammonium glutarate
: Tetrabutylammonium hydroxide, Tetrabu chloride
Tyl ammonium, tetrabutyl ammonium bromide, iodine
Tetrabutylammonium fluoride, tetrabutylammonium fluoride
Monium, tetrabutylammonium nitrate, tetrasulfate
Butyl ammonium, tetrabutylammonium hydrogen sulfate
System, tetrabutylammonium phosphate, tetrabutyl carbonate
Luammonium, phenol tetrabutylammonium
Tetrabutylammonium acetate, tetraadipate
Butylammonium, tetrabutylammonium alginate
, Tetrabutylammonium benzoate, tetrasulfate
Butyl ammonium, tetrabutyl ammonium citrate
, Tetrabutylammonium formate, tetrabu bicarbonate
Tylammonium, tetrabutylammonium phthalate
Tetrabutylammonium salicylate,
Trabutylammonium, tetrabutylan maleate
Monium, tetrabutylammonium propionate,
Tetrabutylammonium tannate, tetrabupentanoate
Thilammonium, tetrabutylammonium hexanoate
System, tetrabutylammonium heptanoate, octanoic acid
Tetrabutylammonium, tetrabutylannonate
Monium, Tetrabutylammonium decanoate, Shu
Ammonium tetrabutylate, tetramale methyl malonate
Tylammonium, tetrabutylammonium sebacate
Tetrabutylammonium gallate, tetrabutyrate
Thilammonium, tetrabutylammonium melitate
System, tetrabutylammonium arachidonic acid, shikimic acid
Tetrabutylammonium, 2-ethylhexanoic acid tet
Labutylammonium, tetrabutylammonium oleate
, Tetrabutylammonium stearate, Reno
Tetrabutylammonium oleate, tetralinoleate
Butyl ammonium, tetrabutyl p-aminobenzoate
Ammonium, tetrabutyl toluene p-toluenesulfonate
Nummonium, tetrabutylammonium benzenesulfonate
Ium, tetrabutylammonium monochloroacetate, dik
Tetrabutylammonium roloacetate, tetrachloroacetate
Trabutylammonium, tetrabutyl acetate trifluoroacetate
Ammonium, tetrabutylammonium malonate,
Tetrabutyl ammonium sulfonate, tetra fumarate
Butyl ammonium, tetrabutylammonium tartrate
System, tetrabutyl ammonium itaconate, mesaconic acid
Tetrabutylammonium, tetrabutyl citrate
Ammonium, tetrabutylammonium malate,
Tetrabutylammonium rutalate; trimethyl hydroxide
Benzyl ammonium, trimethylbenzylammonium chloride
, Trimethylbenzylammonium bromide, iodide
Limethylbenzylammonium, trimethylbenfluoride
Zylammonium, trimethylbenzylammonium nitrate
System, trimethylbenzyl ammonium sulfate, hydrogen sulfate
Limethylbenzylammonium, trimethylbenphosphate
Zylammonium, trimethylbenzylammonium carbonate
Phenol, trimethylbenzylammonium, acetic acid
Trimethylbenzylammonium, trimethyl adipate
Rubenzyl ammonium, trimethyl benzyl alginate
Luammonium, trimethylbenzylammonium benzoate
, Trimethylbenzylammonium sulfate, citric acid
Trimethylbenzylammonium, trimethylbenformate
Zylammonium, trimethylbenzylammonium bicarbonate
, Trimethylbenzylammonium phthalate
Trimethylbenzylammonium lithate, succinate
Limethylbenzyl ammonium, trimethyl maleate
Benzyl ammonium, trimethylbenzene propionate
Luammonium, trimethylbenzyl ammonium butanoate
And trimethylbenzylammonium pentanoate,
Trimethylbenzyl ammonium xanate, heptanoic acid
Trimethylbenzyl ammonium, trimethyl octanoate
Rubenzyl ammonium, trimethylbenzyl nonanoate
Ammonium, trimethylbenzylammonium decanoate
Trimethylbenzyl ammonium oxalate, methyl
Trimethylbenzyl ammonium malonate, sebacic acid
Trimethylbenzyl ammonium, trimethyl gallate
Benzyl ammonium, trimethylbenzyl ammonium butyrate
, Trimethylbenzylammonium melitate,
Trimethylbenzyl ammonium arachidonic acid, shikimi
Trimethylbenzylammonium acid, 2-ethylhexa
Trimethylbenzylammonium phosphate, trioleate
Methylbenzylammonium, trimethyl stearate
Benzyl ammonium, trimethylbenzyl linoleate
Ammonium, trimethylbenzylammonium linoleate
Ium, trimethylbenzylammonium p-aminobenzoate
And p-toluenesulfonate trimethylbenzyl acetate
Ammonium, trimethylbenzyl benzenesulfonate
Nmonium, trimethylbenzylammonium monochloroacetate
And trimethylbenzylammonium dichloroacetate
Trimethylbenzylammonium trichloroacetate,
Trimethylbenzylammonium trifluoroacetate
Trimethylbenzylammonium lonate, sulfonate
Limethylbenzylammonium, trimethylbefumarate
Ammonium diammonium, trimethylbenzylammonium tartrate
, Trimethylbenzylammonium itaconate,
Trimethylbenzyl ammonium mesaconate, Citraco
Trimethylbenzyl ammonium phosphate, Trime malate
Tylbenzyl ammonium, trimethylben glutarate
Diammonium;

【0022】水酸化エタノールアンモニウム、塩化エタ
ノールアンモニウム、臭化エタノールアンモニウム、沃
化エタノールアンモニウム、フッ化エタノールアンモニ
ウム、硝酸エタノールアンモニウム、硫酸エタノールア
ンモニウム、硫酸水素エタノールアンモニウム、リン酸
エタノールアンモニウム、炭酸エタノールアンモニウ
ム、フェノールエタノールアンモニウム、酢酸エタノー
ルアンモニウム、アジピン酸エタノールアンモニウム、
アルギン酸エタノールアンモニウム、安息香酸エタノー
ルアンモニウム、硫酸エタノールアンモニウム、クエン
酸エタノールアンモニウム、ギ酸エタノールアンモニウ
ム、炭酸水素エタノールアンモニウム、フタル酸エタノ
ールアンモニウム、サリチル酸エタノールアンモニウ
ム、コハク酸エタノールアンモニウム、マレイン酸エタ
ノールアンモニウム、プロピオン酸エタノールアンモニ
ウム、ブタン酸エタノールアンモニウム、ペンタン酸エ
タノールアンモニウム、ヘキサン酸エタノールアンモニ
ウム、ヘプタン酸エタノールアンモニウム、オクタン酸
エタノールアンモニウム、ノナン酸エタノールアンモニ
ウム、デカン酸エタノールアンモニウム、シュウ酸エタ
ノールアンモニウム、メチルマロン酸エタノールアンモ
ニウム、セバシン酸エタノールアンモニウム、没食子酸
エタノールアンモニウム、酪酸エタノールアンモニウ
ム、メリット酸エタノールアンモニウム、アラキドン酸
エタノールアンモニウム、シキミ酸エタノールアンモニ
ウム、2−エチルヘキサン酸エタノールアンモニウム、
オレイン酸エタノールアンモニウム、ステアリン酸エタ
ノールアンモニウム、リノール酸エタノールアンモニウ
ム、リノレイン酸エタノールアンモニウム、p−アミノ
安息香酸エタノールアンモニウム、p−トルエンスルホ
ン酸エタノールアンモニウム、ベンゼンスルホン酸エタ
ノールアンモニウム、モノクロロ酢酸エタノールアンモ
ニウム、ジクロロ酢酸エタノールアンモニウム、トリク
ロロ酢酸エタノールアンモニウム、トリフルオロ酢酸エ
タノールアンモニウム、マロン酸エタノールアンモニウ
ム、スルホン酸エタノールアンモニウム、フマル酸エタ
ノールアンモニウム、酒石酸エタノールアンモニウム、
イタコン酸エタノールアンモニウム、メサコン酸エタノ
ールアンモニウム、シトラコン酸エタノールアンモニウ
ム、リンゴ酸エタノールアンモニウム、グルタル酸エタ
ノールアンモニウム;水酸化ジエタノールアンモニウ
ム、塩化ジエタノールアンモニウム、臭化ジエタノール
アンモニウム、沃化ジエタノールアンモニウム、フッ化
ジエタノールアンモニウム、硝酸ジエタノールアンモニ
ウム、硫酸ジエタノールアンモニウム、硫酸水素ジエタ
ノールアンモニウム、リン酸ジエタノールアンモニウ
ム、炭酸ジエタノールアンモニウム、フェノールジエタ
ノールアンモニウム、酢酸ジエタノールアンモニウム、
アジピン酸ジエタノールアンモニウム、アルギン酸ジエ
タノールアンモニウム、安息香酸ジエタノールアンモニ
ウム、硫酸ジエタノールアンモニウム、クエン酸ジエタ
ノールアンモニウム、ギ酸ジエタノールアンモニウム、
炭酸水素ジエタノールアンモニウム、フタル酸ジエタノ
ールアンモニウム、サリチル酸ジエタノールアンモニウ
ム、コハク酸ジエタノールアンモニウム、マレイン酸ジ
エタノールアンモニウム、プロピオン酸ジエタノールア
ンモニウム、ブタン酸ジエタノールアンモニウム、ペン
タン酸ジエタノールアンモニウム、ヘキサン酸ジエタノ
ールアンモニウム、ヘプタン酸ジエタノールアンモニウ
ム、オクタン酸ジエタノールアンモニウム、ノナン酸ジ
エタノールアンモニウム、デカン酸ジエタノールアンモ
ニウム、シュウ酸ジエタノールアンモニウム、メチルマ
ロン酸ジエタノールアンモニウム、セバシン酸ジエタノ
ールアンモニウム、没食子酸ジエタノールアンモニウ
ム、酪酸ジエタノールアンモニウム、メリット酸ジエタ
ノールアンモニウム、アラキドン酸ジエタノールアンモ
ニウム、シキミ酸ジエタノールアンモニウム、2−エチ
ルヘキサン酸ジエタノールアンモニウム、オレイン酸ジ
エタノールアンモニウム、ステアリン酸ジエタノールア
ンモニウム、リノール酸ジエタノールアンモニウム、リ
ノレイン酸ジエタノールアンモニウム、p−アミノ安息
香酸ジエタノールアンモニウム、p−トルエンスルホン
酸ジエタノールアンモニウム、ベンゼンスルホン酸ジエ
タノールアンモニウム、モノクロロ酢酸ジエタノールア
ンモニウム、ジクロロ酢酸ジエタノールアンモニウム、
トリクロロ酢酸ジエタノールアンモニウム、トリフルオ
ロ酢酸ジエタノールアンモニウム、マロン酸ジエタノー
ルアンモニウム、スルホン酸ジエタノールアンモニウ
ム、フマル酸ジエタノールアンモニウム、酒石酸ジエタ
ノールアンモニウム、イタコン酸ジエタノールアンモニ
ウム、メサコン酸ジエタノールアンモニウム、シトラコ
ン酸ジエタノールアンモニウム、リンゴ酸ジエタノール
アンモニウム、グルタル酸ジエタノールアンモニウム;
水酸化トリエタノールアンモニウム、塩化トリエタノー
ルアンモニウム、臭化トリエタノールアンモニウム、沃
化トリエタノールアンモニウム、フッ化トリエタノール
アンモニウム、硝酸トリエタノールアンモニウム、硫酸
トリエタノールアンモニウム、硫酸水素トリエタノール
アンモニウム、リン酸トリエタノールアンモニウム、炭
酸トリエタノールアンモニウム、フェノールトリエタノ
ールアンモニウム、酢酸トリエタノールアンモニウム、
アジピン酸トリエタノールアンモニウム、アルギン酸ト
リエタノールアンモニウム、安息香酸トリエタノールア
ンモニウム、硫酸トリエタノールアンモニウム、クエン
酸トリエタノールアンモニウム、ギ酸トリエタノールア
ンモニウム、炭酸水素トリエタノールアンモニウム、フ
タル酸トリエタノールアンモニウム、サリチル酸トリエ
タノールアンモニウム、コハク酸トリエタノールアンモ
ニウム、マレイン酸トリエタノールアンモニウム、プロ
ピオン酸トリエタノールアンモニウム、ブタン酸トリエ
タノールアンモニウム、ペンタン酸トリエタノールアン
モニウム、ヘキサン酸トリエタノールアンモニウム、ヘ
プタン酸トリエタノールアンモニウム、オクタン酸トリ
エタノールアンモニウム、ノナン酸トリエタノールアン
モニウム、デカン酸トリエタノールアンモニウム、シュ
ウ酸トリエタノールアンモニウム、メチルマロン酸トリ
エタノールアンモニウム、セバシン酸トリエタノールア
ンモニウム、没食子酸トリエタノールアンモニウム、酪
酸トリエタノールアンモニウム、メリット酸トリエタノ
ールアンモニウム、アラキドン酸トリエタノールアンモ
ニウム、シキミ酸トリエタノールアンモニウム、2−エ
チルヘキサン酸トリエタノールアンモニウム、オレイン
酸トリエタノールアンモニウム、ステアリン酸トリエタ
ノールアンモニウム、リノール酸トリエタノールアンモ
ニウム、リノレイン酸トリエタノールアンモニウム、p
−アミノ安息香酸トリエタノールアンモニウム、p−ト
ルエンスルホン酸トリエタノールアンモニウム、ベンゼ
ンスルホン酸トリエタノールアンモニウム、モノクロロ
酢酸トリエタノールアンモニウム、ジクロロ酢酸トリエ
タノールアンモニウム、トリクロロ酢酸トリエタノール
アンモニウム、トリフルオロ酢酸トリエタノールアンモ
ニウム、マロン酸トリエタノールアンモニウム、スルホ
ン酸トリエタノールアンモニウム、フマル酸トリエタノ
ールアンモニウム、酒石酸トリエタノールアンモニウ
ム、イタコン酸トリエタノールアンモニウム、メサコン
酸トリエタノールアンモニウム、シトラコン酸トリエタ
ノールアンモニウム、リンゴ酸トリエタノールアンモニ
ウム、グルタル酸トリエタノールアンモニウムなどを挙
げることができ、特にテトラアルキルアンモニウムハイ
ドロオキサイドが最も好ましい。これらは1種あるいは
2種以上を同時に使用しても良い。
Ethanol ammonium hydroxide, ethanol ammonium chloride, ethanol ammonium bromide, ethanol ammonium iodide, ethanol ammonium fluoride, ethanol ammonium nitrate, ethanol ammonium sulfate, ethanol ammonium hydrogen sulfate, ethanol ammonium phosphate, ethanol ammonium carbonate, phenol Ethanol ammonium, ethanol ammonium acetate, ethanol ammonium adipate,
Ethanolammonium alginate, ethanolammonium benzoate, ethanolammonium sulfate, ethanolammonium citrate, ethanolammonium formate, ethanolammonium hydrogen carbonate, ethanolammonium phthalate, ethanolammonium salicylate, ethanolammonium succinate, ethanolammonium maleate, ethanolammonium propionate Ethanolammonium butanoate, ethanolammonium pentanoate, ethanolammonium hexanoate, ethanolammonium heptanoate, ethanolammonium octoate, ethanolammonium nonanoate, ethanolammonium decanoate, ethanolammonium oxalate, ethanolammonium methylmalonate, sebacic acid Ethanol ammonium, ethanol ammonium gallic acid, butyric acid ethanol ammonium, mellitic acid ethanol ammonium, ethanol ammonium arachidonic acid, ethanol ammonium shikimic acid, 2-ethylhexanoic acid in ethanol ammonium,
Ethanolammonium oleate, ethanolammonium stearate, ethanolammonium linoleate, ethanolammonium linoleate, ethanolammonium p-aminobenzoate, ethanolammonium p-toluenesulfonate, ethanolammonium benzenesulfonate, ethanolammonium monochloroacetate, ethanol dichloroacetate Ammonium, ethanol ammonium trichloroacetate, ethanol ammonium trifluoroacetate, ethanol ammonium malonate, ethanol ammonium sulfonate, ethanol ammonium fumarate, ethanol ammonium tartrate,
Ethanolammonium itaconic acid, ethanolammonate mesaconate, ethanolammonium citraconic acid, ethanolammonium malate, ethanolammonium glutarate; diethanolammonium hydroxide, diethanolammonium chloride, diethanolammonium bromide, diethanolammonium iodide, diethanolammonium fluoride, nitric acid nitrate Diethanol ammonium, diethanol ammonium sulfate, diethanol ammonium hydrogen sulfate, diethanol ammonium phosphate, diethanol ammonium carbonate, phenol diethanol ammonium, diethanol ammonium acetate,
Diethanol ammonium adipate, diethanol ammonium alginate, diethanol ammonium benzoate, diethanol ammonium sulfate, diethanol ammonium citrate, diethanol ammonium formate,
Diethanol ammonium bicarbonate, diethanol ammonium phthalate, diethanol ammonium salicylate, diethanol ammonium succinate, diethanol ammonium maleate, diethanol ammonium propionate, diethanol ammonium butanoate, diethanol ammonium pentanoate, diethanol ammonium hexanoate, diethanol ammonium heptanoate, octane Ammonium diethanolate, diethanolammonium nonanoate, diethanolammonium decanoate, diethanolammonium oxalate, diethanolammonium methylmalonate, diethanolammonium sebacate, diethanolammonium gallate, diethanolammonium butyrate, diethanolammonium melitate Diethanol ammonium arachidonic acid, diethanol ammonium shikimate, diethanol ammonium 2-ethylhexanoate, diethanol ammonium oleate, diethanol ammonium stearate, diethanol ammonium linoleate, diethanol ammonium linoleate, diethanol ammonium p-aminobenzoate, p-toluene sulfone Ammonium diethanolate, diethanolammonium benzenesulfonate, diethanolammonium monochloroacetate, diethanolammonium dichloroacetate,
Diethanolammonium trichloroacetate, diethanolammonium trifluoroacetate, diethanolammonium malonate, diethanolammonium sulfonate, diethanolammonium fumarate, diethanolammonium tartrate, diethanolammonium itaconate, diethanolammonium mesaconate, diethanolammonium citraconic acid, diethanolammonium malate, Diethanol ammonium glutarate;
Triethanol ammonium hydroxide, triethanol ammonium chloride, triethanol ammonium bromide, triethanol ammonium iodide, triethanol ammonium fluoride, triethanol ammonium nitrate, triethanol ammonium sulfate, triethanol ammonium hydrogen sulfate, triethanol ammonium phosphate , Triethanol ammonium carbonate, phenol triethanol ammonium, triethanol ammonium acetate,
Triethanol ammonium adipate, triethanol ammonium alginate, triethanol ammonium benzoate, triethanol ammonium sulfate, triethanol ammonium citrate, triethanol ammonium formate, triethanol ammonium bicarbonate, triethanol ammonium phthalate, triethanol ammonium salicylate, Triethanol ammonium succinate, triethanol ammonium maleate, triethanol ammonium propionate, triethanol ammonium butanoate, triethanol ammonium pentanoate, triethanol ammonium hexanoate, triethanol ammonium heptanoate, triethanol ammonium octanoate, nonanoic acid Triethanol ammonium, decane Triethanol ammonium, triethanol ammonium oxalate, triethanol ammonium methyl malonate, triethanol ammonium sebacate, triethanol ammonium gallate, triethanol ammonium butyrate, triethanol ammonium melitate, triethanol ammonium arachidonic acid, triethanol shikimate Ammonium, triethanolammonium 2-ethylhexanoate, triethanolammonium oleate, triethanolammonium stearate, triethanolammonium linoleate, triethanolammonium linoleate, p
-Triethanolammonium aminobenzoate, triethanolammonium p-toluenesulfonate, triethanolammonium benzenesulfonate, triethanolammonium monochloroacetate, triethanolammonium dichloroacetate, triethanolammonium trichloroacetate, triethanolammonium trifluoroacetate, malon Triethanol ammonium sulfonic acid, triethanol ammonium sulfonic acid, triethanol ammonium fumarate, triethanol ammonium tartrate, triethanol ammonium itaconate, triethanol ammonium mesaconate, triethanol ammonium citraconic acid, triethanol ammonium malate, triethanol glutarate Ammonium and the like. Tetraalkyl ammonium hydroxide is most preferred. These may be used alone or in combination of two or more.

【0023】金属キレート触媒としては、例えば、トリ
エトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ
−n−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタ
ン、トリ−i−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナー
ト)チタン、トリ−n−ブトキシ・モノ(アセチルアセ
トナート)チタン、トリ−sec−ブトキシ・モノ(ア
セチルアセトナート)チタン、トリ−t−ブトキシ・モ
ノ(アセチルアセトナート)チタン、ジエトキシ・ビス
(アセチルアセトナート)チタン、ジ−n−プロポキシ
・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−i−プロ
ポキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−n
−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ
−sec−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)チ
タン、ジ−t−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナー
ト)チタン、モノエトキシ・トリス(アセチルアセトナ
ート)チタン、モノ−n−プロポキシ・トリス(アセチ
ルアセトナート)チタン、モノ−i−プロポキシ・トリ
ス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−n−ブトキ
シ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−s
ec−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタ
ン、モノ−t−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナー
ト)チタン、テトラキス(アセチルアセトナート)チタ
ン、トリエトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チ
タン、トリ−n−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセ
テート)チタン、トリ−i−プロポキシ・モノ(エチル
アセトアセテート)チタン、トリ−n−ブトキシ・モノ
(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−sec−ブ
トキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ
−t−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタ
ン、ジエトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタ
ン、ジ−n−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテー
ト)チタン、ジ−i−プロポキシ・ビス(エチルアセト
アセテート)チタン、ジ−n−ブトキシ・ビス(エチル
アセトアセテート)チタン、ジ−sec−ブトキシ・ビ
ス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−t−ブトキ
シ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、モノエト
キシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ
−n−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)
チタン、モノ−i−プロポキシ・トリス(エチルアセト
アセテート)チタン、モノ−n−ブトキシ・トリス(エ
チルアセトアセテート)チタン、モノ−sec−ブトキ
シ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−
t−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタ
ン、テトラキス(エチルアセトアセテート)チタン、モ
ノ(アセチルアセトナート)トリス(エチルアセトアセ
テート)チタン、ビス(アセチルアセトナート)ビス
(エチルアセトアセテート)チタン、トリス(アセチル
アセトナート)モノ(エチルアセトアセテート)チタン
などのチタンキレート化合物;トリエトキシ・モノ(ア
セチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−n−プロポ
キシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ト
リ−i−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジ
ルコニウム、トリ−n−ブトキシ・モノ(アセチルアセ
トナート)ジルコニウム、トリ−sec−ブトキシ・モ
ノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−t−
ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウ
ム、ジエトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコ
ニウム、ジ−n−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナ
ート)ジルコニウム、ジ−i−プロポキシ・ビス(アセ
チルアセトナート)ジルコニウム、ジ−n−ブトキシ・
ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−se
c−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニ
ウム、ジ−t−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナー
ト)ジルコニウム、モノエトキシ・トリス(アセチルア
セトナート)ジルコニウム、モノ−n−プロポキシ・ト
リス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−i
−プロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコ
ニウム、モノ−n−ブトキシ・トリス(アセチルアセト
ナート)ジルコニウム、モノ−sec−ブトキシ・トリ
ス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−t−
ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウ
ム、テトラキス(アセチルアセトナート)ジルコニウ
ム、トリエトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジ
ルコニウム、トリ−n−プロポキシ・モノ(エチルアセ
トアセテート)ジルコニウム、トリ−i−プロポキシ・
モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−
n−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコ
ニウム、トリ−sec−ブトキシ・モノ(エチルアセト
アセテート)ジルコニウム、トリ−t−ブトキシ・モノ
(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジエトキシ
・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−
n−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジル
コニウム、ジ−i−プロポキシ・ビス(エチルアセトア
セテート)ジルコニウム、ジ−n−ブトキシ・ビス(エ
チルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−sec−ブ
トキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウ
ム、ジ−t−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテー
ト)ジルコニウム、モノエトキシ・トリス(エチルアセ
トアセテート)ジルコニウム、モノ−n−プロポキシ・
トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ
−i−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)
ジルコニウム、モノ−n−ブトキシ・トリス(エチルア
セトアセテート)ジルコニウム、モノ−sec−ブトキ
シ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、
モノ−t−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテー
ト)ジルコニウム、テトラキス(エチルアセトアセテー
ト)ジルコニウム、モノ(アセチルアセトナート)トリ
ス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ビス(ア
セチルアセトナート)ビス(エチルアセトアセテート)
ジルコニウム、トリス(アセチルアセトナート)モノ
(エチルアセトアセテート)ジルコニウムなどのジルコ
ニウムキレート化合物;トリス(アセチルアセトナー
ト)アルミニウム、トリス(エチルアセトアセテート)
アルミニウムなどのアルミニウムキレート化合物;など
を挙げることができ、好ましくはチタンまたはアルミニ
ウムのキレート化合物、特に好ましくはチタンのキレー
ト化合物を挙げることができる。これらの金属キレート
触媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用しても良
い。
Examples of the metal chelate catalyst include triethoxy mono (acetylacetonate) titanium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonate) titanium, tri-i-propoxy mono (acetylacetonate) titanium, -N-butoxy mono (acetylacetonate) titanium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonate) titanium, tri-t-butoxy mono (acetylacetonate) titanium, diethoxybis (acetylacetonate) titanium , Di-n-propoxybis (acetylacetonato) titanium, di-i-propoxybis (acetylacetonato) titanium, di-n
-Butoxybis (acetylacetonato) titanium, di-sec-butoxybis (acetylacetonato) titanium, di-t-butoxybis (acetylacetonato) titanium, monoethoxytris (acetylacetonato) titanium, Mono-n-propoxy tris (acetylacetonate) titanium, mono-i-propoxy tris (acetylacetonate) titanium, mono-n-butoxy tris (acetylacetonate) titanium, mono-s
ec-butoxy tris (acetylacetonate) titanium, mono-t-butoxy tris (acetylacetonate) titanium, tetrakis (acetylacetonate) titanium, triethoxy mono (ethylacetoacetate) titanium, tri-n-propoxy. Mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-i-propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, Tri-t-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-i-propoxy bis (ethyl acetoacetate) Chita , Di-n-butoxybis (ethylacetoacetate) titanium, di-sec-butoxybis (ethylacetoacetate) titanium, di-t-butoxybis (ethylacetoacetate) titanium, monoethoxy tris (ethylacetoacetate) Acetate) titanium, mono-n-propoxy tris (ethyl acetoacetate)
Titanium, mono-i-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-sec-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-
t-butoxy-tris (ethylacetoacetate) titanium, tetrakis (ethylacetoacetate) titanium, mono (acetylacetonate) tris (ethylacetoacetate) titanium, bis (acetylacetonate) bis (ethylacetoacetate) titanium, tris ( Titanium chelate compounds such as acetylacetonato) mono (ethylacetoacetate) titanium; triethoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-i-propoxy mono (acetyl) (Acetonato) zirconium, tri-n-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-t-
Butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, diethoxybis (acetylacetonato) zirconium, di-n-propoxybis (acetylacetonato) zirconium, di-i-propoxybis (acetylacetonato) zirconium, di- n-butoxy
Bis (acetylacetonate) zirconium, di-se
c-butoxybis (acetylacetonato) zirconium, di-t-butoxybis (acetylacetonato) zirconium, monoethoxytris (acetylacetonato) zirconium, mono-n-propoxytris (acetylacetonato) zirconium , Mono-i
-Propoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono-n-butoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono-sec-butoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono-t-
Butoxy tris (acetylacetonate) zirconium, tetrakis (acetylacetonate) zirconium, triethoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-i-propoxy.
Mono (ethylacetoacetate) zirconium, tri-
n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-t-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, Jee
n-propoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, di-i-propoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, di-n-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, di-sec-butoxybis (ethylacetate) Acetate) zirconium, di-t-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, monoethoxy tris (ethylacetoacetate) zirconium, mono-n-propoxy.
Tris (ethylacetoacetate) zirconium, mono-i-propoxy tris (ethylacetoacetate)
Zirconium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-sec-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium,
Mono-t-butoxy tris (ethylacetoacetate) zirconium, tetrakis (ethylacetoacetate) zirconium, mono (acetylacetonate) tris (ethylacetoacetate) zirconium, bis (acetylacetonate) bis (ethylacetoacetate)
Zirconium chelate compounds such as zirconium and tris (acetylacetonate) mono (ethylacetoacetate) zirconium; tris (acetylacetonate) aluminum, tris (ethylacetoacetate)
An aluminum chelate compound such as aluminum; and the like, preferably a titanium or aluminum chelate compound, particularly preferably a titanium chelate compound. One or more of these metal chelate catalysts may be used at the same time.

【0024】酸触媒としては、例えば、例えば、塩酸、
硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸などの
無機酸;酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、
ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカ
ン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピ
ン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラ
キドン酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチ
ル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジク
ロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、
マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン
酸、酒石酸、コハク酸、フマル酸、イタコン酸、メサコ
ン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、グルタル酸の加水分解
物、無水マレイン酸の加水分解物、無水フタル酸の加水
分解物などの有機酸を挙げることができ、有機カルボン
酸をより好ましい例として挙げることができる。これら
の酸触媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用しても
よい。
Examples of the acid catalyst include, for example, hydrochloric acid,
Inorganic acids such as nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, boric acid, oxalic acid; acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid,
Hexanoic, heptanoic, octanoic, nonanoic, decanoic, oxalic, maleic, methylmalonic, adipic, sebacic, gallic, butyric, melitic, arachidonic, shikimic, 2-ethylhexanoic Oleic acid, stearic acid, linoleic acid, linoleic acid, salicylic acid, benzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, formic acid,
Malonic acid, sulfonic acid, phthalic acid, fumaric acid, citric acid, tartaric acid, succinic acid, fumaric acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, malic acid, glutaric acid hydrolyzate, maleic anhydride hydrolyzate, Organic acids such as a hydrolyzate of phthalic anhydride can be mentioned, and organic carboxylic acids can be mentioned as more preferable examples. One or more of these acid catalysts may be used simultaneously.

【0025】上記触媒の使用量は、化合物(1)〜
(3)中のR1 O−基,R2 O−基,R 4 O−基および
5 O−基で表される基の総量1モルに対して、通常、
0.00001〜10モル、好ましくは0.00005
〜5モルである。触媒の使用量が上記範囲内であれば、
反応中のポリマーの析出やゲル化の恐れが少ない。ま
た、本発明において、化合物(1)〜(3)を加水分解
するときの温度は通常0〜100℃、好ましくは15〜
80℃である。
The amount of the above-mentioned catalyst to be used is as follows:
R in (3)1 O-group, RTwo O-group, R Four An O-group and
RFive Usually, based on 1 mol of the total amount of the group represented by the O- group,
0.00001 to 10 mol, preferably 0.00005
55 mol. If the amount of catalyst used is within the above range,
There is little risk of polymer precipitation or gelation during the reaction. Ma
In the present invention, the compounds (1) to (3) are hydrolyzed.
The temperature at the time is usually 0 to 100 ° C., preferably 15 to 100 ° C.
80 ° C.

【0026】なお、化合物(1)〜(3)を完全加水分
解縮合物に換算したときに、化合物(2)は、化合物
(1)〜(3)の総量中、5〜75重量%、好ましくは
10〜70重量%、さらに好ましくは15〜70重量%
である。また、化合物(1)および/または(3)は、
化合物(1)〜(3)の総量中、95〜25重量%、好
ましくは90〜30重量%、さらに好ましくは85〜3
0重量%である。化合物(2)が、化合物(1)〜
(3)の総量中、5〜75重量%であることが、得られ
る塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。こ
こで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、化合
物(1)〜(3)中のR1 O−基,R2 O−基,R4
−基およびR5 O−基が100%加水分解してSiOH
基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となっ
たものをいう。また、(A)および(B)成分として
は、得られる組成物の貯蔵安定性がより優れるので、化
合物(1)および化合物(2)の加水分解縮合物である
ことが好ましい。
When the compounds (1) to (3) are converted into a complete hydrolyzed condensate, the compound (2) is 5 to 75% by weight, preferably 5 to 75% by weight, based on the total amount of the compounds (1) to (3). Is 10 to 70% by weight, more preferably 15 to 70% by weight
It is. Further, the compounds (1) and / or (3)
95 to 25% by weight, preferably 90 to 30% by weight, more preferably 85 to 3% by weight, based on the total amount of compounds (1) to (3)
0% by weight. Compound (2) is the compound (1)-
When the amount is 5 to 75% by weight based on the total amount of (3), the resulting coating film has a high elastic modulus and is particularly excellent in low dielectric properties. Here, in the present invention, the complete hydrolysis condensate refers to R 1 O—, R 2 O—, R 4 O in compounds (1) to (3).
- group and R 5 O-group 100% hydrolyzed to the SiOH
It is a group that becomes a group and is further completely condensed to form a siloxane structure. Further, the components (A) and (B) are preferably hydrolyzed condensates of the compound (1) and the compound (2) because the resulting composition has better storage stability.

【0027】膜形成用組成物中の(B)成分の使用量
は、(A)成分100重量部(完全加水分解縮合物換
算)に対して5〜2000重量部であり、より好ましく
は7〜1800重量部である。(B)成分の添加量が5
重量部未満であると塗膜のクラック耐性が不十分である
場合があり、2000重量部を越えると比誘電率の温度
依存性が悪化する場合がある。
The amount of component (B) used in the film-forming composition is 5 to 2,000 parts by weight, more preferably 7 to 2000 parts by weight, per 100 parts by weight of component (A) (in terms of complete hydrolysis and condensate). 1800 parts by weight. (B) The amount of the component added is 5
If the amount is less than parts by weight, the crack resistance of the coating film may be insufficient, and if it exceeds 2,000 parts by weight, the temperature dependency of the relative dielectric constant may be deteriorated.

【0028】(C)溶媒 本発明の膜形成用組成物は、(A)成分と(B)成分
を、通常、(C)下記一般式(4)で表される溶剤 R15O(R170)g16 ・・・・・(4) (R15およびR16は、それぞれ独立して水素原子、炭素
数1〜4のアルキル基またはCH3CO−から選ばれる
1価の有機基を示し、R17はアルキレン基を示し、gは
1〜2の整数を表す。)に溶解または分散してなる。一
般式(4)において、R15およびR16のアルキル基とし
てはメチル基、エチル基、n-プロピル基、I-プロピル
基、ブチル基などが、R17のアルキレン基としてはエチ
レン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基などを挙げ
ることができる。一般式(4)で表される溶剤の具体例
としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコー
ルモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチル
エーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プ
ロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレング
リコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチル
エーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプ
ロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレング
リコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジ
プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルア
セテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエ
ーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテー
ト、ジプロピレングリコールジアセテート、プロピレン
グリコール;エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリ
コールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノ
ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレング
リコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチ
レングリコールジブチルエーテル、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ
プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ
ブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
プロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモ
ノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールジア
セテート、ジエチレングリコールジアセテート、エチレ
ングリコールなどが挙げられ、特にプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコー
ルジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピ
ルエーテルアセテートが好ましい。これらは1種または
2種以上を同時に使用することができる。
(C) Solvent The film-forming composition of the present invention comprises the component (A) and the component (B), and usually comprises (C) a solvent represented by the following general formula (4): R 15 O (R 17 0) g R 16 (4) (R 15 and R 16 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a monovalent organic group selected from CH 3 CO—. R 17 represents an alkylene group, and g represents an integer of 1 to 2.). In the general formula (4), the alkyl group of R 15 and R 16 is a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an I-propyl group, a butyl group and the like, and the alkylene group of R 17 is an ethylene group, n- Examples thereof include a propylene group and an isopropylene group. Specific examples of the solvent represented by the general formula (4) include propylene glycol monomethyl ether,
Propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dipropyl ether, propylene glycol dibutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, Dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dipropyl ether, dipropylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene Glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate, dipropylene glycol monobutyl ether acetate, propylene Glycol diacetate, dipropylene glycol diacetate, propylene glycol; ethylene glycol monomethyl ether,
Ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dipropyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether , Diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate , Ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol diacetate, diethylene glycol diacetate, ethylene glycol, etc. In particular, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol Monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate are preferable. These can be used alone or in combination of two or more.

【0029】本発明の膜形成用組成物は、前記一般式
(4)で表される溶剤以外にさらに下記の有機溶剤を含
有していてもよい。
The film-forming composition of the present invention may further contain the following organic solvent in addition to the solvent represented by the general formula (4).

【0030】本発明に使用する有機溶剤としては、例え
ば、n−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−
ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、2,2,4−
トリメチルペンタン、n−オクタン、i−オクタン、シ
クロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂肪族炭化
水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、
n−プロピルベンセン、i−プロピルベンセン、ジエチ
ルベンゼン、i−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼ
ン、ジ−i−プロピルベンセン、n−アミルナフタレ
ン、トリメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶
媒;;アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プ
ロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケ
トン、メチル−i−ブチルケトン、メチル−n−ペンチ
ルケトン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘ
キシルケトン、ジ−i−ブチルケトン、トリメチルノナ
ノン、シクロヘキサノン、2−ヘキサノン、メチルシク
ロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルア
セトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェ
ンチョンなどのケトン系溶媒;エチルエーテル、i−プ
ロピルエーテル、n−ブチルエーテル、n−ヘキシルエ
ーテル、2−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシ
ド、1,2−プロピレンオキシド、ジオキソラン、4−
メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサ
ン、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレ
ングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、エトキ
シトリグリコール、テトラエチレングリコールジ−n−
ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチル
エーテル、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒド
ロフランなどのエーテル系溶媒;ジエチルカーボネー
ト、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピ
ル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブ
チル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸
3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エ
チルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロ
ピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミル、シュウ
酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸メチル、乳
酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル、マロン酸
ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどの
エステル系溶媒;N−メチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、
アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド、N−
メチルピロリドンなどの含窒素系溶媒;硫化ジメチル、
硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、
ジメチルスルホキシド、スルホラン、1,3−プロパン
スルトンなどの含硫黄系溶媒などを挙げることができ
る。これらは、1種あるいは2種以上を混合して使用す
ることができる。
As the organic solvent used in the present invention, for example, n-pentane, i-pentane, n-hexane, i-pentane
Hexane, n-heptane, i-heptane, 2,2,4-
Aliphatic hydrocarbon solvents such as trimethylpentane, n-octane, i-octane, cyclohexane and methylcyclohexane; benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene,
Aromatic hydrocarbon solvents such as n-propylbenzene, i-propylbenzene, diethylbenzene, i-butylbenzene, triethylbenzene, di-i-propylbenzene, n-amylnaphthalene and trimethylbenzene; acetone, methylethylketone, methyl- n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n-butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i-butyl ketone, trimethyl nonanone, Ketone solvents such as cyclohexanone, 2-hexanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonylacetone, diacetone alcohol, acetophenone, and fenchone; ethyl ether, i-propyl ether, n-butyl Ether, n- hexyl ether, 2-ethylhexyl ether, ethylene oxide, 1,2-propylene oxide, dioxolane, 4-
Methyl dioxolane, dioxane, dimethyl dioxane, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2-ethyl butyl ether, ethoxytriglycol, tetraethylene glycol di-n-
Ether solvents such as butyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tetrahydrofuran and 2-methyltetrahydrofuran; diethyl carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone, γ
Valerolactone, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, acetic acid 2-ethylbutyl, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate,
Cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methoxytriglycol acetate, ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-oxalate Ester solvents such as -butyl, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-amyl lactate, diethyl malonate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate; N-methylformamide, N, N-dimethylformamide; N-diethylformamide,
Acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpropionamide, N-
Nitrogen-containing solvents such as methylpyrrolidone; dimethyl sulfide,
Diethyl sulfide, thiophene, tetrahydrothiophene,
Examples thereof include sulfur-containing solvents such as dimethyl sulfoxide, sulfolane, and 1,3-propane sultone. These can be used alone or in combination of two or more.

【0031】その他の添加剤 本発明で得られる膜形成用組成物には、さらにβ−ジケ
トン、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポ
リマー、界面活性剤、シランカップリング剤、ラジカル
発生剤、トリアゼン化合物、窒素オニウム塩化合物など
の成分を添加してもよい。
Other Additives The film-forming composition obtained by the present invention further comprises β-diketone, colloidal silica, colloidal alumina, organic polymer, surfactant, silane coupling agent, radical generator, triazene Components such as compounds and nitrogen onium salt compounds may be added.

【0032】β−ジケトンとしては、アセチルアセト
ン、2,4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプタンジオ
ン、3,5−ヘプタンジオン、2,4−オクタンジオ
ン、3,5−オクタンジオン、2,4−ノナンジオン、
3,5−ノナンジオン、5−メチル−2,4−ヘキサン
ジオン、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプ
タンジオン、1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ
−2,4−ヘプタンジオンなどを挙げることができ、よ
り好ましくはアセチルアセトン、2,4−ヘキサンジオ
ン、2,4−ヘプタンジオン、3,5−ヘプタンジオン
である。これらは1種あるいは2種以上を同時に使用し
ても良い。
Examples of the β-diketone include acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4-heptanedione, 3,5-heptanedione, 2,4-octanedione, 3,5-octanedione, and 2,4-hexane. Nonanion,
3,5-nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione, 1,1,1,5,5,5-hexafluoro- Examples thereof include 2,4-heptanedione, and more preferred are acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4-heptanedione, and 3,5-heptanedione. These may be used alone or in combination of two or more.

【0033】コロイド状シリカとは、例えば、高純度の
無水ケイ酸を前記親水性有機溶媒に分散した分散液であ
り、通常、平均粒径が5〜30nm、好ましくは10〜
20nm、固形分濃度が10〜40重量%程度のもので
ある。このような、コロイド状シリカとしては、例え
ば、日産化学工業(株)製、メタノールシリカゾルおよ
びイソプロパノールシリカゾル;触媒化成工業(株)
製、オスカルなどが挙げられる。コロイド状アルミナと
しては、日産化学工業(株)製のアルミナゾル520、
同100、同200;川研ファインケミカル(株)製の
アルミナクリアーゾル、アルミナゾル10、同132な
どが挙げられる。有機ポリマーとしては、例えば、糖鎖
構造を有する化合物、ビニルアミド系重合体、(メタ)
アクリル系重合体、芳香族ビニル化合物、デンドリマ
ー、ポリイミド,ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポ
リアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、
フッ素系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有す
る化合物などを挙げることができる。
The colloidal silica is, for example, a dispersion in which high-purity silicic anhydride is dispersed in the hydrophilic organic solvent, and usually has an average particle size of 5 to 30 nm, preferably 10 to 30 nm.
It has a thickness of 20 nm and a solid concentration of about 10 to 40% by weight. Examples of such colloidal silica include, for example, methanol silica sol and isopropanol silica sol manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd .;
And Oscar. Examples of the colloidal alumina include alumina sol 520 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.
Examples 100 and 200 include alumina clear sol, alumina sol 10 and 132, manufactured by Kawaken Fine Chemicals Co., Ltd. Examples of the organic polymer include a compound having a sugar chain structure, a vinylamide polymer, and (meth)
Acrylic polymer, aromatic vinyl compound, dendrimer, polyimide, polyamic acid, polyarylene, polyamide, polyquinoxaline, polyoxadiazole,
Examples include a fluorine-based polymer and a compound having a polyalkylene oxide structure.

【0034】ポリアルキレンオキサイド構造を有する化
合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチ
レンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、
ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキ
シド構造などが挙げられる。具体的には、ポリオキシメ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエー
テル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオ
キシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホル
マリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレ
ンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキ
シエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなど
のエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸
塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリ
コール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エス
テル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エ
ステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコ
ール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエー
テルエステル型化合物などを挙げることができる。ポリ
オキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー
としては下記のようなブロック構造を有する化合物が挙
げられる。 −(X)j−(Y)k− −(X)j−(Y)k−(X)l- (式中、Xは−CH2CH2O−で表される基を、Yは−
CH2CH(CH3)O−で表される基を示し、jは1〜
90、kは10〜99、lは0〜90の数を示す) これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポ
リマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアル
キルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、
などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げる
ことができる。これらは1種あるいは2種以上を同時に
使用しても良い。
Compounds having a polyalkylene oxide structure include a polymethylene oxide structure, a polyethylene oxide structure, a polypropylene oxide structure,
Examples include a polytetramethylene oxide structure and a polybutylene oxide structure. Specifically, polyoxymethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene sterol ether, polyoxyethylene lanolin derivative, ethylene oxide derivative of alkylphenol formalin condensate, polyoxyethylene poly Oxypropylene block copolymers, ether compounds such as polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ethers, polyoxyethylene glycerin fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitol fatty acid esters, polyoxyethylene fatty acid alkanolamide sulfates and the like Ether ester type compound, polyethylene glycol fatty acid ester, ethylene glycol fat Esters, fatty acid monoglycerides, polyglycerol fatty acid esters, sorbitan fatty acid esters, propylene glycol fatty acid esters, and the like ether ester type compounds such as sucrose fatty acid esters. Examples of the polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer include compounds having the following block structures. - (X) j- (Y) k- - (X) j- (Y) k- (X) l- ( wherein, X is a group represented by -CH 2 CH 2 O-, Y is -
And represents a group represented by CH 2 CH (CH 3 ) O—, wherein j is 1 to
90, k is a number from 10 to 99, and l is a number from 0 to 90) Among these, polyoxyethylene alkyl ether,
Polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester,
And ether-type compounds such as those described above as more preferable examples. These may be used alone or in combination of two or more.

【0035】界面活性剤としては、例えば、ノニオン系
界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活
性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキ
レンオキシド系界面活性剤、ポリ(メタ)アクリレート
系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げること
ができる。
Examples of the surfactant include a nonionic surfactant, an anionic surfactant, a cationic surfactant, an amphoteric surfactant, and the like. Further, a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, and the like. Examples of the surfactant include a surfactant, a polyalkylene oxide-based surfactant, and a poly (meth) acrylate-based surfactant, and preferably a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant.

【0036】フッ素系界面活性剤としては、例えば1,
1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,2−
テトラフロロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テ
トラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレン
グリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)
エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,
2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、オクタ
プロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロ
ロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ
(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エ
ーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフ
ロロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ
デカン、N−[3−(パーフルオロオクタンスルホンア
ミド)プロピル]-N,N‘−ジメチル−N−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−N−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス(N−パーフルオロオクチルスルホニル
−N−エチルアミノエチル)、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少
なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオ
ロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活
性剤を挙げることができる。また、市販品としてはメガ
ファックF142D、同F172、同F173、同F1
83(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、エフト
ップEF301、同303、同352(新秋田化成
(株)製)、フロラードFC−430、同FC−431
(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−
102、同SC−103、同SC−104、同SC−1
05、同SC−106(旭硝子(株)製)、BM−10
00、BM−1100(裕商(株)製)、NBX−15
((株)ネオス)などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックF172,BM−1000,BM−11
00,NBX−15が特に好ましい。
As the fluorine-based surfactant, for example, 1,
1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-
Tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctylhexyl ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl)
Ether, hexaethylene glycol (1, 1, 2,
2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoro) Pentyl) ether, sodium perfluorododecyl sulfonate,
1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane, N- [3- (perfluorooctanesulfone Amido) propyl] -N, N′-dimethyl-N-carboxymethyleneammonium betaine, perfluoroalkylsulfonamidopropyltrimethylammonium salt,
At least one of terminal, main chain and side chain of perfluoroalkyl-N-ethylsulfonylglycine salt, bis (N-perfluorooctylsulfonyl-N-ethylaminoethyl) phosphate, monoperfluoroalkylethyl phosphate, etc. And a fluorine-based surfactant composed of a compound having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group at the position (1). Commercially available products are MegaFac F142D, F172, F173, F1
83 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), F-Top EF301, 303, and 352 (manufactured by Shin-Akita Chemical Co., Ltd.), Florad FC-430, and FC-431
(Manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG71
0, Surflon S-382, SC-101, SC-
102, SC-103, SC-104, SC-1
05, SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), BM-10
00, BM-1100 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), NBX-15
(Neos Co., Ltd.) and other commercially available fluorosurfactants. Among them, the above MegaFac F172, BM-1000, BM-11
00, NBX-15 is particularly preferred.

【0037】シリコーン系界面活性剤としては、例えば
SH7PA、SH21PA、SH30PA、ST94P
A(いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)
製などを用いることが出来る。これらの中でも、上記S
H28PA、SH30PAが特に好ましい。界面活性剤
の使用量は、(A)成分(完全加水分解縮合物)に対し
て通常0.0001〜10重量部である。これらは1種
あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
As the silicone surfactant, for example, SH7PA, SH21PA, SH30PA, ST94P
A (All are Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.)
And the like can be used. Among them, the above S
H28PA and SH30PA are particularly preferred. The amount of the surfactant to be used is generally 0.0001 to 10 parts by weight relative to the component (A) (completely hydrolyzed condensate). These may be used alone or in combination of two or more.

【0038】シランカップリング剤としては、例えば3
−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、3−ア
ミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、3−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリ
シジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、1−メタ
クリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルト
リエトキシシラン、2−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、2−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−
(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、3−ウレイドプロピルト
リメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシ
シラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピル
トリメトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、N−トリエトキシシ
リルプロピルトリエチレントリアミン、N−トリエトキ
シシリルプロピルトリエチレントリアミン、10−トリ
メトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、10−
トリエトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、9
−トリメトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテー
ト、9−トリエトキシシリル−3,6−ジアザノニルア
セテート、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリメト
キシシラン、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルト
リエトキシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−
アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ビス(オキシ
エチレン)−3−アミノプロピルトリエトキシシランな
どが挙げられる。これらは1種あるいは2種以上を同時
に使用しても良い。
As the silane coupling agent, for example, 3
-Glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminoglycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-
Methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldimethoxysilane, 1-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltriethoxysilane, N-
(2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, N- Ethoxycarbonyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, 10-trimethoxysilyl- 1,4,7-triazadecane, 10-
Triethoxysilyl-1,4,7-triazadecane, 9
-Trimethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, 9-triethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, N-benzyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-benzyl-3-aminopropyltri Ethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-bis (oxyethylene) -3-
Aminopropyltrimethoxysilane, N-bis (oxyethylene) -3-aminopropyltriethoxysilane and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

【0039】ラジカル発生剤としては、例えばイソブチ
リルパーオキサイド、α、α’ビス(ネオデカノイルパ
ーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシ
ネオデカノエート、ジ−nプロピルパーオキシジカーボ
ネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、
1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデ
カノエート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パ
ーオキシジカーボネート、1−シクロヘキシル−1−メ
チルエチルパーオキシネオデカノエート、ジ−2−エト
キシエチルパーオキシジカーボネート、ジ(2−エチル
ヘキシルパーオキシ)ジカーボネート、t−ヘキシルパ
ーオキシネオデカノエート、ジメトキブチルパーオキシ
ジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチル
パーオキシ)ジカーボネート、t−ブチルパーオキシネ
オデカノエート、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキ
サイド、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチ
ルパーオキシピバレート、3,5,5−トリメチルヘキ
サノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイ
ド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキ
サイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキ
シ2−エチルヘキサノエート、スクシニックパーオキサ
イド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキ
サノイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキシル−
1−メチルエチルパーオキシ2−エチルヘキサノエー
ト、t−ヘキシルパーオキシ2−エチルヘキサノエー
ト、t−ブチルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、
m−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベン
ゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシイソブチ
レート、ジ−t−ブチルパーオキシ−2−メチルシクロ
ヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−
3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス
(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−
ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチ
ルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)シクロヘキサン、2,2−ビス(4,4−ジ−t−
ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、1,1−
ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロデカン、t−ヘキ
シルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブ
チルパーオキシマレイン酸、t−ブチルパーオキシ−
3,3,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパ
ーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−ジ
(m−トルオイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパ
ーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパ
ーオキシ2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘ
キシルパーオキシベンゾエート、2,5−ジメチル−
2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブ
チルパーオキシアセテート、2,2−ビス(t−ブチル
パーオキシ)ブタン、t−ブチルパーオキシベンゾエー
ト、n−ブチル−4,4−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)バレレート、ジ−t−ブチルパーオキシイソフタレ
ート、α、α’ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプ
ロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジ
メチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサ
ン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチル
パーオキサイド、p−メンタンヒドロパーオキサイド、
2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキ
シ)ヘキシン−3、ジイソプロピルベンゼンヒドロパー
オキサイド、t−ブチルトリメチルシリルパーオキサイ
ド、1,1,3,3−テトラメチルブチルヒドロパーオ
キサイド、クメンヒドロパーオキサイド、t−ヘキシル
ヒドロパーオキサイド、t−ブチルヒドロパーオキサイ
ド、2,3−ジメチル−2,3−ジフェニルブタン等を
挙げることができる。ラジカル発生剤の配合量は、重合
体100重量部に対し、0.1〜10重量部が好まし
い。これらは1種あるいは2種以上を同時に使用しても
良い。
As the radical generator, for example, isobutyryl peroxide, α, α'bis (neodecanylperoxy) diisopropylbenzene, cumylperoxyneodecanoate, di-n-propylperoxydicarbonate, diisopropylperoxy Dicarbonate,
1,1,3,3-tetramethylbutyl peroxy neodecanoate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxy dicarbonate, 1-cyclohexyl-1-methylethyl peroxy neodecanoate, di-2 -Ethoxyethyl peroxydicarbonate, di (2-ethylhexylperoxy) dicarbonate, t-hexylperoxyneodecanoate, dimethoxybutylperoxydicarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutylperoxy) Dicarbonate, t-butylperoxy neodecanoate, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, t-hexylperoxypivalate, t-butylperoxypivalate, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, Octanoyl peroxide, lauroyl par Oxide, stearoyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy 2-ethylhexanoate, succinic peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoylperoxy ) Hexane, 1-cyclohexyl-
1-methylethyl peroxy 2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy 2-ethylhexanoate, t-butylperoxy 2-ethylhexanoate,
m-toluoyl and benzoyl peroxide, benzoyl peroxide, t-butylperoxyisobutyrate, di-t-butylperoxy-2-methylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy)-
3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-
Bis (t-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, 2,2-bis (4,4-di-t-
Butylperoxycyclohexyl) propane, 1,1-
Bis (t-butylperoxy) cyclodecane, t-hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxymaleic acid, t-butylperoxy-
3,3,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxylaurate, 2,5-dimethyl-2,5-di (m-toluoylperoxy) hexane, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, t -Butylperoxy 2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexylperoxybenzoate, 2,5-dimethyl-
2,5-di (benzoylperoxy) hexane, t-butylperoxyacetate, 2,2-bis (t-butylperoxy) butane, t-butylperoxybenzoate, n-butyl-4,4-bis ( t-butylperoxy) valerate, di-t-butylperoxyisophthalate, α, α′bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di ( t-butylperoxy) hexane, t-butylcumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, p-menthane hydroperoxide,
2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexyne-3, diisopropylbenzene hydroperoxide, t-butyltrimethylsilyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, Cumene hydroperoxide, t-hexyl hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide, 2,3-dimethyl-2,3-diphenylbutane and the like can be mentioned. The mixing amount of the radical generator is preferably 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer. These may be used alone or in combination of two or more.

【0040】トリアゼン化合物としては、例えば、1,
2−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼン、
1,3−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベ
ンゼン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニルフェニ
ル)エーテル、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニルフ
ェニル)メタン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル
フェニル)スルホン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼ
ニルフェニル)スルフィド、2,2−ビス〔4−(3,
3−ジメチルトリアゼニルフェノキシ)フェニル〕−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス〔4−(3,3−ジメチルトリアゼニルフ
ェノキシ)フェニル〕プロパン、1,3,5−トリス
(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼン、2,7−
ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス
[4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フ
ルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニ
ル)−9,9−ビス[3−メチル−4−(3,3−ジメ
チルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビ
ス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス
[3−フェニル−4−(3,3−ジメチルトリアゼニ
ル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3−ジ
メチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−プロペニル
−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フ
ルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニ
ル)−9,9−ビス[3−フルオロ−4−(3,3−ジ
メチルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−
ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス
[3,5−ジフルオロ−4−(3,3−ジメチルトリア
ゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3
−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−トリフ
ルオロメチル−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)
フェニル]フルオレンなどが挙げられる。これらは1種
あるいは2種以上を同時に使用しても良い。窒素オニウ
ム塩化合物としては、例えば、前記にあげた(A)成分
の製造時に使用するものと同様の化合物を挙げることが
できる。
As the triazene compound, for example, 1,
2-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene,
1,3-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, 1,4-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) ether, bis ( 3,3-dimethyltriazenylphenyl) methane, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) sulfone, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) sulfide, 2,2-bis [4- (3 ,
3-dimethyltriazenylphenoxy) phenyl]-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane,
2,2-bis [4- (3,3-dimethyltriazenylphenoxy) phenyl] propane, 1,3,5-tris (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, 2,7-
Bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl)- 9,9-bis [3-methyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3- Phenyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-propenyl-4- (3,3 -Dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-fluoro-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] Fluorene, 2,7-
Bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3,5-difluoro-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3
-Dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-trifluoromethyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl)
Phenyl] fluorene and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Examples of the nitrogen onium salt compound include the same compounds as those used in the production of the above-mentioned component (A).

【0041】このようにして得られる本発明の組成物の
全固形分濃度は、好ましくは、2〜30重量%であり、
使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃
度が2〜30重量%であると、塗膜の膜厚が適当な範囲
となり、保存安定性もより優れるものである。なお、こ
の全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上
記(C)成分による希釈によって行われる。
The total solid content of the composition of the present invention thus obtained is preferably 2 to 30% by weight,
It is appropriately adjusted according to the purpose of use. When the total solid content of the composition is 2 to 30% by weight, the film thickness of the coating film is in an appropriate range, and the storage stability is more excellent. The adjustment of the total solid concentration is performed by concentration and dilution with the component (C), if necessary.

【0042】本発明の組成物を、シリコンウエハ、Si
2ウエハ、SiNウエハなどの基材に塗布する際に
は、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー
法などの塗装手段が用いられる。この際の膜厚は、乾燥
膜厚として、1回塗りで厚さ0.05〜2.5μm程
度、2回塗りでは厚さ0.1〜5.0μm程度の塗膜を
形成することができる。その後、常温で乾燥するか、あ
るいは80〜600℃程度の温度で、通常、5〜240
分程度加熱して乾燥することにより、ガラス質または巨
大高分子の絶縁膜を形成することができる。この際の加
熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ファーネ
スなどを使用することが出来、加熱雰囲気としては、大
気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度
をコントロールした減圧下などで行うことができる。ま
た、電子線や紫外線を照射することによっても塗膜を形
成させることができる。また、上記塗膜の硬化速度を制
御するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒
素、空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択することがで
きる。さらに、本発明のシリカ系膜の比誘電率は、通
常、3.2〜1.2、好ましくは3.1〜1.8、さら
に好ましくは3.0〜2.0である。
When the composition of the present invention is applied to a silicon wafer, Si
When coating on a substrate such as an O 2 wafer or a SiN wafer, a coating method such as spin coating, dipping, roll coating, or spraying is used. The film thickness at this time is about 0.05 to 2.5 μm in a single coating as a dry film thickness, and a coating film with a thickness of about 0.1 to 5.0 μm in a double coating can be formed. . Then, it is dried at room temperature or at a temperature of about 80 to 600 ° C., usually for 5 to 240
By heating and drying for about a minute, a glassy or macromolecular insulating film can be formed. As a heating method at this time, a hot plate, an oven, a furnace, or the like can be used. As a heating atmosphere, the heating is performed in the atmosphere, a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, a vacuum, a reduced pressure in which the oxygen concentration is controlled, or the like. Can be. Further, the coating film can be formed by irradiating an electron beam or an ultraviolet ray. Further, in order to control the curing speed of the coating film, if necessary, heating may be performed stepwise, or an atmosphere such as nitrogen, air, oxygen, or reduced pressure may be selected. Further, the relative dielectric constant of the silica-based film of the present invention is usually 3.2 to 1.2, preferably 3.1 to 1.8, and more preferably 3.0 to 2.0.

【0043】このようにして得られる層間絶縁膜は、塗
膜の比誘電率の温度依存が少なく、クラック耐性や機械
的強度に優れることから、LSI、システムLSI、D
RAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAMなど
の半導体素子用層間絶縁膜やエッチングストッパー膜や
CMPストッパー膜、半導体素子の表面コート膜などの
保護膜、多層レジストを用いた半導体作製工程の中間
層、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護
膜や絶縁膜などの用途に有用である。
The interlayer insulating film thus obtained has low temperature dependence of the relative dielectric constant of the coating film and is excellent in crack resistance and mechanical strength.
Interlayer insulating films for semiconductor devices such as RAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM, etc., protective films such as etching stopper films and CMP stopper films, surface coat films of semiconductor devices, intermediate layers and multilayers in semiconductor manufacturing processes using multilayer resists It is useful for applications such as interlayer insulating films for wiring boards, protective films and insulating films for liquid crystal display elements.

【0044】[0044]

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および%は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量%であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the following description generally shows an embodiment of the present invention, and the present invention is not limited by the description without any particular reason. Parts and% in Examples and Comparative Examples are parts by weight and% by weight, respectively, unless otherwise specified. Also,
Various evaluations were performed as follows.

【0045】慣性半径 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー(GPC)(屈折率,粘度,光散乱測定)法により測
定した。 試料溶液:シラン化合物の加水分解縮合物を、固形分濃
度が0.25%となるように、10mMのLiBrを含
むメタノールで希釈し、GPC(屈折率,粘度,光散乱
測定)用試料溶液とした。 装置:東ソー(株)製、GPCシステム モデル GP
C−8020 東ソー(株)製、カラム Alpha5000/300
0 ビスコテック社製、粘度検出器および光散乱検出器 モデル T−60 デュアルメーター キャリア溶液:10mMのLiBrを含むメタノール キャリア送液速度:1ml/min カラム温度:40℃
The radius of inertia was measured by gel permeation chromatography (GPC) (refractive index, viscosity, light scattering measurement) under the following conditions. Sample solution: A hydrolyzed condensate of a silane compound is diluted with methanol containing 10 mM LiBr so as to have a solid concentration of 0.25%. did. Equipment: Tosoh Corporation, GPC system model GP
C-8020 Tosoh Corporation, column Alpha5000 / 300
0 Viscotec Co., Ltd., viscosity detector and light scattering detector Model T-60 dual meter Carrier solution: methanol containing 10 mM LiBr Carrier sending rate: 1 ml / min Column temperature: 40 ° C.

【0046】重量平均分子量(Mw) 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー(GPC)法により測定した。 試料:テトラヒドロフランを溶媒として使用し、加水分
解縮合物1gを、100ccのテトラヒドロフランに溶
解して調製した。 標準ポリスチレン:米国プレッシャーケミカル社製の標
準ポリスチレンを使用した。 装置:米国ウオーターズ社製の高温高速ゲル浸透クロマ
トグラム(モデル150−C ALC/GPC) カラム:昭和電工(株)製のSHODEX A−80M
(長さ50cm) 測定温度:40℃ 流速:1cc/分
The weight average molecular weight (Mw) was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions. Sample: Prepared by dissolving 1 g of a hydrolyzed condensate in 100 cc of tetrahydrofuran using tetrahydrofuran as a solvent. Standard polystyrene: Standard polystyrene manufactured by Pressure Chemical Co., USA was used. Apparatus: High-temperature high-speed gel permeation chromatogram (Model 150-C ALC / GPC) manufactured by Waters, USA Column: SHOdex A-80M manufactured by Showa Denko KK
(Length 50cm) Measurement temperature: 40 ° C Flow rate: 1cc / min

【0047】比誘電率の温度依存 8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で90℃で3分
間、窒素雰囲気200℃で3分間基板を乾燥し、さらに
440℃の窒素雰囲気ホットプレートで25分間基板を
焼成した。得られた膜に対して蒸着法によりアルミニウ
ム電極パターンを形成させ比誘電率測定用サンプルを作
成した。該サンプルを周波数100kHzの周波数で、
横河・ヒューレットパッカード(株)製、HP1645
1B電極およびHP4284AプレシジョンLCRメー
タを用いてCV法により室温並びに250℃における当
該塗膜の比誘電率を測定した。
A composition sample is applied on an 8-inch silicon wafer using a temperature dependence of the relative dielectric constant by a spin coating method, and the substrate is dried on a hot plate at 90 ° C. for 3 minutes and in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 3 minutes. The substrate was further baked on a hot plate at 440 ° C. in a nitrogen atmosphere for 25 minutes. An aluminum electrode pattern was formed on the obtained film by a vapor deposition method to prepare a sample for relative dielectric constant measurement. The sample is taken at a frequency of 100 kHz,
HP1645, manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard Co., Ltd.
The relative dielectric constant of the coating film at room temperature and 250 ° C. was measured by a CV method using a 1B electrode and an HP4284A precision LCR meter.

【0048】クラック耐性 8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で90℃で3分
間、窒素雰囲気200℃で3分間基板を乾燥し、さらに
440℃の窒素雰囲気ホットプレートで25分間基板を
焼成した。この際の塗膜の膜厚は1.2μmとした。得
られた塗膜の一部をナイフで傷を付け、純水中に100
時間浸漬した。塗膜中のナイフの傷跡を顕微鏡で観察
し、以下の基準で評価した。 ○:クラックの伝播認められない。 ×:クラックの伝播認められる
A composition sample was applied on an 8-inch silicon wafer by crack coating using a spin coating method, and the substrate was dried on a hot plate at 90 ° C. for 3 minutes and in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 3 minutes. The substrate was baked for 25 minutes in a nitrogen atmosphere hot plate. At this time, the thickness of the coating film was 1.2 μm. A part of the obtained coating film was scratched with a knife, and 100% in pure water.
Soaked for hours. A knife scar in the coating film was observed with a microscope, and evaluated according to the following criteria. :: No crack propagation was observed. ×: Propagation of cracks observed

【0049】機械的強度(硬度) 8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で90℃で3分
間、窒素雰囲気200℃で3分間基板を乾燥し、さらに
440℃の窒素雰囲気ホットプレートで25分間基板を
焼成した。得られた膜を、ナノインデンターXP(ナノ
インスツルメント社製)を用いて、連続剛性測定法によ
り測定した。
Mechanical Strength (Hardness) A composition sample was applied on an 8-inch silicon wafer by spin coating, and the substrate was dried on a hot plate at 90 ° C. for 3 minutes and in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 3 minutes. The substrate was baked on a hot plate at 440 ° C. for 25 minutes in a nitrogen atmosphere. The obtained film was measured by a continuous stiffness measuring method using a nano indenter XP (manufactured by Nano Instruments).

【0050】合成例1 石英製セパラブルフラスコ中で、メチルトリメトキシシ
ラン276.01g、テトラメトキシシラン86.14
gおよびテトラキス(アセチルアセトナート)チタン
0.0092gを、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル101gに溶解させたのち、スリーワンモーター
で攪拌させ、溶液温度を55℃に安定させた。次に、イ
オン交換水225.52gとプロピレングリコールモノ
エチルエーテル263.00gの混合溶液を1時間かけ
て溶液に添加した。その後、55℃で4時間反応させた
のち、アセチルアセトン48.12gを添加し、さらに
30分間反応させ、反応液を室温まで冷却した。50℃
で反応液からメタノールと水を含む溶液を227gエバ
ポレーションで除去し、反応液を得た。このようにし
て得られた縮合物等の重量平均分子量は、1,230で
あった。
Synthesis Example 1 In a quartz separable flask, 276.01 g of methyltrimethoxysilane and 86.14 of tetramethoxysilane were used.
g and tetrakis (acetylacetonato) titanium 0.0092 g were dissolved in propylene glycol monoethyl ether 101 g, and then stirred with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 55 ° C. Next, a mixed solution of 225.52 g of ion-exchanged water and 263.00 g of propylene glycol monoethyl ether was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 55 ° C. for 4 hours, 48.12 g of acetylacetone was added, the reaction was further performed for 30 minutes, and the reaction solution was cooled to room temperature. 50 ℃
227 g of a solution containing methanol and water was removed from the reaction solution by evaporation to obtain a reaction solution. The weight average molecular weight of the condensate and the like thus obtained was 1,230.

【0051】合成例2 石英製セパラブルフラスコ中で、メチルトリメトキシシ
ラン205.50gとテトラメトキシシラン85.51
gを、プロピレングリコールモノエチルエーテル426
gに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、
溶液温度50℃に安定させた。次に、コハク酸0.63
gを溶解させたイオン交換水182gを1時間かけて溶
液に添加した。その後、50℃で3時間反応させたの
ち、反応液を室温まで冷却した。50℃で反応液からメ
タノールを含む溶液を360gエバポレーションで除去
し、反応液を得た。このようにして得られた縮合物等
の重量平均分子量は、1,400であった。
Synthesis Example 2 In a quartz separable flask, 205.50 g of methyltrimethoxysilane and 85.51 of tetramethoxysilane were used.
g of propylene glycol monoethyl ether 426
g, then stirred with a three-one motor,
The solution temperature was stabilized at 50 ° C. Next, succinic acid 0.63
182 g of ion-exchanged water in which g was dissolved was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 50 ° C. for 3 hours, the reaction solution was cooled to room temperature. At 50 ° C., 360 g of a solution containing methanol was removed from the reaction solution by evaporation to obtain a reaction solution. The weight average molecular weight of the condensate and the like thus obtained was 1,400.

【0052】合成例3 石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール428
g、イオン交換水215gと25%テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド水溶液15.6gを入れ、均
一に攪拌した。この溶液にメチルトリメトキシシラン4
0.8gとテトラエトキシシラン61.4gの混合物を
添加した。溶液を60℃に保ったまま、2時間反応を行
った。この溶液にプロピレングリコールモノプロピルエ
ーテル300gを加え、その後、50℃のエバポレータ
ーを用いて溶液を10%(完全加水分解縮合物換算)と
なるまで濃縮し、その後、マレイン酸の10%プロピレ
ングリコールモノプロピルエーテル溶液20gを添加
し、反応液を得た。このようにして得られた縮合物等
の慣性半径は、20.4nmであった。
Synthesis Example 3 Distilled ethanol 428 was placed in a quartz separable flask.
g, 215 g of ion-exchanged water and 15.6 g of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide were added and uniformly stirred. Add methyltrimethoxysilane 4 to this solution.
A mixture of 0.8 g and 61.4 g of tetraethoxysilane was added. The reaction was performed for 2 hours while maintaining the solution at 60 ° C. 300 g of propylene glycol monopropyl ether was added to this solution, and then the solution was concentrated to 10% (complete hydrolyzed condensate) using an evaporator at 50 ° C., and then 10% propylene glycol monopropyl maleate was added. 20 g of an ether solution was added to obtain a reaction solution. The radius of inertia of the condensate and the like thus obtained was 20.4 nm.

【0053】参考合成例1 合成例1において、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテルの代わりにジアセトンアルコールを使用したこと
以外は合成例1と同様にして、反応液を得た。このよ
うにして得られた縮合物等の重量平均分子量は、700
であった。参考合成例2合成例3において、プロピレン
グリコールモノエチルエーテルの代わりにジアセトンア
ルコールを使用したこと以外は合成例1と同様にして、
反応液を得た。このようにして得られた縮合物等の慣
性半径は、10.4nmであった。
Reference Synthesis Example 1 A reaction solution was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that diacetone alcohol was used instead of propylene glycol monoethyl ether. The weight average molecular weight of the condensate and the like thus obtained is 700
Met. Reference synthesis example 2 In synthesis example 3, except that diacetone alcohol was used instead of propylene glycol monoethyl ether, the same as in synthesis example 1,
A reaction solution was obtained. The radius of inertia of the condensate and the like thus obtained was 10.4 nm.

【0054】実施例1 合成例1で得られた反応液50gに反応液20gを
添加し十分攪拌した。この溶液を0.2μm孔径のテフ
ロン(登録商標)製フィルターでろ過を行い本発明の膜
形成用組成物を得た。得られた組成物をスピンコート法
でシリコンウエハ上に塗布した。塗膜の室温での比誘電
率は2.78、250℃における比誘電率は2.70と
比誘電率の温度依存性は小さい値であった。また、塗膜
を水浸漬してもクラックの伝播は認められなかった。ま
た、塗膜の硬度を測定したところ、1.7GPaと機械
的強度に優れていた。
Example 1 20 g of the reaction solution was added to 50 g of the reaction solution obtained in Synthesis Example 1 and sufficiently stirred. This solution was filtered through a Teflon (registered trademark) filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a film-forming composition of the present invention. The obtained composition was applied on a silicon wafer by spin coating. The relative dielectric constant of the coating film at room temperature was 2.78, and the relative dielectric constant at 250 ° C. was 2.70, and the temperature dependence of the relative dielectric constant was small. No crack propagation was observed even when the coating film was immersed in water. Also, when the hardness of the coating film was measured, it was 1.7 GPa, which was excellent in mechanical strength.

【0055】実施例2〜8 実施例1において、表1に示す反応液を使用した以外は
実施例1と同様に評価を行った。評価結果を表1に併せ
て示す。
Examples 2 to 8 Evaluations were made in the same manner as in Example 1 except that the reaction solutions shown in Table 1 were used. The evaluation results are also shown in Table 1.

【0056】[0056]

【表1】 [Table 1]

【0057】比較例1 合成例1で得られた反応液のみを使用した以外は実施
例1と同様にして塗膜の評価を行った。評価結果を表2
に示す。 比較例2 合成例2で得られた反応液のみを使用した以外は実施
例1と同様にして塗膜の評価を行った。評価結果を表2
に示す。 参考例4 比較合成例1で得られた反応液50gと比較合成例2
で得られた反応液20gを使用した以外は実施例1と
同様にして塗膜の評価を行った。評価結果を表2に示
す。
Comparative Example 1 The coating film was evaluated in the same manner as in Example 1 except that only the reaction solution obtained in Synthesis Example 1 was used. Table 2 shows the evaluation results.
Shown in Comparative Example 2 The coating film was evaluated in the same manner as in Example 1 except that only the reaction solution obtained in Synthesis Example 2 was used. Table 2 shows the evaluation results.
Shown in Reference Example 4 50 g of the reaction solution obtained in Comparative Synthesis Example 1 and Comparative Synthesis Example 2
The coating film was evaluated in the same manner as in Example 1 except that 20 g of the reaction solution obtained in was used. Table 2 shows the evaluation results.

【0058】[0058]

【表2】 [Table 2]

【0059】[0059]

【発明の効果】本発明によれば、窒素オニウム塩化合物
で合成したアルコキシシラン加水分解重合体、金属キレ
ート触媒および酸触媒もしくはいずれか一方で合成した
アルコキシシラン加水分解重合体、特定のグリコール系
溶剤を含有する膜形成用組成物を使用することで、塗膜
の比誘電率の温度依存が少なく、クラック耐性や機械的
強度に優れた膜形成用組成物(層間絶縁膜用材料)を提
供することが可能である。
According to the present invention, a hydrolyzed alkoxysilane polymer synthesized with a nitrogen onium salt compound, a hydrolyzed alkoxysilane polymer synthesized with a metal chelate catalyst and / or an acid catalyst, a specific glycol solvent The use of a film-forming composition containing: provides a film-forming composition (material for an interlayer insulating film) in which the temperature dependence of the relative dielectric constant of the coating film is small and crack resistance and mechanical strength are excellent. It is possible.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 4J038 DL021 DL031 DL041 DL071 DL161 GA01 HA096 HA306 HA326 HA366 HA416 HA476 JA02 JA05 JA26 JA27 JA33 JA37 JA39 JA42 JA56 JB01 JB06 JB13 JB27 JC02 JC11 JC13 JC14 JC37 JC38 KA04 KA06 MA08 MA10 MA14 NA11 NA21 PA19 PB09 5F058 AA02 AB04 AB06 AC03 AF04 AG01 AH02  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Kinji Yamada 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo JSR Co., Ltd. F-term (reference) 4J038 DL021 DL031 DL041 DL071 DL161 GA01 HA096 HA306 HA326 HA366 HA416 HA476 JA02 JA05 JA26 JA27 JA33 JA37 JA39 JA42 JA56 JB01 JB06 JB13 JB27 JC02 JC11 JC13 JC14 JC37 JC38 KA04 KA06 MA08 MA10 MA14 NA11 NA21 PA19 PB09 5F058 AA02 AB04 AB06 AC03 AF04 AG01 AH02

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)下記一般式(1)で表される化合
物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般
式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも
1種のシラン化合物を含窒素オニウム塩化合物の存在下
に加水分解し、縮合した加水分解縮合物、(B)下記一
般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表さ
れる化合物および下記一般式(3)で表される化合物の
群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属キ
レート触媒および酸触媒もしくはいずれか一方の存在下
に加水分解し、縮合した加水分解縮合物 Ra Si(OR14-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR24 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7d −Si(OR53-c6 c ・・・・・(3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、
7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH2n
で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、d
は0または1を示す。〕(C)有機溶剤を含有すること
を特徴とする膜形成用組成物。
(A) at least one selected from the group consisting of a compound represented by the following general formula (1), a compound represented by the following general formula (2) and a compound represented by the following general formula (3) One kind of silane compound is hydrolyzed and condensed in the presence of a nitrogen-containing onium salt compound, (B) a compound represented by the following general formula (1), and a compound represented by the following general formula (1) Hydrolysis and condensation of at least one silane compound selected from the group consisting of a compound represented by the following general formula (3) and a compound represented by the following general formula (3) in the presence of a metal chelate catalyst and / or an acid catalyst: Compound R a Si (OR 1 ) 4-a (1) (where R is a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R 1 is a monovalent organic group, and a is 1 to shows two integers.) Si (OR 2) 4 ····· (2) ( wherein, R 2 is Indicating the valency of the organic radical.) R 3 b (R 4 O) 3-b Si- (R 7) d -Si (OR 5) 3-c R 6 c ····· (3) wherein, R 3 to R 6 are the same or different, each is a monovalent organic group, b to c are the same or different, an integer of 0 to 2,
R 7 is an oxygen atom, a phenylene group or — (CH 2 ) n
(Where n is an integer of 1 to 6), d
Represents 0 or 1. ] (C) A film-forming composition comprising an organic solvent.
【請求項2】 (A)成分の加水分解縮合物のGPC法
による慣性半径が5〜50nmであることを特徴とする
請求項1記載の膜形成用組成物。
2. The film-forming composition according to claim 1, wherein the hydrolytic condensate of the component (A) has a radius of gyration of 5 to 50 nm by a GPC method.
【請求項3】 (B)成分の加水分解縮合物のGPC法
による重量平均分子量が500〜20000であること
を特徴とする請求項1記載の膜形成用組成物。
3. The film-forming composition according to claim 1, wherein the weight-average molecular weight of the hydrolyzed condensate of the component (B) by GPC is from 500 to 20,000.
【請求項4】 請求項1において、アルカリ触媒がアミ
ンおよび/またはアミン塩であることを特徴とする膜形
成用組成物。
4. The film forming composition according to claim 1, wherein the alkali catalyst is an amine and / or an amine salt.
【請求項5】 請求項1において、金属キレート触媒が
チタン含有キレート化合物、酸触媒が有機カルボン酸で
あることを特徴とする膜形成用組成物。
5. The film forming composition according to claim 1, wherein the metal chelate catalyst is a titanium-containing chelate compound and the acid catalyst is an organic carboxylic acid.
【請求項6】 (A)成分と(B)成分の使用割合が、
(A)成分100重量部(完全加水分解縮合物換算)に
対して(B)成分5〜2000重量部(完全加水分解縮
合物換算)であることを特徴とする請求項1〜5記載の
膜形成用組成物。
6. The use ratio of the component (A) and the component (B) is as follows:
The membrane according to any one of claims 1 to 5, wherein the amount of the component (B) is 5 to 2,000 parts by weight (converted to a completely hydrolyzed condensate) based on 100 parts by weight of the component (A) (converted to a completely hydrolyzed condensate). Forming composition.
【請求項7】 一般式(4)で表される溶剤 R15O(R170)g16 ・・・・・(4) (R15およびR16は、それぞれ独立して水素原子、炭素
数1〜4のアルキル基またはCH3CO−から選ばれる
1価の有機基を示し、R17はアルキレン基を示し、gは
1〜2の整数を表す。)を含有することを特徴とする膜
形成用組成物。
7. A solvent represented by the general formula (4): R 15 O (R 170 ) g R 16 ... (4) (R 15 and R 16 each independently represent a hydrogen atom, Wherein R 17 represents a monovalent organic group selected from alkyl groups of formulas 1 to 4 or CH 3 CO—, R 17 represents an alkylene group, and g represents an integer of 1 to 2.) A composition for forming a film.
【請求項8】 請求項1において、(C)成分がエチレ
ングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコー
ルジアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアル
キルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテ
ル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテ
ート、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル、
ジプロピレングリコールジアルキルエーテル、ジプロピ
レングリコールモノアルキルエーテルアセテートの群か
ら選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする膜形
成用組成物。
8. The composition according to claim 1, wherein the component (C) is ethylene glycol monoalkyl ether, ethylene glycol dialkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol dialkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate. , Dipropylene glycol monoalkyl ether,
A film-forming composition comprising at least one member selected from the group consisting of dipropylene glycol dialkyl ether and dipropylene glycol monoalkyl ether acetate.
【請求項9】 請求項1〜7記載の膜形成用組成物から
なることを特徴とする絶縁膜形成用材料。
9. An insulating film forming material comprising the film forming composition according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220565A (en) * 2001-01-24 2002-08-09 Jsr Corp Composition for film-forming, method for forming film and silica-based film
JP2004277502A (en) * 2003-03-13 2004-10-07 Hitachi Chem Co Ltd Silica film-forming composition, silica film, its forming method and electronic part having silica film
JP2004307821A (en) * 2003-03-25 2004-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd Film-forming composition, method for producing the same, porous insulating film and method for forming the film
JP2006093657A (en) * 2004-07-09 2006-04-06 Jsr Corp Organic silica system film and forming method thereof, composition for forming insulating film of semiconductor apparatus, and wiring structure and semiconductor apparatus
JP2006213908A (en) * 2004-12-21 2006-08-17 Hitachi Chem Co Ltd Composition for forming silica-based film, method for forming silica-based film, silica-based film and electronic part
US7205030B2 (en) * 2003-04-02 2007-04-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming porous film
JPWO2006068181A1 (en) * 2004-12-21 2008-06-12 日立化成工業株式会社 Coating, silica-based coating and method for forming the same, composition for forming silica-based coating, and electronic component
JP2008297550A (en) * 2002-02-27 2008-12-11 Hitachi Chem Co Ltd Composition for forming silica-based coating film, silica-based coating film and method for producing the same, and electronic parts
US8466229B2 (en) 2004-09-02 2013-06-18 Hitachi Chemical Co., Ltd. Composition for forming silica-based film, method of forming silica-based film, and electronic component provided with silica-based film

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003064305A (en) * 2001-08-27 2003-03-05 Jsr Corp Method for producing film-forming composition, film- forming composition, method for forming film and silica- based film
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220565A (en) * 2001-01-24 2002-08-09 Jsr Corp Composition for film-forming, method for forming film and silica-based film
JP2008297550A (en) * 2002-02-27 2008-12-11 Hitachi Chem Co Ltd Composition for forming silica-based coating film, silica-based coating film and method for producing the same, and electronic parts
JP2004277502A (en) * 2003-03-13 2004-10-07 Hitachi Chem Co Ltd Silica film-forming composition, silica film, its forming method and electronic part having silica film
JP2004307821A (en) * 2003-03-25 2004-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd Film-forming composition, method for producing the same, porous insulating film and method for forming the film
US7205030B2 (en) * 2003-04-02 2007-04-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming porous film
JP2006093657A (en) * 2004-07-09 2006-04-06 Jsr Corp Organic silica system film and forming method thereof, composition for forming insulating film of semiconductor apparatus, and wiring structure and semiconductor apparatus
JP4535280B2 (en) * 2004-07-09 2010-09-01 Jsr株式会社 Formation method of organic silica film
US8466229B2 (en) 2004-09-02 2013-06-18 Hitachi Chemical Co., Ltd. Composition for forming silica-based film, method of forming silica-based film, and electronic component provided with silica-based film
JP2006213908A (en) * 2004-12-21 2006-08-17 Hitachi Chem Co Ltd Composition for forming silica-based film, method for forming silica-based film, silica-based film and electronic part
JPWO2006068181A1 (en) * 2004-12-21 2008-06-12 日立化成工業株式会社 Coating, silica-based coating and method for forming the same, composition for forming silica-based coating, and electronic component

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