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JP2002050519A - 高周波コイル装置及びその製造方法 - Google Patents

高周波コイル装置及びその製造方法

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Publication number
JP2002050519A
JP2002050519A JP2000236900A JP2000236900A JP2002050519A JP 2002050519 A JP2002050519 A JP 2002050519A JP 2000236900 A JP2000236900 A JP 2000236900A JP 2000236900 A JP2000236900 A JP 2000236900A JP 2002050519 A JP2002050519 A JP 2002050519A
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JP
Japan
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coil
layer
plating layer
coil device
frequency coil
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000236900A
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English (en)
Inventor
Hidetoshi Kusano
英俊 草野
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Priority to US09/915,772 priority patent/US20020030576A1/en
Priority to TW090118651A priority patent/TW550611B/zh
Priority to KR1020010046930A priority patent/KR100768411B1/ko
Publication of JP2002050519A publication Critical patent/JP2002050519A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コイルインダクタンスのバラツキが少なくＧ
Ｈｚ帯用に適した高周波コイル装置及びその製造方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】 誘電体基板としてのポリイミド層２０表
面にファインピッチのスパイラル形状をなすコイル１８
が埋設され、その底面及び側面がポリイミド層２０によ
って被覆されている。このスパイラル形状のコイル１８
は、Ｎｉメッキ層１４及びＣｕメッキ層１６が積層され
たＮｉ−Ｃｕ積層構造となっていると共に、その側面は
略垂直であって、その幅は高精度に均一になっている。
そして、このスパイラル形状のコイル１８表面、即ち上
層のＮｉメッキ層１４表面は、Ａｕメッキ層２２によっ
て被覆されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波コイル装置及
びその製造方法に係り、特にＧＨｚ用のファインピッチ
の高周波コイル装置及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波コイル装置を図１０
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて説明する。ここで、図
１０（ａ）は従来の高周波コイル装置を示す概略断面図
であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＣ−Ｃ線断面図
であり、図１０（ｃ）は図１０（ｂ）の一部を拡大した
部分拡大図である。
【０００３】図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示される
ように、例えば厚さ２０〜３０μｍのポリイミド樹脂か
らなる誘電体基板３０上に、例えば厚さ１５〜２５μｍ
の凸形状のＣｕ（銅）層からなるスパイラル形状のコイ
ル３２ａが形成されている。そして、このスパイラル形
状のコイル３２ａ表面は、厚さ０．３〜５μｍのＡｕメ
ッキ層３６によって被覆されている。なお、ここで、誘
電体基板３０の材料としては、ポリイミド樹脂に限ら
ず、例えばエポキシ樹脂やフェノール樹脂などを用いて
もよい。
【０００４】また、このスパイラル形状のコイル３２ａ
と同一の構造をもつ信号線３８が、スパイラル形状のコ
イル３２ａに隣接して配置されている。この信号線３８
も、スパイラル形状のコイル３２ａの場合と同様、その
表面をＡｕメッキ層３６によって被覆されている。
【０００５】そして、スパイラル形状のコイル３２ａの
中心部（より正確にいえば、この中心部のコイル３２ａ
表面を被覆しているＡｕメッキ層３６）と信号線３８
（より正確にいえば、この信号線３８表面を被覆してい
るＡｕメッキ層３６）とは、Ａｕワイヤ４０によって接
続されている。このようにして、凸形状のＣｕ層からな
るスパイラル形状のコイル３２ａが誘電体基板３０上に
形成されている構造の高周波コイル装置が構成されてい
る。
【０００６】次に、従来の高周波コイル装置の製造方法
を、図１１〜図１５に示す概略工程断面図を用いて説明
する。先ず、図１１に示されるように、厚さ２０〜３０
μｍのポリイミド樹脂からなる誘電体基板３０上に、厚
さ１５〜２５μｍのＣｕ層３２を形成する。次いで、図
１２に示されるように、このＣｕ層３２上にレジスト膜
を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジス
ト膜をファインピッチのスパイラル形状にパターニング
して、レジストパターン３４を形成する。
【０００７】次いで、図１３に示されるように、このレ
ジストパターン３４をマスクとして、Ｃｕ層３２を選択
的にエッチング除去した後、図１４に示されるように、
レジストパターン３４を剥離する。こうして、誘電体基
板３０上に、スパイラル形状にパターニングされた凸形
状のＣｕ層３２からなるコイル３２ａを形成する。
【０００８】次いで、図１５に示されるように、スパイ
ラル形状のコイル３２ａ上に、Ａｕ（金）メッキ処理を
行い、スパイラル形状のコイル３２ａの表面及び側面を
Ａｕメッキ層３６によって被覆する。
【０００９】最後に、図１０（ａ）に示されるように、
スパイラル形状のコイル３２ａの中心部（より正確にい
えば、この中心部のコイル３２ａ表面を被覆しているＡ
ｕメッキ層３６）と、このコイル１８と同一のプロセス
において同時的に形成した信号線３８（より正確にいえ
ば、この信号線表面を被覆しているＡｕメッキ層３６）
とをＡｕワイヤ４０によって接続するワイヤボンディン
グを行う。このようにして、Ａｕメッキ層３６によって
表面及び側面が被覆された凸形状のＣｕ層３２からなる
スパイラル形状のコイル３２ａを有する高周波コイル装
置を作製する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の高周波コイル装置においては、凸形状のＣｕ層３２
からなるスパイラル形状のコイル３２ａが、レジストパ
ターン３４をマスクとするＣｕ層３２の選択的なエッチ
ングによって形成されることから、図１４又は図１０
（ｃ）に示されるように、コイル３２ａの断面は側面が
傾斜した台形の形状になり、その断面積にバラツキが生
じるため、コイルインダクタンスのバラツキが大きくな
るという欠点があった。即ち、上記従来の高周波コイル
装置の製造方法によっては、コイルインダクタンスのバ
ラツキの少ないファインピッチのコイルを必要とするＧ
Ｈｚ用の高周波コイル装置を作製することは困難であっ
た。
【００１１】そこで本発明は、上記事情を鑑みてなされ
たものであり、コイルインダクタンスのバラツキが少な
くＧＨｚ帯用に適した高周波コイル装置及びその製造方
法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下に述べ
る本発明に係る高周波コイル装置及びその製造方法によ
って達成される。即ち、請求項１に係る高周波コイル装
置は、誘電体基板と、この誘電体基板表面に所定のコイ
ルパターンに埋設され、底面及び側面が誘電体基板によ
って被覆されている導電体層からなるコイルと、を具備
することを特徴とする。
【００１３】このように請求項１に係る高周波コイル装
置においては、所定のコイルパターンの導電体層からな
るコイルが誘電体基板表面に埋設され、底面及び側面が
誘電体基板によって被覆されている構造となっているこ
とにより、安定したＱ値が得られるため、安定したＱ値
をもつＧＨｚ帯用の高周波コイル装置が実現される。ま
た、コイル及び誘電体基板のなす高周波コイル装置の表
面が略フラットになるため、他の半導体集積回路チップ
の接合が容易になる。
【００１４】また、請求項２に係る高周波コイル装置
は、上記請求項１に係る高周波コイル装置において、誘
電体基板表面に窪みが形成されており、この窪み内にお
いてコイルが誘電体基板から分離した空中配線となって
いる構成であることにより、Ｑ値が更に向上するため、
安定した高いＱ値をもつＧＨｚ帯用の高周波コイル装置
が実現される。
【００１５】また、請求項７に係る高周波コイル装置の
製造方法は、ベースメタル板表面上に、所定のコイルパ
ターンをなすレジストパターンを形成する第１の工程
と、このレジストパターンをマスクとして、ベースメタ
ル板表面の露出部にメッキ処理を行い、所定のコイルパ
ターンのメッキ層からなるコイルを形成する第２の工程
と、レジストパターンを除去した後、コイルを含むベー
スメタル板表面上に樹脂層を形成し、この樹脂層によっ
てコイルの表面及び側面を被覆する第３の工程と、ベー
スメタル板を裏面側からエッチング除去して、コイル及
び樹脂層の裏面を露出する第４の工程と、を有すること
を特徴とする。
【００１６】このように請求項７に係る高周波コイル装
置の製造方法においては、ベースメタル板表面上に所定
のコイルパターンをなすレジストパターンを形成する際
に、微細加工技術によりレジストパターンが略垂直な側
壁と高精度に均一なパターン間隔をもつようにし、その
ようなレジストパターンをマスクとして、露出している
ベースメタル板表面上にメッキ層を形成し、このメッキ
層からなるコイルを形成することが可能になるため、コ
イルの側面が略垂直になり、その幅が高精度に均一にな
って、断面積のバラツキが極力抑制される。従って、コ
イルインピーダンスのバラツキが少なくなる。更に、コ
イルインピーダンスのバラツキが少なくなることで、高
いＱ値をもつＧＨｚ帯用の高周波コイル装置が実現され
る。
【００１７】なお、高周波コイル装置の誘電体基板の材
料としては、樹脂、例えばポリイミド樹脂や液晶ポリマ
ー樹脂であることが好適である。また、コイルをなすメ
ッキ層としては、ニッケルメッキ層と銅メッキ層とが積
層された多層構造であることが好適である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施の形態）図１（ａ）は本発明の第１の実施
の形態に係る高周波コイル装置を示す概略断面図であ
り、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、
図１（ｃ）は図１（ｂ）の一部を拡大した部分拡大図で
ある。また、図２〜図８はぞれぞれ本実施の形態に係る
高周波コイル装置の製造方法を説明するための概略工程
断面図である。
【００１９】図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるよ
うに、本実施の形態に係る高周波コイル装置において
は、誘電体基板としてのポリイミド層２０表面に、所定
のコイルパターンとして例えばファインピッチのスパイ
ラル形状をなすコイル１８が埋設されている。即ち、こ
のスパイラル形状のコイル１８の底面及び側面がポリイ
ミド層２０によって被覆されている。また、ポリイミド
層２０によって被覆されていないスパイラル形状のコイ
ル１８表面は、厚さ０．３〜５μｍのＡｕメッキ層２２
によって被覆されている。そして、このスパイラル形状
のコイル１８表面を被覆するＡｕメッキ層２２表面とポ
リイミド層２０表面とは略同一平面をなす面一（つらい
ち）となっている。
【００２０】また、このスパイラル形状のコイル１８
は、例えば厚さ１５μｍのＮｉ（ニッケル）メッキ層１
４及び厚さ２５μｍのＣｕメッキ層１６が順に積層され
たＮｉ−Ｃｕ積層構造となっていると共に、その側面は
略垂直であって、その幅は高精度に均一になっている。
このため、コイル１８表面上のＡｕメッキ層２２は、直
接にはその上層のＮｉメッキ層１４面を被覆している。
【００２１】また、このスパイラル形状のコイル１８と
同一のＮｉ−Ｃｕ積層構造をもつ信号線２４が、スパイ
ラル形状のコイル１８に隣接して配置されている。この
信号線２４も、スパイラル形状のコイル１８の場合と同
様、その表面をＡｕメッキ層２２によって被覆されてい
る。
【００２２】そして、スパイラル形状のコイル１８の中
心部（より正確にいえば、この中心部のコイル１８表面
を被覆しているＡｕメッキ層２２）と信号線２４（より
正確にいえば、この信号線２４表面を被覆しているＡｕ
メッキ層２２）とは、Ａｕワイヤ２６によって接続され
ている。このようにして、ファインピッチのスパイラル
形状のコイル１８がポリイミド層２０表面に埋設され、
その底面及び側面がポリイミド層２０によって被覆され
ていると共に、このスパイラル形状のコイル１８表面を
被覆するＡｕメッキ層２２表面がポリイミド層２０表面
と略面一となっている構造の高周波コイル装置が構成さ
れている。
【００２３】次に、本実施の形態に係る高周波コイル装
置の製造方法を、図２〜図８を用いて説明する。なお、
これら図２〜図８の工程断面図は、上記図１（ｂ）に対
応するものであるが、図１（ｂ）とは上下を逆にして描
いているために、構成要素の「表面」と「裏面」とが前
述の説明と逆に表現される場合がある。また、上記図１
における信号線２４はスパイラル形状のコイル１８と同
一のプロセスにおいて同時的に形成されるものである
が、ここではその図示を省略する。
【００２４】先ず、図２に示されるように、厚さ８０〜
１５０μｍのＣｕ製のベースメタル板１０を用意する。
そして、図３に示されるように、このベースメタル板１
０表面上にレジスト膜を塗布した後、フォトリソグラフ
ィ技術を用いて所定のコイルパターン、例えばファイン
ピッチのスパイラル形状のレジストパターン１２を形成
する。なお、このとき、レジストパターン１２の側壁
は、フォトリソグラフィ技術を用いた微細加工によって
略垂直になり、レジストパターン１２間の間隔も高精度
に均一になる。
【００２５】次いで、図４に示されるように、このレジ
ストパターン１２をマスクとして、露出しているベース
メタル板１０表面上にＮｉメッキ処理及びＣｕメッキ処
理を順に行い、厚さ１５μｍのＮｉメッキ層１４及び厚
さ２５μｍのＣｕメッキ層１６を順に積層する。なお、
このとき、Ｎｉメッキ層１４及びＣｕメッキ層１６の形
状は、レジストパターン１２に規定されるため、その側
面は略垂直になり、その幅は高精度に均一になる。
【００２６】次いで、図５に示されるように、レジスト
パターン１２を剥離する。こうして、ベースメタル板１
０表面上に、厚さ１５μｍのＮｉメッキ層１４及び厚さ
２５μｍのＣｕメッキ層１６が順に積層されたＮｉ−Ｃ
ｕ積層構造からなるファインピッチのスパイラル形状の
コイル１８を形成する。そして、このスパイラル形状の
コイル１８においても、当然にその側面は略垂直にな
り、その幅は高精度に均一になる。
【００２７】次いで、図６に示されるように、基体全面
にポリイミド層２０を塗布した後、このポリイミド層２
０上にレジストを塗布し、更にフォトリソグラフィ技術
を用いて所定の形状のレジストパターン（図示せず）を
形成し、このレジストパターンを用いて、スパイラル形
状のコイル１８が形成されている領域を被覆する形状に
ポリイミド層２０をパターニングする。そして、このよ
うにして形成したポリイミド層２０によってスパイラル
形状のコイル１８の表面及び側面を被覆し、保護する。
【００２８】次いで、図７に示されるように、ベースメ
タル板１０を裏面側からエッチング除去する。こうし
て、ポリイミド層２０裏面並びにこのポリイミド層２０
によって表面及び側面が被覆されているスパイラル形状
のコイル１８裏面、即ちコイル１８のＮｉメッキ層１４
面を露出する。
【００２９】次いで、図８に示されるように、この露出
したスパイラル形状のコイル１８裏面をなすＮｉメッキ
層１４面上にＡｕメッキ処理を行い、厚さ０．３〜５μ
ｍのＡｕメッキ層２２を形成する。こうして、ポリイミ
ド層２０によって表面及び側面が被覆されているスパイ
ラル形状のコイル１８裏面、即ちコイル１８のＮｉメッ
キ層１４面をＡｕメッキ層２２によって被覆すると共
に、このＡｕメッキ層２２裏面をポリイミド層２０裏面
と略面一にする。なお、このＡｕメッキ層２２によって
Ｎｉメッキ層１４面を被覆されたスパイラル形状のコイ
ル１８においては、コイル１８の主要部をなすＣｕメッ
キ層１６とＡｕメッキ層２２との間にＮｉメッキ層１４
が介在する構造となり、このＮｉメッキ層１４がＡｕと
Ｃｕとの拡散バリアとして機能する。
【００３０】最後に、図１に示されるように、スパイラ
ル形状のコイル１８の中心部（より正確にいえば、この
中心部のコイル１８表面を被覆しているＡｕメッキ層２
２）と、このコイル１８と同一のプロセスにおいて同時
的に形成した信号線２４（より正確にいえば、この信号
線表面を被覆しているＡｕメッキ層２２）とをＡｕワイ
ヤ２６によって接続するワイヤボンディングを行う。な
お、このワイヤボンディングにおいても、Ａｕメッキ層
２２の下地に比較的硬度の高いＮｉメッキ層１４が存在
しているため、良好な接続が実現される。このようにし
て、ファインピッチのスパイラル形状のコイル１８がポ
リイミド層２０表面に埋設され、その底面及び側面がポ
リイミド層２０によって被覆されている構造の高周波コ
イル装置を作製する。
【００３１】以上のように本実施の形態に係る高周波コ
イル装置によれば、ファインピッチのスパイラル形状の
コイル１８がポリイミド層２０表面に埋設され、その底
面及び側面がポリイミド層２０によって被覆されている
構造であることにより、安定したＱ値を得ることができ
る。また、スパイラル形状のコイル１８（表面を被覆し
ているＡｕメッキ層２２）及びポリイミド層２０のなす
高周波コイル装置の表面が略フラットになるため、ＬＳ
Ｉチップの接合、特にＡＣＦ（異方性導電フィルム）を
用いるフリップチップ接合が容易になるという利点があ
る。
【００３２】また、本実施の形態に係る高周波コイル装
置の製造方法によれば、ベースメタル板１０表面上にフ
ォトリソグラフィ技術を用いた微細加工によって略垂直
な側壁と高精度に均一なパターン間隔をもつレジストパ
ターン１２を形成し、このレジストパターン１２をマス
クとして、露出しているベースメタル板１０表面上にＮ
ｉメッキ層１４及びＣｕメッキ層１６を順に積層するこ
とにより、このＮｉ−Ｃｕ積層構造からなるファインピ
ッチのスパイラル形状のコイル１８の側面を略垂直に
し、その幅を高精度に均一にして、断面積のバラツキを
極力抑制することが可能になるために、コイルインピー
ダンスのバラツキを少なくすることができる。そして、
コイルインピーダンスのバラツキを少なくすることで、
高いＱ値をもつＧＨｚ帯用の高周波コイル装置を実現す
ることができる。
【００３３】なお、上記第１の実施の形態においては、
Ｎｉメッキ層１４及びＣｕメッキ層１６が順に積層され
たＮｉ−Ｃｕ積層構造のスパイラル形状のコイル１８表
面がＡｕメッキ層２２によって被覆されている構造を形
成する方法として、ベースメタル板１０表面上に形成し
たファインピッチのスパイラル形状のレジストパターン
１２をマスクとして、露出しているベースメタル板１０
表面上にＮｉメッキ処理及びＣｕメッキ処理を順に行っ
て、Ｎｉメッキ層１４及びＣｕメッキ層１６が順に積層
されたＮｉ−Ｃｕ積層構造からなるファインピッチのス
パイラル形状のコイル１８を形成した後、このスパイラ
ル形状のコイル１８の表面及び側面を被覆するポリイミ
ド層２０を形成し、更にベースメタル板１０を裏面側か
らエッチング除去して、ポリイミド層２０裏面及びスパ
イラル形状のコイル１８裏面、即ちＮｉメッキ層１４面
を露出し、このＮｉメッキ層１４面上にＡｕメッキ処理
を行ってＡｕメッキ層２２を形成する方法を説明してい
る。
【００３４】しかし、このような形成方法に限定される
ものではなく、例えば次のような形成方法を採ることも
可能である。但し、理解を容易にするため、上記の構成
要素と同一の要素には同一の符号を付すことにする。即
ち、ベースメタル板１０表面上に形成したファインピッ
チのスパイラル形状のレジストパターン１２をマスクと
して、露出しているベースメタル板１０表面上にＮｉメ
ッキ処理、Ａｕメッキ処理、Ｎｉメッキ処理、及びＣｕ
メッキ処理を順に行って、Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層
２２、Ｎｉメッキ層１４、及びＣｕメッキ層１６が順に
積層されたＮｉ−Ａｕ−Ｎｉ−Ｃｕ積層構造からなるフ
ァインピッチのスパイラル形状のコイル１８（但し、こ
のコイル１８の下層にはＡｕメッキ層２２及びＮｉメッ
キ層が既に積層されている）を形成した後、このスパイ
ラル形状のコイルの表面及び側面を被覆するポリイミド
層２０を形成し、更にベースメタル板１０を裏面側から
エッチング除去して、ポリイミド層２０裏面及びスパイ
ラル形状のコイル１８下層に積層されているＮｉメッキ
層面を露出する。続いて、このＮｉメッキ層をエッチン
グ除去して、スパイラル形状のコイル１８下層に形成さ
れているＡｕメッキ層２２を露出する。こうして、Ｎｉ
メッキ層１４及びＣｕメッキ層１６が順に積層されたＮ
ｉ−Ｃｕ積層構造のスパイラル形状のコイル１８表面が
Ａｕメッキ層２２によって被覆されている構造を形成す
る。
【００３５】（第２の実施の形態）図９（ａ）は本発明
の第２の実施の形態に係る高周波コイル装置を示す概略
断面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ線断面
図である。なお、上記第１の実施の形態の図１に示す高
周波コイル装置の構成要素と同一の要素には同一の符号
を付して説明を省略する。
【００３６】図９（ａ）、（ｂ）に示されるように、本
実施の形態に係る高周波コイル装置においては、上記図
１に示す高周波コイル装置と略同様の構成をなしている
が、ポリイミド層２０表面に２つの半月形の窪み２８
ａ、２８ｂが設けられている点に特徴がある。
【００３７】このため、ファインピッチのスパイラル形
状のコイル１８は、全体としてはポリイミド層２０表面
に埋設され、高周波コイル装置の表面は略フラットにな
っているが、そのスパイラル形状のコイル１８のうちの
窪み２８ａ、２８ｂ内に位置する部分は、ポリイミド層
２０から分離して空中配線となっている。そして、この
ようなスパイラル形状のコイル１８は、２つの半月形の
窪み２８ａ、２８ｂに挟まれた領域のポリイミド層２０
によって支持されている。即ち、この２つの半月形の窪
み２８ａ、２８ｂに挟まれた領域においてのみ、スパイ
ラル形状のコイル１８の底面及び側面がポリイミド層２
０によって被覆され、保持されている。
【００３８】このようにして、スパイラル形状のコイル
１８は、全体としてはポリイミド層２０表面に埋設され
ているものも、その大部分がポリイミド層２０から分離
した空中配線となっている構造の高周波コイル装置が構
成されている。
【００３９】なお、本実施の形態に係る高周波コイル装
置の製造方法は、上記第１の実施の形態の図２〜図８を
用いて説明したものと略同様であり、図６に示すポリイ
ミド層２０を形成する工程が異なるだけであるため、そ
の図示及び説明は省略することにする。
【００４０】以上のように本実施の形態に係る高周波コ
イル装置によれば、上記第１の実施の形態の場合の効果
に加え、スパイラル形状のコイル１８の大部分がポリイ
ミド層２０から分離した空中配線となっている構造であ
ることにより、Ｑ値が更に向上して、例えば５ＧＨｚ以
上の周波数帯に適した高周波コイル装置を実現すること
ができる。また、本実施の形態に係る高周波コイル装置
の製造方法によれば、上記第１の実施の形態の場合と同
様の効果を奏することができる。
【００４１】なお、上記第１及び第２の実施の形態にお
いて、共にスパイラル形状のコイル１８の場合について
説明したが、コイルパターンとしてはスパイラル形状に
限定される必要はなく、例えばネアンダー形状のコイル
についても、本発明を適用することができる。また、誘
電体基板としてポリイミド層２０を用いているが、この
ポリイミド層２０の代わりに、例えば液晶ポリマー層を
用いてもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明に係る
高周波コイル装置及びその製造方法によれば、次のよう
な効果を奏することができる。即ち、請求項１に係る高
周波コイル装置によれば、所定のコイルパターンの導電
体層からなるコイルが誘電体基板表面に埋設され、底面
及び側面が誘電体基板によって被覆されている構造とな
っていることにより、安定したＱ値を得ることが可能に
なるため、安定したＱ値をもつＧＨｚ帯用の高周波コイ
ル装置を実現することができる。また、コイル及び誘電
体基板のなす高周波コイル装置の表面が略フラットにな
るため、他の半導体集積回路チップの接合を容易にする
ことができる。
【００４３】また、請求項２に係る高周波コイル装置に
よれば、誘電体基板表面に形成された窪み内において、
コイルが誘電体基板から分離した空中配線となっている
構造であることにより、Ｑ値を更に向上することが可能
になるため、安定した高いＱ値をもつＧＨｚ帯用の高周
波コイル装置を実現することができる。
【００４４】また、請求項７に係る高周波コイル装置の
製造方法によれば、ベースメタル板表面上に所定のコイ
ルパターンをなすレジストパターンを形成する際に、微
細加工技術によってレジストパターンが略垂直な側壁と
高精度に均一なパターン間隔をもつようにし、そのよう
なレジストパターンをマスクとして、露出しているベー
スメタル板表面上にメッキ層を形成し、このメッキ層か
らなるコイルを形成することが可能になるため、コイル
の側面を略垂直にし、その幅を高精度に均一にして、断
面積のバラツキを極力抑制することが可能になる。従っ
て、コイルインピーダンスのバラツキを少なくすること
ができる。更に、コイルインピーダンスのバラツキが少
なくなることで、高いＱ値をもつＧＨｚ帯用の高周波コ
イル装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る高周
波コイル装置を示す概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ線断面図であり、（ｃ）は（ｂ）の一部を拡大
した部分拡大図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る高周波コイル
装置の製造方法を説明するための概略工程断面図（その
１）である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る高周波コイル
装置の製造方法を説明するための概略工程断面図（その
２）である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る高周波コイル
装置の製造方法を説明するための概略工程断面図（その
３）である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る高周波コイル
装置の製造方法を説明するための概略工程断面図（その
４）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る高周波コイル
装置の製造方法を説明するための概略工程断面図（その
５）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る高周波コイル
装置の製造方法を説明するための概略工程断面図（その
６）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る高周波コイル
装置の製造方法を説明するための概略工程断面図（その
７）である。
【図９】（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る高周
波コイル装置を示す概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）
のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１０】（ａ）は従来の高周波コイル装置を示す概略
断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図であ
り、（ｃ）は（ｂ）の一部を拡大した部分拡大図であ
る。
【図１１】従来の高周波コイル装置の製造方法を説明す
るための概略工程断面図（その１）である。
【図１２】従来の高周波コイル装置の製造方法を説明す
るための概略工程断面図（その２）である。
【図１３】従来の高周波コイル装置の製造方法を説明す
るための概略工程断面図（その３）である。
【図１４】従来の高周波コイル装置の製造方法を説明す
るための概略工程断面図（その４）である。
【図１５】従来の高周波コイル装置の製造方法を説明す
るための概略工程断面図（その５）である。
【符号の説明】
１０……ベースメタル板、１２……レジストパターン、
１４……Ｎｉメッキ層、１６……Ｃｕメッキ層、１８…
…スパイラル形状のコイル、２０……ポリイミド層、２
２……Ａｕメッキ層、２４……信号線、２６……Ａｕワ
イヤ、２８ａ、２８ｂ……半月形の窪み。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体基板と、 前記誘電体基板表面に所定のコイルパターンに埋設さ
    れ、底面及び側面が前記誘電体基板によって被覆されて
    いる導電体層からなるコイルと、 を具備することを特徴とする高周波コイル装置。
  2. 【請求項２】 前記誘電体基板表面に窪みが形成されて
    おり、前記窪み内において、前記コイルが前記誘電体基
    板から分離した空中配線となっていることを特徴とする
    請求項１記載の高周波コイル装置。
  3. 【請求項３】 前記誘電体基板が、樹脂層であることを
    特徴とする請求項１記載の高周波コイル装置。
  4. 【請求項４】 前記樹脂層が、ポリイミド層又は液晶ポ
    リマー層であることを特徴とする請求項２記載の高周波
    コイル装置。
  5. 【請求項５】 前記導電体層が、メッキ層であることを
    特徴とする請求項１記載の高周波コイル装置。
  6. 【請求項６】 前記メッキ層が、ニッケルメッキ層と銅
    メッキ層とが積層された多層構造をなしていることを特
    徴とする請求項４記載の高周波コイル装置。
  7. 【請求項７】 ベースメタル板表面上に、所定のコイル
    パターンをなすレジストパターンを形成する第１の工程
    と、 前記レジストパターンをマスクとして、前記ベースメタ
    ル板表面の露出部にメッキ処理を行い、所定のコイルパ
    ターンのメッキ層からなるコイルを形成する第２の工程
    と、 前記レジストパターンを除去した後、前記コイルを含む
    前記ベースメタル板表面上に樹脂層を形成し、前記樹脂
    層によって前記コイルの表面及び側面を被覆する第３の
    工程と、 前記ベースメタル板を裏面側からエッチング除去して、
    前記コイル及び前記樹脂層の裏面を露出する第４の工程
    と、 を有することを特徴とする高周波コイル装置の製造方
    法。
  8. 【請求項８】 前記第２の工程において、前記レジスト
    パターンをマスクとして前記ベースメタル板表面の露出
    部にメッキ処理を行う際に、ニッケルメッキ処理及び銅
    メッキ処理を順に行い、ニッケルメッキ層と銅メッキ層
    とが積層された多層構造のメッキ層からなるコイルを形
    成することを特徴とする請求項７記載の高周波コイル装
    置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第３の工程において、前記導電体部
    を含む前記ベースメタル板表面上に樹脂層を形成する際
    に、前記樹脂層としてポリイミド層又は液晶ポリマー層
    を用い、前記ポリイミド層又は前記液晶ポリマー層によ
    って前記コイルの表面及び側面を被覆することを特徴と
    する請求項７記載の高周波コイル装置の製造方法。
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