JP2002040411A - Liquid crystal display device and method for manufacturing the same - Google Patents
Liquid crystal display device and method for manufacturing the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理端末や映
像機器などの画像表示応用装置の表示部に用いられる液
晶表示装置およびその製造方法に関し、更に詳しくは入
射光を反射することにより表示を行う反射型や、入射光
および透過光の両方を用いる半透過型の液晶表示装置お
よびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device used for a display section of an image display application device such as an information processing terminal or a video device and a method of manufacturing the same. The present invention relates to a reflective or semi-transmissive liquid crystal display device using both incident light and transmitted light, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、情報の個人化にともない携帯電話
の高性能化に見られるように携帯性を重視した情報端末
機器が急速に発達している。これら携帯性のキーポイン
トであるバッテリーでの長時間駆動や薄型軽量化に対
し、使用環境からの入射光を反射することによりバック
ライトなしで表示が可能な反射型液晶表示装置が注目さ
れている。反射型の液晶表示装置およびその製造方法と
しては、特許番号第２７５６２０６号に記載されたもの
が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, information terminal equipment which emphasizes portability has been rapidly developed, as seen in higher performance of mobile phones with personalization of information. Reflection-type liquid crystal display devices that can display without a backlight by reflecting incident light from the usage environment have been attracting attention in response to prolonged operation and reduction in thickness and weight of the battery, which are the key points of portability. . As a reflection type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, one described in Japanese Patent No. 2756206 is known.
【０００３】図４は従来の反射型の液晶表示装置および
その製造方法における平面図、図５は図４中A-Bでの断
面を工程ごとに示した断面構造図である。FIG. 4 is a plan view of a conventional reflection type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and FIG. 5 is a cross-sectional structure diagram showing a cross section taken along line AB in FIG.
【０００４】図４、図５において１は基板、２ａ、３、
４、５、６ａ、７は薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉ
ｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下ＴＦＴと略す）を形
成するそれぞれゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル
層、コンタクト層、ソース電極、ドレイン電極、２はゲ
ート電極２ａと一体化したゲート配線、６はソース電極
６ａと一体化したソース配線、８はレジスト９をマスク
とした加工により第１の凹凸部８ａならびに第１のコン
タクトホール８ｂが形成される第１の膜、１０は第１の
凹凸部８ａを被覆し第２のコンタクトホール１０ａを有
する第２の膜、１１は画素電極である。In FIGS. 4 and 5, reference numeral 1 denotes a substrate, 2a, 3,
4, 5, 6a and 7 are thin film transistors (Thin Fi).
lm Transistor (hereinafter abbreviated as TFT), a gate electrode, a gate insulating film, a channel layer, a contact layer, a source electrode, and a drain electrode are respectively formed. The source wiring 8 is formed into a first film in which a first uneven portion 8a and a first contact hole 8b are formed by processing using a resist 9 as a mask, and a second film 10 covers the first uneven portion 8a and forms a second film. The second film 11 having the contact hole 10a is a pixel electrode.
【０００５】まず基板１上に、Ｃｒ、Ｔａ等からなり分
岐したゲート電極２ａを有する複数のゲート配線２を形
成する。次に全面に窒化シリコン（以下ＳｉＮXと略
す）からなるゲート絶縁膜３を形成後ゲート電極２ａ上
のゲート絶縁膜３上に非晶質シリコン（以下ａ-Ｓｉと
略す）からなるチャネル層４を形成する。次にチャネル
層４の両端に低抵抗ａ-Ｓｉからなるコンタクト層５と
Ｔｉ、Ａｌ等からなるソース電極６ａおよびドレイン電
極７とを重畳形成する。ここでソース電極６ａはソース
配線６から分岐した形に形成する。次に、チャネル層４
の保護膜として全面にＳｉＮｘからなる第１の膜８を形
成しＴＦＴアレイが得られる（図５（ａ））。First, a plurality of gate wirings 2 made of Cr, Ta or the like and having branched gate electrodes 2a are formed on a substrate 1. Next, after forming a gate insulating film 3 made of silicon nitride (hereinafter abbreviated as SiN x ) on the entire surface, a channel layer 4 made of amorphous silicon (hereinafter abbreviated as a-Si) is formed on the gate insulating film 3 on the gate electrode 2a. To form Next, a contact layer 5 made of low-resistance a-Si and a source electrode 6a and a drain electrode 7 made of Ti, Al or the like are formed on both ends of the channel layer 4 so as to overlap each other. Here, the source electrode 6a is formed so as to branch off from the source wiring 6. Next, the channel layer 4
A first film 8 made of SiNx is formed on the entire surface as a protective film, thereby obtaining a TFT array (FIG. 5A).
【０００６】以上のようにＴＦＴを形成後、第１の膜８
上にレジスト９をパターン形成する（図５（ｂ））。次
にレジスト９をマスクとして第１の膜８を加工し、反射
電極の形成部に多数の微細な第１の凹凸部８ａとドレイ
ン電極７上に第１のコンタクトホール８ｂとを形成後レ
ジスト９を除去する（図５（ｃ））。次に、全面にアク
リル系樹脂を塗布し第２のコンタクトホール１０ａを有
する第２の膜１０を形成する（図５（ｄ））。次にＡ
ｌ、Ａｇ等の光反射率の高い金属を、凹凸を有する第２
の膜１０上ならびに第２のコンタクトホール１０ａを介
してドレイン電極７に接続して形成し画素電極１１とす
ることによりアクティブ素子アレイ基板が得られる（図
４、図５（ｅ））。さらに、上記のアクティブ素子アレ
イ基板に対向してカラーフィルターと透明電極を有する
基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して液晶表示装置が
完成する。After forming the TFT as described above, the first film 8
A resist 9 is pattern-formed thereon (FIG. 5B). Next, the first film 8 is processed using the resist 9 as a mask, and a large number of fine first unevenness portions 8a are formed in the portion where the reflective electrode is formed, and the first contact holes 8b are formed on the drain electrode 7. Is removed (FIG. 5 (c)). Next, an acrylic resin is applied on the entire surface to form a second film 10 having a second contact hole 10a (FIG. 5D). Then A
l, Ag or other metal having a high light reflectance to a second
The active element array substrate is obtained by forming the pixel electrode 11 on the film 10 and the drain electrode 7 through the second contact hole 10a (FIGS. 4 and 5E). Further, a substrate having a color filter and a transparent electrode is attached to face the active element array substrate, and liquid crystal is sealed therebetween, thereby completing a liquid crystal display device.
【０００７】上記のように、第２の膜１０を用い第１の
膜８からなる平面状態の多い第１の凹凸部８ａ上に曲面
状態からなる凹凸を形成し、その上に画素電極１１を形
成することにより、画素電極１１による正反射成分（平
面による反射で鏡面状態を示す）が少なくなる。もっ
て、鏡面状態でなく散乱面状態に近い画素電極が得ら
れ、周辺光の映り込みが抑制されるとともに曲面状態か
らなる凹凸を制御することにより反射光を集光すること
による反射効率の高い液晶表示装置を得ることが可能と
なる。[0007] As described above, the second film 10 is used to form curved surface irregularities on the first irregularities 8a of the first film 8 having many planar states, and the pixel electrode 11 is formed thereon. By forming, the regular reflection component (reflection by a plane, which indicates a mirror surface state) by the pixel electrode 11 is reduced. As a result, a pixel electrode that is close to a scattering surface state rather than a mirror surface state is obtained, and reflection of ambient light is suppressed, and liquid crystal with high reflection efficiency by condensing reflected light by controlling unevenness formed by a curved surface state A display device can be obtained.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の液晶表示装置およびその製造方法では、保護膜とし
てのＳｉＮｘからなる第１の凹凸部８ａの形状でもって
入射光に対する反射特性を大まか決定し、その正反射成
分低減を目的として第２の膜１０の塗布形成を行ってい
るため、第２の膜１０は第１の凹凸部８ａの平坦部を曲
面状態にする程度に薄く例えば０．５μｍ程度に形成す
る必要がある。第２の膜１０を０．５μｍより厚く例え
ば１μｍ以上とすると第１の凹凸部８ａが埋まってしま
い全面平坦な鏡面状態となってしまう。よって、液晶表
示装置としての明るさを求めて画素電極１１を大きくす
なわち開口率を大きくすると、画素電極とソース配線６
ならびにゲート配線２との間の距離が近接し、この間の
寄生容量が大きくなることによるクロストークの発生が
懸念される。反射型液晶表示装置の特徴のひとつは、画
素電極をアクティブ素子アレイ基板の最上層に形成する
ことにより、透過型で開口率を規制する要因となる配線
やアクティブ素子の面積を考慮する必要がない点であ
る。本来高開口率化に適する反射型でありながら、この
従来の液晶表示装置およびその製造方法では、クロスト
ーク発生の懸念から開口率を大きくすることができな
い。ここで第１の膜であるＳｉＮXを厚くすることが考
えられるが、この場合ＳｉＮX成膜時間ならびに第１の
凹凸部８ａおよび第１のコンタクトホール８ｂの加工形
成時間の延長や、ＳｉＮX厚膜化による応力増加にとも
なう基板のそりによる破損等の生産性課題の発生が懸念
される。さらにまた、凹凸形成を第１の凹凸部８ａの形
成と第２の膜１０の塗布形成との２工程によりおこなっ
ており生産効率の低下をもたらしている。However, according to the conventional liquid crystal display device and the method of manufacturing the same, the reflection characteristic with respect to incident light is roughly determined by the shape of the first uneven portion 8a made of SiNx as a protective film. Since the second film 10 is formed by coating for the purpose of reducing the specular reflection component, the second film 10 is thin enough to make the flat portion of the first uneven portion 8a a curved surface, for example, about 0.5 μm. Must be formed. If the thickness of the second film 10 is greater than 0.5 μm and is, for example, 1 μm or more, the first uneven portion 8a is buried, and the entire surface becomes a flat mirror surface state. Therefore, if the pixel electrode 11 is made large, that is, the aperture ratio is made large in order to obtain the brightness of the liquid crystal display device, the pixel electrode and the source wiring 6
In addition, the distance between the gate wiring 2 and the gate wiring 2 is short, and there is a concern that the occurrence of crosstalk due to an increase in the parasitic capacitance therebetween. One of the features of the reflection type liquid crystal display device is that by forming the pixel electrode on the uppermost layer of the active element array substrate, there is no need to consider the area of the wiring or active element which is a factor of limiting the aperture ratio in the transmission type. Is a point. In spite of the fact that the liquid crystal display device and its manufacturing method of the related art are of a reflection type which is originally suitable for increasing the aperture ratio, the aperture ratio cannot be increased due to concerns about crosstalk. Although it is conceivable to increase the thickness of the SiN X is a first film where the extension and the processing time for forming this case SiN X film formation time and a first concave-convex portion 8a and the first contact hole 8b, SiN X There is a concern that productivity problems such as breakage due to warpage of the substrate due to an increase in stress due to the increase in film thickness may occur. Furthermore, the unevenness is formed in two steps of forming the first uneven portion 8a and applying and forming the second film 10, thereby lowering the production efficiency.
【０００９】本発明は上記課題に鑑み、生産効率を向上
させるとともに、高開口率な液晶表示装置およびその製
造方法を得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a high aperture ratio while improving production efficiency and a method of manufacturing the same.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の液晶表示装置およびその製造方法は、工程削
減を行いながら第１絶縁膜と第２絶縁膜とからなるより
厚い層間絶縁膜を導入し、この層間絶縁膜に開口部と孔
部でコンタクトホールを設けるとともに、滑らかな凹凸
表面を同時に形成し、凹凸表面の形状制御を行い画素電
極形状を形成する。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve this problem, a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to the present invention provide a thicker interlayer insulating film comprising a first insulating film and a second insulating film while reducing the number of steps. Is formed, a contact hole is formed in the interlayer insulating film at the opening and the hole, a smooth uneven surface is simultaneously formed, and the shape of the uneven surface is controlled to form a pixel electrode shape.
【００１１】本発明によれば、生産効率を向上させつつ
高開口率で明るい反射型や、半透過型の液晶表示装置お
よびその製造方法が得られる。According to the present invention, a reflective or transflective liquid crystal display device having a high aperture ratio and a high aperture ratio while improving production efficiency, and a method of manufacturing the same can be obtained.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の液晶表
示装置は、相対する２枚の基板の隙間部に液晶層とシー
ル部とを有し、上記シール部は上記液晶層を封止するよ
うに上記隙間部の外周部に備え、上記２枚の基板の片方
の基板は上記液晶層と接する面に上記液晶層を駆動する
複数の画素電極部と上記画素電極部と接続されるアクテ
ィブ素子部とを有し、上記画素電極部は画素電極用の第
１絶縁膜と画素電極用の第２絶縁膜と画素電極とを有
し、上記画素電極用の第２絶縁膜は上記画素電極用の第
１絶縁膜を被覆するように備え、上期画素電極は上期画
素電極用の第２絶縁膜を被覆するように備え、上記アク
ティブ素子部はアクティブ素子とアクティブ素子用の第
１絶縁膜とアクティブ素子用の第２絶縁膜と上記画素電
極の一部分とを有し、上記アクティブ素子はチャネル部
と電極部とを有し、上記アクティブ素子用の第１絶縁膜
は上記アクティブ素子を被覆するように備え、上記アク
ティブ素子用の第２絶縁膜は上記アクティブ素子用の第
１絶縁膜を被覆するように備え、上記アクティブ素子用
の第１絶縁膜はアクティブ素子の上記電極部を被覆する
部分に開口部を有し、上記アクティブ素子用の第２絶縁
膜も上記開口部の位置で孔部を有し、上記孔部は上記画
素電極の一部分で被覆されることで上記孔部の底部で上
記電極と上記画素電極とが電気的に接続され、上記画素
電極と上記画素電極用の第２絶縁膜とが接する面に凹凸
面を有し、上記画素電極の表面に凹凸表面を有し、上記
凹凸表面が滑らかな凸構造と上記孔部の径よりも小さく
底部が平坦でない凹構造とを有することを特徴とする。
このようにして、生産効率を向上しかつ高開口率な反射
型や半透過型アクティブ素子アレイ基板が得られる。そ
して、クロストークの発生懸念を低減できる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A liquid crystal display device according to a first aspect of the present invention has a liquid crystal layer and a seal portion in a gap between two opposing substrates, and the seal portion seals the liquid crystal layer. One of the two substrates is connected to the plurality of pixel electrode portions driving the liquid crystal layer and the pixel electrode portion on a surface in contact with the liquid crystal layer so as to be stopped. An active element portion, wherein the pixel electrode portion has a first insulating film for the pixel electrode, a second insulating film for the pixel electrode, and a pixel electrode, and the second insulating film for the pixel electrode is The first pixel electrode is provided so as to cover the first insulating film, the first pixel electrode is provided so as to cover the second insulating film for the first pixel electrode, and the active element portion is an active element and a first insulating film for the active element. And a second insulating film for an active element and a part of the pixel electrode. The active element has a channel part and an electrode part, the first insulating film for the active element is provided so as to cover the active element, and the second insulating film for the active element is a second insulating film for the active element. 1 is provided so as to cover the insulating film, the first insulating film for the active element has an opening at a portion covering the electrode portion of the active element, and the second insulating film for the active element also has the opening. The hole has a hole, and the hole is covered with a part of the pixel electrode, so that the electrode and the pixel electrode are electrically connected at the bottom of the hole, and the pixel electrode and the pixel The surface in contact with the second insulating film for an electrode has an uneven surface, the surface of the pixel electrode has an uneven surface, the uneven surface has a smooth convex structure, and the bottom is flat smaller than the diameter of the hole. Not having a concave structure The features.
In this manner, a reflective or transflective active element array substrate with improved production efficiency and a high aperture ratio can be obtained. Then, the fear of occurrence of crosstalk can be reduced.
【００１３】また、本発明の請求項２に記載の液晶表示
装置は、画素電極用の第２絶縁膜およびアクティブ素子
用の第２絶縁膜が有機膜であることを特徴とする。この
ようにして、容易に厚い層間絶縁膜が形成できるという
作用をが得られる。The liquid crystal display device according to a second aspect of the present invention is characterized in that the second insulating film for the pixel electrode and the second insulating film for the active element are organic films. In this way, an effect is obtained that a thick interlayer insulating film can be easily formed.
【００１４】また、本発明の請求項３に記載の液晶表示
装置は、液晶表示装置の画素電極が高光反射金属の、反
射型の液晶表示装置である。A liquid crystal display device according to a third aspect of the present invention is a reflective liquid crystal display device in which a pixel electrode of the liquid crystal display device is made of a highly light-reflective metal.
【００１５】また、本発明の請求項４に記載の液晶表示
装置は、液晶表示装置の画素電極が高光反射金属の、半
透過型の液晶表示装置である。このようにして、高光反
射金属の膜厚を制御することにより明るい反射型または
半透過型の液晶表示装置が得られる。A liquid crystal display device according to a fourth aspect of the present invention is a transflective liquid crystal display device in which the pixel electrodes of the liquid crystal display device are made of a highly light-reflective metal. In this way, a bright reflective or transflective liquid crystal display device can be obtained by controlling the thickness of the high light reflective metal.
【００１６】また、本発明の請求項５に記載の液晶表示
装置は、液晶表示装置の画素電極が高光反射金属部と透
明電極部とからなることを特徴とする半透過型の液晶表
示装置である。このようにして、使用環境が明るい場合
での反射型としての明るさと使用環境が暗い場合での透
過型としての明るさを供えもつという作用が得られる。A liquid crystal display device according to a fifth aspect of the present invention is a transflective liquid crystal display device, wherein the pixel electrode of the liquid crystal display device comprises a high light reflective metal portion and a transparent electrode portion. is there. In this way, an effect is obtained in which a reflection-type brightness when the use environment is bright and a transmission-type brightness when the use environment is dark are provided.
【００１７】また、本発明の請求項６に記載の液晶表示
装置は、画素電極がＡｌまたはＡｌ合金またはＡｇまた
はＡｇ合金のいづれかであることを特徴とする。このよ
うにして、ＡｌまたはＡｌ合金またはＡｇまたはＡｇ合
金の膜厚を制御することにより明るい反射型または半透
過型の液晶表示装置が得られる。Further, in the liquid crystal display device according to a sixth aspect of the present invention, the pixel electrode is made of any one of Al, an Al alloy, Ag, and an Ag alloy. In this way, a bright reflective or transflective liquid crystal display device can be obtained by controlling the thickness of Al or an Al alloy or Ag or an Ag alloy.
【００１８】また、本発明の請求項７に記載の液晶表示
装置は、液晶表示装置の透明電極部がインジウム錫酸化
物であることを特徴とする。このようにして、透過表示
において明るい半透過型の液晶表示装置が得られる。In a liquid crystal display device according to a seventh aspect of the present invention, the transparent electrode portion of the liquid crystal display device is made of indium tin oxide. Thus, a transflective liquid crystal display device that is bright in transmissive display can be obtained.
【００１９】また、本発明の請求項８に記載の液晶表示
装置は、液晶表示装置のアクティブ素子が薄膜トランジ
スタであることを特徴とする。The liquid crystal display device according to the present invention is characterized in that the active element of the liquid crystal display device is a thin film transistor.
【００２０】また、本発明の請求項９に記載の液晶表示
装置は、液晶表示装置のアクティブ素子が非線形２端子
素子であることを特徴とする。The liquid crystal display device according to a ninth aspect of the present invention is characterized in that the active element of the liquid crystal display device is a non-linear two-terminal element.
【００２１】また、本発明の請求項１０に記載の液晶表
示装置は、液晶表示装置のアクティブ素子がＭＩＭ素子
であることを特徴とする。The liquid crystal display device according to a tenth aspect of the present invention is characterized in that the active element of the liquid crystal display device is an MIM element.
【００２２】そして、本発明の請求項１１に記載の液晶
表示装置の製造方法は、相対する２枚の基板の隙間部に
液晶層とシール部とを設け、上記シール部は上記液晶層
を封止するように上記隙間部の外周部に設け、上記２枚
の基板の片方の基板は上記液晶層と接する面に上記液晶
層を駆動する複数の画素電極部と上記画素電極部と接続
されるアクティブ素子部とを設け、上記画素電極部は画
素電極用の第１絶縁膜と画素電極用の第２絶縁膜と画素
電極とを設け、上記画素電極用の第２絶縁膜は上記画素
電極用の第１絶縁膜を被覆するように設け、上記画素電
極は上記画素電極用の第２絶縁膜を被覆するように設
け、上記アクティブ素子部はアクティブ素子とアクティ
ブ素子用の第１絶縁膜とアクティブ素子用の第２絶縁膜
と上記画素電極の一部分とを設け、上記アクティブ素子
はチャネル部と電極部とを設け、上記アクティブ素子用
の第１絶縁膜は上記アクティブ素子を被覆するように設
け、上記アクティブ素子用の第２絶縁膜は上記アクティ
ブ素子用の第１絶縁膜を被覆するように設け、上記アク
ティブ素子用の第１絶縁膜はアクティブ素子の上記電極
部を被覆する部分に開口部を設け、上記アクティブ素子
用の第２絶縁膜も上記開口部の位置で孔部を設け、上記
孔部は上記画素電極の一部分で被覆されることで上記孔
部の底部で上記電極と上記画素電極とが電気的に接続さ
れ、上記画素電極と上記画素電極用の第２絶縁膜とが接
する面に凹凸面を設け、上記画素電極の表面に凹凸表面
を設け、上記凹凸表面が滑らかな凸構造と上記孔部の径
よりも小さく底部が平坦でない凹構造とで設けられるこ
とを特徴とする。このようにして、生産効率を向上しつ
つ高開口率な反射型又は半透過型アクティブ素子アレイ
基板が得られる。According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a liquid crystal layer and a sealing portion are provided in a gap between two opposing substrates, and the sealing portion seals the liquid crystal layer. A plurality of pixel electrode portions for driving the liquid crystal layer on one surface of the two substrates that are in contact with the liquid crystal layer, and one of the two substrates is connected to the pixel electrode portion so as to be stopped. An active element portion, wherein the pixel electrode portion is provided with a first insulating film for a pixel electrode, a second insulating film for a pixel electrode, and a pixel electrode, and the second insulating film for the pixel electrode is provided for the pixel electrode. The pixel electrode is provided so as to cover the second insulating film for the pixel electrode, and the active element portion is provided with an active element, a first insulating film for the active element, and an active element. A second insulating film for the device and one of the pixel electrodes; The active element is provided with a channel portion and an electrode portion, the first insulating film for the active element is provided so as to cover the active element, and the second insulating film for the active element is provided on the active element. The first insulating film for the active element is provided so as to cover the first insulating film for the element. The first insulating film for the active element has an opening at a portion covering the electrode portion of the active element. The second insulating film for the active element is also provided. A hole is provided at the position of the opening, and the electrode and the pixel electrode are electrically connected at the bottom of the hole by being covered with a part of the pixel electrode. An uneven surface is provided on the surface in contact with the second insulating film for the pixel electrode, an uneven surface is provided on the surface of the pixel electrode, the uneven surface has a smooth convex structure, and the bottom is smaller than the diameter of the hole and the bottom is flat. Not concave structure Characterized in that it is provided with. In this way, a reflective or transflective active element array substrate having a high aperture ratio while improving production efficiency can be obtained.
【００２３】また、本発明の請求項１２に記載の液晶表
示装置の製造方法は、画素電極用の第２絶縁膜およびア
クティブ素子用の第２絶縁膜を設ける際に用いる露光機
の解像度よりも孔部の径の寸法を大きし、かつ上記露光
機の解像度よりも凹構造の径の寸法を小さくすることを
特徴とする。このようにして、生産効率を向上しつつ高
開口率な反射型又は半透過型アクティブ素子アレイ基板
が得られる。そして、クロストークの発生懸念を低減で
きる。In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the twelfth aspect of the present invention, the resolution of an exposure machine used when providing a second insulating film for a pixel electrode and a second insulating film for an active element is improved. The size of the diameter of the hole is increased, and the size of the diameter of the concave structure is made smaller than the resolution of the exposure apparatus. In this way, a reflective or transflective active element array substrate having a high aperture ratio while improving production efficiency can be obtained. Then, the fear of occurrence of crosstalk can be reduced.
【００２４】また、本発明の請求項１３に記載の液晶表
示装置の製造方法は、凹凸表面を設ける際に、上記凹凸
表面をより滑らかな表面形状にするために、画素電極用
の第２絶縁膜およびアクティブ素子用の第２絶縁膜に熱
エネルギーを加えることを特徴とする。このようにし
て、容易に厚い層間絶縁膜が形成できるという作用が得
られる。In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to a thirteenth aspect of the present invention, when the uneven surface is provided, the second insulating film for the pixel electrode is formed in order to make the uneven surface smoother. A heat energy is applied to the film and the second insulating film for the active element. In this way, an effect that a thick interlayer insulating film can be easily formed is obtained.
【００２５】また、本発明の請求項１４に記載の液晶表
示装置の製造方法は、画素電極用の第１絶縁膜およびア
クティブ素子用の第１絶縁膜が窒化シリコンで設けられ
ることを特徴とする。このようにして、工程数を低減で
きるという作用が得られる。In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first insulating film for the pixel electrode and the first insulating film for the active element are provided with silicon nitride. . In this way, an effect that the number of steps can be reduced is obtained.
【００２６】また、本発明の請求項１５に記載の液晶表
示装置の製造方法は、画素電極用の第２絶縁膜およびア
クティブ素子用の第２絶縁膜が有機膜で設けられること
を特徴とする。このようにして、容易に厚い層間絶縁膜
が形成できるという作用が得られる。According to a fifteenth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a liquid crystal display device, the second insulating film for the pixel electrode and the second insulating film for the active element are provided by organic films. . In this way, an effect that a thick interlayer insulating film can be easily formed is obtained.
【００２７】また、本発明の請求項１６に記載の液晶表
示装置の製造方法は、画素電極が高光反射金属で設けら
れる反射型の液晶表示装置の製造方法である。A method of manufacturing a liquid crystal display device according to a sixteenth aspect of the present invention is a method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device in which a pixel electrode is provided with a high light reflective metal.
【００２８】また、本発明の請求項１７に記載の液晶表
示装置の製造方法は、画素電極が高光反射金属で設けら
れる半透過型の液晶表示装置の製造方法である。このよ
うにして、高光反射金属の膜厚を制御することにより明
るい反射型または半透過型の液晶表示装置が得られる。A method of manufacturing a liquid crystal display device according to a seventeenth aspect of the present invention is a method of manufacturing a transflective liquid crystal display device in which a pixel electrode is provided with a highly light-reflective metal. In this way, a bright reflective or transflective liquid crystal display device can be obtained by controlling the thickness of the high light reflective metal.
【００２９】また、本発明の請求項１８に記載の液晶表
示装置の製造方法は、画素電極が高光反射金属部と透明
電極部とで設けられる半透過型の液晶表示装置の製造方
法である。使用環境が明るい場合での反射型としての明
るさと、使用環境が暗い場合での透過型としての明るさ
とを供えもつという作用が得られる。The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 18 of the present invention is a method for manufacturing a semi-transmissive liquid crystal display device in which a pixel electrode is provided by a high-reflection metal part and a transparent electrode part. The effect of having the brightness as a reflection type when the usage environment is bright and the brightness as a transmission type when the usage environment is dark is obtained.
【００３０】また、本発明の請求項１９に記載の液晶表
示装置の製造方法は、画素電極がＡｌまたはＡｌ合金ま
たはＡｇまたはＡｇ合金のいづれかで設けられることを
特徴とする。このようにして、ＡｌまたはＡｌ合金また
はＡｇまたはＡｇ合金の膜厚を制御することにより明る
い反射型又は半透過型の液晶表示装置が得られる。Further, the method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 19 of the present invention is characterized in that the pixel electrode is provided with any one of Al, Al alloy, Ag, or Ag alloy. In this manner, a bright reflective or transflective liquid crystal display device can be obtained by controlling the thickness of Al or an Al alloy or Ag or an Ag alloy.
【００３１】また、本発明の請求項２０に記載の液晶表
示装置の製造方法は、液晶表示装置の製造方法の透明電
極部を設ける際に、上記透明電極部がインジウム錫酸化
物で設けられることを特徴とする。このようにして、透
過表示において明るい半透過型の液晶表示装置が得られ
る。In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, when the transparent electrode portion is provided in the method for manufacturing a liquid crystal display device, the transparent electrode portion is provided with indium tin oxide. It is characterized by. Thus, a transflective liquid crystal display device that is bright in transmissive display can be obtained.
【００３２】また、本発明の請求項２１に記載の液晶表
示装置の製造方法は、アクティブ素子が薄膜トランジス
タで設けられることを特徴とする。The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 21 of the present invention is characterized in that the active element is provided by a thin film transistor.
【００３３】また、本発明の請求項２２に記載の液晶表
示装置の製造方法は、アクティブ素子が非線形２端子素
子で設けられることを特徴とする。[0033] A method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 22 of the present invention is characterized in that the active element is provided by a non-linear two-terminal element.
【００３４】また、本発明の請求項２３に記載の液晶表
示装置の製造方法は、アクティブ素子がＭＩＭ素子でも
うけられることを特徴とする。[0034] A method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 23 of the present invention is characterized in that the active element is provided by an MIM element.
【００３５】そして、本発明の画像表示応用装置は、上
記の液晶表示装置が備えられることを特徴とする。この
ようにして、より明るい画像表示応用装置が得られると
いう作用が得られる。An image display application device according to the present invention is provided with the above-mentioned liquid crystal display device. In this manner, an operation of obtaining a brighter image display application device can be obtained.
【００３６】以下、本発明の実施の形態について、図
１、図２および図３を用いて説明する。画素電極用の第
１絶縁膜とアクティブ素子用の第１絶縁膜とは同じ材質
で、同じ工程で設けているので、以下の説明では画素電
極用の第１絶縁膜とアクティブ素子用の第１絶縁膜を合
わせて、第１絶縁膜と呼称する。また、画素電極用の第
２絶縁膜とアクティブ素子用の第２絶縁膜とは同じ材質
で、同じ工程で設けているので、以下の説明では画素電
極用の第２絶縁膜とアクティブ素子用の第２絶縁膜を合
わせて、第２絶縁膜と呼称する。また孔部は、コンタク
トホールとも呼称され、以下ではコンタクトホールで説
明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 3. FIG. Since the first insulating film for the pixel electrode and the first insulating film for the active element are provided by the same material and in the same step, in the following description, the first insulating film for the pixel electrode and the first insulating film for the active element will be described. The combination of the insulating films is referred to as a first insulating film. Further, since the second insulating film for the pixel electrode and the second insulating film for the active element are formed of the same material and in the same process, in the following description, the second insulating film for the pixel electrode and the second insulating film for the active element will be described. The second insulating film is collectively referred to as a second insulating film. The hole is also called a contact hole, and will be described below as a contact hole.
【００３７】（実施の形態１）図１は液晶表示装置のア
クティブ素子アレイ基板における画素部の断面構造を示
し、図２は同様に画素部の平面図、図３は図２中Ｃ-Ｄ
での断面を各工程ごとに示す。Embodiment 1 FIG. 1 shows a sectional structure of a pixel portion in an active element array substrate of a liquid crystal display device, FIG. 2 is a plan view of the pixel portion, and FIG.
Are shown for each step.
【００３８】図１、図２および図３において、１２は開
口部１２ａを有する第１絶縁膜、２０はコンタクトホー
ル２０ａおよび凹凸表面２０ｂを有する第２の絶縁膜、
２１は遮光層２２により第１の透過部２４ならびに第２
の透過部２５を有するフォトマスク基板、２３は上記フ
ォトマスク基板２１を通じて上記第２の絶縁膜２０に照
射する照射光であり、その他の構成において、従来例と
して図４、図５に示した液晶表示装置およびその製造方
法と同一構成部分については同一番号および同一名称を
付して詳細な説明を省略する。1, 2 and 3, 12 is a first insulating film having an opening 12a, 20 is a second insulating film having a contact hole 20a and an uneven surface 20b,
Reference numeral 21 denotes a first light-transmitting portion 24 and a second light-transmitting portion
A photomask substrate 23 having a transparent portion 25 is irradiation light for irradiating the second insulating film 20 through the photomask substrate 21. In other configurations, the liquid crystal shown in FIGS. The same components as those of the display device and the method of manufacturing the same are given the same numbers and the same names, and detailed description is omitted.
【００３９】まず、ガラスからなる基板１上に、Ａｒガ
スを用いたスパッタリング法によりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉを
それぞれ１００／２００／１００ｎｍ積層して成膜後、
分岐したゲート電極２ａを有する複数のゲート配線２を
形成する。次に、プラズマ化学気相蒸着法（以下ｐ−Ｃ
ＶＤ法と略す）によりＳｉＮX、ａ-Ｓｉ、低抵抗ａ-Ｓ
ｉの３層を成膜後、ＴＦＴ領域以外のａ-Ｓｉ、低抵抗
ａ-Ｓｉをエッチング除去し島状のそれぞれチャネル層
４とコンタクト層５ならびに全面にわたるゲート絶縁膜
３を形成する。次に、再度Ａｒガスを用いたスパッタリ
ング法によりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉをそれぞれ１００／２０
０／１００ｎｍ積層して成膜後、複数のソース配線６と
これから分岐したＴＦＴのソース電極６ａならびにドレ
イン電極７のパターンに加工する。ここで同時にコンタ
クト層５は、ソースならびにドレインの領域に分離形成
される。次に、全面にｐ−ＣＶＤ法によりチャネル層４
の保護膜としてＳｉＮXからなる第１絶縁膜１２を形成
しＴＦＴアレイが得られる（図３（ａ））。First, 100/200/100 nm of Ti / Al / Ti are respectively laminated on a glass substrate 1 by a sputtering method using Ar gas to form a film.
A plurality of gate wirings 2 having branched gate electrodes 2a are formed. Next, plasma enhanced chemical vapor deposition (hereinafter referred to as p-C
VD method) SiN x , a-Si, low resistance a-S
After the formation of the three layers i, a-Si and low-resistance a-Si other than the TFT region are removed by etching to form the island-like channel layer 4 and the contact layer 5 and the gate insulating film 3 over the entire surface. Next, Ti / Al / Ti was again reduced to 100/20 by the sputtering method using Ar gas again.
After laminating 0/100 nm and forming a film, it is processed into a pattern of a plurality of source wirings 6 and a source electrode 6a and a drain electrode 7 of a TFT branched therefrom. At this time, the contact layer 5 is formed separately in the source and drain regions. Next, the channel layer 4 is formed on the entire surface by the p-CVD method.
Then, a first insulating film 12 made of SiN x is formed as a protective film to obtain a TFT array (FIG. 3A).
【００４０】以上のように従来例と同様にＴＦＴアレイ
を形成後、レジストをマスクとして第１の絶縁膜１２を
加工し上記ドレイン電極７上に開口部１２ａを形成する
（図３（ｂ））。次に全面に感光性アクリル系樹脂（Ｊ
ＳＲ社製ＰＣ３０５）を約３μｍ塗布し、短辺が解像度
に比べ十分大きい約８μｍとした楕円形状の第１の透過
部２４と径が解像度限界の約４μｍとした第２の透過部
２５とを遮光層２２により形成したフォトマスク基板２
１を用い、露光機（ＣＡＮＯＮ社製ＭＡ３０００）によ
り照射光２３での露光後現像することにより、上記第１
の透過部２４に対応し下地のドレイン電極７を十分露呈
したコンタクトホール２０ａと、上記第２の透過部２５
に対応し下地の露呈されない凹形状からなる凹凸表面２
０ｂとを有する第２の絶縁膜２０を形成する（図３
（ｃ））。次に、２２０℃の熱処理を行い上記第２絶縁
膜２０を温度上昇に伴う軟化により表面形状を滑らかに
しつつ硬化させる。次に全面にＡｌを成膜後、上記凹凸
表面２０ｂを覆いコンタクトホール２０ａを通じてドレ
イン電極７と電気的に接続するとともにゲート配線２の
一部ならびにソース配線６の一部に重なり合うまで伸延
した画素電極１１に加工形成することによりアクティブ
素子アレイ基板が得られる（図１、図２、図３
（ｄ））。さらに、従来例と同様に上記のアクティブ素
子アレイ基板に対向してカラーフィルターと透明電極を
有する基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して液晶表示
装置が完成する。As described above, after forming a TFT array in the same manner as in the conventional example, the first insulating film 12 is processed using a resist as a mask to form an opening 12a on the drain electrode 7 (FIG. 3B). . Next, a photosensitive acrylic resin (J
SR3 PC 305) is applied by about 3 μm, and the first transmission part 24 having an elliptical shape whose short side is about 8 μm which is sufficiently larger than the resolution and the second transmission part 25 whose diameter is about 4 μm of the resolution limit are provided. Photomask substrate 2 formed by light shielding layer 22
And then developing after exposure with irradiation light 23 using an exposure machine (MA3000 manufactured by CANON).
A contact hole 20a corresponding to the transparent portion 24 of the second substrate and sufficiently exposing the underlying drain electrode 7;
Concave and convex surface 2 corresponding to the surface and having a concave shape where the base is not exposed
0b is formed (see FIG. 3).
(C)). Next, a heat treatment at 220 ° C. is performed to harden the second insulating film 20 while softening the surface shape by softening with a rise in temperature. Next, after depositing Al on the entire surface, the pixel electrode is formed to cover the uneven surface 20b, electrically connect to the drain electrode 7 through the contact hole 20a, and extend to overlap with a part of the gate wiring 2 and a part of the source wiring 6. 11 to obtain an active element array substrate (FIGS. 1, 2, and 3).
(D)). Further, a substrate having a color filter and a transparent electrode is bonded to the active element array substrate in the same manner as in the conventional example, and a liquid crystal is sealed therebetween to complete a liquid crystal display device.
【００４１】以上の実施の形態１によれば、厚い第２絶
縁膜２０により、クロストークの発生懸念を低減して画
素電極１１をソース配線６ならびにゲート配線２近傍に
まで形成できる。また凹凸表面２０ｂならびにコンタク
トホ-ル２０ａを形成するためのフォト工程を１回に低
減できるという作用を有する。さらに滑らかな凹凸形状
を有する凹凸表面２０ｂ上に画素電極１１を形成するこ
とにより、正反射成分が少なく周辺光の映り込みが抑制
されるとともに、曲面状態からなる凹凸形状を制御する
ことにより反射効率を高くすなわち明るくできるという
作用を有する。According to the first embodiment, the pixel electrode 11 can be formed near the source wiring 6 and the gate wiring 2 by the thick second insulating film 20 with reduced fear of occurrence of crosstalk. In addition, there is an effect that a photo step for forming the uneven surface 20b and the contact hole 20a can be reduced to one time. Further, by forming the pixel electrode 11 on the uneven surface 20b having a smooth uneven shape, the reflection of peripheral light is suppressed due to a small regular reflection component, and the reflection efficiency is controlled by controlling the uneven shape formed of a curved surface state. Can be made high, that is, bright.
【００４２】なお以上の説明では、第２絶縁膜２０への
凹凸表面の形成を、解像限界である約４μm径の第２の
透過部２５を有するフォトマスク基板２１を用いての露
光現像によるものとしたが、凹凸表面の形成は凹形状の
底部が平坦でない凹凸表面の形成であればよく、たとえ
ばより解像度の高い露光機を用い、その露光機での解像
度限界（３μｍなど）の径からなる第２の透過部２５を
有するフォトマスク基板２１を用いての露光現像として
もよい。また第２の絶縁膜２０の凹凸形状をすべて凹形
状の底部が平坦でない形状としたが、凹凸形状の底部が
平坦でない形状は画素電極１１により所望の反射特性が
得られる面積があればよく、たとえば凹形状部の一部で
下地が露呈し底部が平坦であってもよい。さらに、画素
電極１１をＡｌからなるものとしたが、画素電極１１は
ドレイン電極７と電気的に接合し高反射率のものであれ
ば何でもよく例えばＡｌ合金としてＡｌＴｉ、ＡｌＴ
ａ、ＡｌＷ、ＡｌＮｄ、ＡｌＺｒ等またはＡｇまたはＡ
ｇ合金としてＡｇＣｕ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＴｉＣｕ等
からなるものとしてもよい。さらに、アクティブ素子を
ＴＦＴからなるものとしたが、ＭＩＭ等の非線形２端子
素子としてもよい。In the above description, the formation of the uneven surface on the second insulating film 20 is performed by exposure and development using the photomask substrate 21 having the second transmission portion 25 having a diameter of about 4 μm, which is the resolution limit. However, the uneven surface may be formed as long as the uneven bottom surface is not flat. For example, an exposure machine having a higher resolution is used, and the diameter of the resolution limit (eg, 3 μm) of the exposure machine is used. Exposure development may be performed using the photomask substrate 21 having the second transmission part 25. In addition, although the concave and convex shapes of the second insulating film 20 are all formed such that the concave bottoms are not flat, the concave and convex bottoms are not flat as long as the pixel electrode 11 has an area where a desired reflection characteristic can be obtained by the pixel electrode 11. For example, the base may be exposed at a part of the concave portion and the bottom may be flat. Further, although the pixel electrode 11 is made of Al, the pixel electrode 11 may be of any type as long as it is electrically connected to the drain electrode 7 and has a high reflectance.
a, AlW, AlNd, AlZr, etc. or Ag or A
The g alloy may be made of AgCu, AgPdCu, AgTiCu, or the like. Further, although the active element is formed of a TFT, it may be a non-linear two-terminal element such as MIM.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、厚い第２
絶縁膜２０により、クロストークの発生懸念を低減して
画素電極１１をソース配線６ならびにゲート配線２近傍
にまで形成することにより、高開口率の明るい反射型又
は半透過型の液晶表示装置が得られ、かつ、凹凸表面２
０ｂならびにコンタクトホール２０ａを形成するための
フォト工程を１回に低減することにより、生産性の大幅
な向上がもたらされるという有利な効果がもたらされ
る。さらに、滑らかな凹凸形状を有する凹凸表面２０ｂ
上に画素電極１１を形成することにより、正反射成分が
少なく周辺光の映り込みが抑制されるとともに、曲面状
態からなる凹凸形状を制御することにより反射効率を高
くすなわち明るい反射型や、半透過型の液晶表示装置が
得られ、産業的価値が大である。As described above, according to the present invention, the thick second
By forming the pixel electrode 11 in the vicinity of the source wiring 6 and the gate wiring 2 by reducing the fear of crosstalk by the insulating film 20, a bright reflective or transflective liquid crystal display device with a high aperture ratio can be obtained. And uneven surface 2
By reducing the number of photo steps for forming the contact holes 0b and the contact holes 20a to one, there is an advantageous effect that productivity is greatly improved. Further, the uneven surface 20b having a smooth uneven shape
By forming the pixel electrode 11 thereon, the amount of specular reflection components is small and the reflection of ambient light is suppressed, and the reflection efficiency is increased by controlling the uneven shape formed of a curved surface state, that is, a bright reflection type or semi-transmission type is formed. -Type liquid crystal display device is obtained, which has great industrial value.
【図１】本発明の一実施の形態の液晶表示装置およびそ
の製造方法を示した断面構造図FIG. 1 is a sectional structural view showing a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same according to an embodiment of the present invention;
【図２】本発明の一実施の形態の液晶表示装置およびそ
の製造方法を示した平面図FIG. 2 is a plan view showing a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same according to an embodiment of the present invention;
【図３】本発明の一実施の形態の液晶表示装置およびそ
の製造方法を各工程を示す断面構造図FIG. 3 is a sectional structural view showing each step of a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.
【図４】従来の液晶表示装置およびその製造方法におけ
る平面図FIG. 4 is a plan view of a conventional liquid crystal display device and a method of manufacturing the same.
【図５】従来の液晶表示装置およびその製造方法におけ
る各工程を示す断面構造図FIG. 5 is a sectional structural view showing each step in a conventional liquid crystal display device and its manufacturing method.
１ 基板 ２ ゲート配線 ２ａ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ チャネル層 ５ コンタクト層 ６ ソース配線 ６ａ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ 第１の膜 ８ａ 第１の凹凸部 ８ｂ 第１のコンタクトホール ９ レジスト １０ 第２の膜 １０ａ 第２のコンタクトホール １１ 画素電極 １２ 第１絶縁膜（画素電極用の第１絶縁膜とアクティ
ブ素子用の第１絶縁膜） １２ａ 開口部 ２０ 第２絶縁膜（画素電極用の第２絶縁膜とアクティ
ブ素子用の第２絶縁膜） ２０ａ コンタクトホール（孔部） ２０ｂ 凹凸表面 ２１ フォトマスク基板 ２２ 遮光層 ２３ 照射光 ２４ 第１の透過部 ２５ 第２の透過部DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Gate wiring 2a Gate electrode 3 Gate insulating film 4 Channel layer 5 Contact layer 6 Source wiring 6a Source electrode 7 Drain electrode 8 First film 8a First uneven part 8b First contact hole 9 Resist 10 Second Film 10a second contact hole 11 pixel electrode 12 first insulating film (first insulating film for pixel electrode and first insulating film for active element) 12a opening 20 second insulating film (second insulating film for pixel electrode) Film and second insulating film for active element) 20a contact hole (hole) 20b uneven surface 21 photomask substrate 22 light-shielding layer 23 irradiation light 24 first transmission part 25 second transmission part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坊下 純二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 浅野 悟久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田辺 将人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山中 泰彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 櫻井 芳亘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA16X FA16Y FB02 FB08 FC02 FC10 FC22 FC26 FC29 FD04 FD06 FD12 FD23 GA03 GA13 GA17 HA07 LA11 LA13 LA16 2H092 HA05 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB63 JB68 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KB25 MA13 MA17 MA27 MA35 MA37 MA41 NA03 NA25 NA27 PA03 PA12 5C094 AA09 AA12 AA42 BA03 BA43 CA19 DA13 DA15 EA02 EA04 EA05 EA07 EB02 FB01 5F110 AA02 AA16 BB01 CC07 DD02 EE03 EE04 EE15 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK22 HK33 HK35 HL02 HL03 HL06 NN03 NN24 NN27 NN35 NN72 QQ09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Junji Boshita 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Masato Tanabe 1006 Kadoma, Kazuma, Osaka Pref. Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Yasuhiko Yasunaka 1006 Odaka, Kazuma Kadoma, Osaka Pref. Yoshiwara 1006 Kazuma, Kadoma, Osaka Prefecture F-term (reference) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB63 JB68 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KB25 MA13 MA17 MA27 MA35 MA37 MA41 NA03 NA25 N A27 PA03 PA12 5C094 AA09 AA12 AA42 BA03 BA43 CA19 DA13 DA15 EA02 EA04 EA05 EA07 EB02 FB01 5F110 AA02 AA16 BB01 CC07 DD02 EE03 EE04 EE15 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG45 HK03 HK03 HK03 HK03 HK03 HK03 HK03 HK03 HK04
Claims (24)
シール部とを有し、前記シール部は前記液晶層を封止す
るように前記隙間部の外周部に備え、前記２枚の基板の
片方の基板は前記液晶層と接する面に前記液晶層を駆動
する複数の画素電極部と前記画素電極部と接続されるア
クティブ素子部とを有し、前記画素電極部は画素電極用
の第１絶縁膜と画素電極用の第２絶縁膜と画素電極とを
有し、前記画素電極用の第２絶縁膜は前記画素電極用の
第１絶縁膜を被覆するように備え、前記画素電極は前記
画素電極用の第２絶縁膜を被覆するように備え、前記ア
クティブ素子部はアクティブ素子とアクティブ素子用の
第１絶縁膜とアクティブ素子用の第２絶縁膜と前記画素
電極の一部分とを有し、前記アクティブ素子はチャネル
部と電極部とを有し、前記アクティブ素子用の第１絶縁
膜は前記アクティブ素子を被覆するように備え、前記ア
クティブ素子用の第２絶縁膜は前記アクティブ素子用の
第１絶縁膜を被覆するように備え、前記アクティブ素子
用の第１絶縁膜はアクティブ素子の前記電極部を被覆す
る部分に開口部を有し、前記アクティブ素子用の第２絶
縁膜も前記開口部の位置で孔部を有し、前記孔部は前記
画素電極の一部分で被覆されることで前記孔部の底部で
前記電極と前記画素電極とが電気的に接続され、前記画
素電極と前記画素電極用の第２絶縁膜とが接する面に凹
凸面を有し、前記画素電極の表面に凹凸表面を有し、前
記凹凸表面が滑らかな凸構造と前記孔部の径よりも小さ
く底部が平坦でない凹構造とを有することを特徴とする
液晶表示装置。1. A liquid crystal layer and a seal portion are provided in a gap between two opposing substrates, and the seal is provided on an outer peripheral portion of the gap so as to seal the liquid crystal layer. One of the substrates has a plurality of pixel electrode portions for driving the liquid crystal layer and an active element portion connected to the pixel electrode portion on a surface in contact with the liquid crystal layer, and the pixel electrode portion is for a pixel electrode. A first insulating film, a second insulating film for a pixel electrode, and a pixel electrode, wherein the second insulating film for the pixel electrode is provided so as to cover the first insulating film for the pixel electrode; The electrode is provided so as to cover the second insulating film for the pixel electrode, and the active element portion includes an active element, a first insulating film for the active element, a second insulating film for the active element, and a part of the pixel electrode. The active element has a channel portion and an electrode portion A first insulating film for the active element is provided so as to cover the active element; a second insulating film for the active element is provided to cover the first insulating film for the active element; The first insulating film for the active element has an opening in a portion covering the electrode part of the active element, the second insulating film for the active element also has a hole at the position of the opening, and the hole is By being covered with a part of the pixel electrode, the electrode and the pixel electrode are electrically connected at the bottom of the hole, and irregularities are formed on a surface where the pixel electrode and the second insulating film for the pixel electrode are in contact. A liquid crystal display, comprising: a convex structure having an uneven surface on the surface of the pixel electrode, the uneven surface having a smooth surface, and a concave structure having a bottom smaller than the diameter of the hole and having an uneven bottom. apparatus.
ブ素子用の第２絶縁膜が有機膜であることを特徴とする
請求項１記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second insulating film for the pixel electrode and the second insulating film for the active element are organic films.
載の液晶表示装置の画素電極が高光反射金属であること
を特徴とする反射型の液晶表示装置。3. A reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode of the liquid crystal display device according to claim 1 is made of a high light reflection metal.
載の液晶表示装置の画素電極が高光反射金属であること
を特徴とする半透過型の液晶表示装置。4. A transflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode of the liquid crystal display device according to claim 1 is made of a highly light-reflective metal.
載の液晶表示装置の画素電極が高光反射金属部と透明電
極部とからなることを特徴とする半透過型の液晶表示装
置。5. A transflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode of the liquid crystal display device according to claim 1 comprises a metal part with high light reflection and a transparent electrode part.
ｇまたはＡｇ合金のいづれかであることを特徴とする請
求項１又は請求項２のいづれかに記載の液晶表示装置。6. The pixel electrode is made of Al or Al alloy or A
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is any one of g and Ag alloys.
の液晶表示装置の透明電極部がインジウム錫酸化物であ
ることを特徴とする液晶表示装置。7. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein the transparent electrode portion of the liquid crystal display device is indium tin oxide.
の液晶表示装置のアクティブ素子が薄膜トランジスタで
あることを特徴とする液晶表示装置。8. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein an active element of the liquid crystal display device is a thin film transistor.
の液晶表示装置のアクティブ素子が非線形２端子素子で
あることを特徴とする液晶表示装置。9. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active element of the liquid crystal display device according to claim 1 is a nonlinear two-terminal element.
載の液晶表示装置のアクティブ素子がＭＩＭ素子である
ことを特徴とする液晶表示装置。10. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active element of the liquid crystal display device according to claim 1 is an MIM element.
とシール部とを設け、前記シール部は前記液晶層を封止
するように前記隙間部の外周部に設け、前記２枚の基板
の片方の基板は前記液晶層と接する面に前記液晶層を駆
動する複数の画素電極部と前記画素電極部と接続される
アクティブ素子部とを設け、前記画素電極部は画素電極
用の第１絶縁膜と画素電極用の第２絶縁膜と画素電極と
を設け、前記画素電極用の第２絶縁膜は前記画素電極用
の第１絶縁膜を被覆するように設け、前記画素電極は前
記画素電極用の第２絶縁膜を被覆するように設け、前記
アクティブ素子部はアクティブ素子とアクティブ素子用
の第１絶縁膜とアクティブ素子用の第２絶縁膜と前記画
素電極の一部分とを設け、前記アクティブ素子はチャネ
ル部と電極部とを設け、前記アクティブ素子用の第１絶
縁膜は前記アクティブ素子を被覆するように設け、前記
アクティブ素子用の第２絶縁膜は前記アクティブ素子用
の第１絶縁膜を被覆するように設け、前記アクティブ素
子用の第１絶縁膜はアクティブ素子の前記電極部を被覆
する部分に開口部を設け、前記アクティブ素子用の第２
絶縁膜も前記開口部の位置で孔部を設け、前記孔部は前
記画素電極の一部分で被覆されることで前記孔部の底部
で前記電極と前記画素電極とが電気的に接続され、前記
画素電極と前記画素電極用の第２絶縁膜とが接する面に
凹凸面を設け、前記画素電極の表面に凹凸表面を設け、
前記凹凸表面が滑らかな凸構造と前記孔部の径よりも小
さく底部が平坦でない凹構造とで設けられることを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。11. A liquid crystal layer and a seal portion are provided in a gap between two opposing substrates, and the seal is provided on an outer peripheral portion of the gap so as to seal the liquid crystal layer. One of the substrates is provided with a plurality of pixel electrode units for driving the liquid crystal layer and an active element unit connected to the pixel electrode unit on a surface in contact with the liquid crystal layer, and the pixel electrode unit is a pixel electrode A first insulating film, a second insulating film for a pixel electrode, and a pixel electrode are provided; the second insulating film for the pixel electrode is provided so as to cover the first insulating film for the pixel electrode; A second insulating film for a pixel electrode is provided so as to cover the pixel electrode, and the active element portion includes an active element, a first insulating film for the active element, a second insulating film for the active element, and a part of the pixel electrode, The active element has a channel portion and an electrode portion. The first insulating film for the active element is provided so as to cover the active element, the second insulating film for the active element is provided so as to cover the first insulating film for the active element, The first insulating film for the device has an opening at a portion covering the electrode portion of the active device, and the second insulating film for the active device has a second insulating film.
The insulating film also has a hole at the position of the opening, and the hole is covered with a part of the pixel electrode so that the electrode and the pixel electrode are electrically connected at the bottom of the hole, An uneven surface is provided on a surface where a pixel electrode and a second insulating film for the pixel electrode are in contact, and an uneven surface is provided on a surface of the pixel electrode;
A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a convex structure having a smooth uneven surface and a concave structure having a smaller bottom than the hole and a non-flat bottom.
ィブ素子用の第２絶縁膜を設ける際に用いる露光機の解
像度よりも孔部の径の寸法を大きし、かつ前記露光機の
解像度よりも凹構造の径の寸法を小さくすることを特徴
とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。12. The hole diameter is larger than the resolution of an exposing machine used when providing a second insulating film for a pixel electrode and a second insulating film for an active element. 12. The method according to claim 11, wherein the diameter of the concave structure is reduced.
をより滑らかな表面形状にするために、画素電極用の第
２絶縁膜およびアクティブ素子用の第２絶縁膜に熱エネ
ルギーを加えることを特徴とする請求項１１又請求項１
２のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法。13. When providing an uneven surface, applying thermal energy to the second insulating film for a pixel electrode and the second insulating film for an active element in order to make the uneven surface smoother. Claim 11 or Claim 1
3. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to any one of 2.
ィブ素子用の第１絶縁膜が窒化シリコンで設けられるこ
とを特徴とする請求項１１から請求項１３のいづれかに
記載の液晶表示装置の製造方法。14. The manufacturing of a liquid crystal display device according to claim 11, wherein the first insulating film for the pixel electrode and the first insulating film for the active element are provided by silicon nitride. Method.
ィブ素子用の第２絶縁膜が有機膜で設けられることを特
徴とする請求項１１から請求項１４のいづれかに記載の
液晶表示装置の製造方法。15. The manufacturing of a liquid crystal display device according to claim 11, wherein the second insulating film for the pixel electrode and the second insulating film for the active element are provided by an organic film. Method.
に記載の液晶表示装置の製造方法の画素電極が高光反射
金属で設けられることを特徴とする反射型の液晶表示装
置の製造方法。16. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to claim 11, wherein the pixel electrode is provided with a high light reflective metal.
に記載の液晶表示装置の製造方法の画素電極が高光反射
金属で設けられることを特徴とする半透過型の液晶表示
装置の製造方法。17. A method for manufacturing a transflective liquid crystal display device according to claim 11, wherein the pixel electrode is provided with a highly light-reflective metal.
に記載の液晶表示装置の製造方法の画素電極が高光反射
金属部と透明電極部とで設けられることを特徴とする半
透過型の液晶表示装置の製造方法。18. The transflective liquid crystal display according to claim 11, wherein the pixel electrode is provided by a high light reflecting metal part and a transparent electrode part. Device manufacturing method.
ＡｇまたはＡｇ合金のいづれかで設けられることを特徴
とする請求項１１から請求項１５のいづれかに記載の液
晶表示装置。19. The liquid crystal display device according to claim 11, wherein the pixel electrode is provided with one of Al, an Al alloy, Ag, and an Ag alloy.
に記載の液晶表示装置の製造方法の透明電極部を設ける
際に、前記透明電極部がインジウム錫酸化物で設けられ
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。20. A liquid crystal display according to claim 11, wherein when the transparent electrode portion is provided in the method for manufacturing a liquid crystal display device, the transparent electrode portion is provided with indium tin oxide. A method for manufacturing a display device.
に記載の液晶表示装置の製造方法のアクティブ素子が薄
膜トランジスタで設けられることを特徴とする液晶表示
装置。21. A liquid crystal display device according to any one of claims 11 to 15, wherein the active element is provided by a thin film transistor.
に記載の液晶表示装置の製造方法のアクティブ素子が非
線形２端子素子で設けられることを特徴とする液晶表示
装置。22. A liquid crystal display device according to any one of claims 11 to 15, wherein the active element is provided by a non-linear two-terminal element.
に記載の液晶表示装置の製造方法のアクティブ素子がＭ
ＩＭ素子で設けられることを特徴とする液晶表示装置。23. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11, wherein the active element is M.
A liquid crystal display device provided with an IM element.
記載の液晶表示装置が備えられることを特徴とする画像
表示応用装置。24. An image display application device comprising the liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 10.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103456740A (en) * | 2013-08-22 | 2013-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel unit and manufacturing method thereof, array substrate and display device |
| JP2015065438A (en) * | 2002-05-13 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
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2000
- 2000-07-26 JP JP2000225023A patent/JP2002040411A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015065438A (en) * | 2002-05-13 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US9508756B2 (en) | 2002-05-13 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9966390B2 (en) | 2002-05-13 | 2018-05-08 | Semicondutcor Energy Laboratory Co., LTD. | Display device |
| CN103456740A (en) * | 2013-08-22 | 2013-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel unit and manufacturing method thereof, array substrate and display device |
| WO2015024318A1 (en) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel unit and manufacturing method thereof, array substrate, and display device |
| CN103456740B (en) * | 2013-08-22 | 2016-02-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel cell and manufacture method, array base palte and display unit |
| US9508755B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-11-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel unit and method of fabricating the same, array substrate and display device |
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