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JP2001523898A - 改良型の超小型表面実装コンデンサおよびその作成 - Google Patents

改良型の超小型表面実装コンデンサおよびその作成

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JP2001523898A
JP2001523898A JP2000521924A JP2000521924A JP2001523898A JP 2001523898 A JP2001523898 A JP 2001523898A JP 2000521924 A JP2000521924 A JP 2000521924A JP 2000521924 A JP2000521924 A JP 2000521924A JP 2001523898 A JP2001523898 A JP 2001523898A
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capacitor
thin film
wafer
capacitor device
film capacitor
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Application number
JP2000521924A
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ジェナディー レットセプター
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エイブイエックス コーポレイション
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Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22069917&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2001523898(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by エイブイエックス コーポレイション filed Critical エイブイエックス コーポレイション
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Abstract

(57)【要約】 極めて小さな寸法の重さ、幅、高さを有する表面実装コンデンサ（１０）が作成される。例えば０４０２サイズ以下のコンデンサを、従来技術で達成されるよりも低い高さで作成することができる。コンポーネントはそのそれぞれの端部にＬ字形の終端（１６、１８）を有し、回路板に取り付けるための底部ランド（２８、３０）を提供する。コンポーネントはコンポーネントの上面を横切る終端間に大きなギャップ幅をもたらすため、無視できるサイズの上部ランド（３２、２４）を有する。一部の実施形態では、上面はまたその上に配置された定位機構を含むこともできる。本発明はまたコンデンサまたは他の表面実装コンポーネントを終端させるための改善された方法をも提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の背景） 本発明は一般により大きな回路板上に表面実装するように適合された小型の電
子コンポーネントに関する。より詳細には、本発明は種々の用途に使用される表
面実装コンデンサ装置に関する。
【０００２】 業界の慣行によれば、表面実装コンポーネントのサイズは数字「ＸＸＹＹ」で
表される。ただし、ＸＸとＹＹはそれぞれ百分の一インチ単位で表した長さと幅
である。電子デバイスにおける一般的な小型化の傾向にせき立てられて、この数
年間、ますます小さなサイズの表面実装コンポーネントを提供すべくかなりの努
力が費やされてきた。たとえば、市場では現在、僅か０４０２のサイズの表面実
装高周波／マイクロ波コンデンサが提供されている。
【０００３】 これまでに行われた小型化にかかわらず、さらに小さなデバイスが求められて
いる。たとえば、現在市販されているものより高さの低い０４０２サイズのコン
デンサが提供されれば望ましいことである。さらに、より小さな幅・長さの高周
波／マイクロ波コンデンサができれば非常に有用である。
【０００４】 （発明の概要） 本発明は、従来技術の構造および方法の様々な欠点を認識したものである。し
たがって、本発明の一目的は、複数の表面実装コンポーネントを提供することで
ある。
【０００５】 本発明の具体的な一目的は、非常に小型の表面実装コンデンサ装置を提供する
ことである。
【０００６】 本発明の具体的な一目的は、改良された終端（ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ）構造
を有する非常に小型の表面実装コンデンサ装置を提供することである。
【０００７】 本発明の他の一目的は、表面実装コンポーネントを製作するための新規な技術
を提供することである。
【０００８】 上記目的のいくつかは、実質上Ｌ字形の終端部がその上に配置された装置本体
を備える表面実装コンデンサ装置によって達成される。装置本体は、施釉（ｇｌ
ａｚｅｄ）アルミナなど上面と底面を有する絶縁基板を含む。基板上面の上に第
１のコンデンサ極板の形の第１の導電性パターンが画定される。導電性パターン
の上面に誘電層が配置される。誘電層上に前記第１のコンデンサ極板と位置合わ
せされた第２のコンデンサ極板を画定する第２の導電パターンが配置される。第
２のコンデンサ極板の上にカバー層が配置され、それに封止される。
【０００９】 本発明のその他の目的は、コンデンサなど複数の表面実装コンポーネントを終
端させる改良された方法によって達成される。ウェハが準備される。このウェハ
から、垂直にダイスすることにより複数のコンポーネントが作成できる。ウェハ
は適切な接着剤など適当な技術によってキャリアに取り付けられる。終端部が塗
布（ａｐｐｌｙ）される位置でウェハを貫いて第１の方向に一連の平行なチャネ
ルが切断される。次に終端部が塗布され、その後、第１の方向と垂直な第２の方
向でウェハを貫いて一連のカットが作成される。次いで個々のコンポーネントが
キャリアから取り外される。
【００１０】 本発明のその他の目的、特徴および態様は、以下により詳しく論じる開示の諸
要素の様々な組合せおよび部分的組合せ、ならびにそれを実施する方法によって
提供される。
【００１１】 （好ましい実施形態の詳細な説明） この議論は例示的実施形態の説明にすぎず、例示的構造で実施される本発明の
より広い態様を制限するものではないことを当業者は理解されよう。
【００１２】 本発明は、従来技術に比べて有利な様々の特徴を有する表面実装コンポーネン
ト装置を提供する。例えば、薄膜コンデンサ装置を、従来よりも小さなサイズ、
低い高さで作成することができる。その上、本発明の装置は極めて均一な寸法特
性を示す。例示的実施形態で利用されるＬ字形終端構造は、普通なら表面実装プ
ロセスで生じる可能性のある短絡を低減させる。
【００１３】 ここで図１を参照すると、プリント回路板１２に表面実装したときのコンデン
サ１０が示されている。コンデンサ１０は、その対向する両端部に塗布された終
端部１６および１８を有する装置本体１４を含む。これらの装置は、パッド２０
などそれぞれの取付けパッドの所で回路板１２に取り付けられる。既知のマイク
ロストリップ技術を用いて回路板１２の上面にトレース２２などの導電性トレー
スを画定することができる。図のように、導電性トレースはそれぞれの取付けパ
ッドから延びて、それぞれの回路との電気的連絡を行う。
【００１４】 図２に示すように、装置本体１４はしばしば方形であり、より長い長さ寸法と
より短い幅寸法を画定する。また装置本体１４は幅よりも高さ寸法が小さいこと
が好ましい。図を見るとわかるように、終端部１６および１８は装置本体１４の
側面には延びていない。
【００１５】 コンデンサ１０の終端構造および他の様々な態様は図３を参照すると最も説明
がしやすい。図のように、終端部１６および１８はそれぞれ装置本体１４の端面
上に位置する主ランド２４および２６を有する。設置したとき、コンデンサ１０
は、図のように完全に装置本体１４の下を延びるそれぞれの装着（または「底部
」）ランド２８および３０上に載る。「上部」ランド３２および３４は製造プロ
セス中のはんだクリープによるものであり、通常は幅が０．０５ｍｍを超えない
。したがって、上部ランドは一般に無視できる。
【００１６】 製造プロセス中、コンデンサ１０は、通常設置されるのとは逆の向きで作成さ
れる。したがって、装置本体１４はアルミナなどの剛性基部層３６を含む。こう
した実施形態では、基部層３６に隣接して釉層３８が配置され、基板基部を形成
する。釉層３８に隣接して第１の電極４０が形成される。第１の電極４０に対向
し、介在誘電層４４に隣接して第２の電極４２が形成される。図を見るとわかる
ように、第１の電極４０は終端部１８まで延び、第２の電極４２は終端部１６ま
で延びる。「カバー」層４６はアルミナまたは同様の剛性層製とすることが好ま
しく、エポキシまたは適当な材料の層４８を介して得られた構造に塗布される。
【００１７】 上述の様々な層に加えて、コンデンサ１０はその接着を提供するため釉層３８
と電極４０の間に第１のパッシベーション層を含むことが好ましい。第２のパッ
シベーション層も電極４２と接着剤層４８の間に塗布することができる。酸窒化
シリコンまたは酸化シリコンを使ってこれらのパッシベーション層を形成するこ
とが好ましい。好ましい実施形態では、電極４０および４２はアルミニウムであ
り、誘電層４４は酸化シリコンまたは酸窒化シリコンである。
【００１８】 図４は、従来技術の超小型コンデンサ装置の作成に利用されてきた構造を示す
。図を見るとわかるように、コンデンサ５０はその各端部に塗布されたＵ字形終
端部５４および５６を有するコンデンサ本体５２を含む。コンデンサ本体５２は
ガラス基板５８を含み、その上に第１のアルミニウム電極６０が配置される。第
２のアルミニウム電極６２が酸化シリコンと酸窒化シリコンの介在誘電層６４の
上に配置される。次いで電極６２の上に酸窒化シリコンパッシベーション層（図
示せず）を塗布することができる。最後に、ガラスカバー６８を保持するため、
エポキシ層６６が塗布される。
【００１９】 比較のため、下記の表１に、図３の本発明の例示的０４０２コンデンサと、図
４の従来技術の０６０３コンデンサの様々な層厚を示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】 一般に本発明のコンデンサ装置は薄膜技術で作成されたより大きなウェハ内に
多数製作されるものの１つである。例えば、ウェハ作成時に様々な電極をフォト
リソグラフィによって作成することができる。このようなウェハを作成するため
の薄膜技術は、参照により本明細書に組み込むＲｉｔｃｈｉｅらの米国特許第４
，４５３，１９９号に記載されている。
【００２２】 本発明によって生成されるウェハに固有の剛性により、完成したウェハをラッ
プ仕上げして所望の厚さを得ることができる。このラップ仕上げステップで、最
終的に従来同じコンポーネントサイズで作られた他のコンデンサよりも高さの低
いコンデンサが得られる。例えば、従来技術による０４０２サイズの多くの薄膜
コンデンサは高さが最大で約０．５５ｍｍである。本発明によれば、コンデンサ
はこのサイズでわずか約０．４０ｍｍ（通常０．４０±０．０５ｍｍ）の公称高
さのものが作成できる。０２０１サイズでは、わずか０．１６ｍｍ（通常０．１
６±０．０２ｍｍ）以下の極めて小さな高さのコンデンサが作成できる。
【００２３】 図４の従来技術のコンデンサではＵ字形の終端構造を利用しているので、テー
プおよびリールパッケージングプロセスで高さ−幅の定位（ｏｒｉｅｎｔａｔｉ
ｏｎ）が必要である。本発明のＬ字型終端部は、高さ−幅の定位に加えて、上部
−底部の定位も必要である。したがって、個々のコンデンサの「上部」は、ウェ
ハのこの側にプリンティングによって生成されるような定位マークを含んでいる
。
【００２４】 本発明はさらに、ウェハの個々のコンデンサに終端部を塗布する新規な方法を
提供する。ここで図５Ａを参照すると、このようなウェハ７０はまず、より大き
なキャリア７２に取り付けられる。キャリア７２はガラスシートでよい。ウェハ
７０は紫外光で軟化させた接着剤などの仮接着剤７４を用いてキャリア７２に接
着することが好ましい。「上部」定位マーク、およびマーク７６が終端部の塗布
中に反転するようにウェハが定位されていることがわかる。
【００２５】 次に図５Ｂに示すように、一連の平行なカットがウェハ７０を貫いて第１の方
向に通常の技術で画定される。その結果、ストリップ８０などの一連のコンデン
サアレイストリップがキャリア７２上に生成される。次いでアレイストリップ間
のチャンネル７８をサンドブラスティングなどによって粗面化し主ランド領域（
たとえばチャネル壁面）への終端部の接着を向上させ、続いて化学処理で清浄化
することができる。
【００２６】 次に図Ｃを参照すると、キャリア７２に取り付けた一連のアレイストリップの
上に次にシードマスクが配置される。図６を見るとわかるように、シャドーマス
ク８２は、得られるコンデンサの「底部」の終端部ランド間の所望のギャップと
ほぼ等しい幅の平行なマスキング部材８４を含む。
【００２７】 シャドーマスクを定位置に置いて、終端部の主（主要）ランド部分が８６に示
すように１回のスパッタリングで塗布される。このスパッタリングは高真空装置
内でＣｒとＣｕなど２つの層の堆積によって実施され、「底部」ランドの厚さは
直接スパッタリングによって達成され、主（主要）ランド厚さはチャネル内での
スパッタリングによって達成される。次いでＮｉＢ組体物からの無電解ニッケル
被覆を施して、はんだ塗布前にバリア層を形成することができる。
【００２８】 終端部の塗布後、アレイストリップを第１の方向にダイスして、個々のコンデ
ンサ１０を得る。図５Ｄを参照すると、次いで仮接着剤の溶解または剥離によっ
てキャリア７２からコンデンサ１０を取り外す。通常、これは接着剤に対してこ
のように作用する特殊な溶剤を用いて実施する。次いでニッケルおよびＳｎＰｂ
のバレルプレーティングまたは他のはんだ付けプロセスを用いることができる。
【００２９】 比較のため、下記表２に、図３の本発明の例示的０４０２コンデンサおよび図
４の従来の技術の０６０３コンデンサ内の好ましい終端構造の様々な細部を示す
。
【００３０】
【表２】
【００３１】 上記のプロセスでは、より小さなサイズで有効に終端する表面実装コンポーネ
ントが得られることが理解されよう。狭いストリップは脆く、したがって破損し
やすいので、個々のストリップのスパッタリングによってより小さなサイズを効
率よく終端させることは困難なことがしばしばであった。銀ペーストに浸漬し、
約７００℃で焼結することによる終端は、アルミニウム―誘電体―アルミニウム
薄膜構造には適用できない。
【００３２】 本発明の方法はまた、一般に従来技術に比べて寸法公差の改善された終端部を
もたらす。具体的には、ランドは同じサイズの従来技術の構造に比べて幅の均一
性が改善されると同時に、望ましくはより大きなランドギャップを示す。
【００３３】 例えば、本発明に従って０４０２サイズで作成されたコンデンサは、公称幅が
約０．２０ｍｍ（通常０．２０±０．１０ｍｍ）の「底部」ランドを有すること
ができる。こうした構造では、「底部」ランドを約０．３５ｍｍ以上の公称ギャ
ップで分離することができ、無視できる「上部」ランドは公称ギャップが少くと
も約０．８５ｍｍ（通常０．８０〜１．０５ｍｍ）である。これは、ランド幅が
公称で約０．２５ｍｍ、公称ギャップ幅が約０．３０ｍｍの、従来技術の同じサ
イズのコンポーネントに匹敵するものである。
【００３４】 従来技術に勝るもう１つの利点が、本発明に従って作成した例示的コンデンサ
によって達成される。具体的には、上述のように高さが低減され薄いカバー層が
極めて均一なため、コンデンサ装置を取り付けたときプリント回路板に非常に近
くなる薄膜構造が得られる。その結果、この装置は自己共振周波数（ＳＲＦ）で
優れた均一性を示す。
【００３５】 したがって、本発明は表面実装コンポーネントとして使用するように適合され
た新規な構造を提供することがわかる。本発明の好ましい実施形態を示し説明し
たが、当業者なら、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなくそれに修正お
よび変更を加えることができよう。例えば、装置は１２０６、０８０５、０６０
３など、具体的に論じたもの以外の様々なコンポーネントサイズで作成すること
もできる。さらに、上記ではコンデンサについて特に論じたが、上述の終端機構
は、インダクタ、抵抗器、ヒューズなど他の表面実装コンポーネントにも使用で
きる。
【００３６】 また、様々な実施形態の諸態様を全部または一部交換できることも理解された
い。さらに、上記の説明は例示的なものにすぎず、添付の特許請求の範囲に記載
の本発明を限定するものではないことも当業者なら理解されよう。
【図面の簡単な説明】
最良の様態を含めて当業者に対する本発明の完全かつ実施可能にする開示を、
図面の参照を含めて本明細書の以下の部分でより具体的に述べる。
【図１】 プリント回路板に装着された本発明の表面実装コンデンサ装置の透視図である
。
【図２】 図１の表面実装コンデンサ装置の拡大透視図である。
【図３】 図２の線３−３に沿って切り取った断面図である。
【図４】 従来技術のコンデンサ装置の図３と同様の断面図である。
【図５Ａ】 本発明による複数の表面実装コンポーネント装置を終端させる様々なステップ
を示す図である。
【図５Ｂ】 本発明による複数の表面実装コンポーネント装置を終端させる様々なステップ
を示す図である。
【図５Ｃ】 本発明による複数の表面実装コンポーネント装置を終端させる様々なステップ
を示す図である。
【図５Ｄ】 本発明による複数の表面実装コンポーネント装置を終端させる様々なステップ
を示す図である。
【図６】 本発明による複数の表面実装コンポーネント装置を終端させるのに使用される
シャドーマスクの一部分の拡大平面図である。 本明細書で同じ参照文字を繰返し使用する場合、それは本発明の同じまたは類
似の特徴または要素を表すものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ， ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，Ｌ Ｕ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ， ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，Ｕ Ｇ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 実質的にＬ字形の終端部がその上に配置された装置本体を備
    える表面実装用の薄膜コンデンサ装置であって、前記装置本体が、 上面と底面を有する絶縁基板と、 前記基板の前記上面の上方に位置し、第１の極性のコンデンサ極板を画定する
    第１の導電性パターンと、 前記第１の導電性パターンの上面に位置する誘電層と、 前記誘電層上に位置し、前記第１のコンデンサ極板と位置合わせされた第２の
    コンデンサ極板を画定する第２の導電性パターンと、 前記第２の導電性パターンの上方に位置する平面状のカバー層と を有することを特徴とする薄膜コンデンサ装置。
  2. 【請求項２】 前記Ｌ字形終端部の底部ランドが前記装置本体の表面を越え
    て延びることを特徴とする請求項１に記載の薄膜コンデンサ装置。
  3. 【請求項３】 前記装置本体の上面に位置する定位標識をさらに備えること
    を特徴とする請求項２に記載の薄膜コンデンサ装置。
  4. 【請求項４】 前記装置本体が０４０２以下の寸法であることを特徴とする
    請求項２に記載の薄膜コンデンサ装置。
  5. 【請求項５】 前記装置本体が０．４０ｍｍ以下の公称高さであることを特
    徴とする請求項４に記載の薄膜コンデンサ装置。
  6. 【請求項６】 前記カバー層が前記第２の導電性パターンに封止された剛性
    の絶縁材料層を備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜コンデンサ装置。
  7. 【請求項７】 前記カバー層が約０．１ｍｍの厚さであることを特徴とする
    請求項６に記載の薄膜コンデンサ装置。
  8. 【請求項８】 前記カバー層が介在エポキシ層によって前記第２の導電性パ
    ターンに封止されることを特徴とする請求項６に記載の薄膜コンデンサ装置。
  9. 【請求項９】 前記絶縁基板が平面状アルミナ基板を備えることを特徴とす
    る請求項８に記載の薄膜コンデンサ装置。
  10. 【請求項１０】 前記平面状アルミナ基板が施釉アルミナ基板を備えること
    を特徴とする請求項９に記載の薄膜コンデンサ装置。
  11. 【請求項１１】 前記第１の導電性パターンおよび前記第２の導電性パター
    ンがそれぞれアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜コンデ
    ンサ装置。
  12. 【請求項１２】 前記誘電層が酸化シリコンと酸窒化シリコンからなる群か
    ら選択した材料を含むことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜コンデンサ装置
    。
  13. 【請求項１３】 表面実装するためのコンデンサ装置であって、 サイズが０４０２以下で公称高さが約０．４０ｍｍ以下の装置本体を備え、 前記装置本体がその中に配置されたコンデンサ構造を有し、前記コンデンサ構
    造が介在誘電体層で分離された少なくとも１つの第１の極性の電極と少なくとも
    １つの第２の極性の電極から形成され、 前記装置本体の対向する端面上に実質上Ｌ字形の終端部が配置されることを特
    徴とするコンデンサ装置。
  14. 【請求項１４】 前記終端部の装着ランドが前記装置本体の底面に配置され
    、前記装置本体の上面に配置された定位標識をさらに備えることを特徴とする請
    求項１３に記載のコンデンサ装置。
  15. 【請求項１５】 前記装置本体が約０２０１以下のサイズであることを特徴
    とする請求項１３に記載のコンデンサ装置。
  16. 【請求項１６】 前記装置本体が約０．１６ｍｍの公称高さであることを特
    徴とする請求項１５に記載のコンデンサ装置。
  17. 【請求項１７】 前記装置本体の上面を横切る前記終端部間の公称ギャップ
    幅が少なくとも約０．８５ｍｍであることを特徴とする請求項１３に記載のコン
    デンサ装置。
  18. 【請求項１８】 前記装置本体の底面を横切る前記終端部間の公称ギャップ
    幅が少なくとも約０．３５ｍｍであることを特徴とする請求項１３に記載のコン
    デンサ装置。
  19. 【請求項１９】 前記コンデンサ構造がアルミニウム−誘電体−アルミニウ
    ム薄膜構造として形成されることを特徴とする請求項１３に記載のコンデンサ装
    置。
  20. 【請求項２０】 複数の表面実装コンポーネントを終端させる方法であって
    、 （ａ）第１および第２の方向にダイスすることによりそれから前記コンポーネ
    ントを複数個作成することのできるウェハを準備するステップと、 （ｂ）前記ウェハをキャリアに取り付けるステップと、 （ｃ）前記ウェハを置いて前記第１の方向に走る一連の平行なチャネルを終端
    部を塗布する場所で切断するステップと、 （ｄ）前記平行なチャネル内に終端材料を塗布して、終端部を形成するステッ
    プと、 （ｅ）前記第２の方向に前記ウェハを貫く一連のカットを形成するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
  21. 【請求項２１】 前記キャリアから個々のコンポーネントを取り外すステッ
    プをさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記ウェハが仮接着剤を用いて前記キャリアに取り付けら
    れることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記個々のコンポーネントが前記キャリアから分離される
    ように前記仮接着剤に作用を加えることにより、前記個々のコンポーネントを前
    記キャリアから取り外すことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記仮接着剤が紫外光で硬化する接着剤を含むことを特徴
    とする請求項２２に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 ステップ（ｄ）でシャドーマスクを用いたスパッタ技術に
    より前記平行なチャネル内に終端材料を塗布することを特徴とする請求項２０に
    記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記個々のコンポーネント上の終端部の主要ランドおよび
    底部ランドが１回のスパッタで同時に形成されることを特徴とする請求項２５に
    記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記スパッタ技術が、好ましくは前記終端材料を２つの材
    料層に塗布することを特徴とする請求項２５に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 前記表面実装コンポーネントが表面実装コンデンサを含む
    ことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  29. 【請求項２９】 複数の表面実装コンポーネントを製作する方法であって、 （ａ）第１および第２の方向にダイスすることによりそれから前記コンポーネ
    ントを複数個作成することができ、電気回路がその上に配置された剛性絶縁材料
    の上部層と底部層を含むウェハを準備するステップと、 （ｂ）前記ウェハをラップ仕上げして、所定の実質上均一なその厚さを得るス
    テップと、 （ｃ）前記ウェハをキャリアに取り付けるステップと、 （ｄ）前記ウェハを置いて前記第１の方向に走る一連の平行なチャネルを終端
    部を塗布する場所で切断するステップと、 （ｅ）前記平行なチャネル内に終端材料を塗布して、終端部を形成するステッ
    プと、 （ｆ）前記第２の方向に前記ウェハを貫く一連のカットを形成するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
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