JP2001338747A

JP2001338747A - 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ

Info

Publication number: JP2001338747A
Application number: JP2000157091A
Authority: JP
Inventors: Yasuji Hiramatsu; 靖二平松; Yasutaka Ito; 康隆伊藤
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-05-26
Filing date: 2000-05-26
Publication date: 2001-12-07

Abstract

(57)【要約】【課題】セラミック基板の加熱面の温度分布がなく
し、より均一な温度とすることができ、半導体ウエハ等
の被加熱物をより均一に加熱することができるセラミッ
クヒータを提供すること。【解決手段】２以上の回路からなる抵抗発熱体がセラ
ミック基板の内部または表面に形成されたセラミックヒ
ータであって、前記抵抗発熱体は、２以上の領域に区画
され、前記領域間の平均距離は、前記セラミック基板の
厚さの１／４以上であることを特徴とするセラミックヒ
ータ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に、半導体の製
造や検査のために用いられるセラミックヒータ（ホット
プレート）に関する。

【０００２】

【従来の技術】エッチング装置や、化学的気相成長装置
等を含む半導体製造・検査装置等においては、従来、ス
テンレス鋼やアルミニウム合金などの金属製基材を用い
たヒータやウエハプローバ等が用いられてきた。

【０００３】ところが、このような金属製のヒータは、
以下のような問題があった。まず、金属製であるため、
ヒータ板の厚みは、１５ｍｍ程度と厚くしなければなら
ない。なぜなら、薄い金属板では、加熱に起因する熱膨
張により、反り、歪み等が発生してしまい、金属板上に
載置したシリコンウエハが破損したり傾いたりしてしま
うからである。しかしながら、ヒータ板の厚みを厚くす
ると、ヒータの重量が重くなり、また、嵩張ってしまう
という問題があった。

【０００４】また、発熱体に印加する電圧や電流量を変
えることにより、加熱温度を制御するのであるが、金属
板が厚いために、電圧や電流量の変化に対してヒータ板
の温度が迅速に追従せず、温度制御しにくいという問題
もあった。

【０００５】そこで、特開平１１−４０３３０号公報に
は、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい窒化物
セラミックや炭化物セラミックを使用し、これらのセラ
ミックからなる板状体の表面に、金属粒子を焼結して形
成した発熱体が設けられてなるセラミックヒータが開示
されている。

【０００６】このセラミックヒータでは、抵抗発熱体を
複数の回路に分割し、これらの各回路毎に電圧を印加す
ることにより、セラミック基板の温度制御を行い、抵抗
発熱体が形成された面の反対側面を加熱面として、シリ
コンウエハ等の加熱を行っている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のセラミックヒータでは、特開平１１−４０３
３０号公報の図１に示したように、多数の同心円状の回
路を等間隔で形成しており、各回路間の間隔が狭い。

【０００８】従って、例えば、温度の低下した領域にあ
る一の抵抗発熱体の回路に電力を投入して温度を上昇さ
せると、その領域以外の他の回路領域にまで温度変化の
大きな影響が及んでしまい、影響が及んだ回路の制御系
が乱れる結果、加熱面の温度が不均一になってしまうと
いう問題があった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
問題点に鑑み、加熱面を均一な温度にして、半導体ウエ
ハ等の被加熱物を均一に加熱することができるセラミッ
クヒータを得ることを目的として鋭意研究を行った結
果、抵抗発熱体の回路を、２以上の領域に区画し、各領
域間の平均距離をセラミック基板の厚さの１／４以上と
離すことにより、一の回路の温度を上昇させても他の領
域に大きな影響が及ばず、各領域における温度の制御が
容易になる結果、セラミック基板の加熱面をより均一な
温度にすることができることを見い出し、本発明を完成
するに至った。

【００１０】なお、抵抗発熱体の各領域の平均距離は、
セラミック基板の中心から周縁方向に向かう距離であっ
て、ある領域の抵抗発熱体の最も外周の点とその抵抗発
熱体の外側にある他の領域の抵抗発熱体の最も内周の距
離を１０点測定し、その平均を求めることで定義され
る。

【００１１】上記領域の形成方法としては、例えば、抵
抗発熱体の１または２以上の回路を一単位とし、上記回
路で囲まれた部分を１の領域とする方法が考えられる。
回路が途切れている部分では、最外周や最内周のポイン
トを直線で結んで各領域を形成する。このような抵抗発
熱体の各領域の平均距離は、各領域内の抵抗発熱体パタ
ーン間の距離よりも短い方が好ましい。

【００１２】すなわち本発明は、２以上の回路からなる
抵抗発熱体がセラミック基板の内部または表面に形成さ
れたセラミックヒータであって、上記抵抗発熱体は、２
以上の領域に区画され、上記領域間の平均距離は、上記
セラミック基板の厚さの１／４以上であることを特徴と
するセラミックヒータである。

【００１３】上記抵抗発熱体に電流を流して発熱させる
と、熱はあらゆる方向に伝搬するので、セラミック基板
の厚さ方向に伝搬するとともに、加熱面に平行な方向に
も伝搬する。また、熱が伝搬する時間はその距離に依存
するため、セラミック基板の厚さが厚いと、抵抗発熱体
から加熱面まで熱が伝搬するのに時間がかかり、その熱
が加熱面に到達する前に隣りの回路領域に到達してしま
い、その領域の温度が上昇してしまう。

【００１４】また、一の回路の両側に回路が形成されて
いる場合には、これらの回路間の距離が近いと、両側の
回路を発熱させた際には、これらの回路に挟まれた一の
回路領域の温度の上昇が激しい。このような場合、温度
の上昇した領域では、その温度を低下させるように制御
が行われるため、逆に、この領域の温度が隣の領域より
低下してしまい、加熱面の温度が不均一になる場合があ
るという問題があった。

【００１５】しかしながら、本発明のセラミックヒータ
は、上記の通り、抵抗発熱体の各領域間の平均距離を、
厚さの１／４以上に設定しているので、各領域は互いに
適当に離れており、隣に位置する領域の回路の温度を上
昇させた際、制御しようとする回路領域の温度が上昇し
すぎて制御が乱れるような状態は発生しにくく、そのた
め、セラミック基板の加熱面の温度を均一にすることが
できる。なお、各領域間の平均距離は、厚さの１／２以
上１０倍以下がより好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明のセラミックヒータは、２
以上の回路からなる抵抗発熱体がセラミック基板の内部
または表面に形成されたセラミックヒータであって、上
記抵抗発熱体は、２以上の領域に区画され、上記領域間
の平均距離は、上記セラミック基板の厚さの１／４以上
であることを特徴とする。

【００１７】以下に、本発明のセラミックヒータについ
て、図面に基づいて説明する。図１は、本発明のセラミ
ックヒータを模式的に示す底面図であり、図２は、図１
に示すセラミックヒータの一部を模式的に示す部分拡大
断面図であり、図３は、図１に示したセラミックヒータ
を各領域毎に区画した際の各領域を示す平面図である。

【００１８】図１に示したように、セラミック基板１１
は、円板状に形成されており、このセラミック基板１１
の底面には、周縁部に近い部分に屈曲形状の回路からな
る抵抗発熱体１２ａが形成され、それよりも内側の部分
には、略同心円形状からなる抵抗発熱体１２ｂ〜１２ｄ
が形成され、これらの回路を組み合わせることにより、
加熱面１１ａの温度が均一になるように設計されてい
る。

【００１９】また、抵抗発熱体１２（１２ａ〜１２ｄ）
は、酸化等を防止するために金属被覆層１２０が形成さ
れ、その両端に入出力用の端部１３が形成され、この端
部１３には、図２に示したように外部端子１７が半田層
１２０等を介して接合されており、さらに外部端子１７
にはソケット１８が取り付けられ、ソケット１８からの
配線が電源と接続されている。

【００２０】なお、図２に示すように、このセラミック
ヒータは、電源のほかに、制御部、記憶部、演算部を備
えている。記憶部には、測温素子（熱電対、サーミスタ
等）からのデータが一定の時間毎に格納され、さらに演
算部に転送されて、必要な電力が計算される。電力デー
タは、制御部に送られて電源を制御し、電力を抵抗発熱
体に供給する。

【００２１】また、セラミック基板１１の底面１１ｂに
は、測温素子を挿入するための有底孔１４が形成され、
中央に近い部分には、リフターピン１６を挿通するため
の複数の貫通孔１５が設けられている。

【００２２】このリフターピン１６は、その上にシリコ
ンウエハ１９を載置して上下させることができるように
なっており、これにより、シリコンウエハ１９を図示し
ない搬送機に渡したり、搬送機からシリコンウエハ１９
を受け取ったりすることができるとともに、シリコンウ
エハ１９をセラミック基板１１の加熱面１１ａに載置し
て加熱したり、シリコンウエハ１９を加熱面１１ａから
５０〜２０００μｍ離間させた状態で支持し、加熱する
ことができるようになっている。

【００２３】また、セラミック基板１１に貫通孔や凹部
を設け、この貫通孔または凹部に先端が尖塔状または半
球状の支持ピンを挿入した後、支持ピンをセラミック基
板１１よりわずかに突出させた状態で固定し、この上記
支持ピンでシリコンウエハ１９を支持することにより、
加熱面１１ａから５０〜２０００μｍ離間させた状態で
加熱してもよい。

【００２４】このセラミックヒータ１０において、底面
１１ｂ（抵抗発熱体形成面）を、中心より周縁方向に向
かう距離がほぼ等しい１または２以上の回路で囲まれる
領域毎に区画すると、図３に示したように、抵抗発熱体
１２ａが形成された領域（Ａ領域）、抵抗発熱体１２ｂ
が形成された領域（Ｂ領域）、抵抗発熱体１２ｃが形成
された領域（Ｃ領域）、抵抗発熱体１２ｄが形成された
領域（Ｄ領域）に区画される。なお、Ａ領域には、円周
方向に４つの回路が形成されているが、これらの回路
は、中心より周縁方向に向かう距離がほぼ等しいため、
１つのＡ領域としている。

【００２５】そして、これらＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各領域間
の平均距離は、セラミック基板の厚さの１／４以上に設
定されている。このように、各領域間の平均距離を、セ
ラミック基板の厚さとの関係で規定したのは、本発明で
は、セラミック基板の加熱面の温度を均一にする必要が
あり、加熱面の温度を均一にする上で、抵抗発熱体形成
面（図１の場合には、底面）と加熱面との間の距離、お
よび、抵抗発熱体の回路間の距離が重要な要素になるか
らである。

【００２６】本発明では、上述したように、各領域間の
平均距離を、セラミック基板の厚さの１／４以上に設定
しているので、各領域は互いに適当な距離離れており、
一の領域の回路の温度を上昇させた際、制御しようとす
る隣りの領域の温度が上昇しすぎて制御が乱れるような
状態は発生しにくく、そのため、セラミック基板の加熱
面の温度が均一になるような制御を比較的容易に行うこ
とができる。

【００２７】各領域間の平均距離を、セラミック基板の
厚さの１／４未満に設定すると、一の回路に電流を印加
して加熱した場合に、加熱の影響が加熱面に現れるより
も前に隣の領域に現れるため、その領域における制御系
の制御が乱れ、加熱面の温度を均一することが難しくな
る。

【００２８】図４は、本発明の他の実施形態である、セ
ラミック基板の内部に抵抗発熱体が配設されたセラミッ
クヒータの抵抗発熱体の近傍を模式的に示した部分拡大
断面図である。

【００２９】図示はしていないが、図１に示したセラミ
ックヒータと同様に、セラミック基板２１は、円板形状
に形成されており、抵抗発熱体２２は、セラミック基板
２１の内部に、図１に示したパターンと同様のパター
ン、すなわち、同心円と屈曲線とを組み合わせたパター
ンで形成されている。

【００３０】また、これら抵抗発熱体の回路形成領域の
配置については、底部に抵抗発熱体が形成されたセラミ
ック基板の場合と同様に、各領域間の平均距離が、セラ
ミック基板の厚さの１／４以上となるように設定されて
いる。従って、上述したセラミック基板１１の底面１１
ｂに抵抗発熱体１２が形成された場合と同様に、加熱面
の温度に均一にすることができる。

【００３１】なお、抵抗発熱体２２の端部の直下には、
スルーホール２８が形成され、さらに、このスルーホー
ル２８を露出させる袋孔２７が底面２１ｂに形成され、
袋孔２７には外部端子２３が挿入され、ろう材２４等で
接合されている。また、図４には示していないが、外部
端子２３には、例えば、導電線を有するソケットが取り
付けられ、この導電線は電源等と接続されている。

【００３２】本発明において、抵抗発熱体は、貴金属
（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モ
リブデン、ニッケル等の金属、または、タングステン、
モリブデンの炭化物等の導電性セラミックからなるもの
であることが望ましい。抵抗値を高くすることが可能と
なり、断線等を防止する目的で厚み自体を厚くすること
ができるとともに、酸化しにくく、熱伝導率が低下しに
くいからである。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。

【００３３】また、抵抗発熱体は、セラミック基板全体
の温度を均一にする必要があることから、同心円形状の
パターンや図１に示すような同心円形状のパターンと屈
曲線形状のパターンとを組み合わせたものが好ましい。
また、抵抗発熱体の厚さは、１〜５０μｍが望ましく、
その幅は、５〜２０ｍｍが望ましい。

【００３４】抵抗発熱体の厚さや幅を変化させることに
より、その抵抗値を変化させることができるが、この範
囲が最も実用的だからである。抵抗発熱体の抵抗値は、
薄く、また、細くなるほど大きくなる。

【００３５】なお、抵抗発熱体を内部に設けると、加熱
面と抵抗発熱体との距離が近くなり、表面の温度の均一
性が低下するため、抵抗発熱体自体の幅を広げる必要が
ある。また、セラミック基板の内部に抵抗発熱体を設け
るため、窒化物セラミック等との密着性を考慮する必要
性がなくなる。

【００３６】抵抗発熱体は、断面が方形、楕円形、紡錘
形、蒲鉾形状のいずれでもよいが、偏平なものであるこ
とが望ましい。偏平の方が加熱面に向かって放熱しやす
いため、加熱面への熱伝搬量を多くすることができ、加
熱面の温度分布ができにくいからである。なお、抵抗発
熱体は螺旋形状でもよい。

【００３７】セラミック基板の底面または内部に抵抗発
熱体を形成するためには、金属や導電性セラミックから
なる導体ペーストを用いることが好ましい。即ち、図
１、２に示すようにセラミック基板１１の表面に抵抗発
熱体１２を形成する場合には、通常、焼成を行って、セ
ラミック基板１１を製造した後、その表面に上記導体ペ
ースト層を形成し、焼成することより、抵抗発熱体を作
製する。一方、図４に示すようにセラミック基板２１の
内部に抵抗発熱体２２を形成する場合には、グリーンシ
ート上に上記導体ペースト層を形成した後、グリーンシ
ートを積層、焼成することにより、内部に抵抗発熱体を
作製する。

【００３８】上記導体ペーストとしては特に限定されな
いが、導電性を確保するため金属粒子または導電性セラ
ミック粒子が含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤
などを含むものが好ましい。

【００３９】上記金属粒子や導電性セラミック粒子の材
料としては、上述したものが挙げられる。これら金属粒
子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１０
０μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸
化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しに
くくなり、抵抗値が大きくなるからである。

【００４０】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。

【００４１】上記金属粒子がリン片状物、または、球状
物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属
酸化物を保持しやすくなり、抵抗発熱体とセラミック基
板との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくするこ
とができるため有利である。

【００４２】上記導体ペーストに使用される樹脂として
は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げら
れる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアル
コール等が挙げられる。増粘剤としては、セルロース等
が挙げられる。

【００４３】抵抗発熱体用の導体ペーストをセラミック
基板の表面に形成する際には、上記導体ペースト中に上
記金属粒子のほかに金属酸化物を添加し、上記金属粒子
および上記金属酸化物を焼結させたものとすることが好
ましい。このように、金属酸化物を金属粒子とともに焼
結させることにより、セラミック基板と金属粒子とをよ
り密着させることができる。

【００４４】上記金属酸化物を混合することにより、セ
ラミック基板との密着性が改善される理由は明確ではな
いが、金属粒子表面や非酸化物からなるセラミック基板
の表面は、その表面がわずかに酸化されて酸化膜が形成
されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結
して一体化し、金属粒子とセラミックとが密着するので
はないかと考えられる。また、セラミック基板を構成す
るセラミックが酸化物の場合は、当然に表面が酸化物か
らなるので、密着性に優れた導体層が形成される。

【００４５】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃ ）、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも１種が好ましい。これらの酸化物は、抵抗
発熱体の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子とセラ
ミック基板との密着性を改善することができるからであ
る。

【００４６】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホ
ウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１
〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０で
あって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整
されていることが好ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特にセラミック基板
との密着性を改善することができる。

【００４７】上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量
は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。ま
た、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱
体を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□が好
ましい。

【００４８】面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印
加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、表面に抵
抗発熱体を設けたセラミック基板では、その発熱量を制
御しにくいからである。なお、金属酸化物の添加量が１
０重量％以上であると、面積抵抗率が５０ｍΩ／□を超
えてしまい、発熱量が大きくなりすぎて温度制御が難し
くなり、温度分布の均一性が低下する。

【００４９】抵抗発熱体がセラミック基板の表面に形成
される場合には、抵抗発熱体の表面部分に、金属被覆層
が形成されていることが好ましい。内部の金属焼結体が
酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。
形成する金属被覆層の厚さは、０．１〜１０μｍが好ま
しい。

【００５０】上記金属被覆層を形成する際に使用される
金属は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、
具体的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッ
ケル等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、
２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケ
ルが好ましい。なお、抵抗発熱体をセラミック基板の内
部に形成する場合には、抵抗発熱体表面が酸化されるこ
とがないため、被覆は不要である。

【００５１】本発明のセラミックヒータを構成するセラ
ミック基板の材料は特に限定されないが、例えば、窒化
物セラミック、炭化物セラミック、酸化物セラミック等
が挙げられる。

【００５２】上記窒化物セラミックとしては、金属窒化
物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。また、上
記炭化物セラミックとしては、金属炭化物セラミック、
例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、
炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。

【００５３】上記酸化物セラミックとしては、金属酸化
物セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージ
ェライト、ムライト等が挙げられる。これらのセラミッ
クは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

【００５４】これらのセラミックの中では、窒化物セラ
ミック、炭化物セラミックの方が酸化物セラミックに比
べて望ましい。熱伝導率が高いからである。また、窒化
物セラミックの中では窒化アルミニウムが最も好適であ
る。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからであ
る。

【００５５】また、上記セラミック材料は、焼結助剤を
含有していてもよい。上記焼結助剤としては、例えば、
アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類
酸化物等が挙げられる。これらの焼結助剤のなかでは、
ＣａＯ、Ｙ₂ Ｏ₃ 、Ｎａ₂ Ｏ、Ｌｉ₂ Ｏ、Ｒｂ₂ Ｏが好
ましい。これらの含有量としては、０．１〜１０重量％
が好ましい。また、アルミナを含有していてもよい。

【００５６】本発明のセラミックヒータを構成するセラ
ミック基板は、明度がＪＩＳＺ８７２１の規定に基
づく値でＮ４以下のものであることが望ましい。このよ
うな明度を有するものが輻射熱量、隠蔽性に優れるから
である。また、このようなセラミック基板は、サーモビ
ュアにより、正確な表面温度測定が可能となる。

【００５７】ここで、明度のＮは、理想的な黒の明度を
０とし、理想的な白の明度を１０とし、これらの黒の明
度と白の明度との間で、その色の明るさの知覚が等歩度
となるように各色を１０分割し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で
表示したものである。そして、実際の測定は、Ｎ０〜Ｎ
１０に対応する色票と比較して行う。この場合の小数点
１位は０または５とする。

【００５８】このような特性を有するセラミック基板
は、セラミック基板中にカーボンを１００〜５０００ｐ
ｐｍ含有させることにより得られる。カーボンには、非
晶質のものと結晶質のものとがあり、非晶質のカーボン
は、セラミック基板の高温における体積抵抗率の低下を
抑制することでき、結晶質のカーボンは、セラミック基
板の高温における熱伝導率の低下を抑制することができ
るため、その製造する基板の目的等に応じて適宜カーボ
ンの種類を選択することができる。

【００５９】非晶質のカーボンとしては、例えば、Ｃ、
Ｈ、Ｏだけからなる炭化水素、好ましくは、糖類を、空
気中で焼成することにより得ることができ、結晶質のカ
ーボンとしては、グラファイト粉末等を用いることがで
きる。また、アクリル系樹脂を不活性雰囲気（窒化ガ
ス、アルゴンガス）下で熱分解させた後、加熱加圧する
ことによりカーボンを得ることができるが、このアクリ
ル系樹脂の酸価を変化させることにより、結晶性（非晶
性）の程度を調整することができる。

【００６０】上記セラミック基板は、円板形状であり、
直径２００ｍｍ以上が望ましく、２５０ｍｍ以上が最適
である。半導体装置に用いられる円板形状のセラミック
基板は、温度の均一性が要求されるが、直径の大きな基
板ほど、温度が不均一になりやすいからである。

【００６１】上記セラミック基板の厚さは、５０ｍｍ以
下が好ましく、２０ｍｍ以下がより好ましい。また、１
〜５ｍｍが最適である。厚みは、薄すぎると高温での反
りが発生しやすく、厚すぎると熱容量が大きくなり過ぎ
て昇温降温特性が低下するからである。また、上記セラ
ミック基板の気孔率は、０または５％以下が望ましい。
高温での熱伝導率の低下、反りの発生を抑制できるから
である。本発明のセラミックヒータで用いるセラミック
基板は、１５０℃以上で使用することができるが、２０
０℃以上で使用することが望ましい。

【００６２】本発明では、必要に応じてセラミック基板
に熱電対を埋め込んでおくことができる。熱電対により
抵抗発熱体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、
電流量を変えて、温度を制御することができるからであ
る。

【００６３】上記熱電対の金属線の接合部位の大きさ
は、各金属線の素線径と同一か、もしくは、それよりも
大きく、かつ、０．５ｍｍ以下がよい。このような構成
によって、接合部分の熱容量が小さくなり、温度が正確
に、また、迅速に電流値に変換されるのである。このた
め、温度制御性が向上してウエハの加熱面の温度分布が
小さくなるのである。上記熱電対としては、例えば、Ｊ
ＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられるように、
Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対が挙げられ
る。

【００６４】抵抗発熱体には、半田やろう材を介して外
部端子を接続するが、この外部端子の材料としては特に
限定されず、例えば、ニッケル、コバール等の金属が挙
げられる。また、その形状は、図２に示したように、断
面視Ｔ字型のものが好ましい。また、そのサイズは、使
用するセラミック基板の大きさ、抵抗発熱体の大きさ等
によって適宜調整されるため特に限定されないが、軸部
分の直径は０．５〜１０ｍｍ、軸部分の長さは３〜２０
ｍｍが好ましい。

【００６５】また、外部端子を接合するためのろう材と
しては、例えば、銀ろう、パラジウムろう、アルミニウ
ムろう、金ろう等が挙げられる。上記金ろうとしては、
タングステンとの密着性に優れるＡｕ−Ｎｉ合金が望ま
しい。

【００６６】Ａｕ／Ｎｉの比率は、〔８１．５〜８２．
５（重量％）〕／〔１８．５〜１７．５（重量％）〕が
望ましく、Ａｕ−Ｎｉ層の厚さは、０．１〜５０μｍが
望ましい。接続を確保するに充分な範囲だからである。
１０^-6〜１０^-5Ｐａの高真空下、５００〜１０００℃の
高温で使用するとＡｕ−Ｃｕ合金では劣化するが、Ａｕ
−Ｎｉ合金ではこのような経時的な劣化がなく有利であ
る。また、Ａｕ−Ｎｉ合金中の不純物元素量は全量を１
００重量部とした場合に１重量部未満であることが望ま
しい。

【００６７】なお、抵抗発熱体をセラミック基板に内部
に形成した際に、抵抗発熱体と外部端子とを接続するた
めのスルーホールを形成するが、そのスルーホールの材
質としては、例えば、タングステン、モリブデン等の金
属、または、これらの炭化物等が好ましい。また、その
直径は、０．１〜１０ｍｍが望ましい。断線を防止しつ
つ、クラックや歪みを防止することができるからであ
る。

【００６８】次に、本発明のセラミックヒータの製造方
法について説明する。図５（ａ）〜（ｃ）は、セラミッ
ク基板の底面に抵抗発熱体を有するセラミックヒータの
製造方法を模式的に示した断面図である。

【００６９】（１）セラミック基板の製造工程上述した窒化アルミニウム等のセラミック粉末に必要に
応じてイットリア等の焼結助剤やバインダ等を配合して
スラリーを調製した後、このスラリーをスプレードライ
等の方法で顆粒状にし、この顆粒を金型などに入れて加
圧することにより板状などに成形し、生成形体（グリー
ン）を作製する。スラリー調整時に、非晶質や結晶質の
カーボンを添加してもよい。

【００７０】次に、この生成形体を加熱、焼成して焼結
させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定
の形状に加工することにより、セラミック基板１１を製
造するが、焼成後にそのまま使用することができる形状
としてもよい（図５（ａ））。加圧しながら加熱、焼成
を行うことにより、気孔のないセラミック基板１１を製
造することが可能となる。加熱、焼成は、焼結温度以上
であればよいが、窒化物セラミックでは、１０００〜２
５００℃である。

【００７１】次に、セラミック基板に、必要に応じて、
シリコンウエハを支持するための支持ピンを挿入する貫
通孔となる部分、シリコンウエハを運搬等するためのリ
フターピンを挿入する貫通孔１５となる部分、熱電対な
どの測温素子を埋め込むための有底孔となる部分等を形
成する。

【００７２】（２）セラミック基板に導体ペーストを印
刷する工程導体ペーストは、一般に、金属粒子、樹脂、溶剤からな
る粘度の高い流動物である。この導体ペーストをスクリ
ーン印刷などを用い、抵抗発熱体を設けようとする部分
に印刷を行うことにより、導体ペースト層を形成する。
また、抵抗発熱体は、セラミック基板全体を均一な温度
にする必要があることから、例えば、同心円形状とする
か、または、同心円形状と屈曲線形状とを組合わせたパ
ターンに印刷することが好ましい。導体ペースト層は、
焼成後の抵抗発熱体１２の断面が、方形で、偏平な形状
となるように形成することが好ましい。

【００７３】（３）導体ペーストの焼成セラミック基板１１の底面に印刷した導体ペースト層を
加熱焼成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒
子を焼結させ、セラミック基板１１の底面に焼き付け、
抵抗発熱体１２を形成する（図５（ｂ））。加熱焼成の
温度は、５００〜１０００℃が好ましい。

【００７４】導体ペースト中に上述した金属酸化物を添
加しておくと、金属粒子、セラミック基板および金属酸
化物が焼結して一体化するため、抵抗発熱体とセラミッ
ク基板との密着性が向上する。

【００７５】（４）金属被覆層の形成抵抗発熱体１２表面には、金属被覆層（図示せず）を設
けることが望ましい。上記金属被覆層は、電解めっき、
無電解めっき、スパッタリング等により形成することが
できるが、量産性を考慮すると、無電解めっきが最適で
ある。

【００７６】（５）端子等の取り付け抵抗発熱体１２の回路の端部に電源との接続のための外
部端子１７を半田等により取り付ける（図５（ｃ））。
この後、図示はしないが、例えば、この外部端子１７に
導電線を有するソケット等を脱着可能な状態で取り付け
る。

【００７７】（６）この後、このような抵抗発熱体１２
を有するセラミック基板を、例えば、円筒形状の支持容
器に取り付け、ソケットから延びたリード線を電源に接
続することにより、セラミックヒータの製造を終了す
る。

【００７８】上記セラミックヒータを製造する際に、セ
ラミック基板の内部に静電電極を設けることにより静電
チャックを製造することができ、また、加熱面にチャッ
クトップ導体層を設け、セラミック基板の内部にガード
電極やグランド電極を設けることによりウエハプローバ
を製造することができる。

【００７９】セラミック基板の内部に電極を設ける場合
には、金属箔等をセラミック基板の内部に埋設すればよ
い。また、セラミック基板の表面に導体層を形成する場
合には、スパッタリング法やめっき法を用いることがで
き、これらを併用してもよい。

【００８０】次に、本発明のセラミック基板の内部に抵
抗発熱体を有するセラミックヒータの製造方法について
説明する。図６（ａ）〜（ｄ）は、上記セラミックヒー
タの製造方法を模式的に示した断面図である。

【００８１】（１）グリーンシートの作製工程まず、窒化物セラミックの粉末をバインダ、溶剤等と混
合してペーストを調製し、これを用いてグリーンシート
を作製する。上述したセラミック粉末としては、窒化ア
ルミニウム等を使用することができ、必要に応じて、イ
ットリア等の焼結助剤を加えてもよい。また、グリーン
シートを作製する際、結晶質や非晶質のカーボンを添加
してもよい。

【００８２】また、バインダとしては、アクリル系バイ
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコール
から選ばれる少なくとも１種が望ましい。

【００８３】これらを混合して得られるペーストをドク
ターブレード法でシート状に成形してグリーンシート５
０を作製する。グリーンシート５０の厚さは、０．１〜
５ｍｍが好ましい。次に、得られたグリーンシートに、
必要に応じて、シリコンウエハを支持するための支持ピ
ンを挿入する貫通孔となる部分、シリコンウエハを運搬
等するためのリフターピンを挿入する貫通孔２５となる
部分、熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔と
なる部分、抵抗発熱体を外部端子と接続するためのスル
ーホールとなる部分２８０等を形成する。後述するグリ
ーンシート積層体を形成した後に、上記加工を行っても
よい。

【００８４】（２）グリーンシート上に導体ペーストを
印刷する工程グリーンシート５０上に、金属ペーストまたは導電性セ
ラミックを含む導体ペーストを印刷し、導体ペースト層
２２０を形成する。これらの導電ペースト中には、金属
粒子または導電性セラミック粒子が含まれている。上記
金属粒子であるタングステン粒子またはモリブデン粒子
等の平均粒子径は、０．１〜５μｍが好ましい。平均粒
子が０．１μｍ未満であるか、５μｍを超えると、導体
ペーストを印刷しにくいからである。

【００８５】このような導体ペーストとしては、例え
ば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重
量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソル
ブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種
のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネ
オール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒
を１．５〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が
挙げられる。

【００８６】（３）グリーンシートの積層工程上記（１）の工程で作製した導体ペーストを印刷してい
ないグリーンシート５０を、上記（２）の工程で作製し
た導体ペースト層２２０を印刷したグリーンシート５０
の上下に積層する（図６（ａ））。このとき、上側に積
層するグリーンシート５０の数を下側に積層するグリー
ンシート５０の数よりも多くして、抵抗発熱体２２の形
成位置を底面の方向に偏芯させる。具体的には、上側の
グリーンシート５０の積層数は２０〜５０枚が、下側の
グリーンシート５０の積層数は５〜２０枚が好ましい。

【００８７】（４）グリーンシート積層体の焼成工程グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシ
ート５０および内部の導体ペーストを焼結させ、セラミ
ック基板３１を作製する（図６（ｂ））。加熱温度は、
１０００〜２０００℃が好ましく、加圧の圧力は、１０
〜２０ＭＰａが好ましい。加熱は、不活性ガス雰囲気中
で行う。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素
などを使用することができる。

【００８８】得られたセラミック基板２１に、リフター
ピンを挿通するための貫通孔２５、測温素子を挿入する
ための有底孔（図示せず）や、外部端子２３を挿入する
ための袋孔２７等を設ける（図６（ｃ））。貫通孔２
５、有底孔および袋孔２７は、表面研磨後に、ドリル加
工やサンドブラストなどのブラスト処理を行うことによ
り形成することができる。

【００８９】次に、袋孔２７より露出したスルーホール
２８に外部端子２３を金ろう等を用いて接続する（図６
（ｄ））。さらに、図示はしないが、外部端子２３に、
例えば、導電線を有するソケットを脱着可能に取り付け
る。なお、加熱温度は、半田処理の場合には９０〜４５
０℃が好適であり、ろう材での処理の場合には、９００
〜１１００℃が好適である。さらに、測温素子としての
熱電対などを耐熱性樹脂で封止し、セラミックヒータと
する。

【００９０】（５）この後、このような内部に抵抗発熱
体１２を有するセラミック基板２１を、円筒形状の支持
容器に取り付け、ソケットから延びたリード線を電源に
接続することにより、セラミックヒータの製造を終了す
る。

【００９１】上記セラミックヒータでは、その上にシリ
コンウエハ等を載置するか、または、シリコンウエハ等
を支持ピンで保持させた後、シリコンウエハ等の加熱や
冷却を行いながら、種々の操作を行うことができる。

【００９２】上記セラミックヒータを製造する際に、セ
ラミック基板の内部に静電電極を設けることにより静電
チャックを製造することができ、また、加熱面にチャッ
クトップ導体層を設け、セラミック基板の内部にガード
電極やグランド電極を設けることによりウエハプローバ
を製造することができる。

【００９３】セラミック基板の内部に電極を設ける場合
には、抵抗発熱体を形成する場合と同様にグリーンシー
トの表面に導体ペースト層を形成すればよい。また、セ
ラミック基板の表面に導体層を形成する場合には、スパ
ッタリング法やめっき法を用いることができ、これらを
併用してもよい。

【００９４】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。（実施例１）セラミックヒータの製造（図５参照）（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ₂ Ｏ
₃ ：イットリア、平均粒径：０．４μｍ）４重量部、ア
クリルバインダ１２重量部およびアルコールからなる組
成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製し
た。

【００９５】（２）次に、この顆粒状の粉末を金型に入
れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。（３）加工処理の終わった生成形体を温度：１８００
℃、圧力：２０ＭＰａでホットプレスし、厚さが３ｍｍ
の窒化アルミニウム焼結体を得た。次に、この焼結体か
ら直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミック性の
板状体（セラミック基板１１）とした（図５（ａ））。

【００９６】次に、この板状体にドリル加工を施し、シ
リコンウエハのリフターピンを挿入する貫通孔１５とな
る部分、熱電対を埋め込むための有底孔１４となる部分
（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。

【００９７】（４）上記（３）で得た焼結体の底面に、
スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パタ
ーンは、図１に示したような同心円形状と屈曲形状とを
組み合わせたパターンとした。導体ペーストとしては、
プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳
力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。

【００９８】この導体ペーストは、銀−鉛ペーストであ
り、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸
化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホ
ウ素（２５重量％）およびアルミナ（５重量％）からな
る金属酸化物を７．５重量部含むものであった。また、
銀粒子は、平均粒径が４．５μｍで、リン片状のもので
あった。

【００９９】（５）次に、導体ペーストを印刷した焼結
体を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、
鉛を焼結させるとともに焼結体に焼き付け、抵抗発熱体
１２を形成した（図５（ｂ））。銀−鉛の抵抗発熱体１
２は、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．
７ｍΩ／□であった。

【０１００】（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン
酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、
ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水
溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（５）で作
製した焼結体を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体２２の表面
に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）（図示せず）
を析出させた。

【０１０１】（７）電源との接続を確保するための外部
端子１７を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、
銀−鉛半田ペースト（田中貴金属社製）を印刷して半田
ペースト層を形成した。ついで、半田ペースト層の上に
コバール製の外部端子１７を載置して、４２０℃で加熱
リフローし、外部端子１７の一端部を抵抗発熱体１２の
表面に取り付けた（図５（ｃ））。

【０１０２】（８）外部端子１７に、導電線を有するソ
ケットを取り付け、温度制御のための熱電対を有底孔に
挿入し、ポリイミド樹脂を充填し、１９０℃で２時間硬
化させた。

【０１０３】（１０）抵抗発熱体１２が形成された底面
１１ｂを、図３に示したようなＡ〜Ｄの領域に区画し、
各領域間の平均距離を測定したところ、Ａ−Ｂ間の平均
距離は、２６ｍｍ、Ｂ−Ｃ間の平均距離は、１８ｍｍ、
Ｃ−Ｄ間の平均距離は、８ｍｍであり、セラミック基板
１１の厚さ（３ｍｍ）の１／２以上であった。

【０１０４】（実施例２）セラミックヒータの製造（図
６参照）（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒
径：１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ
₂ Ｏ₃ ：イットリア、平均粒径：０．４μｍ）４重量
部、アクリルバインダ１１．５重量部、分散剤０．５重
量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアル
コール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクター
ブレード法により成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグ
リーンシート５０を作製した。

【０１０５】（２）次に、このグリーンシート５０を８
０℃で５時間乾燥させた後、シリコンウエハを運搬等す
るリフターピン１６を挿入するための貫通孔２５となる
部分、スルーホール２８となる部分２８０等をパンチン
グにより形成した。

【０１０６】（３）平均粒子径１μｍのタングステンカ
ーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０
重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分
散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製し
た。

【０１０７】平均粒子径３μｍのタングステン粒子１０
０重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テル
ピネオール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部
を混合して導体ペーストＢを調製した。

【０１０８】この導体ペーストＡをグリーンシート上に
スクリーン印刷で印刷し、抵抗発熱体２２用の導体ペー
スト層２２０を形成した。印刷パターンは、図１に示し
たような同心円形状と屈曲形状とを組み合わせたパター
ンとし、導体ペースト層の幅を１０ｍｍ、その厚さを１
２μｍとした。また、スルーホールとなる部分２８０に
導体ペーストＢを充填した。

【０１０９】上記処理の終わったグリーンシートに、タ
ングステンペーストを印刷しないグリーンシートを上側
（加熱面）に３７枚、下側に１３枚、１３０℃、８ＭＰ
ａの圧力で積層した（図６（ａ））。

【０１１０】（４）次に、得られた積層体を窒素ガス
中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５Ｍ
Ｐａで１０時間ホットプレスし、厚さ１５ｍｍの窒化ア
ルミニウム焼結体を得た。これを２３０ｍｍの円板状に
切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍ（アスペクト
比：１６６６）の抵抗発熱体２２およびスルーホール２
８を有するセラミック基板２１とした（図６（ｂ））。

【０１１１】（５）次に、（４）で得られた板状体を、
ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ガラ
スビーズによるブラスト処理で表面に熱電対のための有
底孔を設けた。

【０１１２】（６）さらに、スルーホール２８の真下
を、ドリルでえぐり取って直径１．５ｍｍ、深さ０．５
ｍｍの袋孔２７を形成し、スルーホール２８を露出させ
た（図６（ｃ））。この袋孔３７にコバール製の外部端
子２３を挿入し、Ｎｉ−Ａｕ合金（Ａｕ：８１．５重量
％、Ｎｉ：１８．４重量％、不純物：０．１重量％）か
らなる金ろうを用い、９７０℃で加熱リフローして外部
端子２３の一端部とスルーホール３８とを接続した。さ
らに、外部端子２３に導電線を有するソケット１０を取
り付け、温度制御のための複数の熱電対を有底孔に埋め
込み、ポリイミド樹脂を充填し、１９０℃で２時間硬化
させた。

【０１１３】（７）抵抗発熱体の回路の平面視したパタ
ーンは、図１に示したとおりであった。そこで、この回
路パターンを、図３に示したようなＡ〜Ｄの領域に区画
し、各領域間の平均距離を測定したところ、Ａ−Ｂ間の
平均距離は、６ｍｍ、Ｂ−Ｃ間の平均距離は、５ｍｍ、
Ｃ−Ｄ間の平均距離は、５ｍｍであり、セラミック基板
１１の厚さ（１５ｍｍ）の１／４以上であった。

【０１１４】（比較例１）セラミック基板１１の厚さを
３ｍｍとし、また、抵抗発熱体の回路の平面視したパタ
ーンを、図３に示したようなＡ〜Ｄの領域に区画した
際、Ａ−Ｂ間の平均距離を０．５ｍｍ、Ｂ−Ｃ間の平均
距離を０．５ｍｍ、Ｃ−Ｄ間の平均距離を０．５ｍｍ
と、セラミック基板１１の厚さの１／４未満とした以外
は、実施例１と同様にして、セラミックヒータを製造し
た。

【０１１５】（比較例２）セラミック基板１１の厚さを
１５ｍｍとし、また、抵抗発熱体の回路の平面視したパ
ターンを、図３に示したようなＡ〜Ｄの領域に区画した
際、Ａ−Ｂ間の平均距離を２ｍｍ、Ｂ−Ｃ間の平均距離
を２ｍｍ、Ｃ−Ｄ間の平均距離を３ｍｍと、セラミック
基板１１の厚さの１／４未満とした以外は、実施例２と
同様にして、セラミックヒータを製造した。

【０１１６】この後、実施例および比較例で得られたセ
ラミックヒータに対し、図２に示したような、電源を有
し、制御部、記憶部、演算部を備えた温調器（オムロン
社製Ｅ５ＺＥ）を用い、まず、図７に示すような電流プ
ロフィールで制御を行い、２００℃まで昇温した。そし
て、この時点で２５℃のシリコンウエハを載置し、加熱
面における温度が２００±０．２℃に戻るまでの時間、
および、２００℃に至った後の温度のふれ幅の測定を行
った。その結果を、下記の表１に示す。なお、図７で
は、電力を印加した抵抗発熱体の回路の記号を右側に示
している。

【０１１７】

【表１】

【０１１８】その結果、上記表１に示したように、実施
例１に比べて比較例１の場合は、加熱面の温度が均一に
なるまでの時間が長くなっており、比較例２の場合にも
同様に、実施例２に比べて加熱面の温度が均一になるま
での時間が長くなっている。また、実施例に比べて、比
較例では、温度のふれ幅も大きい。

【０１１９】

【発明の効果】以上説明したように本発明のセラミック
ヒータによれば、各領域間の平均距離は、セラミック基
板の厚さの１／４以上であるので、隣り合う回路同士の
影響が小さくなって加熱面の温度制御が容易になり、加
熱面の温度分布をなくして、より均一な温度とすること
ができる。その結果、半導体ウエハ等の被加熱物をより
均一に加熱することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミックヒータを模式的に示す平面
図である。

【図２】図１に示したセラミックヒータの構成の概要を
示すブロック図である。

【図３】本発明のセラミックヒータを、抵抗発熱体から
なる回路で囲まれた各領域に区画した際のそれぞれの領
域を模式的に示す断面図である。

【図４】本発明のセラミックヒータの別の実施形態を模
式的に示す部分拡大断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のセラミックヒータ
の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のセラミックヒータ
の製造方法の他の一例を模式的に示す断面図である。

【図７】実施例、比較例で得られたセラミックヒータに
電力を印加した際の電力（電流）プロファイルを示すグ
ラフである。

【符号の説明】

１０セラミックヒータ１１、２１セラミック基板１１ａ加熱面１１ｂ、２１ｂ底面１２（１２ａ〜１２ｄ）、２２抵抗発熱体１３端部１４有底孔１５、２５貫通孔１６リフターピン１７、２３外部端子１９シリコンウエハ２４ろう材２７袋孔２８スルーホール１２０金属被覆層

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１３年５月２８日（２００１．５．２
８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の名称

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の名称】半導体製造・検査装置用セラミック
ヒータ

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 3/20 ３２８Ｃ０４Ｂ 35/00 ＪＦターム(参考） 3K034 AA02 AA06 AA08 AA10 AA21 AA22 AA28 AA34 AA35 AA37 BB06 BB14 BC12 BC16 BC17 BC29 CA02 CA15 CA26 DA04 DA08 HA01 HA10 JA01 JA02 3K092 PP09 PP20 QA05 QB02 QB04 QB17 QB18 QB20 QB33 QB37 QB44 QB45 QB69 QB75 QB76 QC02 QC38 QC42 QC43 QC49 QC52 RF03 RF11 RF17 RF22 RF26 RF27 UA05 UA18 VV22 4G030 AA12 AA17 AA36 AA45 AA47 AA49 AA50 AA51 AA52 BA12 GA23 5F045 EK09 EK22 EM02 EM09 EM10 GB16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】２以上の回路からなる抵抗発熱体がセラ
ミック基板の内部または表面に形成されたセラミックヒ
ータであって、前記抵抗発熱体は、２以上の領域に区画
され、前記領域間の平均距離は、前記セラミック基板の
厚さの１／４以上であることを特徴とするセラミックヒ
ータ。
【請求項２】前記抵抗発熱体は、セラミック基板の表
面に形成され、前記抵抗発熱体が形成された面の反対側
面を加熱面とした請求項１に記載のセラミックヒータ。
【請求項３】前記抵抗発熱体は、セラミック基板の内
部に形成され、前記抵抗発熱体は、加熱面の反対側の面
から厚さ方向で６０％以下の位置に形成されている請求
項１に記載のセラミックヒータ。