JP2001332814A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
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Abstract
(57)【要約】
【課題】キンク出力が充分に高い半導体レーザを提供す
ること。 【解決手段】光導波路内の水平横モードにおける０次の
基本モードの利得と１次の高次モードの利得とのモード
利得差をΔgain(cm-1)とし、光導波路を構成する活性層
への基本モード光の光閉じ込め率をΓ(%)として、Δgai
n/Γを８５(cm-1/%)以上とする。
ること。 【解決手段】光導波路内の水平横モードにおける０次の
基本モードの利得と１次の高次モードの利得とのモード
利得差をΔgain(cm-1)とし、光導波路を構成する活性層
への基本モード光の光閉じ込め率をΓ(%)として、Δgai
n/Γを８５(cm-1/%)以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ素子の
製造方法に関し、特にキンク出力の高い光導波路構造を
有する素子に関する。
製造方法に関し、特にキンク出力の高い光導波路構造を
有する素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザでは、注入電流を増加させ
ていくと、光出力−電流特性に非線型性、つまりキンク
が発生する。キンクの発生時に近視野像は変形したり、
平行移動するなどの変化が生じるため、光学系への結合
効率が低下する。エルビウムドープファイバ励起用の半
導体レーザのように、高い結合効率が必要とされる場合
は、キンクの発生による結合効率の低下が、半導体レー
ザ高出力化の一つの制約となっている。
ていくと、光出力−電流特性に非線型性、つまりキンク
が発生する。キンクの発生時に近視野像は変形したり、
平行移動するなどの変化が生じるため、光学系への結合
効率が低下する。エルビウムドープファイバ励起用の半
導体レーザのように、高い結合効率が必要とされる場合
は、キンクの発生による結合効率の低下が、半導体レー
ザ高出力化の一つの制約となっている。
【０００３】従来例として、図1に特開平10-200201号公
報に記載されている0.98μm半導体レーザのSAS(Self-Al
igned Structure)構造を示す。同公報では、この構造の
n-AlGaAs電流ブロック層のAl組成を変化させることで、
キンク出力（キンクが発生する出力）の最適化を行って
いる。Al組成を減少させた場合、等価(実効)屈折率差が
減少し、キンク出力は向上する方向に推移する。しか
し、Al組成の低減は、高温での特性低下につながるた
め、Al組成0.39が最適値で、この時のキンク出力は動作
温度25℃において250mWとなっている。
報に記載されている0.98μm半導体レーザのSAS(Self-Al
igned Structure)構造を示す。同公報では、この構造の
n-AlGaAs電流ブロック層のAl組成を変化させることで、
キンク出力（キンクが発生する出力）の最適化を行って
いる。Al組成を減少させた場合、等価(実効)屈折率差が
減少し、キンク出力は向上する方向に推移する。しか
し、Al組成の低減は、高温での特性低下につながるた
め、Al組成0.39が最適値で、この時のキンク出力は動作
温度25℃において250mWとなっている。
【０００４】ところが、0.98μm半導体レーザに対する
市場の要求は、ますます高出力化していく一方であり、
その要求に応えるためには、250mWのキンク出力でも不
十分になりつつある。より高キンク出力化するため、何
らかの構造上の工夫が必要とされる。
市場の要求は、ますます高出力化していく一方であり、
その要求に応えるためには、250mWのキンク出力でも不
十分になりつつある。より高キンク出力化するため、何
らかの構造上の工夫が必要とされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来は
どのような光導波路構造が高キンク出力化のために適し
ているか、明確になっていなかった。高キンク出力化の
ために光導波路構造を最適化するにしても、その指針が
明確ではなかった。
どのような光導波路構造が高キンク出力化のために適し
ているか、明確になっていなかった。高キンク出力化の
ために光導波路構造を最適化するにしても、その指針が
明確ではなかった。
【０００６】かかる事情に鑑み、本発明は、キンク出力
が充分に高い半導体レーザを提供することを課題とす
る。
が充分に高い半導体レーザを提供することを課題とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明によれば、以下の半導体レーザが提供される。
明によれば、以下の半導体レーザが提供される。
【０００８】［１］基板上に形成された活性層の少なく
とも一部を含む光導波路を有する半導体レーザであっ
て、前記光導波路内の水平横モードにおける０次の基本
モードおよび１次の高次モードの利得のモード利得差を
Δgain(cm-1)とし、前記光導波路内にある前記活性層へ
の前記基本モードの光の光閉じ込め率をΓ(%)としたと
きに、Δgain/Γが８５(cm-1/%)以上であることを特徴
とする半導体レーザ。
とも一部を含む光導波路を有する半導体レーザであっ
て、前記光導波路内の水平横モードにおける０次の基本
モードおよび１次の高次モードの利得のモード利得差を
Δgain(cm-1)とし、前記光導波路内にある前記活性層へ
の前記基本モードの光の光閉じ込め率をΓ(%)としたと
きに、Δgain/Γが８５(cm-1/%)以上であることを特徴
とする半導体レーザ。
【０００９】［２］［１］に記載の半導体レーザにおい
て、前記活性層の上部および下部の少なくとも一方に、
光閉じ込め層を含む複数の層からなるクラッド層が形成
されたことを特徴とする半導体レーザ。
て、前記活性層の上部および下部の少なくとも一方に、
光閉じ込め層を含む複数の層からなるクラッド層が形成
されたことを特徴とする半導体レーザ。
【００１０】［３］［１］または［２］に記載の半導体
レーザにおいて、前記活性層が量子井戸構造を有し、量
子井戸一個あたりの基本モード光の光閉じ込め率が０．
５％以下であることを特徴とする半導体レーザ。
レーザにおいて、前記活性層が量子井戸構造を有し、量
子井戸一個あたりの基本モード光の光閉じ込め率が０．
５％以下であることを特徴とする半導体レーザ。
【００１１】［４］基板全面に下部クラッド層および活
性層がこの順で積層し、該活性層の上部に、光導波方向
にストライプ形状に加工されたストライプ部を含む上部
クラッド層と、該ストライプ部の両脇に形成され活性層
に注入する電流を狭窄する電流ブロック層とを備え、該
ストライプ部に沿って該活性層の一部を含む光導波路が
形成される半導体レーザであって、前記光導波路内の水
平横モードにおける０次の基本モードおよび１次の高次
モードの利得のモード利得差をΔgain(cm-1)とし、前記
光導波路内にある前記活性層への前記基本モードの光の
光閉じ込め率をΓ(%)としたときに、Δgain/Γが８５(c
m-1/%)以上であることを特徴とする半導体レーザ。
性層がこの順で積層し、該活性層の上部に、光導波方向
にストライプ形状に加工されたストライプ部を含む上部
クラッド層と、該ストライプ部の両脇に形成され活性層
に注入する電流を狭窄する電流ブロック層とを備え、該
ストライプ部に沿って該活性層の一部を含む光導波路が
形成される半導体レーザであって、前記光導波路内の水
平横モードにおける０次の基本モードおよび１次の高次
モードの利得のモード利得差をΔgain(cm-1)とし、前記
光導波路内にある前記活性層への前記基本モードの光の
光閉じ込め率をΓ(%)としたときに、Δgain/Γが８５(c
m-1/%)以上であることを特徴とする半導体レーザ。
【００１２】［５］［４］に記載の半導体レーザにおい
て、前記活性層の上部および下部の少なくとも一方に、
光閉じ込め層を含む複数の層からなるクラッド層が形成
されたことを特徴とする半導体レーザ。
て、前記活性層の上部および下部の少なくとも一方に、
光閉じ込め層を含む複数の層からなるクラッド層が形成
されたことを特徴とする半導体レーザ。
【００１３】［６］［４］または［５］に記載の半導体
レーザにおいて、前記活性層が量子井戸構造を有し、量
子井戸一個あたりの基本モード光の光閉じ込め率が０．
５％以下であることを特徴とする半導体レーザ。
レーザにおいて、前記活性層が量子井戸構造を有し、量
子井戸一個あたりの基本モード光の光閉じ込め率が０．
５％以下であることを特徴とする半導体レーザ。
【００１４】本発明は、基本モードと高次モードのモー
ド利得差Δgain(cm-1)を、基本モードにおける活性層の
光閉じ込め率Γ(多重量子井戸の場合は個々の量子井戸
の閉じ込め率の総和)で割った値、Δgain/Γをキンク出
力の指標とし、半導体レーザの光導波路を、この値がよ
り大きくなるような光導波路構造にすることで、キンク
出力の向上を実現するものである。
ド利得差Δgain(cm-1)を、基本モードにおける活性層の
光閉じ込め率Γ(多重量子井戸の場合は個々の量子井戸
の閉じ込め率の総和)で割った値、Δgain/Γをキンク出
力の指標とし、半導体レーザの光導波路を、この値がよ
り大きくなるような光導波路構造にすることで、キンク
出力の向上を実現するものである。
【００１５】モード利得差Δgainがキンク出力の大小を
左右するひとつの要因であることは、これまでにも文献
等で指摘されてはいた。しかし、本発明者の実験データ
によれば、Δgainの大小はキンク出力の大小と必ずしも
一致していない。この原因について本発明者は以下のよ
うに考察している。すなわち、Γの大きな構造はΔgain
を大きくしやすい傾向があり、そのような構造ではΔga
inを大きく取っても、その効果をΓが打ち消してしま
う。このため、Δgainの大小とキンク出力の大小が整合
しないものと考察している。本発明は、かかる考察を踏
まえ、Δgain/Γの値を一定値以上とすることによりキ
ンク出力を大きくしている。
左右するひとつの要因であることは、これまでにも文献
等で指摘されてはいた。しかし、本発明者の実験データ
によれば、Δgainの大小はキンク出力の大小と必ずしも
一致していない。この原因について本発明者は以下のよ
うに考察している。すなわち、Γの大きな構造はΔgain
を大きくしやすい傾向があり、そのような構造ではΔga
inを大きく取っても、その効果をΓが打ち消してしま
う。このため、Δgainの大小とキンク出力の大小が整合
しないものと考察している。本発明は、かかる考察を踏
まえ、Δgain/Γの値を一定値以上とすることによりキ
ンク出力を大きくしている。
【００１６】Δgain/Γを大きく取るための構造上の工
夫としては、クラッド層を多層構造にすることや、光導
波路構造を非対称にすることが有効と考えられる。たと
えば、クラッド層を組成の異なる複数の層により構成し
た場合、これらの層のうち屈折率の高い層が光閉じ込め
領域として機能することとなる。この光閉じ込め領域へ
の光閉じ込め率を、ストライプの内外（光導波路領域の
内外）で変化させることにより、活性層内の水平横モー
ドの制御が良好となり、モード利得差Δgainを大きくす
ることができる。
夫としては、クラッド層を多層構造にすることや、光導
波路構造を非対称にすることが有効と考えられる。たと
えば、クラッド層を組成の異なる複数の層により構成し
た場合、これらの層のうち屈折率の高い層が光閉じ込め
領域として機能することとなる。この光閉じ込め領域へ
の光閉じ込め率を、ストライプの内外（光導波路領域の
内外）で変化させることにより、活性層内の水平横モー
ドの制御が良好となり、モード利得差Δgainを大きくす
ることができる。
【００１７】本発明は、上記［４］のように、上部クラ
ッド層の少なくとも一部にストライプ部を設け、その両
脇に電流ブロック層を設けた構成に適用した場合、より
効果的である。すなわち、上部クラッド層にリッジ部や
メサ部の形成されたリッジ型導波路型構造あるいはＳＡ
Ｓ構造に適用した場合、より顕著な効果を発揮する。こ
れらの構造の半導体レーザでは、基板の全面に活性層が
形成され、その上部に、光導波方向にストライプ形状に
加工されたストライプ部を含むクラッド層が形成され
る。このストライプ部の両脇には活性層に注入する電流
を狭窄する電流ブロック層が形成される。光導波路は、
このストライプ部に沿って形成される。このような構造
をとることにより、電流狭窄と光の閉じ込めを同時に実
現し、比較的安定な水平横モードを実現することができ
る。また、活性層の両脇に電流狭窄層を設けた埋め込み
型のレーザ構造に比べ、製造プロセスが簡便であり、光
導波路の屈折率の制御性に優れる上、電流狭窄層におけ
る漏れ電流の対策が不要となる等の利点を有する。
ッド層の少なくとも一部にストライプ部を設け、その両
脇に電流ブロック層を設けた構成に適用した場合、より
効果的である。すなわち、上部クラッド層にリッジ部や
メサ部の形成されたリッジ型導波路型構造あるいはＳＡ
Ｓ構造に適用した場合、より顕著な効果を発揮する。こ
れらの構造の半導体レーザでは、基板の全面に活性層が
形成され、その上部に、光導波方向にストライプ形状に
加工されたストライプ部を含むクラッド層が形成され
る。このストライプ部の両脇には活性層に注入する電流
を狭窄する電流ブロック層が形成される。光導波路は、
このストライプ部に沿って形成される。このような構造
をとることにより、電流狭窄と光の閉じ込めを同時に実
現し、比較的安定な水平横モードを実現することができ
る。また、活性層の両脇に電流狭窄層を設けた埋め込み
型のレーザ構造に比べ、製造プロセスが簡便であり、光
導波路の屈折率の制御性に優れる上、電流狭窄層におけ
る漏れ電流の対策が不要となる等の利点を有する。
【００１８】ところが、このような構造の半導体レーザ
では、活性層がストライプ外部（光導波路領域の外側）
にも続いているため、電流狭窄構造が設けられているス
トライプ外部においても、キャリアの拡散や横漏れ電流
によってキャリアが注入される。高出力動作時には注入
電流も大きいため、本来なら光のモードに対して損失と
なるはずのストライプ外の周辺領域でも利得が発生す
る。このため実質的なメサ幅が増大することから、高次
のモードの利得も増大しやすいため、キンクの発生を促
すことになる。
では、活性層がストライプ外部（光導波路領域の外側）
にも続いているため、電流狭窄構造が設けられているス
トライプ外部においても、キャリアの拡散や横漏れ電流
によってキャリアが注入される。高出力動作時には注入
電流も大きいため、本来なら光のモードに対して損失と
なるはずのストライプ外の周辺領域でも利得が発生す
る。このため実質的なメサ幅が増大することから、高次
のモードの利得も増大しやすいため、キンクの発生を促
すことになる。
【００１９】これに対し、本発明によれば、(基本モー
ドと高次モードのモード利得差)/(基本モードの活性層
での光閉じ込め率)、すなわちΔgain/Γを十分に大きく
した光導波路構造を採用しているため、半導体レーザの
キンク出力を充分に高くすることができ、上記課題が解
決される。Δgain/Γは、クラッド層の層構造を調節す
る等の手法により大きくすることができる。
ドと高次モードのモード利得差)/(基本モードの活性層
での光閉じ込め率)、すなわちΔgain/Γを十分に大きく
した光導波路構造を採用しているため、半導体レーザの
キンク出力を充分に高くすることができ、上記課題が解
決される。Δgain/Γは、クラッド層の層構造を調節す
る等の手法により大きくすることができる。
【００２０】本発明は、上記のようにΔgain/Γが８５
(cm-1/%)以上とするものであるが、望ましくは９５(cm-
1/%)以上、より望ましくは１００(cm-1/%)以上とする。
これにより、キンク出力をより充分に高くすることがで
きる。
(cm-1/%)以上とするものであるが、望ましくは９５(cm-
1/%)以上、より望ましくは１００(cm-1/%)以上とする。
これにより、キンク出力をより充分に高くすることがで
きる。
【００２１】
【発明の実施の形態】Δgain/Γを大きくするために
は、モード利得差Δgainを大きく、かつΓを小さくする
必要がある。しかし、Γを小さくする設計に関しては、
素子のスロープ効率低下など特性の低下にもつながるた
め限界がある。最も重要なのはΔgainを大きく取れる光
導波路構造にすることである。この光導波路構造の設計
に関し、特にSASもしくはリッジ型構造を例に説明す
る。
は、モード利得差Δgainを大きく、かつΓを小さくする
必要がある。しかし、Γを小さくする設計に関しては、
素子のスロープ効率低下など特性の低下にもつながるた
め限界がある。最も重要なのはΔgainを大きく取れる光
導波路構造にすることである。この光導波路構造の設計
に関し、特にSASもしくはリッジ型構造を例に説明す
る。
【００２２】図２に示す半導体レーザでは、ストライプ
周辺部での利得を低減させるため、SCH(separate confi
nement heterostructure)の活性層の両側に存在するク
ラッド層を多層構造にし、クラッド層の内部には比較的
高屈折率の層を設けるという手法を取った。そして、活
性層上部のクラッド層はリッジ部を有しており、このリ
ッジの設けられた部分に沿って光導波路が形成される。
周辺部での利得を低減させるため、SCH(separate confi
nement heterostructure)の活性層の両側に存在するク
ラッド層を多層構造にし、クラッド層の内部には比較的
高屈折率の層を設けるという手法を取った。そして、活
性層上部のクラッド層はリッジ部を有しており、このリ
ッジの設けられた部分に沿って光導波路が形成される。
【００２３】この半導体レーザは３層構造の例を示して
おり、高屈折率層の両側に低屈折率層を組み合わせたク
ラッド構造となっている。クラッドを多層構造にするこ
とで、活性層以外にも、pおよびnの両側のクラッド層で
も光閉じ込めを行う構造になっている。ストライプ内
（光導波路領域）での光閉じ込めの中心はあくまでも活
性層であるが、ストライプ外ではn側のクラッド層に大
部分の光を閉じ込めている。これは、ストライプ外では
p側に低屈折率の光閉じ込めのための構造が存在するた
め、光強度プロファイルはn側に偏るからである。ｎ側
クラッドに光を閉じ込める構造を作ることで、ストライ
プの内側と外側での活性層近傍における光強度の変化を
大きく取っているわけである。すなわち、ストライプの
内側の領域（光導波路領域）では、活性層上部にｐ型ク
ラッド層のリッジ部が設けられており、高屈折率層を含
むクラッド層が活性層の上下にそれぞれ配置された形態
となっている。このため活性層を中心に光が分布するこ
ととなる。これに対し、ストライプの外側の領域（光導
波路領域の外側）では高屈折率層を含むクラッド層が活
性層の下方にのみ形成された形態となっているため、主
として活性層と下部クラッド層に光が分布することにな
る。このため、活性層内の水平方向の光分布に注目する
と、ストライプの内側では光強度が高く、ストライプの
外側では光強度が弱くなる。これにより、活性層内の水
平横モードの制御が良好となり、モード利得差Δgainを
大きくすることができるのである。
おり、高屈折率層の両側に低屈折率層を組み合わせたク
ラッド構造となっている。クラッドを多層構造にするこ
とで、活性層以外にも、pおよびnの両側のクラッド層で
も光閉じ込めを行う構造になっている。ストライプ内
（光導波路領域）での光閉じ込めの中心はあくまでも活
性層であるが、ストライプ外ではn側のクラッド層に大
部分の光を閉じ込めている。これは、ストライプ外では
p側に低屈折率の光閉じ込めのための構造が存在するた
め、光強度プロファイルはn側に偏るからである。ｎ側
クラッドに光を閉じ込める構造を作ることで、ストライ
プの内側と外側での活性層近傍における光強度の変化を
大きく取っているわけである。すなわち、ストライプの
内側の領域（光導波路領域）では、活性層上部にｐ型ク
ラッド層のリッジ部が設けられており、高屈折率層を含
むクラッド層が活性層の上下にそれぞれ配置された形態
となっている。このため活性層を中心に光が分布するこ
ととなる。これに対し、ストライプの外側の領域（光導
波路領域の外側）では高屈折率層を含むクラッド層が活
性層の下方にのみ形成された形態となっているため、主
として活性層と下部クラッド層に光が分布することにな
る。このため、活性層内の水平方向の光分布に注目する
と、ストライプの内側では光強度が高く、ストライプの
外側では光強度が弱くなる。これにより、活性層内の水
平横モードの制御が良好となり、モード利得差Δgainを
大きくすることができるのである。
【００２４】このように本発明の半導体レーザにおいて
は、ストライプ外の周辺部で活性層における光強度が弱
く抑えられ、キンクの発生につながるストライプ周辺に
発生する利得の影響を受けにくい。
は、ストライプ外の周辺部で活性層における光強度が弱
く抑えられ、キンクの発生につながるストライプ周辺に
発生する利得の影響を受けにくい。
【００２５】上記のようにストライプ内とストライプ外
での光強度の変化を大きく取るためには、光導波路の垂
直方向の構造を、活性層を挟んで非対称にすることも有
効である。これにより、クラッド層内への光閉じ込め率
を調整する際の設計の自由度が大きくなり、活性層内の
水平横モードを良好に制御してモード利得差Δgainを充
分に大きくすることが可能となる。ｎ側のクラッド層で
の光閉じ込めを強くしておくと、ストライプ内側では活
性層とｎ側クラッド層で光を閉じ込めるが、ストライプ
外側ではほぼn側クラッドのみの閉じ込めとなり、活性
層での光強度変化が大きく取れる。
での光強度の変化を大きく取るためには、光導波路の垂
直方向の構造を、活性層を挟んで非対称にすることも有
効である。これにより、クラッド層内への光閉じ込め率
を調整する際の設計の自由度が大きくなり、活性層内の
水平横モードを良好に制御してモード利得差Δgainを充
分に大きくすることが可能となる。ｎ側のクラッド層で
の光閉じ込めを強くしておくと、ストライプ内側では活
性層とｎ側クラッド層で光を閉じ込めるが、ストライプ
外側ではほぼn側クラッドのみの閉じ込めとなり、活性
層での光強度変化が大きく取れる。
【００２６】
【実施例】以下、実施例により本発明についてさらに詳
細に説明する。各実施例において、光導波路内の水平横
モードにおける０次の基本モードの利得と１次の高次モ
ードの利得とのモード利得差をΔgain(cm-1)とし、光導
波路を構成する活性層への基本モード光の光閉じ込め率
をΓ(%)とする。
細に説明する。各実施例において、光導波路内の水平横
モードにおける０次の基本モードの利得と１次の高次モ
ードの利得とのモード利得差をΔgain(cm-1)とし、光導
波路を構成する活性層への基本モード光の光閉じ込め率
をΓ(%)とする。
【００２７】（ΔgainおよびΓの解析方法）Δgainの具
体的な解析方法は、以下のような非発光性再結合、誘導
放出、キャリアの拡散、横漏れ電流を考慮したレート方
程式を用いるのが一般的である。
体的な解析方法は、以下のような非発光性再結合、誘導
放出、キャリアの拡散、横漏れ電流を考慮したレート方
程式を用いるのが一般的である。
【００２８】
【数１】
【００２９】ただし、Jは横漏れ電流を考慮した注入電
流密度、qは素電荷、ｄは活性層層厚、Dは拡散係数、N
はキャリア密度、Pは光強度分布、Jeはストライプ部分
の注入電流密度、Lは横方向への広がり、Wはストライプ
幅を表す。R、ｇはそれぞれキャリア密度分布N(x)の関
数でキャリアの寿命、光の利得を表し、以下の式を用い
た。
流密度、qは素電荷、ｄは活性層層厚、Dは拡散係数、N
はキャリア密度、Pは光強度分布、Jeはストライプ部分
の注入電流密度、Lは横方向への広がり、Wはストライプ
幅を表す。R、ｇはそれぞれキャリア密度分布N(x)の関
数でキャリアの寿命、光の利得を表し、以下の式を用い
た。
【００３０】
【数２】
【００３１】τは非発光性再結合の時定数であり、Bは
自然放出によるキャリアの再結合を表す。Γは活性層に
おける光閉じ込め率、ｖは光の群速度、ζは微分利得、
N0は反転分布キャリア密度を表す。利得gは高電流注入
時の飽和の効果を取り入れたものになっている。
自然放出によるキャリアの再結合を表す。Γは活性層に
おける光閉じ込め率、ｖは光の群速度、ζは微分利得、
N0は反転分布キャリア密度を表す。利得gは高電流注入
時の飽和の効果を取り入れたものになっている。
【００３２】これらの式から、キャリア密度の分布を求
めた。この結果から、光導波路の屈折率分布に利得・損
失分布を加え、光導波路のモード解析を行い、基本モー
ドと高次モードの利得差を計算した。モード利得差は、
注入電流の大きさ等の動作条件により変化するが、100m
Wの光出力時を仮定した。式中の各パラメータは実際の
計算では、D=10(cm2s-1)、τ=10(ns)、B=1×10-10(cm3s
-1)、ζ=1500(cm-1)、N0=1×1018(cm-3)とした。
めた。この結果から、光導波路の屈折率分布に利得・損
失分布を加え、光導波路のモード解析を行い、基本モー
ドと高次モードの利得差を計算した。モード利得差は、
注入電流の大きさ等の動作条件により変化するが、100m
Wの光出力時を仮定した。式中の各パラメータは実際の
計算では、D=10(cm2s-1)、τ=10(ns)、B=1×10-10(cm3s
-1)、ζ=1500(cm-1)、N0=1×1018(cm-3)とした。
【００３３】この計算の光のモード解析において、等価
屈折率法のような近似的計算手法を用いると、光導波路
構造の微妙な違いが評価できない可能性がある。有限要
素法や有限差分法といった2次元的なモード解析手法が
望ましい。本実施例では、有限差分法による2次元モー
ド解析を用いた。
屈折率法のような近似的計算手法を用いると、光導波路
構造の微妙な違いが評価できない可能性がある。有限要
素法や有限差分法といった2次元的なモード解析手法が
望ましい。本実施例では、有限差分法による2次元モー
ド解析を用いた。
【００３４】また、光導波路が高次モードの発生しない
カットオフ条件になっている時は、光のモードの解析結
果がうまく収束しない。その場合はストライプ幅を若干
増やすなどの方法によって、解析結果を収束させること
が可能である。その場合、モード利得差の正確な評価に
はならないが、同様の解を収束しやすく操作した構造同
士での相対的な評価は可能である。
カットオフ条件になっている時は、光のモードの解析結
果がうまく収束しない。その場合はストライプ幅を若干
増やすなどの方法によって、解析結果を収束させること
が可能である。その場合、モード利得差の正確な評価に
はならないが、同様の解を収束しやすく操作した構造同
士での相対的な評価は可能である。
【００３５】またΓの計算において、活性層の多重量子
井戸のような場合、それぞれの量子井戸における光閉じ
込め率をすべて足し合わせた総和の値を用いた。
井戸のような場合、それぞれの量子井戸における光閉じ
込め率をすべて足し合わせた総和の値を用いた。
【００３６】[実施例１]本実施例の半導体レーザの構造
を図3に示す。0.98μm半導体レーザを埋込リッジ型導波
路で設計したものである。n-GaAs基板上にnクラッド
層、SCH層、pクラッド層を順次結晶成長する。具体的な
層構造はnクラッド層が、n-Al0.35Ga0.65As(1000nm)外
側クラッド層12、n-Al0.2Ga0.8As(700nm)インナークラ
ッド層13、n-Al0.35Ga0.65As(200nm)内側クラッド層14
が積層し、SCH層が、n-Al0.2Ga0.8As(100nm)層15、Al
0.1Ga0.9As(40nm)層16、InGaAs/GaAs=4.1/5nmのDQW(Dou
ble Quantum Well)活性層17、Al0.1Ga0.9As(40nm)層1
8、p-Al0.2Ga0.8As(100nm)層19からなる。pクラッドはp
-Al0.35Ga0.65As(200nm)内側クラッド層20、p-Al0.2Ga
0.8As(700nm)インナークラッド層21、p-Al0.35Ga0.65As
(1000nm)外側クラッド層22となっている。p、n側とも
に、高屈折率(Al0.2Ga0.8As)のインナークラッド層を低
屈折率層(Al0.35Ga0.65As)で挟んだ3層構造のクラッド
層になっている。光導波路を含む垂直方向の屈折率分布
は、活性層を挟んで対称形となっている。また、p側の
内側クラッド層20をエッチストップ層とすることで、ウ
ェットエッチングによる制御性の良いメサの形成が可能
としている。メサ形成後、n-Al0.35Ga0.65As埋込層23
（電流ブロック層）で埋込成長を行うことでリッジ型導
波路、電流狭窄構造を形成している。モード利得差の計
算結果は、Δgain/Γ=87.60cm-1/%となった。活性層は
２つの量子井戸からなり、量子井戸一個あたりの基本モ
ード光の光閉じ込め率Γは、0.394%であった。
を図3に示す。0.98μm半導体レーザを埋込リッジ型導波
路で設計したものである。n-GaAs基板上にnクラッド
層、SCH層、pクラッド層を順次結晶成長する。具体的な
層構造はnクラッド層が、n-Al0.35Ga0.65As(1000nm)外
側クラッド層12、n-Al0.2Ga0.8As(700nm)インナークラ
ッド層13、n-Al0.35Ga0.65As(200nm)内側クラッド層14
が積層し、SCH層が、n-Al0.2Ga0.8As(100nm)層15、Al
0.1Ga0.9As(40nm)層16、InGaAs/GaAs=4.1/5nmのDQW(Dou
ble Quantum Well)活性層17、Al0.1Ga0.9As(40nm)層1
8、p-Al0.2Ga0.8As(100nm)層19からなる。pクラッドはp
-Al0.35Ga0.65As(200nm)内側クラッド層20、p-Al0.2Ga
0.8As(700nm)インナークラッド層21、p-Al0.35Ga0.65As
(1000nm)外側クラッド層22となっている。p、n側とも
に、高屈折率(Al0.2Ga0.8As)のインナークラッド層を低
屈折率層(Al0.35Ga0.65As)で挟んだ3層構造のクラッド
層になっている。光導波路を含む垂直方向の屈折率分布
は、活性層を挟んで対称形となっている。また、p側の
内側クラッド層20をエッチストップ層とすることで、ウ
ェットエッチングによる制御性の良いメサの形成が可能
としている。メサ形成後、n-Al0.35Ga0.65As埋込層23
（電流ブロック層）で埋込成長を行うことでリッジ型導
波路、電流狭窄構造を形成している。モード利得差の計
算結果は、Δgain/Γ=87.60cm-1/%となった。活性層は
２つの量子井戸からなり、量子井戸一個あたりの基本モ
ード光の光閉じ込め率Γは、0.394%であった。
【００３７】実際に素子を作製・測定した結果、共振器
長890μmで、平均キンク出力285mWが得られた。この時
のメサ幅は2.8μmである。
長890μmで、平均キンク出力285mWが得られた。この時
のメサ幅は2.8μmである。
【００３８】[実施例２]本実施例の半導体レーザの構造
を図４に示す。実施例１と同様に0.98μmの埋込型リッ
ジ導波路である。実施例１と大きく異なる点は光導波路
層を含む垂直方向の屈折率構造が非対称になっている点
である。p側のインナークラッド層34への閉じ込めはス
トライプ内でも弱く、主として活性層およびn側のクラ
ッドに光が閉じこもりやすい様になっている。その一方
で、ストライプ外ではほとんどｎ側クラッドに光を閉じ
込める。また、ｎ側クラッド層は4層構造になってい
る。実施例2の層構造は、n-Al0.35Ga0.65As(1000nm)n外
側クラッド層24、n-Al0.2Ga0 .8As(800nm)外側nインナー
クラッド層25、n-Al0.15Ga0.85As(350nm)nインナークラ
ッド層26、n-Al0.35Ga0.65As(100nm)n内側クラッド層2
7、n-Al0.2Ga0.8As(100nm)層28、Al0.1Ga0.9As(60nm)層
29、InGaAs/GaAs=4.1/5nmの多重量子井戸活性層30、Al
0.1Ga0.9As(60nm)層31、p-Al0.2Ga0.8As(100nm)層32、p
-Al0.35Ga0.65As(100nm)p内側クラッド層33、p-Al0.15G
a0.8As(375nm) pインナークラッド層34、p-Al0.35Ga
0.65As(1000nm)外側クラッド層35となっている。この構
造で、メサ形成後、n-Al0.35Ga0.65As埋込層36（電流ブ
ロック層）で埋込成長を行うことでリッジ型導波路構造
を形成している。解析の結果はΔgain/Γ=98.68cm-1/%
となった。活性層は２つの量子井戸からなり、量子井戸
一個あたりの基本モード光の光閉じ込め率Γは、0.385%
であった。
を図４に示す。実施例１と同様に0.98μmの埋込型リッ
ジ導波路である。実施例１と大きく異なる点は光導波路
層を含む垂直方向の屈折率構造が非対称になっている点
である。p側のインナークラッド層34への閉じ込めはス
トライプ内でも弱く、主として活性層およびn側のクラ
ッドに光が閉じこもりやすい様になっている。その一方
で、ストライプ外ではほとんどｎ側クラッドに光を閉じ
込める。また、ｎ側クラッド層は4層構造になってい
る。実施例2の層構造は、n-Al0.35Ga0.65As(1000nm)n外
側クラッド層24、n-Al0.2Ga0 .8As(800nm)外側nインナー
クラッド層25、n-Al0.15Ga0.85As(350nm)nインナークラ
ッド層26、n-Al0.35Ga0.65As(100nm)n内側クラッド層2
7、n-Al0.2Ga0.8As(100nm)層28、Al0.1Ga0.9As(60nm)層
29、InGaAs/GaAs=4.1/5nmの多重量子井戸活性層30、Al
0.1Ga0.9As(60nm)層31、p-Al0.2Ga0.8As(100nm)層32、p
-Al0.35Ga0.65As(100nm)p内側クラッド層33、p-Al0.15G
a0.8As(375nm) pインナークラッド層34、p-Al0.35Ga
0.65As(1000nm)外側クラッド層35となっている。この構
造で、メサ形成後、n-Al0.35Ga0.65As埋込層36（電流ブ
ロック層）で埋込成長を行うことでリッジ型導波路構造
を形成している。解析の結果はΔgain/Γ=98.68cm-1/%
となった。活性層は２つの量子井戸からなり、量子井戸
一個あたりの基本モード光の光閉じ込め率Γは、0.385%
であった。
【００３９】実際に素子を作製・測定した結果、共振器
長890μmで平均キンク出力328mW、共振器長1200μmで平
均キンク出力346mWが得られた。
長890μmで平均キンク出力328mW、共振器長1200μmで平
均キンク出力346mWが得られた。
【００４０】本実施例のようにｎ側クラッド層での光閉
じ込め率を増加させると、活性層中の導波路領域におけ
る光閉じ込め率と、その両側の領域における光閉じ込め
率との差がより顕著となり、この結果、モード利得差Δ
gainを大きくするのに有利となる。しかしながら、ｎ側
クラッド層での光閉じ込め率を極端に大きくすると、n
側クラッド層はp側にある光閉じ込め構造の影響を受け
にくくなり、この結果、ｎ側クラッド層を中心に光強度
分布がストライプ外へ広がりやすくなる。この光の広が
りに引っ張られる形で活性層近傍でも、光がストライプ
外へ広がる傾向があるため、ストライプ周辺部での利得
の影響を受けやすくなる。
じ込め率を増加させると、活性層中の導波路領域におけ
る光閉じ込め率と、その両側の領域における光閉じ込め
率との差がより顕著となり、この結果、モード利得差Δ
gainを大きくするのに有利となる。しかしながら、ｎ側
クラッド層での光閉じ込め率を極端に大きくすると、n
側クラッド層はp側にある光閉じ込め構造の影響を受け
にくくなり、この結果、ｎ側クラッド層を中心に光強度
分布がストライプ外へ広がりやすくなる。この光の広が
りに引っ張られる形で活性層近傍でも、光がストライプ
外へ広がる傾向があるため、ストライプ周辺部での利得
の影響を受けやすくなる。
【００４１】以上のことから、ｎ側クラッド層での光閉
じ込め率が適度に高くなるように、多層クラッド層の各
層厚および組成を微調整することが重要となる。
じ込め率が適度に高くなるように、多層クラッド層の各
層厚および組成を微調整することが重要となる。
【００４２】[実施例３]本実施例の半導体レーザの構造
を図５に示す。実施例2と同様に0.98μmの非対称導波路
構造の埋込型リッジ導波路である。ストライプ内でn側
クラッド層に光が閉じこもりすぎないように、一部をの
ぞき屈折率をやや低めに設定した。
を図５に示す。実施例2と同様に0.98μmの非対称導波路
構造の埋込型リッジ導波路である。ストライプ内でn側
クラッド層に光が閉じこもりすぎないように、一部をの
ぞき屈折率をやや低めに設定した。
【００４３】実施例3の層構造は、n-Al0.35Ga0.65As(10
00nm)n外側クラッド層37、n-Al0.2Ga0.8As(800nm)外側n
インナークラッド層38、n-Al0.15Ga0.85As(375nm)nイン
ナークラッド層39、n-Al0.2Ga0.8As(50nm)内側nインナ
ークラッド層40、n-Al0.35Ga0 .65As(100nm)n内側クラッ
ド層41、n-Al0.2Ga0.8As(100nm)層42、Al0.1Ga0.9As(65
nm)層43、InGaAs/GaAs=4.1/5nmの多重量子井戸活性層4
4、Al0.1Ga0.9As(65nm)層45、p-Al0.2Ga0.8As(100nm)層
46、p-Al0.35Ga0.65As(100nm)p内側クラッド層47、p-Al
0.15Ga0.85As(450nm)pインナークラッド層48、p-Al0.35
Ga0.65As(1000nm)外側クラッド層49となっている。この
構造で、p側の内側クラッド層47をエッチストップ層に
用い、メサ形成後、n-Al0.35Ga0.65As埋込層50（電流ブ
ロック層）で埋込成長を行うことでリッジ型導波路を形
成した構造である。解析の結果はΔgain/Γ=100.42cm-1
/%となった。活性層は２つの量子井戸からなり、量子井
戸一個あたりの基本モード光の光閉じ込め率Γは、0.36
2%であった。
00nm)n外側クラッド層37、n-Al0.2Ga0.8As(800nm)外側n
インナークラッド層38、n-Al0.15Ga0.85As(375nm)nイン
ナークラッド層39、n-Al0.2Ga0.8As(50nm)内側nインナ
ークラッド層40、n-Al0.35Ga0 .65As(100nm)n内側クラッ
ド層41、n-Al0.2Ga0.8As(100nm)層42、Al0.1Ga0.9As(65
nm)層43、InGaAs/GaAs=4.1/5nmの多重量子井戸活性層4
4、Al0.1Ga0.9As(65nm)層45、p-Al0.2Ga0.8As(100nm)層
46、p-Al0.35Ga0.65As(100nm)p内側クラッド層47、p-Al
0.15Ga0.85As(450nm)pインナークラッド層48、p-Al0.35
Ga0.65As(1000nm)外側クラッド層49となっている。この
構造で、p側の内側クラッド層47をエッチストップ層に
用い、メサ形成後、n-Al0.35Ga0.65As埋込層50（電流ブ
ロック層）で埋込成長を行うことでリッジ型導波路を形
成した構造である。解析の結果はΔgain/Γ=100.42cm-1
/%となった。活性層は２つの量子井戸からなり、量子井
戸一個あたりの基本モード光の光閉じ込め率Γは、0.36
2%であった。
【００４４】実際に素子を作製・測定した結果、共振器
長が890μmおよび1200μmに対し、それぞれ平均キンク
出力289、379mWが得られた。
長が890μmおよび1200μmに対し、それぞれ平均キンク
出力289、379mWが得られた。
【００４５】比較例1〜2 多層クラッドと非対称光導波路構造を用いてはいるが、
構造の最適化が不十分で、キンク出力が低い構造を、比
較例1〜2として、構造をそれぞれ表1〜2に示す。DQW以
外の層はすべてAlGaAsであり、表中ではAl組成の値で材
料を表している。Δgain/Γの計算結果とキンク出力の
測定結果は、比較例1が72.26cm-1/%、226mW、比較例2が
61.66cm-1/%、153mWである。
構造の最適化が不十分で、キンク出力が低い構造を、比
較例1〜2として、構造をそれぞれ表1〜2に示す。DQW以
外の層はすべてAlGaAsであり、表中ではAl組成の値で材
料を表している。Δgain/Γの計算結果とキンク出力の
測定結果は、比較例1が72.26cm-1/%、226mW、比較例2が
61.66cm-1/%、153mWである。
【００４６】
【表１】
【００４７】
【表２】
【００４８】実施例1〜3および比較例１〜2と先述の従
来例から、図7のようなΔgain/Γとキンク出力の相関関
係が得られた。多層クラッド構造を用いることで、層構
造の最適化次第では、従来例の最適化された値である25
0mWよりも高いキンク出力を実現可能である。特にキン
ク出力の高い構造は、さらに非対称構造を用いることに
よって可能となった。
来例から、図7のようなΔgain/Γとキンク出力の相関関
係が得られた。多層クラッド構造を用いることで、層構
造の最適化次第では、従来例の最適化された値である25
0mWよりも高いキンク出力を実現可能である。特にキン
ク出力の高い構造は、さらに非対称構造を用いることに
よって可能となった。
【００４９】図7の横軸をΔgain/ΓからΔgainに変更し
たものを図6に示す。モード利得差Δgainがキンク出力
の大小を左右するひとつの要因であることは、これまで
にも文献等で指摘されてはいた。しかし、われわれの実
験データおよび従来例からはΔgainの大小がキンク出力
の大小と必ずしも一致していない。Γの大きな構造はΔ
gainを大きくしやすい傾向があり、そのような構造では
Δgainを大きく取っても、その効果をΓが打ち消してし
まうため、キンク出力が高いとは限らない。先程も述べ
たようにΔgain/Γの値を用いた最適化が必要である。
図7の各点は、共振器長がそれぞれの構造に完全に最適
化されていないことや測定の誤差もあり、多少のばらつ
きも見られるが、かなり強い相関を示し、本発明の効果
を証明している。
たものを図6に示す。モード利得差Δgainがキンク出力
の大小を左右するひとつの要因であることは、これまで
にも文献等で指摘されてはいた。しかし、われわれの実
験データおよび従来例からはΔgainの大小がキンク出力
の大小と必ずしも一致していない。Γの大きな構造はΔ
gainを大きくしやすい傾向があり、そのような構造では
Δgainを大きく取っても、その効果をΓが打ち消してし
まうため、キンク出力が高いとは限らない。先程も述べ
たようにΔgain/Γの値を用いた最適化が必要である。
図7の各点は、共振器長がそれぞれの構造に完全に最適
化されていないことや測定の誤差もあり、多少のばらつ
きも見られるが、かなり強い相関を示し、本発明の効果
を証明している。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、
(基本モードと高次モードのモード利得差)/(基本モード
の活性層での光閉じ込め率)を十分に大きくした光導波
路構造を採用しているため、半導体レーザのキンク出力
を充分に高くすることができる。
(基本モードと高次モードのモード利得差)/(基本モード
の活性層での光閉じ込め率)を十分に大きくした光導波
路構造を採用しているため、半導体レーザのキンク出力
を充分に高くすることができる。
【図１】従来のSAS型半導体レーザの層構造を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る半導体レーザの一例を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る半導体レーザの一例を示す図であ
る。
る。
【図４】本発明に係る半導体レーザの一例を示す図であ
る。
る。
【図５】本発明に係る半導体レーザの一例を示す図であ
る。
る。
【図６】キンク出力とΔgainの相関を示すグラフであ
る。
る。
【図７】キンク出力とΔgain/Γの相関を示すグラフで
ある。
ある。
１２ n-Al0.35Ga0.65As(1000nm)外側クラッド層 １３ n-Al0.2Ga0.8As(700nm)インナークラッド層 １４ n-Al0.35Ga0.65As(200nm)内側クラッド層 １５ n-Al0.2Ga0.8As層 １６ Al0.1Ga0.9As層 １７ ＤＱＷ活性層 １８ Al0.1Ga0.9As層 １９ p-Al0.2Ga0.8As層 ２０ p-Al0.35Ga0.65As内側クラッド層 ２１ p-Al0.2Ga0.8Asインナークラッド層 ２２ p-Al0.35Ga0.65As外側クラッド層 ２３ n-Al0.35Ga0.65As埋込層 ２４ n-Al0.35Ga0.65As外側クラッド層 ２５ n-Al0.2Ga0.8As外側インナークラッド層 ２６ n-Al0.15Ga0.85Asインナークラッド層 ２７ n-Al0.35Ga0.65As内側クラッド層 ２８ n-Al0.2Ga0.8As層 ２９ Al0.1Ga0.9As層 ３０ 多重量子井戸活性層 ３１ Al0.1Ga0.9As層 ３２ p-Al0.2Ga0.8As層 ３３ p-Al0.35Ga0.65As内側クラッド層 ３４ p-Al0.15Ga0.8Asインナークラッド層 ３５ p-Al0.35Ga0.65As外側クラッド層 ３６ n-Al0.35Ga0.65As埋込層 ３７ n-Al0.35Ga0.65As外側クラッド層 ３８ n-Al0.2Ga0.8As外側インナークラッド層 ３９ n-Al0.15Ga0.85Asインナークラッド層 ４０ n-Al0.2Ga0.8As内側インナークラッド層 ４１ n-Al0.35Ga0.65As内側クラッド層 ４２ n-Al0.2Ga0.8As層 ４３ Al0.1Ga0.9As層 ４４ 多重量子井戸活性層 ４５ Al0.1Ga0.9As層 ４６ p-Al0.2Ga0.8As層 ４７ p-Al0.35Ga0.65As内側クラッド層 ４８ p-Al0.15Ga0.85Asインナークラッド層 ４９ p-Al0.35Ga0.65As外側クラッド層 ５０ n-Al0.35Ga0.65As埋込層
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に形成された活性層の少なくとも
一部を含む光導波路を有する半導体レーザであって、前
記光導波路内の水平横モードにおける０次の基本モード
および１次の高次モードの利得のモード利得差をΔgain
(cm-1)とし、前記光導波路内にある前記活性層への前記
基本モードの光の光閉じ込め率をΓ(%)としたときに、
Δgain/Γが８５(cm-1/%)以上であることを特徴とする
半導体レーザ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザにおい
て、前記活性層の上部および下部の少なくとも一方に、
光閉じ込め層を含む複数の層からなるクラッド層が形成
されたことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
において、前記活性層が量子井戸構造を有し、量子井戸
一個あたりの基本モード光の光閉じ込め率が０．５％以
下であることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項４】 基板全面に下部クラッド層および活性層
がこの順で積層し、該活性層の上部に、光導波方向にス
トライプ形状に加工されたストライプ部を含む上部クラ
ッド層と、該ストライプ部の両脇に形成され活性層に注
入する電流を狭窄する電流ブロック層とを備え、該スト
ライプ部に沿って該活性層の一部を含む光導波路が形成
される半導体レーザであって、前記光導波路内の水平横
モードにおける０次の基本モードおよび１次の高次モー
ドの利得のモード利得差をΔgain(cm-1)とし、前記光導
波路内にある前記活性層への前記基本モードの光の光閉
じ込め率をΓ(%)としたときに、Δgain/Γが８５(cm-1/
%)以上であることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体レーザにおい
て、前記活性層の上部および下部の少なくとも一方に、
光閉じ込め層を含む複数の層からなるクラッド層が形成
されたことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項６】 請求項４または５に記載の半導体レーザ
において、前記活性層が量子井戸構造を有し、量子井戸
一個あたりの基本モード光の光閉じ込め率が０．５％以
下であることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000155266A JP2001332814A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 半導体レーザ |
| US09/861,660 US20020001325A1 (en) | 2000-05-25 | 2001-05-22 | Semiconductor laser device with optical waveguide exhibiting high kink output |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000155266A JP2001332814A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332814A true JP2001332814A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18660237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000155266A Pending JP2001332814A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 半導体レーザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020001325A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001332814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006521012A (ja) * | 2003-03-19 | 2006-09-14 | ブックハム テクノロジー ピーエルシー | 大型光超格子導波路を有する高出力半導体レーザー |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3797151B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2006-07-12 | ソニー株式会社 | レーザダイオード、光学ピックアップ装置、光ディスク装置および光通信装置 |
| US7076130B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-07-11 | Adc Telecommunications, Inc. | Semiconductor optical device having asymmetric ridge waveguide and method of making same |
| JP4089446B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| FI20085512A0 (fi) * | 2008-05-28 | 2008-05-28 | Oulun Yliopisto | Puolijohdelaser |
| DE102009041934A1 (de) | 2009-09-17 | 2011-03-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender Halbleiterlaser |
| CN104393487B (zh) * | 2014-10-17 | 2019-09-13 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 半导体激光芯片外延结构 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4392227A (en) * | 1980-01-14 | 1983-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Terraced substrate semiconductor laser |
| USRE36431E (en) * | 1992-02-05 | 1999-12-07 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor laser element and laser device using the same element |
| DE69725537T2 (de) * | 1996-11-18 | 2004-08-05 | Mitsubishi Chemical Corp. | Halbleiterdiodenlaser |
-
2000
- 2000-05-25 JP JP2000155266A patent/JP2001332814A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-22 US US09/861,660 patent/US20020001325A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006521012A (ja) * | 2003-03-19 | 2006-09-14 | ブックハム テクノロジー ピーエルシー | 大型光超格子導波路を有する高出力半導体レーザー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020001325A1 (en) | 2002-01-03 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20041116 |
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| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041116 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060120 |