JP2001332857A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】セラミック基板を個々の配線基板に分割する
際、バリやカケ等が形成されて外形不良を発生してしま
う。 【解決手段】1枚のセラミック基板7を分割溝6に沿っ
て切断分離し、多数の配線基板9を形成するにあたっ
て、前記セラミック基板7の分割溝6の直下領域に、複
数個の空洞部5を、上下に並んで、かつ0.24×(t
−c1−c2)≦nd≦0.38×(t−c1−c
2)、d≦0.62×{1+log(c1/w)}
(t:絶縁基体の厚み(mm)、c1:切断起点側の分
割溝の深さ(mm)、c2:切断終点側の分割溝の深さ
(mm)、w:分割溝の最大開口幅(mm)、n:空洞
部の個数、d:各空洞部の上下方向の内径(mm))の
範囲となるように形成した。
際、バリやカケ等が形成されて外形不良を発生してしま
う。 【解決手段】1枚のセラミック基板7を分割溝6に沿っ
て切断分離し、多数の配線基板9を形成するにあたっ
て、前記セラミック基板7の分割溝6の直下領域に、複
数個の空洞部5を、上下に並んで、かつ0.24×(t
−c1−c2)≦nd≦0.38×(t−c1−c
2)、d≦0.62×{1+log(c1/w)}
(t:絶縁基体の厚み(mm)、c1:切断起点側の分
割溝の深さ(mm)、c2:切断終点側の分割溝の深さ
(mm)、w:分割溝の最大開口幅(mm)、n:空洞
部の個数、d:各空洞部の上下方向の内径(mm))の
範囲となるように形成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や容量素
子、抵抗器等の電子部品が搭載される配線基板の製造方
法に関するものである。
子、抵抗器等の電子部品が搭載される配線基板の製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子や容量素子、抵抗器等
の電子部品が搭載される配線基板は酸化アルミニウム質
焼結体等の電気絶縁材料から成る絶縁基体の内部及び表
面にタングステン、モリブデン等の高融点金属材料から
成る配線導体層を形成した構造を有しており、絶縁基体
表面に半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品を搭
載するとともに各電子部品の電極を配線導体に電気的に
接続するようになっている。
の電子部品が搭載される配線基板は酸化アルミニウム質
焼結体等の電気絶縁材料から成る絶縁基体の内部及び表
面にタングステン、モリブデン等の高融点金属材料から
成る配線導体層を形成した構造を有しており、絶縁基体
表面に半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品を搭
載するとともに各電子部品の電極を配線導体に電気的に
接続するようになっている。
【0003】かかる配線基板は、一般に、セラミックス
の積層技術及びスクリーン印刷等の厚膜形成技術を採用
することにより製作され、また、特に表面実装用等の小
型の配線基板では、量産性を考慮して多数個を集約させ
た多数個取りの形態で製作したセラミック基板を分割す
る方法で製作されており、具体的には以下の方法によっ
て製作される。即ち、 (1)まず、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化珪素
(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カル
シウム(CaO)等から成るセラミックス原料粉末に有
機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作り、これを従来
周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等によ
りシート状に成形して配線基板の絶縁基体となる領域を
多数有する広面積のセラミックグリーンシート(セラミ
ック生シート)を複数枚得る。 (2)次に、タングステン、モリブデン等の金属の粉末
に有機溶剤、溶媒を添加して得た導電ペーストを、スク
リーン印刷法により、前記少なくとも1枚のセラミック
グリーンシートの各絶縁基体となる領域に所定パターン
に印刷塗付して配線用導体を被着形成する。 (3)次に、前記セラミックグリーンシートを上下に積
層して生セラミック成形体となし、この生セラミック成
形体の上面および/または下面に、前記絶縁基体となる
領域を区画する仮想線に沿って金属製の刃を押圧するこ
とにより分割溝を形成し、該分割溝によって前記絶縁基
体となる領域を区画する。 (4)そして最後に、前記生セラミック成形体を焼成
し、絶縁基体に配線導体を形成した配線基板を多数有す
るセラミック基板を得るとともに、該セラミック基板を
前記分割溝に沿って切断し、多数の配線基板を個々に分
割することにより、所定パターンの配線導体を有する個
々の配線基板が形成される。
の積層技術及びスクリーン印刷等の厚膜形成技術を採用
することにより製作され、また、特に表面実装用等の小
型の配線基板では、量産性を考慮して多数個を集約させ
た多数個取りの形態で製作したセラミック基板を分割す
る方法で製作されており、具体的には以下の方法によっ
て製作される。即ち、 (1)まず、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化珪素
(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カル
シウム(CaO)等から成るセラミックス原料粉末に有
機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作り、これを従来
周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等によ
りシート状に成形して配線基板の絶縁基体となる領域を
多数有する広面積のセラミックグリーンシート(セラミ
ック生シート)を複数枚得る。 (2)次に、タングステン、モリブデン等の金属の粉末
に有機溶剤、溶媒を添加して得た導電ペーストを、スク
リーン印刷法により、前記少なくとも1枚のセラミック
グリーンシートの各絶縁基体となる領域に所定パターン
に印刷塗付して配線用導体を被着形成する。 (3)次に、前記セラミックグリーンシートを上下に積
層して生セラミック成形体となし、この生セラミック成
形体の上面および/または下面に、前記絶縁基体となる
領域を区画する仮想線に沿って金属製の刃を押圧するこ
とにより分割溝を形成し、該分割溝によって前記絶縁基
体となる領域を区画する。 (4)そして最後に、前記生セラミック成形体を焼成
し、絶縁基体に配線導体を形成した配線基板を多数有す
るセラミック基板を得るとともに、該セラミック基板を
前記分割溝に沿って切断し、多数の配線基板を個々に分
割することにより、所定パターンの配線導体を有する個
々の配線基板が形成される。
【0004】なお、上記セラミック基板の切断は、通
常、分割線に沿ってセラミック基板を撓ませて分割溝の
底部に曲げ応力を集中させ、分割溝の底部に小さな亀裂
を生じさせるとともにこの亀裂をセラミック基板の内部
を介して底面にまで進行させることによって行われる。
常、分割線に沿ってセラミック基板を撓ませて分割溝の
底部に曲げ応力を集中させ、分割溝の底部に小さな亀裂
を生じさせるとともにこの亀裂をセラミック基板の内部
を介して底面にまで進行させることによって行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の製造方法では、セラミック基板を分割溝に沿って分
割する際、セラミック基板を形成する焼結粒子の形状、
物性等にばらつきがあることから亀裂の進行方向が不均
一となり、その結果、セラミック基板を正確に分割溝に
沿って分割することができず、形成された個々の配線基
板にはバリやカケ等が形成されて外形不良を発生してし
まうという問題があった。
来の製造方法では、セラミック基板を分割溝に沿って分
割する際、セラミック基板を形成する焼結粒子の形状、
物性等にばらつきがあることから亀裂の進行方向が不均
一となり、その結果、セラミック基板を正確に分割溝に
沿って分割することができず、形成された個々の配線基
板にはバリやカケ等が形成されて外形不良を発生してし
まうという問題があった。
【0006】また特に、配線基板が小型で配線導体が高
密度に形成されているような場合、発生したバリやカケ
が小さなものであったとしても配線基板の外寸(外形寸
法)が規格値から大きく外れたり、配線導体に断線等の
重大な不具合を生じたりしてしまう。
密度に形成されているような場合、発生したバリやカケ
が小さなものであったとしても配線基板の外寸(外形寸
法)が規格値から大きく外れたり、配線導体に断線等の
重大な不具合を生じたりしてしまう。
【0007】本発明は、上記問題点に鑑み案出されたも
のであり、その目的は、セラミック基板を分割溝に沿っ
てバリやカケ等を発生することなく確実、かつ綺麗に切
断することを可能とし、所定の配線導体、所定の外形寸
法を有する配線基板を一度に多数個形成することができ
る配線基板の製造方法を提供することにある。
のであり、その目的は、セラミック基板を分割溝に沿っ
てバリやカケ等を発生することなく確実、かつ綺麗に切
断することを可能とし、所定の配線導体、所定の外形寸
法を有する配線基板を一度に多数個形成することができ
る配線基板の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、(1)配線基
板の絶縁基体となる領域を多数有する広面積のセラミッ
クグリーンシートを複数枚準備するとともに、前記少な
くとも1枚のセラミックグリーンシートの各絶縁基体と
なる領域に配線用導体を被着形成する工程と、(2)前
記複数のセラミックグリーンシートを上下に積層し、生
セラミック成形体となす工程と(3)前記生セラミック
成形体の上面および/または下面に分割溝を形成し、該
分割溝によって前記絶縁基体となる領域を区画する工程
と、(4)前記分割溝が形成された生セラミック成形体
を焼成し、絶縁基体に配線導体を形成した配線基板を多
数有するセラミック基板を得るとともに、該セラミック
基板を前記分割溝に沿って切断し、多数の配線基板を個
々に分割する工程とを具備する配線基板の製造方法であ
って、前記セラミック基板は前記分割溝の直下領域の内
部に複数個の空洞部が上下に並んで、かつ下記式(1)
(2)を満足させるようにして形成されていることを特
徴とするものである。 (式1)0.24×(t−c1−c2)≦nd≦0.38×(t−c1−c2) (式2)d≦0.62×{1+log(c1/w)} ただし、 t:絶縁基体の厚み(mm) c1:切断起点側の分割溝の深さ(mm) c2:切断終点側の分割溝の深さ(mm) w:分割溝の最大開口幅(mm) n:空洞部の個数 d:各空洞部の上下方向の内径(mm) また本発明は、前記複数個の空洞部は、それぞれ略円筒
形で、かつ前記分割溝と平行となるようにして形成され
ていることを特徴とするものである。
板の絶縁基体となる領域を多数有する広面積のセラミッ
クグリーンシートを複数枚準備するとともに、前記少な
くとも1枚のセラミックグリーンシートの各絶縁基体と
なる領域に配線用導体を被着形成する工程と、(2)前
記複数のセラミックグリーンシートを上下に積層し、生
セラミック成形体となす工程と(3)前記生セラミック
成形体の上面および/または下面に分割溝を形成し、該
分割溝によって前記絶縁基体となる領域を区画する工程
と、(4)前記分割溝が形成された生セラミック成形体
を焼成し、絶縁基体に配線導体を形成した配線基板を多
数有するセラミック基板を得るとともに、該セラミック
基板を前記分割溝に沿って切断し、多数の配線基板を個
々に分割する工程とを具備する配線基板の製造方法であ
って、前記セラミック基板は前記分割溝の直下領域の内
部に複数個の空洞部が上下に並んで、かつ下記式(1)
(2)を満足させるようにして形成されていることを特
徴とするものである。 (式1)0.24×(t−c1−c2)≦nd≦0.38×(t−c1−c2) (式2)d≦0.62×{1+log(c1/w)} ただし、 t:絶縁基体の厚み(mm) c1:切断起点側の分割溝の深さ(mm) c2:切断終点側の分割溝の深さ(mm) w:分割溝の最大開口幅(mm) n:空洞部の個数 d:各空洞部の上下方向の内径(mm) また本発明は、前記複数個の空洞部は、それぞれ略円筒
形で、かつ前記分割溝と平行となるようにして形成され
ていることを特徴とするものである。
【0009】本発明の配線基板の製造方法によれば、セ
ラミック基板に設けた分割溝の直下領域に位置する内部
に所定条件の複数個の空洞部を形成したことから、セラ
ミック基板に撓みによる曲げ応力を印加し、分割溝に沿
って切断する際、分割溝の底部に形成された小さな亀裂
の進行方向は、曲げ応力が各空洞部の上端部および下端
部に集中することにより逐次矯正されてセラミック基板
の分割溝の直下方向となり、その結果、セラミック基板
を分割溝に沿ってバリやカケ等を発生することなく確
実、かつ綺麗に切断することが可能となり、所定の配線
導体、所定の外形寸法を有する配線基板を一度に多数個
形成することができる。
ラミック基板に設けた分割溝の直下領域に位置する内部
に所定条件の複数個の空洞部を形成したことから、セラ
ミック基板に撓みによる曲げ応力を印加し、分割溝に沿
って切断する際、分割溝の底部に形成された小さな亀裂
の進行方向は、曲げ応力が各空洞部の上端部および下端
部に集中することにより逐次矯正されてセラミック基板
の分割溝の直下方向となり、その結果、セラミック基板
を分割溝に沿ってバリやカケ等を発生することなく確
実、かつ綺麗に切断することが可能となり、所定の配線
導体、所定の外形寸法を有する配線基板を一度に多数個
形成することができる。
【0010】また本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、前記空洞部をセラミック基板の厚みに対する最適な
条件、即ち、0.24×(t−c1−c2)≦nd≦
0.38×(t−c1−c2)かつd≦0.62×{1
+log(c1/w)}(t:絶縁基体の厚み(m
m)、c1:切断起点側の分割溝の深さ(mm)、c
2:切断終点側の分割溝の深さ(mm)、w:分割溝の
最大開口幅(mm)、n:空洞部の個数、d:各空洞部
の上下方向の内径(mm))となるような範囲に特定し
たことから、セラミック基板の分割溝形成部位の機械的
強度を良好に維持しつつ、分割溝に沿ってバリやカケ等
を発生することなく確実、かつ綺麗に切断することが可
能で、所定の配線導体、所定の外形寸法を有する配線基
板を一度に多数個形成することができる。
ば、前記空洞部をセラミック基板の厚みに対する最適な
条件、即ち、0.24×(t−c1−c2)≦nd≦
0.38×(t−c1−c2)かつd≦0.62×{1
+log(c1/w)}(t:絶縁基体の厚み(m
m)、c1:切断起点側の分割溝の深さ(mm)、c
2:切断終点側の分割溝の深さ(mm)、w:分割溝の
最大開口幅(mm)、n:空洞部の個数、d:各空洞部
の上下方向の内径(mm))となるような範囲に特定し
たことから、セラミック基板の分割溝形成部位の機械的
強度を良好に維持しつつ、分割溝に沿ってバリやカケ等
を発生することなく確実、かつ綺麗に切断することが可
能で、所定の配線導体、所定の外形寸法を有する配線基
板を一度に多数個形成することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、本発明の配線基板の製造方
法を図1に示す実施例に基づき詳細に説明する。
法を図1に示す実施例に基づき詳細に説明する。
【0012】まず、図1(a)に示す如く、絶縁基体と
なる領域Aを多数する絶縁基体となる領域Aを区画する
仮想線に沿って上面/及び又は下面に空洞部となる凹部
2を形成するとともに、少なくとも1枚のセラミックグ
リーンシートの絶縁基体となる領域Aに所定パターンの
配線用導体3を形成する。
なる領域Aを多数する絶縁基体となる領域Aを区画する
仮想線に沿って上面/及び又は下面に空洞部となる凹部
2を形成するとともに、少なくとも1枚のセラミックグ
リーンシートの絶縁基体となる領域Aに所定パターンの
配線用導体3を形成する。
【0013】前記セラミックグリーンシート1は、例え
ば、絶縁基体が酸化アルミニウム質焼結体で形成されて
いる場合、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化珪素
(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カル
シウム(CaO)等のセラミックス粉末、ガラス粉末、
酸化モリブデン等の着色用助剤粉末等から成る原料粉末
に有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作り、これを
従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等
によりシート状に成形することによって形成される。
ば、絶縁基体が酸化アルミニウム質焼結体で形成されて
いる場合、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化珪素
(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カル
シウム(CaO)等のセラミックス粉末、ガラス粉末、
酸化モリブデン等の着色用助剤粉末等から成る原料粉末
に有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作り、これを
従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等
によりシート状に成形することによって形成される。
【0014】また前記凹部2は、セラミックグリーンシ
ート1の厚み方向に略半円状をなしており、例えば、セ
ラミックグリーンシート1の所定部位に略円柱状をなす
棒状の金属製部材を所定深さにまで押圧することによっ
て形成される。
ート1の厚み方向に略半円状をなしており、例えば、セ
ラミックグリーンシート1の所定部位に略円柱状をなす
棒状の金属製部材を所定深さにまで押圧することによっ
て形成される。
【0015】更に前記配線用導体3は、タングステン、
モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属粉末から成り、
タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダーや溶
剤を添加混合して得た金属ペーストをセラミックグリー
ンシート1の絶縁基体となる領域Aに従来周知のスクリ
ーン印刷法により所定パターンに印刷塗布することによ
って形成される。
モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属粉末から成り、
タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダーや溶
剤を添加混合して得た金属ペーストをセラミックグリー
ンシート1の絶縁基体となる領域Aに従来周知のスクリ
ーン印刷法により所定パターンに印刷塗布することによ
って形成される。
【0016】次に、図1(b)に示す如く、複数枚のセ
ラミックグリーンシート1を各々の上下面に設けた空洞
部となる凹部2が互いに向かい合うようにして上下に積
層し、これによって各絶縁基体となる領域Aに配線用導
体3を有し、複数個上下に並んだ空洞部5を内部に有す
る生セラミック成形体4を形成する。
ラミックグリーンシート1を各々の上下面に設けた空洞
部となる凹部2が互いに向かい合うようにして上下に積
層し、これによって各絶縁基体となる領域Aに配線用導
体3を有し、複数個上下に並んだ空洞部5を内部に有す
る生セラミック成形体4を形成する。
【0017】次に、図1(c)に示す如く、前記生セラ
ミック成形体4の上面および下面で、絶縁基体となる領
域Aを区画する仮想線に沿って分割溝6を形成する。
ミック成形体4の上面および下面で、絶縁基体となる領
域Aを区画する仮想線に沿って分割溝6を形成する。
【0018】前記分割溝6は、例えば、金属製の刃を生
セラミック成形体2の上面および下面に所定の深さまで
押し込むことにより形成され、この場合、形成された分
割溝6はV字状等、ほぼ刃の縦断面と同様の断面形を有
している。
セラミック成形体2の上面および下面に所定の深さまで
押し込むことにより形成され、この場合、形成された分
割溝6はV字状等、ほぼ刃の縦断面と同様の断面形を有
している。
【0019】また前記分割溝6は、通常、後の工程でセ
ラミック基板を分割溝に沿って容易に切断できるように
するために、生セラミック成形体4の外周縁まで達する
ようにして形成される。
ラミック基板を分割溝に沿って容易に切断できるように
するために、生セラミック成形体4の外周縁まで達する
ようにして形成される。
【0020】次に、前記生セラミック成形体4を、例え
ば、還元雰囲気中約1600℃の温度で焼成し、図1
(d)に示す如く、絶縁基体Bに所定パターンの配線導
体8が形成された配線基板9を多数有するとともに、各
配線基板9が分割溝6で区画されて成り、かつ前記分割
溝6直下(直上)の内部に所定条件の複数個の空洞部5
が上下に並んで配設されているセラミック基板7を得
る。
ば、還元雰囲気中約1600℃の温度で焼成し、図1
(d)に示す如く、絶縁基体Bに所定パターンの配線導
体8が形成された配線基板9を多数有するとともに、各
配線基板9が分割溝6で区画されて成り、かつ前記分割
溝6直下(直上)の内部に所定条件の複数個の空洞部5
が上下に並んで配設されているセラミック基板7を得
る。
【0021】そして最後に、前記セラミック基板7を前
記分割溝6に沿って切断すれば、図1(e)に示す如
く、絶縁基体Bに所定パターンの配線導体8が被着形成
された個々の配線基板9が形成される。
記分割溝6に沿って切断すれば、図1(e)に示す如
く、絶縁基体Bに所定パターンの配線導体8が被着形成
された個々の配線基板9が形成される。
【0022】なお、前記セラミック基板7の切断は、分
割溝6に沿ってセラミック基板7を撓ませて分割溝6の
底部に曲げ応力を集中させ、分割溝6の底部に小さな亀
裂を生じさせるとともにこの亀裂をセラミック基板7の
内部に進行させることによって行われる。この場合、セ
ラミック基板7は分割溝6の直下領域の内部に、複数個
の空洞部5が上下に並んで形成されていることから亀裂
の進行方向は、曲げ応力が各空洞部5のそれぞれの上端
部および下端部に集中することにより、短い進行距離ご
とに逐次矯正されて常にセラミック基板7の分割溝6の
直下方向となり、その結果、セラミック基板7を分割溝
6に沿ってバリやカケ等を発生することなく確実、かつ
綺麗に切断することが可能となり、所定の配線導体8、
所定の外形寸法を有する配線基板9を一度に多数個形成
することができる。
割溝6に沿ってセラミック基板7を撓ませて分割溝6の
底部に曲げ応力を集中させ、分割溝6の底部に小さな亀
裂を生じさせるとともにこの亀裂をセラミック基板7の
内部に進行させることによって行われる。この場合、セ
ラミック基板7は分割溝6の直下領域の内部に、複数個
の空洞部5が上下に並んで形成されていることから亀裂
の進行方向は、曲げ応力が各空洞部5のそれぞれの上端
部および下端部に集中することにより、短い進行距離ご
とに逐次矯正されて常にセラミック基板7の分割溝6の
直下方向となり、その結果、セラミック基板7を分割溝
6に沿ってバリやカケ等を発生することなく確実、かつ
綺麗に切断することが可能となり、所定の配線導体8、
所定の外形寸法を有する配線基板9を一度に多数個形成
することができる。
【0023】また、前記複数個の空洞部5は、上下方向
の内径の合計を分割溝6形成部位における絶縁基体1の
厚みに対する最適な大きさ、即ち、0.24×(t−c
1−c2)≦n・d≦0.38×(t−c1−c2)と
なるような範囲に特定するとともに、個々の上下方向の
内径の上限値を、d≦0.62×{1+log(c1/
w)}となるような範囲に特定したことから(ただし、
t:絶縁基体の厚み(mm)、c1:切断起点側の分割
溝6の深さ(mm)、c2:切断終点側の分割溝6の深
さ(mm)、w:分割溝6の最大開口幅(mm)、n:
空洞部5の個数、d:各空洞部5の上下方向の内径(m
m))、セラミック基板の分割溝形成部位の機械的強度
を良好に維持しつつ、分割溝に沿ってバリやカケ等を発
生することなく確実、かつ綺麗に切断することができ
る。
の内径の合計を分割溝6形成部位における絶縁基体1の
厚みに対する最適な大きさ、即ち、0.24×(t−c
1−c2)≦n・d≦0.38×(t−c1−c2)と
なるような範囲に特定するとともに、個々の上下方向の
内径の上限値を、d≦0.62×{1+log(c1/
w)}となるような範囲に特定したことから(ただし、
t:絶縁基体の厚み(mm)、c1:切断起点側の分割
溝6の深さ(mm)、c2:切断終点側の分割溝6の深
さ(mm)、w:分割溝6の最大開口幅(mm)、n:
空洞部5の個数、d:各空洞部5の上下方向の内径(m
m))、セラミック基板の分割溝形成部位の機械的強度
を良好に維持しつつ、分割溝に沿ってバリやカケ等を発
生することなく確実、かつ綺麗に切断することができ
る。
【0024】なお、n・d<0.24×(t−c1−c
2)、即ち、空洞部5の上下方向の内径の合計が、分割
溝6形成部位における絶縁基体の厚みの24%未満とな
ると、亀裂の進行方向を良好に矯正することができず、
得られた配線基板9にバリやカケを生じてしまい、n・
d>0.36×(t−c1−c2)、即ち、空洞部5の
上下方向の内径の合計が、分割溝6形成部位における絶
縁基体の厚みの36%を超えるようになると、分割溝形
成部位における絶縁基体1の機械的強度が劣化し、搬
送、取扱いの際に加わる衝撃等により割れてしまう。従
って、前記空洞部5は、0.24×(t−c1−c2)
≦n・d≦0.38×(t−c1−c2)となるような
範囲とする必要がある。
2)、即ち、空洞部5の上下方向の内径の合計が、分割
溝6形成部位における絶縁基体の厚みの24%未満とな
ると、亀裂の進行方向を良好に矯正することができず、
得られた配線基板9にバリやカケを生じてしまい、n・
d>0.36×(t−c1−c2)、即ち、空洞部5の
上下方向の内径の合計が、分割溝6形成部位における絶
縁基体の厚みの36%を超えるようになると、分割溝形
成部位における絶縁基体1の機械的強度が劣化し、搬
送、取扱いの際に加わる衝撃等により割れてしまう。従
って、前記空洞部5は、0.24×(t−c1−c2)
≦n・d≦0.38×(t−c1−c2)となるような
範囲とする必要がある。
【0025】また、個々の空洞部5の上下方向の内径d
を、d>0.62×{1+log(c1/w)}と大き
くした場合も、絶縁基体1の機械的強度が低下してしま
い、搬送、取扱いの際に加わる衝撃等により割れてしま
う。従って、前記空洞部5は、d≦0.62×{1+l
og(c1/w)}となるような範囲とする必要があ
る。
を、d>0.62×{1+log(c1/w)}と大き
くした場合も、絶縁基体1の機械的強度が低下してしま
い、搬送、取扱いの際に加わる衝撃等により割れてしま
う。従って、前記空洞部5は、d≦0.62×{1+l
og(c1/w)}となるような範囲とする必要があ
る。
【0026】更にまた、前記空洞部5は、それぞれ略円
柱状とするとともに分割溝6と上下に平行になるように
して形成しておくとセラミック基板7に撓みによる曲げ
応力を印加し、分割溝6に沿って切断する際、曲げ応力
を各空洞部の上端部および下端部に集中させ易くなって
亀裂の進行方向をより一層正確に分割線6の直下方向に
矯正させることができる。
柱状とするとともに分割溝6と上下に平行になるように
して形成しておくとセラミック基板7に撓みによる曲げ
応力を印加し、分割溝6に沿って切断する際、曲げ応力
を各空洞部の上端部および下端部に集中させ易くなって
亀裂の進行方向をより一層正確に分割線6の直下方向に
矯正させることができる。
【0027】かくして得られた配線基板9は、絶縁基体
Bの上面に半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品
が搭載されるとともに各電子部品の電極が配線導体8に
電気的に接続され、これによって各電子部品はその各々
が配線導体8を介して互いに電気的に接続されるととも
に外部電気回路に接続されることとなる。なお本発明は
上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨
を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例
えば、上述の実施例では空洞部を3個形成したもので説
明したがセラミック基板7の厚み等に応じて空洞部を4
個以上形成してもよく、分割溝6を生セラミック成形体
4の上面または下面のみに形成したり、上下の分割溝6
の深さを異ならせたりしてもよい。
Bの上面に半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品
が搭載されるとともに各電子部品の電極が配線導体8に
電気的に接続され、これによって各電子部品はその各々
が配線導体8を介して互いに電気的に接続されるととも
に外部電気回路に接続されることとなる。なお本発明は
上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨
を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例
えば、上述の実施例では空洞部を3個形成したもので説
明したがセラミック基板7の厚み等に応じて空洞部を4
個以上形成してもよく、分割溝6を生セラミック成形体
4の上面または下面のみに形成したり、上下の分割溝6
の深さを異ならせたりしてもよい。
【0028】
【発明の効果】本発明の配線基板の製造方法によれば、
セラミック基板に設けた分割溝の直下領域に位置する内
部に所定条件の複数個の空洞部を形成したことから、セ
ラミック基板に撓みによる曲げ応力を印加し、分割溝に
沿って切断する際、分割溝の底部に形成された小さな亀
裂の進行方向は、曲げ応力が各空洞部の上端部および下
端部に集中することにより逐次矯正されてセラミック基
板の分割溝の直下方向となり、その結果、セラミック基
板を分割溝に沿ってバリやカケ等を発生することなく確
実、かつ綺麗に切断することが可能となり、所定の配線
導体、所定の外形寸法を有する配線基板を一度に多数個
形成することができる。
セラミック基板に設けた分割溝の直下領域に位置する内
部に所定条件の複数個の空洞部を形成したことから、セ
ラミック基板に撓みによる曲げ応力を印加し、分割溝に
沿って切断する際、分割溝の底部に形成された小さな亀
裂の進行方向は、曲げ応力が各空洞部の上端部および下
端部に集中することにより逐次矯正されてセラミック基
板の分割溝の直下方向となり、その結果、セラミック基
板を分割溝に沿ってバリやカケ等を発生することなく確
実、かつ綺麗に切断することが可能となり、所定の配線
導体、所定の外形寸法を有する配線基板を一度に多数個
形成することができる。
【0029】また本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、前記空洞部をセラミック基板の厚みに対する最適な
条件、即ち、0.24×(t−c1−c2)≦nd≦
0.38×(t−c1−c2)かつd≦0.62×{1
+log(c1/w)}(t:絶縁基体の厚み(m
m)、c1:切断起点側の分割溝の深さ(mm)、c
2:切断終点側の分割溝の深さ(mm)、w:分割溝の
最大開口幅(mm)、n:空洞部の個数、d:各空洞部
の上下方向の内径(mm))となるような範囲に特定し
たことから、セラミック基板の分割溝形成部位の機械的
強度を良好に維持しつつ、分割溝に沿ってバリやカケ等
を発生することなく確実、かつ綺麗に切断することが可
能で、所定の配線導体、所定の外形寸法を有する配線基
板を一度に多数個形成することができる。
ば、前記空洞部をセラミック基板の厚みに対する最適な
条件、即ち、0.24×(t−c1−c2)≦nd≦
0.38×(t−c1−c2)かつd≦0.62×{1
+log(c1/w)}(t:絶縁基体の厚み(m
m)、c1:切断起点側の分割溝の深さ(mm)、c
2:切断終点側の分割溝の深さ(mm)、w:分割溝の
最大開口幅(mm)、n:空洞部の個数、d:各空洞部
の上下方向の内径(mm))となるような範囲に特定し
たことから、セラミック基板の分割溝形成部位の機械的
強度を良好に維持しつつ、分割溝に沿ってバリやカケ等
を発生することなく確実、かつ綺麗に切断することが可
能で、所定の配線導体、所定の外形寸法を有する配線基
板を一度に多数個形成することができる。
【図1】(a)乃至(e)は本発明の配線基板の製造方
法を説明するための工程毎の断面図である。
法を説明するための工程毎の断面図である。
1・・・・セラミックグリーンシート 2・・・・凹部 3・・・・配線用導体 A・・・・絶縁基体となる領域 4・・・・生セラミック成形体 5・・・・空洞部 6・・・・分割溝 7・・・・セラミック基板 B・・・・絶縁基体 8・・・・配線導体 9・・・・配線基板
Claims (2)
- 【請求項1】(1)配線基板の絶縁基体となる領域を多
数有する広面積のセラミックグリーンシートを複数枚準
備するとともに、前記少なくとも1枚のセラミックグリ
ーンシートの各絶縁基体となる領域に配線用導体を被着
形成する工程と、(2)前記複数のセラミックグリーン
シートを上下に積層し、生セラミック成形体となす工程
と(3)前記生セラミック成形体の上面および/または
下面に分割溝を形成し、該分割溝によって前記絶縁基体
となる領域を区画する工程と、(4)前記分割溝が形成
された生セラミック成形体を焼成し、絶縁基体に配線導
体を形成した配線基板を多数有するセラミック基板を得
るとともに、該セラミック基板を前記分割溝に沿って曲
げ応力を加えることにより切断し、多数の配線基板を個
々に分割する工程、とを具備する配線基板の製造方法で
あって、前記セラミック基板は前記分割溝の直下領域の
内部に複数個の空洞部が上下に並んで、かつ下記式
(1)(2)を満足させるようにして形成されているこ
とを特徴とする配線基板の製造方法。 (式1)0.24×(t−c1−c2)≦n・d≦0.38×(t−c1−c2) (式2)d≦0.62×{1+log(c1/w)} ただし、 t:絶縁基体の厚み(mm) c1:切断起点側の分割溝の深さ(mm) c2:切断終点側の分割溝の深さ(mm) n:空洞部の個数 d:各空洞部の上下方向の内径 - 【請求項2】前記複数個の空洞部は、それぞれ略円筒形
で、かつ前記分割溝と平行となるようにして形成されて
いることを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000150055A JP2001332857A (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000150055A JP2001332857A (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001332857A true JP2001332857A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18655826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000150055A Pending JP2001332857A (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001332857A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007242939A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Denso Corp | セラミック積層基板の製造方法 |
JP2007294797A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Kyocera Corp | セラミック基板、電子部品収納用パッケージ、電子装置、およびこれらの製造方法 |
WO2007138826A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック多層基板の製造方法 |
JP2008016587A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Denso Corp | セラミック積層基板の製造方法 |
WO2008018227A1 (fr) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Procédé de production d'un substrat céramique multicouche |
JP2009059977A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Denso Corp | セラミック積層基板およびその製造方法 |
JP2009130370A (ja) * | 2007-11-23 | 2009-06-11 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 積層セラミック基板の製造方法 |
-
2000
- 2000-05-22 JP JP2000150055A patent/JP2001332857A/ja active Pending
Cited By (13)
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JPWO2007138826A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2009-10-01 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板の製造方法 |
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US7833370B2 (en) | 2006-08-07 | 2010-11-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a ceramic multi-layered substrate |
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