JP2001332323A - シリコン電極及び高周波接点シート並びにシリコン電極製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】超高周波のＩＣ素子の性能検査を高精度に行う
ための高周波接点シートを提供する。 【解決手段】絶縁性のシート８ａと、シート８ａの一方
の表面から他方の表面まで貫通したスルーホール８ｂ
と、シリコン板から形成され外周部９に対して一方の表
面に電極突起部８ｅを備えた中心部１０を少なくとも一
つの梁部１１で支持し、スルーホール８ｂの開口部を覆
い電極突起部８ｅがこのスルーホール８ｂと反対側に位
置するように備えられた複数のシリコン電極８ｄと、ス
ルーホール８ｂを挟んだ状態で備えられているシリコン
電極８ｄの間を電気的に導通させるためにスルーホール
８ｂの側面に備えられた導電部８ｃとを具備した高周波
接点シート８を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
性能検査を行うＩＣテスタ、特に超高周波用ＩＣテスタ
に利用されるシリコン電極、高周波接点シート、さらに
シリコン電極製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】実装技術の進展に伴い、ＩＣ素子は、ベ
アチップの状態、あるいはベアチップにおける回路部分
が簡易パッケージ化された状態で、セラミック基板に多
層配線される傾向にある。

【０００３】特に、システムＬＳＩ素子や超高周波用Ｉ
Ｃ素子は、駆動周波数や取り扱う周波数が高くなるにつ
れ、従来のセラミックパッケージに封入した状態では所
定レベルの性能を確保することが困難なため、ベアチッ
プ状、あるいは簡易樹脂パッケージ化された状態で用い
られる。

【０００４】したがって、ＩＣ素子の性能評価を行う場
合にも、このようなベアチップ状あるいは簡易樹脂パッ
ケージ化された状態のＩＣ素子に対する性能評価が必要
となる。

【０００５】図１０は、従来の一般的なＩＣ素子を例示
する外観斜視図である。このＩＣ素子１は側面部から入
出力用電極パッド（以下、「パッド」という）１ａが引
き出されている。

【０００６】図１１は、このようなＩＣ素子１の性能評
価に利用する既存のコンタクトエレメントを例示する断
面図である。

【０００７】このコンタクトエレメント２は、ＤＵＴ
（デバイスアンダーテスト：テスト用素子）３のパッド
３ａの位置に対応して設置される。

【０００８】コンタクトエレメント２は、一端側がＤＵ
Ｔ３のパッド３ａと接触した場合にゴム４の作用により
この一端側の接触が確保された状態で下方に押し込ま
れ、他端側が基板５のフットパターン５ａと接触する。

【０００９】これにより、ＤＵＴ３のパッド３ａと基板
５のフットパターン５ａとの間で信号の入出力が可能に
なり、ＤＵＴ３の性能試験が行われる。

【００１０】また、コンタクトエレメント２がパッド３
ａによって下方に押し込まれることで、ＤＵＴ３のパッ
ド３ａとこのＤＵＴ３の他のパッドとの間の高さのばら
つきが補正され、接触が確保される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】実装技術の進展によ
り、ＩＣ素子で用いられる周波数は高くなり、ＩＣ素子
の備えるパッドの数は増加し、パッドのサイズは小さく
なり、各パッドの間隔は狭くなる傾向にあり、これに伴
ってＩＣ素子の形態も変化している。

【００１２】図１２は、パッドをグリッド状に配置した
ＩＣ素子を例示する下方斜視図であり、半球状のパッド
６ａがＩＣ素子６の表面（ここでは下面）にグリッド状
に配置されている。

【００１３】なお、このＩＣ素子６においても、各パッ
ド６ａ間の高さは一定とは限らないため、ＩＣ素子６の
性能試験を行う場合には各パッド６ａ間の高さのばらつ
きを補正する必要がある。

【００１４】このＩＣ素子６の各パッド６ａ間の高さの
ばらつきを補正する手法の一つに、導電性ゴムを含む高
周波接点シートを利用する手法がある。

【００１５】図１３は、この導電性ゴムを含む高周波接
点シートの利用状態を例示する断面図である。

【００１６】導電性ゴム７ａを含む高周波接点シート７
は、ＩＣ素子６の各パッド６ａの位置に対応して導電性
ゴム７ａを配置している。

【００１７】性能試験する場合には、ＩＣ素子６と基板
５とでこの高周波接点シート７を挟み、この導電性ゴム
７ａの弾性力により各パッド７ａの高さのばらつきを補
正しつつ、ＩＣ素子６の各パッド６ａと基板５のフット
パターン５ａとの間を電気的に導通させる。

【００１８】しかしながら、この高周波接点シート７に
おいては導電性ゴム７ａが利用されているため、この導
電性ゴムの性質上超高周波に対応することができず、ま
た繰り返し利用すると導電性ゴム７ａの弾性力が劣化す
るという問題がある。

【００１９】これに対し、ＩＣ素子６の各パッド６ａ間
の高さのばらつきを補正する他の手法として、高周波接
点シートにばねで支持されている端子を設け、このばね
で支持されている端子により各パッドの高さのばらつき
を補正しつつ信号を入出力する技術もある。

【００２０】しかしながら、このようなばねを備えた高
周波接点シートは、製造が困難であり、小型化が困難で
あるため実装技術の進展に伴うＩＣ素子の小型化に対応
しきれないという問題がある。

【００２１】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、シリコン微細加工技術を用いることで製造容易かつ
小型化を実現し、パッドの高さのばらつきを補正する作
用の維持を実現し、ＩＣ素子が超高周波化及び小型化し
ても高精度な性能検査を実現するシリコン電極、高周波
接点シート、さらにシリコン電極製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、可撓性
を電極に持たせる点にある。

【００２３】本発明を実現するにあたって講じた具体的
手段について以下に説明する。

【００２４】第１の発明は、シリコン板から形成された
外周部と、シリコン板から形成され外周部の内側に位置
する中心部と、シリコン板から形成され外周部に対して
中心部を支持する少なくとも一つの梁部と、中心部の表
面に備えられた電極突起部とを具備したシリコン電極で
ある。なお、梁部の形状は例えば渦巻き状とすることが
できる。

【００２５】この第１の発明においては、パッドなどの
端子が電極突起部に押し込まれても、梁部の作用により
この端子と電極突起部との接触が維持されつつ端子の高
さのばらつきが補正される。

【００２６】また、この第１の発明のシリコン電極は、
エッチング等のシリコン微細加工技術を用いて製造する
ことで小型化でき、製造も容易である。

【００２７】また、この第１の発明のシリコン電極にお
いては梁部の可撓性により電極突起部とパッドとの接触
が確保されるが、この可撓性は劣化しにくいため性能検
査に利用する回数を多くできる。

【００２８】さらに、この第１の発明においては、導電
性に優れたシリコンにより電極を構成しているため、高
周波の信号を高精度に取り扱うことができる。

【００２９】第２の発明は、絶縁性のシートと、シート
の一方の表面から他方の表面まで貫通したスルーホール
と、シリコン板から形成され外周部に対して一方の表面
に電極突起部を備えた中心部を少なくとも一つの梁部で
支持し、スルーホールの開口部を覆い電極突起部がこの
スルーホールと反対側に位置するように備えられた複数
のシリコン電極と、スルーホールを挟んだ状態で備えら
れているシリコン電極の間を電気的に導通させるために
スルーホールの側面に備えられた導電部とを具備した高
周波接点シートである。

【００３０】なお、導電部には金属のメッキが利用でき
る。

【００３１】この第２の発明の高周波接点シートにおい
ては、電極突起部が押し込まれる方向にスルーホールが
あるため、電極突起部にスルーホール側への押し付け力
が作用すると電極突起部がこの押し付け力の方向に移動
できる。

【００３２】これにより、この第２の発明においては、
上記第１の発明の場合と同様の効果を得ることができ、
ＩＣ素子の周波数が高くなっても、パッドの数が増加し
ても、パッドサイズが小型化しても、各パッドの間隔が
狭くなっても対応できる。

【００３３】第３の発明は、絶縁性のシートと、シート
の一方の表面に形成された第１の凹部と、第１の凹部と
ほぼ対称位置になるようにシートの他方の表面に形成さ
れた第２の凹部と、シリコン板から形成され外周部に対
して一方の表面に電極突起部を備えた中心部を少なくと
も一つの梁部で支持し、凹部の開口部を覆い電極突起部
がこの凹部と反対側に位置するように備えられた複数の
シリコン電極と、第１の凹部の開口部に備えられたシリ
コン電極と、この第１の凹部に対してほぼ対称位置にあ
る第２の凹部の開口部に備えられたシリコン電極との間
を電気的に導通させる導電部とを具備した高周波接点シ
ートである。

【００３４】この第３の発明においては、上記第２の発
明におけるスルーホールの代わりに第１の凹部と第２の
凹部とがシートに形成されているが、この第１の凹部と
第２の凹部とは先のスルーホールと同様の役割を持つ。

【００３５】したがって、この第３の発明においては、
上記第２の発明の場合と同様の作用効果を得ることがで
きる。

【００３６】第４の発明は、シリコン板から外周部を形
成する部分と外周部の内側に位置する中心部を形成する
部分と外周部に対して中心部を支持する少なくとも一つ
の梁部を形成する部分とをエッチング保護膜で覆う工程
と、シリコン板の一方の表面をホトレジスト膜で覆う工
程と、ホトレジスト膜のうちシリコン板の中心部を覆う
部分に光を照射し、この部分のホトレジスト膜を除去す
る工程と、シリコン板の一方の表面にメッキを行い、シ
リコン板の一方の表面を覆うホトレジスト膜を除去して
シリコン板の中心部に電極突起部を備える工程と、シリ
コン板をエッチングする工程と、シリコン板からエッチ
ング保護膜を除去する工程とからなるシリコン電極製造
方法である。この第４の発明により、上記第１の発明の
シリコン電極を製造できる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。

【００３８】（第１の実施の形態）本実施の形態におい
ては、可撓性を持つ形状のシリコン板を電極とした高周
波接点シートについて説明する。

【００３９】図１は、本実施の形態に係る高周波接点シ
ートを例示する上面図である。

【００４０】また、図２は、図１のＡ−Ａ線断面図であ
る。

【００４１】この高周波接点シート８においては、弾性
を有する絶縁性の樹脂シート８ａにスルーホール８ｂが
形成されている。スルーホール８ｂは、ＤＵＴのパッド
の位置にあわせて形成される。

【００４２】スルーホール８ｂの側面には金属メッキ
（例えば金メッキ）８ｃが施されており、スルーホール
８ｂの一方の開口部と他方の開口部との間が電気的な導
通状態にある。この樹脂シート８ａの両表面においてス
ルーホール８ｂを挟む状態でシリコン電極８ｄが取り付
けられている。

【００４３】シリコン電極８ｄのスルーホール８ｂ側と
は反対側の表面には電極突起部８ｅが備えられており、
シリコン電極８ｄのスルーホール８ｂ側には薄膜電極２
０が備えられている。

【００４４】図３は、本実施の形態に係る高周波接点シ
ート８に備えられるシリコン電極８ｄの上面図である。

【００４５】シリコン電極８ｄは、シリコン板をエッチ
ングにより加工して形成された外周部９と中心部１０と
渦巻き梁部１１とを備えており、中心部１０の一方の表
面に電極突起部８ｅが備えられている。また外周部９の
他方の表面に薄膜電極２０が備えられている。

【００４６】渦巻き梁部１１は、外周部９の内側に位置
する中心部１０を支持するために放射状に形成されてお
り、表面に対する垂直方向の中心部１０の移動のための
可撓性を持つ。

【００４７】シリコン電極８ｄは、中心部１１に備えら
れている電極突起部８ｅがスルーホール８ｂ側とは反対
側に位置するように樹脂シート９ａに取り付けられる。

【００４８】図４は、本実施の形態に係る高周波接点シ
ート８を利用した性能試験装置を例示する斜視図であ
り、先で述べた図１０〜１３と同一の部分については同
一の符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部
分についてのみ詳しく説明する。

【００４９】パッド６ａをグリッド状に配置した検査対
象のＩＣ素子６は、高周波接点シート８の一方の表面に
対して配置される。

【００５０】これにより、ＩＣ素子６のパッド６ａと高
周波接点シート８の一方の表面に備えられたシリコン電
極８ｄとが接触するが、ＩＣ素子６の各パッド６ａの高
さにばらつきがあっても高周波接点シート８のシリコン
電極８ｄの可撓性により補正される。

【００５１】高周波接点シート８の他方の表面には基板
５が配置され、基板５のフットパターン５ａと高周波接
点シート８の他方の表面に備えられたシリコン電極８ｄ
とが接触する。この場合、フットパターン５ａの高さに
ばらつきがあってもシリコン電極８ｄの可撓性により補
正される。

【００５２】基板５は、同軸ケーブル１２を介して図示
しない高周波用ＩＣテスタと接続されている。

【００５３】高周波接点シート８は、基板５からＩＣ素
子６への入力信号、あるいはＩＣ素子６から基板５への
出力信号を伝達する。

【００５４】図５は、本実施の形態に係る高周波接点シ
ート８に検査対象のＩＣ素子６と基板５とが配置される
前後の状態を例示する断面図であり、図５（ａ）は配置
前、図５（ｂ）は配置後を示している。

【００５５】パッド６ａやフットパターン５ａの高さに
ばらつきがあっても、押し込む方向にシリコン電極８ｄ
の中心部１０が接触を維持しつつ移動してそのばらつき
を吸収し、パッド６ａと電極突起部８ｅとの間の接触、
及びフットパターン５ａと電極突起部８ｅとの間の接触
が確保される。

【００５６】スルーホール８ｂの側面は金属のメッキ８
ｃが施されているため、一方の側のシリコン電極８ｄか
らの信号は、ほぼ対称の位置にある他方の側のシリコン
電極８ｄに導かれる。

【００５７】以上説明したように、本実施の形態に係る
高周波接点シート８においては、シリコン電極８ｄに可
撓性が与えられているため、ＩＣ素子６のパッド６ａや
基板５のフットパターン５ａとの接触を確保しつつ、高
さのばらつきを補正できる。

【００５８】また、このシリコン電極８ｄの可撓性は、
例えば導電性ゴムの弾性よりも劣化しにくいため、本実
施の形態に係る高周波接点シート８は繰り返し利用でき
る回数が多くなる。

【００５９】また、エッチング等のシリコン微細加工技
術を用いて小型のシリコン電極８ｄを容易に製造でき、
高周波接点シート８はＩＣ素子６の備えるパッド６ａの
数が多くても、パッド６ａのサイズが小さくても、各パ
ッド６ａの間隔が狭くても利用できる。

【００６０】また、本実施の形態に係る高周波接点シー
ト８においては、シリコン電極８ｄやメッキ８ｃにより
電気信号が伝達されるため、超高周波のＩＣ素子６に対
して利用しても適切に信号を伝達できる。

【００６１】これにより、信頼性が高く、高精度の性能
評価を行うことができる。また、ＩＣ素子の多層配線に
も利用できる。

【００６２】なお、本実施の形態においては、検査対象
の素子が半球状のパッド６ａを備えたＩＣ素子６の場合
について説明しているが、パッドが他の形状であっても
同様に利用できる。また、検査対象の素子がシステムＬ
ＳＩ素子の場合にも同様に利用できる。

【００６３】（第２の実施の形態）本実施の形態におい
ては、上記第１の実施の形態の変形例であり、樹脂シー
トにスルーホールを形成する代わりに、樹脂シートの表
面に凹部を形成した高周波接点シートについて説明す
る。

【００６４】すなわち、本実施の形態においては、上記
第１の実施の形態に係る高周波接点シートのスルーホー
ルに金属を埋め込み、この埋め込まれた金属の表面部分
に例えばエッチングなどの手法を利用して凹部を形成す
る。

【００６５】図６は、本実施の形態に係る高周波接点シ
ートに検査対象のＩＣ素子と基板とが配置される前後の
状態を例示する断面図であり、図６（ａ）は配置前、図
６（ｂ）は配置後を示している。なお、この図６におい
て、上記図５と同一の部分については同一の符号を付し
てその説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ
詳しく説明する。

【００６６】本実施の形態に係る高周波接点シート１３
の樹脂シート８ａには金属部１５が備えられており、こ
の樹脂シート８ａの金属部１５の一方の表面に凹部１４
ａが形成されており、またこの凹部１４ａのほぼ対称位
置となる他方の表面に凹部１４ｂが形成されている。こ
の凹部１４ａ、１４ｂは例えばエッチングにより形成さ
れる。

【００６７】シリコン電極８ｄは、凹部１４ａ、１４ｂ
の開口部を塞ぐ状態で備えられ、それぞれ金属部１５と
接続される。この金属部１５により、樹脂シート８ａの
一方の表面に備えられたシリコン電極８ｄと他方の表面
に備えられたシリコン電極８ｄとが接続状態となる。

【００６８】シリコン電極８ｄに押し込む力が作用して
も、凹部１４ａ、１４ｂが形成されていることによりこ
の押し込む方向にシリコン電極８ｄの中心部１０が移動
する。

【００６９】したがって、本実施の形態に係る高周波接
点シート１３においても、電極突起部８ｅとパッド６
ａ、あるいは電極突起部８ｅとフットパターン５ａとの
接触を確保しつつ、高さのばらつきを補正することがで
き、上記第１の実施の形態と同様の効果を得ることがで
きる。

【００７０】（第３の実施の形態）本実施の形態におい
ては、シリコン電極８ｄの製造方法について説明する。
図７は、本実施の形態に係るシリコン電極製造方法にお
けるシリコン電極の製造段階を例示する断面図であり、
図１〜３と同一の部分については同一の符号を付してそ
の説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ詳し
く説明する。

【００７１】まず、高導電性のシリコン板１６を準備す
る。図７（ａ）は、この状態を示している。シリコン板
１６はｎ⁺型、ｐ⁺型のどちらでもよいが、高周波的には
ｎ⁺型が望ましい。また、シリコン板１６の板圧として
は２０μｍ〜４００μｍ程度が望ましい。

【００７２】次に、熱ＣＶＤ法を用いてシリコン板１６
の一方の表面（上面）及び他方の表面（下面）にシリコ
ン酸化膜１７を堆積し、図７（ｂ）の状態となる。

【００７３】次に、シリコン板１６の両表面のうち外周
部９と中心部１０と渦巻き梁部１１とが形成されない部
分をシリコン酸化膜１７の不要部分とし、この不要部分
のシリコン酸化膜１７をホトエッチング法を用いて除去
する。これにより、図７（ｃ）の状態となる。

【００７４】次に、電極突起部８ｅの備えられるシリコ
ン板１６の中心部１０の一方の表面側に、メッキを施す
ための薄膜電極１８を形成する。この薄膜電極１８の材
料としては、例えばＣｒ／ＡｕあるいはＮｉＣｒ／Ａｕ
などが利用される。これにより、図７（ｄ）の状態とな
る。

【００７５】次に、シリコン板１６の一方の表面全体を
３０μｍ〜１００μｍ程度の厚いホトレジスト膜１９で
覆い、図７（ｅ）の状態となる。

【００７６】次に、ＳＯＲ光あるいは紫外光を照射し、
リムバーを用いて電極突起部８ｅに対応する部分（薄膜
電極１８の部分）のホトレジスト膜１９を除去する。こ
れにより、図７（ｆ）の状態となる。

【００７７】次に、ホトレジスト膜１９を除去した部分
に対し、電気メッキ法を用いて３０〜１００μｍの厚さ
になるまで例えばＣｕ、Ｎｉ、ＡｇまたはＮｉ−Ｗ合金
などによりメッキを行う。これにより、図７（ｇ）の状
態となる。

【００７８】次に、レジストリムーバーを用いてシリコ
ン板１６の一方の表面を覆うホトレジスト膜１９を除去
する。これにより、シリコン板１６の中心部に電極突起
部８ｅが形成される。この状態を図７（ｈ）に示す。

【００７９】次に、シリコン板１６をエッチングする
が、この場合シリコン酸化膜１７がシリコン保護膜とし
て作用する。エッチングにより、シリコン板１７に外周
部９、中心部１０、渦巻き梁部１１が形成される。エッ
チングの具体的な手法としては、例えばＩＣＰやウェッ
トエッチング法が利用できる。この状態を図７（ｉ）に
示す。

【００８０】そして、シリコン板１６の他方の表面を覆
うシリコン酸化膜１７を除去し、シリコン板１６の外周
部９の他方の表面側に薄膜電極２０を形成する。この薄
膜電極２０の材料としては、例えばＣｒ／Ａｕあるいは
ＮｉＣｒ／Ａｕ等が利用できる。これにより、図７
（ｊ）に示すようなシリコン電極８ｄが得られる。

【００８１】以上説明したように、本実施の形態に係る
シリコン電極製造方法においては、エッチング法を利用
することで小型のシリコン電極８ｄの製造を可能として
いる。

【００８２】このような小型のシリコン電極８ｄを製造
することにより、上記第１及び第２の実施の形態で述べ
た効果を実現できる。

【００８３】なお、本実施の形態においては、主にシリ
コン酸化膜１７の堆積、電極突起部８ｅの形成、エッチ
ングの順序でシリコン電極８ｄを製造しているが、この
順序は変更してもシリコン電極８ｄを製造できる。

【００８４】例えば、電極突起部８ｅの形成、シリコン
酸化膜１７の堆積、エッチングの順序でシリコン電極８
ｄを製造してもよい。また、シリコン酸化膜１７の堆
積、エッチング、電極突起部８ｅの形成の順序でシリコ
ン電極８ｄを製造してもよい。

【００８５】（第４の実施の形態）本実施の形態におい
ては、高周波接点シート８、１３の製造方法について説
明する。

【００８６】図８は、一方の表面のシート側電極２１ａ
と他方の表面のシート側電極２１ｂとを電気的に導通さ
せた樹脂シート８ａを例示する斜視図であり、スルーホ
ール８ｂが形成された場合を示している。なお、シート
側電極２１ａ、２１ｂとスルーホール８ｂとメッキ８ｃ
の代わりに、金属部１５を形成してもよい。

【００８７】この樹脂シート８ａのシート側電極２１
ａ、２１ｂに対し、渦巻き梁部１１を備えたシリコン電
極８ｄの外周部９の薄膜電極２０を接触させ、シリコン
電極８ｄを樹脂シート８ｂの両表面に張りあわせ、高周
波接点シート８、１３が製造される。

【００８８】以上説明したように、本実施の形態に係る
高周波接点シート製造方法により、上述した高周波接点
シート８、１３が製造され、この方法により製造された
高周波接点シート８、１３を利用することにより、上記
第１及び第２の実施の形態で述べた効果を実現できる。

【００８９】なお、上記に述べた高周波接点シート８に
おいて、シリコン電極８ｄは必ずしも同一のスルーホー
ル８ｂの反対側のシリコン電極８ｄと電気的に接続され
る必要はない。

【００９０】すなわち、図９の断面図に示すように、あ
るスルーホール８ｂの一方の開口部にシリコン電極８ｄ
を備え、他のスルーホール８ｂの他方の開口部にシリコ
ン電極８ｄを備え、これらのシリコン電極８ｄ間をパタ
ーン２２で接続してもよい。

【００９１】このような高周波接点シート２３は、半導
体を多層的に接続する場合に利用できる。

【００９２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、可
撓性を持つシリコン電極を検査対象の素子のパッドに接
触させることでパッドの高さのばらつきを補正すること
ができ、繰り返し利用しても劣化する程度が小さいため
利用回数を多くできる。

【００９３】また、本発明によれば、シリコン電極を小
型化できるため、検査対象の素子のパッド数が増加して
も、パッドサイズが小型化しても、各パッドの間隔が狭
くなっても対応できる。

【００９４】また、本発明によれば、導電性に優れたシ
リコンにより電極を構成しているため、高周波の信号を
高精度に取り扱うことができる。

【００９５】これにより、信頼性が高く、高精度の性能
評価を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施の形態に係る高周波接点
シートを例示する上面図。

【図２】 同実施の形態に係る高周波接点シートの断面
図。

【図３】 同実施の形態に係る高周波接点シートに備え
られるシリコン電極の上面図。

【図４】 同実施の形態に係る高周波接点シートを利用
した性能試験装置を例示する斜視図。

【図５】 同実施の形態に係る高周波接点シートに検査
対象のＩＣ素子と基板とが配置される前後の状態を例示
する断面図。

【図６】 本発明の第２の実施の形態に係る高周波接点
シートに検査対象のＩＣ素子と基板とが配置される前後
の状態を例示する断面図。

【図７】 本発明の第３の実施の形態に係るシリコン電
極製造方法におけるシリコン電極の製造段階を例示する
断面図。

【図８】 一方の表面のシート側電極と他方の表面のシ
ート側電極とを電気的に導通させた樹脂シートを例示す
る斜視図。

【図９】 異なるスルーホールに備えられたシリコン電
極の間が接続されている高周波接点接点シートを例示す
る断面図。

【図１０】 従来の一般的なＩＣ素子を例示する外観斜
視図。

【図１１】 ＩＣ素子の性能評価に利用する既存のコン
タクトエレメントを例示する断面図。

【図１２】 パッドをグリッド状に配置したＩＣ素子を
例示する下方斜視図。

【図１３】 導電性ゴムを含む高周波接点シートの利用
状態を例示する断面図。

【符号の説明】

１、６…ＩＣ素子 １ａ、３ａ、６ａ…パッド ２…コンタクトエレメント ３…ＤＵＴ ４…ゴム ５…基板 ５ａ…フットパターン ８、１３、２３…高周波接点シート ８ａ…樹脂シート ８ｂ…スルーホール ８ｃ…メッキ ８ｄ…シリコン電極 ８ｅ…電極突起部 ９…外周部 １０…中心部 １１…渦巻き梁部 １２…同軸ケーブル １４ａ、１４ｂ…凹部 １５…金属部 １６…シリコン板 １７…シリコン酸化膜 １８、２０…薄膜電極 １９…ホトレジスト膜 ２１ａ、２１ｂ…シート側電極 ２２…パターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早川 聡 東京都港区南麻布五丁目10番27号 アンリ ツ株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AE03 AG03 AG07 AG12 AH05 2G011 AA16 AA21 AB08 AC14 AC32 AD01 AE02 AE22 AF07 4M106 AA02 BA14 DD03 DD10 DD15

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン板から形成された外周部(9)
   と、 前記シリコン板から形成され、前記外周部の内側に位置
   する中心部(10)と、 前記シリコン板から形成され、前記外周部に対して前記
   中心部を支持する少なくとも一つの梁部(11)と、 前記中心部の表面に備えられた電極突起部(8e)とを具備
   したことを特徴とするシリコン電極。
2. 【請求項２】 絶縁性のシート(8a)と、 前記シートの一方の表面から他方の表面まで貫通したス
   ルーホール(8b)と、 シリコン板から形成され，外周部(9)に対して一方の表
   面に電極突起部(8e)を備えた中心部(10)を少なくとも一
   つの梁部(11)で支持し、前記スルーホールの開口部を覆
   い前記電極突起部(8e)がこのスルーホールと反対側に位
   置するように備えられた複数のシリコン電極(8d)と、 前記スルーホールを挟んだ状態で備えられているシリコ
   ン電極の間を電気的に導通させるために前記スルーホー
   ルの側面に備えられた導電部(8c)とを具備したことを特
   徴とする高周波接点シート。
3. 【請求項３】 絶縁性のシート(8a)と、 前記シートの一方の表面に形成された第１の凹部(14a)
   と、 前記第１の凹部とほぼ対称位置になるように前記シート
   の他方の表面に形成された第２の凹部(14b)と、 シリコン板から形成され，外周部(9)に対して一方の表
   面に電極突起部(8e)を備えた中心部(10)を少なくとも一
   つの梁部(11)で支持し、前記凹部の開口部を覆い前記電
   極突起部(8e)がこの凹部と反対側に位置するように備え
   られた複数のシリコン電極(8d)と、 前記第１の凹部の開口部に備えられたシリコン電極と、
   この第１の凹部に対してほぼ対称位置にある前記第２の
   凹部の開口部に備えられたシリコン電極との間を電気的
   に導通させる導電部(15)とを具備したことを特徴とする
   高周波接点シート。
4. 【請求項４】 シリコン板(16)から外周部(9)を形成す
   る部分と前記外周部(9)の内側に位置する中心部(10)を
   形成する部分と前記外周部(9)に対して前記中心部(10)
   を支持する少なくとも一つの梁部(11)を形成する部分と
   をエッチング保護膜(17)で覆う工程と、 前記シリコン板(16)の一方の表面をホトレジスト膜(19)
   で覆う工程と、 前記ホトレジスト膜(19)のうち前記シリコン板(16)の中
   心部を覆う部分に光を照射し、この部分のホトレジスト
   膜(19)を除去する工程と、 前記シリコン板(16)の一方の表面にメッキを行い、前記
   シリコン板(16)の一方の表面を覆うホトレジスト膜(19)
   を除去して前記シリコン板(16)の中心部に電極突起部(8
   e)を備える工程と、 前記シリコン板(16)をエッチングする工程と、 前記シリコン板(16)からエッチング保護膜(17)を除去す
   る工程とからなるシリコン電極製造方法。