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JP2001345414A - リードフレーム、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

リードフレーム、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

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JP2001345414A
JP2001345414A JP2000164674A JP2000164674A JP2001345414A JP 2001345414 A JP2001345414 A JP 2001345414A JP 2000164674 A JP2000164674 A JP 2000164674A JP 2000164674 A JP2000164674 A JP 2000164674A JP 2001345414 A JP2001345414 A JP 2001345414A
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die pad
semiconductor device
lead frame
thin portion
sealing material
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応顕 曾根
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイパッドの裏面が露出する構造でありなが
ら信頼性の高いリードフレーム、半導体装置及びその製
造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにあ
る。 【解決手段】 半導体装置は、半導体チップ３０と、中
央部１８よりも薄い薄肉部１６が端部に形成されてなる
ダイパッド１４と、封止材４２と、を有し、ダイパッド
１４の薄肉部１６の一方の面は中央部１８の一方の面と
面一に形成されてなり、封止材４２はダイパッド１４に
おける薄肉部１６及び中央部１８の面一となった面を露
出させてダイパッド１４の端部を封止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム、
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
に関する。
【０００２】
【発明の背景】リードフレームのダイパッドの裏面を露
出させた形態のパッケージが知られている。このパッケ
ージの製造工程では、ダイパッドを金型に押しつけて樹
脂のモールド工程を行う。しかし、ダイパッドと金型と
の間に樹脂が入り込むため、ダイパッドの裏面にバリが
出来ていた。また、このパッケージでは、ダイパッドと
樹脂との界面が剥離しやすかった。
【０００３】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、ダイパッドの裏面が露出する構造
でありながら信頼性の高いリードフレーム、半導体装置
及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係るリー
ドフレームは、外枠とダイパッドとを有するリードフレ
ームであって、前記ダイパッドの端部には、中央部より
も薄い薄肉部が形成されてなり、前記薄肉部の一方の面
は、前記中央部の一方の面と面一に形成されてなり、前
記ダイパッドは、前記薄肉部及び前記中央部の面一とな
った前記面が向く方向に前記外枠からシフトしてなる。
【０００５】本発明によれば、ダイパッドの端部には薄
肉部が形成されているので封止材が載りやすくなってい
る。したがって、モールド工程でダイパッドを型に押し
つけやすい。そして、ダイパッドと型との間に封止材が
入り込まず、バリができにくい。また、ダイパッドの端
部に薄肉部を形成することで、ダイパッドの一方の面を
露出させて封止材で封止しても、ダイパッドの一方の面
から他方の面に至る距離が長くなる。そして、ダイパッ
ドと封止材との界面に剥離が生じても、水分の侵入を抑
制することができる。
【０００６】（２）このリードフレームにおいて、前記
ダイパッドは、吊りピンによって前記外枠に連結されて
なり、前記薄肉部は、前記ダイパッドの端部に一部を避
けて形成され、前記吊りピンは、前記ダイパッドにおけ
る前記薄肉部を避けた部分に連結されていてもよい。
【０００７】これによれば、薄肉部を避けて、吊りピン
がダイパッドに連結されているので、両者の連結部分の
強度が低下することを避けられる。
【０００８】（３）このリードフレームにおいて、前記
ダイパッドの端部に段が形成されることで、前記薄肉部
が形成され、前記段を構成する面のうち、前記ダイパッ
ドの厚み方向に立ち上がる端面は、凹面をなしていても
よい。
【０００９】これによれば、凹面に入り込むように封止
材を設けると、凹面と封止材との密着性が向上する。
【００１０】（４）本発明に係る半導体装置は、半導体
チップと、前記半導体チップが搭載され、端部に中央部
よりも薄い薄肉部が形成されてなるダイパッドと、前記
半導体チップを封止する封止材と、を有し、前記ダイパ
ッドの前記薄肉部の一方の面は、前記中央部の一方の面
と面一に形成されてなり、前記封止材は、前記ダイパッ
ドにおける前記薄肉部及び前記中央部の面一となった前
記面を露出させて、前記ダイパッドの前記端部を封止す
る。
【００１１】本発明によれば、ダイパッドの端部に薄肉
部が形成されることで、ダイパッドの一方の面から他方
の面への距離が長くなり、ダイパッドと封止材との界面
に剥離が生じても、水分の侵入を抑えることができる。
また、ダイパッドの端部には薄肉部が形成されているの
で封止材が載りやすくなっている。したがって、モール
ド工程でダイパッドを型に押しつけやすい。そして、ダ
イパッドと型との間に封止材が入り込まず、バリができ
にくい。
【００１２】（５）この半導体装置において、前記ダイ
パッドの端部に段が形成されることで、前記薄肉部が形
成され、前記ダイパッドの前記段を構成する面のうち、
前記ダイパッドの厚み方向に立ち上がる端面は、凹面を
なしていてもよい。
【００１３】これによれば、封止材が凹面に入り込むの
で、ダイパッドの端部と封止材との密着性が向上する。
【００１４】（６）この半導体装置において、前記ダイ
パッドの前記封止材から露出する前記面に、ロウ材が設
けられていてもよい。
【００１５】これによれば、ダイパッドの露出した面の
保護をロウ材によって図ることができ、ロウ材を使用し
て他の部材とダイパッドとを接合しやすくなっている。
【００１６】（７）本発明に係る回路基板は、上記半導
体装置を備える。
【００１７】（８）本発明に係る回路基板は、上記半導
体装置を備え、前記ロウ材によって前記ダイパッドと接
合される放熱部材が設けられてなる。
【００１８】これによれば、半導体チップに生じた熱
を、ダイパッドと接合された放熱部材から発散すること
ができる。
【００１９】（９）本発明に係る電子機器は、上記半導
体装置を備える。
【００２０】（１０）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を備え、前記ロウ材によって前記ダイパッドと
接合される放熱部材が設けられてなる。
【００２１】これによれば、半導体チップに生じた熱
を、ダイパッドと接合された放熱部材から発散すること
ができる。
【００２２】（１１）本発明に係る半導体装置の製造方
法は、ダイパッドに半導体チップが搭載されたリードフ
レームを型にセットして行うモールド工程を含み、前記
ダイパッドの端部には、中央部よりも薄い薄肉部が形成
されてなり、前記薄肉部の一方の面は、前記中央部の一
方の面と面一に形成されてなり、前記薄肉部に封止材が
載ることで、前記ダイパッドを前記型の内面に接触させ
て前記モールド工程を行う。
【００２３】本発明によれば、ダイパッドの端部には薄
肉部が形成されているので封止材が載りやすくなってお
り、ダイパッドに封止材を載せて型に押しつけることが
できる。したがって、ダイパッドと型との間に封止材を
入り込ませずにモールド工程を行うことができる。こう
して、ダイパッド上にバリができないように半導体装置
を製造することができる。
【００２４】（１２）この半導体装置の製造方法におい
て、前記モールド工程後に、前記リードフレームに対し
て行う電解メッキ工程を含み、前記リードフレームは、
外枠と、前記外枠と前記ダイパッドとを連結する吊りピ
ンと、を有し、前記電解メッキ工程を、前記吊りピンを
切断する前に行ってもよい。
【００２５】これによれば、吊りピンを利用して、外枠
とダイパッドとの電気的な接続をとって電解メッキを行
うことができる。
【００２６】（１３）この半導体装置の製造方法におい
て、前記リードフレームは、ダムバーによって連結され
た複数のリードを有し、前記電解メッキ工程を、前記ダ
ムバーを切断した後に行ってもよい。
【００２７】これによれば、リードにおけるダムバーと
の切断面にも電解メッキを施すことができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施の形
態について図面を参照して説明する。
【００２９】（リードフレーム）図１は、本実施の形態
に係るリードフレームを示す図である。図２は、図１の
II−II線断面図であり、図３は、図１のIII−III線断面
図である。
【００３０】リードフレーム１０は、銅系又は鉄系の板
材を加工して形成される。その加工方法には、化学的な
エッチングや、機械的な打ち抜きが適用される。リード
フレーム１０は、外枠１２を有する。外枠１２は、長方
形をなしていることが多く、外枠１２の形状がリードフ
レーム１０の外形となる。外枠１２には、図示しない治
具穴を形成し、モールド用の型に設けられたガイドピン
を入れられるようにすることが好ましい。これにより、
リードフレーム１０の型に対する位置決めを簡単に行え
る。
【００３１】リードフレーム１０は、ダイパッド１４を
有する。ダイパッド１４は、半導体チップ３０（図４参
照）などの電子部品を搭載する部分であり、矩形（特に
正方形）をなす場合が多い。本実施の形態では、ダイパ
ッド１４の端部には、図２に示すように薄肉部１６が形
成されている。薄肉部１６は、ハーフエッチングによっ
て形成することができる。また、板材を、リードフレー
ム１０の形状に加工するときに、同時にハーフエッチン
グして薄肉部１６を形成してもよい。
【００３２】薄肉部１６は、ダイパッド１４の中央部１
８よりも薄い。薄肉部１６を形成することで、ダイパッ
ド１４の端部に、少なくとも１つの段（図２に示す例で
は１つの段が示されているが複数の段を形成してもよ
い。）が形成されている。
【００３３】ダイパッド１４の一方の面と他方の面とを
接続する面（例えばダイパッド１４の端部に形成された
段を構成する面）のうち、ダイパッド１４の厚み方向に
立ち上がる面は、図２に拡大して示すように、凹面をな
すことが好ましい。この形状によれば、凹面に封止材が
入り込んで、ダイパッド１４の端部と封止材４２（図４
参照）が密着しやすい。
【００３４】薄肉部１６の一方の面は、ダイパッド１４
の中央部１８の一方の面と面一になっている。すなわ
ち、ダイパッドの１４の端部において、片面からのみ薄
くなって薄肉部１６が形成されている。ダイパッド１４
の一方の面（裏面）は、薄肉部１６の面及び中央部１８
の面が面一になって形成されている。
【００３５】ダイパッド１４の他方の面（表面）は、中
央部１８の面と、薄肉部１６の面と、両者の面を接続す
る面（例えば図２に示すようにダイパッド１４の厚み方
向に立ち上がる面）と、で形成されている。薄肉部１６
と面一になっていない中央部１８の面は、図４に示すよ
うに、半導体チップ３０の搭載面であり、半導体チップ
３０よりも大きく設定されている。
【００３６】ダイパッドの１４の一方の面（中央部１８
の面及び薄肉部１６の面が面一となって形成された面）
は、ダイパッド１４の他方の面のうちの中央部１８の面
よりも大きい。ダイパッド１４の一方の面は、全体的に
平坦面であることが好ましい。こうすることで、モール
ド工程で、型４０（図４参照）の内面にダイパッド１４
の一方の面を全体的に接触させることができる。
【００３７】薄肉部１６は、ダイパッドの１４の端部の
全体に形成されていてもよいが、図１に示すように、一
部を除いて形成されていてもよい。図１に示す例では、
矩形のダイパッド１４の角部を除いて、薄肉部１６が形
成されている。ダイパッド１４の角部は、中央部１８と
同じ厚みとなっている。
【００３８】ダイパッド１４は、吊りピン（タイバー又
は吊りリード）２０によって外枠１２と接続されてい
る。吊りピン２０は、薄肉部１６を避けてダイパッド１
４と接続されていることが好ましい。こうすることで、
ダイパッド１４と吊りピン２０との接続部の強度の低下
を避けることができる。例えば図１に示すように、矩形
のダイパッド１４の角部を薄肉部１６よりも厚く（ある
いは中央部１８とほぼ同じ厚みで）形成し、この角部が
吊りピン２０との接続部となっていてもよい。
【００３９】吊りピン２０は、図３に示すように屈曲
し、ダイパッド１４における薄肉部１６は、外枠１２か
らシフトしている。詳しくは、ダイパッド１４は、薄肉
部１６及び中央部１８の面一となった面が向く方向に、
外枠１２からシフトしている。また、ダイパッド１４
は、ダウンセットされている。すなわち、ダイパッド１
４における外枠１２からシフトした方向とは反対側の面
が、半導体チップ３０の搭載面である。あるいは、ダイ
パッド１４における薄肉部１６及び中央部１８の面一と
なった面とは反対側の面が、半導体チップ３０の搭載面
である。あるいは、ダイパッド１４における薄肉部１６
を形成するために削られた片面が、半導体チップ３０の
搭載面である。なお、本実施の形態では、図４に示すよ
うに、半導体チップ３０のパッド（図示せず）よりもリ
ード２２の位置が高くなるように、ダイパッド１４の位
置が設定されている。
【００４０】リードフレーム１０は、複数のリード２２
を有する。リード２２は、外枠１２からダイパッド１４
に向けて延びて設けられている。リード２２は、詳しく
は、インナーリード２４及びアウターリード２６を含
む。インナーリード２４は、半導体装置において封止材
４２（図８参照）で封止される部分であり、アウターリ
ード２６は、封止材４２から引き出された部分であって
外部との電気的な接続に使用される部分である。
【００４１】アウターリード２６は、矩形のダイパッド
１４の各辺に対して直角に、外枠１２から延びている。
インナーリード２４は、アウターリード２６から、ダイ
パッド１４の中央部に向けて傾斜して延びている。隣同
士のリード２２は、ダムバー２８によって連結されてい
る。詳しくは、ダムバー２８は、隣同士のアウターリー
ド２６におけるインナーリード２４に近い部分を連結し
ている。
【００４２】本実施の形態のリードフレーム１０には、
上述した構成の他に、周知のリードフレームの構成が適
用されている。
【００４３】（半導体装置の製造方法）図４〜図７は、
本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。
【００４４】まず、上述したリードフレーム１０を用意
し、ダイパッド１４に半導体チップ３０を固定する（ダ
イボンディング工程）。例えば、ダイパッド１４と半導
体チップ３０とを接着剤３２で接着する。接着剤３２と
して、熱硬化性樹脂を用いてもよいが、熱伝導率の高い
材料、例えば金属ペースト（銀ペースト等）を用いても
よい。なお、ダイボンディング工程の前に、図３に示す
ように、吊りピン２０を曲げておいてもよいし、ダイボ
ンディング工程の後に、吊りピン２０を曲げてもよい。
【００４５】次に、ワイヤーボンディング工程を行う。
例えば、半導体チップ３０のパッド（図示せず）とイン
ナーリード２４とに、ワイヤ３４をボンディングする。
この工程には、周知のワイヤボンダーを使用することが
できる。ただし、本実施の形態では、半導体チップ３０
のパッドよりもインナーリード２４が高い位置に設定さ
れているので、これに対応してワイヤ３４のループ高さ
等を調整する。
【００４６】次に、モールディング工程を行う。詳しく
は、図４に示すように、モールド用の型（例えば金型）
４０に、半導体チップ３０が搭載されたリードフレーム
１０をセットする。型４０は、上型３６及び下型３８を
含む。ダイパッド１４が下型３８の内面に接触するよう
に、リードフレーム１０をセットする。そして、半導体
チップ３０、ワイヤ３４及びインナーリード２４を封止
材（モールド樹脂）４２で封止する。封止材４２とし
て、熱硬化性樹脂を用いることが多い。
【００４７】本実施の形態では、ダイパッド１４の端部
に薄肉部１６が形成してある。薄肉部１６及び中央部１
８の面が面一になった側が下型３８に接触し、薄く削ら
れた側が封止材４２にて封止される。したがって、薄肉
部１６に封止材４２が載りやすいので、ダイパッド１４
と下型３８との間に封止材４２が入り込みにくい。その
結果、ダイパッド１４上にバリができにくい。
【００４８】図５は、封止材４２を硬化させて型４０か
ら取り出したリードフレーム１０を示す図である。な
お、図５に示すリードフレーム１０は、図１に示すリー
ドフレーム１０の裏面から見た状態で示されている。図
５に示すように、ダイパッド１４の一方の面は封止材４
２から露出している。この状態で、リード２２の表面に
バリが発生していれば、バリ取り工程を行う。
【００４９】次に、図６に示すように、第１のトリミン
グ工程を行う。すなわち、リード２２を連結しているダ
ムバー２８を切断する。ダムバー２８を切断しておくこ
とで、次の電解メッキ工程で、ダムバー２８の切断面に
もメッキを施すことができる。本実施の形態では、この
時点では、未だ吊りピン２０を切断しない。
【００５０】そして、電解メッキ工程を行う。すなわ
ち、リードフレーム１０の封止材４２から露出した部分
に、ロウ材（例えばハンダ）やスズ等の金属皮膜を形成
する。例えば、複数のアウターリード２６は、外枠１２
と連結されており、外枠１２を介して電気的に接続され
ているので電解メッキが可能である。また、ダイパッド
１４は、吊りピン２０によって外枠１２と連結されてお
り、吊りピン２０を介して電気的に接続されるので電解
メッキが可能になっている。こうして、金属皮膜を形成
することで、耐食性が向上する。また、ハンダなどのロ
ウ材のメッキを施せば、アウターリード２６と配線パタ
ーンとの接合や、ダイパッド１４と放熱部材５４（図８
参照）との接合を容易に行うことができる。
【００５１】次に、図７に示すように、第２のトリミン
グ工程を行う。すなわち、アウターリード２６を外枠１
２から切断し、吊りピン２０を除去する。続いて、フォ
ーミング工程を行う。すなわち、アウターリード２６を
回路基板に実装しやすい形態に曲げる。第２のトリミン
グ工程及びフォーミング工程は同時に行ってもよい。
【００５２】そして、必要であれば、マーキング工程を
行い、検査工程などを行う。以上の工程を経て半導体装
置を製造することができる。
【００５３】（半導体装置・回路基板）図８は、本発明
を適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図であ
る。本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ３
０と、ダイパッド１４と、封止材４２と、を有する。ダ
イパッド１４の一方の面は、封止材４２から露出してい
る。
【００５４】本実施の形態では、ダイパッド１４の端部
に、薄肉部１６を形成したことで段が形成され、封止材
４２からの露出面から半導体チップ３０までの距離が長
くなっている。したがって、外部からの水分の侵入を抑
制し、耐クラック性を向上させることができる。
【００５５】また、ダイパッド１４における厚み方向に
立ち上がる面が、図２に拡大して示すように凹面をなす
ので、凹面に封止材が入り込んで、ダイパッド１４の端
部と封止材４２（図４参照）が密着している。したがっ
て、封止材４２が収縮して変形しても、ダイパッド１４
と封止材４２との界面に隙間が生じにくいので、クラッ
クが生じにくい。
【００５６】図８において、半導体装置は、回路基板５
０に実装されている。回路基板５０には例えばガラスエ
ポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的であ
る。回路基板５０には例えば銅等からなる配線パターン
５２が所望の回路となるように形成されていて、配線パ
ターン５２と半導体装置のアウターリード２６とが接合
されている。また、回路基板５０には、放熱部材（ヒー
トスプレッダ）５４が設けられており、放熱部材５４
は、半導体装置のダイパッド１４の露出面と接合されて
いる。こうすることで、半導体チップ３０に生じた熱
を、ダイパッド１４を通して放熱部材５４から発散させ
ることができる。本実施の形態に係る半導体装置のその
他の構成は、上述したリードフレーム１０及び半導体装
置の製造方法について説明した通りである。
【００５７】そして、本発明を適用した半導体装置を有
する電子機器として、図９にはノート型パーソナルコン
ピュータ１００、図１０には携帯電話２００が示されて
いる。
【００５８】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、図
１１に示すように、ダイパッド６４の端面を傾斜面とす
ることで薄肉部を形成してもよい。あるいは、図１２に
示すように、ダイパッド７４の端面を凹面とすることで
薄肉部を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係るリ
ードフレームを示す図である。
【図２】図２は、図１のII−II線断面図である。
【図３】図３は、図１のIII−III線断面図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】図７は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明する図である。
【図８】図８は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置を搭載する回路基板を示す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した実施の形態に係
る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した実施の形態の変
形例を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した実施の形態の変
形例を示す図である。
【符号の説明】
１０ リードフレーム １２ 外枠 １４ ダイパッド １６ 薄肉部 １８ 中央部 ２０ 吊りピン ３０ 半導体チップ ４０ 型 ５０ 回路基板 ５４ 放熱部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｔ Ｄ Ｆターム(参考） 4F202 AA36 AH37 AM33 CA12 CB01 CB17 CQ03 CQ05 4F206 AA36 AH37 AM33 JA02 JB17 JF05 5F061 AA01 BA02 CA21 DD12 EA03 5F067 AA09 AB03 BD05 BE01 CA02 CC02 DC00 DE14

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外枠とダイパッドとを有するリードフレ
    ームであって、 前記ダイパッドの端部には、中央部よりも薄い薄肉部が
    形成されてなり、 前記薄肉部の一方の面は、前記中央部の一方の面と面一
    に形成されてなり、 前記ダイパッドは、前記薄肉部及び前記中央部の面一と
    なった前記面が向く方向に前記外枠からシフトしてなる
    リードフレーム。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームにおい
    て、 前記ダイパッドは、吊りピンによって前記外枠に連結さ
    れてなり、 前記薄肉部は、前記ダイパッドの端部に一部を避けて形
    成され、 前記吊りピンは、前記ダイパッドにおける前記薄肉部を
    避けた部分に連結されてなるリードフレーム。
  3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載のリードフレ
    ームにおいて、 前記ダイパッドの端部に段が形成されることで、前記薄
    肉部が形成され、 前記段を構成する面のうち、前記ダイパッドの厚み方向
    に立ち上がる端面は、凹面をなすリードフレーム。
  4. 【請求項４】 半導体チップと、 前記半導体チップが搭載され、端部に中央部よりも薄い
    薄肉部が形成されてなるダイパッドと、 前記半導体チップを封止する封止材と、 を有し、 前記ダイパッドの前記薄肉部の一方の面は、前記中央部
    の一方の面と面一に形成されてなり、 前記封止材は、前記ダイパッドにおける前記薄肉部及び
    前記中央部の面一となった前記面を露出させて、前記ダ
    イパッドの前記端部を封止する半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置において、 前記ダイパッドの端部に段が形成されることで、前記薄
    肉部が形成され、 前記ダイパッドの前記段を構成する面のうち、前記ダイ
    パッドの厚み方向に立ち上がる端面は、凹面をなす半導
    体装置。
  6. 【請求項６】 請求項４又は請求項５記載の半導体装置
    において、 前記ダイパッドの前記封止材から露出する前記面に、ロ
    ウ材が設けられてなる半導体装置。
  7. 【請求項７】 請求項４から請求項６のいずれかに記載
    の半導体装置を備える回路基板。
  8. 【請求項８】 請求項６記載の半導体装置を備える回路
    基板であって、 前記ロウ材によって前記ダイパッドと接合される放熱部
    材が設けられてなる回路基板。
  9. 【請求項９】 請求項４から請求項６のいずれかに記載
    の半導体装置を備える電子機器。
  10. 【請求項１０】 請求項６記載の半導体装置を備える電
    子機器であって、 前記ロウ材によって前記ダイパッドと接合される放熱部
    材が設けられてなる電子機器。
  11. 【請求項１１】 ダイパッドに半導体チップが搭載され
    たリードフレームを型にセットして行うモールド工程を
    含み、 前記ダイパッドの端部には、中央部よりも薄い薄肉部が
    形成されてなり、 前記薄肉部の一方の面は、前記中央部の一方の面と面一
    に形成されてなり、 前記薄肉部に封止材が載ることで、前記ダイパッドを前
    記型の内面に接触させて前記モールド工程を行う半導体
    装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体装置の製造方
    法において、 前記モールド工程後に、前記リードフレームに対して行
    う電解メッキ工程を含み、 前記リードフレームは、外枠と、前記外枠と前記ダイパ
    ッドとを連結する吊りピンと、を有し、 前記電解メッキ工程を、前記吊りピンを切断する前に行
    う半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の半導体装置の製造方
    法において、 前記リードフレームは、ダムバーによって連結された複
    数のリードを有し、 前記電解メッキ工程を、前記ダムバーを切断した後に行
    う半導体装置の製造方法。
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