JP2001228491A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
- Publication number
- JP2001228491A JP2001228491A JP2000037962A JP2000037962A JP2001228491A JP 2001228491 A JP2001228491 A JP 2001228491A JP 2000037962 A JP2000037962 A JP 2000037962A JP 2000037962 A JP2000037962 A JP 2000037962A JP 2001228491 A JP2001228491 A JP 2001228491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel electrode
- auxiliary capacitance
- green
- liquid crystal
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ
(Thin Film Transistor、以下TFTと称する)からな
るスイッチング素子を各画素電極毎に配置したアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device in which switching elements composed of thin film transistors (hereinafter, referred to as TFTs) are arranged for each pixel electrode.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、高密度かつ大容量でありながら、
高機能、高精細な表示が得られる液晶表示装置の実用化
が進められている。2. Description of the Related Art In recent years, while having a high density and a large capacity,
Practical use of liquid crystal display devices capable of obtaining high-performance and high-definition display has been promoted.
【0003】この液晶表示装置には各種方式があるが、
中でも隣接画素間のクロストークが小さく、高コントラ
ストの表示が得られ、透過型表示が可能かつ大面積化も
容易などの理由から、互いに交差する方向に設けられた
複数本の走査線と複数本の信号線により区画された複数
個の領域に、TFTをスイッチング素子として画素電極
がマトリクス上に設けられたアレイ基板を備える、アク
ティブマトリクス型液晶表示装置が多く用いられてい
る。There are various types of liquid crystal display devices,
Among them, a plurality of scanning lines and a plurality of scanning lines provided in a direction intersecting with each other are used because crosstalk between adjacent pixels is small, high-contrast display is obtained, transmission-type display is possible, and the area can be easily increased. An active matrix type liquid crystal display device including an array substrate in which pixel electrodes are provided on a matrix using TFTs as switching elements in a plurality of regions defined by the signal lines is widely used.
【0004】アクティブマトリクス型液晶表示装置で
は、走査線が選択された期間に書き込まれた画素電極の
電位が、非選択期間に寄生容量やTFTのオフリーク電
流による隣接信号線の電位変動の影響を受け、クロスト
ークの発生やコントラスト比の低下を引き起こす。こう
した画質の劣化を抑制するため、この種の液晶表示装置
においては、画素電極と電気的に並列に補助容量を形成
する構成が一般的となっている。In an active matrix type liquid crystal display device, the potential of a pixel electrode written in a period in which a scanning line is selected is affected by a parasitic capacitance or a potential fluctuation of an adjacent signal line due to an off-leak current of a TFT in a non-selection period. Causes the occurrence of crosstalk and a decrease in contrast ratio. In order to suppress such deterioration in image quality, a liquid crystal display device of this type generally has a configuration in which an auxiliary capacitor is formed electrically in parallel with a pixel electrode.
【0005】ところで、アクティブマトリクス型液晶表
示装置では、画素間の光漏れを防ぐ目的でブラックマト
リクス(BM)が設けられている。従来、BMはカラー
フィルタ用の着色層とともに、アレイ基板と液晶層を介
して対向して配置される対向基板側に配置されるのが一
般的であった。しかしながら、このような構造において
は、アレイ基板と対向基板との合わせずれを考慮する必
要が有り、光を透過する開口部分の割合(開口率)の低
下を引き起こしていた。このため、近年においては、ア
レイ基板の配線上に有機絶縁膜を設け、最上層に画素電
極を設け、かつその端部をマトリクス状に設けられた配
線に重ねることにより、配線をBMとして用いる配線B
M構造が提案されている。また、有機絶縁膜の代わり
に、従来対向基板に形成されていたカラーフィルタの着
色層を用いた構造も提案されている。このような構造で
は、アレイ基板と対向基板の合わせずれによる開口率の
低下が無いため、高開口率を実現できる。[0005] In an active matrix type liquid crystal display device, a black matrix (BM) is provided for the purpose of preventing light leakage between pixels. Conventionally, the BM has been generally disposed together with a color layer for a color filter on a counter substrate which is disposed to face the array substrate via a liquid crystal layer. However, in such a structure, it is necessary to consider the misalignment between the array substrate and the opposing substrate, which causes a reduction in the ratio of the light-transmitting openings (aperture ratio). For this reason, in recent years, an organic insulating film is provided on a wiring of an array substrate, a pixel electrode is provided on an uppermost layer, and an end portion thereof is overlapped with a wiring provided in a matrix, so that a wiring using the wiring as a BM is provided. B
An M structure has been proposed. Further, a structure using a coloring layer of a color filter conventionally formed on a counter substrate instead of the organic insulating film has been proposed. In such a structure, a high aperture ratio can be realized because the aperture ratio does not decrease due to misalignment between the array substrate and the counter substrate.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した有
機絶縁膜を挟んで配線電極と画素電極を重ね合わせる方
式においては、信号線と画素電極を所定の距離を離して
配置し、開口部を対向基板側に配置したBMで規定する
方式と比較すると、信号線と画素電極との寄生容量が大
きくなり、画素電極の電位が隣接信号線の影響を受けて
クロストークが発生し、表示品位が低下するという問題
点がある。これを解消するには、従来の構造と比較して
より大きい補助容量を付加することが考えられるが、補
助容量の増加は開口率低下を引き起こすため、配線BM
構造を採用することによる開口率改善の効果を相殺して
しまうことになる。In the above-mentioned system in which the wiring electrode and the pixel electrode are overlapped with the organic insulating film interposed therebetween, the signal line and the pixel electrode are arranged at a predetermined distance, and the openings are opposed to each other. Compared with the method defined by the BM arranged on the substrate side, the parasitic capacitance between the signal line and the pixel electrode increases, the potential of the pixel electrode is affected by the adjacent signal line, crosstalk occurs, and the display quality deteriorates. There is a problem that. In order to solve this problem, it is conceivable to add a storage capacitor larger than that of the conventional structure.
This will offset the effect of improving the aperture ratio by adopting the structure.
【0007】この発明は、開口率の低下を最小限に抑え
ながらクロストークを低減して、良好な表示品位を得る
ことができる液晶表示装置を提供することを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of obtaining a good display quality by reducing crosstalk while minimizing a decrease in aperture ratio.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、互いに交差して配置された複数
の信号線及び複数の走査線と、前記信号線と走査線の各
交差部毎に配置されたスイッチング素子と、前記信号
線、走査線及びスイッチング素子の少なくとも一部を覆
うように配置された赤色、緑色、青色の着色層と、前記
着色層上に配置され、前記着色層に形成されるスルーホ
ールを介して前記スイッチング素子の各々に電気的に接
続される複数の画素電極と、前記画素電極と電気的に並
列に配列される補助容量素子とを含むアレイ基板を備え
る液晶表示装置において、前記緑色の着色層上に配置さ
れた前記画素電極と電気的に並列に配列される前記補助
容量素子の容量が、前記赤色の着色層上に配置された前
記画素電極と電気的に並列に配列される前記補助容量素
子の容量及び前記青色の着色層上に配置された前記画素
電極と電気的に並列に配列される前記補助容量素子の容
量よりも大きいことを特徴とする。To achieve the above object, according to the present invention, a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines arranged to cross each other, and each intersection of the signal lines and the scanning lines is provided. A switching element disposed for each unit, a red, green, and blue coloring layer disposed so as to cover at least a part of the signal line, the scanning line, and the switching element; and a coloring layer disposed on the coloring layer. An array substrate including a plurality of pixel electrodes electrically connected to each of the switching elements via through holes formed in a layer, and auxiliary capacitance elements electrically arranged in parallel with the pixel electrodes; In the liquid crystal display device, the capacitance of the auxiliary capacitance element electrically arranged in parallel with the pixel electrode arranged on the green coloring layer is electrically connected to the pixel electrode arranged on the red coloring layer. Typically Being larger than the capacitance of the storage capacitor elements arranged the parallel capacitor and with said pixel electrode electrically disposed coloring layer of the blue auxiliary capacitor elements arranged in columns.
【0009】上記構成においては、視感度の高い緑色の
画素電極に接続する補助容量素子の容量を、他の補助容
量素子の容量よりも大きくし、緑色を表示した際のクロ
ストークを改善するようにしている。これによると、赤
色及び青色表示時のクロストークは比較的目立たないた
め、緑色のクロストークが改善されることにより全体と
して良好な表示品位を得ることができる。しかも、全画
素の補助容量素子の容量を大きくする場合と比べて、開
口率の低下を1/3にすることができる。In the above configuration, the capacitance of the auxiliary capacitance element connected to the green pixel electrode having high visibility is made larger than the capacitance of the other auxiliary capacitance elements so as to improve crosstalk when displaying green. I have to. According to this, since the crosstalk at the time of displaying red and blue is relatively inconspicuous, good display quality can be obtained as a whole by improving the green crosstalk. In addition, the decrease in the aperture ratio can be reduced to 1/3 of the case where the capacitance of the auxiliary capacitance element of all pixels is increased.
【0010】好ましい態様として、前記緑色上に配置さ
れた画素電極と電気的に並列に配列される補助容量素子
の容量(CsG)と、前記赤色(R)上に配置された画
素電極と電気的に並列に配列される補助容量素子の容量
(CsR)と、前記青色(B)上に配置された前記画素
電極と電気的に並列に配列される前記補助容量素子の容
量(CsB)の関係を、CsG>CsR≧CsBとす
る。In a preferred embodiment, the capacitance (CsG) of the auxiliary capacitance element electrically arranged in parallel with the pixel electrode arranged on the green color and the pixel electrode arranged on the red color (R) are electrically connected to each other. The relationship between the capacitance (CsR) of the auxiliary capacitance element arranged in parallel with the pixel electrode and the capacitance (CsB) of the auxiliary capacitance element electrically arranged in parallel with the pixel electrode arranged on the blue color (B). , CsG> CsR ≧ CsB.
【0011】このように、補助容量素子の容量値を視感
度の順(1.緑色、2.赤色、3.青色)に大きくする
ことにより、よりバランスよく全体の表示品位を改善す
ることができる。As described above, by increasing the capacitance value of the auxiliary capacitance element in the order of luminosity (1. green, 2. red, 3. blue), the overall display quality can be improved in a more balanced manner. .
【0012】また、好ましい態様として、前記赤色着色
層の信号線方向の幅(WR)と、前記緑色着色層の信号
線方向の幅(WG)と、前記青色着色層の信号線方向の
幅(WB)を、WG>WR≧WBとする。In a preferred embodiment, the width (WR) of the red coloring layer in the signal line direction, the width (WG) of the green coloring layer in the signal line direction, and the width (WG) of the blue coloring layer in the signal line direction are preferable. WB) is set to WG> WR ≧ WB.
【0013】このように、補助容量素子の容量値が大き
な緑色は着色層の信号線方向の幅を大きくし、また容量
値が小さな赤色や青色は小さくすることにより、補助容
量素子の容量値を大きくする緑色の画素開口率を、容量
値の小さな赤色や青色の画素開口率と同等にすることが
できる。As described above, by increasing the width of the colored layer in the signal line direction for green having a large capacitance value of the auxiliary capacitance element, and reducing the capacitance of the auxiliary capacitance element for red and blue having a small capacitance value. The green pixel aperture ratio to be increased can be made equal to the red or blue pixel aperture ratio having a small capacitance value.
【0014】さらに、好ましい態様として、前記着色層
上に配置された画素電極と電気的に並列に配列される補
助容量素子を構成する一対の電極において、一方の電極
形状を赤色(R),緑色(G),青色(B)で同一と
し、他方の電極形状の面積は、前記緑色上に配置された
画素電極と電気的に接続する補助容量素子の面積(SC
sG)と、前記赤色上に配置された画素電極と電気的に
接続する補助容量素子の面積(SCsR)と、前記青色
上に配置された画素電極と電気的に接続する補助容量素
子の面積(SCsB)を、SCsG>SCsR≧SCs
Bとする。Further, as a preferred embodiment, one of a pair of electrodes constituting an auxiliary capacitance element electrically arranged in parallel with the pixel electrode disposed on the coloring layer has a shape of red (R) or green. (G) and blue (B), and the area of the other electrode shape is the area (SC) of the auxiliary capacitance element electrically connected to the pixel electrode disposed on the green color.
sG), the area of the auxiliary capacitance element electrically connected to the pixel electrode arranged on the red color (SCsR), and the area of the auxiliary capacitance element electrically connected to the pixel electrode arranged on the blue color (SCsR). SCsB), SCsG> SCsR ≧ SCs
B.
【0015】このように、補助容量素子を形成する一対
の電極において、一方の電極形状を3色で同一とし、他
方の電極面積の大きさを、視感度の順(1.緑色、2.
赤色、3.青色)に設定することにより、開口部の形状
を変えることなしに、良好な表示品位を得ることができ
る。As described above, in the pair of electrodes forming the auxiliary capacitance element, one electrode has the same shape in three colors, and the size of the other electrode is determined in the order of luminosity (1. green, 2.
Red; By setting (blue), good display quality can be obtained without changing the shape of the opening.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】次に、この発明に係わる液晶表示
装置をアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用した
場合の実施形態について説明する。Next, an embodiment in which the liquid crystal display device according to the present invention is applied to an active matrix type liquid crystal display device will be described.
【0017】なお、以下の実施形態において、同一構造
の部分が複数あるときは、その一つの部分を代表して説
明するものとし、同一部分を複数の図面を使って説明す
る場合は、一つの図面に示された符号で他の図面をも説
明するものとする。また、符号に付くa,b,cは赤色
(R),緑色(G),青色(B)の識別を示すが、一部
省略している。さらに、“信号線19a,19b,19
c”のように複数の同一部分があるときは、必要に応じ
て“信号線19”と総称して記述する。In the following embodiments, when there are a plurality of parts having the same structure, one of the parts will be described as a representative, and when the same part is described using a plurality of drawings, one part will be described. The other drawings are described with reference numerals shown in the drawings. Further, a, b, and c attached to the reference numerals indicate red (R), green (G), and blue (B), but some of them are omitted. Further, “signal lines 19a, 19b, 19
When there are a plurality of identical portions as in "c", they are collectively described as "signal lines 19" as necessary.
【0018】[実施形態1]図1は、実施形態1に係わ
る液晶表示装置10の電極構造を示す概略平面図であ
り、赤色(R),緑色(G),青色(B)の順に着色層
が配置された状態を示している。また図2は、図1の一
点鎖線A−Bに沿って切断した概略断面図であり、L字
形に切断された断面を展開した状態を示している(図
中、一点鎖線“Y”は折り曲げ箇所を示す)。[First Embodiment] FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of a liquid crystal display device 10 according to a first embodiment, in which red (R), green (G), and blue (B) colored layers are arranged in this order. Shows a state where is arranged. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along a dashed line AB of FIG. 1 and shows a state in which a cross section cut into an L-shape is developed (in the drawing, the dashed line “Y” is bent. Location).
【0019】図2において、液晶表示装置10は、後述
する着色層(カラーフィルタ)を有するアレイ基板11
0と対向基板120との間に液晶層70を挟持してい
る。これらの2枚の基板間の距離は樹脂からなるスペー
サ柱25によって規定されており、さらにアレイ基板1
10及び対向基板120は、基板外周を囲むように配置
された図示しないシール部材によって接着されている。In FIG. 2, a liquid crystal display device 10 has an array substrate 11 having a coloring layer (color filter) described later.
The liquid crystal layer 70 is sandwiched between the first substrate 0 and the counter substrate 120. The distance between these two substrates is defined by spacer columns 25 made of resin.
The counter substrate 120 and the counter substrate 120 are adhered by a sealing member (not shown) arranged so as to surround the outer periphery of the substrate.
【0020】対向基板120は、透明基板51上にIT
Oからなる透明電極52、配向膜53が順に形成されて
いる。The opposing substrate 120 is provided on the transparent substrate 51 by IT.
A transparent electrode 52 made of O and an alignment film 53 are sequentially formed.
【0021】一方、アレイ基板110は、透明基板11
上に走査線15、これと平行に設けられた補助容量電極
16a,16b,16c、及び絶縁膜17を介してこれ
らと直交する信号線19a,19b,19cが配置され
ている。また、走査線15と信号線19の交点近傍には
スイッチング素子としてNch型LDD構造のTFT素
子30と、このTFT素子30と電気的に接続されたソ
ース電極112と、このソース電極112に接続する画
素電極24(24a,24b,24c)が配置されてい
る。On the other hand, the array substrate 110 is
A scanning line 15, auxiliary capacitance electrodes 16 a, 16 b, 16 c provided in parallel with the scanning line 15, and signal lines 19 a, 19 b, 19 c orthogonal to these via an insulating film 17 are arranged thereon. In the vicinity of the intersection of the scanning line 15 and the signal line 19, a TFT element 30 having an Nch LDD structure as a switching element, a source electrode 112 electrically connected to the TFT element 30, and a connection to the source electrode 112 The pixel electrodes 24 (24a, 24b, 24c) are arranged.
【0022】また、透明基板11上にはTFT素子30
だけでなく、図示しない駆動回路が表示領域周辺に形成
されている。そして、TFT素子30および前記駆動回
路を覆うように保護絶縁膜20が形成され、さらにその
上部にカラーフィルタとして赤色着色層(R)22a,
緑色着色層(G)22b,青色着色層(B)22cがス
トライプ状に配置されている。The TFT element 30 is provided on the transparent substrate 11.
In addition, a drive circuit (not shown) is formed around the display area. Then, a protective insulating film 20 is formed so as to cover the TFT element 30 and the driving circuit, and a red colored layer (R) 22a as a color filter is further formed thereon.
The green coloring layer (G) 22b and the blue coloring layer (B) 22c are arranged in a stripe shape.
【0023】画素電極24はこれら着色層22上に配置
されており、着色層22及び保護絶縁膜20に形成され
ている保護絶縁膜コンタクトホール21を介して、ソー
ス電極112と接続している。また画素電極24には、
これと電気的に並列に配列される補助容量素子130が
接続されている。さらに、画素電極24及び着色層22
を覆うように基板全面には配向膜26が配置されてい
る。そして、緑色着色層(G)22bのパターンの端
は、赤色着色層(R)22aや青色着色層(B)22c
で覆われている。これは、各着色層を加工する際に用い
る遮光マスクを適合するように作製することで達成され
る。The pixel electrode 24 is disposed on the coloring layer 22, and is connected to the source electrode 112 via the coloring layer 22 and the protective insulating film contact hole 21 formed in the protective insulating film 20. The pixel electrode 24 has
The auxiliary capacitance element 130 electrically connected in parallel with this is connected. Further, the pixel electrode 24 and the coloring layer 22
An alignment film 26 is disposed on the entire surface of the substrate so as to cover the substrate. The ends of the pattern of the green coloring layer (G) 22b are connected to the red coloring layer (R) 22a and the blue coloring layer (B) 22c.
Covered with. This is achieved by making the light-shielding mask used when processing each colored layer suitable.
【0024】画素電極24と電気的に並列に配列された
補助容量素子130は、補助容量下部電極13(13
a,13b,13c)と補助容量上部電極16(16
a,16b,16c)とから構成されている。各補助容
量素子130の容量は、視感度の高い緑色着色層(G)
22b上の画素電極24bに電気的に配列に配列される
補助容量が、赤色着色層(R)22a上の画素電極24
a及び青色着色層(B)22c上の画素電極24cにそ
れぞれ並列に配列される補助容量よりも大きな値となる
ように設定されている。The auxiliary capacitance element 130 electrically arranged in parallel with the pixel electrode 24 includes an auxiliary capacitance lower electrode 13 (13
a, 13b, 13c) and the storage capacitor upper electrode 16 (16
a, 16b, 16c). The capacitance of each auxiliary capacitance element 130 is a green colored layer (G) having high visibility.
The storage capacitors electrically arranged on the pixel electrode 24b on the pixel electrode 22b are connected to the pixel electrodes 24b on the red colored layer (R) 22a.
The values are set to be larger than the auxiliary capacitances arranged in parallel with the pixel electrodes 24c on the blue colored layer (B) 22c and the blue colored layer (B) 22c.
【0025】この実施形態では、図1に示すように、緑
色着色層(G)22bに対応する補助容量素子130を
構成する補助容量下部電極13bと補助容量上部電極1
6bの面積が、赤色着色層(R)22a及び青色の着色
層(B)22cの補助容量素子130を構成する補助容
量下部電極13a,13c並びに補助容量上部電極16
a,16cよりも大きくなるように、補助容量下部電極
13b及び補助容量上部電極16bの信号線19方向の
幅を広くしている。すなわち、緑色着色層(G)22b
上に配置された画素電極24bと電気的に並列に配列さ
れる補助容量素子130の容量(CsG)と、前記赤色
(R)上に配置された画素電極24aと電気的に並列に
配列される補助容量素子130の容量(CsR)と、前
記青色(B)上に配置された画素電極24cと電気的に
並列に配列される補助容量素子130の容量(CsB)
の関係がCsG>CsR≧CsBとなるように設定して
いる。In this embodiment, as shown in FIG. 1, the auxiliary capacitance lower electrode 13b and the auxiliary capacitance upper electrode 1 which constitute the auxiliary capacitance element 130 corresponding to the green colored layer (G) 22b.
The area of 6b is smaller than the auxiliary capacitance lower electrodes 13a and 13c and the auxiliary capacitance upper electrode 16 which constitute the auxiliary capacitance element 130 of the red colored layer (R) 22a and the blue colored layer (B) 22c.
The width of the auxiliary capacitance lower electrode 13b and the auxiliary capacitance upper electrode 16b in the direction of the signal line 19 is increased so as to be larger than a and 16c. That is, the green colored layer (G) 22b
The capacitance (CsG) of the auxiliary capacitance element 130 electrically arranged in parallel with the pixel electrode 24b disposed thereon and the pixel electrode 24a arranged on the red color (R) are electrically arranged in parallel. The capacitance (CsR) of the auxiliary capacitance element 130 and the capacitance (CsB) of the auxiliary capacitance element 130 electrically arranged in parallel with the pixel electrode 24c arranged on the blue color (B).
Is set such that CsG> CsR ≧ CsB.
【0026】また、緑色着色層(G)22bに対応する
補助容量素子130の容量(CsG)を大きくするため
に、補助容量下部電極13bと補助容量上部電極16b
の面積を大きくすると、緑色着色層(G)22bの画素
開口率が低下してしまう。このため、赤色着色層(R)
22aの走査線15方向の幅(WR)と、緑色着色層
(G)22bの走査線15方向の幅(WG)と、青色着
色層(B)22bの走査線15方向の幅(WB)は、W
G>WR≧WBとなるように設定している。このよう
に、緑色着色層(G)22bの信号線15方向の幅(W
G)を広げることで、容量値の小さな赤色や青色の画素
開口率と同等にすることができる。In order to increase the capacitance (CsG) of the auxiliary capacitance element 130 corresponding to the green colored layer (G) 22b, the auxiliary capacitance lower electrode 13b and the auxiliary capacitance upper electrode 16b
When the area of is increased, the pixel aperture ratio of the green coloring layer (G) 22b decreases. For this reason, the red colored layer (R)
The width (WR) of the green coloring layer (G) 22b in the direction of the scanning line 15 (WG), and the width (WB) of the blue coloring layer (B) 22b in the direction of the scanning line 15 are: , W
G> WR ≧ WB is set. Thus, the width (W) of the green colored layer (G) 22b in the direction of the signal line 15 is obtained.
By increasing G), the pixel aperture ratio can be made equal to the pixel aperture ratio of red or blue having a small capacitance value.
【0027】上記のように構成された液晶表示装置10
によれば、視感度の高い緑色着色層(G)22bに対応
する補助容量素子130の容量が他の着色層に対応する
補助容量素子130の容量よりも大きいため、緑色を表
示した際のクロストークが改善される。一方、赤色及び
青色を表示した際のクロストークは比較的目立たないた
め、緑色のクロストークを改善することにより、全体と
して良好な表示品位を得ることができる。この場合、R
GB全画素の補助容量素子の容量を大きくする場合と比
べて、開口率の低下を1/3に抑えることができる。The liquid crystal display device 10 constructed as described above
According to the method, the capacitance of the auxiliary capacitance element 130 corresponding to the green colored layer (G) 22b having high visibility is larger than the capacitance of the auxiliary capacitance element 130 corresponding to the other colored layers. Talk is improved. On the other hand, since the crosstalk when displaying red and blue is relatively inconspicuous, by improving the green crosstalk, it is possible to obtain good display quality as a whole. In this case, R
A decrease in the aperture ratio can be suppressed to 1 / as compared with the case where the capacitance of the auxiliary capacitance element of all the GB pixels is increased.
【0028】また、図1では、CsG>CsR=CsB
となるように設定しているが、各補助容量素子130の
容量値を視感度の順(1.緑色、2.赤色、3.青色)
となるように、すなわち、CsG>CsR>CsBとな
るように設定することで、よりバランスよく全体の表示
品位を改善することができる。In FIG. 1, CsG> CsR = CsB
, But the capacitance value of each auxiliary capacitance element 130 is determined in the order of luminosity (1. green, 2. red, 3. blue).
By setting so that CsG>CsR> CsB, the overall display quality can be improved in a more balanced manner.
【0029】次に、上述した液晶表示装置10の製造方
法について説明する。Next, a method of manufacturing the above-described liquid crystal display device 10 will be described.
【0030】まず、高歪点ガラス基板や石英基板などの
透光性絶縁性基板11上にCVD法などによりa−Si
膜を被着する。炉アニールを行った後、XeClエキシ
マレーザを照射し、a−Siを多結晶化する。その後
に、多結晶Siをフォトエッチング法によりパターンニ
ングして、表示領域内画素部のTFT素子30のチャネ
ル層12及び図示しない駆動回路領域のTFT(回路T
FT)のチャネル層となり、さらには補助容量素子13
0の補助容量下部電極13となるポリシリコン膜を形成
する。このポリシリコン膜は、面積の異なる赤色着色層
(R)22a上の画素電極24aと電気的に並列に配列
される補助容量下部電極13a、緑色の着色層(G)2
2b上の画素電極24bと電気的に並列に配列される補
助容量下部電極13b、および青色の着色層(B)22
c上の画素電極24cと電気的に並列に配列される補助
容量下部電極13cを構成している。この実施形態にお
いては、視感度の高い緑色着色層(G)22bに対応す
る補助容量下部電極13bの面積を補助容量下部電極1
3a,13cよりも大きくし、補助容量下部電極13a
と13cの面積を等しくする。First, a-Si is formed on a light-transmitting insulating substrate 11 such as a high strain point glass substrate or a quartz substrate by a CVD method or the like.
Deposit the membrane. After performing furnace annealing, XeCl excimer laser is irradiated to polycrystallize a-Si. Thereafter, the polycrystalline Si is patterned by a photo-etching method, and the channel layer 12 of the TFT element 30 in the pixel portion in the display region and the TFT (circuit T) in the drive circuit region (not shown) are formed.
FT) and a storage capacitor 13
A polysilicon film to be the lower storage capacitor electrode 13 is formed. The polysilicon film is composed of an auxiliary capacitance lower electrode 13a electrically arranged in parallel with a pixel electrode 24a on a red colored layer (R) 22a having a different area, and a green colored layer (G) 2.
Storage electrode lower electrode 13b electrically arranged in parallel with the pixel electrode 24b on the upper electrode 2b, and the blue colored layer (B) 22
The storage capacitor lower electrode 13c electrically arranged in parallel with the pixel electrode 24c on the pixel c. In this embodiment, the area of the auxiliary capacitance lower electrode 13b corresponding to the green colored layer (G) 22b having high visibility is changed to the auxiliary capacitance lower electrode 1b.
3a, 13c, the auxiliary capacitance lower electrode 13a
And 13c have the same area.
【0031】次に、CVD法により透明基板11の全面
にゲート絶縁膜14となるSiOx膜を被着する。続い
て、SiOx膜上全面にTa,Cr,Al,Mo,W,
Cuなどの単体又はその積層膜あるいは合金膜を被着
し、フォトエッチング法により所定の形状にパターニン
グし、走査線15とこれを延在して成るTFT素子30
の走査電極155、補助容量上部電極16及び図示しな
い駆動回路(TFT)のゲート電極と駆動回路領域内の
各種配線を形成する。これにより、補助容量下部電極1
3a,13b,13cとゲート絶縁膜14を介して対向
する補助容量上部電極16a,16b,16cが形成さ
れる。Next, a SiOx film to be the gate insulating film 14 is deposited on the entire surface of the transparent substrate 11 by the CVD method. Subsequently, Ta, Cr, Al, Mo, W,
A single element such as Cu or a laminated film or alloy film thereof is deposited, patterned into a predetermined shape by a photoetching method, and the scanning line 15 and the TFT element 30 extending therefrom are patterned.
The scanning electrode 155, the auxiliary capacitor upper electrode 16, the gate electrode of a drive circuit (TFT) not shown, and various wirings in the drive circuit area are formed. Thereby, the storage capacitor lower electrode 1
Auxiliary capacitance upper electrodes 16a, 16b, 16c are formed to face 3a, 13b, 13c via gate insulating film 14.
【0032】その後、これら電極をマスクとしてイオン
注入又はイオンドーピング法により不純物の注入を行
い、TFT素子30のソース電極112、ドレイン電極
113、及び図示しない駆動回路領域のNch型のTF
Tのソース電極とドレイン電極を形成する。Thereafter, impurities are implanted by ion implantation or ion doping using these electrodes as a mask, and the source electrode 112 and the drain electrode 113 of the TFT element 30 and the Nch type TF in a drive circuit region (not shown) are formed.
A source electrode and a drain electrode of T are formed.
【0033】次に、TFT素子30及び図示しない駆動
回路領域のNch型のTFTには不純物が注入されない
ようにレジストで被覆した後、図示しない駆動回路領域
のPch型のTFTの走査電極をそれぞれマスクとし
て、ボロンを高濃度注入して、駆動回路領域のPch型
のTFTのソース電極とドレイン電極を形成する。その
後、さらに図示しないNch型LDD(Lightly Doped
Drain)を形成するための不純物注入を行い、基板をア
ニールすることにより不純物を活性化する。Next, the TFT element 30 and the Nch-type TFT in the drive circuit region (not shown) are covered with a resist so as not to be doped with impurities, and the scan electrodes of the Pch-type TFT in the drive circuit region (not shown) are masked. Then, boron is implanted at a high concentration to form a source electrode and a drain electrode of the Pch type TFT in the drive circuit region. Then, an Nch-type LDD (Lightly Doped
An impurity is implanted to form a drain, and the impurity is activated by annealing the substrate.
【0034】続いて、例えばPECVD法により、TF
T素子30のソース電極112に至る層間絶縁膜コンタ
クトホール18aとドレイン電極113に至る層間絶縁
膜コンタクトホール18bと、図示しない駆動回路(T
FT)のソース電極とドレイン電極に至る層間絶縁膜コ
ンタクトホールを形成する。Subsequently, TF is formed by PECVD, for example.
An interlayer insulating film contact hole 18a reaching the source electrode 112 of the T element 30 and an interlayer insulating film contact hole 18b reaching the drain electrode 113, and a drive circuit (T
An interlayer insulating film contact hole reaching the source electrode and the drain electrode of (FT) is formed.
【0035】次に、Ta,Cr,Al,MO,W,Cu
などの単体又はその積層膜あるいは合金膜を被着し、フ
ォトエッチング法により所定の形状にパターニングし、
信号線19、TFT素子30のドレイン電極113と信
号線19の接続、ソース電極112、及び図示しない駆
動回路領域のTFTの各種配線等を行う。ここで、信号
線19は、赤色着色層(R)22a上の画素電極24a
を駆動する19a、緑色の着色層(G)22b上の画素
電極24bを駆動する19b、および青色の着色層
(B)22c上の画素電極24cを駆動する19cから
なる。この実施形態においては、緑色着色層(G)22
b上の画素電極24bに電気的に並列に配列される補助
容量下部電極13bの面積を、他の補助容量下部電極1
3a,13cよりも大きくした。また、信号線19a,
19b,19cは、緑色画素の画素開口率のみが低下す
るのを防ぎ、各色の画素開口率が等しくなるように、緑
色画素の走査線15方向の幅(WG)を大きくし、赤色
画素及び青色画素の幅(WR,WB)は小さくなるよう
に配置する。Next, Ta, Cr, Al, MO, W, Cu
Such as a simple substance or a laminated film or an alloy film thereof is deposited, and patterned into a predetermined shape by a photo etching method,
The connection between the signal line 19, the drain electrode 113 of the TFT element 30 and the signal line 19, the source electrode 112, and various wirings of a TFT in a drive circuit region (not shown) are performed. Here, the signal line 19 is connected to the pixel electrode 24a on the red coloring layer (R) 22a.
, A pixel electrode 24b on the green colored layer (G) 22b, and a pixel electrode 24c on the blue colored layer (B) 22c. In this embodiment, the green colored layer (G) 22
The area of the auxiliary capacitance lower electrode 13b electrically arranged in parallel with the pixel electrode 24b on
3a and 13c. Also, the signal lines 19a,
19b and 19c increase the width (WG) of the green pixel in the direction of the scanning line 15 so as to prevent the pixel aperture ratio of the green pixel from lowering and to equalize the pixel aperture ratio of each color, and The pixels are arranged so that the widths (WR, WB) of the pixels are reduced.
【0036】さらに、PECVD法により絶縁基板の全
面にSiNxからなる保護絶縁膜20を成膜した後、フ
ォトエッチング法により画素電極24に至る保護絶縁膜
コンタクトホール21を形成する。Further, after a protective insulating film 20 made of SiNx is formed on the entire surface of the insulating substrate by the PECVD method, a protective insulating film contact hole 21 reaching the pixel electrode 24 is formed by a photoetching method.
【0037】次に、紫外線硬化型アクリル系緑色レジス
ト液を、電極が形成された基板上にスピンナ塗布により
塗布する。続いて、これをプリベークし、所定のマスク
・パターンを用いて露光する。ここで用いるフォトマス
ク・パターンは、緑色着色層に対応するストライプ形状
パターンと、画素電極24とソース電極112との接続
のために着色層コンタクトホール23として円形形状パ
ターンを有している。続いて、現像水洗い後、ポストベ
ークをすることによって、着色層スルーホール23bを
有する緑色着色層(G)22bを形成する。Next, an ultraviolet curable acrylic green resist solution is applied to the substrate on which the electrodes are formed by spinner coating. Subsequently, this is pre-baked and exposed using a predetermined mask pattern. The photomask pattern used here has a stripe pattern corresponding to the green coloring layer and a circular pattern as the coloring layer contact hole 23 for connection between the pixel electrode 24 and the source electrode 112. Subsequently, after development water washing, post-baking is performed to form a green colored layer (G) 22b having a colored layer through hole 23b.
【0038】続いて、青色着色層(B)22c、赤色着
色層(R)22aも同様に工程にて形成した。この際、
緑色(G)のパターンの端が赤色着色層(R)22aや
青色着色層(B)22cで覆われている構成とする。こ
れは、先に述べたように、加工する際に用いる露光マス
クを適合するように作製することで達成する。Subsequently, a blue colored layer (B) 22c and a red colored layer (R) 22a were formed in the same manner. On this occasion,
The end of the green (G) pattern is covered with a red coloring layer (R) 22a and a blue coloring layer (B) 22c. This is achieved by making the exposure mask used for processing suitable as described above.
【0039】次に、着色層22上にスパッタリング法に
よりインジウム・すず酸化物(ITO)を堆積し、これ
をパターニングすることにより画素電極24を形成す
る。その後、黒色着色層によりスペーサ柱25および図
示しない額縁BMを形成する。着色層22のパターニン
グにおいても、信号線19に対応して、緑色着色層
(G)22bのストライプ幅を太く、青色着色層(B)
22cおよび赤色着色層(R)22aのストライプは細
く形成する。Next, indium tin oxide (ITO) is deposited on the coloring layer 22 by a sputtering method, and the pixel electrode 24 is formed by patterning the deposited indium tin oxide (ITO). After that, the spacer pillar 25 and a frame BM (not shown) are formed by a black colored layer. Also in the patterning of the colored layer 22, the stripe width of the green colored layer (G) 22b is increased to correspond to the signal line 19, and the blue colored layer (B) is formed.
The stripes of 22c and the red coloring layer (R) 22a are formed thin.
【0040】その後、ポリイミドからなる配向膜材料を
基板全面に塗布、配向処理を施して配向膜26を形成す
ることで、カラーフィルタ(着色層)を有するアレイ基
板110を完成する。Thereafter, an alignment film material made of polyimide is applied to the entire surface of the substrate and subjected to an alignment treatment to form an alignment film 26, thereby completing an array substrate 110 having a color filter (colored layer).
【0041】次に、透明基板51上にスパッタ法により
ITOを堆積して対向電極52を形成し、続いてポリイ
ミドからなる配向膜材料を基板全面に塗布、配向処理を
施して配向膜53を形成することで、対向基板120を
完成する。Next, ITO is deposited on the transparent substrate 51 by a sputtering method to form a counter electrode 52. Subsequently, an alignment film material made of polyimide is applied to the entire surface of the substrate, and an alignment process is performed to form an alignment film 53. By doing so, the counter substrate 120 is completed.
【0042】続いて、対向基板120の外局周辺部に図
示しないシール材を、図示しない液晶注入用の注入口を
除いて塗布する。そして、この対向基板120及びアレ
イ基板110とをシール材により貼り合わせて、空状態
のセルを完成する。Subsequently, a sealing material (not shown) is applied to the outer peripheral portion of the counter substrate 120 except for a liquid crystal injection port (not shown). Then, the opposing substrate 120 and the array substrate 110 are attached to each other with a sealing material to complete an empty cell.
【0043】さらに、カイラル材が添加されたネマティ
ック液晶材料を、図示しない注入口からセル内に真空注
入する。注入後、前記注入口を図示しない封止材として
の紫外線硬化樹脂を用いて封止したあと、セルの両側に
それぞれ偏光板を配置することにより液晶表示装置10
を完成する。Further, a nematic liquid crystal material to which a chiral material is added is vacuum-injected into the cell from an injection port (not shown). After the injection, the injection port is sealed with an ultraviolet-curing resin (not shown) as a sealing material, and then polarizing plates are arranged on both sides of the cell, respectively, to thereby form the liquid crystal display device 10.
To complete.
【0044】[実施形態2]図3は、実施形態2に係わ
る液晶表示装置100の電極構造を示す概略平面図、図
4は、図3の一点鎖線C−Dに沿って切断した概略断面
図である。図3及び図4においては、図1及び図2と同
等部分を同一符号で示している。[Second Embodiment] FIG. 3 is a schematic plan view showing an electrode structure of a liquid crystal display device 100 according to a second embodiment, and FIG. 4 is a schematic sectional view taken along a dashed line CD of FIG. It is. 3 and FIG. 4, the same parts as those in FIG. 1 and FIG.
【0045】この実施形態の液晶表示装置100では、
各着色層22上の画素電極24と電気的に並列に配列さ
れる補助容量素子130について、補助容量上部電極1
6a,16b,16cの形状を変えずに、補助容量下部
電極13a,13b,13cの走査線15方向の幅を1
3b>13a>13cとなるように設定している。ここ
では、各色着色層の信号線19方向の幅は変えていな
い。比較のために、従来構造を図5及び図6に示す。図
5は、従来装置の電極構造を示す概略平面図、図6は、
図5の一点鎖線E−Fに沿って切断した概略断面図であ
る。従来装置では、補助容量下部電極13a,13b,
13cの走査線15方向の幅WCsG(13b),WC
sR(13a),WCsB(13c)がWCsG=WC
sR=WCsBであるのに対し、この実施形態では、W
CsG>WCsR>WCsBとなっている。In the liquid crystal display device 100 of this embodiment,
Regarding the auxiliary capacitance element 130 electrically arranged in parallel with the pixel electrode 24 on each colored layer 22, the auxiliary capacitance upper electrode 1
The width of the auxiliary capacitance lower electrodes 13a, 13b, 13c in the direction of the scanning line 15 is set to 1 without changing the shapes of 6a, 16b, 16c.
3b>13a> 13c. Here, the width of each color coloring layer in the direction of the signal line 19 is not changed. 5 and 6 show a conventional structure for comparison. FIG. 5 is a schematic plan view showing the electrode structure of the conventional device, and FIG.
It is the schematic sectional drawing cut | disconnected along the dashed-dotted line EF of FIG. In the conventional device, the auxiliary capacitance lower electrodes 13a, 13b,
13c width WCsG (13b) in the scanning line 15 direction, WC
sR (13a) and WCsB (13c) are WCsG = WC
While sR = WCsB, in this embodiment, W
CsG>WCsR> WCsB.
【0046】上記のように構成された液晶表示装置10
0においても、実施形態1と同様に視感度の高い緑色を
表示した際のクロストークが改善されるため、全体とし
て良好な表示品位を得ることができる。とくに、実施形
態2の構成においては、開口部の形状を変えることなし
に実施形態1と同様の効果を得ることができる。The liquid crystal display device 10 configured as described above
In the case of 0, as in the first embodiment, crosstalk when displaying green with high luminosity is improved, so that good display quality can be obtained as a whole. In particular, in the configuration of the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained without changing the shape of the opening.
【0047】この実施形態2では、補助容量下部電極1
3の面積を13b>13a>13cとすることで、より
バランスよく全体の表示品位を改善するようにしている
が、少なくとも13b>13a≧13cとすることで表
示品位を改善することができる。In the second embodiment, the storage capacitor lower electrode 1
By setting the area of 3 to 13b>13a> 13c, the overall display quality is improved in a more balanced manner. However, by setting at least 13b> 13a ≧ 13c, the display quality can be improved.
【0048】また、この実施形態2の液晶表示装置10
0についても、実施形態1と同様のプロセスで製造する
ことができる。The liquid crystal display device 10 of the second embodiment
0 can be manufactured by the same process as in the first embodiment.
【0049】なお、上記実施形態1及び2では、アレイ
基板110上に着色層22を設けた構造について説明し
たが、対向基板120側に着色層22を設けた構造にお
いても、緑色(G)に対応する補助容量素子の容量を他
の色の補助容量素子の容量よりも大きくすることで同様
の効果を得ることができる。In the first and second embodiments, the structure in which the coloring layer 22 is provided on the array substrate 110 has been described. However, the structure in which the coloring layer 22 is provided on the counter substrate 120 side also has a green (G) color. The same effect can be obtained by making the capacitance of the corresponding auxiliary capacitance element larger than the capacitance of the auxiliary capacitance elements of other colors.
【0050】[0050]
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係わる
液晶表示装置では、視感度の高い緑色の画素電極に接続
される補助容量素子の容量を他の色よりも大きくするよ
うにしたため、とくに目立ちやすい緑色を表示した際の
クロストークを改善することができる。加えて、補助容
量の増加を最小限とすることができるため、開口率の低
下を最小限に抑えながらも、良好な表示品位を得ること
ができる。As described above, in the liquid crystal display device according to the present invention, the capacity of the auxiliary capacitance element connected to the green pixel electrode having high visibility is made larger than that of the other colors. It is possible to improve the crosstalk when displaying a conspicuous green color. In addition, since an increase in the auxiliary capacitance can be minimized, a good display quality can be obtained while a decrease in the aperture ratio is minimized.
【図1】実施形態1に係わる液晶表示装置の電極構造を
示す概略平面図。FIG. 1 is a schematic plan view illustrating an electrode structure of a liquid crystal display device according to a first embodiment.
【図2】図1の一点鎖線A−Bに沿って切断した概略断
面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along a dashed line AB in FIG.
【図3】実施形態2に係わる液晶表示装置の電極構造を
示す概略平面図。FIG. 3 is a schematic plan view showing an electrode structure of a liquid crystal display device according to a second embodiment.
【図4】図3の一点鎖線C−Dに沿って切断した概略断
面図。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along a dashed line CD of FIG. 3;
【図5】従来例における液晶表示装置の電極構造を示す
概略平面図。FIG. 5 is a schematic plan view showing an electrode structure of a conventional liquid crystal display device.
【図6】図5の一点鎖線E−Fに沿って切断した概略断
面図。FIG. 6 is a schematic sectional view taken along a dashed line EF of FIG. 5;
11…透明基板,12…TFTチャネル層,13…補助
容量下部電極 14…ゲート絶縁膜、15…走査線,16…補助容量上
部電極 17…層間絶縁膜,18…層間絶縁膜コンタクトホー
ル,19…信号線 20…保護絶縁膜,21…保護絶縁膜コンタクトホー
ル,22…着色層 23…着色層コンタクトホール,24…画素電極,25
…スペーサ柱 26…配向膜,51…対向側ガラス基板,52…対向電
極,53…配向膜 110…アレイ基板,120…対向基板,130…補助
容量素子DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Transparent substrate, 12 ... TFT channel layer, 13 ... Auxiliary capacity lower electrode 14 ... Gate insulating film, 15 ... Scanning line, 16 ... Auxiliary capacity upper electrode 17 ... Interlayer insulating film, 18 ... Interlayer insulating film contact hole, 19 ... Signal line 20: protective insulating film, 21: protective insulating film contact hole, 22: colored layer 23: colored layer contact hole, 24: pixel electrode, 25
... spacer pillars 26 ... alignment film, 51 ... facing glass substrate, 52 ... counter electrode, 53 ... alignment film 110 ... array substrate, 120 ... counter substrate, 130 ... auxiliary capacitance element
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 JA26 JA46 JB22 JB31 JB51 JB61 KA04 KA05 MA05 MA07 MA12 MA27 MA30 NA07 PA02 PA04 PA08 5C094 AA08 AA09 AA10 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 ED03 FA01 FB12 FB14 FB15 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page F term (reference) 2H092 JA26 JA46 JB22 JB31 JB51 JB61 KA04 KA05 MA05 MA07 MA12 MA27 MA30 NA07 PA02 PA04 PA08 5C094 AA08 AA09 AA10 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EB10 EB10 EB10
Claims (4)
及び複数の走査線と、前記信号線と走査線の各交差部毎
に配置されたスイッチング素子と、前記信号線、走査線
及びスイッチング素子の少なくとも一部を覆うように配
置された赤色、緑色、青色の着色層と、前記着色層上に
配置され、前記着色層に形成されるスルーホールを介し
て前記スイッチング素子の各々に電気的に接続される複
数の画素電極と、前記画素電極と電気的に並列に配列さ
れる補助容量素子とを含むアレイ基板を備える液晶表示
装置において、 前記緑色の着色層上に配置された前記画素電極と電気的
に並列に配列される前記補助容量素子の容量が、前記赤
色の着色層上に配置された前記画素電極と電気的に並列
に配列される前記補助容量素子の容量及び前記青色の着
色層上に配置された前記画素電極と電気的に並列に配列
される前記補助容量素子の容量よりも大きいことを特徴
とする液晶表示装置。1. A plurality of signal lines and a plurality of scanning lines arranged so as to intersect with each other, a switching element arranged at each intersection of the signal lines and the scanning lines, and the signal line, the scanning lines and the switching. A red, green, and blue coloring layer disposed so as to cover at least a part of the element; and an electrical connection to each of the switching elements via a through hole formed on the coloring layer and formed on the coloring layer. A liquid crystal display device comprising an array substrate including a plurality of pixel electrodes connected to the pixel electrode and auxiliary capacitance elements electrically arranged in parallel with the pixel electrode, wherein the pixel electrode disposed on the green colored layer The capacitance of the auxiliary capacitance element electrically arranged in parallel with the capacitance of the auxiliary capacitance element electrically arranged in parallel with the pixel electrode disposed on the red coloring layer and the blue coloring A liquid crystal display device being greater than the capacitance of the storage capacitor elements arranged in parallel with said pixel electrode electrically disposed thereon.
的に並列に配列される補助容量素子の容量(CsG)
と、前記赤色(R)上に配置された画素電極と電気的に
並列に配列される補助容量素子の容量(CsR)と、前
記青色(B)上に配置された前記画素電極と電気的に並
列に配列される前記補助容量素子の容量(CsB)の関
係を、CsG>CsR≧CsBとすることを特徴とする
請求項1に記載の液晶表示装置。2. A capacitance (CsG) of an auxiliary capacitance element electrically arranged in parallel with the pixel electrode disposed on the green color.
And a capacitance (CsR) of an auxiliary capacitive element electrically arranged in parallel with the pixel electrode arranged on the red (R), and electrically connected to the pixel electrode arranged on the blue (B). 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the relationship between the capacitances (CsB) of the auxiliary capacitance elements arranged in parallel is CsG> CsR ≧ CsB.
R)と、前記緑色着色層の信号線方向の幅(WG)と、
前記青色着色層の信号線方向の幅(WB)を、WG>W
R≧WBとすることを特徴とする請求項2に記載の液晶
表示装置。3. The width (W) of the red coloring layer in the signal line direction.
R), the width (WG) of the green colored layer in the signal line direction,
The width (WB) of the blue colored layer in the signal line direction is defined as WG> W
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein R ≧ WB.
気的に並列に配列される補助容量素子を構成する一対の
電極において、一方の電極形状を赤色(R),緑色
(G),青色(B)で同一とし、他方の電極形状の面積
は、前記緑色上に配置された画素電極と電気的に接続す
る補助容量素子の面積(SCsG)と、前記赤色上に配
置された画素電極と電気的に接続する補助容量素子の面
積(SCsR)と、前記青色上に配置された画素電極と
電気的に接続する補助容量素子の面積(SCsB)を、
SCsG>SCsR≧SCsBとすることを特徴とする
請求項1に記載の液晶表示装置。4. A pair of electrodes constituting an auxiliary capacitance element electrically arranged in parallel with a pixel electrode disposed on the coloring layer, and one of the electrodes has a shape of red (R), green (G), The area of the other electrode shape is the same for blue (B), and the area of the auxiliary capacitance element (SCsG) electrically connected to the pixel electrode arranged on the green color and the pixel electrode arranged on the red color are The area (SCsR) of the auxiliary capacitive element electrically connected to the pixel electrode and the area (SCsB) of the auxiliary capacitive element electrically connected to the pixel electrode disposed on the blue color are
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein SCsG> SCsR≥SCsB.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000037962A JP2001228491A (en) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000037962A JP2001228491A (en) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001228491A true JP2001228491A (en) | 2001-08-24 |
Family
ID=18561775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000037962A Pending JP2001228491A (en) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001228491A (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006308768A (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
JP2007047615A (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Liquid crystal display device |
KR100879214B1 (en) * | 2002-09-10 | 2009-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device |
KR100980016B1 (en) * | 2003-08-04 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | Thin film transistor array panel |
JP2011013694A (en) * | 2006-03-30 | 2011-01-20 | Sharp Corp | Display device |
JP2014029536A (en) * | 2013-08-30 | 2014-02-13 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and electronic apparatus |
JP2014142537A (en) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Seiko Epson Corp | Electro-optic device and electronic equipment |
KR20170050738A (en) * | 2015-10-30 | 2017-05-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Array Substrate For Liquid Crystal Display Device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0926564A (en) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display device |
JPH09127548A (en) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
-
2000
- 2000-02-16 JP JP2000037962A patent/JP2001228491A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0926564A (en) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display device |
JPH09127548A (en) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100879214B1 (en) * | 2002-09-10 | 2009-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device |
KR100980016B1 (en) * | 2003-08-04 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | Thin film transistor array panel |
JP2006308768A (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
JP2007047615A (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Liquid crystal display device |
JP2011013694A (en) * | 2006-03-30 | 2011-01-20 | Sharp Corp | Display device |
JP2014142537A (en) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Seiko Epson Corp | Electro-optic device and electronic equipment |
JP2014029536A (en) * | 2013-08-30 | 2014-02-13 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and electronic apparatus |
KR20170050738A (en) * | 2015-10-30 | 2017-05-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Array Substrate For Liquid Crystal Display Device |
KR101881119B1 (en) * | 2015-10-30 | 2018-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | Array Substrate For Liquid Crystal Display Device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4445077B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display device | |
KR100563466B1 (en) | Color Filter Array Substrate And Fabricating Method Thereof | |
JP4483235B2 (en) | Transistor array substrate manufacturing method and transistor array substrate | |
KR101848827B1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR101799492B1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR20050004236A (en) | Process for manufacturing liquid crystal display | |
KR101319355B1 (en) | Liquid crystal diplay panel and manufacturing method thereof | |
KR101980774B1 (en) | Thin film transistor substrate having color filter and method of fabricating the same | |
KR100876403B1 (en) | Transverse electric field liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
KR100971089B1 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing lcd | |
KR101799938B1 (en) | Liquid crystal display device | |
JPH05289108A (en) | Liquid crystal display device and its production | |
KR20130030975A (en) | Liquid crystal display device | |
JP2001228491A (en) | Liquid crystal display device | |
JP2002049057A (en) | Liquid crystal display device | |
KR101192122B1 (en) | Colorfilter array substrate and the fabrication method thereof | |
JP4661060B2 (en) | Transistor array substrate and liquid crystal display panel | |
JP2002014373A (en) | Liquid crystal display device | |
JP2001154205A (en) | Active matrix liquid crystal display device | |
JP2002258264A (en) | Liquid crystal display device | |
KR101865704B1 (en) | Liquid crystal display device | |
JP4216615B2 (en) | Liquid crystal display | |
KR101590381B1 (en) | Liquid crystal display device and Method of fabricating the same | |
JP2000206560A (en) | Active matrix type liquid crystal display device | |
JP2002148657A (en) | Liquid crystal display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070125 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070502 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100727 |