JP2001223155A

JP2001223155A - フォトリソグラフィ方法

Info

Publication number: JP2001223155A
Application number: JP2000079836A
Authority: JP
Inventors: Ritsumei O; 立銘王; 高財 ▲かお▼; Kozai Kao
Original assignee: Winbond Electronics Corp
Current assignee: Winbond Electronics Corp
Priority date: 2000-02-10
Filing date: 2000-03-22
Publication date: 2001-08-17
Also published as: TW457548B

Abstract

(57)【要約】【課題】コンタクト開口の大きさを小さくするフォト
リソグラフィプロセスを提供する。【解決手段】本発明では、２個の異なるライン／間隔
マスクのラインパターンを互いに交差させる。これによ
り、コンタクト開口のパターンが形成されるので、所望
のコンタクト開口の輪郭がネガティブレジスト上に形成
される。ライン／間隔マスク間のピッチは正確に制御す
ることができるので、コンタクト開口の限界寸法（Ｃ
Ｄ）が小さくなる。従って、デバイスの集積度が高くな
る際の困難性が解消されることになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスを製造
するフォトリソグラフィプロセスに関するものである。
特に、本発明はコンタクト窓の大きさを小さくするフォ
トリソグラフィプロセスに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体プロセスは、拡散、エッチング、
薄膜形成及びフォトリソグラフィを含む４個の基本工程
に分類される。フォトリソグラフィ工程は、マスクから
ウエハにパターンを転写してエッチング工程において
したエッチングパターンを用意する或いは薄膜工程にお
いて優れた注入パターンを用意することを含む。従っ
て、フォトリソグラフィの品質は半導体プロセス全体の
品質を制御する。

【０００３】フォトリソグラフィプロセスにおいて、露
光装置は解像度（Ｒ）及び波長（λ）のようなパラメー
タを規定し、その関係は以上のように表わすことができ
る。Ｒ＝Ｋ₁ λ／ＮＡここで、Ｋ₁ はフォトレジスト材料及び処理条件と関係
する定数であり、ＮＡは投影レンズ系の開口数を示す値
である。上述した式により、露光装置の一層良好な解像
度は短い波長の光源を用いる場合に可能になることが理
解される。また、露光装置の良好な解像度は、露光装置
のＮＡが一層大きい場合に可能になる。フォトレジスト
層へのパターンの転写を完全に正確に行なうため、露光
装置により投影されるパターンはある焦点深度（ＤＯ
Ｆ）を含む必要がある。すなわち、フォトレンズ層と隣
接する表面縁部又はウエハ縁部にかかわらず、フォトレ
ジスト全体にわたって均一な焦点を維持する必要があ
る。一般的に、露光装置のＤＯＦは以下の式により表わ
すことができる。ＤＯＦ＝Ｋ₂ λ／（ＮＡ）²

【０００４】露光装置のＤＯＦを増大させるために投影
レンズ系に対して一層長い波長の光及び一層小さいＮＡ
を持たせることが望ましく、その結果は解像度の要件に
対して反することになる。

【０００５】集積回路（ＩＣ）の集積度及びマスクパタ
ーン密度が増大するにしたがって、ワード線、ビット
線、不純物添加領域又はキャパシタのピッチは一層小さ
くなる。従って、露光装置の解像度を改善して一層精密
なパターンを転写する必要がある。しかしながら、露光
装置の解像度を改善すると、通常ＤＯＦの損失を生じて
しまう。他方において、ＤＯＦが改善されて優れたパタ
ーン転写効果が得られる場合、解像度は低下する。

【０００６】半導体プロセスがディープサブミクロンサ
イズ技術に突入すると、フォトリソグラフィプロセスは
ＤＯＦ及び解像度の制御において一層困難になり、これ
によりフォトリソグラフィプロセス用の装置の寿命も短
くなる。上述した課題を解決するための種々の試みが提
案されているが、多くの特別なフォトリソグラフィプロ
セス及び平均化プロセスが必要であり、製造コストが上
昇してしまう。

【０００７】半導体技術において、集積度を増大するこ
とは多くの人々が達成しようと試みられている目的であ
り、多くのトップレベルの技術者が線幅を狭くすること
を含むプロセスの開発にたずさわっている。一層小さい
限界寸法（ＣＤ）及び一層高い集積度を達成するために
開発されたプロセス技術において、フォトリソグラフィ
が１つの重要な工程である。一方、投影光源及び焦点深
度（ＤＯＦ）の選択はフォトリソグラフィの解像度を制
限する。

【０００８】露光の解像度及びＤＯＦはフォトリソグラ
フィプロセスの品質の２個の重要な指標である。半導体
の集積度を増大することは一層高い解像度を必要とする
ので、ある解決策は、投影光源として作用し紫外線を放
出するＫ_r Ｆレーザのような光源を用いることを含んで
いる。Ｋ_r Ｆレーザを用いることにより解像度は改善さ
れるが、他方においてＤＯＦは一層制限され、プロセス
窓も一層狭くなってしまう。従って、良好な解像度を得
るため、位相シフトマスク（ＰＳＭ）を用いるフォトリ
ソグラフィ技術が用いられている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ＰＳＭの基本的理論は
通常のマスク上に位相シフタ層を付加することを含み、
位相シフタ層が露光中に干渉してウエハ上に投影される
パターン像を解像度を一層良好にしている。ＰＳＭを用
いる利点は、別の新たな光源を用いることなくマスクを
修正することにより露光の解像度を改善できることであ
る。一般的に、強いＰＳＭと弱いＰＳＭを含む２つの形
式のＰＳＭがある。

【００１０】強いＰＳＭの製造において、エッチング中
開口の水晶基板の一部分に粒子が注がれ、これらの粒子
は水晶板上にパンプを形成している。開口部の水晶基板
を経て光が通過すると、位相欠陥のような問題が発生す
る。粒子の大きさを小さくすることにより位相欠陥を改
善するためには数回のエッチング工程が必要である。こ
の結果、フォトリソグラフィ工程の回数が増大し、製造
コストが増大しサイクル数も増加する。

【００１１】さらに、エッチング作の開口部の水晶基板
の表面は平坦ではないので、光散乱が発生し、開口部を
通過した後、光の強度が一様でなくなってしまう。フォ
トリソグラフィ工程において強いＰＳＭを用いる場合、
光強度が一様でないことにより非対称なフォトレジスト
パターンが形成され、半導体デバイスのサイズの精度が
一層不正確になってしまう。さらに、強いＰＳＭを用い
ることと関連して設計、製造及び保守に関する問題もあ
る。

【００１２】他方において、弱いＰＳＭを用いてパター
ンを転写する際、開口パターンが互いに極めて接近して
いる場合サイドローブ効果が発生する。このサイドロー
ブ効果は付近の形態による１次回折光の干渉により発生
し、開口のエッジ部に対応する部分のフォトレジスト以
上の光強度が一層強くなるので、開口周囲のフォトレビ
ストの部分も同様に露光されてしまう。この結果、フォ
トレジストの対応する部分が溶解してしまい。フォトレ
ジストの厚さが薄くなってしまう。従って、エッチング
防止した可能性能が低下し、以後のプロセスにおいてミ
スエッチング、相互接続部の導電率の低下等の問題が生
じてしまう。

【００１３】サイドローブ効果を低減するためには露光
量を少なくする必要があるが、露光量が不足するおそれ
がある。一方、露光量が相当量の場合、開口の周囲にサ
イドローブ効果が生じてしまう。従って、このプロセス
における２個の問題を同時に解決するのは困難である。

【００１４】

【課題を解決する手段】本発明は、コンタクト開口の大
きさを小さくするフォトリソグラフィプロセスを提供す
ることにある。異なる長さ及び幅を有するラインパター
ンを２個の異なるライン／間隔マスクを用いて露光する
と共に互いに交差させてコンタクト開口のパターンを形
成する。パターンは露光により基板に投影され、複雑な
マスク及び特別な露光技術を用いることなくコンタクト
開口の限界寸法（ＣＤ）は小さくなる。

【００１５】単一のマスクを用いて通常の方法でコンタ
クト開口をパターニングすることは同一のＫ₁ 値すなわ
ち同一の解像度のもとでライン／間隔マスクを用いてコ
ンタクト開口を形成する場合よりも一層困難であるた
め、コンタクト開口を形成するための一層優れたフォト
リソグラフィプロセスが実現される。このプロセスは、
ネガティブレジストが形成されているウェハを用意する
工程と、ネガティブレジスト上に第１のライン／間隔マ
スクの第１のパターン像を投影する工程とを具える。同
一の露光工程を繰り返し、このネガティブレジスト上に
第２のライン／間隔マスクの第２のパターン像を投影
し、第１のパターン像と第２のパターン像とが互いに交
差してネガティブレジスト上にコンタクト開口のパター
ンが形成される。そして、ウェハが現像された後、コン
タクト開口の輪郭がネガティブレジストに形成される。

【００１６】本明細書において実施可能に詳細に説明さ
れているように、本発明は、異なる長さ及び幅を有する
パターン像が互いに交差してコンタクト開口のパターン
を形成するコンタクト開口の大きさを小さくするフォト
リソグラフィ方法を実現することにある。パターンは予
め定めた光源を用いて予め定めた基板に転写される。本
プロセスは、平行なライン形態の第１のマスクを用いて
第１のパターンを形成する工程と、平行なライン形態の
第２のマスクを用いて第２のパターンを形成する工程と
を具える。第１及び第２のパターンの交差する画像は、
ネガティブ型のフォトレジストがコートされた基板上に
繰り返し露光される。次に、基板が現像されてネガティ
ブレジストに所望のコンタクト開口の輪郭が形成され
る。

【００１７】本発明の第１の見地に立てば、２個のライ
ン／間隔マスクによるラインパターンが互いに交差して
コンタクト開口の所望のパターンが得られるフォトリソ
グラフィ方法が提供される。この方法は、ポジティブレ
ジストがコートされたウェハコンタクト開口のパターン
を形成する通常のフォトリソグラフィプロセスに取って
代わり、プロセス窓を増大しコンタクト開口の大きさを
小さくすることができる。

【００１８】本発明の別の見地に立てば、繰り返し露光
後に２個の異なるライン／間隔マスクのラインパターン
が互いに交差する。これによりコンタクト開口のパター
ンが形成されるので、所望のコンタクト開口の輪郭がネ
ガティブレジスト層上に形成される。ライン／間隔マス
ク間のピッチは正確に制御することができるので、コン
タクト開口の限界寸法（ＣＤ）が小さくなる。従って、
本発明によれば、コンタクト開口のサイズを小さくする
フォトリソグラフィ方法により、デバイスの集積度が増
大する際の処理の困難性及び限界を解消することができ
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明はネガティブレジストを露
光するために用いられるマスクに適用することができ、
現像後に残存するネガティブレジストの一部はマスク上
の透明領域に対応する。

【００２０】図１はコンタクト開口部のパターンを示
し、図２Ａ及び図２Ｂは図１のコンタクト開口のパター
ンを形成する第１のライン／間隔マスク及び第２のライ
ン／間隔マスクをそれぞれ示す。

【００２１】マスクはフォトリソグラフィプロセスにお
いて回路パターンを転写するためのツールであり、集積
回路（ＩＣ）プロセスにおける重要な役割を果たす。マ
スク本体は平坦化された透明材料から成り、各レベルに
おける半導体デバイス用のパターンは透明基板にマスク
層をコーティングすることにより形成される。

【００２２】図１、図２Ａ及び図２Ｂを参照するに、通
常のマスクはガラス又は水晶から成る透明基板２００か
ら形成され、パターンを形成するマスク層２０２は透明
基板２００上に形成される。マスク層２０２は、クロミ
ウム（Ｃｒ）のような材料から成り約数１００Åの厚さ
を有しているので、透明基板のマスク層２０２が覆われ
ている部分はいかなる光も透過させない。マスク層２０
２（不透明領域）を形成する方法は、透明基板２００を
金属層で覆い、続いて金属層をパターニングして透明基
板２００の一部分を露出させること（透明領域）を含
む。これにより図２Ａに示す第１のライン／間隔マスク
２０３が形成され、マスク層２０２は（不透明領域）と
透明基板２００の露出した領域（透明領域）とが第１の
ライン／間隔マスク２０３の平行なライン形態が形成さ
れる。

【００２３】次に、別のパターンを形成するマスク層２
０４をガラス又は水晶から成る別の透明基板２００上に
形成する。このマスク層２０４はクロミウム（Ｃｒ）の
ような材料から成り約数１００Åの厚さを有している。
透明基板２００のマスク層２０４により覆われている部
分はいかなる光も透過させない。マスク層２０４（不透
明領域）を形成する方法は、透明基板２００を金属層で
覆い、続いて金属層をパターニングして透明基板２００
の一部分を露出させること（透明領域）を含む。これに
より図２Ｂに示す第２のライン／間隔マスク２０５が形
成され、マスク層２０２は（不透明領域）と透明基板２
００の露出した領域（透明領域）とが第１のライン／間
隔マスク２０５の平行なライン形態が形成される。

【００２４】次に、第１のライン／間隔マスク２０２を
露光してウェハ１００上のネガティブレジスト上に第１
のライン／間隔マスク２０２のパターン画像を投影す
る。第２のライン／間隔マスク２０４についても同一の
露光工程を繰り返し、ウェハ１００上のネガティブレジ
スト上に第２のライン／間隔マスク２０４のパターン画
像を投影する。第１のパターン画像は第２のパターン画
像と交差するので、図１に示す所望のコンタクト開口パ
ターン１０２が上１００のネガティブレジスト上に形成
される。

【００２５】第３は、本発明の好適実施例によるコンタ
クト開口のサイズを小さくするためのフォトリソグラフ
ィプロセスを示すフローチャートである。図４Ａ〜図４
Ｄは本発明の好適実施例によるコンタクト開口のサイズ
を小さくするフォトリソグラフィプロセスを示す線図及
び断面図である。

【００２６】図３及び図４Ａ〜４Ｄを参照するに、ネガ
ティブレジストが形成されているウェハ４００を用意す
る（ステップ３００）。第１のライン／間隔マスク２０
３を用いて第１のパターン画像をネガティブレジストが
コートされているウェハ４００上に投影し、互いに平行
な縦方向露出領域４０２及び縦方向フォトレジスト領域
４０４が交互する第１のパターンを形成する。（ステッ
プ３０２）。これを図４Ｂに示す。この場合の縦方向露
出領域４０２は透明基板２００の露出した部分（透明領
域）に対応し、縦方向フォトレジスト領域４０４は第１
のライン／間隔マスク２０３のマスク層２０２（不透明
領域）に対応する。

【００２７】第２のライン／間隔マスク２０５を用いて
第２の画像をネガティブレジストがコートされているウ
ェハ４００上に投影する。第２のパターンは、横方向露
出領域４０６と横方向フォトレジスト領域４０８とが交
互に形成されたものとして形成され、これらの領域は互
いに平行である（ステップ３０４）。これを図４Ｃに示
す。この場合の横方向露出領域４０６は透明基板２００
の露出した部分（透明領域）に対応し、横方向フォトレ
ジスト領域４０８は第２のライン／間隔マスク２０５の
マスク層２０２（不透明領域）に対応する。

【００２８】繰り返し露光した後第１のパターンと第２
のパターンとは互いに交差するので、ネガティブレジス
ト上にはコンタクト開口の所望のパターンが形成され
る。すなわち、縦方向レジスト領域が縦方向レジスト領
域と重なり合う区域は、後にコンタクト開口を構成する
露出領域４１０となる。本発明においては、第１のライ
ン／間隔マスクと第２のライン／間隔マスクとの間のピ
ッチ及びこれらのサイズは、所望のコンタクト開口の長
さ及び幅を含む寸法により決定される。

【００２９】上記コンタクト開口のパターンがプリント
されたネガティブレジストは、現像工程の後する。４Ｃ
に示すコンタクト開口の形状を有するブロック状のレジ
ストパターン４１２を形成する（ステップ３０６）。次
に、露出領域４１０のネガティブレジストは除去されて
コンタクト開口領域４１４を形成する。

【００３０】本発明においては、２個のライン／間隔マ
スクのラインパターンは互いに交差し、ネガティブレジ
スト層上にコンタクト開口の所望のパターンが得られ
る。また、第１のライン／間隔マスクと第２のライン／
間隔マスクとの間のピッチ及びそのサイズは所望のコン
タクト開口の長さ及び幅により決定することができ、従
って設計者の意図に応じて調整される。従って、本発明
はプロセス窓を増加させるだけでなく、ライン／間隔マ
スク間のピッチを精密に制御することによりコンタクト
開口の限界寸法（ＣＤ）を小さくする。

【００３１】半導体産業全体のデバイスの集積化が０．
１５μｍ又はそれ以下ライン幅に達するか否かは、プロ
セス技術の開発により決定される。このような開発の必
要性を満足させるため、光近接補正（ＯＰＣ）、位相シ
フトマスク（ＰＳＭ）オフ軸照明（ＯＡＩ）等の種々の
方法が提案されている。

【００３２】本発明においては、通常の方法によりライ
ン／間隔マスクを形成することに加えて、ライン／間隔
マスクを強いＰＳＭ又は弱いＰＳＭを用いることにより
形成して露光装置の解像度を一層改善する。結果とし
て、コンタクト開口のＣＤは小さくなる。

【００３３】また、パターン転写中に生ずる誤差は無視
してはならない。この理由は、露光工程後の順次のプロ
セスにより生ずる誤差は、ミスエッチング、相互接続部
の導電性の低下等の問題が生ずるためである。従って、
オリジナルのパターンは、近接パターン転写が一般的に
に行われている場合、マスクパターンとして用いられる
前に光近接補正する。

【００３４】この場合、ＯＰＣを行う理由は、プロセス
窓を増加させること並びにウェハ上に投影されるＣＤの
精度に影響を与える近接効果に起因するＣＤ誤差の発生
を低減することである。

【００３５】この近接効果は以下において簡単に説明す
る。光がマスクを通過してウェハ上に投影される際、光
の偏向及び散乱により光学的な歪みが発生する。他方に
おいて、ウェハ基板で反射した光はフォトレジストを通
過して干渉を発生する。この結果、繰り返し露光により
フォトレジスト層上での実際の露光量が変化してしま
う。この作用は、プロセスにおけるＣＤが一層小さくな
るにしたがって、特にＣＤが光源の波長に極めて接近す
ると一層顕著になる。

【００３６】投影光により生ずる光散乱及び光偏向に起
因して、フォトレジストのコーナ部が丸くなり、フォト
レジストのサイズが小さくなる。さらに、本明細書にお
いては示さない他の起こり得るパターン歪みも存在す
る。。例えば、パターンが極めて高い密度を有する場合
又はパターンがそのオリジナルの位置からずれる場合、
パターンは一緒に集束する。上述した問題を解消する一
般的な方法は、コーナ付近の段差領域又は又はのエッジ
を増大してパターン歪みを補正することである。結果と
して、予期したパターンに近いものが得られる。

【００３７】従って、２個のライン／間隔マスクをＯＰ
Ｃにより補正して一層大きなプロセス窓及び一層精密な
パターンを得ることができる。

【００３８】さらに、２個のライン／間隔マスクは通常
の露光方法により又はオフ軸照明（ＯＡＩ）を用いる新
しい技術により露光することができる。ＯＡＩはは入射
角改善するので、２個のライン／間隔マスクは、別の新
たな光源を用いることなく一層適切な角度で入射光を傾
けることにより露光することができる。この結果、焦点
が改善されて露光装置の解像度が増大するので、一層正
確なパターンが得られる。

【００３９】上述した事項を要約すると、本発明は、コ
ンタクト開口の所望のパターンをネガティブレジスト上
に形成しコンタクト開口のサイズを小さくする目的を達
成するため、２個の異なるライン／間隔マスクを繰り返
し露光した後ラインパターンを交差させることに関する
ものである。

【００４０】本発明の範囲又は精神から逸脱することな
く当業者にとって種々の変更や変形が可能であること明
らかである。この観点より、本発明は特許請求の範囲に
包含される種々の変更や変形を含むものと理解されるべ
きである。

【図面の簡単な説明】

【図１】コンタクト開口のパターンを示す線図である。

【図２】図１のコンタクト開口のパターンを形成するた
めの第１及び第２のライン／間隔マスクを示す線図であ
る。

【図３】本発明による好適実施例によるコンタクト開口
の大きさを小さくするフォトリソグラフィプロセスのフ
ローチャートである。

【図４】Ａは、本発明の好適実施例によるコンタクト開
口の大きさを小さくするフォトリソグラフィ方法を示す
図である。Ｂは、本発明の好適実施例によるコンタクト
開口の大きさを小さくするフォトリソグラフィ方法を示
す図である。Ｃは、本発明の好適実施例によるコンタク
ト開口の大きさを小さくするフォトリソグラフィ方法を
示す図である。Ｄは、本発明の好適実施例によるコンタ
クト開口の大きさを小さくするフォトリソグラフィ方法
を示す図である。

【符号の説明】

２００透明基板２０２，２０４マスク層２０３第１のライン／間隔マスク２０５第２のライン／間隔マスク４１０露光領域４１４コンタクト開口領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コンタクト窓の大きさを小さくするフォ
トリソグラフィ方法であって、ネガティブレジストがコートされたウェハを用意する工
程と、第１のライン／間隔マスクを露光して、第１のライン／
間隔マスクの第１のパターンを前記ネガティブレジスト
に投影する工程と、第２のライン／間隔マスクを露光して、第２のライン／
間隔マスクの第２のパターンを前記第１のパターンが形
成されているネガティブレジストに投影し、第１のパタ
ーンと第２のパターンとにより形成されたオーバラップ
したパターンがネガティブレジストにコンタクト開口パ
ターンを形成する工程と、前記ネガティブレジストを現像して前記コンタクト開口
パターンにより規定されたコンタクト開口を露出させる
工程とを具えるフォトリソグラフィ方法。
【請求項２】請求項１に記載のフォトリソグラフィ方
法において、前記第１のパターンを、透明領域と不透明
領域とが交互に互いに平行に形成されたライン形態とし
たフォトリソグラフィ方法。
【請求項３】請求項２に記載のフォトリソグラフィ方
法において、前記透明領域を、マスク層により覆われて
いない透明基板の一部としたフォトリソグラフィ方法。
【請求項４】請求項３に記載のフォトリソグラフィ方
法において、前記マスク層がクロミウム層を含むフォト
リソグラフィ方法。
【請求項５】請求項２に記載のフォトリソグラフィ方
法において、前記不透明領域を、マスク層により覆われ
ている透明基板の一部としたフォトリソグラフィ方法。
【請求項６】請求項１に記載のフォトリソグラフィ方
法において、前記第２のパターンを、透明領域と不透明
領域とが交互に互いに平行に形成されたライン形態とし
たフォトリソグラフィ方法。
【請求項７】請求項６に記載のフォトリソグラフィ方
法において、前記透明領域を、マスク層により覆われて
いない透明基板の一部としたフォトリソグラフィ方法。
【請求項８】請求項７に記載のフォトリソグラフィ方
法において、前記マスク層がクロミウム層を含むフォト
リソグラフィ方法。
【請求項９】請求項６に記載のフォトリソグラフィ方
法において、前記不透明領域を、マスク層により覆われ
ている透明基板の一部としたフォトリソグラフィ方法。
【請求項１０】請求項１に記載のフォトリソグラフィ
方法において、前記第１のパターンが第２のパターンと
交差してコンタクト開口パターンを形成するフォトリソ
グラフィ方法。
【請求項１１】請求項１に記載のフォトリソグラフィ
方法において、前記第１のマスクのピッチと第２のマス
クのピッチとがコンタクト開口の寸法を決定するフォト
リソグラフィ方法。
【請求項１２】請求項１に記載のフォトリソグラフィ
方法において、前記第１のマスクのサイズと第２のマス
クのサイズがコンタクト開口の寸法を決定するフォトリ
ソグラフィ方法。
【請求項１３】ネガティブレジストがコートされてい
るウェハに適用することができるコンタクト開口パター
ンを規定するフォトリソグラフィ方法であって、第１の
マスクを露光して、第１のマスクの第１のパターンを前
記ネガティブレジストに投影する工程と、第２のマスクを露光して、第２のマスクの第２のパター
ンを前記第１のパターンが形成されているネガティブレ
ジストに投影し、第１のパターンと第２のパターンとに
より形成されたオーバラップしたパターンがネガティブ
レジストにコンタクト開口パターンを形成する工程と、前記コンタクト開口パターンを有するネガティブレジス
トを現像する工程とを具えるフォトリソグラフィ方法。
【請求項１４】請求項１３に記載のフォトリソグラフ
ィ方法において、前記第１のマスクが、透明領域と不透
明領域とが交互に互いに平行に形成されたライン／間隔
マスクを含むフォトリソグラフィ方法。
【請求項１５】請求項１３に記載のフォトリソグラフ
ィ方法において、前記第２のマスクが、透明領域と不透
明領域とが交互に互いに平行に形成されたライン／間隔
マスクを含むフォトリソグラフィ方法。
【請求項１６】請求項１３に記載のフォトリソグラフ
ィ方法において、前記第１のパターンが第２のパターン
と交差してコンタクト開口パターンを形成するフォトリ
ソグラフィ方法。
【請求項１７】請求項１６に記載のフォトリソグラフ
ィ方法において、前記第１のパターンを縦方向のライン
形態としたフォトリソグラフィ方法。
【請求項１８】請求項１６に記載のフォトリソグラフ
ィ方法において、前記第２のパターンを横方向のライン
形態としたフォトリソグラフィ方法。
【請求項１９】請求項１３に記載のフォトリソグラフ
ィ方法において、前記第１のマスクのピッチと第２のマ
スクのピッチとがコンタクト開口の長さ及び幅を決定す
るフォトリソグラフィ方法。
【請求項２０】請求項１３に記載のフォトリソグラフ
ィ方法において、前記第１のマスクのサイズと第２のマ
スクのサイズとがコンタクト開口の長さ及び幅を決定す
るフォトリソグラフィ方法。