JP2001221913A - ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計 - Google Patents
ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計Info
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- JP2001221913A JP2001221913A JP2000030823A JP2000030823A JP2001221913A JP 2001221913 A JP2001221913 A JP 2001221913A JP 2000030823 A JP2000030823 A JP 2000030823A JP 2000030823 A JP2000030823 A JP 2000030823A JP 2001221913 A JP2001221913 A JP 2001221913A
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- electrode
- insulating portion
- fabry
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の波長を安定して選択することができる
ファブリペローフィルタを実現すること。 【解決手段】 基板上に設けられた第一ミラーと、この
第一ミラーとの間にギャップを有して対向配置され、外
力が加えられることにより第一ミラーに対して変位可能
に形成される第二ミラーと、この第二ミラーに外力を加
えて変位させギャップを可変とした場合に、第二ミラー
を静止させ、ギャップの長さを固定可能とする静止手段
と、を具備したことを特徴とする。
ファブリペローフィルタを実現すること。 【解決手段】 基板上に設けられた第一ミラーと、この
第一ミラーとの間にギャップを有して対向配置され、外
力が加えられることにより第一ミラーに対して変位可能
に形成される第二ミラーと、この第二ミラーに外力を加
えて変位させギャップを可変とした場合に、第二ミラー
を静止させ、ギャップの長さを固定可能とする静止手段
と、を具備したことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、大気中などのガス
濃度を、赤外線を用いて測定する赤外線ガス分析計に使
用される、ファブリペローフィルタに関するものであ
る。
濃度を、赤外線を用いて測定する赤外線ガス分析計に使
用される、ファブリペローフィルタに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】ガス分析においては、ガスの種類によっ
て吸収される赤外線の波長が異なることを利用し、この
吸収量を検出することによりそのガス濃度を測定する、
非分散赤外線(Non−Dispersive Inf
raRed)ガス分析計(以下、NDIRガス分析計と
記す)が使用されている。
て吸収される赤外線の波長が異なることを利用し、この
吸収量を検出することによりそのガス濃度を測定する、
非分散赤外線(Non−Dispersive Inf
raRed)ガス分析計(以下、NDIRガス分析計と
記す)が使用されている。
【0003】図5から図7は、従来のNDIRガス分析
計の構成図である。尚、以下においては、赤外線吸収波
長のピークが約4.25μmである二酸化炭素を被測定
ガスとして説明する。
計の構成図である。尚、以下においては、赤外線吸収波
長のピークが約4.25μmである二酸化炭素を被測定
ガスとして説明する。
【0004】図5は、単光線2波長比較NDIRガス分
析計で、ガスが供給されるサンプルセル10と、光源1
1と、フィルタ12,13と、赤外線検出器14,15
とからなっている。図8に示すように、二酸化炭素の吸
収特性に合わせたフィルタ12と、参照光として約3.
1μm近傍の波長の赤外線を透過させるフィルタ13で
2波長を選択し、選択された赤外線は、それぞれ赤外線
検出器14,15により検出される。この場合、測定さ
れた参照光の吸収特性との比較によって、光源11の劣
化や、サンプルセル10の汚れ等による出力信号の経時
変化を補正することができる。
析計で、ガスが供給されるサンプルセル10と、光源1
1と、フィルタ12,13と、赤外線検出器14,15
とからなっている。図8に示すように、二酸化炭素の吸
収特性に合わせたフィルタ12と、参照光として約3.
1μm近傍の波長の赤外線を透過させるフィルタ13で
2波長を選択し、選択された赤外線は、それぞれ赤外線
検出器14,15により検出される。この場合、測定さ
れた参照光の吸収特性との比較によって、光源11の劣
化や、サンプルセル10の汚れ等による出力信号の経時
変化を補正することができる。
【0005】図6は、単光線2波長比較NDIRガス分
析計で、円盤16に形成された二酸化炭素の吸収特性に
合わせたフィルタ12と、参照光のフィルタ13で2波
長を選択し、フィルタによって選択された赤外線は、そ
れぞれ赤外線検出器14により検出される。この場合、
測定された参照光の吸収特性との比較によって、光源1
1の劣化や、サンプルセル10の汚れ等による出力信号
の経時変化を補正することができる。
析計で、円盤16に形成された二酸化炭素の吸収特性に
合わせたフィルタ12と、参照光のフィルタ13で2波
長を選択し、フィルタによって選択された赤外線は、そ
れぞれ赤外線検出器14により検出される。この場合、
測定された参照光の吸収特性との比較によって、光源1
1の劣化や、サンプルセル10の汚れ等による出力信号
の経時変化を補正することができる。
【0006】図7は、単光線2波長ファブリペローND
IRガス分析計で、ファブリペローフィルタ17を構成
する2つの平行ミラー(図示しない)間のギャップを可
変とすることにより、被測定ガスの吸収特性に合わせた
波長と参照光の波長との2波長を選択し、選択された赤
外線は、それぞれ赤外線検出器14により検出される。
この場合、測定された参照光の吸収特性との比較によっ
て、光源11の劣化や、サンプルセル10の汚れ等によ
る出力信号の経時変化を補正することができる。
IRガス分析計で、ファブリペローフィルタ17を構成
する2つの平行ミラー(図示しない)間のギャップを可
変とすることにより、被測定ガスの吸収特性に合わせた
波長と参照光の波長との2波長を選択し、選択された赤
外線は、それぞれ赤外線検出器14により検出される。
この場合、測定された参照光の吸収特性との比較によっ
て、光源11の劣化や、サンプルセル10の汚れ等によ
る出力信号の経時変化を補正することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のNDI
Rガス分析計においては、フィルタで選択できる赤外線
波長は参照光の波長を含めて2種類だけであった。従っ
て、複数のガスを測定したい場合は、フィルタを増設す
る必要があり、装置が大型化してしまう、コストが増大
してしまうという問題点があった。
Rガス分析計においては、フィルタで選択できる赤外線
波長は参照光の波長を含めて2種類だけであった。従っ
て、複数のガスを測定したい場合は、フィルタを増設す
る必要があり、装置が大型化してしまう、コストが増大
してしまうという問題点があった。
【0008】本発明は上述した問題点を解決するために
なされたものであり、複数の波長を安定して選択するこ
とができるファブリペローフィルタを実現することによ
り、小型で低コストに複数のガス濃度を測定可能とする
ガス分析計を提供することを目的とする。
なされたものであり、複数の波長を安定して選択するこ
とができるファブリペローフィルタを実現することによ
り、小型で低コストに複数のガス濃度を測定可能とする
ガス分析計を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1におい
ては、基板上に設けられた第一ミラーと、この第一ミラ
ーとの間にギャップを有して対向配置され、外力が加え
られることにより前記第一ミラーに対して変位可能に形
成された第二ミラーと、この第二ミラーに外力を加えて
変位させ前記ギャップの長さを可変とした場合に、前記
第二ミラーを静止させ、前記ギャップの長さを固定可能
とする静止手段と、を具備したことを特徴とするファブ
リペローフィルタである。
ては、基板上に設けられた第一ミラーと、この第一ミラ
ーとの間にギャップを有して対向配置され、外力が加え
られることにより前記第一ミラーに対して変位可能に形
成された第二ミラーと、この第二ミラーに外力を加えて
変位させ前記ギャップの長さを可変とした場合に、前記
第二ミラーを静止させ、前記ギャップの長さを固定可能
とする静止手段と、を具備したことを特徴とするファブ
リペローフィルタである。
【0010】本発明の請求項2においては、基板上に設
けられた第一ミラーと、この第一ミラーと平行に離間さ
れて設けられたアパーチャーと、前記第一ミラー前記ア
パーチャーとの間にそれぞれギャップを有して対向配置
され、前記第一ミラー及び前記アパーチャーに対してそ
れぞれ変位可能に設けられた第二ミラーと、前記第一ミ
ラーに設けられて前記第二ミラーに対向配置され、表面
に第一絶縁部が設けられた第一電極と、前記第二ミラー
に設けられて前記第一電極に対向配置され、表面に第二
絶縁部が設けられた第二電極と、前記アパーチャーに設
けられて前記第二ミラーに対向配置され、表面に第三絶
縁部が設けられた第三電極と、前記第二ミラーに設けら
れて前記第三電極に対向配置され、表面に第四絶縁部が
設けられた第四電極と、を具備し、前記第一電極と前記
第二電極に電位差を与えて前記第二ミラーを変位させた
場合は、前記第一絶縁部と前記第二絶縁部を接触させて
前記第二ミラーを静止させ、前記第三電極と前記第四電
極に電位差を与えて前記第二ミラーを変位させた場合
は、前記第三絶縁部と前記第四絶縁部を接触させて前記
第二ミラーを静止させ、前記第一ミラーと前記第二ミラ
ーとの間のギャップの長さを固定可能としたことを特徴
とするファブリペローフィルタである。
けられた第一ミラーと、この第一ミラーと平行に離間さ
れて設けられたアパーチャーと、前記第一ミラー前記ア
パーチャーとの間にそれぞれギャップを有して対向配置
され、前記第一ミラー及び前記アパーチャーに対してそ
れぞれ変位可能に設けられた第二ミラーと、前記第一ミ
ラーに設けられて前記第二ミラーに対向配置され、表面
に第一絶縁部が設けられた第一電極と、前記第二ミラー
に設けられて前記第一電極に対向配置され、表面に第二
絶縁部が設けられた第二電極と、前記アパーチャーに設
けられて前記第二ミラーに対向配置され、表面に第三絶
縁部が設けられた第三電極と、前記第二ミラーに設けら
れて前記第三電極に対向配置され、表面に第四絶縁部が
設けられた第四電極と、を具備し、前記第一電極と前記
第二電極に電位差を与えて前記第二ミラーを変位させた
場合は、前記第一絶縁部と前記第二絶縁部を接触させて
前記第二ミラーを静止させ、前記第三電極と前記第四電
極に電位差を与えて前記第二ミラーを変位させた場合
は、前記第三絶縁部と前記第四絶縁部を接触させて前記
第二ミラーを静止させ、前記第一ミラーと前記第二ミラ
ーとの間のギャップの長さを固定可能としたことを特徴
とするファブリペローフィルタである。
【0011】本発明の請求項3においては、基板上に設
けられた第一ミラーと、この第一ミラーとの間にギャッ
プを有して対向配置され、前記第一ミラーに対して変位
可能に設けられた第二ミラーと、前記第一ミラー上に階
段状に設けられた複数の導電部を有する第一電極と、複
数の前記導電部の周囲に設けられ、複数の前記導電部を
互いに絶縁する階段状の第一絶縁部と、前記第二ミラー
に設けられて前記第一電極に対向配置される第二電極
と、前記第二電極の前記第一電極に対向する面に設けら
れた第二絶縁部と、を具備し、複数の前記導電部を切り
換えて前記第二電極との間に電位差を与えることによ
り、階段状の前記第一絶縁部と前記第二絶縁部を接触さ
せて前記第二ミラーを静止させ、前記ギャップの長さを
階段状に固定可能としたことを特徴とするファブリペロ
ーフィルタである。
けられた第一ミラーと、この第一ミラーとの間にギャッ
プを有して対向配置され、前記第一ミラーに対して変位
可能に設けられた第二ミラーと、前記第一ミラー上に階
段状に設けられた複数の導電部を有する第一電極と、複
数の前記導電部の周囲に設けられ、複数の前記導電部を
互いに絶縁する階段状の第一絶縁部と、前記第二ミラー
に設けられて前記第一電極に対向配置される第二電極
と、前記第二電極の前記第一電極に対向する面に設けら
れた第二絶縁部と、を具備し、複数の前記導電部を切り
換えて前記第二電極との間に電位差を与えることによ
り、階段状の前記第一絶縁部と前記第二絶縁部を接触さ
せて前記第二ミラーを静止させ、前記ギャップの長さを
階段状に固定可能としたことを特徴とするファブリペロ
ーフィルタである。
【0012】本発明の請求項4においては、前記第一ミ
ラーと前記第二ミラーはシリコンであることを特徴とす
る請求項1から請求項3記載のファブリペローフィルタ
である。
ラーと前記第二ミラーはシリコンであることを特徴とす
る請求項1から請求項3記載のファブリペローフィルタ
である。
【0013】本発明の請求項5においては、前記第一電
極と前記第二電極と前記第三電極と前記第四電極は不純
物濃度の高いシリコンであることを特徴とする請求項1
から請求項4記載のファブリペローフィルタである。
極と前記第二電極と前記第三電極と前記第四電極は不純
物濃度の高いシリコンであることを特徴とする請求項1
から請求項4記載のファブリペローフィルタである。
【0014】本発明の請求項6においては、前記第一絶
縁部と前記第二絶縁部と前記第三絶縁部と前記第四絶縁
部は窒化シリコンであることを特徴とする請求項1から
請求項5記載のファブリペローフィルタである。
縁部と前記第二絶縁部と前記第三絶縁部と前記第四絶縁
部は窒化シリコンであることを特徴とする請求項1から
請求項5記載のファブリペローフィルタである。
【0015】本発明の請求項7においては、被測定ガス
に赤外線を照射する光源と、この光源からの赤外線を波
長選択的に透過させる波長選択フィルタと、この波長選
択フィルタを透過した赤外線を検出する赤外線検出器と
を有し、前記赤外線検出器の出力に基づいて前記被測定
ガスの濃度を測定する赤外線ガス分析計において、前記
波長選択フィルタとして、請求項1から請求項6記載の
ファブリペローフィルタを使用したことを特徴とするガ
ス分析計である。
に赤外線を照射する光源と、この光源からの赤外線を波
長選択的に透過させる波長選択フィルタと、この波長選
択フィルタを透過した赤外線を検出する赤外線検出器と
を有し、前記赤外線検出器の出力に基づいて前記被測定
ガスの濃度を測定する赤外線ガス分析計において、前記
波長選択フィルタとして、請求項1から請求項6記載の
ファブリペローフィルタを使用したことを特徴とするガ
ス分析計である。
【0016】本発明の請求項8においては、前記被測定
ガスは二酸化炭素と水蒸気の2成分を含み、この2成分
の濃度を測定することを特徴とする請求項7記載の赤外
線ガス分析計である。
ガスは二酸化炭素と水蒸気の2成分を含み、この2成分
の濃度を測定することを特徴とする請求項7記載の赤外
線ガス分析計である。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を用いて説明する。図1は本発明の第一実施例の構成
を示す断面図である。
面を用いて説明する。図1は本発明の第一実施例の構成
を示す断面図である。
【0018】図1において、シリコンの基板1上に第一
ミラー2が形成され、第二ミラー3は、第一ミラー2上
に形成されたシリコン酸化膜からなる絶縁膜4上に形成
されて第一ミラー2に対向配置されている。そして、第
一ミラー2と第二ミラー3の間には、絶縁膜4をエッチ
ングすることにより絶縁膜4の膜厚に相当するギャップ
h1が形成され、第二ミラー3は第一ミラー2の方向に
変位可能となっている。
ミラー2が形成され、第二ミラー3は、第一ミラー2上
に形成されたシリコン酸化膜からなる絶縁膜4上に形成
されて第一ミラー2に対向配置されている。そして、第
一ミラー2と第二ミラー3の間には、絶縁膜4をエッチ
ングすることにより絶縁膜4の膜厚に相当するギャップ
h1が形成され、第二ミラー3は第一ミラー2の方向に
変位可能となっている。
【0019】アパーチャー5は、第二ミラー3上に形成
された酸化膜からなる絶縁膜6上に形成され、第二ミラ
ー3に対向配置されている。そして、アパーチャー5と
第二ミラー3の間には、絶縁膜6をエッチングすること
により絶縁膜6の膜厚に相当するギャップが形成され、
第二ミラー3はアパーチャー5の方向に変位可能となっ
ている。
された酸化膜からなる絶縁膜6上に形成され、第二ミラ
ー3に対向配置されている。そして、アパーチャー5と
第二ミラー3の間には、絶縁膜6をエッチングすること
により絶縁膜6の膜厚に相当するギャップが形成され、
第二ミラー3はアパーチャー5の方向に変位可能となっ
ている。
【0020】第一ミラー2及び第二ミラー3は例えば多
結晶シリコンであり、アパーチャー5は例えばシリコン
である。また、アパーチャー5の中心部には孔7が形成
され、アパーチャー5の表面には赤外線を透過させない
ように金属膜(図示しない)が設けられ、孔7の下方部
は光学的活性領域となっている。
結晶シリコンであり、アパーチャー5は例えばシリコン
である。また、アパーチャー5の中心部には孔7が形成
され、アパーチャー5の表面には赤外線を透過させない
ように金属膜(図示しない)が設けられ、孔7の下方部
は光学的活性領域となっている。
【0021】第一電極2aは、例えば不純物濃度の高い
多結晶シリコンで、孔7を中心にして左右対称に第一ミ
ラー2上に形成されている。そして、第一電極2aの表
面には、例えば窒化シリコンからなる第一絶縁部2bが
形成されている。
多結晶シリコンで、孔7を中心にして左右対称に第一ミ
ラー2上に形成されている。そして、第一電極2aの表
面には、例えば窒化シリコンからなる第一絶縁部2bが
形成されている。
【0022】第二電極3aは、例えば不純物濃度の高い
多結晶シリコンで、孔7を中心にして左右対称に、第二
ミラー3の第一電極2aに対向する面に形成されてい
る。そして、第二電極3aの表面には、例えば窒化シリ
コンからなる第二絶縁部3bが形成され、この第二絶縁
部3bは、第一絶縁部2bに対向配置されている。
多結晶シリコンで、孔7を中心にして左右対称に、第二
ミラー3の第一電極2aに対向する面に形成されてい
る。そして、第二電極3aの表面には、例えば窒化シリ
コンからなる第二絶縁部3bが形成され、この第二絶縁
部3bは、第一絶縁部2bに対向配置されている。
【0023】第三電極5aは、例えば不純物濃度の高い
多結晶シリコンで、孔7を中心にして左右対称にアパー
チャー5の第二ミラー3に対向する面に形成されてい
る。そして、第三電極5aの表面には、例えば窒化シリ
コンからなる第三絶縁部5bが形成されている。
多結晶シリコンで、孔7を中心にして左右対称にアパー
チャー5の第二ミラー3に対向する面に形成されてい
る。そして、第三電極5aの表面には、例えば窒化シリ
コンからなる第三絶縁部5bが形成されている。
【0024】第四電極3cは、例えば不純物濃度の高い
多結晶シリコンで、孔7を中心にして左右対称に第二ミ
ラー3のアパーチャー5に対向する面に形成されてい
る。そして、第四電極3cの表面には、例えば窒化シリ
コンからなる第四絶縁部3dが形成され、この第四絶縁
部3dは、第三絶縁部5bに対向配置されている。
多結晶シリコンで、孔7を中心にして左右対称に第二ミ
ラー3のアパーチャー5に対向する面に形成されてい
る。そして、第四電極3cの表面には、例えば窒化シリ
コンからなる第四絶縁部3dが形成され、この第四絶縁
部3dは、第三絶縁部5bに対向配置されている。
【0025】次に、動作を説明する。図2(a),
(b)は、図1に示したファブリペローフィルタの動作
説明図である。
(b)は、図1に示したファブリペローフィルタの動作
説明図である。
【0026】図2(a)において、第一電極2aと第二
電極3aに電位差を与えると、第一電極2aと第二電極
3aとの間に静電吸引力が発生し、第二ミラー3は第一
ミラー2の方向に変位し、第一絶縁部2bと第二絶縁部
3bが接触することにより、第二ミラー3は静止する。
この場合、第一ミラー2と第二ミラー3とのギャップの
長さは、初期の長さh1よりも短いh2に固定される。
電極3aに電位差を与えると、第一電極2aと第二電極
3aとの間に静電吸引力が発生し、第二ミラー3は第一
ミラー2の方向に変位し、第一絶縁部2bと第二絶縁部
3bが接触することにより、第二ミラー3は静止する。
この場合、第一ミラー2と第二ミラー3とのギャップの
長さは、初期の長さh1よりも短いh2に固定される。
【0027】一方、図2(b)において、第三電極5a
と第四電極3cに電位差を与えると、第三電極5aと第
四電極3cとの間に静電吸引力が発生し、第二ミラー3
はアパーチャー5の方向に変位し、第三絶縁部5bと第
四絶縁部3dが接触することにより、第二ミラー3は静
止する。この場合、第一ミラー2と第二ミラー3とのギ
ャップの長さは、初期の長さh1よりも長いh3に固定
される。
と第四電極3cに電位差を与えると、第三電極5aと第
四電極3cとの間に静電吸引力が発生し、第二ミラー3
はアパーチャー5の方向に変位し、第三絶縁部5bと第
四絶縁部3dが接触することにより、第二ミラー3は静
止する。この場合、第一ミラー2と第二ミラー3とのギ
ャップの長さは、初期の長さh1よりも長いh3に固定
される。
【0028】このようにギャップの長さをh1,h2,
h3の3種類に設定することができるので、そのギャッ
プに応じた3種類の波長近傍の赤外線を透過させるファ
ブリペローフィルタを実現することができる。
h3の3種類に設定することができるので、そのギャッ
プに応じた3種類の波長近傍の赤外線を透過させるファ
ブリペローフィルタを実現することができる。
【0029】また、それぞれのギャップの長さは、絶縁
膜4,絶縁膜6の膜厚、第一電極2a、第二電極3a、
第三電極5a、第四電極3c、第一絶縁部2b、第二絶
縁部3b、第三絶縁部5b、第四絶縁部3dの厚さを任
意に設定することにより、目的のガスの赤外線吸収特性
に対応したギャップを得ることができるように調整可能
である。
膜4,絶縁膜6の膜厚、第一電極2a、第二電極3a、
第三電極5a、第四電極3c、第一絶縁部2b、第二絶
縁部3b、第三絶縁部5b、第四絶縁部3dの厚さを任
意に設定することにより、目的のガスの赤外線吸収特性
に対応したギャップを得ることができるように調整可能
である。
【0030】上述のように、第一電極2a、第二電極3
a、第三電極5a、第四電極3c、第一絶縁部2b、第
二絶縁部3b、第三絶縁部5b、第四絶縁部3dは、第
二ミラー3の変位を静止させる静止手段として機能し、
ギャップの長さを固定させているので、外部から振動な
どの外乱を受けた場合も、そのギャップが変動すること
はなく、安定した波長選択を行うことができる。
a、第三電極5a、第四電極3c、第一絶縁部2b、第
二絶縁部3b、第三絶縁部5b、第四絶縁部3dは、第
二ミラー3の変位を静止させる静止手段として機能し、
ギャップの長さを固定させているので、外部から振動な
どの外乱を受けた場合も、そのギャップが変動すること
はなく、安定した波長選択を行うことができる。
【0031】そして、被測定ガスに赤外線を照射する光
源と、この光源からの赤外線を波長選択的に透過させる
波長選択フィルタと、この波長選択フィルタを透過した
赤外線を検出する赤外線検出器とを有し、赤外線検出器
の出力に基づいて被測定ガスの濃度を測定する赤外線ガ
ス分析計において、波長選択フィルタとして上述のよう
なファブリペローフィルタを使用して場合は、フィルタ
を増設することなく、参照光とは別に2種類のガス濃度
を測定することができる赤外線ガス分析計を実現でき
る。
源と、この光源からの赤外線を波長選択的に透過させる
波長選択フィルタと、この波長選択フィルタを透過した
赤外線を検出する赤外線検出器とを有し、赤外線検出器
の出力に基づいて被測定ガスの濃度を測定する赤外線ガ
ス分析計において、波長選択フィルタとして上述のよう
なファブリペローフィルタを使用して場合は、フィルタ
を増設することなく、参照光とは別に2種類のガス濃度
を測定することができる赤外線ガス分析計を実現でき
る。
【0032】例えば、電圧を印加しない状態でのギャッ
プh1(すなわち絶縁層4の膜厚)を約3.1μmと
し、この初期状態を参照光測定状態とした場合、図2
(a)に示したギャップh2が2.27μmとなるよう
にした場合は、二酸化炭素を測定対象とすることがで
き、図2(b)に示したギャップh3が約2.59μm
となるようにした場合は、水蒸気を測定対象とすること
ができる。
プh1(すなわち絶縁層4の膜厚)を約3.1μmと
し、この初期状態を参照光測定状態とした場合、図2
(a)に示したギャップh2が2.27μmとなるよう
にした場合は、二酸化炭素を測定対象とすることがで
き、図2(b)に示したギャップh3が約2.59μm
となるようにした場合は、水蒸気を測定対象とすること
ができる。
【0033】図3は本発明の第二実施例の構成を示す断
面図である。尚、以下の図面において、図1と重複する
部分は同一番号を付してその説明は適宜に省略する。
面図である。尚、以下の図面において、図1と重複する
部分は同一番号を付してその説明は適宜に省略する。
【0034】図3において、シリコンの基板1上に第一
ミラー2が形成され、第二ミラー3は、第一ミラー2上
に形成されたシリコン酸化膜からなる絶縁膜4と、後述
の第二電極3aと、後述の第二絶縁部3bとを介して第
一ミラー2に対向配置されている。
ミラー2が形成され、第二ミラー3は、第一ミラー2上
に形成されたシリコン酸化膜からなる絶縁膜4と、後述
の第二電極3aと、後述の第二絶縁部3bとを介して第
一ミラー2に対向配置されている。
【0035】第二ミラー3の第一ミラー2と対向する面
には、第二電極3aと第二絶縁部3bが第二ミラー3か
ら第一ミラー2の方向に順に形成され、この第二絶縁部
3bと第二電極3aの中心部には孔5が形成され、その
孔5の下方部は光学的活性領域となっている。
には、第二電極3aと第二絶縁部3bが第二ミラー3か
ら第一ミラー2の方向に順に形成され、この第二絶縁部
3bと第二電極3aの中心部には孔5が形成され、その
孔5の下方部は光学的活性領域となっている。
【0036】そして、第一ミラー2と第二ミラー3との
間には、孔5の下方にギャップh1が形成され、第二ミ
ラー3は第一ミラー2の方向に変位可能となっている。
間には、孔5の下方にギャップh1が形成され、第二ミ
ラー3は第一ミラー2の方向に変位可能となっている。
【0037】そして、導電部2a1,2a2,2a3は、
光学的活性領域の中心より外側へ順に左右対称に第一ミ
ラー2上に設けられ、その高さは光学的活性領域の中心
から順に高くなり、全体として階段状となる第一電極2
aを形成している。
光学的活性領域の中心より外側へ順に左右対称に第一ミ
ラー2上に設けられ、その高さは光学的活性領域の中心
から順に高くなり、全体として階段状となる第一電極2
aを形成している。
【0038】また、導電部2a1,2a2,2a3は、そ
の周囲が絶縁層2b1で覆われて互いに絶縁され、絶縁
層2b1の第二絶縁部3bと対向する面に相当する部分
は、第一絶縁部2bとなっている。
の周囲が絶縁層2b1で覆われて互いに絶縁され、絶縁
層2b1の第二絶縁部3bと対向する面に相当する部分
は、第一絶縁部2bとなっている。
【0039】第一ミラー2と第二ミラー3は、例えば多
結晶シリコンであり、第一電極を構成する導電部2
a1,2a2,2a3と第二電極3aは、例えば不純物濃
度の高い多結晶シリコンであり、第一絶縁部2bと第二
絶縁部3bは、例えば窒化シリコンである。
結晶シリコンであり、第一電極を構成する導電部2
a1,2a2,2a3と第二電極3aは、例えば不純物濃
度の高い多結晶シリコンであり、第一絶縁部2bと第二
絶縁部3bは、例えば窒化シリコンである。
【0040】次に、動作を説明する。図4(a),
(b)は図3に示したファブリペローフィルタの動作説
明図である。
(b)は図3に示したファブリペローフィルタの動作説
明図である。
【0041】図4(a)において、第一電極2aの導電
部2a3と第二電極3aとの間に電位差を与えると、導
電部2a3と第二電極3aとの間に静電吸引力が発生
し、第二ミラー3は第一ミラー2の方向に変位し、導電
部2a3の直上の第一絶縁部2bと第二絶縁部3bが接
触することとなり、第二ミラー3は静止する。この場
合、第一ミラー2と第二ミラー3とのギャップの長さ
は、初期の長さh1よりも短いh2に固定される。
部2a3と第二電極3aとの間に電位差を与えると、導
電部2a3と第二電極3aとの間に静電吸引力が発生
し、第二ミラー3は第一ミラー2の方向に変位し、導電
部2a3の直上の第一絶縁部2bと第二絶縁部3bが接
触することとなり、第二ミラー3は静止する。この場
合、第一ミラー2と第二ミラー3とのギャップの長さ
は、初期の長さh1よりも短いh2に固定される。
【0042】また、図4(b)において、第一電極2a
の導電部2a1と第二電極3aとの間に電位差を与える
と、導電部2a1と第二電極3aとの間に静電吸引力が
発生し、第二ミラー3は第一ミラー2の方向に変位し、
導電部2a1,2a2,2a3の直上の第一絶縁部2bと
第二絶縁部3bが階段状に接触することとなり、第二ミ
ラー3は静止する。この場合、第一ミラー2と第二ミラ
ー3とのギャップの長さは、h2よりも短いh4に固定
される。
の導電部2a1と第二電極3aとの間に電位差を与える
と、導電部2a1と第二電極3aとの間に静電吸引力が
発生し、第二ミラー3は第一ミラー2の方向に変位し、
導電部2a1,2a2,2a3の直上の第一絶縁部2bと
第二絶縁部3bが階段状に接触することとなり、第二ミ
ラー3は静止する。この場合、第一ミラー2と第二ミラ
ー3とのギャップの長さは、h2よりも短いh4に固定
される。
【0043】同様に、第一電極2aの導電部2a2と第
二電極3aとの間に電位差を与えると、導電部と2a2
第二電極3aとの間に静電吸引力が発生し、第二ミラー
3は第一ミラー2の方向に変位し(図示しない)、導電
部2a2,2a3の直上の第一絶縁部2bと第二絶縁部3
bが階段状に接触することにより、第二ミラー3は静止
する。この場合、第一ミラー2と第二ミラー3とのギャ
ップの長さは、h2とh4の中間の値h3(図示しな
い)に固定される。
二電極3aとの間に電位差を与えると、導電部と2a2
第二電極3aとの間に静電吸引力が発生し、第二ミラー
3は第一ミラー2の方向に変位し(図示しない)、導電
部2a2,2a3の直上の第一絶縁部2bと第二絶縁部3
bが階段状に接触することにより、第二ミラー3は静止
する。この場合、第一ミラー2と第二ミラー3とのギャ
ップの長さは、h2とh4の中間の値h3(図示しな
い)に固定される。
【0044】このようにギャップの長さをh1からh4
までの4種類に設定することができるので、そのギャッ
プに応じた4種類の波長近傍の赤外線を透過させるファ
ブリペローフィルタを実現することができる。
までの4種類に設定することができるので、そのギャッ
プに応じた4種類の波長近傍の赤外線を透過させるファ
ブリペローフィルタを実現することができる。
【0045】また、上記の説明においては、導電部の数
が3つの場合について説明したが、導電部の数はこれに
限定されるものではなく、任意の複数の導電部を形成す
れば、その数に応じた複数の波長の赤外線を透過させる
ファブリペローフィルタを実現することができる。
が3つの場合について説明したが、導電部の数はこれに
限定されるものではなく、任意の複数の導電部を形成す
れば、その数に応じた複数の波長の赤外線を透過させる
ファブリペローフィルタを実現することができる。
【0046】また、階段状の第一電極2aと第一絶縁部
2bは、第二ミラー3の変位を静止させる静止手段とし
て機能し、第一ミラー2と第二ミラー3とのギャップを
固定するので、外部から振動などの外乱を受けた場合
も、そのギャップは変動することはなく、安定した波長
選択を行うことができる。
2bは、第二ミラー3の変位を静止させる静止手段とし
て機能し、第一ミラー2と第二ミラー3とのギャップを
固定するので、外部から振動などの外乱を受けた場合
も、そのギャップは変動することはなく、安定した波長
選択を行うことができる。
【0047】そして、被測定ガスに赤外線を照射する光
源と、この光源からの所望の波長の赤外線を選択して透
過させる波長選択フィルタと、この波長選択フィルタを
透過した赤外線を検出する赤外線検出器とを有し、赤外
線検出器の出力に基づいて被測定ガスの濃度を測定する
赤外線ガス分析計において、上述のようなファブリペロ
ーフィルタを使用した場合、波長選択フィルタの枚数を
増加させずに被測定ガスの複数成分の濃度を同時に測定
することが可能となる。
源と、この光源からの所望の波長の赤外線を選択して透
過させる波長選択フィルタと、この波長選択フィルタを
透過した赤外線を検出する赤外線検出器とを有し、赤外
線検出器の出力に基づいて被測定ガスの濃度を測定する
赤外線ガス分析計において、上述のようなファブリペロ
ーフィルタを使用した場合、波長選択フィルタの枚数を
増加させずに被測定ガスの複数成分の濃度を同時に測定
することが可能となる。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項1
から請求項6によれば、第二ミラーを静止させる静止手
段を設け、第一ミラーと第二ミラーとのギャップの長さ
を固定可能としたので、複数の波長を安定して選択する
ことができるファブリペローフィルタを提供することが
できる。また、請求項7によれば、請求項1から請求項
6記載のファブリペローフィルタを使用するようにした
ので、複数のガス濃度を測定可能な赤外線ガス分析計を
提供することができ、請求項8によれば、二酸化炭素と
水蒸気を同時に測定可能な赤外線ガス分析計を提供する
ことができる。
から請求項6によれば、第二ミラーを静止させる静止手
段を設け、第一ミラーと第二ミラーとのギャップの長さ
を固定可能としたので、複数の波長を安定して選択する
ことができるファブリペローフィルタを提供することが
できる。また、請求項7によれば、請求項1から請求項
6記載のファブリペローフィルタを使用するようにした
ので、複数のガス濃度を測定可能な赤外線ガス分析計を
提供することができ、請求項8によれば、二酸化炭素と
水蒸気を同時に測定可能な赤外線ガス分析計を提供する
ことができる。
【0049】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図2】本発明の第一実施例の動作説明図である。
【図3】本発明の第二実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図4】本発明の第二実施例の動作説明図である。
【図5】従来のNDIRガス分析計の構成図である。
【図6】従来のNDIRガス分析計の構成図である。
【図7】従来のNDIRガス分析計の構成図である。
【図8】フィルタの赤外線透過特性、吸収特性図であ
る。
る。
1 基板 2 第一ミラー 2a 第一電極 2a1,2a2,2a3 導電部 2b 第一絶縁部 3 第二ミラー 3a 第二電極 3b 第二絶縁部 3c 第四電極 3d 第四絶縁部 5 アパーチャー 5a 第三電極 5b 第三絶縁部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸 直輝 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 Fターム(参考) 2G020 AA03 BA02 BA12 CA02 CC27 2G059 AA01 BB01 CC04 CC09 EE01 EE11 FF10 HH01 JJ03 KK03 NN03 2G065 AA04 AB02 AB23 BA01 BB27 CA27 DA08 2H048 GA15 GA21 GA25 GA61
Claims (8)
- 【請求項1】 基板上に設けられた第一ミラーと、 この第一ミラーとの間にギャップを有して対向配置さ
れ、外力が加えられることにより前記第一ミラーに対し
て変位可能に形成された第二ミラーと、 この第二ミラーに外力を加えて変位させ前記ギャップの
長さを可変とした場合に、前記第二ミラーを静止させ、
前記ギャップの長さを固定可能とする静止手段と、を具
備したことを特徴とするファブリペローフィルタ。 - 【請求項2】 基板上に設けられた第一ミラーと、 この第一ミラーと平行に離間されて設けられたアパーチ
ャーと、 前記第一ミラー前記アパーチャーとの間にそれぞれギャ
ップを有して対向配置され、前記第一ミラー及び前記ア
パーチャーに対してそれぞれ変位可能に設けられた第二
ミラーと、前記第一ミラーに設けられて前記第二ミラー
に対向配置され、表面に第一絶縁部が設けられた第一電
極と、 前記第二ミラーに設けられて前記第一電極に対向配置さ
れ、表面に第二絶縁部が設けられた第二電極と、 前記アパーチャーに設けられて前記第二ミラーに対向配
置され、表面に第三絶縁部が設けられた第三電極と、 前記第二ミラーに設けられて前記第三電極に対向配置さ
れ、表面に第四絶縁部が設けられた第四電極と、を具備
し、 前記第一電極と前記第二電極に電位差を与えて前記第二
ミラーを変位させた場合は、前記第一絶縁部と前記第二
絶縁部を接触させて前記第二ミラーを静止させ、前記第
三電極と前記第四電極に電位差を与えて前記第二ミラー
を変位させた場合は、前記第三絶縁部と前記第四絶縁部
を接触させて前記第二ミラーを静止させ、前記第一ミラ
ーと前記第二ミラーとの間のギャップの長さを固定可能
としたことを特徴とするファブリペローフィルタ。 - 【請求項3】 基板上に設けられた第一ミラーと、 この第一ミラーとの間にギャップを有して対向配置さ
れ、前記第一ミラーに対して変位可能に設けられた第二
ミラーと、 前記第一ミラー上に階段状に設けられた複数の導電部を
有する第一電極と、 複数の前記導電部の周囲に設けられ、複数の前記導電部
を互いに絶縁する階段状の第一絶縁部と、 前記第二ミラーに設けられて前記第一電極に対向配置さ
れる第二電極と、 前記第二電極の前記第一電極に対向する面に設けられた
第二絶縁部と、を具備し、 複数の前記導電部を切り換えて前記第二電極との間に電
位差を与えることにより、階段状の前記第一絶縁部と前
記第二絶縁部を接触させて前記第二ミラーを静止させ、
前記ギャップの長さを階段状に固定可能としたことを特
徴とするファブリペローフィルタ。 - 【請求項4】 前記第一ミラーと前記第二ミラーはシリ
コンであることを特徴とする請求項1から請求項3記載
のファブリペローフィルタ。 - 【請求項5】 前記第一電極と前記第二電極と前記第三
電極と前記第四電極は不純物濃度の高いシリコンである
ことを特徴とする請求項1から請求項4記載のファブリ
ペローフィルタ。 - 【請求項6】 前記第一絶縁部と前記第二絶縁部と前記
第三絶縁部と前記第四絶縁部は窒化シリコンであること
を特徴とする請求項1から請求項5記載のファブリペロ
ーフィルタ。 - 【請求項7】 被測定ガスに赤外線を照射する光源
と、この光源からの赤外線を波長選択的に透過させる波
長選択フィルタと、この波長選択フィルタを透過した赤
外線を検出する赤外線検出器とを有し、前記赤外線検出
器の出力に基づいて前記被測定ガスの濃度を測定する赤
外線ガス分析計において、 前記波長選択フィルタとして、請求項1から請求項6記
載のファブリペローフィルタを使用したことを特徴とす
るガス分析計。 - 【請求項8】 前記被測定ガスは二酸化炭素と水蒸気の
2成分を含み、この2成分の濃度を測定することを特徴
とする請求項7記載の赤外線ガス分析計。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000030823A JP2001221913A (ja) | 2000-02-08 | 2000-02-08 | ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000030823A JP2001221913A (ja) | 2000-02-08 | 2000-02-08 | ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001221913A true JP2001221913A (ja) | 2001-08-17 |
Family
ID=18555785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000030823A Pending JP2001221913A (ja) | 2000-02-08 | 2000-02-08 | ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001221913A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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