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JP2001220443A - Polybenzoxazole precursor resin and photosensitive resin composition using the same - Google Patents

Polybenzoxazole precursor resin and photosensitive resin composition using the same

Info

Publication number
JP2001220443A
JP2001220443A JP2000030672A JP2000030672A JP2001220443A JP 2001220443 A JP2001220443 A JP 2001220443A JP 2000030672 A JP2000030672 A JP 2000030672A JP 2000030672 A JP2000030672 A JP 2000030672A JP 2001220443 A JP2001220443 A JP 2001220443A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polybenzoxazole precursor
resin composition
film
photosensitive
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000030672A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junya Kusuki
淳也 楠木
Takashi Hirano
孝 平野
Toshio Banba
敏夫 番場
Naoji Takeda
直滋 竹田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2000030672A priority Critical patent/JP2001220443A/en
Publication of JP2001220443A publication Critical patent/JP2001220443A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a photosensitive resin composition exhibiting high sensitivity to (i) line ray even when having thick film thickness by using a resin composition exhibiting high transmittance in ultraviolet and visible-light regions without deteriorating excellent heat resistance and other various properties. SOLUTION: This polybenzoxazole precursor is characterized in that light transmittance of a film formed after coated therewith and dried is >=80%, at 365 nm wavelength per 10 μm thickness. The precursor is preferably composed of a polyamide represented by general formula (1) and 10-100 mol% of Y in general formula (1) is preferably composed of an aliphatic hydrocarbon having at least two or more carbon atoms. The photosensitive resin composition is obtained by using the precursor.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、紫外、及び可視光
領域の光に対して高い透明性を示すポリベンゾオキサゾ
ール前駆体及び、それを用いた感光性ポリベンゾオキサ
ゾール樹脂組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polybenzoxazole precursor having high transparency to ultraviolet and visible light, and a photosensitive polybenzoxazole resin composition using the same. .

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリイミド樹脂は、半導体プロセス温度
に耐えうる優れた耐熱性を有し、応力の緩和、段差の平
坦化、メモリーセルのソフトエラーの防止等の理由で半
導体工業におけるパッシベーション膜、α線シールド
層、層間絶縁膜として利用されている。これらの用途に
利用する場合、パターン加工を施す必要があり、そのた
め、ポリイミド樹脂に感光性を付与した感光性ポリイミ
ドが広く実用化されている。また、液晶関連部品におけ
るアレイ電極保護膜、絶縁膜、さらには液晶配向膜とし
てもポリイミド樹脂は期待され始めており、このポリイ
ミド樹脂には、低誘電率、低吸水性、紫外、及び可視光
領域において高い透明性が要求されている。しかし、従
来のポリイミドは紫外、及び可視光の短波長領域に吸収
があり、実用までには至っていない。
2. Description of the Related Art Polyimide resin has excellent heat resistance to withstand the semiconductor process temperature, and is used as a passivation film in the semiconductor industry for reasons such as relaxation of stress, flattening of steps, and prevention of memory cell soft errors. It is used as a line shield layer and an interlayer insulating film. When used for these applications, it is necessary to perform pattern processing, and for this reason, photosensitive polyimide obtained by imparting photosensitivity to a polyimide resin has been widely put to practical use. In addition, polyimide resin has begun to be expected as an array electrode protective film, an insulating film, and even a liquid crystal alignment film in liquid crystal-related components, and this polyimide resin has low dielectric constant, low water absorption, ultraviolet light, and visible light region. High transparency is required. However, conventional polyimides have absorption in the short wavelength region of ultraviolet light and visible light, and have not reached practical use.

【0003】また、感光性ポリイミドについても、従来
品は通常g線露光用であり、g線露光に対して良好なパ
ターン加工性を有する。しかし、i線露光の場合、従来
品はベース樹脂であるポリイミド自身がi線を吸収する
ため、膜厚が厚くなると光が膜の底部まで浸透しなくな
るという問題があった。そのため、i線露光に対して微
細なパターン加工を行うことが困難であった。
[0003] Also, with respect to photosensitive polyimide, the conventional product is usually used for g-ray exposure, and has good pattern workability for g-ray exposure. However, in the case of i-line exposure, the conventional product has a problem in that light does not penetrate to the bottom of the film when the film thickness is large because the polyimide itself as the base resin absorbs the i-line. Therefore, it has been difficult to perform fine pattern processing for i-line exposure.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述した問
題点を解決するためになされたもので、その目的とする
ところは、優れた耐熱性及び他の諸特性を損なうことな
く、紫外、及び可視光領域での高い透過率を示す感光性
樹脂組成物を提供することにある。特に、膜厚が厚くて
もi線に対して高感度な感光性樹脂組成物を提供するこ
とにある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide excellent heat resistance and other properties without impairing ultraviolet light, Another object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition exhibiting a high transmittance in a visible light region. In particular, it is an object of the present invention to provide a photosensitive resin composition having high sensitivity to i-line even if the film thickness is large.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、ポリベンゾオ
キサゾール前駆体を塗布、乾燥後に形成されるフィルム
の波長365nmでの光透過率が膜厚10μm当たり8
0%以上であることを特徴とするポリベンゾオキサゾー
ル前駆体である。好ましい形態としては、該ポリベンゾ
オキサゾール前駆体が一般式(1)で示されるポリアミ
ドからなり、一般式(1)においてYの10から100
モル%が、少なくとも2個以上の炭素原子を有する脂肪
族炭化水素からなるポリベンゾオキサゾール前駆体であ
り、さらに好ましい形態としては、一般式(1)におい
てZが下記構造であるポリベンゾオキサゾール前駆体及
びそれを用いた感光性樹脂組成物である。
According to the present invention, a film formed after coating and drying a polybenzoxazole precursor has a light transmittance at a wavelength of 365 nm of 8 μm / 10 μm.
It is a polybenzoxazole precursor characterized by being at least 0%. In a preferred embodiment, the polybenzoxazole precursor comprises a polyamide represented by the general formula (1), and in the general formula (1), 10 to 100 of Y
Molar% is a polybenzoxazole precursor composed of an aliphatic hydrocarbon having at least two or more carbon atoms, and more preferably, a polybenzoxazole precursor in which Z in the general formula (1) has the following structure And a photosensitive resin composition using the same.

【0006】[0006]

【化3】 Embedded image

【0007】[0007]

【化4】 Embedded image

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明において用いられるポリベ
ンゾオキサゾール前駆体は、その前駆体の厚さ10μm
のプリベーク後膜の波長365nmでの光透過率が80
%以上であり、該ポリベンゾオキサゾール前駆体は一般
式(1)で示されるポリアミドからなることを特徴とす
る。10μmのプリベーク後膜の波長365nmでの光
透過率が80%未満であると、i線に対する感度が悪く
なるという問題がある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The polybenzoxazole precursor used in the present invention has a thickness of 10 μm.
The light transmittance at a wavelength of 365 nm of the film after pre-baking is 80
% Or more, and the polybenzoxazole precursor is made of a polyamide represented by the general formula (1). If the light transmittance at a wavelength of 365 nm of the prebaked film having a thickness of 10 μm is less than 80%, there is a problem that the sensitivity to i-line is deteriorated.

【0009】上記の一般式(1)中のYは少なくとも1
種類以上の脂肪族、及び少なくとも1種類以上の環式化
合物基の両方を含む2価の有機基であり、その内10か
ら100モル%は脂肪族を有する2価の有機基である。
紫外、及び可視光短波長領域に対する透明性の点から、
Yは脂肪族の2価の基であることが好ましい。その理由
にポリマー主鎖に脂肪族炭化水素を含有することでポリ
マー内の共役を抑制することができ、その結果、紫外、
及び可視光短波長領域のに対する透過率が向上すること
を見いだした。
In the general formula (1), Y is at least 1
It is a divalent organic group containing both of at least one kind of aliphatic group and at least one kind of cyclic compound group, of which 10 to 100 mol% is a divalent organic group having an aliphatic group.
From the viewpoint of transparency to ultraviolet and visible light short wavelength regions,
Y is preferably an aliphatic divalent group. For that reason, by containing an aliphatic hydrocarbon in the polymer main chain, conjugation in the polymer can be suppressed, and as a result, ultraviolet,
And that the transmittance in the visible light short wavelength region is improved.

【0010】一般式(1)のYの内脂肪族は、例えば、The inner aliphatic of Y in the general formula (1) is, for example,

【0011】[0011]

【化5】 等であるがこれらに限定されるものではない。Embedded image Etc., but are not limited to these.

【0012】これらの中で特に好ましいものとしては、Among these, particularly preferred are:

【0013】[0013]

【化6】 より選ばれるものである。また、Yがこれらのうちの1
種から構成されていても良いし、2種以上から構成され
る共重合体であっても構わない。
Embedded image It is more chosen. Y is one of these.
It may be composed of species or a copolymer composed of two or more species.

【0014】また、紫外及び可視光短波長領域に対する
透過率を低下させない範囲内で上記以外の共重合成分と
して環式化合物基をポリマー中に導入することも可能で
ある。好ましい環式化合物基としては、
It is also possible to introduce a cyclic compound group into the polymer as a copolymer component other than the above as long as the transmittance in the ultraviolet and visible light short wavelength regions is not reduced. Preferred cyclic compound groups include

【0015】[0015]

【化7】 等であるがこれらに限定されるものではない。Embedded image Etc., but are not limited to these.

【0016】上記のYが2種以上から構成される場合、
紫外及び可視光短波長に対する透過率の点から、脂肪族
炭化水素をY全体に対して10から100モル%含有す
ることが好ましい。10モル%未満では紫外及び可視光
短波長に対する透過率が低下するという問題がある。
When Y is composed of two or more kinds,
From the viewpoint of transmittance for short wavelengths of ultraviolet light and visible light, it is preferable to contain 10 to 100 mol% of the aliphatic hydrocarbon based on the whole Y. If it is less than 10 mol%, there is a problem that the transmittance for ultraviolet and visible light short wavelengths is reduced.

【0017】また、上記の一般式(9)のXは、4価の
環式化合物基であり、例えば、
X in the above general formula (9) is a tetravalent cyclic compound group.

【0018】[0018]

【化8】 等であるがこれらに限定されるものではない。Embedded image Etc., but are not limited to these.

【0019】これらの中で特に好ましいものとしては、Among these, particularly preferred are:

【0020】[0020]

【化9】 より選ばれるものである。また、Xがこれらのうちの1
種から構成されていても良いし、2種以上から構成され
る共重合体であっても構わない。
Embedded image It is more chosen. X is one of these.
It may be composed of species or a copolymer composed of two or more species.

【0021】また、上記の一般式(1)のZは、2価の
環式化合物基であり、例えば、m−フェニレンジアミ
ン、1−イソプロピル−2,4−フェニレンジアミン、
p−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノ−ジフェ
ニルプロパン、3,3’−ジアミノ−ジフェニルプロパ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルエタン、3,3’−
ジアミノジフェニルエタン、4,4’−ジアミノジフェ
ニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、
4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−
ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジ
フェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスル
ホン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,
3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェ
ノン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−
ジアミノベンズアニリド、ベンジジン、3,3’−ジア
ミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジ
アミノビフェニル、3,3’−ジメトキシベンジジン、
4,4’−ジアミノ−p−テルフェニル、3,3’−ジ
アミノ−p−テルフェニル、1,3−ビス(3−アミノ
フェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェ
ノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、ビス(p−アミノシクロヘキシル)メタ
ン、ビス(p−β−アミノ−t−ブチルフェニル)エー
テル、ビス(p−β−メチル−δ−アミノペンチル)ベ
ンゼン、p−ビス(2−メチル−4−アミノペンチル)
ベンゼン、p−ビス(1,1’−ジメチル−5−アミノ
ペンチル)ベンゼン、2,2−ビス{4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル}プロパン、ビス{4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル}スルホン、ビス{4−(3
−アミノフェノキシ)フェニル}スルホン、4,4’−
ビス(アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス{4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、2,2−ビ
ス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフ
ルオロプロパン、1,5−ジアミノナフタレン、2,6
−ジアミノナフタレン、2,4−ビス(β−アミノ−t
−ブチル)トルエン、2,4−ジアミノトルエン、m−
キシレン−2,5−ジアミン、p−キシレン−2,5−
ジアミン、m−キシリレンジアミン、p−キシリレンジ
アミン、2,6−ジアミノピリジン、2,5−ジアミノ
ピリジン、2,5−ジアミノ1,3,4−オキサジアゾ
ール、1,4−ジアミノシクロヘキサン、ピペラジン、
メチレンジアミン、エチレンジアミン、プロピレンジア
ミン、2,2−ジメチルプロピレンジアミン、テトラメ
チレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチ
レンジアミン、2,5−ジメチルヘキサメチレンジアミ
ン、3−メトキシヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチ
レンジアミン、2,5−ジメチルヘプタメチレンジアミ
ン、3−メチルヘプタメチレンジアミン、4,4−ジメ
チルヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミ
ン、ノナメチレンジアミン、5−メチルノナメチレンジ
アミン、2,5−ジメチルノナメチレンジアミン、デカ
メチレンジアミン、1,10−ジアミノ−1,10−ジ
メチルデカン、2,11−ジアミノドデカン、1,12
−ジアミノオクタデカン、2,12−ジアミノオクタデ
カン、2,17−ジアミノアイコサン、ジアミノシロキ
サン、2,6−ジアミノ−4−カルボキシリックベンゼ
ン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジカルボキシリッ
クベンジジン等であるがこれらに限定されるものではな
い。
Z in the general formula (1) is a divalent cyclic compound group, for example, m-phenylenediamine, 1-isopropyl-2,4-phenylenediamine,
p-phenylenediamine, 4,4'-diamino-diphenylpropane, 3,3'-diamino-diphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylethane, 3,3'-
Diaminodiphenylethane, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diaminodiphenylmethane,
4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3′-
Diaminodiphenyl sulfide, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 3,3′-diaminodiphenyl sulfone, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,
3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-
Diaminobenzanilide, benzidine, 3,3′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethoxybenzidine,
4,4′-diamino-p-terphenyl, 3,3′-diamino-p-terphenyl, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, bis (p-aminocyclohexyl) methane, bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) Benzene, p-bis (2-methyl-4-aminopentyl)
Benzene, p-bis (1,1′-dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane, bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} Sulfone, bis 4- (3
-Aminophenoxy) phenyl} sulfone, 4,4'-
Bis (aminophenoxy) biphenyl, bis {4- (4
-Aminophenoxy) phenyl} ether, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6
-Diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino-t
-Butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-
Xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-
Diamine, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino1,3,4-oxadiazole, 1,4-diaminocyclohexane, Piperazine,
Methylenediamine, ethylenediamine, propylenediamine, 2,2-dimethylpropylenediamine, tetramethylenediamine, pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, 2,5-dimethylhexamethylenediamine, 3-methoxyhexamethylenediamine, heptamethylenediamine, 2, 5-dimethylheptamethylenediamine, 3-methylheptamethylenediamine, 4,4-dimethylheptamethylenediamine, octamethylenediamine, nonamethylenediamine, 5-methylnonamethylenediamine, 2,5-dimethylnonamethylenediamine, decamethylenediamine , 1,10-diamino-1,10-dimethyldecane, 2,11-diaminododecane, 1,12
-Diaminooctadecane, 2,12-diaminooctadecane, 2,17-diaminoicosane, diaminosiloxane, 2,6-diamino-4-carboxylic benzene, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxylic benzidine and the like However, the present invention is not limited to these.

【0022】これらの中で紫外、及び可視光短波長領域
に対する透明性の点から、特に好ましいものとしては、
Of these, from the viewpoint of transparency in the ultraviolet and visible light short wavelength regions, particularly preferred are:

【0023】[0023]

【化10】 の構造を有するものである。ポリマー主鎖に上記の構造
を含有することでポリマー内の共役を抑制することがで
き、その結果、紫外及び可視光短波長領域のに対する透
過率が向上する。
Embedded image It has the following structure. By including the above structure in the polymer main chain, conjugation in the polymer can be suppressed, and as a result, the transmittance in the ultraviolet and visible light short wavelength regions is improved.

【0024】上記の一般式(1)のモル分率aは、アミ
ド部位が300〜400℃における閉環反応によりオキ
サゾール環を作り耐熱性を持つことから、70から10
0モル%であることが好ましい。
The molar fraction a in the general formula (1) is from 70 to 10 because the amide moiety forms an oxazole ring by a ring-closing reaction at 300 to 400 ° C. and has heat resistance.
It is preferably 0 mol%.

【0025】Eは保存安定性の向上のため、ヒドロキシ
ポリアミドのアミノ末端基を改質するために使用され
る。
E is used for modifying the amino terminal group of the hydroxypolyamide to improve the storage stability.

【0026】Eは以下のものを表すことができる。E can represent the following:

【0027】[0027]

【化11】 Embedded image

【0028】具体的には例えば、無水マレイン酸、無水
ノルボルネンジカルボン酸及び4−ビニル−安息香酸ク
ロリドである。その際不飽和カルボン酸の誘導体を使用
した際の利点は、焼結処理時に付加的な網状化反応が生
じることにある。
Specific examples are maleic anhydride, norbornene dicarboxylic anhydride and 4-vinyl-benzoic acid chloride. The advantage of using derivatives of unsaturated carboxylic acids is that an additional networking reaction occurs during the sintering process.

【0029】本発明の感光性ポリベンゾオキサゾール樹
脂組成物は、一般式(1)で示されるポリベンゾオキサ
ゾール前駆体と感光性ジアゾキノン化合物を主体として
なるものである。
The photosensitive polybenzoxazole resin composition of the present invention mainly comprises a polybenzoxazole precursor represented by the general formula (1) and a photosensitive diazoquinone compound.

【0030】本発明で用いる感光性ジアゾキノン化合物
は、1,2−ベンゾキノンジアジドあるいは1,2−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第2,772,972号、第2,797,21
3号、第3,669,658号により公知の物質であ
る。
The photosensitive diazoquinone compound used in the present invention is a compound having a 1,2-benzoquinonediazide or 1,2-naphthoquinonediazide structure, and is disclosed in US Pat. Nos. 2,772,972 and 2,797, 21
No. 3,669,658.

【0031】例えば、下記のものが挙げられる。For example, the following may be mentioned.

【0032】[0032]

【化12】 Embedded image

【0033】[0033]

【化13】 Embedded image

【0034】これらの中で特に好ましいものとしては下
記のものがある。
Among these, the following are particularly preferred.

【0035】[0035]

【化14】 Embedded image

【0036】感光性ジアジドキノン化合物(B)のポリ
アミド(A)への配合量は、ポリアミド100重量部に
対し、1〜100重量部で、配合量が1重量部未満だと
樹脂のパターニング性が不良であり、逆に100重量部
を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下する。
The compounding amount of the photosensitive diazidoquinone compound (B) to the polyamide (A) is 1 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamide. If the compounding amount is less than 1 part by weight, the patterning property of the resin is poor. Conversely, if it exceeds 100 parts by weight, the tensile elongation of the film is significantly reduced.

【0037】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導
体を加えることができる。ジヒドロピリジン誘導体とし
ては、例えば2,6−ジメチル−3,5−ジアセチル−
4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピリ
ジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6−ジメチ
ル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒドロピリ
ジン、4−(2′,4′−ジニトロフェニル)−2,6
−ジメチル−3,5−カルボメトキシ−1,4−ジヒド
ロピリジン等を挙げることができる。
A dihydropyridine derivative can be added to the positive photosensitive resin composition of the present invention, if necessary, to enhance the photosensitive characteristics. Examples of the dihydropyridine derivative include 2,6-dimethyl-3,5-diacetyl-
4- (2'-nitrophenyl) -1,4-dihydropyridine, 4- (2'-nitrophenyl) -2,6-dimethyl-3,5-dicarbethoxy-1,4-dihydropyridine, 4- (2 ', 4'-Dinitrophenyl) -2,6
-Dimethyl-3,5-carbomethoxy-1,4-dihydropyridine and the like.

【0038】本発明における感光性ポリベンゾオキサゾ
ール樹脂組成物には、必要によりレベリング剤、シラン
カップリング剤等の添加剤を添加することができる。
If necessary, additives such as a leveling agent and a silane coupling agent can be added to the photosensitive polybenzoxazole resin composition of the present invention.

【0039】本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶
解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、N−メ
チル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレ
ングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール
−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビ
ン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等を
単独でも混合して用いてもよい。
In the present invention, these components are dissolved in a solvent and used in the form of a varnish. Examples of the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-
Dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene Glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxypropionate and the like may be used alone or in combination.

【0040】本発明の感光性ポリベンゾオキサゾール樹
脂組成物の使用方法は、まず該組成物を適当な支持体、
例えば、シリコンウェハー、セラミック、アルミ基板等
に塗布する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回
転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティング等がある。次に、60〜130
℃でプリベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状
に化学線を照射する。化学線としては、X線、電子線、
紫外線、可視光線等が使用できるが、200〜500n
mの波長のものが好ましい。次に照射部を現像液で溶解
除去することによりレリーフパターンを得る。
The method of using the photosensitive polybenzoxazole resin composition of the present invention is as follows.
For example, it is applied to a silicon wafer, ceramic, aluminum substrate or the like. Examples of the coating method include spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, and roll coating. Next, 60-130
After pre-baking at ℃ and drying the coating film, a desired pattern shape is irradiated with actinic radiation. X-rays, electron beams,
Ultraviolet light, visible light, etc. can be used,
Those having a wavelength of m are preferred. Next, a relief pattern is obtained by dissolving and removing the irradiated portion with a developer.

【0041】現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、
エチルアミン、n−プロピルアミン等の第1アミン類、
ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の第2アミ
ン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第
3アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド等の第4級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶
液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコ
ール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加し
た水溶液を好適に使用することができる。現像方法とし
ては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能
である。次に、現像によって形成したレリーフパターン
をリンスする。リンス液としては、蒸留水を使用する。
次に加熱処理を行い、オキサゾール環を形成し、耐熱性
に富む最終パターンを得る。
Examples of the developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia;
Primary amines such as ethylamine and n-propylamine;
Secondary amines such as diethylamine and di-n-propylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and the like An aqueous solution of an alkali such as a quaternary ammonium salt or an aqueous solution obtained by adding a suitable amount of a water-soluble organic solvent such as alcohol such as methanol or ethanol or a surfactant thereto can be suitably used. As a developing method, a system such as spray, paddle, immersion, and ultrasonic wave can be used. Next, the relief pattern formed by development is rinsed. Distilled water is used as the rinsing liquid.
Next, heat treatment is performed to form an oxazole ring, and a final pattern having high heat resistance is obtained.

【0042】本発明の感光性ポリベンゾオキサゾール樹
脂組成物は露光時の光透過率が高い事から、厚膜でも良
好なパターンを得ることができる。
Since the photosensitive polybenzoxazole resin composition of the present invention has a high light transmittance at the time of exposure, a good pattern can be obtained even with a thick film.

【0043】[0043]

【実施例】<中間品の活性エステルの合成法>4−4’
−オキシジベンゾイックアシド(以降OBAとする)2
58.23gと1−ヒドロシキベンゾトリアゾール(以
降HBTとする)270.26gを無水のN−メチル−
2ピロリドン(以降NMPとする)2170gに溶解し
5℃まで冷却する。この液にNMP536gにジシクロ
ヘキシルカルボジイミド(以降DCCする)を412.
66g溶解した溶液を系内5℃に保持しながら1時間か
けに滴下する。さらにNMPを268g加え25℃にて
20時間攪拌放置する。次ぎにこの反応液の、沈殿物
(ジシクロヘキシル尿素)を濾別しNMP940gで洗
浄する。次ぎにこの濾液に攪拌しながら蒸留水2400
gを滴下する。この時析出した固形物を回収して、それ
をイソプロピルアルコール3200gで1時間攪拌し洗
浄する。洗浄した固形物を回収し真空下で40℃18時
間乾燥する。出来た活性エステルを以降AEとする。
[Example] <Synthesis of active ester as intermediate> 4-4 '
-Oxydibenzoic acid (hereinafter referred to as OBA) 2
58.23 g and 260.26 g of 1-hydroxybenzotriazole (hereinafter referred to as HBT) were added to anhydrous N-methyl-
Dissolve in 2170 g of 2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) and cool to 5 ° C. 412. Dicyclohexylcarbodiimide (hereinafter referred to as DCC) was added to 536 g of NMP in this solution.
The solution in which 66 g is dissolved is added dropwise over 1 hour while maintaining the temperature at 5 ° C. in the system. Further, 268 g of NMP is added, and the mixture is stirred and left at 25 ° C. for 20 hours. Next, the precipitate (dicyclohexylurea) of this reaction solution is filtered off and washed with 940 g of NMP. Next, 2400 distilled water was added to the filtrate while stirring.
g is added dropwise. The solid precipitated at this time is recovered, and the solid is stirred and washed with 3200 g of isopropyl alcohol for 1 hour. The washed solid is collected and dried under vacuum at 40 ° C. for 18 hours. The resulting active ester is hereinafter referred to as AE.

【0044】<実施例1>アジピン酸124.0gと1
−ヒドロキシベンゾトリアゾール(以降HBTとする)
275.20gをNMP1200gに溶解し10℃まで
冷却する。この溶液にNMP456gにジシクロヘキシ
ルカルボジイミド(以降DCCとする)を350.20
g溶解した溶液を系内10℃に保持し1時間かけ滴下す
る。さらにNMPを260g加え25℃にて20時間攪
拌放置する。次ぎにAE104.5g、2,2−ビス
(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロ
プロパン303.50g、1,3−ビス(3−アミノフ
ェノキシ)ベンゼン(以降APBとする)80.80g
及びNMP135gを投入する。室温で2時間攪拌後系
内の温度を75℃に上げ、さらに75℃で18時間攪拌
放置する。次ぎに5−ノルボルネン−2−3−ジカルボ
ン酸無水物72.60gをNMP362gに溶解し75
℃を保持しながら投入し、さらに75℃で3時間攪拌放
置する。次ぎに室温まで冷却し、沈殿物のジシクロヘキ
シル尿素を濾別しその濾液をイソプロピルアルコールと
蒸留水の混合液に攪拌しながら投入する。この時析出し
た固形物を回収してさらにイソプロピルアルコールと蒸
留水の混合液で洗浄する。洗浄した固形物を回収して、
真空下で40℃48時間乾燥し、ポリベンゾオキサゾー
ル前駆体を得る。
Example 1 124.0 g of adipic acid and 1
-Hydroxybenzotriazole (hereinafter referred to as HBT)
Dissolve 275.20 g in 1200 g NMP and cool to 10 ° C. To this solution was added 350.20 of dicyclohexylcarbodiimide (hereinafter referred to as DCC) in 456 g of NMP.
g, and the solution is maintained at 10 ° C. in the system and added dropwise over 1 hour. Further, 260 g of NMP was added, and the mixture was stirred and left at 25 ° C. for 20 hours. Next, 104.5 g of AE, 303.50 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, and 80.80 g of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (hereinafter referred to as APB).
And 135 g of NMP. After stirring at room temperature for 2 hours, the temperature in the system is raised to 75 ° C., and the mixture is further stirred at 75 ° C. for 18 hours. Next, 72.60 g of 5-norbornene-2-dicarboxylic anhydride was dissolved in 362 g of NMP, and
While maintaining the temperature at 0 ° C, the solution was charged, and the mixture was further stirred at 75 ° C for 3 hours. Next, the mixture is cooled to room temperature, dicyclohexylurea as a precipitate is filtered off, and the filtrate is poured into a mixed solution of isopropyl alcohol and distilled water while stirring. At this time, the precipitated solid is recovered and further washed with a mixed solution of isopropyl alcohol and distilled water. Collect the washed solids,
Dry at 40 ° C. for 48 hours under vacuum to obtain a polybenzoxazole precursor.

【0045】この得られたポリベンゾオキサゾール前駆
体40.0gをγ−ブチロラクトン60.0gに溶解し
た樹脂を石英板にスピンコーターを用いて塗布した後、
ホットプレートで120℃×4分で乾燥し、膜厚10μ
mの塗膜を得た。この塗膜の透過率を紫外可視分光光度
計(島津製作所製)により測定した。波長365nmに
おける透過率は85%であった。
A resin obtained by dissolving 40.0 g of the obtained polybenzoxazole precursor in 60.0 g of γ-butyrolactone was applied to a quartz plate using a spin coater.
Dry on a hot plate at 120 ° C for 4 minutes to form a film with a thickness of 10μ.
m was obtained. The transmittance of this coating film was measured with an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation). The transmittance at a wavelength of 365 nm was 85%.

【0046】上記の合成したポリベンゾオキサゾール前
駆体100g、下記式の構造を有するジアゾキノン(Q
−1)25重量部、γ−ブチルラクトン200重量部に
溶解させた後、0.2μmのテフロンフィルターで濾過
し感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂組成物を得た。
100 g of the above synthesized polybenzoxazole precursor, diazoquinone (Q
-1) After dissolving in 25 parts by weight and 200 parts by weight of γ-butyl lactone, the mixture was filtered through a 0.2 μm Teflon filter to obtain a photosensitive polybenzoxazole resin composition.

【0047】次に、シリコンウェハ上に上記で得られた
感光性樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した
後、ホットプレートを用いて120℃で4分間プリベー
クして12.5μm厚みの皮膜を得た。この塗膜にi線
ステッパー露光線NSR−2205i12C(ニコン
(株)製)によりテストパターンを有するマスクを通し
て露光を行った。露光後、テトラアンモニウムハイドロ
オキサイド2.38%水溶液の現像液に50秒間浸漬す
ることによって現像した後、純水で30秒間リンスし、
パターンを得た。現像後の膜厚は10.2μmであっ
た。得られたパターンを光学顕微鏡で観察したところ、
露光量が500mJ/cm2で良好なパターンを示し
た。
Next, the photosensitive resin composition obtained above was applied on a silicon wafer by using a spin coater, and then prebaked at 120 ° C. for 4 minutes using a hot plate to form a film having a thickness of 12.5 μm. Obtained. This coating film was exposed through an i-line stepper exposure line NSR-2205i12C (manufactured by Nikon Corporation) through a mask having a test pattern. After exposure, development is performed by immersing in a developer of a 2.38% aqueous solution of tetraammonium hydroxide for 50 seconds, followed by rinsing with pure water for 30 seconds,
Got the pattern. The film thickness after development was 10.2 μm. Observing the obtained pattern with an optical microscope,
A good pattern was shown when the exposure amount was 500 mJ / cm 2 .

【0048】<実施例2>セバシン酸164.0gとH
BT262.90gをNMP1400gに溶解し10℃
まで冷却する。この溶液にNMP435gにDCCを3
34.50g溶解した溶液を系内10℃に保持し1時間
かけ滴下する。さらにNMPを250g加え25℃にて
20時間攪拌放置する。次ぎにAE99.8g、2,2
−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサ
フロロプロパン270.60g、APB92.60g及
びNMP925gを投入する。室温で2時間攪拌後系内
の温度を75℃に上げ、さらに75℃で18時間攪拌放
置する。次ぎに5−ノルボルネン−2−3−ジカルボン
酸無水物69.30gをNMP347gに溶解し75℃
を保持しながら投入し、さらに75℃で3時間攪拌放置
する。次ぎに室温まで冷却し、沈殿物のジシクロヘキシ
ル尿素を濾別しその濾液をイソプロピルアルコールと蒸
留水の混合液に攪拌しながら投入する。この時析出した
固形物を回収してさらにイソプロピルアルコールと蒸留
水の混合液で洗浄する。洗浄した固形物を回収して、真
空下で40℃48時間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール
前駆体を得る。
Example 2 164.0 g of sebacic acid and H
Dissolve 262.90 g of BT in 1400 g of NMP and add
Cool down to To this solution was added DCC to 435 g of NMP.
The solution in which 34.50 g is dissolved is kept at 10 ° C. in the system and added dropwise over 1 hour. Further, 250 g of NMP is added, and the mixture is stirred and left at 25 ° C. for 20 hours. Next, 99.8 g of AE, 2, 2
270.60 g of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 92.60 g of APB and 925 g of NMP are introduced. After stirring at room temperature for 2 hours, the temperature in the system is raised to 75 ° C., and the mixture is further stirred at 75 ° C. for 18 hours. Next, 69.30 g of 5-norbornene-2-dicarboxylic anhydride was dissolved in 347 g of NMP, and the solution was dissolved at 75 ° C.
, And the mixture is left to stir at 75 ° C. for 3 hours. Next, the mixture is cooled to room temperature, dicyclohexylurea as a precipitate is filtered off, and the filtrate is poured into a mixed solution of isopropyl alcohol and distilled water while stirring. At this time, the precipitated solid is recovered and further washed with a mixed solution of isopropyl alcohol and distilled water. The washed solid is collected and dried under vacuum at 40 ° C. for 48 hours to obtain a polybenzoxazole precursor.

【0049】この得られたポリベンゾオキサゾール前駆
体40.0gをγ−ブチロラクトン60.0gに溶解し
た樹脂を石英板にスピンコーターを用いて塗布した後、
ホットプレートで120℃×4分で乾燥し、膜厚10μ
mの塗膜を得た。この塗膜の透過率を紫外可視分光光度
計(島津製作所製)により測定した。波長365nmに
おける透過率は84%であった。
A resin obtained by dissolving 40.0 g of the obtained polybenzoxazole precursor in 60.0 g of γ-butyrolactone was applied to a quartz plate using a spin coater.
Dry on a hot plate at 120 ° C for 4 minutes to form a film with a thickness of 10μ.
m was obtained. The transmittance of this coating film was measured with an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation). The transmittance at a wavelength of 365 nm was 84%.

【0050】上記の合成したポリベンゾオキサゾール前
駆体100g、下記式の構造を有するジアゾキノン(Q
−1)25重量部、γ−ブチルラクトン200重量部に
溶解させた後、0.2μmのテフロンフィルターで濾過
し感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂組成物を得た。
100 g of the above synthesized polybenzoxazole precursor, diazoquinone (Q
-1) After dissolving in 25 parts by weight and 200 parts by weight of γ-butyl lactone, the mixture was filtered through a 0.2 μm Teflon filter to obtain a photosensitive polybenzoxazole resin composition.

【0051】次に、シリコンウェハ上に上記で得られた
感光性樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した
後、ホットプレートを用いて120℃で4分間プリベー
クして12.4μm厚みの皮膜を得た。この塗膜にi線
ステッパー露光線NSR−2205i12C(ニコン
(株)製)によりテストパターンを有するマスクを通し
て露光を行った。露光後、テトラアンモニウムハイドロ
オキサイド2.38%水溶液の現像液に50秒間浸漬す
ることによって現像した後、純水で30秒間リンスし、
パターンを得た。現像後の膜厚は10.0μmであっ
た。得られたパターンを光学顕微鏡で観察したところ、
露光量が500mJ/cm2で良好なパターンを示し
た。
Next, the photosensitive resin composition obtained above was applied on a silicon wafer using a spin coater, and then prebaked at 120 ° C. for 4 minutes using a hot plate to form a film having a thickness of 12.4 μm. Obtained. This coating film was exposed through an i-line stepper exposure line NSR-2205i12C (manufactured by Nikon Corporation) through a mask having a test pattern. After exposure, development is performed by immersing in a developer of a 2.38% aqueous solution of tetraammonium hydroxide for 50 seconds, followed by rinsing with pure water for 30 seconds,
Got the pattern. The film thickness after development was 10.0 μm. Observing the obtained pattern with an optical microscope,
A good pattern was shown when the exposure amount was 500 mJ / cm 2 .

【0052】<実施例3>アジピン酸157.8gとH
BT350.20gをNMP1560gに溶解し10℃
まで冷却する。この溶液にNMP580gにDCCを4
45.60g溶解した溶液を系内10℃に保持し1時間
かけ滴下する。さらにNMPを290g加え25℃にて
20時間攪拌放置する。次ぎに2,2−ビス(3−アミ
ノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロプロパン2
88.40g、APB98.60g及びNMP430g
を投入する。室温で2時間攪拌後系内の温度を75℃に
上げ、さらに75℃で18時間攪拌放置する。次ぎに5
−ノルボルネン−2−3−ジカルボン酸無水物73.9
0gをNMP370gに溶解し75℃を保持しながら投
入し、さらに75℃で3時間攪拌放置する。次ぎに室温
まで冷却し、沈殿物のジシクロヘキシル尿素を濾別しそ
の濾液をイソプロピルアルコールと蒸留水の混合液に攪
拌しながら投入する。この時析出した固形物を回収して
さらにイソプロピルアルコールと蒸留水の混合液で洗浄
する。洗浄した固形物を回収して、真空下で40℃48
時間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体を得る。
Example 3 157.8 g of adipic acid and H
Dissolve 350.20 g of BT in 1560 g of NMP and
Cool down to To this solution was added DCC to 580 g of NMP.
The solution in which 45.60 g was dissolved was kept at 10 ° C. in the system and added dropwise over 1 hour. Further, 290 g of NMP is added, and the mixture is stirred and left at 25 ° C. for 20 hours. Next, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane 2
88.40 g, APB 98.60 g and NMP 430 g
Input. After stirring at room temperature for 2 hours, the temperature in the system is raised to 75 ° C., and the mixture is further stirred at 75 ° C. for 18 hours. Next 5
-Norbornene-2-dicarboxylic anhydride 73.9
0 g is dissolved in 370 g of NMP, added while maintaining the temperature at 75 ° C., and further stirred at 75 ° C. for 3 hours. Next, the mixture is cooled to room temperature, dicyclohexylurea as a precipitate is filtered off, and the filtrate is poured into a mixed solution of isopropyl alcohol and distilled water while stirring. At this time, the precipitated solid is recovered and further washed with a mixed solution of isopropyl alcohol and distilled water. The washed solid is collected and placed under vacuum at 40 ° C. 48
After drying for a time, a polybenzoxazole precursor is obtained.

【0053】この得られたポリベンゾオキサゾール前駆
体40.0gをγ−ブチロラクトン60.0gに溶解し
た樹脂を石英板にスピンコーターを用いて塗布した後、
ホットプレートで120℃×4分で乾燥し、膜厚10μ
mの塗膜を得た。この塗膜の透過率を紫外可視分光光度
計(島津製作所製)により測定した。波長365nmに
おける透過率は98%であった。
A resin obtained by dissolving 40.0 g of the obtained polybenzoxazole precursor in 60.0 g of γ-butyrolactone was applied to a quartz plate using a spin coater.
Dry on a hot plate at 120 ° C for 4 minutes to form a film with a thickness of 10μ.
m was obtained. The transmittance of this coating film was measured with an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation). The transmittance at a wavelength of 365 nm was 98%.

【0054】上記の合成したポリベンゾオキサゾール前
駆体100g、下記式の構造を有するジアゾキノン(Q
−1)25重量部、γ−ブチルラクトン200重量部に
溶解させた後、0.2μmのテフロンフィルターで濾過
し感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂組成物を得た。
100 g of the above synthesized polybenzoxazole precursor, diazoquinone (Q
-1) After dissolving in 25 parts by weight and 200 parts by weight of γ-butyl lactone, the mixture was filtered through a 0.2 μm Teflon filter to obtain a photosensitive polybenzoxazole resin composition.

【0055】次に、シリコンウェハ上に上記で得られた
感光性樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した
後、ホットプレートを用いて120℃で4分間プリベー
クして12.4μm厚みの皮膜を得た。この塗膜にi線
ステッパー露光線NSR−2205i12C(ニコン
(株)製)によりテストパターンを有するマスクを通し
て露光を行った。露光後、テトラアンモニウムハイドロ
オキサイド2.38%水溶液の現像液に40秒間浸漬す
ることによって現像した後、純水で30秒間リンスし、
パターンを得た。現像後の膜厚は9.8μmであった。
得られたパターンを光学顕微鏡で観察したところ、露光
量が450mJ/cm2で良好なパターンを示した。
Next, the photosensitive resin composition obtained above was applied on a silicon wafer using a spin coater, and then prebaked at 120 ° C. for 4 minutes using a hot plate to form a film having a thickness of 12.4 μm. Obtained. This coating film was exposed through an i-line stepper exposure line NSR-2205i12C (manufactured by Nikon Corporation) through a mask having a test pattern. After the exposure, after developing by immersing in a developing solution of a 2.38% aqueous solution of tetraammonium hydroxide for 40 seconds, rinsing with pure water for 30 seconds,
Got the pattern. The film thickness after development was 9.8 μm.
Observation of the obtained pattern with an optical microscope revealed a favorable pattern with an exposure dose of 450 mJ / cm 2 .

【0056】<比較例1>AE486.0g、2,2−
ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフ
ロロプロパン376.50g及びNMP2450gを投
入する。室温で2時間攪拌後系内の温度を75℃に上
げ、さらに75℃で18時間攪拌放置する。次ぎに5−
ノルボルネン−2−3−ジカルボン酸無水物67.50
gをNMP340gに溶解し75℃を保持しながら投入
し、さらに75℃で3時間攪拌放置する。次ぎに室温ま
で冷却し、沈殿物のジシクロヘキシル尿素を濾別しその
濾液をイソプロピルアルコールと蒸留水の混合液に攪拌
しながら投入する。この時析出した固形物を回収してさ
らにイソプロピルアルコールと蒸留水の混合液で洗浄す
る。洗浄した固形物を回収して、真空下で40℃48時
間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体を得る。
<Comparative Example 1> AE486.0 g, 2,2-
376.50 g of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 2450 g of NMP are introduced. After stirring at room temperature for 2 hours, the temperature in the system is raised to 75 ° C., and the mixture is further stirred at 75 ° C. for 18 hours. Next, 5-
Norbornene-2-dicarboxylic anhydride 67.50
g was dissolved in 340 g of NMP and charged while maintaining the temperature at 75 ° C., followed by stirring at 75 ° C. for 3 hours. Next, the mixture is cooled to room temperature, dicyclohexylurea as a precipitate is filtered off, and the filtrate is poured into a mixed solution of isopropyl alcohol and distilled water while stirring. At this time, the precipitated solid is recovered and further washed with a mixed solution of isopropyl alcohol and distilled water. The washed solid is collected and dried under vacuum at 40 ° C. for 48 hours to obtain a polybenzoxazole precursor.

【0057】この得られたポリベンゾオキサゾール前駆
体40.0gをγ−ブチロラクトン60.0gに溶解し
た樹脂を石英板にスピンコーターを用いて塗布した後、
ホットプレートで120℃×4分で乾燥し、膜厚10μ
mの塗膜を得た。この塗膜の透過率を紫外可視分光光度
計(島津製作所製)により測定した。波長365nmに
おける透過率は48%であった。
A resin obtained by dissolving 40.0 g of the obtained polybenzoxazole precursor in 60.0 g of γ-butyrolactone was applied to a quartz plate using a spin coater.
Dry on a hot plate at 120 ° C for 4 minutes to form a film with a thickness of 10μ.
m was obtained. The transmittance of this coating film was measured with an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation). The transmittance at a wavelength of 365 nm was 48%.

【0058】上記の合成したポリベンゾオキサゾール前
駆体100g、下記式の構造を有するジアゾキノン(Q
−1)25重量部、γ−ブチルラクトン200重量部に
溶解させた後、0.2μmのテフロンフィルターで濾過
し感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂組成物を得た。
100 g of the above synthesized polybenzoxazole precursor, diazoquinone (Q
-1) After dissolving in 25 parts by weight and 200 parts by weight of γ-butyl lactone, the mixture was filtered through a 0.2 μm Teflon filter to obtain a photosensitive polybenzoxazole resin composition.

【0059】次に、シリコンウェハ上に上記で得られた
感光性樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した
後、ホットプレートを用いて120℃で4分間プリベー
クして12.4μm厚みの皮膜を得た。この塗膜にi線
ステッパー露光線NSR−2205i12C(ニコン
(株)製)によりテストパターンを有するマスクを通し
て露光を行った。露光後、テトラアンモニウムハイドロ
オキサイド2.38%水溶液の現像液に80秒間浸漬す
ることによって現像した後、純水で30秒間リンスし、
パターンを得た。現像後の膜厚は9.9μmであった。
得られたパターンを光学顕微鏡で観察したところ、露光
量が600mJ/cm2で良好なパターンを示した。
Next, the photosensitive resin composition obtained above was applied on a silicon wafer using a spin coater, and then prebaked at 120 ° C. for 4 minutes using a hot plate to form a film having a thickness of 12.4 μm. Obtained. This coating film was exposed through an i-line stepper exposure line NSR-2205i12C (manufactured by Nikon Corporation) through a mask having a test pattern. After exposure, the film is developed by immersing it in a developer of a 2.38% aqueous solution of tetraammonium hydroxide for 80 seconds, and then rinsed with pure water for 30 seconds,
Got the pattern. The film thickness after development was 9.9 μm.
Observation of the obtained pattern with an optical microscope showed a favorable pattern with an exposure dose of 600 mJ / cm 2 .

【0060】<比較例2>アジピン酸14.5gとHB
T32.20gをNMP145gに溶解し10℃まで冷
却する。この溶液にNMP53gにDCCを41.00
g溶解した溶液を系内10℃に保持し1時間かけ滴下す
る。さらにNMPを25g加え25℃にて20時間攪拌
放置する。次ぎにAE440.1g、2,2−ビス(3
−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロプロ
パン378.80g及びNMP2180gを投入する。
室温で2時間攪拌後系内の温度を75℃に上げ、さらに
75℃で18時間攪拌放置する。次ぎに5−ノルボルネ
ン−2−3−ジカルボン酸無水物67.90gをNMP
340gに溶解し75℃を保持しながら投入し、さらに
75℃で3時間攪拌放置する。次ぎに室温まで冷却し、
沈殿物のジシクロヘキシル尿素を濾別しその濾液をイソ
プロピルアルコールと蒸留水の混合液に攪拌しながら投
入する。この時析出した固形物を回収してさらにイソプ
ロピルアルコールと蒸留水の混合液で洗浄する。洗浄し
た固形物を回収して、真空下で40℃48時間乾燥し、
ポリベンゾオキサゾール前駆体を得る。
<Comparative Example 2> 14.5 g of adipic acid and HB
Dissolve 32.20 g of T in 145 g of NMP and cool to 10 ° C. In this solution, DCC was added to 53 g of NMP in 41.00.
g, and the solution is maintained at 10 ° C. in the system and added dropwise over 1 hour. Further, 25 g of NMP was added, and the mixture was stirred and left at 25 ° C. for 20 hours. Next, AE440.1g, 2,2-bis (3
-Amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (378.80 g) and NMP (2180 g) are charged.
After stirring at room temperature for 2 hours, the temperature in the system is raised to 75 ° C., and the mixture is further stirred at 75 ° C. for 18 hours. Next, 67.90 g of 5-norbornene-2-dicarboxylic anhydride was added to NMP.
Dissolve in 340 g, throw in while maintaining at 75 ° C., and stir at 75 ° C. for 3 hours. Then cool to room temperature,
The precipitate, dicyclohexylurea, is filtered off, and the filtrate is poured into a mixed solution of isopropyl alcohol and distilled water with stirring. The solid deposited at this time is recovered and further washed with a mixed solution of isopropyl alcohol and distilled water. Collecting the washed solid and drying under vacuum at 40 ° C. for 48 hours;
Obtain a polybenzoxazole precursor.

【0061】この得られたポリベンゾオキサゾール前駆
体40.0gをγ−ブチロラクトン60.0gに溶解し
た樹脂を石英板にスピンコーターを用いて塗布した後、
ホットプレートで120℃×4分で乾燥し、膜厚10μ
mの塗膜を得た。この塗膜の透過率を紫外可視分光光度
計(島津製作所製)により測定した。波長365nmに
おける透過率は54%であった。
A resin obtained by dissolving 40.0 g of the obtained polybenzoxazole precursor in 60.0 g of γ-butyrolactone was applied to a quartz plate using a spin coater.
Dry on a hot plate at 120 ° C for 4 minutes to form a film with a thickness of 10μ.
m was obtained. The transmittance of this coating film was measured with an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation). The transmittance at a wavelength of 365 nm was 54%.

【0062】上記の合成したポリベンゾオキサゾール前
駆体100g、下記式の構造を有するジアゾキノン(Q
−1)25重量部、γ−ブチルラクトン200重量部に
溶解させた後、0.2μmのテフロンフィルターで濾過
し感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂組成物を得た。
100 g of the above synthesized polybenzoxazole precursor, diazoquinone (Q
-1) After dissolving in 25 parts by weight and 200 parts by weight of γ-butyl lactone, the mixture was filtered through a 0.2 μm Teflon filter to obtain a photosensitive polybenzoxazole resin composition.

【0063】次に、シリコンウェハ上に上記で得られた
感光性樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した
後、ホットプレートを用いて120℃で4分間プリベー
クして12.5μm厚みの皮膜を得た。この塗膜にi線
ステッパー露光線NSR−2205i12C(ニコン
(株)製)によりテストパターンを有するマスクを通し
て露光を行った。露光後、テトラアンモニウムハイドロ
オキサイド2.38%水溶液の現像液に50秒間浸漬す
ることによって現像した後、純水で30秒間リンスし、
パターンを得た。現像後の膜厚は10.1μmであっ
た。得られたパターンを光学顕微鏡で観察したところ、
露光量が580mJ/cm2で良好なパターンを示し
た。
Next, the photosensitive resin composition obtained above was applied on a silicon wafer using a spin coater, and then prebaked at 120 ° C. for 4 minutes using a hot plate to form a film having a thickness of 12.5 μm. Obtained. This coating film was exposed through an i-line stepper exposure line NSR-2205i12C (manufactured by Nikon Corporation) through a mask having a test pattern. After exposure, development is performed by immersing in a developer of a 2.38% aqueous solution of tetraammonium hydroxide for 50 seconds, followed by rinsing with pure water for 30 seconds,
Got the pattern. The film thickness after development was 10.1 μm. Observing the obtained pattern with an optical microscope,
When the exposure amount was 580 mJ / cm 2 , a good pattern was shown.

【0064】[0064]

【発明の効果】本発明における感光性ポリベンゾオキサ
ゾール樹脂組成物は、優れた耐熱性を有し、ポリベンゾ
オキサゾール前駆体の紫外、及び可視光領域に対する光
透過率が高いことから、低露光量で良好なパターンを得
ることができる。
The photosensitive polybenzoxazole resin composition of the present invention has excellent heat resistance and a high light transmittance in the ultraviolet and visible light regions of the polybenzoxazole precursor. And a good pattern can be obtained.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹田 直滋 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA10 AB16 AB17 AC01 AD03 BE01 BJ00 CB26 CB41 CB45 FA29 4J002 CM021 EE056 EQ016 GP03 4J043 PA05 PA15 PA19 PB02 PB03 PB04 PB22 PC015 PC016 PC115 PC116 RA06 SA06 SA42 SA43 SA71 SA72 SB03 TA12 TB03 UA041 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA261 UA362 UA761 UA762 UB011 UB012 UB021 UB022 UB061 UB062 UB121 UB122 UB131 UB151 UB152 UB221 UB222 UB281 UB282 UB301 UB302 UB311 UB401 VA011 VA012 VA021 VA022 VA031 VA041 VA042 VA051 VA052 VA061 VA062 VA081 VA082 VA092 VA102 XA16 XA19 ZB22  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Naoshi Takeda 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite Co., Ltd. F-term (reference) 2H025 AA01 AA10 AB16 AB17 AC01 AD03 BE01 BJ00 CB26 CB41 CB45 FA29 4J002 CM021 EE056 EQ016 GP03 4J043 PA05 PA15 PA19 PB02 PB03 PB04 PB22 PC015 PC016 PC115 PC116 RA06 SA06 SA42 SA43 SA71 SA72 SB03 TA12 TB03 UA041 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA261 UB 012 UB UA UA UA UA UA UB281 UB282 UB301 UB302 UB311 UB401 VA011 VA012 VA021 VA022 VA031 VA041 VA042 VA051 VA052 VA061 VA062 VA081 VA082 VA092 VA102 XA16 XA19 ZB22

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ポリベンゾオキサゾール前駆体を塗布、
乾燥後に形成されるフィルムの波長365nmでの光透
過率が膜厚10μm当たり80%以上であることを特徴
とするポリベンゾオキサゾール前駆体。
1. coating a polybenzoxazole precursor,
A polybenzoxazole precursor, wherein a light transmittance at a wavelength of 365 nm of a film formed after drying is 80% or more per 10 μm of film thickness.
【請求項2】 一般式(1)で示されるポリアミドから
なる請求項1記載のポリベンゾオキサゾール前駆体。 【化1】
2. The polybenzoxazole precursor according to claim 1, comprising a polyamide represented by the general formula (1). Embedded image
【請求項3】 一般式(1)において、Yの10から1
00モル%が、少なくとも2個以上の炭素原子を有する
脂肪族炭化水素からなる請求項2記載のポリベンゾオキ
サゾール前駆体。
3. In general formula (1), 10 to 1 of Y
The polybenzoxazole precursor according to claim 2, wherein 00 mol% comprises an aliphatic hydrocarbon having at least 2 or more carbon atoms.
【請求項4】 一般式(1)においてZが下記構造であ
る請求項2記載のポリベンゾオキサゾール前駆体。 【化2】
4. The polybenzoxazole precursor according to claim 2, wherein Z in the general formula (1) has the following structure. Embedded image
【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載のポリベ
ンゾオキサゾール前駆体100重量部とジアゾナフトキ
ノン1〜50重量部からなることを特徴とする感光性ポ
リベンゾオキサゾール樹脂組成物。
5. A photosensitive polybenzoxazole resin composition comprising 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor according to claim 1 and 1 to 50 parts by weight of diazonaphthoquinone.
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