JP2001217550A - Multilayer circuit board and semiconductor device - Google Patents
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、超高密度配線に有
利な多層回路基板に係り、特に、充填ビアホールを有す
る片面回路基板の複数枚を、あるいは両面回路基板をコ
アとしてその両面に片面回路基板をそれぞれ積層し、そ
の積層された回路基板同士を接着剤を介して一括加熱プ
レスすることにより形成される多層回路基板およびその
多層回路基板を用いた半導体装置を提案する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer circuit board which is advantageous for ultra-high-density wiring, and more particularly to a single-sided circuit board having filled via holes, or a single-sided circuit board having a double-sided circuit board as a core. The present invention proposes a multilayer circuit board formed by laminating substrates, and performing heat-pressing of the laminated circuit boards together via an adhesive, and a semiconductor device using the multilayer circuit board.
【0002】[0002]
【従来の技術】多層回路基板の最も外側の表面には、L
SIチップ等のきまぎまな電子部品が搭載される。この
ような多層回路基板に電子部品を搭載する方法として
は、多層回路基板の最も外側の表面に形成された導体回
路上の所定位置に、電子部品の端子部を挿入するための
部品穴や、その部品穴を囲んだ個所に部品穴の径よりも
やや大きな径を持つ接続用のランドを形成させておき、
ここに電子部品のリード群がはんだ付けにより接続され
るピン実装方式や、導体回路上の所定位置に形成させた
ランド上にクリームはんだを予め塗布しておき、電子部
品の端子部がクリームはんだに接触するように載置した
後、はんだが溶融する温度範囲内に保たれた雰囲気内で
リフローさせることにより、電子部品が接続される表面
実装方式などが挙げられる。2. Description of the Related Art The outermost surface of a multilayer circuit board has L
Various electronic components such as SI chips are mounted. As a method of mounting an electronic component on such a multilayer circuit board, a component hole for inserting a terminal portion of the electronic component at a predetermined position on a conductor circuit formed on the outermost surface of the multilayer circuit board, A connection land with a diameter slightly larger than the diameter of the component hole is formed at the place surrounding the component hole,
Here, a solder paste is used to connect the lead group of the electronic component by soldering, or cream solder is applied in advance on the land formed at a predetermined position on the conductor circuit, and the terminal part of the electronic component is After mounting so as to be in contact with each other, a reflow process is performed in an atmosphere maintained within a temperature range in which the solder is melted, so that a surface mounting method in which an electronic component is connected is used.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法では、導体回路上に適度な大きさの径を有す
るランドを設けることが不可欠である。しかるに、近年
の電子機器の小型化、高機能化の要請に伴って、電子部
品の搭載数が多<なると、ランドの総面積は無視できな
い程大き<なり、高密度化の阻害要因となっていた。However, in the above-mentioned method, it is essential to provide a land having an appropriate size on the conductor circuit. However, with the recent demand for smaller and more sophisticated electronic devices, if the number of mounted electronic components is large, the total area of the lands becomes so large that it cannot be ignored. Was.
【0004】また、電子部品を接続するためのはんだ付
け作業の際には、不必要な箇所へはんだが流れ、短絡、
断線等が起こるのを防止するためのソルダーレジスト
を、あらかじめ塗布してお<ことも不可欠である。この
ため、ソルダーレジスト印刷の際の位置ずれ誤差を考慮
して、配線間に余裕を見て設計する必要があり、このこ
とも高密度化の阻害要因となっていた。[0004] In addition, during the soldering work for connecting electronic parts, solder flows to unnecessary parts and short-circuits occur.
It is indispensable to apply a solder resist for preventing disconnection or the like from occurring in advance. For this reason, it is necessary to design with a margin between the wirings in consideration of a displacement error at the time of solder resist printing, and this also has been a hindrance factor to the high density.
【0005】本発明は、従来技術が抱える上述した課題
を解決するために開発されたものであり、その目的とす
るところは、高密度化の可能な多層回路基板およびそれ
を用いた半導体装置を提案することにある。The present invention has been developed to solve the above-mentioned problems of the prior art. It is an object of the present invention to provide a multi-layer circuit board capable of high density and a semiconductor device using the same. It is to propose.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構
成とする発明に想到した。すなわち、 (1)本発明の多層回路基板は、絶縁性硬質基材の片面
または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫
通して導体回路に達する開口に導電性物質が充填されて
なるビアホールを有する回路基板の複数枚が接着剤層を
介して積層され、一括して加熱プレスされることにより
形成された多層回路基板において、上記積層された複数
の回路基板のうち、最も外側に位置する一方の回路基板
の表面には、上記ビアホールの直上に位置してそのビア
ホールに電気的に接続される導電性バンプが形成され、
また最も外側に位置する他方の回路基板の表面には、上
記ビアホールの直上に位置してそのビアホールに電気的
に接続される導電性のピンまたは導電性のボールが配設
されていることを特徴とする。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have intensively studied for realizing the above-mentioned object, and as a result, have arrived at an invention having the following content as a gist configuration. That is, (1) The multilayer circuit board of the present invention has a conductive circuit on one or both surfaces of an insulating hard base material, and an opening reaching the conductive circuit through the insulating hard base material is filled with a conductive substance. In a multilayer circuit board formed by laminating a plurality of circuit boards having via holes formed through an adhesive layer and performing heat pressing collectively, of the plurality of laminated circuit boards, On the surface of the one circuit board located outside, a conductive bump is formed, which is located immediately above the via hole and is electrically connected to the via hole,
Further, a conductive pin or a conductive ball, which is located immediately above the via hole and electrically connected to the via hole, is disposed on the surface of the other outermost circuit board. And
【0007】(2)また、本発明の多層回路基板は、絶
縁性硬質基材の片面に導体回路を有し、この絶縁性硬質
基材を貫通して前記導体回路に達する開口に導電性物質
が充填されてなるビアホールを有する片面回路基板の複
数枚と、絶縁性硬質基材の片面に導体回路を有し、この
絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回路に達する開口を
有する片面回路基板とが接着剤層を介してそれぞれ積層
され、一括して加熱プレスされることにより形成された
多層回路基板において、前記積層された複数の回路基板
のうち、最も外側に位置する一方の回路基板の表面に
は、上記ビアホールの直上に位置してそのビアホールに
電気的に接続される導電性バンプが形成され、最も外側
に位置する他方の回路基板の開口内には、その回路基板
の導体回路に電気的に接続される導電性のピンまたは導
電性のボールが配設されていることを特徴とする。(2) The multilayer circuit board of the present invention has a conductor circuit on one surface of an insulating hard base material, and a conductive material penetrates the insulating hard base material to reach the conductor circuit. A single-sided circuit board having a plurality of single-sided circuit boards having via holes filled with a conductor circuit and a conductor circuit on one side of an insulative hard substrate, and having an opening reaching the conductor circuit through the insulative hard substrate. In a multilayer circuit board formed by laminating a substrate and an adhesive layer, respectively, and performing heat pressing collectively, one of the plurality of laminated circuit boards, which is the outermost circuit board, A conductive bump is formed on the surface of the circuit board directly above the via hole and electrically connected to the via hole, and a conductive circuit of the circuit board is formed in an opening of the other circuit board located on the outermost side. Electrical Wherein the conductive pins or conductive balls that are connected is provided.
【0008】上記(1)および(2)の多層回路基板を
構成する各回路基板には、そのビアホール位置に対応し
て、そのビアホールに電気的に接続され、回路基板の表
面から突出する突起状導体が形成されていることが望ま
しい。Each of the circuit boards constituting the multilayer circuit board according to the above (1) and (2) is electrically connected to the via hole corresponding to the position of the via hole, and has a projection shape projecting from the surface of the circuit board. It is desirable that a conductor is formed.
【0009】また、上記(1)および(2)の多層回路
基板を構成する各回路基板のビアホールに充填される導
電性物質は、電解めっき処理による金属めっきであるこ
とが望ましい。The conductive material filled in the via hole of each circuit board constituting the multilayer circuit board of the above (1) and (2) is preferably metal plating by electrolytic plating.
【0010】さらに、上記多(1)および(2)の多層
回路基板において、積層される各回路基板に形成される
隣接するビアホール間の距離は、前記一方の回路基板か
ら他方の回路基板に向かうにつれて大きくなるように形
成されることが望ましい。Further, in the multi-layer circuit boards (1) and (2), the distance between adjacent via holes formed in each of the stacked circuit boards is from the one circuit board to the other circuit board. It is desirable that the film be formed so as to increase in size.
【0011】(3) また、本発明の半導体装置は、請
求項1ないし9のいずれかに記載の多層回路基板と、そ
の多層回路基板の最も外側の一方の回路基板に形成され
た導電性バンプに電気的に接続された電子部品とを含ん
でなることを特徴とする。(3) A semiconductor device according to the present invention is a multilayer circuit board according to any one of claims 1 to 9, and a conductive bump formed on one of the outermost circuit boards of the multilayer circuit board. And an electronic component electrically connected to the electronic component.
【0012】上記電子部品を搭載する回路基板の周縁部
にはスティフナが配置されるとともに、その回路基板に
対向する最も外側の回路基板に形成されたビアホールの
うち、電子部品搭載位置に対向する位置にあるビアホー
ルに対してチップコンデンサーが電気的に接続されるこ
とが望ましい。A stiffener is arranged at a peripheral portion of the circuit board on which the electronic component is mounted, and a via hole formed in the outermost circuit board facing the circuit board, a position facing the electronic component mounting position. It is desirable that the chip capacitor be electrically connected to the via hole in the above.
【0013】(4) また、本発明の半導体装置は、絶
縁性硬質基材の片面または両面に導体回路を有し、この
絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回路に達する開口に
電解めっきが充填されてなるビアホールを有し、そのビ
アホール位置に対応して、そのビアホールに電気的に接
続される突起状導体とを有してなる回路基板の複数枚が
接着剤層を介して積層され、一括して加熱プレスされる
ことにより形成された多層回路基板と、その多層回路基
板の最も外側に位置する回路基板に電気的に接続された
LSIチップ等の電子部品とを含んでなる半導体装置に
おいて、前記最も外側に位置する一方の回路基板の表面
には、前記ビアホールの直上に位置してそのビアホール
に電気的に接続する導電性バンプが形成されるととも
に、その導電性バンプに対して前記電子部品が電気的に
接続され、前記電子部品が搭載された回路基板と反対側
にある最も外側に位置する回路基板の表面には、前記電
子部品直下にあるビアホールに対してチップコンデンサ
ーが電気的に接続されていることを特徴とする。(4) The semiconductor device of the present invention has a conductor circuit on one or both sides of an insulating hard base material, and an electrolytic plating is performed on an opening penetrating the insulating hard base material and reaching the conductor circuit. And a plurality of circuit boards each having a protruding conductor electrically connected to the via hole corresponding to the position of the via hole and laminated via an adhesive layer. A semiconductor device comprising a multilayer circuit board formed by heat-pressing all together and an electronic component such as an LSI chip electrically connected to a circuit board located on the outermost side of the multilayer circuit board A conductive bump positioned directly above the via hole and electrically connected to the via hole, is formed on the surface of the one outermost circuit board; The electronic component is electrically connected to the electronic component, and the surface of the outermost circuit board located on the opposite side to the circuit board on which the electronic component is mounted has a chip with respect to a via hole immediately below the electronic component. The capacitor is electrically connected.
【0014】上記半導体装置において、電子部品が搭載
された回路基板の周縁部には、基板の反り防止のための
スティフナが接着・固定されていることが望ましい。In the above-mentioned semiconductor device, it is desirable that a stiffener for preventing warpage of the circuit board is bonded and fixed to a peripheral portion of the circuit board on which the electronic components are mounted.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】本発明は、絶縁性硬質基材の片面
または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫
通して前記導体回路に達する開口に導電性物質が充填さ
れてなるビアホールを有する回路基板を構成単位とし
て、これらの複数枚を適切に組み合わせ、あるいは必要
に応じて、これらの片面または両面回路基板に加えて、
開口に導電性物質が充填されたビアホールを有するが導
体回路を有しないような回路基板と組み合わせ、接着剤
層を介して積層した後、一括して加熱プレスすることに
より成形した多層回路基板をパッケージ基板として用い
た点にある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention has a conductor circuit on one or both sides of an insulating hard substrate, and an opening penetrating the insulating hard substrate and reaching the conductor circuit is filled with a conductive substance. As a structural unit, a circuit board having a via hole consisting of, appropriately combining a plurality of these, or if necessary, in addition to these single-sided or double-sided circuit board,
Combine with a circuit board that has via holes filled with a conductive substance in the opening but does not have a conductive circuit, and after laminating via an adhesive layer, heat-press collectively to form a multilayer circuit board package That is, it is used as a substrate.
【0016】すなわち、積層・一括プレス成形された複
数の回路基板のうち、最も外側に位置する一方の回路基
板の表面には、電子部品の接続用端子に接続されるべく
ビアホールの直上に位置してビアホールに電気的に接続
される導電性バンプが形成され、また最も外側に位置す
る他方の回路基板の表面には、マザーボード上の接続用
穴あるいは接続用パッドに接続されるべく、ビアホール
の直上に位置してそのビアホールに電気的に接続する導
電性ピンまたは導電性ボールが配設されている点に特徴
がある。That is, the outermost one of the plurality of laminated and collectively press-molded circuit boards has a surface located just above the via hole to be connected to a connection terminal of an electronic component. A conductive bump electrically connected to the via hole is formed, and on the surface of the other outermost circuit board, a conductive bump is provided directly above the via hole so as to be connected to the connection hole or the connection pad on the motherboard. And a conductive pin or a conductive ball electrically connected to the via hole.
【0017】 上記多層化基板を、たとえば4枚の片
面回路基板A〜Dを用いて構成する場合には、たとえば
図1に示すように、最も外側に位置する一方の回路基板
Aの表面には、導体回路が露出し、最も外側に位置する
他方の回路基板Dの表面には、ビアホールに接続する突
起状導体が露出した構造となり、また、図2に示すよう
に、最も外側に位置する回路基板AおよびDの表面に
は、導体回路が露出した構造となる。In the case where the above-mentioned multilayer board is formed using, for example, four single-sided circuit boards A to D, for example, as shown in FIG. The conductor circuit is exposed, and the outermost circuit board D has a structure in which a protruding conductor connected to the via hole is exposed on the surface of the other outermost circuit board D. Further, as shown in FIG. On the surfaces of the substrates A and D, the conductor circuits are exposed.
【0018】 また、上記多層回路基板を、3枚の片
面回路基板A,B,Cと、1枚の両面回路基板Eとを用
いて構成する場合には、たとえば図3に示すように、最
も外側に位置する回路基板A,Cの表面には、それぞれ
導体回路が露出した構造となる。When the multilayer circuit board is configured using three single-sided circuit boards A, B, and C and one double-sided circuit board E, for example, as shown in FIG. Each of the circuit boards A and C located outside has a structure in which a conductor circuit is exposed.
【0019】 さらに、上記多層回路基板を、3枚の
片面回路基板A,B,Cと、1枚の導体回路を有しない
回路基板Fとを用いて構成する場合には、たとえば図4
に示すように、最も外側に位置する回路基板A,Fの表
面には、それぞれビアホールに接続する突起状導体が露
出した構造となる。Further, when the above-mentioned multilayer circuit board is configured using three single-sided circuit boards A, B, and C and a single circuit board F having no conductor circuit, for example, FIG.
As shown in (1), on the surfaces of the outermost circuit boards A and F, the protruding conductors connected to the via holes are respectively exposed.
【0020】上記〜のような組み合わせ以外にも多
層回路基板を構成することができるが、最も外側の回路
基板の導体回路のビアホール直上に位置する部分は、導
体パッドに形成され、また最も外側の回路基板の突起状
導体は、その露出部分が加熱プレスの際に溶融して絶縁
性基材の表面上にほぼ円形の導体パッドに形成される。Although a multilayer circuit board can be constructed other than the above combinations, the portion of the outermost circuit board located directly above the via hole of the conductor circuit is formed on a conductor pad and the outermost circuit board is formed on the outermost circuit board. The protruding conductor of the circuit board has its exposed portion melted during hot pressing to form a substantially circular conductor pad on the surface of the insulating base material.
【0021】図1に示すような組み合わせによれば、最
上層の回路基板の表面に露出する導体回路上に、LSI
等の半導体チップを含んだ電子部品に接続されるべく、
適切なはんだ体を供給してはんだバンプが形成され、ま
た最下層の回路基板のビアホール位置に突起状導体によ
って形成される導体パッドには、マザーボード上の接続
用穴あるいは接続用パッドに接続されるべく、T形ピン
又ははんだボールが接続されるのが好ましい。According to the combination shown in FIG. 1, an LSI is formed on a conductor circuit exposed on the surface of the uppermost circuit board.
In order to be connected to electronic components including semiconductor chips such as
A solder bump is formed by supplying an appropriate solder body, and a conductor pad formed by a protruding conductor at a via hole position of a lowermost circuit board is connected to a connection hole or a connection pad on a motherboard. Therefore, it is preferable that a T-shaped pin or a solder ball is connected.
【0022】また、最上層の回路基板の表面に露出する
導体回路上に、適切なはんだ体を供給することによっ
て、T形ピン又ははんだボールが接続され、最下層の回
路基板のビアホール位置に突起状導体によって形成され
た導体パッドに、はんだバンプを形成することもでき
る。Further, by supplying an appropriate solder body onto the conductor circuit exposed on the surface of the uppermost circuit board, a T-shaped pin or a solder ball is connected, and a projection is formed at a via hole position of the lowermost circuit board. A solder bump may be formed on a conductor pad formed by the conductor.
【0023】いずれの組み合わせによる構成において
も、上記はんだバンプは、最も外側に位置する一方の回
路基板の導体回路の一部に形成された導体パッド上ある
いはビアホール直上の突起状導体によって形成された導
体パッド上に形成され、T形ピン又ははんだボールは、
最も外側に位置する他方の回路基板の表面に露出するビ
アホール直上の突起状導体によって形成された導体パッ
ド上あるいは導体回路の一部に形成された導体パッド上
にそれぞれ配設されることになる。In any of the combinations, the solder bump is formed by a conductor formed by a protruding conductor on a conductor pad formed on a part of a conductor circuit of one of the outermost circuit boards or on a via hole. The T-pin or solder ball formed on the pad
It is arranged on the conductor pad formed by the protruding conductor immediately above the via hole exposed on the surface of the other outermost circuit board or on the conductor pad formed in a part of the conductor circuit.
【0024】このような構成によれば、多層回路基板内
に充填ビアホールが高密度に設けられ、こうして高密度
化されたビアホールのうち、最も外側に位置する回路基
板の表面に露出するビアホール直上に位置して、導電性
バンプや、導電性ピンまたは導電性ボールが配設される
ので、多層回路基板内の配線層は、このような導電性バ
ンプ、導電性ピンまたは導電性ボールを介して、LSI
等の半導体チップを含んだ電子部品やマザーボードに最
短の配線長で接続され、高密度配線化が可能となる。According to such a configuration, the filled via holes are provided at high density in the multilayer circuit board, and the via holes of the densified via holes are exposed immediately above the via holes exposed on the surface of the outermost circuit board. Since the conductive bumps, the conductive pins or the conductive balls are disposed, the wiring layer in the multilayer circuit board is formed through the conductive bumps, the conductive pins or the conductive balls, LSI
It is connected to an electronic component including a semiconductor chip such as the above or a motherboard with the shortest wiring length, thereby enabling high-density wiring.
【0025】更に、片面あるいは両面回路基板を同一材
料で形成し、それらを積層した構造なので、熱膨張に起
因する界面を起点とするクラックや剥離が起きにくく、
したがって、温度サイクル試験に対する信頼性も向上す
る。また、片面回路基板だけを用いて多層回路基板を構
成した場合には、配線形成の有無に関わらず反りが発生
し難くなる。Further, since a single-sided or double-sided circuit board is formed of the same material and the two layers are laminated, cracks and peeling at the interface originating from thermal expansion hardly occur.
Therefore, the reliability for the temperature cycle test is also improved. In addition, when a multilayer circuit board is configured using only a single-sided circuit board, warpage hardly occurs regardless of whether or not wiring is formed.
【0026】また、導電性バンプ、導電性ピンおよび導
電性ボールは、多層回路基板の最も外側に位置する回路
基板の表面に露出するビアホール直上に位置して形成さ
れるので、従来技術のようなソルダーレジスト層を形成
する必要がなくなる。なぜならば、最も外側に位置する
回路基板の絶縁層が、ソルダーレジストの役割を果たし
ているからである。Further, the conductive bumps, the conductive pins and the conductive balls are formed immediately above the via holes exposed on the surface of the circuit board located on the outermost side of the multilayer circuit board. There is no need to form a solder resist layer. This is because the insulating layer on the outermost circuit board functions as a solder resist.
【0027】また、本発明の多層回路基板は、積層され
た複数の回路基板のうち、最も外側に位置する一方の回
路基板の表面には、ビアホールの直上に位置してそのビ
アホールに電気的に接続する導電性バンプが形成され、
また最も外側に位置する他方の回路基板の開口内にはそ
の導体回路に電気的に接続される導電性のピンまたは導
電性のボールが配設される点に特徴がある。In addition, the multilayer circuit board of the present invention is arranged such that a surface of one of the outermost circuit boards among a plurality of stacked circuit boards is located immediately above a via hole and electrically connected to the via hole. A conductive bump to be connected is formed,
Another feature is that a conductive pin or a conductive ball electrically connected to the conductive circuit is provided in the opening of the other circuit board located at the outermost side.
【0028】このような構成によれば、積層された複数
の片面回路基板の最も外側に位置する回路基板の一つが
充填ビアホールを有しない補強板として機能する(なぜ
ならば、ビアホールは、内層のビアランドよりも小さい
ため、ビア形成時の状態は、ビアランドの周囲を最も外
側の回路基板の絶縁層が押さえていることになるから)
とともに、そのような回路基板に設けた開口内に導電性
のピンまたは導電性のボールが導体回路と電気的に接続
するように配設されるので、ソルダーレジスト層を必要
としない。According to such a configuration, one of the outermost circuit boards of the stacked single-sided circuit boards functions as a reinforcing plate having no filled via hole (because the via hole is a via land in the inner layer). (Because it is smaller than that, the state at the time of via formation is that the insulating layer of the outermost circuit board is pressing around the via land)
In addition, since a conductive pin or a conductive ball is provided in an opening provided in such a circuit board so as to be electrically connected to a conductive circuit, a solder resist layer is not required.
【0029】本発明の半導体装置は、上記多層回路基板
と、その最も外側の回路基板に形成された導電性バンプ
に電気的に接続されたLSIチップ等の電子部品とを含
んでなることを特徴とする。このような構成によれば、
バンプの平坦性が保たれるので、電子部品との未接続が
なくなるという効果がある。A semiconductor device according to the present invention includes the above-mentioned multilayer circuit board and electronic components such as an LSI chip electrically connected to conductive bumps formed on the outermost circuit board. And According to such a configuration,
Since the flatness of the bump is maintained, there is an effect that there is no disconnection with the electronic component.
【0030】上記半導体装置において、電子部品を搭載
する回路基板には、電子部品を囲んだその周縁部にステ
ィフナが配置されるとともに、電子部品を搭載する回路
基板と対向する最も外側の回路基板に形成されたビアホ
ールのうち、電子部品搭載位置に対向する位置にあるビ
アホールに、チップコンデンサーが直接に接続されるこ
とが望ましい。このような構成によれば、LSIチップ
等の電子部品と、チップコンデンサーとの間の距離を最
短化でき、両者間のループインダクタンスを小さくする
ことができる。In the above-described semiconductor device, the stiffener is disposed on the periphery of the circuit board on which the electronic component is mounted, and the stiffener is disposed on the outermost circuit board facing the circuit board on which the electronic component is mounted. It is desirable that a chip capacitor be directly connected to a via hole located at a position facing the electronic component mounting position among the formed via holes. According to such a configuration, the distance between the electronic component such as the LSI chip and the chip capacitor can be minimized, and the loop inductance between the two can be reduced.
【0031】さらに、本発明の半導体装置は、充填ビア
ホールを電解めっきによって形成した多層回路基板と、
その多層回路基板の最も外側に位置する回路基板に電気
的に接続されたLSIチップ等の電子部品とを含んでな
り、前記最も外側に位置する一方の回路基板の表面に
は、前記ビアホールの直上に位置してそのビアホールに
電気的に接続する導電性バンプが形成されるとともに、
その導電性バンプに対して電子部品がはんだボールを介
して電気的に接続され、前記電子部品が搭載された回路
基板と反対側にある最も外側に位置する回路基板の表面
には、前記電子部品直下にあるビアホールに対してチッ
プコンデンサーが電気的に接続されていることを特徴と
する。このような構成によれば、LSI等の電子部品
と、チップコンデンサーとの間の距離を最短化でき、両
者間のループインダクタンスを小さくすることができ
る。Further, the semiconductor device of the present invention comprises a multilayer circuit board having a filled via hole formed by electrolytic plating;
An electronic component such as an LSI chip electrically connected to the outermost circuit board of the multilayer circuit board, and the surface of the outermost one circuit board is provided directly above the via hole. And a conductive bump electrically connected to the via hole is formed,
An electronic component is electrically connected to the conductive bump via a solder ball, and the electronic component is mounted on a surface of an outermost circuit board on a side opposite to a circuit board on which the electronic component is mounted. The chip capacitor is electrically connected to the via hole immediately below. According to such a configuration, the distance between the electronic component such as an LSI and the chip capacitor can be minimized, and the loop inductance between the two can be reduced.
【0032】上記半導体装置においては、電子部品が搭
載された回路基板の周縁部には、回路基板を構成する各
材料の熱膨張率の差異に起因する、基板全体の反りを防
止するためのスティフナが接着・固定されていることが
望ましい。このスティフナは、たとえば、BT,FR
4,FR5のようなガラス-樹脂複合材料や、銅などの
金属材料から形成され、回路基板に搭載された電子部品
の周囲を取り囲むように配設されるのが好ましい。In the above-described semiconductor device, a stiffener for preventing warpage of the entire substrate due to a difference in coefficient of thermal expansion of each material constituting the circuit board is provided on a peripheral portion of the circuit board on which electronic components are mounted. Is desirably adhered and fixed. This stiffener is, for example, BT, FR
4, it is preferably formed of a glass-resin composite material such as FR5 or a metal material such as copper, and is disposed so as to surround the electronic component mounted on the circuit board.
【0033】上述したような本発明による多層回路基板
および半導体装置において使用される絶縁性基材は、半
硬化状態のプリプレグではなく、完全に硬化した樹脂材
料から形成される硬質の絶縁性基材であり、このような
材料を用いることによって、絶縁性基材上へ銅箔を加熱
プレスによって圧着させる際に、プレス圧による絶縁性
基材の最終的な厚みの変動がなくなるので、ビアホール
の位置ずれを最小限度に抑えて、ビアランド径を小さく
できる。したがって配線ピッチを小さくして配線密度を
向上させることができる。また、基材の厚みを実質的に
一定に保つことができるので、充填ビアホール形成用の
開口をレーザ加工によって形成する場合には、そのレー
ザ照射条件の設定が容易となる。The insulating base material used in the multilayer circuit board and the semiconductor device according to the present invention as described above is not a semi-cured prepreg but a hard insulating base material formed of a completely cured resin material. When such a material is used, when the copper foil is pressed on the insulating base material by a hot press, the final thickness of the insulating base material does not fluctuate due to the pressing pressure, so that the position of the via hole can be reduced. The via land diameter can be reduced by minimizing the deviation. Therefore, the wiring pitch can be reduced and the wiring density can be improved. In addition, since the thickness of the base material can be kept substantially constant, when the opening for forming the filled via hole is formed by laser processing, the setting of the laser irradiation condition becomes easy.
【0034】このような絶縁性樹脂基材としては、ガラ
ス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリア
ジン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基
材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織
布−ポリイミド樹脂基材から選ばれる硬質基材が使用さ
れることが好ましく、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も
好ましい。Examples of such insulating resin base materials include glass cloth epoxy resin base material, glass cloth bismaleimide triazine resin base material, glass cloth polyphenylene ether resin base material, aramid nonwoven fabric-epoxy resin base material, and aramid nonwoven fabric-polyimide. It is preferable to use a hard base material selected from resin base materials, and a glass cloth epoxy resin base material is most preferable.
【0035】また、上記絶縁性基材の厚さは、20〜6
00μmが望ましい。その理由は、絶縁性を確保するた
めである。20μm未満の厚さでは、強度が低下して取
扱いが難しくなるとともに、電気的絶縁性に対する信頼
性が低くなるからであり、600μmを超えると、微細
なビアホール形成用開口が難くなると共に、基板そのも
のが厚くなるためである。Further, the thickness of the insulating substrate is 20 to 6
00 μm is desirable. The reason is to ensure insulation. If the thickness is less than 20 μm, the strength is reduced and handling becomes difficult, and the reliability with respect to electrical insulation is reduced. If the thickness is more than 600 μm, it becomes difficult to form a fine via hole forming opening and the substrate itself Is to be thick.
【0036】上記範囲の厚さを有するガラスエポキシ基
板上に形成されるビアホール形成用開口は、パルスエネ
ルギーが0.5〜100mJ、パルス幅が1〜100μ
s、パルス間隔が0.5ms以上、ショット数が3〜5
0の条件で照射される炭酸ガスレーザによって形成され
ることが好ましく、その開口径は、50〜250μmの
範囲であることが望ましい。その理由は、50μm未満
では開口に導電性物質を充填し難くなると共に、接続信
頼性が低くなるからであり、250μmを超えると、高
密度化が困難になるからである。A via hole forming opening formed on a glass epoxy substrate having a thickness in the above range has a pulse energy of 0.5 to 100 mJ and a pulse width of 1 to 100 μJ.
s, pulse interval 0.5 ms or more, number of shots 3-5
It is preferably formed by a carbon dioxide laser irradiated under the condition of 0, and its opening diameter is desirably in the range of 50 to 250 μm. The reason is that if it is less than 50 μm, it is difficult to fill the opening with a conductive substance and the connection reliability is lowered. If it exceeds 250 μm, it is difficult to increase the density.
【0037】このような炭酸ガスレーザによる開口形成
の前に、絶縁性基材の導体回路形成面と反対側の面に樹
脂フィルムを粘着させ、その樹脂フィルム上からレーザ
照射を行うのが望ましい。Before the opening is formed by the carbon dioxide gas laser, a resin film is preferably adhered to the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the conductor circuit is formed, and laser irradiation is preferably performed on the resin film.
【0038】この樹脂フィルムは、ビアホール形成用の
開口内をデスミア処理し、そのデスミア処理した後の開
口内に電解めっき処理によって金属めっきを充填する際
の保護マスクとして機能し、またビアホールの金属めっ
き層の直上に突起状導体を形成するための印刷用マスク
として機能する。The resin film functions as a protective mask when the inside of the opening for forming the via hole is desmeared, and the opening after the desmearing treatment is filled with metal plating by electrolytic plating. It functions as a printing mask for forming the protruding conductor directly on the layer.
【0039】上記樹脂フィルムは、たとえば、粘着剤層
の厚みが1〜20μmであり、フィルム自体の厚みが1
0〜50μmであるPETフィルムから形成されるのが
好ましい。その理由は、PETフィルムの厚さに依存し
て後述する突起状導体の高さが決まるので、10μm未
満の厚さでは突起状導体が低すぎて接続不良になりやす
く、逆に50μmを超えた厚さでは、接続界面で突起状
導体が拡がりすぎるので、ファインパターンの形成がで
きないからである。In the resin film, for example, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 1 to 20 μm, and the thickness of the film itself is 1 to 20 μm.
It is preferably formed from a PET film of 0 to 50 μm. The reason is that the height of the protruding conductor described later is determined depending on the thickness of the PET film. Therefore, when the thickness is less than 10 μm, the protruding conductor is too low, and connection failure is likely to occur. This is because, if the thickness is too large, the protruding conductor spreads too much at the connection interface, so that a fine pattern cannot be formed.
【0040】上記絶縁性基材を貫通する開口内部に充填
される導電性物質としては、導電性ペーストや電解めっ
き処理によって形成される金属めっきが好ましい。充填
工程をシンプルにして、製造コストを低減させ、歩留ま
りを向上させるためには、導電性ペーストの充填が適し
ているが、接続信頼性の点では電解めっき処理によって
形成される金属めっき、たとえば、すず、銀、はんだ、
銅/すず、銅/銀等の金属めっきが好ましく、とくに、
電解銅めっきが最適である。As the conductive substance filled in the opening penetrating the insulating base material, a conductive paste or metal plating formed by electrolytic plating is preferable. In order to simplify the filling process, reduce the manufacturing cost, and improve the yield, filling with a conductive paste is suitable, but in terms of connection reliability, metal plating formed by electrolytic plating, for example, Tin, silver, solder,
Metal plating such as copper / tin and copper / silver is preferred.
Electrolytic copper plating is optimal.
【0041】このように導電性物質が充填された開口
は、絶縁性基材に形成した導体回路同士を電気的に接続
するビアホールを形成するが、本発明による多層回路基
板およびそれを用いた半導体装置においては、積層され
る各回路基板に形成されるビアホールは、その隣接する
ビアホール間の距離が、LSIチップ等の電子部品を搭
載する側にある最も外側の回路基板については最も小さ
く、マザーボードに接続される側にある最も外側の他の
回路基板については最も大きくなるように形成される、
すなわち、積層される各回路基板に形成されるビアホー
ルの配置密度は、LSIチップ等の電子部品を搭載する
側の回路基板からマザーボードに接続される側の回路基
板に向かうにつれて小さくなるように形成されることが
好ましく、このような構成によれば、配線の引き回し性
が向上する。The opening filled with the conductive material forms a via hole for electrically connecting the conductor circuits formed on the insulating base material. The multilayer circuit board according to the present invention and the semiconductor using the same are provided. In the device, the via hole formed on each circuit board to be laminated is such that the distance between the adjacent via holes is the smallest for the outermost circuit board on the side where electronic components such as LSI chips are mounted, and the distance to the motherboard The outermost other circuit board on the side to be connected is formed to be the largest,
That is, the arrangement density of via holes formed in each circuit board to be laminated is formed so as to decrease from the circuit board on which electronic components such as LSI chips are mounted to the circuit board connected to the motherboard. Preferably, according to such a configuration, the routing of the wiring is improved.
【0042】上記絶縁性基材の片面または両面に形成さ
れる導体回路は、厚さが5〜18μmの銅箔を、半硬化
状態を保持された樹脂接着剤層を介して加熱プレスした
後、適切なエッチング処理をすることによって形成され
るのが好ましい。このような加熱プレスは、適切な温度
および加圧力のもとで行なわれ、より好ましくは、減圧
下において行なわれ、半硬化状態の樹脂接着剤層のみを
硬化することによって、銅箔を絶縁性基材に対してしっ
かりと接着され得るので、従来のプリプレグを用いた回
路基板に比べて製造時間が短縮される。The conductor circuit formed on one or both sides of the insulating base material is obtained by hot pressing a copper foil having a thickness of 5 to 18 μm through a resin adhesive layer maintained in a semi-cured state. It is preferably formed by performing an appropriate etching process. Such a heat press is performed under an appropriate temperature and pressure, more preferably, under a reduced pressure, and by curing only the semi-cured resin adhesive layer, the copper foil is insulated. Since it can be firmly adhered to the substrate, the manufacturing time is shortened as compared with a circuit board using a conventional prepreg.
【0043】このような導体回路が絶縁性基材の両面に
形成されるような回路基板は、多層回路基板のコアとし
て用いることができ、各ビアホールに対応した基板表面
には、導体回路の一部としてのビアランド(パッド)が、
その口径が50〜250μmの範囲に形成されるのが好
ましい。A circuit board in which such a conductor circuit is formed on both sides of an insulating substrate can be used as a core of a multilayer circuit board. Via land (pad) as part
It is preferable that the diameter is formed in the range of 50 to 250 μm.
【0044】また、絶縁性基材の片面に導体回路が形成
されるような片面回路基板は、両面回路基板とともに積
層される回路基板として用いられるだけでなく、片面回
路基板だけを積層して多層化基板を形成することもでき
る。このような片面回路基板においては、充填ビアホー
ルの真上に突起状導体が形成されることが好ましい。A single-sided circuit board in which a conductor circuit is formed on one side of an insulating base material is used not only as a circuit board to be laminated with a double-sided circuit board but also as a multilayer by laminating only a single-sided circuit board. A modified substrate can also be formed. In such a single-sided circuit board, it is preferable that the projecting conductor is formed directly above the filled via hole.
【0045】上記突起状導体は、導電性ペーストや低融
点金属から形成されることが好ましく、各回路基板を積
層して、一括して加熱プレスする工程において、導電性
ペーストあるいは低融点金属が熱変形するので、前記ビ
アホール内に充填される導電性物質や金属めっき層の高
さのばらつきを吸収することができ、それ故に、接続不
良を防止して接続信頼性に優れた多層回路基板を得るこ
とができる。上記突起状導体は、ビアホール内に充填さ
れる導電性物質、たとえば導電性ペーストと同一の材料
で、しかも同一の充填工程によって形成することもでき
る。The projecting conductor is preferably formed of a conductive paste or a low-melting-point metal. In the step of laminating the respective circuit boards and heat-pressing them collectively, the conductive paste or the low-melting-point metal is heated. Since it is deformed, it is possible to absorb a variation in the height of the conductive material or the metal plating layer filled in the via hole, thereby preventing a connection failure and obtaining a multilayer circuit board excellent in connection reliability. be able to. The protruding conductor may be formed of the same material as the conductive material filled in the via hole, for example, the conductive paste, and may be formed by the same filling process.
【0046】上記積層・加熱プレスにより形成された多
層回路基板の、最も外側に位置する回路基板のうち、L
SIチップ等の電子部品を搭載する側にある回路基板の
表面に、ビアホールの直上に位置して形成される導電性
バンプは、たとえば、ドットマトリックス状またはそれ
より少しずらしたマトリックス状に形成される。Of the outermost circuit boards of the multilayer circuit board formed by the above-mentioned laminating and heating press, L
The conductive bump formed on the surface of the circuit board on the side on which the electronic component such as the SI chip is mounted and located directly above the via hole is formed, for example, in a dot matrix shape or a slightly shifted matrix shape. .
【0047】また、最も外側に位置する回路基板のう
ち、マザーボードに接続される側にある他の回路基板の
表面に、ビアホールの直上に位置して形成された導電性
のピンまたは導電性のボールは、たとえば、上記導電性
バンプと同様に、ドットマトリックス状またはそれより
少しずらしたマトリックス状に形成される。Further, of the outermost circuit board, a conductive pin or a conductive ball formed on the surface of another circuit board on the side connected to the motherboard, which is formed immediately above the via hole. Are formed, for example, in the form of a dot matrix or a matrix slightly shifted therefrom, like the conductive bumps described above.
【0048】以下、本発明の多層回路基板およびそれを
用いた半導体装置を製造する方法について、添付図面を
参照にして具体的に説明する。 (A) 積層用回路基板の形成 (1)本発明にかかる多層回路基板を製造するに当たっ
て、それを構成する基本となる回路基板は、絶縁性基材
10の片面に銅箔12が貼付けられたものを出発材料と
して用いる。Hereinafter, a method of manufacturing a multilayer circuit board and a semiconductor device using the same according to the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings. (A) Formation of Laminating Circuit Board (1) In manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention, a basic circuit board constituting the multilayer circuit board has a copper foil 12 adhered to one surface of an insulating base material 10. Used as starting material.
【0049】この絶縁性基材10は、たとえば、ガラス
布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジ
ン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基
材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織
布−ポリイミド樹脂基材から選ばれる硬質な積層基材が
使用され得るが、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も好ま
しい。The insulating base material 10 is, for example, a glass cloth epoxy resin base material, a glass cloth bismaleimide triazine resin base material, a glass cloth polyphenylene ether resin base material, an aramid nonwoven fabric-epoxy resin base material, an aramid nonwoven fabric-polyimide resin. A hard laminated substrate selected from substrates can be used, but a glass cloth epoxy resin substrate is most preferred.
【0050】上記絶縁性基材10の厚さは、20〜60
0μmが望ましい。その理由は、20μm未満の厚さで
は、強度が低下して取扱が難しくなるとともに、電気的
絶縁性に対する信頼性が低くなり、600μmを超える
厚さでは微細なビアホールの形成および導電性ペースト
の充填が難しくなるとともに、基板そのものが厚くなる
ためである。The thickness of the insulating substrate 10 is 20 to 60
0 μm is desirable. The reason for this is that if the thickness is less than 20 μm, the strength is reduced and handling becomes difficult, and the reliability with respect to electrical insulation is reduced. If the thickness exceeds 600 μm, fine via holes are formed and the conductive paste is filled. And the thickness of the substrate itself is increased.
【0051】また銅箔12の厚さは、5〜18μmが望
ましい。その理由は、後述するようなレーザ加工を用い
て、絶縁性基材にビアホール形成用の開口を形成する際
に、薄すぎると貫通してしまうからであり、逆に厚すぎ
るとエッチングにより、微細な線幅の導体回路パターン
を形成し難いからである。The thickness of the copper foil 12 is preferably 5 to 18 μm. The reason is that, when forming an opening for forming a via hole in an insulating base material by using laser processing as described later, if it is too thin, it penetrates. This is because it is difficult to form a conductor circuit pattern having a large line width.
【0052】上記絶縁性基材10および銅箔12として
は、特に、エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてB
ステージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プ
レスすることにより得られる片面銅張積層板を用いるこ
とが好ましい。その理由は、銅箔12が後述するように
エッチングされた後の取扱中に、配線パターンやビアホ
ールの位置がずれることがなく、位置精度に優れるから
である。The insulating base material 10 and the copper foil 12 are preferably made of a glass cloth impregnated with an epoxy resin.
It is preferable to use a single-sided copper-clad laminate obtained by laminating a prepreg as a stage and a copper foil and pressing the laminate under heat. The reason is that the positions of the wiring patterns and the via holes do not shift during handling after the copper foil 12 is etched as described later, and the positional accuracy is excellent.
【0053】(2)次に、両面に導体回路が形成された
回路基板を製造する場合には、このような絶縁性基材1
0の銅箔12が貼付けられた表面と反対側の表面に、保
護フィルム14を貼付ける(図6(a)参照)。(2) Next, when manufacturing a circuit board having conductor circuits formed on both surfaces, such an insulating substrate 1
The protective film 14 is attached to the surface opposite to the surface to which the copper foil 12 of No. 0 is attached (see FIG. 6A).
【0054】この保護フィルム14は、後述する突起状
導体を形成する導電性ペーストの印刷用マスクとして使
用され、たとえば、表面に粘着層を設けたポリエチレン
テレフタレート(PET)フィルムが使用され得る。前
記PETフィルム14は、粘着剤層の厚みが1〜20μ
m、フィルム自体の厚みが10〜50μmであるような
ものが使用される。The protective film 14 is used as a mask for printing a conductive paste for forming a protruding conductor to be described later. For example, a polyethylene terephthalate (PET) film having an adhesive layer on the surface can be used. The PET film 14 has a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 1 to 20 μm.
m, a film having a thickness of 10 to 50 μm is used.
【0055】(3)ついで、絶縁性基材10上に貼付け
られたPETフィルム14上から炭酸ガスレーザ照射を
行って、PETフィルム14を貫通して、絶縁性基材1
0の表面から銅箔12(あるいは導体回路パターン)に
達する開口16を形成する(図6(b)参照)。このレー
ザ加工は、パルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によっ
て行われ、その加工条件は、、パルスエネルギーが0.
5〜100mJ、パルス幅が1〜100μs、パルス間
隔が0.5ms以上、ショット数が3〜50の範囲内で
あることが望ましい。このような加工条件のもとで形成
され得るビア口径は、50〜250μmであることが望
ましい。(3) Then, a carbon dioxide laser is irradiated from above the PET film 14 attached to the insulating substrate 10 to penetrate the PET film 14 and
An opening 16 reaching the copper foil 12 (or the conductive circuit pattern) from the surface of No. 0 is formed (see FIG. 6B). This laser processing is performed by a pulse oscillation type carbon dioxide laser processing apparatus.
It is preferable that the pulse width is 5 to 100 mJ, the pulse width is 1 to 100 μs, the pulse interval is 0.5 ms or more, and the number of shots is 3 to 50. The via diameter that can be formed under such processing conditions is desirably 50 to 250 μm.
【0056】(4)前記(3)の工程で形成された開口1
6の側面および底面に残留する樹脂残滓を除去するため
に、デスミア処理を行う。このデスミア処理は、酸素プ
ラズマ放電処理、コロナ放電処理、紫外線レーザ処理ま
たはエキシマレーザ処理等によって行われる。特に、開
口内に紫外線レーザまたはエキシマレーザを照射するこ
とによってデスミア処理するのが、接続信頼性の確保の
観点から望ましい。(4) Opening 1 formed in step (3)
In order to remove the resin residue remaining on the side and bottom surfaces of No. 6, desmear treatment is performed. This desmear treatment is performed by oxygen plasma discharge treatment, corona discharge treatment, ultraviolet laser treatment, excimer laser treatment, or the like. In particular, desmearing by irradiating the opening with an ultraviolet laser or an excimer laser is desirable from the viewpoint of ensuring connection reliability.
【0057】このデスミア処理を、たとえば、YAG第
3高調波を用いた紫外線レーザ照射によって行う場合の
レーザ照射条件は、発信周波数が3〜15KHz、パル
スエネルギーが0.1〜5mJ、ショット数が10〜3
0の範囲が望ましい。When the desmear treatment is performed by, for example, ultraviolet laser irradiation using the third harmonic of YAG, the laser irradiation conditions are as follows: a transmission frequency of 3 to 15 KHz, a pulse energy of 0.1 to 5 mJ, and a shot number of 10 ~ 3
A range of 0 is desirable.
【0058】(5)次に、デスミア処理された基板に対
して、以下のような条件で銅箔12をめっきリードとす
る電解銅めっき処理を施して、開口16内に電解銅めっ
き18を充填して、充填ビアホール20を形成する(図
6(c)参照)。このめっき処理により、開口16の上
部に後述する導電性ペースト22を充填するわずかの隙
間を残して電解銅めっき18が充填される。 〔電解銅めっき水溶液〕 硫酸銅・5水和物 : 65g/l レベリング剤(アトテック製、HL): 20ml/l 硫酸 : 220g/l 光沢剤(アトテック製、UV) : 0.5ml/l 塩素イオン : 40ppm 〔電解めっき条件〕 バブリング : 3.0リットル/分 電流密度 : 0.5A/dm2 設定電流値 : 0.18 A めっき時間 : 130分(5) Next, the desmeared substrate is
Then, the copper foil 12 is used as a plating lead under the following conditions.
Electrolytic copper plating treatment, and electrolytic copper plating
To form a filled via hole 20 (see FIG.
6 (c)). By this plating process, the opening 16
Small gap for filling the conductive paste 22 described later in the part
The electrolytic copper plating 18 is filled with a space left. [Aqueous electrolytic copper plating solution] Copper sulfate pentahydrate: 65 g / l Leveling agent (manufactured by Atotech, HL): 20 ml / l Sulfuric acid: 220 g / l Brightener (manufactured by Atotech, UV): 0.5 ml / l chloride ion : 40 ppm [Electroplating conditions] Bubbling: 3.0 L / min Current density: 0.5 A / dm2 Set current value: 0.18 A Plating time: 130 minutes
【0059】(6)上記(5)にて電解銅めっき20が充
填されなかった開口18の隙間あるいは凹みに対して、
保護フィルム14を印刷用マスクとして導電性ペースト
22を充填し、絶縁性基材10の表面から保護フィルム
14の厚みに相当する分だけ突出した導体部分24(以
下、「突起状導体」という)を形成する(図6(d)参
照)。(6) With respect to the gap or dent of the opening 18 where the electrolytic copper plating 20 was not filled in the above (5),
The conductive film 22 is filled with the conductive paste 22 using the protective film 14 as a printing mask, and a conductor portion 24 (hereinafter, referred to as a “projecting conductor”) protruding from the surface of the insulating substrate 10 by an amount corresponding to the thickness of the protective film 14 is formed. It is formed (see FIG. 6D).
【0060】(7)次いで、突起状導体24を含んだ絶
縁性基材10の表面に接着剤層26を形成する(図6
(e)参照)。この接着剤26は半硬化状態、すなわち
Bステージの接着剤であり、導体回路パターンが形成さ
れるべき銅箔を接着するためのものであり、たとえば、
エポキシ樹脂ワニスが使用され、その層厚は10〜50
μmの範囲が好ましい。(7) Next, an adhesive layer 26 is formed on the surface of the insulating substrate 10 including the protruding conductors 24 (FIG. 6).
(E)). The adhesive 26 is an adhesive in a semi-cured state, that is, a B-stage adhesive, for bonding a copper foil on which a conductor circuit pattern is to be formed.
Epoxy resin varnish is used and its layer thickness is 10-50
The range of μm is preferred.
【0061】(8)上記(7)の工程で接着剤層26を設
けた絶縁性基材10の表面に、銅箔28を加熱プレスに
よって圧着して、接着剤層26を硬化させる(図6(f)
参照)。その際、銅箔28は硬化した接着剤層26を介
して絶縁性基材10に接着され、突起状導体24と銅箔
28とが電気的に接続される。この銅箔28の厚さは、
5〜18μmが望ましい。(8) A copper foil 28 is pressed on the surface of the insulating substrate 10 provided with the adhesive layer 26 in the step (7) by a hot press to cure the adhesive layer 26 (FIG. 6). (f)
reference). At this time, the copper foil 28 is adhered to the insulating base material 10 via the cured adhesive layer 26, and the protruding conductor 24 and the copper foil 28 are electrically connected. The thickness of this copper foil 28 is
5 to 18 μm is desirable.
【0062】(9)次いで、絶縁性基材10の両面に貼
付けられた銅箔12および28上に、それぞれエッチン
グ保護フィルムを貼付けて、所定の回路パターンのマス
クで披覆した後、エッチング処理を行って、導体回路3
0および32(ビアランドを含む)を形成する(図6
(g)参照)。(9) Next, an etching protection film is stuck on each of the copper foils 12 and 28 stuck on both sides of the insulating base material 10, and is covered with a mask having a predetermined circuit pattern. Go, conductor circuit 3
0 and 32 (including via lands) are formed (FIG. 6).
(g)).
【0063】この処理工程においては、先ず、銅箔12
および28の表面に感光性ドライフィルムレジストを貼
付した後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理
してエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト
非形成部分の金属層をエッチングして、ビアランドを含
んだ導体回路パターン30および32を形成する。エッ
チング液としては、硫酸一過酸化水素、過硫酸塩、塩化
第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選ばれる少なくとも1
種の水溶液が望ましい。In this processing step, first, the copper foil 12
And after applying a photosensitive dry film resist on the surface of 28 and exposing and developing along a predetermined circuit pattern to form an etching resist, etching the metal layer of the etching resist non-formed portion, including via lands The conductor circuit patterns 30 and 32 are formed. As the etchant, at least one selected from aqueous solutions of sulfuric acid and hydrogen peroxide, persulfate, cupric chloride, and ferric chloride.
An aqueous solution of the seed is desirable.
【0064】上記銅箔12および28をエッチングして
導体回路30および32を形成する前処理として、ファ
インパターンを形成しやすくするため、あらかじめ、銅
箔の表面全面をエッチングして厚さを1〜10μm、よ
り好ましくは2〜8μm程度まで薄くすることができ
る。導体回路の一部としてのビアランドは、その内径が
ビアホール口径とほぼ同様であるが、その外径は、50
〜250μmの範囲に形成されることが好ましい。As a pretreatment for forming the conductor circuits 30 and 32 by etching the copper foils 12 and 28, in order to easily form a fine pattern, the entire surface of the copper foil is previously etched to a thickness of 1 to 10 to facilitate formation of a fine pattern. The thickness can be reduced to 10 μm, more preferably to about 2 to 8 μm. The via land as a part of the conductor circuit has an inner diameter substantially similar to the via hole diameter, but has an outer diameter of 50.
It is preferable that the film is formed in a range of about 250 μm.
【0065】(10)次に、前記(8)の工程で形成した
導体回路30および32の表面を、必要に応じて粗化処
理して(粗化層の表示は省略する)、両面回路基板34
を形成する。この粗化処理は、多層化する際に、接着剤
層との密着性を改善し、剥離(デラミネーション)を防
止するためである。粗化処理方法としては、例えば、ソ
フトエッチング処理や、黒化(酸化)一還元処理、銅−
ニッケルーリンからなる針状合金めっき(荏原ユージラ
イト製:商品名インタープレート)の形成、メック社製
の商品名「メックエッチボンド」なるエッチング液によ
る表面粗化がある。(10) Next, the surfaces of the conductor circuits 30 and 32 formed in the step (8) are subjected to a roughening treatment as required (the indication of a roughened layer is omitted), and the double-sided circuit board is omitted. 34
To form This roughening treatment is for improving adhesion to the adhesive layer and preventing peeling (delamination) when forming a multilayer. As a roughening method, for example, a soft etching process, a blackening (oxidation) -reduction process, a copper-
There are the formation of a needle-like alloy plating made of nickel-phosphorus (manufactured by Ebara Uzilite; trade name: Interplate), and the surface roughening by an etching solution called “Mech Etch Bond” manufactured by Mec.
【0066】この実施形態においては、上記粗化層の形
成は、エッチング液を用いて形成されるのが好ましく、
たとえば、導体回路の表面を第二銅錯体と有機酸の混合
水溶液からエッチング液を用いてエッチング処理するこ
とによって形成することができる。かかるエッチング液
は、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件下で、銅
導体回路パターンを溶解させることができ、反応は、次
のように進行するものと推定される。 Cu+Cu(II)An →2Cu(I)An/2 2Cu(I)An/2 +n/4O2 +nAH (エ
アレーション)→2Cu(II)An +n/2H2O 式中、Aは錯化剤(キレート剤として作用)、nは配位
数を示す。In this embodiment, the roughened layer is preferably formed by using an etching solution.
For example, it can be formed by etching the surface of a conductor circuit from a mixed aqueous solution of a cupric complex and an organic acid using an etchant. Such an etchant can dissolve the copper conductor circuit pattern under oxygen-existing conditions such as spraying and bubbling, and the reaction is presumed to proceed as follows. Cu + Cu (II) A n → 2Cu (I) An / 2 2Cu (I) An / 2 + n / 4O 2 + nAH (aeration) → 2Cu (II) A n + n / 2H 2 O In the formula, A is a complex. Agent (acting as a chelating agent), n represents the coordination number.
【0067】上式に示されるように、発生した第一銅錯
体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体と
なって、再び銅の酸化に寄与する。本発明において使用
される第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。
この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾ
ール類の第二銅錯体および有機酸(必要に応じてハロゲ
ンイオン)を、水に溶解して調製することができる。こ
のようなエッチング液は、たとえば、イミダゾール銅
(II)錯体 10重量部、グリコール酸 7重量部、塩
化カリウム 5重量部を混合した水溶液から形成され
る。本発明にかかる多層回路基板を構成する両面回路基
板は、上記(1)〜(10)の工程にしたがって製造され
る。As shown in the above formula, the generated cuprous complex dissolves under the action of an acid and combines with oxygen to form a cupric complex, which again contributes to copper oxidation. The cupric complex used in the present invention is preferably a cupric complex of azoles.
The etching solution comprising the organic acid-cupric complex can be prepared by dissolving a cupric complex of an azole and an organic acid (halogen ion as required) in water. Such an etchant is, for example, imidazole copper
(II) It is formed from an aqueous solution in which 10 parts by weight of a complex, 7 parts by weight of glycolic acid, and 5 parts by weight of potassium chloride are mixed. The double-sided circuit board constituting the multilayer circuit board according to the present invention is manufactured according to the above-mentioned steps (1) to (10).
【0068】(11)次に、このような両面回路基板の表
裏面にそれぞれ積層される片面回路基板の製造に際し
て、まず、絶縁性基材10の片面に貼り付けられた銅箔
12上に、エッチング保護フィルムを貼付けて、所定の
回路パターンのマスクで披覆した後、エッチング処理を
行って、導体回路40(ビアランドを含む)を形成する
(図7(b)参照)。この処理工程においては、先ず、銅
箔12の表面に感光性ドライフィルムレジストを貼付し
た後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理して
エッチングレジストを形成し、エッチングレジスト非形
成部分の金属層をエッチングして、ビアランドを含んだ
導体回路パターン40を形成する。(11) Next, when manufacturing a single-sided circuit board laminated on the front and back surfaces of such a double-sided circuit board, first, the copper foil 12 adhered to one side of the insulating base material 10 is placed on the copper foil 12. After attaching an etching protection film and covering it with a mask having a predetermined circuit pattern, an etching process is performed to form a conductor circuit 40 (including a via land) (see FIG. 7B). In this processing step, first, after a photosensitive dry film resist is attached to the surface of the copper foil 12, exposure and development are performed along a predetermined circuit pattern to form an etching resist, and the metal in a portion where the etching resist is not formed is formed. The layer is etched to form a conductor circuit pattern 40 including via lands.
【0069】エッチング液としては、硫酸一過酸化水
素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選
ばれる少なくとも1種の水溶液が望ましい。上記銅箔1
2をエッチングして導体回路40を形成する前処理とし
て、ファインパターンを形成しやすくするため、あらか
じめ、銅箔の表面全面をエッチングして厚さを1〜10
μm、より好ましくは2〜8μm程度まで薄くすること
ができる。As the etchant, at least one aqueous solution selected from aqueous solutions of sulfuric acid and hydrogen peroxide, persulfate, cupric chloride and ferric chloride is desirable. The above copper foil 1
As a pretreatment for forming the conductor circuit 40 by etching the copper foil 2, in order to easily form a fine pattern, the entire surface of the copper foil is etched in advance to reduce the thickness to 1 to 10 mm.
μm, more preferably about 2 to 8 μm.
【0070】(12)絶縁性基材10の片面に導体回路4
0を形成した後、上記(2)〜(6)の工程にしたがった
処理を行ない、その後、PETフィルム14を絶縁性基
材10の表面から剥離させる(図7(c)〜図7(e)
参照)。(12) The conductor circuit 4 is provided on one side of the insulating base material 10.
After forming 0, the process according to the above steps (2) to (6) is performed, and then the PET film 14 is peeled off from the surface of the insulating substrate 10 (FIGS. 7C to 7E). )
reference).
【0071】上記(6)の工程にしたがって形成した突
起状導体44(両面回路基板の突起状導体24と区別す
るために符号44で示す)の絶縁性基材10の表面から
の突出高さは、保護フィルム14の厚みにほぼ等しく、
5〜30μmの範囲が望ましい。その理由は、5μm未
満では、接続不良を招きやすく、30μmを越えると抵
抗値が高くなると共に、加熱プレス工程において突起状
導体24が熱変形した際に、絶縁性基板の表面に沿って
拡がりすぎるので、ファインパターンが形成できなくな
るからである。The protruding height of the projecting conductor 44 formed in accordance with the step (6) from the surface of the insulating base material 10 (indicated by reference numeral 44 to distinguish it from the projecting conductor 24 of the double-sided circuit board) is as follows. Approximately equal to the thickness of the protective film 14,
A range of 5 to 30 μm is desirable. The reason is that if it is less than 5 μm, poor connection is likely to occur, and if it exceeds 30 μm, the resistance value becomes high, and when the protruding conductor 24 is thermally deformed in the heating press step, it spreads too much along the surface of the insulating substrate. Therefore, a fine pattern cannot be formed.
【0072】また、上記突起状導体44は、プレキュア
されることが望ましい。その理由は、突起状導体44は
半硬化状態でも硬く、積層プレスの段階で接着剤層が軟
化する前に、積層される他の回路基板の導体回路(導体
パッド)と電気的接触が可能となるからである。このよ
うな突起状導体44は、加熱プレス時に変形して接触面
積が増大するので、導通抵抗を低くすることができ、さ
らに突起状導体44の高さのばらつきが是正される。It is desirable that the protruding conductor 44 be precured. The reason is that the protruding conductor 44 is hard even in a semi-cured state, and is capable of making electrical contact with a conductor circuit (conductor pad) of another circuit board to be laminated before the adhesive layer is softened at the stage of lamination pressing. Because it becomes. Such a projecting conductor 44 is deformed at the time of hot pressing to increase the contact area, so that the conduction resistance can be reduced and the variation in the height of the projecting conductor 44 is corrected.
【0073】(13)次いで、絶縁性基材10の突起状導
体44を含んだ表面に樹脂接着剤46を塗布する(図7
(f)参照)。このような樹脂接着剤は、例えば、絶縁性
基材10の突起状導体44を含んだ表面全体または突起
状導体44を含まない表面に塗布され、乾燥化された状
態の未硬化樹脂からなる接着剤層として形成される。こ
の接着剤層は、取扱が容易になるため、プレキュアして
おくことが好ましく、その厚さは、5〜50μmの範囲
が望ましい。(13) Next, a resin adhesive 46 is applied to the surface of the insulating substrate 10 including the protruding conductors 44 (FIG. 7).
(f)). Such a resin adhesive is applied to, for example, the entire surface of the insulating substrate 10 including the projecting conductors 44 or the surface not including the projecting conductors 44, and is formed of an uncured resin in a dried state. It is formed as an agent layer. This adhesive layer is preferably precured for easy handling, and its thickness is preferably in the range of 5 to 50 μm.
【0074】前記接着剤層46は、有機系接着剤からな
ることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリフェノレンエーテル
(PPE)、エポキシ樹脂と熱可塑性樹脂との複合樹
脂、エポキシ樹脂とシリコーン掛脂との複合樹脂、BT
レジンから選ばれる少なくとも1種の樹脂であることが
望ましい。有機系接着剤である未硬化樹脂の塗布方法
は、カーテンコータ、スピンコータ、ロールコータ、ス
プレーコート、スクリーン印刷などを使用できる。ま
た、接着剤層の形成は、接着剤シートをラミネートする
ことによってもできる。The adhesive layer 46 is preferably made of an organic adhesive. Examples of the organic adhesive include epoxy resin, polyimide resin, thermosetting polyphenolene ether (PPE), and epoxy resin and thermoplastic resin. Composite resin, epoxy resin and silicone resin, BT
Desirably, the resin is at least one resin selected from resins. As a method of applying the uncured resin which is an organic adhesive, a curtain coater, a spin coater, a roll coater, a spray coat, a screen printing, or the like can be used. Further, the formation of the adhesive layer can also be performed by laminating an adhesive sheet.
【0075】上記片面回路基板50は、絶縁性基材10
の一方の表面に導体回路40を有し、他方の表面には導
電性ペーストの一部が露出して形成される突起状導体4
4を有し、さらに突起状導体44を含んだ絶縁性基材1
0の表面に接着剤層46を有して形成され、それらの複
数枚が相互に積層接着されたり、予め製造された両面回
路基板34に積層接着されて、多層化基板60が形成さ
れるが、樹脂接着剤46はこのような積層段階で使用さ
れることが好ましい。The single-sided circuit board 50 is made of the insulating base material 10.
Has a conductive circuit 40 on one surface and a projecting conductor 4 formed by exposing a part of the conductive paste on the other surface.
Insulating base material 1 having a protrusion 4 and further including a projecting conductor 44
0 is formed with an adhesive layer 46 on its surface, and a plurality of these layers are laminated and adhered to each other, or laminated and adhered to a double-sided circuit board 34 manufactured in advance to form a multilayer substrate 60. The resin adhesive 46 is preferably used in such a lamination stage.
【0076】(B)積層用回路基板の多層化 上記(A)の各処理工程にしたがって製造された両面回
路基板34の両面に、3枚の片面回路基板50、52お
よび54が積層されてなる4層基板が、加熱温度150
〜200℃、加圧力1M〜4MPaの条件のもとで、1
度のプレス成形により一体化され多層化基板60が形成
される(図8参照)。上記のような条件のもとで、加圧
と同時に加熱することで、各片面回路基板の接着剤層4
6が硬化し、隣接する片面回路基板との間で強固な接着
が行われる。なお、加熱プレスとしては、真空熱プレス
を用いることが好適である。上述した実施の形態では、
1層の両面回路基板と3層の片面回路基板とを用いて4
層に多層化したが、5層あるいは6層を超える多層化に
も適用できる。(B) Multilayering of Laminating Circuit Boards Three single-sided circuit boards 50, 52 and 54 are laminated on both sides of a double-sided circuit board 34 manufactured according to each of the processing steps (A). The four-layer substrate has a heating temperature of 150
Under conditions of ~ 200 ° C and pressure of 1M ~ 4MPa, 1
The multi-layer substrate 60 is formed by a single press molding (see FIG. 8). Under the above conditions, the adhesive layer 4 of each single-sided circuit board is heated by pressing and heating at the same time.
6 is hardened, and strong bonding is performed between the adjacent single-sided circuit boards. It is preferable to use a vacuum heat press as the heating press. In the embodiment described above,
Using a double-sided circuit board of one layer and a single-sided circuit board of three layers,
Although the layers are multi-layered, the invention can also be applied to multi-layers having more than five or six layers.
【0077】(C)導電性バンプ、ピン、ボールの配設 上記(B)の各処理工程にしたがって形成された多層化
された回路基板のうち、最も外側に位置する回路基板に
導電性バンプを設けて、LSI等の電子部品を直接搭載
するようにし、また最も外側に位置する他方の回路基板
に導電性ピンまたは導電性ボールを配設して、マザーボ
ード上の接続用端子あるいは導電性ボールに直接的に接
続できるパッケージ基板として構成する。(C) Arrangement of conductive bumps, pins and balls Among the multilayered circuit boards formed in accordance with the respective processing steps (B), conductive bumps are formed on the outermost circuit board. And electronic components such as LSIs are directly mounted, and conductive pins or conductive balls are disposed on the other outermost circuit board to connect to connection terminals or conductive balls on the motherboard. It is configured as a package substrate that can be directly connected.
【0078】たとえば、図8に示すような多層化基板6
0は、最も外側に位置する回路基板50および54の導
体回路40がそれぞれ外側に露出した構造であり、この
ような多層化基板の場合には、それぞれの導体回路40
上にビアホール直上に位置した適切なはんだパッド部を
設け、これらのはんだパッド部上に適切なはんだ体を供
給して導電性バンプ62を形成したり、導電性ピン64
または導電性ボール66を接続するように構成する。For example, a multilayer substrate 6 as shown in FIG.
Numeral 0 denotes a structure in which the conductor circuits 40 of the outermost circuit boards 50 and 54 are exposed to the outside, respectively.
An appropriate solder pad portion located directly above the via hole is provided thereon, and an appropriate solder body is supplied on these solder pad portions to form the conductive bumps 62 or the conductive pins 64.
Alternatively, the conductive balls 66 are connected.
【0079】なお、導電性バンプ62を形成するはんだ
体としては、融点が比較的に低いスズ/鉛はんだ(融点
183℃)やスズ/銀はんだ(融点220℃)を用い、
導電性ピン64や導電性ボール66を接続するはんだ体
としては、融点が230℃〜270℃と比較的融点の高
いスズ/アンチモンはんだ、スズ/銀はんだ、スズ/銀
/銅はんだを用いることが好ましい。As a solder body for forming the conductive bumps 62, tin / lead solder (melting point: 183 ° C.) or tin / silver solder (melting point: 220 ° C.) having a relatively low melting point is used.
As a solder body for connecting the conductive pins 64 and the conductive balls 66, tin / antimony solder, tin / silver solder, tin / silver / copper solder having a relatively high melting point of 230 ° C. to 270 ° C. may be used. preferable.
【0080】また、図9に示すような4枚の片面回路基
板70、72、74および76が順次積層されてなる4
層基板を、適切な加熱、加圧条件のもとで、1度のプレ
ス成形により一体化した多層化基板80を用いる場合に
は、最も外側に位置する一方の回路基板70は、そのビ
アホールの直下にある突起状導体が溶融して絶縁性基材
10の表面上にほぼ円形の導体パッドを形成し、他方の
回路基板76は、その導体回路40のビアホール直上の
部分が導体パッドに形成された構造となる。A four-sided circuit board 70, 72, 74 and 76 as shown in FIG.
In the case of using a multi-layer substrate 80 in which the layer substrate is integrated by a single press molding under appropriate heating and pressure conditions, one of the circuit boards 70 located on the outermost side is provided with the via hole. The protruding conductor immediately below is melted to form a substantially circular conductor pad on the surface of the insulating base material 10, and the other circuit board 76 is formed such that the portion immediately above the via hole of the conductor circuit 40 is formed on the conductor pad. Structure.
【0081】このような多層化基板80の場合には、最
下層の回路基板70は、そのビアホール直下の導体パッ
ド上に、導電性ピン64または導電性ボール66が接続
され、マザーボード(図示を省略した)の接続用端子あ
るいははんだボールに接続されるようになっており、ま
た最上層の回路基板76は、その導体回路40の一部に
形成した導体パッド上に導電性バンプ62が形成され
て、LSIチップ等の電子部品82のはんだボール84
に接続されるように構成される(図10参照)。また、
導電性パッド、導電性ピンまたは導電性ボールを含んだ
多層化基板80と、その多層化基板80上に搭載される
電子部品82と、多層化基板80が取付けられるマザー
ボードを含めた全体として半導体装置が構成される。In the case of such a multi-layer board 80, the lowermost circuit board 70 has conductive pins 64 or conductive balls 66 connected to the conductive pads immediately below the via holes, and a mother board (not shown). The circuit board 76 of the uppermost layer has conductive bumps 62 formed on conductive pads formed on a part of the conductive circuit 40. Balls 84 of electronic components 82 such as LSI chips
(See FIG. 10). Also,
A semiconductor device as a whole including a multilayer substrate 80 including conductive pads, conductive pins or conductive balls, electronic components 82 mounted on the multilayer substrate 80, and a motherboard to which the multilayer substrate 80 is attached Is configured.
【0082】図11は、多層化基板80の最も外側に位
置する一方の回路基板70に対してチップコンデンサー
86が接続・固定され、他方の回路基板76の外周縁に
沿って反り防止のためのスティフナ88が固着されてい
る他の半導体装置を示す。このような半導体装置におい
ては、チップコンデンサー86は、セラミックス、チタ
ン酸バリウムなどの高誘電体から形成され、搭載された
電子部品82の直下に位置するビアホールに電気的に接
続され、ループインダクタンスの低減を図ることができ
る。また、スティフナ88は、BT,FR4,FR5の
ようなガラスエポキシ複合材料や、銅などの金属材料か
ら形成され、回路基板を構成する各材料の熱膨張量の差
に起因する反りを防止している。FIG. 11 shows that a chip capacitor 86 is connected and fixed to one of the circuit boards 70 located on the outermost side of the multi-layer board 80, and is provided along the outer peripheral edge of the other circuit board 76 to prevent warping. 14 shows another semiconductor device to which the stiffener 88 is fixed. In such a semiconductor device, the chip capacitor 86 is formed of a high dielectric material such as ceramics or barium titanate, and is electrically connected to a via hole located immediately below the mounted electronic component 82 to reduce loop inductance. Can be achieved. Further, the stiffener 88 is formed of a glass epoxy composite material such as BT, FR4, FR5, or a metal material such as copper, and prevents warping caused by a difference in the amount of thermal expansion of each material constituting the circuit board. I have.
【0083】さらに、図12に示すように、多層化基板
80を構成する最も外側の回路基板の一方は、その導体
回路40に形成した導体パッド上に導電性バンプ62を
形成し、他方の回路基板(ここでは最下層の回路基板7
0)は、絶縁性基材10に設けた開口16に電解銅めっ
き層を充填しないような構成とし、その開口16内に露
出する導体回路40に形成した導体パッド部に、適切な
はんだ体を供給して導電性ピン64を接続させた構造と
することもできる。このような構造は、導電性ピン64
が絶縁性基材10によってその周囲を囲まれているの
で、あらためてソルダーレジスト層を設ける必要がなく
なる。Further, as shown in FIG. 12, one of the outermost circuit boards constituting the multi-layer board 80 has conductive bumps 62 formed on the conductor pads formed on the conductor circuit 40, and the other circuit board has the other circuit board. Substrate (here, the lowermost circuit board 7
0) has a configuration in which the electrolytic copper plating layer is not filled in the opening 16 provided in the insulating base material 10, and an appropriate solder body is applied to the conductor pad portion formed in the conductor circuit 40 exposed in the opening 16. It is also possible to adopt a structure in which the conductive pins 64 are connected to supply. Such a structure is used for the conductive pins 64.
Is surrounded by the insulating base material 10, so that it is not necessary to provide a solder resist layer again.
【0084】なお、図10において破線で示すように、
最も外側の回路基板70および76の表面にソルダーレ
ジスト層83を形成してもよい。この場合、ソルダーレ
ジスト組成物を塗布し、その塗膜を乾燥した後、この塗
膜に、開口部を描画したフォトマスクフィルムを載置し
て露光、現像処理することにより、導体回路40のう
ち、はんだパッド部分を露出させた開口を形成し、その
露出したはんだパッド部分に、導電性バンプ62、導電
性ピン64あるいは導電性ボール66を設ける。As shown by a broken line in FIG.
A solder resist layer 83 may be formed on the surfaces of the outermost circuit boards 70 and 76. In this case, after applying the solder resist composition and drying the coating film, a photomask film having an opening drawn thereon is placed on the coating film, exposed, and developed, whereby the conductive circuit 40 is formed. Then, an opening exposing the solder pad portion is formed, and a conductive bump 62, a conductive pin 64 or a conductive ball 66 is provided in the exposed solder pad portion.
【0085】上記実施の形態において、各はんだパッド
部上に「ニッケル−金」からなる金属層を形成すること
が好ましく、ニッケル層は1〜7μmが望ましく、金層
は0.01〜0.06μmがよい。この理由は、ニッケ
ル層は、厚すぎると抵抗値の増大を招き、薄すぎると剥
離しやすいからである。一方金層は、厚すぎるとコスト
増になり、薄すぎるとはんだ体との密着効果が低下する
からである。In the above embodiment, it is preferable that a metal layer made of “nickel-gold” is formed on each solder pad portion, the nickel layer is preferably 1 μm to 7 μm, and the gold layer is preferably 0.01 μm to 0.06 μm. Is good. The reason for this is that if the nickel layer is too thick, the resistance value will increase, and if it is too thin, it will easily peel off. On the other hand, if the gold layer is too thick, the cost increases, and if it is too thin, the effect of adhering to the solder body decreases.
【0086】このようなはんだパッド部上に設けたニッ
ケル−金からなる金属層上に、はんだ体を供給し、この
はんだ体の溶融・固化によって導電性バンプを形成し、
あるいは導電性ピンや導電性ボールをはんだパッド部に
接合して、多層回路基板が形成される。A solder body is supplied on a nickel-gold metal layer provided on such a solder pad portion, and a conductive bump is formed by melting and solidifying the solder body.
Alternatively, a conductive pin or a conductive ball is joined to the solder pad to form a multilayer circuit board.
【0087】上記はんだ体の供給方法としては、はんだ
転写法や印刷法を用いることができる。ここで、はんだ
転写法は、プリプレグにはんだ箔を貼合し、このはんだ
箔を開口部分に相当する箇所のみを残してエッチングす
ることにより、はんだパターンを形成してはんだキャリ
アフィルムとし、このはんだキャリアフィルムを、基板
のソルダーレジスト開口部分にフラックスを塗布した
後、はんだパターンがパッドに接触するように積層し、
これを加熱して転写する方法である。一方、印刷法は、
パッドに相当する箇所に開口を設けた印刷マスク(メタ
ルマスク) を基板に載置し、はんだペーストを印刷して
加熱処理する方法である。はんだとしては、スズ−銀、
スズ−インジウム、スズ−亜鉛、スズ−ビスマスなどが
使用できる。以下、実施例をもとに説明する。As a method for supplying the solder, a solder transfer method or a printing method can be used. Here, in the solder transfer method, a solder foil is bonded to a prepreg, and the solder foil is etched leaving only a portion corresponding to an opening, thereby forming a solder pattern to form a solder carrier film. After applying the flux to the solder resist opening of the board, laminate the film so that the solder pattern contacts the pad,
This is a method of transferring by heating. On the other hand, the printing method
This is a method in which a printing mask (metal mask) having an opening provided in a portion corresponding to a pad is placed on a substrate, and a solder paste is printed and heated. Tin-silver,
Tin-indium, tin-zinc, tin-bismuth and the like can be used. Hereinafter, description will be made based on embodiments.
【0088】[0088]
【実施例】(実施例1) (1) まず、多層回路基板を構成する両面回路基板を
製作する、この回路基板は、エポキシ樹脂をガラスクロ
スに含潰させてBステージとしたプリプレグと、銅箔と
を積層して加熱プレスすることにより得られる片面銅張
積層板を出発材料として用いる。この絶縁性基材10の
厚さは75μm、銅箔12の厚さは12μmであり、こ
の積層板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが10μ
mの粘着剤層を有し、かつフィルム自体の厚みが12μ
mであるようなPETフィルム14をラミネートする。EXAMPLES (Example 1) (1) First, a double-sided circuit board constituting a multi-layer circuit board is manufactured. This circuit board is made of a prepreg formed by impregnating an epoxy resin into a glass cloth into a B stage, and copper A single-sided copper-clad laminate obtained by laminating a foil and hot pressing is used as a starting material. The thickness of the insulating base material 10 is 75 μm, the thickness of the copper foil 12 is 12 μm, and the thickness of the laminate is 10 μm on the surface opposite to the copper foil forming surface.
m, and the thickness of the film itself is 12 μm.
The PET film 14 having a thickness of m is laminated.
【0089】(2)ついで、PETフィルム14上から
炭酸ガスレーザ照射を行って、PETフィルム14およ
び絶縁性基材10を貫通して銅箔12に至るビアホール
形成用開口16を形成し、さらにその開口16内を紫外
線レーザ照射によってデスミア処理した。この実施例に
おいては、ビアホール形成用の開口の形成には、三菱電
機製の高ピーク短パルス発振型炭酸ガスレーザ加工機を
使用し、全体として厚さ22μmのPETフィルムを樹
脂面にラミネートした、基材厚75μmのガラス布エポ
キシ樹脂基材に、マスクイメージ法でPETフィルム側
からレーザビーム照射して100穴/秒のスピードで、
150μmφのビアホール形成用の開口を形成した。ま
た、デスミア処理用のYAG第3高調波を用いた紫外線
レーザ照射装置は、三菱電機社製のGT605LDXを
使用し、そのデスミア処理のためのレーザ照射条件は、
発信周波数が5KHz、パルスエネルギーが0.8m
J、ショット数が10であった。(2) Next, carbon dioxide laser irradiation is performed from above the PET film 14 to form a via hole forming opening 16 that penetrates through the PET film 14 and the insulating base material 10 and reaches the copper foil 12. 16 was subjected to desmear treatment by ultraviolet laser irradiation. In this embodiment, an opening for forming a via hole was formed using a high-peak short-pulse oscillation type carbon dioxide laser processing machine manufactured by Mitsubishi Electric, and a 22 μm-thick PET film was laminated on the resin surface as a whole. A 75 μm thick glass cloth epoxy resin substrate is irradiated with a laser beam from the PET film side by the mask image method at a speed of 100 holes / sec.
An opening for forming a via hole of 150 μmφ was formed. The UV laser irradiation apparatus using YAG third harmonic for desmear processing uses GT605LDX manufactured by Mitsubishi Electric Corporation. The laser irradiation conditions for the desmear processing are as follows.
Transmission frequency is 5KHz, pulse energy is 0.8m
J, the number of shots was 10.
【0090】(3)デスミア処理を終えた基板に対し
て、銅箔12をめっきリードとする電解銅めっき処理を
施して、開口16の上部にわずかの隙間を残して、その
開口16内に電解銅めっき18を充填してビアホール2
0を形成する。(3) The substrate subjected to the desmearing treatment is subjected to electrolytic copper plating using the copper foil 12 as a plating lead, leaving a slight gap above the opening 16 so as to leave the electrolytic solution in the opening 16. Filling with copper plating 18 and via hole 2
0 is formed.
【0091】(4)さらに、PETフィルム14を印刷
マスクとして、開口16に充填された銅めっき層18上
に導電性ペースト22を充填して、絶縁性基材10の表
面からほぼPETフィルム14の厚み分だけ突出する突
起状導体24を形成する。(4) Further, using the PET film 14 as a print mask, the conductive paste 22 is filled on the copper plating layer 18 filled in the opening 16 so that the PET film 14 is almost completely removed from the surface of the insulating base material 10. The protruding conductor 24 protruding by the thickness is formed.
【0092】(5)次に、PETフィルム14を絶縁性
基材10の表面から剥離させた後、エポキシ樹脂接着剤
を突起状導体24側の全面に塗布し、100℃で30分
間の乾燥を行って厚さ20μmの接着剤層26を形成し
た。(5) Next, after the PET film 14 is peeled off from the surface of the insulating base material 10, an epoxy resin adhesive is applied to the entire surface of the projecting conductor 24 side, and dried at 100 ° C. for 30 minutes. As a result, an adhesive layer 26 having a thickness of 20 μm was formed.
【0093】(6)上記(5)で形成した接着剤層26
上に、厚さ12μmの銅箔28を、加熱温度180℃、
加熱時間70分、圧力2MPa、真空度2.5×103
Paの条件のもとで加熱プレスした。(6) The adhesive layer 26 formed in the above (5)
On top, a copper foil 28 having a thickness of 12 μm was heated at 180 ° C.
Heating time 70 minutes, pressure 2MPa, degree of vacuum 2.5 × 10 3
Heat press was performed under Pa conditions.
【0094】(7)その後、基板両面の銅箔12および
28に適切なエッチング処理を施して、導体回路30お
よび32(ビアランドを含む)を形成して、両面回路基
板34を作製した。(7) Thereafter, the copper foils 12 and 28 on both sides of the substrate were subjected to an appropriate etching treatment to form conductor circuits 30 and 32 (including via lands), thereby producing a double-sided circuit board 34.
【0095】(8)次に、積層用の片面回路基板を作製
する。この回路基板は、両面回路基板34と同様の片面
銅張積層板を出発材料として用いた。まず、絶縁性基材
10上の銅箔12に適切なエッチング処理を施して、導
体回路40を形成し、さらに、導体回路40と反対側に
位置する絶縁性基材10の表面に、PETフィルム14
をラミネートした。(8) Next, a single-sided circuit board for lamination is manufactured. The circuit board used was a single-sided copper-clad laminate similar to the double-sided circuit board 34 as a starting material. First, the copper foil 12 on the insulating base material 10 is subjected to an appropriate etching treatment to form a conductive circuit 40. Further, a PET film is formed on the surface of the insulating base material 10 located on the opposite side to the conductive circuit 40. 14
Was laminated.
【0096】(9)その後、上記(2)〜(5)の工程
にしたがって処理することによって、絶縁性基材10の
一方の表面に導体回路40が形成され、絶縁性基材10
の他方の面から導体回路40に達する開口内に電解銅め
っき18が充填されるとともに、その電解銅めっき18
上に突起状導体44が形成され、さらに突起状導体44
を含んだ絶縁性基材10の表面にエポキシ樹脂接着剤4
6が塗布された。このエポキシ樹脂接着剤はプレキュア
され、多層化のための接着剤層を形成し、このような片
面回路基板50を3枚作製した。(9) After that, the conductor circuit 40 is formed on one surface of the insulating base material 10 by performing the processing according to the above steps (2) to (5).
The opening that reaches the conductor circuit 40 from the other surface of the copper is filled with the electrolytic copper plating 18 and the electrolytic copper plating 18
A protruding conductor 44 is formed thereon, and the protruding conductor 44
Epoxy resin adhesive 4 on the surface of the insulating substrate 10 containing
6 was applied. This epoxy resin adhesive was precured to form an adhesive layer for multilayering, and three such single-sided circuit boards 50 were produced.
【0097】(10)上記(1)〜(9)の処理によっ
て形成された、1枚の両面回路基板34と、3枚の片面
回路基板50、52および54を、図3に示すような所
定の位置にスタックし、真空熱プレスを用いて180℃
の温度で積層一括プレスすることによって、全層がIV
H構造を有する多層化基板60を作成した(図8参
照)。(10) The one double-sided circuit board 34 and the three single-sided circuit boards 50, 52 and 54 formed by the processes (1) to (9) are At 180 ° C using a vacuum hot press
By pressing the stack at a temperature of
A multilayer substrate 60 having an H structure was created (see FIG. 8).
【0098】(11)このような多層回路基板60を構
成する最も外側の回路基板のうち、一方の回路基板50
(下層基板)の導体回路40上に、溶融温度が約230
℃のスズ/アンチモンはんだによってTピン64又はは
んだボール66を接続し、他方の回路基板54(上層基
板)の導体回路40上には、溶融温度が約183℃のス
ズ/鉛はんだからなるはんだ体を供給し、はんだバンプ
62を形成して多層回路基板を製作し、さらに、この多
層回路基板の上層回路基板に電子部品82を載置した状
態で、スズ/鉛はんだ溶融点近傍の雰囲気内でリフロー
させて、はんだバンプ62に電子部品82のはんだボー
ル84を溶融固着させることによって、多層回路基板と
電子部品とからなる半導体装置を製造した。(11) One of the outermost circuit boards constituting the multilayer circuit board 60 is one of the circuit boards 50
The melting temperature is about 230 on the conductive circuit 40 (lower substrate).
The T-pin 64 or the solder ball 66 is connected by tin / antimony solder at a temperature of ℃. Is supplied to form a solder bump 62 to produce a multilayer circuit board. Further, in a state in which the electronic component 82 is mounted on the upper circuit board of the multilayer circuit board, the electronic component 82 is placed in an atmosphere near the tin / lead solder melting point. By reflowing and melting and fixing the solder balls 84 of the electronic component 82 to the solder bumps 62, a semiconductor device including the multilayer circuit board and the electronic component was manufactured.
【0099】(実施例2)4層の片面回路基板を図1に
示すような所定位置に積層して、一括加熱プレスするこ
とによって多層化基板を形成し、最も外側に位置する一
方の回路基板の導体回路(導体パッド)に対してはんだ
バンプを形成し、他方の回路基板の外側に露出する突起
状導体が加熱プレスされて形成された導体パッドに対し
て、Tピン又ははんだボールが接着されたこと以外は、
実施例1と同様にして多層回路基板および半導体装置を
製造した。(Example 2) A four-layered single-sided circuit board is laminated at a predetermined position as shown in FIG. 1, and a multi-layered board is formed by batch heating and pressing. A solder bump is formed on the conductor circuit (conductor pad), and a T-pin or a solder ball is bonded to the conductor pad formed by heating and pressing the protruding conductor exposed outside the other circuit board. Other than that,
A multilayer circuit board and a semiconductor device were manufactured in the same manner as in Example 1.
【0100】(実施例3)図12に示すように、4層の
片面回路基板のうち、最も外側に位置する回路基板の一
方を、その導体回路に形成した導体パッド上に導電性バ
ンプを形成し、他方の回路基板を、絶縁性基材に設けた
開口に電解銅めっき層を充填しないような構成とし、そ
の開口内に露出する導体回路に形成した導体パッドに、
はんだ体を供給して導電性ピン64を接続させた構造と
したこと以外は、実施例1と同様にして多層回路基板お
よび半導体装置を製造した。(Embodiment 3) As shown in FIG. 12, one of the outermost circuit boards among the four-layer single-sided circuit boards is formed by forming conductive bumps on the conductor pads formed on the conductor circuit. Then, the other circuit board is configured so that the opening provided in the insulating base material is not filled with the electrolytic copper plating layer, and the conductor pad formed in the conductor circuit exposed in the opening has
A multilayer circuit board and a semiconductor device were manufactured in the same manner as in Example 1 except that the structure was such that the conductive pins 64 were connected by supplying a solder body.
【0101】上記実施例1〜3について、LSIチップ
からはんだバンプ、BGA(ボールグリッドアレイ)ま
たはPGA(ピングリッドアレイ)までの配線長、ランド
形成数およびランド総面積を調べた結果、従来のプリン
ト配線板より、配線長さで8/10〜1/2となり、ラ
ンド形成数は1.5〜2.0倍、ランド面積は2/3〜
8/10となり高密度配線が可能となった。As to the above Examples 1 to 3, the wiring length from the LSI chip to the solder bumps, BGA (ball grid array) or PGA (pin grid array), the number of lands formed, and the total land area were examined. From the wiring board, the wiring length is 8/10 to 1/2, the number of lands formed is 1.5 to 2.0 times, and the land area is 2/3 to
8/10, and high-density wiring became possible.
【0102】[0102]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層回路
基板によれば、硬質の絶縁性基材の片面または両面に導
体回路を有し、導体回路形成面と反対側の面からレーザ
照射により形成した微細な開口に導電性物質を充填した
ビアホールを有する回路基板の複数枚を積層して一括加
熱プレスすることによって形成した多層化基板のうち、
最も外側にある一方の回路基板にはそのビアホール直下
に導電性バンプを形成し、他方の回路基板にはそのビア
ホール直下に導電性ピンまたは導電性ボールを配設した
パッケージ基板に構成したので、多層化基板内の配線を
高密度化できるとともに、多層化基板の最も外側の表面
に、電子部品やマザーボードとの電気的接続をなす導電
性バンプ、導電性ピンまたは導電性ボールを高密度に配
置することができるので、高密度配線および電子部品の
高密度実装が可能となる。また、応力も緩和される構造
であるため、配線に反りもなく、Tピンや導電性バンプ
の平坦性も確保することができる。As described above, according to the multilayer circuit board of the present invention, a hard insulating base material has a conductor circuit on one or both sides, and laser irradiation is performed from the surface opposite to the surface on which the conductor circuit is formed. Of the multi-layer substrate formed by laminating a plurality of circuit boards having via holes filled with a conductive substance in the fine openings formed by
One outermost circuit board has conductive bumps formed directly under the via hole, and the other circuit board has a package board with conductive pins or conductive balls placed directly under the via hole. In addition to being able to increase the density of wiring in a multi-layer substrate, conductive bumps, conductive pins or conductive balls that make electrical connections with electronic components and motherboards are arranged on the outermost surface of the multi-layer substrate at high density Therefore, high-density wiring and high-density mounting of electronic components can be achieved. In addition, since the stress is relieved, the wiring is not warped, and the flatness of the T pin and the conductive bump can be secured.
【図1】本発明にかかる多層回路基板を構成する片面回
路基板の一積層状態を示す図である。FIG. 1 is a view showing a single-layer circuit board constituting a multilayer circuit board according to the present invention in a single-layer state;
【図2】本発明にかかる多層回路基板を構成する片面回
路基板の他の積層状態を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing another laminated state of the single-sided circuit board constituting the multilayer circuit board according to the present invention.
【図3】本発明にかかる多層回路基板を構成する片面回
路基板のその他の積層状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing another laminated state of the single-sided circuit board constituting the multilayer circuit board according to the present invention.
【図4】本発明にかかる多層回路基板を構成する片面回
路基板の更にその他の積層状態を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing still another laminated state of the single-sided circuit board constituting the multilayer circuit board according to the present invention.
【図5】(a)〜(g) は、本発明にかかる多層回路
基板を構成する両面回路基板の製造工程の一部を示す図
である。5 (a) to 5 (g) are views showing a part of a manufacturing process of a double-sided circuit board constituting a multilayer circuit board according to the present invention.
【図6】(a)〜(f) は、本発明にかかる多層回路
基板を構成する片面回路基板の製造工程の一部を示す図
である。FIGS. 6A to 6F are views showing a part of a manufacturing process of a single-sided circuit board constituting the multilayer circuit board according to the present invention.
【図7】本発明にかかる多層回路基板の一実施形態を示
す図である。FIG. 7 is a diagram showing one embodiment of a multilayer circuit board according to the present invention.
【図8】本発明にかかる多層回路基板を構成する片面回
路基板のビアホール位置を説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining a via hole position of a single-sided circuit board constituting the multilayer circuit board according to the present invention.
【図9】本発明にかかる多層回路基板の他の実施形態を
示す図である。FIG. 9 is a diagram showing another embodiment of the multilayer circuit board according to the present invention.
【図10】本発明にかかる多層回路基板の更に他の実施
形態を示す図である。FIG. 10 is a view showing still another embodiment of the multilayer circuit board according to the present invention.
【図11】本発明にかかる多層回路基板の他の実施形態
を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing another embodiment of the multilayer circuit board according to the present invention.
10 絶縁性基材 12 銅箔 14 保護フィルム 16 ビアホール形成用開口 18 電解銅めっき 20 充填ビアホール 22、42 導電性ペースト 24、44 突起状導体 26、46 樹脂接着剤層 28 銅箔 30、32 導体回路 34 両面回路基板 40 導体回路 50 片面導体回路 60、80 多層化基板 62 はんだバンプ 64 ピン 66 はんだボール 70、72、74、76 片面回路基板 82 LSI等の電子部品 83 ソルダーレジスト層 84 はんだボール 86 チップコンデンサ 88 スティフナ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Insulating base material 12 Copper foil 14 Protective film 16 Via hole forming opening 18 Electrolytic copper plating 20 Filling via hole 22, 42 Conductive paste 24, 44 Protrusion conductor 26, 46 Resin adhesive layer 28 Copper foil 30, 32 Conductor circuit 34 Double-sided circuit board 40 Conductor circuit 50 Single-sided conductor circuit 60, 80 Multi-layered board 62 Solder bump 64 Pin 66 Solder ball 70, 72, 74, 76 Single-sided circuit board 82 Electronic components such as LSI 83 Solder resist layer 84 Solder ball 86 Chip Capacitor 88 Stiffener
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 1/11 H01L 23/12 B N Fターム(参考) 5E317 AA01 AA24 BB01 BB11 CC08 CC25 CC31 CC53 CD34 CD40 GG09 GG14 5E338 AA03 BB02 BB12 BB25 BB72 BB75 CC01 CD03 CD33 EE26 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA22 AA32 AA43 AA51 CC02 CC04 CC09 CC32 DD02 DD12 DD32 DD45 EE06 EE09 EE13 EE15 EE18 FF04 FF07 FF14 FF18 FF24 FF35 FF45 GG15 GG17 GG18 GG22 GG25 GG28 HH11 HH22 HH25 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 1/11 H01L 23/12 BNF term (Reference) 5E317 AA01 AA24 BB01 BB11 CC08 CC25 CC31 CC53 CD34 CD40 GG09 GG14 5E338 AA03 BB02 BB12 BB25 BB72 BB75 CC01 CD03 CD33 EE26 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA22 AA32.
Claims (9)
回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回
路に達する開口に導電性物質が充填されてなるビアホー
ルを有する回路基板の複数枚が接着剤層を介して積層さ
れ、一括して加熱プレスされることにより形成された多
層回路基板において、 前記積層された複数の回路基板のうち、最も外側に位置
する一方の回路基板の表面には、上記ビアホールの直上
に位置してそのビアホールに電気的に接続される導電性
バンプが形成され、最も外側に位置する他方の回路基板
の表面には、前記ビアホールの直上に位置してそのビア
ホールに電気的に接続される導電性のピンまたは導電性
のボールが配設されていることを特徴とする多層回路基
板。1. A circuit having a conductive circuit on one or both sides of an insulating hard base material, and having a via hole filled with a conductive material in an opening penetrating the insulating hard base material and reaching the conductive circuit. In a multilayer circuit board formed by laminating a plurality of boards via an adhesive layer and hot-pressing all at once, one of the plurality of stacked circuit boards located at the outermost position A conductive bump is formed on the surface of the substrate and directly connected to the via hole, and is electrically connected to the via hole. And a conductive pin or a conductive ball electrically connected to the via hole.
し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回路に達す
る開口内に導電性物質が充填されてなるビアホールを有
する片面回路基板の複数枚と、絶縁性硬質基材の片面に
導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導
体回路に達する開口を有する片面回路基板とが接着剤層
を介してそれぞれ積層され、一括して加熱プレスされる
ことにより形成された多層回路基板において、 前記積層された複数の回路基板のうち、最も外側に位置
する一方の回路基板の表面には、上記ビアホールの直上
に位置してそのビアホールに電気的に接続される導電性
バンプが形成され、最も外側に位置する他方の回路基板
の開口内には、その回路基板の導体回路に電気的に接続
される導電性のピンまたは導電性のボールが配設されて
いることを特徴とする多層回路基板。2. A single-sided circuit having a conductor circuit on one side of an insulating hard base material and having a via hole filled with a conductive material in an opening penetrating the insulating hard base and reaching the conductor circuit. A plurality of boards and a single-sided circuit board having a conductor circuit on one side of the insulating hard base material and having an opening reaching the conductor circuit through the insulating hard base material respectively via an adhesive layer In the multilayer circuit board formed by being laminated and heat-pressed collectively, the surface of one of the outermost circuit boards among the plurality of laminated circuit boards is directly above the via hole. A conductive bump electrically connected to the via hole is formed, and a conductive bump electrically connected to a conductor circuit of the circuit board is formed in an opening of the other circuit board located on the outermost side. Pin or lead Multilayer circuit board, wherein the sex of balls are disposed.
は、そのビアホール位置に対応して、そのビアホールに
電気的に接続する突起状導体が形成されていることを特
徴とする請求項1または2に記載の多層回路基板。3. A circuit board according to claim 1, wherein each of the circuit boards constituting the multilayer circuit board has a protruding conductor electrically connected to the via hole corresponding to the via hole position. 3. The multilayer circuit board according to 2.
のビアホールに充填される導電性物質は、電解めっき処
理によって形成された金属めっき層であることを特徴と
する請求項1または2に記載の多層回路基板。4. The multi-layer circuit board according to claim 1, wherein the conductive material filled in the via hole of each circuit board is a metal plating layer formed by electrolytic plating. Multilayer circuit board.
アホール間の距離は、前記一方の回路基板から他方の回
路基板に向かうにつれて大きくなるように形成されるこ
とを特徴とする請求項1または2記載の多層回路基板。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein a distance between adjacent via holes formed in each of the circuit boards is formed to increase from the one circuit board toward the other circuit board. 2. The multilayer circuit board according to 2.
層回路基板と、その多層回路基板の最も外側の回路基板
に形成された導電性バンプに電気的に接続された電子部
品とを含んでなる半導体装置。6. A multilayer circuit board according to claim 1, further comprising an electronic component electrically connected to a conductive bump formed on an outermost circuit board of the multilayer circuit board. Semiconductor device.
基板の周縁部にはスティフナが配置されるとともに、そ
の回路基板と対向する最も外側の他の回路基板の表面に
は、コンデンサーチップが電気的に接続されてなる請求
項6に記載の半導体装置。7. A stiffener is arranged on a peripheral portion of an outermost circuit board on which the electronic component is mounted, and a capacitor chip is provided on a surface of another outermost circuit board facing the circuit board. 7. The semiconductor device according to claim 6, wherein the semiconductor device is electrically connected.
回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回
路に達する開口に電解めっきが充填されてなるビアホー
ルを有し、そのビアホール位置に対応して、そのビアホ
ールに電気的に接続する突起状導体とを有してなる回路
基板の複数枚が接着剤層を介して積層され、一括して加
熱プレスされることにより形成された多層回路基板と、 その多層回路基板の最も外側に位置する回路基板に電気
的に接続されたLSIチップ等の電子部品とを含んでな
る半導体装置において、前記最も外側に位置する一方の
回路基板の表面には、前記ビアホールの直上に位置して
そのビアホールに電気的に接続される導電性バンプが形
成されるとともに、その導電性バンプに対して前記電子
部品が電気的に接続され、前記電子部品が搭載された回
路基板と反対側にある最も外側に位置する回路基板の表
面には、前記電子部品直下にあるビアホールに対してチ
ップコンデンサーが電気的に接続されていることを特徴
とする半導体装置。8. An insulating hard base material having a conductor circuit on one or both surfaces thereof, an opening reaching the conductive circuit through the insulating hard base material, having a via hole filled with electrolytic plating, A plurality of circuit boards each having a projecting conductor electrically connected to the via hole corresponding to the position of the via hole are laminated via an adhesive layer, and are formed by being heat-pressed collectively. One of the outermost circuits is provided in a semiconductor device comprising a multi-layer circuit board, and an electronic component such as an LSI chip electrically connected to the outermost circuit board of the multi-layer circuit board. A conductive bump is formed on the surface of the substrate directly above the via hole and electrically connected to the via hole, and the electronic component is electrically connected to the conductive bump. A chip capacitor is electrically connected to a via hole immediately below the electronic component on a surface of an outermost circuit board located on a side opposite to the circuit board on which the electronic component is mounted. Characteristic semiconductor device.
縁部には、スティフナが接着・固定されていることを特
徴とする請求項8に記載の半導体装置。9. The semiconductor device according to claim 8, wherein a stiffener is adhered and fixed to a peripheral portion of the circuit board on which the electronic component is mounted.
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