JP2001210679A - フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置 - Google Patents
フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置Info
- Publication number
- JP2001210679A JP2001210679A JP2000019125A JP2000019125A JP2001210679A JP 2001210679 A JP2001210679 A JP 2001210679A JP 2000019125 A JP2000019125 A JP 2000019125A JP 2000019125 A JP2000019125 A JP 2000019125A JP 2001210679 A JP2001210679 A JP 2001210679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- film carrier
- carrier tape
- wiring pattern
- plating solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 251
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 238000009991 scouring Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/168—Control of temperature, e.g. temperature of bath, substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ソルダーレジストや接着剤の端部に位置する
銅箔にえぐれが生じることが無いフィルムキャリアテー
プの製造方法およびメッキ装置を提供する。 【解決手段】 メッキ装置４４を第１メッキ浴槽４６と
第２メッキ浴槽４８と、搬送経路５４とで構成する。第
１メッキ浴槽４６におけるメッキ液６０の液温度は第２
メッキ浴槽４８より低温側に設定される。また搬送経路
５４は、スプロケットにより構成されフィルムキャリア
テープ２０の搬送を可能にしている。このようなメッキ
装置４４では、第１メッキ浴槽４６において析出量が少
ないため露出部の表面に均一にメッキ層を形成すること
ができる。そしてメッキ層を形成した後にフィルムキャ
リアテープ２０を第２メッキ浴槽４８に投入すれば、先
のメッキ層の上側に新たなメッキ層を形成することがで
き、露出部に均一で十分な厚みを有したメッキ層を形成
することができる。
銅箔にえぐれが生じることが無いフィルムキャリアテー
プの製造方法およびメッキ装置を提供する。 【解決手段】 メッキ装置４４を第１メッキ浴槽４６と
第２メッキ浴槽４８と、搬送経路５４とで構成する。第
１メッキ浴槽４６におけるメッキ液６０の液温度は第２
メッキ浴槽４８より低温側に設定される。また搬送経路
５４は、スプロケットにより構成されフィルムキャリア
テープ２０の搬送を可能にしている。このようなメッキ
装置４４では、第１メッキ浴槽４６において析出量が少
ないため露出部の表面に均一にメッキ層を形成すること
ができる。そしてメッキ層を形成した後にフィルムキャ
リアテープ２０を第２メッキ浴槽４８に投入すれば、先
のメッキ層の上側に新たなメッキ層を形成することがで
き、露出部に均一で十分な厚みを有したメッキ層を形成
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高密度実装に関する
技術分野に係り、特に可撓性を有した長尺基板を用いる
フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置に
関する。
技術分野に係り、特に可撓性を有した長尺基板を用いる
フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高密度実装の手段の一つとしてフ
ィルムキャリアに半導体チップを実装した形態が知られ
ている。そして前記フィルムキャリアに半導体チップを
実装した後、前記半導体を囲うようにフィルムキャリア
を打ち抜き形成したものをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ
ｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）と称しており、液晶パネ
ル駆動用のドライバ等として広く用いられている。
ィルムキャリアに半導体チップを実装した形態が知られ
ている。そして前記フィルムキャリアに半導体チップを
実装した後、前記半導体を囲うようにフィルムキャリア
を打ち抜き形成したものをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ
ｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）と称しており、液晶パネ
ル駆動用のドライバ等として広く用いられている。
【０００３】図４は、従来のフィルムキャリアテープの
形態を示す説明図である。同図に示すようにフィルムキ
ャリアテープ１は、可撓性を有した長尺基板２からな
り、当該長尺基板２にホール類を打ち抜き形成した後、
配線パターンを形成することで製作されている。前記長
尺基板２はポリイミド材からなり、その両側にはスプロ
ケットホール（図示せず、ａ範囲に形成）が長手方向に
沿って連続形成され、搬送経路の途中に設けられたスプ
ロケットに噛み合わされることで、長尺基板２を搬送方
向（図中矢印を参照）に沿って搬送可能にしている。
形態を示す説明図である。同図に示すようにフィルムキ
ャリアテープ１は、可撓性を有した長尺基板２からな
り、当該長尺基板２にホール類を打ち抜き形成した後、
配線パターンを形成することで製作されている。前記長
尺基板２はポリイミド材からなり、その両側にはスプロ
ケットホール（図示せず、ａ範囲に形成）が長手方向に
沿って連続形成され、搬送経路の途中に設けられたスプ
ロケットに噛み合わされることで、長尺基板２を搬送方
向（図中矢印を参照）に沿って搬送可能にしている。
【０００４】こうした長尺基板２には、フィルムキャリ
ア３を打ち抜き形成するため当該フィルムキャリア３の
形状に一致する打ち抜き領域４が設定されており、当該
打ち抜き領域４は、長尺基板２の搬送経路に沿って複数
等間隔で設定される。また打ち抜き領域４の内側には半
導体チップ（図示せず）を収容可能にするだけの大きさ
を有したデバイスホール５と、このデバイスホール５に
隣接する入力端子ホール６とが打ち抜き形成されてい
る。
ア３を打ち抜き形成するため当該フィルムキャリア３の
形状に一致する打ち抜き領域４が設定されており、当該
打ち抜き領域４は、長尺基板２の搬送経路に沿って複数
等間隔で設定される。また打ち抜き領域４の内側には半
導体チップ（図示せず）を収容可能にするだけの大きさ
を有したデバイスホール５と、このデバイスホール５に
隣接する入力端子ホール６とが打ち抜き形成されてい
る。
【０００５】そしてデバイスホール５と入力端子ホール
６との間には銅材からなる配線パターン７（図中は形成
領域を表示）が前述した半導体チップの端子数に対応す
る本数だけ形成され、その片側端部はデバイスホール５
の縁からインナーリード９（図中は形成領域を表示）と
して突出し、前記半導体チップの端子との導通を図るよ
うにしている。また配線パターン７においてインナーリ
ード９が形成される反対側は、前記配線パターン７が入
力端子ホール６を跨いで引き出され、この入力端子ホー
ル６を跨ぐ配線パターン７の部分を入力端子８とし、図
示しない外部基板に形成された端子への接続を行うよう
にしている。
６との間には銅材からなる配線パターン７（図中は形成
領域を表示）が前述した半導体チップの端子数に対応す
る本数だけ形成され、その片側端部はデバイスホール５
の縁からインナーリード９（図中は形成領域を表示）と
して突出し、前記半導体チップの端子との導通を図るよ
うにしている。また配線パターン７においてインナーリ
ード９が形成される反対側は、前記配線パターン７が入
力端子ホール６を跨いで引き出され、この入力端子ホー
ル６を跨ぐ配線パターン７の部分を入力端子８とし、図
示しない外部基板に形成された端子への接続を行うよう
にしている。
【０００６】一方、デバイスホール５において入力端子
ホール６が形成される反対側からは、半導体チップの端
子数に相当するだけの配線パターン７が引き出され、そ
の先端には、他の外部基板との接触をなすための出力端
子１０が形成されている。
ホール６が形成される反対側からは、半導体チップの端
子数に相当するだけの配線パターン７が引き出され、そ
の先端には、他の外部基板との接触をなすための出力端
子１０が形成されている。
【０００７】こうしたフィルムキャリアテープ１の制作
手順は、まず長尺基板２にデバイスホール５や入力端子
ホール６などのホール類を打ち抜き形成し、その後長尺
基板２に銅箔を接着剤を用いて貼りつけるとともに露光
とエッチングを用いて配線パターン７等を形成する。そ
して前記工程にて配線パターン７、入力端子８、インナ
ーリード９を形成した後、配線パターン７上に当該配線
パターン７の保護用のソルダーレジストを塗布するとと
もに、フィルムキャリア１を錫メッキ槽内に投入し、入
力端子８やインナーリード９の表面にメッキ処理を施す
ようにしている。
手順は、まず長尺基板２にデバイスホール５や入力端子
ホール６などのホール類を打ち抜き形成し、その後長尺
基板２に銅箔を接着剤を用いて貼りつけるとともに露光
とエッチングを用いて配線パターン７等を形成する。そ
して前記工程にて配線パターン７、入力端子８、インナ
ーリード９を形成した後、配線パターン７上に当該配線
パターン７の保護用のソルダーレジストを塗布するとと
もに、フィルムキャリア１を錫メッキ槽内に投入し、入
力端子８やインナーリード９の表面にメッキ処理を施す
ようにしている。
【０００８】図６は、フィルムキャリアテープ１に錫メ
ッキを施すためのメッキ装置の構造説明図である。同図
に示すようにメッキ装置１１ではメッキ浴槽１２が設け
られている。そしてこのメッキ浴槽１２の内側には従動
側スプロケット１３が複数設けられているとともに、前
記メッキ浴槽１２の前後には駆動側スプロケット１４が
それぞれ設けられている。このようなメッキ装置１１で
は駆動側スプロケット１４を稼働させることで、フィル
ムキャリアテープ１を順次メッキ浴槽１２内のメッキ液
１５に浸すことができ、入力端子８やインナーリード９
の表面にメッキ処理を行うことができる。なおこのよう
なメッキ処理では、均一な膜厚を得る目的から、無電解
メッキ（いわゆる化学メッキ）が用いられている。
ッキを施すためのメッキ装置の構造説明図である。同図
に示すようにメッキ装置１１ではメッキ浴槽１２が設け
られている。そしてこのメッキ浴槽１２の内側には従動
側スプロケット１３が複数設けられているとともに、前
記メッキ浴槽１２の前後には駆動側スプロケット１４が
それぞれ設けられている。このようなメッキ装置１１で
は駆動側スプロケット１４を稼働させることで、フィル
ムキャリアテープ１を順次メッキ浴槽１２内のメッキ液
１５に浸すことができ、入力端子８やインナーリード９
の表面にメッキ処理を行うことができる。なおこのよう
なメッキ処理では、均一な膜厚を得る目的から、無電解
メッキ（いわゆる化学メッキ）が用いられている。
【０００９】そしてメッキ処理工程が終了しフィルムキ
ャリアテープ１が完成した後は、図示しない半導体チッ
プをデバイスホール５内に位置決めするとともに前記半
導体チップに設けられている金バンプ（いわゆる接続用
端子）にインナーリード９を熱圧着させ、共晶化によっ
て接合を行うようにしている。
ャリアテープ１が完成した後は、図示しない半導体チッ
プをデバイスホール５内に位置決めするとともに前記半
導体チップに設けられている金バンプ（いわゆる接続用
端子）にインナーリード９を熱圧着させ、共晶化によっ
て接合を行うようにしている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述したメッ
キ処理では、単位時間の析出量が少ないためメッキ液が
分解しない程度に液温度を上昇させて使用することが一
般的である。しかしこのように液温度を上昇させてフィ
ルムキャリアテープへのメッキ処理を行うと、置換反応
が促進され析出スピードが増すものの、銅箔からなる配
線パターンに障害が生じるおそれがあった（６５〜７０
℃のメッキ液に３〜４分程度浸すことで、０．５〜０．
８μm程度のメッキ厚が得られる）。
キ処理では、単位時間の析出量が少ないためメッキ液が
分解しない程度に液温度を上昇させて使用することが一
般的である。しかしこのように液温度を上昇させてフィ
ルムキャリアテープへのメッキ処理を行うと、置換反応
が促進され析出スピードが増すものの、銅箔からなる配
線パターンに障害が生じるおそれがあった（６５〜７０
℃のメッキ液に３〜４分程度浸すことで、０．５〜０．
８μm程度のメッキ厚が得られる）。
【００１１】図５は、図４におけるＡＡ断面の要部拡大
図である。すなわち同図に示すように配線パターン７上
に形成されるソルダーレジスト１６の端部、あるいは入
力端子８の根元では、他の部分に比べ置換反応が何倍に
も加速され、配線パターン７にえぐれ１８が生じるおそ
れがあった（ところでこうしたえぐれ１８にも置換作用
によりメッキ層１９が形成されるが、当該えぐれ１８で
はメッキ層１９が密着せず浮いた形態となっている）。
図である。すなわち同図に示すように配線パターン７上
に形成されるソルダーレジスト１６の端部、あるいは入
力端子８の根元では、他の部分に比べ置換反応が何倍に
も加速され、配線パターン７にえぐれ１８が生じるおそ
れがあった（ところでこうしたえぐれ１８にも置換作用
によりメッキ層１９が形成されるが、当該えぐれ１８で
はメッキ層１９が密着せず浮いた形態となっている）。
【００１２】そして配線パターン７にえぐれ１８が発生
すると、配線パターン７の抵抗値が上昇したり、あるい
は外力が加わった場合に前記えぐれ１８がクラックの役
割をなし、配線パターン７に断線が生じるおそれがあっ
た。
すると、配線パターン７の抵抗値が上昇したり、あるい
は外力が加わった場合に前記えぐれ１８がクラックの役
割をなし、配線パターン７に断線が生じるおそれがあっ
た。
【００１３】ところで配線パターン７上に形成されるソ
ルダーレジスト１６の端部、あるいは入力端子８の根元
に存在する不純物の除去を行うと、えぐれ１８の大きさ
が小さくなることは経験的に知られている。しかしメッ
キ工程の前段に洗浄工程を設けるようにしても、不純物
を完全に除去することは難しく、えぐれ１８自体は依然
として存在するので上記問題点を根本から対策できるも
のではなかった。そして洗浄工程を設けることにより、
工数が増加するという新たな問題も発生する。
ルダーレジスト１６の端部、あるいは入力端子８の根元
に存在する不純物の除去を行うと、えぐれ１８の大きさ
が小さくなることは経験的に知られている。しかしメッ
キ工程の前段に洗浄工程を設けるようにしても、不純物
を完全に除去することは難しく、えぐれ１８自体は依然
として存在するので上記問題点を根本から対策できるも
のではなかった。そして洗浄工程を設けることにより、
工数が増加するという新たな問題も発生する。
【００１４】本発明は、上記従来の問題点に着目し、メ
ッキ処理を行ってもソルダーレジストあるいは接着剤の
端部に位置する銅箔にえぐれが生じることが無く、抵抗
値の増加あるいは断線等の障害を防止することのできる
フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置を
提供することを目的とする。
ッキ処理を行ってもソルダーレジストあるいは接着剤の
端部に位置する銅箔にえぐれが生じることが無く、抵抗
値の増加あるいは断線等の障害を防止することのできる
フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置を
提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、温度の異なる
メッキ液にフィルムキャリアテープを浸すようにすれば
析出速度を異ならせることができ、銅箔にえぐれを生じ
させることが防止出来るとともに、十分な膜厚を有した
メッキ層を形成することができるという知見に基づいて
なされたものである。
メッキ液にフィルムキャリアテープを浸すようにすれば
析出速度を異ならせることができ、銅箔にえぐれを生じ
させることが防止出来るとともに、十分な膜厚を有した
メッキ層を形成することができるという知見に基づいて
なされたものである。
【００１６】すなわち請求項１に記載のフィルムキャリ
アテープの製造方法は、可撓性を有した基板上に配線パ
ターンが形成されたフィルムキャリアテープの製造方法
であって、前記フィルムキャリアテープを低温側のメッ
キ液に浸し置換反応にて前記配線パターンの露出部にメ
ッキ層を形成した後、高温側のメッキ液に前記フィルム
キャリアテープを浸し前記メッキ層の厚みを増加させる
ことを特徴としている。請求項１に記載のフィルムキャ
リアテープの製造方法によれば、フィルムキャリアテー
プは、まず低温側のメッキ液に浸される。そして配線パ
ターンの露出部がメッキ液に浸されると、前記配線パタ
ーンがメッキ液中に溶け出すとともにメッキ液より析出
がなされ、配線パターンの表面にメッキ層が形成され
る。ここでメッキ液は低温に設定されていることから、
メッキ液においては単位時間での析出量が小さく置換反
応が僅かである。このため配線パターンの露出部の隅
部、すなわち配線パターンを覆っている被覆部材の端部
に位置する配線パターン領域においても置換反応速度が
抑制され、他の配線パターンの領域と同様の置換反応を
得ることができ、配線パターンの露出部においては均一
な厚みを有したメッキ層を形成することができる。
アテープの製造方法は、可撓性を有した基板上に配線パ
ターンが形成されたフィルムキャリアテープの製造方法
であって、前記フィルムキャリアテープを低温側のメッ
キ液に浸し置換反応にて前記配線パターンの露出部にメ
ッキ層を形成した後、高温側のメッキ液に前記フィルム
キャリアテープを浸し前記メッキ層の厚みを増加させる
ことを特徴としている。請求項１に記載のフィルムキャ
リアテープの製造方法によれば、フィルムキャリアテー
プは、まず低温側のメッキ液に浸される。そして配線パ
ターンの露出部がメッキ液に浸されると、前記配線パタ
ーンがメッキ液中に溶け出すとともにメッキ液より析出
がなされ、配線パターンの表面にメッキ層が形成され
る。ここでメッキ液は低温に設定されていることから、
メッキ液においては単位時間での析出量が小さく置換反
応が僅かである。このため配線パターンの露出部の隅
部、すなわち配線パターンを覆っている被覆部材の端部
に位置する配線パターン領域においても置換反応速度が
抑制され、他の配線パターンの領域と同様の置換反応を
得ることができ、配線パターンの露出部においては均一
な厚みを有したメッキ層を形成することができる。
【００１７】このように均一な厚みからなるメッキ層を
配線パターンの露出部に形成した後は、高温側に設定さ
れたメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸す。こ
こで高温側に設定されたメッキ液では、単位時間での析
出量が大きい。このため低温側のメッキ液によって形成
されたメッキのピンホールを介してメッキ層の厚み方向
に新たなメッキが析出し、メッキ層の厚みが増加してい
く。そしてあらかじめ設定された厚みにメッキ層が達し
たならば（通常は浸漬時間で管理を行う）、高温側のメ
ッキ液からフィルムキャリアテープを引き揚げればよ
い。このように温度差の異なるメッキ液にフィルムキャ
リアテープを浸すことで、配線パターンにおける露出部
に均一な厚みのメッキ層を形成することができる。ゆえ
に配線パターンの露出部の隅部においてもえぐれが生じ
ることがなく、配線パターンにおける抵抗値の増大、あ
るいは外力が加わった際に断線が生じるのを防止するこ
とができる。
配線パターンの露出部に形成した後は、高温側に設定さ
れたメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸す。こ
こで高温側に設定されたメッキ液では、単位時間での析
出量が大きい。このため低温側のメッキ液によって形成
されたメッキのピンホールを介してメッキ層の厚み方向
に新たなメッキが析出し、メッキ層の厚みが増加してい
く。そしてあらかじめ設定された厚みにメッキ層が達し
たならば（通常は浸漬時間で管理を行う）、高温側のメ
ッキ液からフィルムキャリアテープを引き揚げればよ
い。このように温度差の異なるメッキ液にフィルムキャ
リアテープを浸すことで、配線パターンにおける露出部
に均一な厚みのメッキ層を形成することができる。ゆえ
に配線パターンの露出部の隅部においてもえぐれが生じ
ることがなく、配線パターンにおける抵抗値の増大、あ
るいは外力が加わった際に断線が生じるのを防止するこ
とができる。
【００１８】また請求項２に記載のフィルムキャリアの
製造方法は、可撓性を有した長尺基板上に沿って配線パ
ターンが連続して形成されたフィルムキャリアテープの
製造方法であって、前記フィルムキャリアテープを長手
方向に搬送させ低温側のメッキ液に浸し置換反応にて前
記配線パターンの露出部にメッキ層を形成した後、高温
側のメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸し前記
メッキ層の厚みを増加させることを特徴としている。請
求項２に記載のフィルムキャリアテープの製造方法によ
れば、上記請求項１において記載した作用に加え、低温
側のメッキ液および高温側のメッキ液にフィルムキャリ
アテープを連続して投入することができる。このため長
尺基板に沿って連続形成された配線パターンに対して効
率のよいメッキ処理が可能になる。
製造方法は、可撓性を有した長尺基板上に沿って配線パ
ターンが連続して形成されたフィルムキャリアテープの
製造方法であって、前記フィルムキャリアテープを長手
方向に搬送させ低温側のメッキ液に浸し置換反応にて前
記配線パターンの露出部にメッキ層を形成した後、高温
側のメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸し前記
メッキ層の厚みを増加させることを特徴としている。請
求項２に記載のフィルムキャリアテープの製造方法によ
れば、上記請求項１において記載した作用に加え、低温
側のメッキ液および高温側のメッキ液にフィルムキャリ
アテープを連続して投入することができる。このため長
尺基板に沿って連続形成された配線パターンに対して効
率のよいメッキ処理が可能になる。
【００１９】請求項３に記載のフィルムキャリアの製造
方法は、前記露出部は、入力端子またはインナーリード
であることを特徴としている。請求項３に記載のフィル
ムキャリアの製造方法によれば、入力端子ホールの縁辺
から突出する入力端子、または半導体チップを収容する
デバイスホールの縁辺から突出するインナーリードにメ
ッキを施すことで、前記入力端子またはインナーリード
の防錆を行うことができる。
方法は、前記露出部は、入力端子またはインナーリード
であることを特徴としている。請求項３に記載のフィル
ムキャリアの製造方法によれば、入力端子ホールの縁辺
から突出する入力端子、または半導体チップを収容する
デバイスホールの縁辺から突出するインナーリードにメ
ッキを施すことで、前記入力端子またはインナーリード
の防錆を行うことができる。
【００２０】請求項４に記載のフィルムキャリアの製造
方法は、前記メッキ層は錫からなることを特徴としてい
る。請求項４に記載のフィルムキャリアの製造方法によ
れば、錫は金との共晶にて十分な接合強度を得ることが
できる。このため一般的に金メッキが施された半導体チ
ップの接続用端子等に対して、インナーリードは十分な
接合強度を得ることができ、接合に際しての信頼性を向
上させることができる。また錫メッキを用いることで、
各種有機酸にも耐えられることはいうまでもない。
方法は、前記メッキ層は錫からなることを特徴としてい
る。請求項４に記載のフィルムキャリアの製造方法によ
れば、錫は金との共晶にて十分な接合強度を得ることが
できる。このため一般的に金メッキが施された半導体チ
ップの接続用端子等に対して、インナーリードは十分な
接合強度を得ることができ、接合に際しての信頼性を向
上させることができる。また錫メッキを用いることで、
各種有機酸にも耐えられることはいうまでもない。
【００２１】請求項５に記載のフィルムキャリアの製造
方法は、低温側の前記メッキ液を１０〜４０℃に設定す
るとともに、高温側の前記メッキ液を６５〜７０℃に設
定したことを特徴としている。請求項５に記載のフィル
ムキャリアの製造方法によれば、低温側のメッキ液にて
露出部の表面に緻密な析出粒子からなるメッキ層を形成
することができる。そして高温側のメッキ液において
は、低温側のメッキ液にて形成されたメッキ層の上側に
粒径の大きな粒子を析出させることができ、短時間であ
らかじめ設定された膜厚までメッキ層を形成することが
できる。
方法は、低温側の前記メッキ液を１０〜４０℃に設定す
るとともに、高温側の前記メッキ液を６５〜７０℃に設
定したことを特徴としている。請求項５に記載のフィル
ムキャリアの製造方法によれば、低温側のメッキ液にて
露出部の表面に緻密な析出粒子からなるメッキ層を形成
することができる。そして高温側のメッキ液において
は、低温側のメッキ液にて形成されたメッキ層の上側に
粒径の大きな粒子を析出させることができ、短時間であ
らかじめ設定された膜厚までメッキ層を形成することが
できる。
【００２２】請求項６に記載のメッキ装置は、メッキ液
の温度を低温側に設定した第１メッキ浴槽と、前記メッ
キ液の温度を前記第１メッキ浴槽側より高温側に設定し
た第２メッキ浴槽とを設けるとともに、可撓性を有した
長尺基板上に配線パターンが連続して形成されたフィル
ムキャリアテープの搬送経路を前記第１メッキ浴槽と前
記第２メッキ浴槽とを通過するよう設定したことを特徴
としている。請求項６に記載のメッキ装置によれば、搬
送経路に沿ってフィルムキャリアテープを搬送させれ
ば、当該フィルムキャリアテープはまず第１メッキ浴槽
に投入される。ここで第１メッキ浴槽は、メッキ液の温
度が低温に設定されていることから、析出量が抑えら
れ、フィルムキャリアに形成された配線パターンの露出
部に均一なメッキ厚を形成することができる。そして配
線パターンの露出部にメッキを形成した後は、前記フィ
ルムキャリアテープを第２メッキ浴槽へと投入する。こ
こで第２メッキ浴槽では、第１メッキ浴槽に比べメッキ
液の温度が高く設定されているので、配線パターンの露
出部に形成されたメッキの上層に新たなメッキを短時間
で形成することができる。そしてあらかじめ設定した膜
厚にメッキ層が形成された後は、フィルムキャリアテー
プを第２メッキ浴槽から取り出し、次段の工程へと搬送
経路を経て投入すればよい。このようにフィルムキャリ
アの搬送経路上に第１および第２メッキ浴槽を形成すれ
ば、前記フィルムキャリアを搬送させるだけで配線パタ
ーンの露出部にメッキ層を形成させることができる。
の温度を低温側に設定した第１メッキ浴槽と、前記メッ
キ液の温度を前記第１メッキ浴槽側より高温側に設定し
た第２メッキ浴槽とを設けるとともに、可撓性を有した
長尺基板上に配線パターンが連続して形成されたフィル
ムキャリアテープの搬送経路を前記第１メッキ浴槽と前
記第２メッキ浴槽とを通過するよう設定したことを特徴
としている。請求項６に記載のメッキ装置によれば、搬
送経路に沿ってフィルムキャリアテープを搬送させれ
ば、当該フィルムキャリアテープはまず第１メッキ浴槽
に投入される。ここで第１メッキ浴槽は、メッキ液の温
度が低温に設定されていることから、析出量が抑えら
れ、フィルムキャリアに形成された配線パターンの露出
部に均一なメッキ厚を形成することができる。そして配
線パターンの露出部にメッキを形成した後は、前記フィ
ルムキャリアテープを第２メッキ浴槽へと投入する。こ
こで第２メッキ浴槽では、第１メッキ浴槽に比べメッキ
液の温度が高く設定されているので、配線パターンの露
出部に形成されたメッキの上層に新たなメッキを短時間
で形成することができる。そしてあらかじめ設定した膜
厚にメッキ層が形成された後は、フィルムキャリアテー
プを第２メッキ浴槽から取り出し、次段の工程へと搬送
経路を経て投入すればよい。このようにフィルムキャリ
アの搬送経路上に第１および第２メッキ浴槽を形成すれ
ば、前記フィルムキャリアを搬送させるだけで配線パタ
ーンの露出部にメッキ層を形成させることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係るフィルムキャ
リアテープの製造方法およびメッキ装置に好適な具体的
実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
リアテープの製造方法およびメッキ装置に好適な具体的
実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】図２は、メッキ装置に投入されるフィルム
キャリアテープの形態を示す説明図である。同図に示す
ように、フィルムキャリアテープ２０は、可撓性を有し
た長尺基板２２からなり、当該長尺基板２２にデバイス
ホールやアウターリードホールを打ち抜きによって形成
した後、これらホールの周囲に配線パターンを引き回す
ことで製作される。
キャリアテープの形態を示す説明図である。同図に示す
ように、フィルムキャリアテープ２０は、可撓性を有し
た長尺基板２２からなり、当該長尺基板２２にデバイス
ホールやアウターリードホールを打ち抜きによって形成
した後、これらホールの周囲に配線パターンを引き回す
ことで製作される。
【００２５】長尺基板２２はポリイミド製のフィルム形
状となっており、その幅方向両端にはスプロケットホー
ル（図示せず、同図ａ領域に形成）が長尺基板２２の長
手方向に沿って等間隔に複数配設され、搬送経路の途中
に設けられたスプロケットに噛み合わされることで、長
尺基板２２を搬送方向（図中矢印を参照）に沿って移動
可能にしている。
状となっており、その幅方向両端にはスプロケットホー
ル（図示せず、同図ａ領域に形成）が長尺基板２２の長
手方向に沿って等間隔に複数配設され、搬送経路の途中
に設けられたスプロケットに噛み合わされることで、長
尺基板２２を搬送方向（図中矢印を参照）に沿って移動
可能にしている。
【００２６】このような長尺基板２２にはその長手方向
に沿って、フィルムキャリア２４の打ち抜き外形に相当
する、打ち抜き領域２６が複数等間隔に設定されてい
る。
に沿って、フィルムキャリア２４の打ち抜き外形に相当
する、打ち抜き領域２６が複数等間隔に設定されてい
る。
【００２７】そして当該打ち抜き領域２６の内側には、
半導体チップ（図示せず）を収容するだけの大きさを有
したデバイスホール２８と、このデバイスホール２８に
隣接する入力端子ホール３０とが設けられる。またデバ
イスホール２８と入力端子ホール３０との間には配線パ
ターン３２（図中は形成領域を表示）が形成され、当該
配線パターン３２の一端をデバイスホール２８の縁より
突出させ、これを入力側インナーリード３４（図中は形
成領域を表示）とし、半導体チップの表面に形成される
接続用端子との接続を図るようにしている。また配線パ
ターン３２における入力側インナーリード３４が形成さ
れる反対側は、入力端子ホール３０を跨いで配線パター
ン３２が引き回され、この入力端子ホール３０を跨ぐ配
線パターン３２の範囲を入力端子３６（図中は形成領域
を表示）とし、図示しない外部基板に形成される接続用
端子との接続を図るようにしている。
半導体チップ（図示せず）を収容するだけの大きさを有
したデバイスホール２８と、このデバイスホール２８に
隣接する入力端子ホール３０とが設けられる。またデバ
イスホール２８と入力端子ホール３０との間には配線パ
ターン３２（図中は形成領域を表示）が形成され、当該
配線パターン３２の一端をデバイスホール２８の縁より
突出させ、これを入力側インナーリード３４（図中は形
成領域を表示）とし、半導体チップの表面に形成される
接続用端子との接続を図るようにしている。また配線パ
ターン３２における入力側インナーリード３４が形成さ
れる反対側は、入力端子ホール３０を跨いで配線パター
ン３２が引き回され、この入力端子ホール３０を跨ぐ配
線パターン３２の範囲を入力端子３６（図中は形成領域
を表示）とし、図示しない外部基板に形成される接続用
端子との接続を図るようにしている。
【００２８】一方、デバイスホール２８における入力側
インナーリード３４が形成される反対側の縁には出力側
インナーリード３８が形成される。当該出力側インナー
リード３８も半導体チップの接続用端子の数に応じた本
数だけ突出形成されており、これら出力側インナーリー
ド３８を片側端部とする配線パターン４０（図中は形成
領域を表示）は、入力端子ホール３０が形成される反対
側へと引き延ばされ、その延長先端部には他の外部基板
への接続をなすため配線パターン４０に半田メッキが施
され、出力端子４２を形成するようにしている。
インナーリード３４が形成される反対側の縁には出力側
インナーリード３８が形成される。当該出力側インナー
リード３８も半導体チップの接続用端子の数に応じた本
数だけ突出形成されており、これら出力側インナーリー
ド３８を片側端部とする配線パターン４０（図中は形成
領域を表示）は、入力端子ホール３０が形成される反対
側へと引き延ばされ、その延長先端部には他の外部基板
への接続をなすため配線パターン４０に半田メッキが施
され、出力端子４２を形成するようにしている。
【００２９】図１は、本実施の形態に係るメッキ装置を
用いてフィルムキャリアテープを製造する手順を示した
工程説明図である。同図に示すように、フィルムキャリ
アテープ２０へのメッキ処理をなすメッキ装置４４は、
２つのメッキ浴槽と、これら２つのメッキ浴槽を通過す
るように設定された搬送経路とで構成されている。
用いてフィルムキャリアテープを製造する手順を示した
工程説明図である。同図に示すように、フィルムキャリ
アテープ２０へのメッキ処理をなすメッキ装置４４は、
２つのメッキ浴槽と、これら２つのメッキ浴槽を通過す
るように設定された搬送経路とで構成されている。
【００３０】上記メッキ装置４４を構成するメッキ浴槽
は、第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８とからな
り、これらメッキ浴槽は一つの容器５０を一枚の仕切板
５２によって区切ることによって形成されている。そし
て第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８の内面に
は、メッキ液により腐食を防止する目的から塩化ビニー
ルあるいはその表面にゴムを貼り付けた形態にすること
が望ましい。また第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽
４８には、それぞれ独立した温度調整手段となるヒータ
（図示せず）が設けられており、これらヒータを稼働さ
せることで、メッキ浴槽に満たされたメッキ液の温度調
整を行えるようにしている。
は、第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８とからな
り、これらメッキ浴槽は一つの容器５０を一枚の仕切板
５２によって区切ることによって形成されている。そし
て第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８の内面に
は、メッキ液により腐食を防止する目的から塩化ビニー
ルあるいはその表面にゴムを貼り付けた形態にすること
が望ましい。また第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽
４８には、それぞれ独立した温度調整手段となるヒータ
（図示せず）が設けられており、これらヒータを稼働さ
せることで、メッキ浴槽に満たされたメッキ液の温度調
整を行えるようにしている。
【００３１】このように構成されたメッキ浴槽を通過す
るように、フィルムキャリアテープ２０の搬送をなす搬
送経路５４が形成される。当該搬送経路５４は、容器５
０の前後に配置された駆動側スプロケット５６と、容器
５０の内側すなわち第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴
槽４８の底部に配置された従動側スプロケット５８とか
ら構成されている。そしてこれらスプロケットは、長尺
基板２２の幅方向両端に形成されたスプロケットホール
に噛み合わされ、フィルムキャリアテープ２０をスプロ
ケットの配置位置に沿って搬送可能にしている。
るように、フィルムキャリアテープ２０の搬送をなす搬
送経路５４が形成される。当該搬送経路５４は、容器５
０の前後に配置された駆動側スプロケット５６と、容器
５０の内側すなわち第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴
槽４８の底部に配置された従動側スプロケット５８とか
ら構成されている。そしてこれらスプロケットは、長尺
基板２２の幅方向両端に形成されたスプロケットホール
に噛み合わされ、フィルムキャリアテープ２０をスプロ
ケットの配置位置に沿って搬送可能にしている。
【００３２】なお複数の従動側スプロケット５８では、
メッキ浴槽においてその位置関係が上側→下側→上側に
示されるように交互に配置がなされており、メッキ液６
０に浸されるフィルムキャリアテープ２０の領域を大き
くとれるようにしている。なお当該メッキ液６０は、無
電解錫メッキ用の溶液とし、銅からなるインナーリード
およびアウターリードをこの溶液に浸すことで、その表
面に錫メッキを形成できるようにしている。また仕切板
５２の上側先端部にも従動側スプロケット５８が設けら
れ、当該従動側スプロケット５８を通過することで、第
１メッキ浴槽４６から第２メッキ浴槽４８への移動を容
易に行えるようにしている。そして前記仕切板５２は、
メッキ液６０の温度差が異なるメッキ浴槽を構成してい
ることから、互いのメッキ浴槽に熱が及ばないよう断熱
材で形成されることが望ましい。
メッキ浴槽においてその位置関係が上側→下側→上側に
示されるように交互に配置がなされており、メッキ液６
０に浸されるフィルムキャリアテープ２０の領域を大き
くとれるようにしている。なお当該メッキ液６０は、無
電解錫メッキ用の溶液とし、銅からなるインナーリード
およびアウターリードをこの溶液に浸すことで、その表
面に錫メッキを形成できるようにしている。また仕切板
５２の上側先端部にも従動側スプロケット５８が設けら
れ、当該従動側スプロケット５８を通過することで、第
１メッキ浴槽４６から第２メッキ浴槽４８への移動を容
易に行えるようにしている。そして前記仕切板５２は、
メッキ液６０の温度差が異なるメッキ浴槽を構成してい
ることから、互いのメッキ浴槽に熱が及ばないよう断熱
材で形成されることが望ましい。
【００３３】さらに第１メッキ浴槽４６では、フィルム
キャリアテープ２０における配線パターン３２の露出部
に薄いメッキ層を形成するだけの目的であるので、従動
側スプロケット５８の数も少なく（図中では３つ）、浴
槽自体の容積も小さくなっている。一方第２メッキ浴槽
４８では、第１メッキ浴槽４６で形成されたメッキ層の
上側に同一のメッキ層を厚く形成させる目的から、従動
側スプロケット５８の数も多く（図中では１１つ）、浴
槽の容積も第１メッキ浴槽４６に比べ大きなものになっ
ている。
キャリアテープ２０における配線パターン３２の露出部
に薄いメッキ層を形成するだけの目的であるので、従動
側スプロケット５８の数も少なく（図中では３つ）、浴
槽自体の容積も小さくなっている。一方第２メッキ浴槽
４８では、第１メッキ浴槽４６で形成されたメッキ層の
上側に同一のメッキ層を厚く形成させる目的から、従動
側スプロケット５８の数も多く（図中では１１つ）、浴
槽の容積も第１メッキ浴槽４６に比べ大きなものになっ
ている。
【００３４】このように構成されてたメッキ装置４４を
用いて、フィルムキャリアテープ２０へのメッキ処理を
行う手順を説明する。
用いて、フィルムキャリアテープ２０へのメッキ処理を
行う手順を説明する。
【００３５】まず第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽
４８とに同一のメッキ液６０を満たすとともに、各メッ
キ浴槽に取り付けられた図示しないヒータを稼働させ、
メッキ液６０をあらかじめ設定した温度に設定する。な
お第１メッキ浴槽４６におけるメッキ液６０の温度は、
第２メッキ浴槽４８側より低温側とする。そして第１メ
ッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８におけるメッキ液６
０の温度は、メッキ液６０に浸るフィルムキャリアテー
プ２０の長さや搬送速度との条件に照らし合わせて個々
に設定すればよい。なお発明者は種々の検討を行い、第
１メッキ浴槽４６におけるメッキ液６０の温度を１０〜
４０℃とし、第２メッキ浴槽４８におけるメッキ液６０
の温度を６５〜７０℃に設定すると良好な結果を得られ
ることを見出した。
４８とに同一のメッキ液６０を満たすとともに、各メッ
キ浴槽に取り付けられた図示しないヒータを稼働させ、
メッキ液６０をあらかじめ設定した温度に設定する。な
お第１メッキ浴槽４６におけるメッキ液６０の温度は、
第２メッキ浴槽４８側より低温側とする。そして第１メ
ッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８におけるメッキ液６
０の温度は、メッキ液６０に浸るフィルムキャリアテー
プ２０の長さや搬送速度との条件に照らし合わせて個々
に設定すればよい。なお発明者は種々の検討を行い、第
１メッキ浴槽４６におけるメッキ液６０の温度を１０〜
４０℃とし、第２メッキ浴槽４８におけるメッキ液６０
の温度を６５〜７０℃に設定すると良好な結果を得られ
ることを見出した。
【００３６】こうしてメッキ液６０をこれらメッキ浴槽
に満たすとともに、前記メッキ液６０の温度設定が終了
した後は、搬送経路４４に沿ってフィルムキャリアテー
プ２０を搬送させる。すると当該フィルムキャリアテー
プ２０は、まず第１メッキ浴槽４６に投入され、低温側
に設定されたメッキ液６０に浸される。ここでフィルム
キャリアテープ２０においては、入力側インナーリード
３４と入力端子３６と出力側インナーリード３８（以下
リード部と称す）とが配線パターンからの露出部となっ
ているが、これら露出部が第１メッキ浴槽４６における
メッキ液６０に浸されると、その表面に置換作用が生
じ、リード部から銅が溶け出すとともに、当該リード部
の表面に錫が析出されメッキ層を形成することができ
る。なお前述の通りメッキ液６０は低温側に設定されて
いるので、析出量が小さくなり、置換反応は僅かであ
る。このため第１メッキ浴槽４６にて形成されるメッキ
層はあらかじめ設定されたメッキ層に対し非常に薄いも
のになる（２０秒の浸漬で０．１μm程度の膜厚が形成
される）。
に満たすとともに、前記メッキ液６０の温度設定が終了
した後は、搬送経路４４に沿ってフィルムキャリアテー
プ２０を搬送させる。すると当該フィルムキャリアテー
プ２０は、まず第１メッキ浴槽４６に投入され、低温側
に設定されたメッキ液６０に浸される。ここでフィルム
キャリアテープ２０においては、入力側インナーリード
３４と入力端子３６と出力側インナーリード３８（以下
リード部と称す）とが配線パターンからの露出部となっ
ているが、これら露出部が第１メッキ浴槽４６における
メッキ液６０に浸されると、その表面に置換作用が生
じ、リード部から銅が溶け出すとともに、当該リード部
の表面に錫が析出されメッキ層を形成することができ
る。なお前述の通りメッキ液６０は低温側に設定されて
いるので、析出量が小さくなり、置換反応は僅かであ
る。このため第１メッキ浴槽４６にて形成されるメッキ
層はあらかじめ設定されたメッキ層に対し非常に薄いも
のになる（２０秒の浸漬で０．１μm程度の膜厚が形成
される）。
【００３７】図３は、図２におけるＢＢ断面の要部拡大
図である。同図に示すように入力側インナーリード３４
は、長尺基板２２に形成された入力端子ホール３０から
突出した形態であり、その根元は長尺基板２２に接着剤
６２を介して貼り付けられた配線パターン３２となって
いる。ここで第１メッキ浴槽４６においては、入力端子
３６の根元においても置換反応速度が抑制され、他の領
域と同様の置換反応を得ることができ、入力端子３６に
均一な厚みを有したメッキ層を形成することができる。
すなわち第１メッキ浴槽４６においては、置換反応速度
が低いので入力端子３６の根元においても置換反応が過
剰になることがない。このため入力端子３６の根元にえ
ぐれが発生するのを防止することができる。また同図に
おいては、配線パターン３２の上方にソルダーレジスト
６４が塗布されているが、この場合も同様で、前記ソル
ダーレジスト６４の端部（境目）においても、えぐれが
発生せず他の領域と同様、均一なメッキ層を形成するこ
とができる。
図である。同図に示すように入力側インナーリード３４
は、長尺基板２２に形成された入力端子ホール３０から
突出した形態であり、その根元は長尺基板２２に接着剤
６２を介して貼り付けられた配線パターン３２となって
いる。ここで第１メッキ浴槽４６においては、入力端子
３６の根元においても置換反応速度が抑制され、他の領
域と同様の置換反応を得ることができ、入力端子３６に
均一な厚みを有したメッキ層を形成することができる。
すなわち第１メッキ浴槽４６においては、置換反応速度
が低いので入力端子３６の根元においても置換反応が過
剰になることがない。このため入力端子３６の根元にえ
ぐれが発生するのを防止することができる。また同図に
おいては、配線パターン３２の上方にソルダーレジスト
６４が塗布されているが、この場合も同様で、前記ソル
ダーレジスト６４の端部（境目）においても、えぐれが
発生せず他の領域と同様、均一なメッキ層を形成するこ
とができる。
【００３８】そして第１メッキ浴槽４６において、露出
部に均一なメッキ層を形成した後は、フィルムキャリア
テープ２０を第２メッキ浴槽４８へと投入する。ここで
第２メッキ浴槽４８は、前述の通り第１メッキ浴槽４６
に対してメッキ液６０の温度が高く設定されているた
め、単位時間での析出量が大きい。このため第１メッキ
浴槽４６側で形成されたメッキのピンホールを介して、
同質のメッキが新たに析出し、メッキ層６６が形成され
ていく。なお当該メッキ層６６が形成されていく場合、
既に下層には第１メッキ浴槽４６で形成されたメッキ層
が存在するので、入力端子３６の根元あるいはソルダー
レジスト６４の端部（境目）にえぐれが生じるのを防止
することができる。そして搬送経路５４においてフィル
ムキャリアテープ２０が第２メッキ浴槽４８の後段部分
に差し掛かると、メッキ層６６はあらかじめ設定した厚
みに達し、第２メッキ浴槽４８より引き揚げられる（第
２メッキ浴槽４８で形成されるメッキ層６６の厚みは
０．５〜０．８μm程度であり、第２メッキ浴槽４８へ
の浸漬時間は３〜４分程度である）。そしてこのような
工程を経て製造されたフィルムキャリアテープ２０で
は、同図に示すように入力端子３６等に形成されるメッ
キ層６６は均一の厚みとなり、入力端子３６等におい
て、配線抵抗値の増大あるいは断線等の障害が発生する
のを防止することができる。
部に均一なメッキ層を形成した後は、フィルムキャリア
テープ２０を第２メッキ浴槽４８へと投入する。ここで
第２メッキ浴槽４８は、前述の通り第１メッキ浴槽４６
に対してメッキ液６０の温度が高く設定されているた
め、単位時間での析出量が大きい。このため第１メッキ
浴槽４６側で形成されたメッキのピンホールを介して、
同質のメッキが新たに析出し、メッキ層６６が形成され
ていく。なお当該メッキ層６６が形成されていく場合、
既に下層には第１メッキ浴槽４６で形成されたメッキ層
が存在するので、入力端子３６の根元あるいはソルダー
レジスト６４の端部（境目）にえぐれが生じるのを防止
することができる。そして搬送経路５４においてフィル
ムキャリアテープ２０が第２メッキ浴槽４８の後段部分
に差し掛かると、メッキ層６６はあらかじめ設定した厚
みに達し、第２メッキ浴槽４８より引き揚げられる（第
２メッキ浴槽４８で形成されるメッキ層６６の厚みは
０．５〜０．８μm程度であり、第２メッキ浴槽４８へ
の浸漬時間は３〜４分程度である）。そしてこのような
工程を経て製造されたフィルムキャリアテープ２０で
は、同図に示すように入力端子３６等に形成されるメッ
キ層６６は均一の厚みとなり、入力端子３６等におい
て、配線抵抗値の増大あるいは断線等の障害が発生する
のを防止することができる。
【００３９】このようにフィルムキャリアテープ２０の
搬送経路５４の途中にメッキ装置４４を設置すれば、前
記フィルムキャリアテープ２０を搬送させるだけで連続
してメッキ処理を行うことができ、処理の効率を向上さ
せることができる。
搬送経路５４の途中にメッキ装置４４を設置すれば、前
記フィルムキャリアテープ２０を搬送させるだけで連続
してメッキ処理を行うことができ、処理の効率を向上さ
せることができる。
【００４０】なお本実施の形態においては、単一の容器
５０を仕切板５２で区切り、第１メッキ浴槽４６と第２
メッキ浴槽４８とを形成するようにしたが、この形態に
限定されることもなく例えば、これらメッキ浴槽を別体
とするとともに、これらメッキ浴槽を通過するように搬
送経路を設定するようにしてもよい。
５０を仕切板５２で区切り、第１メッキ浴槽４６と第２
メッキ浴槽４８とを形成するようにしたが、この形態に
限定されることもなく例えば、これらメッキ浴槽を別体
とするとともに、これらメッキ浴槽を通過するように搬
送経路を設定するようにしてもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように請求項１に記載のフ
ィルムキャリアテープの製造方法によれば、可撓性を有
した基板上に配線パターンが形成されたフィルムキャリ
アテープの製造方法であって、前記フィルムキャリアテ
ープを低温側のメッキ液に浸し置換反応にて前記配線パ
ターンの露出部にメッキ層を形成した後、高温側のメッ
キ液に前記フィルムキャリアテープを浸し前記メッキ層
の厚みを増加させることから、配線パターンの露出部に
えぐれが生じることが無く、抵抗値の増加あるいは断線
等の障害を防止することができる。
ィルムキャリアテープの製造方法によれば、可撓性を有
した基板上に配線パターンが形成されたフィルムキャリ
アテープの製造方法であって、前記フィルムキャリアテ
ープを低温側のメッキ液に浸し置換反応にて前記配線パ
ターンの露出部にメッキ層を形成した後、高温側のメッ
キ液に前記フィルムキャリアテープを浸し前記メッキ層
の厚みを増加させることから、配線パターンの露出部に
えぐれが生じることが無く、抵抗値の増加あるいは断線
等の障害を防止することができる。
【００４２】また請求項２に記載のフィルムキャリアテ
ープの製造方法によれば、請求項１に記載の効果に加
え、長尺基板をその長手方向に沿って搬送させ連続処理
を行えば、効率のよいメッキ処理を行うことができる。
ープの製造方法によれば、請求項１に記載の効果に加
え、長尺基板をその長手方向に沿って搬送させ連続処理
を行えば、効率のよいメッキ処理を行うことができる。
【００４３】そして請求項６に記載のメッキ装置によれ
ば、メッキ液の温度を低温側に設定した第１メッキ浴槽
と、前記メッキ液の温度を前記第１メッキ浴槽側より高
温側に設定した第２メッキ浴槽とを設けるとともに、可
撓性を有した長尺基板上に配線パターンが連続して形成
されたフィルムキャリアテープの搬送経路を前記第１メ
ッキ浴槽と前記第２メッキ浴槽とを通過するよう設定し
たことから、フィルムキャリアの配線パターンの露出部
に均一にメッキ層を形成することができる。
ば、メッキ液の温度を低温側に設定した第１メッキ浴槽
と、前記メッキ液の温度を前記第１メッキ浴槽側より高
温側に設定した第２メッキ浴槽とを設けるとともに、可
撓性を有した長尺基板上に配線パターンが連続して形成
されたフィルムキャリアテープの搬送経路を前記第１メ
ッキ浴槽と前記第２メッキ浴槽とを通過するよう設定し
たことから、フィルムキャリアの配線パターンの露出部
に均一にメッキ層を形成することができる。
【図１】本実施の形態に係るメッキ装置を用いてフィル
ムキャリアテープを製造する手順を示した工程説明図で
ある。
ムキャリアテープを製造する手順を示した工程説明図で
ある。
【図２】メッキ装置に投入されるフィルムキャリアテー
プの形態を示す説明図である。
プの形態を示す説明図である。
【図３】図２におけるＢＢ断面の要部拡大図である。
【図４】従来のフィルムキャリアテープの形態を示す説
明図である。
明図である。
【図５】図４におけるＡＡ断面の要部拡大図である。
【図６】フィルムキャリアテープ１に錫メッキを施すた
めのメッキ装置の構造説明図である。
めのメッキ装置の構造説明図である。
１ フィルムキャリアテープ ２ 長尺基板 ３ フィルムキャリア ４ 打ち抜き領域 ５ デバイスホール ６ 入力端子ホール ７ 配線パターン ８ 入力端子 ９ インナーリード １０ 出力端子 １１ メッキ装置 １２ メッキ槽 １３ 従動側スプロケット １４ 駆動側スプロケット １５ メッキ液 １６ ソルダーレジスト １７ 接着剤 １８ えぐれ １９ メッキ層 ２０ フィルムキャリアテープ ２２ 長尺基板 ２４ フィルムキャリア ２６ 打ち抜き領域 ２８ デバイスホール ３０ 入力端子ホール ３２ 配線パターン ３４ 入力側インナーリード ３６ 入力端子 ３８ 出力側インナーリード ４０ 配線パターン ４２ 出力端子 ４４ メッキ装置 ４６ 第１メッキ浴槽 ４８ 第２メッキ浴槽 ５０ 容器 ５２ 仕切板 ５４ 搬送経路 ５６ 駆動側スプロケット ５８ 従動側スプロケット ６０ メッキ液 ６２ 接着剤 ６４ ソルダーレジスト ６６ メッキ層
Claims (6)
- 【請求項１】 可撓性を有した基板上に配線パターンが
形成されたフィルムキャリアテープの製造方法であっ
て、前記フィルムキャリアテープを低温側のメッキ液に
浸し置換反応にて前記配線パターンの露出部にメッキ層
を形成した後、高温側のメッキ液に前記フィルムキャリ
アテープを浸し前記メッキ層の厚みを増加させることを
特徴とするフィルムキャリアテープの製造方法。 - 【請求項２】 可撓性を有した長尺基板上に沿って配線
パターンが連続して形成されたフィルムキャリアテープ
の製造方法であって、前記フィルムキャリアテープを長
手方向に搬送させ低温側のメッキ液に浸し置換反応にて
前記配線パターンの露出部にメッキ層を形成した後、高
温側のメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸し前
記メッキ層の厚みを増加させることを特徴とするフィル
ムキャリアテープの製造方法。 - 【請求項３】 前記露出部は、入力端子またはインナー
リードであることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載のフィルムキャリアテープの製造方法。 - 【請求項４】 前記メッキ層は錫からなることを特徴と
する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフィルム
キャリアテープの製造方法。 - 【請求項５】 低温側の前記メッキ液を１０〜４０℃に
設定するとともに、高温側の前記メッキ液を６５〜７０
℃に設定したことを特徴とする請求項１乃至請求項４の
いずれかに記載のフィルムキャリアテープの製造方法。 - 【請求項６】 メッキ液の温度を低温側に設定した第１
メッキ浴槽と、前記メッキ液の温度を前記第１メッキ浴
槽側より高温側に設定した第２メッキ浴槽とを設けると
ともに、可撓性を有した長尺基板上に配線パターンが連
続して形成されたフィルムキャリアテープの搬送経路を
前記第１メッキ浴槽と前記第２メッキ浴槽とを通過する
よう設定したことを特徴とするメッキ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019125A JP3371332B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置 |
| US09/771,399 US20010051211A1 (en) | 2000-01-27 | 2001-01-27 | Manufacturing method and plating apparatus for film carrier tape |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019125A JP3371332B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210679A true JP2001210679A (ja) | 2001-08-03 |
| JP3371332B2 JP3371332B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=18545884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000019125A Expired - Fee Related JP3371332B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010051211A1 (ja) |
| JP (1) | JP3371332B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281309A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Hitachi Cable Ltd | 配線基板のめっき形成方法、及びめっき装置 |
| JP2008174817A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | C Uyemura & Co Ltd | 置換錫合金めっき皮膜の形成方法、置換錫合金めっき浴及びめっき性能の維持方法 |
| JP2012157833A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Toyota Motor Corp | 触媒微粒子の製造方法、当該方法により製造される触媒微粒子、及び当該触媒微粒子を含む燃料電池用電極触媒 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3485561B1 (ja) * | 2002-10-07 | 2004-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 無電解メッキ方法および無電解メッキ装置 |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000019125A patent/JP3371332B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-27 US US09/771,399 patent/US20010051211A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281309A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Hitachi Cable Ltd | 配線基板のめっき形成方法、及びめっき装置 |
| JP4692363B2 (ja) * | 2006-04-10 | 2011-06-01 | 日立電線株式会社 | 配線基板のめっき形成方法、及びめっき装置 |
| JP2008174817A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | C Uyemura & Co Ltd | 置換錫合金めっき皮膜の形成方法、置換錫合金めっき浴及びめっき性能の維持方法 |
| JP2012157833A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Toyota Motor Corp | 触媒微粒子の製造方法、当該方法により製造される触媒微粒子、及び当該触媒微粒子を含む燃料電池用電極触媒 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010051211A1 (en) | 2001-12-13 |
| JP3371332B2 (ja) | 2003-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7830667B2 (en) | Flexible wiring substrate and method for producing the same | |
| KR100684864B1 (ko) | 프린트 배선 기판, 그 제조 방법과 제조 장치, 배선 회로패턴 및 프린트 배선판 | |
| KR20070037681A (ko) | 배선 회로 기판의 제조 방법 | |
| JPH0621142A (ja) | 半導体チップのボンディング方法と半導体集積回路装置 | |
| JP2001210679A (ja) | フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置 | |
| JP6872291B2 (ja) | パワーモジュール及びパワーモジュールを製造する方法 | |
| KR20000023221A (ko) | 반도체 소자 실장용 기판 및 이의 제조방법 | |
| TW200402866A (en) | COF film carrier tape and method for producing the same | |
| JP2001326256A (ja) | フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置 | |
| JP2004119606A (ja) | 半導体基板の貫通孔埋め込み方法および半導体基板 | |
| JP2002246424A (ja) | 電子実装部品用フィルムキャリアテープの電気メッキ装置及び電気メッキ方法 | |
| KR100556277B1 (ko) | 배선 기판 및 그 제조 방법, 전자 부품 및 전자기기 | |
| JP2005129927A (ja) | 接合材料ステンシル | |
| JP4033090B2 (ja) | 半導体装置用テープキャリアの製造方法 | |
| JPH04342148A (ja) | テープキャリア | |
| JP2004088092A (ja) | フレキシブル配線基材及びその製造方法 | |
| JP4973513B2 (ja) | 半導体装置用テープキャリア、半導体装置用テープキャリアの製造方法及び半導体装置 | |
| JP2004059952A (ja) | フレキシブル多層配線基板の電解めっき方法 | |
| JP4483004B2 (ja) | プリント配線板 | |
| JP3507461B2 (ja) | 錫−ビスマス合金メッキ装置及びメッキ方法 | |
| JP3279677B2 (ja) | はんだめっきプリント配線板のヒュージング前処理方法 | |
| KR102041646B1 (ko) | 전극 구조체 | |
| JP2017112314A (ja) | 半導体装置の製造方法およびレジスト除去装置 | |
| JP2005183587A (ja) | プリント配線基板の製造方法および半導体装置 | |
| JP2001168149A (ja) | キャリアテープおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021015 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |