JP2001203379A - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
太陽電池およびその製造方法Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベース電極およびエミッタ電極を正確な位置
に形成し得るようにしてリークの発生を防止した太陽電
池の構造およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 セル裏面にセル受光面と同様なテクスチ
ャ構造のアライメントマークを形成する。セル受光面の
テクスチャ構造とこのアライメントマークとしてのテク
スチャ構造とを同時に形成する。
に形成し得るようにしてリークの発生を防止した太陽電
池の構造およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 セル裏面にセル受光面と同様なテクスチ
ャ構造のアライメントマークを形成する。セル受光面の
テクスチャ構造とこのアライメントマークとしてのテク
スチャ構造とを同時に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、太陽電池および
その製造方法に関し、特に、セル裏面にエミッタ電極お
よびベース電極を配したラップアラウンド型太陽電池の
構造および製造方法に関するものである。
その製造方法に関し、特に、セル裏面にエミッタ電極お
よびベース電極を配したラップアラウンド型太陽電池の
構造および製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の太陽電池の一例として、例えば、
図２２〜図３０に記載した手順により製造されるラップ
アラウンド型太陽電池が知られている。なお、図２２〜
図２８は、この従来の太陽電池の製造手順を貫通穴周り
の断面構造の変化により説明したものである。また、図
２９は図２６の段階における太陽電池セルの裏面図であ
り、図３０は図２７の段階における太陽電池セルの裏面
図である。
図２２〜図３０に記載した手順により製造されるラップ
アラウンド型太陽電池が知られている。なお、図２２〜
図２８は、この従来の太陽電池の製造手順を貫通穴周り
の断面構造の変化により説明したものである。また、図
２９は図２６の段階における太陽電池セルの裏面図であ
り、図３０は図２７の段階における太陽電池セルの裏面
図である。
【０００３】これら図において、１はセル基板としての
半導体膜、２は半導体膜１の全面に格子状に配された貫
通穴、３は半導体膜１の薄膜表面に形成されたエミッタ
層、４はエミッタ層３の表面に形成された絶縁膜、５は
絶縁膜４の一部に塗布されたレジスト、６は半導体膜１
の裏面側表面上に形成されたベース電極、７は絶縁膜４
を貫通してエミッタ層３上に形成されたエミッタ電極、
６ａは基板としての半導体膜１が露出した状態のｐｎ構
造分離部分、８はセル裏面側からの水素パッシベーショ
ンのために照射される水素イオンを模擬したもの、１２
はアライメントマークである。
半導体膜、２は半導体膜１の全面に格子状に配された貫
通穴、３は半導体膜１の薄膜表面に形成されたエミッタ
層、４はエミッタ層３の表面に形成された絶縁膜、５は
絶縁膜４の一部に塗布されたレジスト、６は半導体膜１
の裏面側表面上に形成されたベース電極、７は絶縁膜４
を貫通してエミッタ層３上に形成されたエミッタ電極、
６ａは基板としての半導体膜１が露出した状態のｐｎ構
造分離部分、８はセル裏面側からの水素パッシベーショ
ンのために照射される水素イオンを模擬したもの、１２
はアライメントマークである。
【０００４】次に、図にしたがって、この従来のラップ
アラウンド型太陽電池の製造方法を説明する。まず、半
導体膜１に貫通穴を等間隔で格子状に形成し、半導体膜
１の表面全領域に半導体膜１とは逆タイプのエミッタ層
３を形成する（図２２）。例えば、半導体膜１がｐ型の
場合には、拡散によりｎ型のエミッタ層３を形成する。
アラウンド型太陽電池の製造方法を説明する。まず、半
導体膜１に貫通穴を等間隔で格子状に形成し、半導体膜
１の表面全領域に半導体膜１とは逆タイプのエミッタ層
３を形成する（図２２）。例えば、半導体膜１がｐ型の
場合には、拡散によりｎ型のエミッタ層３を形成する。
【０００５】次いで、反射防止効果を備えた一窒化一珪
素（シリコシアン、ＳｉＮ）等の絶縁膜４を減圧ＣＶＤ
（ＬＰ−ＣＶＤ）等によりエミッタ層３の表面全領域に
形成する（図２３）。ここで、セル裏面側の所定部分
に、すなわち、後述するセル裏面におけるｐｎ構造分離
部分およびアライメントマーク部分に、レジスト５をス
クリーン印刷により形成する（図２４）。次いで、セル
裏面において、ドライエッチングにより、前記レジスト
５が形成されていない部分の絶縁膜４とレジスト５とを
除去する（図２５）。これにより、レジスト５を形成し
た部分は絶縁膜４が残され、レジスト５を形成しなかっ
た部分は絶縁膜４が除去される。また、絶縁膜４が除去
された部分に、ｐｎ構造分離部分およびアライメントマ
ーク部分が形成される。そして、この状態でアルカリエ
ッチャントに浸漬し、前記絶縁膜４が除去された部分の
エミッタ層３を約１μｍ程度エッチングし、セル基板と
しての半導体膜１を露出させた状態とする（図２６、図
２９）。なお、６ａは、この状態におけるｐｎ構造分離
部分を示す。この結果、図２９に示されるように、セル
裏面は、ｐｎ構造分離部分６ａにより複数域に分離され
るとともに、所定形状のアライメントマーク１２が絶縁
膜４およびエミッタ層３をエッチングして形成される。
素（シリコシアン、ＳｉＮ）等の絶縁膜４を減圧ＣＶＤ
（ＬＰ−ＣＶＤ）等によりエミッタ層３の表面全領域に
形成する（図２３）。ここで、セル裏面側の所定部分
に、すなわち、後述するセル裏面におけるｐｎ構造分離
部分およびアライメントマーク部分に、レジスト５をス
クリーン印刷により形成する（図２４）。次いで、セル
裏面において、ドライエッチングにより、前記レジスト
５が形成されていない部分の絶縁膜４とレジスト５とを
除去する（図２５）。これにより、レジスト５を形成し
た部分は絶縁膜４が残され、レジスト５を形成しなかっ
た部分は絶縁膜４が除去される。また、絶縁膜４が除去
された部分に、ｐｎ構造分離部分およびアライメントマ
ーク部分が形成される。そして、この状態でアルカリエ
ッチャントに浸漬し、前記絶縁膜４が除去された部分の
エミッタ層３を約１μｍ程度エッチングし、セル基板と
しての半導体膜１を露出させた状態とする（図２６、図
２９）。なお、６ａは、この状態におけるｐｎ構造分離
部分を示す。この結果、図２９に示されるように、セル
裏面は、ｐｎ構造分離部分６ａにより複数域に分離され
るとともに、所定形状のアライメントマーク１２が絶縁
膜４およびエミッタ層３をエッチングして形成される。
【０００６】次いで、このアライメントマーク１２によ
り位置合わせを行いながら、上記ｐｎ構造分離部分６ａ
における所定の位置のベース領域にベース電極６を、ま
た、前記絶縁膜４を残した所定位置のエミッタ領域にエ
ミッタ電極７を印刷し、焼成する（図２７、図３０）。
この際、エミッタ電極７は、図２７に示されるように、
ファイヤースルー現象によって絶縁膜４を浸食貫通して
エミッタ層３に到達し、電気的な接触を得る。
り位置合わせを行いながら、上記ｐｎ構造分離部分６ａ
における所定の位置のベース領域にベース電極６を、ま
た、前記絶縁膜４を残した所定位置のエミッタ領域にエ
ミッタ電極７を印刷し、焼成する（図２７、図３０）。
この際、エミッタ電極７は、図２７に示されるように、
ファイヤースルー現象によって絶縁膜４を浸食貫通して
エミッタ層３に到達し、電気的な接触を得る。
【０００７】なお、半導体膜１として多結晶シリコン膜
を用いる場合には、さらに、この状態の裏面側より水素
イオンを注入して水素パッシベーションを行う（図２
８）。また、半導体膜１に多結晶シリコン層を用いた場
合において、このように水素パッシベーションを行う
と、エネルギー変換効率を２０〜３０％改善することが
できる。
を用いる場合には、さらに、この状態の裏面側より水素
イオンを注入して水素パッシベーションを行う（図２
８）。また、半導体膜１に多結晶シリコン層を用いた場
合において、このように水素パッシベーションを行う
と、エネルギー変換効率を２０〜３０％改善することが
できる。
【０００８】上記太陽電池の場合は、アライメントマー
ク１２は、絶縁膜４およびエミッタ層３の両層を所定形
状でエッチングして形成されているため、このアライメ
ントマーク１２を光学的に正確に検出することが可能で
ある。したがって、このアライメントマーク１２を基準
に、ベース電極６およびエミッタ電極７を正確に位置合
わせすることが可能である。しかし、この太陽電池の場
合は、セル受光面が平坦な境面であるので、反射防止膜
を施しても幾分かの反射を避けけることができない。
ク１２は、絶縁膜４およびエミッタ層３の両層を所定形
状でエッチングして形成されているため、このアライメ
ントマーク１２を光学的に正確に検出することが可能で
ある。したがって、このアライメントマーク１２を基準
に、ベース電極６およびエミッタ電極７を正確に位置合
わせすることが可能である。しかし、この太陽電池の場
合は、セル受光面が平坦な境面であるので、反射防止膜
を施しても幾分かの反射を避けけることができない。
【０００９】そこで、このような問題を解決した太陽電
池として、セル受光面を微少四面体のピラミッドで構成
するテクスチャ構造としたものが開発された。その一例
としては、図３１〜図４３に記載した手順により製造さ
れるラップアラウンド型太陽電池が知られている。な
お、図３１〜図３９は、この従来の太陽電池の製造手順
を貫通穴周りの断面構造の変化により段階順に説明した
ものである。また、図４０は図３６の段階における太陽
電池セルの裏面図であり、図４１は図３７の段階におけ
る太陽電池セルの裏面図であり、図４２は、正確に処理
された状態の図３９の段階における太陽電池セルの裏面
図であり、図４３は、不正確に処理された状態の図３９
の段階における太陽電池セルの裏面図である。
池として、セル受光面を微少四面体のピラミッドで構成
するテクスチャ構造としたものが開発された。その一例
としては、図３１〜図４３に記載した手順により製造さ
れるラップアラウンド型太陽電池が知られている。な
お、図３１〜図３９は、この従来の太陽電池の製造手順
を貫通穴周りの断面構造の変化により段階順に説明した
ものである。また、図４０は図３６の段階における太陽
電池セルの裏面図であり、図４１は図３７の段階におけ
る太陽電池セルの裏面図であり、図４２は、正確に処理
された状態の図３９の段階における太陽電池セルの裏面
図であり、図４３は、不正確に処理された状態の図３９
の段階における太陽電池セルの裏面図である。
【００１０】これら図においては、前記従来例と同様
に、１は基板としての半導体膜、２は半導体膜１の全面
に格子状に配された貫通穴、３は半導体膜１の薄膜表面
に形成されたエミッタ層、４はエミッタ層３の表面に形
成された絶縁膜、５は絶縁膜４の一部に塗布されたレジ
スト、６は半導体膜１の裏面側表面上に形成されたベー
ス電極、７はエミッタ層３上に形成されたエミッタ電
極、６ａは基板としての半導体膜１が露出した状態のｐ
ｎ構造分離部分、１２はアライメントマークである。さ
らに、９はＳｉＯ2やＳｉＮ等の絶縁膜であるテクスチ
ャ構造形成膜、１０は受光面側に形成されたテクスチャ
構造、１１は反射防止膜である。
に、１は基板としての半導体膜、２は半導体膜１の全面
に格子状に配された貫通穴、３は半導体膜１の薄膜表面
に形成されたエミッタ層、４はエミッタ層３の表面に形
成された絶縁膜、５は絶縁膜４の一部に塗布されたレジ
スト、６は半導体膜１の裏面側表面上に形成されたベー
ス電極、７はエミッタ層３上に形成されたエミッタ電
極、６ａは基板としての半導体膜１が露出した状態のｐ
ｎ構造分離部分、１２はアライメントマークである。さ
らに、９はＳｉＯ2やＳｉＮ等の絶縁膜であるテクスチ
ャ構造形成膜、１０は受光面側に形成されたテクスチャ
構造、１１は反射防止膜である。
【００１１】次に、図にしたがって、この従来のラップ
アラウンド型太陽電池の製造方法を説明する。まず、半
導体膜１に格子状に配した貫通穴２を形成する（図３
１）。次いで、半導体膜１の表面全領域にテクスチャ構
造形成膜９を形成し（図３２）、セル受光面側のみをド
ライエッチングすることにより、セル受光面側のテクス
チャ構造形成膜９をエッチング除去する（図３３）。こ
の状態で、アルカリエッチャントに浸漬することによ
り、セル受光面にテクスチャ構造１０を形成する（図３
４）。
アラウンド型太陽電池の製造方法を説明する。まず、半
導体膜１に格子状に配した貫通穴２を形成する（図３
１）。次いで、半導体膜１の表面全領域にテクスチャ構
造形成膜９を形成し（図３２）、セル受光面側のみをド
ライエッチングすることにより、セル受光面側のテクス
チャ構造形成膜９をエッチング除去する（図３３）。こ
の状態で、アルカリエッチャントに浸漬することによ
り、セル受光面にテクスチャ構造１０を形成する（図３
４）。
【００１２】そして、セル裏面側等に残存するテクスチ
ャ構造形成膜９をドライエッチングにより除去した後、
前述の従来例と同様に半導体膜の表面全領域に半導体膜
１とは逆タイプのエミッタ層３を形成する（図３５）。
この状態は前述の図２２の状態に相当する。次いで、前
述の図２３、図２４および図２５と同様の工程を経て、
図２６に対応する段階、すなわち、セル裏面において、
ｐｎ構造分離部分６ａによりｐｎ構造が複数域に分離さ
れるとともに、アライメントマーク１２が形成された状
態となる（図３６、図４０）。
ャ構造形成膜９をドライエッチングにより除去した後、
前述の従来例と同様に半導体膜の表面全領域に半導体膜
１とは逆タイプのエミッタ層３を形成する（図３５）。
この状態は前述の図２２の状態に相当する。次いで、前
述の図２３、図２４および図２５と同様の工程を経て、
図２６に対応する段階、すなわち、セル裏面において、
ｐｎ構造分離部分６ａによりｐｎ構造が複数域に分離さ
れるとともに、アライメントマーク１２が形成された状
態となる（図３６、図４０）。
【００１３】ここから、図２３に対応する工程において
エミッタ層の表面全領域に形成された絶縁膜４（前述の
説明においては詳細説明を省略している）を弗化水素
（ＨＦ）等に浸漬し除去する（図３７、図４１）。この
とき、セル受光面のみを、ドライエッチング等を用いて
選択的にエッチングしないのは、ドライエッチング等の
イオン衝撃によりセル受光面がイオン損傷を受けるから
である。
エミッタ層の表面全領域に形成された絶縁膜４（前述の
説明においては詳細説明を省略している）を弗化水素
（ＨＦ）等に浸漬し除去する（図３７、図４１）。この
とき、セル受光面のみを、ドライエッチング等を用いて
選択的にエッチングしないのは、ドライエッチング等の
イオン衝撃によりセル受光面がイオン損傷を受けるから
である。
【００１４】次いで、セル受光面にプラズマＣＶＤ等で
反射防止膜１１を形成し（図３８）、そして、ｐｎ構造
分離部分６ａの所定位置のベース領域にベース電極６
を、また、エミッタ層３を残した部分の所定位置のエミ
ッタ領域にエミッタ電極７を印刷し焼成する（図３９、
図４２）。なお、前記のように絶縁膜４を弗化水素（Ｈ
Ｆ）等に浸漬して除去する工程を経て、エミッタ電極７
およびベース電極６を作製するので、水素パッシベーシ
ョンを量産に適合する形で行うことができる。すなわ
ち、前述の従来例のものでは、図２８の段階でイオン注
入装置を用いて水素イオン注入を行っているが、イオン
注入装置で太陽電池セルのような１０ｃｍ角以上の大形
のデバイスを処理することは、量産には不向きである。
これに対し、この従来例の製造工程では、プラズマＣＶ
Ｄにより反射防止膜１１としての水素化膜を形成する
が、このプラズマＣＶＤ工程およびエミッタ電極７およ
びベース電極６の焼成工程で水素パッシベーション効果
を奏することができる。なお、このようにして行った水
素パッシベーションも、前記図２８における場合と同様
な効果を得ることができる。
反射防止膜１１を形成し（図３８）、そして、ｐｎ構造
分離部分６ａの所定位置のベース領域にベース電極６
を、また、エミッタ層３を残した部分の所定位置のエミ
ッタ領域にエミッタ電極７を印刷し焼成する（図３９、
図４２）。なお、前記のように絶縁膜４を弗化水素（Ｈ
Ｆ）等に浸漬して除去する工程を経て、エミッタ電極７
およびベース電極６を作製するので、水素パッシベーシ
ョンを量産に適合する形で行うことができる。すなわ
ち、前述の従来例のものでは、図２８の段階でイオン注
入装置を用いて水素イオン注入を行っているが、イオン
注入装置で太陽電池セルのような１０ｃｍ角以上の大形
のデバイスを処理することは、量産には不向きである。
これに対し、この従来例の製造工程では、プラズマＣＶ
Ｄにより反射防止膜１１としての水素化膜を形成する
が、このプラズマＣＶＤ工程およびエミッタ電極７およ
びベース電極６の焼成工程で水素パッシベーション効果
を奏することができる。なお、このようにして行った水
素パッシベーションも、前記図２８における場合と同様
な効果を得ることができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記図３１
〜図３９の手順でラップアラウンド型太陽電池を製造す
る場合、図３７（図４１）の段階で絶縁膜４を除去する
ため、それ以降の段階ではアライメントマーク１２を光
学的に確認することが困難となる。すなわち、ｐｎ構造
分離部分６ａとエミッタ層３とのエッチングによる段差
は１μｍ程度であるが、実際に用いている多結晶膜で
は、結晶粒に対応した凹凸がこの段差よりも大きく、ア
ライメントに用いている光学系では、この段差を判別す
ることが不可能である。したがって、このテクスチャ構
造１０を備えた従来の太陽電池では、絶縁膜４を除去し
た後の工程では、アライメントマーク１２を光学的に正
確に読み取ることが困難となることから、アライメント
マーク１２を用いずに貫通穴２を目安にベース電極６お
よびエミッタ電極７を印刷していた。
〜図３９の手順でラップアラウンド型太陽電池を製造す
る場合、図３７（図４１）の段階で絶縁膜４を除去する
ため、それ以降の段階ではアライメントマーク１２を光
学的に確認することが困難となる。すなわち、ｐｎ構造
分離部分６ａとエミッタ層３とのエッチングによる段差
は１μｍ程度であるが、実際に用いている多結晶膜で
は、結晶粒に対応した凹凸がこの段差よりも大きく、ア
ライメントに用いている光学系では、この段差を判別す
ることが不可能である。したがって、このテクスチャ構
造１０を備えた従来の太陽電池では、絶縁膜４を除去し
た後の工程では、アライメントマーク１２を光学的に正
確に読み取ることが困難となることから、アライメント
マーク１２を用いずに貫通穴２を目安にベース電極６お
よびエミッタ電極７を印刷していた。
【００１６】しかしながら、貫通穴２は多結晶膜の場
合、図４０〜４２に示すような正四角形でない場合が多
い。このため１０ｃｍ角以上にわたる範囲で、ベース電
極６およびエミッタ電極７を正確に形成することが困難
であった。このため、場合によっては図４３に示すよう
に、ベース領域にエミッタ電極７がはみ出して形成され
たり、また、エミッタ領域にベース電極６がはみ出して
形成されることがあった。また、この場合には、これら
部分がショートすることにより、太陽電池のエネルギー
変換効率等のセル特性が大幅に損なわれる場合が生じ、
歩留りが低下するという問題点があった。
合、図４０〜４２に示すような正四角形でない場合が多
い。このため１０ｃｍ角以上にわたる範囲で、ベース電
極６およびエミッタ電極７を正確に形成することが困難
であった。このため、場合によっては図４３に示すよう
に、ベース領域にエミッタ電極７がはみ出して形成され
たり、また、エミッタ領域にベース電極６がはみ出して
形成されることがあった。また、この場合には、これら
部分がショートすることにより、太陽電池のエネルギー
変換効率等のセル特性が大幅に損なわれる場合が生じ、
歩留りが低下するという問題点があった。
【００１７】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたものであり、ベース電極およびエミッ
タ電極を正確な位置に形成し得るようにし、リークの発
生を防止した太陽電池の構造およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。
るためになされたものであり、ベース電極およびエミッ
タ電極を正確な位置に形成し得るようにし、リークの発
生を防止した太陽電池の構造およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る太陽電池
は、セル基板としての半導体膜と、テクスチャ構造とし
て形成されたセル受光面と、エミッタ領域およびベース
領域を配し、これら領域それぞれに電極を配したセル裏
面とを備えた太陽電池であって、前記セル裏面は、さら
に前記セル受光面と同様なテクスチャ構造のアライメン
トマークを備えていることを特徴とする。したがって、
この発明の太陽電池においては、ベース電極およびエミ
ッタ電極の形成工程において、アライメントマークを光
学的に正確に読み取ることができる。
は、セル基板としての半導体膜と、テクスチャ構造とし
て形成されたセル受光面と、エミッタ領域およびベース
領域を配し、これら領域それぞれに電極を配したセル裏
面とを備えた太陽電池であって、前記セル裏面は、さら
に前記セル受光面と同様なテクスチャ構造のアライメン
トマークを備えていることを特徴とする。したがって、
この発明の太陽電池においては、ベース電極およびエミ
ッタ電極の形成工程において、アライメントマークを光
学的に正確に読み取ることができる。
【００１９】また、前記アライメントマークは、前記セ
ル裏面における少なくとも１組の両端部の近傍に形成し
ても良い。この場合には、ベース電極およびエミッタ電
極の形成工程において、容易、かつ、より正確に位置合
わせを行うことができる。
ル裏面における少なくとも１組の両端部の近傍に形成し
ても良い。この場合には、ベース電極およびエミッタ電
極の形成工程において、容易、かつ、より正確に位置合
わせを行うことができる。
【００２０】また、この発明に係る太陽電池の製造方法
は、セル基板としての半導体膜の受光面にテクスチャ構
造を形成する工程と、この工程に引き続き前記半導体膜
の表面全領域にエミッタ層を形成する工程と、この工程
に引き続き前記半導体膜の裏面にエミッタ領域およびベ
ース領域を形成し、これら各領域に電極を形成する工程
とを備えた太陽電池の製造方法であって、前記テクスチ
ャ構造を形成する工程は、前記半導体膜の表面全領域に
テクスチャ構造形成膜を形成する工程と、次いで、前記
半導体膜の裏面にアライメントマーク用マスクを形成す
る工程と、次いで、前記半導体膜の受光面および前記半
導体膜の裏面における所定のアライメントマーク部分
に、同時にテクスチャ構造を形成する工程とを備えてい
ることを特徴とする。
は、セル基板としての半導体膜の受光面にテクスチャ構
造を形成する工程と、この工程に引き続き前記半導体膜
の表面全領域にエミッタ層を形成する工程と、この工程
に引き続き前記半導体膜の裏面にエミッタ領域およびベ
ース領域を形成し、これら各領域に電極を形成する工程
とを備えた太陽電池の製造方法であって、前記テクスチ
ャ構造を形成する工程は、前記半導体膜の表面全領域に
テクスチャ構造形成膜を形成する工程と、次いで、前記
半導体膜の裏面にアライメントマーク用マスクを形成す
る工程と、次いで、前記半導体膜の受光面および前記半
導体膜の裏面における所定のアライメントマーク部分
に、同時にテクスチャ構造を形成する工程とを備えてい
ることを特徴とする。
【００２１】このように構成することにより、セル受光
面のテクスチャ構造とアライメントマークとしてのアラ
イメントマークとが同時に形成されるので、アライメン
トマーク形成用の工程を追加する必要がない。
面のテクスチャ構造とアライメントマークとしてのアラ
イメントマークとが同時に形成されるので、アライメン
トマーク形成用の工程を追加する必要がない。
【００２２】また、前記両電極を形成する工程は、前記
アライメントマーク部分に形成されたテクスチャ構造を
アライメントマークとして、電極の位置合わせを行うこ
とを特徴とする。したがって、この場合には、ベース電
極およびエミッタ電極のパターンを正確に位置合わせす
ることができる。
アライメントマーク部分に形成されたテクスチャ構造を
アライメントマークとして、電極の位置合わせを行うこ
とを特徴とする。したがって、この場合には、ベース電
極およびエミッタ電極のパターンを正確に位置合わせす
ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１〜図１２は、この実施の形態
に係るラップアラウンド型太陽電池の構造およびその製
造方法を説明するための図面であって、特に、貫通穴周
りの断面（後述する図１３におけるＢ−Ｂ断面に相当）
構造の変化により、その製造工程を示した説明図であ
る。また、図１３〜図１７は、この太陽電池の製造工程
におけるアライメントマーク周りのセル裏面図である。
すなわち、図１３は図２の段階におけるアライメントマ
ーク周りのセル裏面図であり、図１４は図５の段階にお
けるアライメントマーク周りのセル裏面図であり、図１
５は図９の段階におけるアライメントマーク周りのセル
裏面図であり、図１６は図１０の段階におけるアライメ
ントマーク周りのセル裏面図であり、図１７は図１２の
段階におけるアライメントマーク周りのセル裏面図であ
る。また、図１８〜図２１は、アライメントマーク周り
の断面（図１３におけるＡ−Ａ断面に相当）構造の段階
変化によりアライメントマークの形成工程を示した説明
図であり、図１８は図１の段階に対応し、図１９は図２
の段階に対応し、図２０は図３の段階に対応し、図２１
は図５の段階に対応する。なお、これら図面において、
前述の従来の太陽電池と同一および相当する個所には同
一の番号を付す。
に係るラップアラウンド型太陽電池の構造およびその製
造方法を説明するための図面であって、特に、貫通穴周
りの断面（後述する図１３におけるＢ−Ｂ断面に相当）
構造の変化により、その製造工程を示した説明図であ
る。また、図１３〜図１７は、この太陽電池の製造工程
におけるアライメントマーク周りのセル裏面図である。
すなわち、図１３は図２の段階におけるアライメントマ
ーク周りのセル裏面図であり、図１４は図５の段階にお
けるアライメントマーク周りのセル裏面図であり、図１
５は図９の段階におけるアライメントマーク周りのセル
裏面図であり、図１６は図１０の段階におけるアライメ
ントマーク周りのセル裏面図であり、図１７は図１２の
段階におけるアライメントマーク周りのセル裏面図であ
る。また、図１８〜図２１は、アライメントマーク周り
の断面（図１３におけるＡ−Ａ断面に相当）構造の段階
変化によりアライメントマークの形成工程を示した説明
図であり、図１８は図１の段階に対応し、図１９は図２
の段階に対応し、図２０は図３の段階に対応し、図２１
は図５の段階に対応する。なお、これら図面において、
前述の従来の太陽電池と同一および相当する個所には同
一の番号を付す。
【００２４】したがって、これら図においては前述の従
来のものと同様、１は半導体膜、２は半導体膜１の全面
に格子状に配された貫通穴、３は半導体膜１の薄膜表面
に形成されたエミッタ層、４はエミッタ層３の表面に形
成された絶縁膜、５は絶縁膜４の一部に塗布されたレジ
スト、６は半導体膜１の裏面側表面上に形成されたベー
ス電極、７はエミッタ層３上に形成されたエミッタ電
極、６ａは基板としての半導体膜１が露出した状態のｐ
ｎ構造分離部分、９はＳｉＯ2やＳｉＮ等の絶縁膜であ
るテクスチャ構造形成膜、１０はセル受光面に形成され
たテクスチャ構造、１１は反射防止膜、１３はアライメ
ントマーク用マスクである。また、１４は、本発明の要
部をなすテクスチャ構造のアライメントマークである。
来のものと同様、１は半導体膜、２は半導体膜１の全面
に格子状に配された貫通穴、３は半導体膜１の薄膜表面
に形成されたエミッタ層、４はエミッタ層３の表面に形
成された絶縁膜、５は絶縁膜４の一部に塗布されたレジ
スト、６は半導体膜１の裏面側表面上に形成されたベー
ス電極、７はエミッタ層３上に形成されたエミッタ電
極、６ａは基板としての半導体膜１が露出した状態のｐ
ｎ構造分離部分、９はＳｉＯ2やＳｉＮ等の絶縁膜であ
るテクスチャ構造形成膜、１０はセル受光面に形成され
たテクスチャ構造、１１は反射防止膜、１３はアライメ
ントマーク用マスクである。また、１４は、本発明の要
部をなすテクスチャ構造のアライメントマークである。
【００２５】次に、図にしたがってこの実施の形態に係
るラップアラウンド型太陽電池の構造およびその製造方
法を説明する。
るラップアラウンド型太陽電池の構造およびその製造方
法を説明する。
【００２６】図１（図１８）は、貫通穴２を開けた段階
の半導体膜１である。ここで、半導体膜１の表面全領域
にテクスチャ構造形成膜９を形成し、さらに裏面側にの
みアライメントマーク用マスク１３をスクリーン印刷等
で形成する（図２、図１３、図１９）。
の半導体膜１である。ここで、半導体膜１の表面全領域
にテクスチャ構造形成膜９を形成し、さらに裏面側にの
みアライメントマーク用マスク１３をスクリーン印刷等
で形成する（図２、図１３、図１９）。
【００２７】次いで、ドライエッチングによりセル受光
面（表面）およびアライメントマークを形成する予定の
部分（アライメントマーク部分）のテクスチャ構造形成
膜９を除去し、その後さらにアライメントマーク用マス
ク１３を除去する（図３、図２０）。なお、このアライ
メントマーク部分は、セル裏面における少なくとも１組
の対向する両端部の近傍に配置されている。そして、こ
の状態でアルカリエッチャントに浸漬することにより、
セル受光面に光閉じ込め構造としてのテクスチャ構造１
０を形成すると同時に、前記アライメントマーク部分に
アライメントマーク１４としてのテクスチャ構造を形成
し（図４）、その後にテクスチャ構造形成膜９をＨＦ等
により除去する（図５、図１４、図２１）。
面（表面）およびアライメントマークを形成する予定の
部分（アライメントマーク部分）のテクスチャ構造形成
膜９を除去し、その後さらにアライメントマーク用マス
ク１３を除去する（図３、図２０）。なお、このアライ
メントマーク部分は、セル裏面における少なくとも１組
の対向する両端部の近傍に配置されている。そして、こ
の状態でアルカリエッチャントに浸漬することにより、
セル受光面に光閉じ込め構造としてのテクスチャ構造１
０を形成すると同時に、前記アライメントマーク部分に
アライメントマーク１４としてのテクスチャ構造を形成
し（図４）、その後にテクスチャ構造形成膜９をＨＦ等
により除去する（図５、図１４、図２１）。
【００２８】次に、半導体膜１の表面全領域に拡散によ
り、半導体膜１とは逆タイプのエミッタ層３を形成する
（図６）。例えば、半導体膜１がｐ型の場合には、拡散
によりｎ型のエミッタ層３を形成する。次いで、反射防
止効果を備えた一窒化一珪素（シリコシアン、ＳｉＮ）
等の絶縁膜４を減圧ＣＶＤ（ＬＰ−ＣＶＤ）等によりエ
ミッタ層３の表面全領域に形成し、セル裏面側のエミッ
タ電極を形成する予定の部分、すなわち、エミッタ領域
にレジスト５をスクリーン印刷により形成する（図
７）。この際、先に形成したアライメントマーク１４に
より位置合わせを行う。
り、半導体膜１とは逆タイプのエミッタ層３を形成する
（図６）。例えば、半導体膜１がｐ型の場合には、拡散
によりｎ型のエミッタ層３を形成する。次いで、反射防
止効果を備えた一窒化一珪素（シリコシアン、ＳｉＮ）
等の絶縁膜４を減圧ＣＶＤ（ＬＰ−ＣＶＤ）等によりエ
ミッタ層３の表面全領域に形成し、セル裏面側のエミッ
タ電極を形成する予定の部分、すなわち、エミッタ領域
にレジスト５をスクリーン印刷により形成する（図
７）。この際、先に形成したアライメントマーク１４に
より位置合わせを行う。
【００２９】次に、セル裏面側において、ドライエッチ
ングにより、レジスト５が形成されていない部分（すな
わち、後述するｐｎ構造分離部分）の絶縁膜４およびレ
ジスト５を除去する（図８）。これによりレジスト５を
形成した部分（エミッタ領域）に絶縁膜４が残された状
態となる。
ングにより、レジスト５が形成されていない部分（すな
わち、後述するｐｎ構造分離部分）の絶縁膜４およびレ
ジスト５を除去する（図８）。これによりレジスト５を
形成した部分（エミッタ領域）に絶縁膜４が残された状
態となる。
【００３０】次に、この状態でアルカリエッチャントに
浸漬し、絶縁膜４を除去した部分（すなわち、ｐｎ構造
分離部分）のエミッタ層を約１μｍ程度エッチングし、
基板としての半導体膜１を露出させた状態とする（図
９、図１５）。なお、６ａは、セル裏面側においてこの
ように基板としての半導体膜１を露出させたｐｎ構造分
離部分をいう。ここから、一旦形成した絶縁膜４をＨＦ
等に浸漬し除去する（図１０、図１６）。次いで、表面
側にプラズマＣＶＤ等で反射防止膜１１を形成する（図
１１）。次いで、スクリーン印刷により、ｐｎ構造分離
部分６ａにおける所定位置のベース領域にベース電極６
を、エミッタ層３が残された部分における所定位置のエ
ミッタ領域にエミッタ電極７を印刷し、焼成し、製造工
程を完了する（図１２、図１７）。この場合、各電極
６，７は、アライメントマーク１４としてパターン合わ
せするように印刷する。
浸漬し、絶縁膜４を除去した部分（すなわち、ｐｎ構造
分離部分）のエミッタ層を約１μｍ程度エッチングし、
基板としての半導体膜１を露出させた状態とする（図
９、図１５）。なお、６ａは、セル裏面側においてこの
ように基板としての半導体膜１を露出させたｐｎ構造分
離部分をいう。ここから、一旦形成した絶縁膜４をＨＦ
等に浸漬し除去する（図１０、図１６）。次いで、表面
側にプラズマＣＶＤ等で反射防止膜１１を形成する（図
１１）。次いで、スクリーン印刷により、ｐｎ構造分離
部分６ａにおける所定位置のベース領域にベース電極６
を、エミッタ層３が残された部分における所定位置のエ
ミッタ領域にエミッタ電極７を印刷し、焼成し、製造工
程を完了する（図１２、図１７）。この場合、各電極
６，７は、アライメントマーク１４としてパターン合わ
せするように印刷する。
【００３１】上記実施の形態１による太陽電池の構造お
よびその製造工程によれば、アライメントマーク１４
は、テクスチャ構造として形成されているため、アライ
メントマーク１４形成後の工程において、常にこれを鮮
明に確認することができる。したがって、ベース電極６
およびエミッタ電極７の形成工程においてパターンずれ
を生じることがない。また、アライメントマーク１４を
セル裏面における少なくとも１組の対向する両端部の近
傍に設けているので、ベース電極６、エミッタ電極７等
のパターン合わせの際、前後左右の位置関係やパターン
角度の調整を、容易、かつ、正確に行うことができる。
また、テクスチャ構造の受光面を備えた従来の太陽電池
と同様、反射防止膜１１を形成するためのプラズマＣＶ
Ｄ工程、並びに、エミッタ電極７およびベース電極６の
焼成工程により、水素パッシベーション効果を得ること
ができるので、量産に最適である。
よびその製造工程によれば、アライメントマーク１４
は、テクスチャ構造として形成されているため、アライ
メントマーク１４形成後の工程において、常にこれを鮮
明に確認することができる。したがって、ベース電極６
およびエミッタ電極７の形成工程においてパターンずれ
を生じることがない。また、アライメントマーク１４を
セル裏面における少なくとも１組の対向する両端部の近
傍に設けているので、ベース電極６、エミッタ電極７等
のパターン合わせの際、前後左右の位置関係やパターン
角度の調整を、容易、かつ、正確に行うことができる。
また、テクスチャ構造の受光面を備えた従来の太陽電池
と同様、反射防止膜１１を形成するためのプラズマＣＶ
Ｄ工程、並びに、エミッタ電極７およびベース電極６の
焼成工程により、水素パッシベーション効果を得ること
ができるので、量産に最適である。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明の太陽電池によれ
ば、セル基板としての半導体膜と、テクスチャ構造とし
て形成されたセル受光面と、エミッタ領域およびベース
領域を配し、これら領域それぞれに電極を配したセル裏
面とを備えた太陽電池であって、前記セル裏面は、さら
に前記セル受光面と同様なテクスチャ構造のアライメン
トマークを備えているため、アライメントマーク形成後
の工程において各パターンを正確に形成できるようにな
り、リークの無い高効率なラップアラウンド型太陽電池
を得ることができる。
ば、セル基板としての半導体膜と、テクスチャ構造とし
て形成されたセル受光面と、エミッタ領域およびベース
領域を配し、これら領域それぞれに電極を配したセル裏
面とを備えた太陽電池であって、前記セル裏面は、さら
に前記セル受光面と同様なテクスチャ構造のアライメン
トマークを備えているため、アライメントマーク形成後
の工程において各パターンを正確に形成できるようにな
り、リークの無い高効率なラップアラウンド型太陽電池
を得ることができる。
【００３３】また、本発明の太陽電池によれば、アライ
メントマークは、前記セル裏面における少なくとも１組
の対向する両端部の近傍に形成されているので、アライ
メントマーク形成後の工程における各パターンの位置合
わせをより正確に形成することができる。
メントマークは、前記セル裏面における少なくとも１組
の対向する両端部の近傍に形成されているので、アライ
メントマーク形成後の工程における各パターンの位置合
わせをより正確に形成することができる。
【００３４】また、本発明に係る太陽電池の製造方法に
よれば、セル基板としての半導体膜の受光面にテクスチ
ャ構造に形成する工程と、この工程に引き続き前記半導
体膜の表面全領域にエミッタ層を形成する工程と、この
工程に引き続き前記半導体膜の裏面にエミッタ領域およ
びベース領域を形成し、これら各領域に電極を形成する
工程とを備えた太陽電池の製造方法であって、前記テク
スチャ構造を形成する工程は、前記半導体膜の表面全領
域にテクスチャ構造形成膜を形成する工程と、次いで、
前記半導体膜の裏面にアライメントマーク用マスクを形
成する工程と、次いで、前記半導体膜の受光面および前
記半導体膜の裏面における所定のアライメントマーク部
分に、同時にテクスチャ構造を形成する工程とを備えて
いるので、アライメントマーク形成のための工程を追加
することなく、テクスチャ構造のアライメントマークを
形成することができる。
よれば、セル基板としての半導体膜の受光面にテクスチ
ャ構造に形成する工程と、この工程に引き続き前記半導
体膜の表面全領域にエミッタ層を形成する工程と、この
工程に引き続き前記半導体膜の裏面にエミッタ領域およ
びベース領域を形成し、これら各領域に電極を形成する
工程とを備えた太陽電池の製造方法であって、前記テク
スチャ構造を形成する工程は、前記半導体膜の表面全領
域にテクスチャ構造形成膜を形成する工程と、次いで、
前記半導体膜の裏面にアライメントマーク用マスクを形
成する工程と、次いで、前記半導体膜の受光面および前
記半導体膜の裏面における所定のアライメントマーク部
分に、同時にテクスチャ構造を形成する工程とを備えて
いるので、アライメントマーク形成のための工程を追加
することなく、テクスチャ構造のアライメントマークを
形成することができる。
【００３５】また、本発明に係る太陽電池の製造方法に
よれば、前記両電極を形成する工程は、前記アライメン
トマーク部分に形成されたテクスチャ構造をアライメン
トマークとして、電極の位置合わせを行うので、パター
ンを正確に形成することができる。
よれば、前記両電極を形成する工程は、前記アライメン
トマーク部分に形成されたテクスチャ構造をアライメン
トマークとして、電極の位置合わせを行うので、パター
ンを正確に形成することができる。
【図１】 本発明の実施の形態に係るラップアラウンド
型太陽電池について、貫通穴周りの断面構造の段階的変
化により製造工程手順を説明した図面であって、半導体
膜に貫通穴を形成した段階を示す。
型太陽電池について、貫通穴周りの断面構造の段階的変
化により製造工程手順を説明した図面であって、半導体
膜に貫通穴を形成した段階を示す。
【図２】 図１の説明中に記載した製造工程手順の説明
図であって、半導体膜の表面全領域にテクスチャ構造形
成膜を形成し、その後裏面側のみにアライメントマーク
用マスクをスクリーン印刷した段階を示す。
図であって、半導体膜の表面全領域にテクスチャ構造形
成膜を形成し、その後裏面側のみにアライメントマーク
用マスクをスクリーン印刷した段階を示す。
【図３】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手順
の説明図であって、テクスチャ構造形成膜を除去し、さ
らに、アライメントマーク用マスクを除去した段階を示
す。
の説明図であって、テクスチャ構造形成膜を除去し、さ
らに、アライメントマーク用マスクを除去した段階を示
す。
【図４】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手順
の説明図であって、セル受光面に光り閉じ込め構造とし
てのテクスチャ構造を形成し、同時にセル裏面にアライ
メントマークとしてのテクスチャ構造を形成した段階を
示す。
の説明図であって、セル受光面に光り閉じ込め構造とし
てのテクスチャ構造を形成し、同時にセル裏面にアライ
メントマークとしてのテクスチャ構造を形成した段階を
示す。
【図５】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手順
の説明図であって、テクスチャ構造形成膜を弗化水素
（ＨＦ）により除去した段階を示す。
の説明図であって、テクスチャ構造形成膜を弗化水素
（ＨＦ）により除去した段階を示す。
【図６】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手順
の説明図であって、基板としての半導体膜の表面全領域
にエミッタ層を形成した段階を示す。
の説明図であって、基板としての半導体膜の表面全領域
にエミッタ層を形成した段階を示す。
【図７】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手順
の説明図であって、絶縁膜をエミッタ層の表面全領域に
形成し、裏面側にレジストをスクリーン印刷により形成
した段階を示す。
の説明図であって、絶縁膜をエミッタ層の表面全領域に
形成し、裏面側にレジストをスクリーン印刷により形成
した段階を示す。
【図８】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手順
の説明図であって、セル裏面側の絶縁膜をドライエッチ
ングし、レジストを除去した段階を示す。
の説明図であって、セル裏面側の絶縁膜をドライエッチ
ングし、レジストを除去した段階を示す。
【図９】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手順
の説明図であって、アルカリエッチャントに浸漬して絶
縁膜を除去した部分のエミッタ層をエッチングし、セル
基板としての半導体膜を露出させて、ｐｎ構造分離部分
を形成した段階を示す。
の説明図であって、アルカリエッチャントに浸漬して絶
縁膜を除去した部分のエミッタ層をエッチングし、セル
基板としての半導体膜を露出させて、ｐｎ構造分離部分
を形成した段階を示す。
【図１０】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手
順の説明図であって、一旦形成した絶縁膜を弗化水素
（ＨＦ）等に浸漬して除去した段階を示す。
順の説明図であって、一旦形成した絶縁膜を弗化水素
（ＨＦ）等に浸漬して除去した段階を示す。
【図１１】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手
順の説明図であって、セル受光面にプラズマＣＶＤで反
射防止膜を形成した段階を示す。
順の説明図であって、セル受光面にプラズマＣＶＤで反
射防止膜を形成した段階を示す。
【図１２】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手
順の説明図であって、ベース電極およびエミッタ電極を
スクリーン印刷し焼成した最終段階を示す。
順の説明図であって、ベース電極およびエミッタ電極を
スクリーン印刷し焼成した最終段階を示す。
【図１３】 図１の説明中に記載した製造工程手順の補
足説明図であって、図２の段階におけるアライメントマ
ーク周りのセル裏面図である。
足説明図であって、図２の段階におけるアライメントマ
ーク周りのセル裏面図である。
【図１４】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手
順の補足説明図であって、図５の段階におけるアライメ
ントマーク周りのセル裏面図である。
順の補足説明図であって、図５の段階におけるアライメ
ントマーク周りのセル裏面図である。
【図１５】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手
順の補足説明図であって、図９の段階におけるアライメ
ントマーク周りのセル裏面図である。
順の補足説明図であって、図９の段階におけるアライメ
ントマーク周りのセル裏面図である。
【図１６】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手
順の補足説明図であって、図１０の段階におけるアライ
メントマーク周りのセル裏面図である。
順の補足説明図であって、図１０の段階におけるアライ
メントマーク周りのセル裏面図である。
【図１７】 同じく図１の説明中に記載した製造工程手
順の補足説明図であって、図１２の段階におけるアライ
メントマーク周りのセル裏面図である。
順の補足説明図であって、図１２の段階におけるアライ
メントマーク周りのセル裏面図である。
【図１８】 図１の説明中に記載した製造工程手順に関
連し、アライメントマーク周りの断面構造の段階的変化
により、アライメントマークの製造工程手順を説明した
図面であって、図１に対応する段階を示す。
連し、アライメントマーク周りの断面構造の段階的変化
により、アライメントマークの製造工程手順を説明した
図面であって、図１に対応する段階を示す。
【図１９】 図１８の説明中に記載したアライメントマ
ークの製造工程手順に係る説明図であって、図２に対応
する段階を示す。
ークの製造工程手順に係る説明図であって、図２に対応
する段階を示す。
【図２０】 同じく図１８の説明中に記載したアライメ
ントマークの製造工程手順に係る説明図であって、図３
に対応する段階を示す。
ントマークの製造工程手順に係る説明図であって、図３
に対応する段階を示す。
【図２１】 同じく図１８の説明中に記載したアライメ
ントマークの製造工程手順に係る説明図であって、図５
に対応する段階を示す。
ントマークの製造工程手順に係る説明図であって、図５
に対応する段階を示す。
【図２２】 従来のラップアラウンド型太陽電池の一例
について、貫通穴周りの断面構造の段階的変化により製
造工程手順を説明した図面であって、セル基板としての
半導体膜に貫通穴を等間隔で格子状に形成し、半導体膜
の表面全領域に半導体膜とは逆のエミッタ層を形成した
段階を示す。
について、貫通穴周りの断面構造の段階的変化により製
造工程手順を説明した図面であって、セル基板としての
半導体膜に貫通穴を等間隔で格子状に形成し、半導体膜
の表面全領域に半導体膜とは逆のエミッタ層を形成した
段階を示す。
【図２３】 図２２の説明中に記載した製造工程手順の
説明図であって、反射防止効果を備えた絶縁膜をエミッ
タ層の表面全領域に形成した段階を示す。
説明図であって、反射防止効果を備えた絶縁膜をエミッ
タ層の表面全領域に形成した段階を示す。
【図２４】 同じく図２２の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、セル裏面側のエミッタ層領域に
相当する部分にレジストをスクリーン印刷した段階を示
す。
手順の説明図であって、セル裏面側のエミッタ層領域に
相当する部分にレジストをスクリーン印刷した段階を示
す。
【図２５】 同じく図２２の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、裏面側の絶縁膜をドライエッチ
ングし、レジストを除去した段階を示す。
手順の説明図であって、裏面側の絶縁膜をドライエッチ
ングし、レジストを除去した段階を示す。
【図２６】 同じく図２２の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、セル裏面に、セル基板としての
半導体膜を露出したｐｎ構造分離部分を形成した段階を
示す。
手順の説明図であって、セル裏面に、セル基板としての
半導体膜を露出したｐｎ構造分離部分を形成した段階を
示す。
【図２７】 同じく図２２の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、ベース電極およびエミッタ電極
を印刷し焼成した段階を示す。
手順の説明図であって、ベース電極およびエミッタ電極
を印刷し焼成した段階を示す。
【図２８】 同じく図２２の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、セル裏面側から水素パッシベー
ションを行う最終段階を示す。
手順の説明図であって、セル裏面側から水素パッシベー
ションを行う最終段階を示す。
【図２９】 図２２の説明中に記載した製造工程手順の
補足説明図であって、図２６の段階におけるアライメン
トマーク周りのセル裏面図である。
補足説明図であって、図２６の段階におけるアライメン
トマーク周りのセル裏面図である。
【図３０】 同じく図２２の説明中に記載した製造工程
手順の補足説明図であって、図２７の段階におけるアラ
イメントマーク周りのセル裏面図である。
手順の補足説明図であって、図２７の段階におけるアラ
イメントマーク周りのセル裏面図である。
【図３１】 従来のラップアラウンド型太陽電池に係る
他の一例について、貫通穴周りの断面構造の段階的変化
により製造工程手順を説明した図面であって、セル基板
としての半導体膜に貫通穴を形成した段階を示す。
他の一例について、貫通穴周りの断面構造の段階的変化
により製造工程手順を説明した図面であって、セル基板
としての半導体膜に貫通穴を形成した段階を示す。
【図３２】 図３１の説明中に記載した製造工程手順の
説明図であって、半導体膜の表面全領域にテクスチャ構
造形成膜を形成した段階を示す。
説明図であって、半導体膜の表面全領域にテクスチャ構
造形成膜を形成した段階を示す。
【図３３】 同じく図３１の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、セル受光面側のみのテクスチャ
構造形成膜を除去した段階を示す。
手順の説明図であって、セル受光面側のみのテクスチャ
構造形成膜を除去した段階を示す。
【図３４】 同じく図３１の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、セル受光面にテクスチャ構造を
形成した段階を示す。
手順の説明図であって、セル受光面にテクスチャ構造を
形成した段階を示す。
【図３５】 同じく図３１の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、セル裏面に残存するテクスチャ
構造形成膜を除去し、半導体膜の表面全領域にエミッタ
層を形成した段階を示す。
手順の説明図であって、セル裏面に残存するテクスチャ
構造形成膜を除去し、半導体膜の表面全領域にエミッタ
層を形成した段階を示す。
【図３６】 同じく図３１の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、絶縁膜を形成した後、セル基板
としての半導体膜を露出したｐｎ構造分離部分およびア
ライメントマークを形成した段階を示す。
手順の説明図であって、絶縁膜を形成した後、セル基板
としての半導体膜を露出したｐｎ構造分離部分およびア
ライメントマークを形成した段階を示す。
【図３７】 同じく図３１の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、一旦形成した絶縁膜を除去した
段階を示す。
手順の説明図であって、一旦形成した絶縁膜を除去した
段階を示す。
【図３８】 同じく図３１の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、セル受光面に反射防止膜を形成
した段階を示す。
手順の説明図であって、セル受光面に反射防止膜を形成
した段階を示す。
【図３９】 同じく図３１の説明中に記載した製造工程
手順の説明図であって、ベース電極およびエミッタ電極
を形成した最終段階を示す。
手順の説明図であって、ベース電極およびエミッタ電極
を形成した最終段階を示す。
【図４０】 図３１の説明中に記載した製造工程手順の
補足説明図であって、図３６の段階におけるアライメン
トマーク周りのセル裏面図である。
補足説明図であって、図３６の段階におけるアライメン
トマーク周りのセル裏面図である。
【図４１】 図３１の説明中に記載した製造工程手順の
補足説明図であって、図３７の段階におけるアライメン
トマーク周りのセル裏面図である。
補足説明図であって、図３７の段階におけるアライメン
トマーク周りのセル裏面図である。
【図４２】 図３１の説明中に記載した製造工程手順の
補足説明図であって、図３９の段階が正確に行われた場
合のアライメントマーク周りのセル裏面図である。
補足説明図であって、図３９の段階が正確に行われた場
合のアライメントマーク周りのセル裏面図である。
【図４３】 図３１の説明中に記載した製造工程手順の
補足説明図であって、図３９の段階が不正確に行われた
場合のアライメントマーク周りのセル裏面図である。
補足説明図であって、図３９の段階が不正確に行われた
場合のアライメントマーク周りのセル裏面図である。
１ 半導体膜、２ 貫通穴、３ エミッタ層、４ 絶縁
膜、５ レジスト、６ベース電極、６ａ セル基板とし
ての半導体膜を露出した状態のｐｎ構造分離部分、７
エミッタ電極、８ 水素イオンを模擬したもの、９ テ
クスチャ構造形成膜、１０ テクスチャ構造、１１ 反
射防止膜、１２ （従来の）アライメントマーク、１３
アライメントマーク用マスク、１４ （本発明の）ア
ライメントマーク。
膜、５ レジスト、６ベース電極、６ａ セル基板とし
ての半導体膜を露出した状態のｐｎ構造分離部分、７
エミッタ電極、８ 水素イオンを模擬したもの、９ テ
クスチャ構造形成膜、１０ テクスチャ構造、１１ 反
射防止膜、１２ （従来の）アライメントマーク、１３
アライメントマーク用マスク、１４ （本発明の）ア
ライメントマーク。
Claims (4)
- 【請求項１】 セル基板としての半導体膜と、テクスチ
ャ構造として形成されたセル受光面と、エミッタ領域お
よびベース領域を配し、これら領域それぞれに電極を配
したセル裏面とを備えた太陽電池であって、前記セル裏
面は、さらに前記セル受光面と同様なテクスチャ構造の
アライメントマークを備えていることを特徴とする太陽
電池。 - 【請求項２】 前記アライメントマークは、前記セル裏
面における少なくとも１組の両端部の近傍に形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項３】 セル基板としての半導体膜の受光面にテ
クスチャ構造に形成する工程と、 この工程に引き続き前記半導体膜の表面全領域にエミッ
タ層を形成する工程と、 この工程に引き続き前記半導体膜の裏面にエミッタ領域
およびベース領域を形成し、これら各領域に電極を形成
する工程とを備えた太陽電池の製造方法であって、 前記テクスチャ構造を形成する工程は、前記半導体膜の
表面全領域にテクスチャ構造形成膜を形成する工程と、
次いで、前記半導体膜の裏面にアライメントマーク用マ
スクを形成する工程と、次いで、前記半導体膜の受光面
および前記半導体膜の裏面における所定のアライメント
マーク部分に、同時にテクスチャ構造を形成する工程と
を備えていることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】 前記両電極を形成する工程は、前記アラ
イメントマーク部分に形成されたテクスチャ構造をアラ
イメントマークとして、電極の位置合わせを行うことを
特徴とする請求項３記載の太陽電池の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000010707A JP4440405B2 (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 太陽電池およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP2001203379A true JP2001203379A (ja) | 2001-07-27 |
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-
2000
- 2000-01-19 JP JP2000010707A patent/JP4440405B2/ja not_active Expired - Fee Related
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