JP2001286833A - 洗浄装置及びカラーフィルタの製造方法 - Google Patents
洗浄装置及びカラーフィルタの製造方法Info
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- JP2001286833A JP2001286833A JP2000108646A JP2000108646A JP2001286833A JP 2001286833 A JP2001286833 A JP 2001286833A JP 2000108646 A JP2000108646 A JP 2000108646A JP 2000108646 A JP2000108646 A JP 2000108646A JP 2001286833 A JP2001286833 A JP 2001286833A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】パターン断面形状を変化させることなく、レジ
スト残さを除去することが可能な洗浄装置及びカラーフ
ィルタの製造方法を提供する。 【解決手段】基板上のレジスト残さを除去する洗浄装置
であって、基板に実質上レジスト残さのみ密着性を下げ
ることが可能なオゾン水を供給するオゾン水洗浄手段２
と、基板に水素水を供給する水素水洗浄手段３と、前記
オゾン水洗浄手段及び水素水洗浄手段に基板を搬送する
基板搬送手段４とを少なくとも具備する洗浄装置１を用
いてカラーフィルタを製造する。
スト残さを除去することが可能な洗浄装置及びカラーフ
ィルタの製造方法を提供する。 【解決手段】基板上のレジスト残さを除去する洗浄装置
であって、基板に実質上レジスト残さのみ密着性を下げ
ることが可能なオゾン水を供給するオゾン水洗浄手段２
と、基板に水素水を供給する水素水洗浄手段３と、前記
オゾン水洗浄手段及び水素水洗浄手段に基板を搬送する
基板搬送手段４とを少なくとも具備する洗浄装置１を用
いてカラーフィルタを製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、現像された基板上
に存在する着色パターン外のレジスト残さの除去が可能
な洗浄装置及び液晶ディスプレイ等に用いられるカラー
フィルタの製造方法に係わる。
に存在する着色パターン外のレジスト残さの除去が可能
な洗浄装置及び液晶ディスプレイ等に用いられるカラー
フィルタの製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ等に用いられるカラー
フィルタは、微細な赤、緑、青等のパターン（以下、着
色パターンという）からなる光学素子である。そして、
その製造は、ガラス等の基板に感光性のレジストを塗
布、露光（硬化）、現像、水洗等の工程（以下、着色パ
ターン形成工程という）を複数回繰り返して行われる。
図３は、基板１０上に１色目の着色パターン１１を形成
した状態を示す平面図である。
フィルタは、微細な赤、緑、青等のパターン（以下、着
色パターンという）からなる光学素子である。そして、
その製造は、ガラス等の基板に感光性のレジストを塗
布、露光（硬化）、現像、水洗等の工程（以下、着色パ
ターン形成工程という）を複数回繰り返して行われる。
図３は、基板１０上に１色目の着色パターン１１を形成
した状態を示す平面図である。
【０００３】ところで、前記現像工程は、主として未硬
化のレジスト（以下、レジスト残さ１２という）を除去
する目的で行われているが、この工程でそれらを完全に
除去することは難しい。そして、このレジスト残さは製
品上の不良となり、収率を下げることになる。
化のレジスト（以下、レジスト残さ１２という）を除去
する目的で行われているが、この工程でそれらを完全に
除去することは難しい。そして、このレジスト残さは製
品上の不良となり、収率を下げることになる。
【０００４】なお、前記水洗工程は、超純水を使用する
洗浄であるが、現像時に使用される現像液の水置換を目
的とするものであるため、レジスト残さの除去を期待す
ることはできない。
洗浄であるが、現像時に使用される現像液の水置換を目
的とするものであるため、レジスト残さの除去を期待す
ることはできない。
【０００５】このレジスト残さは、現像時間を長くした
り、現像液の噴射圧を高くする等の手段によりある程度
除去することは可能である。しかしながら、これによっ
て過現像が生じ、結果的にパターン断面形状を変化させ
てしまうことになる。これは最終製品の際の大きな障害
となっていた。
り、現像液の噴射圧を高くする等の手段によりある程度
除去することは可能である。しかしながら、これによっ
て過現像が生じ、結果的にパターン断面形状を変化させ
てしまうことになる。これは最終製品の際の大きな障害
となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記課題に
鑑みてなされたものであって、パターン断面形状を変化
させることなく、レジスト残さを除去することが可能な
洗浄装置及びカラーフィルタの製造方法を提供すること
にある。
鑑みてなされたものであって、パターン断面形状を変化
させることなく、レジスト残さを除去することが可能な
洗浄装置及びカラーフィルタの製造方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の洗浄装
置は、基板上のレジスト残さを除去する洗浄装置であっ
て、基板に実質上レジスト残さのみ密着性を下げること
が可能なオゾン水を供給するオゾン水洗浄手段と、基板
に水素水を供給する水素水洗浄手段と、前記オゾン水洗
浄手段及び水素水洗浄手段に基板を搬送する基板搬送手
段とを少なくとも具備することを特徴とするものであ
る。請求項２に記載の洗浄装置は、請求項１記載の洗浄
装置を前提とし、前記オゾン水洗浄手段において、オゾ
ン水をノズル噴射で付着させることを特徴とするもので
ある。請求項３に記載の洗浄装置は、請求項１記載の洗
浄装置を前提とし、前記オゾン水洗浄手段において、オ
ゾン水の噴射圧力調節手段を有することを特徴とするも
のである。請求項４に記載の洗浄装置は、請求項１記載
の洗浄装置を前提とし、前記オゾン水洗浄手段におい
て、オゾン水の濃度調節手段を有することを特徴とする
ものである。請求項５に記載の洗浄装置は、請求項１記
載の洗浄装置を前提とし、前記水素水洗浄手段におい
て、水素水に超音波を印加する超音波印加手段を有する
ことを特徴とするものである。請求項６に記載の洗浄装
置は、請求項１記載の洗浄装置を前提とし、前記水素水
洗浄手段において、基板を水素水バスに浸漬搬送させな
がら、水素水バス下部に設けられた超音波印加手段より
超音波を発振することを特徴とするものである。請求項
７に記載のカラーフィルタの製造方法は、基板上にレジ
ストを用いて着色パターンを形成するカラーフィルタの
製造方法において、着色パターンの形成工程の後、オゾ
ン水洗浄工程及び水素水洗浄工程によりレジスト残さを
選択的に除去することを特徴ものである。
置は、基板上のレジスト残さを除去する洗浄装置であっ
て、基板に実質上レジスト残さのみ密着性を下げること
が可能なオゾン水を供給するオゾン水洗浄手段と、基板
に水素水を供給する水素水洗浄手段と、前記オゾン水洗
浄手段及び水素水洗浄手段に基板を搬送する基板搬送手
段とを少なくとも具備することを特徴とするものであ
る。請求項２に記載の洗浄装置は、請求項１記載の洗浄
装置を前提とし、前記オゾン水洗浄手段において、オゾ
ン水をノズル噴射で付着させることを特徴とするもので
ある。請求項３に記載の洗浄装置は、請求項１記載の洗
浄装置を前提とし、前記オゾン水洗浄手段において、オ
ゾン水の噴射圧力調節手段を有することを特徴とするも
のである。請求項４に記載の洗浄装置は、請求項１記載
の洗浄装置を前提とし、前記オゾン水洗浄手段におい
て、オゾン水の濃度調節手段を有することを特徴とする
ものである。請求項５に記載の洗浄装置は、請求項１記
載の洗浄装置を前提とし、前記水素水洗浄手段におい
て、水素水に超音波を印加する超音波印加手段を有する
ことを特徴とするものである。請求項６に記載の洗浄装
置は、請求項１記載の洗浄装置を前提とし、前記水素水
洗浄手段において、基板を水素水バスに浸漬搬送させな
がら、水素水バス下部に設けられた超音波印加手段より
超音波を発振することを特徴とするものである。請求項
７に記載のカラーフィルタの製造方法は、基板上にレジ
ストを用いて着色パターンを形成するカラーフィルタの
製造方法において、着色パターンの形成工程の後、オゾ
ン水洗浄工程及び水素水洗浄工程によりレジスト残さを
選択的に除去することを特徴ものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、比較的低濃度のオゾン
水をパターン焼き付け後の基板に供給することによって
着色パターン以外のレジスト残さのみに選択的に剥離効
果、つまり、レジスト残さと基板との密着性を下げる効
果を与えることを目的とするものである。
水をパターン焼き付け後の基板に供給することによって
着色パターン以外のレジスト残さのみに選択的に剥離効
果、つまり、レジスト残さと基板との密着性を下げる効
果を与えることを目的とするものである。
【０００９】従って、基板を再利用することを目的とし
て、着色パターンを高濃度のオゾン水で全面的に剥離す
る技術とは、思想が異なる。
て、着色パターンを高濃度のオゾン水で全面的に剥離す
る技術とは、思想が異なる。
【００１０】そして、オゾン水によって基板との密着性
の下げられたレジスト残さを、好ましくは超音波を加え
ることによって剥離効果を強められた水素水に浸漬させ
ることによって除去するものである。
の下げられたレジスト残さを、好ましくは超音波を加え
ることによって剥離効果を強められた水素水に浸漬させ
ることによって除去するものである。
【００１１】なお、オゾン水も水素水も超純水にガスを
溶存させたものなので、時間の経過に伴い普通の水に戻
る。従って、従来の現像液の水置換能力を兼ねたレジス
ト残さの除去が可能になる。
溶存させたものなので、時間の経過に伴い普通の水に戻
る。従って、従来の現像液の水置換能力を兼ねたレジス
ト残さの除去が可能になる。
【００１２】以下、請求項１に記載の洗浄装置の全体構
成を示す。図１に示すように、本発明に係わる洗浄装置
は、オゾンガス及び水素ガス発生装置が付帯設備として
必要となる。両装置は超純水にオゾンガス及び水素ガス
を溶かす機能をもち、これによってオゾン水、水素水を
発生させる。濃度は装置内で可変であり、レジストパタ
ーン残さの程度、またはパターン膜厚の程度によって変
更する。
成を示す。図１に示すように、本発明に係わる洗浄装置
は、オゾンガス及び水素ガス発生装置が付帯設備として
必要となる。両装置は超純水にオゾンガス及び水素ガス
を溶かす機能をもち、これによってオゾン水、水素水を
発生させる。濃度は装置内で可変であり、レジストパタ
ーン残さの程度、またはパターン膜厚の程度によって変
更する。
【００１３】図１に示すようにオゾン水及び水素水は洗
浄装置に接続されるが、その経緯にバルブを設けること
によってそれぞれの流量（圧力）を可変とし、前記と同
様レジストパターン残さの程度、またはパターン膜厚の
程度によって変更する。
浄装置に接続されるが、その経緯にバルブを設けること
によってそれぞれの流量（圧力）を可変とし、前記と同
様レジストパターン残さの程度、またはパターン膜厚の
程度によって変更する。
【００１４】オゾン水はレジスト残さと基板との密着力
を下げる効果をもたらすものであり、水素水はその密着
力の低下したレジスト残さを除去する。従って、オゾン
水洗浄工程、次いで水素水洗浄工程の順となる。なお、
オゾンガス、水素ガスの濃度及びオゾン水、水素水の圧
力は実質上レジスト残さのみ密着性を下げ、着色パター
ンには影響しないように調整する。
を下げる効果をもたらすものであり、水素水はその密着
力の低下したレジスト残さを除去する。従って、オゾン
水洗浄工程、次いで水素水洗浄工程の順となる。なお、
オゾンガス、水素ガスの濃度及びオゾン水、水素水の圧
力は実質上レジスト残さのみ密着性を下げ、着色パター
ンには影響しないように調整する。
【００１５】以下、洗浄装置を図２に基づいて詳細に説
明する。はじめに装置構成について簡単に説明する。図
２の左側には現像機があり、現像の終わった基板１０が
搬送されてくる。搬送方法は特に限定されるものでなは
いが本例では搬送手段４として搬送コロを用いている。
なお、搬送コロに起因するパーティクルの発生、付着を
避けるために低発塵の材質を使用することが好ましい。
明する。はじめに装置構成について簡単に説明する。図
２の左側には現像機があり、現像の終わった基板１０が
搬送されてくる。搬送方法は特に限定されるものでなは
いが本例では搬送手段４として搬送コロを用いている。
なお、搬送コロに起因するパーティクルの発生、付着を
避けるために低発塵の材質を使用することが好ましい。
【００１６】図２中の２はオゾン水洗浄手段である。オ
ゾン水を供給する手段は特に限定されるものではない
が、本例ではノズル５を用いた。このノズルは基板に対
して高圧のオゾン水を噴射する。スプレーは扇形スプレ
ーであり、基板に均一なオゾン水噴射を行うことが出来
る。なお、オゾン水は経時的に減衰するため、オゾン水
の濃度、流量（噴射圧力）を図示しないバルブによって
調節することが好ましい。また、オゾン水はノズルの基
板に対するギャップによっても減衰するため、ギャップ
可変機構を持つことが好ましい。
ゾン水を供給する手段は特に限定されるものではない
が、本例ではノズル５を用いた。このノズルは基板に対
して高圧のオゾン水を噴射する。スプレーは扇形スプレ
ーであり、基板に均一なオゾン水噴射を行うことが出来
る。なお、オゾン水は経時的に減衰するため、オゾン水
の濃度、流量（噴射圧力）を図示しないバルブによって
調節することが好ましい。また、オゾン水はノズルの基
板に対するギャップによっても減衰するため、ギャップ
可変機構を持つことが好ましい。
【００１７】図２中の３は水素水洗浄手段である。水素
水を供給する手段は特に限定されるものではないが、本
例では２つの水バス（第一水素水バス６、第二水素水バ
ス７）を用いた。各水バス下部には超音波印加手段であ
る超音波振動素子（図示せず）が設けられ、バスのパス
ラインには基板の通過するスリット状の開口が施されて
いる。バスに注入された水素水はバスからのオーバーフ
ローによって排出されるとともに基板通過用のスリット
からも排出され、常に新しい水素水が供給されるように
構成されている。
水を供給する手段は特に限定されるものではないが、本
例では２つの水バス（第一水素水バス６、第二水素水バ
ス７）を用いた。各水バス下部には超音波印加手段であ
る超音波振動素子（図示せず）が設けられ、バスのパス
ラインには基板の通過するスリット状の開口が施されて
いる。バスに注入された水素水はバスからのオーバーフ
ローによって排出されるとともに基板通過用のスリット
からも排出され、常に新しい水素水が供給されるように
構成されている。
【００１８】なお、２つのバスを用いるのは、超音波振
動素子に印加する周波数（本例では１つがkHz 周波数
帯、他がMHz 周波数帯の振動素子に接続されている）を
異ならせ、小粒径から大粒径に至る全てのレジスト残さ
を除去するためである。
動素子に印加する周波数（本例では１つがkHz 周波数
帯、他がMHz 周波数帯の振動素子に接続されている）を
異ならせ、小粒径から大粒径に至る全てのレジスト残さ
を除去するためである。
【００１９】超音波照射バスの上端、つまり液面はkHz
周波数帯の超音波の効果を充分発揮するために重要なパ
ラメータであり、照射する周波数に適したパスラインに
対する高さで設計を行う。
周波数帯の超音波の効果を充分発揮するために重要なパ
ラメータであり、照射する周波数に適したパスラインに
対する高さで設計を行う。
【００２０】水素水の流量（バスへの供給量）はバルブ
によって調節し、除去したレジストの再付着が起こらな
いように適正量を保持し、及び／又はｐＨを調整する。
によって調節し、除去したレジストの再付着が起こらな
いように適正量を保持し、及び／又はｐＨを調整する。
【００２１】なお、基板の搬送であるが、オゾン水洗浄
手段では上下からオゾン水を噴射するために基板がばた
つく可能性があり、また水素水洗浄手段では超音波照射
バスに浸漬搬送させるために基板が搬送コロから浮いて
しまう可能性がある。これを避けるために、基板上下を
ローラーで挟み込みながら搬送することが好ましい。
手段では上下からオゾン水を噴射するために基板がばた
つく可能性があり、また水素水洗浄手段では超音波照射
バスに浸漬搬送させるために基板が搬送コロから浮いて
しまう可能性がある。これを避けるために、基板上下を
ローラーで挟み込みながら搬送することが好ましい。
【００２２】その際、検討しなければばらないのは、押
え（上）ローラーの位置である。即ち、基板上面（パタ
ーン形成面）の着色パターンに押えローラーが接触して
しまうとダメージを与える原因となる。したがって押え
ローラーの位置は出来るだけ基板の外隅に設定すること
が好ましい。
え（上）ローラーの位置である。即ち、基板上面（パタ
ーン形成面）の着色パターンに押えローラーが接触して
しまうとダメージを与える原因となる。したがって押え
ローラーの位置は出来るだけ基板の外隅に設定すること
が好ましい。
【００２３】水素水洗浄工程が終わった基板は、図２右
側の搬出口より搬出される。搬出口には図示しないアク
アナイフ、及び／又はエアーナイフがあり、上下からエ
アーを吹き付けることによって洗浄後の基板を乾燥させ
る。そして、乾燥したレジスト残さのない基板はスタッ
カに蓄積される。
側の搬出口より搬出される。搬出口には図示しないアク
アナイフ、及び／又はエアーナイフがあり、上下からエ
アーを吹き付けることによって洗浄後の基板を乾燥させ
る。そして、乾燥したレジスト残さのない基板はスタッ
カに蓄積される。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係わる洗浄装置によれば、オゾ
ン水、水素水を採用することによって、現像工程で多少
レジスト残さが残っていても、レジスト残さを選択的に
除去することが可能となる。更に、オゾン水も水素水も
超純水にガスを溶存させたもので、時間の経過に伴い普
通の水に戻る。従って、従来の現像後の水洗工程も省略
することができる。
ン水、水素水を採用することによって、現像工程で多少
レジスト残さが残っていても、レジスト残さを選択的に
除去することが可能となる。更に、オゾン水も水素水も
超純水にガスを溶存させたもので、時間の経過に伴い普
通の水に戻る。従って、従来の現像後の水洗工程も省略
することができる。
【００２５】また、本発明に係わるカラーフィルタの製
造方法によれば、レジスト残さが少ないと共に、パター
ン断面形状も良好であるカラーフィルタを提供すること
ができる。更に、オゾン水も水素水も超純水にガスを溶
存させたもので、時間の経過に伴い普通の水に戻る。従
って、従来の現像後の水洗工程も省略することができ
る。
造方法によれば、レジスト残さが少ないと共に、パター
ン断面形状も良好であるカラーフィルタを提供すること
ができる。更に、オゾン水も水素水も超純水にガスを溶
存させたもので、時間の経過に伴い普通の水に戻る。従
って、従来の現像後の水洗工程も省略することができ
る。
【００２６】
【図１】本発明における洗浄装置の付帯設備を含めた系
統を示す概略説明図である。
統を示す概略説明図である。
【図２】本発明における洗浄装置の概略説明図である。
【図３】基板の平面図である。
１…洗浄装置 ２…オゾン水洗浄手段 ３…水素水洗浄手段 ４…基板搬送手段 ５…ノズル ６…第一水素水バス ７…第二水素水バス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三井 康裕 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H048 BA02 BA11 BA45 BB02 BB14 BB42 2H096 AA28 LA02 LA03 3B201 AA02 AA03 AB14 AB42 BB02 BB04 BB24 BB32 BB85 BB93 CD43
Claims (7)
- 【請求項１】基板上のレジスト残さを除去する洗浄装置
であって、基板に実質上レジスト残さのみ密着性を下げ
ることが可能なオゾン水を供給するオゾン水洗浄手段
と、基板に水素水を供給する水素水洗浄手段と、前記オ
ゾン水洗浄手段及び水素水洗浄手段に基板を搬送する基
板搬送手段とを少なくとも具備することを特徴とする洗
浄装置。 - 【請求項２】前記オゾン水洗浄手段において、オゾン水
をノズル噴射で付着させることを特徴とする請求項１記
載の洗浄装置。 - 【請求項３】前記オゾン水洗浄手段において、オゾン水
の噴射圧力調節手段を有することを特徴とする請求項１
記載の洗浄装置。 - 【請求項４】前記オゾン水洗浄手段において、オゾン水
の濃度調節手段を有することを特徴とする請求項１記載
の洗浄装置。 - 【請求項５】前記水素水洗浄手段において、水素水に超
音波を印加する超音波印加手段を有する特徴とする請求
項１記載の洗浄装置。 - 【請求項６】前記水素水洗浄手段において、基板を水素
水バスに浸漬搬送させながら、水素水バス下部に設けら
れた超音波印加手段より超音波を発振することを特徴と
する請求項１記載の洗浄装置。 - 【請求項７】基板上にレジストを用いて着色パターンを
形成するカラーフィルタの製造方法において、着色パタ
ーンの形成工程の後、オゾン水洗浄工程及び水素水洗浄
工程によりレジスト残さのみを選択的に除去することを
特徴とするカラーフィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000108646A JP2001286833A (ja) | 2000-04-10 | 2000-04-10 | 洗浄装置及びカラーフィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000108646A JP2001286833A (ja) | 2000-04-10 | 2000-04-10 | 洗浄装置及びカラーフィルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001286833A true JP2001286833A (ja) | 2001-10-16 |
Family
ID=18621448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000108646A Pending JP2001286833A (ja) | 2000-04-10 | 2000-04-10 | 洗浄装置及びカラーフィルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001286833A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6742944B2 (en) | 2001-05-14 | 2004-06-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Alkaline solution and manufacturing method, and alkaline solution applied to pattern forming method, resist film removing method, solution application method, substrate treatment method, solution supply method, and semiconductor device manufacturing method |
| US7329312B2 (en) | 2002-05-16 | 2008-02-12 | Kurita Water Industries, Ltd. | Apparatus for supplying water containing dissolved gas |
| US7710029B2 (en) | 2007-05-31 | 2010-05-04 | Panasonic Corporation | Organic EL element including banks containing fluorine resin and manufacturing method thereof |
| JP2023037560A (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-15 | セメス株式会社 | 基板処理の装置および方法 |
-
2000
- 2000-04-10 JP JP2000108646A patent/JP2001286833A/ja active Pending
Cited By (11)
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| JP2023037560A (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-15 | セメス株式会社 | 基板処理の装置および方法 |
| JP7414884B2 (ja) | 2021-09-03 | 2024-01-16 | セメス株式会社 | 基板処理の装置および方法 |
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