JP2001281680A

JP2001281680A - 液晶表示装置とその製造方法、ならびに膜積層構造

Info

Publication number: JP2001281680A
Application number: JP2000091102A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Miyashita; 宏宮下
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-03-29
Filing date: 2000-03-29
Publication date: 2001-10-10

Abstract

(57)【要約】【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置にお
いて、配線間のみならず配線上にまで画素電極を平坦に
形成可能にして、開口率を改善する。【解決手段】凹部４ａを有する絶縁膜パターン４を形
成し、凹部４ａ内に配線２を形成する。凹部４ａの深さ
は配線２の膜厚に等しい。絶縁膜パターン４と凹部内の
配線２の上全面に、連続する表面を有する上部絶縁膜５
を形成し、この上部絶縁膜の上に画素電極３を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス型液晶表示装置及びその製造方法に関し、より詳しく
は、そのような液晶表示装置のための駆動基板における
配線領域および配線間領域の表面平坦化技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】図７（Ａ）,（Ｂ）は従来のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置における駆動基板の要部平面
図および断面図を模式的に示す。また、図８（Ａ），
（Ｂ）は別の従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置における駆動基板の要部平面図および断面図を模式的
に示す。これらの図面において、同様の部分には同じ参
照番号を付している。

【０００３】図７に示した従来の駆動基板の構造は、特
開平４−２３４８２０号公報に開示されたものに相当
し、１２は配線、１３は画素電極、１４は絶縁膜、そし
て、１６は絶縁膜基板１６ａおよびこの絶縁膜基板に形
成された下層１６ｂからなる基板である。この駆動基板
は、絶縁基板１６ａ上に配線１２と画素電極１３以外の
層およびパターン（下層１６ｂ）を形成した後、絶縁膜
１４を形成し、続いて、画素電極１３を絶縁膜１４上に
形成すると共に、配線１２を形成したものである。液晶
表示装置が透過型の場合、絶縁膜１４も透明な材料を使
用しなければならないため、例えば感光性透明ポリイミ
ドなどが使用される。

【０００４】一方、図８に示した従来の駆動基板の構造
は、特開平４−３３８７１８号公報に開示された技術に
よるものである。この従来技術によると、配線１２の上
面と画素電極１３を平坦つまり同一レベルにするため
に、画素電極１３下に透明な絶縁膜１４を敷いて凸部に
するか、配線を予めエッチングして凹部にする。次に、
配線１２を絶縁物１５で覆うことで透明な画素電極１３
との段差をなくす。絶縁物１５としては、例えば、ポリ
イミド樹脂膜を用いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記２つの従来技術に
おいては、配線１２（図７）または絶縁物１５で覆われ
た配線１２（図８）と絶縁膜１４とが連続した同一レベ
ル面を形成していないために、画素電極１３の形成可能
領域は絶縁膜１４上に限定される。ここで、画素電極１
３の形成可能領域が絶縁膜１４上に限定される理由を説
明するために、図６および図７のそれぞれの従来構造に
対して画素電極形成領域を絶縁膜１４だけでなく配線１
２上の領域まで広げた場合を、それぞれ図９，図１０に
示す。図９では、配線１２と画素電極１４が直接接続さ
れているため、画素が常に配線１２と電気的に接続され
てしまう。また、図９，図１０の場合とも、画素電極１
３が配線段差の影響をうけて、平坦でない部分(凹部）
が生じてしまう。そのため、液晶の配向処理を行うラビ
ング工程において、段差の障害のため均一に配向処理が
できないため、その段差部分での液晶の配向力低下を招
いてしまう。以上の理由から、上記従来構造においては
絶縁膜１４以外の領域に画素電極１３を形成できないの
である。これは、開口率の低下につながり、液晶表示装
置としては不都合である。

【０００６】そこで、本発明の目的は、絶縁基板上に複
数の走査配線と複数の信号配線が交差したアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置において、走査配線あるいは
信号配線の少なくとも一方の上にまで画素電極を平坦に
形成可能にして、開口率を改善できる液晶表示装置およ
びその製造方法を提供することにある。また、このよう
な液晶表示装置を実現するのに適した膜積層構造を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の液晶表示装置は、絶縁基板上に複数の走査
配線並びに信号配線が交差したアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、上記走査配線もしくは上記信号
配線の少なくとも一方の配線は、絶縁膜パターンに設け
られた凹部内に形成されており、この絶縁膜パターンと
凹部内の配線の上には連続する表面を有する上部絶縁膜
が形成されていることを特徴としている。

【０００８】この構造によると、配線は絶縁膜パターン
の凹部内に形成されているため、配線の膜厚が凹部の深
さによって吸収されることになる。したがって、この配
線と絶縁膜パターンの上に連続して形成された上部導電
膜の表面は、略全体にわたって良好な平坦性を有するこ
とができる。よって、この上部絶縁膜上に画素電極を形
成すると、画素電極の表面全体も良好な平坦性を有する
ことができる。つまり、配線上および配線間のすべての
領域において、平坦化された構造が得られる。したがっ
て、均一な配向処理が可能となる。また、配線上および
配線間に形成された上部絶縁膜が連続する平坦な表面を
有しているため、画素電極形成領域を配線間のみならず
配線上にまで拡張することが可能となる。したがって、
開口率の改善ができる。

【０００９】走査配線または信号配線の一方のみに本発
明を適用する場合には、上側に配される配線、通常は信
号配線、に適用するのが望ましい。こうすれば、下側の
配線膜厚によってできる段差を効果的に緩和することが
できる。

【００１０】上記液晶表示装置は、たとえば、本発明の
別の側面に係る液晶表示装置の製造方法、つまり、絶縁
膜パターンを形成する工程と、上記絶縁膜パターンに凹
部を形成する工程と、上記凹部内に走査配線もしくは信
号配線の一方の配線を形成する工程と、上記絶縁膜パタ
ーンおよび上記配線上に、連続する表面を有する上部絶
縁膜を形成する工程とを備えたことを特徴としている方
法によって製造することができる。

【００１１】上部絶縁膜が絶縁膜パターンの凹部を画定
する面とこの面に対向する配線の側面との間の隙間を埋
めるのを確実にするために、上部絶縁膜は、上記凹部を
画定する絶縁膜パターンの面とこの面に対向する配線の
側面との間のスペースの１／２倍以上の膜厚を有するよ
うに形成するのがよい。このような膜厚に形成した上部
絶縁膜は、そのまま使用してもよいし、エッチバック方
式により薄膜化してもよい。上部絶縁膜全面をエッチバ
ックすることにより、任意の膜厚の上部絶縁膜が得られ
る。また、平坦性もさらに向上する。

【００１２】本発明を透過型の液晶表示装置に適用する
場合には、上記絶縁膜パターンは、屈折率が１．４〜
１．９５である酸化膜等の透明膜により形成するのがよ
い。

【００１３】一実施形態においては、上記絶縁膜パター
ンには、上記凹部の底から下方の層へと延びるコンタク
トホールが形成されている。

【００１４】このような構造を有する液晶表示装置を製
造するために、本発明の製造方法は、さらに、上記絶縁
膜パターンに凹部を形成した後、上記凹部の底から下方
の層へと延びるコンタクトホールを形成する工程をさら
に備え、上記配線を形成する工程において、配線を形成
すると同時にコンタクトホール内に配線と同じ導電材料
を埋めこむことを特徴としている。

【００１５】また、本発明の膜積層構造は、凹部を有す
る第１の絶縁膜と、上記凹部内に設けられ、凹部の深さ
と略等しい膜厚を有する導電膜と、上記第１の絶縁膜と
上記導電膜との上に略一定の膜厚で形成され、連続する
表面を有する第２の絶縁膜とを有することを特徴として
いる。

【００１６】この膜積層構造は、第１の絶縁膜の上面と
導電膜の上面が略同一レベルとなるため、これらの上に
形成されている第２の絶縁膜は全体に亘って平坦な表面
を有することができる。この膜積層構造は、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置における信号配線あるいは走
査配線の箇所だけではなく、平坦な表面構造を得たい箇
所であれば、如何なる導電膜／絶縁膜積層箇所にも使用
することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】図３は本発明の一実施の形態であ
る透過型のアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成
する駆動基板の簡略部分平面図、図１は図３の駆動基板
の製造方法を模式的に示す工程図であり、図１（Ｅ）に
示す断面は図３の１Ｅ‐１Ｅ線断面である。なお、本発
明は、一面において、配線領域および配線間領域の平坦
化による画素電極形成領域の拡大化に特徴を有するもの
であるので、これらの図面においては、発明に関連した
部分だけを示し、液晶や配向膜等といった発明に直接関
係しない部分については、図面を簡単にするために図示
を省略している。

【００１８】図３に示すように、多数の走査配線（隣り
合う２本のみ示す）１が互いに平行に行方向に延び、多
数の互いに平行な信号配線（隣り合う２本のみ示す）２
が上記走査配線１の上方でこれら走査配線１に直交する
ように列方向に延びており、これら走査配線１と信号配
線２との各交点付近には図示しないスイッチング素子と
しての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。
ＴＦＴのゲート電極は走査配線１に、ソース電極は信号
配線２に夫々接続され、また、ドレイン電極は略矩形の
画素電極３に接続されている。各走査配線１および各信
号配線２はそれぞれ対応する絶縁膜パターン４が有する
凹部４ａ内に収容されている。各配線１，２と絶縁膜パ
ターン４との上および各配線１，２と各絶縁膜パターン
４との間には平坦化膜として機能する上部絶縁膜５が形
成されている。そして、信号配線２上に形成された上部
絶縁膜５上には、上記画素電極３が、隣り合う走査配線
１の一方および隣り合う信号配線２の一方に周辺部を重
ねた状態で広がっている。

【００１９】次に、図１を使用して、第１の実施の形態
の液晶表示装置の製造方法を、駆動基板の作製工程、特
に絶縁膜パターン形成から画素電極形成までの工程に的
を絞って説明する。

【００２０】先ず、図１（Ａ）に示すように、絶縁基板
６ａと下層６ｂとからなる基板６に、配線の下層になる
絶縁膜（第１の絶縁膜）４を配線の膜厚より大きい膜厚
で成膜する。透過型の液晶表示装置の場合、絶縁膜４は
透明膜である必要があり、屈折率として１．４〜１．９
５程度の絶縁膜が適当である。絶縁膜４の材料として
は、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ等が挙げられるが、ここでは、
酸化膜（ＳｉＯ₂）を使用している。

【００２１】続いて、図１（Ｂ）に示すように、絶縁膜
４に凹部４ａをパターン形成して、絶縁膜パターン４
（便宜上、成膜時の絶縁膜と同じ参照番号で表す）とす
る。ここで、凹部４ａ内には、後の工程で、信号配線２
を形成することになるので、凹部４ａは、信号配線２の
形成線幅よりも一回り大きな幅寸法に形成する必要があ
る。さらに、凹部４ａは、配線の膜厚による段差を吸収
しなければならないため、これら配線の厚さに相当する
深さ、つまり数千〜１万Å程度の深さに形成される。

【００２２】次に、絶縁膜パターン４全面に金属配線材
料、例えば、Ａｌ系金属材料からなる導電膜を、例え
ば、７０００Å程度の膜厚に堆積した後、フォトリソ，
エッチング，レジスト剥離の各工程を経て、図１（Ｃ）
に示すように、絶縁膜パターンの各凹部４ａ内に信号配
線２を形成する。

【００２３】次に、図１（Ｄ）に示すように、信号配線
２および絶縁膜パターン４の上全体に上部絶縁膜（第２
の絶縁膜）５を形成する。上部絶縁膜５の材料は、絶縁
膜パターン４の材料と同じであってもよいし、異なって
いてもよい。ここでは同じ材料を使用するものとする。
この工程において、凹部４ａの壁面（つまり凹部４ａを
画定する絶縁膜パターンの面）とこの面に対向する配線
の側面との間のスペースｄを制御することにより上部絶
縁膜５の上面の平坦性が制御される。例えば、スペース
ｄが広すぎると上部絶縁膜５を形成しても、走査配線１
の端部で段差が生じてしまうため、平坦性は良くならな
い。また、狭すぎると上部絶縁膜５がスペースｄ内を埋
め込むことができないためスペースｄ部分に空洞が生じ
る。このような理由から、スペースｄとしては、例えば
１．０μｍ前後程度のスペース幅を確保する。上部絶縁
膜５は、成膜時にスペースｄを埋め込むことにより上層
の平坦化を行うことを目的とするため、図４に模式的に
示すように、成膜時の上部絶縁膜５の膜厚ｔはスペース
ｄの１／２倍以上である必要がある。例えば、スペース
ｄが約１．０μｍのとき、５０００Å程度以上の酸化膜
ＳｉＯ₂を形成する必要がある。実際には上面の平坦性
を上げるために、１５０００Åつまり１．５μｍ程度の
膜厚の上部絶縁膜５を形成する。こうして、配線２およ
び絶縁膜パターン４の上に上部絶縁膜５を形成し表面を
平坦化する。

【００２４】次に、上部絶縁膜５の上に、周辺部を片側
の信号配線２および図１には示されていない片側の走査
配線１にオーバーラップする状態で、ＩＴＯ（インジウ
ム・ティン・オキサイド）を用いて透明の画素電極３を
形成する（図３参照）。

【００２５】この後は、公知の方法にて、配向膜の塗
布、ラビング処理等を行なって駆動基板を完成する。そ
して、駆動基板と対向基板とを貼り合わせて液晶注入を
行なった後、封止や偏光板の貼り付け等の必要な処理を
経てアクティブマトリクス型液晶表示装置を完成する。

【００２６】なお、上記基板６に含まれる「下層６ｂ」
とは、図１（Ａ）に示した絶縁膜４と絶縁基板６ｂとの
間に形成された各種の膜およびパターンを包括的に表現
しており、ＴＦＴの他、絶縁膜パターン４、走査配線
１、および、これらの上の上部絶縁膜５も含んでいる。
なお、絶縁膜パターン４、走査配線１および上部絶縁膜
５は、先に説明した絶縁膜パターン４、信号配線２およ
び上部絶縁膜５を形成する方法と同じ方法で、形成され
たものである。この場合、走査配線１上の上部絶縁膜
は、走査配線１と信号配線２との間の層間絶縁膜として
機能する。

【００２７】上述した製造方法では、図１（Ｄ）に示し
た工程で上部絶縁膜５を堆積した後、何の加工もせず、
その上に画素電極３を形成しているが、図１（Ｄ）の工
程の後に、図２に示すように、堆積した上部絶縁膜５に
全面エッチバックを行って薄膜化した後に、画素電極３
を形成してもよい。たとえば、１５０００Åの上部絶縁
膜５を形成したとき、８０００Åエッチバックすること
により、上部絶縁膜５の膜厚を７０００Å程度にする。

【００２８】上部絶縁膜５を薄膜化する理由は次の通り
である。上部絶縁膜５はスペースｄの埋め込み及び平坦
性向上のためには厚いほうが良いといえる。しかし、上
部絶縁膜５には、上部の画素電極３を、配線２と同時に
形成された導電膜パターンを介して電気的に下層６ｂに
接続するための微細なコンタクトホール（図１，２には
示されていない）を形成する必要があり、上部絶縁膜５
が厚くなるほど、エッチングによる微細パターンの形成
及び制御が困難になる。また、画素電極３の膜厚は、例
えばＩＴＯ等を使用した場合１０００〜１５００Å程度
しかなく、コンタクトホールでの薄膜画素電極３のカバ
レッジを考えると、コンタクトホールを形成する部分の
絶縁膜層は厚くないほうがよい。そのため、厚めに成膜
された上部絶縁膜５に対して、全面エッチバックを行う
ことにより、任意の膜厚に絶縁膜５を制御することがで
きる。また、エッチバックを行うことにより、絶縁膜５
形成時に若干生じるスペース上の絶縁膜５の凹状態を除
去できるので、さらに平坦性が向上する。したがって、
周辺部を片側の信号配線２および走査配線１にオーバー
ラップする状態で形成された画素電極３自体の平坦性
も、上部絶縁膜５を薄膜化しない場合に比べて向上す
る。

【００２９】ところで、画素電極３を電気的に下層６ｂ
に接続するための微細なコンタクトホール７の形成位置
は適宜選択可能であるが、図５は、凹部４ａの下方にコ
ンタクトホール７を形成した例を示している。

【００３０】コンタクトホール７は、図１（Ｂ）に示す
工程で絶縁膜（ＳｉＯ₂膜）４に凹部４ａを形成した
後、凹部４ａ下の薄膜化された上部絶縁膜残存部分に形
成する。この結果、絶縁膜４には、凹部４ａの底から下
方の層へと延びるコンタクトホール７が得られる。この
後、図１（ｃ）に関して説明したのと同様の方法で、コ
ンタクトホール７および凹部４ａ内を含めて絶縁膜パタ
ーン４全面に導電膜を堆積した後、フォトリソ，エッチ
ング，レジスト剥離の各工程を経て、図５に示すよう
に、各凹部４ａ内に、コンタクトホール７の導電膜と一
体化された配線２を形成する。こうして、コンタクトホ
ール７を介して配線２と基板下層６ｂとの導通が可能に
なる。コンタクトホールを形成するときの絶縁膜の膜厚
は、絶縁膜４を成膜するときの膜厚と凹状の段差形状の
掘り込み量によって制御される。この差が少なくなるほ
ど、コンタクトホールの形成は容易になる。実際には、
絶縁膜４として１００００Å程度成膜した後、７０００
Å程度パターニングにより凹状に形成することにより、
コンタクトホール形成部分の絶縁膜４の膜厚を３０００
Åにする。

【００３１】以上、幾つかの例を用いて本発明を説明し
たが、本発明はこれらに限られず、種々変形可能であ
る。

【００３２】例えば、上記実施の形態のアクティブマト
リクス型液晶表示装置は透過型としたが、反射型であっ
てもよい。反射型の場合には、画素電極３は透明ではな
く、アルミニウム等を用いて形成すればよく、また、絶
縁膜４，５も透明膜である必要はない。いずれにして
も、本発明は、配線領域と配線間領域の平坦化による画
素電極形成領域の拡大に関するものであり、いずれのタ
イプの液晶表示装置であっても適用可能であることは容
易に理解できよう。

【００３３】また、上記実施の形態では画素電極３は略
矩形形状に形成したが、必要に応じて、一部を切り欠い
た形状としてもよい。また、各画素電極３は、隣り合う
２つの走査配線１の一方のみあるいは隣り合う２つの信
号配線２の一方のみに周辺部を重ねて形成したが、隣り
合う２つの走査配線１にも隣り合う２つの信号配線２に
も周辺部を重ねて形成してもよい。

【００３４】また、上記実施の形態では走査配線１を下
側に、信号配線２を上側に形成したが、この逆であって
もよい。

【００３５】また、上記実施の形態では、各工程を、上
側の信号配線２のみならず、下側の走査配線１に関して
も同様に実施することとしたが、上側の信号配線２のみ
に実施してもよい。また信号配線２と走査配線１に関し
て、それぞれ異なる平坦化処理を行ってもよい。

【００３６】また、スイッチング素子はＴＦＴ以外のも
のを使用することもできる。

【００３７】以上、図１〜５を用いて、本発明をアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の駆動基板、特に、各信
号配線領域とその間の領域および各走査配線領域とその
間の領域に適用した例を説明したが、当業者ならば容易
に理解できるように、本発明はこれらに領域以外の領
域、たとえば、ゲート電極、ドレイン電極等の領域にも
同様に適用できる。また、本発明の適用は、液晶表示装
置に限られるものではない。要は、図６に示すように、
配線や電極等を構成している導電膜Ｃによる段差を吸収
して表面を平坦化したい箇所であればどのような箇所に
でも本発明を適用することができる。図６は、導電膜Ｃ
が絶縁膜パターン（第１の絶縁膜）の凹部４ａに収容さ
れている状態を示す平面図である。平面図ではあるが、
分かりやすいように、導電膜Ｃにはハッチングを施して
いる。

【００３８】

【発明の効果】以上より明らかなように、本発明によ
り、配線及び配線間の全ての領域がなめらかな平坦性を
持ち、平坦な領域上において画素電極が形成される。こ
れにより、液晶配向処理を行うラビング処理における段
差による障害が低減されるため、配向不良等の表示品位
の低下が防止される。また、配線間と配線上の平坦性も
連続されており、配線上も上部絶縁膜により覆われてい
るため、配線の上層にも画素電極が形成可能となり、画
素電極が広範囲で形成でき、開口率の向上も可能であ
る。また、今後高精細化が進むに伴い配線の低抵抗化が
必要になり、例えば、配線の厚膜化等が進むことが考え
られるが、高段差あるいは逆に低段差に対する膜厚制御
に関しても、絶縁膜パターンを形成するときの膜厚制御
を行うだけで、様々な膜厚に対して簡単に対応可能であ
る。以上のように、本発明により表示品位良好な高開口
率を持つ高精細アクティブマトリクス液晶表示装置が供
給可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の
製造方法を示す簡略工程図で、（Ｄ）は図３の１Ｅ−１
Ｅ線断面を表す。

【図２】図１に示した製造方法の変形を示す簡略工程
図。

【図３】図１あるいは図２に示した工程で製造された
液晶表示装置の要部の簡略平面図。

【図４】本発明における絶縁膜パターンの凹部壁面と
配線側面との間のスペースと上部絶縁膜の膜厚との関係
を説明する図。

【図５】図１の液晶表示装置の変形例の簡略断面図。

【図６】本発明を適用して絶縁膜パターンの凹部に導
電膜が形成されている状態を示す簡略平面図。

【図７】（Ａ）は従来の液晶表示装置の要部の簡略平
面図、（Ｂ）は（Ａ）の７Ｂ‐７Ｂ線断面図。

【図８】（Ａ）は従来の液晶表示装置の要部の簡略平
面図、（Ｂ）は（Ａ）の８Ｂ‐８Ｂ線断面図。

【図９】図７に示した従来構造において配線上に画素
電極を形成したときの概略断面図。

【図１０】図８に示した従来構造において配線上に画
素電極を形成したときの概略断面図。

【符号の説明】

１：走査配線、２：信号配線、３：画素電極、４：絶縁膜パターン、４ａ：絶縁膜パターンの凹部５：上部絶縁膜、６：絶縁基板６ａと下層６ｂとからなる基板、７：コンタクトホールＣ：導電膜。

フロントページの続きＦターム(参考） 2H090 HA03 HB03X HC01 HC11 HC12 HC16 HC18 HD03 JA05 JB02 JD14 LA04 2H092 JA46 KA16 KA18 KB14 KB25 MA13 MA17 NA07 NA19 NA25 PA02 5C094 AA02 AA12 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EB02 FB12 FB15 5F110 AA18 BB01 DD21 QQ19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に複数の走査配線並びに信号
配線が交差したアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、上記走査配線もしくは上記信号配線の少なくとも一方の
配線は、絶縁膜パターンに設けられた凹部内に形成され
ており、この絶縁膜パターンと凹部内の配線の上には連
続する表面を有する上部絶縁膜が形成されていることを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】請求項１に記載の液晶表示装置におい
て、上記一方の配線は他方の配線よりも上側に配されている
配線であり、画素電極がこの配線と絶縁膜パターンの上
の上部絶縁膜上に形成されていることを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項３】請求項１または２に記載の液晶表示装置
において、上記凹部内の配線の厚さが上記絶縁膜パター
ンの凹部の深さと略等しいことを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
液晶表示装置において、上記上部絶縁膜の膜厚は、上記凹部を画定する絶縁膜パ
ターンの面とこの面に対向する配線の側面との間のスペ
ースの１／２倍以上であることを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれか１つに記載の
液晶表示装置において、上記絶縁膜パターンは、屈折率が１．４〜１．９５であ
る透明膜により形成されていることを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれか１つに記載の
液晶表示装置において、上記絶縁膜パターンには、上記凹部の底から下方の層へ
と延びるコンタクトホールが形成されていることを特徴
とする液晶表示装置。
【請求項７】絶縁基板上に複数の走査配線並びに信号
配線が交差したアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法において、絶縁膜パターンを形成する工程と、上記絶縁膜パターンに凹部を形成する工程と、上記凹部内に走査配線もしくは信号配線の一方の配線を
形成する工程と、上記絶縁膜パターンおよび上記配線上に、連続する表面
を有する上部絶縁膜を形成する工程とを備えたことを特
徴とする方法。
【請求項８】請求項７に記載の方法において、上記一方の配線は他方の配線よりも上側に配される配線
であり、さらに、上記上部絶縁膜上に画素電極を形成する工程を
備えたことを特徴とする方法。
【請求項９】請求項７または８に記載の方法におい
て、上記上部絶縁膜を形成した後、この上部絶縁膜をエッチ
バック方式により薄膜化する工程をさらに備えたことを
特徴とする方法。
【請求項１０】請求項７乃至９のいずれか１つに記載
の方法において、上記絶縁膜パターンに凹部を形成した後、上記凹部の底
から下方の層へと延びるコンタクトホールを形成する工
程をさらに備え、上記配線を形成する工程において、配線を形成すると同
時にコンタクトホール内に配線と同じ導電材料を埋めこ
むことを特徴とする方法。
【請求項１１】請求項７乃至１０のいずれか１つに記
載の方法において、上記上部絶縁膜は、形成直後に、上記凹部を画定する絶
縁膜パターンの面とこの面に対向する配線の側面との間
のスペースの１／２倍以上の膜厚を有することを特徴と
する方法。
【請求項１２】凹部を有する第１の絶縁膜と、上記凹部内に設けられ、凹部の深さと略等しい膜厚を有
する導電膜と、上記第１の絶縁膜と上記導電膜との上に連続して設けら
れた第２の絶縁膜とを有することを特徴とする膜積層構
造。