JP2001274653A - Piezo device - Google Patents
Piezo deviceInfo
- Publication number
- JP2001274653A JP2001274653A JP2000084886A JP2000084886A JP2001274653A JP 2001274653 A JP2001274653 A JP 2001274653A JP 2000084886 A JP2000084886 A JP 2000084886A JP 2000084886 A JP2000084886 A JP 2000084886A JP 2001274653 A JP2001274653 A JP 2001274653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- piezoelectric vibrator
- piezoelectric device
- mount
- vibrator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 47
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 47
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 48
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに
内蔵した圧電デバイスにおいて、圧電振動子の保持構造
に優れた高信頼性の安価な小型薄型の圧電デバイスを提
供する。
【解決手段】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、圧電振動子を平行
に保持する手段が、絶縁性の球体あるいは絶縁性の球体
に金属コーティングを施したものを用いる構造を特徴と
する表面実装タイプの圧電デバイス。
(57) Abstract: Provided is a highly reliable, inexpensive, small and thin piezoelectric device which is excellent in holding structure of a piezoelectric vibrator and is provided in a piezoelectric device having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator built in a package. In a piezoelectric device in which a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator are incorporated in a package, means for holding the piezoelectric vibrator in parallel uses an insulating sphere or an insulating sphere coated with a metal. Surface mount type piezoelectric device characterized by its structure.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路と
圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスに関
する。The present invention relates to a piezoelectric device having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator built in a package.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、HDD(ハード・ディスク・ドラ
イブ)、モバイルコンピュータ、あるいはICカード等
の小型の情報機器や、携帯電話や自動車電話等の移動体
通信機器において装置の小型薄型化がめざましく、それ
らに用いられる圧電発振器や電圧制御発振器(VCX
O)や温度補償発振器(TCXO)やSAW発振器、あ
るいはリアルタイムクロックモジュール等の圧電デバイ
スも小型薄型化が要求されている。又、それとともに、
装置の回路基板に両面実装が可能な表面実装タイプの圧
電デバイスが求められている。2. Description of the Related Art In recent years, devices such as HDDs (hard disk drives), mobile computers, and small information devices such as IC cards, and mobile communication devices such as mobile phones and car phones have been remarkably reduced in size and thickness. Piezoelectric oscillators and voltage-controlled oscillators (VCX
O), a temperature-compensated oscillator (TCXO), a SAW oscillator, and a piezoelectric device such as a real-time clock module are also required to be small and thin. In addition,
There is a need for a surface mount type piezoelectric device that can be mounted on both sides of a circuit board of an apparatus.
【0003】そこで、従来の圧電デバイスの一例を、発
振回路を有するワンチップの半導体集積回路と、圧電振
動子にATカット水晶振動子とを用いた図5(a)、5
(b)の構造図で示される水晶発振器を用いて説明す
る。[0005] In view of this, an example of a conventional piezoelectric device is shown in FIGS. 5A and 5A in which a one-chip semiconductor integrated circuit having an oscillation circuit and an AT-cut quartz oscillator are used as the piezoelectric oscillator.
Description will be made using the crystal oscillator shown in the structural diagram of FIG.
【0004】図5(a)、5(b)の従来の水晶発振器
の構成において、発振回路を有するICチップ101
は、セラミック絶縁基板で形成されたベース102の底
面に導電性接着剤等により接着固定され、Auワイヤー
ボンディング線103により、ベース102の底面外周
部にW(タングステン)あるいはMo(モリブデン)等
の金属でメタライズされ、Ni+Auメッキされた入出
力用電極104等に電気的に接続されている。[0005] In the configuration of the conventional crystal oscillator shown in FIGS. 5A and 5B, an IC chip 101 having an oscillation circuit is provided.
Is bonded and fixed to the bottom surface of the base 102 formed of a ceramic insulating substrate by a conductive adhesive or the like, and a metal such as W (tungsten) or Mo (molybdenum) is formed on an outer peripheral portion of the bottom surface of the base 102 by an Au wire bonding wire 103. , And are electrically connected to the Ni + Au-plated input / output electrode 104 and the like.
【0005】又、矩形タイプのATカット水晶振動子1
05が、ベース102のマウント部106に導電性接着
剤等で電気的に接続され固定されている。そして、N2
(窒素)雰囲気あるいは真空雰囲気に内部を保ち、ベー
ス102の最上部のシールリング107と、金属製のリ
ッド108とをシーム溶接により接合し気密に封止して
いる。[0005] A rectangular type AT-cut quartz resonator 1
Reference numeral 05 is electrically connected to and fixed to the mount portion 106 of the base 102 with a conductive adhesive or the like. And N 2
While maintaining the inside in a (nitrogen) atmosphere or a vacuum atmosphere, the seal ring 107 at the top of the base 102 and the metal lid 108 are joined by seam welding to hermetically seal them.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】以上に示す従来の水晶
発振器は、ICチップ101の周囲にAuワイヤーボン
ディング線103を配線するエリアが必要であること。
又、パッケージの厚み方向でも、Auワイヤーボンディ
ング線103のループ高さの確保や、Auワイヤーボン
ディング線103とATカット水晶振動子105との隙
間の確保が必要であること等、この構成が水晶発振器を
小型薄型にするための制約となっている。The above-described conventional crystal oscillator requires an area around the IC chip 101 for wiring the Au wire bonding wire 103.
In addition, in the thickness direction of the package, the crystal oscillator is required to secure the loop height of the Au wire bonding wire 103 and to secure a gap between the Au wire bonding wire 103 and the AT-cut crystal oscillator 105. Are small and thin.
【0007】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、特にAuワイヤーボンディング線のループ高さ
の確保や、Auワイヤーボンディング線とATカット水
晶振動子との隙間の確保を精度よく安定して実現するた
めの構造を用いて、小型薄型サイズで厚み1mm以下の
水晶発振器等の圧電デバイスを安価に提供することであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems in the prior art, and it is an object of the present invention to secure a loop height of an Au wire bonding wire, and particularly to secure an Au wire bonding wire. It is an object to provide a piezoelectric device such as a crystal oscillator such as a crystal oscillator having a small size, a small size, and a thickness of 1 mm or less using a structure for accurately and stably realizing a gap between the crystal oscillator and an AT-cut crystal resonator.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
半導体集積回路と圧電振動子とを配線基板で形成された
パッケージに内蔵した圧電デバイスにおいて、圧電振動
子が樹脂接着剤でマウントされてなり、少なくとも圧電
振動子の電極部を含む3点で保持されていることを特徴
とする。According to the first aspect of the present invention,
In a piezoelectric device in which a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator are built in a package formed of a wiring substrate, the piezoelectric vibrator is mounted with a resin adhesive and held at at least three points including the electrode portion of the piezoelectric vibrator. It is characterized by having.
【0009】請求項2記載の発明は、半導体集積回路と
圧電振動子とを配線基板で形成されたパッケージに内蔵
した圧電デバイスにおいて、圧電振動子は電極部を導電
性接着剤でマウントされてなり、マウント部に圧電振動
子を平行に保持する手段を用いたことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in a piezoelectric device in which a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator are incorporated in a package formed of a wiring board, the piezoelectric vibrator has an electrode portion mounted with a conductive adhesive. And means for holding the piezoelectric vibrator parallel to the mount portion.
【0010】請求項3記載の発明は、圧電振動子を平行
に保持する手段が、絶縁性の球体あるいは絶縁性の球体
に金属コーティングを施したものを用いることを特徴と
する。The invention according to claim 3 is characterized in that the means for holding the piezoelectric vibrator in parallel uses an insulating sphere or an insulating sphere coated with a metal.
【0011】請求項4記載の発明は、請求項3におい
て、絶縁性の球体が有機ガラス系あるいは有機樹脂系の
球状のフィラーであることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect, the insulating sphere is a spherical filler of an organic glass type or an organic resin type.
【0012】請求項5記載の発明は、請求項4におい
て、絶縁性の球体が導電性接着剤に含有されていること
を特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect, the insulating sphere is contained in a conductive adhesive.
【0013】請求項6記載の発明は、請求項2におい
て、圧電振動子を平行に保持する手段が、金属で形成さ
れた複数のバンプであることを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the second aspect, the means for holding the piezoelectric vibrator in parallel is a plurality of bumps made of metal.
【0014】請求項7記載の発明は、圧電振動子を平行
に保持する手段が、金属ボンディング線で形成された複
数のバンプであることを特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, the means for holding the piezoelectric vibrator in parallel is a plurality of bumps formed by metal bonding wires.
【0015】請求項8記載の発明は、請求項1におい
て、圧電振動子が樹脂接着剤でマウントされ、少なくと
も圧電振動子の電極部を含む3点で保持されてなり、樹
脂接着剤に絶縁性の球体が含有されていることを特徴と
する。According to an eighth aspect of the present invention, in the first aspect, the piezoelectric vibrator is mounted with a resin adhesive and is held at three points including at least the electrode portion of the piezoelectric vibrator. Characterized in that the sphere is contained.
【0016】請求項9記載の発明は、請求項1におい
て、圧電振動子が樹脂接着剤でマウントされ、少なくと
も圧電振動子の電極部を含む3点で保持されてなり、マ
ウント部に金属製のバンプが複数形成されていることを
特徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, in the first aspect, the piezoelectric vibrator is mounted with a resin adhesive and held at at least three points including the electrode portion of the piezoelectric vibrator. A plurality of bumps are formed.
【0017】請求項10記載の発明は、半導体集積回路
と圧電振動子とを配線基板で形成されたパッケージに内
蔵した圧電デバイスにおいて、圧電振動子が樹脂接着剤
でマウントされ、マウント部に溝が形成され、溝に沿っ
て樹脂接着剤が複数個所塗布されていることを特徴とす
る。According to a tenth aspect of the present invention, in a piezoelectric device in which a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator are built in a package formed of a wiring board, the piezoelectric vibrator is mounted with a resin adhesive, and a groove is formed in the mounting portion. It is characterized in that a plurality of resin adhesives are applied along the grooves.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】本発明の圧電デバイスの実施の一
形態を、発振回路を有するワンチップの半導体集積回路
と、圧電振動子にATカット水晶振動子とを用いた、水
晶発振器を例として図面に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the piezoelectric device of the present invention will be described with reference to a one-chip semiconductor integrated circuit having an oscillation circuit and a crystal oscillator using an AT-cut crystal resonator as a piezoelectric resonator. This will be described with reference to the drawings.
【0019】(実施例1)図1は、請求項1、2、3、
4、5、8、10記載の発明に係わる表面実装タイプの
水晶発振器の構造図である。(Embodiment 1) FIG.
It is a structural diagram of the crystal oscillator of the surface mounting type concerning the invention of 4, 5, 8, 10.
【0020】図1(a)の平面図及び図1(b)の正面
図に示すように、少なくとも3層からなるセラミック絶
縁基板と、Fe−Ni合金等で枠状に型抜きされたシー
ルリングとで形成されたベース1の第1層及び第2層
に、半導体集積回路(ICチップ:以下ICチップと記
す)2と接続するための電極パターン3が、W(タング
ステン)あるいはMo(モリブデン)等の金属配線材料
で印刷等によりメタライズされている。そしてその上に
Niメッキ及びAuメッキ等が施されている。As shown in the plan view of FIG. 1 (a) and the front view of FIG. 1 (b), a ceramic insulating substrate having at least three layers, and a seal ring cut into a frame shape with an Fe—Ni alloy or the like. An electrode pattern 3 for connecting to a semiconductor integrated circuit (IC chip: hereinafter referred to as an IC chip) 2 is formed on the first and second layers of the base 1 formed of W (tungsten) or Mo (molybdenum). And metallized by printing or the like. Then, Ni plating, Au plating or the like is applied thereon.
【0021】このベース1の第1層にAgペースト等の
導電性接着剤4を適量塗布して、そこにICチップ2を
マウントする。そして200℃前後の高温で導電性接着
剤4を硬化し、 ICチップ2を固定する。An appropriate amount of a conductive adhesive 4 such as Ag paste is applied to the first layer of the base 1 and an IC chip 2 is mounted thereon. Then, the conductive adhesive 4 is cured at a high temperature of about 200 ° C., and the IC chip 2 is fixed.
【0022】更に、ICチップ2の電極パッドから電極
パターン3にAuワイヤーボンディング線5を、ワイヤ
ーボンディング装置で配線する。このAuワイヤーボン
ディング線5は、低ループでかつ非常に短い配線長で構
成されている。Further, an Au wire bonding line 5 is wired from the electrode pad of the IC chip 2 to the electrode pattern 3 by a wire bonding apparatus. The Au wire bonding line 5 has a low loop and a very short wiring length.
【0023】又、ATカット水晶振動子6はその支持部
7を、ベース1の第3層に設けられたマウント部8に導
電性接着剤9で接続固定されている。そして、ATカッ
ト水晶振動子6の先端部10も、ベース1の第3層に設
けられたマウント部8と反対側のマウント部11に絶縁
性接着剤12で保持固定されている。The AT-cut crystal unit 6 has its support 7 connected and fixed to a mount 8 provided on the third layer of the base 1 with a conductive adhesive 9. The tip portion 10 of the AT-cut crystal resonator 6 is also held and fixed to the mount portion 11 provided on the third layer of the base 1 on the side opposite to the mount portion 8 with an insulating adhesive 12.
【0024】更に、金属製のリッド(蓋)14をベース
1のFe−Ni合金等で枠状に型抜きされた、シールリ
ング13に位置合わせして固定し、シーム溶接により気
密に封止している。Further, a metal lid (lid) 14 is positioned and fixed to a seal ring 13 cut out in a frame shape from an Fe--Ni alloy or the like of the base 1, and hermetically sealed by seam welding. ing.
【0025】以上により、小型薄型の表面実装パッケー
ジの水晶発振器15が完成する。As described above, the crystal oscillator 15 of the small and thin surface mount package is completed.
【0026】ここで、ATカット水晶振動子6をマウン
トするマウント部8の構造、及びそのマウント方法につ
いて詳細に説明する。Here, the structure of the mount section 8 for mounting the AT-cut crystal unit 6 and the mounting method will be described in detail.
【0027】図2にマウント部8の拡大図を示す。図2
(a)の平面図及び図2(b)の正面図に示すように、
少なくとも2層に形成されたマウント電極部21には、
そのマウント電極部21のほぼ中央に溝22が形成され
ている。そして、そのマウント電極部21に、耐熱性の
優れた例えばシリコン系の導電性接着剤9を、シリンジ
等で滴下塗布を行う。本実施例では、マウント電極部2
1のそれぞれに溝22に沿って、直径でφ0.3〜0.
4mm程度の塗布径で2個所の塗布を行っている。この
ようにATカット水晶振動子6のマウント部8に対し
て、2個所の塗布を行うことによりATカット水晶振動
子6の短手方向に接着面積を充分に確保することがで
き、ATカット水晶振動子6の保持固定を確実にしてい
る。又、溝22を設けることにより、導電性接着剤9が
マウント電極部21に対して、ATカット水晶振動子6
の振動モードに影響の少ない短手方向に広がりATカッ
ト水晶振動子6との接着面積を確保している。FIG. 2 is an enlarged view of the mount section 8. FIG.
As shown in the plan view of (a) and the front view of FIG.
The mount electrode portion 21 formed in at least two layers includes
A groove 22 is formed substantially at the center of the mount electrode portion 21. Then, a silicon-based conductive adhesive 9 having excellent heat resistance, for example, is applied to the mount electrode portion 21 with a syringe or the like. In this embodiment, the mount electrode unit 2
1 along the groove 22 with a diameter of 0.3 to 0.1 mm.
Coating is performed at two locations with a coating diameter of about 4 mm. As described above, by applying the coating at two locations to the mount portion 8 of the AT-cut crystal resonator 6, a sufficient bonding area can be secured in the short-side direction of the AT-cut crystal resonator 6, and The vibrator 6 is securely held and fixed. Also, by providing the groove 22, the conductive adhesive 9 is applied to the mount electrode portion 21 by the AT-cut quartz oscillator 6.
This spreads in the lateral direction that has little effect on the vibration mode of the first embodiment, and secures an adhesion area with the AT-cut crystal resonator 6.
【0028】更に、導電性接着剤9にはエポキシ樹脂系
等の球状フィラー23が適量含有されている。本実施例
の場合その球状フィラー23の直径は、φ30〜40μ
m程度のものを用いている。又、マウント部11に用い
た絶縁性接着剤12にも同様に、直径φ30〜40μm
程度の球状フィラー23が含有されている。Further, the conductive adhesive 9 contains an appropriate amount of a spherical filler 23 such as an epoxy resin. In the case of this embodiment, the diameter of the spherical filler 23 is φ30 to 40 μm.
m is used. Similarly, the insulating adhesive 12 used for the mounting portion 11 has a diameter of 30 to 40 μm.
A degree of spherical filler 23 is contained.
【0029】このように、導電性接着剤9及び絶縁性接
着剤12中に球状フィラー23を含有することにより、
ATカット水晶振動子6とマウント部8の間隔が一定に
なり、ATカット水晶振動子6が平行に保持できる。こ
のようにATカット水晶振動子6を平行に保持すること
により、Auワイヤーボンディング線5との間隔を確実
に確保でき、ショート不良等の課題を解決する効果を有
している。As described above, by containing the spherical filler 23 in the conductive adhesive 9 and the insulating adhesive 12,
The distance between the AT-cut crystal unit 6 and the mount unit 8 becomes constant, and the AT-cut crystal unit 6 can be held in parallel. By holding the AT-cut crystal resonator 6 in parallel in this manner, the space between the AT-cut crystal resonator 6 and the Au wire bonding wire 5 can be reliably ensured, and this has the effect of solving problems such as short-circuit failure.
【0030】更に、球状フィラー23に金属コーティン
グを施したものを用いても良く、球状フィラー23の材
質及び表面処理等は特に限定されない。Further, a metal material coated on the spherical filler 23 may be used, and the material and surface treatment of the spherical filler 23 are not particularly limited.
【0031】このようにしてATカット水晶振動子6
が、マウント部8にマウントされたベース1を高温でア
ニール処理して、導電性接着剤9及び絶縁性接着剤12
を硬化することにより、ATカット水晶振動子6がマウ
ント電極21に確実に精度良く接続固定される。Thus, the AT-cut quartz oscillator 6
However, the base 1 mounted on the mounting portion 8 is annealed at a high temperature, and the conductive adhesive 9 and the insulating adhesive 12
By hardening, the AT-cut crystal resonator 6 is securely connected and fixed to the mount electrode 21 with high accuracy.
【0032】(実施例2)図3は、請求項6、7、9記
載の発明に係わる表面実装タイプの水晶発振器の構造図
である。(Embodiment 2) FIG. 3 is a structural view of a surface mount type crystal oscillator according to the sixth, seventh and ninth aspects of the present invention.
【0033】図3(a)の平面図及び図3(b)の正面
図に示すように、少なくとも3層からなるセラミック絶
縁基板と、Fe−Ni合金等で枠状に型抜きされたシー
ルリングとで形成されたベース31の第1層に、半導体
集積回路(ICチップ:以下ICチップと記す)32と
接続するための電極パターン33が、W(タングステ
ン)あるいはMo(モリブデン)等の金属配線材料で印
刷等によりメタライズされている。そしてその上にNi
メッキ及びAuメッキ等が施されている。As shown in the plan view of FIG. 3A and the front view of FIG. 3B, a ceramic insulating substrate composed of at least three layers, and a seal ring cut into a frame shape with an Fe—Ni alloy or the like. An electrode pattern 33 for connecting to a semiconductor integrated circuit (IC chip: hereinafter referred to as an IC chip) 32 is formed on a first layer of a base 31 formed of a metal wiring such as W (tungsten) or Mo (molybdenum). Metallized by printing or the like with the material. And Ni on top
Plating and Au plating are performed.
【0034】又、ICチップ32の電極パッドにはAu
等の金属のバンプ34が形成され、フリップチップボン
ディング工法により、導電性接着剤35を用いてベース
1に形成された電極パターン33と接合されている。こ
のフリップチップボンディング工法には、種々の加工法
があるが、本発明で用いている工法は接合部に導電性の
接着剤を用い、適当な加圧と温度を印加して接合する加
工方法である。The electrode pads of the IC chip 32 have Au
And the like, and are bonded to the electrode pattern 33 formed on the base 1 using a conductive adhesive 35 by a flip chip bonding method. There are various processing methods for this flip chip bonding method, and the method used in the present invention is a processing method in which a conductive adhesive is used for a joint portion and bonding is performed by applying appropriate pressure and temperature. is there.
【0035】又、ATカット水晶振動子36はその支持
部37を、ベース31の第3層に設けられたマウント部
38に導電性接着剤39で接続固定されている。The AT-cut crystal unit 36 has a support 37 connected and fixed to a mount 38 provided on the third layer of the base 31 with a conductive adhesive 39.
【0036】更に、金属製のリッド(蓋)42をベース
1のFe−Ni合金等で枠状に型抜きされたシールリン
グ41に位置合わせして固定し、シーム溶接により気密
に封止している。Further, a metal lid (lid) 42 is positioned and fixed to a seal ring 41 cut out in a frame shape with an Fe—Ni alloy or the like of the base 1 and is hermetically sealed by seam welding. I have.
【0037】以上により、小型薄型の表面実装パッケー
ジの水晶発振器43が完成する。As described above, the crystal oscillator 43 of a small and thin surface mount package is completed.
【0038】ここで、ATカット水晶振動子36をマウ
ントするマウント部38の構造、及びそのマウント方法
について詳細に説明する。Here, the structure of the mount section 38 for mounting the AT-cut crystal unit 36 and the mounting method will be described in detail.
【0039】図4にマウント部38の拡大図を示す。実
施例1と同様に図4(a)の平面図及び図4(b)の正
面図に示すように、少なくとも2層に形成されたマウン
ト電極部51には、そのマウント電極部51のほぼ中央
に溝52が形成されている。そして、そのマウント電極
部51に、Auワイヤーボンディング線で形成された複
数のAuバンプ53がバンプボンディングされている。FIG. 4 is an enlarged view of the mount 38. As shown in the plan view of FIG. 4A and the front view of FIG. 4B, the mount electrode portion 51 formed in at least two layers has substantially the center of the mount electrode portion 51 as in the first embodiment. Is formed with a groove 52. Then, a plurality of Au bumps 53 formed by Au wire bonding lines are bump-bonded to the mount electrode portion 51.
【0040】ここで、Auバンプ53の直径は約φ80
μmで、高さが約30〜40μm程度の大きさのもので
ある。Here, the diameter of the Au bump 53 is about φ80.
μm and a height of about 30 to 40 μm.
【0041】そして、耐熱性の優れた例えばシリコン系
の導電性接着剤39が、Auバンプ53の周囲にシリン
ジ等で滴下塗布をされている。Then, for example, a silicon-based conductive adhesive 39 having excellent heat resistance is applied drop-wise around the Au bump 53 with a syringe or the like.
【0042】又、実施例1と同様に、マウント部38の
反対側のマウント部にも同様に、直径が約φ80μm
で、高さが約30〜40μm程度の大きさのAuバンプ
53がバンプボンディングされている。As in the case of the first embodiment, the diameter of the mount section opposite to the mount section 38 is about φ80 μm.
An Au bump 53 having a height of about 30 to 40 μm is bump-bonded.
【0043】このように、マウント電極部51等にAu
バンプ53を設けることにより、ATカット水晶振動子
36とマウント部38の間隔が一定になり、ATカット
水晶振動子36が平行に保持できる。このようにATカ
ット水晶振動子36を平行に保持することにより、Au
ワイヤーボンディング線35との間隔を確実に確保で
き、ショート不良等の課題を解決する効果を有してい
る。As described above, the Au is applied to the mount electrode 51 and the like.
By providing the bumps 53, the distance between the AT-cut crystal unit 36 and the mount unit 38 becomes constant, and the AT-cut crystal unit 36 can be held in parallel. By holding the AT-cut quartz oscillator 36 in parallel in this way, Au
The distance from the wire bonding wire 35 can be reliably ensured, which has the effect of solving problems such as short-circuit failure.
【0044】以上、セラミック及び金属といった信頼性
が高く、かつ安価な構成部品を用いることにより、横2
〜3.2mm、幅2〜2.5mm、厚さ0.7〜1.0
mmという小型薄型の高信頼性の圧電発振器が安価に提
供できる。As described above, by using highly reliable and inexpensive components such as ceramics and metals, the horizontal
~ 3.2mm, width 2 ~ 2.5mm, thickness 0.7 ~ 1.0
mm and a highly reliable piezoelectric oscillator having a small thickness and a small thickness can be provided at low cost.
【0045】以上、発振回路を有するワンチップの半導
体集積回路と、圧電振動子にATカット水晶振動子とを
用いた、水晶発振器を例に述べてきたが、本発明はそれ
に限定されることなく、例えば電圧制御水晶発振器(V
CXO)や温度補償水晶発振器(TCXO)やSAW発
振器、あるいはリアルタイムクロックモジュール等の半
導体集積回路を内蔵した圧電デバイス全てに適用でき
る。As described above, the crystal oscillator using the one-chip semiconductor integrated circuit having the oscillation circuit and the AT-cut crystal resonator as the piezoelectric vibrator has been described as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, a voltage-controlled crystal oscillator (V
The present invention can be applied to all piezoelectric devices including a semiconductor integrated circuit such as a CXO), a temperature compensated crystal oscillator (TCXO), a SAW oscillator, and a real-time clock module.
【0046】[0046]
【発明の効果】請求項1、2、3、4、5、8記載の発
明によれば、導電性接着剤及び絶縁性接着剤中に球状フ
ィラーを含有することにより、ATカット水晶振動子と
マウント部の間隔が一定になり、ATカット水晶振動子
が平行に保持できる。このようにATカット水晶振動子
を平行に保持することにより、Auワイヤーボンディン
グ線との間隔を確実に確保でき、ショート不良等のない
構造的に優れた小型薄型の圧電発振器を提供できるとい
う効果を有する。According to the first, second, third, fourth, fifth and eighth aspects of the present invention, the conductive adhesive and the insulating adhesive contain a spherical filler so that the AT-cut quartz resonator can be used. The distance between the mount portions becomes constant, and the AT-cut quartz crystal unit can be held in parallel. By holding the AT-cut crystal unit in parallel in this manner, the space between the AT-cut crystal unit and the Au wire bonding line can be reliably ensured, and a small and thin structurally superior piezoelectric oscillator free from short-circuit failure can be provided. Have.
【0047】又、球状フィラーを含有することにより、
ATカット水晶振動子をマウントするとき安定して一定
荷重で加圧できるため、ATカット水晶振動子と導電性
接着剤及び絶縁性接着剤との接着強度が向上し、落下衝
撃等に優れた圧電発振器を提供できるという効果を有す
る。Further, by containing a spherical filler,
When mounting an AT-cut quartz crystal unit, it can be stably pressurized with a constant load, so the adhesion strength between the AT-cut quartz crystal unit and the conductive or insulating adhesive is improved, and a piezoelectric device with excellent drop impact, etc. This has the effect of providing an oscillator.
【0048】請求項6、7、9記載の発明によれば、マ
ウント電極部にAuバンプを設けることにより、ATカ
ット水晶振動子とマウント部の間隔が一定になり、AT
カット水晶振動子が平行に保持できる。このように A
Tカット水晶振動子を平行に保持することにより、Au
ワイヤーボンディング線との間隔を確実に確保でき、シ
ョート不良等のない構造的に優れた圧電発振器を提供で
きるという効果を有する。According to the sixth, seventh, and ninth aspects of the present invention, by providing Au bumps on the mount electrode portion, the distance between the AT-cut quartz crystal unit and the mount portion becomes constant,
The cut crystal unit can be held in parallel. A
By holding the T-cut quartz resonator in parallel, Au
This has the effect that the interval between the wire bonding wire and the wire bonding wire can be reliably ensured, and a structurally excellent piezoelectric oscillator free from short-circuit failure or the like can be provided.
【0049】又、ATカット水晶振動子の下にAuバン
プを設けることにより、ATカット水晶振動子をマウン
トするとき安定して一定荷重で加圧できるため、ATカ
ット水晶振動子と導電性接着剤及び絶縁性接着剤との接
着強度が向上し、落下衝撃等に優れた圧電発振器を提供
できるという効果を有する。Also, by providing Au bumps under the AT-cut quartz resonator, it is possible to stably apply a constant load when mounting the AT-cut quartz resonator. In addition, the adhesive strength with the insulating adhesive is improved, and the piezoelectric oscillator excellent in drop impact and the like can be provided.
【0050】請求項10記載の発明によれば、ATカッ
ト水晶振動子が導電性接着剤でマウントされ、マウント
部に溝が形成され、その溝に沿って導電性接着剤が複数
個所塗布されている。このようにATカット水晶振動子
のマウント部に対して、少なくとも2個所の塗布を行う
ことにより、ATカット水晶振動子の短手方向に接着面
積を充分に確保することができ、ATカット水晶振動子
の保持固定を確実にするという効果を有する。これによ
り、落下衝撃等の特性に優れた小型薄型の圧電発振器を
提供できるという効果を有する。According to the tenth aspect of the present invention, the AT-cut quartz resonator is mounted with a conductive adhesive, a groove is formed in the mount portion, and a plurality of conductive adhesives are applied along the groove. I have. By applying at least two portions to the mount portion of the AT-cut quartz resonator as described above, it is possible to secure a sufficient bonding area in the lateral direction of the AT-cut quartz resonator, This has the effect of securely holding and fixing the child. Thereby, there is an effect that a small and thin piezoelectric oscillator having excellent characteristics such as a drop impact can be provided.
【0051】又、溝を設けることにより、導電性接着剤
がマウント電極部に対して短手方向に広がり、ATカッ
ト水晶振動子との接着面積を充分に確保できるという効
果を有する。更に、ATカット水晶振動子の振動モード
に影響することのない、高精度で高信頼性の水晶振動子
の接着構造が実現でき、高品質の圧電発振器を提供でき
るという効果を有する。By providing the groove, the conductive adhesive spreads in the lateral direction with respect to the mount electrode portion, and has an effect that a sufficient adhesive area with the AT-cut quartz crystal resonator can be secured. Further, a highly accurate and highly reliable bonding structure of the crystal unit which does not affect the vibration mode of the AT-cut crystal unit can be realized, and a high quality piezoelectric oscillator can be provided.
【図1】本発明の圧電デバイスの構造図。(a)は、平
面図。(b)は、正面図。FIG. 1 is a structural view of a piezoelectric device of the present invention. (A) is a top view. (B) is a front view.
【図2】本発明の圧電デバイスのマウント部拡大図。
(a)は、平面図。(b)は、正面図。FIG. 2 is an enlarged view of a mount portion of the piezoelectric device of the present invention.
(A) is a top view. (B) is a front view.
【図3】本発明の圧電デバイスの他の構造図。(a)
は、平面図。(b)は、正面図。FIG. 3 is another structural view of the piezoelectric device of the present invention. (A)
Is a plan view. (B) is a front view.
【図4】本発明の圧電デバイスの他のマウント部拡大
図。(a)は、平面図。(b)は、正面図。FIG. 4 is an enlarged view of another mounting portion of the piezoelectric device of the present invention. (A) is a top view. (B) is a front view.
【図5】従来の圧電デバイスの構造図。(a)は、平面
図。(b)は、正面図。FIG. 5 is a structural view of a conventional piezoelectric device. (A) is a top view. (B) is a front view.
1 ベース 2 ICチップ 3 電極パターン 4 導電性接着剤 5 Auワイヤーボンディング線 6 ATカット水晶振動子 7 支持部 8 マウント部 9 導電性接着剤 10 先端部 11 マウント部 12 絶縁性接着剤 13 シールリング 14 リッド 15 水晶発振器 21 マウント電極部 22 溝 23 球状フィラー 31 ベース 32 ICチップ 33 電極パターン 34 バンプ 35 導電性接着剤 36 ATカット水晶振動子 37 支持部 38 マウント部 39 導電性接着剤 41 シールリング 42 リッド 43 水晶発振器 51 マウント電極部 52 溝 53 Auバンプ 101 ICチップ 102 ベース 103 Auワイヤーボンディング線 104 入出力用電極 105 ATカット水晶振動子 106 マウント部 107 シールリング 108 リッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base 2 IC chip 3 Electrode pattern 4 Conductive adhesive 5 Au wire bonding wire 6 AT cut crystal oscillator 7 Support part 8 Mount part 9 Conductive adhesive 10 Tip part 11 Mount part 12 Insulating adhesive 13 Seal ring 14 Lid 15 Crystal oscillator 21 Mount electrode part 22 Groove 23 Spherical filler 31 Base 32 IC chip 33 Electrode pattern 34 Bump 35 Conductive adhesive 36 AT-cut quartz oscillator 37 Support part 38 Mount part 39 Conductive adhesive 41 Seal ring 42 Lid 43 Crystal Oscillator 51 Mount Electrode 52 Groove 53 Au Bump 101 IC Chip 102 Base 103 Au Wire Bonding Wire 104 Input / Output Electrode 105 AT Cut Quartz Crystal Resonator 106 Mounting Part 107 Seal Ring 108 Lid
Claims (10)
で形成されたパッケージに内蔵した圧電デバイスにおい
て、前記圧電振動子が樹脂接着剤でマウントされてな
り、少なくとも前記圧電振動子の電極部を含む3点で保
持されていることを特徴とする圧電デバイス。1. A piezoelectric device in which a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator are incorporated in a package formed of a wiring board, wherein the piezoelectric vibrator is mounted with a resin adhesive, and at least an electrode portion of the piezoelectric vibrator is provided. A piezoelectric device characterized by being held at three points including:
で形成されたパッケージに内蔵した圧電デバイスにおい
て、前記圧電振動子は電極部を導電性接着剤でマウント
されてなり、マウント部に前記圧電振動子を平行に保持
する手段を用いたことを特徴とする圧電デバイス。2. A piezoelectric device in which a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator are incorporated in a package formed of a wiring substrate, wherein the piezoelectric vibrator has an electrode portion mounted with a conductive adhesive, and the mount portion has A piezoelectric device using means for holding a piezoelectric vibrator in parallel.
絶縁性の球体あるいは前記絶縁性の球体に金属コーティ
ングを施したものを用いることを特徴とする請求項2記
載の圧電デバイス。3. The means for holding the piezoelectric vibrator in parallel,
3. The piezoelectric device according to claim 2, wherein an insulating sphere or an insulating sphere coated with a metal is used.
樹脂系の球状のフィラーであることを特徴とする請求項
3記載の圧電デバイス。4. The piezoelectric device according to claim 3, wherein the insulating sphere is an organic glass-based or organic resin-based spherical filler.
いることを特徴とする請求項4記載の圧電デバイス。5. The piezoelectric device according to claim 4, wherein the insulating sphere is contained in the conductive adhesive.
金属で形成された複数のバンプであることを特徴とする
請求項2記載の圧電デバイス。6. A means for holding said piezoelectric vibrator in parallel,
3. The piezoelectric device according to claim 2, comprising a plurality of bumps formed of metal.
金属ボンディング線で形成された複数のバンプであるこ
とを特徴とする請求項6記載の圧電デバイス。7. A means for holding said piezoelectric vibrator in parallel,
7. The piezoelectric device according to claim 6, comprising a plurality of bumps formed by metal bonding lines.
れ、少なくとも前記圧電振動子の電極部を含む3点で保
持されてなり、樹脂接着剤に絶縁性の球体が含有されて
いることを特徴とする請求項1記載の圧電デバイス。8. The method according to claim 1, wherein said piezoelectric vibrator is mounted with a resin adhesive and held at at least three points including an electrode portion of said piezoelectric vibrator, and said resin adhesive contains an insulating sphere. The piezoelectric device according to claim 1, wherein:
れ、少なくとも前記圧電振動子の電極部を含む3点で保
持されてなり、マウント部に金属のバンプが複数形成さ
れていることを特徴とする請求項1記載の圧電デバイ
ス。9. The piezoelectric vibrator is mounted with a resin adhesive, held at at least three points including an electrode portion of the piezoelectric vibrator, and a plurality of metal bumps are formed on the mount portion. The piezoelectric device according to claim 1, wherein
板で形成されたパッケージに内蔵した圧電デバイスにお
いて、前記圧電振動子が樹脂接着剤でマウントされ、マ
ウント部に溝が形成され、前記溝に沿って樹脂接着剤が
複数個所塗布されていることを特徴とする圧電デバイ
ス。10. A piezoelectric device in which a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator are built in a package formed of a wiring board, wherein the piezoelectric vibrator is mounted with a resin adhesive, a groove is formed in a mount portion, and the groove is formed. Characterized in that a resin adhesive is applied at a plurality of locations along the piezoelectric device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000084886A JP2001274653A (en) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | Piezo device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000084886A JP2001274653A (en) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | Piezo device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001274653A true JP2001274653A (en) | 2001-10-05 |
Family
ID=18601300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000084886A Withdrawn JP2001274653A (en) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | Piezo device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001274653A (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006211089A (en) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Daishinku Corp | Piezoelectric vibration device |
JP2007180900A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | Quartz oscillator and manufacturing method thereof |
JP2007324851A (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Temperature-compensated crystal oscillator for surface mounting |
US7350988B2 (en) | 2005-11-18 | 2008-04-01 | Seiko Epson Corporation | Optical module and method of manufacturing the same |
US7364372B2 (en) | 2005-11-18 | 2008-04-29 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing optical module |
JP2009141464A (en) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Surface mount crystal unit |
JP2014150452A (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Piezoelectric device |
WO2014178308A1 (en) * | 2013-05-01 | 2014-11-06 | 株式会社村田製作所 | Crystal oscillation device and fabrication method therefor |
JP2015088811A (en) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 株式会社大真空 | Temperature compensated crystal oscillator |
-
2000
- 2000-03-24 JP JP2000084886A patent/JP2001274653A/en not_active Withdrawn
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006211089A (en) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Daishinku Corp | Piezoelectric vibration device |
US7350988B2 (en) | 2005-11-18 | 2008-04-01 | Seiko Epson Corporation | Optical module and method of manufacturing the same |
US7364372B2 (en) | 2005-11-18 | 2008-04-29 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing optical module |
JP2007180900A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | Quartz oscillator and manufacturing method thereof |
JP2007324851A (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Temperature-compensated crystal oscillator for surface mounting |
JP2009141464A (en) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Surface mount crystal unit |
JP2014150452A (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Piezoelectric device |
WO2014178308A1 (en) * | 2013-05-01 | 2014-11-06 | 株式会社村田製作所 | Crystal oscillation device and fabrication method therefor |
CN105144578A (en) * | 2013-05-01 | 2015-12-09 | 株式会社村田制作所 | Crystal oscillation device and fabrication method therefor |
JP2016034155A (en) * | 2013-05-01 | 2016-03-10 | 株式会社村田製作所 | Quartz crystal vibration device and manufacturing method thereof |
JP5924451B2 (en) * | 2013-05-01 | 2016-05-25 | 株式会社村田製作所 | Quartz crystal vibration device and manufacturing method thereof |
US10097157B2 (en) | 2013-05-01 | 2018-10-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Crystal vibrating device and method for producing the same |
JP2015088811A (en) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 株式会社大真空 | Temperature compensated crystal oscillator |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3678148B2 (en) | Piezoelectric device | |
CN104639041B (en) | Temp.-compensation type crystal oscillator | |
JP2006279872A (en) | Piezoelectric vibrator, manufacturing method thereof, and manufacturing method of piezoelectric oscillator using the piezoelectric vibrator | |
JP2010050778A (en) | Piezoelectric device | |
JP2009188483A (en) | Piezoelectric device and surface mount piezoelectric oscillator | |
JP2001274653A (en) | Piezo device | |
JP2013098628A (en) | Surface mounting crystal oscillator | |
JP2016086049A (en) | Package, method of manufacturing package, electronic device, electronic apparatus and mobile | |
KR20050053014A (en) | Resonator device, electronic equipment provided with resonator device and method for manufacturing resonator device | |
JPH05291864A (en) | Surface acoustic wave element mounting circuit and manufacturing method thereof | |
JP2004072641A (en) | Crystal oscillator for surface mounting | |
JP5101093B2 (en) | Piezoelectric oscillator and manufacturing method thereof | |
JP4085549B2 (en) | Piezoelectric device and manufacturing method thereof | |
JP2014049966A (en) | Crystal device | |
JP2004289478A (en) | Bonding structure of piezoelectric vibrating reed, piezoelectric device and manufacturing method thereof, mobile phone device using piezoelectric device, and electronic device using piezoelectric device | |
JP3760622B2 (en) | Piezoelectric device | |
JP2013143607A (en) | Crystal oscillator for surface mounting | |
JP3678106B2 (en) | Piezoelectric device and manufacturing method thereof | |
JP2006211089A (en) | Piezoelectric vibration device | |
JP2003032042A (en) | Real-time clock module and electronic equipment | |
JP3433728B2 (en) | Piezo device | |
JPH11330893A (en) | Piezoelectric device and manufacturing method thereof | |
JP7523271B2 (en) | Piezoelectric Devices | |
JP2013157692A (en) | Vibration device and oscillator | |
JP5045316B2 (en) | Piezoelectric device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040329 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060208 |