JP2001274454A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 再現性良く所望の発光波長が得られるように
した発光ダイオード及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 少なくともｐ型の第一のクラッド層１２
とｎ型の第二のクラッド層１４との間に、ｐ型のＳｉド
ープＡｌＧａＡｓから成る活性層１３を備えたダブルヘ
テロ構造の発光ダイオード１０において、活性層１３を
構成するｐ型のＳｉドープＡｌＧａＡｓに添加するＳｉ
及びＡｌの量の組み合わせによって、活性層から６６０
ｎｍ乃至９４０ｎｍの波長の赤外光を発光するように発
光ダイオード１０を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は発光ダイオードに
かかり、特に、例えばセンサ用として使用される赤外発
光ダイオードとその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような発光ダイオードは例え
ば図４に示すように構成されている。図４において、発
光ダイオード１は、所謂ホモ構造の発光ダイオードであ
って、ＧａＡｓから成る半導体基板２上に、例えば液相
エピタキシャル法により複数のＡｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓ（０
≦ｘ≦０．７５）から成る半導体層を積層させて、少な
くともｎ型の第一の半導体層３とｐ型の第二の半導体層
４を形成する。このようにして、第一及び第二の半導体
層３，４の間にｐｎ接合部５を備えることにより構成さ
れている。なお、実際の製造工程では、ウェハー状の半
導体基板上に複数の半導体層を形成した後、各発光ダイ
オードチップの領域毎に表面及び裏面に電極を形成し、
ウェハー状の半導体基板を切断して各発光ダイオードチ
ップ毎に分離することにより、発光ダイオードが製造さ
れるようになっている。

【０００３】このような構成の発光ダイオード１によれ
ば、電極間に駆動電圧を印加することによって、第一及
び第二の半導体層３，４間に電圧が印加され、その間の
ｐｎ接合部５から光が出射するようになっている。

【０００４】ところで、このような波長が８８０乃至９
４０ｎｍ程度の赤外光を発光させる発光ダイオード１
は、一般的には、Ｓｉをドーパントとした同じ結晶材料
の溶液を温度を変えてエピタキシャル成長させて半導体
層３，４を形成することにより作製される。この構造は
ホモ構造と呼ばれている。ＳｉをドープしたＡｌ_x Ｇａ
_1-x Ａｓ（０≦ｘ≦０．７５）溶液を高温でエピタキシ
ャル成長させるとｎ型結晶になり、低温でエピタキシャ
ル成長させるとｐ型結晶になる。ホモ構造の発光ダイオ
ードは、このＳｉドーパントの性質を利用して形成され
る。すなわち、ＧａＡｓ基板上にＳｉを添加した成長原
料溶液を接触させ、徐々に温度を降下させることでｎ型
半導体層３及びｐ型半導体層４を成長させる。このよう
にして１回のエピタキシャル成長で第一及び第二の半導
体層３，４を形成し、発光部のｐｎ接合部５を形成する
ようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、赤外発光ダ
イオードをセンサ用として使用する場合には、特定の波
長の光のみを発光する発光ダイオードを使用することが
必要とされ、不要な光を発光する発光ダイオードを使用
した場合には、センサの誤動作が発生してしまうので、
不適当である。また、赤外線カメラの光源として赤外発
光ダイオードを使用する場合も、同様に特定の波長の光
のみを発光する発光ダイオードを使用することが必要と
され、不要な光を発光する発光ダイオードを使用した場
合には、赤外線カメラの受光感度が低下してしまう。

【０００６】これに対して、上述した従来のホモ構造の
赤外発光ダイオードにおいては、ＡｌＧａＡｓから成る
発光ダイオードの発光波長は、発光部であるｐｎ接合部
５のＡｌ組成によって大きな影響を受けるが、前述した
所謂温度降下による液相エピタキシャル成長において
は、結晶の成長と共にＡｌ組成が変化するため、ホモ構
造のエピタキシャル成長層が形成される際、ｐｎ接合部
５のＡｌ組成を所定の値に再現性良く制御することが難
しい。したがって、ホモ構造の発光ダイオードにおいて
は、所望の発光波長を有する発光ダイオードを再現性良
く作製することができなかった。このようにして、実際
には、センサ用として所望の発光波長を有する発光ダイ
オードを選別したり、必要な波長の光のみを透過させる
フィルタを併用することにより対応している。このた
め、選別により発光ダイオードの歩留まりが低下した
り、またフィルタの併用により部品点数が多くなると共
に、フィルタにより光の強度が低下してしまう。

【０００７】この発明は、以上の点にかんがみて、所望
の発光波長を有する発光ダイオード及びこの発光ダイオ
ードを再現性良く作製し得る方法を提供することを目的
としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、ｐ型のＳｉドープＡｌＧ
ａＡｓから成る活性層を有する発光ダイオードであっ
て、この活性層中のＡｌとＳｉの添加量に応じて、６６
０乃至９４０ｎｍの波長の光を発光するように調整され
ていることを特徴としている。また、請求項２に記載の
発明は、順次に少なくともｐ型またはｎ型の第一のクラ
ッド層とｐ型のＳｉドープＡｌＧａＡｓから成る活性層
とｎ型またはｐ型の第二のクラッド層とを有する発光ダ
イオードであって、活性層中のＡｌとＳｉの添加量に応
じて、６６０乃至９４０ｎｍの波長の光を発光するよう
に調整されていることを特徴としている。この発明によ
る発光ダイオードは、好ましくは、前記活性層を液層エ
キタピシャル成長させる際の原料溶液に含まれるＡｌの
量が０〜２．５×１０^-1重量％であり、Ｓｉの量が０〜
１．０重量％に調整される。

【０００９】また、請求項４に記載の発光ダイオードの
製造方法にあっては、ｐ型のＳｉドープＡｌＧａＡｓか
ら成る活性層を形成する際に、活性層を構成するＡｌと
Ｓｉの添加量の組み合わせにより所望の発光波長を有す
るようにすることを特徴としている。請求項５に記載の
発明は、順次に少なくともｐ型またはｎ型の第一のクラ
ッド層とｐ型のＳｉドープＡｌＧａＡｓから成る活性層
とｎ型またはｐ型の第二のクラッド層とを有する発光ダ
イオードの製造方法において、活性層中のＡｌとＳｉの
添加量の組み合わせにより所望の発光波長を有するよう
にすることを特徴としている。請求項４又は５に記載の
発光ダイオードの製造方法にあっては、好ましくは、前
記活性層を液層エピタキシャル成長法で成長させる際の
原料溶液に含まれるＡｌの量が０〜２．５×１０^-1重量
％であり、Ｓｉの量が０〜１．０重量％であるように調
整し得る。

【００１０】上記構成によれば、ダブルヘテロ構造であ
ることから、発光部である活性層の厚みが１μｍ程度と
薄くてよいため、液相エピタキシャル成長の際に、活性
層内でのＡｌ組成の変動が殆どないので、Ａｌ組成の変
動による発光波長の変動もない。したがって、活性層を
構成するｐ型のＳｉドープＡｌＧａＡｓを構成するＡｌ
及びＳｉの添加量を調整することにより、所望の発光波
長を再現性良く得ることができる。これにより、例えば
センサ用の赤外発光ダイオードとしての選別が不要にな
ると共に、フィルタの併用も必要なくなるので、発光ダ
イオードの歩留まりを向上させることができ、また発光
強度のフィルタによる低下も排除することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図面に示した実施形態に基
づいてこの発明を詳細に説明する。図１はこの発明によ
る発光ダイオードの一実施形態を示している。図１にお
いて、発光ダイオード１０は、所謂ダブルヘテロ構造の
発光ダイオードチップとして、半導体基板１１上に順次
に形成されたｐ型のクラッド層１２，活性層１３及びｎ
型のクラッド層１４とから構成されている。

【００１２】上記半導体基板１１は、例えばＧａＡｓ基
板である。上記ｐ型のクラッド層１２は、例えば、Ａｌ
_x Ｇａ_1-x Ａｓ（０．１５≦ｘ≦０．４０）の半導体材
料に対して、ドーパントとして、例えばＺｎ等を添加し
たものである。また、上記ｎ型のクラッド層１４は、例
えばＡｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓ（０．１５≦ｘ≦０．４０）の
半導体材料に対して、ドーパントとして、例えばＴｅ等
を添加したものである。

【００１３】これに対して、上記活性層１３は、例えば
Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓ（ｘ＝０．０１）の半導体材料に対
して、ドーパントとしてＳｉを添加したものであり、そ
の厚さは例えば１μｍ程度である。

【００１４】ここで、活性層１３を構成する半導体材料
に対するＳｉの添加量と発光ダイオード１０の発光波長
との間には、図２のグラフに示すような関係がある。な
お、図２は、活性層を液相エピタキシャル成長法で成長
する際の原料溶液に含まれるＡｌ量が、１．３×１０^-2
重量％（１．３×１０^-4重量比）の場合について示して
いる。このグラフによると、Ｓｉ添加量が１×１０^-2重
量％から１．０重量％の範囲では、発光波長がほぼ８６
４ｎｍ〜９１７ｎｍの範囲でシフトしている。これによ
り、Ｓｉの量を増減することによって、８６０乃至９１
７ｎｍの発光波長が得られることが分かる。

【００１５】また、活性層１３を構成する半導体材料に
対するＡｌの添加量と発光ダイオード１０の発光波長と
の間には、図３のグラフに示すような関係がある。な
お、図３は、活性層１３へのＳｉ添加量が０の場合につ
いて示している。このグラフによると、Ａｌ添加量が
２．０×１０^-3重量％から２．５×１０^-1重量％の範囲
では、発光波長がほぼ８６０ｎｍ〜６６０ｎｍの範囲で
シフトしている。これにより、Ａｌの添加量を増減する
ことによって、６７０〜８６０ｎｍの発光波長が得られ
ることが分かる。Ａｌ添加量（重量％）をＡ、Ｓｉ添加
量（重量％）をＢとすると、これらの添加量と発光波長
（ｎｍ）との間には、 発光波長（ｎｍ）＝８７６・ｅ^-1.1・^A ＋１６・ＬｎＢ
＋５３ の式が成り立ち、Ａ，Ｂの値を調節することによって、
発光波長を制御できる。ただし、上式において、Ｌｎは
自然対数を表す。またＢ＝０の場合に上式は、 発光波長（ｎｍ）＝８７６・ｅ^-1.1・^A ＋５３ である。

【００１６】以上のことより、活性層１３を構成する半
導体材料（原料溶液）に対するＳｉ及びＡｌの添加量を
適宜に組み合わせることによって、発光ダイオード１０
の発光波長を所望の波長に設定することができる。すな
わち、上記実施の形態では、活性層を液相エピタキシャ
ル成長法で成長する際の原料溶液に含まれるＡｌの量
が、１．３×１０^-2重量％（１．３×１０^-4重量比）の
場合について示しており、図２に示したように、Ｓｉ添
加量が０であれば、発光波長は約８６０ｎｍである。こ
の原料溶液にＳｉを１．０重量％（１．０×１０^-2重量
比）まで添加していけば、約９２０ｎｍの発光波長にな
る。つまり、Ｓｉを０から１．０重量％（１．０×１０
^-2重量比）の範囲で添加することによって、Ｓｉの添加
がない場合の発光波長を、０から約６０ｎｍの範囲で長
波長側にシフトすることができる。

【００１７】つぎに、Ａｌの添加量を変えれば、さらに
広い範囲の発光波長を制御することができる。例えば、
図３に示したように、Ａｌの添加量を２．５×１０^-1重
量％（２．５×１０^-3重量比）に選べば、Ｓｉの添加が
ない場合にはその発光波長は約６６０ｎｍであるが、こ
れにＳｉを添加していくことによって、Ｓｉの添加量に
応じてその発光波長を０から約６０ｎｍの範囲で再現性
良くシフトすることができる。すなわち、６６０ｎｍか
ら７２０ｎｍの発光波長をもつ発光ダイオードを再現性
良く作製することができる。また例えば、Ａｌの添加が
ない場合、すなわちＧａＡｓの場合には、その発光波長
は８８０ｎｍであるが、Ｓｉを添加していくことによっ
て９４０ｎｍの発光波長を得ることができる。

【００１８】このような構成の発光ダイオード１０は、
さらに、半導体基板１１の裏面とｎ型のクラッド層１４
の表面にて、チップ領域にそれぞれ電極をパターン形成
し、さらに半導体基板１１をチップ領域毎に切断して、
各ダイオードチップを分離する。

【００１９】本発明による発光ダイオード１０は以上の
ように構成されており、二つのクラッド層１２，１４の
間に活性層１３が形成される。ここで、この活性層１３
を構成する半導体材料は、発光ダイオード１０の発光波
長が８８０乃至９４０ｎｍとなるように、Ｓｉ及びＡｌ
添加量が調整されている。そして、活性層１３の液相エ
ピタキシャル成長の際には、活性層１３の厚さが１μｍ
程度と薄いので、温度降下法による液相エピタキシャル
成長でも、Ａｌ組成の変動が殆どないことから、上述の
ように活性層１３の半導体材料へのＳｉ及びＡｌの添加
量の調整によって、所望の発光波長を有する発光ダイオ
ード１０を容易に得ることができる。また、本発明の製
造方法によれば、赤外発光波長領域に限らず、可視光領
域においても所望の発光波長を有する発光ダイオードを
再現性良く得ることができる。

【００２０】なお、上述した実施形態においては、発光
ダイオード１０のｐ型のクラッド層１２及びｎ型のクラ
ッド層１４のドーパントは、例示したものに限定され
ず、他の任意の種類，濃度のドーパントを使用すること
が可能であることは明らかである。また、上述した実施
形態においては、図１にて下方のクラッド層１２がｐ型
であり、上方のクラッド層１４がｎ型であるが、逆に下
方のクラッド層がｎ型であって上方のクラッド層がｐ型
であってもよい。

【００２１】

【実施例】つぎに実施例１を説明する。発光波長９００
ｎｍのＬＥＤを作製する場合には、液相エピタキシャル
法により以下のように行う。まず、ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層の原料となる溶液を、９００℃でＧａＡｓ基板
と接触させ、そのまま８４０℃まで温度を降下させるこ
とで、Ａｌ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．２〜０．４）の
ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層を５０μｍ成長させる。こ
のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液には、Ｇａ溶
媒中にＧａＡｓを９．０重量％、Ａｌを３．５×１０^-1
重量％、Ｚｎを３．０×１０^-2重量％、それぞれ添加し
てある。次に、８４０℃まで降温したら、ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層の原料溶液とウェハー（基板）とを分離
し、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層の原料溶液をウェハーと接
触させ、８３９．５℃まで降温させることで、厚さ１μ
ｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層を成長させる。このｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ活性層の原料溶液には、Ｇａ溶媒中にＧａＡ
ｓを１０．２重量％、Ａｌを１．０×１０^-2重量％、Ｓ
ｉを３．０×１０ ^-1重量％、それぞれ添加してある。

【００２２】次に８３９．５℃まで降温したら、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ活性層の原料溶液とウェハーとを分離し、ｎ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液をウェハーと接触
させ、６００℃まで降温させることで、Ａｌ_x Ｇａ
_(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．２〜０．４）のｎ型ＡｌＧａＡｓ
層を６０μｍ成長させる。このｎ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層の原料溶液には、Ｇａ溶媒中にＧａＡｓを６．０重
量％、Ａｌを２．７×１０ ^-1重量％、Ｔｅを３．０×１
０^-3重量％、それぞれ添加してある。６００℃まで降温
したら、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液とウェ
ハーとを分離し、室温まで降温する。このようにして得
られたエピタキシャルウェハーからＬＥＤを作製したと
ころ、その発光波長は９０１ｎｍであった。

【００２３】次に、実施例２を説明する。発光波長８０
０ｎｍのＬＥＤを作製する場合には、液相エピタキシャ
ル法により、以下のように行う。まず、ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層の原料となる溶液を、９００℃でＧａＡｓ
基板と接触させ、そのまま８４０℃まで温度を降下させ
ることで、Ａｌ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．３〜０．
５）のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層を５０μｍ成長させ
る。このｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液には、
Ｇａ溶媒中にＧａＡｓを７．５重量％、Ａｌを４．４×
１０^-1重量％、Ｚｎを３．０×１０^-2重量％、それぞれ
添加してある。次に、８４０℃まで降温したら、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液とウェハー（基板）と
を分離し、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層の原料溶液をウェハ
ーと接触させ、８３９．５℃まで降温させることで、厚
さ１μｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層を成長させる。この
ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層の原料溶液には、Ｇａ溶媒中に
ＧａＡｓを９．２重量％、Ａｌを１．０×１０^-1重量
％、Ｓｉを１．０×１０^-1重量％、それぞれ添加してあ
る。

【００２４】次に８３９．５℃まで降温したら、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ活性層の原料溶液とウェハーとを分離し、ｎ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液をウェハーと接触
させ、６００℃まで降温させることで、Ａｌ_x Ｇａ
_(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．３〜０．５）のｎ型ＡｌＧａＡｓ
層を６０μｍ成長させる。このｎ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層の原料溶液には、Ｇａ溶媒中にＧａＡｓを５．１重
量％、Ａｌを３．４×１０ ^-1重量％、Ｔｅを３．０×１
０^-3重量％、それぞれ添加してある。６００℃まで降温
したら、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液とウェ
ハーとを分離し、室温まで降温する。このようにして得
られたエピタキシャルウェハーからＬＥＤを作製したと
ころ、その発光波長は８０３ｎｍであった。

【００２５】次に、実施例３を説明する。発光波長７０
０ｎｍのＬＥＤを作製する場合には、液相エピタキシャ
ル法により、以下のように行う。まず、ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層の原料となる溶液を、９００℃でＧａＡｓ
基板と接触させ、そのまま８４０℃まで温度を降下させ
ることで、Ａｌ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．５〜０．
６）のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層を５０μｍ成長させ
る。このｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液には、
Ｇａ溶媒中にＧａＡｓを６．０重量％、Ａｌを６．３×
１０^-1重量％、Ｚｎを３．０×１０^-2重量％、それぞれ
添加してある。次に、８４０℃まで降温したら、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液とウェハー（基板）と
を分離し、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層の原料溶液をウェハ
ーと接触させ、８３９．５℃まで降温させることで、厚
さ１μｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層を成長させる。この
ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層の原料溶液には、Ｇａ溶媒中に
ＧａＡｓを７．７重量％、Ａｌを２．１×１０^-1重量
％、Ｓｉを４．０×１０^-2重量％、それぞれ添加してあ
る。

【００２６】次に８３９．５℃まで降温したら、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ活性層の原料溶液とウェハーとを分離し、ｎ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液をウェハーと接触
させ、６００℃まで降温させることで、Ａｌ_x Ｇａ
_(1-x) Ａｓ（ｘ＝０．５〜０．６）のｎ型ＡｌＧａＡｓ
層を６０μｍ成長させる。このｎ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層の原料溶液には、Ｇａ溶媒中にＧａＡｓを３．５重
量％、Ａｌを５．３×１０ ^-1重量％、Ｔｅを３．０×１
０^-3重量％、それぞれ添加してある。６００℃まで降温
したら、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層の原料溶液とウェ
ハーとを分離し、室温まで降温する。このようにして得
られたエピタキシャルウェハーからＬＥＤを作製したと
ころ、その発光波長は６９７ｎｍであった。

【００２７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明による発光ダ
イオードは、ダブルヘテロ構造であることから、発光部
である活性層の厚さが１μｍ程度と薄くてよいため、液
相エピタキシャル成長の際に、活性層内でのＡｌ組成の
変動が殆どないので、Ａｌ組成の変動による発光波長の
変動もない。したがって、活性層を構成するｐ型のＳｉ
ドープＡｌＧａＡｓに対するＳｉの添加量を調整するこ
とにより、所望の発光波長を得ることができる。これに
より、例えばセンサ用の赤外発光ダイオードとしての選
別が不要になると共に、フィルタの併用も必要なくなる
ので、発光ダイオードの歩留まりを向上させることがで
き、また発光強度のフィルタによる低下も排除すること
ができる。このようにして、本発明によれば、簡単な構
成により、所望の発光波長を得るようにした、極めて優
れた発光ダイオード及びその製造方法が提供され得るこ
とになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による発光ダイオードの一実施形態の構
成を示す概略断面図である。

【図２】図１の発光ダイオードにおけるＳｉ添加量と発
光波長との関係を示すグラフである。

【図３】図１の発光ダイオードにおけるＡｌ添加量と発
光波長との関係を示すグラフである。

【図４】従来の発光ダイオードの一例の構成を示す概略
断面図である。

【符号の説明】

１０ 発光ダイオード １１ 半導体基板（ＧａＡｓ） １２ ｐ型クラッド層（ｐ型ＡｌＧａＡｓ） １３ 活性層（ｐ型ＳｉドープＡｌＧａＡｓ） １４ ｎ型クラッド層（ｎ型ＡｌＧａＡｓ）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 一義 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 CA04 CA35 CA36 CA57 CA58 FF16

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｐ型のＳｉドープＡｌＧａＡｓから成る
   活性層を有する発光ダイオードであって、 上記活性層中のＡｌとＳｉの含有量の組み合わせで、６
   ６０乃至９４０ｎｍの間で発光波長が制御された光を発
   光することを特徴とする発光ダイオード。
2. 【請求項２】 順次に少なくともｐ型またはｎ型の第一
   のクラッド層とｐ型のＳｉドープＡｌＧａＡｓから成る
   活性層とｎ型またはｐ型の第二のクラッド層とを有する
   発光ダイオードであって、 上記活性層中のＡｌとＳｉの含有量の組み合わせで、６
   ６０乃至９４０ｎｍの間で発光波長が制御された光を発
   光することを特徴とする発光ダイオード。
3. 【請求項３】 前記活性層を液層エキタピシャル成長法
   で成長させる際の原料溶液に含まれるＡｌの量が原料溶
   液に対して０〜２．５×１０^-1重量％であり、前記Ｓｉ
   の量が０〜１．０重量％であることを特徴とする、請求
   項１又は２に記載の発光ダイオード。
4. 【請求項４】 ｐ型のＳｉドープＡｌＧａＡｓから成る
   活性層を有する発光ダイオードの製造方法において、 上記活性層を形成する際に、活性層を構成するＡｌとＳ
   ｉの添加量の組み合わせにより所望の発光波長を有する
   ようにすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方
   法。
5. 【請求項５】 順次に少なくともｐ型またはｎ型の第一
   のクラッド層とｐ型のＳｉドープＡｌＧａＡｓから成る
   活性層とｎ型またはｐ型の第二のクラッド層とを有する
   発光ダイオードの製造方法において、 上記活性層中のＡｌとＳｉの添加量の組み合わせにより
   所望の発光波長を有するようにすることを特徴とする、
   発光ダイオードの製造方法。
6. 【請求項６】 前記活性層を液層エキタピシャル成長法
   で成長させる際の原料溶液に含まれるＡｌの量が０〜
   ２．５×１０^-1重量％であり、前記Ｓｉの量が０〜１．
   ０重量％であることを特徴とする、請求項４又は５に記
   載の発光ダイオードの製造方法。