JP2001274069A

JP2001274069A - レジストパターン形成方法及び半導体製造システム

Info

Publication number: JP2001274069A
Application number: JP2000087399A
Authority: JP
Inventors: Kenji Kawano; 健二川野; Shinichi Ito; 信一伊藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-03-27
Filing date: 2000-03-27
Publication date: 2001-10-05
Anticipated expiration: 2020-03-27
Also published as: JP3708786B2

Abstract

(57)【要約】【課題】反りを有するウェハに対してもウェハ面内で
優れた均一性を持った加熱処理を行うことができ、レジ
ストパターンの加工精度向上をはかる。【解決手段】露光装置１０内でウェハ上のレジスト膜
にＬＳＩパターンを露光したのち、ウェハをＰＥＢユニ
ット２６内の熱板上に載置して加熱処理し、しかるのち
現像装置２７内でレジスト膜に現像処理を施すレジスト
パターン形成方法において、加熱処理する工程よりも前
に露光装置１０内でウェハの反り量を計測し、ウェハを
加熱処理する工程で、計測した反り量に基づいて、熱板
の基板載置面における基板と熱板との距離が長いほど供
給熱量が多くなるように、熱板の温度を面内方向で変え
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被加工基板上に形
成されたレジストに所望パターンを形成するためのリソ
グラフィ技術に係わり、特に被加工基板の反りの影響を
考慮したレジストパターン形成方法及び半導体製造シス
テムに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置のリソグラフィ工程では、半
導体素子の微細化に伴って化学増幅型レジストの適用が
必須となっている。この種のレジストを用いたプロセス
では、露光で生じた酸を拡散させるために、露光後にＰ
ＥＢ（Post Exposure Bake）と呼ばれる加熱処理工程が
必要になる。そして、レジストのパターン寸法は、ＰＥ
Ｂの処理温度に大きく依存するために、基板面内及び基
板間での温度均一性が必要とされている。

【０００３】ＰＥＢ処理は、半導体基板を温調された熱
板と微少な隙間（プロキシミティギャップ）を設けた状
態で載置するか、或いは基板と熱板を密着して行う方法
が一般に用いられている。そして、ＰＥＢ処理を行うた
めの加熱装置では通常、平坦な熱板が使用されている。

【０００４】ところで、リングラフィ工程を行う半導体
基板上には、トランジスタのキャパシタ材である誘電体
膜、配線に用いる金属膜、層間絶縁膜などが既に形成さ
れているため、半導体基板には反りが生じている場合が
多い。このような半導体基板を加熱装置内の熱板を用い
て加熱処理すると、基板面内において熱板と基板との距
離に差が生じるため、基板表面での温度ばらつきが大き
くなってしまうという問題点が生じていた。

【０００５】これらの問題点に対して、熱板上面部に複
数の温度センサを設け、半導体基板を熱板上に載置する
前後の温度変化を検出することで基板の反り量を間接的
に求め、反り量が許容範囲以上の場合は熱板の設定温度
を変更する熱処理装置が既に提案されている（特開平１
１−３２９９４１号公報）。しかし、この種の装置で
は、基板反り量を加熱処理温度ヘフィードバックするま
での間に加熱処理が進行してしまうため、温度精度の優
れた加熱処理を行うことは困難であった。また、複数の
温度センサが別途必要となるために、コストが高くなる
という新たな問題点も生じていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように従来、パタ
ーン露光に供される半導体基板が反った形状を持ってい
ると、露光後のＰＥＢ処理等において熱板で加熱処理す
る際に基板面内で温度のばらつきが生じ、最終的に得ら
れるレジストパターンの加工精度が低下する問題があっ
た。

【０００７】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、被加工基板が反った形
状を持ち、その反り量が基板毎に異なっていても基板面
内で優れた均一性を持った加熱処理を行うことができ、
レジストパターンの加工精度向上に寄与し得るレジスト
パターン形成方法及び半導体製造システムを提供するこ
とにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は、次のような構成を採用している。

【０００９】即ち本発明は、被加工基板上にレジスト膜
を形成する工程と、前記レジスト膜に所望パターンを露
光する工程と、前記レジスト膜にパターンが露光された
基板を熱板上に載置して加熱処理する工程と、前記加熱
処理されたレジスト膜に現像処理を施す工程とを含むレ
ジストパターン形成方法において、前記加熱処理する工
程よりも前に前記被加工基板の反り量を計測し、前記被
加工基板を加熱処理する工程で、前記計測した反り量に
応じて前記熱板による供給熱量を制御することを特徴と
する。

【００１０】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものが挙げられる。 (1) 熱板による供給熱量を制御する手段として、熱板の
基板載置面における被加工基板と熱板との距離が長いほ
ど供給熱量が多くなるように、熱板の温度を面内方向で
変えること。

【００１１】(2) 熱板による供給熱量を制御する手段と
して、被加工基板の反り量が大きいほど熱板によるトー
タルの供給熱量を多くするように、熱板の温度を制御す
ること。

【００１２】(3) 被加工基板の反り量を計測する手段と
して、レジスト膜に所望パターンを露光するための露光
装置内で、被加工基板をステージ上に固定するための真
空チャック圧の面内分布を求め、この分布に基づいて反
り量を算出すること。

【００１３】また本発明は、被加工基板上にレジスト膜
を形成するレジスト塗布装置と、前記レジスト膜が形成
された被加工基板に対して所望パターンを露光する露光
装置と、前記パターンが露光された被加工基板を熱板上
に載置して加熱処理する加熱装置と、前記加熱処理され
た被加工基板に対して現像処理を施す現像装置と、前記
被加工基板を前記各装置間で搬送する搬送機構と、前記
被加工基板の反り量を計測する手段とを備えた半導体製
造システムであって、前記加熱装置は、前記計測手段に
より計測された基板の反り量に基づいて、前記熱板の基
板載置面における前記被加工基板と前記熱板との距離が
長いほど供給熱量が多くなるように、前記熱板の面内方
向の温度分布を制御するものであることを特徴とする。

【００１４】また本発明は、被加工基板上にレジスト膜
を形成するレジスト塗布装置と、前記レジスト膜が形成
された被加工基板に対して所望パターンを露光する露光
装置と、前記パターンが露光された被加工基板を熱板上
に載置して加熱処理する加熱装置と、前記加熱処理され
た被加工基板に対して現像処理を施す現像装置と、前記
被加工基板を前記各装置間で搬送する搬送機構と、前記
被加工基板の反り量を計測する手段とを備えた半導体製
造システムであって、前記加熱装置は、前記計測手段に
より計測された基板の反り量に基づいて、反り量が大き
いほどトータルの供給熱量が多くなるように前記熱板の
温度を制御するものであることを特徴とする。

【００１５】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものが挙げられる。 (1) 被加工基板の反り量を計測する手段は、露光装置内
で前記被加工基板をステージ上に固定するための真空チ
ャック機構に、真空チャック圧の面内分布を検出する機
能を設け、検出された面内分布に従って反り量を算出す
るものであること。

【００１６】(2) 加熱装置の熱板は、径の異なる複数の
同心環状ヒータを有し、各々のヒータが独立に温度制御
可能であること。

【００１７】（作用）先にも説明したように、リングラ
フィ工程でパターン転写に供される被加工基板は、下地
に様々な膜が形成されているため、一般に反った形状と
なっている。このような基板を熱板で加熱処理する場
合、熱板と基板との距離が基板面内で異なるため、供給
される熱量に基板面内でばらつきが生じる。露光後に行
うＰＥＢと呼ばれる加熱処理工程で供給される熱量と現
像後に形成されるレジストパターンの寸法との間には密
接な関係がある。このため、ＰＥＢ工程で供給される熱
量のばらつきが大きいと、寸法の均一性を劣化させてし
まう。

【００１８】本発明では、ＰＥＢ工程に先立ち（例えば
露光装置内において）、基板の反り量データを取得し、
その反り量に基づきＰＥＢ時に熱板から供給する熱量の
制御を行っている。熱量制御の第１の方法として、熱板
の基板載置面における基板と熱板との距離が長いほど供
給熱量が多くなるように熱板の温度を面内方向で変える
ことにより、基板を面内で均一に加熱することができ
る。熱量制御の第２の方法として、被加工基板の反り量
が大きいほど熱板によるトータルの供給熱量を多くする
用に熱板の温度を制御することにより、反り量の異なる
基板に対して均一な加熱処理を行うことができる。

【００１９】また、フィードバック制御ではなくフィー
ドフォワード制御のため、温度制御の遅れがなく、より
正確な温度制御が可能となる。さらに、加熱装置内に複
数の温度センサを設ける必要もなく、コストが高くなる
等の不都合もない。従って本発明によれば、被加工基板
が反った形状を持ち、その反り量が基板毎に異なってい
ても基板面内及び基板間で優れた均一性を持った加熱処
理を行うことができ、レジストパターンの加工精度向上
に寄与することが可能となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。

【００２１】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係わる半導体製造システムを模式的に示す
構成図である。

【００２２】露光装置１０とレジスト処理装置２０がイ
ンターフェースユニット３０を介して接続されている。
露光装置１０は、ステージ上に載置されたウェハに対し
て、投影露光基板（マスク）に形成されたパターンを露
光するものであるが、この基本的機能とは別に後述する
ように、ステージ上のウェハの反り量を計測できるよう
になっている。

【００２３】レジスト処理装置２０は、複数枚のウェハ
がセットされるウェハステーション２１、ウェハ上に反
射防止膜を塗布するための第１の塗布ユニット２２（Ｃ
ＯＴ１）、ウェハ上にレジストを塗布するための第２の
塗布ユニット２３（ＣＯＴ２）、反射防止膜をベークす
るための第１のベークユニット２４（ＨＰ１）、レジス
トをプリベークするための第２のベークユニット２５
（ＨＰ２）、レジストをポストベークするための第３の
ベークユニット２６（ＨＰ３）、レジストを現像するた
めの現像ユニット２７、図示しない冷却ユニット及び搬
送ユニットなどから構成されている。ここで、ベークユ
ニット２６は熱板上に載置されたウェハを加熱処理する
ものであるが、後述するように熱板表面の温度を面内で
可変制御できるようになっている。

【００２４】次に、本実施形態におけるレジストパター
ン形成プロセスを、図２のフローチャートに従って説明
する。

【００２５】まず、ウェハステーション２１に載置され
たウェハ（図示せず）を、搬送ユニットで第１の塗布ユ
ニット２２に搬送し、ウェハ上に反射防止膜を塗布した
（ステップ１）。続いて、ウェハを搬送ユニットで第１
のベークユニット２４に搬送し、１９０℃，６０秒の条
件でベーク処理して、膜厚６０ｎｍの反射防止膜を形成
した（ステップ２）。

【００２６】次いで、ウェハを一旦冷却ユニットに搬送
して冷却処理を行った後、該ウェハを第２の塗布ユニッ
ト２３に搬送し、ポジ型化学増幅レジストを塗布した
（ステップ３）。続いて、ウェハを第２のベークユニッ
ト２５に搬送し、１４０℃，９０秒の条件でプリベーク
と呼ばれるレジスト中の溶剤を揮発させるための加熱処
理を行った（ステップ４）。これにより、反射防止膜上
に４００ｎｍのレジスト膜を形成した。

【００２７】次いで、ウェハを冷却ユニットに搬送して
室温近傍まで冷却した後、インターフェースユニット３
０を経て露光装置１０へ搬送し、投影露光用マスクを用
いて、所望の潜像をレジスト膜に転写した（ステップ
５）。

【００２８】露光工程では、マスクパターンを縮小投影
する際にフォーカスがずれると、光学像が大きく劣化
し、所望のパターンが得られない。このため、露光装置
内にはウェハの反りに伴うフォーカスずれを低減するた
めに、ウェハを支持するステージにバキュームチャック
機能を設け、ステージ上でウェハがフラットになるよう
にしている。

【００２９】本実施形態では、このバキュームチャック
の圧力分布を基にウェハの反り量を算出した。図３を参
照して、バキュームチャックの圧力分布を求める方法を
説明する。図３（ａ）（ｂ）はウェハステージの平面図
と断面図を模式的に示したものであり、図３（ｃ）はバ
キュームチャック時の圧力変化を示している。

【００３０】図３（ａ）（ｂ）に示すように、ウェハス
テージ４０の表面側には、径の異なる４つの同心円状の
溝４１が設けられ、これらの溝４１は共通の真空系に接
続されている。各々の溝４１には、それぞれ圧力センサ
４２が設けられており、図３（ｃ）に示すように、チャ
ッキングを開始してからの時間に対する圧力変化がモニ
タできるようになっている。

【００３１】ここでは、時間ｔ１において、チャッキン
グが完了したことになる。ステージと基板との距離、即
ちチャッキング位置での基板の反り量は、チャッキング
完了時間ｔ１との間に密接な関係があり、基板の反り量
が大きいほど、チャッキング完了時間ｔ１は大きくな
る。従って、各チャッキング位置での時間ｔ１と基板の
反り量の関係を事前に求めておくことで、時間ｔ１から
基板の反り量を算出することができる。

【００３２】なお、溝４１は必ずしも径方向に連続した
ものである必要はなく、一定間隔毎に仕切りを設けて分
離させるようにしてもよい。この場合、径方向に分離し
た溝毎に圧力センサを設けることにより、径方向に対し
ても複数箇所で圧力を検出できることになり、より分解
能の高い検出が可能となる。

【００３３】図４に、上記の圧力センサの検出信号を元
に得られたウェハ反り量の等高線図を示す。この図で
は、中央が窪む凹形状になっている。なお、このデータ
は、溝４１を径方向に分離し、分離した各々に圧力セン
サをそれぞれ設けた例に対応している。

【００３４】このようにして得られたウェハ反り量デー
タは、図５に示すように露光装置１０の内部に一時保存
され、露光後に行うベークユニット（ＰＥＢユニット）
２６のヒータ制御部６５へと送られる。そして、データ
制御部６５により、ウェハ反り量データに基づいて熱板
６０による加熱処理温度が設定されるようになってい
る。

【００３５】ここで、ベーク処理ユニット２６内に設置
された熱板６０の構造及び加熱処理温度の設定方法につ
いて説明する。加熱処理温度は１４０℃とした。図６
（ａ）にＰＥＢユニット２６の熱板６０の構成断面図
を、（ｂ）に熱板６０のヒータパターンの平面図を示
す。

【００３６】円形の熱板６０の裏面側に径の異なる同心
円状の複数（例えば３つ）のヒータ６１，６２，６３が
設けられ、各々のヒータは熱板６０に埋め込まれた熱電
対（図示せず）の検出信号を基にそれぞれが独立に温度
制御されている。ウェハ５０は熱板６０の表面側にセッ
トされるが、熱板６０との接触によるウェハ裏面の汚染
を防ぐために、外周部にプロキシミティギャップ５５
（０．１ｍｍ）が配置されている。ウェハ面内で１４０
℃で均一な加熱処理をするために、図７に示すような相
関関係を用いた。

【００３７】図７は、ウェハ５０と熱板６０との距離が
変化したときに、ウェハ処理温度が１４０℃となるため
に必要な熱板設定温度の関係を示したものである。ウェ
ハ反り量ｄが０のとき、ウェハ５０と熱板６０との距離
はプロキシミティギャップ５５の０．１ｍｍとなり、熱
板設定温度は１４０℃となる。ウェハ５０の反りが凹形
状の場合、ウェハ反り量ｄが大きいほどウェハ５０と熱
板６０との距離は狭くなるため、例えば前記図４で示す
ウェハ反り量ｄ＝２０μｍの領域（図６のヒータ６２に
該当）では、１３９．７５℃と従来の設定温度である１
４０℃より低く設定し、またｄ＝４０μｍの領域（ヒー
タ６３に該当）では、１３９．５５℃とさらに温度を低
く設定した（ステップ６）。

【００３８】露光後、ウェハ５０をインターフェースユ
ニット３０を介してレジスト処理装置２０に戻し、さら
に搬送ユニットでＰＥＢユニット２６に搬送し、前記の
方法によって定められた加熱条件で、ＰＥＢと呼ばれる
露光後のベーク処理を１４０℃，９０秒の条件で行った
（ステップ７）。このように、予め計測されたウェハ反
り量から、ウェハ５０と熱板６０との距離に応じて熱板
６０の各ヒータの設定温度を決定することで、ウェハ面
内の温度均一性（３σ）は０．７２℃から０．２３℃に
まで改善した。

【００３９】次いで、ウェハ５０を冷却ユニット（図示
せず）で室温近傍まで冷却した後、現像ユニット２７で
９０秒間のアルカリ現像処理を行った（ステップ８）。
現像処理終了後、リンス処理、スピン乾燥処理を行い、
ウェハ５０をウェハステーション２１にまで搬送した。

【００４０】現像後のレジスト寸法をウェハ面内で測定
した結果、回路パターンの１つである１８０ｎｍのライ
ン＆スペースパターンの面内均一性は設定温度を最適化
していないＰＥＢ処理条件でレジストパターン形成を行
ったときの１４．１ｎｍ（３σ）に比べ、６．４ｎｍと
大幅に改善することができた。また、処理するウェハ毎
に反りの分布や量が異なっていても、それぞれのウェハ
に応じた加熱条件でＰＥＢ処理を行うので、ウェハ間の
寸法均一性も改善することができた。

【００４１】（第２の実施形態）第１の実施形態ではウ
ェハ加熱における面内ばらつきを無くすようにしたが、
本実施形態はウェハ間のばらつきを無くすようにしたも
のである。

【００４２】図８は、本実施形態に使用した熱板の構成
を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図であ
る。第１の実施形態では３つの同心円ヒータ６１，６
２，６３からなるベークユニットを用いたが、本実施形
態では単一のヒータ６１のみを用いた。

【００４３】本実施形態のように単一のヒータ６１を熱
源に持つ加熱装置では、その構造上ウェハ面内でのヒー
タ温度補正は不可能であるが、ウェハ５０と熱板６０と
の距離をウェハ面内で平均化し、その距離に基づき設定
温度をウェハ毎に変更することは可能である。これによ
り、供給熱量のウェハ間ばらつきを低減することができ
る。

【００４４】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。実施形態では、３つの同心円ヒー
タ、又は単一のヒータからなるベークユニットを用いた
が、ヒータ数、ヒータ形状はこれに限定されるものでは
なく、仕様に応じて適宜変更可能である。さらに、ヒー
タは必ずしも同心円状に限るものではなく、熱板表面側
で面内方向に温度差を形成できるように複数に分離され
たものであればよい。

【００４５】また、本実施形態では、バキュームチャッ
クの圧力分布を基にウェハの反り量を算出したが、これ
に限定されるものではない。例えば、図９に示すよう
に、露光装置１０内でウェハの高さ位置を検出するため
のＺセンサ８０を用い、このセンサ８０で得られたデー
タを基にウェハの反り量を算出してもよい。また、ウェ
ハ裏面側に単色光を照射し、その干渉縞に基づきウェハ
の反り量を算出してもよい。

【００４６】また、実施形態では、凹形状に反ったウェ
ハの場合を示したが、凸形状のウェハでも前記の加熱条
件設定方法を用いることで、同様の効果が得られる。ま
た、実施形態では、ウェハの反り量をＰＥＢの加熱条件
にフィードフォワードしたが、必ずしもこれに限定され
るものではない。ＰＥＢ以外の加熱処理前にウェハの反
り量を測定し、反射防止膜やレジストの塗布後に行う加
熱処理にフィードフォワードしてもよい。

【００４７】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。

【００４８】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、被
加工基板をＰＥＢ加熱処理する工程よりも前に基板の反
り量を計測し、ＰＥＢ加熱処理工程では、計測した反り
量に応じて熱板による供給熱量を制御することにより、
被加工基板が反っていても、均一性の優れた加熱処理を
行うことができる。このため、被加工基板上に形成され
るレジストパターン寸法の基板面内の寸法バラツキを低
減することができる。これにより、その後の工程を経て
作製されるデバイスの信頼性及び製造歩留まりの向上を
はかることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係わる半導体製造システムを
模式的に示す構成図。

【図２】第１の実施形態におけるレジストパターン形成
プロセスを説明するためのフローチャート。

【図３】バキュームチャックの圧力分布を求める方法を
説明するためのもので、ステージ構成を示す平面図と断
面図、及びバキュームチャック時の圧力変化を示す図。

【図４】ウェハ反り量の等高線図及びウェハが反った様
子を模式的に示した断面図。

【図５】露光装置内で得られたバキュームチャック圧か
らウェハ反り量を算出し、これをＰＥＢユニットヘフィ
ードフォワードする様子を模式的に示した図。

【図６】ベークユニットの構成を示す断面図と平面図。

【図７】ウェハを１４０℃に加熱する際に必要な熱板温
度条件を示した図。

【図８】第２の実施形態を説明するためのもので、単独
ヒータを有するベークユニットの構成を示す断面図と平
面図。

【図９】本発明の変形例を説明するための図。

【符号の説明】

１０…露光装置２０…レジスト処理装置２１…ウェハステーション２２，２３…塗布ユニット（ＣＯＴ１，２）２４，２５…ベークユニット（ＨＰ１，２）２６…ベークユニット（ＨＰ３：ＰＥＢユニット）２７…現像ユニット（ＥＤＶ）３０…インターフェースユニット４０…ウェハステージ４１…溝４２…圧力センサ５０…ウェハ（被加工基板）６０…熱板６１，６２，６３…ヒータ６５…ヒータ制御部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H096 AA25 BA20 CA14 FA01 FA10 GA29 GB03 JA03 LA16 LA30 5F046 AA17 CC08 CC10 CC11 CD01 CD05 DA05 DA29 DB06 DC11 KA04 LA18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加工基板上にレジスト膜を形成する工程
と、前記レジスト膜に所望パターンを露光する工程と、
前記レジスト膜にパターンが露光された基板を熱板上に
載置して加熱処理する工程と、前記加熱処理されたレジ
スト膜に現像処理を施す工程とを含むレジストパターン
形成方法において、前記加熱処理する工程よりも前に前記被加工基板の反り
量を計測し、前記被加工基板を加熱処理する工程で、前
記計測した反り量に応じて前記熱板による供給熱量を制
御することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】前記熱板による供給熱量を制御する手段と
して、前記熱板の基板載置面における前記被加工基板と
前記熱板との距離が長いほど供給熱量が多くなるよう
に、前記熱板の温度を面内方向で変えることを特徴とす
る請求項１記載のレジストパターン形成方法。
【請求項３】前記熱板による供給熱量を制御する手段と
して、前記被加工基板の反り量が大きいほど前記熱板に
よるトータルの供給熱量を多くするように、前記熱板の
温度を制御することを特徴とする請求項１記載のレジス
トパターン形成方法。
【請求項４】前記被加工基板の反り量を計測する手段と
して、前記レジスト膜に所望パターンを露光するための
露光装置内で、前記被加工基板をステージ上に固定する
ための真空チャック圧の面内分布を求め、この分布に基
づいて反り量を算出することを特徴とする請求項１〜３
の何れかに記載のパターン形成方法。
【請求項５】被加工基板上にレジスト膜を形成するレジ
スト塗布装置と、前記レジスト膜が形成された被加工基
板に対して所望パターンを露光する露光装置と、前記パ
ターンが露光された被加工基板を熱板上に載置して加熱
処理する加熱装置と、前記加熱処理された被加工基板に
対して現像処理を施す現像装置と、前記被加工基板を前
記各装置間で搬送する搬送機構と、前記被加工基板の反
り量を計測する手段とを備えた半導体製造システムであ
って、前記加熱装置は、前記計測手段により計測された基板の
反り量に基づいて、前記熱板の基板載置面における前記
被加工基板と前記熱板との距離が長いほど供給熱量が多
くなるように、前記熱板の面内方向の温度分布を制御す
るものであることを特徴とする半導体製造システム。
【請求項６】被加工基板上にレジスト膜を形成するレジ
スト塗布装置と、前記レジスト膜が形成された被加工基
板に対して所望パターンを露光する露光装置と、前記パ
ターンが露光された被加工基板を熱板上に載置して加熱
処理する加熱装置と、前記加熱処理された被加工基板に
対して現像処理を施す現像装置と、前記被加工基板を前
記各装置間で搬送する搬送機構と、前記被加工基板の反
り量を計測する手段とを備えた半導体製造システムであ
って、前記加熱装置は、前記計測手段により計測された基板の
反り量に基づいて、反り量が大きいほどトータルの供給
熱量が多くなるように前記熱板の温度を制御するもので
あることを特徴とする半導体製造システム。
【請求項７】前記被加工基板の反り量を計測する手段
は、前記露光装置内で前記被加工基板をステージ上に固
定するための真空チャック機構に、真空チャック圧の面
内分布を検出する機能を設け、検出された面内分布に従
って反り量を算出するものであることを特徴とする請求
項５又は６に記載の半導体製造システム。
【請求項８】前記加熱装置の熱板は、径の異なる複数の
同心環状ヒータを有し、各々のヒータが独立に温度制御
可能であることを特徴とする請求項５記載の半導体製造
システム。