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JP2001260004A - ウェーハ研磨ヘッド - Google Patents

ウェーハ研磨ヘッド

Info

Publication number
JP2001260004A
JP2001260004A JP2000071210A JP2000071210A JP2001260004A JP 2001260004 A JP2001260004 A JP 2001260004A JP 2000071210 A JP2000071210 A JP 2000071210A JP 2000071210 A JP2000071210 A JP 2000071210A JP 2001260004 A JP2001260004 A JP 2001260004A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
carrier
pressure
diaphragm
fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000071210A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsunobu Kobayashi
達宜 小林
Hiroshi Tanaka
弘志 田中
Naoki Rikita
直樹 力田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP2000071210A priority Critical patent/JP2001260004A/ja
Priority to EP00118225A priority patent/EP1080841A3/en
Priority to KR1020000051464A priority patent/KR20010030213A/ko
Priority to TW89117865A priority patent/TW476691B/zh
Publication of JP2001260004A publication Critical patent/JP2001260004A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来に比較して小さい押圧圧力によりウェー
ハを均一に研磨パッドに押圧できるウェーハ研磨ヘッド
を提供する。 【解決手段】 ヘッド本体6と、ヘッド本体6内に張ら
れたダイヤフラム7と、流体室17に満たされた流体圧
力を調整する第一の圧力調整機構9と、ダイヤフラム7
に固定されて、その下面8aにおいて研磨すべきウェー
ハWの一面を保持するキャリア8と、ダイヤフラム7に
固定されて、研磨時には研磨パッドに当接するリテーナ
リング20とを具備したウェーハ研磨ヘッド1におい
て、キャリア下面8aにおけるリテーナリング20に囲
まれた位置に、弾性膜22を張設し、キャリア8に、キ
ャリア下面8aと弾性膜22との間に流体を供給するた
めの流体供給路25を設け、流体供給路25に、キャリ
ア下面8aと弾性膜22との間に供給される流体の圧力
を調整するための第二の圧力調整機構10を接続した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおける、半導体ウェーハ表面を研磨する装置に用い
られるウェーハ研磨ヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体製造装置の高集積化に伴う
パターンの微細化が進んでおり、特に多層構造の微細な
パターンの形成が容易かつ確実に行われるために、製造
工程中における半導体ウェーハの表面を極力平坦化させ
ることが重要となってきている。その場合、表面の膜を
研磨するために平坦化の度合いが高く、凹部への膜の埋
め込みも可能となる、という観点から、化学機械的研磨
法(CMP法)が脚光を浴びている。
【0003】CMP法とは、アルカリ溶液や中性溶液あ
るいは酸性溶液に加えて、砥粒剤等を用いて化学的・機
械的にウェーハ表面を研磨し、平坦化する方法である
が、この方法に用いられるウェーハ研磨ヘッドの一例と
して、特開平8−229804号に、図4に示されるも
のが記載されている。
【0004】図4において、ウェーハ研磨ヘッド50
は、天板部51と天板部51の外周に固定された筒状の
周壁部52とからなるヘッド本体53と、ヘッド本体5
3の内部に張られた、ゴムなどの弾性材料からなるダイ
ヤフラム54と、ヘッド本体53とダイヤフラム54と
の間に形成された流体室58内の圧力を調整する圧力調
整機構56と、ダイヤフラム54の下面に固定された円
盤状のキャリア55と、このキャリア55の外周に同心
に配置された円環状のリテーナリング57とを備えてい
る。
【0005】キャリア55及びリテーナリング57は、
ダイヤフラム54の上面に設けられたキャリア固定リン
グ59及びリテーナリング固定リング62にそれぞれ固
定されており、リテーナリング57は、キャリア55の
外周面及び周壁部52との間に僅かな隙間を空けて同心
状に配置されている。ここで、僅かな隙間を空けて配置
されているのは、ダイヤフラム54の弾性変形により、
リテーナリング57の可動範囲が大きくなりすぎる事を
抑えるためである。
【0006】ウェーハ研磨時には、ウェーハWは、リテ
ーナリング57によって外周を係止されながら、キャリ
ア55の下面に設けられたウェーハ付着シートSに付着
される。そして、ウェーハWの表面は、プラテン61上
面に貼付された研磨パッド63に当接され、研磨砥粒剤
を含むスラリーが供給されながら、ウェーハ研磨ヘッド
50が回転されることにより研磨される。
【0007】このとき、キャリア55とリテーナリング
57とは、ダイヤフラム54の弾性変形によって、それ
ぞれ独立して上下方向に変位されるフローティング構造
となっており、キャリア55及びリテーナリング57の
研磨パッド63への押圧圧力は、圧力調整機構56によ
って調整された流体室58内部の圧力に応じて変化され
るようになっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、LS
Iの高速化、高集積化に伴い、LSIの配線幅を従来に
比較して狭くする必要が生じている。この場合、研磨時
に生じるディッシング、シンニング、エロージョンなど
の影響が無視できないものとなり、ウェーハの研磨パッ
ドに対する押圧圧力を高圧に維持したまま研磨を行うこ
とは難しく、押圧圧力を従来に比較して低圧力とする必
要がある。また、この場合、配線幅の狭小化に伴って配
線抵抗が大きくなることから、配線材として従来のアル
ミニウムに代えて、銅を使う必要が生じる。しかも、配
線間隔が狭くなることから、隣接する配線間にコンデン
サ効果が発生することを避けるために、配線間にLow-k
材と呼ばれる硬度の小さい材料を配置することが必要と
なる。このように銅とLow-k材を組み合わせて用いよう
とすると、さらに加えて、バリアメタルとしてTaC、
TaN、TiNなどのセラミックが必要とされるが、こ
れらの材料を組み合わせて用いた場合、材料毎の硬度変
化が大きく、研磨の低圧力化の要求がより一層顕著なも
のとなる。
【0009】しかしながら、図4に示したようなフロー
ティング構造を有するウェーハ研磨ヘッド50は、ウェ
ーハWを剛性の高いキャリア55を介して押圧する構成
となっているために、ウェーハWにうねりがあるような
場合に、ウェーハWを均一な荷重で押圧するためには、
高い圧力を作用させてウェーハWのうねりを補正するよ
うにしなければならず、低圧力による研磨が困難となっ
てしまう。
【0010】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、従来に比較して小さい押圧圧力によりウ
ェーハを均一に研磨パッドに押圧できるウェーハ研磨ヘ
ッドを提供することを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明においては以下の手段を採用した。請求項1記
載のウェーハ研磨ヘッドは、天板部と該天板部の外周下
方に設けられた筒状の周壁部とからなるヘッド本体と、
前記ヘッド本体内にヘッド軸線に対し垂直に張られたダ
イヤフラムと、前記ダイヤフラムと前記ヘッド本体との
間に形成される流体室に満たされた流体圧力を調整する
第一の圧力調整機構と、前記ダイヤフラムに固定されて
ダイヤフラムとともにヘッド軸線方向に変位可能に設け
られ、その下面において研磨すべきウェーハの一面を保
持するキャリアと、前記周壁部の内壁と前記キャリアの
外周との間に同心状に配置されるとともに、前記ダイヤ
フラムに固定されて前記ダイヤフラムとともにヘッド軸
線方向に変位可能に設けられ、研磨時には研磨パッドに
当接するリテーナリングとを具備したウェーハ研磨ヘッ
ドにおいて、前記キャリア下面における前記リテーナリ
ングに囲まれた位置に、弾性膜が張設され、前記キャリ
アには、該キャリア下面と前記弾性膜との間に流体を供
給するための流体供給路が設けられるとともに、該流体
供給路には、前記キャリア下面と前記弾性膜との間に供
給される流体の圧力を調整するための第二の圧力調整機
構が接続されていることを特徴としている。
【0012】このような構成とされるために、このウェ
ーハ研磨ヘッドにおいては、キャリアの下面が弾性膜を
介してウェーハを保持することとなる。したがって、キ
ャリアと弾性膜との間に空気を供給して、キャリアと弾
性膜との間に空気層を形成するようにすれば、キャリア
の下面に空気層および弾性膜を介してウェーハが保持さ
れることとなる。このように保持されたウェーハを研磨
パッドに押圧した場合、弾性膜および空気層がウェーハ
の平面形状に追従して変形するので、ウェーハの平面形
状の不均一を吸収することができる。これにより、ウェ
ーハを均一に押圧することができる。
【0013】また、この場合、リテーナリングを研磨パ
ッドに押圧する力は、流体室内の流体圧力によって決定
されるのに対し、弾性膜がウェーハを研磨パッドに押圧
する力は、キャリア下面と弾性膜との空気層に供給され
る流体の圧力によって決定される。したがって、リテー
ナリングを研磨パッドに押圧する力を、第一の圧力調整
機構により、弾性膜がウェーハを研磨パッドに押圧する
力を、第二の圧力調整機構により、それぞれ独立に調整
することが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施の形態
であるウェーハ研磨ヘッド1の立断面図である。 この
ウェーハ研磨ヘッド1は、図2に示すウェーハ研磨装置
全体図のうち、ヘッド駆動機構であるカルーセル2下部
に複数設けられており、プラテン3上に設けられた研磨
パッド4上で遊星回転されるようになっている。
【0015】図1に示すように、ウェーハ研磨ヘッド1
は、ヘッド本体6、ダイヤフラム7、キャリア8、第一
および第二の圧力調整機構9,10により概略構成され
ている。ヘッド本体6は、天板部11と、天板部11の
外周下方に設けられた筒状の周壁部12とからなるもの
である。ヘッド本体6の下端部は開口されて中空になっ
ており、天板部11は、カルーセル2(図2参照)に連
結された図示略のシャフトに同軸に固定されている。
【0016】周壁部12の内壁13には、全周にわたっ
て段部14が設けられ、この段部14上において、ダイ
ヤフラム固定リング15により、ダイヤフラム7が固定
されている。ダイヤフラム7は、繊維補強ゴムなどの弾
性材料により円盤状に形成されており、ヘッド本体6内
においてヘッド軸線に対し垂直に張られている。
【0017】また、セラミック等の高剛性材料からなる
キャリア8は、円盤状に一定の厚さで形成されており、
ダイヤフラム7の上面に設けられたキャリア固定リング
16により、ダイヤフラム7に対して固定されている。
【0018】ダイヤフラム7とヘッド本体6との間に
は、流体室17が形成されている。この流体室17は、
第一の圧力調整機構9に対して流路18を介して連通さ
れており、第一の圧力調整機構9から、空気をはじめと
する流体が供給されることによって、その内部圧力が調
整される構成となっている。
【0019】キャリア8の外周と周壁部12の内壁13
との間には、環状に形成されたリテーナリング20が、
キャリア8と同心状に配置されている。このリテーナリ
ング20は、ダイヤフラム7に対して、リテーナ固定リ
ング21により固定される。
【0020】また、キャリア8の下面8aにおけるリテ
ーナリング20に囲まれた部分には、は、弾性膜22が
配設されている。この弾性膜22は、その周縁部22a
が、キャリア8の側面に対して、ネジ23により密着固
定された状態とされ、なおかつ、キャリア8の下面8a
において一定の張力をもって張設されている。
【0021】また、キャリア8の下面8aには、加圧ポ
ケット24が形成されている。この加圧ポケット24
は、その下端が弾性膜22により覆われた構成とされる
とともに、キャリア8の内部に形成された流体供給路2
5に対して連通されている。流体供給路25は、第二の
圧力調整機構10に対して接続されており、この第二の
圧力調整機構10において、圧力可変の空気等の流体
が、流体供給路25を介して弾性膜22とキャリア8と
の間に供給されることにより、弾性膜22が鉛直方向に
膨張・収縮可能となっている。
【0022】なお、ウェーハ研磨ヘッド1においては、
図示しない真空吸着手段により、図1に示すように、弾
性膜22の下面にウェーハWを吸着することができるよ
うになっている。この場合、ウェーハWは、その外周W
1がリテーナリング20によって係止された状態で吸着
される。また、リテーナリング20は、その下面20a
が、吸着されたウェーハWの下面W2よりも、若干下方
(0.05〜1.00mm)に位置するように設けられている。
【0023】このウェーハ研磨ヘッド1を用いてウェー
ハWの研磨を行うには、まず、図示しない真空吸着手段
を用いて、弾性膜22の下面にウェーハWを吸着させ、
この状態で、ウェーハ研磨ヘッド1の下面を研磨パッド
4に当接させる。この段階においては、リテーナリング
20の下面20aのみが、研磨パッド4に当接すること
となり、ウェーハWの下面W2と研磨パッド4との間
は、離間した状態となる。
【0024】次に、第一の圧力調整機構9を駆動させ
て、流体室17内に圧縮空気を供給する。これにより、
ダイヤフラム7に対して、その上方から、圧縮空気によ
る圧力が作用し、ダイヤフラム7に固定されたリテーナ
リング20は、研磨パッド4に対して所定の押圧力をも
って押圧される。また、これと同時に、第二の圧力調整
機構10を駆動させることにより、弾性膜22とキャリ
ア8との間にも圧縮空気を送り込む。これにより、図3
に示すように、弾性膜22とキャリア8との間には、空
気層Sが形成される。そして、空気層S内の圧縮空気の
圧力により、ウェーハWの下面W2が、研磨パッド4に
対して押圧されるようになる。
【0025】さらに、第一および第二の圧力調整機構
9,10によって、流体室17および空気層Sの内圧を
調整することにより、リテーナリング20およびウェー
ハWの研磨パッド4への押圧力を、それぞれ独立に適切
な値に調整しつつ、プラテン3を回転させ、また、ウェ
ーハ研磨ヘッド1を遊星回転させることにより、ウェー
ハWの研磨を行う。
【0026】上述のウェーハ研磨ヘッド1においては、
キャリア8の下面8aにおけるリテーナリング20に囲
まれた位置に、弾性膜22が張設されており、キャリア
8には、キャリア8の下面8aと弾性膜22との間に流
体を供給するための流体供給路25が設けられるととも
に、流体供給路25に、キャリア8の下面8aと弾性膜
22との間に供給される流体の圧力を調整するための第
二の圧力調整機構10が接続されているから、キャリア
8と弾性膜22との間に空気(流体)を供給して、空気
層Sを形成し、空気層Sの内圧を、第二の圧力調整機構
10により調整することによって、弾性膜22の下面に
保持したウェーハWを研磨パッド4に押圧することがで
きる。この場合、弾性膜22および空気層Sがウェーハ
Wの平面形状に追従して変形するので、空気層Sにおい
てウェーハWの平面形状の不均一を吸収した状態で押圧
を行うことができ、ウェーハWを精度よく均一に押圧す
ることができる。これにより、ウェーハWの平面形状の
不均一により研磨精度が低下することを防ぐことができ
る。
【0027】また、この場合、ウェーハWを研磨パッド
4に押圧する力は、空気層S内の流体圧力によって決定
されるのに対し、リテーナリング20を研磨パッド4に
押圧する力は、流体室内17の流体圧力によって決定さ
れる。このため、リテーナリング20の研磨パッド4へ
の押圧圧力を、第一の圧力調整機構9により、また、ウ
ェーハWの研磨パッド4への押圧圧力を、第二の圧力調
整機構10により、それぞれ独立に制御することができ
る。
【0028】したがって、第一の圧力調整機構9により
ウェーハWの研磨パッド4に対する押圧圧力を低圧力と
したまま、これよりも高圧でリテーナリング20を研磨
パッド4に押圧することができる。このため、研磨時
に、リテーナリング20を積極的に利用して、研磨パッ
ド4上においてウェーハWが当接した部分の周辺部分に
形状のゆがみ等が発生することを防止することができ、
研磨精度のさらなる向上を図ることができる。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のウェーハ
研磨ヘッドにおいては、キャリアの下面におけるリテー
ナリングに囲まれた位置に、弾性膜が張設されており、
キャリアには、キャリアの下面と弾性膜との間に流体を
供給するための流体供給路が設けられるとともに、流体
供給路に、キャリアの下面と弾性膜との間に供給される
流体の圧力を調整するための第二の圧力調整機構が接続
されているから、キャリアと弾性膜との間に空気(流
体)を供給して、空気層を形成し、空気層の内圧を、第
二の圧力調整機構により調整することによって、弾性膜
の下面に保持したウェーハを研磨パッドに押圧すること
ができる。この場合、弾性膜および空気層がウェーハの
平面形状に追従して変形するので、空気層においてウェ
ーハの平面形状の不均一を吸収した状態で押圧を行うこ
とができ、ウェーハを精度よく均一に押圧することがで
きる。これにより、ウェーハの平面形状の不均一により
研磨精度が低下することを防ぐことができる。また、こ
の場合、ウェーハを研磨パッドに押圧する力は、空気層
内の流体圧力によって決定されるのに対し、リテーナリ
ングを研磨パッドに押圧する力は、流体室内の流体圧力
によって決定される。したがって、リテーナリングの研
磨パッドへの押圧圧力を、第一の圧力調整機構により、
ウェーハの研磨パッドへの押圧圧力を、第二の圧力調整
機構により、それぞれ独立に制御することができる。し
たがって、第一の圧力調整機構によりウェーハの研磨パ
ッドに対する押圧圧力を低圧力としたまま、これよりも
高圧でリテーナリングを研磨パッドに押圧することがで
きる。このため、研磨時に、リテーナリングを積極的に
利用して、研磨パッド上においてウェーハが当接した部
分の周辺部分に形状のゆがみ等が発生することを防止す
ることができ、研磨精度のさらなる向上を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態であるウェーハ研磨ヘ
ッドを模式的に示す立断面図である。
【図2】 図1に示したウェーハ研磨ヘッドを用いたウ
ェーハ研磨装置の全体を示す立面図である。
【図3】 図1に示したウェーハ研磨ヘッドを用いてウ
ェーハの研磨を行う場合のウェーハ下面付近の拡大立断
面図である。
【図4】 本発明の従来の技術を示す図であって、フロ
ーティング構造を有するウェーハ研磨ヘッドの一例を示
す立断面図である。
【符号の説明】
1 ウェーハ研磨ヘッド 6 ヘッド本体 7 ダイヤフラム 8 キャリア 8a 下面 9 第一の圧力調整機構 10 第二の圧力調整機構 11 天板部 12 周壁部 13 内壁 14 段部 17 流体室 20 リテーナリング 22 弾性膜 25 流体供給路 W ウェーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 力田 直樹 埼玉県大宮市北袋町1丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AB04 BA05 BB04 BC01 CA01 CB01 CB03 DA12

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 天板部と該天板部の外周下方に設けられ
    た筒状の周壁部とからなるヘッド本体と、 前記ヘッド本体内にヘッド軸線に対し垂直に張られたダ
    イヤフラムと、 前記ダイヤフラムと前記ヘッド本体との間に形成される
    流体室に満たされた流体圧力を調整する第一の圧力調整
    機構と、 前記ダイヤフラムに固定されてダイヤフラムとともにヘ
    ッド軸線方向に変位可能に設けられ、その下面において
    研磨すべきウェーハの一面を保持するキャリアと、 前記周壁部の内壁と前記キャリアの外周との間に同心状
    に配置されるとともに、前記ダイヤフラムに固定され前
    記ダイヤフラムとともにヘッド軸線方向に変位可能に設
    けられ、研磨時には研磨パッドに当接するリテーナリン
    グとを具備したウェーハ研磨ヘッドにおいて、 前記キャリア下面における前記リテーナリングに囲まれ
    た位置には、弾性膜が張設され、 前記キャリアには、該キャリア下面と前記弾性膜との間
    に流体を供給するための流体供給路が設けられるととも
    に、 該流体供給路には、前記キャリア下面と前記弾性膜との
    間に供給される流体の圧力を調整するための第二の圧力
    調整機構が接続されていることを特徴とするウェーハ研
    磨ヘッド。
JP2000071210A 1999-09-02 2000-03-14 ウェーハ研磨ヘッド Withdrawn JP2001260004A (ja)

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EP00118225A EP1080841A3 (en) 1999-09-02 2000-09-01 Carrier head, polishing apparatus using the carrier head, and method for sensing polished surface state
KR1020000051464A KR20010030213A (ko) 1999-09-02 2000-09-01 연마 헤드, 이것을 이용한 연마 장치, 및 연마 상태 검출방법
TW89117865A TW476691B (en) 1999-09-02 2000-09-01 Polishing head, polishing apparatus using polishing head, and method for sensing polished surface state

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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