JP2001111342A - Two band oscillator - Google Patents
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- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/16—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/18—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop
- H03L7/183—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop a time difference being used for locking the loop, the counter counting between fixed numbers or the frequency divider dividing by a fixed number
- H03L7/191—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop a time difference being used for locking the loop, the counter counting between fixed numbers or the frequency divider dividing by a fixed number using at least two different signals from the frequency divider or the counter for determining the time difference
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- H—ELECTRICITY
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/05—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using non-linear capacitance, e.g. varactor diodes
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、周波数が二倍程度
に離れた二つの周波数バンドで安定に発振させ、且つそ
れぞれの周波数バンドで良好なC/Nを有する発振信号
を得るようにした2バンド発振器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is to stably oscillate in two frequency bands whose frequencies are separated by about twice and to obtain an oscillation signal having a good C / N in each frequency band. It relates to a band oscillator.
【0002】[0002]
【従来の技術】図2は従来の2バンド発振器の回路構成
を示す。電圧制御発振回路41はコレクタ接地型のコル
ピッツ発振回路として構成され、発振トランジスタ42
のコレクタは直流カットコンデンサ43によって高周波
的に接地される。また、ベース・エミッタ間とエミッタ
・コレクタ間とにはそれぞれ帰還コンデンサ44、45
が接続され、ベースにはバイアス用の抵抗46、47に
よってバイアス電圧が与えられ、エミッタは抵抗48に
よってグランドに接続される。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a circuit configuration of a conventional two-band oscillator. The voltage controlled oscillation circuit 41 is configured as a Colpitts oscillation circuit of a common collector type, and includes an oscillation transistor 42
Is grounded at a high frequency by a DC cut capacitor 43. Feedback capacitors 44 and 45 are provided between the base and emitter and between the emitter and collector, respectively.
Is connected to the base, a bias voltage is applied to the base by bias resistors 46 and 47, and the emitter is connected to the ground by a resistor 48.
【0003】また、ベースは直流カットコンデンサ49
によってインダクタンス素子50の一端に接続される。
インダクタンス素子50は二つのインダクタンス素子5
0a、50bが互いに直列接続されて構成され、その他
端が接地される。そして、インダクタンス素子50a、
50bの接続点が直流カットコンデンサ51を介してス
イッチダイオード52のアノードに接続され、そのカソ
ードが接地される。またバラクタダイオード53は直流
カットコンデンサ54を介してインダクタンス素子50
に並列接続される。The base is a DC cut capacitor 49.
Is connected to one end of the inductance element 50.
The inductance element 50 is composed of two inductance elements 5
0a and 50b are connected in series with each other, and the other end is grounded. Then, the inductance element 50a,
The connection point 50b is connected to the anode of the switch diode 52 via the DC cut capacitor 51, and the cathode is grounded. The varactor diode 53 is connected to the inductance element 50 via the DC cut capacitor 54.
Are connected in parallel.
【0004】バラクタダイオード53のカソードには給
電抵抗55を介して制御電圧Vcが印加され、スイッチ
ダイオード52のアノードには給電抵抗56を介してス
イッチダイオード52を導通または非導通にするための
切り替え電圧Vsが印加される。A control voltage Vc is applied to the cathode of the varactor diode 53 via a power supply resistor 55, and a switching voltage for making the switch diode 52 conductive or non-conductive to the anode of the switch diode 52 via a power supply resistor 56. Vs is applied.
【0005】以上の構成によって、切り替え電圧Vsに
よってスイッチダイオード52を導通するとインダクタ
ンス素子50bの両端が短絡されて発振周波数は高くな
り、スイッチダイオード52を非導通にすると発振周波
数は低くなる。そして、発振周波数はバラクタダイオー
ド53に印加する制御電圧Vcによって変えられる。With the above configuration, when the switching diode 52 is turned on by the switching voltage Vs, both ends of the inductance element 50b are short-circuited, and the oscillation frequency is increased. When the switching diode 52 is turned off, the oscillation frequency is decreased. The oscillation frequency can be changed by the control voltage Vc applied to the varactor diode 53.
【0006】発振信号は発振トランジスタ42のエミッ
タから出力され、結合コンデンサ57を介してバッファ
回路58に入力される。バッファ回路58は広帯域の増
幅器として構成され、発振信号を増幅して図示しない回
路に出力する。The oscillation signal is output from the emitter of the oscillation transistor 42 and input to the buffer circuit 58 via the coupling capacitor 57. The buffer circuit 58 is configured as a broadband amplifier, amplifies the oscillation signal, and outputs the amplified signal to a circuit (not shown).
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来の2バンド発振器
では電圧制御発振回路41の帰還容量44、45が一定
であるので、発振トランジスタ42側の負性抵抗値が高
い周波数バンドと低い周波数バンドとでそれぞれ最適と
することができず、二つの周波数バンドで共に安定して
発振させることができなかった。In the conventional two-band oscillator, since the feedback capacitors 44 and 45 of the voltage-controlled oscillation circuit 41 are constant, the frequency band where the negative resistance value of the oscillation transistor 42 is high and low is determined. Therefore, it was not possible to optimize each of them, and it was not possible to stably oscillate in both frequency bands.
【0008】また、発振トランジスタ42のエミッタと
グランドとの間に接続された抵抗48は帰還コンデンサ
45と並列に接続されているので、直流バイアス電流の
他にも発振電流が流れることから発振パワーが低下して
発振信号のC/Nが悪化していた。Also, since the resistor 48 connected between the emitter of the oscillation transistor 42 and the ground is connected in parallel with the feedback capacitor 45, the oscillation power flows because an oscillation current flows in addition to the DC bias current. As a result, the C / N of the oscillation signal deteriorated.
【0009】さらに、バッファ回路58は二つの周波数
バンドの発振信号を増幅するために広帯域増幅器として
構成したので、発振信号を十分なレベルまで増幅できな
かった。Further, since the buffer circuit 58 is configured as a wide band amplifier to amplify the oscillation signals of the two frequency bands, the oscillation signal cannot be amplified to a sufficient level.
【0010】そこで、本発明の2バンド発振器は、周波
数が離れた二つの周波数バンドでそれぞれ安定した発振
信号が得られ、且つそのC/Nが良好で大きなパワーが
得られるようにすることを目的とする。It is therefore an object of the present invention to provide a two-band oscillator capable of obtaining stable oscillation signals in two frequency bands having different frequencies, and having a good C / N and a large power. And
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の2バンド発振器は、高低二つの周波数バン
ドで発振する電圧制御発振回路と、前記電圧制御発振回
路が出力する発振信号を増幅するバッファ回路とを備
え、前記電圧制御発振回路はコレクタが高周波的に接地
された発振トランジスタと、前記発振トランジスタのベ
ース・エミッタ間及びエミッタ・コレクタ間にそれぞれ
接続される帰還コンデンサと、少なくともバラクタダイ
オードとインダクタンス素子とを有して前記発振トラン
ジスタのコレクタとベースとの間に高周波的に接続され
た共振回路と、前記発振トランジスタのエミッタとグラ
ンドとの間を直流的に接続するインピーダンス回路とを
有し、前記バッファ回路は前記二つの周波数バンドに同
調可能な同調増幅回路で構成し、前記インピーダンス回
路を前記二つの周波数バンドで大きなインピーダンスと
なるように構成し、前記帰還コンデンサと前記インダク
タンス素子とを切り替えられるように構成し、前記電圧
制御発振回路を高い周波数バンドで発振させる場合には
前記帰還コンデンサの容量値と前記インダクタンス素子
のインダクタンス値とを小さくし、低い周波数バンドで
発振させる場合には前記容量値と前記インダクタンス値
とを大きくした。In order to solve the above-mentioned problems, a two-band oscillator according to the present invention comprises a voltage-controlled oscillator oscillating in two high and low frequency bands, and an oscillation signal output from the voltage-controlled oscillator. A buffer circuit for amplifying, wherein the voltage-controlled oscillation circuit includes an oscillation transistor having a collector grounded at a high frequency, a feedback capacitor connected between a base-emitter and an emitter-collector of the oscillation transistor, and at least a varactor. A resonance circuit having a diode and an inductance element and connected between the collector and the base of the oscillation transistor at a high frequency; and an impedance circuit that connects the emitter of the oscillation transistor and the ground in a DC manner. Wherein the buffer circuit has a tuned amplification circuit tunable to the two frequency bands. The impedance circuit is configured to have a large impedance in the two frequency bands, the feedback capacitor and the inductance element are configured to be switchable, and the voltage controlled oscillation circuit oscillates in a high frequency band. In this case, the capacitance value of the feedback capacitor and the inductance value of the inductance element are reduced, and when the oscillation is performed in a low frequency band, the capacitance value and the inductance value are increased.
【0012】また、本発明の2バンド発振器は、前記帰
還コンデンサは互いに直列に接続されると共に互いの接
続点がエミッタに接続され、両端がベースとコレクタと
に高周波的に接続された第一及び第二の帰還コンデンサ
と、互いに直列に接続されると共に互いの接続点が第一
のスイッチダイオードによって前記発振トランジスタの
エミッタに接続され、両端がベースとコレクタとに高周
波的に接続された第三及び第四の帰還コンデンサとから
なり、前記電圧制御発振回路を前記低い周波数バンドで
発振する場合には前記第一のスイッチダイオードを導通
させて前記第一の帰還コンデンサと前記第三の帰還コン
デンサとを並列に接続すると共に、前記第二の帰還コン
デンサと前記第四のコンデンサとを並列に接続し、前記
高い周波数バンドで発振させる場合には前記第一のスイ
ッチダイオードを非導通にした。Further, in the two-band oscillator of the present invention, the feedback capacitors are connected in series with each other, the connection point of each is connected to the emitter, and both ends are connected to the base and the collector at high frequency. A second feedback capacitor, connected in series with each other and connected to each other by a first switch diode to the emitter of the oscillation transistor, and both ends of which are connected to a base and a collector at high frequencies. A fourth feedback capacitor, when the voltage-controlled oscillation circuit oscillates in the low frequency band, conducts the first switch diode to connect the first feedback capacitor and the third feedback capacitor. Connect in parallel, connect the second feedback capacitor and the fourth capacitor in parallel, the high frequency band In the case where the oscillated were the first switching diode non-conductive.
【0013】また、本発明の2バンド発振器は、前記イ
ンピーダンス回路は少なくとも第一の並列共振回路と前
記第一の並列共振回路に直列接続された第二の並列共振
回路とを有し、前記第一の並列共振回路の共振周波数を
前記低い周波数バンドの周波数とほぼ同じに設定し、前
記第二の並列共振回路の共振周波数を前記高い周波数バ
ンドの周波数とほぼ同じに設定した。In a two-band oscillator according to the present invention, the impedance circuit has at least a first parallel resonance circuit and a second parallel resonance circuit connected in series to the first parallel resonance circuit. The resonance frequency of one parallel resonance circuit was set to be substantially the same as the frequency of the low frequency band, and the resonance frequency of the second parallel resonance circuit was set to be almost the same as the frequency of the high frequency band.
【0014】また、本発明の2バンド発振器は、前記イ
ンダクタンス素子を第一のインダクタンス素子と、前記
第一のインダクタンス素子に直列接続された第二のイン
ダクタンス素子で構成し、前記第二のインダクタンス素
子の両端を互いに短絡する第二のスイッチダイオードを
設け、前記電圧制御発振回路を前記低い周波数バンドで
発振させる場合には前記第二のスイッチダイオードを非
導通とし、前記高い周波数バンドで発振させる場合には
前記第二のスイッチダイオードを導通とした。Further, in the two-band oscillator according to the present invention, the inductance element includes a first inductance element and a second inductance element connected in series to the first inductance element. A second switch diode that short-circuits both ends of the second switch diode is provided.When the voltage-controlled oscillation circuit oscillates in the low frequency band, the second switch diode is turned off, and when oscillating in the high frequency band, Turned on the second switch diode.
【0015】また、本発明の2バンド発振器は、前記バ
ッファ回路は増幅トランジスタと、前記増幅トランジス
タのコレクタに一端が接続され、他端が高周波的に接地
された並列同調回路とを有し、コレクタとグランドとの
間に互いに直列接続されたコンデンサと第三のスイッチ
ダイオードとを設け、前記並列同調回路の同調周波数を
前記高い周波数バンドの周波数とほぼ同じに設定し、前
記電圧制御発振回路を前記低い周波数バンドで発振させ
る場合には前記第三のスイッチダイオードを導通して前
記コンデンサを前記並列同調回路に並列接続してその同
調周波数を前記低い周波数バンドの周波数とほぼ同じと
なるようにした。Further, in the two-band oscillator of the present invention, the buffer circuit includes an amplifying transistor, and a parallel tuning circuit having one end connected to the collector of the amplifying transistor and the other end grounded at a high frequency. And a capacitor and a third switch diode connected in series with each other between the ground and the ground.The tuning frequency of the parallel tuning circuit is set to be substantially the same as the frequency of the high frequency band. When oscillating in the low frequency band, the third switching diode is turned on and the capacitor is connected in parallel to the parallel tuning circuit so that the tuning frequency is substantially the same as the frequency in the low frequency band.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】図1は本発明の2バンド発振器の
回路構成を示す。電圧制御発振回路1はコレクタ接地型
のコルピッツ発振回路として構成され、0.9GHz帯
と1.9GHz帯との高低二つの周波数バンドで発振す
る。発振トランジスタ2のコレクタは電源電圧Vbが印
加されると共に直流カットコンデンサ3によって高周波
的に接地される。また、ベース・エミッタ間には入力側
帰還コンデンサ4となる第一の帰還コンデンサ4aが接
続され、エミッタ・コレクタ(グランド)間には出力側
帰還コンデンサ5となる第二の帰還コンデンサ5aが接
続される。ベースにはバイアス抵抗6、7によってバイ
アス電圧が与えられる。FIG. 1 shows a circuit configuration of a two-band oscillator according to the present invention. The voltage-controlled oscillation circuit 1 is configured as a Colpitts oscillation circuit of a grounded collector type, and oscillates in two high and low frequency bands of a 0.9 GHz band and a 1.9 GHz band. The collector of the oscillating transistor 2 is applied with the power supply voltage Vb and grounded at high frequency by the DC cut capacitor 3. A first feedback capacitor 4a serving as an input-side feedback capacitor 4 is connected between the base and the emitter, and a second feedback capacitor 5a serving as an output-side feedback capacitor 5 is connected between the emitter and the collector (ground). You. A bias voltage is applied to the base by bias resistors 6 and 7.
【0017】エミッタは互いに直列に接続されたバイア
ス抵抗8aと第一の並列共振回路8bと第二の並列共振
回路8cとからなるインピーダンス回路8によってグラ
ンドに直流的に接続される。ここで、第一の並列共振回
路8bの共振周波数は低い周波数バンドの周波数にほぼ
一致させ、第二の並列共振回路8cの共振周波数は高い
周波数バンドの周波数にほぼ一致させている。The emitter is DC-connected to the ground by an impedance circuit 8 comprising a bias resistor 8a, a first parallel resonance circuit 8b, and a second parallel resonance circuit 8c connected in series to each other. Here, the resonance frequency of the first parallel resonance circuit 8b is made to substantially match the frequency of the low frequency band, and the resonance frequency of the second parallel resonance circuit 8c is made to almost match the frequency of the high frequency band.
【0018】さらに、ベース・グランド間には互いに直
列接続された第三の帰還コンデンサ4bと第四の帰還コ
ンデンサ5bとが接続され、第三の帰還コンデンサ4b
と第四の帰還コンデンサ5bとの接続点が第一のスイッ
チダイオード11を介して発振トランジスタ2のエミッ
タに接続される。第三の帰還コンデンサ4bは入力側帰
還コンデンサ4を構成し、第四の帰還コンデンサ5bは
出力側帰還コンデンサ5を構成するる。Further, a third feedback capacitor 4b and a fourth feedback capacitor 5b, which are connected in series, are connected between the base and the ground.
The connection point between the first switching diode 11 and the fourth feedback capacitor 5b is connected to the emitter of the oscillation transistor 2 via the first switching diode 11. The third feedback capacitor 4b forms the input side feedback capacitor 4, and the fourth feedback capacitor 5b forms the output side feedback capacitor 5.
【0019】従って、入力側帰還コンデンサ4は第一の
スイッチダイオード11の非導通または導通によって第
一の帰還コンデンサ4aのみとなるかまたは第一の帰還
コンデンサ4aと第三の帰還コンデンサ4bとの双方と
に切り替えられる。同様に、出力側帰還コンデンサ5は
第一のスイッチダイオード11の非導通または導通によ
って第二の帰還コンデンサ5aのみとなるかまたは第二
の帰還コンデンサ5aと第四の帰還コンデンサ5bとの
双方とに切り替えられる。Therefore, the input side feedback capacitor 4 becomes only the first feedback capacitor 4a due to the non-conduction or conduction of the first switch diode 11, or both the first feedback capacitor 4a and the third feedback capacitor 4b. Can be switched to Similarly, the output side feedback capacitor 5 becomes only the second feedback capacitor 5a due to non-conduction or conduction of the first switch diode 11, or is connected to both the second feedback capacitor 5a and the fourth feedback capacitor 5b. Can be switched.
【0020】また、発振トランジスタ2のベースとグラ
ンドとの間、従って高周波的にはベースとコレクタとの
間には、共振回路12が接続される。共振回路12は、
互いに直列に接続されたバラクタダイオード13とイン
ダクタンス素子14とを少なくとも有し、インダクタン
ス素子14の一端がバラクタダイオード14のアノード
に接続され、他端が接地される。そしてバラクタダイオ
ード13のカソードが結合コンデンサ15によって発振
トランジスタ2のベースに接続される。また、バラクタ
ダイオード13のカソードには給電抵抗16を介して制
御電圧Vcが印加される。A resonance circuit 12 is connected between the base of the oscillation transistor 2 and the ground, that is, between the base and the collector in terms of high frequency. The resonance circuit 12
It has at least a varactor diode 13 and an inductance element 14 connected in series with each other. One end of the inductance element 14 is connected to the anode of the varactor diode 14 and the other end is grounded. Then, the cathode of the varactor diode 13 is connected to the base of the oscillation transistor 2 by the coupling capacitor 15. Further, a control voltage Vc is applied to the cathode of the varactor diode 13 via the power supply resistor 16.
【0021】第一のインダクタンス素子14aと第二の
インダクタンス素子14bとの接続点はインピーダンス
の低い直流カットコンデンサ17を介して第二のスイッ
チダイオード18のアノードに接続され、そのカソード
が直流カットコンデンサ19によって高周波的に接地さ
れると共にバイアス抵抗20によって直流的に接地され
る。そして、第二のスイッチダイオード18のアノード
にはバイアス抵抗21、22によってバイアス電圧が与
えられ、第一のスイッチダイオード11のアノードと第
二のスイッチダイオード18のカソードにはこれらスイ
ッチダイオードを導通または非導通にするための切り替
え電圧Vsが印加される。The connection point between the first inductance element 14a and the second inductance element 14b is connected to the anode of the second switch diode 18 via the low impedance DC cut capacitor 17, and the cathode thereof is connected to the DC cut capacitor 19 And a DC ground by the bias resistor 20. A bias voltage is applied to the anode of the second switch diode 18 by bias resistors 21 and 22, and these switch diodes are electrically connected or disconnected to the anode of the first switch diode 11 and the cathode of the second switch diode 18. A switching voltage Vs for conducting is applied.
【0022】以上の構成において、電圧制御発振回路1
を高い周波数バンドで発振させるには切り替え電圧Vs
をローレベルとすることによって第一のスイッチダイオ
ード11を非導通にする。すると、入力側帰還コンデン
サ4としては第一の帰還コンデンサ4aのみが有効とな
り、また、出力側帰還コンデンサ5よしては第二の帰還
コンデンサ5aのみが有効となり、高い周波数バンドに
最適な負性抵抗が得られる。また、第二のスイッチダイ
オード18が導通となって第二のインダクタンス素子1
4bの両端が短絡されてインダクタンス素子14として
は第一のインダクタンス素子14aのみが有効となる。
従って、電圧制御発振回路1は高い周波数バンドで発振
する。このとき、第二の並列共振回路8cは高い周波数
バンドで高いインピーダンスとなるので、発振電流がバ
イアス抵抗8aを流れないので、パワーの消費が無く発
振信号のC/Nがよくなる。In the above configuration, the voltage controlled oscillation circuit 1
In order to oscillate in a high frequency band, the switching voltage Vs
To a low level, the first switch diode 11 is turned off. Then, only the first feedback capacitor 4a becomes effective as the input-side feedback capacitor 4, and only the second feedback capacitor 5a becomes effective as the output-side feedback capacitor 5, and the optimum negative resistance for a high frequency band is obtained. Is obtained. Further, the second switch diode 18 becomes conductive, and the second inductance element 1
Since both ends of 4b are short-circuited, only the first inductance element 14a is effective as the inductance element 14.
Therefore, the voltage controlled oscillation circuit 1 oscillates in a high frequency band. At this time, since the second parallel resonance circuit 8c has a high impedance in a high frequency band, the oscillation current does not flow through the bias resistor 8a, so that power is not consumed and the C / N of the oscillation signal is improved.
【0023】一方、低い周波数バンドで発振させるには
切り替え電圧Vsをハイレベルとすることによって第一
のスイッチダイオード11を導通する。すると、第一の
帰還コンデンサ4aと第三の帰還コンデンサ4bとが並
列に接続されて入力側帰還コンデンサ4の容量値が増加
し、第二の帰還コンデンサ5aと第四の帰還コンデンサ
5bとが並列に接続されて出力側帰還コンデンサ5の容
量値が増加し、低い周波数バンドに最適な負性抵抗が得
られる。また、第二のスイッチダイオード18がオフと
なって第一及び第二のインダクタンス素子14a、14
bが有効となる。従って、電圧制御発振回路1は低い周
波数バンドで発振する。このときは、第一の並列共振回
路8bは低い周波数バンドで高いインピーダンスとなる
ので、発振電流がバイアス抵抗8aを流れないので、発
振信号のC/Nがよくなる。On the other hand, in order to oscillate in a low frequency band, the first switching diode 11 is turned on by setting the switching voltage Vs to a high level. Then, the first feedback capacitor 4a and the third feedback capacitor 4b are connected in parallel, the capacitance value of the input side feedback capacitor 4 increases, and the second feedback capacitor 5a and the fourth feedback capacitor 5b are connected in parallel. , The capacitance value of the output side feedback capacitor 5 increases, and an optimum negative resistance for a low frequency band can be obtained. Further, the second switch diode 18 is turned off, and the first and second inductance elements 14a and 14a are turned off.
b becomes effective. Therefore, the voltage controlled oscillation circuit 1 oscillates in a low frequency band. At this time, since the first parallel resonance circuit 8b has a high impedance in a low frequency band, the oscillation current does not flow through the bias resistor 8a, so that the C / N of the oscillation signal is improved.
【0024】発振周波数はバラクタダイオード13に印
加する制御電圧Vcによって変えられる。そして、発振
トランジスタ2のエミッタから発振信号が出力され、結
合コンデンサ23を介してバッファ回路30に入力され
る。The oscillation frequency can be changed by a control voltage Vc applied to the varactor diode 13. Then, an oscillation signal is output from the emitter of the oscillation transistor 2 and input to the buffer circuit 30 via the coupling capacitor 23.
【0025】バッファ回路30はエミッタ接地型の同調
増幅回路として構成され、増幅トランジスタ31のベー
スに発振信号が入力される。コレクタにはインダクタン
ス素子32を介して電源電圧Vbが印加される。インダ
クタンス素子32には第一の同調コンデンサ33が並列
に接続されて並列同調回路が構成される。この同調周波
数は高い周波数バンドの周波数となるように設定されて
いる。The buffer circuit 30 is configured as a tuned amplifier circuit of a common-emitter type, and an oscillation signal is input to the base of the amplifier transistor 31. The power supply voltage Vb is applied to the collector via the inductance element 32. A first tuning capacitor 33 is connected in parallel to the inductance element 32 to form a parallel tuning circuit. This tuning frequency is set to be a frequency in a high frequency band.
【0026】また、カソードがグランドに接続された第
三のスイッチダイオード34と、第三のスイッチダイオ
ード34のアノードと増幅トランジスタ31のコレクタ
との間に接続された第二の同調コンデンサ35とが設け
られ、第三のスイッチダイオード34のアノードに切り
替え電圧Vsが印加される用になっている。A third switch diode 34 having a cathode connected to the ground, and a second tuning capacitor 35 connected between the anode of the third switch diode 34 and the collector of the amplification transistor 31 are provided. The switching voltage Vs is applied to the anode of the third switching diode 34.
【0027】そして、切り替え電圧Vsがローレベルで
あれば第三のスイッチダイオード34は非導通となり、
インダクタンス素子32と第一の同調コンデンサ33と
で同調回路が形成され、切り替え電圧Vsがハイレベル
であれば第三のスイッチダイオード34は導通して、第
一の同調コンデンサ33に第二の同調コンデンサ35が
並列に接続され同調周波数は低くなる。この周波数が低
い周波数バンドの周波数にほぼ一致するように第二の同
調コンデンサ35の容量値を設定している。If the switching voltage Vs is at a low level, the third switching diode 34 becomes non-conductive,
A tuning circuit is formed by the inductance element 32 and the first tuning capacitor 33. If the switching voltage Vs is at a high level, the third switching diode 34 conducts, and the first tuning capacitor 33 is connected to the second tuning capacitor. 35 are connected in parallel and the tuning frequency is lowered. The capacitance value of the second tuning capacitor 35 is set so that this frequency substantially matches the frequency of the low frequency band.
【0028】従って、バッファ回路30は二つの周波数
バンドの周波数にそれぞれ同調するので共に大きなレベ
ルの発振信号を得ることができる。Therefore, since the buffer circuit 30 tunes to the frequencies of the two frequency bands, it is possible to obtain a large-level oscillation signal.
【0029】[0029]
【発明の効果】以上のように、本発明の2バンド発振器
は、発振トランジスタのベース・エミッタ間及びエミッ
タ・コレクタ間にそれぞれ接続される帰還コンデンサ
と、少なくともバラクタダイオードとインダクタンス素
子とを有して発振トランジスタのコレクタとベースとの
間に高周波的に接続された共振回路と、エミッタとグラ
ンドとの間を直流的に接続するインピーダンス回路とを
有し、バッファ回路は二つの周波数バンドに同調可能な
同調増幅回路で構成し、インピーダンス回路を二つの周
波数バンドで大きなインピーダンスとなるように構成
し、帰還コンデンサとインダクタンス素子とを切り替え
られるように構成し、電圧制御発振回路を高い周波数バ
ンドで発振させる場合には帰還コンデンサの容量値とイ
ンダクタンス素子のインダクタンス値とを小さくし、低
い周波数バンドで発振させる場合には容量値とインダク
タンス値とを大きくしたので、いずれの周波数バンドで
も最適な負性抵抗を有する発振回路とすることができ、
安定に発信させることができ、さらに、インピーダンス
回路によっていずれの発振信号もそのC/Nがよくな
る。さらに、レベルの大きな発振信号が得られる。As described above, the two-band oscillator of the present invention has a feedback capacitor connected between the base and emitter and between the emitter and collector of an oscillation transistor, and at least a varactor diode and an inductance element. It has a resonant circuit connected between the collector and base of the oscillating transistor at high frequency, and an impedance circuit connecting dc between the emitter and ground, and the buffer circuit can be tuned to two frequency bands. When a tunable amplifier is used, the impedance circuit is configured to have a large impedance in two frequency bands, the feedback capacitor and the inductance element are switched, and the voltage controlled oscillation circuit oscillates in a high frequency band. Is the capacitance of the feedback capacitor and the inductance of the inductance element. Reducing the inductance value, since the larger the capacitance value and the inductance value when the oscillating at a low frequency band can be an oscillator circuit having an optimal negative resistance at any frequency band,
The oscillation signal can be transmitted stably, and the C / N of any oscillation signal is improved by the impedance circuit. Further, an oscillation signal having a large level can be obtained.
【0030】また、本発明の2バンド発振器は、第一及
び第二の帰還コンデンサと、第三及び第四の帰還コンデ
ンサとを有し、電圧制御発振回路を低い周波数バンドで
発振する場合には第一のスイッチダイオードによって第
一の帰還コンデンサと第三の帰還コンデンサとを並列に
接続すると共に、第二の帰還コンデンサと第四のコンデ
ンサとを並列に接続し、高い周波数バンドで発振させる
場合には第一のスイッチダイオードを非導通にしたの
で、帰還コンデンサによる帰還容量を簡単に切り替えら
れる。Further, the two-band oscillator of the present invention has first and second feedback capacitors and third and fourth feedback capacitors, and when the voltage controlled oscillation circuit oscillates in a low frequency band. When connecting the first feedback capacitor and the third feedback capacitor in parallel by the first switch diode, and connecting the second feedback capacitor and the fourth capacitor in parallel to oscillate in a high frequency band Since the first switch diode is turned off, the feedback capacitance by the feedback capacitor can be easily switched.
【0031】また、本発明の2バンド発振器は、インピ
ーダンス回路は少なくとも第一の並列共振回路と直列接
続された第二の並列共振回路とを有し、第一の並列共振
回路の共振周波数を低い周波数バンドの周波数とほぼ同
じに設定し、第二の並列共振回路の共振周波数を高い周
波数バンドの周波数とほぼ同じに設定したので、いずれ
の周波数バンドにおいてもエミッタのバイアス抵抗に発
振電流が流れず、発振信号のC/Nがよくなる。Further, in the two-band oscillator of the present invention, the impedance circuit has at least a first parallel resonance circuit and a second parallel resonance circuit connected in series, and lowers the resonance frequency of the first parallel resonance circuit. Since the resonance frequency of the second parallel resonance circuit was set to be substantially the same as the frequency of the high frequency band, the oscillation current did not flow through the bias resistor of the emitter in any frequency band. , The C / N of the oscillation signal is improved.
【0032】また、本発明の2バンド発振器は、インダ
クタンス素子を第一のインダクタンス素子と、第二のイ
ンダクタンス素子で構成し、第二のインダクタンス素子
の両端を互いに短絡する第二のスイッチダイオードを設
け、このスイッチダイオードを周波数バンドによって導
通または非導通としたので容易に発振周波数を変えられ
る。In the two-band oscillator of the present invention, the inductance element is constituted by a first inductance element and a second inductance element, and a second switch diode for short-circuiting both ends of the second inductance element is provided. Since the switching diode is turned on or off depending on the frequency band, the oscillation frequency can be easily changed.
【0033】また、本発明の2バンド発振器は、バッフ
ァ回路は増幅トランジスタのコレクタに接続された並列
同調回路とを有し、コレクタとグランドとの間に互いに
直列接続されたコンデンサと第三のスイッチダイオード
とを設け、並列同調回路の同調周波数を高い周波数バン
ドの周波数とほぼ同じに設定し、電圧制御発振回路を低
い周波数バンドで発振させる場合には第三のスイッチダ
イオードを導通してコンデンサを並列同調回路に並列接
続してその同調周波数を低い周波数バンドの周波数とほ
ぼ同じとなるようにしたので二つの周波数バンドの発振
信号をともに大きく増幅できる。In the two-band oscillator of the present invention, the buffer circuit has a parallel tuning circuit connected to the collector of the amplification transistor, and a capacitor and a third switch connected in series between the collector and the ground. Provide a diode and set the tuning frequency of the parallel tuning circuit to be almost the same as the frequency in the high frequency band.When oscillating the voltage controlled oscillator in the low frequency band, conduct the third switch diode and connect the capacitor in parallel. Since the tuning circuit is connected in parallel to the tuning circuit so that the tuning frequency is substantially the same as the frequency in the lower frequency band, the oscillation signals in the two frequency bands can both be greatly amplified.
【図1】本発明の2バンド発振器の回路構成図である。FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a two-band oscillator of the present invention.
【図2】従来の2バンド発振器の回路構成図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional two-band oscillator.
1 電圧制御発振回路 2 発振トランジスタ 3 直流カットコンデンサ 4 入力側帰還コンデンサ 4a 第一の帰還コンデンサ 4b 第三の帰還コンデンサ 5 出力側帰還コンデンサ 5a 第二の帰還コンデンサ 5b 第四の帰還コンデンサ 6、7 バイアス抵抗 8 インピーダンス回路 8a バイアス抵抗 8b 第一の並列共振回路 8c 第一の並列共振回路 11 第一のスイッチダイオード 12 共振回路 13 バラクタダイオード 14 インダクタンス素子 14a 第一のインダクタンス素子 14b 第二のインダクタンス素子 15 結合コンデンサ 16 給電抵抗 17 直流カットコンデンサ 18 第二のスイッチダイオード 19 直流カットコンデンサ 20、21、22 バイアス抵抗 23 結合コンデンサ 30 バッファ回路 31 増幅トランジスタ 32 インダクタンス素子 33 第一の同調コンデンサ 34 第三のスイッチダイオード 35 第二の同調コンデンサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Voltage control oscillation circuit 2 Oscillation transistor 3 DC cut capacitor 4 Input side feedback capacitor 4a First feedback capacitor 4b Third feedback capacitor 5 Output side feedback capacitor 5a Second feedback capacitor 5b Fourth feedback capacitor 6,7 Bias Resistance 8 Impedance circuit 8a Bias resistor 8b First parallel resonance circuit 8c First parallel resonance circuit 11 First switch diode 12 Resonance circuit 13 Varactor diode 14 Inductance element 14a First inductance element 14b Second inductance element 15 Coupling Capacitor 16 Feeding resistor 17 DC cut capacitor 18 Second switch diode 19 DC cut capacitor 20, 21, 22 Bias resistor 23 Coupling capacitor 30 Buffer circuit 31 Amplification transistor 32 Inductance element 33 First tuning capacitor 34 Third switching diode 35 Second tuning capacitor
Claims (5)
制御発振回路と、前記電圧制御発振回路が出力する発振
信号を増幅するバッファ回路とを備え、前記電圧制御発
振回路はコレクタが高周波的に接地された発振トランジ
スタと、前記発振トランジスタのベース・エミッタ間及
びエミッタ・コレクタ間にそれぞれ接続される帰還コン
デンサと、少なくともバラクタダイオードとインダクタ
ンス素子とを有して前記発振トランジスタのコレクタと
ベースとの間に高周波的に接続された共振回路と、前記
発振トランジスタのエミッタとグランドとの間を直流的
に接続するインピーダンス回路とを有し、前記バッファ
回路は前記二つの周波数バンドに同調可能な同調増幅回
路で構成し、前記インピーダンス回路を前記二つの周波
数バンドで大きなインピーダンスとなるように構成し、
前記帰還コンデンサと前記インダクタンス素子とを二通
りに切り替えられるように構成し、前記電圧制御発振回
路を高い周波数バンドで発振させる場合には前記帰還コ
ンデンサの容量値と前記インダクタンス素子のインダク
タンス値とを小さくし、低い周波数バンドで発振させる
場合には前記容量値と前記インダクタンス値とを大きく
したことを特徴とする2バンド発振器。1. A voltage-controlled oscillation circuit that oscillates in two high and low frequency bands, and a buffer circuit that amplifies an oscillation signal output by the voltage-controlled oscillation circuit, wherein the voltage-controlled oscillation circuit has a collector grounded in high frequency. Oscillation transistor, a feedback capacitor connected between the base-emitter and between the emitter-collector of the oscillation transistor, and at least a varactor diode and an inductance element, between the collector and the base of the oscillation transistor. A resonant circuit connected at a high frequency, and an impedance circuit connecting the emitter of the oscillating transistor and the ground in a DC manner, wherein the buffer circuit is a tuning amplifier circuit tunable to the two frequency bands. And the impedance circuit has a large impedance in the two frequency bands. Impedance
The feedback capacitor and the inductance element are configured to be switched in two ways, and when oscillating the voltage controlled oscillation circuit in a high frequency band, the capacitance value of the feedback capacitor and the inductance value of the inductance element are reduced. When oscillating in a low frequency band, the capacitance value and the inductance value are increased.
されると共に互いの接続点がエミッタに接続され、両端
がベースとコレクタとに高周波的に接続された第一及び
第二の帰還コンデンサと、互いに直列に接続されると共
に互いの接続点が第一のスイッチダイオードによって前
記発振トランジスタのエミッタに接続され、両端がベー
スとコレクタとに高周波的に接続された第三及び第四の
帰還コンデンサとからなり、前記電圧制御発振回路を前
記低い周波数バンドで発振する場合には前記第一のスイ
ッチダイオードを導通させて前記第一の帰還コンデンサ
と前記第三の帰還コンデンサとを並列に接続すると共
に、前記第二の帰還コンデンサと前記第四のコンデンサ
とを並列に接続し、前記高い周波数バンドで発振させる
場合には前記第一のスイッチダイオードを非導通にした
ことを特徴とする請求項1記載の2バンド発振器。2. The first and second feedback capacitors are connected in series with each other, have a connection point connected to an emitter, and have both ends connected to a base and a collector at a high frequency. The third and fourth feedback capacitors are connected in series and connected to each other at the emitter of the oscillation transistor by a first switch diode, and both ends of the base and the collector are connected at a high frequency. When the voltage controlled oscillation circuit oscillates in the low frequency band, the first switch diode is turned on to connect the first feedback capacitor and the third feedback capacitor in parallel, and When connecting a second feedback capacitor and the fourth capacitor in parallel and oscillating in the high frequency band, the first switch is used. 2. The two-band oscillator according to claim 1, wherein the switch diode is turned off.
一の並列共振回路と前記第一の並列共振回路に直列接続
された第二の並列共振回路とを有し、前記第一の並列共
振回路の共振周波数を前記低い周波数バンドの周波数と
ほぼ同じに設定し、前記第二の並列共振回路の共振周波
数を前記高い周波数バンドの周波数とほぼ同じに設定し
たことを特徴とする請求項1または2記載の2バンド発
振器。3. The impedance circuit has at least a first parallel resonance circuit and a second parallel resonance circuit connected in series to the first parallel resonance circuit, and has a resonance frequency of the first parallel resonance circuit. 3. The method according to claim 1, wherein the frequency is set to be substantially the same as the frequency of the low frequency band, and the resonance frequency of the second parallel resonance circuit is set to be substantially the same as the frequency of the high frequency band. Band oscillator.
クタンス素子と、前記第一のインダクタンス素子に直列
接続された第二のインダクタンス素子で構成し、前記第
二のインダクタンス素子の両端を互いに短絡する第二の
スイッチダイオードを設け、前記電圧制御発振回路を前
記低い周波数バンドで発振させる場合には前記第二のス
イッチダイオードを非導通とし、前記高い周波数バンド
で発振させる場合には前記第二のスイッチダイオードを
導通としたことを特徴とする請求項1または2または3
記載の2バンド発振器。4. The second inductance element comprising a first inductance element and a second inductance element connected in series to the first inductance element, wherein both ends of the second inductance element are short-circuited to each other. When the voltage controlled oscillation circuit is oscillated in the low frequency band, the second switch diode is turned off, and when oscillated in the high frequency band, the second switch diode is provided. 4. The device according to claim 1, wherein the device is electrically connected.
A two-band oscillator according to claim 1.
と、前記増幅トランジスタのコレクタに一端が接続さ
れ、他端が高周波的に接地された並列同調回路とを有
し、コレクタとグランドとの間に互いに直列接続された
コンデンサと第三のスイッチダイオードとを設け、前記
並列同調回路の同調周波数を前記高い周波数バンドの周
波数とほぼ同じに設定し、前記電圧制御発振回路を前記
低い周波数バンドで発振させる場合には前記第三のスイ
ッチダイオードを導通して前記コンデンサを前記並列同
調回路に並列接続してその同調周波数を前記低い周波数
バンドの周波数とほぼ同じとなるようにしたことを特徴
とする請求項1乃至4のいずれかに記載の2バンド発振
器。5. The buffer circuit includes an amplifying transistor, and a parallel tuning circuit having one end connected to the collector of the amplifying transistor and the other end grounded at a high frequency, and has a series connection between the collector and the ground. Providing a connected capacitor and a third switch diode, setting the tuning frequency of the parallel tuning circuit to be substantially the same as the frequency of the high frequency band, and oscillating the voltage controlled oscillation circuit in the low frequency band. Wherein said third switch diode is turned on to connect said capacitor in parallel with said parallel tuning circuit so that its tuning frequency is substantially the same as the frequency of said lower frequency band. 5. The two-band oscillator according to any one of 4.
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1999
- 1999-10-14 JP JP29218899A patent/JP2001111342A/en active Pending
-
2000
- 2000-10-12 KR KR10-2000-0059963A patent/KR100372057B1/en not_active IP Right Cessation
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