JP2001110763A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 半導体基板の表面にパターンを形成した半導体ウェハに研磨加工具を押し付け前記半導体ウェハと前記研磨加工具を相対運動させ平坦化する工程において、上記半導体ウェハをウェハ保持具に保持し、酸化セリウム砥粒と前記砥粒を結合するための物質からなる円形またはリング形状の、２つまたはそれ以上の砥石を含む研磨加工具を同心円状に配置し、上記同心円状の砥石の内の少なくとも一つの砥石は他の砥石と回転方向が異なるように同時かつ独立に運動させ、上記半導体ウェハの表面には少なくとも２つ以上の上記同心円状の砥石が接触するようにして平坦化研磨を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 半導体基板の表面にパターンを形成した半導体ウェハに研磨加工具を押し付け前記半導体ウェハと前記研磨加工具とを相対運動させ平坦化する工程において、上記半導体ウェハをウェハ保持具に保持し、酸化セリウム砥粒と前記砥粒を結合するための物質からなる円形状の、２つまたはそれ以上の砥石を含む研磨加工具を回転定盤上に配置し、上記円形状の砥石を上記回転定盤の回転方向と逆方向に回転させ、上記半導体ウェハの表面には少なくとも２つ以上の上記円形状の砥石が接触するようにして平坦化研磨を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 上記半導体ウェハについて、その直径が２００mm以上であることを特徴とする上記請求項１または２記載の半導体ウェハ平坦化加工方法。
4. 上記半導体ウェハを研磨加工具へ押しつける圧力が１５０ｇ／ｃｍ²以上であることを特徴とする上記請求項１または２記載の半導体ウェハ平坦化加工方法。
5. 表面にパターンを形成した半導体ウェハに研磨加工具を押し付け前記半導体ウェハと前記研磨加工具を相対運動させ、上記パターンを平坦化する装置において、上記半導体ウェハを保持するウェハ保持具と、酸化セリウム砥粒と前記砥粒を結合するための物質からなる円形またはリング形状の、２つまたはそれ以上の砥石を同心円状に配置した研磨加工具とからなり、上記同心円状の砥石の少なくとも一つの砥石は他の砥石と回転方向が異なるように同時かつ独立に回転を行い、上記半導体ウェハの表面には少なくとも２つ以上の上記同心円状の砥石が接触するよう上記同心円状の砥石を配置したことを特徴とする半導体ウェハの平坦化加工装置。
6. 表面にパターンを形成した半導体ウェハに研磨加工具を押し付け前記半導体ウェハと前記研磨加工具を相対運動させ、上記パターンを平坦化する装置において、上記半導体ウェハを保持するウェハ保持具と、酸化セリウム砥粒と前記砥粒を結合するための物質からなる円形状の、２つまたはそれ以上の砥石を回転定盤上に配置した研磨加工具とからなり、上記円形状の砥石を上記回転定盤の回転方向と逆方向に上記円形状の砥石の中心軸を中心に回転させ、上記半導体ウェハの表面には少なくとも２つ以上の上記円形状の砥石が接触するよう上記円形状の砥石を上記回転定盤上に配置したことを特徴とする半導体ウェハの平坦化加工装置。