JP2001195976A - Getter device for electron tube and method of the same, and electron tube using the same - Google Patents
Getter device for electron tube and method of the same, and electron tube using the sameInfo
- Publication number
- JP2001195976A JP2001195976A JP2000005706A JP2000005706A JP2001195976A JP 2001195976 A JP2001195976 A JP 2001195976A JP 2000005706 A JP2000005706 A JP 2000005706A JP 2000005706 A JP2000005706 A JP 2000005706A JP 2001195976 A JP2001195976 A JP 2001195976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- getter
- electron tube
- powder
- getter device
- getter material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、大型テレビやCD
T(カラーディスプレイ用電子管)などに使用される電
子管用ゲッタ装置とその製造方法、およびそれを用いた
電子管に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention
The present invention relates to an electron tube getter device used for T (electron tube for color display) and the like, a method of manufacturing the same, and an electron tube using the same.
【従来の技術】最近、例えば民生用テレビの分野におい
ては、32インチから37インチ程度の大型テレビが普及し
つつある。このような大型テレビに使用される大型電子
管や、カラーディスプレイ用電子管(CDT)などにお
いては、高品位化を満たすために高精細化・高解像度化
が進められている。そのため、大型テレビやCDTなど
に用いられる電子管(陰極線管)には高性能化が要求さ
れており、その一つとして電子管内のガス成分の除去率
を高めることが求められている。2. Description of the Related Art Recently, for example, in the field of consumer televisions, large-sized televisions of about 32 inches to 37 inches have become widespread. In a large electron tube used for such a large television, an electron tube for a color display (CDT), and the like, high definition and high resolution are being promoted in order to satisfy high quality. For this reason, electron tubes (cathode ray tubes) used for large televisions, CDTs and the like are required to have high performance, and one of them is to increase the removal rate of gas components in the electron tubes.
【0002】排気後の電子管内に残留する不要な酸化性
ガスなどの除去には、通常、ゲッタ装置が用いられてい
る。ゲッタ装置は、ステンレスなどからなる金属製のゲ
ッタ容器内に、Ba−Al合金粉末とNi粉末との混合
粉末からなるゲッタ材を充填したものであり、通常、排
気、封止された電子管内の所定の位置に配設される。そ
して、高周波誘導加熱などの外部からの加熱によりBa
を気化(ゲッタフラッシュ)させ、管内壁にBaのゲッ
タ膜を形成するものである。[0002] A getter device is generally used to remove unnecessary oxidizing gas and the like remaining in an electron tube after exhaust. The getter device is obtained by filling a getter container made of a mixed powder of a Ba-Al alloy powder and a Ni powder in a metal getter container made of stainless steel or the like. It is arranged at a predetermined position. Then, Ba is applied by external heating such as high-frequency induction heating.
Is vaporized (getter flash) to form a getter film of Ba on the inner wall of the tube.
【0003】ところで、上述したような最近の大型テレ
ビ用電子管やCDTなどにおいては、高解像度化を図る
ために、酸化物カソードに代えて電流密度の高い含浸型
カソードが使用されるようになってきている。しかし、
含浸型カソードはイオン衝撃に弱く、酸化物カソードの
使用時には何等問題にならなかった、ゲッタフラッシュ
時に放出される空気成分中のArやN2 、およびフラッ
シュ時に生成されるメタンなどが悪影響を及ぼすことが
明らかになりつつある。In recent electronic tubes for large televisions and CDTs as described above, an impregnated cathode having a high current density has been used in place of an oxide cathode in order to increase the resolution. ing. But,
The impregnated cathode is vulnerable to ion bombardment, so there was no problem when using an oxide cathode. Ar and N 2 in the air component emitted during getter flash and methane generated during flash have an adverse effect. Is becoming apparent.
【0004】従来のゲッタ装置では、通常、ゲッタ容器
内にゲッタ材を充填した後に、真空中にて 350〜 520℃
程度の温度に加熱することによって、ゲッタ材からのガ
ス成分の除去処理を行っている。しかしながら、含浸型
カソードを使用した高品位の大型テレビ用電子管やCD
Tなどに対しては、従来のガス成分の除去処理工程では
不十分であることから、ガスによるイオン衝撃を軽減す
るために、長時間の工程を経て大型テレビ用電子管やC
DTなどを作製しているが、含浸型カソードに対するイ
オン衝撃の抑制は完全ではなく、僅かながらもイオン衝
撃を受けることから、部分的に電子放出が起きなくなる
というような現象が生じている。In a conventional getter device, usually, after a getter material is filled in a getter container, the getter material is heated to 350 to 520 ° C. in a vacuum.
By heating to about the temperature, the removal process of the gas component from the getter material is performed. However, high-quality electronic tubes and CDs for large televisions using impregnated cathodes
For T, etc., the conventional gas component removal treatment process is not enough. To reduce the ion bombardment by gas, it is necessary to take a long time to carry out an electronic tube for large TV or C
Although DT and the like are manufactured, the suppression of ion bombardment on the impregnated cathode is not perfect, and a small amount of ion bombardment causes a phenomenon such that electron emission partially stops.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、最近
の高品位化が求められている大型電子管やCDTなどに
おいては、含浸型カソードが使用されるようになってき
ている。このような含浸型カソードに対するイオン衝撃
の軽減に関しては、従来、工程の長時間化などで対処し
ているが、イオン衝撃の抑制は完全ではないことから、
ゲッタ装置自体としてイオン衝撃の低減を図ることが求
められている。As described above, impregnated cathodes have come to be used in large electron tubes, CDTs, etc., which have recently been required to have high quality. In order to reduce the ion bombardment on such an impregnated cathode, conventionally, measures such as prolonging the process have been taken, but since the suppression of ion bombardment is not perfect,
The getter device itself is required to reduce ion impact.
【0006】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、例えば含浸型カソードを用いた大型電
子管やCDTなどに対するイオン衝撃を本質的に抑制す
ることを可能にした電子管用ゲッタ装置とその製造方
法、およびそのようなゲッタ装置を用いることによっ
て、品質や信頼性の向上などを図った電子管を提供する
ことを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to address such a problem, and has, for example, a getter device for an electron tube which is capable of essentially suppressing ion bombardment of a large electron tube or a CDT using an impregnated cathode. It is an object of the present invention to provide an electron tube with improved quality and reliability by using such a getter device and a method for manufacturing the same.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の電子管用ゲッタ
装置は、請求項1に記載したように、金属製のゲッタ容
器と、前記ゲッタ容器内に充填され、Ba−Al合金粉
末とNi粉末とを含むゲッタ材とを具備する電子管用ゲ
ッタ装置において、前記ゲッタ材はゲッタフラッシュ時
に放出されるガス中のアルゴンおよび窒素の分圧が10-5
Pa以下であることを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a getter device for an electron tube, comprising: a getter container made of metal; and a Ba-Al alloy powder and a Ni powder filled in the getter container. Wherein the getter material has a partial pressure of 10 −5 of argon and nitrogen in the gas released at the time of getter flash.
It is characterized by being less than Pa.
【0008】本発明の電子管用ゲッタ装置は、さらに請
求項2に記載したように、前記ゲッタ材は前記ゲッタフ
ラッシュ時に放出されるガス中の炭素含有ガス成分の分
圧が10-3Pa以下であることを特徴としている。In the getter device for an electron tube according to the present invention, the getter material has a partial pressure of 10 -3 Pa or less of a carbon-containing gas component in a gas released at the time of the getter flash. It is characterized by having.
【0009】本発明の他の電子管用ゲッタ装置は、請求
項3に記載したように、金属製のゲッタ容器と、前記ゲ
ッタ容器内に充填され、Ba−Al合金粉末とNi粉末
とを含むゲッタ材とを具備する電子管用ゲッタ装置にお
いて、前記ゲッタ材には真空中にて 700〜 800℃の温度
で30秒以下の高周波誘導加熱が施されていることを特徴
としている。According to another aspect of the present invention, there is provided a getter device for a metal tube, a getter container made of metal, and a getter container filled in the getter container and containing a Ba-Al alloy powder and a Ni powder. In the getter device for an electron tube, the getter material is subjected to high-frequency induction heating in a vacuum at a temperature of 700 to 800 ° C. for 30 seconds or less.
【0010】また、本発明の電子管用ゲッタ装置の製造
方法は、請求項4に記載したように、Ba−Al合金粉
末とNi粉末とを含むゲッタ材をゲッタ容器内に充填す
る工程と、前記ゲッタ容器内に充填された前記ゲッタ材
に対して、真空中において 700〜 800℃の温度で30秒以
下の高周波誘導加熱を施す工程とを有することを特徴と
している。Further, according to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a getter device for an electron tube, comprising the steps of: filling a getter material containing a Ba-Al alloy powder and a Ni powder into a getter container; Subjecting the getter material filled in the getter container to high-frequency induction heating in a vacuum at a temperature of 700 to 800 ° C. for 30 seconds or less.
【0011】本発明の電子管は、請求項7に記載したよ
うに、上記した本発明の電子管用ゲッタ装置を具備する
ことを特徴としている。本発明の電子管は、請求項8に
記載したように、特に大型テレビ用陰極線管やカラーデ
ィスプレイ用陰極線管に対して有効である。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an electron tube including the above-described getter device for an electron tube according to the present invention. As described in claim 8, the electron tube of the present invention is particularly effective for a cathode ray tube for a large television and a cathode ray tube for a color display.
【0012】本発明の電子管用ゲッタ装置は、ガス出し
工程としてゲッタ材に対して短時間の高周波加熱を施す
ことによって、ゲッタフラッシュ時にゲッタ材から放出
されるガス中の不要なガス成分量、すなわちアルゴンお
よび窒素量、さらに炭素含有ガス成分量を大幅に低減し
たものである。このようなゲッタ装置によれば、従来の
酸化物カソードと同様な工程時間で、含浸型カソードに
対して本質的に悪影響を及ぼすことなく、良好にゲッタ
フラッシュを実施することが可能となる。すなわち、イ
オン衝撃による含浸型カソードの電子放出不良などを防
止することができる。従って、含浸型カソードを有する
大型テレビ用陰極線管やカラーディスプレイ用陰極線管
の品質や信頼性を大幅に高めることが可能となる。According to the getter device for an electron tube of the present invention, the amount of unnecessary gas components in the gas released from the getter material at the time of getter flush, that is, by subjecting the getter material to high-frequency heating for a short time as a gas releasing step, that is, The amount of argon and nitrogen, and the amount of carbon-containing gas components are greatly reduced. According to such a getter device, it is possible to perform a getter flush satisfactorily without substantially adversely affecting the impregnated cathode in the same process time as the conventional oxide cathode. That is, it is possible to prevent poor electron emission of the impregnated cathode due to ion bombardment. Accordingly, the quality and reliability of a cathode ray tube for a large television or a color display having an impregnated cathode can be greatly improved.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【0014】図1は、本発明の一実施形態による電子管
用ゲッタ装置を示す断面図である。同図に示すゲッタ装
置1は、一端が開口され、環状の内壁を有するゲッタ容
器2内にゲッタ材3が充填されて構成されている。ゲッ
タ容器2は例えばステンレスのような金属部材からな
り、このようなゲッタ容器2内にゲッタ材3はプレス装
置などで加圧充填されている。FIG. 1 is a sectional view showing a getter device for an electron tube according to an embodiment of the present invention. A getter device 1 shown in FIG. 1 is configured by filling a getter material 3 in a getter container 2 having an open end and an annular inner wall. The getter container 2 is made of, for example, a metal member such as stainless steel, and the getter material 3 is pressurized and filled in the getter container 2 by a press device or the like.
【0015】ゲッタ材3には、例えば40〜60質量% のB
a−Al合金粉末と60〜40質量% のNi粉末との混合粉
末が用いられる。また、ゲッタ材3には必要に応じて、
2.0質量% 以下の鉄窒化物粉末のような窒化物粉末や
0.2質量% 以下の酸化硼素粉末などを添加してもよい。The getter material 3 contains, for example, 40 to 60% by mass of B
A mixed powder of a-Al alloy powder and 60 to 40% by mass of Ni powder is used. Also, if necessary, getter material 3
Nitride powder such as iron nitride powder of 2.0% by mass or less
0.2% by mass or less of boron oxide powder or the like may be added.
【0016】このようなゲッタ材3中のBa−Al合金
粉末には、例えばBaAl4 合金が用いられる。Ba−
Al合金粉末はゲッタフラッシュ時の不要な放出ガス量
を低減する上で、炭素、酸素、空気成分(窒素、アルゴ
ンなど)のようなガス成分となる不純物元素の含有量が
少ないものを用いることが好ましい。具体的には、これ
ら不純物ガス成分元素の合計含有量が 0.2質量% 以下の
Ba−Al合金粉末を用いることが好ましい。炭素、酸
素、空気成分(窒素、アルゴンなど)の個々の含有量
は、炭素については0.02質量% 以下、酸素については0.
15質量% 以下、空気成分については0.01質量% 以下とす
ることが好ましい。また、Ba−Al合金粉末の粒子径
は反応性の向上などを図る上で、平均粒子径で 150μm
以下であることが好ましい。As the Ba-Al alloy powder in the getter material 3, for example, a BaAl 4 alloy is used. Ba-
In order to reduce the amount of unnecessary emission gas at the time of getter flash, it is necessary to use an Al alloy powder having a low content of impurity elements which are gas components such as carbon, oxygen, and air components (nitrogen, argon, etc.). preferable. Specifically, it is preferable to use a Ba-Al alloy powder having a total content of these impurity gas component elements of 0.2% by mass or less. The individual contents of carbon, oxygen, and air components (nitrogen, argon, etc.) are 0.02% by mass or less for carbon and 0.1% for oxygen.
It is preferable that the content be 15% by mass or less and the air component be 0.01% by mass or less. The average particle diameter of the Ba-Al alloy powder is 150 μm in order to improve the reactivity.
The following is preferred.
【0017】一方、ゲッタ材3中のNi粉末について
も、ガス放出量の低減を図る上で、例えば高温還元処理
が施されたものを用いることが好ましい。Ni粉末に施
す高温還元処理は、例えばH2 雰囲気のような還元雰囲
気中にて 400〜 600℃の温度で2〜 4時間の条件下で行
うことが好ましい。このような高温還元処理によれば、
Ni粉末中の不純物ガス成分量を効率よく低減すること
ができる。特に、CO、CO2 、CH4 などの炭素化合
物(炭素含有ガス成分)の生成原因となる炭素量を十分
に低減することができる。On the other hand, the Ni powder in the getter material 3 is preferably subjected to, for example, a high-temperature reduction treatment in order to reduce the amount of released gas. The high-temperature reduction treatment applied to the Ni powder is preferably performed in a reducing atmosphere such as an H 2 atmosphere at a temperature of 400 to 600 ° C. for 2 to 4 hours. According to such a high-temperature reduction treatment,
The amount of the impurity gas component in the Ni powder can be efficiently reduced. In particular, the amount of carbon that causes the formation of carbon compounds (carbon-containing gas components) such as CO, CO 2 , and CH 4 can be sufficiently reduced.
【0018】Ni粉末中の不純物ガス成分量は 0.1質量
% 以下とすることが好ましく、特に炭素含有量は0.02質
量% 以下とすることが好ましい。また、Ni粉末の平均
粒子径は、Ba−Al合金粉末との混合性などを考慮し
て35μm 以下であることが好ましい。ただし、Ni粉末
の粒子径があまり小さすぎると、飛散するBa粒子が粗
大化して、ゲッタ膜の均一性が損なわれるおそれがある
ため、Ni粉末の平均粒子径は10μm 以上であることが
好ましい。The amount of the impurity gas component in the Ni powder is 0.1 mass
% Or less, and particularly preferably the carbon content is 0.02% by mass or less. The average particle diameter of the Ni powder is preferably 35 μm or less in consideration of the mixing property with the Ba—Al alloy powder. However, if the particle size of the Ni powder is too small, the scattered Ba particles may become coarse and the uniformity of the getter film may be impaired. Therefore, the average particle size of the Ni powder is preferably 10 μm or more.
【0019】さらに、ゲッタ材3は反応を全体的に均一
に発生させるために、Ba−Al合金粉末の少なくとも
一部とNi粉末とを顆粒化して用いてもよい。このよう
な場合、Ba−Al合金粉末中の比較的微細な粉末とN
i粉末とを顆粒化して使用することが好ましい。Further, the getter material 3 may be used by granulating at least a part of the Ba-Al alloy powder and Ni powder in order to uniformly generate the reaction. In such a case, the relatively fine powder in the Ba-Al alloy powder and N 2
It is preferable to use granulated i powder.
【0020】上述したようなBa−Al合金粉末とNi
粉末とを含むゲッタ材3は、ゲッタ容器2内に充填され
た状態で、ゲッタフラッシュ時に放出されるガス中のア
ルゴンおよび窒素の分圧、すなわち空気成分の分圧が10
-5Pa以下とされている。さらに、ゲッタフラッシュ時に
放出されるガス中の炭素含有ガス成分、すなわちCO、
CO2 、CH4 などの炭素化合物の分圧については10-3
Pa以下とされている。The above-mentioned Ba-Al alloy powder and Ni
When the getter material 3 containing the powder is filled in the getter container 2, the partial pressure of argon and nitrogen in the gas released at the time of getter flush, that is, the partial pressure of the air component becomes 10%.
-5 Pa or less. Further, the carbon-containing gas component in the gas released during the getter flash, that is, CO,
10 -3 for the partial pressure of carbon compounds such as CO 2 and CH 4
Pa or less.
【0021】このようにゲッタフラッシュ時に放出され
るガス成分量(ガス中成分の分圧)を満足させる上で、
本発明ではBa−Al合金粉末とNi粉末とを含むゲッ
タ材3をゲッタ容器2内に充填した後に、ガス出し工程
としてゲッタ材3に対して真空中において 700〜 800℃
の温度で30秒以下の高周波誘導加熱を実施する。高周波
誘導加熱によれば、ゲッタ材3が直接的に加熱されるた
めに、ゲッタ材3中に含まれる不要なガス成分、すなわ
ちアルゴン(Ar)や窒素(N2 )などの空気成分を十
分に除去することが可能となる。さらに、COやCO2
などの酸化炭素、またCH4 などのハイドロカーボンに
ついても、同様に十分に除去することができる。In order to satisfy the amount of gas component (partial pressure of gas component) released at the time of getter flash,
In the present invention, after the getter material 3 containing the Ba-Al alloy powder and the Ni powder is filled in the getter container 2, the getter material 3 is subjected to 700 to 800 ° C. in a vacuum as a gas discharging step.
Perform high-frequency induction heating at a temperature of 30 seconds or less. According to the high-frequency induction heating, since the getter material 3 is directly heated, unnecessary gas components contained in the getter material 3, that is, air components such as argon (Ar) and nitrogen (N 2 ) are sufficiently removed. It can be removed. In addition, CO and CO 2
Carbon oxides such as, and hydrocarbons such as CH 4 can be similarly sufficiently removed.
【0022】高周波誘導加熱時の温度は、上記したよう
に 700〜 800℃の範囲とする。図2に示すように、高周
波誘導加熱時の温度が 700℃未満ではゲッタ材3から不
要なガス成分を短時間で十分に除去することができな
い。一方、高周波誘導加熱時の温度が 800℃を超える
と、ゲッタフラッシュが生じるおそれがあり、ゲッタ材
3としての性能を低下させることになる。The temperature during high-frequency induction heating is in the range of 700 to 800 ° C. as described above. As shown in FIG. 2, if the temperature during the high-frequency induction heating is lower than 700 ° C., it is not possible to sufficiently remove unnecessary gas components from the getter material 3 in a short time. On the other hand, if the temperature at the time of high-frequency induction heating exceeds 800 ° C., getter flash may occur, and the performance of the getter material 3 will be reduced.
【0023】また、高周波誘導加熱時間は30秒以下とす
る。図3に示すように、高周波誘導加熱時間が30秒を超
えると、ゲッタフラッシュが生じるおそれがある。高周
波誘導加熱時間は10〜15秒の範囲とすることがより好ま
しい。このような短時間の高周波誘導加熱であれば、ゲ
ッタ材3本来の性能を低下させることなく、ゲッタ材3
から不要なガス成分を十分に除去することができる。The high-frequency induction heating time is 30 seconds or less. As shown in FIG. 3, when the high-frequency induction heating time exceeds 30 seconds, getter flash may occur. The high-frequency induction heating time is more preferably in the range of 10 to 15 seconds. With such high-frequency induction heating for a short time, the getter material 3 can be used without deteriorating the original performance of the getter material 3.
Unnecessary gas components can be sufficiently removed from the gas.
【0024】このように、本発明におけるガス出し工程
はゲッタ材3をゲッタフラッシュが生じない程度の短時
間で高周波誘導加熱する工程である。従来の真空中での
350〜 520℃程度の温度による熱処理(真空熱処理)で
は、ゲッタ材3全体を所定の温度まで加熱し、その温度
で一定時間保持した後に徐冷しているため、加熱工程で
のガス抜けが不十分であることに加えて、冷却工程で放
出したガス成分を再吸着するおそれがあった。これに対
して、本発明による高周波誘導加熱によれば、短時間で
ゲッタ材3を直接的に高温まで昇温することができるた
め、ガス抜け性を十分に高めることができると共に、放
出したガス成分の再吸着を防ぐことができる。As described above, the degassing step in the present invention is a step of high-frequency induction heating of the getter material 3 in such a short time that no getter flash occurs. In a conventional vacuum
In the heat treatment (vacuum heat treatment) at a temperature of about 350 to 520 ° C., the entire getter material 3 is heated to a predetermined temperature, kept at that temperature for a certain period of time, and then gradually cooled. In addition to being sufficient, there is a possibility that the gas component released in the cooling step may be re-adsorbed. On the other hand, according to the high-frequency induction heating according to the present invention, the getter material 3 can be directly heated to a high temperature in a short time, so that the gas release property can be sufficiently improved and the released gas can be increased. Re-adsorption of components can be prevented.
【0025】従って、本発明のガス出し工程によれば、
ゲッタフラッシュ時にゲッタ材3から放出される不要な
ガス成分量を大幅に低減することが可能となる。具体的
には、ゲッタフラッシュ時にゲッタ材3から放出される
ガス中のアルゴンおよび窒素の分圧を、再現性よく10-5
Pa以下とすることができる。また、ゲッタフラッシュ時
に放出されるガス中の炭素含有ガス成分については、再
現性よく10-3Pa以下とすることができる。Therefore, according to the degassing process of the present invention,
The amount of unnecessary gas components released from the getter material 3 at the time of getter flash can be greatly reduced. Specifically, the partial pressures of argon and nitrogen in the gas released from the getter material 3 at the time of getter flash are adjusted with good reproducibility to 10 -5.
Pa or less. Further, the carbon-containing gas component in the gas released at the time of getter flash can be reduced to 10 −3 Pa or less with good reproducibility.
【0026】上述したように、本発明のゲッタ装置1に
おいては、ゲッタフラッシュ時にゲッタ材3から放出さ
れる空気成分量(アルゴン量や窒素量など)、またC
O、CO2 やゲッタフラッシュ時に生成されるCH4 な
どの炭素含有ガス成分量、言い換えれば含浸型カソード
などに対して悪影響を及ぼすAr、N2 、CO、C
O2、CH4 などの放出量を予め十分に低減している。
従って、このようなゲッタ材3を有するゲッタ装置1を
使用することによって、従来の酸化物カソードと同様な
工程時間で、含浸型カソードに対して悪影響を及ぼすこ
となく、良好にゲッタフラッシュを実施することが可能
となる。As described above, in the getter device 1 of the present invention, the amount of air components (such as the amount of argon and the amount of nitrogen) released from the getter material 3 at the time of getter flush,
Ar, N 2 , CO, C, which adversely affect the amount of carbon-containing gas components such as O, CO 2 and CH 4 generated during getter flash, in other words, impregnated cathodes and the like.
The release amount of O 2 , CH 4, etc. is sufficiently reduced in advance.
Therefore, by using the getter device 1 having such a getter material 3, the getter flush can be satisfactorily performed without adversely affecting the impregnated cathode in the same process time as the conventional oxide cathode. It becomes possible.
【0027】すなわち、ゲッタフラッシュにより生じる
Ar、N2 、CO、CO2 、CH4などによる含浸型カ
ソードへのイオン衝撃を本質的に抑制することができ
る。従って、含浸型カソードのイオン衝撃による電子放
出不良の発生などを防止することが可能となる。このよ
うに、本発明のゲッタ装置を用いることによって、含浸
型カソードを有する大型テレビ用陰極線管やカラーディ
スプレイ用陰極線管(CDT)の製造時間の短縮を図っ
た上で、その品質および信頼性を高めることができる。That is, the ion bombardment of the impregnated cathode with Ar, N 2 , CO, CO 2 , CH 4, etc. caused by getter flash can be essentially suppressed. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of electron emission failure due to the ion bombardment of the impregnated cathode. As described above, by using the getter device of the present invention, the quality and reliability of a cathode ray tube for a large television or a cathode ray tube for a color display (CDT) having an impregnated cathode can be shortened. Can be enhanced.
【0028】本発明の電子管は、上記したように本発明
の電子管用ゲッタ装置1を具備するものであり、特に含
浸型カソードを有するカラー陰極線管に対して効果を発
揮する。具体的には、例えば30インチ以上の大型テレビ
用カラー陰極線管やCDTなどに対して効果的である。
ここで、大型電子管に用いる場合には、例えばBa飛散
量が 300〜 350mgで、ゲッタ材3の充填量が1300〜1500
mgというようなゲッタ装置であることが好ましい。The electron tube of the present invention is provided with the getter device 1 of the present invention as described above, and is particularly effective for a color cathode ray tube having an impregnated cathode. Specifically, for example, it is effective for a color cathode ray tube for a large television of 30 inches or more, a CDT, or the like.
Here, when used for a large electron tube, for example, the scattering amount of Ba is 300 to 350 mg and the filling amount of the getter material 3 is 1300 to 1500.
A getter device such as mg is preferred.
【0029】[0029]
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について述べ
る。Next, specific examples of the present invention will be described.
【0030】実施例1 Ba−Al合金粉末46.5質量% とNi粉末52.5質量% と
鉄窒化物粉末 1.0質量% とを含むゲッタ材1100mgを、外
径20mm、内径 8.5mm、高さ 2.5mmの一端が開口され、環
状の内壁を有する図1に示したステンレス製ゲッタ容器
2内にプレス装置を用いて所定密度で充填した。Example 1 1100 mg of a getter material containing 46.5% by mass of Ba-Al alloy powder, 52.5% by mass of Ni powder and 1.0% by mass of iron nitride powder was placed on one end of an outer diameter of 20 mm, an inner diameter of 8.5 mm and a height of 2.5 mm. Was opened and the getter container 2 made of stainless steel and having an annular inner wall shown in FIG. 1 was filled at a predetermined density using a press device.
【0031】上記したゲッタ材のうち、Ba−Al合金
粉末としては平均粒子径が 100μmのものを用い、Ni
粉末としては平均粒子径が20μm のものを用いた。そし
て、このようなBa−Al合金粉末とNi粉末を含むゲ
ッタ材3をステンレス製ゲッタ容器2内に充填した後、
周波数250kHzの高周波誘導加熱によって、ゲッタ材3に
10-2Paの真空中にて 700℃×10秒の条件でガス出し処理
を施した。Among the above getter materials, Ba-Al alloy powder having an average particle diameter of 100 μm is used.
The powder used had an average particle diameter of 20 μm. And after the getter material 3 containing such Ba-Al alloy powder and Ni powder is filled in the getter container 2 made of stainless steel,
By high frequency induction heating of frequency 250kHz, getter material 3
Degassing was performed in a vacuum of 10 -2 Pa at 700 ° C for 10 seconds.
【0032】このようにして得たゲッタ装置を、17イン
チCDT用の含浸型カソードを有するカラーブラウン管
内に装着し、高周波発生装置にて外部から加熱して、ゲ
ッタフラッシュを行った。この際の総加熱時間を30秒で
一定に設定して、Ba飛散量を測定したところ、フラッ
シュ開始時間10秒において 230mgのBa飛散量を実現す
ることができた。The getter device thus obtained was mounted in a color cathode ray tube having a 17-inch CDT impregnated cathode and heated externally by a high frequency generator to perform getter flash. At this time, the total heating time was set to be constant at 30 seconds, and the amount of Ba scattered was measured. As a result, 230 mg of Ba scattered at a flash start time of 10 seconds could be realized.
【0033】また、ゲッタフラッシュ時にゲッタ材から
放出されるガス中のAr分圧、N2分圧、COおよびC
O2 の分圧、CH4 分圧を、それぞれカラーブラウン管
内の各ガス成分の分圧を測定することにより求めた。そ
の結果、Ar分圧は 2×10-6Pa、N2 分圧は 8×10-6P
a、COおよびCO2 の分圧は 3×10-7Pa、CH4 分圧
は 1.5×10-4Paであった。Further, the partial pressure of Ar, the partial pressure of N 2 , CO and C
The partial pressure of O 2 and the partial pressure of CH 4 were determined by measuring the partial pressure of each gas component in the color cathode ray tube. As a result, the partial pressure of Ar was 2 × 10 −6 Pa, and the partial pressure of N 2 was 8 × 10 −6 P
a, the partial pressures of CO and CO 2 were 3 × 10 −7 Pa, and the partial pressure of CH 4 was 1.5 × 10 −4 Pa.
【0034】このような低ガス放出のゲッタ装置を用い
たカラーブラウン管の電子放出特性を調べたところ、イ
オン衝撃による電子放出不良などは認められず、良好な
特性を有していることが確認された。さらに、上記カラ
ーブラウン管のライフテスト(6000時間)を行い、その
後の特性を調べたところ、ライフテスト後においても十
分良好な特性を有していることが確認された。When the electron emission characteristics of a color cathode ray tube using such a low gas emission getter device were examined, it was confirmed that electron emission defects due to ion bombardment were not observed, and the electron emission characteristics were excellent. Was. Further, the color cathode ray tube was subjected to a life test (6000 hours), and the characteristics thereof were examined. As a result, it was confirmed that the color cathode ray tubes had sufficiently good characteristics even after the life test.
【0035】実施例2〜5、比較例1 上記した実施例1において、ゲッタ材をステンレス製ゲ
ッタ容器内に充填した後の高周波誘導加熱によるガス出
し条件を、表1に示す条件に変更する以外は、それぞれ
実施例1と同様にしてゲッタ装置を作製した。これらゲ
ッタ装置をそれぞれカラーブラウン管内に装着し、実施
例1と同様にしてゲッタフラッシュを実施した。ゲッタ
フラッシュ時にゲッタ材から放出されるガス中のAr分
圧、N2分圧、COおよびCO2 の分圧、CH4 分圧を
表1にそれぞれ示す。Examples 2 to 5 and Comparative Example 1 In Example 1 described above, the conditions for degassing by high-frequency induction heating after filling the getter material into a stainless getter container were changed to the conditions shown in Table 1. , A getter device was manufactured in the same manner as in Example 1. Each of these getter devices was mounted in a color cathode ray tube, and a getter flash was performed in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the partial pressure of Ar, the partial pressure of N 2, the partial pressures of CO and CO 2 , and the partial pressure of CH 4 in the gas released from the getter material at the time of getter flushing.
【0036】また、本発明との比較例1として、ゲッタ
材をステンレス製ゲッタ容器内に充填した後のガス出し
工程を、通常の真空熱処理炉を用いて 450℃× 120分の
条件で実施する以外は、実施例1と同様にしてゲッタ装
置を作製した。このゲッタ装置についても、カラーブラ
ウン管内に装着して実施例1と同様にゲッタフラッシュ
を実施した。この際に放出されるガス中のAr分圧、N
2 分圧、COおよびCO2 の分圧、CH4 分圧を表1に
併せて示す。Further, as Comparative Example 1 with the present invention, a gas discharging step after filling a getter material into a stainless getter container is performed at 450 ° C. × 120 minutes using a normal vacuum heat treatment furnace. Except for the above, a getter device was manufactured in the same manner as in Example 1. This getter device was also mounted in a color cathode ray tube and a getter flash was performed in the same manner as in Example 1. The partial pressure of Ar in the gas released at this time, N
Table 1 also shows the 2 partial pressures, the partial pressures of CO and CO 2 , and the partial pressure of CH 4 .
【0037】[0037]
【表1】 [Table 1]
【0038】表1から明らかなように、実施例2〜5に
よる各ゲッタ装置は、ゲッタフラッシュ時に放出される
不要なガス成分量が比較例1のゲッタ装置に比べて大幅
に少ないことが分かる。そして、表1に示した実施例2
〜5および比較例1のカラーブラウン管の電子放出特性
をそれぞれ調べたところ、実施例2〜5ではイオン衝撃
による電子放出不良などは認められなかったのに対し
て、比較例1では部分的な電子放出不良が生じているこ
とが認められた。このように、本発明によれば電子管の
品質および信頼性を大幅に高めることが可能となる。As is evident from Table 1, each of the getter devices according to Examples 2 to 5 has a significantly smaller amount of unnecessary gas components emitted during getter flush than the getter device of Comparative Example 1. And Example 2 shown in Table 1
When the electron emission characteristics of the color cathode ray tubes of Comparative Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 were examined, electron emission defects due to ion bombardment were not observed in Examples 2 to 5, whereas in Comparative Example 1, partial electron emission was not observed. Poor release was observed. As described above, according to the present invention, the quality and reliability of the electron tube can be significantly improved.
【0039】[0039]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子管用
ゲッタ装置は、ゲッタフラッシュ時にゲッタ材から放出
されるガス中の不要なガス成分量を大幅に低減したもの
である。従って、このようなゲッタ装置を用いることに
よって、例えば含浸型カソードを用いた大型電子管やC
DTなどに対するイオン衝撃を本質的に抑制することが
可能となり、電子管の品質および信頼性の向上に大きく
寄与するものである。As described above, the getter device for an electron tube according to the present invention greatly reduces the amount of unnecessary gas components in the gas released from the getter material at the time of getter flash. Therefore, by using such a getter device, for example, a large electron tube or C
This makes it possible to essentially suppress ion impact on DT and the like, and greatly contributes to improvement in the quality and reliability of the electron tube.
【図1】 本発明の電子管用ゲッタ装置の一実施形態の
構成を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of an embodiment of an electron tube getter device of the present invention.
【図2】 ゲッタ容器内に充填したゲッタ材に対して高
周波誘導加熱を施した際の加熱温度とガス放出量との関
係を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a relationship between a heating temperature and a gas release amount when high-frequency induction heating is performed on a getter material filled in a getter container.
【図3】 ゲッタ容器内に充填したゲッタ材に対して高
周波誘導加熱を施した際の加熱時間とフラッシュBa量
との関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a heating time and a flash Ba amount when high frequency induction heating is performed on a getter material filled in a getter container.
1………電子管用ゲッタ装置 2………ゲッタ容器 3………電子管用ゲッタ材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Getter device for electron tubes 2 ... Getter container 3 ... Getter material for electron tubes
Claims (8)
内に充填され、Ba−Al合金粉末とNi粉末とを含む
ゲッタ材とを具備する電子管用ゲッタ装置において、 前記ゲッタ材は、ゲッタフラッシュ時に放出されるガス
中のアルゴンおよび窒素の分圧が10-5Pa以下であること
を特徴とする電子管用ゲッタ装置。1. A getter device for an electron tube comprising: a getter container made of metal; and a getter material filled in the getter container and containing a Ba—Al alloy powder and a Ni powder, wherein the getter material is a getter flash. A getter device for an electron tube, wherein a partial pressure of argon and nitrogen in a gas released at a time is 10 −5 Pa or less.
いて、 前記ゲッタ材は、前記ゲッタフラッシュ時に放出される
ガス中の炭素含有ガス成分の分圧が10-3Pa以下であるこ
とを特徴とする電子管用ゲッタ装置。2. The getter device for an electron tube according to claim 1, wherein the getter material has a partial pressure of a carbon-containing gas component in a gas released at the time of the getter flash of 10 −3 Pa or less. Electron tube getter device.
内に充填され、Ba−Al合金粉末とNi粉末とを含む
ゲッタ材とを具備する電子管用ゲッタ装置において、 前記ゲッタ材には、真空中にて 700〜 800℃の温度で30
秒以下の高周波誘導加熱が施されていることを特徴とす
る電子管用ゲッタ装置。3. A getter device for an electron tube, comprising: a getter container made of metal; and a getter material filled in the getter container and containing a Ba-Al alloy powder and a Ni powder. Inside at a temperature of 700 ~ 800 ℃ 30
A getter device for an electron tube, wherein high-frequency induction heating for less than a second is performed.
ゲッタ材をゲッタ容器内に充填する工程と、 前記ゲッタ容器内に充填された前記ゲッタ材に対して、
真空中において 700〜800℃の温度で30秒以下の高周波
誘導加熱を施す工程とを有することを特徴とする電子管
用ゲッタ装置の製造方法。4. A step of filling a getter material containing a Ba-Al alloy powder and a Ni powder into a getter container;
Performing a high-frequency induction heating at a temperature of 700 to 800 ° C. in a vacuum for 30 seconds or less in a vacuum.
造方法において、 前記ゲッタ材に対して10〜30秒の範囲で前記高周波誘導
加熱を施すことを特徴とする電子管用ゲッタ装置の製造
方法。5. The method of manufacturing a getter device for an electron tube according to claim 4, wherein the high-frequency induction heating is performed on the getter material for 10 to 30 seconds. .
造方法において、 前記高周波誘導加熱工程は、前記ゲッタ材からAr、N
2 、CO、CO2 およびCH4 の各ガス成分を除去する
工程であることを特徴とする電子管用ゲッタ装置の製造
方法。6. The method of manufacturing a getter device for an electron tube according to claim 4, wherein the high-frequency induction heating step comprises the steps of:
2. A method of manufacturing a getter device for an electron tube, comprising a step of removing each gas component of CO, CO 2 and CH 4 .
記載の電子管用ゲッタ装置を具備することを特徴とする
電子管。7. An electron tube comprising the electron tube getter device according to claim 1. Description:
線管であることを特徴とする電子管。8. The electron tube according to claim 7, wherein the electron tube is a cathode ray tube for a large television or a cathode ray tube for a color display.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000005706A JP2001195976A (en) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | Getter device for electron tube and method of the same, and electron tube using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000005706A JP2001195976A (en) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | Getter device for electron tube and method of the same, and electron tube using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001195976A true JP2001195976A (en) | 2001-07-19 |
Family
ID=18534333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000005706A Withdrawn JP2001195976A (en) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | Getter device for electron tube and method of the same, and electron tube using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001195976A (en) |
-
2000
- 2000-01-06 JP JP2000005706A patent/JP2001195976A/en not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4428856A (en) | Non-evaporable getter | |
KR100732258B1 (en) | Non-evaporable getter compositions which can be reactivated at low temperature after exposure to reactive gases at a higher temperature | |
EP0204477B1 (en) | Cathode for electron tube and manufacturing method thereof | |
US2173259A (en) | Active metal compounds for vacuum tubes | |
JPS60227343A (en) | Getter assembly | |
JP3848677B2 (en) | Dispenser cathode and method of manufacturing dispenser cathode | |
JP2001195976A (en) | Getter device for electron tube and method of the same, and electron tube using the same | |
US2306290A (en) | Cathode alloy | |
US4481441A (en) | Method of manufacturing a picture display tube having a gas-absorbing layer; picture display tube thus manufactured, and gettering device suitable for such a method | |
US7083825B2 (en) | Composition used in producing calcium-rich getter thin film | |
US5881355A (en) | Fabrication method of cathode member and electronic tube equipped therewith | |
US3973816A (en) | Method of gettering a television display tube | |
JP3619635B2 (en) | GETTER MATERIAL FOR ELECTRON TUBE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, GETTER DEVICE FOR ELECTRON TUBE USING THE SAME, AND ELECTRON TUBE | |
CN1149610C (en) | Getter devices for calcium evaporation | |
JPH10283916A (en) | Electron tube getter device, and electron tube using the device | |
JP3290789B2 (en) | Getter device for electron tube | |
JPS6348387B2 (en) | ||
JPH10223161A (en) | Evaporation type gettering device shortened with activation time | |
JP2003059404A (en) | Method of manufacturing cathode-ray tube | |
JPS6273536A (en) | Getter device | |
JPH08138537A (en) | Manufacture of cathode-ray tube | |
JPH08138536A (en) | Impregnated cathode, manufacture thereof, and cathode-ray tube using this | |
JPH0757618A (en) | Impregnation type cathode | |
JP2001176392A (en) | Manufacturing method of braun tube | |
JPH04220925A (en) | Cathode for electron tube |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070306 |