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JP2001184723A - Optical information recording medium - Google Patents

Optical information recording medium

Info

Publication number
JP2001184723A
JP2001184723A JP36246099A JP36246099A JP2001184723A JP 2001184723 A JP2001184723 A JP 2001184723A JP 36246099 A JP36246099 A JP 36246099A JP 36246099 A JP36246099 A JP 36246099A JP 2001184723 A JP2001184723 A JP 2001184723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
recording
substrate
thickness
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP36246099A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Itsuro Nakamura
逸郎 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP36246099A priority Critical patent/JP2001184723A/en
Publication of JP2001184723A publication Critical patent/JP2001184723A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an optical disk having stable recording and erasing performances and ensuring such good repetitive recording characteristics as to suppress the deterioration of characteristics and the occurrence of defects even when recording and erasure are repeated many times. SOLUTION: A base metallic layer 2, a reflecting layer 3, at least one 1st dielectric layer 4, a recording layer 5, at least one 2nd dielectric layer 6 and a light transmissive layer 7 are successively laminated on a substrate 1 with a formed rugged part to obtain the objective optical information recording medium 10 in which the arrangement of the constituent atoms of the recording layer 5 is varied by irradiation with light to record and erase information. The metallic layer 2 is a Ti layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の凹凸部側に
情報記録層を有し、その上に光透過層が形成されてお
り、上記光透過層側からのレーザ光を照射により原子の
配列が変化して情報の記録および消去が行なわれる光学
的情報記録媒体であって、特に高密度記録および書き換
え特性に優れた光学的情報記録媒体(以下、光ディスク
と呼ぶ)に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording layer on an uneven portion side of a substrate, on which a light transmitting layer is formed. The present invention relates to an optical information recording medium in which information is recorded and erased by changing the arrangement, and particularly to an optical information recording medium (hereinafter, referred to as an optical disk) having excellent high-density recording and rewriting characteristics.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光学データ記録方式に関する研究
が各所で進められている。これは磁気記録方式に比べて
一桁以上も高い記録密度が達成できること、再生専用
型、追記型、書換可能型のそれぞれのメモリー形態に対
応できる等の数々の利点を有し、産業用から民生用まで
幅広い用途が考えられるからである。最近、書換可能型
のDVDが市場に出たが、未だ記録容量は十分と言えず
テープを記録媒体とするVTRと比較した場合、標準的
な記録モードで1〜1.5時間分しか記録できない。さら
に今後、放送方式のデジタル化を迎え、より高精細な映
像ソースを記録する場合においては一層の高容量、高密
度化が書換型光ディスクに求められる。
2. Description of the Related Art In recent years, research on optical data recording systems has been advanced in various places. This has a number of advantages, such as the ability to achieve a recording density that is at least an order of magnitude higher than the magnetic recording method, and the ability to support read-only, write-once, and rewritable memory types. This is because a wide range of applications can be considered. Recently, a rewritable DVD has been put on the market, but the recording capacity is still not enough, and only 1 to 1.5 hours can be recorded in a standard recording mode when compared with a VTR using a tape as a recording medium. . In the future, with the digitalization of the broadcasting system, when recording higher definition video sources, even higher capacity and higher density are required for rewritable optical disks.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この高密度
化の要望に応え、レンズの高NA(開口数)化が進み、媒
体とレンズの焦点距離が小さくなる傾向にある。これに
伴い、従来基板側からレーザー光による信号の読み出し
を行っていたが、焦点距離が小さくなるためレンズ基板
間距離が接近し、基板側からの読み出しが困難となる。
この回避策として凹凸面(信号面、記録膜面)側から透
明層を介し、直接読み出す方法が採用されている。
By the way, in response to the demand for higher density, the lens has a higher NA (numerical aperture), and the focal length between the medium and the lens tends to be shorter. Along with this, signal reading by laser light has been conventionally performed from the substrate side. However, since the focal length is small, the distance between the lens substrates is short, and reading from the substrate side becomes difficult.
As a workaround, a method of directly reading data from the uneven surface (signal surface, recording film surface) side via a transparent layer is adopted.

【0004】記録再生型媒体では通常多層膜構成をとる
が、この場合基板に対する膜構成が逆となる。相変化記
録媒体においては反射膜が第一成膜層として基板上に堆
積する。反射層としてよく使用されるAlおよびAl系
合金膜は堆積していくと、結晶粒界が成長する性質を有
する。基板側からの読み出す膜構成において反射層は保
護膜を除く最表層となり、AlおよびAl系合金膜が反
射層として使用されてもレーザー光反射面は成膜初期段
階で、粒界成長の影響は無かった。しかしながら、記録
膜面から読み出す構成ではAlおよびAl系合金反射層
が凹凸溝面に対し成膜第一層となり、粒界成長した膜上
に誘電体層、記録層が順次積層される。この結果、粒界
による面粗れが誘電体層、記録層へ大きく影響し、記録
再生特性、書き換え性能を劣化させる原因となった。
A recording / reproducing medium usually has a multilayer structure, but in this case, the film structure for the substrate is reversed. In a phase change recording medium, a reflective film is deposited on a substrate as a first film formation layer. Al and Al-based alloy films, which are often used as a reflection layer, have the property that crystal grain boundaries grow as they are deposited. In the film configuration read out from the substrate side, the reflective layer is the outermost layer except for the protective film, and even if Al and an Al-based alloy film are used as the reflective layer, the laser light reflective surface is in the initial stage of film formation, and the influence of grain boundary growth is small. There was no. However, in the configuration in which reading is performed from the recording film surface, the Al and Al-based alloy reflection layer becomes the first layer formed on the uneven groove surface, and the dielectric layer and the recording layer are sequentially laminated on the film grown at the grain boundary. As a result, the surface roughness caused by the grain boundaries greatly affects the dielectric layer and the recording layer, and causes deterioration in recording / reproducing characteristics and rewriting performance.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は前記した課題
を、第1の発明として、凹凸部が形成されている基板1
上に下地金属層2、反射層3、少なくとも一層の第1の
誘電体層4、記録層5、少なくとも一層の第2の誘電体
層6、透明(光透過)層7を順次積層してなり、光の照
射により前記記録層5を構成する原子の配列が変化して
情報の記録及び消去が行われる光学的情報記録媒体10
であって、前記下地金属層2がTi層である光学的情報
記録媒体を、第2の発明として、前記下地金属層2の膜
厚が10nm〜60nmであり、かつ反射層がAlある
いはAl系合金である請求項1記載の光学的情報記録媒
体をそれぞれ提供することにより、解決したものであ
る。
According to the present invention, as a first invention, a substrate 1 having an uneven portion is provided.
A base metal layer 2, a reflective layer 3, at least one first dielectric layer 4, a recording layer 5, at least one second dielectric layer 6, and a transparent (light transmitting) layer 7 are sequentially laminated thereon. The optical information recording medium 10 on which information is recorded and erased by changing the arrangement of atoms constituting the recording layer 5 by light irradiation
An optical information recording medium in which the base metal layer 2 is a Ti layer according to a second aspect of the present invention, wherein the base metal layer 2 has a thickness of 10 nm to 60 nm and the reflective layer is Al or Al-based. The problem has been solved by providing each of the optical information recording media according to claim 1 which is an alloy.

【0006】[0006]

【発明の実施の態様】以下、本発明になる光ディスクを
詳細に説明する。本発明の記録材料は、結晶状態と非晶
状態の少なくとも2つの状態をとり得るAg、In、S
b、Teからなる相変化型光記録材料あるいはGe、S
b、Teからなる相変化型光記録材料である。消去状態
である結晶状態において、Ag、In、Sb、Teのう
ちの単体の結晶相あるいは2元素以上の組み合わせで構
成される結晶相を形成するものである。結晶状態が単一
相であるとは限らず、2相以上の結晶相が混在していて
もよい。記録状態である非晶質状態において、X線回折
パターンは示さないが局所的には短距離秩序を有してい
てもよく、規則的な電子線回折パターンを示す場合もあ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an optical disk according to the present invention will be described in detail. The recording material of the present invention can be made of Ag, In, S which can take at least two states of a crystalline state and an amorphous state.
b, Te phase-change optical recording material or Ge, S
This is a phase change type optical recording material composed of b and Te. In the crystal state that is the erased state, a single crystal phase of Ag, In, Sb, and Te or a crystal phase composed of a combination of two or more elements is formed. The crystal state is not limited to a single phase, and two or more crystal phases may coexist. In the amorphous state, which is a recording state, an X-ray diffraction pattern is not shown, but a short-range order may be locally present, and a regular electron beam diffraction pattern may be shown.

【0007】また、本発明の記録層(相変化型記録層)
は、記録、消去、あるいは、オーバーライトによる書換
を繰り返しても、従来の記録層に比べ優れた繰返耐久性
と高密度記録が得られる。さらに、従来の記録層に比べ
高い変調度が得られるめ、高密度記録再生時のジッタが
抑制され高性能である。
The recording layer of the present invention (phase-change recording layer)
With this method, even if recording, erasing, or rewriting by overwriting is repeated, excellent repetition durability and high-density recording can be obtained as compared with the conventional recording layer. Further, since a higher degree of modulation can be obtained as compared with the conventional recording layer, jitter during high-density recording / reproduction is suppressed and high performance is achieved.

【0008】本発明になる光ディスク10の代表的な層
構成は、以下に、図1により詳細に説明するように、透
明基板1/下地金属層2/反射層3/第1誘電体層4/
記録層5/第2誘電体層6/光透過層としての透明層7
の積層体からなる(ここで、レーザ光は透明層7側から
入射する)。但し、本発明になる光ディスク10の構成
はこれに限定されるものではない。
A typical layer structure of the optical disk 10 according to the present invention will be described below in more detail with reference to FIG. 1. As shown in FIG. 1, a transparent substrate 1 / underlying metal layer 2 / reflection layer 3 / first dielectric layer 4 /
Recording layer 5 / second dielectric layer 6 / transparent layer 7 as light transmitting layer
(Here, the laser beam enters from the transparent layer 7 side). However, the configuration of the optical disk 10 according to the present invention is not limited to this.

【0009】図1は、本発明になる光ディスク10の一
実施例の断面構造を説明するための図である。本発明に
なるの光ディスク10は、基板1上に下地金属層2、反
射層3、第1誘電体層4、記録層5、第2誘電体層6、
透明層7が順次積層されてなるものである。
FIG. 1 is a view for explaining a sectional structure of an embodiment of an optical disk 10 according to the present invention. An optical disk 10 according to the present invention includes a base metal layer 2, a reflective layer 3, a first dielectric layer 4, a recording layer 5, a second dielectric layer 6,
The transparent layers 7 are sequentially laminated.

【0010】本発明の誘電体層(第1,第2誘電体層)
4,6は、記録時に基板1、記録層5などが熱によって
変形し記録特性が劣化することを防止するなど、基板
1、記録層5を熱から保護する効果、光学的な干渉効果
により、再生時の信号コントラストを改善する効果があ
る。さらに、記録層5の結晶化を促進して、消去率を向
上する効果もある。この誘電体層4,6としては、Zn
S,SiO2、Si34、Al23などの無機薄膜があ
る。特にSi,Ge,Al,Ti,Zr,Taなどの金
属あるいは半導体の酸化物の薄膜、Si、Ge,Alな
どの金属あるいは半導体の窒化物の薄膜、Ti、Zr、
Hf、Siなどの金属あるいは半導体の炭化物の薄膜、
ZnS、In23、TaS4、GeS2等の金属あるいは
半導体の硫化物の薄膜、及びこれらの化合物の2種類以
上の混合物の膜が、耐熱性が高く、化学的に安定なこと
から好ましい。
The dielectric layer of the present invention (first and second dielectric layers)
The effects of protecting the substrate 1 and the recording layer 5 from heat, such as preventing the substrate 1 and the recording layer 5 from being deformed by heat and deteriorating the recording characteristics during recording, and the optical interference effect, This has the effect of improving the signal contrast during reproduction. Further, there is an effect that crystallization of the recording layer 5 is promoted to improve the erasing rate. As the dielectric layers 4 and 6, Zn
There are inorganic thin films such as S, SiO 2 , Si 3 N 4 and Al 2 O 3 . In particular, a thin film of a metal or semiconductor oxide such as Si, Ge, Al, Ti, Zr, or Ta; a thin film of a metal or semiconductor nitride such as Si, Ge, or Al;
Thin films of metals such as Hf and Si or carbides of semiconductors,
Thin films of sulfides of metals or semiconductors such as ZnS, In 2 S 3 , TaS 4 , and GeS 2 , and films of a mixture of two or more of these compounds are preferable because of high heat resistance and chemical stability. .

【0011】前記光学的な干渉効果を利用し、反射率、
再生時の信号コントラスト等をより一層改善するため
に、精密な光学計算結果を基に誘電体層(第1,第2誘
電体層)4,6を2層以上積層することが好ましい。ま
た、溶融、冷却を繰返す記録層5と界面を接する誘電体
層4,6の元素成分が、記録層5中へ拡散することを抑
制するために、両界面または片面に1層の誘電体層を加
えることが好ましい。前記拡散を抑制することによっ
て、繰返し書換え特性の向上を図ることが可能である。
また、結晶とアモルファスのコントラストを逆転するた
めに、吸収率を制御する目的で、吸収のある誘電体層を
加えることが好ましい。コントラストの逆転は、高転送
レート化に対し効果がある。上記の理由から、誘電体層
は、少なくとも1層以上とすることが好ましい。
Using the optical interference effect, the reflectance,
In order to further improve the signal contrast and the like at the time of reproduction, it is preferable to laminate two or more dielectric layers (first and second dielectric layers) 4 and 6 based on a precise optical calculation result. In order to prevent the element components of the dielectric layers 4 and 6 that contact the interface with the recording layer 5 that repeats melting and cooling from diffusing into the recording layer 5, one dielectric layer is provided on both interfaces or on one surface. Is preferably added. By suppressing the diffusion, it is possible to improve the rewrite characteristics repeatedly.
In order to reverse the contrast between the crystal and the amorphous, it is preferable to add an absorbing dielectric layer for the purpose of controlling the absorptance. Reversing the contrast is effective for increasing the transfer rate. For the above reason, it is preferable that the dielectric layer be at least one layer or more.

【0012】さらに、記録層5への誘電体層を構成する
原子の拡散がないものが好ましい。これらの酸化物、硫
化物、窒化物、炭化物は必ずしも化学量論的組成をとる
必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御した
り、混合して用いることも有効である。
Further, it is preferable that there is no diffusion of atoms constituting the dielectric layer into the recording layer 5. These oxides, sulfides, nitrides, and carbides do not always need to have a stoichiometric composition, and it is effective to control the composition for controlling the refractive index and the like, or to use a mixture thereof.

【0013】また、これらにMgF2などのフッ化物を
混合したものも、膜の残留応力が小さいことから好まし
い。特にZnSとSiO2の混合膜は、記録、消去の繰
り返しによっても、記録感度、C/N、消去率などの劣
化が起きにくいことから好ましい。
A mixture of these and a fluoride such as MgF 2 is also preferable because the residual stress of the film is small. In particular, a mixed film of ZnS and SiO 2 is preferable because deterioration of recording sensitivity, C / N, erasure rate, and the like hardly occurs even when recording and erasing are repeated.

【0014】前記した第1および第2誘電体層4,6の
厚さは、およそ10nm〜500nmである。第1誘電
体層4は、C/N、消去率などの記録特性、安定に多数
回の書換が可能なことから10nm〜50nmが好まし
い。また第2誘電体層6は、透明層7や記録層5から剥
離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことから、5
0nm〜300nmが好ましい。第1誘電体層4と第2
誘電体層6は、同一ではなく異なる化合物から構成され
てもよい。
The thickness of the first and second dielectric layers 4 and 6 is about 10 nm to 500 nm. The thickness of the first dielectric layer 4 is preferably 10 nm to 50 nm because recording characteristics such as C / N and erasing rate and stable rewriting can be performed many times. In addition, the second dielectric layer 6 is difficult to peel off from the transparent layer 7 and the recording layer 5 and is unlikely to cause defects such as cracks.
0 nm to 300 nm is preferred. The first dielectric layer 4 and the second
The dielectric layers 6 may be made of different compounds instead of the same.

【0015】本発明の記録層5の厚さとしては、特に限
定するものではないが10nm〜100nmである。理
由としては以下の通りである。記録層5の厚さが10n
m以下の場合、結晶状態での反射率と非晶質ないし微結
晶状態での反射率との差、すなわ変調度が十分得られ
ず、再生信号強度が大きくとれない。また、記録層5の
厚さが100nm以上の場合、記録層5の熱容量が大き
いためレーザビーム照射時間内で結晶化が完全に行われ
ない(消し残りあり)、もしくは記録時においては十分
非晶質せず、再結晶化する部分が見られる等記録消去の
劣化を招く。
The thickness of the recording layer 5 of the present invention is not particularly limited, but is 10 nm to 100 nm. The reasons are as follows. The thickness of the recording layer 5 is 10 n
If m or less, the difference between the reflectance in the crystalline state and the reflectance in the amorphous or microcrystalline state, that is, a sufficient degree of modulation cannot be obtained, and the reproduction signal intensity cannot be large. When the thickness of the recording layer 5 is 100 nm or more, crystallization is not completely performed within the laser beam irradiation time due to the large heat capacity of the recording layer 5 (there is no erased), or the recording layer 5 is sufficiently amorphous during recording. Degradation of recording and erasing is caused, for example, a portion to be recrystallized without quality.

【0016】さらに記録層5の厚さが40nm以上の場
合、ダイレクト・オーバーライトを繰り返すと記録マー
ク内で物質移動が起こり、その結果記録層厚に変動が生
じ、オーバーパワーで記録消去が行われるため繰り返し
特性が劣化する。本発明の記録層5の組成においては、
特に記録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能で
あることから10nm以上40nm以下とすることが好
ましい。
Further, when the thickness of the recording layer 5 is 40 nm or more, when direct overwriting is repeated, mass transfer occurs in the recording mark, and as a result, the thickness of the recording layer fluctuates, and recording and erasing are performed with overpower. Therefore, the repetition characteristics deteriorate. In the composition of the recording layer 5 of the present invention,
In particular, the recording and erasing sensitivity is high, and the recording and erasing can be performed many times.

【0017】本発明の反射層3の材質としては、光反射
性を有するAl、もしくはをAlを主成分とし、Ag,
Au,Cu,Co,Ni,Ti,V,Mo,Mn,P
t,Si,Nb,Fe,Ta,Hf,Ga,Pd,B
i,In,W,Zrから選ばれた少なくとも一つの添加
元素を含む合金である。反射層3の厚さとしては、おお
むね50nm以上150nm以下である。
As a material of the reflection layer 3 of the present invention, Al having light reflectivity, or mainly containing Al, Ag,
Au, Cu, Co, Ni, Ti, V, Mo, Mn, P
t, Si, Nb, Fe, Ta, Hf, Ga, Pd, B
An alloy containing at least one additive element selected from i, In, W, and Zr. The thickness of the reflective layer 3 is approximately 50 nm or more and 150 nm or less.

【0018】特に、記録感度が高く、高速でシングルビ
ーム・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大き
く消去特性が良好であることから、光ディスクの主要部
を構成することが好ましい。
In particular, it is preferable to constitute the main part of the optical disc because of its high recording sensitivity, high-speed single-beam overwriting, high erasure rate and good erasure characteristics.

【0019】また、本発明の反射層3の材質としては、
光反射性を有するAgを主成分とし、Al,Au,C
u,Co,Ni,Ti,V,Mo,Mn,Pt,Si,
Nb,Fe,Ta,Hf,Ga,Pd,Bi,In,
W,Zrから選ばれた少なくとも一つの添加元素を含む
合金である。Agを主成分とする合金は、光反射性が高
く、かつ熱伝導率を高くできることから好ましい。
The material of the reflective layer 3 of the present invention includes:
Al, Au, C mainly composed of Ag having light reflectivity
u, Co, Ni, Ti, V, Mo, Mn, Pt, Si,
Nb, Fe, Ta, Hf, Ga, Pd, Bi, In,
An alloy containing at least one additional element selected from W and Zr. An alloy containing Ag as a main component is preferable because it has high light reflectivity and high thermal conductivity.

【0020】本発明の金属下地層2は、Al及びAl系
合金反射層の(111)面の結晶配向性を高めるTi膜
が適しており、膜厚としては10nm〜60nmが好ま
しい。Al及びAl系合金反射層を真空中で樹脂基板上
に直接形成する場合、形成初期は飛来するAl及びAl
系合金の微細粒子の成長によって、平滑な反射面が形成
されるからである。しかしながら、堆積が進むに従い粒
界が成長し、結果的に反射面の平滑性が低下し、レーザ
ービーム反射光のノイズが増大する。
As the metal underlayer 2 of the present invention, a Ti film for improving the crystal orientation of the (111) plane of the Al and Al-based alloy reflection layer is suitable, and the thickness is preferably 10 nm to 60 nm. When the Al and Al-based alloy reflection layer is formed directly on the resin substrate in a vacuum, Al and Al that fly
This is because a smooth reflective surface is formed by the growth of the fine particles of the system alloy. However, as the deposition proceeds, the grain boundaries grow, and as a result, the smoothness of the reflection surface decreases, and the noise of the laser beam reflected light increases.

【0021】このAl及びAl系合金膜の結晶粒界の粗
大化は、ランダムな結晶配向を抑制しAl(111)面
の結晶配向性を向上させることによって抑止可能であ
る。これは、面心立方格子の最稠相密面であるAl(1
11)面の割合が多くなると、系のエネルギーを下げる
働きによって、凹凸が小さくなり平滑性が高まるからで
ある。
The coarsening of the crystal grain boundaries of the Al and Al-based alloy films can be suppressed by suppressing the random crystal orientation and improving the crystal orientation of the Al (111) plane. This is because Al (1), which is the closest dense face of the face-centered cubic lattice,
11) When the ratio of the surface is increased, the unevenness is reduced and the smoothness is increased by the action of lowering the energy of the system.

【0022】Ti膜は、(002)面の結晶配向性を有
し、その上に形成される最密構造の(111)結晶面の
成長を促進する。Ti膜が10nm以下の場合、(00
2)面の配向性が不十分なため、Al(111)面の結
晶配向がほとんど認められず、またTi膜が60nm以
上の場合、熱伝導率の低いTi膜の厚膜化のため、熱拡
散を妨げ記録膜の結晶化を阻害する。Ti下地膜厚とし
ては10nm〜60nmが好ましい。
The Ti film has a (002) crystal orientation, and promotes the growth of a (111) crystal plane having a close-packed structure formed thereon. When the Ti film is 10 nm or less, (00
2) Since the orientation of the plane is insufficient, the crystal orientation of the Al (111) plane is scarcely recognized, and when the Ti film has a thickness of 60 nm or more, the thickness of the Ti film having low thermal conductivity is increased. It prevents diffusion and inhibits crystallization of the recording film. The thickness of the Ti underlayer is preferably 10 nm to 60 nm.

【0023】本発明の透明層7としては、紫外線によっ
て硬化する樹脂層、もしくはガラス、ポリカーボネイ
ト、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などのシートがあげ
られる。シートは接着層を介して記録層と貼り合わせら
れる。透明層7の厚さとしては、おおむね100μm以
上200μm以下である。
As the transparent layer 7 of the present invention, a resin layer which is cured by ultraviolet rays, or a sheet of glass, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyolefin resin, epoxy resin, polyimide resin or the like can be used. The sheet is bonded to the recording layer via the adhesive layer. The thickness of the transparent layer 7 is generally not less than 100 μm and not more than 200 μm.

【0024】本発明の基板1の材料としては、透明な各
種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、
基板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、
集束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好ま
しく、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカ
ーボネイト、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフ
ィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげら
れる。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、
成形が容易であることからポリカーボネイト樹脂が好ま
しい。さらに記録密度を向上するため、基板上に積層媒
体を設け極薄い板厚の透光性基板を通して、いわゆる表
読みを行ってもよく、この場合にはレーザ光は基板を通
過しないので不透明な基板を用いることが可能となる。
As the material of the substrate 1 of the present invention, various transparent synthetic resins, transparent glass and the like can be used. Dust,
To avoid the effects of scratches on the substrate, use a transparent substrate,
Recording is preferably performed from the substrate side with a focused light beam. Examples of such a transparent substrate material include glass, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyolefin resin, epoxy resin, and polyimide resin. In particular, optical birefringence is small, hygroscopicity is small,
Polycarbonate resins are preferred because of ease of molding. In order to further improve the recording density, a so-called table reading may be performed through a very thin translucent substrate by providing a laminated medium on the substrate. In this case, the opaque substrate is used because the laser beam does not pass through the substrate. Can be used.

【0025】基板1の厚さは特に限定するものではない
が、0.01mm〜5mmが実用的である。0.01m
m未満では、基板1側から集束した光ビ-ムで記録する
場合でも、ごみの影響を受け易くなり、5mm以上で
は、対物レンズの開口数を大きくすることが困難にな
り、照射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記
録密度をあげることが困難になる。基板1はフレキシブ
ルなものであっても良いし、リジッドなものであっても
良い。フレキシブルな基板1は、テープ状、シート状、
カ-ド状で使用する。リジッドな基板1は、カード状、
あるいはディスク状で使用する。また、これらの基板1
は、記録層5などを形成した後、2枚の基板を用いて、
エアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構造、密
着貼り合せ構造としてもよい。
Although the thickness of the substrate 1 is not particularly limited, it is practically 0.01 mm to 5 mm. 0.01m
If it is less than m, even if recording is performed with a light beam focused from the substrate 1 side, it is liable to be affected by dust. The increase in size makes it difficult to increase the recording density. The substrate 1 may be flexible or rigid. The flexible substrate 1 has a tape shape, a sheet shape,
Use in card form. The rigid substrate 1 has a card shape,
Or use it in the form of a disk. In addition, these substrates 1
After forming the recording layer 5 and the like, using two substrates,
An air sandwich structure, an air incident structure, or a close bonding structure may be used.

【0026】本発明になる光ディスク10の記録に用い
る光源としては、レーザ光を用いることが好ましく、主
に近赤外域の波長830nmから紫外域の300nmの
範囲にあるものを使用する。1次光を2次高調波発生素
子(SHG素子)を用いて短波長化した光源を利用する
こともできる。
As a light source used for recording on the optical disk 10 according to the present invention, a laser beam is preferably used, and a light source having a wavelength of 830 nm in the near infrared region to 300 nm in the ultraviolet region is mainly used. It is also possible to use a light source in which the primary light is shortened in wavelength using a secondary harmonic generation element (SHG element).

【0027】本発明になる光ディスク10の記録は、結
晶状態の記録層5にレーザ光パルスなどを照射してアモ
ルファス(非晶状態)の記録マークを形成して行う。ま
た、反対に非晶状態の記録層5に結晶状態の記録マーク
を形成してもよい。消去はレーザ光照射によって、アモ
ルファスの記録マークを結晶化するか、もしくは、結晶
状態の記録マークをアモルファス化して行うことができ
る。実用的には、結晶化を引き起こす低エネルギーの消
去パワーの上に重畳した記録ピークパワーを記録層5に
投入することにより消去過程を経ることなくすでに記録
された記録マーク上にオーバーライトする。
The recording of the optical disk 10 according to the present invention is performed by irradiating the recording layer 5 in a crystalline state with a laser beam pulse or the like to form an amorphous (amorphous) recording mark. Conversely, a recording mark in a crystalline state may be formed on the recording layer 5 in an amorphous state. Erasing can be performed by irradiating a laser beam to crystallize an amorphous recording mark or to make a crystalline recording mark amorphous. In practice, the recording peak power superimposed on the low-energy erasing power causing crystallization is applied to the recording layer 5 to overwrite the already recorded recording mark without going through the erasing process.

【0028】[0028]

【実施例】次に、前述した構成の本発明になる光ディス
ク10の製造方法について述べる。下地金属層2、反射
層3、記録層5、誘電体層4,6などを基板1上に形成
する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例え
ば真空蒸着法(抵抗加熱型や電子ビーム型)、イオンプ
レーティング法、スパッタリング法(直流や交流スパッ
タリング、反応性スパッタリング、イオンビームスパッ
タリング)などがあげられる。特に組成、膜厚のコント
ロールが容易であることから、スパッタリング法が好ま
しい。
Next, a method of manufacturing the optical disk 10 according to the present invention having the above-described configuration will be described. As a method for forming the base metal layer 2, the reflective layer 3, the recording layer 5, the dielectric layers 4, 6 and the like on the substrate 1, a known thin film forming method in a vacuum, for example, a vacuum deposition method (resistance heating type, Electron beam type), ion plating method, sputtering method (DC or AC sputtering, reactive sputtering, ion beam sputtering) and the like. In particular, the sputtering method is preferable because the composition and the film thickness can be easily controlled.

【0029】スパッタリング法では、例えば、記録材料
と添加材料を各々のターゲットを同時にスパッタするこ
とにより容易に混合状態の記録層5を形成することがで
きる。成膜前の真空度は、1×10-4Pa以下にするの
が好ましい。真空槽内で複数の基板を同時に成膜するバ
ッチ式や基板を1枚ずつ処理する枚葉式成膜装置を使う
ことが好ましい。形成する反射層3、記録層5、誘電体
層4,6などの厚さの制御は、スパッタ電源の投入パワ
ーと時間を制御したり、水晶振動型膜厚計などで、堆積
状態をモニタリングすることで、容易に行える。
In the sputtering method, for example, the recording layer 5 in a mixed state can be easily formed by simultaneously sputtering the recording material and the additive material on the respective targets. The degree of vacuum before film formation is preferably set to 1 × 10 −4 Pa or less. It is preferable to use a batch type film forming apparatus for simultaneously forming a plurality of substrates in a vacuum chamber or a single wafer type film forming apparatus for processing substrates one by one. The thickness of the reflective layer 3, the recording layer 5, the dielectric layers 4, 6 and the like to be formed is controlled by controlling the input power and time of a sputtering power source, and monitoring the deposition state by a quartz vibrating type film thickness meter or the like. Thus, it can be easily performed.

【0030】反射層3、記録層5、誘電体層4,6など
の形成は、基板1を固定したまま、あるいは移動、回転
した状態のどちらでもよい。膜厚の面内の均一性に優れ
ることから、基板1を自転させることが好ましく、さら
に公転を組合わせることが、より好ましい。必要に応じ
て基板1の冷却を行うと反り量を減少することができ
る。
The formation of the reflection layer 3, the recording layer 5, the dielectric layers 4, 6 and the like may be performed while the substrate 1 is fixed, or moved or rotated. The substrate 1 is preferably rotated on its own axis because of excellent in-plane uniformity of the film thickness, and more preferably combined with revolution. When the substrate 1 is cooled as required, the amount of warpage can be reduced.

【0031】次に、実施例のさらなる具体例につき説明
するが、本発明はこの具体例に限定されるものではな
い。
Next, further specific examples of the embodiments will be described, but the present invention is not limited to these specific examples.

【0032】[0032]

【実施例1】波長650nmのレーザダイオード、NA
=0.60の光学レンズを搭載した光ディスクドライブ
テスタを用いて記録(1ビーム・オーバーライト)を行
った。再生光パワーPrは0.7mWで線速によらず一
定とした。線速度3.5m/sで変調信号のランダムパ
ターンによる評価を行なった。再生信号の振幅の中心で
スライスし、クロック・トゥー・データ・ジッタclock
to data jitterを測定した。媒体は、直径120mm、
板厚1.2mmのポリカーボネイト樹脂基板上に形成し
た。基板は、トラックピッチが0.74μm(グルーブ
ピッチ1.48μm)、グルーブ記録を行った。溝深さ
は40nmでグルーブ幅とランド幅の比は、およそ4
6:54であった。
Embodiment 1 Laser diode with wavelength of 650 nm, NA
Recording (one-beam overwriting) was performed using an optical disk drive tester equipped with an optical lens of = 0.60. The reproducing light power Pr was constant at 0.7 mW regardless of the linear velocity. Evaluation was performed at a linear velocity of 3.5 m / s using a random pattern of the modulation signal. Slice at the center of the amplitude of the playback signal, clock-to-data jitter
to data jitter was measured. The medium has a diameter of 120 mm,
It was formed on a polycarbonate resin substrate having a thickness of 1.2 mm. The substrate was subjected to groove recording with a track pitch of 0.74 μm (groove pitch 1.48 μm). The groove depth is 40 nm and the ratio of the groove width to the land width is about 4
6:54.

【0033】基板1を毎分60回転で遊星回転させなが
ら、スパッタリング法により、下地金属層2、反射層
3,第1誘電体層4、記録層5、第2誘電体層6の順に
真空成膜を行った。まず、真空チャンバー内を6×10
-5Paまで排気した後、1.6×10-1PaのArガス
を導入した。Tiを直流電源でスパッタして下地金属層
2を30nm形成した。このTi膜上に反射層3とし
て、Al膜を直流電源でスパッタして100nm形成し
た。Al膜を形成する時のArガス圧力は、3mTor
r以下が望ましい。
While the substrate 1 is planetary rotating at 60 revolutions per minute, vacuum formation is performed in the order of the base metal layer 2, the reflective layer 3, the first dielectric layer 4, the recording layer 5, and the second dielectric layer 6 by a sputtering method. The membrane was made. First, 6 × 10
After evacuating to -5 Pa, 1.6 × 10 -1 Pa Ar gas was introduced. Ti was sputtered by a DC power supply to form a base metal layer 2 having a thickness of 30 nm. An Al film was formed as a reflective layer 3 on this Ti film by sputtering with a DC power supply to a thickness of 100 nm. The Ar gas pressure when forming the Al film is 3 mTorr.
r or less is desirable.

【0034】SiO2を20mol%添加したZnS
を、高周波マグネトロンスパッタ法によりAl反射層3
上に膜厚17nmの第1誘電体層として形成した。続い
て、Ag、In、Sb、Teからなる4元素単一ターゲ
ット(直径2インチ、厚さ3mm)を直流電源でスパッ
タして記録層5を形成した。すなわち、具体的組成とし
て、Ag0.05、In0.05、Sb0.61、Te
0.29の膜厚23nmの記録層5を形成した。組成分
析は同様の記録層5を別に100nmの厚さでシリコン
基板上に形成し、これをICP発光分析法により分析し
た。さらに第1誘電体層4と同様の材質の第2誘電体層
6を70nm形成した。
ZnS to which 20 mol% of SiO 2 is added
To the Al reflection layer 3 by a high-frequency magnetron sputtering method.
A 17-nm-thick first dielectric layer was formed thereon. Subsequently, the recording layer 5 was formed by sputtering a four-element single target (diameter: 2 inches, thickness: 3 mm) made of Ag, In, Sb, and Te using a DC power supply. That is, as a specific composition, Ag0.05, In0.05, Sb0.61, Te
A recording layer 5 having a thickness of 23 and a thickness of 23 nm was formed. In the composition analysis, a similar recording layer 5 was separately formed with a thickness of 100 nm on a silicon substrate, and this was analyzed by ICP emission analysis. Further, a second dielectric layer 6 of the same material as that of the first dielectric layer 4 was formed to a thickness of 70 nm.

【0035】このようにして形成した光ディスクを真空
容器より取り出した後、第2誘電体層6にアクリル系紫
外線硬化樹脂を、基板1の内周側から外周側へ順次滴下
し、厚さ100μmのポリカーボートシートをその上の
乗せ、紫外線硬化樹脂が基板、シート間に十分行きわた
る様にスピン回転し、紫外線照射により硬化させて透明
層7を形成し、本発明になる光ディスク10を得た。
After the optical disk thus formed is taken out of the vacuum container, an acrylic UV curable resin is sequentially dropped on the second dielectric layer 6 from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the substrate 1 so as to have a thickness of 100 μm. The polycarbonate boat sheet was placed thereon, and the ultraviolet curable resin was spin-rotated so as to sufficiently spread between the substrate and the sheet, and was cured by irradiation with ultraviolet light to form the transparent layer 7, thereby obtaining the optical disc 10 according to the present invention.

【0036】[0036]

【比較例】比較例として、反射層3をAl0.97、C
r0.03の組成からなり膜厚150nmとし、それ以
外は上記と全く同構成の光ディスクを作製した。こうし
て作製した光ディスクにレーザ光やフラッシュランプ等
を照射して、記録層5を結晶化温度以上に加熱し初期化
処理を行った。
Comparative Example As a comparative example, the reflective layer 3 was made of Al 0.97, C
An optical disk having a composition of r0.03 and a film thickness of 150 nm and having the same configuration as that described above except for the above was produced. The optical disk manufactured in this manner was irradiated with a laser beam, a flash lamp, or the like to heat the recording layer 5 to a temperature higher than the crystallization temperature, thereby performing an initialization process.

【0037】透明(光透過)層7側から相変化記録層5
の案内溝であるグルーブ部に記録を行った。グルーブ
は、レーザ光の入射方向からみて凹状になっている。繰
り返しダイレクト・オーバー・ライト(DOW)を行う
と記録層5の物質が移動して膜厚が薄くなったり、不純
物の拡散混入により再生信号の変調度が減少することが
知られている。繰り返しダイレクト・オーバー・ライト
を行った時の結果を実施例、比較例として、そのそれぞ
れについて図2に示す。
The phase change recording layer 5 from the transparent (light transmitting) layer 7 side
The recording was performed in the groove portion which is the guide groove of No. 1. The groove is concave when viewed from the direction of incidence of the laser beam. It is known that when the direct overwrite (DOW) is repeatedly performed, the material of the recording layer 5 moves to reduce the film thickness, or the modulation degree of the reproduced signal decreases due to diffusion and incorporation of impurities. FIG. 2 shows the results of repeated direct overwrite as examples and comparative examples.

【0038】図2は、下地金属層2の厚みと反射層3の
厚みとの対比及び繰返しオーバライトとの関係を示す説
明図である。ジッタは、記録マーク始端(LE)と終端
(TE)の二乗平均である。本発明になる光ディスク1
0は、比較例に示した光ディスクと比べ、イニシャル記
録からジッタ値が低く抑えられ、1000回書き換えた
後も出力は一定値を示し、記録層5の物質移動による出
力の低下は認められない。ジッタと出力は、ともに50
00回にわたって劣化が生じなかった。ランド部も同様
な記録再生特性が得られた。本発明になる光ディスク1
0が、良好な繰返し記録耐久性を有していることが明ら
かになった。なお、図2において、○:DOW5000
回後ジッタ11%以下、◎:DOW5000回後ジッタ
9%以下を示すものである。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a comparison between the thickness of the base metal layer 2 and the thickness of the reflective layer 3 and the relationship between the overwrite and the repetitive overwrite. Jitter is the mean square of the start (LE) and end (TE) of a recording mark. Optical disc 1 according to the present invention
In the case of 0, the jitter value was kept low from the initial recording as compared with the optical disc shown in the comparative example, and the output showed a constant value even after rewriting 1,000 times, and no decrease in the output due to mass transfer of the recording layer 5 was observed. Jitter and output are both 50
No degradation occurred over 00 times. The same recording and reproduction characteristics were obtained in the land portion. Optical disc 1 according to the present invention
0 has good repetitive recording durability. In FIG. 2, 2: DOW5000
Jitter after rotation of 11% or less, :: Jitter after jitter of 5,000 times 9% or less.

【0039】本発明になる光ディスク10は、透明樹脂
基板1上に下地金属層2であるTi下地層を設けること
によって、その上に堆積するAl及びAl系合金反射層
3に(111)面結晶配向性を与えることができ、それ
によって、結晶粒界の粗大化を抑制し、結果として反射
層3の平滑性を維持することが可能となった。従って、
透明層7である光透過層から入射したレーザ光は、反射
層3で損失無く反射もしくは反射放熱され、良好な記録
再生特性が得られることが確認された。
In the optical disk 10 according to the present invention, by providing a Ti underlayer as the underlayer metal layer 2 on the transparent resin substrate 1, the (111) plane crystal is formed on the Al and Al-based alloy reflection layer 3 deposited thereon. Orientation can be given, whereby coarsening of crystal grain boundaries can be suppressed, and as a result, the smoothness of the reflective layer 3 can be maintained. Therefore,
The laser light incident from the light transmitting layer, which is the transparent layer 7, is reflected or reflected and radiated by the reflecting layer 3 without loss, and it was confirmed that good recording / reproducing characteristics were obtained.

【0040】[0040]

【実施例2】Ti下地層2の膜厚を10nmとし、膜厚
構成をAl0.97、Cr0.03、反射層3を130
nm、第1誘電体層4を16nm、記録層5を22n
m、第2誘電体層6を71nm、記録層5組成をAg
0.03、Al0.04、Te0.28、Sb0.65
にした以外は、前記した実施例1と同様にして透明層7
を設け、記録再生特性を調べた。使用した基板1は、板
厚0.6mm、溝深さは30nm、ランド・グルーブ幅
の比は55/45、連続溝でラックピッチは、0.74
μmである。初期化は、実施例1と同様に行った。
Example 2 The thickness of the Ti underlayer 2 was 10 nm, the thickness was 0.97 Al, 0.03 Cr, and the thickness of the reflective layer 3 was 130 nm.
nm, the first dielectric layer 4 is 16 nm, and the recording layer 5 is 22 n
m, the thickness of the second dielectric layer 6 is 71 nm, and the composition of the recording layer 5 is Ag.
0.03, Al 0.04, Te 0.28, Sb 0.65
Except that the transparent layer 7 was formed in the same manner as in Example 1 described above.
And the recording / reproducing characteristics were examined. The substrate 1 used had a thickness of 0.6 mm, a groove depth of 30 nm, a land / groove width ratio of 55/45, and a continuous groove with a rack pitch of 0.74.
μm. Initialization was performed in the same manner as in Example 1.

【0041】8-16変調ランダムパターンを記録し、
再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー
・データ・ジッタを測定した。その測定結果を図2に示
す。図2より明らかな如く、1000回オーバーライト
後のジッタはイニシャルジッタとほぼ同等で、5000
回後もジッタ、出力ともに劣化が認められず、良好な繰
り返し書換特性を示した(図2において、○:DOW5
000回後ジッタ11%以下、◎:DOW5000回後
ジッタ9%以下を示す)。
Recording an 8-16 modulation random pattern,
Clock to data jitter was measured by slicing at the center of the amplitude of the reproduced signal. FIG. 2 shows the measurement results. As apparent from FIG. 2, the jitter after overwriting 1000 times is almost equal to the initial jitter, and
No deterioration was observed in both jitter and output after the test, and good repetitive rewriting characteristics were exhibited (in FIG. 2, ○: DOW5).
Jitter 11% or less after 000 times, ◎: Jitter 9% or less after 5000 times of DOW).

【0042】また、基板1上に前記のTi下地層2を設
け、その上にAl0.97、Cr0.03の組成になる
反射層3を積層して形成した光ディスクに、再生用のレ
ーザー光を反射層3に入射し、これよりの反射光をスペ
クトルアナライザーで観測したところ、このTi下地層
2を設けた光ディスクは、Al0.97、Cr0.03
の組成になる反射層3のみの同様なディスクに対し、D
C光のノイズレベルが下がっていることが確認された。
すなわち、基板1と反射層3との間には、下地金属層2
を設けることが必要であることが理解できる。
A laser beam for reproduction is applied to an optical disk formed by providing the above-mentioned Ti underlayer 2 on a substrate 1 and laminating a reflective layer 3 having a composition of Al 0.97 and Cr 0.03 thereon. When the light incident on the reflective layer 3 and the reflected light was observed by a spectrum analyzer, the optical disk provided with the Ti underlayer 2 had Al 0.97 and Cr 0.03.
For a similar disk with only the reflective layer 3 having the composition of
It was confirmed that the noise level of the C light was reduced.
That is, between the substrate 1 and the reflective layer 3,
It can be understood that it is necessary to provide

【0043】[0043]

【実施例3】Ti下地層2の膜厚を60nmとし、膜厚
構成をAl0.97、Cr0.03、反射層3を90n
m、第1誘電体層4を17nm、記録層5を22nm、
第2誘電体層6を65nm、記録層5の組成を、Ag
0.04、Al0.04、Te0.28、Sb0.64
にした以外は、前記した実施例1と同様にして透明層7
を設け、記録再生特性を調べた。使用した基板1は、板
厚0.6mm、溝深さは30nm、ランド・グルーブ幅
の比は50/50、連続溝でラックピッチは、0.74
μmである。初期化は、実施例1と同様に行った。
Embodiment 3 The thickness of the Ti underlayer 2 is 60 nm, the thickness is Al 0.97, Cr 0.03, and the reflection layer 3 is 90 n.
m, the first dielectric layer 4 is 17 nm, the recording layer 5 is 22 nm,
The composition of the second dielectric layer 6 was 65 nm and the recording layer 5 was Ag.
0.04, Al 0.04, Te 0.28, Sb 0.64
Except that the transparent layer 7 was formed in the same manner as in Example 1 described above.
And the recording / reproducing characteristics were examined. The substrate 1 used had a thickness of 0.6 mm, a groove depth of 30 nm, a land / groove width ratio of 50/50, and a continuous groove with a rack pitch of 0.74.
μm. Initialization was performed in the same manner as in Example 1.

【0044】8-16変調ランダムパターンを記録し、
再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー
・データ・ジッタを測定した。その測定結果を図2に示
す。図2より明らかな如く、1000回オーバーライト
後のジッタはイニシャルジッタとほぼ同等で、5000
回後もジッタ、出力ともに劣化が認められず、良好な繰
り返し書換特性を示した(図2において、○:DOW5
000回後ジッタ11%以下、◎:DOW5000回後
ジッタ9%以下を示す)。また、実施例2と同様に、D
C光のノイズレベルが下がっていることが確認された。
Recording an 8-16 modulation random pattern,
Clock to data jitter was measured by slicing at the center of the amplitude of the reproduced signal. FIG. 2 shows the measurement results. As apparent from FIG. 2, the jitter after overwriting 1000 times is almost equal to the initial jitter, and
No deterioration was observed in both jitter and output after the test, and good repetitive rewriting characteristics were exhibited (in FIG. 2, ○: DOW5).
Jitter 11% or less after 000 times, ◎: Jitter 9% or less after 5000 times of DOW). Also, as in the second embodiment, D
It was confirmed that the noise level of the C light was reduced.

【0045】[0045]

【発明の効果】上述した構成を有する本発明の光ディス
クは、多数回の記録消去を繰り返しても、記録消去動作
が安定しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどな
い良好な繰り返し記録特性が得られる。すなわち、本発
明は記録再生特性が良好で、信頼性の高い光ディスクが
得られるものである。
According to the optical disk of the present invention having the above-described structure, the recording and erasing operation is stable even when recording and erasing are repeated a large number of times, and good repetitive recording characteristics with little deterioration of characteristics and almost no defects are generated. Is obtained. That is, the present invention provides an optical disk having good recording and reproduction characteristics and high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る光ディスクの一実施例を示す断面
図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an optical disc according to the present invention.

【図2】下地金属層の厚みと反射層の厚みとの対比及び
繰返しオーバライトとの関係を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a comparison between the thickness of a base metal layer and the thickness of a reflective layer and a relationship between the overwrite and the repetitive overwrite.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 下地金属層 3 反射層 4 第1の誘電体層 5 記録層 6 第2の誘電体層 7 透明(光透過)層 10 光学的情報記録媒体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Underlayer metal layer 3 Reflective layer 4 First dielectric layer 5 Recording layer 6 Second dielectric layer 7 Transparent (light transmission) layer 10 Optical information recording medium

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】凹凸部が形成されている基板上に下地金属
層、反射層、少なくとも一層の第1の誘電体層、記録
層、少なくとも一層の第2の誘電体層、光透過層を順次
積層してなり、光の照射により前記記録層を構成する原
子の配列が変化して情報の記録及び消去が行われる光学
的情報記録媒体であって、前記下地金属層がTi層であ
ることを特徴とする光学的情報記録媒体。
1. A base metal layer, a reflective layer, at least one first dielectric layer, at least one recording layer, at least one second dielectric layer, and a light transmitting layer are sequentially formed on a substrate having an uneven portion. It is an optical information recording medium on which information is recorded and erased by changing the arrangement of atoms constituting the recording layer by irradiation with light, wherein the underlying metal layer is a Ti layer. Characteristic optical information recording medium.
【請求項2】前記下地金属層の膜厚が10nm〜60n
mであり、かつ反射層がAlあるいはAl系合金である
ことを特徴とする請求項1記載の光学的情報記録媒体。
2. The method according to claim 1, wherein the thickness of the base metal layer is 10 nm to 60 n.
2. The optical information recording medium according to claim 1, wherein m and the reflection layer are Al or an Al-based alloy.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010186589A (en) * 2009-02-10 2010-08-26 Mitsubishi Materials Corp Upper part light emission type organic el element, and aluminum alloy sputtering target used for formation of reflecting film for structuring positive electrode layer of upper part light emission type organic el element

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