JP2001172051A - Glass substrate for display - Google Patents
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ用ガ
ラス基板に関し、詳しくは、ガラス基板としてフロート
法等で製造された還元層を有するガラス基板を用い、こ
のガラス基板上に金属電極としてＡｇ，Ｃｕ，Ａｕ等の
拡散しやすい金属よりなる電極を形成した場合に生じる
金属コロイドによる着色を防止したディスプレイ用ガラ
ス基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass substrate for a display, and more particularly, to a glass substrate having a reduction layer manufactured by a float method or the like as a glass substrate, and using Ag, Cu as a metal electrode on the glass substrate. The present invention relates to a glass substrate for a display which is prevented from being colored by a metal colloid when an electrode made of a metal such as Au, which easily diffuses, is formed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）やフィ
ールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンスディスプ
レイ（ＥＬＤ）等の平面型ディスプレイでは、通常、２
枚のガラス基板上に電極等の部材を形成した後、貼り合
わせて使用されるが、特に、前面側ガラス基板にはＩＴ
Ｏ、ＳｎＯ２等の透明電極が使用されている。また、特
に大型のディスプレイでは電極の配線抵抗を下げるため
にＡｇ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等の金属が補助電極として使
用されている。2. Description of the Related Art In a flat display such as a plasma display (PDP), a field emission display (FED), a liquid crystal display (LCD), an electroluminescence display (ELD), etc.
After forming members such as electrodes on a single glass substrate, they are bonded and used.
Transparent electrodes such as O and SnO 2 are used. In particular, in a large display, a metal such as Ag or Cr / Cu / Cr is used as an auxiliary electrode in order to reduce the wiring resistance of the electrode.
【０００３】従来、これらのディスプレイ用ガラス基板
としては、１．５〜３．５ｍｍの厚さの板状に成形され
たソーダライムシリケートガラス基板、もしくは高歪点
のアルカリ含有ガラスが用いられている。通常、このよ
うなガラスは、大量生産に向き、平滑性に優れたフロー
ト法によって成形される。フロートガラスは、成形過程
で還元性雰囲気に晒されるため、ガラス表面に数ミクロ
ンの還元層が生成し、この層には溶融Ｓｎ由来のＳｎ
２＋が存在することが一般に知られている。Conventionally, a soda lime silicate glass substrate formed into a plate having a thickness of 1.5 to 3.5 mm or an alkali-containing glass having a high strain point has been used as a glass substrate for these displays. . Usually, such glass is suitable for mass production and is formed by a float method having excellent smoothness. Since the float glass is exposed to a reducing atmosphere during the molding process, a reduced layer of several microns is formed on the glass surface, and this layer contains Sn derived from molten Sn.
It is generally known that 2+ exists.
【０００４】一方、ＰＤＰの製造工程においては、一般
に、ガラス基板表面に透明電極を介してＡｇがバス電極
として塗布された後、５５０〜６００℃で２０〜６０分
保持するという熱処理が数回繰り返される。[0004] On the other hand, in the manufacturing process of PDP, a heat treatment is generally repeated several times after Ag is applied as a bus electrode on a glass substrate surface through a transparent electrode, and kept at 550 to 600 ° C for 20 to 60 minutes. It is.
【０００５】この熱処理工程において、Ａｇ＋イオンが
透明電極内に拡散してガラス表面に至り、ガラス中のＮ
ａ＋イオンとの間でイオン交換が生じる。そして、その
結果、ガラス中にＡｇ＋イオンが侵入し、侵入したＡｇ
＋イオンは還元層に存在するＳｎ２＋によって還元さ
れ、金属Ａｇのコロイドを生成する（Ｓｎ２＋＋２Ａｇ
＋→Ｓｎ４＋＋２Ａｇ）。このため、このＡｇコロイド
によって基板ガラスに黄色の着色が生じ、この着色がデ
ィスプレイの表示品位を著しく低下させるという不具合
がある。In this heat treatment step, Ag+Ion
Diffusion into the transparent electrode reaches the glass surface, and N in the glass
a+Ion exchange occurs with the ions. And that
As a result, Ag+Ag invaded by ions
+The ions are present in the Sn2+Reduced by
To form a metal Ag colloid (Sn2++2 Ag
+→ Sn4++ 2Ag). Therefore, this Ag colloid
This causes a yellow coloration of the substrate glass, which
A defect that significantly lowers the display quality of the display
There is.
【０００６】従来、この着色防止方法として、ガラス
表面の還元層を除去又は低減する方法（特開平１０−１
４４２０８号公報、特開平１０−１５４４６０号公報、
特開平１０−２５５６６９号公報、特開平１０−３３４
８１３号公報、特開平１１−１１９７５号公報）や、
基板ガラス上にＡｇ＋イオンの拡散を防止するような膜
を形成する方法（特開平１０−３０２６４８号公報、特
開平１１−１０９８８８号公報、特開平１１−１３０４
７１号公報）が提案されており、このうち、還元層を除
去する方法としては、物理的研磨又は化学的研磨による
方法が、また、還元層を低減する方法としては、フロー
ト法以外のガラスを使用したり、ガラス中のＦｅ２Ｏ３
量を一定量以下とする方法がある。また、Ａｇ＋イオン
の拡散防止膜としては各種金属膜、窒化物膜、酸化物膜
が提案されている。Heretofore, as a method for preventing coloration, a method for removing or reducing a reduced layer on a glass surface (Japanese Patent Laid-Open No. 10-1)
44208, JP-A-10-154460,
JP-A-10-255669, JP-A-10-334
813, JP-A-11-11975),
Methods for forming a film on a substrate glass to prevent the diffusion of Ag + ions (JP-A-10-302648, JP-A-11-109888, JP-A-11-1304)
No. 71) has been proposed. Among them, a method by physical polishing or chemical polishing is used as a method of removing the reduced layer, and a method other than the float method is used as a method of reducing the reduced layer. Use or Fe 2 O 3 in glass
There is a method of reducing the amount to a certain amount or less. Also, various metal films, nitride films, and oxide films have been proposed as diffusion prevention films for Ag + ions.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の着色防止方
法のうち、還元層を除去する方法では、一連の製造工程
に還元層の除去のための研磨工程を追加する必要があ
り、工程数が増え、歩留りが低下し、コスト高となると
いう欠点がある。Among the above-described conventional methods for preventing coloration, the method for removing the reduced layer requires a polishing step for removing the reduced layer to be added to a series of manufacturing steps. However, there is a disadvantage that the yield increases, the yield decreases, and the cost increases.
【０００８】また、還元層を低減する方法では、ガラス
原料を変える必要があり、ガラス製造ラインの稼働率の
低下を招くという欠点がある。Further, the method of reducing the reduction layer requires a change in the glass raw material, and has a drawback that the operation rate of the glass production line is reduced.
【０００９】更に、従来提案されているＡｇ＋イオンの
拡散防止膜では、Ａｇ＋イオンの拡散防止効果が不十分
であり、比較的厚い膜を成膜する必要があるなどの欠点
があった。Furthermore, the conventionally proposed Ag + ion diffusion preventing film has a disadvantage that the effect of preventing Ag + ion diffusion is insufficient and a relatively thick film needs to be formed.
【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決し、金属
イオンの拡散防止効果が著しく良好な高性能金属イオン
拡散防止膜が形成され、従って、金属コロイドによる着
色の問題のない高品質なディスプレイ用ガラス基板を提
供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and forms a high-performance metal ion diffusion preventing film having a remarkably good effect of preventing metal ion diffusion. Therefore, a high-quality display free from the problem of coloring by metal colloids. It is an object to provide a glass substrate for use.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明のディスプレイ用
ガラス基板は、表面に金属イオン拡散防止膜が形成され
たガラス基板よりなるディスプレイ用ガラス基板におい
て、該金属イオン拡散防止膜が希ガス元素を含むＳｎＯ
２膜であり、該金属イオン拡散防止膜中の希ガス元素の
含有量が一次イオン源としてＣｓ＋を用いたＳＩＭＳで
測定したＸ／Ｏ比（Ｘ：希ガス元素の合計，Ｏ：酸素）
で０．００１〜２であることを特徴とする。According to the present invention, there is provided a glass substrate for display comprising a glass substrate having a metal ion diffusion preventing film formed on a surface thereof, wherein the metal ion diffusion preventing film contains a rare gas element. Including SnO
2 is a film, the metal ion X / O ratios content was measured by SIMS using Cs + as a primary ion source of a rare gas element diffusion preventing film (X: total rare gas element, O: oxygen)
Is 0.001 to 2.
【００１２】即ち、本発明者らは、金属イオン拡散防止
膜の金属イオン拡散防止効果について鋭意研究を重ねた
結果、微量の希ガス元素を含有するＳｎＯ２膜が下記の
理由により金属イオンの拡散防止性能に著しく優れるこ
とを見出し、本発明を完成させた。That is, the inventors of the present invention have conducted intensive studies on the metal ion diffusion preventing effect of the metal ion diffusion preventing film. As a result, the SnO 2 film containing a trace amount of a rare gas element has a metal ion diffusion preventing effect for the following reason. The inventors have found that the prevention performance is remarkably excellent, and completed the present invention.
【００１３】希ガス元素は、最外殻のｓ軌道とｄ軌道が
安定な配置で満たされており、イオン化エンタルピーが
極端に高いため、他の物質と殆ど反応せず、常温常圧で
は１原子分子の気体として存在している。そして、Ｓｎ
Ｏ２膜中の希ガス元素は、膜中に形成された微小な空間
内にガス状態で存在するか、或いは空間内表面に吸着し
た状態で存在している。The rare gas element is filled with a stable arrangement of the outermost s orbitals and d orbitals and has an extremely high ionization enthalpy. Exists as a molecular gas. And Sn
The rare gas element in the O 2 film exists in a gas state in a minute space formed in the film, or exists in a state of being adsorbed on a surface in the space.
【００１４】本発明者らは、このＳｎＯ２膜中にガス状
態で、或いは吸着した状態で存在する希ガス元素が、当
該ＳｎＯ２膜が非常に緻密な膜であれば、所定の含有量
で安定に存在することを見出した。即ち、ＳｎＯ２膜中
の希ガス元素の含有量が一次イオン源としてＣｓ＋を用
いたＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）で測定したＸ／
Ｏ比（Ｘ：希ガス元素の合計，Ｏ：酸素。以下、この
「Ｘ／Ｏ比」を「ＳＩＭＳ−Ｘ／Ｏ比」と称す。）で
０．００１〜２の範囲であれば、ＳｎＯ２膜が著しく緻
密で微小空間の占める割合が少なく、かつこの微小空間
を希ガス元素が満たしているために、金属イオンの拡散
を有効に防止し得る。The present inventors have proposed that the rare gas element present in the SnO 2 film in a gaseous state or adsorbed state has a predetermined content if the SnO 2 film is a very dense film. It was found to be stable. In other words, the content of the rare gas element in the SnO 2 film was measured by SIMS (secondary ion mass spectrometry) using Cs + as the primary ion source, X /
If the O ratio (X: the total of the rare gas elements, O: oxygen; this “X / O ratio” is hereinafter referred to as “SIMS-X / O ratio”) is in the range of 0.001 to 2, SnO Since the two films are extremely dense and occupy a small space in a small amount, and the minute space is filled with a rare gas element, diffusion of metal ions can be effectively prevented.
【００１５】本発明において、金属イオン拡散防止膜の
膜厚は１０〜６００ｎｍであることが好ましい。In the present invention, the thickness of the metal ion diffusion preventing film is preferably from 10 to 600 nm.
【００１６】また、本発明においては、金属イオン拡散
防止膜とガラス基板との間、或いは金属イオン拡散防止
膜のガラス基板と反対側の面、即ち、金属イオン拡散防
止膜と金属電極との間に、ＳｎＯ２膜の低抵抗化、欠陥
（ピンホール等）発生防止、或いは表面抵抗値調整のた
めの膜を形成することにより、より一層の高機能、高性
能化を図ることができる。In the present invention, between the metal ion diffusion preventing film and the glass substrate, or the surface of the metal ion diffusion preventing film opposite to the glass substrate, ie, between the metal ion diffusion preventing film and the metal electrode. Furthermore, by forming a film for lowering the resistance of the SnO 2 film, preventing defects (such as pinholes), or adjusting the surface resistance value, it is possible to achieve higher functions and higher performance.
【００１７】なお、以下において、金属イオン拡散防止
膜とガラス基板との間に形成する膜を「基板側調整膜」
と称し、金属イオン拡散防止膜と金属電極との間に形成
する膜を「表面側調整膜」と称す。In the following, the film formed between the metal ion diffusion preventing film and the glass substrate is referred to as
And a film formed between the metal ion diffusion prevention film and the metal electrode is referred to as a “surface-side adjustment film”.
【００１８】また、ＳｎＯ２膜にＳｂをドーピングして
低抵抗化を図る場合、ＳｎＯ２膜中のＳｂ濃度は抵抗値
と透過率の点から０．０１〜０．４重量％の範囲とする
のが好ましい。When the resistance is reduced by doping the SnO 2 film with Sb, the Sb concentration in the SnO 2 film is in the range of 0.01 to 0.4% by weight from the viewpoint of the resistance value and the transmittance. Is preferred.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の好
ましい実施の形態について説明する。Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００２０】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態
に係るディスプレイ用ガラス基板の断面図であり、図１
（ａ）のディスプレイ用ガラス基板は、ガラス基板１上
に金属イオン拡散防止膜２が形成されたものである。ま
た、図１（ｂ）のディスプレイ用ガラス基板は、ガラス
基板１上に金属イオン拡散防止膜２及び表面側調整膜３
がこの順で形成されたものであり、図１（ｃ）のディス
プレイ用ガラス基板は、ガラス基板１上に基板側調整膜
４及び金属イオン拡散防止膜２がこの順で形成されたも
のである。また、図１（ｄ）のディスプレイ用ガラス基
板は、ガラス基板１上に基板側調整膜４、金属イオン拡
散防止膜２及び表面側調整膜３がこの順で形成されたも
のである。FIGS. 1A to 1D are cross-sectional views of a display glass substrate according to an embodiment of the present invention.
The display glass substrate (a) is obtained by forming a metal ion diffusion preventing film 2 on a glass substrate 1. The display glass substrate of FIG. 1B has a metal ion diffusion preventing film 2 and a front side adjustment film 3 on a glass substrate 1.
1 (c). The display glass substrate of FIG. 1 (c) is obtained by forming a substrate-side adjusting film 4 and a metal ion diffusion preventing film 2 on a glass substrate 1 in this order. . The glass substrate for a display shown in FIG. 1D has a substrate-side adjusting film 4, a metal ion diffusion preventing film 2, and a surface-side adjusting film 3 formed on a glass substrate 1 in this order.
【００２１】このガラス基板１は通常アルカリ含有ガラ
スで構成される。このアルカリ含有ガラスの好適な主要
組成としては次が例示される。This glass substrate 1 is usually made of alkali-containing glass. The preferred main composition of the alkali-containing glass is as follows.
【００２２】ＳｉＯ２ ５０〜７３重量％ Ａｌ２Ｏ３ ０〜１５重量％ Ｒ２Ｏ ６〜２４重量％ Ｒ’Ｏ ６〜２７重量％ なお、Ｒ２ＯはＬｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，Ｋ２Ｏの合計であ
り、Ｒ’ＯはＣａＯ，ＭｇＯ，ＳｒＯ，ＢａＯの合計で
ある。SiO 2 50 to 73% by weight Al 2 O 3 0 to 15% by weight R 2 O 6 to 24% by weight R'O 6 to 27% by weight R 2 O is Li 2 O, Na 2 O, K the sum of the 2 O, R'O is CaO, MgO, SrO, is the sum of the BaO.
【００２３】金属イオン拡散防止膜２は、Ｈｅ，Ｎｅ，
Ａｒ，Ｋｎ，Ｘｅ等の希ガス元素を含有するＳｎＯ２膜
であり、そのＳＩＭＳ−Ｘ／Ｏ比は０．００１〜２、好
ましくは０．００２〜１の範囲である。このＳＩＭＳ−
Ｘ／Ｏ比が０．００１未満となるような、成膜雰囲気中
に希ガス元素が含まれていない条件では、マイクロアー
クが発生し易く、従って、このような成膜条件で成膜さ
れたＳｎＯ２膜では、ピンホール欠陥が発生し、金属イ
オンの拡散を防止し得ない。また、ＳＩＭＳ−Ｘ／Ｏ比
が２を超えるものであると、希ガス元素が吸着している
膜中の微小空間の占める割合が大き過ぎる、即ち膜が多
孔状であるため、十分な金属イオンの拡散防止効果を得
ることができない。The metal ion diffusion preventing film 2 is made of He, Ne,
It is a SnO 2 film containing a rare gas element such as Ar, Kn, and Xe, and its SIMS-X / O ratio is in the range of 0.001-2, preferably 0.002-1. This SIMS-
Under conditions that no rare gas element is contained in the film formation atmosphere such that the X / O ratio is less than 0.001, a micro-arc is likely to occur, and thus the film was formed under such film formation conditions. Pinhole defects occur in the SnO 2 film, and the diffusion of metal ions cannot be prevented. If the SIMS-X / O ratio exceeds 2, the proportion of the minute space in the film to which the rare gas element is adsorbed is too large, that is, since the film is porous, sufficient metal ion Cannot achieve the effect of preventing the diffusion of
【００２４】このような本発明に係る金属イオン拡散防
止膜２の金属イオンの拡散防止性能に著しく優れること
から、従来の金属イオン拡散防止膜に比べて薄膜化が可
能であるが、その膜厚が１０ｎｍでは薄過ぎて金属イオ
ンの拡散防止効果を十分に得ることができず、逆に６０
０ｎｍより厚くしても金属イオンの拡散防止効果に差は
ないにもかかわらず、徒に成膜コストが高騰することか
ら、この金属イオン拡散防止膜２の膜厚は１０〜６００
ｎｍ、特に５０〜２５０ｎｍとするのが好ましい。Since the metal ion diffusion preventing film 2 according to the present invention is extremely excellent in metal ion diffusion preventing performance, it can be made thinner than the conventional metal ion diffusion preventing film. However, if the thickness is 10 nm, the effect of preventing diffusion of metal ions cannot be sufficiently obtained.
Even though the thickness is larger than 0 nm, there is no difference in the effect of preventing diffusion of metal ions, but the film formation cost is unnecessarily high.
nm, particularly preferably 50 to 250 nm.
【００２５】また、この金属イオン拡散防止膜２を透明
電極として用いる場合には、Ｆ，Ｓｂ等をドーピングし
てＳｎＯ２膜の低抵抗化を図ればよいが、この場合、Ｓ
ｂのドーピング量が少な過ぎると低抵抗化が図れず、電
極として使用し得ず、逆に多過ぎても抵抗値が高くなる
上に膜の吸収が大きくなって透過率が損なわれることか
ら、Ｓｂのドーピング量は０．０１〜０．４重量％とす
るのが好ましい。なお、Ｆのドーピング量は抵抗値の面
から０．０１〜０．８重量％とするのが好ましく、Ｆ及
びＳｂをドーピングする場合には、Ｆ０．０１〜０．２
重量％、Ｓｂ０．０１〜０．１重量％とするのが好まし
い。When the metal ion diffusion preventing film 2 is used as a transparent electrode, the SnO 2 film may be doped with F, Sb or the like to reduce the resistance.
If the doping amount of b is too small, the resistance cannot be reduced, and it cannot be used as an electrode.On the other hand, if the doping amount is too large, the resistance value will increase, and the absorption of the film will increase and the transmittance will be impaired. The doping amount of Sb is preferably set to 0.01 to 0.4% by weight. The doping amount of F is preferably 0.01 to 0.8% by weight from the viewpoint of the resistance value, and when F and Sb are doped, F is 0.01 to 0.2% by weight.
% By weight, and 0.01 to 0.1% by weight of Sb.
【００２６】このように、金属イオン拡散防止膜２のＳ
ｎＯ２膜を透明電極として用いる場合には、常法に従っ
て、この膜はパターニングされる。As described above, the S of the metal ion diffusion preventing film 2
When an nO 2 film is used as a transparent electrode, this film is patterned according to a conventional method.
【００２７】本発明においては、このような金属イオン
拡散防止膜２の上、即ち、金属イオン拡散防止膜２と金
属電極との間、及び／又は金属イオン拡散防止膜２とガ
ラス基板１との間に、図１（ｂ）〜（ｄ）に示す如く、
金属イオン拡散防止膜２のＳｎＯ２膜の低抵抗化、欠陥
発生防止、表面抵抗の調整を図るために、調整膜を形成
してもよい。この場合、表面側調整膜３と基板側調整膜
４とは同種のものであっても異種のものであってもよい
が、例えば、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＴｉＯ
Ｎ，ＺｒＯＮ，ＺｎＡｌＯ等の高抵抗の膜を表面側調整
膜３として形成することにより、表面抵抗の調整を図る
ことができる。また、ＳｉＯ２，ＴｉＯ ２，Ａｌ
２Ｏ３，ＴｉＯＮ，ＺｒＯ２，ＳｉＯＮ，ＳｉＮ等の膜
を基板側調整膜４として形成することにより低抵抗化を
図ると共に、ガラス基板側からのＮａの拡散を防止して
ピンホール等の膜欠陥を防止することができる。In the present invention, such a metal ion
On the diffusion prevention film 2, that is, the metal ion diffusion prevention film 2 and the gold
Between the metal electrode and / or the metal ion diffusion preventing film 2
As shown in FIG. 1B to FIG.
SnO of metal ion diffusion prevention film 22Low film resistance, defects
Adjustment film is formed to prevent generation and adjust surface resistance
May be. In this case, the front side adjustment film 3 and the substrate side adjustment film
4 may be the same or different
However, for example, SiO2, Al2O3, TiO2, TiO
Surface adjustment of high resistance film such as N, ZrON, ZnAlO
Adjusting the surface resistance by forming the film 3
be able to. In addition, SiO2, TiO 2, Al
2O3, TiON, ZrO2, SiON, SiN etc. films
Is formed as the substrate-side adjusting film 4 to reduce the resistance.
While preventing the diffusion of Na from the glass substrate side
Film defects such as pinholes can be prevented.
【００２８】これらの調整膜は、異なる材料を用いて２
層以上形成してもよく、１種類の材料で単層膜として形
成してもよいが、その膜厚（複層構造の場合には合計の
膜厚）は、成膜効果及び成膜コストの面から１０〜１０
０ｎｍの範囲とするのが好ましい。These adjustment films are formed by using different materials.
More than one layer may be formed, or one kind of material may be used to form a single-layer film. 10 to 10 from the surface
Preferably, it is in the range of 0 nm.
【００２９】なお、図１に示すディスプレイ用ガラス基
板は本発明のディスプレイ用ガラス基板の実施の形態の
一例であって、本発明はその要旨を超えない限り、何ら
図示のものに限定されるものではない。The glass substrate for a display shown in FIG. 1 is an example of the embodiment of the glass substrate for a display of the present invention, and the present invention is not limited to the one shown in the drawings unless it exceeds the gist. is not.
【００３０】例えば、金属イオン拡散防止膜２のＳｎＯ
２膜は必ずしも透明電極膜を兼ねる必要はなく、更に別
途透明電極膜を形成し、その上に金属電極を形成しても
よい。For example, SnO of the metal ion diffusion preventing film 2
The two films do not necessarily need to double as the transparent electrode film, and a separate transparent electrode film may be formed, and a metal electrode may be formed thereon.
【００３１】本発明のディスプレイ用ガラス基板のガラ
ス基板上の各膜には、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法、真空蒸着法などのいわゆる物理蒸着法や、
化学気相法やスプレー法などのいわゆる化学蒸着法を用
いることにより成膜することができるが、特に、金属イ
オン拡散防止膜の希ガス元素含有ＳｎＯ２膜はスパッタ
リング法、イオンプレーティング法等の真空成膜法によ
り、希ガス元素を含む酸素含有ガス雰囲気にて容易に形
成することができる。Each film on the glass substrate of the display glass substrate of the present invention may be formed by a so-called physical vapor deposition method such as a sputtering method, an ion plating method, a vacuum vapor deposition method, or the like.
A film can be formed by using a so-called chemical vapor deposition method such as a chemical vapor method or a spray method. In particular, a rare gas element-containing SnO 2 film as a metal ion diffusion preventing film is formed by a sputtering method, an ion plating method, or the like. By a vacuum film formation method, it can be easily formed in an oxygen-containing gas atmosphere containing a rare gas element.
【００３２】[0032]
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。The present invention will be described more specifically below with reference to examples and comparative examples.
【００３３】実施例１〜８、比較例１〜３ フロート法で成形したソーダライムガラス基板にスパッ
タリング法によりＳｎＯ２膜を形成した。ターゲットに
はＳｎを用い、表１に示す雰囲気中で表１に示すガス圧
にてＤＣモードで表１に示す膜厚に成膜した。ただし、
実施例３においては、Ｓｂを含むＳｎターゲットを用い
ることにより、ＳｎＯ２膜にＳｂを０．０５重量％ドー
プした。次いで、このＳｎＯ２膜の上にＡｇペーストを
印刷し、５５０℃で１時間焼成して厚さ１０μｍのＡｇ
電極を形成した後、着色の程度を目視で観察した。な
お、成膜したＳｎＯ２膜のＳＩＭＳにより測定したＸ／
Ｏ比は表１に示す通りであった。Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3 An SnO 2 film was formed on a soda lime glass substrate formed by a float method by a sputtering method. Using Sn as a target, a film was formed in a DC mode under a gas pressure shown in Table 1 in an atmosphere shown in Table 1 to a film thickness shown in Table 1. However,
In Example 3, the SnO 2 film was doped with 0.05% by weight of Sb by using an Sn target containing Sb. Next, an Ag paste was printed on the SnO 2 film and baked at 550 ° C. for 1 hour to form a 10 μm thick Ag.
After forming the electrodes, the degree of coloring was visually observed. In addition, X / of the formed SnO 2 film was measured by SIMS.
The O ratio was as shown in Table 1.
【００３４】比較例４，５ 実施例１において、ターゲットとしてＺｎ又はＴｉを用
い、表１に示す雰囲気中で表１に示すガス圧にてＺｎＯ
膜（比較例４）又はＴｉＯ２膜（比較例５）を成膜した
こと以外は同様に行って、着色の程度を調べ、結果を表
１に示した。Comparative Examples 4 and 5 In Example 1, Zn or Ti was used as a target, and ZnO was used in an atmosphere shown in Table 1 at a gas pressure shown in Table 1.
Except that a film (Comparative Example 4) or a TiO 2 film (Comparative Example 5) was formed, the degree of coloring was examined in the same manner, and the results are shown in Table 1.
【００３５】実施例９ フロート法で成形したソーダライムガラス基板にＳｎを
ソースとするイオンプレーティング法により、表１に示
す雰囲気中で表１に示すガス圧にてＳｎＯ２膜を成膜し
たこと以外は同様に行って、着色の程度及びＳＩＭＳ−
Ｘ／Ｏ比を調べ、結果を表１に示した。Example 9 A SnO 2 film was formed on a soda lime glass substrate formed by a float method by an ion plating method using Sn as a source in an atmosphere shown in Table 1 at a gas pressure shown in Table 1. Except for the degree of coloring and SIMS-
The X / O ratio was examined, and the results are shown in Table 1.
【００３６】[0036]
【表１】 [Table 1]
【００３７】表１より、本発明のディスプレイ用ガラス
基板ではＡｇイオンの拡散によるコロイド着色が著しく
抑制されていることがわかる。 実施例１０〜１５ ＳＩＭＳ−Ｘ／Ｏ比＝０．５、膜厚１５０μｍのＳｎＯ
２膜を形成した実施例２において、表面側調整膜３及び
／又は基板側調整膜４として、表１に示す膜をスパッタ
リング法により表１に示す厚さに形成したこと以外は同
様にして成膜を行い、同様にＡｇ電極を形成し、着色の
有無、欠陥（ピンホール）の発生状況及び表面抵抗を調
べ、結果を実施例２の結果と共に表２に示した。Table 1 shows that colloidal coloring due to the diffusion of Ag ions was significantly suppressed in the glass substrate for display of the present invention. Examples 10 to 15 SIMO-X / O ratio = 0.5, 150 μm thick SnO
In Example 2 in which two films were formed, the film shown in Table 1 was formed in the same manner as the surface-side adjustment film 3 and / or the substrate-side adjustment film 4 to a thickness shown in Table 1 by a sputtering method. The film was formed, an Ag electrode was formed in the same manner, the presence or absence of coloring, the state of occurrence of defects (pinholes) and the surface resistance were examined. The results are shown in Table 2 together with the results of Example 2.
【００３８】[0038]
【表２】 [Table 2]
【００３９】表２より、表面側調整膜を設けることによ
り抵抗値の調整ないしより一層の着色防止を図ることが
でき、また、基板側調整膜を設けることによりピンホー
ルの発生を防止すると共に低抵抗化を図ることができる
ことがわかる。From Table 2, it can be seen that the resistance value can be adjusted or the coloration can be further prevented by providing the surface-side adjustment film, and by providing the substrate-side adjustment film, the occurrence of pinholes can be prevented and the resistance can be reduced. It can be seen that resistance can be achieved.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、ガ
ラス基板としてフロート法等で製造された還元層を有す
るガラス基板を用い、このガラス基板上に金属電極とし
てＡｇ，Ｃｕ，Ａｕ等の拡散しやすい金属よりなる電極
を形成した場合に生じる金属コロイドによる着色を防止
した、ＰＤＰ等としての表示品位の高いディスプレイ用
ガラス基板が提供される。As described above in detail, according to the present invention, a glass substrate having a reduced layer manufactured by a float method or the like is used as a glass substrate, and Ag, Cu, Au, etc. are formed as metal electrodes on the glass substrate. The present invention provides a display glass substrate having a high display quality as a PDP or the like, which is prevented from being colored by a metal colloid generated when an electrode made of a metal which easily diffuses is formed.
【図１】本発明の実施の形態に係るディスプレイ用ガラ
ス基板の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a display glass substrate according to an embodiment of the present invention.
１ ガラス基板 ２ 金属イオン拡散防止膜 ３ 表面側調整膜 ４ 基板側調整膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Metal ion diffusion prevention film 3 Front side adjustment film 4 Substrate side adjustment film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 真記 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4G059 AA08 AC30 EA02 GA01 GA04 GA12 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Shinki Nakamura 3-5-1, Doshumachi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka F-term in Nippon Sheet Glass Co., Ltd. 4G059 AA08 AC30 EA02 GA01 GA04 GA12
Claims (5)
たガラス基板よりなるディスプレイ用ガラス基板におい
て、 該金属イオン拡散防止膜が希ガス元素を含むＳｎＯ２膜
であり、 該金属イオン拡散防止膜中の希ガス元素の含有量が一次
イオン源としてＣｓ＋を用いたＳＩＭＳで測定したＸ／
Ｏ比（Ｘ：希ガス元素の合計，Ｏ：酸素）で０．００１
〜２であることを特徴とするディスプレイ用ガラス基
板。1. A display glass substrate comprising a glass substrate having a metal ion diffusion preventing film formed on a surface thereof, wherein the metal ion diffusion preventing film is a SnO 2 film containing a rare gas element, and the metal ion diffusion preventing film is The content of rare gas elements in X / X was measured by SIMS using Cs + as the primary ion source.
0.001 in O ratio (X: total of rare gas elements, O: oxygen)
A glass substrate for a display, wherein
止膜の膜厚が１０〜６００ｎｍであることを特徴とする
ディスプレイ用ガラス基板。2. The display glass substrate according to claim 1, wherein the metal ion diffusion preventing film has a thickness of 10 to 600 nm.
拡散防止膜と該ガラス基板との間及び／又は該金属イオ
ン拡散防止膜の該ガラス基板と反対側の面に、抵抗値調
整又は欠陥発生防止用の膜が形成されていることを特徴
とするディスプレイ用ガラス基板。3. The method according to claim 1, wherein a resistance value adjustment or a defect is provided between the metal ion diffusion preventing film and the glass substrate and / or on a surface of the metal ion diffusion preventing film opposite to the glass substrate. A glass substrate for a display, wherein a film for preventing occurrence is formed.
て、該金属イオン拡散防止膜がパターニングされている
ことを特徴とするディスプレイ用ガラス基板。4. The display glass substrate according to claim 1, wherein the metal ion diffusion preventing film is patterned.
て、金属イオン拡散防止膜中のＳｂの濃度が０．０１〜
０．４重量％であることを特徴とするディスプレイ用ガ
ラス基板。5. The method according to claim 1, wherein the concentration of Sb in the metal ion diffusion preventing film is 0.01 to 0.01.
A glass substrate for a display, which is 0.4% by weight.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35621599A JP2001172051A (en) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | Glass substrate for display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35621599A JP2001172051A (en) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | Glass substrate for display |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001172051A true JP2001172051A (en) | 2001-06-26 |
Family
ID=18447919
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| JP35621599A Pending JP2001172051A (en) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | Glass substrate for display |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001172051A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114342090A (en) * | 2019-08-30 | 2022-04-12 | 京浜乐梦金属科技株式会社 | Laminated structure and method of manufacturing the same |
-
1999
- 1999-12-15 JP JP35621599A patent/JP2001172051A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114342090A (en) * | 2019-08-30 | 2022-04-12 | 京浜乐梦金属科技株式会社 | Laminated structure and method of manufacturing the same |
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