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JP2001167408A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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JP2001167408A
JP2001167408A JP35005699A JP35005699A JP2001167408A JP 2001167408 A JP2001167408 A JP 2001167408A JP 35005699 A JP35005699 A JP 35005699A JP 35005699 A JP35005699 A JP 35005699A JP 2001167408 A JP2001167408 A JP 2001167408A
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magnetic
magnetic pole
thin
film
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JP35005699A
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English (en)
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Satoshi Uejima
聡史 上島
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
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Priority to US09/714,488 priority patent/US6549370B1/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜磁気ヘッドのトラック幅を規定する磁極
部分を精度よく形成し、且つ電磁変換特性を向上させ
る。 【解決手段】 記録ヘッドは、下部磁極層１０と、上部
磁極層１５と、これらの磁極層の各磁極部分の間に設け
られた記録ギャップ層１４と、下部磁極層１０および上
部磁極層１５の間に、これらに対して絶縁された状態で
配設された薄膜コイル１２とを有している。下部磁極層
１０は、記録ギャップ層１４に接する磁極部分１０ａ
と、平坦部分１０ｃと、磁極部分１０ａと平坦部分１０
ｃとを連結し、エアベアリング面に近づくほど記録ギャ
ップ層１４に近づく傾斜部分１０ｄとを有している。磁
極部分１０ａと傾斜部分１０ｄの形状は、再生ヘッドの
上部シールド層８の上に形成された凸部形成層９ａによ
って規定される。上部磁極層１５は、平坦な記録ギャッ
プ層１４の上面に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）とも記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。
【０００３】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面（媒体対向面）での幅、すなわちトラ
ック幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭くした
狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、こ
れを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００４】ここで、図２５ないし図２８を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図２５ないし図２８において、（ａ）は薄膜磁気ヘ
ッドのエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は
薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。
【０００５】この製造方法では、まず、図２５に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2Ｏ3・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【０００６】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナをスパッタリングにより１００〜２００ｎｍ
の厚みに堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ
膜１０４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜１
０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚
みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の
上に、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の電極
層１０６を形成する。
【０００７】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【０００８】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。
【０００９】次に、図２６に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａ
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１
９を形成する。
【００１０】次に、図２７に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図２７（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
【００１１】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００１２】次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。
【００１３】次に、図２８に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、上記各層を含
むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生
ヘッドのエアベアリング面１１８を形成して、薄膜磁気
ヘッドが完成する。
【００１４】図２９は、図２８に示した薄膜磁気ヘッド
の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層
１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。
【００１５】図２８において、ＴＨは、スロートハイト
を表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、
スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を
介して対向する部分すなわち磁極部分の、エアベアリン
グ面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をい
う。また、ＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング
面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をい
う。また、図２８において、Ｐ２Ｗは、磁極幅すなわち
記録トラック幅を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を
決定する要因として、スロートハイトやＭＲハイト等の
他に、図２８においてθで示したようなエイペックスア
ングル（Apex Angle）がある。このエイペックスアング
ルは、フォトレジスト層１１３，１１５で覆われて山状
に盛り上がったコイル部分（以下、エイペックス部と言
う。）における磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層
１１１の上面とのなす角度をいう。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図２８に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
および記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重
要である。
【００１７】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミ
クロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技
術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技
術が必要となる。
【００１８】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。
【００１９】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。
【００２０】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
【００２１】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。
【００２２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。
【００２３】特に、エイペックス部の斜面上の領域で
は、露光用の光が下地電極膜で反射して戻ってくる反射
光には、垂直方向の反射光のみならず、エイペックス部
の斜面からの斜め方向または横方向の反射光も含まれる
ため、これらの反射光によってフォトレジストが感光し
て、フォトレジストパターンのくずれが大きくなる。
【００２４】一方、例えば特開平６−６８４２４号公報
や、特開平６−３０９６２１号公報や、特開平６−３１
４４１３号公報に示されるように、上部磁極層を平坦な
面に上に形成した薄膜磁気ヘッドも提案されている。こ
のような薄膜磁気ヘッドによれば、エイペックス部の上
に上部磁極層を形成する場合における問題点は解決され
る。
【００２５】ここで、磁極部分のエアベアリング面とは
反対側の端部の位置をスロートハイトゼロ位置と呼ぶ。
特開平６−６８４２４号公報に示された薄膜磁気ヘッド
ではスロートハイトゼロ位置は上部磁極の端部によって
規定され、特開平６−３０９６２１号公報に示された薄
膜磁気ヘッドではスロートハイトゼロ位置は下部磁極の
端部によって規定され、特開平６−３１４４１３号公報
に示された薄膜磁気ヘッドではスロートハイトゼロ位置
は上部磁極の端部および下部磁極の端部によって規定さ
れている。いずれの薄膜磁気ヘッドにおいても、スロー
トハイトゼロ位置を規定する磁極の端面は、記録ギャッ
プ層に対して垂直な面となっている。そのため、いずれ
の薄膜磁気ヘッドにおいても、下部磁極層と上部磁極層
との間の間隔は、エアベアリング面からスロートハイト
ゼロ位置までは記録ギャップ層の厚みに等しい一定の間
隔になっており、スロートハイトゼロ位置からエアベア
リング面とは反対側で急に大きくなるようになってい
る。
【００２６】ところが、このようにスロートハイトゼロ
位置の近傍で下部磁極層と上部磁極層との間の間隔が急
激に変化する構造では、磁極層を通って記録ギャップ層
に向かう磁束の流れがスロートハイトゼロ位置の近傍で
急激に変化し、その結果、スロートハイトゼロ位置の近
傍で磁束が飽和し、薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性が劣
化することが分かった。電磁変換特性とは、具体的に
は、記録媒体上の既にデータを書き込んである領域にデ
ータを重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特
性や、非線形トランジションシフト（Non-linear Trans
ition Shift；以下、ＮＬＴＳと記す。）等である。
【００２７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、トラック幅を規定する磁極部分を精
度よく形成でき、且つ電磁変換特性を向上させることが
できるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供することにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体
対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それ
ぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層
と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分
との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第
１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層
に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備
えた薄膜磁気ヘッドであって、第１の磁性層は、ギャッ
プ層に接する磁極部分と、ギャップ層からギャップ層の
厚み方向に離れた位置で且つ磁極部分よりも媒体対向面
から離れた位置に配置された平坦部分と、磁極部分と平
坦部分とを連結し、媒体対向面に近づくほどギャップ層
に近づく傾斜部分とを有し、薄膜コイルの少なくとも一
部は、第１の磁性層の磁極部分および傾斜部分の側方に
配置され、第２の磁性層は、ギャップ層を含む平坦な面
に接しトラック幅を規定する部分を有するものである。
【００２９】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１の磁性
層の磁極部分と平坦部分とが傾斜部分によって連結され
ているので、第１の磁性層を通ってギャップ層に向かう
磁束の流れは、平坦部分から磁極部分にかけて滑らかに
変化する。また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コ
イルの少なくとも一部を第１の磁性層の磁極部分および
傾斜部分の側方に配置し、第２の磁性層が、ギャップ層
を含む平坦な面に接しトラック幅を規定する部分を有す
るようにしたので、トラック幅を規定する磁極部分を精
度よく形成することが可能になる。
【００３０】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の
磁性層の傾斜部分におけるギャップ層側の面は曲面をな
していてもよい。
【００３１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、
第１の磁性層の磁極部分および傾斜部分の側方に配置さ
れた薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そのギャップ
層側の面が第１の磁性層の磁極部分におけるギャップ層
側の面と共に平坦化された絶縁層を備えていてもよい。
【００３２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、
磁気抵抗素子と、媒体対向面側の一部が磁気抵抗素子を
挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシール
ドする第１および第２のシールド層とを備えていてもよ
い。この場合、第１の磁性層の平坦部分は第２のシール
ド層に隣接し、第１の磁性層の磁極部分および傾斜部分
と第２のシールド層との間に、これらを分離すると共に
磁極部分および傾斜部分の形状を規定する分離層が設け
られていてもよい。また、分離層は非磁性材料によって
形成されていてもよい。
【００３３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、互
いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面
側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少
なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、第
１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間
に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１およ
び第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対し
て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、第
１の磁性層は、ギャップ層に接する磁極部分と、ギャッ
プ層からギャップ層の厚み方向に離れた位置で且つ磁極
部分よりも媒体対向面から離れた位置に配置された平坦
部分と、磁極部分と平坦部分とを連結し、媒体対向面に
近づくほどギャップ層に近づく傾斜部分とを有し、薄膜
コイルの少なくとも一部は、第１の磁性層の磁極部分お
よび傾斜部分の側方に配置され、第２の磁性層は、ギャ
ップ層を含む平坦な面に接しトラック幅を規定する部分
を有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、第１
の磁性層の下地層の上において第１の磁性層の磁極部分
に対応する位置に凸部を形成する工程と、下地層の上に
平坦部分が形成され、凸部を覆う部分によって磁極部分
および傾斜部分が形成されるように、下地層および凸部
の上に第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の
磁極部分の上にギャップ層を形成する工程と、ギャップ
層の上に第２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一
部が第１の磁性層の磁極部分および傾斜部分の側方に配
置されるように薄膜コイルを形成する工程と、第１の磁
性層、ギャップ層および第２の磁性層を研磨して、媒体
対向面を形成する工程とを含むものである。
【００３４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第１の磁性層の下地層の上に凸部を形成し、その上に第
１の磁性層を形成することにより、磁極部分と平坦部分
と傾斜部分とを有する第１の磁性層を形成する。第１の
磁性層を通ってギャップ層に向かう磁束の流れは、平坦
部分から磁極部分にかけて滑らかに変化する。また、本
発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、薄膜コイルの少
なくとも一部を第１の磁性層の磁極部分および傾斜部分
の側方に配置し、第２の磁性層が、ギャップ層を含む平
坦な面に接しトラック幅を規定する部分を有するように
したので、トラック幅を規定する磁極部分を精度よく形
成することが可能になる。
【００３５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、第１の磁性層の傾斜部分におけるギャップ層側の面
は曲面をなしていてもよい。この場合、凸部の上面も曲
面をなしていてもよい。
【００３６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、更に、第１の磁性層の磁極部分および傾斜部分の側
方に配置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そ
のギャップ層側の面が第１の磁性層の磁極部分における
ギャップ層側の面と共に平坦化された絶縁層を形成する
工程を含んでいてもよい。
【００３７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、媒体対向面を形成する工程において、凸部を除去
するようにしてもよいし、凸部の一部を除去するように
してもよい。
【００３８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、凸部は、熱処理されたレジスト層によって形
成されてもよいし、金属のめっき層によって形成されて
もよい。
【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、更に、磁気抵抗素子と、媒体対向面側の一部が磁気
抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素
子をシールドする第１および第２のシールド層とを形成
する工程を含んでいてもよい。この場合、第１の磁性層
の平坦部分は第２のシールド層に隣接し、第１の磁性層
の磁極部分および傾斜部分と第２のシールド層との間
に、これらを分離すると共に凸部を形成して磁極部分お
よび傾斜部分の形状を規定する分離層が設けられてもよ
い。また、分離層は非磁性材料によって形成されてもよ
い。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図１１を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。図１ないし図１０
において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示
し、（ｂ）はエアベアリング面となる断面を示してい
る。なお、図１（ａ）では、エアベアリング面となる位
置、すなわち図１（ｂ）ないし図１０（ｂ）の断面の位
置を、一点鎖線で示している。また、図１１において、
（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）
はエアベアリング面の近傍におけるエアベアリング面に
平行な断面を示している。
【００４１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ
（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出す
るまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４２】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例え
ば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチ
ングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネ
ル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される
一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶
縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２
０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギ
ャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，
７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等があ
る。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法に
よって形成してもよいし、化学的気相成長（ＣＶＤ）法
によって形成してもよい。アルミナ膜よりなるシールド
ギャップ膜４，７をＣＶＤ法によって形成する場合に
は、材料としては例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ
（ＣＨ3）3）およびＨ2Ｏを用いる。ＣＶＤ法を用いる
と、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールドギャ
ップ膜４，７を形成することが可能となる。
【００４３】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなる再生ヘッド用の上部シールド層８を、
約１．０〜１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。
【００４４】次に、図３に示したように、上部シールド
層８の上において、後述する下部磁極層の磁極部分に対
応する位置と、下部磁極層と後述する上部磁極層との連
結部分に対応する位置に、それぞれ、凸部形成層９ａ，
９ｂを形成する。この凸部形成層９ａ，９ｂの上面は曲
面をなしている。より詳しく説明すると、凸部形成層９
ａ，９ｂの上面は、エアベアリング面に平行で且つ後述
する記録ギャップ層に平行な軸を中心とした円筒面の一
部をなすような形状となっている。また、凸部形成層９
ａ，９ｂは、フォトレジスト等のレジストや金属等によ
って形成される。なお、凸部形成層９ａ，９ｂの形成方
法については、後で詳しく説明する。
【００４５】次に、図４に示したように、上部シールド
層８と凸部形成層９ａ，９ｂの上に、磁性材料からなる
記録ヘッド用の下部磁極層１０を、約１〜５μｍの厚み
に形成する。
【００４６】上部シールド層８および下部磁極層１０
は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）
や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重
量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって
形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，
ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成して
もよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦ
ｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００４７】次に、図５に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁膜１１を、約０．３〜０．６μ
ｍの厚みに形成する。
【００４８】次に、図６に示したように、絶縁膜１１の
上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１２を、例
えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび０．３〜２．０
μｍのコイルピッチで形成する。薄膜コイル１２は、例
えばフレームめっき法によって形成される。また、薄膜
コイル１２は、凸部形成層９ｂの周囲に巻回されるよう
に配置され、一部が凸部形成層９ａと凸部形成層９ｂと
の間に配置される。なお、図中、符号１２ａは、薄膜コ
イル１２を、後述する導電層（リード）と接続するため
の接続部を示している。
【００４９】次に、図７に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層１３を、約３〜４μｍの厚み
で形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層
１０のうち凸部形成層９ａ，９ｂの上に配置された部分
が露出するまで、絶縁層１３を研磨して、表面を平坦化
処理する。ここで、図７では、薄膜コイル１２は露出し
ていないが、薄膜コイル１２が露出するようにしてもよ
い。
【００５０】下部磁極層１０のうち、凸部形成層９ａの
上に配置されて上記平坦化処理によって露出した部分
は、下部磁極層１０の磁極部分１０ａとなる。また、下
部磁極層１０のうち、凸部形成層９ｂの上に配置されて
上記平坦化処理によって露出した部分は、後述する上部
磁極層に接続される接続部分１０ｂとなる。また、本実
施の形態では、下部磁極層１０のうち、上部シールド層
８の上に配置された平坦な部分を平坦部分１０ｃと言
う。また、磁極部分１０ａと平坦部分１０ｃとを連結
し、エアベアリング面に近づくほど記録ギャップ層に近
づく部分を傾斜部分１０ｄと言う。
【００５１】次に、図８に示したように、露出した下部
磁極層１０の磁極部分１０ａおよび接続部分１０ｂと絶
縁層１３の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１４
を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。記録
ギャップ層１４に使用する絶縁材料としては、一般的
に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材
料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボ
ン（ＤＬＣ）等がある。また、記録ギャップ層１４は、
スパッタ法によって形成してもよいし、ＣＶＤ法によっ
て形成してもよい。アルミナ膜よりなる記録ギャップ層
１４をＣＶＤ法によって形成する場合には、材料として
は例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）お
よびＨ2Ｏを用いる。ＣＶＤ法を用いると、薄く、且つ
緻密でピンホールの少ない記録ギャップ層１４を形成す
ることが可能となる。
【００５２】次に、磁路形成のために、下部磁極層１０
の接続部分１０ｂの上において、記録ギャップ層１４を
部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
また、薄膜コイル１２の接続部１２ａの上の部分におい
て、記録ギャップ層１４および絶縁層１３を部分的にエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００５３】次に、図９に示したように、記録ギャップ
層１４の上において、下部磁極層１０の磁極部分１０ａ
の上の部分から接続部分１０ｂの上の部分にかけて、上
部磁極層１５を約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する
と共に、薄膜コイル１２の接続部１２ａに接続されるよ
うに導電層１６を約２．０〜３．０μｍの厚みに形成す
る。上部磁極層１５は、下部磁極層１０の接続部分１０
ｂの上の部分に形成されたコンタクトホールを介して、
下部磁極層１０の接続部分１０ｂに接続され、これによ
り、下部磁極層１０と磁気的に連結している。
【００５４】上部磁極層１５は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）
等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和
磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用
い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高
飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス
材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、
上部磁極層１５を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁
性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００５５】次に、上部磁極層１５をマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層１４を選択的に
エッチングする。このときのドライエッチングには、例
えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6
等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイ
オンミリングによって、下部磁極層１０の磁極部分１０
ａを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングし
て、図９（ｂ）に示したようなトリム構造とする。この
トリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生す
る磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止
することができる。
【００５６】次に、図１０に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜
４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その
上に、図示しない電極用パッドを形成する。
【００５７】最後に、図１１に示したように、上記各層
を含むスライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび
再生ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。本実施の形態
では、エアベアリング面３０を形成する工程において、
凸部形成層９ａは完全に除去される。なお、図１１
（ａ）において、符号ＴＨ０はスロートハイトゼロ位置
を表している。また、図１１（ｂ）は、エアベアリング
面３０の近傍の断面を表している。
【００５８】図１２は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける磁極部分の近傍を、一部切り欠いて示す斜
視図である。図１２に示したように、上部磁極層１５
は、記録ギャップ層１４の平坦な上面に接し記録トラッ
ク幅を規定する部分１５ａを有している。
【００５９】本実施の形態では、下部磁極層１０が、本
発明における第１の磁性層に対応し、上部磁極層１５
が、本発明における第２の磁性層に対応する。また、凸
部形成層９ａは、本発明における凸部に対応する。ま
た、下部シールド層３は、本発明における第１のシール
ド層に対応し、上部シールド層８は、本発明における第
２のシールド層に対応すると共に、本発明における第１
の磁性層の下地層に対応する。
【００６０】次に、凸部形成層９ａ，９ｂの形成方法の
３つの例について詳しく説明する。なお、以下の説明で
は、凸部形成層９ａの形成方法について説明するが、凸
部形成層９ｂの形成方法もこれと同様である。
【００６１】第１の例の形成方法では、まず、図１３に
示したように、上部シールド層８の上において、凸部形
成層９ａを形成すべき位置に、レジスト層３１を所定の
パターンに形成する。次に、図１４に示したように、レ
ジスト層３１を熱処理（キュア）して表面を曲面にし、
このレジスト層３１を凸部形成層９ａとする。
【００６２】第２の例の形成方法では、まず、図１５に
示したように、上部シールド層８の上に、めっき用のシ
ード層（電極膜）３２を形成する。シード層３２の材質
は、Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，ＮｉＣｕ，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅ
Ｃｏ，ＦｅＣｏ等の金属とする。次に、図１６に示した
ように、フォトリソグラフィによって、シード層３２の
上に、凸部形成層９ａを形成すべき位置に開口部を有す
るパターンのレジスト層３３を形成する。レジスト層３
３の厚みは、形成しようとする凸部形成層９ａの高さよ
りも小さくし、レジスト層３３の開口部の幅も、形成し
ようとする凸部形成層９ａの高さよりも小さくする。
【００６３】次に、図１７に示したように、レジスト層
３３をマスクにして、シード層３２の上にめっき層３４
を形成する。めっき層３４の厚みは、レジスト層３３の
厚みより大きく、且つレジスト層３３の開口部の幅より
も大きくする。めっき層３４は、レジスト層３３の開口
部の周囲にオーバーハングし、図１７に示したように表
面が曲面となる。めっき層３４の材質は、Ａｕ，Ｃｕ，
Ｎｉ，ＮｉＣｕ，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，ＦｅＣｏ等
の金属とする。次に、図１８に示したように、レジスト
層３３を有機溶剤によって剥離する。次に、図１９に示
したように、シード層３２をイオンミリング等のドライ
エッチングまたはウェットエッチングによって除去し、
残っためっき層３４を凸部形成層９ａとする。ドライエ
ッチングを用いてシード層３２を除去する場合には、図
１９に示したように、めっき層３４の下側にシード層３
２が残る。なお、第２の例では、図１９に示したよう
に、めっき層３４と上部シールド層８との間に隙間が生
じるが、この隙間は下部磁極層１０の形成には影響しな
い。
【００６４】上述の第２の例において、シード層３２を
設けずに、上部シールド層８をめっき法によって形成す
る際に使用されるシード層を残しておき、このシード層
をめっき層３４の形成の際に使用してもよい。
【００６５】第３の例の形成方法では、まず、図２０に
示したように、フォトリソグラフィによって、上部シー
ルド層８の上に、凸部形成層９ａを形成すべき位置に開
口部を有するパターンのレジスト層３６を形成する。レ
ジスト層３６の厚みは、形成しようとする凸部形成層９
ａの高さよりも大きくする。なお、上部シールド層８を
めっき法によって形成する際に使用されるシード層は残
しておく。次に、図２１に示したように、レジスト層３
６をフレームにして、上部シールド層８の上にめっき層
３７を形成する。その際、上部シールド層８をめっき法
によって形成する際に使用されるシード層を使用する。
めっき層３７の材質は、Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，ＮｉＣｕ，
ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，ＦｅＣｏ等の金属とする。次
に、図２２に示したように、レジスト層３６を有機溶剤
によって剥離し、残っためっき層３７を凸部形成層９ａ
とする。
【００６６】第３の例によって形成される凸部形成層９
ａは、第１および第２の例とは異なり、図２２に示した
ように断面が矩形をなし、表面が曲面になっていない。
しかし、図２３に示したように、凸部形成層９ａを覆う
ように下部磁極層１０を形成すると、下部磁極層１０の
うち傾斜部分の表面は曲面となる。
【００６７】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えて
いる。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向す
る側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置さ
れた、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層
３および上部シールド層８とを有している。
【００６８】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
記録媒体に対向する側において互いに対向する磁極部分
を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極層
１０および上部磁極層１５と、この下部磁極層１０の磁
極部分と上部磁極層１５の磁極部分との間に設けられた
記録ギャップ層１４と、少なくとも一部が下部磁極層１
０および上部磁極層１５の間に、これらに対して絶縁さ
れた状態で配設された薄膜コイル１２とを有している。
【００６９】本実施の形態では、下部磁極層１０は、記
録ギャップ層１４に接する磁極部分１０ａと、記録ギャ
ップ層１４から記録ギャップ層１４の厚み方向に離れた
位置で且つ磁極部分１０ａよりもエアベアリング面３０
から離れた位置に配置された平坦部分１０ｃと、磁極部
分１０ａと平坦部分１０ｃとを連結し、エアベアリング
面３０に近づくほど記録ギャップ層１４に近づく傾斜部
分１０ｄとを有している。傾斜部分１０ｄにおける記録
ギャップ層１４側の面は曲面をなしている。また、磁極
部分１０ａのエアベアリング面３０とは反対側の端部が
スロートハイトを規定している。
【００７０】また、薄膜コイル１２の一部は、下部磁極
層１０の磁極部分１０ａおよび傾斜部分１０ｄの側方に
配置されている。また、上部磁極層１５は、平坦な記録
ギャップ層１４の上面に接する平坦な層になっていると
共に、トラック幅を規定する部分１５ａを有している。
【００７１】本実施の形態によれば、薄膜コイル１２を
下部磁極層１０の平坦部分１０ｃの上であって磁極部分
１０ａおよび傾斜部分１０ｄの側方に配置し、薄膜コイ
ル１２を覆う絶縁層１３の上面を下部磁極層１０の磁極
部分１０ａの上面と共に平坦化したので、記録トラック
幅を規定する部分１５ａを有する上部磁極層１５を平坦
な面の上に形成することができる。そのため、本実施の
形態によれば、記録トラック幅を例えばハーフミクロン
寸法やクォータミクロン寸法にも小さくしても、上部磁
極層１５を精度よく形成することができ、記録トラック
幅を正確に制御することが可能になる。
【００７２】また、本実施の形態では、下部磁極層１０
の磁極部分１０ａのエアベアリング面３０とは反対側の
端部によってスロートハイトを規定すると共に、下部磁
極層１０の磁極部分１０ａと平坦部分１０ｃとの間に、
エアベアリング面３０に近づくほど記録ギャップ層１４
に近づく傾斜部分１０ｄを設けたので、下部磁極層１０
を通って記録ギャップ層１４に向かう磁束の流れは、平
坦部分１０ｃから磁極部分１０ａにかけて滑らかに変化
する。従って、本実施の形態によれば、下部磁極層１０
を通って記録ギャップ層１４に向かう磁束の流れを、ス
ロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍で滑らかに変化させ
ることができる。その結果、本実施の形態によれば、記
録ヘッドの電磁変換特性、例えばオーバーライト特性や
ＮＬＴＳを向上させることができる。
【００７３】また、本実施の形態によれば、傾斜部分１
０ｄにおける記録ギャップ層１４側の面を曲面としたの
で、磁束の流れをより滑らかに変化させることができ
る。
【００７４】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、下部磁極層１０の下地層である上部シ
ールド層８の上において、下部磁極層１０の磁極部分１
０ａに対応する位置に凸部形成層９ａを形成し、上部シ
ールド層８および凸部形成層９ａの上に下部磁極層１０
を形成することによって、上部シールド層８の上に平坦
部分１０ｃを形成し、凸部形成層９ａを覆う部分によっ
て磁極部分１０ａおよび傾斜部分１０ｄを形成してい
る。従って、磁極部分１０ａと平坦部分１０ｂと傾斜部
分１０ｄとを有する構造の下部磁極層１０を容易に形成
することができる。
【００７５】また、本実施の形態では、薄膜コイル１２
を下部磁極層１０の磁極部分１０ａおよび傾斜部分１０
ｄの側方に配置し、平坦な絶縁膜１１の上に形成してい
る。そのため、本実施の形態によれば、薄膜コイル１２
を微細に精度よく形成することが可能になる。更に、本
実施の形態によれば、エイペックス部が存在しないの
で、下部磁極層１０の傾斜部分１０ｄの近くに薄膜コイ
ル１２の端部を配置することができる。これらのことか
ら、本実施の形態によれば、磁路長の縮小が可能にな
る。
【００７６】また、本実施の形態によれば、磁路長の縮
小が可能となることから、巻き数を変えることなく薄膜
コイル１２の全長を大幅に短くすることができる。これ
により、薄膜コイル１２の抵抗を小さくすることができ
るので、その分、薄膜コイル１２の厚みを小さくするこ
とが可能となる。
【００７７】また、本実施の形態では、下部磁極層１０
と薄膜コイル１２の間に、薄く且つ十分な絶縁耐圧が得
られる無機材料よりなる絶縁膜１１が設けられるので、
下部磁極層１０と薄膜コイル１２との間に大きな絶縁耐
圧を得ることができる。
【００７８】また、本実施の形態では、薄膜コイル１２
を無機絶縁材料よりなる絶縁層１３で覆ったので、薄膜
磁気ヘッドの使用中に、薄膜コイル１２の周辺で発生す
る熱による膨張によって磁極部分が記録媒体側に突出す
ることを防止することができる。
【００７９】［第２の実施の形態］次に、図２４を参照
して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。図２４（ａ）
は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリン
グ面に垂直な断面を示し、図２４（ｂ）は本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面の近傍におけ
るエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００８０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、エアベアリング面３０を形成する工程におい
て、凸部形成層９ａの一部を除去し、他の一部を薄膜磁
気ヘッドに残している。従って、本実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドでは、エアベアリング面３０の近傍におい
て、上部シールド層８と下部磁極層１０とを分離すると
共に下部磁極層１０の磁極部分１０ａおよび傾斜部分１
０ｄの形状を規定する凸部形成層９ａが存在している。
この凸部形成層９ａは、本発明における分離層に対応す
る。
【００８１】本実施の形態において、薄膜磁気ヘッドの
エアベアリング面３０に保護膜を付けない場合には、凸
部形成層９ａの材質としてはＡｕ，Ｎｉ等の耐食性のあ
る金属を用いるのが好ましい。エアベアリング面３０に
保護膜を付ける場合には、凸部形成層９ａの材質は、耐
食性のある金属に限らず、耐食性のない金属やレジスト
等であってもよい。
【００８２】本実施の形態によれば、薄膜磁気ヘッドの
エアベアリング面３０側において、凸部形成層９ａによ
って上部シールド層８と下部磁極層１０とが分離される
ので、記録ヘッド動作時における上部シールド層８への
磁気的な影響が減少する。これにより、上部シールド層
８の磁区が安定するので、記録ヘッドの記録動作終了後
に再生信号に発生するパルス状のノイズである、いわゆ
るポップコーンノイズを低減することができ、複合型の
薄膜磁気ヘッドの特性を向上させることができる。この
効果は、特に、凸部形成層９ａを非磁性材料で形成した
場合に顕著になる。
【００８３】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８４】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の
形態では、上部磁極層１５を１つの層で構成したが、上
部磁極層１５を、複数の層で構成してもよい。この場合
には、記録トラック幅を規定する部分を有する層を、記
録ギャップ層を含む平坦な面に接するように形成する。
【００８５】また、上記実施の形態では、基体側に読み
取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘
導型電磁変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【００８６】つまり、基体側に書き込み用の誘導型電磁
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型電磁変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。
【００８７】また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。
【００８８】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし６の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項７ないし
１７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、第１の磁性層が磁極部分と平坦部分と傾斜部分と
を有するようにしたので、第１の磁性層を通ってギャッ
プ層に向かう磁束の流れを滑らかに変化させることがで
き、その結果、電磁変換特性を向上させることができる
という効果を奏する。また、本発明によれば、薄膜コイ
ルの少なくとも一部を第１の磁性層の磁極部分および傾
斜部分の側方に配置し、第２の磁性層が、ギャップ層を
含む平坦な面に接しトラック幅を規定する部分を有する
ようにしたので、トラック幅を規定する磁極部分を精度
よく形成することが可能になるという効果を奏する。
【００８９】また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドもし
くは請求項８または９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、第１の磁性層の傾斜部分におけるギャップ層
側の面を曲面としたので、磁束の流れをより滑らかに変
化させることができるという効果を奏する。
【００９０】また、請求項５または６記載の薄膜磁気ヘ
ッドもしくは請求項１６または１７記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法によれば、更に、磁気抵抗素子と第１およ
び第２のシールド層とを設け、第１の磁性層の磁極部分
および傾斜部分と第２のシールド層との間に、これらを
分離すると共に磁極部分および傾斜部分の形状を規定す
る分離層を設けたので、複合型の薄膜磁気ヘッドの特性
を向上させることが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドを示す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの主要部を一部切り欠いて示す斜視図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第１の例を示す断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第１の例を示す断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第２の例を示す断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第２の例を示す断面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第２の例を示す断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第２の例を示す断面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第２の例を示す断面図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第３の例を示す断面図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第３の例を示す断面図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第３の例を示す断面図である。
【図２３】本発明の第１の実施の形態における凸部の形
成方法の第３の例を示す断面図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドを示す断面図である。
【図２５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２８】図２７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２９】従来の磁気ヘッドの平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…上部シールド層、９ａ…凸部形成層、１０…
下部磁極層、１０ａ…磁極部分、１０ｃ…平坦部分、１
０ｄ…傾斜部分、１２…薄膜コイル、１３…絶縁層、１
４…記録ギャップ層、１５…上部磁極層、１７……オー
バーコート層。

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
    向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を
    含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第
    ２の磁性層と、 前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極
    部分との間に設けられたギャップ層と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであっ
    て、 第１の磁性層は、前記ギャップ層に接する磁極部分と、
    前記ギャップ層からギャップ層の厚み方向に離れた位置
    で且つ前記磁極部分よりも媒体対向面から離れた位置に
    配置された平坦部分と、前記磁極部分と前記平坦部分と
    を連結し、媒体対向面に近づくほどギャップ層に近づく
    傾斜部分とを有し、 前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第１の磁性層
    の前記磁極部分および傾斜部分の側方に配置され、 前記第２の磁性層は、前記ギャップ層を含む平坦な面に
    接しトラック幅を規定する部分を有することを特徴とす
    る薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記第１の磁性層の前記傾斜部分におけ
    る前記ギャップ層側の面は曲面をなすことを特徴とする
    請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 更に、前記第１の磁性層の前記磁極部分
    および傾斜部分の側方に配置された前記薄膜コイルの少
    なくとも一部を覆い、そのギャップ層側の面が前記第１
    の磁性層の磁極部分におけるギャップ層側の面と共に平
    坦化された絶縁層を備えたことを特徴とする請求項１ま
    たは２記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 更に、磁気抵抗素子と、媒体対向面側の
    一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置さ
    れ、前記磁気抵抗素子をシールドする第１および第２の
    シールド層とを備えたことを特徴とする請求項１ないし
    ３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記第１の磁性層の前記平坦部分は前記
    第２のシールド層に隣接し、 前記第１の磁性層の前記磁極部分および傾斜部分と前記
    第２のシールド層との間に、これらを分離すると共に前
    記磁極部分および傾斜部分の形状を規定する分離層が設
    けられていることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記分離層は非磁性材料によって形成さ
    れていることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  7. 【請求項７】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
    向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を
    含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第
    ２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２
    の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
    少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    設けられた薄膜コイルとを備え、 第１の磁性層は、前記ギャップ層に接する磁極部分と、
    前記ギャップ層からギャップ層の厚み方向に離れた位置
    で且つ前記磁極部分よりも媒体対向面から離れた位置に
    配置された平坦部分と、前記磁極部分と前記平坦部分と
    を連結し、媒体対向面に近づくほどギャップ層に近づく
    傾斜部分とを有し、 前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第１の磁性層
    の前記磁極部分および傾斜部分の側方に配置され、 前記第２の磁性層は、前記ギャップ層を含む平坦な面に
    接しトラック幅を規定する部分を有する薄膜磁気ヘッド
    の製造方法であって、 第１の磁性層の下地層の上において第１の磁性層の磁極
    部分に対応する位置に凸部を形成する工程と、 前記下地層の上に前記平坦部分が形成され、前記凸部を
    覆う部分によって前記磁極部分および傾斜部分が形成さ
    れるように、前記下地層および前記凸部の上に前記第１
    の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形
    成する工程と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 少なくとも一部が前記第１の磁性層の前記磁極部分およ
    び傾斜部分の側方に配置されるように前記薄膜コイルを
    形成する工程と、 前記第１の磁性層、前記ギャップ層および前記第２の磁
    性層を研磨して、媒体対向面を形成する工程とを含むこ
    とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記第１の磁性層の前記傾斜部分におけ
    る前記ギャップ層側の面は曲面をなすことを特徴とする
    請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記凸部の上面は曲面をなすことを特徴
    とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 更に、前記第１の磁性層の前記磁極部
    分および傾斜部分の側方に配置された前記薄膜コイルの
    少なくとも一部を覆い、そのギャップ層側の面が前記第
    １の磁性層の磁極部分におけるギャップ層側の面と共に
    平坦化された絶縁層を形成する工程を含むことを特徴と
    する請求項７ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記媒体対向面を形成する工程におい
    て前記凸部を除去することを特徴とする請求項７ないし
    １０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記媒体対向面を形成する工程におい
    て前記凸部の一部を除去することを特徴とする請求項７
    ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  13. 【請求項１３】 前記凸部は、熱処理されたレジスト層
    によって形成されることを特徴とする請求項７ないし１
    ２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記凸部は、金属のめっき層によって
    形成されることを特徴とする請求項７ないし１２のいず
    れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 更に、磁気抵抗素子と、媒体対向面側
    の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置
    され、前記磁気抵抗素子をシールドする第１および第２
    のシールド層とを形成する工程を含むことを特徴とする
    請求項７ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記第１の磁性層の前記平坦部分は前
    記第２のシールド層に隣接し、 前記第１の磁性層の前記磁極部分および傾斜部分と前記
    第２のシールド層との間に、これらを分離すると共に前
    記凸部を形成して前記磁極部分および傾斜部分の形状を
    規定する分離層が設けられることを特徴とする請求項１
    ５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記分離層は非磁性材料によって形成
    されることを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
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