JP2001153617A - 高さ測定方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高さ測定の基準となる基準面を高精度に設定で
き、バンプの高さ測定を簡単に、しかも高精度に実現で
きる高さ測定方法および装置を提供する。 【解決手段】ウェハ３面に対しレーザ光を２次元走査し
ながら照射し、バンプ２およびウェハ３で反射した反射
光を光位置検出部５により受光し、この反射光の受光量
から各測定点の高さ測定値を求めるとともに、これら測
定値に対応する３次元形状図を生成し、この３次元形状
図上で指定される測定基準領域における各測定点の高さ
測定値の分散値を求め、この分散値が予め設定された分
散しきい値以下ならば、測定基準面として採用し、この
測定基準面での基準高さを基にバンプ２の高さを求め
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばウェハ上に
形成されるバンプなどの高さ測定に用いられる高さ測定
方法および装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、ＬＳＩの高速化、高集積化に伴い
ＬＳＩチップを基板に実装する手段は、ワイヤボンディ
ング法から半田バンプ法に移行しつつある。

【０００３】このような半田バンプ法は、半導体チップ
の下面にバンプと呼ばれる直径１００μｍ程度の半田ボ
ールを設け、これらを同じ大きさの電極を設けた基板に
正確に位置決めし、リフローすることで半田付けを行な
うようにしている。この場合、各バンプは、基板上の対
応する電極に正確に接続されなければならず、このた
め、各バンプの形状および高は、均一であることが重要
である。仮に、他のバンプより高さの低いものがある
と、基板上の電極に対する接続が不安定になり、逆に他
のバンプより高さの高いものがあると、このようなもの
は、バンプ形状が他より大きいことからリフローによる
ボンディング工程で隣接するバンプと短絡してしまうお
それがある。

【０００４】そこで、従来は、基板への接続前に、半導
体チップのバンプの高さ測定を行なっていた。通常のバ
ンプの高さ測定では、まず、半導体チップの高さ、すな
わち半導体チップを載置しているステージから半導体チ
ップのバンプを配置している面（以下、測定基準面と称
する。）までの高さ（以下、基準高さと称する。）を求
める。

【０００５】次いで、バンプ頂点の高さを求めた後、バ
ンプ頂点の高さから基準高さを差し引くことで、バンプ
の高さのみを求めるようにしている。

【０００６】この種の高さ測定装置として、例えば特開
平９−３２９４２２号に開示されている高さ測定装置に
ついて詳述すると、この装置は、基準高さを求めるため
に測定基準面にフォーカスを合わせるため、測定対象物
であるバンプを設けた測定基準面に対して垂直に設けら
れたＣＣＤカメラと、測定基準面に対して斜め上方に設
けられ、測定対象物上をレーザ光で走査する走査手段を
備えたレーザ走査部と、測定基準面に対して斜め上方に
設けられ、レーザ走査部によって走査された測定対象物
からの反射光を受光する受光部を備えた光位置検出部を
備えている。

【０００７】この装置では、始めにＣＡＤ情報に基いて
測定基準面、ここでは半導体チップ上のバンプまたはパ
ターンによる影響の少ない点（領域）をマウスにより少
なくとも３箇所指定する。

【０００８】次いで、ＣＣＤカメラによって測定基準面
でフォーカスしたときの測定基準高さを求めるととも
に、指定した３箇所の点（領域）に基き測定基準面Ｓを
求め、各測定点での基準高さＨを求める。

【０００９】次いで、レーザ走査部で、測定対象物上を
レーザ光で走査し、測定対象物上からの反射光を光位置
検出部で検出することによりバンプ頂点の高さＨ’を求
め、この高さＨ’から基準高さＨを差し引くことで、バ
ンプ高さｈを求めるようにしている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平９−
３２９４２２号に記載の装置によると、ＣＣＤカメラに
よる測定基準面の測定基準高さ測定を行なった後に、レ
ーザ走査部と光位置検出部とによるバンプ頂点の高さ測
定を行なう必要があるため、バンプの高さを求めるまで
に時間がかかってしまう。

【００１１】さらに、測定基準面上で指定した点（領
域）でのコントラストが低いと、正確なフォーカスが得
られず、精度のよい高さ測定が不可能になるという問題
が生じる。

【００１２】また、このようなバンプの高さ測定を精度
よく行なうには、基準面Ｓを決定するための領域の指定
も重要な項目の一つである。

【００１３】近年、バンプの高密度化が進み、基準面を
求めるために少なくとも３つの点（領域）の指定が可能
な箇所が限定されてきた。

【００１４】このため、点（領域）をバンプ近傍に設定
して、基準面を求めようとした場合、後述するような問
題も考えられる。

【００１５】詳述すると、バンプ周囲には、パターンを
形成する工程で残ってしまったレジストのフラックス等
が付着していることが多い、そのため、半導体チップの
高さにレジストのフラックスの厚さを加えた高さで基準
面を求めてしまうことになる。

【００１６】また、測定対象物上をレーザ光で走査する
と、レジストのフラックスなどによる散乱で、大きな測
定誤差を生じることが考えられる。

【００１７】さらに指定した点（領域）にウェハ面の高
さを測っている部分とレジストの厚さを含む高さを測っ
ている部分とが混在しているので、測定結果のバラツキ
が大きくなるなどの高さ測定の精度が大幅に低下してし
まうという問題があった。

【００１８】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、バンプの高さ測定を簡単に、しかも高精度に実現で
きる高さ測定方法および装置を提供することを目的とす
る。

【００１９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の高さ測定
方法は、測定対象物を有する測定基準面を測定光で走査
するとともに、前記測定対象物および前記測定基準面の
各測定点で反射される反射光を受光し、この反射光から
各測定点の高さ測定値または明るさ測定値を求めるとと
もに、これら測定値に対応する参照図を作成し、この参
照図上で指定される測定基準領域における各測定点の高
さ測定値または明るさ測定値の分散値を求め、この分散
値が予め設定された分散しきい値以下ならば測定基準面
として採用し、該測定基準面での基準高さを基に前記測
定対象物の高さを求めることを特徴としている。

【００２０】請求項２記載の高さ測定方法は、請求項１
記載の発明において、前記測定対象物および測定基準面
から反射される反射光の光量が所定値を超えると判断し
た場合、前記所定値を超えたと判断した測定点に対応す
る前記参照図上の位置に、前記所定値を超えたと判断し
た測定点での測定基準領域の指定を避けるための情報を
貼り付けておくことを特徴としている。

【００２１】請求項３記載の高さ測定装置は、測定対象
物を有する測定基準面に対して測定光を走査するととも
に、前記測定対象物および測定基準面の各測定点で反射
される反射光を受光する光走査手段と、前記光走査手段
で受光された前記反射光から各測定点の高さ測定値また
は明るさ測定値を求めるとともに、これら測定値に対応
する参照図を生成する参照図生成手段と、前記参照図生
成手段で生成した参照図を表示する表示手段と、前記表
示手段に表示された前記参照図上で測定基準領域を指定
する領域指定手段と、高さ測定値または明るさ測定値の
分散しきい値を記憶しておく記憶手段と、前記参照図上
で指定される各測定点の高さ測定値または明るさ測定値
に基いて分散値を求め、この分散値が予め記憶されてい
る分散しきい値以下ならば測定基準面として採用し、該
測定基準面での基準高さを基に前記測定対象物の高さを
求める手段とを具備したことを特徴としている。

【００２２】この結果、本発明によれば、高さ測定の基
準となる基準面を簡単に、高精度に設定できるので、測
定対象物であるバンプの高さ測定を簡単に、しかも高精
度に実現できる。

【００２３】また、本発明によれば、領域設定に不適切
な部分を避けて基準領域を設定することができ、基準面
設定までの時間を短縮できる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に従い説明する。

【００２５】（第１の実施の形態）図１は、本発明が適
用される高さ測定装置の概略構成を示している。図にお
いて、１はＸ−Ｙステージで、このＸ−Ｙステージ１
は、測定対象物であるバンプ２を設けたウェハ３を載置
するもので、ＸおよびＹ軸方向に水平移動可能にしてい
る。なお、ウェハ３のバンプ２を設けた面をここでは測
定基準面と称する。

【００２６】Ｘ−Ｙステージ１の上方には、Ｘ−Ｙステ
ージ１上に載置されるウェハ３およびバンプ２に対して
レーザ光を斜め上方から照射可能に配置したレーザ走査
部４とウェハ３およびバンプ２で反射したレーザ走査部
４からのレーザ光（反射光）を受光するように配置され
た光位置検出器（ＰＳＤ）５とからなる光走査手段が設
けられている。レーザ走査部４は、レーザ光をウェハ３
に対してＹ軸方向に走査可能に構成され、Ｘ−Ｙステー
ジ１のＸおよびＹ軸方向の水平移動により、レーザ走査
光をウェハ３上に対しＸＹ軸方向に走査するようになっ
ている。また、光位置検出部５は、バンプ２およびウェ
ハ３で反射した反射光を受光し、この受光量に応じた電
流出力ａ、ｂを出力するようにしている。

【００２７】光位置検出部５には、Ｉ−Ｖ変換器６が接
続されている。Ｉ−Ｖ変換器６は、光位置検出部５から
の電流出力ａ、ｂより（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）を計算
し、光位置検出部５の受光面の中心に対する受光の重心
の座標を求めるとともに、この座標で受光した受光量に
応じた電圧を出力するようにしている。

【００２８】Ｉ−Ｖ変換器６には、高さメモリ７が接続
され、この高さメモリ７には、ＣＰＵ８が接続されてい
る。

【００２９】ＣＰＵ８は、Ｉ−Ｖ変換器６から出力され
る光位置検出部５上の座標で受光しいた受光量に応じた
電圧値に基いて各測定点でのウェハ３およびバンプ２の
高さ（以下、高さ測定値と称する。）を求めるととも
に、各測定値に対応する参照図、ここでは３次元形状図
を生成する機能を有している。高さメモリ７は、ＣＰＵ
８で求められた各測定点の高さ測定値を記憶するもので
ある。

【００３０】そして、ＣＰＵ８には、Ｘ−Ｙステージ１
をＸおよびＹ軸方向に駆動するためのＸ−Ｙステージ駆
動部９、表示部１０、分散しきい値σ０を入力するキー
ボード１１、表示部１０上においてウェハ３上の測定基
準領域を指定するためのマウス１２、このマウス１２に
より指定されたウェハ３上の測定基準領域を記憶する測
定基準領域メモリ１３、キーボード１１より予め入力し
ておく分散しきい値σ０を記憶する分散しきい値メモリ
１４、ウェハ３上の測定基準高さを記憶する測定基準高
さメモリ１５がそれぞれ接続されている。さらに、ＣＰ
Ｕ８は、参照図上で指定される各測定点の高さ測定値に
基いて分散値σを求め、この分散値σが予め記憶されて
いる分散しきい値σ０以下ならば、測定基準面として採
用し、この測定基準面での基準高さを基に測定対象物の
高さを求める機能も有している。

【００３１】次に、このように構成した実施の形態の動
作を図２の高さ測定に係わるフローチャートにより説明
する。

【００３２】まず、Ｘ−Ｙステージ駆動部９によりＸ−
Ｙステージ１をＸおよびＹ軸方向に移動させてレーザ走
査部４からのレーザ走査光をウェハ３面に対しＸＹ軸方
向に走査しながら照射し、バンプ２およびウェハ３で反
射した反射光を光位置検出部５により受光させる。する
と、光位置検出部５より電流出力ａ、ｂが出力され、Ｉ
−Ｖ変換器６に与えられる。Ｉ−Ｖ変換器６では、光位
置検出部５からの電流出力ａ、ｂにより（ａ−ｂ）／
（ａ＋ｂ）が計算され、光位置検出部５の受光面の中心
に対する受光の重心の座標での受光量に応じた電圧値を
出力する。

【００３３】Ｉ−Ｖ変換器６の電圧出力は、ＣＰＵ８に
取込まれると、ＣＰＵ８では、Ｉ−Ｖ変換器６からの電
圧出力から高さ測定値を求め、これらの高さ測定値より
３次元形状図を生成し（ステップ２０２）、これら高さ
測定値を各測定点に対応させて高さメモリ７に記憶させ
るとともに、参照図としての３次元形状図を表示部１０
に表示させる。

【００３４】オペレータは、マウス１２を用いて、表示
部１０に表示された３次元形状図を用いてウェハ３上に
バンプ２、レジストのフラックスまたはパターンを含ま
ない矩形状の領域を測定基準領域として複数箇所指定す
る（ステップ２０３）。これら測定基準領域は、測定基
準領域メモリ１３に指定した領域の測定点とともに記憶
される。

【００３５】この状態で、測定基準領域内の各測定点で
の高さ測定値をヒストグラムにし、全ての測定点での測
定値に基いて各座標での高さ測定値の分散値σを求め、
各分散値σと予め入力されている分散しきい値σ０とを
比較する（ステップ２０４、２０５）。この場合、分散
しきい値σ０は、予め理想とするウェハ３面の所定領域
について高さ測定を行ない、この領域内の各測定点での
高さ測定値をヒストグラムにし、全ての測定点での高さ
測定値に基いて求められた高さ測定値の分散値からなる
もので、キーボード１１からの入力により分散しきい値
メモリ１４に記憶されたものである。

【００３６】そして、この比較結果から、分散値σが分
散しきい値σ０以下ならば、このときの測定基準領域の
各測定点での高さ測定値から最小二乗平面を求め、測定
基準面として採用し（ステップ２０６）、また、分散値
σが分散しきい値σ０を超えていれば、この測定基準領
域には、レジストのフラックスなどが付着していると見
なし、測定基準面として不採用と判断される（ステップ
２０７）。

【００３７】ステップ２０６で採用された場合は、この
採用された測定基準面での基準高さ（バンプ２底面の高
さ）Ｈを求めて（ステップ２０８）、基準高さメモリ１
５に記憶し、次いで、ウェハ３上のバンプ２頂点の高さ
Ｈ’と基準高さＨの差から、バンプ２の高さｈを求める
（ステップ２０９）。そして、全ての測定基準領域につ
いて調べたかを判断し（ステップ２１０）、調べていな
い領域がある場合は、次の測定基準領域に移って（ステ
ップ２１１）、ステップ２０４以降の動作を繰り返す。

【００３８】また、ステップ２０７で不採用と判断され
た場合は、ステップ２１０に飛んで、調べていない領域
がある場合は、次の測定基準領域に移って（ステップ２
１１）、ステップ２０４以降の動作を繰り返す。

【００３９】従って、このようにすれば、ウェハ３面に
対してレーザ光を２次元走査しながら照射し、バンプ２
およびウェハ３で反射した反射光を光位置検出部５によ
り受光し、この反射光の受光量から各測定点の高さ測定
値を求めるとともに、これら測定値を基に３次元形状図
を生成し、この３次元形状図上で指定される所定の領域
における各測定点の高さ測定値の分散値σを求め、この
分散値σが予め入力されている分散しきい値σ０以下な
らば、所定の領域内の測定基準面をバンプ２の高さ測定
のための測定基準として採用するようにしたので、高さ
測定の基準となる測定基準面をレーザ走査光の一回の走
査のみにより簡単に、高精度に設定できるようになり、
これによりバンプの高さ測定を簡単に、しかも高精度に
実現できる。また、従来のものと比べ、ＣＣＤカメラを
用いることなくバンプの高さ測定ができるので、全体の
構成を簡単にでき、コスト的にも有利にできる。

【００４０】なお、上述した実施の形態では、光位置検
出部５の出力より求められる各測定点の高さ測定値から
測定基準面を求める例を述べたが、明るさ測定値、すな
わち受光量の大小を用いて測定基準面を求めることもで
きる。

【００４１】（第２の実施の形態）この場合の高さ測定
装置の概略構成は、図１と同様なので、同図を援用する
が、本実施の形態では、Ｉ−Ｖ変換器６に接続されてい
る光量メモリ１６を用いる。この光量メモリ１６は、光
位置検出部５で受光した各測定点での光量に応じたＩ−
Ｖ変換器６からの出力を記憶するものである。

【００４２】このような構成においても、第１の実施の
形態で述べたものと同様に、レーザ走査部４からのレー
ザ走査光をＸ−Ｙステージ１のＸＹ方向の移動でウェハ
３上に対してＸＹ方向に走査するように照射し、バンプ
２およびウェハ３上で反射した反射光を光位置検出部５
で受光することにより、Ｉ−Ｖ変換器６から出力される
電圧値に基いて各測定点での高さ測定値を求め、これら
の高さ測定値より３次元形状図を生成する。

【００４３】また、これと同時に、光位置検出部５で受
光した各測定点での光量に応じたＩ−Ｖ変換器６の出力
を光量メモリ１６に記憶する。この状態で、ＣＰＵ８
は、光量メモリ１６に記憶された各測定点での光量から
測定値、ここでは光位置検出部５が受光できる光量の規
格値を超えている測定点を判断すると、この測定点に対
応する３次元形状図上の位置に、その旨の情報、例えば
色情報を重ねて表示させる。

【００４４】これにより、オペレータは、３次元形状図
を見ながら、色情報が表示されている部分を避けて測定
基準領域を設定することができるので、測定基準面設定
までの時間を短縮できる。

【００４５】なお、上述した実施の形態では、光量が規
格値を超えていると判断されると、その測定点に対応す
る３次元形状図上の位置にその旨の情報として色情報を
重ねて表示していたが、これに限られるものでなく、例
えば、その測定点に対応する情報は、採用しないように
マスクしておくことで、オペレータが指定した領域の中
に光量が規格値を超える領域が含まれていても、自動的
に除外するようにできる。また、上述した実施の形態で
は、所定値をＰＳＤの規格値として説明していたが、そ
れに限られるものでなく、任意に設定した設定値であっ
てもよい。その理由としては、例えば、光位置検出部５
からの出力電流を電圧に変換する回路に最大入力定格
（規格値）が１０ＶのＩＣを使用している場合、１０Ｖ
を超えた入力があると計算結果に誤差が生じる可能性が
ある。また、各ＩＣにもバラツキがあるため、同じ型番
のものを使用して、全て１０Ｖを所定値として設定した
のでは、出力結果に誤差が生じてしまう可能性がある。
そのため、この場合オペレータが所定値として９Ｖや１
０．５ＶのＩＣに適した任意の設定値を設定することで
出力結果に生じる可能性のあった誤差を小さくすること
ができる。また、測定を繰り返し行ない、その度に測定
結果を蓄積することによって出力結果に生じる可能性の
あった誤差をさらに小さくすることができる。

【００４６】（第３の実施の形態）図３は、本発明の第
３の実施の形態の概略構成を示すもので、図１と同一部
分には、同符号を付して説明は省略する。

【００４７】この場合、バンプ２を形成したウェハ３の
上方にＣＣＤカメラ１７が配置されている。このＣＣＤ
カメラ１７は、バンプ２およびウェハ３の２次元画像を
撮像するようにしている。

【００４８】このような構成においても、第１の実施の
形態で述べたものと同様にして３次元形状図を生成す
る。また、これと同時に、ＣＣＤカメラ１７を用いてバ
ンプ２およびウェハ３を真上から見た２次元画像を撮像
し、この画像を表示部１０に表示させる。

【００４９】次に、図４に示すように、表示部１０上で
測定対象物のバンプ２を囲む４個の矩形状の領域Ｎ１〜
Ｎ４をマウス１２を使って入力する。この場合、領域Ｎ
１、Ｎ２は、バンプ２の重心からＬ１だけ水平方向に離
れており、領域Ｎ３、Ｎ４は、バンプ２の重心からＬ２
だけ垂直方向に離れているものとする。なお、この設定
は、予めオペレータによって設定されてもよく、例え
ば、測定対象物を中心にＬ１，Ｌ２を予め設定しておく
ことで、測定対象物を指定すると、自動的にＬ１，Ｌ２
が設定されるようにすることもできる。

【００５０】そして、第１の実施の形態の図２で述べた
と同様にして図５に示すように、ウェハ３上をレーザ走
査光でＸＹ軸方向に走査する。その際に、領域Ｎ１の座
標に対応する３次元形状図中の各測定点の高さ測定値を
読出し、これら高さ測定値をヒストグラムにし、分散値
σを求め、予め設定された分散しきい値σ０と比較し、
分散値σが分散しきい値σ０以下ならば、測定基準面と
して採用し、また、高さしきい値σ０を超えていれば、
測定基準面として不採用と判断する。また、このような
動作を他の領域Ｎ２〜Ｎ４についても実行し、採用する
ものと不採用のものを判定する。

【００５１】次に、これらの採用、不採用の結果に基い
て、高さ基準を決定するが、ここでは、ステップ３０９
〜３１３において採用される領域の個数に応じて以下の
ように高さ基準を決定している。

【００５２】（１）採用される領域の数が０の場合、測
定対象物であるバンプ２の周りの領域で基準高さを計算
できない代わりに、隣接するバンプ２の基準高さを採用
する（ステップ３０９）。つまり、バンプ２ごとに基準
高さを求めるので、求められない場合は、隣のバンプで
求めた基準高さを使用する。

【００５３】（２）採用される領域の数が１個の場合、
測定対象物であるバンプ２の周りで採用された１個の領
域内での各測定点の測定基準高さの平均高さをバンプ２
に対する基準高さとする（ステップ３１０）。

【００５４】（３）採用される領域の数が２個の場合、
測定対象物であるバンプ２の周りで採用された２個の領
域内での各測定点の測定基準高さの平均値を、さらに平
均した値をバンプ２に対する基準高さとする（ステップ
３１１）。

【００５５】（４）採用される領域の数が３個の場合、
測定対象物であるバンプ２の周りで採用された３個の領
域内での各測定点の測定基準高さの平均高さを通る平面
を計算し、その平面上での測定対象物の重心位置に当た
る高さを高さ基準とする（ステップ３１２）。

【００５６】（５）採用される領域の数が４個の場合、
測定対象物であるバンプ２の周りで採用された４個の領
域での各測定点の測定基準高さの平均高さから最小二乗
平面を求め、この最小二乗平面上での測定対象物の重心
位置に当たる高さを基準高さとする（ステップ３１
３）。

【００５７】そして、このようにして求められた基準高
さをバンプ２頂点の高さから差し引くことで、バンプ２
の高さを求めるようになる。

【００５８】従って、このようにすればＣＣＤカメラ１
７により撮像したバンプ２およびウェハ３の２次元画像
を用いて、肉眼で見た画像に近い状態で測定基準領域の
設定を行なうことができるので、間違えてバンプ２を含
むことなく、直観的な短時間で測定基準領域の設定を行
なうことができる。また、測定対象物のバンプ２を囲む
ように測定基準領域を設定し、基準高さを求めるように
しているので、バンプ高さを高精度に測定することがで
きる。

【００５９】なお、この実施の形態では、１個のバンプ
２の周囲に複数の測定基準領域を設定する場合を述べた
が、複数のバンプ２の周囲に複数の測定基準領域を設定
すようにしても、それぞれのバンプ高さを高精度に測定
することができる。

【００６０】（第４の実施の形態）上述した各実施の形
態では、観察者がマウスを用いて測定基準領域を指定す
る場合を述べたが、測定基準領域の指定を自動的に行な
うこともできる。

【００６１】図６は、バンプ２、パターン１８を形成し
ているウェハ３の一部領域の明るさ画像を拡大して示し
たもので、このような画像について第１の実施の形態で
述べた要領で、各箇所での高さ測定値を求めると、図７
に示すように、パターンを形成する工程で残ってしまっ
たレジストのフラックスが付着している領域Ａ−Ｂでの
高さ測定値はＨＡ、その分散はＤＡとなり、また、レジ
ストのフラックスが付着していない領域Ｃ−Ｄでの高さ
測定値はＨＢ、その分散はＤＢのように求められる。こ
の場合、同図では、レジストのフラックスが付着してい
ない領域Ｃ−Ｄでは、高さ測定値ＨＢの分散ＤＢは小さ
く、レジストのフラックスが付着している領域Ａ−Ｂで
の高さ測定値ＨＡの分散ＤＡは大きくなるが、この領域
Ａ−Ｂ中でもレジストのフラックスが付着していない部
分での高さ測定値ＨＡの分散ＤＡは小さくなる。

【００６２】そこで、この領域Ａ−Ｂ中で高さ測定値Ｈ
Ａの分散値ＤＡの小さい部分（図示例のＯＫ部分）を自
動的に判断して選択できるようにすれば、測定基準領域
の設定を人の手を煩わすことなく、自動的に行なうこと
ができる。

【００６３】従って、このようにすれば、測定基準領域
の設定を自動的に行なうことができるので、バンプ高さ
の測定をさらに簡単に行なうことができる。

【００６４】なお、上述した実施の形態では、測定基準
領域は、矩形状のもので説明していたが、特に限定され
るものでない。また、上述した実施の形態では、各測定
値に対する参照図に３次元形状図を用いていたが、それ
に限るものでなく、測定基準領域を指定するのに支障が
なければ、どのような形態の図であってもよく、例え
ば、２次元平面図や基準平面に相当する部分とバンプ部
などの部分と異なった色で表わすようにしてもよい。

【００６５】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、高さ
測定の基準となる基準面を高精度に設定でき、バンプの
高さ測定を簡単に、しかも高精度に実現できる高さ測定
方法および装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の概略構成を示す
図。

【図２】第１の実施の形態の動作を説明するためのフロ
ーチャート。

【図３】本発明の第３の実施の形態の概略構成を示す
図。

【図４】第３の実施の形態を説明するための図。

【図５】第３の実施の形態の動作を説明するためのフロ
ーチャート。

【図６】本発明の第４の実施の形態を説明するための
図。

【図７】第４の実施の形態を説明するための図。

【符号の説明】

１…Ｘ−Ｙステージ ２…バンプ ３…ウェハ ４…レーザ走査部 ５…光位置検出部 ６…Ｉ−Ｖ変換器 ７…メモリ ８…ＣＰＵ ９…Ｘ−Ｙステージ駆動部 １０…表示部 １１…キーボード １２…マウス １３…測定基準領域メモリ １４…分散しきい値メモリ １５…測定基準高さメモリ １６…光量メモリ １７…ＣＣＤ １８…パターン

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA24 BB05 CC17 CC26 DD06 FF01 FF02 FF09 GG04 GG12 HH04 JJ03 JJ16 KK01 LL61 MM16 PP12 QQ23 QQ42 QQ43 RR06 UU05 4M106 AA02 AD26 BA05 CA48 DB01 DB04 DB08 DJ04 DJ20 DJ21

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 測定対象物を有する測定基準面を測定光
   で走査するとともに、前記測定対象物および前記測定基
   準面の各測定点で反射される反射光を受光し、 この反射光から各測定点の高さ測定値または明るさ測定
   値を求めるとともに、これら測定値に対応する参照図を
   作成し、 この参照図上で指定される測定基準領域における各測定
   点の高さ測定値または明るさ測定値の分散値を求め、 この分散値が予め設定された分散しきい値以下ならば測
   定基準面として採用し、該測定基準面での基準高さを基
   に前記測定対象物の高さを求めることを特徴とする高さ
   測定方法。
2. 【請求項２】 前記測定対象物および測定基準面から反
   射される反射光の光量が所定値を超えると判断した場
   合、 前記所定値を超えたと判断した測定点に対応する前記参
   照図上の位置に、前記所定値を超えたと判断した測定点
   での測定基準領域の指定を避けるための情報を貼り付け
   ておくことを特徴とする請求項１記載の高さ測定方法。
3. 【請求項３】 測定対象物を有する測定基準面に対して
   測定光を走査するとともに、前記測定対象物および測定
   基準面の各測定点で反射される反射光を受光する光走査
   手段と、 前記光走査手段で受光された前記反射光から各測定点の
   高さ測定値または明るさ測定値を求めるとともに、これ
   ら測定値に対応する参照図を生成する参照図生成手段
   と、 前記参照図生成手段で生成した参照図を表示する表示手
   段と、 前記表示手段に表示された前記参照図上で測定基準領域
   を指定する領域指定手段と、 高さ測定値または明るさ測定値の分散しきい値を記憶し
   ておく記憶手段と、 前記参照図上で指定される各測定点の高さ測定値または
   明るさ測定値に基いて分散値を求め、この分散値が予め
   記憶されている分散しきい値以下ならば測定基準面とし
   て採用し、該測定基準面での基準高さを基に前記測定対
   象物の高さを求める手段とを具備したことを特徴とする
   高さ測定装置。