JP2001035177A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 出力端子として働く第１の端子と、
   前記第１の端子に接続され、実質的に温度に依存しない第１の一定電流を前記第１の端子に供給あるいは前記第１の端子から放電する第１の一定電流源と、
   前記第１の端子に接続され、温度に依存する第１の温度依存電流を前記第１の端子に供給あるいは前記第１の端子から放電する第１の温度依存電流源と、
   前記第１の端子に接続された第１の電流／電圧変換器と
   を具備することを特徴とする電圧発生回路。
2. 出力端子として働く第１の端子と、
   前記第１の端子に接続され、実質的に温度に依存しない第１の一定電流を前記第１の端子に供給する第１の一定電流源と、
   前記第１の端子に接続され、実質的に温度に依存しない第２の一定電流を前記第１の端子から放電する第２の一定電流源と、
   前記第１の端子に接続され、温度に依存する第１の温度依存電流を前記第１の端子に供給する第１の温度依存電流源と、
   前記第１の端子に接続され、温度に依存する第２の温度依存電流を前記第１の端子から放電する第２の温度依存電流源と、
   前記第１の端子に接続された第１の電流／電圧変換器と
   を具備することを特徴とする電圧発生回路。
3. 出力端子として働く第１の端子と、
   前記第１の端子に接続され、実質的に温度に依存しない第１の一定電流を前記第１の端子に供給する第１の一定電流源と、
   前記第１の端子に接続され、温度に依存する第１の温度依存電流を前記第１の端子から放電する第１の温度依存電流源と、
   前記第１の端子に接続された第１の電流／電圧変換器と
   を具備することを特徴とする電圧発生回路。
4. 出力端子として働く第１の端子と、
   前記第１の端子に接続され、実質的に温度に依存しない第１の一定電流を前記第１の端子に供給あるいは前記第１の端子から放電する第１の一定電流源と、
   前記第１の端子に接続され、温度に依存する第１の温度依存電流を前記第１の端子に供給する第１の温度依存電流源と、
   前記第１の端子に接続された第１の電流／電圧変換器と
   を具備することを特徴とする電圧発生回路。
5. 前記温度依存電流は、絶対温度に比例することを特徴とする請求項１乃至４いずれか１つの項に記載の電圧発生回路。
6. 前記第１の電流／電圧変換器は、前記第１の端子と接地電位間に設けられることを特徴とする請求項１乃至５いずれか１つの項に記載の電圧発生回路。
7. 前記第１の電流／電圧変換器は、抵抗及びトランジスタの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１乃至６いずれか１つの項に記載の電圧発生回路。
8. 前記一定電流及び前記温度依存電流の少なくとも一方は、周辺回路の動作モード、外部から入力されるコマンド、及びフューズ素子に記憶したデータの少なくともいずれか１つにより変更されることを特徴とする請求項１乃至７いずれか１つの項に記載の電圧発生回路。
9. 第２の端子と第３の端子間に接続される第２の電流／電圧変換器と、前記第２の端子と前記第３の端子間の電圧を、実質的に温度に依存しない一定電圧に制御する第１の制御回路とを含む一定電流生成回路と、
   第４の端子と第５の端子の間に接続される第１のダイオード素子と、第６の端子と第７の端子の間に接続される第３の電流／電圧変換器と、第７の端子と第５の端子の間に接続される第２のダイオード素子と、前記第４の端子と前記第６の端子とを同電位に制御する第２の制御回路とを含む温度依存電流生成回路と
   を更に具備することを特徴とする請求項１乃至４いずれか１つの項に記載の電圧発生回路。
10. 前記第１あるいは第２の一定電流は前記第２の電流／電圧変換器に流れる電流から生成され、前記第１あるいは第２の温度依存電流は前記第３の電流／電圧変換器に流れる電流から生成されることを特徴とする請求項９に記載の電圧発生回路。
11. 第８の端子と第９の端子間に接続される第４の電流／電圧変換器と、前記第８の端子と前記第９の端子間の電圧を、実質的に温度に依存しない一定電圧に制御する第３の制御回路とを含む一定電流生成回路と、
    第１０の端子に一定電流を供給する一定電流生成回路と、第１０の端子と第１１の端子の間に含まれる第３のダイオード素子と、第１１の端子と第１２の端子の間に接続される第５の電流／電圧変換器と、第１０の端子と第１２の端子とを同電位に制御する第４の制御回路とを含む温度依存電流生成回路と
    を更に具備することを特徴とする請求項１乃至４いずれか１つの項に記載の電圧発生装置。
12. 前記第１あるいは第２の一定電流は前記第４の電流／電圧変換器に流れる電流から生成され、前記第１あるいは第２の温度依存電流は前記第５の電流／電圧変換器に流れる電流から生成されることを特徴とする請求項１１に記載の電圧発生装置。
13. 一定電圧を発生する電圧発生手段と、
    前記電圧発生手段の出力電圧の温度依存性を変える手段と
    を具備することを特徴とする電圧発生回路。
14. 一定電圧を発生する電圧発生手段と、
    前記電圧発生手段の出力電圧の温度温度依存性を一定にした状態で、前記電圧発生手段の出力電圧の値を変える手段と
    を具備することを特徴とする電圧発生回路。
15. 出力端子として働く第１の端子と、
    前記第１の端子に接続され、実質的に温度変化に依存しない定電流を前記第１の端子に供給あるいは前記第１の端子から放電する定電流源と、
    前記第１の端子に接続され、温度が変動するにつれ変化する温度依存電流を前記第１の端子に供給あるいは前記第１の端子から放電する温度依存電流源と、
    前記第１の端子に接続された第１の電流／電圧変換器と、
    第２，第３の端子間に接続された第２の電流／電圧変換器と、前記第２，第３の端子間の電圧を実質的に温度変化に依存しない定電圧に制御するための第１の制御回路とを含み、前記第１の端子に接続された定電流生成回路と、
    第４，第５の端子間に接続された第１のダイオード素子と、第６，第７の端子間に接続された第３の電流／電圧変換器と、前記第５，第７の端子間に接続された第２のダイオード素子と、前記第４，第６の端子の電位を同電位に制御するための第２の制御回路とを含む温度依存電流生成回路と
    を具備することを特徴とする電圧発生回路。
16. 出力端子として働く第１の端子と、
    前記第１の端子に接続され、実質的に温度変化に依存しない定電流を前記第１の端子に供給または前記第１の端子から放電する定電流源と、
    前記第１の端子に接続され、温度が変動するにつれ変化する温度依存電流を前記第１の端子に供給または前記第１の端子から放電する温度依存電流源と、
    前記第１の端子に接続された第１の電流／電圧変換器と、
    第２，第３の端子間に接続された第２の電流／電圧変換器と、前記第２，第３の端子間の電圧を実質的に温度変化に依存しない定電圧に制御するための第１の制御回路とを含み、前記第１の端子に接続された定電流生成回路と、
    第４端子に定電流を供給するための定電流生成デバイスと、前記第４の端子及び第５の端子間に接続されたダイオード素子と、前記第５の端子及び第６の端子間に接続された第３の電流／電圧変換器と、前記第４，第６の端子の電位を同電位に制御するための第２の 制御回路とを含み、前記第１の端子に接続された温度依存電流生成回路と
    を具備することを特徴とする電圧発生回路。
17. 出力端子として働く第１の端子と、
    前記第１の端子に接続され、実質的に温度変化に依存しない第１の定電流を前記第１の端子へ供給する第１の定電流源と、
    前記第１の端子に接続され、実質的に温度変化に依存しない第２の定電流を前記第１の端子から放電する第２の定電流源と、
    前記第１の端子に接続され、温度が変動するにつれ変化する第１の温度依存電流を前記第１の端子へ供給する第１の温度依存電流源と、
    前記第１の端子に接続され、温度が変動するにつれ変化する第２の温度依存電流を前記第１の端子から放電する第２の温度依存電流源と、
    前記第１の端子に接続された電流／電圧変換器と
    を具備することを特徴とする電圧発生回路。
18. 出力端子として働く第１の端子と、
    前記第１の端子に接続され、実質的に温度変化に依存しない定電流を前記第１の端子へ供給する定電流源と、
    前記第１の端子に接続され、温度が変動するにつれ変化する温度依存電流を前記第１の端子から放電する温度依存電流源と、
    前記第１の端子に接続された電流／電圧変換器とを具備し、
    前記定電流及び前記温度依存電流の少なくとも１つは、周辺回路の動作モード、外部から供給されるコマンド、及びフューズ素子に記憶されたデータの少なくとも１つにしたがって変化する
    ことを特徴とする電圧発生回路。
19. 出力端子として働く第１の端子と、
    前記第１の端子に接続され、実質的に温度変化に依存しない定電流を前記第１の端子へ供給する定電流源と、
    前記第１の端子に接続され、温度が変動するにつれ変化する温度依存電流を前記第１の端子から放電する温度依存電流源と、
    前記第１の端子に接続された第１の電流／電圧変換器と、
    第２，第３の端子間に接続された第２の電流／電圧変換器と、前記第２，第３の端子の電圧を実質的に温度変化に依存しない定電圧に制御するための第１の制御回路とを含み、前記第１の端子に接続された定電流生成回路と、
    第４の端子に定電流を供給するための定電流生成デバイスと、前記第４の端子及び第５の端子間に接続されたダイオード素子と、前記第５の端子及び第６の端子間に接続された第３の電流／電圧変換器と、前記第４，第６の端子の電位を同電位に制御するための第２の制御回路とを含み、前記第１の端子に接続された温度依存電流生成回路と
    を具備することを特徴とする電圧発生回路。
20. 出力端子として働く第１の端子と、
    前記第１の端子に接続され、実質的に温度変化に依存しない定電流を前記第１の端子へ供給または前記第１の端子から放電する定電流源と、
    前記第１の端子に接続され、温度が変動するにつれ変化する温度依存電流を前記第１の端子へ供給する温度依存電流源と、
    前記第１の端子に接続された第１の電流／電圧変換器と、
    第２，第３の端子間に接続された第２の電流／電圧変換器と、前記第２，第３の端子間の電圧を実質的に温度変化に依存しない定電圧に制御するための第１の制御回路とを含み、前記第１の端子に接続された定電流生成回路と、
    第４，第５の端子間に接続された第１のダイオード素子と、第６，第７の端子間に接続された第３の電流／電圧変換器と、前記第５，第７の端子間に接続された第２のダイオード素子と、前記第４，第６の端子の電位を同電位に制御するための第２の制御回路とを含み、前記第１の端子に接続された温度依存電流生成回路と
    を具備することを特徴とする電圧発生回路。
21. 出力端子として働く第１の端子と、
    前記第１の端子に接続され、実質的に温度変化に依存しない定電流を前記第１の端子へ供給または前記第１の端子から放電する定電流源と、
    前記第１の端子に接続され、温度が変動するにつれ変化する温度依存電流を前記第１の端子へ供給する温度依存電流源と、
    前記第１の端子に接続された第１の電流／電圧変換器と、
    第２，第３の端子間に接続された第２の電流／電圧変換器と、前記第２，第３の端子間の電圧を実質的に温度変化に依存しない定電圧に制御するための第１の制御回路とを含み、前記第１の端子に接続された定電流生成回路と、
    第４の端子に定電流を供給するための定電流生成デバイスと、前記第４の端子及び第５の端子間に接続されたダイオード素子と、前記第５の端子及び第６の端子間に接続された第３の電流／電圧変換器と、前記第４，第６の端子の電位を同電位に制御するための第２の制御回路とを含み、前記第１の端子に接続された温度依存電流生成回路と
    を具備することを特徴とする電圧発生回路。
22. ゲート、ドレイン及びソース電極を備え、第１，第２及び第３しきい値電圧の１つを持つことが可能なメモリセルと、
    カソードが接地された第１ダイオードと、複数のダイオードが並列接続されて構成され、カソードが接地された第２ダイオードと、一端が前記第１ダイオードのアノードに実質的に接続され、他端が前記第２ダイオードのアノードに接続され、流れる電流が温度に依存して増大する抵抗と、電位レベルと出力電圧の温度依存性の両方を切り替える少なくとも２つのＮチャネル型ＭＯＳトランジスタを有する回路部とを含むバンドギャップリファレンス回路と、
    前記バンドギャップリファレンス回路の出力電圧に基づいて第１ベリファイ電圧と第２ベリファイ電圧を生成し、前記メモリセルのゲートに供給する電圧発生回路とを具備し、
    前記第１ベリファイ電圧は前記第２ベリファイ電圧と異なり、前記第１ベリファイ電圧の温度依存性は前記第２ベリファイ電圧の温度依存性と実質的に等しい
    ことを特徴とする多値の不揮発性半導体装置。