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JP2001031941A - 非導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents

非導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置

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JP2001031941A
JP2001031941A JP11204841A JP20484199A JP2001031941A JP 2001031941 A JP2001031941 A JP 2001031941A JP 11204841 A JP11204841 A JP 11204841A JP 20484199 A JP20484199 A JP 20484199A JP 2001031941 A JP2001031941 A JP 2001031941A
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desirably
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resin
semiconductor device
resin paste
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Masao Kawasumi
雅夫 川澄
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リフローソルダリング時の水分の急激な気化
膨張によるパッケージの膨れを抑制し、リフロークラッ
クが発生しない非導電性樹脂ペースト組成物及びこれを
用いた信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 (A)20℃で液状である芳香族基を有
するエポキシ樹脂、(B)エポキシ化ポリブタジエンと
フェノール樹脂との反応物及び(C)非導電性フィラー
を含有してなる非導電性樹脂ペースト組成物並びにこの
非導電性樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と基板
とを接着した後、封止してなる半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IC、LSI等の
半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ基板等に
接着するのに好適な非導電性樹脂ペースト組成物及びこ
れを用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の実装方式は、高密度実装の
点から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行
しているが、基板への実装には基板全体を赤外線等で加
熱するリフローソルダリングが用いられている。しかし
ながら、この方法では、半導体装置が200℃以上の高
温にさらされるため、半導体装置内部、特に接着剤層中
又は封止剤中に含まれる水分の急激な気化膨張により、
リフロークラックと呼ばれるクラックが生じて、半導体
装置の信頼性が大きく低下するという問題があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、リフローソ
ルダリング時の水分の急激な気化膨張によるパッケージ
の膨れを抑制し、リフロークラックが発生しない非導電
性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた信頼性の高い半
導体装置を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)20℃
で液状である芳香族基を有するエポキシ樹脂、(B)エ
ポキシ化ポリブタジエンとフェノール樹脂との反応物及
び(C)非導電性フィラーを含有してなる非導電性樹脂
ペースト組成物及びこの非導電性樹脂ペースト組成物を
用いて半導体素子と基板とを接着した後、封止してなる
半導体装置に関する。
【0005】本発明は、さらに(B)成分中のエポキシ
化ポリブタジエンが一般式(I)
【化2】 〔式中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は水酸
基を示す〕で表される化合物である上記の非導電性樹脂
ペースト組成物に関する。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の非導電性樹脂ペースト組
成物は、前記のように、(A)〜(C)成分を含有する
ものであるが、(A)成分として用いられるエポキシ樹
脂は、20℃(室温)で液状であり、芳香族基を有する
エポキシ樹脂である。20℃で液状の樹脂としては、粘
度が50ポイズ以下(20℃で)のものが好ましい。こ
れ以外のエポキシ樹脂では耐リフロー性が劣る。前記エ
ポキシ樹脂としては、希釈剤を低減できる点から、粘度
の低いもの、具体的には粘度が20ポイズ以下(20
℃)のものが好ましい。また、硬化性の点から、1分子
中に2個以上のエポキシ基を有するものが好ましい。
【0007】20℃で液状である、ベンゼン環等の芳香
族基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂〔AER−X8501(旭化成
工業(株)、商品名)等〕、ビスフェノールF型エポキシ
樹脂〔YDF−170(東都化成(株)、商品名)等〕、
ビスフェノールAD型エポキシ樹脂〔R−1710(三
井石油化学工業(株)、商品名)等〕、芳香族系のグリシ
ジルアミン型エポキシ樹脂〔ELM−100(住友化学
工業(株)、商品名)等〕、レゾルシン型エポキシ樹脂
〔デナコールEX−201(ナガセ化成工業(株)、商品
名)等〕、一般式(II)
【化3】 〔式中、nは0〜5の整数を表す〕で示されるエポキシ
樹脂〔E−XL−24、E−XL−3L(三井東圧化学
(株)、商品名)等〕などが挙げられる。これらのエポキ
シ樹脂は、2種類以上を適宜組み合わせて用いることも
できる。
【0008】(A)成分は、耐半田リフロー性の点か
ら、(A)〜(C)成分の総量100重量部に対して1
0〜80重量部使用することが好ましく、20〜50重
量部使用することが好ましい。
【0009】また、上記のエポキシ樹脂のうち、ビスフ
ェノールF型エポキシ樹脂及びビスフェノールAD型エ
ポキシ樹脂は、粘度が低く、耐リフロー性に優れるので
好ましい。なお、ビスフェノールFは、2つのヒドロキ
シフエニル基を結ぶ基がメチレン基の化合物であり、ビ
スフェノールADは、2つのヒドロキシフエニル基を結
ぶ基が1,1−エチレン基である化合物である。
【0010】本発明に(B)成分として用いられるエポ
キシ化ポリブタジエンとフェノール樹脂との反応物に用
いられるエポキシ化ポリブタジエンは、ポリブタジエン
にエポキシ基が導入された構造を有するもので、市販品
として、エポリードPB3600、PB4700(いず
れもダイセル化学工業(株)、商品名)、日石ポリブタジ
エンE−1000−3.5(日本石油化学(株)、商品
名)、R−15EPI、R−45EPI(いずれも出光
石油化学(株)、商品名)などが挙げられる。これらのエ
ポキシ化ポリブタジエンは、2種類以上を適宜組み合わ
せて用いてもよい。
【0011】これらのエポキシ化ポリブタジエンのう
ち、前記一般式(I)で表される化合物は、応力低減の
効果が高く、耐リフロー性に優れるので、好ましい。前
記の一般式(I)で表されるエポキシ化ポリブタジエン
としては、エポリードPB3600(式中のR1及びR2
が水素原子)、エポリードPB4700(式中のR1
びR2が水酸基)(いずれもダイセル化学工業(株)製、
商品名)などが挙げられる。
【0012】本発明において、(B)成分の製造に用い
られるフェノール樹脂としては、アリル基を有するフェ
ノール樹脂が好ましい。アリル化フェノール樹脂として
は、一般式(III)
【化4】 〔式中、mは1以上の整数である〕で表されるものが好
ましく、この市販品としてはAL−VR−9300(三
井東圧化学(株)、商品名)などが挙げられる。一般式
(III)において、繰り返し数を示すmは、10以下の
整数であることが好ましい。
【0013】エポキシ化ポリブタジエンとフェノール樹
脂との反応物は、エポキシ化ポリブタジエンとフェノー
ル樹脂とを、ベンジルジメチルアミン等の触媒の存在で
加熱反応させることによって得られる。
【0014】エポキシ化ポリブタジエンとフェノール樹
脂との配合量は、耐リフロー性等の点から、エポキシ化
ポリブタジエン100重量部に対して5〜100重量部
が好ましく、10〜50重量部がより好ましく、10〜
30重量部が特に好ましい。このような割合で配合した
エポキシ化ポリブタジエンとフェノール樹脂に、触媒と
して0.1重量部程度のベンジルジメチルアミンを添加
し、120℃で1時間加熱反応させることにより、エポ
キシ化ポリブタジエンとフェノール樹脂との反応物を得
ることができる。
【0015】また、(B)成分であるエポキシ化ポリブ
タジエンとフェノール樹脂との反応物の配合量は、耐半
田リフロー性などの点から(A)〜(C)成分の総量1
00重量部に対して10〜80重量部が好ましく、20
〜50重量部がより好ましい。
【0016】本発明に(C)成分として用いられる非導
電性フィラーとしては、特に制限はなく、各種のものが
用いられるが、例えば、窒化硼素、酸化珪素、酸化アル
ミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、窒化アルミ
ニウム、炭化珪素、タルク、炭酸カルシウム等が挙げら
れる。これらのうち、接着性に優れ、イオン不純物の少
ない窒化硼素及び酸化アルミニウムが好ましい。非導電
性フィラーの形状は、フレーク状、球状、不定形状等が
あり、特に制限はないが、接着性に優れたフレーク状が
好ましい。その数平均粒径としては、特に制限はない
が、非導電性等の点から50μm以下が好ましく、10
μm以下がより好ましい。平均粒子径はマスターサイザ
ー(マルパン社製)等により測定することができる。
【0017】(C)成分の非導電性フィラーの配合量
は、接着性、作業性等の点から、(A)〜(C)の総量
100重量部に対してl〜80重量部が好ましく、50
〜40重量部がより好ましい。
【0018】さらに、本発明の非導電性樹脂ペースト組
成物には、必要に応じて硬化促進剤を添加することがで
きる。硬化促進剤としては、ジシアンジアミド、有機ボ
ロン塩〔EMZ・K、TPP(北興化学株式会社製、商
品名)等〕、三級アミン類及びその塩〔DBU、U−C
AT102、106、830、840、5002(いず
れもサンアプロ株式会社製、商品名)等〕、イミダゾー
ル類〔キュアゾール2P4MHZ、Cl7Z、2PZ−
O(いずれも四国化成株式会社製、商品名)等〕、アセ
チルアセトン金属塩(金属としてA1、Cu、Co、N
i、Zn等)などが挙げられる。必要に応じて添加され
る硬化促進剤は単独で用いてもよく、複数種の硬化促進
剤を適宜組み合わせて用いてもよい。これらを用いる場
合、その量は(A)成分のエポキシ樹脂100重量部に
対して0.l〜20重量部が好ましく、l〜10重量部
がより好ましい。
【0019】本発明になる非導電性樹脂ペースト組成物
には、ペースト組成物の作成時の作業性及び使用時の塗
布作業性をより良好ならしめるため、必要に応じて希釈
剤を添加することができる。これらの希釈剤としては、
ブチルセロソルブ、カルビトール、酢酸ブチルセロソル
ブ、酢酸カルビトール、エチレングリコールジエチルエ
ーテル、α−テルピネオールなどの比較的沸点の高い有
機溶剤、PGE(日本化薬株式会社製、商品名)、PP
−101(東都化成株式会社製、商品名)、ED−50
2、503、509(旭電化株式会社製、商品名)、Y
ED−122(油化シェルエポキシ株式会社製、商品
名)、KBM−403、LS−7970(信越化学工業
株式会社製、商品名)、TSL−8350、TSL−8
355、TSL−9905(東芝シリコーン株式会社
製、商品名)などのl分子中にl〜2個のエポキシ基を
有する反応性希釈剤が挙げられる。これらは、耐リフロ
ー性の観点からは少ない方が好ましく、具体的には非導
電性樹脂ぺースト組成物中10重量%以下とするのが好
ましい。
【0020】本発明になる非導電性樹脂ペースト組成物
には、さらに必要に応じてシランカップリング剤、チタ
ンカップリング剤等の接着力向上剤、ノニオン系界面活
性剤、フッ素系界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコーン
油等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤
などを適宜添加することができる。
【0021】本発明の樹脂ペースト組成物を製造するに
は、前記の(A)、(B)及び(C)成分並びに必要に
応じて添加される硬化促進剤、希釈剤及び各種添加剤
を、一括又は分割して攪拌器、らいかい器、3本ロー
ル、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置又はこれ
らを適宜組み合わせた装置に投入し、必要に応じて加熱
して混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペースト
状とすればよい。
【0022】本発明においては、さらに、上記のように
して製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と
基板とを接着した後、封止することにより半導体装置と
することがてきる。本発明の樹脂ペースト組成物を用い
て半導体素子をリードフレーム等の基板に接着させるに
は、まず、基板上に樹脂ペースト組成物をディスペンス
法、スクリーン印刷法、スタンピング法などにより塗布
した後、半導体素子を圧着し、その後オーブン、ヒート
ブロック等の加熱装置を用いて、例えば120〜250
℃に加熱硬化することにより行うことができる。さら
に、ワイヤボンド工程を経た後、通常の方法、例えば各
種封止剤を用いて封止することにより完成された半導体
装置とすることができる。
【0023】
【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれによって制限されるものではない。な
お、以下の実施例及び比較例で用いた材料は、下記の方
法で作製したもの、あるいは入手したものである。
【0024】(1)エポキシ化ポリブタジエンとフェノ
ール樹脂との反応物の作成 エポキシ化ポリブタジエン(ダイセル化学工業株式会社
製、商品名エポリードPB4700)100重量部にフ
ェノール樹脂(三井東圧化学株式会社製、商品名AL−
VR−9300)20重量部及び触媒としてベンジルジ
メチルアミン(東京化成工業株式会社製、試薬)0.1
2重量部を加え、120℃に加熱し、1時間攪拌を続
け、エポキシ化ポリブタジエンとフェノール樹脂との反
応物を得た。
【0025】(2)比較例で用いたフェノール樹脂溶液
の調整 フェノールノボラック樹脂(明和化成株式会社製、商品
名H−1、OH当量=106)1重量部及び希釈剤とし
てアルキルフエニルグリシジルエーテル(東都化成株式
会社製、商品名PP−101、エポキシ当量=230)
2重量部を100℃に加熱し、1時間攪拌を続け、均一
なフェノール樹脂溶液を得た。 (3)希釈剤 アルキルフエニルグリシジルエーテル(東都化成株式会
社製、商品名PP−101)
【0026】(4)硬化促進剤 2−フエニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾー
ル(四国化成株式会社製、2P4MHZ) (5)非導電性フィラー 窒化硼素フィラー(電気化学工業株式会社製、BN−G
P)
【0027】実施例1〜2及び比較例1〜3 表1に示す配合割合で各成分を混合し、3本ロールを用
いて混練した後、5トル(Torr)以下で10分間脱泡処
理を行い、非導電性樹脂ペースト組成物を得た。この非
導電性樹脂ペースト組成物の特性(粘度、接着強度、ピ
ール強度及び耐リフロー性)を下記の方法で測定し、結
果を表1に示す。
【0028】 粘度 EHD型回転粘度計(東京計器株式会社製)を用いて2
5℃における粘度(Pa・s)を測定した。 接着強度 非導電性樹脂ペースト組成物をAgめっき付銅リードフ
レーム上に約80μg塗布し、この上に2mm×2mmのS
iチップ(厚さ約0.4mm)を圧着し、さらに200℃
に設定したヒートブロック上に載せ、60秒加熱した。
この試料について自動接着力試験装置(Dage社製、
マイクロテスター)を用いて室温における剪断接着強度
(kg/チップ)を測定した。 ピール強度 非導電性樹脂ペースト組成物を42アロイ上に約1.0
mg塗布し、この上に8mm×8mmのSiチップ(厚さ約
0.4mm)を圧着し、さらに200℃に設定したヒート
ブロック上に載せ、60秒加熱した。この試料について
自動接着力試験装置(日立化成工業(株)製)を用いて2
40℃における引き剥がし強さ(kg/チップ)を測定し
た。
【0029】 耐リフロー性 上記実施例及び比較例により得た非導電性樹脂ペースト
組成物を用い、42アロイのリードフレームと8mm×1
0mmのSiチップ(厚さ約0.4mm)を、180℃まで
30分で昇温し、180℃で6時間加熱して硬化すると
いう硬化条件により硬化し、接着した。その後、日立化
成工業(株)製エポキシ封止材(商品名CEL−462
0)により封止し、半田リフロー試験用パッケージ(Q
FP、大きさ14mm×20mm×2mm)を得た。同じ試験
用パッケージを5個作製した。各パッケージを温度及び
湿度がそれぞれ85℃及び85%の条件に設定された恒
温恒湿槽中に48時間放置し、吸湿させた。その後、2
40℃/10秒のリフロー条件で半田リフローを行い、
パッケージの外部クラックの発生数を顕微鏡(倍率15
倍)で観察した。5個のサンプルについてクラックの発
生したパッケージ数を示す。
【0030】
【表1】
【0031】表1に示した結果から、エポキシ化ポリブ
タジエンとフェノール樹脂との反応物を用いていない比
較例1では、全てのパッケージに外部クラックが発生
し、エポキシ化ポリブタジエン及びフェノール樹脂のい
ずれか一方しか用いていない比較例2及び3でも高い割
合でパッケージに外部クラックが発生するため、半導体
装置の信頼性低下を招く。それに対して実施例1及び2
に示した本発明の非導電性樹脂ペースト組成物を用いた
場合は、パッケージの外部クラックの発生も抑制され、
信頼性の高いパッケージが得られることが確認された。
【0032】
【発明の効果】本発明の非導電性樹脂ペースト組成物
は、リフローソルダリング時の水分の急激な気化膨張に
よるパッケージの膨れを抑制し、リフロークラックが発
生しないものであり、特に、エポキシ化ポリブタジエン
とフェノール樹脂との反応物として一般式(I)で示し
た化合物を用いた場合には、さらに、応力の低減効果が
得られ、リフロークラック抑制効果がいっそう顕著にな
る。本発明の半導体装置は、リフローソルダリング時の
水分の急激な気化膨張によるパッケージの膨れを抑制
し、リフロークラックが発生しないため、半導体装置と
しての信頼性が高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J036 AC05 AD08 AE05 AH07 AK03 CD07 DC31 DC41 FA03 FA04 FA05 GA06 GA17 JA07 4J040 EC06 EC061 EC07 EC071 EC12 EC121 EC21 EC211 EC38 EC381 HA136 HA156 HA196 HA206 HA296 HA306 HA326 HA356 JA05 KA42 LA01 LA06 MA05 MA10 NA20 5F047 BA34 BB11

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)20℃で液状である芳香族基を有
    するエポキシ樹脂、(B)エポキシ化ポリブタジエンと
    フェノール樹脂との反応物及び(C)非導電性フィラー
    を含有してなる非導電性樹脂ペースト組成物。
  2. 【請求項2】 (B)成分中のエポキシ化ポリブタジエ
    ンが一般式(I) 【化1】 〔式中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は水酸
    基を示す〕で表される化合物である請求項1記載の非導
    電性樹脂ペースト組成物。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の非導電性樹脂ペー
    スト組成物を用いて半導体素子と基板とを接着した後、
    封止してなる半導体装置。
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