JP2001015545A - ワイヤボンディング装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】デバイスの上面を必要な温度に保ち、かつ樹脂
製基板の軟化及び変形を起こさない温度に保ってワイヤ
ボンディングを行うことができる。 【解決手段】ヒータ11を有するヒータブロック4の上
方に配設され、デバイス1のチップ3部分を加熱するチ
ップ加熱手段20と、ヒータブロック4を冷却するよう
に該ヒータブロック4に設けられた冷却パイプ10とを
備え、デバイス1のボンディング表面温度をボンディン
グ可能な温度に保ち、ヒータブロック4の温度を冷却パ
イプ10に流す冷水又は冷風で冷却して樹脂製基板2を
軟化しない低温に保つ。
製基板の軟化及び変形を起こさない温度に保ってワイヤ
ボンディングを行うことができる。 【解決手段】ヒータ11を有するヒータブロック4の上
方に配設され、デバイス1のチップ3部分を加熱するチ
ップ加熱手段20と、ヒータブロック4を冷却するよう
に該ヒータブロック4に設けられた冷却パイプ10とを
備え、デバイス1のボンディング表面温度をボンディン
グ可能な温度に保ち、ヒータブロック4の温度を冷却パ
イプ10に流す冷水又は冷風で冷却して樹脂製基板2を
軟化しない低温に保つ。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤボンディン
グ装置及び方法に係り、特に半導体装置等のデバイスの
加熱に関する。
グ装置及び方法に係り、特に半導体装置等のデバイスの
加熱に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、デバイスの基板は金属からなっ
ている。最近、コスト低減の面から樹脂製基板に多数の
チップを密集して搭載し、それにワイヤボンディングし
た後、一括してモールドし、その後個々のデバイスとす
る方法が採られるようになってきた。
ている。最近、コスト低減の面から樹脂製基板に多数の
チップを密集して搭載し、それにワイヤボンディングし
た後、一括してモールドし、その後個々のデバイスとす
る方法が採られるようになってきた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ワイヤボンディングに
おいては、ボンディングの信頼性を向上させるためデバ
イスの表面温度を高く保つ目的で、基板の下面をヒータ
ブロックで加熱している。しかしながら、樹脂は軟化温
度が150°C程度と低く、かつ断熱性が高いので、基
板の下面をヒータブロックで加熱する方法は、ボンディ
ングするチップの表面を高温にすることが難しい。な
お、ヒータブロックを備えたワイヤボンディング装置と
して、例えば特開平4−262545号公報があげられ
る。
おいては、ボンディングの信頼性を向上させるためデバ
イスの表面温度を高く保つ目的で、基板の下面をヒータ
ブロックで加熱している。しかしながら、樹脂は軟化温
度が150°C程度と低く、かつ断熱性が高いので、基
板の下面をヒータブロックで加熱する方法は、ボンディ
ングするチップの表面を高温にすることが難しい。な
お、ヒータブロックを備えたワイヤボンディング装置と
して、例えば特開平4−262545号公報があげられ
る。
【0004】そこで、チップの上方から熱風をボンディ
ング部分に吹き付けて加熱することが考えられる。この
方法でも、安定したボンディングを行うために200°
Cの温度の熱を長時間かけると、基板が軟化する可能性
がある。基板が軟化すると、ボンディング時にキャピラ
リの超音波エネルギー及び荷重が基板に吸収されて逃げ
てしまい、安定したボンディングが行えないという問題
があるので、軟化を防止することが課題となっている。
なお、チップの上方に熱風を吹き付けて加熱するものと
して、例えば特開昭59−184537号公報があげら
れる。
ング部分に吹き付けて加熱することが考えられる。この
方法でも、安定したボンディングを行うために200°
Cの温度の熱を長時間かけると、基板が軟化する可能性
がある。基板が軟化すると、ボンディング時にキャピラ
リの超音波エネルギー及び荷重が基板に吸収されて逃げ
てしまい、安定したボンディングが行えないという問題
があるので、軟化を防止することが課題となっている。
なお、チップの上方に熱風を吹き付けて加熱するものと
して、例えば特開昭59−184537号公報があげら
れる。
【0005】本発明の課題は、デバイスの上面を必要な
温度に保ち、かつ樹脂製基板の軟化及び変形を起こさな
い温度に保ってワイヤボンディングを行うことができる
ワイヤボンディング装置及び方法を提供することにあ
る。
温度に保ち、かつ樹脂製基板の軟化及び変形を起こさな
い温度に保ってワイヤボンディングを行うことができる
ワイヤボンディング装置及び方法を提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のワイヤボンディング装置の第1の手段は、樹
脂製基板を有するデバイスを、ヒータを有するヒータブ
ロック上に載置し、フレーム押さえでクランプしてワイ
ヤボンディングするワイヤボンディング装置において、
デバイスのボンディング表面温度をボンディング可能な
温度に保ち、前記ヒータブロックの温度を冷却手段で冷
却して前記樹脂製基板を軟化しない低温に保つことを特
徴とする。
の本発明のワイヤボンディング装置の第1の手段は、樹
脂製基板を有するデバイスを、ヒータを有するヒータブ
ロック上に載置し、フレーム押さえでクランプしてワイ
ヤボンディングするワイヤボンディング装置において、
デバイスのボンディング表面温度をボンディング可能な
温度に保ち、前記ヒータブロックの温度を冷却手段で冷
却して前記樹脂製基板を軟化しない低温に保つことを特
徴とする。
【0007】上記課題を解決するための本発明のワイヤ
ボンディング装置の第2の手段は、樹脂製基板を有する
デバイスを、ヒータを有するヒータブロック上に載置
し、フレーム押さえでクランプしてワイヤボンディング
するワイヤボンディング装置において、前記ヒータブロ
ックの上方に配設され、前記デバイスのチップ部分を加
熱するチップ加熱手段と、前記ヒータブロックを冷却す
るように該ヒータブロックに設けられたヒータブロック
冷却手段とを備え、前記デバイスのボンディング表面温
度をボンディング可能な温度に保ち、前記ヒータブロッ
クの温度を冷却手段で冷却して前記樹脂製基板を軟化し
ない低温に保つことを特徴とする。
ボンディング装置の第2の手段は、樹脂製基板を有する
デバイスを、ヒータを有するヒータブロック上に載置
し、フレーム押さえでクランプしてワイヤボンディング
するワイヤボンディング装置において、前記ヒータブロ
ックの上方に配設され、前記デバイスのチップ部分を加
熱するチップ加熱手段と、前記ヒータブロックを冷却す
るように該ヒータブロックに設けられたヒータブロック
冷却手段とを備え、前記デバイスのボンディング表面温
度をボンディング可能な温度に保ち、前記ヒータブロッ
クの温度を冷却手段で冷却して前記樹脂製基板を軟化し
ない低温に保つことを特徴とする。
【0008】上記課題を解決するための本発明のワイヤ
ボンディング方法は、樹脂製基板を有するデバイスを、
ヒータを有するヒータブロック上に載置し、フレーム押
さえでクランプしてワイヤボンディングするワイヤボン
ディング方法において、デバイスのボンディング表面温
度をボンディング可能な温度に保ち、前記ヒータブロッ
クの温度を冷却手段で冷却して前記樹脂製基板を軟化し
ない低温に保つことを特徴とする。
ボンディング方法は、樹脂製基板を有するデバイスを、
ヒータを有するヒータブロック上に載置し、フレーム押
さえでクランプしてワイヤボンディングするワイヤボン
ディング方法において、デバイスのボンディング表面温
度をボンディング可能な温度に保ち、前記ヒータブロッ
クの温度を冷却手段で冷却して前記樹脂製基板を軟化し
ない低温に保つことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図1によ
り説明する。デバイス1は、樹脂製基板2上にチップ3
が貼り付けられている。樹脂製基板2はヒータブロック
4上に位置決め載置され、フレーム押さえ5によりクラ
ンプされる。チップ3のパッドと樹脂製基板2のリード
には、超音波ホーン6の先端に固定されたキャピラリ7
により、キャピラリ7に挿通されたワイヤ8が接続され
る。以上は周知の構造であるので、これ以上の説明は省
略する。
り説明する。デバイス1は、樹脂製基板2上にチップ3
が貼り付けられている。樹脂製基板2はヒータブロック
4上に位置決め載置され、フレーム押さえ5によりクラ
ンプされる。チップ3のパッドと樹脂製基板2のリード
には、超音波ホーン6の先端に固定されたキャピラリ7
により、キャピラリ7に挿通されたワイヤ8が接続され
る。以上は周知の構造であるので、これ以上の説明は省
略する。
【0010】ヒータブロック4の中心には、冷水又は冷
風を流す冷却パイプ10が配設されている。ヒータブロ
ック4の冷却パイプ10の両側には、ヒータ11が配設
されている。
風を流す冷却パイプ10が配設されている。ヒータブロ
ック4の冷却パイプ10の両側には、ヒータ11が配設
されている。
【0011】ヒータブロック4の上方には、チップ3を
加熱するチップ加熱手段20が配設されている。チップ
加熱手段20は、加熱本体21の内部に電熱線22が配
設され、加熱本体21の上端部には圧縮エア23を供給
するパイプ24が接続されている。加熱本体21の下端
部には、熱風を層流として流す蜂の巣状の整流板25が
固定されている。
加熱するチップ加熱手段20が配設されている。チップ
加熱手段20は、加熱本体21の内部に電熱線22が配
設され、加熱本体21の上端部には圧縮エア23を供給
するパイプ24が接続されている。加熱本体21の下端
部には、熱風を層流として流す蜂の巣状の整流板25が
固定されている。
【0012】次に作用について説明する。圧縮エア23
は、電熱線22により加熱されて熱風26となり、この
熱風26は整流板25により層流となってチップ3及び
その周辺を加熱し、デバイス1のボンディング面を必要
な温度にする。樹脂製基板2の下面は、ヒータ11とパ
イプ24に流す冷水又は冷風により温度を制御し、樹脂
製基板2の温度を軟化点以下、例えば130°Cに保
つ。
は、電熱線22により加熱されて熱風26となり、この
熱風26は整流板25により層流となってチップ3及び
その周辺を加熱し、デバイス1のボンディング面を必要
な温度にする。樹脂製基板2の下面は、ヒータ11とパ
イプ24に流す冷水又は冷風により温度を制御し、樹脂
製基板2の温度を軟化点以下、例えば130°Cに保
つ。
【0013】これにより、デバイス1上面はボンディン
グに十分な温度が得られると共に、樹脂製基板2の温度
を樹脂製基板2の軟化点以下に保つことができる。な
お、樹脂製基板2に必要な温度は、樹脂製基板2の材質
により異なる。また樹脂製基板2の下面の温度は、ヒー
タブロック4に温度計を設置することにより容易に測定
できる。またデバイス1の上面の温度制御は、デバイス
表面から放射する赤外線を測定して行うことができる。
簡易な方法としては、デバイス1が加熱されて発生する
ガスを測定して行うことができる。
グに十分な温度が得られると共に、樹脂製基板2の温度
を樹脂製基板2の軟化点以下に保つことができる。な
お、樹脂製基板2に必要な温度は、樹脂製基板2の材質
により異なる。また樹脂製基板2の下面の温度は、ヒー
タブロック4に温度計を設置することにより容易に測定
できる。またデバイス1の上面の温度制御は、デバイス
表面から放射する赤外線を測定して行うことができる。
簡易な方法としては、デバイス1が加熱されて発生する
ガスを測定して行うことができる。
【0014】このように、パイプ24に流す冷水又は冷
風を制御することによりデバイス1のボンディング表面
の温度をボンディング可能な温度に保ち、また樹脂製基
板2を軟化しない十分な低温に保ってボンディングを行
うことができる。
風を制御することによりデバイス1のボンディング表面
の温度をボンディング可能な温度に保ち、また樹脂製基
板2を軟化しない十分な低温に保ってボンディングを行
うことができる。
【0015】
【発明の効果】本発明は、デバイスのボンディング表面
温度をボンディング可能な温度に保ち、ヒータを有する
ヒータブロックの温度を冷却手段で冷却して前記樹脂製
基板を軟化しない低温に保つので、デバイスの上面を必
要な温度に保ち、かつ樹脂製基板の軟化及び変形を起こ
さない温度に保ってワイヤボンディングを行うことがで
きる。
温度をボンディング可能な温度に保ち、ヒータを有する
ヒータブロックの温度を冷却手段で冷却して前記樹脂製
基板を軟化しない低温に保つので、デバイスの上面を必
要な温度に保ち、かつ樹脂製基板の軟化及び変形を起こ
さない温度に保ってワイヤボンディングを行うことがで
きる。
【図1】本発明のワイヤボンディング装置の一実施の形
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
1 デバイス 2 樹脂製基板 3 チップ 4 ヒータブロック 7 キャピラリ 8 ワイヤ 10 冷却パイプ 11 ヒータ 20 チップ加熱手段 22 電熱線 26 熱風
フロントページの続き (72)発明者 富山 俊彦 東京都武蔵村山市伊奈平2丁目51番地の1 株式会社新川内 Fターム(参考) 5F044 AA02 BB25 CC04
Claims (3)
- 【請求項1】 樹脂製基板を有するデバイスを、ヒータ
を有するヒータブロック上に載置し、フレーム押さえで
クランプしてワイヤボンディングするワイヤボンディン
グ装置において、デバイスのボンディング表面温度をボ
ンディング可能な温度に保ち、前記ヒータブロックの温
度を冷却手段で冷却して前記樹脂製基板を軟化しない低
温に保つことを特徴とするワイヤボンディング装置。 - 【請求項2】 樹脂製基板を有するデバイスを、ヒータ
を有するヒータブロック上に載置し、フレーム押さえで
クランプしてワイヤボンディングするワイヤボンディン
グ装置において、前記ヒータブロックの上方に配設さ
れ、前記デバイスのチップ部分を加熱するチップ加熱手
段と、前記ヒータブロックを冷却するように該ヒータブ
ロックに設けられたヒータブロック冷却手段とを備え、
前記デバイスのボンディング表面温度をボンディング可
能な温度に保ち、前記ヒータブロックの温度を冷却手段
で冷却して前記樹脂製基板を軟化しない低温に保つこと
を特徴とするワイヤボンディング装置。 - 【請求項3】 樹脂製基板を有するデバイスを、ヒータ
を有するヒータブロック上に載置し、フレーム押さえで
クランプしてワイヤボンディングするワイヤボンディン
グ方法において、デバイスのボンディング表面温度をボ
ンディング可能な温度に保ち、前記ヒータブロックの温
度を冷却手段で冷却して前記樹脂製基板を軟化しない低
温に保つことを特徴とするワイヤボンディング方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18893899A JP2001015545A (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | ワイヤボンディング装置及び方法 |
TW89111213A TW511196B (en) | 1999-07-02 | 2000-06-09 | Apparatus and method for wire bonding |
US09/607,259 US6491202B1 (en) | 1999-07-02 | 2000-06-30 | Wire bonding apparatus and method |
KR10-2000-0036879A KR100370986B1 (ko) | 1999-07-02 | 2000-06-30 | 와이어본딩장치 및 방법 |
US09/912,960 US6467679B2 (en) | 1999-07-02 | 2001-07-25 | Wire bonding method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP18893899A JP2001015545A (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | ワイヤボンディング装置及び方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001015545A true JP2001015545A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16232538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP18893899A Pending JP2001015545A (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | ワイヤボンディング装置及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP2001015545A (ja) |
KR (1) | KR100370986B1 (ja) |
TW (1) | TW511196B (ja) |
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KR101120718B1 (ko) * | 2004-08-20 | 2012-03-23 | 프리스케일 세미컨덕터, 인크. | 듀얼 게이지 리드프레임 |
US20180050406A1 (en) * | 2015-04-24 | 2018-02-22 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Device, method, and system for cooling a flat object in a nonhomogeneous manner |
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CA2585168C (en) * | 2004-11-02 | 2014-09-09 | Imasys Ag | Laying device, contacting device, advancing system, laying and contacting unit, production system, method for the production and a transponder unit |
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US11393807B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-07-19 | Peter C. Salmon | Densely packed electronic systems |
US10966338B1 (en) | 2020-03-11 | 2021-03-30 | Peter C. Salmon | Densely packed electronic systems |
US11546991B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-01-03 | Peter C. Salmon | Densely packed electronic systems |
US11445640B1 (en) | 2022-02-25 | 2022-09-13 | Peter C. Salmon | Water cooled server |
US11523543B1 (en) | 2022-02-25 | 2022-12-06 | Peter C. Salmon | Water cooled server |
US12136576B1 (en) | 2023-06-22 | 2024-11-05 | Peter C. Salmon | Microelectronic module |
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JPS59184537A (ja) | 1983-04-01 | 1984-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加熱装置付きワイヤボンダ |
US4692839A (en) * | 1985-06-24 | 1987-09-08 | Digital Equipment Corporation | Multiple chip interconnection system and package |
JP3094374B2 (ja) | 1991-02-15 | 2000-10-03 | 株式会社新川 | ワイヤボンダ用フレーム固定装置 |
KR940001270Y1 (ko) * | 1991-07-15 | 1994-03-09 | 금성일렉트론 주식회사 | 와이어 본드의 히터블록 |
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US5923086A (en) * | 1997-05-14 | 1999-07-13 | Intel Corporation | Apparatus for cooling a semiconductor die |
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-
1999
- 1999-07-02 JP JP18893899A patent/JP2001015545A/ja active Pending
-
2000
- 2000-06-09 TW TW89111213A patent/TW511196B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-06-30 KR KR10-2000-0036879A patent/KR100370986B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-06-30 US US09/607,259 patent/US6491202B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-25 US US09/912,960 patent/US6467679B2/en not_active Expired - Fee Related
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US6491202B1 (en) | 2002-12-10 |
KR100370986B1 (ko) | 2003-02-06 |
US20010042777A1 (en) | 2001-11-22 |
TW511196B (en) | 2002-11-21 |
US6467679B2 (en) | 2002-10-22 |
KR20010015104A (ko) | 2001-02-26 |
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