JP2001007730A - 電磁トランスポンダからの距離の検出 - Google Patents
電磁トランスポンダからの距離の検出Info
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Abstract
な解決策を提供する。端末側で実施され、距離の評価に
トランスポンダからの送信を必要としない。また、臨界
結合位置に対応する距離に対するトランスポンダの位置
から独立した信頼性の高い距離検出を可能とする。 【解決手段】 電磁界を生成する端末(1′)であっ
て、電磁界の中に入った少なくとも1つのトランスポン
ダと協力するように適合され、トランスポンダから端末
への送信を一切必要とせずに端末からトランスポンダま
での距離を決定する手段を含む端末。具体的には、前記
手段が発振回路の電流または発振回路(R1、L1、2
4)の1つまたは複数の部品の両端の電圧を測定する。
また、端末が、高周波交流励振電圧を受け取るように適
合された発振回路を含み、前記手段が、トランスポンダ
によって端末の発振回路上に形成された負荷によって決
まる変数を測定する。
Description
ダを使用したシステムに関する。電磁トランスポンダ
は、読取り/書込み端末と呼ばれる(一般に固定式の)
装置から、非接触の無線方式で、質問を受けることがで
きる(一般に移動式の)トランシーバである。より詳細
には本発明は、独立した電源を持たないトランスポンダ
に関する。このようなトランスポンダは、自体に含まれ
る電子回路が必要とする電源を、読取り/書込み端末の
アンテナから放射された高周波電磁界から取り出す。本
発明は、トランスポンダ・データの読取りだけをおこな
う端末とともに動作するように適合された読取り専用ト
ランスポンダ、または端末によって修正可能なデータを
含む読取り/書込みトランスポンダに適用される。
る端末からトランスポンダまでの距離の検出、より詳細
にはシステム動作を決定する端末の距離しきい値に対す
るトランスポンダの位置の検出に関する。
側および読取り/書込み端末側にあって、アンテナを形
成する巻線を含む発振回路の使用に基づく。これらの回
路は、トランスポンダが読取り/書込み端末の磁界の中
に入ったときに、密な磁界によって結合される。トラン
スポンダ・システムの範囲、すなわち、トランスポンダ
が活動化される端末から最も遠い地点までの距離は、特
に、トランスポンダのアンテナ・サイズ、磁界を発生さ
せている発振回路のコイルの励振周波数、励振の強さ、
およびトランスポンダの電力消費によって決まる。
とトランスポンダ10(CAR)の間でデータを交換す
る従来型のデータ交換システムの一例を、機能的かつ極
めて概略的に示す。
ちアンテナ結合器3(DRIV)の出力端子2pと基準
電位(一般に大地電位)にある端子2mとの間にあっ
て、コンデンサC1および抵抗R1と直列に接続された
インダクタンスL1から成る発振回路から構成される。
増幅器3は、変調器4(MOD)が供給した高周波伝送
信号Txを受け取る。この変調器は、例えば水晶発振器
5からの基準周波を受け取り、さらに、必要に応じて送
信データ信号を受け取る。端末1からトランスポンダ1
0へのデータ伝送が実施されない場合、信号Txは単
に、トランスポンダが電磁界の中に入った場合にトラン
スポンダを活動化させる電源として使用される。送信デ
ータは、一般にディジタル方式の電子システム、例えば
マイクロプロセッサ6(μP)から供給される。
ンダクタンスL1との節点が、トランスポンダ10から
受信し、復調器7(DEM)に送るデータ信号Rxをサ
ンプリングする端子を形成する。復調器の出力は、トラ
ンスポンダ10から受信したデータを、(必要ならば復
号器(DEC)8を介して)読取り/書込み端末1のマ
イクロプロセッサ6に伝達する。復調器7は、一般に発
振器5から、位相復調用のクロックすなわち基準信号を
受け取る。復調は、インダクタンスL1の両端ではな
く、コンデンサC1と抵抗R1の間でサンプリングした
信号を基に実行してもよい。マイクロプロセッサ6は、
(バスEXTを介して)さまざまな入出力回路(キーボ
ード、スクリーン、プロバイダへの送信手段など)、お
よび/または処理回路と通信する。読取り/書込み端末
の回路は、動作に必要な電力を、例えば給電システムに
接続された電源回路9(ALIM)から取り出す。
2と並列のインダクタンスL2が、端末1の直列発振回
路L1C1によって生成された電磁界を捕捉するための
並列発振回路(受信共振回路と呼ばれる)を形成する。
トランスポンダ10の共振回路(L2、C2)は、端末
1の発振回路(L1、C1)の周波数と同調される。
L2C2の端子11、12は、例えば4つのダイオード
D1、D2、D3、D4から形成された整流ブリッジ1
3の2つの交流入力端子に接続される。図1の表示で
は、ダイオードD1のアノードおよびダイオードD3の
カソードが、端子11に接続されている。ダイオードD
2のアノードおよびダイオードD4のカソードは、端子
12に接続される。ダイオードD1、D2のカソード
は、正の整流出力端子14を形成する。ダイオードD3
およびD4のアノードは、整流電圧の基準端子15を形
成する。コンデンサCaが、ブリッジ13の整流出力端
子14、15に接続され、ブリッジによって供給された
電力を蓄積し、整流された電圧を平滑化する。このダイ
オード・ブリッジの代わりに、単半波整流アセンブリを
使用してもよいことに留意されたい。
にあるとき、共振回路L2C2の両端に高周波電圧が発
生する。この電圧は、ブリッジ13によって整流され、
コンデンサCaによって平滑化されて、電圧調整器16
(REG)を介してトランスポンダの電子回路に電源電
圧を供給する。一般にこのような回路には、実質上、
(図示されていないメモリに結合された)マイクロプロ
セッサ(μP)17、端末1から受信した信号の復調器
28(DEM)、および端末1に情報を送信する変調器
19(MOD)などが含まれる。トランスポンダは一般
に、コンデンサC2の両端で整流前に回収された高周波
信号からブロック20によって取り出されたクロック
(CLK)によって同期がとられる。多くの場合、トラ
ンスポンダ10の全ての電子回路は同じチップに集積化
される。
送信するためには、変調器19が、共振回路L2C2の
変調(戻し変調(back modulation))
段を制御する。この変調段は一般に、端子14と15の
間で直列な電子スイッチ(例えばトランジスタT)と抵
抗Rから成る。トランジスタTは、端末1の発振回路の
励振信号の周波数(例えば13.56MHz)よりもは
るかに低い(一般に少なくとも1/10)、いわゆる副
搬送周波数(例えば847.5kHz)で制御される。
スイッチTが閉じているとき、トランスポンダの発振回
路には、回路16、17、18、19および20から成
る負荷に加えて追加の制動(damping)が加えら
れ、そのため、トランスポンダは、高周波電磁界からよ
り多くの電力を引き出す。端末1側では、増幅器3が、
高周波励振信号の振幅を一定に維持している。したがっ
てトランスポンダの電力変動は、アンテナL1を流れる
電流の振幅および位相変動に変換される。この変化は、
位相復調器または振幅復調器である端末1の復調器7に
よって検出される。例えば位相復調の場合、トランスポ
ンダのスイッチTが閉じている副搬送波の半周期の間
に、復調器が、基準信号に対する信号Rxの搬送波のわ
ずかな移相(数度、または1度未満)を検出する。復調
器7の出力(一般に副搬送周波数を中心周波数とする帯
域フィルタの出力)は、スイッチTの制御信号の影像信
号を供給する。この信号を(復号器8によって、または
直接にマイクロプロセッサ6によって)復号して元の2
進データを復元することができる。
方から一方へと交互に実施され(半二重)、トランスポ
ンダからデータを受信している間は、端末はデータを送
信しないことに留意されたい。
のデータ伝送の従来の例を示す。この図面は、コード1
011の伝送に対するアンテナL1の励振信号の形状の
一例を示す。現在使用されている変調は、発振器5から
来る搬送波の周波数(例えば13.56MHz)(周期
約74ns)よりもはるかに低い速度106kbit/
s(1ビットが約9.5μsで伝送される)の振幅変調
である。この振幅変調は、オール・オア・ナッシングで
実行されるか、またはトランスポンダ10に電力を供給
する必要から1よりも小さい変調比(2つの状態(0お
よび1)のピーク振幅の差をこれらの振幅の和で割った
値として定義される)で実行される。図2の例では、1
3.56MHzの搬送波が106kbit/sの速度で
10%の変調比tmを用いて振幅変調される。
のデータ伝送の従来の例を示す。この図面には、コード
1011の伝送に対して変調器19から供給されたトラ
ンジスタTの制御信号の形状の例が示されている。トラ
ンスポンダ側の戻し変調は一般に、例えば847.5k
Hz(周期約1.18μs)の搬送波(副搬送波と呼ば
れる)を用いた抵抗型の変調である。この戻し変調は例
えば、副搬送波の周波数よりもはるかに低い、速度が1
06kbit/s程度のBPSK(二相PSK(pha
se−shift keying))型の符号化に基づ
く。
幅、位相、周波数)を使用するとしても、また、どの種
類のデータ符号化(NRZ、NRZI、マンチェスタ
ー、ASK、BPSKなど)を使用するとしても、この
変調または戻し変調は、2つの2値レベルの間をジャン
プする、ディジタル方式で実行されることに留意された
い。
般に、搬送周波数に同調される。すなわち、発振回路の
共振周波数が13.56MHz周波数にセットされる。
この同調の目的は、一般にさまざまなトランスポンダ構
成部品を集積化したクレジット・カード・サイズのカー
ドであるトランスポンダへの電力伝播を最大にすること
にある。
ンダまでの距離または距離しきい値に対するトランスポ
ンダの位置を知ることが望ましいことがある。このよう
な距離検出を使用して、例えばトランスポンダが読取装
置に近い(2〜10cm程度)か、または非常に近い
(約2cm未満)かに基づいてシステムの動作モードを
あるモードまたは別のモードに切り換えることができ
る。この近さの概念は、アンテナL1とL2の間の距離
を含む。
ベルと非接触情報交換を実施する装置が記載されてい
る。この装置は、ラベルが送信した信号に基づいてラベ
ルと装置の間の距離を表す信号を前処理する手段を含
む。この手段を使用してラベルから来た情報が所定の値
のウィンドウに含まれると判定し、このことを情報交換
装置に知らせる。この文書に記載されている装置は、装
置が送信した読取り制御信号に応答してラベルが供給し
た低周波変調の振幅の測定を使用する。この文書によれ
ばこの変調の振幅が情報交換装置からラベルまでの距離
を表す。
トランスポンダが送信した戻し変調信号の復調が必要な
ことである。事実、この検出は復調された信号すなわち
搬送波のレベルに基づいて実行される。トランスポンダ
が情報を送信しない場合には端末がトランスポンダの距
離を検出することができない上に、復調された信号の振
幅は距離の単調関数とならない。具体的に言うと距離に
応じた信号振幅の特性は一般にいわゆる臨界結合位置で
少なくとも1つの最大値を示す。臨界結合位置は、端末
の発振回路がともに遠隔供給搬送周波数に同調したとき
にトランスポンダが受け取る最大遠隔供給振幅によって
トランスポンダと端末の間の結合が最適化される距離に
相当する。言い換えると臨界結合周波数は、最小の結合
係数に対して遠隔電力供給電力が最大となる距離に相当
する。結合係数は、相互インダクタンスと発振回路のイ
ンダクタンスの積の平方根との比である。
ンスポンダと端末の間の距離測定の新規な解決策を提供
することにある。具体的には本発明の目的は、端末側で
実施され、距離の評価にトランスポンダからの送信を必
要としない解決策を提供することにある。
する距離に対するトランスポンダの位置から独立した信
頼性の高い距離検出を可能とする解決策を提供すること
にある。
的を達成するため本発明は、電磁界を生成する端末であ
って、電磁界の中に入った少なくとも1つのトランスポ
ンダと協力するように適合され、トランスポンダから端
末への送信を一切必要とせずに端末からトランスポンダ
までの距離を決定する手段を含む端末を提供する。
周波交流励振電圧を受け取るように適合された発振回路
を含み、前記手段が、トランスポンダによって端末の発
振回路上に形成された負荷によって決まる変数を測定す
る。
発振回路の電流または発振回路の1つまたは複数の部品
の両端の電圧を測定する。
振回路中の信号の位相を基準値に対して調整する手段を
含む。
段が、測定された電流または電圧のアナログ・ディジタ
ル変換器および測定された値を端末に記憶された対応表
と比較するディジタル回路を含む。
の非限定的な説明において、本発明の以上の目的、特徴
および利点を詳細に論じる。
参照符号が付されている。図面の尺度は一律ではない。
明確にするため、本発明の理解に必要な部品のみを図面
に示し以下で説明する。具体的には、トランスポンダの
構造および読取り端末側のディジタル・データ処理部品
の詳細は示さない。
して端末の電磁界の中に入ったトランスポンダの距離を
検出することにある。搬送波(例えば13.56MH
z)に直接に関係する情報を使用することで、トランス
ポンダ自体からの情報送信を必要とすることなく距離を
決定することができる。事実、端末の電磁界の中に入っ
たトランスポンダはこの端末の発振回路の負荷に影響を
与える。この負荷変動は特に端末からトランスポンダま
での距離に依存する。
コンデンサC1の両端の電圧の振幅)を測定し、この電
圧の変動に基づいて距離を決定するものである。しかし
このような測定は実際には利用不可能である。これは特
に、距離に応じた電圧変動範囲が発振回路の同調に依存
し、したがってキャパシタンスC1の値に依存するため
である。従来の回路の同調は決して完全とはいえない。
共振周波数の同調は端末の製造後に可変コンデンサによ
って手動で実行されている。特に容量および誘導部品の
製造公差のために、発振器5が供給した信号と受信信号
Rxの間の選択した位相動作点を保証するためには同調
を調整する必要がある。端末の発振回路の離調はいくつ
かの結果をもたらす。具体的にはこの発振回路の信号振
幅が変更され、したがって可能な測定に対して使用可能
な信号振幅が変更される。
振回路の位相が基準値に対して調整されることにある。
本発明によればこの位相調整は、トランスポンダから着
信した戻し変調を妨げることのないよう十分に低速で、
端末の電磁界の中でのトランスポンダの変位速度に比べ
て十分に高速になるように応答時間が選択されたループ
によって実行される。これを、変調周波(例えば13.
56MHzおよび847.5kHz)に対する静的調整
と呼ぶことができる。
えた本発明に基づく端末1’の一実施形態を示す。
ンテナ結合器3の出力端子2pと基準電位(一般に大地
電位)にある端子2mとの間にあって、容量部品24お
よび抵抗R1と直列に接続されたインダクタンスすなわ
ちアンテナL1から成る発振回路を含む。増幅器3は変
調器4(MOD)から高周波基準信号Txを受け取る。
変調器4(MOD)は例えば水晶発振器(図示せず)か
ら基準周波(信号OSC)を受け取る。変調器4は、必
要に応じて送信データ信号を受け取り、端末からデータ
を送信しないときにはトランスポンダに電力を供給する
ように適合された高周波搬送波(例えば13.56MH
z)を供給する。
RLによって制御可能な可変キャパシタンス部品である
ことである。
が基準信号REFに対して調整される。この調整は、送
信データがない場合の信号Txに対応する高周波信号す
なわち搬送信号(例えば13.56MHz)の調整であ
る。この調整は、アンテナの電流が基準信号と一定の位
相関係に維持されるように端末1’の発振回路のキャパ
シタンスを変化させることによって実行される。信号R
EFの周波数は搬送周波数であり、信号REFは例えば
変調器の発振器(図1の5)によって供給された信号O
SCに対応する。
タンスL1と直列に接続された容量部品24は信号CT
RLによって制御可能である。信号CTRLは回路21
(COMP)によって生成され、その機能は、基準信号
REFに対する位相間隔を検出しそれに応じて部品24
のキャパシタンスを修正することである。
成することができる。一般にこのキャパシタンスは数百
ピコファラドに達しなければならず、その両端の100
ボルトを超える電圧に耐えなければならない。
シタンスをこのバイアスに依存する可変キャパシタンス
として使用するダイオードを使用するものである。次い
でこのダイオードのアノードを基準端子2mに接続し、
カソードをインダクタンスL1に接続する。
ETトランジスタを使用するものである。このような構
成部品のキャパシタンス−電圧特性はダイオードのそれ
と実質的に同じである。利点は、同じ電子雪崩降伏電圧
のダイオードの場合よりも必要な組込み面積が小さくな
ることである。
回路を流れる電流Iの測定に基づいて実行される。例え
ば図4に示す実施形態では、部品24およびインダクタ
ンスL1と直列に接続された強度トランスから構成され
た回路23が使用される。このような強度トランスは一
般に、部品24と接地端子2mの間の1次巻線23’、
および第1の端子が接地2mに直接に接続され他方の端
子が測定結果を表す信号MESを供給する2次巻線2
3”から構成され、2次巻線23”には電流−電圧変換
抵抗R14が並列に接続される。
れ、位相比較器21はブロック23によって測定された
電流の位相を基準信号REFと比較し、これに応じて信
号CTRLで容量部品24を制御する。
トランスポンダから着信し、発振回路によって受信する
信号の復調に使用するものと同じ位相復調器(図示せ
ず)を使用する。したがって比較器21は図4に示すよ
うにトランスポンダから受信した可能な戻し変調を復元
する信号Rxを供給する。
位相変調を妨げることがないよう十分に低速でなければ
ならないが、端末電磁界中で、一般に手の変位速度であ
るトランスポンダの変位速度と比較して十分に高速でな
ければならないことに留意されたい。例えば、トランス
ポンダの変位時間が数百ミリ秒であるときには、応答時
間が1ミリ秒程度であることが適当である。
に対して調整することによって、起こりうる発振回路構
成部品のサイズ設定の公差の問題および動作時のこれら
の構成部品のドリフトの問題がともに回避されることで
ある。
ことによって、端末の電磁界の中に入ったトランスポン
ダの距離変動を単にこの発振回路のインピーダンスの実
数部の修正として変換することができる。事実、このイ
ンピーダンスの虚数部を修正する傾向があるトランスポ
ンダによって形成された負荷による全ての変動は位相調
整ループによって補償される。
磁界の中に入ったとき、端末の発振回路のインピーダン
スは構成部品R1、L1の値および部品24のキャパシ
タンス(C1)だけによって決まるのではなく、トラン
スポンダのインダクタンスL2およびコンデンサC2
(図1)のそれぞれの値、回路(マイクロプロセッサな
ど)の等価抵抗、ならびにコンデンサC2およびインダ
クタンスL2に並列に追加された戻し変調手段(例えば
図1の抵抗R)によっても左右されると考えることがで
きる。この等価抵抗を以後、R2と呼ぶことにする。
1=R1a+jX1aと表すことができる。上式でR1
aおよびX1aはそれぞれ皮相インピーダンスの実数部
および虚数部を表す。
表される。上式でX1=ωL1−1/ωC1、X2=ω
L2−1/ωC2であり、a2は、パルスω、2つの発
振回路間の相互インダクタンス、X2、およびL2/R
2C2に基づく項R’2によって決まる項である。
R’2で表される。上式でR1はインダクタンスL1の
寄生抵抗を表す。
て、静的動作(すなわち副搬送周波数よりも低い周波数
に対する動作)では虚数部X1aがゼロ、すなわちX1
=a2X2となる。
抗R2の所与の値によって特徴づけられる所与の動作条
件では、インピーダンスが相互インダクタンスのみによ
って決まると考えることができる。事実、パルスωが一
定となるだけでなく、抵抗R1およびR1の値、インダ
クタンスL2の値およびキャパシタンスC2の値、すな
わち項a2を決定するその他の全てのパラメータが一定
であると考えることができる。それらの可能な変動は可
能な技術的なドリフトに起因するものであり、抵抗R2
を1次側に還元したもの(=R’2)に起因し、電磁界
中のトランスポンダによって形成される負荷によって決
定される変動に比べて無視できる。その結果、この所与
の動作条件に対して項a2に残る変数は相互インダクタ
ンスmだけとなる。この相互インダクタンスは端末とト
ランスポンダの間の距離の関数である。したがって端末
からトランスポンダまでの距離の関数である情報をイン
ピーダンスの変動、より詳細にはこのインピーダンスの
実数部の変動から導き出すことができる。
の変動が距離に対して単調となり、回路が搬送周波数に
同調しているかまたはこの距離に関して離調しているか
に関わらず変動範囲が常に同じであることに留意された
い。
抽出はいくつかの方法で実行することができる。本発明
によればこの情報を、図5、7および9に示す3つの実
施形態に関して以下に説明するように電圧または電流測
定値の形態でサンプリングすることが好ましい。これら
の実施形態はそれぞれ、図4の節点30、34および3
5でこの情報をサンプリングする。
の実施形態を示す。この実施形態によれば、発振回路の
両端、より詳細には直列に接続された抵抗R1とインダ
クタンスL1の接合点30と接地(2m)との間の電圧
を測定する。使用する測定装置は例えば節点30で測定
した電圧を記憶するコンデンサCを含む。コンデンサC
の第1の端子はダイオードDを介して節点30に接続さ
れ、第2の端子は接地2mに接続される。ダイオードD
の機能は端子30でサンプリングされた信号を整流する
ことである。抵抗RdがコンデンサCと並列に配置さ
れ、測定値が低下したときにコンデンサを放電させる。
ダイオードD、コンデンサCおよび抵抗Rdは包絡線検
波器を形成する。このような検出器を形成するその他の
手段を使用してもよい。コンデンサCに記憶された電圧
を、アナログ・ディジタル変換器(A/D)32が利用
する前に増幅器31で増幅してもよい。アナログ・ディ
ジタル変換器(A/D)32の出力33は端末の処理装
置6に送られる。入力が直列に接続されたダイオードD
とコンデンサCの接合点に接続され、出力が変換器32
に送られる増幅器31の機能は単に、測定したい変動範
囲に基づいて測定信号変動の振幅を必要に応じて増幅す
ることである。
特性の一例を示す図6に示すように、コンデンサCの両
端の電圧Vは端末とトランスポンダの間の距離が増大す
るにつれて低下する。電圧Vは距離ゼロで最大値(V
m)をとり、直線的に低下してトランスポンダが端末の
電磁界の中にない場合の測定電圧に対応する漸近線(電
圧Va)に達する。実際の電圧Vaはゼロに近い。
の実施形態を示す。この実施形態によれば容量部品24
の両端、より詳細にはインダクタンスL1と部品24の
接合点34と接地2mとの間の電圧を測定する。この測
定は、節点34とコンデンサCの第1の端子の間にダイ
オードDを含み、コンデンサCの第2の端子が接地さ
れ、コンデンサCと並列に抵抗Rdが配置された図5で
使用した装置と同様の装置によって実行される。コンデ
ンサCの両端の電圧は必要に応じて増幅器31を介して
アナログ・ディジタル変換器32によって測定される。
アナログ・ディジタル変換器32の出力33は処理装置
6によって利用される。
に基づくコンデンサCの両端の電圧V’の形状を示す。
電圧V’は図6の電圧Vの形状とは逆の形状を有する。
すなわち電圧V’は、最小値V0からトランスポンダが
端末の電磁界の中にない場合に対応する漸近値Va’に
非直線的に増大する。
の実施形態を示す。この実施形態によれば電流は端末の
発振回路の電流を測定する。この測定は、位相調整にも
使用する電流測定装置23によって実行することが好ま
しい。したがって電流測定は図9に示すように同じ強度
トランスを介して実行される。図4で測定信号MESを
位相比較器21に供給している抵抗R14の端子35が
本発明に基づく測定装置のダイオードDのアノードに接
続される。他の実施形態と同様にダイオードDのカソー
ドはコンデンサCの第1の端子に接続され、コンデンサ
Cの他方の端子は接地され、コンデンサCと並列に抵抗
Rdが配置される。ダイオードDのカソードはさらに、
必要に応じて増幅器31を介してアナログ・ディジタル
変換器32に接続される。アナログ・ディジタル変換器
32の出力33は処理装置6によって利用される。
の形状を示す。電流Iは最小値I0からトランスポンダ
が発振回路の電磁界の中にない場合の発振回路の状態に
対応する漸近線Imまで増大する。
次側の発振回路のインピーダンスの実数部の修正に変換
されることに留意されたい。このインピーダンスでは先
に論じたように、抵抗R1および自己インダクタンスの
寄生抵抗の寄与が距離によらず一定であると考えること
ができる。より詳細にはそれらの変動は実質的に技術的
なばらつきに起因し、無視することができる。したがっ
てトランスポンダからもたらされる相互インダクタンス
および可能な抵抗R2のみが変化する。抵抗R2につい
ては、戻し変調の場合の変動はほとんどの場合に無視で
きることに留意されたい。このようなことが当てはまら
ない場合には、包絡線検波器(ダイオードD、コンデン
サC、抵抗Rd)が副搬送周波数に反応しないようにコ
ンデンサCの大きさを決めるかまたは戻し変調を検出す
るだけで十分である。
定する実施形態が好ましい実施形態である。これは、端
末の電磁界の中にトランスポンダがあるか否かに関わら
ずこの電流は決してゼロにならないからである。
合わせることができることに留意されたい。例えば電流
を主測定として使用し、電流測定を利用することが困難
になる電流値漸近線に達した場合には電圧測定を使用し
て、端末の電磁界の中におけるトランスポンダの存在
を、有効にするかまたは無効とし、それによって距離測
定の実行を有効にするかまたは無効にする。
までの距離を決定するのにトランスポンダが送信を実施
する必要がないことである。事実、本発明は、トランス
ポンダによって発振回路上に形成された負荷のみに基づ
き、前記トランスポンダが送信したメッセージの復調を
必要とせずに距離を決定する。
に基づいて電圧または電流情報を値に変換することは以
上に述べた機能指示に基づいて可能であることに留意さ
れたい。表の作成においては当然ながら電圧振幅および
距離に応じた電圧または電流変動の範囲を考慮する。
テムの単一の永久信号すなわち遠隔供給搬送波(例えば
13.56MHz)に対して実行されることである。
ざまな変更、修正および改良を有する。具体的には測定
に使用する情報の選択は、適用業務、特に距離に応じた
電圧または電流変動の振幅を決定する発振回路の異なる
構成部品のサイズ設定によって異なる。さらに、当業者
であれば以上の機能指示に基づいて測定および位相調整
回路を実施することができる。
ップ・カード(例えばアクセス制御のためのIDカー
ド、電子財布カード、カード保有者に関する情報を記憶
するためのカード、コンシューマ・フィデリティ・カー
ド、加入テレビジョン・カードなど)、およびこれらの
カードの読取りまたは読取り/書込みシステム(例え
ば、ポルチコ(portico)すなわちアクセス制御
端末、自動支払機、コンピュータ端末、電話端末、テレ
ビジョンまたはサテライト・デコーダなど)などを挙げ
ることができる。
示の一部を構成するものであり、本発明の趣旨および範
囲に包含されるものである。したがって以上の説明は単
に例示を目的としたものであって、本発明を限定しよう
とするものではない。本発明は、請求の範囲およびその
等価物の定義によってのみ限定される。
である。
である。
である。
の端末の一実施形態を示すブロック図である。
部分的に示す部分概略図である。
示す図である。
部分的に示す部分概略図である。
示す図である。
部分的に示す部分概略図である。
て示す図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 電磁界を生成する端末(1’)であっ
て、電磁界の中に入った少なくとも1つのトランスポン
ダと協力するように適合され、高周波交流駆動電圧を受
け取るように適合された発振回路(R1、L1、24)
を備え、トランスポンダから端末への送信を一切必要と
せずに端末からトランスポンダまでの距離を決定する手
段および発振回路中の信号の位相を基準値に対して調整
する手段(21、24、23)を含む端末。 - 【請求項2】 前記距離決定手段が、トランスポンダに
よって端末の発振回路上に形成された負荷によって決ま
る変数を測定する、請求項1に記載の端末。 - 【請求項3】 前記手段が、発振回路(R1、L1、2
4)の電流または発振回路の1つまたは複数の部品の両
端の電圧を測定する、請求項2に記載の端末。 - 【請求項4】 前記測定手段が、測定された電流または
電圧のアナログ・ディジタル変換器(32)および測定
された値を端末に記憶された対応表と比較するディジタ
ル回路(6)を含む、請求項1に記載の端末。
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