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JP2001007271A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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Publication number
JP2001007271A
JP2001007271A JP17642599A JP17642599A JP2001007271A JP 2001007271 A JP2001007271 A JP 2001007271A JP 17642599 A JP17642599 A JP 17642599A JP 17642599 A JP17642599 A JP 17642599A JP 2001007271 A JP2001007271 A JP 2001007271A
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JP
Japan
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lead
semiconductor chip
semiconductor device
resin sealing
sealing body
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP17642599A
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English (en)
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Tamaki Wada
環 和田
Michiaki Sugiyama
道昭 杉山
Masachika Masuda
正親 増田
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Hitachi Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi ULSI Systems Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の実装に対する信頼性及び耐湿に
対する信頼性の向上を図る。 【解決手段】 表裏面のうちの表面に電極が形成された
半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止
体と、前記半導体チップの表面に接着固定されると共
に、その表面の電極に電気的に接続される第１リード
と、前記第１リードに接合され、外部端子として用いら
れる第２リードとを有し、前記第１リードは前記第２リ
ードよりも酸化速度が遅い導電性材料（例えばＦｅ−Ｎ
ｉ系の金属材）で形成され、前記第２リードは前記第１
リードよりも柔らかい導電性材料（例えばＣｕ系の金属
材）で形成されていることを特徴とする半導体装置であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、樹脂封止体の内外に亘って延在し、半導体チ
ップの電極に電気的に接続されるリードを有する半導体
装置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＤＲＡＭ（Ｄynamic Ｒandum Ａccess
Ｍemory ）、ＳＲＡＭ（Ｓtatic Ｒandum Ａccess Ｍem
ory）等の記憶回路を内蔵する半導体チップは、大容量
化に伴って平面サイズが大型化する傾向にある。そこ
で、これらの半導体チップを樹脂封止体で封止する半導
体装置においては、リードフレームのダイパッド（タブ
とも言う）を省略し、大型の半導体チップにも対応可能
なＬＯＣ（Ｌead Ｏn Ｃhip)が採用されている。ＬＯＣ
構造とは、半導体チップの表裏面（互いに対向する一主
面及び他の主面）のうちの表面（一主面）である回路形
成面上にリードを配置した構造のことである。このよう
なＬＯＣ構造を採用することにより、半導体チップの平
面サイズが大型化されても、樹脂封止体で封止されるリ
ードの封止領域を確保することができるので、樹脂封止
体の平面サイズの増加を抑制することができる。
【０００３】ＬＯＣ構造を採用する半導体装置は、主
に、回路形成面に複数の電極（ボンディングパッド）が
形成された半導体チップと、半導体チップを封止する樹
脂封止体と、複数本のリードとを有する構成になってい
る。複数本のリードの夫々は、樹脂封止体の内外に亘っ
て延在し、樹脂封止体の内部に位置する内部リード部と
樹脂封止体の外部に位置する外部リード部とを有する構
成になっている。内部リード部は、半導体チップの回路
形成面に絶縁性の樹脂フィルムを介して接着固定され、
更に、その回路形成面の電極に導電性のワイヤを介して
電気的に接続されている。外部リード部は、実装基板に
半導体装置を実装する時、実装基板の接続用端子（配線
の一部分）に電気的にかつ機械的に接合される外部端子
として用いられ、例えばＪ型、ガルウィング型等の面実
装型リード形状に曲げ成形されている。
【０００４】なお、ＬＯＣ構造を採用する半導体装置に
ついては、例えば、特開平２−２４６１２５号公報（１
９９０年、１０月１日公開）に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リードの外
部リード部を外部端子として用いる半導体装置において
は、実装基板に半導体装置を半田付け実装する時の熱膨
張に起因して生じる応力や、実装後の実装基板の反りに
起因して生じる応力を外部リード部の弾性変形によって
緩和することができる。外部リード部の弾性変形量は、
樹脂封止体から突出する外部リード部の突出部分（根元
部分）から実装基板までの距離（以下、リード高さと呼
ぶ）に左右されるため、できるだけリード高さを高くす
ることが望ましい。
【０００６】一方、電子機器の小型軽量化が進み、これ
らの電子機器に組み込まれる半導体装置においては薄型
化が要求されている。半導体装置の薄型化を図るために
は、リード高さを縮小しなければならない。リード高さ
を縮小した場合、外部リード部の弾性変形量が減少し、
実装基板に半導体装置を半田付け実装する時の熱膨張に
起因して生じる応力や、実装後の実装基板の反りに起因
して生じる応力を外部リードの弾性変形によって緩和す
ることが困難となり、実装基板の接続用端子に半田付け
された外部リード部の実装部分が剥がれるといった不具
合が発生し易くなるため、半導体装置の実装に対する信
頼性が低下する。
【０００７】そこで、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）系
の金属材よりも柔らかい銅（Ｃｕ）系の金属材からなる
リードフレームを用いて半導体装置を製造することによ
り、外部リード部が弾性変形し易くなるので、半導体装
置が薄型化されても、実装基板の接続用端子に半田付け
された外部リード部の実装部分が剥がれるといった不具
合の発生を抑制することができる。また、Ｃｕ系リード
フレームは、Ｆｅ−Ｎｉ系リードフレームに比べて導電
性及び熱伝導性に優れているので、高速性及び放熱性に
優れた半導体装置を製造することができる。
【０００８】しかしながら、ＬＯＣ構造を採用する半導
体装置においては、Ｃｕ系リードフレームを用いて製造
した場合、以下の問題が生じる。
【０００９】ＬＯＣ構造では、リードフレームに対する
半導体チップの取り付け（チップボンディング）を熱圧
着にて行っている。熱圧着は、半導体チップが装着され
るヒートステージ及びリードフレームのリードを圧着す
るボンディングツールを、例えば４００［℃］程度に加
熱した状態で行なわれる。一方、Ｃｕ系リードフレーム
は、加熱された時の酸化速度がＦｅ−Ｎｉ系リードフレ
ームと比較して速く、特に、加熱温度が３００［℃］以
上になると酸化反応が加速される。このため、リードフ
レームに半導体チップを熱圧着にて取り付ける時、リー
ドの内部リード部の表面に、樹脂封止体の樹脂との接着
性を劣化させる酸化膜が形成されてしまう。リードの内
部リード部と樹脂封止体の樹脂との接着性が劣化した場
合、これらの界面に水分パス経路が形成され易くなるた
め、半導体装置の耐湿に対する信頼性が低下してしま
う。
【００１０】本発明の目的は、半導体装置において、実
装に対する信頼性及び耐湿に対する信頼性の向上を図る
ことが可能な技術を提供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１３】（１）表裏面のうちの表面に電極が形成さ
れた半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂
封止体と、前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記
半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面
の電極に電気的に接続されるリードとを有する半導体装
置であって、前記リードは、前記半導体チップの表面に
接着固定される第１リードと、前記第１リードに接合さ
れ、外部端子として用いられる第２リードとを有し、前
記第１リードは、前記第２リードよりも酸化速度が遅い
導電性材料で形成され、前記第２リードは、前記第１リ
ードよりも柔らかい導電性材料で形成されている。
【００１４】（２）前記手段（１）に記載の半導体装置
において、前記第２リードは、前記樹脂封止体の外部に
おいて前記第１リードに接合されている。
【００１５】（３）前記手段（１）に記載の半導体装置
において、前記第２リードは、前記樹脂封止体の内部に
おいて前記第１リードに接合されている。
【００１６】（４）前記手段（１）に記載の半導体装置
において、前記第２リードは、前記樹脂封止体の外部に
おいて前記第１リードに接合される第１部分と、前記第
１部分から前記樹脂封止体の実装面側に折れ曲がる第２
部分と、前記第２部分から前記樹脂封止体の平面方向に
折れ曲がる第３部分とを有する構成になっている。
【００１７】（５）前記手段（１）に記載の半導体装置
において、前記第２リードは、前記樹脂封止体の内外に
亘って延在し、前記樹脂封止体の内部において前記第１
リードに接合される第１部分と、前記第１部分から前記
樹脂封止体の実装面側に折れ曲がる第２部分と、前記第
２部分から前記樹脂封止体の平面方向に折れ曲がる第３
部分とを有する構成になっている。
【００１８】（６）前記手段（１）に記載の半導体装置
において、前記第１リードは、熱硬化性樹脂からなる接
着層、若しくは熱硬化性樹脂層を有する接着層を介して
前記半導体チップの表面に接着固定されている。
【００１９】（７）前記手段（１）に記載の半導体装置
において、前記第１リードは、導電性のワイヤを介して
前記半導体チップの電極に電気的に接続されている。
【００２０】（８）前記手段（１）に記載の半導体装置
において、前記第１リードは鉄−ニッケル系の金属材で
形成され、前記第２リードは銅系の金属材で形成されて
いる。
【００２１】（９）表裏面のうちの表面に電極が形成さ
れた半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂
封止体と、前記半導体チップの表面に接着固定されると
共に、その表面の電極に電気的に接続される第１リード
と、前記第１リードに接合され、外部端子として用いら
れる第２リードとを有し、前記第１リードは、前記第２
リードよりも酸化速度が遅い導電性材料で形成され、前
記第２リードは、前記第１リードよりも柔らかい導電性
材料で形成される半導体装置の製造方法であって、前記
半導体チップの表面に前記第１リードを熱圧着にて接着
固定する工程の後に、前記第１リードに前記第２リード
を接合する工程を備える。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成について、二
方向リード配列構造であるＴＳＯＰ（ＴhinＳmall Ｏut
-line Ｐackage ）型の半導体装置に本発明を適用した
実施の形態と共に説明する。
【００２３】なお、実施の形態を説明するための図面に
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
【００２４】（実施形態１）図１は本発明の実施形態１
である半導体装置の模式的平面図であり、図２は図１に
示す半導体装置の模式的断面図であり、図３は図２の一
部を拡大した模式的断面図である。
【００２５】図１及び図２に示すように、本実施形態の
半導体装置１Ａは、主に、半導体チップ２、複数本のリ
ード３及び樹脂封止体５等を有する構成になっている。
【００２６】半導体チップ２は樹脂封止体５で封止され
ている。半導体チップ２の平面形状は方形状で形成さ
れ、本実施形態においては長方形で形成されている。半
導体チップ２には、例えば６４メガビットのＤＲＡＭ
（Ｄynamic Ｒandum Ａccess Ｍemory）からなる記憶回
路が内蔵されている。
【００２７】半導体チップ２は、主に、半導体基板、こ
の半導体基板の一主面上において絶縁層、配線層の夫々
を複数段積み重ねた多層配線層、この多層配線層を覆う
ようにして形成された表面保護膜（最終保護膜）等を有
する構成になっている。半導体基板は例えば単結晶シリ
コンで形成され、絶縁層は例えば酸化シリコン膜で形成
され、配線層は例えばアルミニウム（Ａｌ）膜又はアル
ミニウム合金膜等の金属膜で形成されている。表面保護
膜は、例えば、メモリにおける耐α線強度の向上を図る
ことができ、樹脂封止体５の樹脂との接着性の向上を図
ることができるポリイミド系の樹脂で形成されている。
このような半導体チップ２においては、３×１０~6[１
／℃]程度の熱膨張係数を有する。
【００２８】半導体チップ２の表裏面（互いに対向する
一主面及び他の主面）のうちの表面（一主面）である回
路形成面２Ｘの中央部には、その長辺方向に沿って複数
個の電極（ボンディングパッド）ＢＰが形成されてい
る。複数個の電極ＢＰの夫々は、半導体チップ２の多層
配線層のうちの最上層の配線層に形成されている。最上
層の配線層はその上層に形成された表面保護膜で覆わ
れ、この表面保護膜には電極ＢＰの表面を露出するボン
ディング開口が形成されている。
【００２９】樹脂封止体５の平面形状は方形状で形成さ
れ、本実施形態においては長方形で形成されている。こ
の樹脂封止体５の互いに対向する二つの長辺の夫々の辺
側には、夫々の長辺に沿って複数本のリード３が配置さ
れている。複数本のリード３の夫々は樹脂封止体５の内
外に亘って延在している。
【００３０】複数本のリード３のうち、大多数のリード
３は、リード１１及びこのリード１１に接合されたリー
ド２１を有する構成になっている。リード１１は樹脂封
止体５の内外に亘って延在し、樹脂封止体５の内部に位
置する内部リード部と樹脂封止体５の外部に位置する外
部リード部とを有する構成になっている。リード１１の
内部リード部は、半導体チップ２の回路形成面２Ｘに接
着層１４を介して接着固定され、更に、半導体チップ２
の電極ＢＰに導電性のワイヤ４を介して電気的に接続さ
れている。即ち、本実施形態の半導体装置１Ａは、半導
体チップ２の回路形成面２Ｘ上にリード３を配置したＬ
ＯＣ（Ｌead Ｏn Ｃhip ）構造で構成されている。
【００３１】リード２１は、樹脂封止体５の外部におい
てリード１１の外部リード部に電気的にかつ機械的に接
合されている。リード２１は、外部端子として用いら
れ、例えば面実装型リード形状の一つであるガルウィン
グ型に曲げ成形されている。リード１１とリード２１と
の接合は、これに限定されないが、例えば溶接にて行わ
れている。
【００３２】ワイヤ４としては例えば金（Ａｕ）ワイヤ
を用いている。ワイヤの接続方法としては例えば熱圧着
に超音波振動を併用したボンディング法を用いている。
接着層４としては、例えば、ポリイミド系の樹脂基材の
両面（表面及び裏面）にポリイミド系の熱硬化性樹脂層
が設けられた絶縁性の樹脂フィルムを用いている。
【００３３】樹脂封止体５は、低応力化を図る目的とし
て、例えば、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及び
フィラー等が添加されたエポキシ系の樹脂で形成されて
いる。シリコンーゴムは、エポキシ系の樹脂の弾性率及
び熱膨張率を低下させる作用がある。フィラーは例えば
球形の酸化シリコン粒で形成されており、同様に熱膨張
率を低下させる作用がある。このような樹脂封止体５に
おいては、１３×１０~6［１／℃］程度の熱膨張係数を
有する。
【００３４】樹脂封止体５は、大量生産に好適なトラン
スファ・モールディング法で形成されている。トランス
ファ・モールディング法は、ポット、ランナー、流入ゲ
ート及びキャビティ等を備えた成形金型（モールド金
型）を使用し、ポットからランナー及び流入ゲートを通
してキャビティ内に樹脂を加圧注入して樹脂封止体を形
成する方法である。
【００３５】ガルウィング型に成形されたリード２１
は、図３に示すように、樹脂封止体５の外部においてリ
ード１１に接合される第１部分２１Ａと、この第１部分
２１Ａから樹脂封止体５の実装面（半導体装置１Ａを実
装する時に実装基板と向い合う面）５Ｙ側に折れ曲がる
第２部分２１Ｂと、この第２部分２１Ｂから樹脂封止体
５の平面方向に折れ曲がる第３部分２１Ｃとを有する構
成になっている。第３部分２１Ｃは、実装基板に半導体
装置１Ａを半田付け実装する時、実装基板の接続用端子
（配線の一部分）に半田によって接合される。
【００３６】リード１１の外部リード部及びリード２１
の第３部分２１Ａは上下方向（樹脂封止体５の厚さ方
向）に積層され、本実施形態においてはリード２１の第
３部分２１Ａを樹脂封止体５の実装面５Ｙ側に位置させ
た状態（リード１１の外部リード部分の下側に位置させ
た状態）で積層されている。
【００３７】なお、図２に示す符号１３はバスバーリー
ドである。バスバーリード１３は、リード３の一端側の
先端部と半導体チップ２の電極ＢＰとの間に配置され、
電極ＢＰの配列方向に沿って延在している。バスバーリ
ード１３は、複数本のリード３のうち、電源電位（例え
ば５［Ｖ］）又は基準電位（例えば０［Ｖ］）が印加さ
れるリード３と一体化されている。
【００３８】このように構成された半導体装置１Ａは、
二枚のリードフレームを用いた組立プロセスによって製
造される。
【００３９】次に、半導体装置１Ａの製造に用いられる
二枚のリードフレームについて説明する。図４は第１の
リードフレームの模式的平面図であり、図５は第２のリ
ードフレームの模式的平面図である。なお、実際のリー
ドフレームは複数の半導体装置を製造できるように多連
構造になっているが、図面を見易くするため、図４及び
図５は一つの半導体装置が製造される一個分の領域を示
している。
【００４０】図４に示すように、第１のリードフレーム
ＬＦ１は、平面が方形状の枠体１０で囲まれた領域内
に、複数本のリード１１、四本のバスバーリード１３、
樹脂フィルムからなる二枚の接着層１４、二つの吊りリ
ード１５及び複数本のＴ字型リード１６等を配置した構
成になっている。
【００４１】複数本のリード１１及びＴ字型リード１６
は二つのリード群に分割されている。一方のリード群の
夫々のリード１１及びＴ字型リード１６は、枠体１０の
互いに対向する二つの長辺枠部のうちの一方の長辺枠部
の延在方向に沿って配列されている。他方のリード群の
夫々のリード１１及びＴ字型リード１６は、枠体１０の
互いに対向する二つの長辺枠部のうちの他方の長辺枠部
の延在方向に沿って配列されている。一方及び他方のリ
ード群の夫々のリード１１及びＴ字型リード１６は、樹
脂封止体の外部に導出される先端部分がタイバー１２に
よって互いに連結され、更に、枠体１０に連結され支持
されている。即ち、リードフレームＬＦ１は、複数本の
リード１１及びＴ字型リード１６を図４の上下方向に沿
って二列に配列した二方向リード配列構造になってい
る。
【００４２】複数本のリード１１の夫々は、半導体装置
１Ａの組立プロセスにおいて、半導体チップ２の回路形
成面１Ｘに接着層１４を介して接着固定され、その後、
半導体チップ２の電極ＢＰにワイヤ４を介して電気的に
接続される。リード１１の接着固定は熱圧着にて行われ
る。
【００４３】タイバー１２は、後で詳細に説明するが、
トランスファ・モールディング法に基づいて樹脂封止体
５を形成する時、溶融樹脂が成形金型のキャビティの外
部に漏出するのを防止するダムバーとして用いられる。
【００４４】四本のバスバーリード１３のうち、二本の
バスバーリード１３は、枠体１０の一方の長辺枠部の延
在方向に沿って配列された複数本のリード１１のうちの
初段、中段及び終段に位置するリード１１に連結され、
これらのリード１１と一体化されている。四本のバスバ
ーリード１３のうち、他の二本のバスバーリード１３
は、枠体１０の他方の長辺枠部の延在方向に沿って配列
された複数本のリード１１のうちの初段、中段及び終段
に位置するリード１１に連結され、これらのリード１１
と一体化されている。
【００４５】樹脂フィルムからなる二枚の接着層１４の
夫々は、複数本のリード１１を跨るようにして延在し、
これらのリード１１のワイヤボンディング面と対向する
裏面に接着固定されている。
【００４６】二つの吊りリード１５の夫々は、枠体１０
の互いに対向する二つの短辺枠部の夫々に連結され支持
されている。二つの吊りリード１５の夫々は、半導体装
置１Ａの組立プロセスにおいて、リードフレームＬＦ１
の枠体１０に樹脂封止体５を支持するためのものであ
る。
【００４７】図５に示すように、第２のリードフレーム
ＬＦ２は、平面が方形状の枠体２０で囲まれた領域内
に、複数本のリード２１等を配置した構成になってい
る。
【００４８】複数本のリード２１の夫々は二つのリード
群に分割されている。一方のリード群の夫々のリード２
１は、枠体２０の互いに対向する二つの長辺枠部のうち
の一方の長辺枠部の延在方向に沿って配列されている。
他方のリード群の夫々のリード２１は、枠体２０の互い
に対向する二つの長辺枠部のうちの他方の長辺枠部の延
在方向に沿って配列されている。一方及び他方のリード
群の夫々のリード２１は、一端側の先端部分がタイバー
２２によって互いに連結され、更に枠体２０に連結され
支持されている。また、一方及び他のリード群の夫々の
リード２１は、他端側の先端部分が枠体２０に連結され
支持されている。即ち、リードフレームＬＦ２は、複数
本のリード２１を図５の上下方向に沿って二列に配列し
た二方向リード配列構造になっている。
【００４９】複数のリード２１の夫々は、半導体装置１
Ａの組立プロセスにおいて、リードフレームＬＦ１の対
応するリード１１及びＴ字型リード１６に接合される。
【００５０】リードフレームＬＦ１は、主に、金属板に
エッチング加工又はプレス加工を施して所定のリードパ
ターンを形成し、その後、リード１１に曲げ加工を施
し、その後、リード１１の裏面に樹脂フィルムからなる
接着層１４を貼り付けることによって形成される。一
方、リードフレームＬＦ２は、主に、金属板にエッチン
グ加工又はプレス加工を施して所定のリードパターンを
形成することによって形成される。
【００５１】リードフレームＬＦ１は、例えば、鉄（Ｆ
ｅ）−ニッケル（Ｎｉ）系の金属材（例えばＮｉ含有率
４２又は５０［％］）で形成されている。一方、リード
フレームＬＦ２は、例えば、銅（Ｃｕ）系の金属材（例
えばＣｕを主成分とする合金材）で形成されている。Ｆ
ｅ−Ｎｉ系の金属材はＣｕ系の金属材よりも酸化速度が
遅く、Ｃｕ系の金属材はＦｅ−Ｎｉ系の金属材よりも柔
らかい。即ち、半導体チップ２の回路形成面２Ｘに熱圧
着されるリード１１は外部端子として用いられるリード
２１よりも酸化速度が遅い導電性材料で形成され、外部
端子として用いられるリード２１は半導体チップ２の回
路形成面２Ｘに熱圧着されるリード１１よりも柔らかい
導電性材料で形成されている。
【００５２】Ｆｅ−Ｎｉ（例えばＮｉ含有率４２
［％］）系の金属材は、５×１０~6［１／℃］程度の熱
膨張係数、１４７．１［ＧＰａ］程度の縦弾性係数を有
する。Ｃｕ（例えばＣｕを主成分とする合金材）系の金
属材は、１７×１０~6［１／℃］程度の熱膨張係数、１
２７［ＧＰａ］程度の縦弾性係数を有する。
【００５３】なお、リードフレームＬＦ２においては、
半導体装置１Ａの組立プロセスにおいて樹脂封止体を支
持するための吊りリードは設けられていない。
【００５４】次に、半導体装置１Ａの製造について、図
６乃至図１０を用いて説明する。
【００５５】図６は半導体装置の製造を説明するための
フローチャートであり、図７はチップボンディング工程
を説明するための模式的断面図であり、図８はワイヤボ
ンディング工程を説明するための模式的断面図であり、
図９は樹脂封止工程を説明するための模式的断面図であ
り、図１０はリード接合工程を説明するための模式的断
面図である。
【００５６】まず、リードフレームＬＦ１に半導体チッ
プ２を取り付ける〈Ａ〉。半導体チップ２の取り付け
は、図７に示すように、ヒートステージ４１に半導体チ
ップ２を装着し、その後、半導体チップ２の回路形成面
２Ｘに接着層１４を介してリード１１をボンディングツ
ール４２で圧着することによって行われる。リード１１
の圧着は、例えば、４００［℃］程度にヒートステージ
４１及びボンディングツール４０を加熱した状態で４
［Ｋｇ］程度の圧力を加えることによって行われる。即
ち、半導体チップ２の取り付けは熱圧着にて行われる。
【００５７】この工程において、リード１１はＦｅ−Ｎ
ｉ系の金属材（例えばＮｉ含有率４２又は５０［％］）
で形成されている。このＦｅ−Ｎｉ系の金属材は、従来
からリードフレームの材料として用いられているＣｕ系
の金属材と比較して常温時及び加熱時の酸化速度が遅
く、耐酸化性に優れている。従って、熱圧着時にリード
１１が加熱されても、樹脂封止体５の樹脂との接着性を
劣化させるような酸化膜がリード１１の表面に形成され
ることはない。
【００５８】次に、半導体チップ２の電極ＢＰとリード
１１とを導電性のワイヤ４で電気的に接続する〈Ｂ〉。
ワイヤ４としては、例えば金（Ａｕ）ワイヤを用いる。
また、ワイヤ４の接続方法としては、例えば熱圧着に超
音波振動を併用したボール・ボンディング（ネイルヘッ
ド・ボンディング）法を用いる。ボール・ボンディング
法によるワイヤ４の接続は、図８に示すように、ヒート
ステージ４２に半導体チップ２及びリード１１を装着
し、例えば１５０〜３００［℃］程度にヒートステージ
４２を加熱した状態で行われる。この時、リード１１は
ヒートステージ４２によって加熱されるが、リード１１
はＦｅ−Ｎｉ系の金属材で形成されているため、樹脂封
止体５の樹脂との接着性を劣化させるような酸化膜がリ
ード１１の表面に形成されることはない。
【００５９】次に、図９に示すように、トランスファ・
モールド装置の成形金型５０の上型５０Ａと下型５０Ｂ
との間に、リードフレームＬＦ１を位置決めする。この
時、上型５０Ａ及び下型５０Ｂによって形成されるキャ
ビティ５１の内部には、半導体チップ２、ワイヤ４、リ
ード１１の内部リード部、バスバーリード１３、吊りリ
ード１５及びＴ字型リード１６の内部リード部等が配置
される。
【００６０】次に、成形金型５０のポットからランナー
及び流入ゲートを通してキャビティ５１内に流動性の樹
脂を加圧注入して樹脂封止体５を形成する〈Ｃ〉。この
時、半導体チップ２、ワイヤ４、リード１１の内部リー
ド部、バスバーリード１３、吊りリード１５及びＴ字型
リード１６の内部リード部等は樹脂封止体５によって封
止される。樹脂としては、フェノール系硬化剤、シリコ
ーンゴム及びフィラー等が添加されたエポキシ系の熱硬
化性樹脂を用いる。
【００６１】この工程において、リード１１の表面には
樹脂封止体５の樹脂との接着性を劣化させるような酸化
膜が形成されていないため、リード１１の内部リード部
と樹脂封止体５の樹脂との界面に水分パス経路が形成さ
れることはない。
【００６２】次に、成形金型５０からリードフレームＬ
Ｆ１を取り出し、その後、図１０に示すように、リード
フレームＬＦ１とリードフレームＬＦ２とを重ね合わ
せ、その後、リードフレームＬＦ１のリード１１及びＴ
字型リード１６と、これらのリードに対応するリードフ
レームＬＦ２のリード２１とを電気的にかつ機械的に接
合する〈Ｄ〉。リードフレームＬＦ１とＬＦ２との重ね
合わせは、リードフレームＬＦ２が樹脂封止体５の実装
面５Ｙ側に位置する状態で行う。リード接合は、例えば
微小加工に好適なレーザ溶接で行う。レーザ溶接による
接合は、樹脂封止体５から離れた位置にて行う。具体的
には、リード１１の上方からその先端部分Ｓにレーザ光
を照射して行う。これにより、リード１１及びこのリー
ド１１に接合されたリード２１を有するリード３が形成
される。
【００６３】ところで、レーザ溶接では、リードの接合
部分にレーザ光を照射し、リードの接合部分を溶融して
接合するため、溶融したものがレーザ光の照射力によっ
て周囲に飛散する。この飛散物が半導体チップの回路形
成面に飛来した場合、飛散物は高温状態であるため、半
導体チップの表面保護膜に熱損傷が発生し、表面保護膜
下の配線が断線したり、隣り合う配線同志が短絡したり
するといった不具合が発生する。このような不具合の発
生を防止するためには、本実施形態のように樹脂封止体
５を形成した後にリード接合を行うことが有効である。
その理由は、半導体チップ２の回路形成面２Ｘが樹脂封
止体５の樹脂によって覆われているため、溶接時に発生
した飛散物が半導体チップ２の回路形成面２Ｘに飛来す
ることはない。
【００６４】また、半導体チップ２の電極ＢＰとリード
１１とをワイヤ４で電気的に接続するワイヤボンディン
グ工程〈Ｂ〉の後であって、樹脂封止体５を形成する樹
脂封止工程〈Ｃ〉の前に、リード１１とリード２１とを
接合するリード接合工程〈Ｄ〉を実施した場合、リード
接合工程〈Ｄ〉においてワイヤ４が変形するといった不
具合が発生し易くなるが、本実施形態では樹脂封止工程
〈Ｃ〉の後にリード接合工程〈Ｄ〉を実施しているた
め、リード接合工程〈Ｄ〉においてワイヤ４が変形する
といった不具合の発生を実質的に排除することができ
る。
【００６５】次に、重ね合った二つのタイバー（１２，
２２）を切断金型にて同時に切断し〈Ｅ〉、その後、実
装時の半田濡れ性の確保や耐腐食性の向上を図るため、
リード１１の外部リード部及びリード２１にメッキ処理
を施して、これらの表面に例えば鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓ
ｎ）組成の材料からなる導電性被膜（メッキ膜）を形成
する〈Ｆ〉。導電性被膜の形成は、膜厚の制御性が高
く、微細化されたリードに好適な電解メッキ法で行う。
【００６６】次に、リードフレームＬＦ２の枠体２０か
らリード２１を切断し、その後、リード２１を面実装型
リード形状の一つであるガルウィング型リード形状に曲
げ成形する〈Ｇ〉。この工程において、リードフレーム
ＬＦ２の枠体２０は除去される。
【００６７】次に、リードフレームＬＦ１の枠体１０か
ら吊りリード１５を切断する〈Ｈ〉。これにより、図１
乃至図３に示す半導体装置１Ａがほぼ完成する。
【００６８】このように構成された半導体装置１Ａは、
図１１（実装基板に実装した状態の模式的断面図）に示
すように、実装基板３０に実装される。リード２１の第
３部分２１Ｃは実装基板３０の接続用端子（配線の一部
分）３０Ａに半田材（例えばＰｂ−Ｓｎ組成の半田材）
３１によって電気的にかつ機械的に接合される。半導体
装置１Ａの実装は、これに限定されないが、例えば、実
装基板の接続用端子３０Ａ上にスクリーン印刷法で半田
ペースト層を形成し、その後、接続用端子３０Ａ上に半
田ペースト層を介してリード２１の第３部分２１Ｃを配
置し、その後、実装基板３０を赤外線リフロー炉に搬送
し、その後、半田ペースト層を溶融して硬化させる。こ
れにより、半導体装置１Ａは実装基板３０に実装され
る。
【００６９】この半導体装置１Ａの実装工程において、
リード２１はＣｕ系の金属材（例えばＣｕを主成分とす
る合金材）で形成されている。このＣｕ系の金属材は、
従来からリードフレームの材料として用いられているＦ
ｅ−Ｎｉ系の金属材（例えばＮｉ含有率４２又は５０
［％］）と比較して縦弾性係数が小さく、柔らかい。従
って、外部端子として用いられるリード２１が弾性変形
し易くなるので、半導体装置１Ａの薄型化に伴ってリー
ド高さが低くなっても、実装基板３０に半導体装置１Ａ
を半田付け実装する時の熱膨張に起因して生じる応力を
緩和することができ、実装基板３０の接続端子３０Ａに
半田付けされたリード２１の第３部分２１Ｃが剥がれる
といった不具合の発生を抑制することができる。
【００７０】また、実装後の実装基板３０の反りに起因
して生じる応力を緩和することができ、実装基板３０の
接続端子３０Ａに半田付けされたリード２１の第３部分
２１Ｃが剥がれるといった不具合の発生を抑制すること
ができる。
【００７１】特に、携帯電話、携帯型情報処理端末機
器、携帯型パーソナル・コンピュータ等の小型電子機器
に組み込まれる実装基板においては厚さが薄く反り易い
ため、実装基板の反りによる応力をリードの弾性変形に
よって緩和することは重要である。
【００７２】以上説明したように、本実施形態によれば
以下の効果が得られる。
【００７３】（１）半導体装置１Ａにおいて、リード３
は、半導体チップ２の回路形成面２Ｘに接着層１４を介
して接着固定されるリード１１と、このリード１１に接
合され、かつ外部端子として用いられるリード２１とを
有する構成になっている。リード１１は、Ｃｕ系の金属
材（例えばＣｕを主成分とする合金材）よりも酸化速度
が遅いＦｅ−Ｎｉ系の金属材（例えばＮｉ含有率４２又
は５０［％］）で形成されている。リード２１は、Ｆｅ
−Ｎｉ系の金属材（例えばＮｉ含有率４２又は５０
［％］）よりも柔らかいＣｕ系の金属材（例えばＣｕを
主成分とする合金材）で形成されている。
【００７４】このような構成にすることにより、半導体
チップ２の回路形成面２Ｘにリード１１を熱圧着にて接
着固定する時、リード１１が加熱されても、樹脂封止体
５の樹脂との接着性を劣化させるような酸化膜がリード
１１の表面に形成されることはない。従って、リード１
１と樹脂封止体５の樹脂との界面に形成される水分パス
経路を抑制することができる。
【００７５】一方、リード２１は弾性変形し易くなるの
で、半導体装置１Ａの薄型化に伴ってリード高さが低く
なっても、実装基板３０に半導体装置１Ａを半田付け実
装する時の熱膨張に起因して生じる応力や、実装時の実
装基板３０の反りに起因して生じる応力をリード２１の
弾性変形によって緩和することができ、実装基板３０の
接続端子３０Ａに半田付けされたリード２１の実装部分
２１Ｃが剥がれるといった不具合の発生を抑制すること
ができる。
【００７６】この結果、半導体装置１Ａの実装に対する
信頼性及び耐湿に対する信頼性の向上を図ることができ
る。
【００７７】また、半導体装置１Ａの実装に対する信頼
性及び耐湿に対する信頼性の向上を図ることができるの
で、半導体装置１Ａの薄型化を図ることができる。
【００７８】（２）半導体装置１Ａの製造において、レ
ーザ溶接によるリード１１とリード２１との接合は、樹
脂封止体５を形成した後に行う。
【００７９】これにより、リード１１とリード２１とを
レーザ溶接にて接合する時、半導体チップ２の回路形成
面２Ｘは樹脂封止体５の樹脂によって覆われているの
で、溶接時に発生した飛散物（高温の溶融物）が半導体
チップ２の回路形成面２Ｘに飛来することはない。この
結果、飛散物が半導体チップ２の回路形成面２Ｘに飛来
することによって表面保護膜が熱損傷し、表面保護膜下
の配線が断線したり、隣合う配線同志が短絡したりする
といった不具合を防止することができるので、半導体装
置１Ａの歩留まりの向上を図ることができる。
【００８０】（３）半導体装置１Ａの製造において、リ
ード１１とリード２１との接合は、樹脂封止体５を形成
した後に行う。
【００８１】これにより、リード接合工程〈Ｄ〉におい
てワイヤ４が変形するといった不具合の発生を実質的に
排除することができるので、半導体装置１Ａの歩留まり
の向上を図ることができる。
【００８２】なお、本実施形態では、リードフレームの
材料としてＣｕ系の金属材（例えばＣｕを主成分とする
合金材）及びＦｅ−Ｎｉ系の金属材（例えばＮｉ含有率
４２又は５０［％］）を用いた例について説明したが、
リードフレームの材料としては他の材料を用いてもよ
い。但し、リード１１を有するリードフレームにおいて
はリード２１を有するリードフレームよりも酸化速度が
遅い導電性材料を用い、リード２１を有するリードフレ
ームにおいてはリード１１を有するリードフレームより
も柔らかい導電性材料を用いる必要がある。
【００８３】また、本実施形態では、リード１１とリー
ド２１との接合をレーザ溶接にて行った例について説明
したが、リード１１とリード２１との接合は他の接合手
段によって行ってもよい。接合手段としては、例えば、
半田浸漬又は半田メッキによる半田接合等がある。
【００８４】また、本実施形態では、接着層１４として
両面（表面及び裏面）に熱硬化性樹脂層が設けられた絶
縁性の樹脂フィルムを用いた例について説明したが、接
着層１４としては熱可塑性樹脂からなる絶縁性の樹脂フ
ィルムを用いてもよい。
【００８５】また、接着層１４としては、半導体チップ
２の回路形成面２Ｘ又はリード１１のチップ固定面に例
えば熱硬化性の樹脂からなる接着剤を塗布して形成して
もよい。
【００８６】ところで、チップボンディング工程〈Ａ〉
の前にリード接合工程〈Ｄ〉を実施した場合、チップボ
ンディング工程〈Ａ〉においてリード２１の表面に酸化
膜が形成されるが、本実施形態のリード２１は樹脂封止
体５の外部に配置されるため、リード２１の表面に酸化
膜が形成されても、樹脂封止体５の樹脂との接着性に悪
影響を及ぼすことはない。従って、チップボンディング
工程〈Ａ〉の前にリード接合工程〈Ｄ〉を実施してもよ
い。この場合においても、リード接合工程〈Ｄ〉におい
てワイヤ４が変形するといった不具合の発生を実質的に
排除することができる。但し、溶接時に発生した飛散物
が半導体チップ２の回路形成面２Ｘに飛来しないように
対策する必要がある。
【００８７】また、本実施形態のリード２１は樹脂封止
体５の外部に配置されるため、チップボンディング工程
〈Ａ〉の後であって、ワイヤボンディング工程〈Ｂ〉の
前にリート接合工程〈Ｄ〉を実施しても、樹脂封止体５
の樹脂との接着性に悪影響を及ぼすことはない。この場
合においても、リード接合工程〈Ｄ〉においてワイヤ４
が変形するといった不具合の発生を実質的に排除するこ
とができる。但し、溶接時に発生した飛散物が半導体チ
ップ２の回路形成面２Ｘに飛来しないように対策する必
要がある。
【００８８】また、本実施形態のリード２１は樹脂封止
体５の外部に配置されるため、ワイヤボンディング工程
〈Ｂ〉の後であって、樹脂封止工程〈Ｃ〉の前にリート
接合工程〈Ｄ〉を実施しても、樹脂封止体５の樹脂との
接着性に悪影響を及ぼすことはない。但し、この場合、
リード接合工程〈Ｄ〉においてワイヤ４が変形するとい
った不具合が発生し易くなるため、ワイヤ変形が発生し
ないように対策する必要がある。また、溶接時に発生し
た飛散物が半導体チップ２の回路形成面２Ｘに飛来しな
いように対策する必要がある。
【００８９】（実施形態２）図１２は本発明の実施形態
２である半導体装置の模式的断面図である。
【００９０】図１２に示すように、本実施形態の半導体
装置１Ｂは、基本的に前述の実施形態１と同様の構成に
なっており、以下の構成が異なっている。
【００９１】即ち、リード１１、リード２１の夫々は、
リード１１の外部リード部上にリード２１の第３部分２
１Ａを積み重ねた状態（リード１１の外部リード部を樹
脂封止体５の実装面５Ｙ側に位置させた状態）で接合さ
れている。このような構成にすることにより、前述の実
施形態１と比較してリード２１の第３部分２１Ａから実
装基板までの距離が長くなるので、リード２１の弾性変
形量が増加する。この結果、半導体装置１Ｂにおいては
実装に対する信頼性の向上を更に図ることができる。
【００９２】（実施形態３）図１３は本発明の実施形態
３である半導体装置の模式的断面図である。
【００９３】図１３に示すように、本実施形態の半導体
装置１Ｃは、基本的に前述の実施形態１と同様の構成に
なっており、以下の構成が異なっている。
【００９４】即ち、リード１１、リード２１の夫々は、
樹脂封止体５の内部において接合されている。リード１
１は樹脂封止体５の内部に位置し、リード２１は樹脂封
止体５の内外に亘って延在している。
【００９５】リード２１は、面実装型リード形状の一つ
であるガルウィング型に曲げ成形されている。本実施形
態において、ガルウィング型に成形されたリード２１
は、図１４に示すように、樹脂封止体５の内外に亘って
延在し、樹脂封止体５の内部においてリード２１に接合
される第１部分２１Ａと、この第１部分２１Ａから樹脂
封止体５の実装面５Ａ側に折れ曲がる第２部分２１Ｂ
と、この第２部分２１Ｂから樹脂封止体５の平面方向に
折れ曲がる第３部分２１Ｃとを有する構成になってい
る。
【００９６】このように構成された半導体装置１Ｃは、
図１５（模式的平面図）に示すリードフレームＬＦ３及
び図１６（模式的平面図）に示すリードフレームＬＦ４
を用いた組立プロセスによって製造される。なお、実際
のリードフレームは複数の半導体装置を製造できるよう
に多連構造になっているが、図面を見易くするため、図
１５及び図１６は一つの半導体装置が製造される一個分
の領域を示している。
【００９７】リードフレームＬＦ３は、図１５に示すよ
うに、基本的に前述の実施形態１で用いたリードフレー
ムＬＦ１と同様の構成になっており、以下の構成が異な
っている。
【００９８】即ち、リード１１は、タイバー１２から分
離され、樹脂フィルムからなる接着層１４に接着固定さ
れている。タイバー１２は、枠体１０の一方の短辺枠部
から他方の短辺枠部に亘って延在し、枠体１０に連結さ
れ支持されている。
【００９９】リードフレームＬＦ４は、図１６に示すよ
うに、基本的に前述の実施形態１で用いたリードフレー
ムＬＦ２と同様の構成になっており、以下の構成が異っ
ている。
【０１００】即ち、リード２１は、タイバー２２を横切
るようにして延在し、一端側がタイバー２２よりも樹脂
封止側（中央領域側）に突出している。
【０１０１】次に、半導体装置１Ｃの製造について、図
１７及び図１８を用いて説明する。図１７はチップボン
ディング工程を説明するための模式的断面図であり、図
１８はリード接合工程を説明するための模式的断面図で
ある。
【０１０２】まず、リードフレームＬＦ３に半導体チッ
プ２を取り付ける。半導体チップ２の取り付けは、図１
７に示すように、半導体チップ２の回路形成面２Ｘに接
着層１４を介してリード１１を熱圧着にて接着固定する
ことによって行われる。
【０１０３】この工程において、リード１１はＦｅ−Ｎ
ｉ系の金属材（例えばＮｉ含有率４２又は５０［％］）
で形成されているため、熱圧着時にリード１１が加熱さ
れても、樹脂封止体５の樹脂との接着性を劣化させるよ
うな酸化膜がリード１１の表面に形成されることはな
い。
【０１０４】次に、図１８に示すように、リードフレー
ムＬＦ３とリードフレームＬＦ４とを重ね合わせ、その
後、リードフレームＬＦ３のリード１１と、このリード
１１に対応するリードフレームＬＦ４のリード２１とを
電気的にかつ機械的に接合する。リードフレームＬＦ３
とＬＦ４との重ね合わせは、リードフレームＬＦ３をリ
ードフレームＬＦ２上に配置した状態にて行う。リード
接合はレーザ溶接で行う。レーザ溶接による接合は、リ
ード１１の下方からその先端部分Ｓにレーザ光を照射し
て行う。この工程により、リード１１及びこのリード２
１に接合されたリード２１を有するリード３が形成され
る。
【０１０５】この工程において、リード接合工程はワイ
ヤボンディング工程の前に実施しているので、リード接
合工程においてワイヤ４が変形するといった不具合の発
生を実質的に排除することができる。
【０１０６】また、この工程において、リード接合工程
はチップボンディング工程の後に実施しているので、樹
脂封止体５の樹脂との接着性を劣化させるような酸化膜
がリード２１の表面に形成されることはない。本実施形
態のリード２１は一部（内部リード部）が樹脂封止体５
の内部に配置されるため、リード２１の表面に酸化膜が
形成された場合、リード２１の内部リード部と樹脂封止
体５の樹脂との接着性が劣化する。従って、リード接合
工程は、チップボンディング工程の後であって、ワイヤ
ボンディング工程の前に実施することが望ましい。
【０１０７】次に、半導体チップ２の電極ＢＰとリード
１１とを導電性のワイヤ４で電気的に接続する。ワイヤ
４の接続方法としては、例えば熱圧着に超音波振動を併
用したボール・ボンディング法を用いる。この時、リー
ド１１はヒートステージによって加熱されるが、リード
１１はＦｅ−Ｎｉ系の金属材で形成されているため、樹
脂封止体５の樹脂との接着性を劣化させるような酸化膜
がリード１１の表面に形成されることはない。
【０１０８】次に、トランスファ・モールド装置の成形
金型の上型と下型との間に、リードフレームＬＦ３及び
ＬＦ４を位置決めする。この時、上型及び下型によって
形成されるキャビティの内部には、半導体チップ２、ワ
イヤ４、リード１１、バスバーリード１３、吊りリード
１５及びリード２１の内部リード部等が配置される。
【０１０９】次に、成形金型のポットからランナー及び
流入ゲートを通してキャビティ内に流動性の樹脂を加圧
注入して樹脂封止体５を形成する。この時、半導体チッ
プ２、ワイヤ４、リード１１、バスバーリード１３、吊
りリード１５及びリード２１の内部リード部等は樹脂封
止体５によって封止される。
【０１１０】この工程において、リード１１及びリード
２１の表面には樹脂封止体５の樹脂との接着性を劣化さ
せるような酸化膜が形成されていないため、リード１１
及びリード２１の内部リード部と樹脂封止体５の樹脂と
の界面に水分パス経路が形成されることはない。
【０１１１】この後、前述の実施形態１と同様の製造工
程を施すことにより、図１３に示す半導体装置１Ｃがほ
ぼ完成する。
【０１１２】このように、リード１１、リード２１の夫
々が樹脂封止体５の内部で接合されたリード３を有する
半導体装置１Ｃにおいても、前述の実施形態１と同様
に、実装に対する信頼性及び耐湿に対する信頼性の向上
を図ることができる。
【０１１３】また、チップボンディング工程の後であっ
て、ワイヤボンディング工程の前にリード接合工程を実
施しているため、リード接合工程においてワイヤ４が変
形するといった不具合の発生を実質的に排除することが
できる。
【０１１４】（実施形態４）図１９は本発明の実施形態
４である半導体装置の模式的断面図である。
【０１１５】図１９に示すように、本実施形態の半導体
装置１Ｄは、基本的に前述の実施形態１と同様の構成に
なっており、以下の構成が異なっている。
【０１１６】即ち、半導体装置１Ｄは、二つの半導体チ
ップ２を上下方向に積層し、この二つの半導体チップ２
を一つの樹脂封止体５で封止した構成になっている。二
つの半導体チップ２は、夫々の裏面同志を向い合わせた
状態で積層されている。
【０１１７】樹脂封止体５の内外に亘って延在する複数
本のリード３のうち、大多数のリード３は、リード５１
Ａ、リード５１Ｂ及びこれらのリード（５１Ａ，５１
Ｂ）に接合されたリード２１を有する構成になってい
る。リード５１Ａ，５１Ｂの夫々は、樹脂封止体５の内
外に亘って延在し、樹脂封止体５の内部に位置する内部
リード部と樹脂封止体５の外部に位置する外部リード部
とを有する構成になっている。リード５１Ａの内部リー
ド部は、一方の半導体チップ２の回路形成面２Ｘに接着
層１４を介して接着固定され、更に、一方の半導体チッ
プ２の電極ＢＰに導電性のワイヤ４を介して電気的に接
続されている。リード５１Ｂの内部リード部は、他方の
半導体チップ２の回路形成面２Ｘに接着層１４を介して
接着固定され、更に、他方の半導体チップ２の電極ＢＰ
に導電性のワイヤ４を介して電気的に接続されている。
【０１１８】リード２１は、樹脂封止体５の外部におい
て、リード５１Ａ，５１Ｂの夫々の外部リード部に電気
的にかつ機械的に接合されている。リード５１Ａ，５１
Ｂ，２１の夫々の接合は、リード５１Ａの外部リード部
とリード５１Ｂの外部リード部との間にリード２１の一
端側部分（第１部分２１Ａ）を配置した状態で行われて
いる。
【０１１９】このように構成された半導体装置１Ｄは、
図２０（模式的平面図）に示すリードフレームＬＦ５、
図２１（模式的平面図）に示すリードフレームＬＦ６及
び図５に示すリードフレームＬＦ２を用いた組立プロセ
スによって製造される。なお、実際のリードフレームは
複数の半導体装置を製造できるように多連構造になって
いるが、図面を見易くするため、図２０及び図２１は一
つの半導体装置が製造される一個分の領域を示してい
る。
【０１２０】リードフレームＬＦ５は、図２０に示すよ
うに、基本的に前述の実施形態１で用いたリードフレー
ムＬＦ１と同様の構成になっており、リード５１Ａに貼
り付けられた接着層１４の枚数が異なっている。
【０１２１】リードフレームＬＦ６は、図２１に示すよ
うに、基本的にリードフレームＬＦ５と同様の構成にな
っており、リード５１Ｂの配置パターンが若干異ってい
る。
【０１２２】次に、半導体装置１Ｄの製造について、図
２２乃至図２４を用いて説明する。図２２はチップボン
ディング工程を説明するための模式的断面図であり、図
２３はワイヤボンディング工程を説明するための模式的
断面図であり、図２４はリード接合工程を説明するため
の模式的断面図である。
【０１２３】まず、リードフレームＬＦ５，ＬＦ６及び
ＬＦ２を準備する。
【０１２４】次に、リードフレームＬＦ５に一方の半導
体チップ２を取り付け、リードフレームＬＦ６に他方の
半導体チップ２を取り付ける。一方の半導体チップ２の
取り付けは、図２２（Ａ）に示すように、半導体チップ
２の回路形成面２Ｘに接着層１４を介してリード５１Ａ
を熱圧着にて接着固定することによって行われる。他方
の半導体チップ２の取り付けは、図２２（Ｂ）に示すよ
うに、半導体チップ２の回路形成面２Ｘに接着層１４を
介してリード５１Ｂを熱圧着にて接着固定することによ
って行われる。
【０１２５】この工程において、リード５１Ａ及び５１
ＢはＦｅ−Ｎｉ系の金属材（例えばＮｉ含有率４２又は
５０［％］）で形成されているため、熱圧着時にリード
５１Ａ及び５１Ｂが加熱されても、樹脂封止体５の樹脂
との接着性を劣化させるような酸化膜がリード５１Ａ及
び５１Ｂの表面に形成されることはない。
【０１２６】次に、図２３（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、一方の半導体チップ２の電極ＢＰとリード５１Ａと
を導電性のワイヤ４で電気的に接続し、他方の半導体チ
ップ２の電極ＢＰとリード５１Ｂとを導電性のワイヤ４
で電気的に接続する。ワイヤ４の接続方法としては、例
えば熱圧着に超音波振動を併用したボール・ボンディン
グ法を用いる。この時、リード５１Ａ及び５１Ｂはヒー
トステージ４２によって加熱されるが、リード５１Ａ及
び５１ＢはＦｅ−Ｎｉ系の金属材で形成されているた
め、樹脂封止体５の樹脂との接着性を劣化させるような
酸化膜がリード５１Ａ及び５１Ｂの表面に形成されるこ
とはない。
【０１２７】次に、図２４に示すように、リードフレー
ムＬＦ５，ＬＦ６及びＬＦ２を重ね合わせ、その後、リ
ード５１Ａ及び５１Ｂと、これらのリードと対応するリ
ード２１とを電気的にかつ機械的に接合する。リードフ
レームＬＦ５，ＬＦ６及びＬＦ２の重ね合わせは、リー
ドフレームＬＦ２が真中に位置するようにして行う。リ
ード接合はレーザ溶接で行う。レーザ溶接による接合
は、リード５１Ａの上方からその先端部分Ｓにレーザ光
を照射し、更にリード５１Ｂの上方からその先端部分Ｓ
にレーザ光を照射して行う。この工程により、リード５
１Ａ、リード５１Ｂ及びこれらのリード（５１Ａ，５１
Ｂ）に接合されたリード２１を有するリード３が形成さ
れる。
【０１２８】次に、トランスファ・モールド装置の成形
金型の上型と下型との間に、リードフレームＬＦ５，Ｌ
Ｆ６及びＬＦ２を位置決めする。この時、上型及び下型
によって形成されるキャビティの内部には、二つの半導
体チップ２、ワイヤ４、リード５１Ａの内部リード部、
リード５１Ｂの内部リード部、バスバーリード１３及び
吊りリード１５等が配置される。
【０１２９】次に、成形金型のポットからランナー及び
流入ゲートを通してキャビティ内に流動性の樹脂を加圧
注入して樹脂封止体５を形成する。この時、半導体チッ
プ２、ワイヤ４、リード５１Ａの内部リード部、リード
５１Ｂの内部リード部、バスバーリード１３及び吊りリ
ード１５等は樹脂封止体５によって封止される。
【０１３０】この工程において、リード５１Ａ及び５１
Ｂの表面には樹脂封止体５の樹脂との接着性を劣化させ
るような酸化膜が形成されていないため、リード５１Ａ
及び５１Ｂと樹脂封止体５の樹脂との界面に水分パス経
路が形成されることはない。
【０１３１】この後、前述の実施形態１と同様の製造工
程を施すことにより、図１９に示す半導体装置１Ｄがほ
ぼ完成する。
【０１３２】このように、二つの半導体チップ２を積層
し、この二つの半導体チップ２を一つの樹脂封止体５で
封止する半導体装置１Ｄにおいても、前述の実施形態１
と同様に、実装に対する信頼性及び耐湿に対する信頼性
の向上を図ることができる。
【０１３３】なお、本実施形態のリード２１は樹脂封止
体５の外部に配置されるため、リード２１の表面に酸化
膜が形成されても、樹脂封止体５の樹脂との接着性に悪
影響を及ぼすことはない。従って、チップボンディング
工程の後であって、ワイヤボンディング工程の前にリー
ド接合工程を実施してもよい。この場合においても、リ
ード接合工程においてワイヤ４が変形するといった不具
合の発生を実質的に排除することができる。
【０１３４】また、本実施形態のリード２１は樹脂封止
体５の外部に位置されるため、樹脂封止工程の後にリー
ド接合工程を実施してもよい。この場合においても、リ
ード接合工程においてワイヤ４が変形するといった不具
合の発生を実質的に排除することができる。また、レー
ザ溶接時の飛散物が半導体チップ２の回路形成面２Ｘに
飛来することによって表面保護膜が熱損傷し、表面保護
膜下の配線が断線したり、隣合う配線同志が短絡したり
するといった不具合を防止することができる。但し、リ
ードフレームＬＦ２を上段又は下段に位置させる必要が
ある。
【０１３５】（実施形態５）図２５は本発明の実施形態
５である半導体装置の模式的断面図である。
【０１３６】図２５に示すように、本実施形態の半導体
装置１Ｅは、基本的に前述の実施形態と同様の構成にな
っているが、以下の構成が異なっている。
【０１３７】即ち、半導体装置１Ｅは、ダイパッド１７
Ａのチップ搭載面上に接着層を介して半導体チップ２を
搭載した構成になっている。
【０１３８】樹脂封止体５の内外に亘って延在するリー
ド３は、リード１１及びこのリード１１に接合されたリ
ード２１を有する構成になっている。リード１１は、樹
脂封止体５の内外に亘って延在し、樹脂封止体５の内部
に位置する内部リード部と樹脂封止体５の外部に位置す
る外部リード部とを有する構成になっている。リード１
１の内部リード部は、半導体チップ２の電極ＢＰに導電
性のワイヤ４を介して電気的に接続されている。リード
２１は、樹脂封止体５の外部において、リード１１の外
部リード部に電気的にかつ機械的に接合されている。リ
ード１１とリード２１との接合は、樹脂封止体５の実装
面５Ｙ側にリード２１を配置した状態で行われている。
【０１３９】このように構成された半導体装置１Ｅは、
図２６（模式的平面図）に示すリードフレームＬＦ７及
び図５に示すリードフレームＬＦ２を用いた組立プロセ
スによって製造される。
【０１４０】リードフレームＬＦ７は、図２６に示すよ
うに、枠体１０で囲まれた領域内に複数本のリード１１
及び支持体１７等を有する構成になっている。支持体１
７は、ダイパッド１７Ａ及びこのダイパッド１７Ａと一
体化された吊りリード１７Ｂを有する構成になってい
る。ダイバッド１７Ａは吊りリード１７Ｂを介して枠体
１０に連結され支持されている。
【０１４１】次に、半導体装置１Ｅの製造について、図
２７及び図２８を用いて説明する。図２７はボンディン
グ工程を説明するための模式的断面図であり、図２８は
リード接合工程を説明するための模式的断面図である。
【０１４２】まず、リードフレームＬＦ７及びＬＦ２を
準備する。
【０１４３】次に、リードフレームＬＦ７のダイパッド
１６Ａに接着層を介して半導体チップ２を接着固定す
る。この工程において、接着層として熱硬化性樹脂を用
いた場合、１５０〜３００［℃］程度の温度雰囲気中に
て硬化させる必要がある。この時、リード１１及び支持
体（ダイパッド１７Ａ、吊りリード１７Ｂ）１７は硬化
温度に加熱されるが、リード１１及び支持体１７はＦｅ
−Ｎｉ系の金属材（例えばＮｉ含有率４２又は５０
［％］）で形成されているため、硬化時にリード１１及
び支持体１７が加熱されても、樹脂封止体５の樹脂との
接着性を劣化させるような酸化膜がリード１１及び支持
体１７の表面に形成されることはない。
【０１４４】次に、半導体チップ２の電極ＢＰとリード
１１とを導電性のワイヤ４で電気的に接続する。ワイヤ
４の接続方法としては、例えば熱圧着に超音波振動を併
用したボール・ボンディング（ネイルヘッド・ボンディ
ング）法を用いる。この時、図２７に示すように、リー
ド１１及び支持体１７はヒートステージ４２によって加
熱されるが、リード１１及び支持体１７はＦｅ−Ｎｉ系
の金属材で形成されているため、樹脂封止体５の樹脂と
の接着性を劣化させるような酸化膜がリード１１の表面
に形成されることはない。
【０１４５】次に、図２８に示すように、リードフレー
ムＬＦ７とリードフレームＬＦ２とを重ね合わせ、その
後、リード１１と、このリード１１に対応するリード２
１とをレーザ溶接にて電気的にかつ機械的に接合する。
この工程により、リード１１及びこのリード１１に接合
されたリード２１を有するリード３が形成される。
【０１４６】この後、前述の実施形態１と同様の製造工
程を施すことにより、図２５に示す半導体装置１Ｅがほ
ぼ完成する。
【０１４７】このように、半導体チップ２を支持する支
持体１７を有する半導体装置１Ｅにおいても、前述の実
施形態１と同様に、実装に対する信頼性及び耐湿に対す
る信頼性の向上を図ることができる。
【０１４８】なお、本実施形態のリード２１は樹脂封止
体５の外部に配置されるため、リード２１の表面に酸化
膜が形成されても、樹脂封止体５の樹脂との接着性に悪
影響を及ぼすことはない。従って、チップボンディング
工程の前にリード接合工程を実施してもよい。この場合
においても、リード接合工程においてワイヤ４が変形す
るといった不具合の発生を実質的に排除することができ
る。
【０１４９】また、本実施形態のリード２１は樹脂封止
体５の外部に配置されるため、チップボンディング工程
の後であって、ワイヤボンディング工程の前にリード接
合工程を実施してもよい。この場合においても、リード
接合工程においてワイヤ４が変形するといった不具合の
発生を実質的に排除することができる。
【０１５０】また、本実施形態のリード２１は樹脂封止
体５の外部に配置されるため、樹脂封止工程の後にリー
ド接合工程を実施してもよい。この場合、リード接合工
程においてワイヤ４が変形するといった不具合の発生を
実質的に排除することができる。また、飛散物が半導体
チップ２の回路形成面２Ｘに飛来することによって表面
保護膜が熱損傷し、表面保護膜下の配線が断線したり、
隣合う配線同志が短絡したりするといった不具合を防止
することができる。
【０１５１】また、本実施形態の半導体装置１Ｅにおい
ても、図２９（模式的断面図）に示すように、リード１
１の外部リード部上にリード２１の第３部分２１Ａを積
み重ねた状態（リード１１の外部リード部を樹脂封止体
５の実装面５Ｙ側に位置させた状態）で、リード１１、
リード２１の夫々を接合してもよい。
【０１５２】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
【０１５３】例えば、本発明は、図３０に示す四方向リ
ード配列構造であるＱＦＰ型の半導体装置１Ｆに適用で
きる。
【０１５４】また、本発明は、ダイパッドを省略し、吊
りリードからなる支持体に半導体チップを取り付けて製
造される半導体装置に適用できる。
【０１５５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【０１５６】本発明によれば、半導体装置の実装に対す
る信頼性の向上及び耐湿に対する信頼性の向上を図るこ
とが可能となる。
【０１５７】本発明によれば、実装に対する信頼性が高
く、更に耐湿に対する信頼性が高い半導体装置を高い歩
留まりで製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１である半導体装置の模式的
平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の模式的断面図である。
【図３】図１の一部を拡大した模式的断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造に用いられる第１
のリードフレームの模式的平面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造に用いられる第２
のリードフレームの模式的平面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の製造を説明するための
フローチャートである。
【図７】図１に示す半導体装置の製造において、チップ
ボンディング工程を説明するための模式的断面図であ
る。
【図８】図１に示す半導体装置の製造において、ワイヤ
ボンディング工程を説明するための模式的断面図であ
る。
【図９】図１に示す半導体装置の製造において、樹脂封
止工程を説明するための模式的断面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の製造において、リー
ド接合工程を説明するための模式的断面図である。
【図１１】図１に示す半導体装置を実装基板に実装した
状態の模式的断面図である。
【図１２】本発明の実施形態２である半導体装置の模式
的断面図である。
【図１３】本発明の実施形態３である半導体装置の模式
的断面図である。
【図１４】図１３の一部を拡大した模式的断面図であ
る。
【図１５】図１３に示す半導体装置の製造に用いられる
第１のリードフレームの模式的平面図である。
【図１６】図１３に示す半導体装置の製造に用いられる
第２のリードフレームの模式的平面図である。
【図１７】図１３に示す半導体装置の製造において、チ
ップボンディング工程を説明するための模式的断面図で
ある。
【図１８】図１３に示す半導体装置の製造において、リ
ード接合工程を説明するための模式的断面図である。
【図１９】本発明の実施形態４である半導体装置の模式
的断面図である。
【図２０】図１９に示す半導体装置の製造に用いられる
第１のリードフレームの模式的平面図である。
【図２１】図１９に示す半導体装置の製造に用いられる
第２のリードフレームの模式的平面図である。
【図２２】図１９に示す半導体装置の製造において、チ
ップボンディング工程を説明するための模式的断面図で
ある。
【図２３】図１９に示す半導体装置の製造において、ワ
イヤボンディング工程を説明するための模式的断面図で
ある。
【図２４】図１９に示す半導体装置の製造において、リ
ード接合工程を説明するための模式的断面図である。
【図２５】本発明の実施形態５である半導体装置の模式
的断面図である。
【図２６】図２５に示す半導体装置の製造に用いられる
リードフレームの模式的平面図である。
【図２７】図２５に示す半導体装置の製造において、ワ
イヤボンディング工程を説明するための模式的断面図で
ある。
【図２８】図２５に示す半導体装置の製造において、リ
ード接合工程を説明するための模式的断面図である。
【図２９】本発明の実施形態５の変形例を示す半導体装
置の模式的断面図である。
【図３０】本発明が適用可能な他の半導体装置の一例を
示す平面図である。
【符号の説明】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ…半導体装
置、２，２Ａ，２Ｂ…半導体チップ、３，１１，２１，
５１Ａ，５１Ｂ…リード、４…ワイヤ、５…樹脂封止
体、ＬＦ１，ＬＦ２，ＬＦ３，ＬＦ４，ＬＦ５，ＬＦ
６，ＬＦ７…リードフレーム、１０，２０…枠体、１
２，２２…タイバー、１３…バスバーリード、１４…接
着層、１５…吊りリード、１６…Ｔ字型リード、１７…
支持体、１７Ａ…タブ、１７Ｂ…吊りリード、３０…実
装基板、３０Ａ…接続端子、３１…半田材、４０…ボン
ディングツール、４１，４２…ヒートステージ、５０…
成形金型、５０Ａ…上型、５０Ｂ…下型、５１…キャビ
ティ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 道昭 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 (72)発明者 増田 正親 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA10 EC01 FA01 5F067 AA04 BA06 BC11 BE10

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表裏面のうちの表面に電極が形成された
    半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止
    体と、前記半導体チップの表面に接着固定されると共
    に、その表面の電極に電気的に接続される第１リード
    と、前記第１リードに接合され、外部端子として用いら
    れる第２リードとを有し、 前記第１リードは、前記第２リードよりも酸化速度が遅
    い導電性材料で形成され、前記第２リードは、前記第１
    リードよりも柔らかい導電性材料で形成されていること
    を特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記第２リードは、前記樹脂封止体の外部において前記
    第１リードに接合されていることを特徴とする半導体装
    置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記第２リードは、前記樹脂封止体の内部において前記
    第１リードに接合されていることを特徴とする半導体装
    置。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記第２リードは、前記樹脂封止体の外部において前記
    第１リードに接合される第１部分と、前記第１部分から
    前記樹脂封止体の実装面側に折れ曲がる第２部分と、前
    記第２部分から前記樹脂封止体の平面方向に折れ曲がる
    第３部分とを有する構成になっていることを特徴とする
    半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記第２リードは、前記樹脂封止体の内外に亘って延在
    し、前記樹脂封止体の内部において前記第１リードに接
    合される第１部分と、前記第１部分から前記樹脂封止体
    の実装面側に折れ曲がる第２部分と、前記第２部分から
    前記樹脂封止体の平面方向に折れ曲がる第３部分とを有
    する構成になっていることを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記第１リードは、熱硬化性樹脂からなる接着層若しく
    は熱硬化性樹脂層を有する接着層を介して前記半導体チ
    ップの表面に接着固定されていることを特徴とする半導
    体装置。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記第１リードは、導電性のワイヤを介して前記半導体
    チップの電極に電気的に接続されていることを特徴とす
    る半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記第１リードは、鉄−ニッケル系の金属材で形成さ
    れ、前記第２リードは、銅系の金属材で形成されている
    ことを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】 表裏面のうちの表面に電極が形成された
    半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止
    体と、前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記半導
    体チップの表面に接着固定され、かつその表面の電極に
    電気的に接続される第１リードと、前記樹脂封止体の外
    部において前記第１リードに接合され、外部端子として
    用いられる第２リードとを有し、前記第１リードは前記
    第２リードよりも酸化速度が遅い導電性材料で形成さ
    れ、前記第２リードは前記第１リードよりも柔らかい導
    電性材料で形成される半導体装置の製造方法であって、 前記樹脂封止体を形成した後、前記第１リード、第２リ
    ードの夫々を接合することを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  10. 【請求項１０】 表裏面のうちの表面に電極が形成され
    た半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封
    止体と、前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記半
    導体チップの表面に接着固定され、かつその表面の電極
    に電気的に接続される第１リードと、前記樹脂封止体の
    外部において前記第１リードに接合され、外部端子とし
    て用いられる第２リードとを有し、前記第１リードは前
    記第２リードよりも酸化速度が遅い導電性材料で形成さ
    れ、前記第２リードは前記第１リードよりも柔らかい導
    電性材料で形成される半導体装置の製造方法であって、 前記半導体チップの表面に前記第１リードを熱圧着にて
    接着固定する前に、前記第１リード、第２リードの夫々
    を接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 表裏面のうちの表面に電極が形成され
    た半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封
    止体と、前記樹脂封止体の内部に位置し、前記半導体チ
    ップの表面に接着固定され、かつその表面の電極に電気
    的に接続される第１リードと、前記樹脂封止体の内外に
    亘って延在し、前記樹脂封止体の内部において前記第１
    リードに接合され、外部端子として用いられる第２リー
    ドとを有し、前記第１リードは前記第２リードよりも酸
    化速度が遅い導電性材料で形成され、前記第２リードは
    前記第１リードよりも柔らかい導電性材料で形成される
    半導体装置の製造方法であって、 前記半導体チップの表面に前記第１リードを熱圧着にて
    接着固定した後、前記第１リード、第２リードの夫々を
    接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項９乃至請求項１１のうち何れか
    一項に記載の半導体装置の製造方法において、 前記第１リードは鉄−ニッケル系の金属材からなり、前
    記第２リードは銅系の金属材からなることを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 表裏面のうちの表面に電極が形成され
    た第１半導体チップ及び第２半導体チップと、前記第１
    半導体チップ及び第２半導体チップを封止する樹脂封止
    体と、前記第１半導体チップの表面に接着固定されると
    共に、その表面の電極に電気的に接続される第１リード
    と、前記第２半導体チップの表面に接着固定されると共
    に、その表面の電極に電気的に接続される第２リード
    と、前記第１リード及び第２リードに接合され、外部端
    子として用いられる第３リードとを有し、 前記第１リード及び第２リードは、前記第３リードより
    も酸化速度が遅い導電性材料で形成され、前記第３リー
    ドは、前記第１リード及び第２リードよりも柔らかい導
    電性材料で形成されていることを特徴とする半導体装
    置。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の半導体装置におい
    て、 前記第１リード及び第２リードは鉄−ニッケル系の金属
    材で形成され、前記第３リードは銅系の金属材で形成さ
    れていることを特徴とする半導体装置。
  15. 【請求項１５】 表裏面のうちの表面に電極が形成され
    た第１半導体チップ及び第２半導体チップと、前記第１
    半導体チップ及び第２半導体チップを封止する樹脂封止
    体と、前記第１半導体チップの表面に接着固定されると
    共に、その表面の電極に電気的に接続される第１リード
    と、前記第２半導体チップの表面に接着固定されると共
    に、その表面の電極に電気的に接続される第２リード
    と、前記第１リード及び第２リードに接合され、外部端
    子として用いられる第３リードとを有し、前記第１リー
    ド及び第２リードは、前記第３リードよりも酸化速度が
    遅い導電性材料で形成され、前記第３リードは、前記第
    １リード及び第２リードよりも柔らかい導電性材料で形
    成される半導体装置の製造方法であって、 前記第１半導体チップの表面に前記第１リードを熱圧着
    にて接着固定し、前記第２半導体チップの表面に前記第
    ２リードを熱圧着にて接着固定した後、前記第１リー
    ド、第２リードの夫々に前記第３リードを接合すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 表裏面のうちの表面に電極が形成され
    た第１半導体チップ及び第２半導体チップと、前記第１
    半導体チップ及び第２半導体チップを封止する樹脂封止
    体と、前記第１半導体チップの表面に接着固定されると
    共に、その表面の電極に電気的に接続される第１リード
    と、前記第２半導体チップの表面に接着固定されると共
    に、その表面の電極に電気的に接続される第２リード
    と、前記第１リード及び第２リードに接合され、外部端
    子として用いられる第３リードとを有し、前記第１リー
    ド及び第２リードは、前記第３リードよりも酸化速度が
    遅い導電性材料で形成され、前記第３リードは、前記第
    １リード及び第２リードよりも柔らかい導電性材料で形
    成される半導体装置の製造方法であって、 前記第１半導体チップの表面に前記第１リードを熱圧着
    にて接着固定し、前記第２半導体チップの表面に前記第
    ２リードを熱圧着にて接着固定する工程と、前記第１半
    導体チップの電極と前記第１リードとを導電性のワイヤ
    で電気的に接続し、前記第２半導体チップの電極と前記
    第２リードとを導電性のワイヤで電気的に接続する工程
    と、前記第１半導体チップ、第２半導体チップ、第１リ
    ード、第２リード及びワイヤを前記樹脂封止体で封止す
    る工程の後に、前記第１リード、第２リードの夫々に前
    記第３リードを接合する工程を備えたことを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１５又は請求項１６に記載の半
    導体装置の製造方法であって、 前記第１リード及び第２リードは鉄−ニッケル系の合金
    材からなり、前記第３リードは銅系の合金材からなるこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 表裏面のうちの表面に電極が形成され
    た半導体チップと、前記半導体チップを支持する支持体
    と、前記半導体チップ及び支持体を封止する樹脂封止体
    と、前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記半導体
    チップの電極に電気的に接続される第１リードと、前記
    樹脂封止体の外部において前記第１リードに接合され、
    外部端子として用いられる第２リードとを有し、 前記支持体及び第１リードは前記第２リードよりも酸化
    速度が遅い導電性材料で形成され、前記第２リードは前
    記支持体及び第１リードよりも柔らかい導電性材料で形
    成されていることを特徴とする半導体装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１８に記載の半導体装置におい
    て、 前記支持体及び第１リードは鉄−ニッケル系の金属材で
    形成され、前記第２リードは銅系の金属材で形成されて
    いることを特徴とする半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009004673A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Denso Corp モールドパッケージおよびその実装方法
JP2010141163A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2015149363A (ja) * 2014-02-05 2015-08-20 株式会社デンソー 半導体モジュール

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