JP2001077627A - Temperature-compensating piezoelectric oscillator - Google Patents
Temperature-compensating piezoelectric oscillatorInfo
- Publication number
- JP2001077627A JP2001077627A JP24855099A JP24855099A JP2001077627A JP 2001077627 A JP2001077627 A JP 2001077627A JP 24855099 A JP24855099 A JP 24855099A JP 24855099 A JP24855099 A JP 24855099A JP 2001077627 A JP2001077627 A JP 2001077627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- thermistor
- resistor
- chip capacitor
- thick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 40
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は温度補償圧電発振器
に関し、特に温度補償回路部品を集積し小型化した温度
補償圧電発振器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature-compensated piezoelectric oscillator, and more particularly to a temperature-compensated piezoelectric oscillator in which temperature-compensating circuit components are integrated and miniaturized.
【0002】[0002]
【従来の技術】圧電発振器、特に水晶発振器は優れた周
波数精度、周波数温度特性、周波数エージング特性等を
有するために、携帯電話端末機等に広範囲に使用されて
いる。図6に示す温度補償形水晶発振器(補償回路が発
振ループ内に存在し、高周波電流が流れるため直接形TC
XOと称す)は、ATカット水晶振動子Xと、増幅器AMP
と、2つの温度補償回路(低温部補償用:L、高温部補
償用:H)と、調整用容量(C+Cv)とを直列接続して発
振ループを形成する回路構成である。図6(a)は温度
補償回路を直列形(L+H)で形成した例であり、(b)
は並列形(L//H)で形成した例である。2. Description of the Related Art Piezoelectric oscillators, particularly crystal oscillators, have excellent frequency accuracy, frequency temperature characteristics, and frequency aging characteristics, and are widely used in portable telephone terminals and the like. Temperature-compensated crystal oscillator shown in Fig. 6 (compensation circuit exists in the oscillation loop and high-frequency current flows, so direct TC
XO) is an AT-cut crystal unit X and an amplifier AMP
And two temperature compensation circuits (for low-temperature part compensation: L, for high-temperature part compensation: H) and an adjustment capacitor (C + Cv) in series to form an oscillation loop. FIG. 6A shows an example in which the temperature compensation circuit is formed in a series type (L + H), and FIG.
Is an example formed in a parallel type (L // H).
【0003】上記の圧電振動子Xは周波数温度特性が3
次曲線を呈するATカット水晶振動子であり、増幅器AM
Pにはトランジスタを内蔵したモジュールを用い、調整
用容量は固定コンデンサとトリマーコンデンサとを並列
接続したものを用いるのが一般的である。ここで、温度
補償回路であるが、低温補償用、高温補償用とも基本的
には図7(a)に示したサーミスタThと容量Cpとの並列
回路で温度補償が可能である。The above-described piezoelectric vibrator X has a frequency-temperature characteristic of 3
This is an AT-cut quartz resonator that exhibits a quadratic curve, and the amplifier AM
In general, a module having a built-in transistor is used as P, and the adjusting capacitor is generally a fixed capacitor and a trimmer capacitor connected in parallel. Here, as for the temperature compensation circuit, the temperature compensation for the low temperature compensation and the high temperature compensation can be basically performed by the parallel circuit of the thermistor Th and the capacitor Cp shown in FIG. 7A.
【0004】図7(b)はサーミスタTh1と容量C1との
並列回路に抵抗R1を並列接続して、温度補償を微細に調
整できるようにした低温側補償回路の例である。また、
図7(c)はサーミスタTh2と容量C2との並列回路のサ
ーミスタTh2に直列に抵抗R2を挿入して、温度補償を微
細に調整できるようにした高温側補償回路の例である。
上記の如き構成の直接形TCXOについては、例えば特
開昭56−68002の開示に基づき、各素子値を決定
すればよい。FIG. 7B shows an example of a low-temperature side compensation circuit in which a resistor R1 is connected in parallel to a parallel circuit of a thermistor Th1 and a capacitor C1 so that temperature compensation can be finely adjusted. Also,
FIG. 7C shows an example of a high temperature side compensation circuit in which a resistor R2 is inserted in series with the thermistor Th2 of a parallel circuit of the thermistor Th2 and the capacitor C2 so that temperature compensation can be finely adjusted.
With respect to the direct TCXO having the above-described configuration, each element value may be determined based on, for example, the disclosure of JP-A-56-68002.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
直接形TCXOにおいては、低温側及び高温側の補償回路を
個別の電子部品、即ちサーミスタTh1、Th2、抵抗R1、R2
及びコンデンサC1、C2を用いて構成するため、発振器の
寸法が大きくなり、最近の携帯電話端末の小型化の要求
に応えられないという問題があった。本発明は上記問題
を解決するためになされたものであって、小型な直接形
TCXOを提供することを目的とする。However, in the conventional direct TCXO, the compensation circuits on the low-temperature side and the high-temperature side are each composed of separate electronic components, that is, thermistors Th1 and Th2, resistors R1 and R2.
In addition, since the oscillator is configured using the capacitors C1 and C2, the size of the oscillator becomes large, and there has been a problem that it is not possible to meet the recent demand for miniaturization of mobile phone terminals. The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and has a small direct type.
The purpose is to provide TCXO.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る温度補償圧電発振器の請求項1記載の発
明は、圧電振動子と増幅器と温度補償回路を構成するサ
ーミスタ、コンデンサ、抵抗とを備えた温度補償圧電発
振器において、前記圧電発振子のパッケージの裏面側に
厚膜印刷により前記サーミスタまたは前記抵抗を形成し
たことを特徴とする温度補償圧電発振器である。請求項
2記載の発明は、圧電振動子と増幅器と温度補償回路を
構成するサーミスタ、チップコンデンサ、抵抗とを備え
た温度補償圧電発振器において、前記チップコンデンサ
の表面に厚膜印刷によりサーミスタまたは抵抗を形成
し、チップコンデンサの容量と並列接続したことを特徴
とする温度補償圧電発振器である。請求項3記載の発明
は、圧電振動子と増幅器と温度補償回路を構成するサー
ミスタ、チップコンデンサ、抵抗とを備えた温度補償圧
電発振器において、前記チップコンデンサの表面に厚膜
印刷によりサーミスタと抵抗との直列接続回路を形成
し、チップコンデンサの容量と並列接続したことを特徴
とする温度補償圧電発振器である。請求項4記載の発明
は、圧電振動子と増幅器と温度補償回路を構成するサー
ミスタ、チップコンデンサ、抵抗とを備えた温度補償圧
電発振器において、前記チップコンデンサの表面に厚膜
印刷によりサーミスタと、抵抗と、サーミスタと抵抗と
の直列接続回路とを形成し、これらをチップコンデンサ
の容量と並列接続したことを特徴とする温度補償圧電発
振器である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a temperature-compensated piezoelectric oscillator according to the present invention, comprising a piezoelectric vibrator, an amplifier, and a thermistor, a capacitor, and a resistor constituting a temperature compensation circuit. Wherein the thermistor or the resistor is formed by thick-film printing on the back surface side of the package of the piezoelectric oscillator. According to a second aspect of the present invention, there is provided a temperature-compensated piezoelectric oscillator including a piezoelectric vibrator, an amplifier, and a thermistor, a chip capacitor, and a resistor constituting a temperature compensation circuit, wherein the thermistor or the resistor is formed by thick-film printing on the surface of the chip capacitor. A temperature-compensated piezoelectric oscillator is formed and connected in parallel with the capacitance of a chip capacitor. According to a third aspect of the present invention, there is provided a temperature-compensated piezoelectric oscillator including a piezoelectric vibrator, an amplifier, and a thermistor, a chip capacitor, and a resistor that constitute a temperature compensation circuit. Are connected in parallel with the capacitance of a chip capacitor. According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a temperature compensated piezoelectric oscillator including a piezoelectric vibrator, an amplifier, and a thermistor, a chip capacitor, and a resistor constituting a temperature compensation circuit, wherein the thermistor, the resistor and the resistor are formed by thick-film printing on the surface of the chip capacitor. And a series connection circuit of a thermistor and a resistor, and these are connected in parallel with the capacitance of a chip capacitor.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る直
接形TCXOの温度補償回路を構成するサーミスタ2個
を圧電振動子パッケージの底面に厚膜印刷にて構成した
例を示す図であって、(a)はサーミスタ集積圧電振動
子の平面図、(b)は右側面図、(c)は底面、(d)
は電気的等価回路である。本発明の第1の実施例の特徴
は、圧電振動子を収容するセラミックパッケージの底面
基板上に厚膜印刷によりサーミスタを形成したことであ
る。周知のように、セラミックパッケージは数層のセラ
ミックを積層し、凹陥状の内底面を形成すると共に、そ
の隅に圧電振動素子を搭載する段差部を設け、該段差部
とパッケージ外部端子と導通する導体部を焼成により形
成する。本発明に係るサーミスタ集積圧電振動子Xのパ
ッケージは、図1(c)の底面図に示すように圧電振動
子用の入出力端子4、6及び接地端子5、7以外に4個の端
子電極8、9、10、11を設け、端子8と9との間及び端子10
と11との間に厚膜形成法でサーミスタ12、13を形成し、
一方を低温用、他方を高温用とする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail based on an embodiment shown in the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an example in which two thermistors constituting a temperature compensation circuit of a direct TCXO according to the present invention are formed by thick-film printing on the bottom surface of a piezoelectric vibrator package. FIG. (B) is a right side view, (c) is a bottom view, (d)
Is an electrical equivalent circuit. A feature of the first embodiment of the present invention is that a thermistor is formed by thick-film printing on a bottom substrate of a ceramic package containing a piezoelectric vibrator. As is well known, a ceramic package is formed by laminating several layers of ceramics, forming a concave inner bottom surface, providing a step portion on which a piezoelectric vibration element is mounted at a corner thereof, and electrically connecting the step portion and a package external terminal. The conductor is formed by firing. As shown in the bottom view of FIG. 1C, the package of the thermistor integrated piezoelectric vibrator X according to the present invention has four terminal electrodes other than the input / output terminals 4 and 6 and the ground terminals 5 and 7 for the piezoelectric vibrator. 8, 9, 10, 11 are provided, between terminals 8 and 9 and terminal 10
Thermistors 12, 13 are formed by thick film formation between
One is for low temperature and the other is for high temperature.
【0008】以上のように形成したパッケージ1内底部
の段差部に圧電振動素子(図示しない)を搭載し、導電
性接着材を用いて導通固定した後、セラミックベース部
材1の上部周辺に施されたメタライズ部と金属蓋2とを抵
抗溶接等の手段を用いて気密溶接して、サーミスタ集積
圧電振動子を構成する。本発明の第1の実施例のサーミ
スタ集積圧電振動子を用いることにより、従来、2個の
個別のサーミスタが占有していたプリント基板上の面積
が省略でき、直接形TCXOの小型化に寄与する。[0008] A piezoelectric vibrating element (not shown) is mounted on the step portion of the inner bottom of the package 1 formed as described above, and is conductively fixed using a conductive adhesive. The metallized portion and the metal lid 2 are hermetically welded by means of resistance welding or the like to form a thermistor integrated piezoelectric vibrator. By using the thermistor integrated piezoelectric vibrator of the first embodiment of the present invention, the area on the printed circuit board conventionally occupied by two separate thermistors can be omitted, which contributes to the downsizing of the direct TCXO. .
【0009】図2(a)、(b)及び(c)はそれぞれ
本発明の第2の実施例である補償回路集積ブロック20の
構成を示す表面の斜視図、裏面の斜視図及び電気的等価
回路を示す図である。補償回路集積ブロック20は、セラ
ミックチップコンデンサ21の良好な絶縁材である表面の
電極22、23間に、厚膜焼成法により並列したサーミスタ
24、25を形成すると共に、裏面の電極22、23間に同様な
手法により並列した抵抗26、27を形成して、補償回路集
積ブロック20を構成する。該ブロック20の電気的回路
は、図2(c)に示すように、セラミックチップコンデ
ンサ21自体の容量CにサーミスタTh1、Th2と抵抗R1、R2
が並列に接続された回路となる。ここで、サーミスタTh
1と抵抗R1との電気的定数は低温用に設定し、サーミス
タTh2と抵抗R2のそれは高温用に設定する。このよう
に、厚膜印刷によりサーミスタ及び抵抗のチップ部品を
省略し、小型化が可能となると共に、補償回路の各素子
を並列接続することにより、低温側補償用回路と高温側
補償用回路を直列接続する場合に比べて、容量1個を削
減することも可能となる。2 (a), 2 (b) and 2 (c) are a front perspective view, a rear perspective view and an electrical equivalent showing the configuration of a compensation circuit integrated block 20 according to a second embodiment of the present invention. It is a figure showing a circuit. The compensation circuit integrated block 20 is a thermistor arranged in parallel between the electrodes 22 and 23 on the surface which is a good insulating material of the ceramic chip capacitor 21 by a thick film firing method.
The compensation circuit integrated block 20 is formed by forming the resistors 24 and 25 and the parallel resistors 26 and 27 between the electrodes 22 and 23 on the back surface in the same manner. As shown in FIG. 2C, the electric circuit of the block 20 includes the thermistors Th1 and Th2 and the resistances R1 and R2 as the capacitance C of the ceramic chip capacitor 21 itself.
Are circuits connected in parallel. Where the thermistor Th
The electrical constant of 1 and the resistance R1 is set for low temperature, and that of the thermistor Th2 and the resistance R2 is set for high temperature. In this way, the chip components of the thermistor and the resistor can be omitted by thick film printing, and downsizing can be achieved. It is also possible to reduce one capacitor as compared with the case of connecting in series.
【0010】図3(a)、(b)はそれぞれ本発明に係
る第3の実施例である低温側補償回路30の構成を示す表
面の斜視図及び裏面の斜視図である。図3(a)に示す
ようにチップコンデンサ31の表面の電極32、33間に厚膜
焼成法によりサーミスタ34を形成すると共に、裏面の電
極32、33間に同様な手法により抵抗35を構成する。この
低温側補償回路30の電気的等価回路は、図7(b)に示
す回路となる。抵抗R1がサーミスタTh1に並列接続され
ているため低温側の補償がより微細に行える特徴があ
る。FIGS. 3A and 3B are a front perspective view and a rear perspective view, respectively, showing the configuration of a low-temperature compensation circuit 30 according to a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3A, a thermistor 34 is formed between the electrodes 32 and 33 on the front surface of the chip capacitor 31 by a thick film firing method, and a resistor 35 is formed between the electrodes 32 and 33 on the back surface by the same method. . An electrical equivalent circuit of the low-temperature side compensation circuit 30 is a circuit shown in FIG. Since the resistor R1 is connected in parallel to the thermistor Th1, there is a feature that low-temperature compensation can be performed more minutely.
【0011】図4は本発明に係る第4の実施例である高
温側補償回路30の構成を示す斜視図である。図4に示す
チップコンデンサ41の図中左端に電極42から電極43向け
てサーミスタ44を厚膜焼成法により形成すると共に、図
中右端に電極43から電極42に向けて抵抗45を形成する。
そして、サーミスタ44及び抵抗45の電極42、43側に接続
されていない端部を導電厚膜材46を用いて接続し、サー
ミスタ44と抵抗45との直列接続回路にチップコンデンサ
41の容量Cを並列接続した、図7(c)に相当する回路
となる。このように、抵抗R2がサーミスタTh2に直列接
続されているため高温側の補償がより微細に行える特徴
がある。FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a high temperature side compensation circuit 30 according to a fourth embodiment of the present invention. A thermistor 44 is formed on the left end of the chip capacitor 41 shown in FIG. 4 from the electrode 42 to the electrode 43 by a thick film firing method, and a resistor 45 is formed on the right end of the chip capacitor 41 from the electrode 43 to the electrode 42.
Then, the ends of the thermistor 44 and the resistor 45 that are not connected to the electrodes 42 and 43 are connected using a conductive thick film material 46, and a chip capacitor is connected to a series connection circuit of the thermistor 44 and the resistor 45.
A circuit corresponding to FIG. 7C is obtained by connecting 41 capacitors C in parallel. As described above, since the resistor R2 is connected in series to the thermistor Th2, there is a feature that the compensation on the high temperature side can be performed more minutely.
【0012】図5(a)、(b)はそれぞれ本発明に係
る第5の実施例の構成を示す表面、及び裏面の斜視図で
ある。低高温補償素子集積ブロック50は、図5(a)に
示すようにチップコンデンサ21表面の電極52、53間であ
って、図中左端にサーミスタ54を、図中右端に抵抗55を
厚膜焼成法で形成する。さらに、図5(b)に示すよう
に、チップコンデンサ51の裏面の電極52、53間には、図
4に示したようにサーミスタ56と抵抗57との直列接続回
路を厚膜焼成法で形成する。このようにチップコンデン
サの表裏に補償素子を形成することにより、その電気的
回路は図7(b)、(c)の回路を並列接続した回路が
チップコンデンサの上に構成でき、直列形TCXOを大
幅に小型にすることが可能となる。FIGS. 5 (a) and 5 (b) are front and rear perspective views showing the structure of a fifth embodiment according to the present invention. As shown in FIG. 5A, the low- and high-temperature compensating element integrated block 50 is formed by thick-film firing of a thermistor 54 at the left end in the figure and a resistor 55 at the right end in the figure between the electrodes 52 and 53 on the surface of the chip capacitor 21. It is formed by a method. Further, as shown in FIG. 5B, a series connection circuit of a thermistor 56 and a resistor 57 is formed between the electrodes 52 and 53 on the back surface of the chip capacitor 51 by a thick film firing method as shown in FIG. I do. By forming the compensating element on the front and back of the chip capacitor in this way, the electric circuit can be configured on the chip capacitor by connecting the circuits of FIGS. 7B and 7C in parallel. It is possible to reduce the size significantly.
【0013】[0013]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、直列形TCXOの補償回路を小さくすることができる
ようになり、その結果、直列形TCXOの形状寸法を大幅に
小型化できた。本発明になる直列形TCXOを携帯電話端末
等に用いれば機器の外形を従来機器に比して大幅に薄型
化、小型化できるという優れた効果を奏す。According to the present invention, as described above, the compensation circuit of the series TCXO can be reduced, and as a result, the shape and dimensions of the series TCXO can be significantly reduced. . If the series TCXO according to the present invention is used for a mobile phone terminal or the like, an excellent effect that the external shape of the device can be significantly reduced in thickness and size as compared with the conventional device can be obtained.
【図1】(a)、(b)及び(c)はそれぞれ本発明の
サーミスタ集積圧電振動子の平面図、右側面図及び底面
図、(d)はその電気的等価回路である。1 (a), 1 (b) and 1 (c) are a plan view, a right side view and a bottom view of a thermistor integrated piezoelectric vibrator of the present invention, respectively, and FIG. 1 (d) is an electrical equivalent circuit thereof.
【図2】(a)、(b)はそれぞれ低高温補償集積ブロ
ックの表面及び裏面の斜視図、(c)はその電気等価回
路である。FIGS. 2A and 2B are perspective views of the front and back surfaces of a low and high temperature compensation integrated block, respectively, and FIG. 2C is an electric equivalent circuit thereof.
【図3】(a)、(b)はそれぞれ低温補償集積ブロッ
クの表面及び裏面の斜視図である。FIGS. 3A and 3B are perspective views of a front surface and a back surface of a low-temperature compensation integrated block, respectively.
【図4】高温補償集積ブロックの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a high-temperature compensation integrated block.
【図5】(a)、(b)はそれぞれ低高温補償集積ブロ
ックの表面及び裏面の斜視図である。FIGS. 5A and 5B are perspective views of a front surface and a back surface of a low and high temperature compensation integrated block, respectively.
【図6】(a)、(b)は従来の直列形TCXOの回路
構成を示す図である。6A and 6B are diagrams showing a circuit configuration of a conventional series TCXO.
【図7】(a)は温度補償回路の基本形でる回路、
(b)は低温用補償回路、(c)高温用補償回路であ
る。FIG. 7A is a circuit as a basic form of a temperature compensation circuit,
(B) is a low-temperature compensation circuit, and (c) is a high-temperature compensation circuit.
1・・セラミックパッケージ 2・・メタライズ部 3・・金属蓋 4、5、6、7、8、9、10、11、22、23、3
2、33、42、43、52、53、・・端子電極 56・・サーミスタ 57・・抵抗 20、30、40、50・・温度補償集積ブロック 21、31、41、51・・チップコンデンサ 58・・導体 Th1、Th2・・サーミスタ R1、R2・・抵抗 C・・容量1. Ceramic package 2. Metallized part 3. Metal cover 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 22, 23, 3
2, 33, 42, 43, 52, 53, terminal electrode 56, thermistor 57, resistor 20, 30, 40, 50 temperature compensation integrated block 21, 31, 41, 51 chip capacitor 58 -Conductor Th1, Th2-Thermistor R1, R2-Resistance C-Capacitance
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J079 AA04 BA02 BA44 CB02 DA12 FA14 FA21 FA24 FB01 HA22 HA23 5J081 AA02 CC17 CC42 EE05 FF23 JJ02 JJ18 LL01 MM01 MM06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5J079 AA04 BA02 BA44 CB02 DA12 FA14 FA21 FA24 FB01 HA22 HA23 5J081 AA02 CC17 CC42 EE05 FF23 JJ02 JJ18 LL01 MM01 MM06
Claims (4)
成するサーミスタ、コンデンサ、抵抗とを備えた温度補
償圧電発振器において、前記圧電振動子のパッケージの
裏面側に厚膜印刷により前記サーミスタまたは前記抵抗
を形成したことを特徴とする温度補償圧電発振器。1. A temperature compensated piezoelectric oscillator comprising a piezoelectric vibrator, an amplifier, and a thermistor, a capacitor, and a resistor constituting a temperature compensating circuit, wherein the thermistor or the thermistor is formed by thick-film printing on a back surface side of a package of the piezoelectric vibrator. A temperature-compensated piezoelectric oscillator characterized by forming a resistor.
成するサーミスタ、チップコンデンサ、抵抗とを備えた
温度補償圧電発振器において、前記チップコンデンサの
表面に厚膜印刷によりサーミスタまたは抵抗を形成する
と共に該サーミスタまたは抵抗を前記チップコンデンサ
とを並列接続したことを特徴とする温度補償圧電発振
器。2. A temperature-compensated piezoelectric oscillator comprising a piezoelectric vibrator, an amplifier, and a thermistor, a chip capacitor, and a resistor constituting a temperature compensation circuit, wherein the thermistor or the resistor is formed by thick-film printing on the surface of the chip capacitor. A temperature-compensated piezoelectric oscillator, wherein said thermistor or resistor is connected in parallel with said chip capacitor.
成するサーミスタ、チップコンデンサ、抵抗とを備えた
温度補償圧電発振器において、前記チップコンデンサの
表面に厚膜印刷によりサーミスタと抵抗との直列接続回
路を形成すると共に、該直列接続回路と前記チップコン
デンサとを並列接続したことを特徴とする温度補償圧電
発振器。3. A temperature-compensated piezoelectric oscillator comprising a piezoelectric vibrator, an amplifier, and a thermistor, a chip capacitor, and a resistor constituting a temperature compensation circuit, wherein the thermistor and the resistor are connected in series by thick-film printing on the surface of the chip capacitor. A temperature-compensated piezoelectric oscillator, wherein a circuit is formed and the series-connected circuit and the chip capacitor are connected in parallel.
成するサーミスタ、チップコンデンサ、抵抗とを備えた
温度補償圧電発振器において、前記チップコンデンサの
表面に厚膜印刷により第1のサーミスタと、第1の抵抗
と、第2のサーミスタと第2の抵抗との直列接続回路と
を形成し、これらを前記チップコンデンサと並列接続に
したことを特徴とする温度補償圧電発振器。4. A temperature-compensated piezoelectric oscillator comprising a piezoelectric vibrator, an amplifier, and a thermistor, a chip capacitor, and a resistor constituting a temperature compensation circuit, wherein a first thermistor is formed by thick-film printing on the surface of the chip capacitor; A temperature-compensated piezoelectric oscillator comprising a resistor, a second thermistor, and a series-connected circuit of a second resistor, which are connected in parallel with the chip capacitor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24855099A JP2001077627A (en) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | Temperature-compensating piezoelectric oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24855099A JP2001077627A (en) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | Temperature-compensating piezoelectric oscillator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001077627A true JP2001077627A (en) | 2001-03-23 |
Family
ID=17179851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24855099A Pending JP2001077627A (en) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | Temperature-compensating piezoelectric oscillator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001077627A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8749123B2 (en) | 2010-03-29 | 2014-06-10 | Kyocera Kinseki Corporation | Piezoelectric device |
US8754718B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-06-17 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device and electronic apparatus |
WO2016148285A1 (en) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | 株式会社立山科学デバイステクノロジー | Crystal oscillator and method for manufacturing same |
KR20160124549A (en) * | 2015-04-20 | 2016-10-28 | 삼성전기주식회사 | Crystal device |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24855099A patent/JP2001077627A/en active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8749123B2 (en) | 2010-03-29 | 2014-06-10 | Kyocera Kinseki Corporation | Piezoelectric device |
US8754718B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-06-17 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device and electronic apparatus |
US9054604B2 (en) | 2011-03-11 | 2015-06-09 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device and electronic apparatus |
US9160254B2 (en) | 2011-03-11 | 2015-10-13 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device and electronic apparatus |
US9685889B2 (en) | 2011-03-11 | 2017-06-20 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device and electronic apparatus |
US10715058B2 (en) | 2011-03-11 | 2020-07-14 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device and electronic apparatus |
WO2016148285A1 (en) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | 株式会社立山科学デバイステクノロジー | Crystal oscillator and method for manufacturing same |
JP2016178437A (en) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 株式会社立山科学デバイステクノロジー | Quartz oscillator and manufacturing method thereof |
KR20160124549A (en) * | 2015-04-20 | 2016-10-28 | 삼성전기주식회사 | Crystal device |
KR102163413B1 (en) * | 2015-04-20 | 2020-10-08 | 삼성전기주식회사 | Crystal device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001338838A (en) | Multi-functional electronic parts, its manufacturing method, and voltage-controlled oscillator equipped therewith | |
US6847265B2 (en) | Temperature-compensated crystal oscillator | |
US20060170510A1 (en) | Mounting structure and method of surface-mount crystal oscillator | |
JP4115229B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
JP2002271142A (en) | Surface mount type crystal oscillator and method of manufacturing the same | |
US5925971A (en) | Piezoelectric resonator and electronic component containing same | |
US5942836A (en) | Energy-trapping thickness-shear resonator and electronic components using the same | |
JP3130830B2 (en) | Chip component composite piezoelectric device | |
JP2004320417A (en) | Temperature compensated piezoelectric oscillator | |
JP2001077627A (en) | Temperature-compensating piezoelectric oscillator | |
JP4310486B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
JP2007067967A (en) | Temperature compensated crystal oscillator | |
JP3479467B2 (en) | Crystal oscillator | |
JP2001127579A (en) | Piezoelectric vibration and piezoelectric oscillator using the same | |
JP4529623B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
JP2002076775A (en) | Crystal oscillator for surface mounting | |
JP2000124738A (en) | Piezoelectric oscillator and piezoelectric vibration device | |
JPH09191226A (en) | Crystal oscillator | |
JP2002050928A (en) | Piezoelectric oscillator | |
JP3276136B2 (en) | Surface mounting container and method of manufacturing piezoelectric oscillator using the same | |
JP2549796Y2 (en) | Temperature compensated crystal oscillator | |
JPH06268442A (en) | Temperature compensation type crystal oscillation circuit | |
US7239211B2 (en) | Temperature-compensated crystal oscillator | |
JPH10173475A (en) | Piezoelectric oscillator | |
JPH11112235A (en) | Container for temperature-compensated piezoelectric oscillator and manufacturing method thereof |