JP2001074907A - ディスプレイ用反射防止フィルム及びその製造方法 - Google Patents
ディスプレイ用反射防止フィルム及びその製造方法Info
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Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 帯電防止機能を有し、ハードコート層と反射
防止層とが高い密着性を有する、耐擦傷性、表面硬度に
優れたディスプレイ用反射防止フィルム及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 基材フィルムに、導電性ハードコート層
を介して、反射防止層が積層されている反射防止フィル
ムであって、上記導電性ハードコート層は、該表面の元
素組成中に占めるＳｉの比率を、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合
計量に対して２〜３５原子％となるように配合するか、
上記範囲になるように放電処理を施し、上記ハードコー
ト面に、反射防止層を積層するディスプレイ用反射防止
フィルム及びその製造方法。
防止層とが高い密着性を有する、耐擦傷性、表面硬度に
優れたディスプレイ用反射防止フィルム及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 基材フィルムに、導電性ハードコート層
を介して、反射防止層が積層されている反射防止フィル
ムであって、上記導電性ハードコート層は、該表面の元
素組成中に占めるＳｉの比率を、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合
計量に対して２〜３５原子％となるように配合するか、
上記範囲になるように放電処理を施し、上記ハードコー
ト面に、反射防止層を積層するディスプレイ用反射防止
フィルム及びその製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ等に好適に用いられ得る反射防止フィルム及
びその製造方法に関する。
ィスプレイ等に好適に用いられ得る反射防止フィルム及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フラットパネルディスプレイ
（液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディ
スプレイ等）、ＣＲＴディスプレイに関して、外部から
の光が表面で反射し、内部の視覚情報が見えにくいとい
う問題があった。また、画面を見続けることによる眼精
疲労やディスプレイからの電磁波照射といったＶＤＴ障
害が問題視されている。このような問題に対し、表面を
エッチングすることで反射防止することが行われている
が、品質にばらつきがあるだけでなく、透過画質を悪化
させるという欠点があった。
（液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディ
スプレイ等）、ＣＲＴディスプレイに関して、外部から
の光が表面で反射し、内部の視覚情報が見えにくいとい
う問題があった。また、画面を見続けることによる眼精
疲労やディスプレイからの電磁波照射といったＶＤＴ障
害が問題視されている。このような問題に対し、表面を
エッチングすることで反射防止することが行われている
が、品質にばらつきがあるだけでなく、透過画質を悪化
させるという欠点があった。
【０００３】そこで、塗工、蒸着、スパッタリング、プ
ラズマＣＶＤ等の方法で低屈折率層、高屈折率層の組み
合わせによる反射防止膜を形成する方法が提案された。
上記方法のうち、従来の蒸着、スパッタリング、プラズ
マＣＶＤ法等のドライプロセスによるものは、高性能な
反射防止膜を提供することができるが、低圧力環境が必
須であり、連続的に大面積に処理するためには大規模な
設備を必要とする。一方塗工法に代表されるウェットプ
ロセスによる反射防止膜は、大気圧下で行うことから連
続的処理や大面積処理に有利であるが、性能的に劣ると
いう問題があった。さらに、上記反射防止膜中の低屈折
率層、及び高屈折率層の材料は、主に酸化金属材料が利
用されており、透過率を維持しつつ、反射防止機能を付
与するために、通常、０．１μｍ程度の金属含有薄膜を
単層及び複数層積層するものである。
ラズマＣＶＤ等の方法で低屈折率層、高屈折率層の組み
合わせによる反射防止膜を形成する方法が提案された。
上記方法のうち、従来の蒸着、スパッタリング、プラズ
マＣＶＤ法等のドライプロセスによるものは、高性能な
反射防止膜を提供することができるが、低圧力環境が必
須であり、連続的に大面積に処理するためには大規模な
設備を必要とする。一方塗工法に代表されるウェットプ
ロセスによる反射防止膜は、大気圧下で行うことから連
続的処理や大面積処理に有利であるが、性能的に劣ると
いう問題があった。さらに、上記反射防止膜中の低屈折
率層、及び高屈折率層の材料は、主に酸化金属材料が利
用されており、透過率を維持しつつ、反射防止機能を付
与するために、通常、０．１μｍ程度の金属含有薄膜を
単層及び複数層積層するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、反射防止膜
は、基材との密着性及び耐擦傷性が悪く、表面硬度も低
いという問題があった。そのため、基材上にハードコー
ト層（硬化被膜層）としてアクリレート系の官能基を有
する層を設けて、表面硬度を向上させる技術が汎用され
ている。しかし、有機材料であるハードコート層と無機
材料である金属含有薄膜との密着性に問題が残り、金属
含有薄膜の表面が剥離する等の問題が残った。金属含有
薄膜とハードコート層の密着性を上げる方法として、例
えばアクリル系ハードコート表面をコロナ放電処理する
方法が知られているが、密着性の向上効果は十分ではな
かった。また処理時間を延ばした場合、基材表面の劣化
が激しくなり、逆に密着性が低下する。またアクリル系
ハードコート塗料に無定型シリカ粒子を混合し、金属含
有薄膜との密着性を向上させる方法（特開平５−１６２
２６１号公報）や、オルガノポリシロキサンを用いて接
着特性を向上させる方法が提案されており、これらの方
法によれば、確かに表面硬度は向上するが、密着性に関
して効果が不十分であった。
は、基材との密着性及び耐擦傷性が悪く、表面硬度も低
いという問題があった。そのため、基材上にハードコー
ト層（硬化被膜層）としてアクリレート系の官能基を有
する層を設けて、表面硬度を向上させる技術が汎用され
ている。しかし、有機材料であるハードコート層と無機
材料である金属含有薄膜との密着性に問題が残り、金属
含有薄膜の表面が剥離する等の問題が残った。金属含有
薄膜とハードコート層の密着性を上げる方法として、例
えばアクリル系ハードコート表面をコロナ放電処理する
方法が知られているが、密着性の向上効果は十分ではな
かった。また処理時間を延ばした場合、基材表面の劣化
が激しくなり、逆に密着性が低下する。またアクリル系
ハードコート塗料に無定型シリカ粒子を混合し、金属含
有薄膜との密着性を向上させる方法（特開平５−１６２
２６１号公報）や、オルガノポリシロキサンを用いて接
着特性を向上させる方法が提案されており、これらの方
法によれば、確かに表面硬度は向上するが、密着性に関
して効果が不十分であった。
【０００５】本発明は、上記の課題を解決し、基材と反
射防止層とがハードコート層を介して高い密着性を有
し、表面硬度に優れ、さらに、ディスプレイの画面帯電
による静電気や画面から放射される微弱な電磁波に対し
ては帯電防止機能を持つディスプレイ用反射防止フィル
ムとその製造方法を提供することを目的とする。
射防止層とがハードコート層を介して高い密着性を有
し、表面硬度に優れ、さらに、ディスプレイの画面帯電
による静電気や画面から放射される微弱な電磁波に対し
ては帯電防止機能を持つディスプレイ用反射防止フィル
ムとその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の本発明（以下、「本発明１」という）
では、基材フィルムに、導電性ハードコート層を介し
て、反射防止層が積層されている反射防止フィルムにお
いて、上記導電性ハードコート層が、多官能アクリレー
ト（Ａ）１００重量部、有機物により表面処理コートさ
れたシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及びシリコ
ンアクリレートよりなる群から選ばれた少なくとも１種
のシリコン系化合物（Ｂ）１〜４０重量部及び、導電性
添加剤として、無機系導電性添加剤５０〜８００重量
部、または、有機系導電性添加剤０．１〜３０重量部か
らなる組成物を硬化させたものであり、上記ハードコー
ト層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、
Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％であること
を特徴とするディスプレイ用反射防止フィルムを提供す
る。また、請求項２記載の本発明（以下、「本発明２」
という）では、基材フィルムに、導電性ハードコート層
を介して、反射防止層が積層されている反射防止フィル
ムにおいて、上記導電性ハードコート層が、多官能アク
リレート（Ａ）１００重量部、有機物により表面処理コ
ートされたシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及び
シリコンアクリレートよりなる群から選ばれた少なくと
も１種のシリコン系化合物（Ｂ）１〜７０重量部、導電
性添加剤として、無機系導電性添加剤５０〜８００重量
部、または、有機系導電性添加剤０．１〜３０重量部及
び、ウレタンアクリレート（Ｄ）５〜１００重量部とか
らなる組成物を硬化させたものであり、上記導電性ハー
ドコート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、
Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％であ
ることを特徴とするディスプレイ用反射防止フィルムを
提供する。
に請求項１記載の本発明（以下、「本発明１」という）
では、基材フィルムに、導電性ハードコート層を介し
て、反射防止層が積層されている反射防止フィルムにお
いて、上記導電性ハードコート層が、多官能アクリレー
ト（Ａ）１００重量部、有機物により表面処理コートさ
れたシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及びシリコ
ンアクリレートよりなる群から選ばれた少なくとも１種
のシリコン系化合物（Ｂ）１〜４０重量部及び、導電性
添加剤として、無機系導電性添加剤５０〜８００重量
部、または、有機系導電性添加剤０．１〜３０重量部か
らなる組成物を硬化させたものであり、上記ハードコー
ト層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、
Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％であること
を特徴とするディスプレイ用反射防止フィルムを提供す
る。また、請求項２記載の本発明（以下、「本発明２」
という）では、基材フィルムに、導電性ハードコート層
を介して、反射防止層が積層されている反射防止フィル
ムにおいて、上記導電性ハードコート層が、多官能アク
リレート（Ａ）１００重量部、有機物により表面処理コ
ートされたシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及び
シリコンアクリレートよりなる群から選ばれた少なくと
も１種のシリコン系化合物（Ｂ）１〜７０重量部、導電
性添加剤として、無機系導電性添加剤５０〜８００重量
部、または、有機系導電性添加剤０．１〜３０重量部及
び、ウレタンアクリレート（Ｄ）５〜１００重量部とか
らなる組成物を硬化させたものであり、上記導電性ハー
ドコート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、
Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％であ
ることを特徴とするディスプレイ用反射防止フィルムを
提供する。
【０００７】また、請求項３記載の本発明（以下、「本
発明３」という）では、反射防止層が、ＳｉＯ2 層及び
ＴｉＯ2 層の積層体によって構成されることを特徴とす
る請求項１又は２記載のディスプレイ用反射防止フィル
ムを提供する。また、請求項４記載の本発明（以下、
「本発明４」という）では、導電性ハードコート層の表
面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及び
Ｏの合計量に対して２〜３５原子％となるように放電処
理が施された導電性ハードコート層を有することを特徴
とする請求項１〜３いずれか一項に記載のディスプレイ
用反射防止フィルムを提供する。また、請求項５記載の
本発明（以下、「本発明５」という）では、基材フィル
ムに、導電性ハードコート層を介して、反射防止層を積
層することによりディスプレイ用反射防止フィルムを製
造する方法において、上記導電性ハードコート層の表面
の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯ
の合計量に対して２〜３５原子％となるように放電処理
を施し、更に上記放電処理された面に、大気圧近傍の圧
力下、金属化合物を含むガス雰囲気中で、対向電極間に
放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ2 となるよう
に電界を印加することにより、放電プラズマを発生さ
せ、反射防止層を積層することを特徴とする請求項１〜
４いずれか一項記載のディスプレイ用反射防止フィルム
の製造方法を提供する。
発明３」という）では、反射防止層が、ＳｉＯ2 層及び
ＴｉＯ2 層の積層体によって構成されることを特徴とす
る請求項１又は２記載のディスプレイ用反射防止フィル
ムを提供する。また、請求項４記載の本発明（以下、
「本発明４」という）では、導電性ハードコート層の表
面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及び
Ｏの合計量に対して２〜３５原子％となるように放電処
理が施された導電性ハードコート層を有することを特徴
とする請求項１〜３いずれか一項に記載のディスプレイ
用反射防止フィルムを提供する。また、請求項５記載の
本発明（以下、「本発明５」という）では、基材フィル
ムに、導電性ハードコート層を介して、反射防止層を積
層することによりディスプレイ用反射防止フィルムを製
造する方法において、上記導電性ハードコート層の表面
の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯ
の合計量に対して２〜３５原子％となるように放電処理
を施し、更に上記放電処理された面に、大気圧近傍の圧
力下、金属化合物を含むガス雰囲気中で、対向電極間に
放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ2 となるよう
に電界を印加することにより、放電プラズマを発生さ
せ、反射防止層を積層することを特徴とする請求項１〜
４いずれか一項記載のディスプレイ用反射防止フィルム
の製造方法を提供する。
【０００８】また、請求項６記載の本発明（以下、「本
発明６」という）では、上記一対の対向電極間にパルス
化された電界を印加することを特徴とする請求項５記載
のディスプレイ用反射防止フィルムの製造方法を提供す
る。また、請求項７記載の本発明（以下、「本発明７」
という）では、上記パルス化された電界の印加における
電圧立ち上がり時間が１００μｓ以下で、且つ、パルス
電界の強さが１〜１００ｋＶ／ｃｍの範囲であることを
特徴とする請求項６に記載のディスプレイ用反射防止フ
ィルムの製造方法を提供する。また、請求項８記載の本
発明（以下、「本発明８」という）では、上記パルス化
された電界の周波数が０．５〜１００ｋＨｚであり、且
つ、その１つのパルス継続時間が１〜１０００μｓであ
ることを特徴とする請求項６又は７に記載のディスプレ
イ用反射防止フィルムの製造方法を提供する。
発明６」という）では、上記一対の対向電極間にパルス
化された電界を印加することを特徴とする請求項５記載
のディスプレイ用反射防止フィルムの製造方法を提供す
る。また、請求項７記載の本発明（以下、「本発明７」
という）では、上記パルス化された電界の印加における
電圧立ち上がり時間が１００μｓ以下で、且つ、パルス
電界の強さが１〜１００ｋＶ／ｃｍの範囲であることを
特徴とする請求項６に記載のディスプレイ用反射防止フ
ィルムの製造方法を提供する。また、請求項８記載の本
発明（以下、「本発明８」という）では、上記パルス化
された電界の周波数が０．５〜１００ｋＨｚであり、且
つ、その１つのパルス継続時間が１〜１０００μｓであ
ることを特徴とする請求項６又は７に記載のディスプレ
イ用反射防止フィルムの製造方法を提供する。
【０００９】＜基材フィルム＞本発明において使用され
る基材フィルムの材質は、特に限定されず、例えば、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、再生セル
ロース、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロー
ス、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニル
アルコール、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミ
ド、ナイロン、等が挙げられる。好ましくは、透明性の
ある樹脂基材であり、これらは特に限定されずトリアセ
チルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリカ
ーボネート等が挙げられる。
る基材フィルムの材質は、特に限定されず、例えば、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、再生セル
ロース、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロー
ス、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニル
アルコール、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミ
ド、ナイロン、等が挙げられる。好ましくは、透明性の
ある樹脂基材であり、これらは特に限定されずトリアセ
チルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリカ
ーボネート等が挙げられる。
【００１０】＜導電性ハードコート層＞本発明において
使用される多官能アクリレート（Ａ）としては、例え
ば、ペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレー
ト、ペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレー
ト、ペンタエリスリトール（メタ）テトラアクリレー
ト、ジペンタエリスリトール（メタ）テトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、
ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペ
ンタエリスリトールグリシジル（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、及
びこれらの誘導体、変性品等が挙げられる。これらは、
単独で使用されてもよいし、２種類以上併用されてもよ
い。
使用される多官能アクリレート（Ａ）としては、例え
ば、ペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレー
ト、ペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレー
ト、ペンタエリスリトール（メタ）テトラアクリレー
ト、ジペンタエリスリトール（メタ）テトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、
ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペ
ンタエリスリトールグリシジル（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、及
びこれらの誘導体、変性品等が挙げられる。これらは、
単独で使用されてもよいし、２種類以上併用されてもよ
い。
【００１１】本発明において使用されるシリコン系化合
物（Ｂ）は、有機物により表面処理コートされたシリカ
粒子、オルガノポリシロキサン及びシリコンアクリレー
トよりなる群から選ばれた少なくとも１種のシリコン系
化合物からなる。上記有機物により表面処理コートされ
たシリカ粒子としては、例えば、図１、２に示したもの
が例示される。ここでＣｏ−Ｓｉとはコロイダルシリカ
を示し、図２においてＲ1 、Ｒ2 はそれぞれアルキル基
を示す。なお、Ｒ1 とＲ2 は、それぞれ異なっていても
よいし、同一のものであってもよい。上記有機物により
表面処理コートされたシリカ粒子としては、東芝シリコ
ーン社製；品番「ＵＶＨＣ−１１０３」、「ＵＶＨＣ−
１１０５」等があげられる。
物（Ｂ）は、有機物により表面処理コートされたシリカ
粒子、オルガノポリシロキサン及びシリコンアクリレー
トよりなる群から選ばれた少なくとも１種のシリコン系
化合物からなる。上記有機物により表面処理コートされ
たシリカ粒子としては、例えば、図１、２に示したもの
が例示される。ここでＣｏ−Ｓｉとはコロイダルシリカ
を示し、図２においてＲ1 、Ｒ2 はそれぞれアルキル基
を示す。なお、Ｒ1 とＲ2 は、それぞれ異なっていても
よいし、同一のものであってもよい。上記有機物により
表面処理コートされたシリカ粒子としては、東芝シリコ
ーン社製；品番「ＵＶＨＣ−１１０３」、「ＵＶＨＣ−
１１０５」等があげられる。
【００１２】上記有機物により表面処理コートされたシ
リカ粒子の粒径は、小さすぎると、導電性ハードコート
塗料の粘度が高くなるので塗工が困難になり、大きすぎ
ると塗工後のヘイズ値が下がり、透明性が落ちるため、
０．１〜３μｍが好ましく、より好ましくは、０．２〜
０．７μｍが好ましい。
リカ粒子の粒径は、小さすぎると、導電性ハードコート
塗料の粘度が高くなるので塗工が困難になり、大きすぎ
ると塗工後のヘイズ値が下がり、透明性が落ちるため、
０．１〜３μｍが好ましく、より好ましくは、０．２〜
０．７μｍが好ましい。
【００１３】上記オルガノシロキサン樹脂としては、以
下の構造のものが利用できる。
下の構造のものが利用できる。
【００１４】
【化１】
【００１５】
【化２】
【００１６】
【化３】
【００１７】ここで、ｍ，ｎは０以上の整数であり、ｍ
≧０、ｎ≧０、１０≦ｍ＋ｎ≦１００が好ましく、より
好ましくは１５≦ｍ＋ｎ≦５０である。ｍ＋ｎ＜１０の
場合は硬度が低くなり、導電性ハードコート性能が劣
る。また、ｍ＋ｎ＞１００の場合は、塗料が高粘度化す
るため、塗工に問題が生じる。
≧０、ｎ≧０、１０≦ｍ＋ｎ≦１００が好ましく、より
好ましくは１５≦ｍ＋ｎ≦５０である。ｍ＋ｎ＜１０の
場合は硬度が低くなり、導電性ハードコート性能が劣
る。また、ｍ＋ｎ＞１００の場合は、塗料が高粘度化す
るため、塗工に問題が生じる。
【００１８】上記シリコンアクリレートは、一般式（Ｃ
Ｈ3 Ｏ）3 ＳｉＲ3 Ｏ−ＣＯ−ＣＲ 4 ＝ＣＨ2 で示され
るものであり、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれアルキル基を示
す。なお、Ｒ3 とＲ4 は、それぞれ異なっていてもよい
し、同一のものであってもよい。
Ｈ3 Ｏ）3 ＳｉＲ3 Ｏ−ＣＯ−ＣＲ 4 ＝ＣＨ2 で示され
るものであり、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれアルキル基を示
す。なお、Ｒ3 とＲ4 は、それぞれ異なっていてもよい
し、同一のものであってもよい。
【００１９】上記シリコン系化合物（Ｂ）の量は、少な
すぎると、得られる導電性ハードコート層の表面硬度が
低くなり、多すぎると、硬化後の導電性ハードコートに
クラックが発生し、密着性が低下する。このため、本発
明１では、多官能アクリレート（Ａ）１００重量部に対
して１〜４０重量部が好ましく、さらに好ましくは３〜
２０重量部である。１重量部より少ないと、表面高度が
低く密着性が向上しない。また、４０重量部より多い場
合は、硬化後の導電性ハードコート内にクラックが発生
し、密着性が低下する。また、本発明２では多官能アク
リレート（Ａ）１００重量部、ウレタンアクリレート５
〜１００重量部に対して１〜７０重量部が好ましく、さ
らに好ましくは１０〜６０重量部である。１重量部より
少ないと、表面高度が低く密着性が向上しない。また、
７０重量部より多い場合は、硬化後の導電性ハードコー
ト内にクラックが発生し、密着性が低下する。
すぎると、得られる導電性ハードコート層の表面硬度が
低くなり、多すぎると、硬化後の導電性ハードコートに
クラックが発生し、密着性が低下する。このため、本発
明１では、多官能アクリレート（Ａ）１００重量部に対
して１〜４０重量部が好ましく、さらに好ましくは３〜
２０重量部である。１重量部より少ないと、表面高度が
低く密着性が向上しない。また、４０重量部より多い場
合は、硬化後の導電性ハードコート内にクラックが発生
し、密着性が低下する。また、本発明２では多官能アク
リレート（Ａ）１００重量部、ウレタンアクリレート５
〜１００重量部に対して１〜７０重量部が好ましく、さ
らに好ましくは１０〜６０重量部である。１重量部より
少ないと、表面高度が低く密着性が向上しない。また、
７０重量部より多い場合は、硬化後の導電性ハードコー
ト内にクラックが発生し、密着性が低下する。
【００２０】上記ハードコート塗料の粘度を調整するた
めに、希釈溶媒を用いても良い。これらは、非重合性の
ものであれば特に限定されず、例えば、トルエン、キシ
レン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセルソルブ、エ
チルセルソルブ、エチルセルソルブアセテート、イソプ
ロピルアルコール、メチルエチルケトン等が挙げられ
る。これらの希釈溶媒は、これらは、単独で使用されて
もよいし、２種類以上併用されてもよい。
めに、希釈溶媒を用いても良い。これらは、非重合性の
ものであれば特に限定されず、例えば、トルエン、キシ
レン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセルソルブ、エ
チルセルソルブ、エチルセルソルブアセテート、イソプ
ロピルアルコール、メチルエチルケトン等が挙げられ
る。これらの希釈溶媒は、これらは、単独で使用されて
もよいし、２種類以上併用されてもよい。
【００２１】上記導電性添加剤（Ｃ）としては、透明性
を著しく阻害しない限り、通常の有機、無機の導電性添
加剤が使用でき、透明性を重視する場合は、導電性添加
剤の粒子径は可視光線の半波長より十分小さいことが必
要である。導電性添加剤を具体的に例示すれば、銀、
銅、ニッケル、酸化錫、酸化アンチモン含有酸化錫等の
無機系導電体の超微粒子；アニリン系重合体、ピロール
系重合体、チオフェン系重合体等の有機系導電性体が挙
げられる。
を著しく阻害しない限り、通常の有機、無機の導電性添
加剤が使用でき、透明性を重視する場合は、導電性添加
剤の粒子径は可視光線の半波長より十分小さいことが必
要である。導電性添加剤を具体的に例示すれば、銀、
銅、ニッケル、酸化錫、酸化アンチモン含有酸化錫等の
無機系導電体の超微粒子；アニリン系重合体、ピロール
系重合体、チオフェン系重合体等の有機系導電性体が挙
げられる。
【００２２】上記光硬化性導電性組成物において、導電
性添加剤の添加量は、無機系導電体の場合、多官能アク
リレート化合物１００重量部に対し、５０〜８００重量
部が好ましい。５０重量部未満の場合は、塗工・硬化膜
である導電層の帯電防止性が低く、８００重量部を超え
ると、透明性が悪くなる。又、有機系導電性体の場合、
多官能アクリレート化合物１００重量部に対し、０．１
〜３０重量部が好ましい。０．１重量部未満の場合は、
得られる導電層の帯電防止性が低く、３０重量部を超え
ると透明性が悪くなる。
性添加剤の添加量は、無機系導電体の場合、多官能アク
リレート化合物１００重量部に対し、５０〜８００重量
部が好ましい。５０重量部未満の場合は、塗工・硬化膜
である導電層の帯電防止性が低く、８００重量部を超え
ると、透明性が悪くなる。又、有機系導電性体の場合、
多官能アクリレート化合物１００重量部に対し、０．１
〜３０重量部が好ましい。０．１重量部未満の場合は、
得られる導電層の帯電防止性が低く、３０重量部を超え
ると透明性が悪くなる。
【００２３】本発明において使用されるウレタンアクリ
レート（Ｄ）は、１種または２種以上を併用したポリオ
ール、ジイソシアネート、ヒドロキシ（メタ）アクリレ
ートを使用し、公知の方法で作られる。
レート（Ｄ）は、１種または２種以上を併用したポリオ
ール、ジイソシアネート、ヒドロキシ（メタ）アクリレ
ートを使用し、公知の方法で作られる。
【００２４】上記ポリオールとしては、例えば、スピロ
グリコール、エトキシ化ビスフェノールＡ、エトキシ化
ビスフェノールＳ、ポリテトラメチレンオキサイドジオ
ール、ポリテトラメチレンオキサイドトリオール、ポリ
プロピレンオキサイドジオール、ポリプロピレンオキサ
イドトリオール等が挙げられる。
グリコール、エトキシ化ビスフェノールＡ、エトキシ化
ビスフェノールＳ、ポリテトラメチレンオキサイドジオ
ール、ポリテトラメチレンオキサイドトリオール、ポリ
プロピレンオキサイドジオール、ポリプロピレンオキサ
イドトリオール等が挙げられる。
【００２５】上記ジイソシアネートとしては、例えば、
テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイ
ソシアネート、イソホロンジイソシアネート、２, ４−
トリレンジイソシアネート、４, ４' −ジフェニルジイ
ソシアネート、１, ５−ナフタレンジイソシアネート、
３, ３' −ジメチル−４, ４−ジフェニルジイソシアネ
ート、キシレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメ
チレンジイソシアネート、４, ４−ジフェニルメタンジ
イソシアネート、トリレンジイソシアネート等が挙げら
れる。
テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイ
ソシアネート、イソホロンジイソシアネート、２, ４−
トリレンジイソシアネート、４, ４' −ジフェニルジイ
ソシアネート、１, ５−ナフタレンジイソシアネート、
３, ３' −ジメチル−４, ４−ジフェニルジイソシアネ
ート、キシレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメ
チレンジイソシアネート、４, ４−ジフェニルメタンジ
イソシアネート、トリレンジイソシアネート等が挙げら
れる。
【００２６】上記ヒドロキシ（メタ）アクリレートとし
ては、例えば、２、２−ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕プロパン、ビ
ス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキ
シ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕スルホン、ビ
ス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキ
シ）フェニル〕エーテル、４, ４−ビス〔４−（３−ア
クリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕シ
クロヘキサン、９, ９−ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕フルオレン、
９, ９−ビス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキ
シプロポキシ）フェニル〕アントラキノン、２−ヒドロ
キシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート、グリシドールジメタクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート等が挙げられる。
ては、例えば、２、２−ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕プロパン、ビ
ス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキ
シ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕スルホン、ビ
ス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキ
シ）フェニル〕エーテル、４, ４−ビス〔４−（３−ア
クリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕シ
クロヘキサン、９, ９−ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕フルオレン、
９, ９−ビス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキ
シプロポキシ）フェニル〕アントラキノン、２−ヒドロ
キシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート、グリシドールジメタクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート等が挙げられる。
【００２７】上記ウレタンアクリレート（Ｄ）として
は、大日精化社製；品番「ＥＸＳ−０７」などが挙げら
れる。
は、大日精化社製；品番「ＥＸＳ−０７」などが挙げら
れる。
【００２８】上記ウレタンアクリレート（Ｄ）添加量
は、少なすぎると、得られる導電性ハードコート層の柔
軟性や密着性が低くなり、多すぎると、硬化後の導電性
ハードコート性能が低下する。このため、多官能アクリ
レート（Ａ）１００重量部に対して、ウレタンアクリレ
ート（Ｄ）５〜１００重量部が好ましく、さらに好まし
くは７〜４０重量部である。５重量部より少ないと、柔
軟性や密着性が向上しない。また、１００重量部より多
い場合は、導電性ハードコート性能が低下する。
は、少なすぎると、得られる導電性ハードコート層の柔
軟性や密着性が低くなり、多すぎると、硬化後の導電性
ハードコート性能が低下する。このため、多官能アクリ
レート（Ａ）１００重量部に対して、ウレタンアクリレ
ート（Ｄ）５〜１００重量部が好ましく、さらに好まし
くは７〜４０重量部である。５重量部より少ないと、柔
軟性や密着性が向上しない。また、１００重量部より多
い場合は、導電性ハードコート性能が低下する。
【００２９】本発明において導電性ハードコート層を形
成するには、多官能アクリレート（Ａ）、シリコン系化
合物（Ｂ）、導電性添加剤（Ｃ）及び、ウレタンアクリ
レート（Ｄ）からなる組成物を、透明性基材上に塗布
し、乾燥、硬化する。上記組成物を透明性基材上に塗布
する方法としては、公知のスプレーコート、グラビアコ
ート、ロールコート、バーコート等の塗工法を用いるこ
とが出来る。塗布量は、必要とされる物性を考慮し、所
望の厚さとなるように調整される。
成するには、多官能アクリレート（Ａ）、シリコン系化
合物（Ｂ）、導電性添加剤（Ｃ）及び、ウレタンアクリ
レート（Ｄ）からなる組成物を、透明性基材上に塗布
し、乾燥、硬化する。上記組成物を透明性基材上に塗布
する方法としては、公知のスプレーコート、グラビアコ
ート、ロールコート、バーコート等の塗工法を用いるこ
とが出来る。塗布量は、必要とされる物性を考慮し、所
望の厚さとなるように調整される。
【００３０】上記のようにして透明性基材上に塗布さ
れ、乾燥された導電性ハードコート用組成物を硬化する
方法としては、アクリロイル基の重合反応を開始し促進
するものであれば、特に限定されず、公知の方法で行う
ことが出来る。
れ、乾燥された導電性ハードコート用組成物を硬化する
方法としては、アクリロイル基の重合反応を開始し促進
するものであれば、特に限定されず、公知の方法で行う
ことが出来る。
【００３１】紫外線照射により硬化させる場合は、従来
公知の光重合開始剤を用いることができ、例えば２，２
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、アセトフ
ェノン、ベンゾフェノン、キサントン、３−メチルアセ
トフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジ
メトキシベンゾフェノン、ベンゾインプロピルエーテ
ル、ベンジルジメチルケタール、N,N,N',N'-テトラメチ
ル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、１−（４−イ
ソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプ
ロパン−１−オン、その他チオキサント系化合物等が挙
げられる。
公知の光重合開始剤を用いることができ、例えば２，２
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、アセトフ
ェノン、ベンゾフェノン、キサントン、３−メチルアセ
トフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジ
メトキシベンゾフェノン、ベンゾインプロピルエーテ
ル、ベンジルジメチルケタール、N,N,N',N'-テトラメチ
ル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、１−（４−イ
ソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプ
ロパン−１−オン、その他チオキサント系化合物等が挙
げられる。
【００３２】上記の硬化に用いられるエネルギー線源と
しては、例えば、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キ
セノンランプ、窒素レーザー、電子線加速装置、放射性
元素などの線源が使用される。エネルギー線源の照射量
は、紫外線波長３６５ｎｍでの積算露光量として、５０
〜５０００ｍＪ／ｃｍ2 が好ましい。照射量が、５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 未満の場合は、硬化が不十分となるため、導
電層の耐摩耗性や硬度が低下する。また、５０００ｍＪ
／ｃｍ2 を超えると、導電層が着色して透明性が低下す
る。
しては、例えば、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キ
セノンランプ、窒素レーザー、電子線加速装置、放射性
元素などの線源が使用される。エネルギー線源の照射量
は、紫外線波長３６５ｎｍでの積算露光量として、５０
〜５０００ｍＪ／ｃｍ2 が好ましい。照射量が、５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 未満の場合は、硬化が不十分となるため、導
電層の耐摩耗性や硬度が低下する。また、５０００ｍＪ
／ｃｍ2 を超えると、導電層が着色して透明性が低下す
る。
【００３３】また加熱による硬化を行う場合、開始剤と
して、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタ
ール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサ
イド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネ
ート等が挙げられる。これら開始剤は単独で使用されて
もよいし、２種類以上併用されてもよい。
して、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタ
ール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサ
イド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネ
ート等が挙げられる。これら開始剤は単独で使用されて
もよいし、２種類以上併用されてもよい。
【００３４】上記導電性ハードコート用組成物には、必
要に応じて、性能を損なわない範囲で、顔料、充填剤、
界面活性剤、分散剤、可塑剤、紫外線吸収剤、酸化防止
剤等が使用されてもよい。これらは単独で使用されても
よいし、２種類以上併用されてもよい。
要に応じて、性能を損なわない範囲で、顔料、充填剤、
界面活性剤、分散剤、可塑剤、紫外線吸収剤、酸化防止
剤等が使用されてもよい。これらは単独で使用されても
よいし、２種類以上併用されてもよい。
【００３５】上記導電性ハードコート層の厚みは、１〜
１５μｍが好ましく、より好ましくは２〜８μｍであ
る。膜厚が、１μｍより薄すぎると硬度が下がり、１５
μｍより厚すぎると導電性ハードコート層自体にクラッ
クが発生し、反射防止層との密着性が低下するためであ
る。
１５μｍが好ましく、より好ましくは２〜８μｍであ
る。膜厚が、１μｍより薄すぎると硬度が下がり、１５
μｍより厚すぎると導電性ハードコート層自体にクラッ
クが発生し、反射防止層との密着性が低下するためであ
る。
【００３６】本発明においては、基材上の導電性ハード
コート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓ
ｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％となる
ように上記組成物の設計・塗工・硬化等を施す。上記表
面のＳｉの比率はＥＳＣＡによって分析され、Ｓｉ量／
（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）で算出される。
コート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓ
ｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％となる
ように上記組成物の設計・塗工・硬化等を施す。上記表
面のＳｉの比率はＥＳＣＡによって分析され、Ｓｉ量／
（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）で算出される。
【００３７】＜表面処理＞本発明における導電性ハード
コート層は、表面のＳｉ元素量を調整するために、導電
性導電性ハードコート塗工後、表面処理を施しても良
い。放電処理により表面処理を行う場合は、導電性ハー
ドコート層表面をエッチングし、−ＳｉＯ−結合を露出
させる効果のあるものであれば特に限定されず、コロナ
放電、プラズマ放電、エキシマレーザーによる処理等、
また、有機溶剤によって導電性ハードコート層表面を浸
食し、Ｓｉ元素量を制御する化学処理等が挙げられる。
その中でも、コロナ処理、プラズマ処理による方法が好
ましい。上記方法により表面処理される深さは、基材へ
のダメージがなければ特に限定されず、５〜１５０Å程
度であることが好ましく、さらに好ましくは１０〜８０
Åである。５Åより浅い場合は、−ＳｉＯ−結合生成が
少なく十分な密着性が得られない場合がある。また、１
５０Åを越えると基材へのダメージが大きく導電性導電
性ハードコートと基材との間で界面はく離が発生する場
合がある。
コート層は、表面のＳｉ元素量を調整するために、導電
性導電性ハードコート塗工後、表面処理を施しても良
い。放電処理により表面処理を行う場合は、導電性ハー
ドコート層表面をエッチングし、−ＳｉＯ−結合を露出
させる効果のあるものであれば特に限定されず、コロナ
放電、プラズマ放電、エキシマレーザーによる処理等、
また、有機溶剤によって導電性ハードコート層表面を浸
食し、Ｓｉ元素量を制御する化学処理等が挙げられる。
その中でも、コロナ処理、プラズマ処理による方法が好
ましい。上記方法により表面処理される深さは、基材へ
のダメージがなければ特に限定されず、５〜１５０Å程
度であることが好ましく、さらに好ましくは１０〜８０
Åである。５Åより浅い場合は、−ＳｉＯ−結合生成が
少なく十分な密着性が得られない場合がある。また、１
５０Åを越えると基材へのダメージが大きく導電性導電
性ハードコートと基材との間で界面はく離が発生する場
合がある。
【００３８】上記表面における元素組成中に占めるＳｉ
の比率は、少なすぎると、表面に露出される−ＳｉＯ−
の割合が低下するため、その上に成される反射防止層と
の密着性が向上されず、多すぎると導電性ハードコート
基材にクラックが入り、反射防止層との密着性が低下す
るため、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原
子％となるようにする必要があり、好ましくは４〜３０
％である。
の比率は、少なすぎると、表面に露出される−ＳｉＯ−
の割合が低下するため、その上に成される反射防止層と
の密着性が向上されず、多すぎると導電性ハードコート
基材にクラックが入り、反射防止層との密着性が低下す
るため、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原
子％となるようにする必要があり、好ましくは４〜３０
％である。
【００３９】＜反射防止層＞本発明における反射防止層
としては、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ等が
用いられるが、高性能な反射防止機能を付与するには、
ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層との積層体を用いることが好
ましい。上記積層体は、ハードコート層上に屈折率の高
いＴｉＯ2 層（屈折率：約１．８〜２．１）が形成さ
れ、該ＴｉＯ2層上に屈折率の低いＳｉＯ2 層（屈折
率：約１．４〜１．５）が形成された２層積層体；さら
に、この２層積層体上に、ＴｉＯ2 層上及びＳｉＯ2 層
がこの順序で形成された４層積層体が好ましい。このよ
うな２層積層体又は４層積層体の反射防止層を設けるこ
とにより、特定波長の光の反射率を低くすることができ
る。上記反射防止層の厚みは、反射防止の性能が発現さ
れる厚みであれば特に限定されず、透明素材の場合は、
透過率の点から膜厚は薄い方が好ましい。通常は、１０
０〜３０００Åで使用される。上記反射防止層は、基材
フィルム両面に形成される順序は、特に限定されず、例
えば、基材フィルムの片面に、ハードコート層を介して
反射防止層を形成してから、該基材フィルムのもう一方
の片面に反射防止層が形成されても良い。また、別の基
材フィルムに反射防止層を形成し、上記ハードコート層
を介して反射防止層を形成した面のもう一方の片面に貼
り付けても良い。
としては、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ等が
用いられるが、高性能な反射防止機能を付与するには、
ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層との積層体を用いることが好
ましい。上記積層体は、ハードコート層上に屈折率の高
いＴｉＯ2 層（屈折率：約１．８〜２．１）が形成さ
れ、該ＴｉＯ2層上に屈折率の低いＳｉＯ2 層（屈折
率：約１．４〜１．５）が形成された２層積層体；さら
に、この２層積層体上に、ＴｉＯ2 層上及びＳｉＯ2 層
がこの順序で形成された４層積層体が好ましい。このよ
うな２層積層体又は４層積層体の反射防止層を設けるこ
とにより、特定波長の光の反射率を低くすることができ
る。上記反射防止層の厚みは、反射防止の性能が発現さ
れる厚みであれば特に限定されず、透明素材の場合は、
透過率の点から膜厚は薄い方が好ましい。通常は、１０
０〜３０００Åで使用される。上記反射防止層は、基材
フィルム両面に形成される順序は、特に限定されず、例
えば、基材フィルムの片面に、ハードコート層を介して
反射防止層を形成してから、該基材フィルムのもう一方
の片面に反射防止層が形成されても良い。また、別の基
材フィルムに反射防止層を形成し、上記ハードコート層
を介して反射防止層を形成した面のもう一方の片面に貼
り付けても良い。
【００４０】上記反射防止層の膜厚をｄ、屈折率をｎ、
入射光の波長をλとすると、反射防止層の膜厚とその屈
折率との間でｎｄ＝λ／４なる関係式が成立する。反射
防止層の屈折率が基材の屈折率より小さい場合は、上記
関係式が成立する条件では反射率が最小となる。従っ
て、得られる反射防止層の屈折率ｎが分かっていれば、
膜厚ｄは反射防止層の製造における成膜速度とその処理
時間で決定でき、特定の入射光の波長λ（単色光）に対
して反射率を最小にすることができる。
入射光の波長をλとすると、反射防止層の膜厚とその屈
折率との間でｎｄ＝λ／４なる関係式が成立する。反射
防止層の屈折率が基材の屈折率より小さい場合は、上記
関係式が成立する条件では反射率が最小となる。従っ
て、得られる反射防止層の屈折率ｎが分かっていれば、
膜厚ｄは反射防止層の製造における成膜速度とその処理
時間で決定でき、特定の入射光の波長λ（単色光）に対
して反射率を最小にすることができる。
【００４１】上記反射防止層が、例えばＳｉＯ2 層から
形成され、屈折率が１．４２である場合は、可視光線中
の５５０ｎｍの波長の入射光に対して、反射率を最小に
する反射防止層の膜厚は９７ｎｍとなる。
形成され、屈折率が１．４２である場合は、可視光線中
の５５０ｎｍの波長の入射光に対して、反射率を最小に
する反射防止層の膜厚は９７ｎｍとなる。
【００４２】反射防止効果を期待する可視光線の波長領
域は、３８０〜７８０ｎｍであり、特に視感度の高い４
５０〜６５０ｎｍの範囲にあるので、反射防止層の膜厚
が波長５５０ｎｍに対応できる膜厚を中心に±３０％の
範囲に設定されれば、可視光線に対する反射防止効果が
十分に期待される。
域は、３８０〜７８０ｎｍであり、特に視感度の高い４
５０〜６５０ｎｍの範囲にあるので、反射防止層の膜厚
が波長５５０ｎｍに対応できる膜厚を中心に±３０％の
範囲に設定されれば、可視光線に対する反射防止効果が
十分に期待される。
【００４３】２層以上の薄膜で反射防止層を形成する場
合は、最上層（表面層）を低屈折率材料のλ／４膜近辺
となるようにし、基材上から高屈折率材料と低屈折率が
交互に配置されることが好ましい。ここで、表面から２
層目以降の膜厚は、波長４５０〜６５０ｎｍでの反射率
が小さくなるように設定され、屈折率との兼ね合いにな
るが、一般にλ／２膜以下の厚さとなる。これにより、
単層の反射防止層よりも低反射の波長領域を広げること
ができる。
合は、最上層（表面層）を低屈折率材料のλ／４膜近辺
となるようにし、基材上から高屈折率材料と低屈折率が
交互に配置されることが好ましい。ここで、表面から２
層目以降の膜厚は、波長４５０〜６５０ｎｍでの反射率
が小さくなるように設定され、屈折率との兼ね合いにな
るが、一般にλ／２膜以下の厚さとなる。これにより、
単層の反射防止層よりも低反射の波長領域を広げること
ができる。
【００４４】上記反射防止層の積層方法は特に限定され
ず、スパッタリング、蒸着、プラズマ化学蒸着（以下、
ＣＶＤ）、塗工等が挙げられる。好ましくは、常圧プラ
ズマＣＶＤ法によって成膜されるものである。
ず、スパッタリング、蒸着、プラズマ化学蒸着（以下、
ＣＶＤ）、塗工等が挙げられる。好ましくは、常圧プラ
ズマＣＶＤ法によって成膜されるものである。
【００４５】上記本発明の携帯型表示装置用反射防止フ
ィルムの構成としては、基材フィルムの片面に、ハード
コート層を介して、反射防止層が積層され、該基材フィ
ルムのもう一方の片面に反射防止層が形成されても良
く、また、ハードコート層、反射防止層の順に積層され
たフィルムを基材フィルムの片面に接着し、反射防止層
が形成された別のフィルムが、該基材フィルムのもう一
方の片面に接着されていても良い。
ィルムの構成としては、基材フィルムの片面に、ハード
コート層を介して、反射防止層が積層され、該基材フィ
ルムのもう一方の片面に反射防止層が形成されても良
く、また、ハードコート層、反射防止層の順に積層され
たフィルムを基材フィルムの片面に接着し、反射防止層
が形成された別のフィルムが、該基材フィルムのもう一
方の片面に接着されていても良い。
【００４６】上記ＴｉＯ2 層は、Ｔｉ原料を気化させ、
キャリアガス（Ａｒ単独ガス又はＯ 2 ガスとの混合ガ
ス）と混合した後、常圧プラズマＣＶＤ法により導電性
ハードコート層上又はすでに積層されたＳｉＯ2 層上に
成膜することによって形成される。上記ＳｉＯ2 層は、
Ｓｉ原料を気化させ、キャリアガス（ＡｒもしくはＮ2
の単独ガス又はこれらの混合ガス；これらのガスとＯ2
ガスとの混合ガス）と混合した後、常圧プラズマＣＶＤ
法によりすでに積層されたＴｉＯ2 層上に成膜すること
によって形成される。
キャリアガス（Ａｒ単独ガス又はＯ 2 ガスとの混合ガ
ス）と混合した後、常圧プラズマＣＶＤ法により導電性
ハードコート層上又はすでに積層されたＳｉＯ2 層上に
成膜することによって形成される。上記ＳｉＯ2 層は、
Ｓｉ原料を気化させ、キャリアガス（ＡｒもしくはＮ2
の単独ガス又はこれらの混合ガス；これらのガスとＯ2
ガスとの混合ガス）と混合した後、常圧プラズマＣＶＤ
法によりすでに積層されたＴｉＯ2 層上に成膜すること
によって形成される。
【００４７】本発明において、放電処理が施された導電
性ハードコート層の表面に反射防止層を製造する方法
は、大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気
中で、対向電極間に放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ
／ｃｍ2 となるように電界を印加することにより、放電
プラズマを発生させ、反射防止層を形成することを特徴
とする。以下に、常圧プラズマＣＶＤ法による反射防止
層について詳述する。下記条件で反射防止層を成膜した
時、スパッタリング同等の膜質が得られるのに加え、塗
工法同等の連続成膜が可能になるため、生産性も非常に
高い。
性ハードコート層の表面に反射防止層を製造する方法
は、大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気
中で、対向電極間に放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ
／ｃｍ2 となるように電界を印加することにより、放電
プラズマを発生させ、反射防止層を形成することを特徴
とする。以下に、常圧プラズマＣＶＤ法による反射防止
層について詳述する。下記条件で反射防止層を成膜した
時、スパッタリング同等の膜質が得られるのに加え、塗
工法同等の連続成膜が可能になるため、生産性も非常に
高い。
【００４８】上記反射防止層の形成方法において、大気
圧近傍の圧力とは、１００〜８００Ｔｏｒｒの圧力をい
い、中でも、圧力調整が容易で装置構成が容易となる７
００〜７８０Ｔｏｒｒの圧力範囲とすることが好まし
い。
圧近傍の圧力とは、１００〜８００Ｔｏｒｒの圧力をい
い、中でも、圧力調整が容易で装置構成が容易となる７
００〜７８０Ｔｏｒｒの圧力範囲とすることが好まし
い。
【００４９】又、本発明における電極間の放電電流密度
とは、放電により電極間に流れる電流値を、放電空間に
おける電流の流れ方向と直交する方向の面積で除した値
をいい、電極として平行平板型のものを用いた場合に
は、その対向面積で上記電流値を除した値に相当する。
とは、放電により電極間に流れる電流値を、放電空間に
おける電流の流れ方向と直交する方向の面積で除した値
をいい、電極として平行平板型のものを用いた場合に
は、その対向面積で上記電流値を除した値に相当する。
【００５０】又、電極間にパルス電界を形成する場合に
は、パルス化された電流が流れるが、この場合にはその
パルス電流の最大値、つまりピーク−ピーク値を、上記
の面積で除した値をいう。
は、パルス化された電流が流れるが、この場合にはその
パルス電流の最大値、つまりピーク−ピーク値を、上記
の面積で除した値をいう。
【００５１】本発明における上記反射防止層の形成方法
（以下、適宜薄膜形成方法という場合がある）において
は、上記対向電極の少なくともいずれか一方の対向面に
固体誘電体を設置し、一方の電極の対向面に設置された
固体誘電体と他方の電極との間、又は、対向電極の双方
の対向面に設置された固体誘電体の間に、基材を配置し
て処理を行うようにすることが好ましい。
（以下、適宜薄膜形成方法という場合がある）において
は、上記対向電極の少なくともいずれか一方の対向面に
固体誘電体を設置し、一方の電極の対向面に設置された
固体誘電体と他方の電極との間、又は、対向電極の双方
の対向面に設置された固体誘電体の間に、基材を配置し
て処理を行うようにすることが好ましい。
【００５２】大気圧近傍の圧力下でのグロー放電では、
下記の理由により、放電電流密度がプラズマ密度を反映
する。金属化合物を含むガス雰囲気の大気圧近傍の圧力
下においては、電極間の放電電流密度を前記した０．２
〜３００ｍＡ／ｃｍ2 の範囲とすることにより、金属化
合物をプラズマ励起させ、且つ、そのプラズマをグロー
放電状態に保ち、反射防止層の形成に至らせることが可
能となる。
下記の理由により、放電電流密度がプラズマ密度を反映
する。金属化合物を含むガス雰囲気の大気圧近傍の圧力
下においては、電極間の放電電流密度を前記した０．２
〜３００ｍＡ／ｃｍ2 の範囲とすることにより、金属化
合物をプラズマ励起させ、且つ、そのプラズマをグロー
放電状態に保ち、反射防止層の形成に至らせることが可
能となる。
【００５３】一般にプラズマ中の電子密度、所謂、プラ
ズマ密度は、プローブ法や電磁波法によって測定され
る。
ズマ密度は、プローブ法や電磁波法によって測定され
る。
【００５４】しかし、大気圧近傍の圧力では、電極間の
放電は、元来、アーク放電に移行し易いので、探針をプ
ラズマ中に挿入するプローブ法では、探針にアーク電流
が流れてしまい、正確な測定はできない。
放電は、元来、アーク放電に移行し易いので、探針をプ
ラズマ中に挿入するプローブ法では、探針にアーク電流
が流れてしまい、正確な測定はできない。
【００５５】又、発光分光分析やレーザ吸光分析などに
よる電磁波法は、ガスの種類によって得られる情報が異
なるので分析が困難である。
よる電磁波法は、ガスの種類によって得られる情報が異
なるので分析が困難である。
【００５６】一方、大気圧近傍の圧力下におけるグロー
放電においては、低ガス圧放電に比して、ガス分子密度
が大きいので、電離後、再結合までの寿命が短く、電子
の平均自由行程も短い。そのため、グロー放電空間が電
極に挟まれた空間に限定されるという特徴がある。
放電においては、低ガス圧放電に比して、ガス分子密度
が大きいので、電離後、再結合までの寿命が短く、電子
の平均自由行程も短い。そのため、グロー放電空間が電
極に挟まれた空間に限定されるという特徴がある。
【００５７】それ故に、プラズマ中の電子はそのまま電
極を通して電流値に変換され、電子密度（プラズマ密
度）は放電電流密度を反映した値であると考えられ、本
発明者等の実験によると、この放電電流密度により、薄
膜形成制御が可能であることが判明している。
極を通して電流値に変換され、電子密度（プラズマ密
度）は放電電流密度を反映した値であると考えられ、本
発明者等の実験によると、この放電電流密度により、薄
膜形成制御が可能であることが判明している。
【００５８】図３に、本発明者らが用いた放電プラズマ
発生装置と、その放電電圧および放電電流の測定に用い
た測定回路図を示す。
発生装置と、その放電電圧および放電電流の測定に用い
た測定回路図を示す。
【００５９】この放電プラズマ発生装置においては、平
行平板型の一対の電極１、２間にパルス電源３からｋＶ
オーダーのパルス化された電界を印加することにより、
電極１、２間にパルス電界を形成するとともに、その一
方の電極２の対向面には固体誘電体４を設置した。
行平板型の一対の電極１、２間にパルス電源３からｋＶ
オーダーのパルス化された電界を印加することにより、
電極１、２間にパルス電界を形成するとともに、その一
方の電極２の対向面には固体誘電体４を設置した。
【００６０】そして、一方の電極２とアース電位間に抵
抗５を直列接続し、その抵抗５の両端をＢＮＣ端子６を
介してオシロスコープ７に接続することにより、抵抗５
の両端の電圧値を測定して、その抵抗５の抵抗値を用い
て放電電流に換算した。
抗５を直列接続し、その抵抗５の両端をＢＮＣ端子６を
介してオシロスコープ７に接続することにより、抵抗５
の両端の電圧値を測定して、その抵抗５の抵抗値を用い
て放電電流に換算した。
【００６１】又、放電電圧は、電極１の電位を高圧プロ
ーブ８により１／１０００に減衰させた上で、ＢＮＣ端
子９〜オシロスコープ７によってアース電位との電位差
を計測することによって測定した。
ーブ８により１／１０００に減衰させた上で、ＢＮＣ端
子９〜オシロスコープ７によってアース電位との電位差
を計測することによって測定した。
【００６２】この測定回路においては、パルス電界によ
る放電電流が高速に通電・遮断を繰り返しているので、
測定に供したオシロスコープ７は、そのパルスの立ち上
がり速度に対応したナノ秒オーダーの測定が可能な高周
波オシロスコープ、具体的には、岩崎通信社製オシロス
コープＤＳ−９１２２とした。
る放電電流が高速に通電・遮断を繰り返しているので、
測定に供したオシロスコープ７は、そのパルスの立ち上
がり速度に対応したナノ秒オーダーの測定が可能な高周
波オシロスコープ、具体的には、岩崎通信社製オシロス
コープＤＳ−９１２２とした。
【００６３】又、放電電圧の減衰に用いた高圧プローブ
８は、岩崎通信社製高圧プローブＳＫ−３０１ＨＶとし
た。
８は、岩崎通信社製高圧プローブＳＫ−３０１ＨＶとし
た。
【００６４】測定結果を図４に例示する。図４において
波形１が放電電圧であり、波形２が放電電流を表す波形
である。パルス電界の形成による放電電流密度は、この
波形２のピーク−ピーク値の電流換算値を電極対向面の
面積で除した値である。
波形１が放電電圧であり、波形２が放電電流を表す波形
である。パルス電界の形成による放電電流密度は、この
波形２のピーク−ピーク値の電流換算値を電極対向面の
面積で除した値である。
【００６５】さて、本発明における薄膜形成方法におい
て、金属化合物を含むガス雰囲気中で、且つ、大気圧近
傍の圧力下で、電極間における放電電流密度が、０．２
〜３００ｍＡ／ｃｍ2 である範囲を比較的に容易に実現
するには、対向電極間にパルス化された電界を印加する
方法を挙げることができる。
て、金属化合物を含むガス雰囲気中で、且つ、大気圧近
傍の圧力下で、電極間における放電電流密度が、０．２
〜３００ｍＡ／ｃｍ2 である範囲を比較的に容易に実現
するには、対向電極間にパルス化された電界を印加する
方法を挙げることができる。
【００６６】大気圧近傍の圧力下においては、通常の交
流電界を印加する方法では、上記放電電流密度が０．１
ｍＡ／ｃｍ2 以下の低い範囲しか達成されず、金属元素
含有薄膜が形成されるような金属化合物のプラズマを維
持することは難しい。実際に大気圧近傍の圧力下では、
ヘリウム、ケトン等の特定のガス以外のガスでは、安定
してグロー放電状態が継続されず、瞬時にアーク放電に
移行してしまうことが知られている。
流電界を印加する方法では、上記放電電流密度が０．１
ｍＡ／ｃｍ2 以下の低い範囲しか達成されず、金属元素
含有薄膜が形成されるような金属化合物のプラズマを維
持することは難しい。実際に大気圧近傍の圧力下では、
ヘリウム、ケトン等の特定のガス以外のガスでは、安定
してグロー放電状態が継続されず、瞬時にアーク放電に
移行してしまうことが知られている。
【００６７】そこで、本発明においては、電極間にパル
ス化された電圧を印加することにより、電極間の放電を
グロー放電からアーク放電に移行する前に停止させる。
電極間にこのような周期的なパルス電界を形成すること
により、微視的にパルス的なグロー放電が繰り返し発生
し、結果としてグロー放電状態が継続することになる。
ス化された電圧を印加することにより、電極間の放電を
グロー放電からアーク放電に移行する前に停止させる。
電極間にこのような周期的なパルス電界を形成すること
により、微視的にパルス的なグロー放電が繰り返し発生
し、結果としてグロー放電状態が継続することになる。
【００６８】以上のように、大気圧近傍の圧力下で、し
かも、金属化合物を含有する雰囲気中では、電極間にパ
ルス化した電界を印加することにより、安定したグロー
放電状態で放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ2
である放電プラズマを長期に渡って発生させ、反射防止
層の形成に至らせることができるのである。
かも、金属化合物を含有する雰囲気中では、電極間にパ
ルス化した電界を印加することにより、安定したグロー
放電状態で放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ2
である放電プラズマを長期に渡って発生させ、反射防止
層の形成に至らせることができるのである。
【００６９】本発明において、反射防止層に使用される
金属化合物は、特に限定されないが、グロー放電におい
て、電子密度を大きくして、効率的にガスを分解させ、
薄膜形成能力を高めるという観点から、ジメチルシラ
ン；Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ2 、テトラメチルシラン；Ｓｉ
（ＣＨ3 ）4 、テトラジメチルアミノチタン；Ｔｉ〔Ｎ
（ＣＨ3 ）2 〕4 などの有機金属化合物、モノシラン；
ＳｉＨ4 、ジシラン；Ｓｉ2 Ｈ6 などの金属水素化合
物、二塩化シラン；ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、三塩化シラン；Ｓ
ｉＨＣｌ3 、塩化チタン；ＴｉＣｌ4 などの金属ハロゲ
ン化合物、テトラメトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）4 、テトラエトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5）
4 、テトラエトキシチタン；Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、テ
トライソプロポキシチタン；Ｔｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 など
の金属アルコキシドなどを用いることが好ましい。安全
性を考慮すると、これらの中でも、金属水素化合物、金
属アルコキシドが、常温、大気中で、発火、爆発の危険
性がないことから好ましく、腐食性、有害ガスの発生が
ないことから、金属アルコキシドが更に好ましい。
金属化合物は、特に限定されないが、グロー放電におい
て、電子密度を大きくして、効率的にガスを分解させ、
薄膜形成能力を高めるという観点から、ジメチルシラ
ン；Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ2 、テトラメチルシラン；Ｓｉ
（ＣＨ3 ）4 、テトラジメチルアミノチタン；Ｔｉ〔Ｎ
（ＣＨ3 ）2 〕4 などの有機金属化合物、モノシラン；
ＳｉＨ4 、ジシラン；Ｓｉ2 Ｈ6 などの金属水素化合
物、二塩化シラン；ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、三塩化シラン；Ｓ
ｉＨＣｌ3 、塩化チタン；ＴｉＣｌ4 などの金属ハロゲ
ン化合物、テトラメトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）4 、テトラエトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5）
4 、テトラエトキシチタン；Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、テ
トライソプロポキシチタン；Ｔｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 など
の金属アルコキシドなどを用いることが好ましい。安全
性を考慮すると、これらの中でも、金属水素化合物、金
属アルコキシドが、常温、大気中で、発火、爆発の危険
性がないことから好ましく、腐食性、有害ガスの発生が
ないことから、金属アルコキシドが更に好ましい。
【００７０】金属化合物を放電空間へ導入するには、金
属化合物は、常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状
態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空
間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧等
の手段により気化させて使用される。
属化合物は、常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状
態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空
間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧等
の手段により気化させて使用される。
【００７１】金属化合物を加熱により気化して用いる場
合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタ
ンなどの常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属
アルコキシドが本発明における薄膜形成方法に好適であ
る。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使
用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ
−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用
されても構わない。上記の希釈溶媒は、グロー放電にお
いて、分子状、原子状に分解されるため、形成される薄
膜に対する影響は無視できる。
合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタ
ンなどの常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属
アルコキシドが本発明における薄膜形成方法に好適であ
る。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使
用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ
−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用
されても構わない。上記の希釈溶媒は、グロー放電にお
いて、分子状、原子状に分解されるため、形成される薄
膜に対する影響は無視できる。
【００７２】上述のように、本発明の金属化合物として
は金属アルコキシドを用いることが好ましい。
は金属アルコキシドを用いることが好ましい。
【００７３】上述のように、「金属化合物を含むガス雰
囲気」とは、金属化合物がプラズマ放電するガス雰囲気
に濃度の如何を問わず、一つの成分として含まれている
ことを意味し、ガス雰囲気が金属化合物単独で占有され
ていても構わない。
囲気」とは、金属化合物がプラズマ放電するガス雰囲気
に濃度の如何を問わず、一つの成分として含まれている
ことを意味し、ガス雰囲気が金属化合物単独で占有され
ていても構わない。
【００７４】しかし、経済性、安全性の観点から、上述
の金属化合物は、単独雰囲気ではなく、以下に例示され
るような希釈ガスによって希釈されていることが好まし
い。
の金属化合物は、単独雰囲気ではなく、以下に例示され
るような希釈ガスによって希釈されていることが好まし
い。
【００７５】上記希釈ガスとしては、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、キセノン、窒素などが挙げられ、これら
の少なくとも１種の混合物が使用される。
ン、アルゴン、キセノン、窒素などが挙げられ、これら
の少なくとも１種の混合物が使用される。
【００７６】更に、高密度プラズマを得るには、多くの
電子を有する化合物（分子量の大きい化合物）の存在下
で、ガスを分解することが有効であり、それは、上記希
釈ガスにも適用できる。
電子を有する化合物（分子量の大きい化合物）の存在下
で、ガスを分解することが有効であり、それは、上記希
釈ガスにも適用できる。
【００７７】従って、本発明に使用する希釈ガスは、分
子量が１０以上であることが好ましい。分子量が１０未
満であるヘリウムのような気体を希釈剤として使用した
場合は、グロー放電が継続しても、電子密度の低い放電
状態しか達成できず、薄膜の形成には至らないか又は、
形成速度が遅すぎて不経済な結果となる。
子量が１０以上であることが好ましい。分子量が１０未
満であるヘリウムのような気体を希釈剤として使用した
場合は、グロー放電が継続しても、電子密度の低い放電
状態しか達成できず、薄膜の形成には至らないか又は、
形成速度が遅すぎて不経済な結果となる。
【００７８】よって、プラズマ放電を行う雰囲気ガスの
組成は、金属化合物０．００５〜１０体積％とアルゴン
及び／又は窒素９９．９９５〜９０体積％からなる混合
ガスであることが好ましい。金属化合物が０．００５体
積％未満の場合は、高密度プラズマが得られ難く、薄膜
形成効率が悪くなり、１０体積％を超えても、薄膜形成
速度に著しい向上が現れる訳ではなく、経済的に不利に
なるからである。
組成は、金属化合物０．００５〜１０体積％とアルゴン
及び／又は窒素９９．９９５〜９０体積％からなる混合
ガスであることが好ましい。金属化合物が０．００５体
積％未満の場合は、高密度プラズマが得られ難く、薄膜
形成効率が悪くなり、１０体積％を超えても、薄膜形成
速度に著しい向上が現れる訳ではなく、経済的に不利に
なるからである。
【００７９】上記薄膜形成方法において、放電プラズマ
を発生させるために使用する電極の材質としては、銅、
アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合
金、あるいは金属間化合物等を挙げることができる。
を発生させるために使用する電極の材質としては、銅、
アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合
金、あるいは金属間化合物等を挙げることができる。
【００８０】又、上記電極は電界集中によるアーク放電
の発生を避けるために、電極間の距離がほぼ一定となる
構造であることが好ましく、この条件を満たす電極構造
としては、平行平板型、円筒対向平板型、球対向平板
型、双曲面対向平板型、同軸円筒型構造等を挙げること
ができる。
の発生を避けるために、電極間の距離がほぼ一定となる
構造であることが好ましく、この条件を満たす電極構造
としては、平行平板型、円筒対向平板型、球対向平板
型、双曲面対向平板型、同軸円筒型構造等を挙げること
ができる。
【００８１】又、本発明においては、上記電極の対向面
の一方または双方に固体誘電体を設置することが好まし
い。又、固定誘電体によって覆われずに電極どうしが直
接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じや
すくなるため、固体誘電体はこれを設置する側の電極に
密着し、且つ、接する電極の対向面を完全に覆うように
する。
の一方または双方に固体誘電体を設置することが好まし
い。又、固定誘電体によって覆われずに電極どうしが直
接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じや
すくなるため、固体誘電体はこれを設置する側の電極に
密着し、且つ、接する電極の対向面を完全に覆うように
する。
【００８２】上記固体誘電体の形状は、シート状でもフ
ィルム状でもよいが、厚みが０．５〜５ｍｍ程度である
ことが好ましく、厚すぎると放電プラズマを発生するの
に高電圧を要し、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起
こりアーク放電が発生する。
ィルム状でもよいが、厚みが０．５〜５ｍｍ程度である
ことが好ましく、厚すぎると放電プラズマを発生するの
に高電圧を要し、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起
こりアーク放電が発生する。
【００８３】この固体誘電体の材質は、ポリテトラフル
オロエチレンやポリエチレンテレフタレート等のプラス
チック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸
化ジルコニウム、二酸化チタニウム等の金属酸化物、チ
タン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
オロエチレンやポリエチレンテレフタレート等のプラス
チック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸
化ジルコニウム、二酸化チタニウム等の金属酸化物、チ
タン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
【００８４】ただし、上記固体誘電体は、比誘電率が２
以上（２５℃環境下、以下同）であることが好ましい。
このような誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。
以上（２５℃環境下、以下同）であることが好ましい。
このような誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。
【００８５】又、放電電流密度が０．２〜３００ｍＡで
ある放電プラズマを安定して発生させるためには、比誘
電率が１０以上の固定誘電体を用いると有利である。
ある放電プラズマを安定して発生させるためには、比誘
電率が１０以上の固定誘電体を用いると有利である。
【００８６】比誘電率の上限は特に限定されるものでは
ないが、現実の材料では１８，５００程度のものが知ら
れている。比誘電率が１０以上の固体誘電体としては、
酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０
〜９５重量％で混合された金属酸化物被膜、又は、酸化
ジルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなり、その
被膜の厚みが１０〜１０００μｍであるものを用いるこ
とが好ましい。
ないが、現実の材料では１８，５００程度のものが知ら
れている。比誘電率が１０以上の固体誘電体としては、
酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０
〜９５重量％で混合された金属酸化物被膜、又は、酸化
ジルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなり、その
被膜の厚みが１０〜１０００μｍであるものを用いるこ
とが好ましい。
【００８７】本発明における一対の電極間の距離は、固
体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマの利用目
的等を考慮して決定されるが、１〜５０ｍｍとすること
が好ましい。１ｍｍ未満ではその間に発生するプラズマ
を表面処理等に利用する際の基材の配置のための空隙を
設けるのに不充分であり、５０ｍｍを越えると均一な放
電プラズマを発生することが困難となる。
体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマの利用目
的等を考慮して決定されるが、１〜５０ｍｍとすること
が好ましい。１ｍｍ未満ではその間に発生するプラズマ
を表面処理等に利用する際の基材の配置のための空隙を
設けるのに不充分であり、５０ｍｍを越えると均一な放
電プラズマを発生することが困難となる。
【００８８】本発明において、電極間にパルス電圧を印
加する場合、そのパルス波形は特に限定されるものでは
ないが、図５（Ａ），（Ｂ）に例示するようなインパル
ス型や、（Ｃ）に例示するような方形波型、（Ｄ）に例
示するような変調型等を用いることができる。この図５
には印加電圧が正負の繰り返しであるものを例示した
が、正、又は、負のいずれかの極性のみのパルス電圧、
所謂、片波状のパルス電圧を印加してもよい。
加する場合、そのパルス波形は特に限定されるものでは
ないが、図５（Ａ），（Ｂ）に例示するようなインパル
ス型や、（Ｃ）に例示するような方形波型、（Ｄ）に例
示するような変調型等を用いることができる。この図５
には印加電圧が正負の繰り返しであるものを例示した
が、正、又は、負のいずれかの極性のみのパルス電圧、
所謂、片波状のパルス電圧を印加してもよい。
【００８９】本発明において、電極間に印加するパルス
電圧は、そのパルスの立ち上がり時間及び立ち下がり時
間が短い程、プラズマ発生の際のガスの電離が、効率よ
く行われる。
電圧は、そのパルスの立ち上がり時間及び立ち下がり時
間が短い程、プラズマ発生の際のガスの電離が、効率よ
く行われる。
【００９０】特に、電極間に印加するパルス電圧の立ち
上がりは、１００μｓ以下とすることが好ましい。１０
０μｓをこえると、放電状態がアーク放電に移行し易
く、不安定なものとなる。また、このような高速立上が
り時間のパルス電界によって電子密度の高い放電状態を
実現する効果がある。
上がりは、１００μｓ以下とすることが好ましい。１０
０μｓをこえると、放電状態がアーク放電に移行し易
く、不安定なものとなる。また、このような高速立上が
り時間のパルス電界によって電子密度の高い放電状態を
実現する効果がある。
【００９１】パルス電圧の立ち下がり時間は特に規定さ
れないが、立ち上がり時間と同程度に高速であることが
好ましく、より好ましくは１００μｓ以下である。
れないが、立ち上がり時間と同程度に高速であることが
好ましく、より好ましくは１００μｓ以下である。
【００９２】また、立ち上がり／立ち下がり時間の上限
は特に限定しないが、電源装置等を勘案すると４０μｓ
以上が現実的である。
は特に限定しないが、電源装置等を勘案すると４０μｓ
以上が現実的である。
【００９３】尚、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧
変化の向きが連続して正である時間をいい、立ち下がり
時間とは、電圧変化の向きが連続して負である時間を指
すものとする。
変化の向きが連続して正である時間をいい、立ち下がり
時間とは、電圧変化の向きが連続して負である時間を指
すものとする。
【００９４】又、電極間に形成するパルス電界は、その
パルス波形、立ち上がり及び立ち下がり時間、及び、周
波数を適宜に変調されていてもよい。
パルス波形、立ち上がり及び立ち下がり時間、及び、周
波数を適宜に変調されていてもよい。
【００９５】尚、パルス電界は、周波数が高く、パルス
幅が短い方が、高速連続薄膜形成には適している。
幅が短い方が、高速連続薄膜形成には適している。
【００９６】本発明において電極間に印加するパルス電
界の周波数は、０．５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲とす
ることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると、薄膜形
成速度が遅すぎて現実的ではなく、１００ｋＨｚを超え
ると、アーク放電が発生し易くなる。パルス電界の周波
数は、より好ましくは１ｋＨｚである。
界の周波数は、０．５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲とす
ることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると、薄膜形
成速度が遅すぎて現実的ではなく、１００ｋＨｚを超え
ると、アーク放電が発生し易くなる。パルス電界の周波
数は、より好ましくは１ｋＨｚである。
【００９７】又、パルス電界におけるパルス継続時間
は、１μｓ〜１０００μｓであることが好ましく、より
好ましくは３μｓ〜２００μｓである。１μｓ未満であ
ると放電が不安定なものとなり、１０００μｓを越える
とアーク放電に移行し易くなる。
は、１μｓ〜１０００μｓであることが好ましく、より
好ましくは３μｓ〜２００μｓである。１μｓ未満であ
ると放電が不安定なものとなり、１０００μｓを越える
とアーク放電に移行し易くなる。
【００９８】ここで、パルス継続時間とは、図６に例示
するように、ＯＮ・ＯＦＦが繰り返されるパルス電界に
おける、１つのパルス波形の連続持続時間を言い、図４
（ａ）の波形ではパルス継続時間＝パルスデューティ時
間であるが、図４（ｂ）の波形では複数のパルスを含ん
だ、オンが継続する時間を言う。
するように、ＯＮ・ＯＦＦが繰り返されるパルス電界に
おける、１つのパルス波形の連続持続時間を言い、図４
（ａ）の波形ではパルス継続時間＝パルスデューティ時
間であるが、図４（ｂ）の波形では複数のパルスを含ん
だ、オンが継続する時間を言う。
【００９９】更に、本発明において、パルス電界の強さ
は、放電プラズマの利用目的等によって適宜に選択され
るが、１〜１００ｋＶ／ｃｍとすることが望ましい。
は、放電プラズマの利用目的等によって適宜に選択され
るが、１〜１００ｋＶ／ｃｍとすることが望ましい。
【０１００】１ｋＶ／ｃｍ未満であると、薄膜形成速度
が遅くなり、１００ｋＶを超えると、アーク放電が発生
するために好ましくない。
が遅くなり、１００ｋＶを超えると、アーク放電が発生
するために好ましくない。
【０１０１】以上のような各条件を満足するパルス電界
を形成するための電源回路の構成例を、図７にブロック
図で示し、又、図８にはその動作の原理を等価的な回路
図によって示す。図８においてＳＷ１〜４は、図７にお
けるスイッチングインバータ回路内でスイッチとして機
能する半導体素子であり、これらの各素子として、５０
０ｎｓ以下のターンオン時間及びターンオフ時間を有す
る半導体素子を用いることにより、電界強度１〜１００
ｋＶ／ｃｍ、且つ、パルスの立ち上がり及び立ち下がり
時間がともに４０ｎｓ〜１００μｓの高電圧、且つ、高
速のパルス電界の形成を実現することができる。
を形成するための電源回路の構成例を、図７にブロック
図で示し、又、図８にはその動作の原理を等価的な回路
図によって示す。図８においてＳＷ１〜４は、図７にお
けるスイッチングインバータ回路内でスイッチとして機
能する半導体素子であり、これらの各素子として、５０
０ｎｓ以下のターンオン時間及びターンオフ時間を有す
る半導体素子を用いることにより、電界強度１〜１００
ｋＶ／ｃｍ、且つ、パルスの立ち上がり及び立ち下がり
時間がともに４０ｎｓ〜１００μｓの高電圧、且つ、高
速のパルス電界の形成を実現することができる。
【０１０２】次に、図８を参照しつつその動作原理を簡
単に説明する。＋Ｅは正極性の直流電圧供給部、−Ｅは
負極性の直流電圧供給部である。ＳＷ１〜４は、上記し
た高速半導体素子からなるスイッチング素子である。Ｄ
１〜４はダイオードであり、Ｉ1 〜Ｉ4 は電荷の移動方
向を示している。
単に説明する。＋Ｅは正極性の直流電圧供給部、−Ｅは
負極性の直流電圧供給部である。ＳＷ１〜４は、上記し
た高速半導体素子からなるスイッチング素子である。Ｄ
１〜４はダイオードであり、Ｉ1 〜Ｉ4 は電荷の移動方
向を示している。
【０１０３】まず、ＳＷ１をＯＮにすると、電荷がＩ1
で示す方向に移動して、放電空間の両端に置かれた一対
の電極の一方側（正極性の負荷）を充電する。
で示す方向に移動して、放電空間の両端に置かれた一対
の電極の一方側（正極性の負荷）を充電する。
【０１０４】次に、ＳＷ１をＯＦＦにしてから、ＳＷ２
を瞬時にＯＮにすることにより、正極性の負荷に充電さ
れた電荷がＳＷ２とＤ４を通ってＩ3 の方向に移動す
る。
を瞬時にＯＮにすることにより、正極性の負荷に充電さ
れた電荷がＳＷ２とＤ４を通ってＩ3 の方向に移動す
る。
【０１０５】次いで、ＳＷ２をＯＦＦにした後、ＳＷ３
を瞬時にＯＮにすると、電荷がＩ2の方向に移動して他
方側の電極（負極性の負荷）を充電する。
を瞬時にＯＮにすると、電荷がＩ2の方向に移動して他
方側の電極（負極性の負荷）を充電する。
【０１０６】更に、ＳＷ３をＯＦＦにしてから、ＳＷ４
を瞬時にＯＮにすることにより、負極性の負荷に充電さ
れた電荷がＳＷ４とＤ２を通ってＩ4 の方向に移動す
る。
を瞬時にＯＮにすることにより、負極性の負荷に充電さ
れた電荷がＳＷ４とＤ２を通ってＩ4 の方向に移動す
る。
【０１０７】以上の動作を繰り返すことにより、図９に
示した波形の出力パルスを得ることができる。〔表１〕
にこの動作表を示す。この〔表１〕に示した数値は、図
９の波形に付した数値と対応させてある。
示した波形の出力パルスを得ることができる。〔表１〕
にこの動作表を示す。この〔表１〕に示した数値は、図
９の波形に付した数値と対応させてある。
【０１０８】
【表１】
【０１０９】以上の回路の利点は、負荷のインピーダン
スが高い場合であっても、充電されている電荷を、ＳＷ
２とＤ４、又は、ＳＷ４とＤ２の動作により確実に放電
することができる点、及び、高速ターンオンのスイッチ
ング素子であるＳＷ１，ＳＷ３を使って高速に充電を行
うことができる点にあり、これにより、図６に示したよ
うな立ち上がり時間及び立ち下がり時間の極めて短いパ
ルス化された電界を、負荷に対して、つまり一対の電極
間に印加することが可能となる。
スが高い場合であっても、充電されている電荷を、ＳＷ
２とＤ４、又は、ＳＷ４とＤ２の動作により確実に放電
することができる点、及び、高速ターンオンのスイッチ
ング素子であるＳＷ１，ＳＷ３を使って高速に充電を行
うことができる点にあり、これにより、図６に示したよ
うな立ち上がり時間及び立ち下がり時間の極めて短いパ
ルス化された電界を、負荷に対して、つまり一対の電極
間に印加することが可能となる。
【０１１０】尚、本発明における薄膜形成方法において
用いられるパルス電界は、直流電界を重畳することを妨
げない。
用いられるパルス電界は、直流電界を重畳することを妨
げない。
【０１１１】本発明における薄膜形成方法は、以上説明
した本発明に固有の放電プラズマの発生方法により対向
電極間に発生させたプラズマを利用するものであり、対
向電極間、又は、一方の電極の対向面に固体誘電体を設
置する場合には、その固体誘電体と他方の電極の間、も
しくは双方の電極の対向面に固体誘電体を設置する場合
には、その固体誘電体の間に、処理すべき基材を配置す
る。
した本発明に固有の放電プラズマの発生方法により対向
電極間に発生させたプラズマを利用するものであり、対
向電極間、又は、一方の電極の対向面に固体誘電体を設
置する場合には、その固体誘電体と他方の電極の間、も
しくは双方の電極の対向面に固体誘電体を設置する場合
には、その固体誘電体の間に、処理すべき基材を配置す
る。
【０１１２】本発明の方法においては、薄膜形成処理す
べき基材を加熱したり冷却してもよいが、室温でも充分
に処理できる。
べき基材を加熱したり冷却してもよいが、室温でも充分
に処理できる。
【０１１３】本発明のディスプレイ用反射防止フィルム
には、反射防止層の表面に更に防汚層を形成することが
できる。上記防汚層としては、特に指紋汚れなどの人体
からの油汚れに対する拭き取り性に優れたものとして、
撥水性、撥油性を持つものがよく撥水性としては、接触
角が８０度以上、また、撥油性としては、接触角が５０
度以上のものが適している。このような性能を持つもの
としては、例えば、フッ素系シランカップリング剤や長
鎖アルキル系シランカップリング剤等が挙げられる。
には、反射防止層の表面に更に防汚層を形成することが
できる。上記防汚層としては、特に指紋汚れなどの人体
からの油汚れに対する拭き取り性に優れたものとして、
撥水性、撥油性を持つものがよく撥水性としては、接触
角が８０度以上、また、撥油性としては、接触角が５０
度以上のものが適している。このような性能を持つもの
としては、例えば、フッ素系シランカップリング剤や長
鎖アルキル系シランカップリング剤等が挙げられる。
【０１１４】上記フッ素系シランカップリング剤の市販
品としては、例えば、信越化学社製コート剤「ＫＰ−８
０１Ｍ」〔CF3(CF2)n C2H4Si(NH2)3〕、東芝シリコン社
製〔CF3(CF2)7C2H4Si(OCH3)3の１００％溶液〕等が挙げ
られる。上記コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」は溶剤ＴＦＢ
〔成分：１，３−ビス（トリフロロメチル）ベンゼン、
セントラル硝子社製〕で希釈して使用される。
品としては、例えば、信越化学社製コート剤「ＫＰ−８
０１Ｍ」〔CF3(CF2)n C2H4Si(NH2)3〕、東芝シリコン社
製〔CF3(CF2)7C2H4Si(OCH3)3の１００％溶液〕等が挙げ
られる。上記コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」は溶剤ＴＦＢ
〔成分：１，３−ビス（トリフロロメチル）ベンゼン、
セントラル硝子社製〕で希釈して使用される。
【０１１５】上記防汚層は、例えば、防汚剤を溶剤によ
って希釈したものを、スピンコーター、ディッピング装
置、マイクログラビアコーター等によって塗工すること
に形成することができる。上記スピンコーター、ディッ
ピング装置を使用する場合は、連続処理ができずバッチ
処理となる。
って希釈したものを、スピンコーター、ディッピング装
置、マイクログラビアコーター等によって塗工すること
に形成することができる。上記スピンコーター、ディッ
ピング装置を使用する場合は、連続処理ができずバッチ
処理となる。
【０１１６】上記防汚層の厚みは、１０〜３００Åが好
ましく、より好ましくは５０〜２００Åである。膜厚
が、１０Åより薄すぎると防汚性能が十分でなく、３０
０Åより厚すぎると反射防止膜に光学的影響が現れ、反
射防止機能が低下する。
ましく、より好ましくは５０〜２００Åである。膜厚
が、１０Åより薄すぎると防汚性能が十分でなく、３０
０Åより厚すぎると反射防止膜に光学的影響が現れ、反
射防止機能が低下する。
【０１１７】本発明のディスプレイ用反射防止フィルム
は、適宜アクリル系樹脂やポリカーボネート等の透明な
板状等の基材に貼付して使用してもよい。
は、適宜アクリル系樹脂やポリカーボネート等の透明な
板状等の基材に貼付して使用してもよい。
【０１１８】上記のように貼付して使用する場合は，基
材のもう一方の面（反射防止層の非積層側）に粘着剤層
が設けられてもよい。上記粘着剤としては、基材や偏光
板等の光学部品を強固に接着でき、しかも高温、高湿の
条件下におかれても発泡しないものが好ましく、例え
ば、アクリル系粘着剤が好適に用いられる。
材のもう一方の面（反射防止層の非積層側）に粘着剤層
が設けられてもよい。上記粘着剤としては、基材や偏光
板等の光学部品を強固に接着でき、しかも高温、高湿の
条件下におかれても発泡しないものが好ましく、例え
ば、アクリル系粘着剤が好適に用いられる。
【０１１９】上記アクリル系粘着剤としては、例えば、
アクリル（メタ）アクリレートを主成分とする、重量平
均分子量（Ｍｗ）５０万以下、 Ｍｗ／Ｍｎ（数平均分
子量）＝４以下であるアクリル系ポリマー１００重量
部、ジメチルシリコーンオイル又は側鎖の一部を他の有
機基に置換した変性シリコーンオイルからなる消泡剤
０．０１〜５重量部、メチルハイドロジェンシリコーン
オイルからなる再剥離剤０．０１〜５重量部、及び、架
橋剤０．００１〜５重量部からなるものが好ましい。ま
た、アクリル系粘着剤の市販品としては、例えば綜研化
学社製「ＳＫダイン１３５８」が使用可能である。
アクリル（メタ）アクリレートを主成分とする、重量平
均分子量（Ｍｗ）５０万以下、 Ｍｗ／Ｍｎ（数平均分
子量）＝４以下であるアクリル系ポリマー１００重量
部、ジメチルシリコーンオイル又は側鎖の一部を他の有
機基に置換した変性シリコーンオイルからなる消泡剤
０．０１〜５重量部、メチルハイドロジェンシリコーン
オイルからなる再剥離剤０．０１〜５重量部、及び、架
橋剤０．００１〜５重量部からなるものが好ましい。ま
た、アクリル系粘着剤の市販品としては、例えば綜研化
学社製「ＳＫダイン１３５８」が使用可能である。
【０１２０】上記粘着剤層は、例えば、上記アクリル系
粘着剤を基材に直接塗工して形成してもよく、予め粘着
剤層を離型紙上に設けた後、ラミネータ等によって基材
に積層して形成してもよい。
粘着剤を基材に直接塗工して形成してもよく、予め粘着
剤層を離型紙上に設けた後、ラミネータ等によって基材
に積層して形成してもよい。
【０１２１】本発明のディスプレイ用反射防止フィルム
は、さらに高い性能が要求される場合は、本発明を構成
する導電性ハードコート層、反射防止層、及び防汚層を
基材の両面に形成してもよい。
は、さらに高い性能が要求される場合は、本発明を構成
する導電性ハードコート層、反射防止層、及び防汚層を
基材の両面に形成してもよい。
【０１２２】（作用）本発明１では、基材フィルムに、
導電性ハードコート層を介して、反射防止層が積層され
ている反射防止フィルムにおいて、上記導電性ハードコ
ート層が、多官能アクリレート（Ａ）、上記シリコン系
化合物（Ｂ）及び、導電性添加剤（Ｃ）からなる組成物
を硬化させたものであり、これにより帯電防止性能を有
する表面硬度の優れた導電性ハードコート層が形成でき
る。また、上記導電性ハードコート層の表面の元素組成
中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に
対して２〜３５原子％であるので、通常、金属酸化膜か
らなる反射防止層と導電性ハードコート層内のＳｉＯ2
の界面で分子間力が増し、導電性ハードコート層と反射
防止層との密着性及び表面硬度を発揮することができ
る。また、本発明２では、上記構成に更に、ウレタンア
クリレート（Ｄ）とからなる組成物を硬化させたもので
あり、これによりフィルムの柔軟性の調整が容易にな
り、表面のクラックの発生が抑制され、導電性ハードコ
ート層と反射防止層との密着性及びそれに伴って表面硬
度を更に発揮することができる。また、本発明３では、
反射防止層が、ＳｉＯ2 層及びＴｉＯ2 層の積層体によ
って構成され、導電性ハードコート層上に、屈折率の高
いＴｉＯ2 層が形成されさらに、屈折率の低いＳｉＯ2
層を積層することにより光の反射率を低くすることがで
きるとともに、更に導電性ハードコート層との密着性の
良い反射防止層が形成できる。また、本発明４では、導
電性ハードコート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの
比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原
子％となるように放電処理が施された導電性ハードコー
ト層を有する。このように上記導電性導電性ハードコー
ト層を放電処理することにより、Ｓｉ元素が、導電性ハ
ードコート表面に局在して存在するため、その後形成す
る反射防止層に使用されるＳｉ及びＴｉ元素との分子間
力による結合が強くなるため密着性及び表面硬度が、飛
躍的に向上する。また、本発明のディスプレイ用反射防
止フィルムの製造方法は、基材フィルムに、導電性ハー
ドコート層を介して、反射防止層を積層することにより
反射防止フィルムを製造する方法において、導電性ハー
ドコート層に上記放電処理を施した後、上記常圧プラズ
マＣＶＤ法を用いて反射防止層を積層する。従って本発
明によれば、導電性ハードコート表面のＳｉと反射防止
層に通常含まれるＳｉ及びＴｉ元素間は−ＳｉＯ−等の
共有結合で結合するため、導電性導電性ハードコート層
と反射防止層が、従来品より更に強固に密着したディス
プレイ用反射防止フィルムが得られる。また、従来、低
圧力下で行われていた反射防止層の形成が、大気圧近傍
で、短時間にできるようになった。
導電性ハードコート層を介して、反射防止層が積層され
ている反射防止フィルムにおいて、上記導電性ハードコ
ート層が、多官能アクリレート（Ａ）、上記シリコン系
化合物（Ｂ）及び、導電性添加剤（Ｃ）からなる組成物
を硬化させたものであり、これにより帯電防止性能を有
する表面硬度の優れた導電性ハードコート層が形成でき
る。また、上記導電性ハードコート層の表面の元素組成
中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に
対して２〜３５原子％であるので、通常、金属酸化膜か
らなる反射防止層と導電性ハードコート層内のＳｉＯ2
の界面で分子間力が増し、導電性ハードコート層と反射
防止層との密着性及び表面硬度を発揮することができ
る。また、本発明２では、上記構成に更に、ウレタンア
クリレート（Ｄ）とからなる組成物を硬化させたもので
あり、これによりフィルムの柔軟性の調整が容易にな
り、表面のクラックの発生が抑制され、導電性ハードコ
ート層と反射防止層との密着性及びそれに伴って表面硬
度を更に発揮することができる。また、本発明３では、
反射防止層が、ＳｉＯ2 層及びＴｉＯ2 層の積層体によ
って構成され、導電性ハードコート層上に、屈折率の高
いＴｉＯ2 層が形成されさらに、屈折率の低いＳｉＯ2
層を積層することにより光の反射率を低くすることがで
きるとともに、更に導電性ハードコート層との密着性の
良い反射防止層が形成できる。また、本発明４では、導
電性ハードコート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの
比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原
子％となるように放電処理が施された導電性ハードコー
ト層を有する。このように上記導電性導電性ハードコー
ト層を放電処理することにより、Ｓｉ元素が、導電性ハ
ードコート表面に局在して存在するため、その後形成す
る反射防止層に使用されるＳｉ及びＴｉ元素との分子間
力による結合が強くなるため密着性及び表面硬度が、飛
躍的に向上する。また、本発明のディスプレイ用反射防
止フィルムの製造方法は、基材フィルムに、導電性ハー
ドコート層を介して、反射防止層を積層することにより
反射防止フィルムを製造する方法において、導電性ハー
ドコート層に上記放電処理を施した後、上記常圧プラズ
マＣＶＤ法を用いて反射防止層を積層する。従って本発
明によれば、導電性ハードコート表面のＳｉと反射防止
層に通常含まれるＳｉ及びＴｉ元素間は−ＳｉＯ−等の
共有結合で結合するため、導電性導電性ハードコート層
と反射防止層が、従来品より更に強固に密着したディス
プレイ用反射防止フィルムが得られる。また、従来、低
圧力下で行われていた反射防止層の形成が、大気圧近傍
で、短時間にできるようになった。
【０１２３】
【実施例】以下、実施例を掲げて、本発明を更に詳しく
説明するが、本発明は、これらの実施例のみに限定され
るものではない。
説明するが、本発明は、これらの実施例のみに限定され
るものではない。
【０１２４】（実施例１） ＜導電性ハードコート層の塗工＞導電性ハードコート剤
として、多官能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３
７）１００重量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン
社製、ＵＶＨＣ−１１０５）１０重量部及び導電性添加
剤（三菱マテリアル社製、Ｔー１）３００重量部との混
合溶液を、トルエンで上記混合溶液分が４０％になるよ
うに希釈し調整した。次に、透明なポリカーボネートシ
ート（以下、ＰＣと略記する）（旭硝子社製、レキサ
ン、２ｍｍ厚）の片面に、バーコーターによって、上記
導電性ハードコート剤を塗工し、加熱乾燥した後、３０
０ｍＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射し、厚さ５μｍの
導電性ハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記導電性ハードコートフィルムの表面を
０．６ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処理を施し
た。上記コロナ放電処理された導電性ハードコート層表
面をＥＳＣＡで表面分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋
Ｏ量）を求めたところ、コロナ放電処理前が９原子％で
あるのに対し、コロナ放電処理後は１７原子％であっ
た。
として、多官能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３
７）１００重量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン
社製、ＵＶＨＣ−１１０５）１０重量部及び導電性添加
剤（三菱マテリアル社製、Ｔー１）３００重量部との混
合溶液を、トルエンで上記混合溶液分が４０％になるよ
うに希釈し調整した。次に、透明なポリカーボネートシ
ート（以下、ＰＣと略記する）（旭硝子社製、レキサ
ン、２ｍｍ厚）の片面に、バーコーターによって、上記
導電性ハードコート剤を塗工し、加熱乾燥した後、３０
０ｍＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射し、厚さ５μｍの
導電性ハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記導電性ハードコートフィルムの表面を
０．６ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処理を施し
た。上記コロナ放電処理された導電性ハードコート層表
面をＥＳＣＡで表面分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋
Ｏ量）を求めたところ、コロナ放電処理前が９原子％で
あるのに対し、コロナ放電処理後は１７原子％であっ
た。
【０１２５】＜反射防止層（ａ）の形成＞ （１）処理装置 使用した放電プラズマ処理装置は、図１０に示されるよ
うに、容量１０リッターのステンレス製の容器８２から
なり、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源
８４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装
着してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。（２）ＴｉＯ2
層とＳｉＯ2 層の形成上記処理装置において、下部電極
８５は直径１４０ｍｍで、表面を比誘電率１６の二酸化
ジルコニウム（以下、ＺｒＯ2 と記す）誘電体８６で被
覆し、その上に処理する基材８７として、上記導電性ハ
ードコートフィルムを配置した。
うに、容量１０リッターのステンレス製の容器８２から
なり、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源
８４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装
着してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。（２）ＴｉＯ2
層とＳｉＯ2 層の形成上記処理装置において、下部電極
８５は直径１４０ｍｍで、表面を比誘電率１６の二酸化
ジルコニウム（以下、ＺｒＯ2 と記す）誘電体８６で被
覆し、その上に処理する基材８７として、上記導電性ハ
ードコートフィルムを配置した。
【０１２６】上部電極８４は、直径８０ｍｍで、直径１
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ2 誘電体８６が被覆してあり、導電性ハ
ードコートフィルム表面から２ｍｍ上方にを配置した。
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ2 誘電体８６が被覆してあり、導電性ハ
ードコートフィルム表面から２ｍｍ上方にを配置した。
【０１２７】油回転ポンプ（図１０に記載されていな
い）で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出
口８１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じて
アルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔ
ｏｒｒとした。
い）で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出
口８１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じて
アルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔ
ｏｒｒとした。
【０１２８】しかる後に、上部電極８４に接続した（反
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９５．５となるよう
に調整した。
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９５．５となるよう
に調整した。
【０１２９】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、波高値４ｋＶ、周波数
６ｋＨｚのパルス電界を印加し、放電プラズマ発生空間
８３に３秒間放電して二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）薄膜１
８０Åを導電性ハードコート表面に形成した。
電極８４と下部電極８５の間に、波高値４ｋＶ、周波数
６ｋＨｚのパルス電界を印加し、放電プラズマ発生空間
８３に３秒間放電して二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）薄膜１
８０Åを導電性ハードコート表面に形成した。
【０１３０】引き続いて、上記上部電極８４に接続した
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラエトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラエト
キシシラン：アルゴン：酸素＝１：７：９２となるよう
に調整した。
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラエトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラエト
キシシラン：アルゴン：酸素＝１：７：９２となるよう
に調整した。
【０１３１】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、波高値１６ｋＶ、周波
数８ｋＨｚのパルス電界を印加し、放電プラズマ発生空
間８３に３秒間放電して二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜２
６０Åを上記ＴｉＯ2 薄膜表面に積層した。
電極８４と下部電極８５の間に、波高値１６ｋＶ、周波
数８ｋＨｚのパルス電界を印加し、放電プラズマ発生空
間８３に３秒間放電して二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜２
６０Åを上記ＴｉＯ2 薄膜表面に積層した。
【０１３２】更に、上記同様の方法にて、ＴｉＯ2 薄膜
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
2 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４層の反
射防止フィルムを得た。 ＜防汚層の形成＞上記反射防止層の上に防汚剤（信越化
学社製、コート剤「ＫＰー８０１Ｍ」）を溶剤１，３−
ビストリフロロメチルベンゼン（以下、ＴＦＢと略記す
る）で０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログ
ラビアコートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成し
た。 ＜反射防止層（ｂ）の形成＞上記ハードコート層を介し
て反射防止層が形成された上記基材面と反対の面に上記
反射防止層（ａ）の形成方法と同様にしてＴｉＯ2 ／Ｓ
ｉＯ2 が４層積層した反射防止層を形成した。
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
2 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４層の反
射防止フィルムを得た。 ＜防汚層の形成＞上記反射防止層の上に防汚剤（信越化
学社製、コート剤「ＫＰー８０１Ｍ」）を溶剤１，３−
ビストリフロロメチルベンゼン（以下、ＴＦＢと略記す
る）で０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログ
ラビアコートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成し
た。 ＜反射防止層（ｂ）の形成＞上記ハードコート層を介し
て反射防止層が形成された上記基材面と反対の面に上記
反射防止層（ａ）の形成方法と同様にしてＴｉＯ2 ／Ｓ
ｉＯ2 が４層積層した反射防止層を形成した。
【０１３３】＜評価方法＞ （１）表面Ｓｉ元素量 表面処理後の導電性ハードコート層のＳｉ元素量の比率
はＥＳＣＡによって分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋
Ｏ量）で算出した。 （２）平均反射率 上記反射防止フィルムの裏面をサンドペーパーで研磨し
た後、黒色塗料で塗装して、分光光度計（島津製作所社
製、「ＵＶ−３１００ＰＣ」）にて、３８０〜７８０ｎ
ｍ波長域の５°正反射率を測定した。この測定データか
ら、上記分光光度計付属のカラー測定ソフト「ＣＯＬ−
３１００ＰＣ」にて、Ｃ光源に対する三刺激値の一つで
あるＹを計算し、これをもって視感度平均反射率とし
た。 （３）透過率 分光光度計（島津製作所社製、「ＵＶ−３１００Ｐ
Ｃ」）にて、５５０ｎｍでの透過率を測定した。 （４）表面固有抵抗 上記反射防止フィルムの固有抵抗をＡＳＴＭ Ｄ２５７
に準拠して測定した。 （５）鉛筆硬度 上記反射防止フィルムの鉛筆硬度をＪＩＳ−Ｋ６８９４
に準じて評価した。 （６）テープ剥離試験 上記反射防止フィルム６０℃、９５％ＲＨの条件で１０
００時間後のフィルム表面にカッターナイフで１ｍｍ×
１ｍｍの立ばん目を１００ブロック作成し、ＪＩＳ Ｄ
０２０２に準じてテープ剥離試験を行った。剥離試験
後、剥離せずに残った数を示した。（テープ剥離試験に
より、反射防止層が剥がれず密着性が良好な場合を１０
０／１００） （７）耐擦傷性 上記反射防止フィルムをスチールウール（＃００００）
の２００ｇ／ｃｍ2 加圧下で３０回擦った後、傷の無い
ものには○、傷が有るものには×を記した。 （８）防汚性 上記反射防止フィルムに指紋を付け、布で５回拭き取り
黙視観察した。 （９）視認性 上記反射防止フィルムをＣＲＴモニターの前面パネルに
配置し、蛍光灯照明下の室内での視認性を観察した。そ
の結果、明らかに外光の写り込みが低減され、画面が見
やすくなった。また、特に顔などの非発光物の写像はほ
とんど確認できなかった。また、同時に帯電した発泡ス
チロール粉を近付けても付着することがなく帯電防止性
能が発現していることが確認できた。以上の評価結果
を、表２に示した。
はＥＳＣＡによって分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋
Ｏ量）で算出した。 （２）平均反射率 上記反射防止フィルムの裏面をサンドペーパーで研磨し
た後、黒色塗料で塗装して、分光光度計（島津製作所社
製、「ＵＶ−３１００ＰＣ」）にて、３８０〜７８０ｎ
ｍ波長域の５°正反射率を測定した。この測定データか
ら、上記分光光度計付属のカラー測定ソフト「ＣＯＬ−
３１００ＰＣ」にて、Ｃ光源に対する三刺激値の一つで
あるＹを計算し、これをもって視感度平均反射率とし
た。 （３）透過率 分光光度計（島津製作所社製、「ＵＶ−３１００Ｐ
Ｃ」）にて、５５０ｎｍでの透過率を測定した。 （４）表面固有抵抗 上記反射防止フィルムの固有抵抗をＡＳＴＭ Ｄ２５７
に準拠して測定した。 （５）鉛筆硬度 上記反射防止フィルムの鉛筆硬度をＪＩＳ−Ｋ６８９４
に準じて評価した。 （６）テープ剥離試験 上記反射防止フィルム６０℃、９５％ＲＨの条件で１０
００時間後のフィルム表面にカッターナイフで１ｍｍ×
１ｍｍの立ばん目を１００ブロック作成し、ＪＩＳ Ｄ
０２０２に準じてテープ剥離試験を行った。剥離試験
後、剥離せずに残った数を示した。（テープ剥離試験に
より、反射防止層が剥がれず密着性が良好な場合を１０
０／１００） （７）耐擦傷性 上記反射防止フィルムをスチールウール（＃００００）
の２００ｇ／ｃｍ2 加圧下で３０回擦った後、傷の無い
ものには○、傷が有るものには×を記した。 （８）防汚性 上記反射防止フィルムに指紋を付け、布で５回拭き取り
黙視観察した。 （９）視認性 上記反射防止フィルムをＣＲＴモニターの前面パネルに
配置し、蛍光灯照明下の室内での視認性を観察した。そ
の結果、明らかに外光の写り込みが低減され、画面が見
やすくなった。また、特に顔などの非発光物の写像はほ
とんど確認できなかった。また、同時に帯電した発泡ス
チロール粉を近付けても付着することがなく帯電防止性
能が発現していることが確認できた。以上の評価結果
を、表２に示した。
【０１３４】
【表２】
【０１３５】（実施例２） （１）反射防止フィルム（ｃ） ＜導電性ハードコート層の塗工＞導電性ハードコート剤
として、多官能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３
７）１００重量部、コロイダルシリカ（東芝シリコーン
社製、ＵＶＨＣ−１１０３）１０重量部及び導電性添加
剤（三菱マテリアル社製、Ｔー１）３００重量部のとの
混合溶液を、トルエンで上記混合溶液分が４０％になる
ように希釈し調整した。次に、透明なＰＥＴフィルム
（ユニチカ社製ＰＥＴ、エンブレットＯＡ−１８８、１
８８μｍ厚）の片面に、マイクログラビアコーターによ
って、上記導電性ハードコート剤を塗工し、加熱乾燥し
た後、３００ｍＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射し、厚
さ５μｍの導電性ハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記導電性ハードコートフィルムの表面
を、実施例１と同様にコロナ処理を行った。 ＜反射防止層の形成＞処理装置は、実施例１と同様のも
のを用い、実施例１と同様にして上記導電性導電性ハー
ドコート層上にＴｉＯ2 層とＳｉＯ2 層の４層積層膜の
形成をおこなった。 ＜防汚層の形成＞上記反射防止層の上に防汚剤（信越化
学社製、コート剤「ＫＰー８０１Ｍ」）を溶剤ＴＦＢで
０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログラビア
コートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成した。 （２）反射防止フィルム（ｄ） ＜反射防止層の形成＞上記とは別の透明なＰＥＴフィル
ム（ユニチカ社製ＰＥＴ、エンブレットＯＡ−１８８、
１８８μｍ厚）の片面に、実施例１と同様にしてＴｉＯ
2 層とＳｉＯ 2 層の４層積層膜の形成をおこなった。 （３）シートへの接着 上記反射防止フィルム（ｃ）及び（ｄ）の上記処理面と
反対の面にそれぞれアクリル系粘着剤（総研化学社製、
ＳＫダイン１３５８）を塗布し、３ｍｍのポリカーボネ
ートの両面にそれぞれを接着した。
として、多官能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３
７）１００重量部、コロイダルシリカ（東芝シリコーン
社製、ＵＶＨＣ−１１０３）１０重量部及び導電性添加
剤（三菱マテリアル社製、Ｔー１）３００重量部のとの
混合溶液を、トルエンで上記混合溶液分が４０％になる
ように希釈し調整した。次に、透明なＰＥＴフィルム
（ユニチカ社製ＰＥＴ、エンブレットＯＡ−１８８、１
８８μｍ厚）の片面に、マイクログラビアコーターによ
って、上記導電性ハードコート剤を塗工し、加熱乾燥し
た後、３００ｍＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射し、厚
さ５μｍの導電性ハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記導電性ハードコートフィルムの表面
を、実施例１と同様にコロナ処理を行った。 ＜反射防止層の形成＞処理装置は、実施例１と同様のも
のを用い、実施例１と同様にして上記導電性導電性ハー
ドコート層上にＴｉＯ2 層とＳｉＯ2 層の４層積層膜の
形成をおこなった。 ＜防汚層の形成＞上記反射防止層の上に防汚剤（信越化
学社製、コート剤「ＫＰー８０１Ｍ」）を溶剤ＴＦＢで
０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログラビア
コートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成した。 （２）反射防止フィルム（ｄ） ＜反射防止層の形成＞上記とは別の透明なＰＥＴフィル
ム（ユニチカ社製ＰＥＴ、エンブレットＯＡ−１８８、
１８８μｍ厚）の片面に、実施例１と同様にしてＴｉＯ
2 層とＳｉＯ 2 層の４層積層膜の形成をおこなった。 （３）シートへの接着 上記反射防止フィルム（ｃ）及び（ｄ）の上記処理面と
反対の面にそれぞれアクリル系粘着剤（総研化学社製、
ＳＫダイン１３５８）を塗布し、３ｍｍのポリカーボネ
ートの両面にそれぞれを接着した。
【０１３６】実施例１と同様に視認性評価を行った結
果、実施例１と同様の性能が得られた。上記以外の評価
結果を表２に示した。
果、実施例１と同様の性能が得られた。上記以外の評価
結果を表２に示した。
【０１３７】（実施例３）ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部、コロイダルシリカ（東芝シリコーン社製ＴＡＣ、
ＵＶＨＣ−１１０５）３５重量部、導電性添加剤（三菱
マテリアル社製、Ｔー１）３００重量部及びウレタンア
クリレート（大日精化社製、ＥＸＳ−０７）１０重量部
の混合溶液を、トルエンで上記混合溶液分が４０％にな
るように希釈し調整した。次に、実施例１で使用したＰ
Ｃフィルム片面に、マイクログラビアコーターによっ
て、上記ハードコート剤を塗工し、加熱乾燥した後、３
００ｍＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射し、厚さ５μｍ
のハードコート層を作成した。さらに上記ハードコート
層上に，実施例１と同様にして、反射防止層、防汚層、
粘着層を形成した。
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部、コロイダルシリカ（東芝シリコーン社製ＴＡＣ、
ＵＶＨＣ−１１０５）３５重量部、導電性添加剤（三菱
マテリアル社製、Ｔー１）３００重量部及びウレタンア
クリレート（大日精化社製、ＥＸＳ−０７）１０重量部
の混合溶液を、トルエンで上記混合溶液分が４０％にな
るように希釈し調整した。次に、実施例１で使用したＰ
Ｃフィルム片面に、マイクログラビアコーターによっ
て、上記ハードコート剤を塗工し、加熱乾燥した後、３
００ｍＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射し、厚さ５μｍ
のハードコート層を作成した。さらに上記ハードコート
層上に，実施例１と同様にして、反射防止層、防汚層、
粘着層を形成した。
【０１３８】実施例１と同様に視認性評価を行った結
果、実施例１と同様の性能が得られた。上記以外の評価
結果を表２に示した。
果、実施例１と同様の性能が得られた。上記以外の評価
結果を表２に示した。
【０１３９】（実施例４）基材であるＰＣフィルムの裏
面に実施例１記載の反射防止層（ｂ）を形成しなかった
こと以外は、実施例１と同様に行い反射防止フィルムを
得た。実施例１と同様に視認性評価を行った結果、視認
性は向上したが、実施例１程顕著な効果はみられなかっ
た。上記以外の評価結果を表２に示した。
面に実施例１記載の反射防止層（ｂ）を形成しなかった
こと以外は、実施例１と同様に行い反射防止フィルムを
得た。実施例１と同様に視認性評価を行った結果、視認
性は向上したが、実施例１程顕著な効果はみられなかっ
た。上記以外の評価結果を表２に示した。
【０１４０】（比較例１）実施例１の導電性ハードコー
ト層に導電性添加剤を配合しなかったこと以外は実施例
１と同様にして反射防止フィルムを得た。実施例１と同
様に視認性評価を行った結果、視認性は向上したが、帯
電防止性能は得られなかった。上記以外の評価結果を表
２に示した。
ト層に導電性添加剤を配合しなかったこと以外は実施例
１と同様にして反射防止フィルムを得た。実施例１と同
様に視認性評価を行った結果、視認性は向上したが、帯
電防止性能は得られなかった。上記以外の評価結果を表
２に示した。
【０１４１】（比較例２）実施例１のハードコート剤
を、多官能アクリレート１００重量部とコロイダルシリ
カ８０重量部との混合溶液にした以外は、実施例１と同
様に行い反射防止フィルムを得た。実施例と比べ、ハー
ドコート層と反射防止層との界面で剥離が観察された。
評価結果を表２に示した。
を、多官能アクリレート１００重量部とコロイダルシリ
カ８０重量部との混合溶液にした以外は、実施例１と同
様に行い反射防止フィルムを得た。実施例と比べ、ハー
ドコート層と反射防止層との界面で剥離が観察された。
評価結果を表２に示した。
【０１４２】（比較例３）防汚層を設けなかったこと以
外は実施例１と同様にして反射防止フィルムを得た。評
価結果を表２に示した。
外は実施例１と同様にして反射防止フィルムを得た。評
価結果を表２に示した。
【発明の効果】本発明１は、上記構成よりなるので、こ
れにより帯電防止及び防汚性能を有する表面硬度の優れ
た導電性ハードコート層が形成され、さらに、導電性ハ
ードコート層と反射防止層との密着性及び表面硬度を発
揮することができる。また、本発明２は、本発明１の構
成に更に、ウレタンアクリレートとからなる組成物が硬
化されているため、導電性導電性ハードコート層と反射
防止層との密着性及び表面硬度を更に発揮することがで
きる。また、本発明３は、反射防止層が、ＳｉＯ2 層及
びＴｉＯ2 層の積層体によって構成されるため、導電性
導電性ハードコート層とのより密着性の良い反射防止層
が形成できる。また、本発明４では、導電性導電性ハー
ドコート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、
Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％とな
るように放電処理が施された導電性導電性ハードコート
層を有するため、反射防止層との密着性及び表面硬度
が、更に飛躍的に向上する。また、本発明のディスプレ
イ用反射防止フィルムの製造方法は、導電性導電性ハー
ドコート層に上記放電処理を施すとともに、常圧プラズ
マＣＶＤ法を用いて反射防止層を積層する上記の構成と
しているため、導電性導電性ハードコート層と反射防止
層が、更に強固に密着したディスプレイ用反射防止フィ
ルムが得られる。また、従来、低圧力下で行われていた
反射防止層の形成が、大気圧近傍で、短時間にできるよ
うになった。
れにより帯電防止及び防汚性能を有する表面硬度の優れ
た導電性ハードコート層が形成され、さらに、導電性ハ
ードコート層と反射防止層との密着性及び表面硬度を発
揮することができる。また、本発明２は、本発明１の構
成に更に、ウレタンアクリレートとからなる組成物が硬
化されているため、導電性導電性ハードコート層と反射
防止層との密着性及び表面硬度を更に発揮することがで
きる。また、本発明３は、反射防止層が、ＳｉＯ2 層及
びＴｉＯ2 層の積層体によって構成されるため、導電性
導電性ハードコート層とのより密着性の良い反射防止層
が形成できる。また、本発明４では、導電性導電性ハー
ドコート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、
Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％とな
るように放電処理が施された導電性導電性ハードコート
層を有するため、反射防止層との密着性及び表面硬度
が、更に飛躍的に向上する。また、本発明のディスプレ
イ用反射防止フィルムの製造方法は、導電性導電性ハー
ドコート層に上記放電処理を施すとともに、常圧プラズ
マＣＶＤ法を用いて反射防止層を積層する上記の構成と
しているため、導電性導電性ハードコート層と反射防止
層が、更に強固に密着したディスプレイ用反射防止フィ
ルムが得られる。また、従来、低圧力下で行われていた
反射防止層の形成が、大気圧近傍で、短時間にできるよ
うになった。
【０１４３】
【図１】有機物により表面処理コートされたシリカ粒子
の一例を示す説明図である。
の一例を示す説明図である。
【図２】有機物により表面処理コートされたシリカ粒子
の別の例を示す説明図である。
の別の例を示す説明図である。
【図３】本発明に用いた放電プラズマ発生装置とその放
電電圧及び放電電流の測定に用いた測定回路図の一例を
示す説明図である。
電電圧及び放電電流の測定に用いた測定回路図の一例を
示す説明図である。
【図４】図３の装置により得られた放電電圧（波形１）
と放電電流（波形２）の測定結果を示すグラフである。
と放電電流（波形２）の測定結果を示すグラフである。
【図５】本発明において一対の電極間に印加するパルス
電圧の波形の例を示す説明図である。
電圧の波形の例を示す説明図である。
【図６】本発明でいうパルス電界継続時間の説明図であ
る。
る。
【図７】本発明を適用した装置において用いるのに適し
た電源回路の構成例を示すブロック図である。
た電源回路の構成例を示すブロック図である。
【図８】等価的な回路図で示す図７の回路の動作原理の
説明図である。
説明図である。
【図９】図８に示された動作原理により得ることのでき
るパルス電圧波形の説明図である。
るパルス電圧波形の説明図である。
【図１０】本発明の各実施例で用いた放電プラズマ発生
装置の構成を示す模式図である。
装置の構成を示す模式図である。
Ｃｏ−Ｓｉ コロイダルシリカ １、２ 電極 ３ パルス電源 ４ 固体誘電体 ５ 抵抗 ６、９ ＢＮＣ端子 ７ オシロスコープ ８ 高圧プローブ ８１−１ 直流電源 ８１−２ 交流電源（高電圧パルス電源） ８２ ステンレス製容器 ８３ 放電プラズマ発生空間 ８４ 上部電極 ８５ 下部電極 ８６ 固体誘電体 ８７ 基材 ８８ ガス導入管 ８９ 希釈ガス導入管 ８１０ ガス排出口 ８１１ 排気口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１３ Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ Ｆターム(参考） 2K009 AA02 AA15 CC03 CC06 CC09 CC24 CC42 DD03 EE03 4D075 BB49Y BB56Y BB95Y CA02 CA22 CB02 CB07 DB31 DC24 EB42 EB43 EB56 EC01 EC54 4F100 AA00B AA00H AA20B AA21B AA21H AK25B AK45A AK52B AL05B AT00A BA02 BA10A BA10B CA21B CC00B EH461 EH662 EJ081 EJ612 GB41 JG01B JG01H JK06 JK14 JN06 YY00B 5G435 AA00 AA01 AA08 AA14 AA16 AA17 GG32 HH02 HH03 HH12 KK07
Claims (8)
- 【請求項１】 基材フィルムに、導電性ハードコート層
を介して、反射防止層が積層されている反射防止フィル
ムにおいて、 上記導電性ハードコート層が、多官能アクリレート
（Ａ）１００重量部、有機物により表面処理コートされ
たシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及びシリコン
アクリレートよりなる群から選ばれた少なくとも１種の
シリコン系化合物（Ｂ）１〜４０重量部及び、導電性添
加剤として、無機系導電性添加剤５０〜８００重量部、
または、有機系導電性添加剤０．１〜３０重量部からな
る組成物を硬化させたものであり、上記ハードコート層
の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、
及びＯの合計量に対して２〜３５原子％であることを特
徴とするディスプレイ用反射防止フィルム。 - 【請求項２】 基材フィルムに、導電性ハードコート層
を介して、反射防止層が積層されている反射防止フィル
ムにおいて、 上記導電性ハードコート層が、多官能アクリレート
（Ａ）１００重量部、有機物により表面処理コートされ
たシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及びシリコン
アクリレートよりなる群から選ばれた少なくとも１種の
シリコン系化合物（Ｂ）１〜７０重量部、導電性添加剤
として、無機系導電性添加剤５０〜８００重量部、また
は、有機系導電性添加剤０．１〜３０重量部及び、ウレ
タンアクリレート（Ｄ）５〜１００重量部とからなる組
成物を硬化させたものであり、上記導電性ハードコート
層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、
Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％であること
を特徴とするディスプレイ用反射防止フィルム。 - 【請求項３】 反射防止層が、ＳｉＯ2 層及びＴｉＯ2
層の積層体によって構成されることを特徴とする請求項
１又は２記載のディスプレイ用反射防止フィルム。 - 【請求項４】 導電性ハードコート層の表面の元素組成
中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に
対して２〜３５原子％となるように放電処理が施された
導電性導電性ハードコート層を有することを特徴とする
請求項１〜３いずれか一項に記載のディスプレイ用反射
防止フィルム。 - 【請求項５】 基材フィルムに、導電性ハードコート層
を介して、反射防止層を積層することによりディスプレ
イ用反射防止フィルムを製造する方法において、 上記導電性ハードコート層の表面の元素組成中に占める
Ｓｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜
３５原子％となるように放電処理を施し、更に上記放電
処理された面に、 大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気中
で、対向電極間に放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／
ｃｍ2 となるように電界を印加することにより、放電プ
ラズマを発生させ、反射防止層を積層することを特徴と
する請求項１〜４いずれか一項記載のディスプレイ用反
射防止フィルムの製造方法。 - 【請求項６】 上記一対の対向電極間にパルス化された
電界を印加することを特徴とする請求項５記載のディス
プレイ用反射防止フィルムの製造方法。 - 【請求項７】 上記パルス化された電界の印加における
電圧立ち上がり時間が１００μｓ以下で、且つ、パルス
電界の強さが１〜１００ｋＶ／ｃｍの範囲であることを
特徴とする請求項６に記載のディスプレイ用反射防止フ
ィルムの製造方法。 - 【請求項８】 上記パルス化された電界の周波数が０．
５〜１００ｋＨｚであり、且つ、その１つのパルス継続
時間が１〜１０００μｓであることを特徴とする請求項
６又は７に記載のディスプレイ用反射防止フィルムの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25163999A JP2001074907A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | ディスプレイ用反射防止フィルム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25163999A JP2001074907A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | ディスプレイ用反射防止フィルム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001074907A true JP2001074907A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17225822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25163999A Pending JP2001074907A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | ディスプレイ用反射防止フィルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001074907A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510571A (ja) * | 2000-10-04 | 2004-04-08 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | コーティングを形成するための方法および装置 |
| WO2006109419A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 光学積層体 |
| JP2012053178A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Lintec Corp | 防眩性帯電防止ハードコートフィルム及び偏光板 |
-
1999
- 1999-09-06 JP JP25163999A patent/JP2001074907A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510571A (ja) * | 2000-10-04 | 2004-04-08 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | コーティングを形成するための方法および装置 |
| WO2006109419A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 光学積層体 |
| JPWO2006109419A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2008-10-09 | 大日本印刷株式会社 | 光学積層体 |
| JP2012053178A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Lintec Corp | 防眩性帯電防止ハードコートフィルム及び偏光板 |
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