JP2001073123A - Ｉｔｏターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏターゲットおよびその製造方法Info
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- JP2001073123A JP2001073123A JP24850699A JP24850699A JP2001073123A JP 2001073123 A JP2001073123 A JP 2001073123A JP 24850699 A JP24850699 A JP 24850699A JP 24850699 A JP24850699 A JP 24850699A JP 2001073123 A JP2001073123 A JP 2001073123A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 スパッタリング中のノジュールの生成が避け
られ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、使用初期から
使用末期まで成膜速度の変化が小さく、高い成膜速度が
得られるＩＴＯターゲットおよびその製造方法。 【解決手段】 平均粒径が０．５μｍ以下で、０．１μ
ｍ以上０．８μｍ以下の粉末が全体の８５重量％以上の
酸化インジウム粉末または酸化インジウム酸化錫合成粉
末と、平均粒径が２．５μｍ以下で、７．０μｍ以上の
粉末が１０重量％以下の酸化錫粉末とからなる原料粉末
を、常温において、１０００ｋｇ／ｃｍ2 以上の圧力で
加圧成形して成形体を得て、該成形体を常圧の酸素雰囲
気中で、１０００℃から１４００℃まで２時間以内で昇
温させ、昇温中は成形体の温度のばらつきを±２０℃の
範囲内とし、焼結保持中の成形体の温度のばらつきを±
１０℃の範囲内として焼結する。
られ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、使用初期から
使用末期まで成膜速度の変化が小さく、高い成膜速度が
得られるＩＴＯターゲットおよびその製造方法。 【解決手段】 平均粒径が０．５μｍ以下で、０．１μ
ｍ以上０．８μｍ以下の粉末が全体の８５重量％以上の
酸化インジウム粉末または酸化インジウム酸化錫合成粉
末と、平均粒径が２．５μｍ以下で、７．０μｍ以上の
粉末が１０重量％以下の酸化錫粉末とからなる原料粉末
を、常温において、１０００ｋｇ／ｃｍ2 以上の圧力で
加圧成形して成形体を得て、該成形体を常圧の酸素雰囲
気中で、１０００℃から１４００℃まで２時間以内で昇
温させ、昇温中は成形体の温度のばらつきを±２０℃の
範囲内とし、焼結保持中の成形体の温度のばらつきを±
１０℃の範囲内として焼結する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
で透明導電膜を形成する原料として用いられるＩＴＯタ
ーゲットとその製造方法に関し、特に、高密度で、スパ
ッタリング時にノジュール発生の少なく、安定した成膜
速度が得られ、しかも熱伝導率が高いので高出力でスパ
ッタリングができるＩＴＯターゲットとその製造方法に
関する。
で透明導電膜を形成する原料として用いられるＩＴＯタ
ーゲットとその製造方法に関し、特に、高密度で、スパ
ッタリング時にノジュール発生の少なく、安定した成膜
速度が得られ、しかも熱伝導率が高いので高出力でスパ
ッタリングができるＩＴＯターゲットとその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ膜は、透明導電膜として広く用い
られており、このＩＴＯ膜を形成する方法に、スパッタ
リング法がある。スパッタリング法では、原料にＩＴＯ
ターゲットを用いる。
られており、このＩＴＯ膜を形成する方法に、スパッタ
リング法がある。スパッタリング法では、原料にＩＴＯ
ターゲットを用いる。
【０００３】ＩＴＯターゲットは、ＩＴＯ膜をスパッタ
リング法で成膜するための原料であるが、酸化インジウ
ム粉末、酸化錫粉末、あるいは必要により酸化インジウ
ム酸化錫合成粉末を原料とし、該原料粉末を加圧成形
し、焼き固める粉末焼結法によって製造される。
リング法で成膜するための原料であるが、酸化インジウ
ム粉末、酸化錫粉末、あるいは必要により酸化インジウ
ム酸化錫合成粉末を原料とし、該原料粉末を加圧成形
し、焼き固める粉末焼結法によって製造される。
【０００４】酸化錫は、酸化インジウムに比べ蒸気圧が
高く、焼結性が悪い。一方、酸化錫は、原料価格が酸化
インジウムに比べておよそ１／１０と安価であり、ＩＴ
Ｏ膜の製造コストを下げるために用いられる。ＩＴＯ膜
の抵抗値を低くするためには、通常５〜１０重量％の酸
化錫を含むＩＴＯターゲットが用いられているが、抵抗
値が比較的高くてよい用途には、ターゲット価格を下げ
る目的で、高濃度の酸化錫を含むＩＴＯターゲットが用
いられる。
高く、焼結性が悪い。一方、酸化錫は、原料価格が酸化
インジウムに比べておよそ１／１０と安価であり、ＩＴ
Ｏ膜の製造コストを下げるために用いられる。ＩＴＯ膜
の抵抗値を低くするためには、通常５〜１０重量％の酸
化錫を含むＩＴＯターゲットが用いられているが、抵抗
値が比較的高くてよい用途には、ターゲット価格を下げ
る目的で、高濃度の酸化錫を含むＩＴＯターゲットが用
いられる。
【０００５】しかし、酸化錫濃度が高くなるに従って、
ＩＴＯターゲットの密度が低下する。このため、スパッ
タリング中にＩＴＯターゲット表面にノジュールの生成
が起こり、成膜速度の低下、成膜パワーのばらつき、成
膜速度のばらつき、アーク放電の発生などをもたらし、
膜厚分布の悪化、パーティクルの生成による膜質の悪化
の原因となる場合があった。
ＩＴＯターゲットの密度が低下する。このため、スパッ
タリング中にＩＴＯターゲット表面にノジュールの生成
が起こり、成膜速度の低下、成膜パワーのばらつき、成
膜速度のばらつき、アーク放電の発生などをもたらし、
膜厚分布の悪化、パーティクルの生成による膜質の悪化
の原因となる場合があった。
【０００６】例えば、従来技術により製造され、酸化錫
が３０重量％含まれるＩＴＯターゲットでは、その密度
は高々６．０ｇ／ｃｍ3 であり、このＩＴＯターゲット
を用いてスパッタリングを行った場合、使用末期の成膜
速度は、使用初期と比べ６０％以下となり、使用後には
ＩＴＯターゲットの表面の５０％以上がノジュールに覆
われることが知られている。
が３０重量％含まれるＩＴＯターゲットでは、その密度
は高々６．０ｇ／ｃｍ3 であり、このＩＴＯターゲット
を用いてスパッタリングを行った場合、使用末期の成膜
速度は、使用初期と比べ６０％以下となり、使用後には
ＩＴＯターゲットの表面の５０％以上がノジュールに覆
われることが知られている。
【０００７】また、粉末焼結法で得られるＩＴＯターゲ
ットは、その表面および内部に空孔が存在することが避
けられない。さらに、酸化錫は、粉体原料の混合中や焼
結中に凝集する傾向が強いため、得られるＩＴＯターゲ
ットの中にも、酸化錫の大きな凝集体が生じ易い。
ットは、その表面および内部に空孔が存在することが避
けられない。さらに、酸化錫は、粉体原料の混合中や焼
結中に凝集する傾向が強いため、得られるＩＴＯターゲ
ットの中にも、酸化錫の大きな凝集体が生じ易い。
【０００８】これらの結果として、ＩＴＯターゲットの
熱伝導率が低下し、スパッタリング中にＩＴＯターゲッ
トの表面に加えられる熱の放散が十分にできず、ＩＴＯ
ターゲットの割れや剥がれ、異常放電の発生が生じ、ス
パッタリング異常、膜質異常をもたらす原因となってい
た。
熱伝導率が低下し、スパッタリング中にＩＴＯターゲッ
トの表面に加えられる熱の放散が十分にできず、ＩＴＯ
ターゲットの割れや剥がれ、異常放電の発生が生じ、ス
パッタリング異常、膜質異常をもたらす原因となってい
た。
【０００９】例えば、コールドプレス（冷間加圧成形）
後、酸素中の加圧焼結によって作られたＩＴＯターゲッ
トの熱伝導率は、おおよそ５〜７Ｗ／ｍＫであり、この
場合、熱放散性が劣るため、スパッタリング中に加えら
れるパワーを高々２０Ｗ／ｃｍ2 程度にしか上げること
ができなかった。このように低いパワーでは、成膜速度
が十分に得られず、生産性の低下を招いていた。
後、酸素中の加圧焼結によって作られたＩＴＯターゲッ
トの熱伝導率は、おおよそ５〜７Ｗ／ｍＫであり、この
場合、熱放散性が劣るため、スパッタリング中に加えら
れるパワーを高々２０Ｗ／ｃｍ2 程度にしか上げること
ができなかった。このように低いパワーでは、成膜速度
が十分に得られず、生産性の低下を招いていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決し、高濃度の酸化錫を含むＩＴＯターゲットの
密度を向上させ、スパッタリング中のノジュールの生成
が避けられ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、使用初
期から使用末期まで成膜速度の変化が小さく、さらに、
熱伝導率が高いことからスパッタリングパワーを高くで
き、結果として高い成膜速度が得られるＩＴＯターゲッ
トおよびその製造方法を提供することを目的とする。
点を解決し、高濃度の酸化錫を含むＩＴＯターゲットの
密度を向上させ、スパッタリング中のノジュールの生成
が避けられ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、使用初
期から使用末期まで成膜速度の変化が小さく、さらに、
熱伝導率が高いことからスパッタリングパワーを高くで
き、結果として高い成膜速度が得られるＩＴＯターゲッ
トおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のＩＴＯターゲッ
トは、組成が酸化錫２０重量％以下のインジウム錫酸化
物であり、平均密度が７．０ｇ／ｃｍ3 以上であり、密
度のばらつきが平均密度に対し±０．０５ｇ／ｃｍ3 の
範囲内にあり、熱伝導率が８．０Ｗ／ｍＫ以上である。
トは、組成が酸化錫２０重量％以下のインジウム錫酸化
物であり、平均密度が７．０ｇ／ｃｍ3 以上であり、密
度のばらつきが平均密度に対し±０．０５ｇ／ｃｍ3 の
範囲内にあり、熱伝導率が８．０Ｗ／ｍＫ以上である。
【００１２】または、組成が酸化錫２０重量％を超え、
かつ３５重量％以下のインジウム錫酸化物であり、平均
密度が６．８ｇ／ｃｍ3 以上であり、密度のばらつきが
平均密度に対し±０．０５ｇ／ｃｍ3 の範囲内にあり、
熱伝導率が８．０Ｗ／ｍＫ以上である。
かつ３５重量％以下のインジウム錫酸化物であり、平均
密度が６．８ｇ／ｃｍ3 以上であり、密度のばらつきが
平均密度に対し±０．０５ｇ／ｃｍ3 の範囲内にあり、
熱伝導率が８．０Ｗ／ｍＫ以上である。
【００１３】または、組成が酸化錫３５重量％を超える
インジウム錫酸化物であり、平均密度が６．５ｇ／ｃｍ
3 以上であり、密度のばらつきが平均密度に対し±０．
０５ｇ／ｃｍ3 の範囲内にあり、熱伝導率が８．０Ｗ／
ｍＫ以上である。
インジウム錫酸化物であり、平均密度が６．５ｇ／ｃｍ
3 以上であり、密度のばらつきが平均密度に対し±０．
０５ｇ／ｃｍ3 の範囲内にあり、熱伝導率が８．０Ｗ／
ｍＫ以上である。
【００１４】前記密度のばらつきは、平均密度に対し±
０．０３ｇ／ｃｍ3 の範囲内にあることが望ましい。
０．０３ｇ／ｃｍ3 の範囲内にあることが望ましい。
【００１５】また、このようなＩＴＯターゲットを製造
する本発明の方法は、平均粒径が０．５μｍ以下、好ま
しくは０．４μｍ以下で、粒径０．１μｍ以上０．８μ
ｍ以下の粒子が８５重量％以上、好ましくは９０重量％
以上、さらに好ましくは９５重量％以上を占める酸化イ
ンジウム粉末および／または酸化インジウム酸化錫合成
粉末と、平均粒径が２．５μｍ以下、好ましくは２．０
μｍ以下で、粒径７．０μｍ以上の粉末が１０重量％以
下、好ましくは５重量％以下、さらに好ましくは３重量
％以下を占める酸化錫粉末とを、所望比率で混合した原
料粉末を、１０００ｋｇ／ｃｍ2 以上の圧力で加圧成形
して成形体を得て、該成形体を常圧の酸素雰囲気中で、
１０００℃から１４００℃まで２時間以内で昇温させ、
昇温中は成形体の温度のばらつきを±２０℃の範囲内と
し、焼結保持温度を１４００℃〜１４５０℃とし、焼結
保持中の成形体の温度のばらつきを±１０℃の範囲内と
して焼結する。
する本発明の方法は、平均粒径が０．５μｍ以下、好ま
しくは０．４μｍ以下で、粒径０．１μｍ以上０．８μ
ｍ以下の粒子が８５重量％以上、好ましくは９０重量％
以上、さらに好ましくは９５重量％以上を占める酸化イ
ンジウム粉末および／または酸化インジウム酸化錫合成
粉末と、平均粒径が２．５μｍ以下、好ましくは２．０
μｍ以下で、粒径７．０μｍ以上の粉末が１０重量％以
下、好ましくは５重量％以下、さらに好ましくは３重量
％以下を占める酸化錫粉末とを、所望比率で混合した原
料粉末を、１０００ｋｇ／ｃｍ2 以上の圧力で加圧成形
して成形体を得て、該成形体を常圧の酸素雰囲気中で、
１０００℃から１４００℃まで２時間以内で昇温させ、
昇温中は成形体の温度のばらつきを±２０℃の範囲内と
し、焼結保持温度を１４００℃〜１４５０℃とし、焼結
保持中の成形体の温度のばらつきを±１０℃の範囲内と
して焼結する。
【００１６】加圧成形前の前記原料粉末を、平均粒径１
０μｍ以上の顆粒状に整粒することが望ましい。このた
めに、ＰＶＡなどの成型用バインダーを加えて混合する
か、あるいは原料粉末を３００〜６００℃空気中で仮焼
結するのが好ましい。
０μｍ以上の顆粒状に整粒することが望ましい。このた
めに、ＰＶＡなどの成型用バインダーを加えて混合する
か、あるいは原料粉末を３００〜６００℃空気中で仮焼
結するのが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明のＩＴＯターゲットは、組
成が酸化錫２０重量％以下の場合に密度が７．０ｇ／ｃ
ｍ3 以上、組成が酸化錫２０〜３５重量％の場合に密度
が６．８ｇ／ｃｍ3 以上、あるいは組成が酸化錫３５重
量％を超える場合に密度が６．５ｇ／ｃｍ3 以上であ
る。酸化錫の組成比率に応じた前記密度にそれぞれ達し
ないと、スパッタリング中にノジュールが発生し成膜速
度の低下、成膜パワーや成膜速度のばらつき、アーク放
電の発生が起こり、これらが原因でさらに、膜厚分布の
悪化、膜質の低下が生じる。
成が酸化錫２０重量％以下の場合に密度が７．０ｇ／ｃ
ｍ3 以上、組成が酸化錫２０〜３５重量％の場合に密度
が６．８ｇ／ｃｍ3 以上、あるいは組成が酸化錫３５重
量％を超える場合に密度が６．５ｇ／ｃｍ3 以上であ
る。酸化錫の組成比率に応じた前記密度にそれぞれ達し
ないと、スパッタリング中にノジュールが発生し成膜速
度の低下、成膜パワーや成膜速度のばらつき、アーク放
電の発生が起こり、これらが原因でさらに、膜厚分布の
悪化、膜質の低下が生じる。
【００１８】本発明のＩＴＯターゲットの熱伝導率は、
８．０Ｗ／ｍＫ以上とする。熱伝導率が８．０Ｗ／ｍＫ
未満では、スパッタリング中のＩＴＯターゲットの熱放
散が不十分となり、ＩＴＯターゲットの割れや剥がれ、
異常放電の発生が生じ、これらが原因でスパッタリング
異常、膜質異常の原因となる。これらを回避するために
は、スパッタリングパワーを下げなければならず、生産
性が低下する。
８．０Ｗ／ｍＫ以上とする。熱伝導率が８．０Ｗ／ｍＫ
未満では、スパッタリング中のＩＴＯターゲットの熱放
散が不十分となり、ＩＴＯターゲットの割れや剥がれ、
異常放電の発生が生じ、これらが原因でスパッタリング
異常、膜質異常の原因となる。これらを回避するために
は、スパッタリングパワーを下げなければならず、生産
性が低下する。
【００１９】本発明のＩＴＯターゲットの密度のばらつ
きは、平均密度の±０．０５ｇ／ｃｍ3 の範囲内とす
る。この範囲内とすることで、成膜速度がターゲット面
内一定で、しかも使用初期から使用末期まで変化しなく
なる。
きは、平均密度の±０．０５ｇ／ｃｍ3 の範囲内とす
る。この範囲内とすることで、成膜速度がターゲット面
内一定で、しかも使用初期から使用末期まで変化しなく
なる。
【００２０】本発明のＩＴＯターゲットの原料粉末は、
平均粒径が０．５μｍ以下、好ましくは０．４μｍ以下
で、粒径０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粒子が８５重
量％以上、好ましくは９０重量％以上、さらに好ましく
は９５重量％以上を占める酸化インジウム粉末または酸
化インジウム酸化錫合成粉末と、平均粒径が２．５μｍ
以下、好ましくは２．０μｍ以下で、粒径７．０μｍ以
上の粉末が１０重量％以下、好ましくは５重量％以下、
さらに好ましくは３重量％以下を占める酸化錫粉末と
を、所望比率で混合する。これらの範囲を逸脱すると、
所望の焼結密度、熱伝導率が得られない。
平均粒径が０．５μｍ以下、好ましくは０．４μｍ以下
で、粒径０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粒子が８５重
量％以上、好ましくは９０重量％以上、さらに好ましく
は９５重量％以上を占める酸化インジウム粉末または酸
化インジウム酸化錫合成粉末と、平均粒径が２．５μｍ
以下、好ましくは２．０μｍ以下で、粒径７．０μｍ以
上の粉末が１０重量％以下、好ましくは５重量％以下、
さらに好ましくは３重量％以下を占める酸化錫粉末と
を、所望比率で混合する。これらの範囲を逸脱すると、
所望の焼結密度、熱伝導率が得られない。
【００２１】該原料粉末を、平均粒径１０μｍ以上の顆
粒状に整粒することが望ましい。
粒状に整粒することが望ましい。
【００２２】このことにより、後述する加圧成形時に、
型へ原料粉末を充填する際の流動性がよくなる。顆粒状
に整粒するためには、例えば、ＰＶＡなどの成型用バイ
ンダーを加えて混合するか、原料粉末を空気中３００〜
６００℃で、仮焼結すればよい。
型へ原料粉末を充填する際の流動性がよくなる。顆粒状
に整粒するためには、例えば、ＰＶＡなどの成型用バイ
ンダーを加えて混合するか、原料粉末を空気中３００〜
６００℃で、仮焼結すればよい。
【００２３】原料粉末を、常温において、１０００ｋｇ
／ｃｍ2 以上の圧力で加圧成形して、成形体を得る。こ
れより小さい圧力では、所望の焼結密度、熱伝導率が得
にくくなる。また、原料粉末を顆粒状に整粒した場合に
は、顆粒を完全に崩す以上の圧力が必要である。
／ｃｍ2 以上の圧力で加圧成形して、成形体を得る。こ
れより小さい圧力では、所望の焼結密度、熱伝導率が得
にくくなる。また、原料粉末を顆粒状に整粒した場合に
は、顆粒を完全に崩す以上の圧力が必要である。
【００２４】前記成形体を、常圧の酸素雰囲気中で、１
０００℃から１４００℃まで２時間以内で昇温させ、昇
温中は温度のばらつきを±２０℃の範囲内とし、焼結保
持温度は、１４００℃〜１４５０℃とし、焼結保持中の
成形体の温度のばらつきを±１０℃の範囲内とする。
０００℃から１４００℃まで２時間以内で昇温させ、昇
温中は温度のばらつきを±２０℃の範囲内とし、焼結保
持温度は、１４００℃〜１４５０℃とし、焼結保持中の
成形体の温度のばらつきを±１０℃の範囲内とする。
【００２５】前記酸素雰囲気とは、純酸素雰囲気、また
は高濃度酸素雰囲気をいう。また、焼結雰囲気の圧力
は、常圧で十分である。このような焼結条件により、高
く均一な密度、および高い熱伝導率を有するＩＴＯター
ゲットが得られる。
は高濃度酸素雰囲気をいう。また、焼結雰囲気の圧力
は、常圧で十分である。このような焼結条件により、高
く均一な密度、および高い熱伝導率を有するＩＴＯター
ゲットが得られる。
【００２６】以下、本発明の実施例について、説明す
る。
る。
【００２７】（実施例１）原料粉末の粒度が、平均粒径
が０．３５μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が０．２％、０．８μｍ以上の粉末が４．２％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９５．６％
の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が１．８
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が２．２
％の酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
が０．３５μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が０．２％、０．８μｍ以上の粉末が４．２％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９５．６％
の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が１．８
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が２．２
％の酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
【００２８】得られた成形体を、常圧の酸素中で１００
０℃から１４００℃までの温度範囲を２時間で昇温さ
せ、１４００℃の温度に１０時間保持し、焼結を行っ
た。昇温時の成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１
４００℃での保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲
内である。２枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１
枚を熱伝導率および密度分布の測定に、１枚をスパッタ
リングに供した。
０℃から１４００℃までの温度範囲を２時間で昇温さ
せ、１４００℃の温度に１０時間保持し、焼結を行っ
た。昇温時の成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１
４００℃での保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲
内である。２枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１
枚を熱伝導率および密度分布の測定に、１枚をスパッタ
リングに供した。
【００２９】その結果、熱伝導率は９．５Ｗ／ｍＫであ
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は７．０７ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が７．０２ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１２ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
７．０３ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１１ｇ／ｃｍ3 であ
った。
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は７．０７ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が７．０２ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１２ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
７．０３ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１１ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００３０】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、徐
々にパワーを上げながら、スパッタリング可能な最大パ
ワーを調べた。その結果、３０Ｗ／ｃｍ2 のパワーをか
けても、ＩＴＯターゲットの表面にクラックなどの異常
は見られなかった。成膜速度は従来のＩＴＯターゲット
と比較し、約１．５倍と高い値であった。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、徐
々にパワーを上げながら、スパッタリング可能な最大パ
ワーを調べた。その結果、３０Ｗ／ｃｍ2 のパワーをか
けても、ＩＴＯターゲットの表面にクラックなどの異常
は見られなかった。成膜速度は従来のＩＴＯターゲット
と比較し、約１．５倍と高い値であった。
【００３１】また、得られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚
分布を使用初期と末期とで測定したところ、成膜速度は
使用初期に対して使用末期では９４％であった。また、
基板面内の膜厚分布は±５％の範囲内であった。使用
後、ＩＴＯターゲットの表面を観察したところ、ノジュ
ールの生成は全くみられなかった。
分布を使用初期と末期とで測定したところ、成膜速度は
使用初期に対して使用末期では９４％であった。また、
基板面内の膜厚分布は±５％の範囲内であった。使用
後、ＩＴＯターゲットの表面を観察したところ、ノジュ
ールの生成は全くみられなかった。
【００３２】（実施例２）原料粉末の粒度が、平均粒径
が０．３８μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が２．２％、０．８μｍ以上の粉末が６．８％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９１．０％
の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が２．１
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が４．２
％の酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
が０．３８μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が２．２％、０．８μｍ以上の粉末が６．８％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９１．０％
の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が２．１
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が４．２
％の酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
【００３３】得られた成形体を、常圧の酸素中で１００
０℃から１４５０℃までの温度範囲を１．５時間で昇温
させ、１４５０℃の温度に１５時間保持し、焼結を行っ
た。昇温時の成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１
４５０℃での保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲
内である。２枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１
枚を熱伝導率および密度分布の測定に、１枚をスパッタ
リングに供した。
０℃から１４５０℃までの温度範囲を１．５時間で昇温
させ、１４５０℃の温度に１５時間保持し、焼結を行っ
た。昇温時の成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１
４５０℃での保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲
内である。２枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１
枚を熱伝導率および密度分布の測定に、１枚をスパッタ
リングに供した。
【００３４】その結果、熱伝導率は１０．２Ｗ／ｍＫで
あった。ＩＴＯターゲット全体の密度は７．１３ｇ／ｃ
ｍ3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最
小値が７．０８ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１８ｇ／ｃｍ
3 であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
７．０９ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１７ｇ／ｃｍ3 であ
った。
あった。ＩＴＯターゲット全体の密度は７．１３ｇ／ｃ
ｍ3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最
小値が７．０８ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１８ｇ／ｃｍ
3 であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
７．０９ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１７ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００３５】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、徐
々にパワーを上げながら、スパッタリング可能な最大パ
ワーを調べた。その結果、３０Ｗ／ｃｍ2 のパワーをか
けても、ＩＴＯターゲットの表面にクラックなどの異常
は見られなかった。成膜速度は従来のＩＴＯターゲット
と比較し、約１．５倍と高い値であった。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、徐
々にパワーを上げながら、スパッタリング可能な最大パ
ワーを調べた。その結果、３０Ｗ／ｃｍ2 のパワーをか
けても、ＩＴＯターゲットの表面にクラックなどの異常
は見られなかった。成膜速度は従来のＩＴＯターゲット
と比較し、約１．５倍と高い値であった。
【００３６】また、得られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚
分布を使用初期と末期とで測定したところ、成膜速度は
使用初期に対して使用末期では９２％であった。また、
基板面内の膜厚分布は±５％の範囲内であった。使用
後、ＩＴＯターゲットの表面を観察したところ、ノジュ
ールの生成は全くみられなかった。
分布を使用初期と末期とで測定したところ、成膜速度は
使用初期に対して使用末期では９２％であった。また、
基板面内の膜厚分布は±５％の範囲内であった。使用
後、ＩＴＯターゲットの表面を観察したところ、ノジュ
ールの生成は全くみられなかった。
【００３７】（実施例３）原料粉末の粒度が、平均粒径
が０．３３μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が３．６％、０．８μｍ以上の粉末が６．３％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９０．１％
の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が１．９
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が２．２
％の酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
が０．３３μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が３．６％、０．８μｍ以上の粉末が６．３％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９０．１％
の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が１．９
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が２．２
％の酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
【００３８】得られた成形体を、常圧の酸素中で１００
０℃から１４００℃までの温度範囲を２時間で昇温さ
せ、１４００℃の温度に１０時間保持し、焼結を行っ
た。昇温時の成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１
４００℃での保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲
内である。２枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１
枚を熱伝導率および密度分布の測定に、１枚をスパッタ
リングに供した。
０℃から１４００℃までの温度範囲を２時間で昇温さ
せ、１４００℃の温度に１０時間保持し、焼結を行っ
た。昇温時の成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１
４００℃での保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲
内である。２枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１
枚を熱伝導率および密度分布の測定に、１枚をスパッタ
リングに供した。
【００３９】その結果、熱伝導率は８．５Ｗ／ｍＫであ
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．９５ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．９１ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．００ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．９５ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．９９ｇ／ｃｍ3 であ
った。
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．９５ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．９１ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．００ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．９５ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．９９ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００４０】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、徐
々にパワーを上げながら、スパッタリング可能な最大パ
ワーを調べた。その結果、２５Ｗ／ｃｍ2 のパワーをか
けても、ＩＴＯターゲットの表面にクラックなどの異常
は見られなかった。成膜速度は従来のＩＴＯターゲット
と比較し、約１．２倍と高い値であった。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、徐
々にパワーを上げながら、スパッタリング可能な最大パ
ワーを調べた。その結果、２５Ｗ／ｃｍ2 のパワーをか
けても、ＩＴＯターゲットの表面にクラックなどの異常
は見られなかった。成膜速度は従来のＩＴＯターゲット
と比較し、約１．２倍と高い値であった。
【００４１】また、得られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚
分布を使用初期と末期とで測定したところ、成膜速度は
使用初期に対して使用末期では９０％であった。また、
基板面内の膜厚分布は±５％の範囲内であった。使用
後、ＩＴＯターゲット表面を観察したところ、ノジュー
ルの生成はわずかな領域で見られ、その面積は全体の
６．３％のみであった。
分布を使用初期と末期とで測定したところ、成膜速度は
使用初期に対して使用末期では９０％であった。また、
基板面内の膜厚分布は±５％の範囲内であった。使用
後、ＩＴＯターゲット表面を観察したところ、ノジュー
ルの生成はわずかな領域で見られ、その面積は全体の
６．３％のみであった。
【００４２】従来のＩＴＯターゲットの熱伝導率が、お
およそ５〜７Ｗ／ｍＫであり、スパッタリング中に加え
られるパワーを高々２０Ｗ／ｃｍ2 程度にしか上げるこ
とができなかったのに対し、実施例１から３のＩＴＯタ
ーゲットの熱伝導率は、８．５〜１０．２Ｗ／ｍＫであ
り、スパッタリング中に加えられるパワーを２５〜３０
Ｗ／ｃｍ2 に高めることができた。
およそ５〜７Ｗ／ｍＫであり、スパッタリング中に加え
られるパワーを高々２０Ｗ／ｃｍ2 程度にしか上げるこ
とができなかったのに対し、実施例１から３のＩＴＯタ
ーゲットの熱伝導率は、８．５〜１０．２Ｗ／ｍＫであ
り、スパッタリング中に加えられるパワーを２５〜３０
Ｗ／ｃｍ2 に高めることができた。
【００４３】従って、成膜速度をおおよそ１．２〜１．
５倍に速めることが可能で、生産性を著しく向上でき
る。
５倍に速めることが可能で、生産性を著しく向上でき
る。
【００４４】（実施例４）原料粉末の粒度が、平均粒径
が０．３５μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が０．２％、０．８μｍ以上の粉末が４．２％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９５．６％
の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が２．２
μｍの酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バイ
ンダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍ
から５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、
常温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００
ｍｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
が０．３５μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が０．２％、０．８μｍ以上の粉末が４．２％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９５．６％
の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が２．２
μｍの酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バイ
ンダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍ
から５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、
常温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００
ｍｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
【００４５】得られた成形体を、常圧の酸素中で１５０
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
【００４６】その結果、熱伝導率は９．１Ｗ／ｍＫであ
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は７．１０ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が７．０９ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１２ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
７．０９ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１１ｇ／ｃｍ3 であ
った。
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は７．１０ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が７．０９ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１２ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
７．０９ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１１ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００４７】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では９７％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±５％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成は全くみられな
かった。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では９７％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±５％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成は全くみられな
かった。
【００４８】（実施例５）原料粉末の粒度が、平均粒径
が０．４２μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が２．８％、０．８μｍ以上の粉末が６．３％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９０．９％
の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が２．３
μｍの酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バイ
ンダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍ
から５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、
常温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００
ｍｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
が０．４２μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が２．８％、０．８μｍ以上の粉末が６．３％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９０．９％
の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が２．３
μｍの酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バイ
ンダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍ
から５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、
常温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００
ｍｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
【００４９】得られた成形体を、常圧の酸素中で１５０
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
【００５０】その結果、熱伝導率は８．８Ｗ／ｍＫであ
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は７．０７ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が７．０５ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１０ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
７．０６ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０９ｇ／ｃｍ3 であ
った。
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は７．０７ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が７．０５ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１０ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
７．０６ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０９ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００５１】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では９４％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±６％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成はごく一部で見
られ、その領域は全体の０．４％の面積のみであった。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では９４％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±６％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成はごく一部で見
られ、その領域は全体の０．４％の面積のみであった。
【００５２】（実施例６）原料粉末の粒度が、平均粒径
が０．３０μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が４．２％、０．８μｍ以上の粉末が１０．２％、す
なわち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が８５．６
％の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が４．
５μｍの酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バ
インダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μ
ｍから５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用い
て、常温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４
００ｍｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
が０．３０μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が４．２％、０．８μｍ以上の粉末が１０．２％、す
なわち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が８５．６
％の酸化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が４．
５μｍの酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、成形用バ
インダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μ
ｍから５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用い
て、常温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４
００ｍｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
【００５３】得られた成形体を、常圧の酸素中で１５０
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
【００５４】その結果、熱伝導率は８．６Ｗ／ｍＫであ
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は７．１０ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が７．０２ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１２ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
７．００ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１３ｇ／ｃｍ3 であ
った。
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は７．１０ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が７．０２ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１２ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
７．００ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．１３ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００５５】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では８２％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±９％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成はターゲット面
の約８．６％の領域のみに観察された。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では８２％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±９％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成はターゲット面
の約８．６％の領域のみに観察された。
【００５６】なお、従来技術で製造された密度が７．０
０ｇ／ｃｍ3 のＩＴＯターゲットにより、スパッタリン
グして得られたＩＴＯ膜の成膜速度は、使用初期に対し
て使用末期では７０％以下であり、基板面内の膜厚分布
は±９〜１２％の範囲内であった。さらに、使用後のＩ
ＴＯターゲット面には、ノジュールの生成が５０％以上
の領域に観察された。
０ｇ／ｃｍ3 のＩＴＯターゲットにより、スパッタリン
グして得られたＩＴＯ膜の成膜速度は、使用初期に対し
て使用末期では７０％以下であり、基板面内の膜厚分布
は±９〜１２％の範囲内であった。さらに、使用後のＩ
ＴＯターゲット面には、ノジュールの生成が５０％以上
の領域に観察された。
【００５７】これに対して、実施例４から６のＩＴＯタ
ーゲットの密度は、７．０ｇ／ｃｍ 3 以上であり、スパ
ッタリングして得られたＩＴＯ膜の成膜速度は、使用初
期に対して使用末期では８２％以上であった。また、基
板面内の膜厚分布は±５〜９％の範囲内であった。さら
に、使用後のＩＴＯターゲットの表面の約８．６％以下
の領域でのみ、ノジュールの生成が観察された。
ーゲットの密度は、７．０ｇ／ｃｍ 3 以上であり、スパ
ッタリングして得られたＩＴＯ膜の成膜速度は、使用初
期に対して使用末期では８２％以上であった。また、基
板面内の膜厚分布は±５〜９％の範囲内であった。さら
に、使用後のＩＴＯターゲットの表面の約８．６％以下
の領域でのみ、ノジュールの生成が観察された。
【００５８】特に、任意の１ｃｍ四方の領域における密
度が、全体の平均密度に対し、±０．０３ｇ／ｃｍ3 の
範囲内にあり、任意の１ｍｍの厚さ領域における密度
が、全体の平均密度に対し、±０．０３ｇ／ｃｍ3 の範
囲内にある実施例４および５のＩＴＯターゲットにより
スパッタリングして得られたＩＴＯ膜の成膜速度は、使
用初期に対して使用末期では９４％以上であり、基板面
内の膜厚分布は±５〜６％の範囲内であった。
度が、全体の平均密度に対し、±０．０３ｇ／ｃｍ3 の
範囲内にあり、任意の１ｍｍの厚さ領域における密度
が、全体の平均密度に対し、±０．０３ｇ／ｃｍ3 の範
囲内にある実施例４および５のＩＴＯターゲットにより
スパッタリングして得られたＩＴＯ膜の成膜速度は、使
用初期に対して使用末期では９４％以上であり、基板面
内の膜厚分布は±５〜６％の範囲内であった。
【００５９】さらに、使用後のＩＴＯターゲットの表面
には、ノジュールの生成が約０．４０％以下の領域にの
み観察されており、本発明のＩＴＯターゲットが優秀で
あることを示している。
には、ノジュールの生成が約０．４０％以下の領域にの
み観察されており、本発明のＩＴＯターゲットが優秀で
あることを示している。
【００６０】（実施例７）原料粉末の粒度が、平均粒径
が０．３５μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が０．２％、０．８μｍ以上の粉末が４．２％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９５．６％
の酸化インジウム粉末を７０重量％、平均粒径が１．８
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が２．２
％の酸化錫粉末を３０重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
が０．３５μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が０．２％、０．８μｍ以上の粉末が４．２％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９５．６％
の酸化インジウム粉末を７０重量％、平均粒径が１．８
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が２．２
％の酸化錫粉末を３０重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
【００６１】得られた成形体を、常圧の酸素中で１５０
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
【００６２】その結果、熱伝導率は９．３Ｗ／ｍＫであ
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．９０ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．８８ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．９５ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．８６ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．９４ｇ／ｃｍ3 であ
った。
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．９０ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．８８ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．９５ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．８６ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．９４ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００６３】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では８８％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±５％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成はごくわずかな
領域で観察され、その面積は全体の２．５％のみであっ
た。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では８８％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±５％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成はごくわずかな
領域で観察され、その面積は全体の２．５％のみであっ
た。
【００６４】（実施例８）原料粉末の粒度が、平均粒径
が０．３８μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が２．２％、０．８μｍ以上の粉末が６．８％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９１．０％
の酸化インジウム粉末を６０重量％、平均粒径が２．１
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が４．２
％の酸化錫粉末を４０重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
が０．３８μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が２．２％、０．８μｍ以上の粉末が６．８％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９１．０％
の酸化インジウム粉末を６０重量％、平均粒径が２．１
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が４．２
％の酸化錫粉末を４０重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
【００６５】得られた成形体を、常圧の酸素中で１５０
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
【００６６】その結果、熱伝導率は８．９Ｗ／ｍＫであ
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．５２ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．５０ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．５６ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．４８ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．５５ｇ／ｃｍ3 であ
った。
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．５２ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．５０ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．５６ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．４８ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．５５ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００６７】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では７５％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±５％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成はわずかな領域
で観察され、その面積は全体の１２．４％のみであっ
た。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では７５％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±５％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成はわずかな領域
で観察され、その面積は全体の１２．４％のみであっ
た。
【００６８】（実施例９）原料粉末の粒度が、平均粒径
が０．３３μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が３．６％、０．８μｍ以上の粉末が６．３％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９０．１％
の酸化インジウム粉末を５５重量％、平均粒径が１．９
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が２．２
％の酸化錫粉末を４５重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
が０．３３μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉
末が３．６％、０．８μｍ以上の粉末が６．３％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が９０．１％
の酸化インジウム粉末を５５重量％、平均粒径が１．９
μｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が２．２
％の酸化錫粉末を４５重量％とを混合し、成形用バイン
ダーとしてＰＶＡを１重量％添加したのち、３０μｍか
ら５０μｍのサイズの粒子に整粒した顆粒を用いて、常
温において、２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、４００ｍ
ｍ×５００ｍｍ×１０ｍｍの成形体を得た。
【００６９】得られた成形体を、常圧の酸素中で１５０
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
０℃の温度に１０時間保持し、焼結を行った。昇温時の
成形体の温度分布は±１８℃の範囲内、１５００℃での
保持中は成形体の温度分布が±４℃の範囲内である。２
枚作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率
および密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
【００７０】その結果、熱伝導率は８．８Ｗ／ｍＫであ
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．６８ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．６５ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．７１ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．６６ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．７２ｇ／ｃｍ3 であ
った。
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．６８ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．６５ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．７１ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．６６ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．７２ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００７１】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では８１％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±５％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成はごくわずかな
領域で観察され、その面積は全体の９．４％のみであっ
た。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では８１％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±５％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット表
面を観察したところ、ノジュールの生成はごくわずかな
領域で観察され、その面積は全体の９．４％のみであっ
た。
【００７２】酸化錫が３０重量％含まれる従来のＩＴＯ
ターゲットの密度は、高々６．０ｇ／ｃｍ3 であり、ス
パッタリングして得られたＩＴＯ膜の成膜速度は、使用
初期に対して使用末期では６０％以下であった。また、
基板面内の膜厚分布は±８〜１２％の範囲内であった。
さらに、使用後のターゲット面には、ノジュールの生成
が５０％以上の領域に観察された。
ターゲットの密度は、高々６．０ｇ／ｃｍ3 であり、ス
パッタリングして得られたＩＴＯ膜の成膜速度は、使用
初期に対して使用末期では６０％以下であった。また、
基板面内の膜厚分布は±８〜１２％の範囲内であった。
さらに、使用後のターゲット面には、ノジュールの生成
が５０％以上の領域に観察された。
【００７３】これに対し、実施例７から９のＩＴＯター
ゲットの密度は、６．５２ｇ／ｃｍ 3 以上であり、スパ
ッタリングして得られたＩＴＯ膜の成膜速度は、使用初
期に対して使用末期では７５％以上であった。また、基
板面内の膜厚分布は±５％の範囲内であった。さらに、
使用後のＩＴＯターゲットの表面には、ノジュールの生
成が約１２．４０％以下の領域にのみ観察された。
ゲットの密度は、６．５２ｇ／ｃｍ 3 以上であり、スパ
ッタリングして得られたＩＴＯ膜の成膜速度は、使用初
期に対して使用末期では７５％以上であった。また、基
板面内の膜厚分布は±５％の範囲内であった。さらに、
使用後のＩＴＯターゲットの表面には、ノジュールの生
成が約１２．４０％以下の領域にのみ観察された。
【００７４】特に、任意の１ｃｍ四方の領域における密
度が、全体の平均密度に対し、±０．０５ｇ／ｃｍ3 の
範囲内にあり、任意の１ｍｍの厚さ領域における密度
が、全体の平均密度に対し、±０．０５ｇ／ｃｍ3 の範
囲内にあるので、スパッタリングして得られたＩＴＯ膜
の成膜速度は、前述のように高く、使用初期に対して使
用末期でも、高く維持されている。
度が、全体の平均密度に対し、±０．０５ｇ／ｃｍ3 の
範囲内にあり、任意の１ｍｍの厚さ領域における密度
が、全体の平均密度に対し、±０．０５ｇ／ｃｍ3 の範
囲内にあるので、スパッタリングして得られたＩＴＯ膜
の成膜速度は、前述のように高く、使用初期に対して使
用末期でも、高く維持されている。
【００７５】また、基板面内の膜厚分布は±５％の範囲
内であった。さらに、使用後のＩＴＯターゲットの表面
のノジュールの生成が低い。本発明では、酸化錫の割合
を多くしてコストを低く抑えても、スパッタリングに好
適なＩＴＯターゲットを提供することができた。
内であった。さらに、使用後のＩＴＯターゲットの表面
のノジュールの生成が低い。本発明では、酸化錫の割合
を多くしてコストを低く抑えても、スパッタリングに好
適なＩＴＯターゲットを提供することができた。
【００７６】（比較例１）原料粉末の粒度が、平均粒径
が０．６μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉末
が０．２％、０．８μｍ以上の粉末が１６．８％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が８３％の酸
化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が２．６μ
ｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が１１％の
酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、実施例１と同様の
方法で成型体を得て、実施例１と同様の方法で焼結し
た。
が０．６μｍ、粒度分布として、０．１μｍ以下の粉末
が０．２％、０．８μｍ以上の粉末が１６．８％、すな
わち０．１μｍ以上０．８μｍ以下の粉末が８３％の酸
化インジウム粉末を９０重量％、平均粒径が２．６μ
ｍ、粒度分布として、７．０μｍ以上の粉末が１１％の
酸化錫粉末を１０重量％とを混合し、実施例１と同様の
方法で成型体を得て、実施例１と同様の方法で焼結し
た。
【００７７】その結果、熱伝導率は７．２Ｗ／ｍＫ、Ｉ
ＴＯターゲット全体の密度は６．９８ｇ／ｃｍ3 であ
り、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小値が
６．９２ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０４ｇ／ｃｍ3 であ
った。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が６．９
６ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０４ｇ／ｃｍ3 であった。
ＴＯターゲット全体の密度は６．９８ｇ／ｃｍ3 であ
り、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小値が
６．９２ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０４ｇ／ｃｍ3 であ
った。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が６．９
６ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０４ｇ／ｃｍ3 であった。
【００７８】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、徐
々にパワーを上げながら、スパッタリング可能な最大パ
ワーを調べた。その結果、２０Ｗ／ｃｍ2 のパワーをか
けたところでＩＴＯターゲットの表面に割れが発生し
た。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、徐
々にパワーを上げながら、スパッタリング可能な最大パ
ワーを調べた。その結果、２０Ｗ／ｃｍ2 のパワーをか
けたところでＩＴＯターゲットの表面に割れが発生し
た。
【００７９】また、得られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚
分布を使用初期と末期とで測定したところ、成膜速度は
使用初期に対して使用末期では６６％であった。また、
基板面内の膜厚分布は±１０％の範囲内であった。使用
後、ＩＴＯターゲットの表面を観察したところ、面積全
体の５０％以上に、ノジュールが生成していた。
分布を使用初期と末期とで測定したところ、成膜速度は
使用初期に対して使用末期では６６％であった。また、
基板面内の膜厚分布は±１０％の範囲内であった。使用
後、ＩＴＯターゲットの表面を観察したところ、面積全
体の５０％以上に、ノジュールが生成していた。
【００８０】（比較例２）成形圧力が９００ｋｇ／ｃｍ
2 である他は、実施例１と同様にＩＴＯターゲットを作
成したところ、熱伝導率は６．７Ｗ／ｍＫであった。ま
た、ＩＴＯターゲット全体の密度は６．９８ｇ／ｃｍ3
であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小値
が６．９２ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０５ｇ／ｃｍ3 で
あった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が６．
９３ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０３ｇ／ｃｍ3 であっ
た。
2 である他は、実施例１と同様にＩＴＯターゲットを作
成したところ、熱伝導率は６．７Ｗ／ｍＫであった。ま
た、ＩＴＯターゲット全体の密度は６．９８ｇ／ｃｍ3
であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小値
が６．９２ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０５ｇ／ｃｍ3 で
あった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が６．
９３ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０３ｇ／ｃｍ3 であっ
た。
【００８１】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では６７％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±１０％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット
の表面を観察したところ、面積全体の３５％以上に、ノ
ジュールが生成していた。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では６７％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±１０％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット
の表面を観察したところ、面積全体の３５％以上に、ノ
ジュールが生成していた。
【００８２】（比較例３）実施例１と同様の成形体を、
酸素中で１０００〜１４００℃までの温度範囲を２．５
時間と、ゆっくり昇温させ、１４００℃の温度に１０時
間保持し、焼結を行った。昇温時の成形体の温度分布は
±１８℃の範囲内で、１４００℃での保持中は成形体の
温度分布が±４℃の範囲内である。２枚作成されたＩＴ
Ｏターゲットのうち、１枚を熱伝導率および密度分布の
測定に、１枚をスパッタリングに供した。
酸素中で１０００〜１４００℃までの温度範囲を２．５
時間と、ゆっくり昇温させ、１４００℃の温度に１０時
間保持し、焼結を行った。昇温時の成形体の温度分布は
±１８℃の範囲内で、１４００℃での保持中は成形体の
温度分布が±４℃の範囲内である。２枚作成されたＩＴ
Ｏターゲットのうち、１枚を熱伝導率および密度分布の
測定に、１枚をスパッタリングに供した。
【００８３】その結果、熱伝導率は６．５Ｗ／ｍＫであ
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．９９ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．９４ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０４ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．９３ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０４ｇ／ｃｍ3 であ
った。
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．９９ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．９４ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０４ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．９３ｇ／ｃｍ3 、最大値が７．０４ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００８４】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では６２％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±１５％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット
の表面を観察したところ、面積全体の５０％以上に、ノ
ジュールが生成していた。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では６２％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±１５％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット
の表面を観察したところ、面積全体の５０％以上に、ノ
ジュールが生成していた。
【００８５】（比較例４）実施例１と同様の成形体を、
酸素中で１０００〜１４００℃までの温度範囲を２時間
で昇温させ、１４００℃の温度に１０時間保持し、焼結
を行った。
酸素中で１０００〜１４００℃までの温度範囲を２時間
で昇温させ、１４００℃の温度に１０時間保持し、焼結
を行った。
【００８６】昇温時の成形体の温度分布は、本発明の±
２０℃の範囲を超えて、±２１℃の範囲内であり、１４
００℃での保持中は成形体の温度分布は、本発明の±１
０℃の範囲を超えて、±１１℃の範囲内であった。２枚
作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率お
よび密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
２０℃の範囲を超えて、±２１℃の範囲内であり、１４
００℃での保持中は成形体の温度分布は、本発明の±１
０℃の範囲を超えて、±１１℃の範囲内であった。２枚
作成されたＩＴＯターゲットのうち、１枚を熱伝導率お
よび密度分布の測定に、１枚をスパッタリングに供し
た。
【００８７】その結果、熱伝導率は６．０Ｗ／ｍＫであ
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．９３ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．８８ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．９９ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．８８ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．９８ｇ／ｃｍ3 であ
った。
った。ＩＴＯターゲット全体の密度は６．９３ｇ／ｃｍ
3 であり、任意の１ｃｍ四方の領域における密度は最小
値が６．８８ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．９９ｇ／ｃｍ3
であった。また、厚さ方向の密度ばらつきは最小値が
６．８８ｇ／ｃｍ3 、最大値が６．９８ｇ／ｃｍ3 であ
った。
【００８８】スパッタリングでは、ＩＴＯターゲットを
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では５５％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±１４％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット
表面を観察したところ、面積全体の８０％以上に、ノジ
ュールが生成していた。
バッキングプレートに接合後、ＤＣスパッタを行い、得
られたＩＴＯ膜の成膜速度、膜厚分布を使用初期と末期
とで測定したところ、成膜速度は使用初期に対して使用
末期では５５％であった。また、基板面内の膜厚分布は
±１４％の範囲内であった。使用後、ＩＴＯターゲット
表面を観察したところ、面積全体の８０％以上に、ノジ
ュールが生成していた。
【００８９】
【発明の効果】本発明によって、高濃度の酸化錫を含む
ＩＴＯターゲットにおいて、高密度のターゲットが得ら
れ、その結果、スパッタリング中のノジュールの生成が
少なく抑えられ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、ま
たはターゲット使用初期から使用末期までの成膜速度の
変化が小さいＩＴＯターゲットが提供される。
ＩＴＯターゲットにおいて、高密度のターゲットが得ら
れ、その結果、スパッタリング中のノジュールの生成が
少なく抑えられ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、ま
たはターゲット使用初期から使用末期までの成膜速度の
変化が小さいＩＴＯターゲットが提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南條 至 東京都青梅市末広町２−８−１ 住友金属 鉱山株式会社電子事業本部内 Ｆターム(参考） 4G030 AA34 AA39 BA02 BA15 BA21 GA01 GA05 GA25 GA28 4K029 BA50 BC09 CA05 DC05 DC09
Claims (6)
- 【請求項１】 組成が酸化錫２０重量％以下のインジウ
ム錫酸化物であり、平均密度が７．０ｇ／ｃｍ3 以上で
あり、密度のばらつきが平均密度に対し±０．０５ｇ／
ｃｍ3 の範囲内にあり、熱伝導率が８．０Ｗ／ｍＫ以上
であるＩＴＯターゲット。 - 【請求項２】 組成が酸化錫２０重量％を超え、かつ３
５重量％以下のインジウム錫酸化物であり、平均密度が
６．８ｇ／ｃｍ3 以上であり、密度のばらつきが平均密
度に対し±０．０５ｇ／ｃｍ3 の範囲内にあり、熱伝導
率が８．０Ｗ／ｍＫ以上であるＩＴＯターゲット。 - 【請求項３】 組成が酸化錫３５重量％を超えるインジ
ウム錫酸化物であり、平均密度が６．５ｇ／ｃｍ3 以上
であり、密度のばらつきが平均密度に対し±０．０５ｇ
／ｃｍ3 の範囲内にあり、熱伝導率が８．０Ｗ／ｍＫ以
上であるＩＴＯターゲット。 - 【請求項４】 平均粒径が０．５μｍ以下で、粒径０．
１μｍ以上０．８μｍ以下の粒子が８５重量％以上を占
める酸化インジウム粉末および酸化インジウム酸化錫合
成粉末からなる群より選ばれる一以上の粉末と、平均粒
径が２．５μｍ以下で、粒径７．０μｍ以上の粉末が１
０重量％以下を占める酸化錫粉末とを、所望比率で混合
した原料粉末を、１０００ｋｇ／ｃｍ2 以上の圧力で加
圧成形して成形体を得て、該成形体を常圧の酸素雰囲気
中で、１０００℃から１４００℃まで２時間以内で昇温
させ、昇温中は成形体の温度のばらつきを±２０℃の範
囲内とし、焼結保持温度を１４００℃〜１４５０℃と
し、焼結保持中の成形体の温度のばらつきを±１０℃の
範囲内として焼結することを特徴とするＩＴＯターゲッ
トの製造方法。 - 【請求項５】 加圧成形前の前記原料粉末を、平均粒径
１０μｍ以上の顆粒状に整粒する請求項４に記載のＩＴ
Ｏターゲットの製造方法。 - 【請求項６】 前記一以上の粉末の平均粒径が０．４μ
ｍ以下であることを特徴とする請求項４または５に記載
のＩＴＯターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24850699A JP2001073123A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | Ｉｔｏターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24850699A JP2001073123A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | Ｉｔｏターゲットおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002376321A Division JP3922178B2 (ja) | 2002-12-26 | 2002-12-26 | Ｉｔｏターゲットおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001073123A true JP2001073123A (ja) | 2001-03-21 |
Family
ID=17179205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24850699A Pending JP2001073123A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | Ｉｔｏターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001073123A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002099796A1 (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-stack optical data storage medium and use of such a medium |
| CN115482965A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-12-16 | 北京高压科学研究中心 | 一种提升透明导电氧化物电导率和蓝光过滤效率的方法 |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24850699A patent/JP2001073123A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002099796A1 (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-stack optical data storage medium and use of such a medium |
| CN115482965A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-12-16 | 北京高压科学研究中心 | 一种提升透明导电氧化物电导率和蓝光过滤效率的方法 |
| CN115482965B (zh) * | 2022-09-16 | 2024-06-04 | 北京高压科学研究中心 | 一种提升透明导电氧化物电导率和蓝光过滤效率的方法 |
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