JP2001068267A - 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 長寿命でかつ高品質な画像が得られる有機Ｅ
Ｌディスプレイ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１１上にストライプ状に並列配置さ
れた透明電極１２ａ、透明電極１２ａの発光部１２ｂ脇
に透明電極１２ａと交差するストライプ状に形成された
リブ１６、透明電極１２ａの各発光部１２ｂ上に設けら
れた有機発光層を有する有機層１７Ｇ、有機層１７Ｇを
介して透明電極１２ａの各発光部１２ｂ上に設けられた
陰極１８ａとを備えた有機ＥＬディスプレイにおいて、
リブ１６が無機材料からなることを特徴としている。
Ｌディスプレイ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１１上にストライプ状に並列配置さ
れた透明電極１２ａ、透明電極１２ａの発光部１２ｂ脇
に透明電極１２ａと交差するストライプ状に形成された
リブ１６、透明電極１２ａの各発光部１２ｂ上に設けら
れた有機発光層を有する有機層１７Ｇ、有機層１７Ｇを
介して透明電極１２ａの各発光部１２ｂ上に設けられた
陰極１８ａとを備えた有機ＥＬディスプレイにおいて、
リブ１６が無機材料からなることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬディスプ
レイ及びその製造方法に関し、特には複数の発光部を配
列形成してなる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法
に関する。
レイ及びその製造方法に関し、特には複数の発光部を配
列形成してなる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプ
ラズマディスプレイ（ＰＤＰ）を始めとしたフラットパ
ネルディスプレイの開発が盛んになっている。これらの
中でも特に、自発光型で高精細な表示が可能である方式
として、有機ＥＬ（Electroluminescence ）ディスプレ
イが注目されている。
ラズマディスプレイ（ＰＤＰ）を始めとしたフラットパ
ネルディスプレイの開発が盛んになっている。これらの
中でも特に、自発光型で高精細な表示が可能である方式
として、有機ＥＬ（Electroluminescence ）ディスプレ
イが注目されている。
【０００３】有機ＥＬは、文献「Appl.Phys.Lett.51,91
3(1987) 」に示されるように、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）／有機正孔輸送層／有機発光層／陰極という素子構
造を持つものとして、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって、１
９８７に提案されたことをきっかけとして一層広く研究
開発がなされるようになった。
3(1987) 」に示されるように、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）／有機正孔輸送層／有機発光層／陰極という素子構
造を持つものとして、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって、１
９８７に提案されたことをきっかけとして一層広く研究
開発がなされるようになった。
【０００４】図５には、有機ＥＬディスプレイの製造方
法の一例を説明するための断面工程図を示した。有機Ｅ
Ｌディスプレイを製造するには先ず、図５（ａ）に示す
ように、透明基板１上に、ストライプ状の陽極（透明電
極）２をパターン形成する。その後、リソグラフィー法
によって、陽極２と交差する方向に延設されたストライ
プ状のスペーサ３を、透明基板１上に形成する。このス
ペーサ３は、特開平８−３１５９８１号公報に記載され
ているように、フォトレジストやポリイミドを用いて断
面オーバーハング形状に形成される。次に、図５（ｂ）
に示すように、このスペーサ３上に載置した蒸着マスク
４上からの真空蒸着によって、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）に発光する低分子系の有機層（例えば有機正孔輸
送層と有機発光層との積層膜）５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを作り
分け、スペーサ３間に透明電極２と交差させた有機層５
Ｒ，５Ｇ，５Ｂを順次形成する。その後、図５（ｃ）に
示すように、スペーサ３を隔壁として陰極材料６を蒸着
し、各有機ＥＬ層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ上に陰極６ａを独立
形成する。また、ここでの図示は省略したが、陰極６ａ
上に有機層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの劣化を防ぐための絶縁性
保護膜を設けて有機ＥＬディスプレイを完成させる。
法の一例を説明するための断面工程図を示した。有機Ｅ
Ｌディスプレイを製造するには先ず、図５（ａ）に示す
ように、透明基板１上に、ストライプ状の陽極（透明電
極）２をパターン形成する。その後、リソグラフィー法
によって、陽極２と交差する方向に延設されたストライ
プ状のスペーサ３を、透明基板１上に形成する。このス
ペーサ３は、特開平８−３１５９８１号公報に記載され
ているように、フォトレジストやポリイミドを用いて断
面オーバーハング形状に形成される。次に、図５（ｂ）
に示すように、このスペーサ３上に載置した蒸着マスク
４上からの真空蒸着によって、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）に発光する低分子系の有機層（例えば有機正孔輸
送層と有機発光層との積層膜）５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを作り
分け、スペーサ３間に透明電極２と交差させた有機層５
Ｒ，５Ｇ，５Ｂを順次形成する。その後、図５（ｃ）に
示すように、スペーサ３を隔壁として陰極材料６を蒸着
し、各有機ＥＬ層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ上に陰極６ａを独立
形成する。また、ここでの図示は省略したが、陰極６ａ
上に有機層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの劣化を防ぐための絶縁性
保護膜を設けて有機ＥＬディスプレイを完成させる。
【０００５】このような方法によって得られる有機ＥＬ
ディスプレイは、各陰極６ａ間がスぺーサ３によって絶
縁され、各陰極６ａに独立して所定の電圧が印加される
ことにより、陰極６と陽極２との間に位置する有機層５
Ｒ，５Ｇ，５Ｂに電流が流れてこれらが発光し、フルカ
ラー表示を行うことが可能になる。
ディスプレイは、各陰極６ａ間がスぺーサ３によって絶
縁され、各陰極６ａに独立して所定の電圧が印加される
ことにより、陰極６と陽極２との間に位置する有機層５
Ｒ，５Ｇ，５Ｂに電流が流れてこれらが発光し、フルカ
ラー表示を行うことが可能になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、一般的な有
機ＥＬディスプレイにおいては、有機物による影響を受
けて有機層が劣化し易いといった問題がある。このた
め、上述のようにして得られた有機ＥＬディスプレイの
ように、フォトレジストやポリイミドからなるスペーサ
３がディスプレイ内に残された場合、このスペーサ３か
ら各有機層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを劣化させる有機物が放出
され、この有機物の影響によって有機層５Ｒ，５Ｇ，５
Ｂにおける発光効率の低下、低寿命化、さらには発光部
に非発光エリア（いわゆるダークスポット）が発生する
等の不具合が生じ易くなる。
機ＥＬディスプレイにおいては、有機物による影響を受
けて有機層が劣化し易いといった問題がある。このた
め、上述のようにして得られた有機ＥＬディスプレイの
ように、フォトレジストやポリイミドからなるスペーサ
３がディスプレイ内に残された場合、このスペーサ３か
ら各有機層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを劣化させる有機物が放出
され、この有機物の影響によって有機層５Ｒ，５Ｇ，５
Ｂにおける発光効率の低下、低寿命化、さらには発光部
に非発光エリア（いわゆるダークスポット）が発生する
等の不具合が生じ易くなる。
【０００７】そこで本発明は、長寿命でかつ高品質な画
像が得られる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を
提供することを目的とする。
像が得られる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の有機ＥＬディスプレイは、基板上にス
トライプ状に並列配置された第１電極、この第１電極の
発光部を露出させる位置に立設された複数のリブ、第１
電極の各発光部上に設けられた有機発光層を有する有機
層、及びこの有機層を介して第１電極の各発光部上に設
けられた第２電極を備えており、前記リブが無機材料か
らなることを特徴としている。
るための本発明の有機ＥＬディスプレイは、基板上にス
トライプ状に並列配置された第１電極、この第１電極の
発光部を露出させる位置に立設された複数のリブ、第１
電極の各発光部上に設けられた有機発光層を有する有機
層、及びこの有機層を介して第１電極の各発光部上に設
けられた第２電極を備えており、前記リブが無機材料か
らなることを特徴としている。
【０００９】このような構成の有機ＥＬディスプレイで
は、発光部脇に立設されたリブを無機材料で構成したこ
とで、このリブから有機物が放出されることはなく、有
機物による有機層の劣化が防止される。
は、発光部脇に立設されたリブを無機材料で構成したこ
とで、このリブから有機物が放出されることはなく、有
機物による有機層の劣化が防止される。
【００１０】また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製
造方法は、基板上に第１電極をストライプ状にパターン
形成し、第１電極の発光部を露出させる位置に無機材料
からなる複数のリブを立設した後、リブ上からの成膜に
よって記第１電極の受光部上に有機発光層を有する有機
層を形成し、次いでリブ上からの成膜によって第１電極
の受光部上に有機層を介して第２電極を形成することを
特徴としている。
造方法は、基板上に第１電極をストライプ状にパターン
形成し、第１電極の発光部を露出させる位置に無機材料
からなる複数のリブを立設した後、リブ上からの成膜に
よって記第１電極の受光部上に有機発光層を有する有機
層を形成し、次いでリブ上からの成膜によって第１電極
の受光部上に有機層を介して第２電極を形成することを
特徴としている。
【００１１】このような製造方法では、有機層及び第２
電極を形成する際にマスクとなるリブが無機材料で形成
されるため、基板上に残されたリブから有機物が放出さ
れることはなく、有機物による有機層の劣化を防止でき
る有機ＥＬディスプレイが得られる。
電極を形成する際にマスクとなるリブが無機材料で形成
されるため、基板上に残されたリブから有機物が放出さ
れることはなく、有機物による有機層の劣化を防止でき
る有機ＥＬディスプレイが得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の有機ＥＬディスプ
レイ及びその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳
細に説明する。図１は本発明の有機ＥＬディスプレイの
一例を示す断面図であり、図２はこの有機ＥＬディスプ
レイの要部を切り欠いた平面図であり、図３は図１及び
図２に示した有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明す
るための断面工程図である。尚、図１及び図３は、図２
のＡ−Ａ’断面に対応している。
レイ及びその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳
細に説明する。図１は本発明の有機ＥＬディスプレイの
一例を示す断面図であり、図２はこの有機ＥＬディスプ
レイの要部を切り欠いた平面図であり、図３は図１及び
図２に示した有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明す
るための断面工程図である。尚、図１及び図３は、図２
のＡ−Ａ’断面に対応している。
【００１３】この実施形態においては、有機ＥＬディス
プレイとして、単純マトリクス型のフルカラーディスプ
レイを例に取り、その構成を製造工程順に説明する。
プレイとして、単純マトリクス型のフルカラーディスプ
レイを例に取り、その構成を製造工程順に説明する。
【００１４】先ず、図３（ａ）に示すように、透光性を
有する材料からなる透明な基板１１を用意する。この基
板１１は、材質、厚さ、サイズなどが特に限定されるこ
とはなく、例えば、ガラスや、透光性を有するポリエス
テルフィルムのような有機高分子材料等を用いることが
できる。
有する材料からなる透明な基板１１を用意する。この基
板１１は、材質、厚さ、サイズなどが特に限定されるこ
とはなく、例えば、ガラスや、透光性を有するポリエス
テルフィルムのような有機高分子材料等を用いることが
できる。
【００１５】次に、この基板１１上に第１電極を構成す
る透明導電材料層１２を成膜する。この透明導電材料層
１２は、導電性の高いものが望ましく、例えば酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）や酸化錫（ＳｎＯ2 ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）等が用いられる。ここでは、一例としてＩＴ
Ｏを用いることとする。透明導電材料層１１の成膜方法
は、特に限定されることはないが、ＤＣスパッタ法やＲ
Ｆマグネトロンスパッタ法、さらにはＣＶＤ法や反応性
真空蒸着法等によって成膜することができる。
る透明導電材料層１２を成膜する。この透明導電材料層
１２は、導電性の高いものが望ましく、例えば酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）や酸化錫（ＳｎＯ2 ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）等が用いられる。ここでは、一例としてＩＴ
Ｏを用いることとする。透明導電材料層１１の成膜方法
は、特に限定されることはないが、ＤＣスパッタ法やＲ
Ｆマグネトロンスパッタ法、さらにはＣＶＤ法や反応性
真空蒸着法等によって成膜することができる。
【００１６】次に、この透明導電材料層１２をストライ
プ状、すなわちマトリクスタイプのディスプレイのデー
タ線用のパターン形状にパターニングし、この透明導電
材料層１２からなる透明電極１２ａを第１電極として形
成する。通常、線順次走査方式のフラットディスプレイ
の場合、電気抵抗の高い透明電極１２ａを大電流の流れ
る走査線側に用いることはなく、この透明電極１２ａ
は、垂直方向のデータ線として形成されると共に、後に
形成する有機層に対する陽極として用いられる。
プ状、すなわちマトリクスタイプのディスプレイのデー
タ線用のパターン形状にパターニングし、この透明導電
材料層１２からなる透明電極１２ａを第１電極として形
成する。通常、線順次走査方式のフラットディスプレイ
の場合、電気抵抗の高い透明電極１２ａを大電流の流れ
る走査線側に用いることはなく、この透明電極１２ａ
は、垂直方向のデータ線として形成されると共に、後に
形成する有機層に対する陽極として用いられる。
【００１７】また、透明導電材料層１２のパターニング
方法は、特に限定されることはないが、透明電極１２ａ
のエッジがテーパ形状に成形されるパターニング方法が
望ましい。このようなパターニング方法の一例として、
レジストパターンをマスクにして、塩酸（ＨＣｌ）と硝
酸（ＨＮＯ3 ）との混酸を用いたウェットエッチングを
行うことができる。
方法は、特に限定されることはないが、透明電極１２ａ
のエッジがテーパ形状に成形されるパターニング方法が
望ましい。このようなパターニング方法の一例として、
レジストパターンをマスクにして、塩酸（ＨＣｌ）と硝
酸（ＨＮＯ3 ）との混酸を用いたウェットエッチングを
行うことができる。
【００１８】次に、図３（ｂ）に示すように、透明電極
１２ａを覆う状態で無機絶縁膜１３を形成する。この無
機絶縁膜１３としては、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 また
はＳｉＯx ）、窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ4 またはＳｉ
Ｎx ）、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯx Ｎy ）等が用い
られる。
１２ａを覆う状態で無機絶縁膜１３を形成する。この無
機絶縁膜１３としては、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 また
はＳｉＯx ）、窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ4 またはＳｉ
Ｎx ）、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯx Ｎy ）等が用い
られる。
【００１９】このような無機絶縁膜１３の成膜方法は、
特に限定されることはなく、プラズマＣＶＤ法、回転塗
布法さらにはゾル−ゲル法などの湿式法によって成膜さ
れる。
特に限定されることはなく、プラズマＣＶＤ法、回転塗
布法さらにはゾル−ゲル法などの湿式法によって成膜さ
れる。
【００２０】そのなかでも、プラズマＣＶＤ法を採用し
た場合、原料ガスは特に限定されるものではないが、Ｔ
ＥＯＳ（Tetraethoxy silane）等の液体ソースを蒸気化
して成膜させるＴＥＯＳプラズマＣＶＤ法による成膜を
行うことができる。特に、下地の透明電極１２ａがＩＴ
Ｏからなる場合には、無機絶縁膜１３の成膜に際して透
明電極１２ａが長時間プラズマに晒されると、得られる
有機ＥＬ素子のしきい値電圧が上昇する傾向があること
からこれを注意けなければならない。このため、ＴＥＯ
ＳプラズマＣＶＤ法による成膜は、下地へのダメージの
少ないという点で有利である。
た場合、原料ガスは特に限定されるものではないが、Ｔ
ＥＯＳ（Tetraethoxy silane）等の液体ソースを蒸気化
して成膜させるＴＥＯＳプラズマＣＶＤ法による成膜を
行うことができる。特に、下地の透明電極１２ａがＩＴ
Ｏからなる場合には、無機絶縁膜１３の成膜に際して透
明電極１２ａが長時間プラズマに晒されると、得られる
有機ＥＬ素子のしきい値電圧が上昇する傾向があること
からこれを注意けなければならない。このため、ＴＥＯ
ＳプラズマＣＶＤ法による成膜は、下地へのダメージの
少ないという点で有利である。
【００２１】また、無機絶縁膜１３としては、酸化アル
ミニウム（Ａｌx Ｏy ）やアルミニウム合金の酸化物を
用いることができる。この場合の無機絶縁膜１３の形成
方法としては、アルミニウム膜を成膜してこれをシュウ
酸などの溶液中で陽極酸化させることにより、酸化アル
ミニウム皮膜を形成してこれを無機絶縁膜１３とする方
法を採用することができる。この際、電解条件によって
多孔質状の無機絶縁膜１３を得ることができる。そし
て、この孔の径を変えることにより、無機絶縁膜１３
を、可視領域の光に対する良好な吸収体にすることがで
きるのである。また、これをされに封孔処理することに
より、様々な色に発色した色アルマイトにすることがで
きる。
ミニウム（Ａｌx Ｏy ）やアルミニウム合金の酸化物を
用いることができる。この場合の無機絶縁膜１３の形成
方法としては、アルミニウム膜を成膜してこれをシュウ
酸などの溶液中で陽極酸化させることにより、酸化アル
ミニウム皮膜を形成してこれを無機絶縁膜１３とする方
法を採用することができる。この際、電解条件によって
多孔質状の無機絶縁膜１３を得ることができる。そし
て、この孔の径を変えることにより、無機絶縁膜１３
を、可視領域の光に対する良好な吸収体にすることがで
きるのである。また、これをされに封孔処理することに
より、様々な色に発色した色アルマイトにすることがで
きる。
【００２２】特に、黒アルマイトにすることで、これか
ら得られる無機絶縁膜１３により、基板１１に沿ったル
ミネッセンスの導波成分を抑えることができ、また、外
光反射成分を抑制することもできるので、高コントラス
トでかつクロストークのない高精細な表示を得ることが
できるようになる。つまり、このようなクロアルマイト
からなる無機絶縁膜１３を用いれば、この無機絶縁膜１
３がブラックマトリクスの機能も有するようになるので
ある。なお、シリコン含有のアルミニウム合金を陽極酸
化することで、アルミニウム合金の酸化物からなる無機
絶縁膜１３を形成した場合には、特に封孔処理を施さな
くても十分に黒化したアルマイト皮膜を得ることができ
る。
ら得られる無機絶縁膜１３により、基板１１に沿ったル
ミネッセンスの導波成分を抑えることができ、また、外
光反射成分を抑制することもできるので、高コントラス
トでかつクロストークのない高精細な表示を得ることが
できるようになる。つまり、このようなクロアルマイト
からなる無機絶縁膜１３を用いれば、この無機絶縁膜１
３がブラックマトリクスの機能も有するようになるので
ある。なお、シリコン含有のアルミニウム合金を陽極酸
化することで、アルミニウム合金の酸化物からなる無機
絶縁膜１３を形成した場合には、特に封孔処理を施さな
くても十分に黒化したアルマイト皮膜を得ることができ
る。
【００２３】以上のようにして無機絶縁膜１３を成膜し
た後、リソグラフィー法によって形成したレジストパタ
ーンをマスクに用いたエッチングによって、各画素の発
光部に対応する透明電極１２ａ上の無機絶縁膜１３部分
をエッチング除去して無機絶縁膜１３に開口部１３ａを
形成する。これいよって、各画素毎に透明電極１２ａの
発光部１２ｂを露出させる。
た後、リソグラフィー法によって形成したレジストパタ
ーンをマスクに用いたエッチングによって、各画素の発
光部に対応する透明電極１２ａ上の無機絶縁膜１３部分
をエッチング除去して無機絶縁膜１３に開口部１３ａを
形成する。これいよって、各画素毎に透明電極１２ａの
発光部１２ｂを露出させる。
【００２４】この際、無機絶縁膜１３が酸化シリコンや
窒化シリコン等からなる場合には、４フッ化メタン（Ｃ
Ｆ4 ）等のフッ素系のエッチングガスを用いたＲＩＥ
（Ｒeactive Ion Etching ：反応性イオンエッチング）
のようなプラズマエッチングを採用することで、ＩＴＯ
からなる下地の透明電極１２ａに対して十分な選択比で
無機絶縁膜１３をエッチングすることができ、透明電極
１２ａをほとんどエッチングすることなく無機絶縁膜１
３に開口部１３ａが形成される。
窒化シリコン等からなる場合には、４フッ化メタン（Ｃ
Ｆ4 ）等のフッ素系のエッチングガスを用いたＲＩＥ
（Ｒeactive Ion Etching ：反応性イオンエッチング）
のようなプラズマエッチングを採用することで、ＩＴＯ
からなる下地の透明電極１２ａに対して十分な選択比で
無機絶縁膜１３をエッチングすることができ、透明電極
１２ａをほとんどエッチングすることなく無機絶縁膜１
３に開口部１３ａが形成される。
【００２５】ただし、以降の工程で無機絶縁膜１３上に
形成される陰極の断線を抑えるために、無機絶縁膜１３
の側壁をテーパ形状にするには、エッチングガスに若干
の酸素（Ｏ2 ）を混合する。これいよって、レジストパ
ターンのエッチングレートを上げ、側壁保護膜を形成し
ながら無機絶縁膜１３をエッチングを行い、エッチング
側壁（すなわち無機絶縁膜１３の側壁）をテーパ形状に
するのである。
形成される陰極の断線を抑えるために、無機絶縁膜１３
の側壁をテーパ形状にするには、エッチングガスに若干
の酸素（Ｏ2 ）を混合する。これいよって、レジストパ
ターンのエッチングレートを上げ、側壁保護膜を形成し
ながら無機絶縁膜１３をエッチングを行い、エッチング
側壁（すなわち無機絶縁膜１３の側壁）をテーパ形状に
するのである。
【００２６】尚、酸化シリコンや窒化シリコンからなる
無機絶縁膜１３のエッチングは、上述のＲＩＥ等のドラ
イエッチングに限定されることはなく、フッ酸系のエッ
チング液を用いたウェットエッチングを採用しても良
い。
無機絶縁膜１３のエッチングは、上述のＲＩＥ等のドラ
イエッチングに限定されることはなく、フッ酸系のエッ
チング液を用いたウェットエッチングを採用しても良
い。
【００２７】また、無機絶縁膜１３が酸化アルミニウム
やアルミニウム合金の酸化物からなる場合には、無機絶
縁膜１３を形成するための陽極酸化を行う前に、酸化ア
ルミニウムやアルミニウム合金をパターニングしておく
ことが好ましい。これは、この無機絶縁膜１３を構成す
る酸化物のエッチングでは、高温のリン酸よるウェット
エッチングが行われるが、この酸化物をパターニングし
ようとした場合、マスクとなるレジストパターンがもた
ず、酸化物のパターニングが困難になるからである。
やアルミニウム合金の酸化物からなる場合には、無機絶
縁膜１３を形成するための陽極酸化を行う前に、酸化ア
ルミニウムやアルミニウム合金をパターニングしておく
ことが好ましい。これは、この無機絶縁膜１３を構成す
る酸化物のエッチングでは、高温のリン酸よるウェット
エッチングが行われるが、この酸化物をパターニングし
ようとした場合、マスクとなるレジストパターンがもた
ず、酸化物のパターニングが困難になるからである。
【００２８】次に、図３（ｃ）に示すように、開口部１
３ａ脇（すなわち透明電極１２ａの発光部１２ｂ脇）の
無機絶縁膜１３上に、透明電極１２ａと直交するストラ
イプ状に、下層１４と上層１５とからなるリブ１６を形
成する。このリブ１６は、０．５μｍ〜１０μｍ程度の
高さを有し、無機材料からなると共に、上層１５に対し
て下層１４がアンダーカットされ、上層１５が開口部１
３ａ方向に張り出した断面オーバーハング形状に成形さ
れる。尚、このリブ１６の形成手順は、図３を用いて有
機ＥＬディスプレイの製造方法を説明した後に、図４を
用いて詳細に説明することとする。
３ａ脇（すなわち透明電極１２ａの発光部１２ｂ脇）の
無機絶縁膜１３上に、透明電極１２ａと直交するストラ
イプ状に、下層１４と上層１５とからなるリブ１６を形
成する。このリブ１６は、０．５μｍ〜１０μｍ程度の
高さを有し、無機材料からなると共に、上層１５に対し
て下層１４がアンダーカットされ、上層１５が開口部１
３ａ方向に張り出した断面オーバーハング形状に成形さ
れる。尚、このリブ１６の形成手順は、図３を用いて有
機ＥＬディスプレイの製造方法を説明した後に、図４を
用いて詳細に説明することとする。
【００２９】次に、図３（ｄ）に示すように、リブ１６
をスペーサとして基板１１上にマスク（図示省略）を配
置し、このマスク上からの成膜によって、開口部１３ａ
内に有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを形成する。ここで
は、マスクの移動、交換と成膜とを順次繰り返すことに
よって、赤色（Ｒ）を発光する有機発光層１７Ｒ、緑色
（Ｇ）を発光する有機発光層１７Ｇ及び青色（Ｂ）を発
光する有機発光層１７Ｂを、それぞれ透明電極１２ａに
沿ってパターン形成する。この際、透明電極１２ａの発
光部１２ｂが、完全に有機発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７
Ｂで覆われるように成膜を行うこととする。
をスペーサとして基板１１上にマスク（図示省略）を配
置し、このマスク上からの成膜によって、開口部１３ａ
内に有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを形成する。ここで
は、マスクの移動、交換と成膜とを順次繰り返すことに
よって、赤色（Ｒ）を発光する有機発光層１７Ｒ、緑色
（Ｇ）を発光する有機発光層１７Ｇ及び青色（Ｂ）を発
光する有機発光層１７Ｂを、それぞれ透明電極１２ａに
沿ってパターン形成する。この際、透明電極１２ａの発
光部１２ｂが、完全に有機発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７
Ｂで覆われるように成膜を行うこととする。
【００３０】各色の有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂは、
有機正孔輸送層（図示省略）やこの上面の有機発光層
（図示省略）等の積層膜からなる。また、各色の有機層
１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの形成順や配置順、その材料の
種類、構成、膜厚、色素のドーピング形態等については
特に限定されることはない。例えば、緑色を発光する有
機層１７Ｇとしては、ＴＰＤやα−ＮＰＤなどからなる
有機正孔輸送層上に、Ａｌｑ3 からなる電子輸送層をか
ねた有機発光層を積層させた２層構造のものが用いられ
る。また、発光色によっては、適当な色素をドーピング
させたＡｌｑで有機発光層を構成する。これらの材料
は、低分子有機材料であるため、真空蒸着法によって成
膜することができる。
有機正孔輸送層（図示省略）やこの上面の有機発光層
（図示省略）等の積層膜からなる。また、各色の有機層
１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの形成順や配置順、その材料の
種類、構成、膜厚、色素のドーピング形態等については
特に限定されることはない。例えば、緑色を発光する有
機層１７Ｇとしては、ＴＰＤやα−ＮＰＤなどからなる
有機正孔輸送層上に、Ａｌｑ3 からなる電子輸送層をか
ねた有機発光層を積層させた２層構造のものが用いられ
る。また、発光色によっては、適当な色素をドーピング
させたＡｌｑで有機発光層を構成する。これらの材料
は、低分子有機材料であるため、真空蒸着法によって成
膜することができる。
【００３１】尚、膜構成によっては、各色素がドーピン
グされた有機発光層のみをマスクを用いてパターン形成
し、その他の膜はマスクを用いずに一括成膜しても良
い。さらに、発光色は、ＲＧＢ３色に限定されることは
なく、他の発光色の組み合わせであっても良い。
グされた有機発光層のみをマスクを用いてパターン形成
し、その他の膜はマスクを用いずに一括成膜しても良
い。さらに、発光色は、ＲＧＢ３色に限定されることは
なく、他の発光色の組み合わせであっても良い。
【００３２】以上の後、図１に示したように、リブ１６
をマスクにして導電性材料１８を一括成膜することによ
って、リブ１６間の基板１１上にこの導電性材料１８か
らなる陰極１８ａを第２電極として形成する。この陰極
１８ａは、リブ１６をマスクにして形成されていること
から、開口部１３ａ上に、透明電極１２ａに対して交差
するストライプ状に形成され、有機ＥＬディスプレイの
走査線として用いられる。
をマスクにして導電性材料１８を一括成膜することによ
って、リブ１６間の基板１１上にこの導電性材料１８か
らなる陰極１８ａを第２電極として形成する。この陰極
１８ａは、リブ１６をマスクにして形成されていること
から、開口部１３ａ上に、透明電極１２ａに対して交差
するストライプ状に形成され、有機ＥＬディスプレイの
走査線として用いられる。
【００３３】また、ここでは、陰極１８ａ表面の高さ
が、リブ１６の下層１４の表面高さよりも低く抑えられ
るようにする。これによって、陰極１８ａ形成のための
成膜の際にリブ１６の上層１５の側壁に付着した導電性
材料１８によって、陰極１８ａがショートすることを防
止でき、電気的に絶縁されたストライプ状に陰極１８ａ
を形成することができる。
が、リブ１６の下層１４の表面高さよりも低く抑えられ
るようにする。これによって、陰極１８ａ形成のための
成膜の際にリブ１６の上層１５の側壁に付着した導電性
材料１８によって、陰極１８ａがショートすることを防
止でき、電気的に絶縁されたストライプ状に陰極１８ａ
を形成することができる。
【００３４】陰極１５を構成する材料としては、アルミ
ニウムが用いられるがこれに限定されるものではなく、
例えばアルミニウムにリチウム（Ｌｉ）を適当な方法で
ドーピングした材料や、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａ
ｇ）合金などの周期表２Ａ族系の金属を含有する合金を
用いても良い。これらの材料は、いずれも仕事関数が低
く、有機１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを構成する有機発光層
における発光のしきい値電圧を下げる効果を有してい
る。また、陰極１５を形成するための成膜方法は限定さ
れることはなく、例えば真空蒸着法、スパッタ法等が用
いられる。
ニウムが用いられるがこれに限定されるものではなく、
例えばアルミニウムにリチウム（Ｌｉ）を適当な方法で
ドーピングした材料や、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａ
ｇ）合金などの周期表２Ａ族系の金属を含有する合金を
用いても良い。これらの材料は、いずれも仕事関数が低
く、有機１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを構成する有機発光層
における発光のしきい値電圧を下げる効果を有してい
る。また、陰極１５を形成するための成膜方法は限定さ
れることはなく、例えば真空蒸着法、スパッタ法等が用
いられる。
【００３５】以上の後、ここでの図示は省略したが、画
素部（表示部１２ｂが配置された領域）の周辺に、ドラ
イバー回路との接続のための取り出し電極部を設けた
り、有機発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂが空気中の酸素
や水分に触れないようにこれらを保護するため、例えば
低温で低ダメージの成膜が可能な材料によってオーバー
コート用の絶縁性保護膜を形成し、有機ＥＬディスプレ
イを完成させる。
素部（表示部１２ｂが配置された領域）の周辺に、ドラ
イバー回路との接続のための取り出し電極部を設けた
り、有機発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂが空気中の酸素
や水分に触れないようにこれらを保護するため、例えば
低温で低ダメージの成膜が可能な材料によってオーバー
コート用の絶縁性保護膜を形成し、有機ＥＬディスプレ
イを完成させる。
【００３６】次に、図４の断面図を用いてリブの形成方
法の一例を説明する。
法の一例を説明する。
【００３７】先ず、図３（ａ）、図３（ｂ）を用いて説
明したようにして、基板１１上に透明電極１２ａを形成
し、これを覆う無機絶縁膜１３に開口部１３ａを形成し
て透明電極１２ａの表示部１２ｂを露出させる工程まで
を行う。その後、図４（ａ）に示すように、開口部１３
ａが形成された無機絶縁膜１３上に、クロム（Ｃｒ）か
らなる下層１４を１μｍの膜厚に形成し、さらにこの上
面に酸化シリコンからなる上層１５を４μｍの膜厚に形
成する。また、この上層１５上に、エッチングマスクと
なるクロム層２０を０．２μｍの膜厚に形成する。
明したようにして、基板１１上に透明電極１２ａを形成
し、これを覆う無機絶縁膜１３に開口部１３ａを形成し
て透明電極１２ａの表示部１２ｂを露出させる工程まで
を行う。その後、図４（ａ）に示すように、開口部１３
ａが形成された無機絶縁膜１３上に、クロム（Ｃｒ）か
らなる下層１４を１μｍの膜厚に形成し、さらにこの上
面に酸化シリコンからなる上層１５を４μｍの膜厚に形
成する。また、この上層１５上に、エッチングマスクと
なるクロム層２０を０．２μｍの膜厚に形成する。
【００３８】これらの各層の成膜方法は、特に限定され
ることはないが、下層１４とクロム層２０は、スパッタ
法、ＥＢ加熱による真空蒸着法等によって成膜される。
また、酸化シリコンからなる上層１５は、ＴＥＯＳプラ
ズマＣＶＤ法や、シラン（ＳｉＨ4 ）と酸素（Ｏ2 ）、
またはシラン（ＳｉＨ4 ）と一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）を
用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜される。ただし、
リブの高さが高くなればなるほど、下地に対して応力緩
和が成されるように、リブを構成する材料の成膜方法及
び成膜条件を選択することが望まれる。
ることはないが、下層１４とクロム層２０は、スパッタ
法、ＥＢ加熱による真空蒸着法等によって成膜される。
また、酸化シリコンからなる上層１５は、ＴＥＯＳプラ
ズマＣＶＤ法や、シラン（ＳｉＨ4 ）と酸素（Ｏ2 ）、
またはシラン（ＳｉＨ4 ）と一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）を
用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜される。ただし、
リブの高さが高くなればなるほど、下地に対して応力緩
和が成されるように、リブを構成する材料の成膜方法及
び成膜条件を選択することが望まれる。
【００３９】次に、図４（ｂ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー法によって、クロム層２０上にレジストパ
ターン２１を形成する。このレジストパターン２１は、
リブのパターン、すなわち透明電極１２ａの発光部１２
ｂ脇に透明電極１２ａと交差するストライプ状に形成さ
れる。
ソグラフィー法によって、クロム層２０上にレジストパ
ターン２１を形成する。このレジストパターン２１は、
リブのパターン、すなわち透明電極１２ａの発光部１２
ｂ脇に透明電極１２ａと交差するストライプ状に形成さ
れる。
【００４０】次いで、このレジストパターン２１をマス
クに用いてクロム層２０をエッチングする。このエッチ
ングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングの
どちらでも良いが、微細な寸法精度が要求されるような
リブパターンであるならば、好ましくは垂直加工精度の
高いＲＩＥにて行うこととする。この際、エッチングガ
スとしては、塩素ガス（Ｃｌ2 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）と
の混合ガスを用いることができるが、その他のガスであ
っても良い。
クに用いてクロム層２０をエッチングする。このエッチ
ングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングの
どちらでも良いが、微細な寸法精度が要求されるような
リブパターンであるならば、好ましくは垂直加工精度の
高いＲＩＥにて行うこととする。この際、エッチングガ
スとしては、塩素ガス（Ｃｌ2 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）と
の混合ガスを用いることができるが、その他のガスであ
っても良い。
【００４１】その後、クロム層２０をマスクにして酸化
シリコンからなる上層１５をエッチングする。この際、
例えば、エッチングガスに８フッ化シクロブタンガス
（Ｃ4Ｆ8 ）を用いたＲＩＥを行うが、これに限定され
ることはなく、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Ｒesonan
ce）プラズマエッチングやＮＬＤ（Neutral Line Disch
arge）プラズマエッチングのような高密度プラズマを用
いたドライエッチングでも良い。また、エッチングガス
も、Ｃ4 Ｆ8 に限定されることはなく、４フッ化メタン
（ＣＦ4 ）とＯ2 との混合ガスを用いても良い。
シリコンからなる上層１５をエッチングする。この際、
例えば、エッチングガスに８フッ化シクロブタンガス
（Ｃ4Ｆ8 ）を用いたＲＩＥを行うが、これに限定され
ることはなく、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Ｒesonan
ce）プラズマエッチングやＮＬＤ（Neutral Line Disch
arge）プラズマエッチングのような高密度プラズマを用
いたドライエッチングでも良い。また、エッチングガス
も、Ｃ4 Ｆ8 に限定されることはなく、４フッ化メタン
（ＣＦ4 ）とＯ2 との混合ガスを用いても良い。
【００４２】次に、図４（ｃ）に示すように、クロム層
（２０）や上層１５のエッチングの際に飛散したレジス
トパターン成分、レジストパターンの残渣、さらにはＣ
4 Ｆ8 のようなエッチングガスによって生じた有機体積
物を基板１１上から除去するために、酸素プラズマを用
いたアッシング処理を行う。これによって、有機物質が
基板１１上に残ることを防止する。尚、図４（ｂ）を用
いて説明したクロム層２０や上層１５のエッチングが、
ウェットエッチングによって行われる場合には、ここで
のアッシング処理は必ずしも必要ではない。
（２０）や上層１５のエッチングの際に飛散したレジス
トパターン成分、レジストパターンの残渣、さらにはＣ
4 Ｆ8 のようなエッチングガスによって生じた有機体積
物を基板１１上から除去するために、酸素プラズマを用
いたアッシング処理を行う。これによって、有機物質が
基板１１上に残ることを防止する。尚、図４（ｂ）を用
いて説明したクロム層２０や上層１５のエッチングが、
ウェットエッチングによって行われる場合には、ここで
のアッシング処理は必ずしも必要ではない。
【００４３】以上の後、図４（ｄ）に示すように、上層
１５をマスクに用いて下層１４を等方性エッチングす
る。この際、例えば、エッチング液として硝酸第二セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶液を用いたウ
ェットエッチングを行う。ウェットエッチングは等方的
なエッチングであり、深さ方向だけではなく横方向にも
エッチングが進行するため、パターニングされた上層１
５下の下層１４のサイドエッチングが進んでアンダーカ
ットが生じた状態になる。このため、これらの下層１４
と上層１５で構成されたリブ１６は、側壁がオーバーハ
ング形状に成形されたものになる。またこのエッチング
においては、上層１５上にクロム層（２０）が残ってい
た場合、このクロム層も同時に除去されることになる。
１５をマスクに用いて下層１４を等方性エッチングす
る。この際、例えば、エッチング液として硝酸第二セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶液を用いたウ
ェットエッチングを行う。ウェットエッチングは等方的
なエッチングであり、深さ方向だけではなく横方向にも
エッチングが進行するため、パターニングされた上層１
５下の下層１４のサイドエッチングが進んでアンダーカ
ットが生じた状態になる。このため、これらの下層１４
と上層１５で構成されたリブ１６は、側壁がオーバーハ
ング形状に成形されたものになる。またこのエッチング
においては、上層１５上にクロム層（２０）が残ってい
た場合、このクロム層も同時に除去されることになる。
【００４４】尚、ウェットエッチングは、基板１１面内
におけるエッチングレートの均一性が劣るため、大面積
ディスプレイのリブ加工への適用は困難である。このた
め、大面積ディスプレイの場合には、エッチングレート
の面内均一性の高いドライエッチングで下層１４をある
程度エッチングした後、ウェットエッチングを行うこと
によって下層１４のサイドエチングを進めるようにして
も良い。ただし、ドライエッチングによって下層１４を
完全に除去した場合、無機絶縁膜１３の開口部１３ａに
おいては透明電極１２ａの受光部１２ｂがプラズマに曝
されてダメージを受けることになる。このため、この受
光部１２ｂ上に有機層を形成して得られた有機ＥＬ素子
の素子特性が劣化するため、受光部１２ｂ上に下層１４
を残した状態でドライエッチングを終了させてウェトエ
ッチングに切り換えることが望ましい。
におけるエッチングレートの均一性が劣るため、大面積
ディスプレイのリブ加工への適用は困難である。このた
め、大面積ディスプレイの場合には、エッチングレート
の面内均一性の高いドライエッチングで下層１４をある
程度エッチングした後、ウェットエッチングを行うこと
によって下層１４のサイドエチングを進めるようにして
も良い。ただし、ドライエッチングによって下層１４を
完全に除去した場合、無機絶縁膜１３の開口部１３ａに
おいては透明電極１２ａの受光部１２ｂがプラズマに曝
されてダメージを受けることになる。このため、この受
光部１２ｂ上に有機層を形成して得られた有機ＥＬ素子
の素子特性が劣化するため、受光部１２ｂ上に下層１４
を残した状態でドライエッチングを終了させてウェトエ
ッチングに切り換えることが望ましい。
【００４５】以上のようにして、本発明における無機材
料からなるオーバーハング形状のリブ１６を得る。
料からなるオーバーハング形状のリブ１６を得る。
【００４６】尚、以上の説明においては、酸化シリコン
からなる上層１５のエッチングマスクとしてクロム層２
０を用いたが、上層１５のパターンエッチングはこれに
限定されることはない。例えば、レジストパターン２１
に対して選択的に上層１５をエッチングできる場合に
は、クロム層２０を成膜することなく、レジストパター
ン２１をそのまま上層１５のエッチングマスクに用いて
も良い。
からなる上層１５のエッチングマスクとしてクロム層２
０を用いたが、上層１５のパターンエッチングはこれに
限定されることはない。例えば、レジストパターン２１
に対して選択的に上層１５をエッチングできる場合に
は、クロム層２０を成膜することなく、レジストパター
ン２１をそのまま上層１５のエッチングマスクに用いて
も良い。
【００４７】また、リブ１６を構成する材料として酸化
シリコン（上層１５）とクロム（下層１４）を用いた。
しかし、リブ１６は、上層ほどエッチング速度の遅い無
機材料を用いた多層構造であれば良く、このような材料
を組み合わせて下層１４を等方性エッチングすること
で、オーバーハング形状のリブ１６を得ることができ
る。
シリコン（上層１５）とクロム（下層１４）を用いた。
しかし、リブ１６は、上層ほどエッチング速度の遅い無
機材料を用いた多層構造であれば良く、このような材料
を組み合わせて下層１４を等方性エッチングすること
で、オーバーハング形状のリブ１６を得ることができ
る。
【００４８】例えば、リブ１６を構成する上層１５とし
ては、酸化シリコンの他に、窒化シリコン（ＳｉＮx ）
や酸化窒化シリコン（ＳｉＯx Ｎy ）等の酸化シリコン
系や窒化シリコン系の材料を用いても良い。これらの材
料からなる上層１５の成膜方法は特に限定されることは
なく、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等にて成膜するこ
とができる。
ては、酸化シリコンの他に、窒化シリコン（ＳｉＮx ）
や酸化窒化シリコン（ＳｉＯx Ｎy ）等の酸化シリコン
系や窒化シリコン系の材料を用いても良い。これらの材
料からなる上層１５の成膜方法は特に限定されることは
なく、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等にて成膜するこ
とができる。
【００４９】また、このような材料からなる上層１５に
対する下層１４としては、クロムの他に、ニッケル（Ｎ
ｉ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等を用いて
も良い。これらの材料からなる下層１４の成膜方法は特
に限定されることはなく、真空蒸着法やスパッタ法等に
て成膜することができる。また、これらの材料のエッチ
ングの際には、適宜選択されたエッチング液を用いたウ
ェットエッチングや、適宜選択されたガスを用いてのド
ライエッチングが行われることとする。
対する下層１４としては、クロムの他に、ニッケル（Ｎ
ｉ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等を用いて
も良い。これらの材料からなる下層１４の成膜方法は特
に限定されることはなく、真空蒸着法やスパッタ法等に
て成膜することができる。また、これらの材料のエッチ
ングの際には、適宜選択されたエッチング液を用いたウ
ェットエッチングや、適宜選択されたガスを用いてのド
ライエッチングが行われることとする。
【００５０】さらに、実施形態においては、下層１４の
高さを１μｍ、上層１５の高さを４μｍとした。しか
し、リブ１６の高さは、リブ１６の下層１４の表面高さ
が、陰極１８ａ表面の高さよりも高い位置になれば良
い。このような高さにすることによって、陰極１８ａ形
成のための成膜の際にリブ１６の上層１５の側壁に付着
した導電性材料１８によって、陰極１８ａがショートす
ることなく電気的に絶縁されたストライプ状に形成され
ることになる。ただし、ディスプレイパネルの製造コス
ト及び、有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを形成する際の
マスク蒸着の精度を考慮すると、リブ１６の高さをある
程度の高さに抑えることが望ましい。このため、好まし
くは、リブ１６全体の高さを０．５μｍ〜１０μｍの範
囲に設定することとする。
高さを１μｍ、上層１５の高さを４μｍとした。しか
し、リブ１６の高さは、リブ１６の下層１４の表面高さ
が、陰極１８ａ表面の高さよりも高い位置になれば良
い。このような高さにすることによって、陰極１８ａ形
成のための成膜の際にリブ１６の上層１５の側壁に付着
した導電性材料１８によって、陰極１８ａがショートす
ることなく電気的に絶縁されたストライプ状に形成され
ることになる。ただし、ディスプレイパネルの製造コス
ト及び、有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを形成する際の
マスク蒸着の精度を考慮すると、リブ１６の高さをある
程度の高さに抑えることが望ましい。このため、好まし
くは、リブ１６全体の高さを０．５μｍ〜１０μｍの範
囲に設定することとする。
【００５１】以上のようにして形成されたリブ１６を有
する有機ＥＬディスプレイは、リブ１６を無機材料で構
成したことで、このリブ１６から有機物質が放出される
ことはなく、有機物質による有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１
７Ｂの劣化を防止することができる。この結果、有機層
１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂにおける発光効率が維持され、
発光部１２ｂに非発光エリア（いわゆるダークスポッ
ト）が発生する等の不具合が生じることを防止でき、有
機ＥＬディスプレイの長寿命化を図ることが可能にな
る。
する有機ＥＬディスプレイは、リブ１６を無機材料で構
成したことで、このリブ１６から有機物質が放出される
ことはなく、有機物質による有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１
７Ｂの劣化を防止することができる。この結果、有機層
１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂにおける発光効率が維持され、
発光部１２ｂに非発光エリア（いわゆるダークスポッ
ト）が発生する等の不具合が生じることを防止でき、有
機ＥＬディスプレイの長寿命化を図ることが可能にな
る。
【００５２】しかも、この無機材料からなるリブ１６
を、ストライプ状に形成し、その側壁をアンダーカット
を有するオーバーハング形状にすることで、このリブ１
６上からの成膜によって陰極１８ａを形成した場合に、
このリブ１６を成膜時のマスクとしてストライプ状の陰
極１８ａをセルフアラインで形成することが可能になる
と共に、このリブ１６が隔壁となって各陰極１８ａを絶
縁状態に保つことができるのである。特に、１００μｍ
以下のラインアンドスペースパターン（すなわち、スト
ライプ状の陰極１８ａ）を、蒸着マスクを用いた真空蒸
着法によって大面積に亘って形成しようとすることは、
蒸着マスクの作製が困難であるばかりではなく、マスク
変形に伴うパターン歪みが大きく良好なパターン形状を
得ることが難しいという問題を抱えている。このため、
オーバーハング形状のリブ１６をマスクとした成膜によ
って陰極１８ａの形成を行う本実施形態の方法を採用す
ることで、この問題を解決することができる。
を、ストライプ状に形成し、その側壁をアンダーカット
を有するオーバーハング形状にすることで、このリブ１
６上からの成膜によって陰極１８ａを形成した場合に、
このリブ１６を成膜時のマスクとしてストライプ状の陰
極１８ａをセルフアラインで形成することが可能になる
と共に、このリブ１６が隔壁となって各陰極１８ａを絶
縁状態に保つことができるのである。特に、１００μｍ
以下のラインアンドスペースパターン（すなわち、スト
ライプ状の陰極１８ａ）を、蒸着マスクを用いた真空蒸
着法によって大面積に亘って形成しようとすることは、
蒸着マスクの作製が困難であるばかりではなく、マスク
変形に伴うパターン歪みが大きく良好なパターン形状を
得ることが難しいという問題を抱えている。このため、
オーバーハング形状のリブ１６をマスクとした成膜によ
って陰極１８ａの形成を行う本実施形態の方法を採用す
ることで、この問題を解決することができる。
【００５３】尚、本実施形態においては、単純マトリク
ス型フルカラー表示の有機ＥＬディスプレイの構成及び
製造方法を例に取って説明を行った。しかし、本発明
は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を搭載したアクティブ
マトリクス型ディスプレイ及びその製造方法にも適用可
能である。ただし、アクティブマトリクス型ディスプレ
イにおいては、走査線を有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ
の下地に形成することもできるため、陰極１８ａを走査
線として用いる必要はない。この場合、陰極１８ａはベ
タ膜でも良く、リブ１６にて絶縁する必要はない。した
がって、アクティブマトリクス型ディスプレイにおいて
走査線を有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの下地に形成す
る場合には、リブ１６をオーバーハング形状にする必要
はなく、この場合、リブ１６は有機層１７Ｒ，１７Ｇ，
１７Ｂを形成する際に用いる蒸着成膜用のマスクと基板
１１とのスペーサとして用いられることになる。
ス型フルカラー表示の有機ＥＬディスプレイの構成及び
製造方法を例に取って説明を行った。しかし、本発明
は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を搭載したアクティブ
マトリクス型ディスプレイ及びその製造方法にも適用可
能である。ただし、アクティブマトリクス型ディスプレ
イにおいては、走査線を有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ
の下地に形成することもできるため、陰極１８ａを走査
線として用いる必要はない。この場合、陰極１８ａはベ
タ膜でも良く、リブ１６にて絶縁する必要はない。した
がって、アクティブマトリクス型ディスプレイにおいて
走査線を有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの下地に形成す
る場合には、リブ１６をオーバーハング形状にする必要
はなく、この場合、リブ１６は有機層１７Ｒ，１７Ｇ，
１７Ｂを形成する際に用いる蒸着成膜用のマスクと基板
１１とのスペーサとして用いられることになる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
光部脇に立設されたリブを無機材料で構成したことで、
このリブから有機物が放出されることはなく、有機物に
よる有機層を劣化を防止することができる。この結果、
有機層の発光効率が維持され、発光部に非発光エリア
（いわゆるダークスポット）が発生する等の不具合が生
じることを防止でき、有機ＥＬディスプレイの画質の向
上及び長寿命化を図ることが可能になる。しかも、この
無機材料からなるリブを第１電極と交差するストライプ
状に形成し、その側壁をオーバーハング形状にすること
で、このリブをマスクにした成膜によってストライプ状
の第２電極をセルフアラインで形成することが可能にな
る。この結果、蒸着マスクを用いることなく微細なスト
ライプ状の第２電極を形成することが可能になる。
光部脇に立設されたリブを無機材料で構成したことで、
このリブから有機物が放出されることはなく、有機物に
よる有機層を劣化を防止することができる。この結果、
有機層の発光効率が維持され、発光部に非発光エリア
（いわゆるダークスポット）が発生する等の不具合が生
じることを防止でき、有機ＥＬディスプレイの画質の向
上及び長寿命化を図ることが可能になる。しかも、この
無機材料からなるリブを第１電極と交差するストライプ
状に形成し、その側壁をオーバーハング形状にすること
で、このリブをマスクにした成膜によってストライプ状
の第２電極をセルフアラインで形成することが可能にな
る。この結果、蒸着マスクを用いることなく微細なスト
ライプ状の第２電極を形成することが可能になる。
【図１】実施形態の有機ＥＬディスプレイの断面図であ
る。
る。
【図２】実施形態の有機ＥＬディスプレイの要部平面図
である。
である。
【図３】実施形態の有機ＥＬディスプレイの製造方法を
説明するための断面工程図である。
説明するための断面工程図である。
【図４】実施形態の有機ＥＬディスプレイにおけるリブ
の製造を説明するための断面工程図である。
の製造を説明するための断面工程図である。
【図５】従来の有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法
を説明するための断面工程図である。
を説明するための断面工程図である。
１１…基板、１２ａ…透明電極（第１電極）、１２ｂ…
発光部、１４…下層、１５…上層、１６…リブ、１７
Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ…有機層、１８ａ…陰極（第２電
極）
発光部、１４…下層、１５…上層、１６…リブ、１７
Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ…有機層、１８ａ…陰極（第２電
極）
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上にストライプ状に並列配置された
第１電極と、当該第１電極の発光部を露出させる位置に
立設された複数のリブと、前記第１電極の各発光部上に
設けられた有機発光層を有する有機層と、当該有機層を
介して前記第１電極の各発光部上に設けられた第２電極
とを備えた有機ＥＬディスプレイにおいて、 前記リブは、無機材料からなることを特徴とする有機Ｅ
Ｌディスプレイ。 - 【請求項２】 請求項１記載の有機ＥＬディスプレイに
おいて、 前記リブは、前記第１電極と交差する状態でストライプ
状に設けられたことを特徴とする有機ＥＬディスプレ
イ。 - 【請求項３】 請求項２記載の有機ＥＬディスプレイに
おいて、 前記リブは、前記受光部側に向かう側壁がオーバーハン
グ形状に成形されていることを特徴とする有機ＥＬディ
スプレイ。 - 【請求項４】 請求項３記載の有機ＥＬディスプレイに
おいて、 前記リブは、上層ほどエッチング速度の遅い材料からな
る多層構造であることを特徴とする有機ＥＬディスプレ
イ。 - 【請求項５】 請求項４記載の有機ＥＬディスプレイに
おいて、 前記リブは、酸化シリコン系材料または窒化シリコン系
材料からなる上層と、クロム、ニッケル、チタンまたは
モリブデンからなる下層との少なくとも２層からなる多
層構造であるとを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。 - 【請求項６】 基板上に第１電極をストライプ状にパタ
ーン形成する工程と、 前記第１電極の発光部を露出させる位置に、無機材料か
らなる複数のリブを立設する工程と、 前記リブ上からの成膜によって、前記第１電極の受光部
上に有機発光層を有する有機層を形成する工程と、 前記リブ上からの成膜によって、前記第１電極の受光部
上に前記有機層を介して第２電極を形成する工程とを行
うことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の有機ＥＬディスプレイの
製造方法において、 前記有機層を形成する工程では、前記リブを介して前記
基板上にマスクを配置した状態で成膜を行うことを特徴
とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の有機ＥＬディスプレイの
製造方法において、 前記リブは、前記第１電極と交差する状態でストライプ
状にパターン形成されることを特徴とする有機ＥＬディ
スプレイの製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の有機ＥＬディスプレイの
製造方法において、 前記リブは、前記受光部側に向かう側壁がオーバーハン
グ形状に成形されることを特徴とする有機ＥＬディスプ
レイの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の有機ＥＬディスプレイ
において、 前記リブを形成する工程では、上層ほどエッチング速度
の遅い材料からなる多層膜をパターンエッチングするこ
とを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の有機ＥＬディスプレ
イにおいて、 前記リブを形成する工程では、酸化シリコン系材料また
は窒化シリコン系材料からなる上層と、クロム、ニッケ
ル、チタンまたはモリブデンからなる下層との少なくと
も２層からなる多層膜を形成し、前記上層をパターニン
グした後、これをマスクに用いて前記下層を等方性エッ
チングすること、 を特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23777499A JP4470241B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23777499A JP4470241B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068267A true JP2001068267A (ja) | 2001-03-16 |
| JP2001068267A5 JP2001068267A5 (ja) | 2006-04-20 |
| JP4470241B2 JP4470241B2 (ja) | 2010-06-02 |
Family
ID=17020245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23777499A Expired - Lifetime JP4470241B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4470241B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8313355B2 (en) | 2006-06-09 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN105393334A (zh) * | 2013-03-29 | 2016-03-09 | 应用材料公司 | 压印有图案以形成隔离器件区域的基板 |
| JP2019032939A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | キヤノン株式会社 | 表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
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| WO2025029448A1 (en) * | 2023-07-31 | 2025-02-06 | Applied Materials, Inc. | Advanced patterning oled overhang sub-pixel circuit and patterning method |
-
1999
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