JP2000339670A - Master information carrier and its manufacture - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、所定のプリフォー
マット情報信号を磁気記録媒体に記録するために用いら
れる、強磁性薄膜パターンを有するマスター情報担体お
よびその製造方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a master information carrier having a ferromagnetic thin film pattern used for recording a predetermined preformat information signal on a magnetic recording medium, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、磁気記録再生装置は、小型でかつ
大容量のものを実現するために、高記録密度化の傾向に
ある。代表的な磁気記録再生装置であるハードディスク
ドライブの分野においては、すでに面記録密度が６Ｇｂ
ｉｔｓ／ｉｎ2（９．３Ｍｂｉｔｓ／ｍｍ2）を超える装
置が商品化されており、数年後には、面記録密度が２０
Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2（３１．０Ｍｂｉｔｓ／ｍｍ2）の装
置の実用化が予測されるほどの急激な技術の進歩が認め
られる。2. Description of the Related Art At present, a magnetic recording / reproducing apparatus has a tendency to have a high recording density in order to realize a small and large-capacity magnetic recording / reproducing apparatus. In the field of hard disk drives, which are typical magnetic recording / reproducing devices, the areal recording density is already 6 Gb.
An apparatus having a recording density exceeding 20 ts / in 2 (9.3 Mbits / mm 2 ) has been commercialized.
The rapid technological advancement is expected to make practical use of the Gbits / in 2 (31.0 Mbits / mm 2 ) device possible.
【０００３】このような高記録密度化が可能となった技
術的背景として、磁気記録媒体及びヘッド・ディスクイ
ンターフェースの性能の向上やパーシャルレスポンス等
の新規な信号処理方式の出現による線記録密度の向上が
挙げられる。しかし、近年では、トラック密度の増加傾
向が線記録密度の増加傾向を大きく上回り、面記録密度
の向上の主な要因となっている。これは、従来の誘導型
磁気ヘッドに比べて再生出力性能がはるかに優れた磁気
抵抗素子型ヘッドの実用化によるものである。現在、磁
気抵抗素子型ヘッドの実用化により、数μｍ以下のトラ
ック幅信号を高いＳ／Ｎ比をもって再生することが可能
となっている。一方、今後のさらなるヘッド性能の向上
に伴い、近い将来には、トラックピッチがサブミクロン
領域に達するものと予想されている。[0003] The technical background that has enabled such a high recording density is to improve the performance of magnetic recording media and head-disk interfaces, and to improve the linear recording density by the emergence of new signal processing methods such as partial response. Is mentioned. However, in recent years, the increasing trend of the track density has greatly exceeded the increasing trend of the linear recording density, which is a major factor in improving the areal recording density. This is due to the practical use of a magnetoresistive element type head which has much better reproduction output performance than a conventional induction type magnetic head. At present, the practical use of a magnetoresistive element type head makes it possible to reproduce a track width signal of several μm or less with a high S / N ratio. On the other hand, it is expected that the track pitch will reach the submicron region in the near future with further improvement in head performance in the future.
【０００４】磁気ヘッドがこのような狭いトラックを正
確に走査し、高いＳ／Ｎ比をもって信号を再生するため
には、磁気ヘッドのトラッキングサーボ技術が重要な役
割を果たしている。現在のハードディスクドライブで
は、磁気記録媒体である磁気ディスクの１周、すなわち
角度にして３６０度中に、一定の角度間隔でトラッキン
グ用サーボ信号、アドレス情報信号、再生クロック信号
等が記録された領域（以下「プリフォーマット記録領
域」という。）が設けられている。これにより、磁気ヘ
ッドは、一定の間隔でこれらの信号を再生して自己の位
置を確認し、磁気ディスクの径方向における変位を必要
に応じて修正しながら正確にトラック上を走査すること
ができる。In order for a magnetic head to accurately scan such a narrow track and reproduce a signal with a high S / N ratio, the tracking servo technique of the magnetic head plays an important role. In a current hard disk drive, an area in which a tracking servo signal, an address information signal, a reproduction clock signal, and the like are recorded at fixed angular intervals during one rotation of a magnetic disk as a magnetic recording medium, that is, within 360 degrees. Hereinafter, it is referred to as a “preformat recording area”). As a result, the magnetic head reproduces these signals at regular intervals, confirms its position, and can accurately scan the track while correcting the radial displacement of the magnetic disk as necessary. .
【０００５】上記したトラッキング用サーボ信号、アド
レス情報信号および再生クロック信号等のプリフォーマ
ット情報信号は、磁気ヘッドが正確にトラック上を走査
するための基準信号となるものであるから、その記録時
には、正確なトラック位置決め精度が要求される。現在
のハードディスクドライブでは、磁気ディスク（ハード
ディスク）及び磁気ヘッドをドライブ内に組み込んだ
後、専用のサーボトラック記録装置を用いて、ドライブ
内に組み込まれた固有の磁気ヘッドにより、トラッキン
グ用サーボ信号、アドレス情報信号および再生クロック
信号等の記録が行われている。この場合、ドライブ内に
組み込まれた固有の磁気ヘッドを、サーボトラック記録
装置に装備された外部アクチュエータによって精密に位
置制御しながらプリフォーマット記録を行うことによ
り、必要なトラック位置決め精度が実現されている。The preformat information signals such as the tracking servo signal, the address information signal, and the reproduction clock signal serve as reference signals for the magnetic head to accurately scan the track. Accurate track positioning accuracy is required. In a current hard disk drive, after a magnetic disk (hard disk) and a magnetic head are incorporated in the drive, a dedicated servo head recording device is used to perform tracking servo signals and addresses using a unique magnetic head incorporated in the drive. Recording of information signals, reproduced clock signals, and the like is performed. In this case, the necessary track positioning accuracy is realized by performing preformat recording while precisely controlling the position of the unique magnetic head incorporated in the drive by an external actuator provided in the servo track recording device. .
【０００６】しかし、専用のサーボトラック記録装置を
用い、ドライブ内に組み込まれた固有の磁気ヘッドによ
ってプリフォーマット記録を行う従来の技術には、以下
のような問題点があった。However, the conventional technique of performing preformat recording by using a dedicated servo track recording device and a unique magnetic head incorporated in a drive has the following problems.
【０００７】第１に、磁気ヘッドによる記録は、基本的
に磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対的な移動による線
記録であるため、専用のサーボトラック記録装置を用
い、磁気ヘッドを精密に位置制御しながら記録を行う上
記方法では、プリフォーマット記録に多くの時間を要す
るという問題がある。さらに、磁気ヘッドによる記録に
使用する専用のサーボトラック記録装置はかなり高価で
あるため、プリフォーマット記録に要するコストが高く
なるという問題もある。First, recording by a magnetic head is basically linear recording by relative movement between a magnetic head and a magnetic recording medium. Therefore, a dedicated servo track recording device is used to precisely position the magnetic head. The above method of performing recording while controlling has a problem that much time is required for preformat recording. Further, since a dedicated servo track recording apparatus used for recording by a magnetic head is considerably expensive, there is a problem that the cost required for preformat recording is increased.
【０００８】この問題は、磁気記録再生装置のトラック
密度が向上するほど顕著に認められる。それは、ディス
クの径方向のトラック数が増加することに加え、記録密
度の増加に伴いトラック密度が向上するほど、磁気ヘッ
ドの位置決めに高精度が要求されるため、ディスクの１
周においてトラッキング用サーボ信号等の情報信号を記
録するプリフォーマット記録領域を設ける角度間隔を小
さくしなければならないことによる。従って、装置の記
録密度が高くなるほど磁気ディスクにプリフォーマット
記録すべき信号量が多くなり、プリフォーマット記録に
多くの時間を要することになる。[0008] This problem is more noticeable as the track density of the magnetic recording / reproducing apparatus increases. This is because, in addition to the increase in the number of tracks in the radial direction of the disk, as the track density increases with an increase in the recording density, higher precision is required for the positioning of the magnetic head.
This is because the angular interval at which a preformat recording area for recording an information signal such as a servo signal for tracking or the like in the circumference must be reduced. Therefore, as the recording density of the apparatus increases, the amount of signals to be preformat-recorded on the magnetic disk increases, and more time is required for preformat recording.
【０００９】また、磁気ディスク媒体は小径化の傾向に
あるものの、依然として３．５インチや５インチの大径
ディスクに対する需要も多い。ディスクの記録面積が大
きいほどプリフォーマット記録すべき信号量が多くな
る。このような大径ディスクのコストパフォーマンスに
対しても、プリフォーマット記録に要する時間は大きく
影響する。Although the magnetic disk medium tends to be smaller in diameter, there is still a great demand for a 3.5-inch or 5-inch large-diameter disk. The larger the recording area of the disc, the larger the signal amount to be preformat-recorded. The time required for preformat recording also greatly affects the cost performance of such a large-diameter disk.
【００１０】第２に、磁気ヘッドと磁気記録媒体との
間のスペーシング、及び磁気ヘッドの先端ポール形状
に起因して記録磁界が広がるため、プリフォーマット記
録されたトラック端部の磁化遷移が急峻性に欠けるとい
う問題がある。Second, since the recording magnetic field expands due to the spacing between the magnetic head and the magnetic recording medium and the shape of the tip pole of the magnetic head, the magnetization transition at the end of the track on which preformat recording has been performed is sharp. There is a problem of lack of sex.
【００１１】即ち、磁気ヘッドによる記録は、基本的に
磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対的な移動による動的
な線記録であるため、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間
のインターフェース性能の観点から、磁気ヘッドと磁気
記録媒体との間に一定量のスペーシングを設けざるを得
ない。また、現在の磁気ヘッドの先端ポール形状は、通
常、記録と再生を別々に担う２つのエレメントを有する
構造であり、記録ギャップの後縁側ポールの幅が記録ト
ラック幅に相当し、前縁側ポールの幅は記録トラック幅
の数倍以上と大きくなっている。この大きな前縁側ポー
ルは、再生用のＭＲヘッドをシールドする役割を兼ねて
いる。That is, the recording by the magnetic head is basically a dynamic linear recording by the relative movement between the magnetic head and the magnetic recording medium, and therefore, the viewpoint of the interface performance between the magnetic head and the magnetic recording medium. Therefore, a certain amount of spacing must be provided between the magnetic head and the magnetic recording medium. Further, the shape of the tip pole of the current magnetic head usually has a structure having two elements that separately perform recording and reproduction, and the width of the trailing edge pole of the recording gap corresponds to the recording track width, and the width of the leading edge pole is The width is as large as several times the recording track width or more. This large leading edge side pole also has a role of shielding the reproducing MR head.
【００１２】しかし、上記スペーシングおよび磁気ヘッ
ドの先端ポール形状はいずれも、記録トラック端部にお
いて記録磁界の広がりを生じさせる要因となる。その結
果、プリフォーマット記録された記録トラック端部の磁
化遷移が急峻性に欠ける、あるいはトラック端両側に消
去領域を生じるといった問題が生じる。現在のトラッキ
ングサーボ技術では、磁気ヘッドがトラックを外れて走
査した際の再生出力の変化量に基づいて磁気ヘッドの位
置を検出している。このため、サーボ領域間に記録され
たデータ信号を再生する際のように、磁気ヘッドがトラ
ック上を正確に走査したときのＳ／Ｎ比に優れることだ
けではなく、磁気ヘッドがトラックを外れて走査したと
きの再生出力変化量、すなわちオフトラック特性が急峻
であることが要求される。従って、上記のようにプリフ
ォーマット記録されたトラック端部の磁化遷移が急峻性
に欠けると、今後のサブミクロントラック記録における
正確なトラッキングサーボ技術の実現が困難になる。However, both the spacing and the shape of the tip pole of the magnetic head cause the recording magnetic field to spread at the end of the recording track. As a result, there arises a problem that the magnetization transition at the end of the recording track on which the preformat recording is performed lacks sharpness, or an erased area is formed on both sides of the track end. In the current tracking servo technology, the position of the magnetic head is detected based on the amount of change in the reproduction output when the magnetic head scans off the track. Therefore, not only is the magnetic head excellent in the S / N ratio when the magnetic head scans the track accurately as in the case of reproducing the data signal recorded between the servo areas, but also the magnetic head moves off the track. It is required that the reproduction output change amount during scanning, that is, the off-track characteristic is steep. Therefore, if the magnetization transition at the end of the track on which preformat recording is performed lacks sharpness as described above, it will be difficult to realize an accurate tracking servo technique in future submicron track recording.
【００１３】上記のような磁気ヘッドによるプリフォー
マット記録における２つの問題点を解決するため、基体
の表面にプリフォーマット情報信号に対応する強磁性薄
膜パターンが形成されているマスター情報担体の表面
を、磁気記録媒体の表面に接触させた後に、マスター情
報担体に形成された強磁性薄膜パターンを磁化させるこ
とによって、強磁性薄膜パターンに対応する磁化パター
ンを磁気記録媒体に記録する技術が特開平１０−４０５
４４号の明細書において提案されている。このプリフォ
ーマット記録技術によれば、記録媒体のＳ／Ｎ比、イン
ターフェース性能等の他の重要性能を犠牲することな
く、良好なプリフォーマット記録を効率的に行うことが
できる。In order to solve the two problems in the preformat recording by the magnetic head as described above, the surface of a master information carrier having a ferromagnetic thin film pattern corresponding to a preformat information signal formed on the surface of a substrate is formed by: A technique of recording a magnetization pattern corresponding to a ferromagnetic thin film pattern on a magnetic recording medium by magnetizing a ferromagnetic thin film pattern formed on a master information carrier after the magnetic recording medium is brought into contact with the surface of the magnetic recording medium is disclosed in 405
No. 44 is proposed. According to this preformat recording technique, good preformat recording can be efficiently performed without sacrificing other important performances such as the S / N ratio of the recording medium and interface performance.
【００１４】ところで、特開平１０−４０５４４号の明
細書において提案されているマスター情報記録技術を真
に効果的なものとするためには、マスター情報担体上に
形成された強磁性薄膜パターンと磁気記録媒体との間に
均一な密着性を実現する必要がある。そこで、強磁性薄
膜パターンが形成されていない領域の少なくとも一部分
の表面高さを、強磁性薄膜パターンが形成されている領
域の表面高さよりも低くする技術が特開平１０−２６９
５６６号の明細書において提案されている。この技術に
よれば、マスター情報担体と磁気記録媒体とを接触させ
たとき、マスター情報担体の強磁性薄膜パターンが形成
されていない領域と磁気記録媒体との間にできる空隙に
存在する気体を排気することにより、大気圧の作用で強
磁性薄膜パターンが形成されている領域と磁気記録媒体
とを均一に密着させることができる。By the way, in order to make the master information recording technique proposed in the specification of Japanese Patent Laid-Open No. 10-45544 truly effective, it is necessary to use a ferromagnetic thin film pattern formed on a master information carrier and a magnetic thin film pattern. It is necessary to realize uniform adhesiveness with the recording medium. Japanese Patent Laid-Open No. 10-269 discloses a technique in which the surface height of at least a part of the region where the ferromagnetic thin film pattern is not formed is lower than the surface height of the region where the ferromagnetic thin film pattern is formed.
No. 566 has been proposed. According to this technique, when the master information carrier is brought into contact with the magnetic recording medium, gas present in a gap formed between the region of the master information carrier where the ferromagnetic thin film pattern is not formed and the magnetic recording medium is exhausted. By doing so, the region where the ferromagnetic thin film pattern is formed and the magnetic recording medium can be brought into uniform contact with each other by the action of atmospheric pressure.
【００１５】図１に、そのようなマスター情報担体の一
例を示す。図１（ａ）は、マスター情報担体の平面図で
あり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における円周方向の一
点鎖線Ａ−Ａに沿う断面を示している。図１（ａ）に示
すマスター情報担体１１は、オリフラを有する略円形で
ある。マスター情報担体１１は、プリフォーマット情報
信号に対応した強磁性薄膜パターンが形成された領域１
２（図１（ａ）のハッチング部分）の表面高さに比べ
て、強磁性薄膜パターンが形成されていない領域１３の
表面高さが低くなるように加工されて、２つの領域１２
および１３が凹凸を形成している。FIG. 1 shows an example of such a master information carrier. FIG. 1A is a plan view of the master information carrier, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along a dashed-dotted line AA in the circumferential direction in FIG. 1A. The master information carrier 11 shown in FIG. 1A has a substantially circular shape having an orientation flat. The master information carrier 11 has an area 1 in which a ferromagnetic thin film pattern corresponding to the preformat information signal is formed.
2 (hatched portion in FIG. 1A) is processed so that the surface height of the region 13 where the ferromagnetic thin film pattern is not formed is lower than the surface height of the two regions 12.
And 13 form irregularities.
【００１６】本明細書においては便宜的に、強磁性薄膜
パターンが形成されている領域を凸部領域またはパター
ン形成領域と、強磁性薄膜パターンが形成されていない
領域を凹部領域または非パターン形成領域という。ま
た、「表面高さ」の高低は、強磁性薄膜パターンが形成
された面が上側となるようにマスター情報担体を置いた
ときの、領域１２および１３の最上面の高低を意味し、
パターン形成領域１２および非パターン形成領域１３の
「表面高さ」は、図１（ｂ）に示すように、マスター情
報担体の最下面から表面までの距離ｈ１およびｈ２にそ
れぞれ相当する。In the present specification, for convenience, a region where a ferromagnetic thin film pattern is formed is defined as a convex region or a pattern forming region, and a region where a ferromagnetic thin film pattern is not formed is defined as a concave region or a non-pattern forming region. That. Further, the height of the “surface height” means the height of the uppermost surface of the regions 12 and 13 when the master information carrier is placed so that the surface on which the ferromagnetic thin film pattern is formed faces upward,
The “surface height” of the pattern forming region 12 and the non-pattern forming region 13 corresponds to distances h1 and h2 from the lowermost surface to the surface of the master information carrier, respectively, as shown in FIG.
【００１７】表面にこのような凹凸形状を有するマスタ
ー情報担体１１を用いてプリフォーマット情報信号を磁
気記録媒体に記録する際には、凹部領域１３と磁気記録
媒体（図１（ｂ）において破線で図示）との間にできる
空隙に存在する気体を排気することにより、大気圧の作
用で凸部領域１２と磁気記録媒体を均一に密着させる。
そして、この密着状態を維持した状態で、両者に磁界を
作用させ、強磁性薄膜パターンに対応するプリフォーマ
ット情報信号を磁気記録媒体の磁性層に転写（記録）す
る。When a preformat information signal is recorded on a magnetic recording medium using the master information carrier 11 having such an uneven surface, the concave area 13 and the magnetic recording medium (shown by broken lines in FIG. By exhausting the gas existing in the gap formed between the protrusion region 12 and the magnetic recording medium, the protrusion region 12 and the magnetic recording medium are uniformly brought into close contact by the action of atmospheric pressure.
Then, while maintaining the close contact state, a magnetic field is applied to both to transfer (record) a preformat information signal corresponding to the ferromagnetic thin film pattern to the magnetic layer of the magnetic recording medium.
【００１８】[0018]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
マスター情報担体においては、凹部領域１３の形成方法
よっては、凸部領域１２の外縁部１４にバリなどの突起
部が発生する。このバリ等は、凸部領域１２と磁気記録
媒体とが密着した際に、磁気記録媒体を損傷させること
があり、その結果、磁気記録媒体の信頼性が損なわれる
おそれがある。また、凹部領域１３の外縁部１５には異
物等が滞留しやすく、ここに溜まった異物は洗浄によっ
ても除去しにくい。そのため、例えば、凹部領域１３の
外縁部１５に存在していた異物が何らかの原因によって
凸部領域１２表面に移動し、その結果、凸部領域１２と
磁気記録媒体とを均一に密着させることができなくなる
おそれがある。However, in the above-described master information carrier, projections such as burrs are formed on the outer edge 14 of the convex region 12 depending on the method of forming the concave region 13. The burrs and the like may damage the magnetic recording medium when the convex region 12 and the magnetic recording medium come into close contact, and as a result, the reliability of the magnetic recording medium may be impaired. In addition, foreign matter or the like easily stays at the outer edge portion 15 of the recessed region 13, and the foreign matter collected here is difficult to be removed by washing. Therefore, for example, the foreign matter existing on the outer edge 15 of the concave region 13 moves to the surface of the convex region 12 for some reason, and as a result, the convex region 12 and the magnetic recording medium can be uniformly adhered. It may disappear.
【００１９】このように、マスター情報担体において強
磁性薄膜パターンが形成されていない領域を凹部とする
ような加工を施し、強磁性薄膜パターンが形成されてい
る凸部領域と磁気記録媒体との密着性を向上させるため
には、凸部領域の外縁部が磁気記録媒体に損傷を与え
ず、また、凹部領域の外縁部に異物が滞留しないように
することが重要な課題となっている。As described above, the master information carrier is processed such that the region where the ferromagnetic thin film pattern is not formed is formed as a concave portion, and the convex region where the ferromagnetic thin film pattern is formed and the magnetic recording medium are brought into close contact with each other. In order to improve the performance, it is important to prevent the outer edge of the convex region from damaging the magnetic recording medium and prevent foreign matter from staying at the outer edge of the concave region.
【００２０】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、マスター情報担体において、プリフォ
ーマット情報信号を磁気記録媒体に記録する際に、磁気
記録媒体に損傷を与えることなく、凸部領域と磁気記録
媒体とを均一に密着させ得る、信頼性の高いマスター情
報担体およびその製造方法を提供することを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and when a preformat information signal is recorded on a magnetic recording medium on a master information carrier, the preformat information signal is not damaged without damaging the magnetic recording medium. It is an object of the present invention to provide a highly reliable master information carrier capable of uniformly adhering a recording area and a magnetic recording medium and a method for manufacturing the same.
【００２１】[0021]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、第１のマスター情報担体として、基体の
表面にプリフォーマット情報信号に対応する強磁性材料
の薄膜パターン（単に「強磁性薄膜パターン」とも呼
ぶ）が形成され、前記薄膜パターンが形成されていない
領域の少なくとも一部分の表面高さを、前記薄膜パター
ンが形成されている領域の表面高さよりも低くしたマス
ター情報担体において、前記薄膜パターンが形成されて
いる領域の外縁部の少なくとも一部分および前記薄膜パ
ターンが形成されていない領域の外縁部の少なくとも一
部分が面取りされていることを特徴とするマスター情報
担体を提供する。In order to achieve the above object, the present invention provides a first master information carrier comprising a thin film pattern of a ferromagnetic material corresponding to a preformat information signal on a surface of a base (hereinafter simply referred to as a "ferromagnetic material"). A master information carrier in which a surface height of at least a part of a region where the thin film pattern is not formed is lower than a surface height of a region where the thin film pattern is formed, A master information carrier characterized in that at least a part of an outer edge of a region where a thin film pattern is formed and at least a part of an outer edge of a region where the thin film pattern is not formed are chamfered.
【００２２】上記の構成を有するマスター情報担体は、
凹部領域を画定する隅部、および凸部領域を画定する角
部（または縁）がそれぞれ面取りされて鈍角となってい
る。鈍角となった角部は、磁気記録媒体の損傷を効果的
に抑制し得る。また、凹部領域を画定する隅部が鈍角と
なることによって、当該隅部に異物が溜まりにくく、異
物の存在量が減るから、異物の混入に起因するマスター
情報担体と磁気記録媒体との間の密着不良を効果的に防
止できる。The master information carrier having the above configuration is
The corners defining the recessed area and the corners (or edges) defining the projected area are chamfered to obtuse angles. The obtuse corner can effectively suppress damage to the magnetic recording medium. In addition, since the corners that define the concave region are obtuse, foreign matters are less likely to accumulate in the corners and the amount of foreign matters is reduced, so that the space between the master information carrier and the magnetic recording medium caused by the foreign matter is mixed. Poor adhesion can be effectively prevented.
【００２３】上記本発明の第１のマスター情報担体は、 １）基体に強磁性材料の薄膜パターンを形成する工程、 ２）薄膜パターンが形成されている領域の基体表面に第
１のレジスト層を形成する工程、 ３）前記第１のレジスト層をエッチングマスクとして、
反応性ガスによる反応性イオンエッチングを行い、薄膜
パターンが形成されていない領域である凹部領域、およ
び薄膜パターンが形成されている領域である凸部領域を
形成する工程、 ４）前記第１のレジスト層を除去する工程、 ５）第２のレジスト層を、凸部領域の表面の少なくとも
一部の外縁部を除く領域に形成する工程、および ６）前記第２のレジスト層をエッチングマスクとしてエ
ッチング液による結晶異方性エッチングを行う工程を含
む製造方法によって効率良く製造できる。The first master information carrier of the present invention comprises: 1) a step of forming a thin film pattern of a ferromagnetic material on a base; 2) a first resist layer on a surface of the base in a region where the thin film pattern is formed. Forming a 3) using the first resist layer as an etching mask,
A step of performing a reactive ion etching with a reactive gas to form a concave region where a thin film pattern is not formed and a convex region where a thin film pattern is formed, 4) the first resist Removing the layer; 5) forming a second resist layer in a region excluding at least a part of the outer edge of the surface of the convex region; and 6) etching solution using the second resist layer as an etching mask. Can be efficiently manufactured by a manufacturing method including a step of performing crystal anisotropic etching by the method described above.
【００２４】本発明はまた、第２のマスター情報担体と
して、基体の表面にプリフォーマット情報信号に対応す
る強磁性材料の薄膜パターンが形成され、前記薄膜パタ
ーンが形成されていない領域の少なくとも一部分の表面
高さを、前記薄膜パターンが形成されている領域の表面
高さよりも低くしたマスター情報担体において、前記薄
膜パターンが形成されている領域の外縁部において、少
なくとも一部分が面取りされていることを特徴とするマ
スター情報担体を提供する。The present invention also provides a second master information carrier in which a thin film pattern of a ferromagnetic material corresponding to a preformat information signal is formed on a surface of a base, and at least a part of a region where the thin film pattern is not formed. In the master information carrier, the surface height of which is lower than the surface height of the area where the thin film pattern is formed, at least a part of the outer edge of the area where the thin film pattern is formed is chamfered. Is provided.
【００２５】このマスター情報担体においては、パター
ン形成領域の外縁部が面取りされており、これにより磁
気記録媒体の損傷を有効に防止することができる。この
マスター情報担体の非パターン形成領域の外縁部は面取
りされていないため、その部分で異物が滞留しやすいこ
とは否めないが、例えば、空気中の塵埃の量が極めて少
ないクリーンルーム等において作業する場合には、異物
による影響を考慮する必要がないこともあり得る。その
場合には、非パターン形成領域の外縁部が面取りされて
いなくとも、マスター情報担体と磁気記録媒体との間の
良好な密着性を十分に確保できる。In this master information carrier, the outer edge of the pattern forming area is chamfered, so that damage to the magnetic recording medium can be effectively prevented. Since the outer edge of the non-pattern forming area of the master information carrier is not chamfered, it is undeniable that foreign matter easily stays in that part.For example, when working in a clean room or the like where the amount of dust in the air is extremely small In some cases, it may not be necessary to consider the influence of foreign matter. In this case, even if the outer edge of the non-pattern forming region is not chamfered, good adhesion between the master information carrier and the magnetic recording medium can be sufficiently ensured.
【００２６】上記本発明の第２のマスター情報担体は、 １）基体に強磁性材料の薄膜パターンを形成する工程、 ２）薄膜パターンが形成されている領域の基体表面に第
１のレジスト層を形成する工程、 ３）前記第１のレジスト層をエッチングマスクとして、
反応性ガスによる反応性イオンエッチングを行い、薄膜
パターンが形成されていない領域である凹部領域、およ
び薄膜パターンが形成されている領域である凸部領域を
形成する工程、 ４）前記第１のレジスト層を除去する工程、 ５）第２のレジスト層を、凸部領域の表面の少なくとも
一部の外縁部を除く領域、および凹部領域の表面を覆う
ように凹部領域の深さの一部に形成する工程、および ６）前記第２のレジスト層をエッチングマスクとしてエ
ッチング液による結晶異方性エッチングを行う工程を含
む製造方法によって製造できる。The second master information carrier of the present invention comprises: 1) a step of forming a thin film pattern of a ferromagnetic material on a base; 2) forming a first resist layer on the surface of the base in a region where the thin film pattern is formed. Forming a 3) using the first resist layer as an etching mask,
A step of performing a reactive ion etching with a reactive gas to form a concave region where a thin film pattern is not formed and a convex region where a thin film pattern is formed, 4) the first resist Removing the layer; 5) forming a second resist layer at a part of the depth of the concave region so as to cover the region excluding at least a part of the outer edge of the surface of the convex region and the surface of the concave region; And 6) performing a crystal anisotropic etching with an etchant using the second resist layer as an etching mask.
【００２７】本発明は、第３のマスター情報担体とし
て、基体の表面にプリフォーマット情報信号に対応する
強磁性材料の薄膜パターンが形成され、前記薄膜パター
ンが形成されていない領域の少なくとも一部分の表面高
さを、前記薄膜パターンが形成されている領域の表面高
さよりも低くしたマスター情報担体において、前記薄膜
パターンが形成されている領域と前記薄膜パターンが形
成されていない領域を繋ぐ壁面が傾斜壁面であり、傾斜
壁面の傾斜角が９０°未満であるマスター情報担体を提
供する。According to the present invention, as a third master information carrier, a thin film pattern of a ferromagnetic material corresponding to a preformat information signal is formed on a surface of a base, and a surface of at least a part of a region where the thin film pattern is not formed is provided. In the master information carrier, the height of which is lower than the surface height of the region where the thin film pattern is formed, the wall connecting the region where the thin film pattern is formed and the region where the thin film pattern is not formed has an inclined wall surface. And a master information carrier in which the inclination angle of the inclined wall surface is less than 90 °.
【００２８】このマスター情報担体においては、傾斜壁
面によって、パターン形成領域の角部および非パターン
形成領域の隅部が鈍角になっている。従って、本発明の
第１のマスター情報担体と同様、これを磁気記録媒体と
密着させたときに、磁気記録媒体の損傷を効果的に防止
するとともに、隅部に滞留した異物を原因とする密着不
良を防止する。In this master information carrier, the corners of the pattern forming region and the corners of the non-pattern forming region are obtuse due to the inclined wall surface. Therefore, similarly to the first master information carrier of the present invention, when this is brought into close contact with the magnetic recording medium, damage to the magnetic recording medium is effectively prevented, and the adhesion due to foreign matters staying in the corners is prevented. Prevent defects.
【００２９】上記本発明の第３のマスター情報担体は、 １）基体に強磁性材料の薄膜パターンを形成する工程 ２）薄膜パターンが形成されている領域の基体表面にレ
ジスト層を形成する工程、および、 ３）前記レジスト層をエッチングマスクとしてエッチン
グ液による結晶異方性エッチングを行う工程を含む製造
方法によって製造される。The third master information carrier of the present invention comprises: 1) a step of forming a thin film pattern of a ferromagnetic material on a base; 2) a step of forming a resist layer on the surface of the base in a region where the thin film pattern is formed; And 3) a manufacturing method including a step of performing crystal anisotropic etching with an etchant using the resist layer as an etching mask.
【００３０】[0030]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。なお、以下では、マスター情報担
体の基体としてシリコン基板を用いたものを中心に説明
するが、本発明のマスター情報担体は、それ以外の基
板、例えば、ＧａＡｓまたは水晶等の単結晶材料から成
る基板を基体とするものであってよい。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following, description will be made mainly on a case where a silicon substrate is used as a base of the master information carrier. However, the master information carrier of the present invention may be any other substrate, for example, a substrate made of a single crystal material such as GaAs or quartz. May be used as a substrate.
【００３１】本発明のマスター情報担体の構成の一例を
図２に示す。図２（ａ）に示すように、ディスク形状の
マスター情報担体２１の表面には、プリフォーマット情
報信号に対応した微細な強磁性薄膜パターンが形成され
た領域２２が所定の角度間隔で設けられている。図２
（ａ）の一点鎖線Ｉ−Ｉにおけるマスター情報担体の断
面図を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）において、パター
ン形成領域の外縁部２４および非パターン形成領域の外
縁部２５は面取りされ、面取り部を形成している。な
お、図２（ａ）および（ｂ）は説明の便宜のため簡略化
されており、パターン形成領域の寸法および数は、実際
のマスター情報担体におけるそれらとは異なる。FIG. 2 shows an example of the configuration of the master information carrier of the present invention. As shown in FIG. 2A, regions 22 on which a fine ferromagnetic thin film pattern corresponding to a preformat information signal is formed are provided at predetermined angular intervals on the surface of a disk-shaped master information carrier 21. I have. FIG.
FIG. 2B is a cross-sectional view of the master information carrier taken along a chain line II in FIG. In FIG. 2B, the outer edge 24 of the pattern forming area and the outer edge 25 of the non-pattern forming area are chamfered to form a chamfer. FIGS. 2A and 2B are simplified for convenience of explanation, and the dimensions and the number of the pattern formation regions are different from those in the actual master information carrier.
【００３２】図２（ａ）に示す領域２２の一部分である
領域Ａを拡大したものを図３に示す。図３に示すよう
に、プリフォーマット情報信号は、トラッキング用サー
ボ信号、アドレス情報信号および再生クロック信号に対
応する強磁性薄膜パターンが順番に配列されて構成され
ている。図３においては、ハッチングを施した部分がＣ
ｏなどの強磁性材料で構成された薄膜パターン部分とな
っている。FIG. 3 is an enlarged view of the area A which is a part of the area 22 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the preformat information signal is configured by sequentially arranging ferromagnetic thin film patterns corresponding to a tracking servo signal, an address information signal, and a reproduction clock signal. In FIG. 3, the hatched portion is C
This is a thin film pattern portion made of a ferromagnetic material such as o.
【００３３】このようなプリフォーマット情報信号に対
応した微細な強磁性薄膜パターンをマスター情報担体の
表面に形成する方法を以下に説明する。まず、マスター
情報担体の基体として、表面の結晶方位が（１００）面
であるシリコン基板を用意する。そして、この基板の表
面に、Ｃｏ等から成る強磁性薄膜をスパッタリング法に
よって成膜する。次に、シリコン基板表面に成膜した強
磁性薄膜上にレジスト層を形成した後、フォトリソグラ
フィ法あるいは電子ビームを用いたリソグラフィ法を用
いて、レジスト層を露光・現像してパターニングする。
その後、ドライエッチング等によって強磁性薄膜パター
ンを形成する。即ち、強磁性薄膜パターンは、プリフォ
ーマット情報信号に対応した微細な凹凸形状を形成して
おり、少なくとも凸部の表面に強磁性薄膜が存在する構
成となっている。A method for forming a fine ferromagnetic thin film pattern corresponding to such a preformat information signal on the surface of the master information carrier will be described below. First, a silicon substrate whose surface has a (100) crystal orientation is prepared as a base of the master information carrier. Then, a ferromagnetic thin film made of Co or the like is formed on the surface of the substrate by a sputtering method. Next, after a resist layer is formed on the ferromagnetic thin film formed on the surface of the silicon substrate, the resist layer is exposed, developed, and patterned using a photolithography method or a lithography method using an electron beam.
Thereafter, a ferromagnetic thin film pattern is formed by dry etching or the like. That is, the ferromagnetic thin film pattern has a fine uneven shape corresponding to the preformat information signal, and has a configuration in which the ferromagnetic thin film exists at least on the surface of the convex portion.
【００３４】強磁性薄膜をシリコン基板の表面に成膜す
る方法は、スパッタリング法に限定されず、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法およびめっき法
等の従来から採用されている一般的な薄膜形成方法を用
いることができる。また、強磁性薄膜の材料はＣｏに限
定されるものではなく、硬質磁性材料、半硬質磁性材
料、軟質磁性材料を問わず、多くの種類の磁性材料を用
いることができる。The method of forming the ferromagnetic thin film on the surface of the silicon substrate is not limited to the sputtering method, but is a conventional general method such as a vacuum evaporation method, an ion plating method, a CVD method and a plating method. A thin film forming method can be used. Further, the material of the ferromagnetic thin film is not limited to Co, and many types of magnetic materials can be used regardless of a hard magnetic material, a semi-hard magnetic material, or a soft magnetic material.
【００３５】プリフォーマット情報信号が記録される磁
気記録媒体の種類によらず、十分な記録磁界を発生させ
るためには、磁性材料の飽和磁束密度が大きいほど良
い。特に、２０００エルステッドを超える高い保磁力を
持つ磁気ディスクおよび磁性層の厚みの大きなフレキシ
ブルディスクに対しては、飽和磁束密度が０．８テスラ
以下になると十分な記録を行うことができない場合があ
るので、一般的には、０．８テスラ以上、好ましくは
１．０テスラ以上の飽和磁束密度を有する磁性材料が用
いられる。Regardless of the type of magnetic recording medium on which the preformat information signal is recorded, the larger the saturation magnetic flux density of the magnetic material is, the better it is to generate a sufficient recording magnetic field. In particular, for a magnetic disk having a high coercive force exceeding 2000 Oe and a flexible disk having a large magnetic layer thickness, if the saturation magnetic flux density is 0.8 Tesla or less, sufficient recording may not be performed. Generally, a magnetic material having a saturation magnetic flux density of 0.8 Tesla or more, preferably 1.0 Tesla or more is used.
【００３６】次に、非パターン領域２３の表面高さを、
パターン領域２２の表面高さよりも低くし、それから、
非パターン領域２３およびパターン領域２２の外縁部に
面取りを施す方法を以下に説明する。Next, the surface height of the non-pattern area 23 is
Lower than the surface height of the pattern area 22;
A method for chamfering the outer edges of the non-pattern area 23 and the pattern area 22 will be described below.
【００３７】パターン形成領域２２は、強磁性材料の薄
膜パターンを含む領域であり、その形状は、例えばハー
ドディスク用のマスター情報担体においては、図２に示
すように略扇形状となる。略扇形状であるパターン形成
領域２２は、マスター情報担体２１の中心に近い側の幅
が約１００〜２０００μｍ、外周に近い側の幅が約２０
０〜４０００μｍであり、長さは、回転軸に固定するた
めに磁気記録媒体に形成される中央の円形開口部の外周
から磁気記録媒体の外周までの距離、即ち、リング形状
の磁気記録媒体のリング幅にほぼ相当する。一般に、１
つのマスター情報担体には、角度間隔１〜１５度で、約
３０〜３００個のパターン形成領域が形成される。ま
た、例えばハードディスクドライブにおいては、磁気ヘ
ッドが所定の回転軸を中心として円弧を描きながら、情
報信号の記録再生を行うため、パターン形成領域２２は
磁気へッドの動きに合うように湾曲した形状とする必要
がある。非パターン形成領域２３は、強磁性材料の薄膜
パターンを含まない領域であり、前記形状寸法のパター
ン形成領域２２間に位置する。The pattern forming region 22 is a region including a thin film pattern of a ferromagnetic material, and has a substantially sector shape as shown in FIG. 2 for a master information carrier for a hard disk, for example. The pattern forming area 22 having a substantially fan shape has a width on the side near the center of the master information carrier 21 of about 100 to 2000 μm and a width on the side near the outer circumference of about 20 μm.
0 to 4000 μm, and the length is the distance from the outer circumference of the central circular opening formed in the magnetic recording medium to fix it to the rotating shaft to the outer circumference of the magnetic recording medium, that is, the length of the ring-shaped magnetic recording medium. It is almost equivalent to the ring width. In general, 1
On one master information carrier, about 30 to 300 pattern forming regions are formed at an angular interval of 1 to 15 degrees. In a hard disk drive, for example, the magnetic head draws an arc around a predetermined rotation axis while recording and reproducing information signals, so that the pattern forming region 22 has a curved shape to match the movement of the magnetic head. It is necessary to The non-pattern forming region 23 is a region that does not include a thin film pattern of a ferromagnetic material, and is located between the pattern forming regions 22 having the above-described dimensions.
【００３８】ここでは、上記のようなパターン形成領域
２２および非パターン形成領域２３を形成するためにＣ
Ｆ4のような反応性ガスを用いた反応性イオンエッチン
グを実施し、面取り部を形成するためにエッチング液を
用いた結晶異方性エッチングを実施する方法を説明す
る。図４および図５にそのプロセスの例を示す。Here, in order to form the pattern forming region 22 and the non-pattern forming region 23 as described above, C
The reactive ion etching was performed using a reactive gas such as F 4, illustrating a method of performing crystal anisotropic etching using an etchant to form the chamfer. 4 and 5 show an example of the process.
【００３９】まず、図４（ａ）に示すように、強磁性薄
膜パターン４２が形成されたシリコン基板のマスター情
報担体４１に第１のレジスト層４３を形成する。次に、
フォトリソグラフィ法などを用いて、第１のレジスト層
を露光・現像して、強磁性薄膜パターン４２が形成され
た領域にのみ第１のレジスト層を残す（図４（ｂ））。
次に、ＣＦ4 +などの反応性イオンガス４４を用い、第１
のレジスト層４３が形成されていない部分のシリコンを
イオンエッチングして（図４（ｃ））、非パターン形成
領域の表面高さをパターン形成領域のそれよりも低くし
た後、残留レジスト層を例えば薬液で除去する（図４
（ｄ））。First, as shown in FIG. 4A, a first resist layer 43 is formed on a master information carrier 41 of a silicon substrate on which a ferromagnetic thin film pattern 42 has been formed. next,
The first resist layer is exposed and developed using a photolithography method or the like to leave the first resist layer only in the region where the ferromagnetic thin film pattern 42 is formed (FIG. 4B).
Next, using a reactive ion gas 44 such as CF 4 +
The silicon in the portion where the resist layer 43 is not formed is ion-etched (FIG. 4C), and the surface height of the non-pattern forming region is made lower than that of the pattern forming region. Remove with chemicals (Fig. 4
(D)).
【００４０】次に、図５（ｅ）に示すように、強磁性薄
膜パターンが形成されている領域４２の一部に第２のレ
ジスト層４５を形成する。面取り部を所定位置に形成
し、また、後述する面取りの量を所定量とするために、
レジスト層４５はパターン形成領域の表面の外縁部の少
なくとも一部にレジスト層で覆われていない領域が存在
するように形成する必要がある。本発明においては、面
取り部がパターン形成領域の外縁部の全体にわたって形
成されることが好ましく、従って、レジスト層４５はパ
ターン形成領域４２の全外縁部を除くように、パターン
形成領域４２の表面に形成することが好ましい。そのよ
うなレジスト層４５は、第１のレジスト層４３を形成し
た方法と同様の方法、即ち、フォトリソグラフィ法等を
用いてパターン形成領域４２の外縁部にあるレジスト層
を取り除くことによって形成することができる。Next, as shown in FIG. 5E, a second resist layer 45 is formed on a part of the region 42 where the ferromagnetic thin film pattern is formed. In order to form a chamfer at a predetermined position, and to set a predetermined amount of chamfer to be described later,
The resist layer 45 needs to be formed so that at least a part of the outer edge of the surface of the pattern formation region is not covered with the resist layer. In the present invention, the chamfered portion is preferably formed over the entire outer edge of the pattern forming region. Therefore, the resist layer 45 is formed on the surface of the pattern forming region 42 so as to remove the entire outer edge of the pattern forming region 42. Preferably, it is formed. Such a resist layer 45 is formed by a method similar to the method of forming the first resist layer 43, that is, by removing the resist layer at the outer edge of the pattern formation region 42 by using a photolithography method or the like. Can be.
【００４１】次いで、図５（ｆ）に示すように、これを
エッチング液４６に浸漬して、第２のレジスト層４５が
形成されていない部分のシリコンを結晶異方性エッチン
グする。結晶異方性エッチングで使用するエッチング液
としては、ＫＯＨやヒドラジンなどのアルカリ系溶液の
ほか、エチレンジアミン、ピロカテコールおよび水をそ
れぞれ６：２：１（体積比の割合で混合した混合液（Ｅ
ＰＷ溶液）を用いることができる。結晶異方性エッチン
グを実施するためのその他の条件は、一般に採用されて
いる条件をそのまま適用できる。また、エッチング液へ
の浸漬時間は、除去すべき基板材料の量に応じて異なる
が、通常、１０〜３００秒程度とすればよい。Next, as shown in FIG. 5F, this is immersed in an etching solution 46, and the silicon where the second resist layer 45 is not formed is subjected to crystal anisotropic etching. As an etching solution used in the crystal anisotropic etching, in addition to an alkaline solution such as KOH or hydrazine, a mixed solution (E) mixed with ethylenediamine, pyrocatechol and water in a ratio of 6: 2: 1 (volume ratio) is used.
PW solution) can be used. As other conditions for performing the crystal anisotropic etching, generally adopted conditions can be applied as they are. In addition, the immersion time in the etching solution varies depending on the amount of the substrate material to be removed, but is generally set to about 10 to 300 seconds.
【００４２】結晶異方性エッチングが進行すると、レジ
スト層で覆われていないパターン形成領域の外縁部、パ
ターン形成領域と非パターン形成領域を繋ぐ壁面の一
部、非パターン形成領域の外縁部、および非パターン形
成領域の表面（底面）がエッチングされることにより、
パターン形成領域および非パターン形成領域の外縁部に
面取り部４７および４８が形成され、図５（ｇ）のよう
になる。基板は、後述する面取りの量が所定量となった
ときにエッチング液から取り出される。そして、レジス
ト層を例えばリムーバ等の薬液で除去すると、本発明の
マスター情報担体が得られる（図５（ｈ））。As the crystal anisotropic etching progresses, the outer edge of the pattern forming region not covered with the resist layer, a part of the wall connecting the pattern forming region and the non-pattern forming region, the outer edge of the non-pattern forming region, and By etching the surface (bottom surface) of the non-pattern formation region,
Chamfers 47 and 48 are formed at the outer edges of the pattern formation region and the non-pattern formation region, as shown in FIG. The substrate is taken out of the etching liquid when the amount of chamfer described later reaches a predetermined amount. Then, when the resist layer is removed with a chemical solution such as a remover, the master information carrier of the present invention is obtained (FIG. 5 (h)).
【００４３】結晶異方性エッチングは、図５（ｈ）に示
すように、シリコン基板表面の結晶方位が（１００）面
であれば、エッチング面たる外縁部４７および４８は
（１１１）面になるので、いずれも５５°の傾斜角を持
つように進行する。なお、本明細書において、傾斜角と
は、図５（ｈ）に示すように、面取り部４７の傾斜面と
パターン形成領域の表面４９から広がる仮想的な面（破
線で図示）との間に形成される角度θ１、および面取り
部４８の傾斜面と非パターン形成領域の表面５０から広
がる仮想的な面（破線で図示）との間に形成される角度
θ２を指す。傾斜角θ１およびθ２が９０°未満であれ
ば、面取り部の傾斜面とパターン形成領域の表面４９お
よび非パターン形成領域の表面５０とで形成される角度
θ１’およびθ２’は、それぞれ鈍角となる。In the crystal anisotropic etching, as shown in FIG. 5H, when the crystal orientation of the silicon substrate surface is a (100) plane, the outer edge portions 47 and 48 serving as the etched surfaces have a (111) plane. Therefore, each of them proceeds so as to have a tilt angle of 55 °. In this specification, as shown in FIG. 5H, the inclination angle is defined between the inclined surface of the chamfered portion 47 and a virtual surface (shown by a broken line) extending from the surface 49 of the pattern formation region. The angle θ1 is formed, and the angle θ2 is formed between the inclined surface of the chamfered portion 48 and a virtual surface (shown by a broken line) extending from the surface 50 of the non-pattern forming region. If the inclination angles θ1 and θ2 are less than 90 °, the angles θ1 ′ and θ2 ′ formed between the inclined surface of the chamfered portion and the surface 49 of the pattern forming region and the surface 50 of the non-pattern forming region are obtuse angles, respectively. .
【００４４】上記のように、傾斜角θ１およびθ２は、
エッチングの方法および使用する基体の結晶方位によっ
て所定値とすることができ、本発明において、傾斜角は
２０〜７０°であることが好ましい。また、パターン形
成領域の外縁部における傾斜角と、非パターン形成領域
の外縁部における傾斜角とはそれぞれ異なっていてもよ
い。傾斜角が２０°未満では、一定量の面取り部を形成
するためにパターン形成領域の幅を広くするとともに非
パターン形成領域の幅を狭くする必要があり、その結
果、凹部の幅が狭くなり、磁気記録媒体との間で良好な
密着状態が確保されないおそれがある。また、７０°を
超えると、磁気記録媒体の損傷の低減、および異物の滞
留抑制といった本発明の効果が発揮されないおそれがあ
る。なお、上記範囲の傾斜角を有する面取り部を形成す
るためには、表面の結晶方位が、結晶異方性エッチング
の進行に伴って、上記範囲内にある傾斜角を有する傾斜
面を形成するような結晶方位である材料から成る基板を
基体として選択するとよい。As described above, the inclination angles θ1 and θ2 are
The predetermined value can be set according to the etching method and the crystal orientation of the substrate to be used. In the present invention, the inclination angle is preferably 20 to 70 °. Further, the inclination angle at the outer edge of the pattern forming region may be different from the inclination angle at the outer edge of the non-pattern forming region. When the inclination angle is less than 20 °, it is necessary to increase the width of the pattern formation region and narrow the width of the non-pattern formation region in order to form a fixed amount of chamfered portion, and as a result, the width of the concave portion is reduced, There is a possibility that a good adhesion state with the magnetic recording medium may not be secured. If it exceeds 70 °, the effects of the present invention such as reduction of damage to the magnetic recording medium and suppression of foreign matter retention may not be exhibited. Note that, in order to form a chamfer having an inclination angle in the above range, the crystal orientation of the surface forms an inclined surface having an inclination angle in the above range as the crystal anisotropic etching proceeds. It is preferable to select a substrate made of a material having a suitable crystal orientation as the base.
【００４５】本発明者らが鋭意検討した結果、パターン
形成領域の表面高さと非パターン形成領域の表面高さと
の差である段差（図２（ｂ）においてｄで示す）が３μ
ｍ以上であれば、強磁性薄膜パターンと磁気ディスクと
を均一に密着させることが可能であることが判った。よ
り好ましい段差ｄは、１０〜２０μｍである。段差ｄ
は、イオンエッチングの条件を適宜選択することによっ
て所定の値とすることができるが、その選択に際して
は、イオンエッチングの後、面取りのために実施する結
晶異方性エッチングによって除去される非パターン形成
領域の表面（底面）の量を考慮する必要がある。As a result of intensive studies by the present inventors, a step (indicated by d in FIG. 2B) which is the difference between the surface height of the pattern forming region and the surface height of the non-pattern forming region is 3 μm.
It was found that if it was at least m, the ferromagnetic thin film pattern and the magnetic disk could be evenly brought into close contact with each other. A more preferred step d is 10 to 20 μm. Step d
Can be set to a predetermined value by appropriately selecting the conditions of the ion etching. In the selection, after the ion etching, the non-pattern formation removed by the crystal anisotropic etching performed for chamfering It is necessary to consider the amount of the surface (bottom) of the region.
【００４６】また、パターン領域および非パターン領域
に形成される面取りの量は、パターン領域と非パターン
領域との段差に応じて適宜選択できるが、少なくとも
０．１μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上
であることがより好ましく、１〜５μｍであることが更
に好ましい。なお、面取りの量とは、図２（ｂ）におい
てｔ１およびｔ２で示すように、面取り部の幅に相当す
る。The amount of chamfer formed in the pattern region and the non-pattern region can be appropriately selected according to the step between the pattern region and the non-pattern region, but is preferably at least 0.1 μm or more. The thickness is more preferably 5 μm or more, and further preferably 1 to 5 μm. The amount of chamfering corresponds to the width of the chamfered portion as shown by t1 and t2 in FIG.
【００４７】このように、図４および図５に示す方法に
おいては、反応性ガスによるイオンエッチングにより、
強磁性薄膜パターンが形成されていない非パターン形成
領域の表面高さを強磁性薄膜パターンが形成されている
パターン形成領域の表面高さよりも低くし、さらに、ア
ルカリ系のエッチング液を用いた結晶異方性エッチング
により、パターン領域と非パターン領域の外縁部に面取
りを施す。マスター情報担体の基体として表面の結晶方
位が（１００）面であるシリコン基板を用いれば、面取
り部の結晶方位は（１１１）面になるので、傾斜角は約
５５°になる。As described above, in the method shown in FIG. 4 and FIG.
The surface height of the non-pattern forming area where the ferromagnetic thin film pattern is not formed is lower than the surface height of the pattern forming area where the ferromagnetic thin film pattern is formed. The outer edges of the pattern region and the non-pattern region are chamfered by isotropic etching. If a silicon substrate whose surface has a crystal orientation of (100) is used as the base of the master information carrier, the crystal orientation of the chamfered portion becomes the (111) plane, and the inclination angle is about 55 °.
【００４８】イオンエッチング時には、パターン領域の
外縁部にバリなどの突起物が発生するおそれがあるが、
面取りのための結晶異方性エッチングを行うことによ
り、これらの突起部を除去し得るので、パターン領域が
磁気ディスクと密着する際に、磁気ディスクが損傷され
るおそれを少なくできる。さらに、非パターン領域の外
縁部においても面取りが施されるので、非パターン領域
の外縁部に異物がたまりにくくなり、異物がパターン領
域に進入するおそれを少なくできる。その結果、信頼性
の高いマスター情報担体が提供されることとなる。At the time of ion etching, projections such as burrs may be generated at the outer edge of the pattern region.
By performing the crystal anisotropic etching for chamfering, these projections can be removed, so that when the pattern region comes into close contact with the magnetic disk, the possibility of damaging the magnetic disk can be reduced. Furthermore, since chamfering is also performed on the outer edge of the non-pattern area, it is difficult for foreign substances to accumulate on the outer edge of the non-pattern area, and the risk of foreign substances entering the pattern area can be reduced. As a result, a highly reliable master information carrier is provided.
【００４９】次に、本発明の第２のマスター情報担体に
ついて、図８を参照して説明する。図８に示すマスター
情報担体７１においては、パターン形成領域７２の外縁
部７４に面取りが形成されているので、図２に示すマス
ター情報担体と同様に、磁気記録媒体の損傷を有効に防
止することができる。このマスター情報担体において
は、非パターン形成領域７３の外縁部７５には面取りが
形成されていない。Next, a second master information carrier of the present invention will be described with reference to FIG. In the master information carrier 71 shown in FIG. 8, a chamfer is formed at the outer edge 74 of the pattern forming area 72, so that damage to the magnetic recording medium can be effectively prevented as in the case of the master information carrier shown in FIG. Can be. In this master information carrier, no chamfer is formed at the outer edge 75 of the non-pattern forming area 73.
【００５０】このマスター情報担体の製造方法を、適宜
図面を参照して説明する。まず、マスター情報担体に強
磁性薄薄膜パターンを形成し、次いで、非パターン形成
領域の表面高さをパターン形成領域の表面高さよりも低
くする必要があるが、その方法は図２〜図４を参照して
先に説明したとおりであるから、ここではその詳細な説
明を省略する。The method for producing the master information carrier will be described with reference to the drawings as appropriate. First, a ferromagnetic thin film pattern is formed on the master information carrier, and then it is necessary to make the surface height of the non-patterned region lower than the surface height of the pattern formed region. Since it is as described above with reference to the above, a detailed description thereof will be omitted here.
【００５１】次に、図９（ａ）に示すように、強磁性薄
膜パターンが形成されている領域８２の一部に第２のレ
ジスト層８５を形成するとともに、非パターン形成領域
８３の表面を覆うように非パターン形成領域８３の深さ
方向の一部にもレジスト層８５を形成する。レジスト層
８５は、パターン形成領域８２の外縁部にレジスト層で
覆われていない領域が存在するように形成する必要があ
る。この場合も、面取り部がパターン形成領域の外縁部
の全体にわたって形成されることが望ましく、従って、
レジスト層８５は、パターン形成領域８２の全外縁部を
残して、パターン形成領域８２の表面および非パターン
形成領域８３の深さ方向の一部に形成することが好まし
い。そのようなレジスト層８５は、例えば、レジスト層
をマスター情報担体８１の表面全体に形成した後、フォ
トリソグラフィ法等を用いて露光・現像してパターン形
成領域８２の外縁部のレジスト層を取り除くことによっ
て形成できる。Next, as shown in FIG. 9A, a second resist layer 85 is formed in a part of the region 82 where the ferromagnetic thin film pattern is formed, and the surface of the non-pattern forming region 83 is removed. A resist layer 85 is also formed on a part of the non-pattern forming region 83 in the depth direction so as to cover it. The resist layer 85 needs to be formed such that a region not covered with the resist layer exists at the outer edge of the pattern formation region 82. Also in this case, it is desirable that the chamfered portion is formed over the entire outer edge portion of the pattern formation region.
The resist layer 85 is preferably formed on the surface of the pattern forming region 82 and a part of the non-pattern forming region 83 in the depth direction, except for the entire outer edge of the pattern forming region 82. Such a resist layer 85 may be formed, for example, by forming a resist layer on the entire surface of the master information carrier 81 and then exposing and developing it using a photolithography method or the like to remove the resist layer at the outer edge of the pattern formation region 82. Can be formed by
【００５２】続いて、図９（ｂ）に示すように、これを
エッチング液８６に浸漬して、第２のレジスト層８５が
形成されていない部分のシリコンを結晶異方性エッチン
グする。図５とは異なり、レジスト層８５が非パターン
形成領域８３の表面を覆っているため、面取りは、専ら
パターン形成領域８２の外縁部でのみ進行し、図９
（ｃ）のようになる。結晶異方性エッチングで使用する
エッチング液としては、ＫＯＨやヒドラジンなどのアル
カリ系溶液のほか、エチレンジアミン、ピロカテコール
および水をそれぞれ６：２：１の割合で混合した混合液
（ＥＰＷ溶液）を用いることができる。所定量の基板が
エッチングにより除去され、面取りの量が所定量となっ
たときに、エッチング液８６から基板を取り出し（図９
（ｃ））、レジスト層８５をリムーバ等の薬液で除去す
る（図９（ｄ））。この結晶異方性エッチングにおいて
も、その実施条件として常套の条件を適用でき、浸漬時
間は、約１０〜３００秒である。Subsequently, as shown in FIG. 9B, the silicon is immersed in an etching solution 86, and the silicon in the portion where the second resist layer 85 is not formed is subjected to crystal anisotropic etching. Unlike FIG. 5, since the resist layer 85 covers the surface of the non-pattern forming region 83, chamfering proceeds only at the outer edge of the pattern forming region 82, and FIG.
(C). As an etchant used in the crystal anisotropic etching, in addition to an alkaline solution such as KOH or hydrazine, a mixed solution (EPW solution) in which ethylenediamine, pyrocatechol and water are mixed at a ratio of 6: 2: 1 is used. be able to. When a predetermined amount of the substrate has been removed by etching and the amount of chamfering has reached the predetermined amount, the substrate is removed from the etching solution 86 (FIG. 9).
(C)), the resist layer 85 is removed with a chemical such as a remover (FIG. 9D). Conventional conditions can be applied to the crystal anisotropic etching as well, and the immersion time is about 10 to 300 seconds.
【００５３】結晶異方性エッチングは、図９（ｄ）に示
すように、シリコン基板表面の結晶方位が（１００）面
であれば、エッチング面８７は（１１１）面になるの
で、図５を参照して説明した場合と同様に、５５°の傾
斜角φを持つように（面取り部８７の傾斜面とパターン
形成領域の表面８８との間に形成される角φ’が１２５
°となるように）進行する。In the case of the crystal anisotropic etching, as shown in FIG. 9D, if the crystal orientation of the silicon substrate surface is the (100) plane, the etching plane 87 becomes the (111) plane. Similarly to the case described with reference to the above description, the angle φ ′ formed between the inclined surface of the chamfered portion 87 and the surface 88 of the pattern formation region is set to 125 so as to have an inclination angle φ of 55 °.
°).
【００５４】なお、図８に示す形態のマスター情報担体
における、傾斜角φ、パターン形成領域の表面高さと非
パターン形成領域の表面高さの段差、および面取りの量
の好ましい範囲については、図５を参照して説明したと
おりであるから、ここではその詳細な説明を省略する。In the master information carrier of the form shown in FIG. 8, the inclination angle φ, the step between the surface height of the pattern formation region and the surface height of the non-pattern formation region, and the preferable range of the amount of chamfer are shown in FIG. , And a detailed description thereof will be omitted here.
【００５５】次に、本発明の第３のマスター情報担体の
一例の構造を図６（ａ）および（ｂ）に示す。図６
（ａ）は本発明の第３のマスター情報担体の上面図であ
り、図６（ｂ）は図６（ａ）において一点鎖線Ｉ−Ｉに
おけるマスター情報担体の断面を示したものである。こ
のマスター情報担体５１は、基体の表面にプリフォーマ
ット情報信号に対応する薄膜パターンが形成され、前記
薄膜パターンが形成されていない領域５３の少なくとも
一部分の表面高さを、前記薄膜パターンが形成されてい
る領域５２の表面高さよりも低くしたものであって、前
記薄膜パターンが形成されている領域５２と前記薄膜パ
ターンが形成されていない領域５３を繋ぐ壁面５４が傾
斜壁面であり、傾斜壁面５４の傾斜角が９０°未満であ
るマスター情報担体である。Next, the structure of an example of the third master information carrier of the present invention is shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b). FIG.
FIG. 6A is a top view of a third master information carrier of the present invention, and FIG. 6B is a cross-sectional view of the master information carrier taken along a chain line II in FIG. In the master information carrier 51, a thin film pattern corresponding to a preformat information signal is formed on the surface of the base, and the surface height of at least a part of the region 53 where the thin film pattern is not formed is reduced by forming the thin film pattern. Wall surface 54 connecting the region 52 where the thin film pattern is formed and the region 53 where the thin film pattern is not formed is an inclined wall surface. A master information carrier having a tilt angle of less than 90 °.
【００５６】このマスター情報担体においては、傾斜壁
面５４が、パターン形成領域５２の外縁部５５およびパ
ターン非形成領域５３の外縁部５６を鈍角にしており、
従って、図２に示すマスター情報担体と同様に、パター
ン形成領域５２の角部５５で磁気記録媒体の表面を損傷
しにくく、また、非パターン形成領域５３の隅部５６に
異物が溜まりにくくなるため、磁気記録媒体とマスター
情報担体との密着性がより向上することとなる。In this master information carrier, the inclined wall surface 54 makes the outer edge 55 of the pattern forming area 52 and the outer edge 56 of the pattern non-forming area 53 obtuse.
Therefore, as in the case of the master information carrier shown in FIG. 2, the surface of the magnetic recording medium is hardly damaged at the corners 55 of the pattern forming area 52, and foreign matters are less likely to collect at the corners 56 of the non-pattern forming area 53. As a result, the adhesion between the magnetic recording medium and the master information carrier is further improved.
【００５７】図６に示す形態のマスター情報担体に強磁
性薄膜パターンを形成する方法は、図２を参照して先に
説明したとおりであるから、ここではその詳細な説明を
省略する。The method of forming the ferromagnetic thin film pattern on the master information carrier of the form shown in FIG. 6 is the same as that described above with reference to FIG. 2, and a detailed description thereof will be omitted.
【００５８】図６に示す形態のマスター情報担体は、非
パターン領域５３の表面高さを、パターン領域５２の表
面高さよりも低くすると同時に、２つの面を繋ぐ傾斜壁
面５４を形成することによって製造できる。その方法を
図７を参照して説明する。The master information carrier of the form shown in FIG. 6 is manufactured by making the surface height of the non-pattern area 53 lower than the surface height of the pattern area 52, and at the same time, forming an inclined wall surface 54 connecting the two surfaces. it can. The method will be described with reference to FIG.
【００５９】まず、図７（ａ）に示すように、強磁性薄
膜パターン６２が形成されたマスター情報担体６１にレ
ジスト層６３を形成する。次に、フォトリソグラフィ法
等を用いて、レジスト層を露光・現像して強磁性薄膜パ
ターン６２が形成された領域にのみレジスト層を残す
（図７（ｂ））。First, as shown in FIG. 7A, a resist layer 63 is formed on the master information carrier 61 on which the ferromagnetic thin film pattern 62 has been formed. Next, the resist layer is exposed and developed using a photolithography method or the like to leave the resist layer only in the region where the ferromagnetic thin film pattern 62 is formed (FIG. 7B).
【００６０】これをエッチング液６４に浸漬して、レジ
スト層６３が形成されていない部分のシリコンを結晶異
方性エッチングする（図７（ｃ））。結晶異方性エッチ
ングにおけるエッチング液としては、ＫＯＨやヒドラジ
ンなどのアルカリ系溶液のほか、エチレンジアミン、ピ
ロカテコールおよび水をそれぞれ６：２：１の割合で混
合した混合液（ＥＰＷ溶液）を用いることができる。基
板は所定の量の基板がエッチングにより除去されたとき
にエッチング液から引き上げる（図７（ｄ）。その後、
リムーバ等の薬液を用いて残留したレジスト層６３を剥
離する（図７（ｅ））。この場合においても、結晶異方
性エッチングは、一般に採用されている条件を適用して
実施できるが、図５および図９を参照して説明した場合
と異なり、結晶異方性エッチングによって、非パターン
形成領域の表面高さをより低くする必要があり、従っ
て、結晶異方性エッチングにより除去すべき基板の量が
多くなる。そのため、浸漬時間は、一般に約５〜３０分
程度とやや長くする必要がある。This is immersed in an etchant 64 to crystally anisotropically etch the silicon where the resist layer 63 is not formed (FIG. 7C). As an etchant for the crystal anisotropic etching, in addition to an alkaline solution such as KOH or hydrazine, a mixed solution (EPW solution) in which ethylenediamine, pyrocatechol and water are mixed at a ratio of 6: 2: 1, respectively, may be used. it can. The substrate is pulled up from the etching solution when a predetermined amount of the substrate is removed by etching (FIG. 7D).
The remaining resist layer 63 is removed using a chemical such as a remover (FIG. 7E). Also in this case, the crystal anisotropic etching can be performed by applying generally employed conditions. However, unlike the case described with reference to FIGS. It is necessary to lower the surface height of the formation region, and therefore, the amount of the substrate to be removed by the crystal anisotropic etching increases. Therefore, the immersion time generally needs to be slightly longer, such as about 5 to 30 minutes.
【００６１】結晶異方性エッチングは、図７（ｅ）に示
すように、シリコン基板表面の結晶方位が（１００）面
であれば、エッチング面は（１１１）面になるので、傾
斜壁面６５とパターン形成領域の表面６６から広がる仮
想面（破線で図示）との間で形成される傾斜角γが５５
°（即ち、傾斜壁面６５とパターン形成領域の表面６６
および非パターン形成領域６７の表面との間に形成され
る角度γ１およびγ２が１２５°）となるように進行す
る。In the crystal anisotropic etching, as shown in FIG. 7E, if the crystal orientation of the silicon substrate surface is the (100) plane, the etching plane is the (111) plane. The inclination angle γ formed between a virtual surface (shown by a broken line) extending from the surface 66 of the pattern formation region is 55
° (that is, the inclined wall surface 65 and the surface 66 of the pattern formation region)
And the angles γ1 and γ2 formed with the surface of the non-pattern formation region 67 become 125 °).
【００６２】上記のように、傾斜角は、エッチングの方
法および使用する基体の表面の結晶方位によって所定値
をとる場合があるが、本発明において傾斜角は２０〜７
０°であることが好ましい。傾斜角が２０°未満の傾斜
壁面を形成するには、パターン形成領域の幅を広くする
とともに非パターン形成領域の幅を狭くする必要があ
り、その結果、凹部の幅が狭くなり、磁気記録媒体との
間で良好な密着状態が確保されないおそれがある。ま
た、７０°を超えると、磁気記録媒体の損傷の低減、お
よび異物の滞留抑制といった本発明の効果が発揮されな
いおそれがある。このような傾斜角を形成するために
は、図４および図５を参照して説明したように、結晶異
方性エッチングによって上記範囲にある角度の傾斜面を
形成するような結晶方位を表面に有する基板を基体とし
て選択する必要がある。As described above, the tilt angle may take a predetermined value depending on the etching method and the crystal orientation of the surface of the substrate to be used. In the present invention, the tilt angle is 20 to 7 in the present invention.
Preferably it is 0 °. In order to form an inclined wall surface having an inclination angle of less than 20 °, it is necessary to increase the width of the pattern formation region and to narrow the width of the non-pattern formation region. There is a possibility that a good adhesion state may not be ensured between them. If it exceeds 70 °, the effects of the present invention such as reduction of damage to the magnetic recording medium and suppression of foreign matter retention may not be exhibited. In order to form such an inclination angle, as described with reference to FIGS. 4 and 5, a crystal orientation that forms an inclined plane having an angle within the above range by crystal anisotropic etching is formed on the surface. It is necessary to select a substrate having the same as a substrate.
【００６３】本形態のマスター情報担体においても、パ
ターン形成領域と非パターン形成領域との段差ｄが３μ
ｍ以上であれば、強磁性薄膜パターンと磁気ディスクと
を均一に密着させることが可能である。より好ましい段
差は、１０〜２０μｍである。Also in the master information carrier of this embodiment, the step d between the pattern forming area and the non-pattern forming area is 3 μm.
If m or more, the ferromagnetic thin film pattern and the magnetic disk can be uniformly brought into close contact. A more preferred step is 10 to 20 μm.
【００６４】このように、図６に示す形態のマスター情
報担体においては、アルカリ系のエッチング液を用いた
結晶異方性エッチングにより、非パターン形成領域の表
面高さをパターン形成領域の高さよりも低くするととも
に、両領域を繋ぐ壁面を傾斜面としている。したがっ
て、本形態によれば、図２に示す形態のマスター情報担
体よりも少ない工程で、パターン形成領域および非パタ
ーン形成領域の外縁部を構成する角部および隅部を鈍角
にすることができる。As described above, in the master information carrier of the form shown in FIG. 6, the surface height of the non-pattern forming region is made larger than that of the pattern forming region by the crystal anisotropic etching using the alkaline etching solution. The height is lowered, and the wall connecting the two regions is an inclined surface. Therefore, according to the present embodiment, the corners and corners constituting the outer edges of the pattern forming region and the non-pattern forming region can be made obtuse in fewer steps than in the master information carrier of the embodiment shown in FIG.
【００６５】以上、本発明のマスター情報担体の構造に
ついて説明したが、本発明のマスター情報担体を用い
て、例えばハードディスクであるディスク形状の磁気記
録媒体即ち、磁気ディスクにプリフォーマット情報信号
を記録する際には、マスター情報担体上に形成された強
磁性薄膜パターンを磁気記録媒体に密着させた状態で、
磁気ディスクの円周方向に直流励磁磁界を印加し、マス
ター情報担体上の強磁性薄膜パターンを磁化することに
よって、プリフォーマット情報信号を記録する。この
際、好ましくは、プリフォーマット情報信号の記録前に
予め磁気ディスクを円周方向に一様に直流消去しておく
ことにより、飽和記録に近い十分な記録が行われやす
い。なお、直流消去磁化の向きは、プリフォーマット情
報信号記録時の強磁性薄膜パターンの磁化方向とは逆の
向きとする。Although the structure of the master information carrier of the present invention has been described above, a preformat information signal is recorded on a disk-shaped magnetic recording medium, for example, a hard disk, that is, a magnetic disk using the master information carrier of the present invention. In this case, with the ferromagnetic thin film pattern formed on the master information carrier in close contact with the magnetic recording medium,
A pre-format information signal is recorded by applying a DC excitation magnetic field in the circumferential direction of the magnetic disk and magnetizing the ferromagnetic thin film pattern on the master information carrier. At this time, preferably, before the preformat information signal is recorded, the magnetic disk is uniformly DC-deleted in the circumferential direction in advance, so that sufficient recording close to saturation recording is easily performed. Note that the direction of the DC erase magnetization is opposite to the magnetization direction of the ferromagnetic thin film pattern at the time of recording the preformat information signal.
【００６６】本発明のマスター情報担体において、強磁
性薄膜パターンが形成されたパターン形成領域の少なく
とも一部は凸部であり、強磁性薄膜パターンが形成され
ていない非パターン形成領域の少なくとも一部は凹部で
ある。そして、マスター情報担体と磁気ディスクを当接
させた後、凹部である非パターン領域と磁気ディスクと
の間にできる空隙の気体を排気して、マスター情報担体
と磁気ディスクに大気圧を作用させると、両者は凸部表
面において均一に密着した状態となる。本発明のマスタ
ー情報担体を用いれば、凸部領域の外縁部が鈍角である
ため、磁気記録媒体を損傷することなく均一な密着状態
を維持することができ、また、非パターン形成領域の外
縁部の隅部が鈍角である場合には異物の滞留が防止さ
れ、異物が凸部領域の表面へ移動することを避けること
ができるので、密着の均一性をより向上させることがで
きる。In the master information carrier of the present invention, at least a part of the pattern forming region where the ferromagnetic thin film pattern is formed is a convex portion, and at least a part of the non-pattern forming region where the ferromagnetic thin film pattern is not formed is It is a recess. Then, after the master information carrier and the magnetic disk are brought into contact with each other, a gas in a gap formed between the non-patterned region, which is a concave portion, and the magnetic disk is exhausted, and atmospheric pressure is applied to the master information carrier and the magnetic disk. Both are brought into a state of uniform contact on the surface of the convex portion. With the use of the master information carrier of the present invention, since the outer edge of the convex region is obtuse, a uniform close contact state can be maintained without damaging the magnetic recording medium, and the outer edge of the non-pattern forming region can be maintained. When the corners are obtuse angles, foreign matters are prevented from staying and the foreign matters can be prevented from moving to the surface of the convex region, so that the uniformity of adhesion can be further improved.
【００６７】[0067]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマスター
情報担体は、強磁性薄膜パターンが形成されている凸部
領域の外縁部に面取りを施したものであるから、マスタ
ー情報担体と磁気記録媒体が密着する際に、磁気記録媒
体に損傷を与えることがない。さらに、強磁性薄膜パタ
ーンが形成されていない凹部領域の外縁部に面取りを施
すことにより、凹部領域の外縁部に異物が滞留しにくく
なり、異物の存在量を減少させることができるので、マ
スター情報担体と磁気記録媒体が密着する際に、凸部領
域と磁気記録媒体との間に異物が存在し、それにより均
一な密着が妨げられるというおそれを少なくできる。従
って、本発明によれば、信頼性の高いマスター情報担体
を得ることができる。As described above, since the master information carrier of the present invention has a chamfered outer peripheral portion of the convex region where the ferromagnetic thin film pattern is formed, the master information carrier and the magnetic recording medium are magnetically recorded. When the medium comes into close contact, the magnetic recording medium is not damaged. Furthermore, by chamfering the outer edge of the recessed area where the ferromagnetic thin film pattern is not formed, foreign substances are less likely to stay at the outer edge of the recessed area, and the amount of foreign substances can be reduced, so that master information can be reduced. When the carrier and the magnetic recording medium are in close contact with each other, there is less possibility that foreign matters exist between the convex region and the magnetic recording medium, thereby preventing uniform adhesion. Therefore, according to the present invention, a highly reliable master information carrier can be obtained.
【図１】 図１の（ａ）は、従来のマスター情報担体の
構造の模式的平面図、（ｂ）は、（ａ）の一点鎖線Ａ−
Ａに沿って切断した模式的断面図である。FIG. 1A is a schematic plan view of the structure of a conventional master information carrier, and FIG. 1B is a dashed line A-
FIG. 2 is a schematic sectional view cut along A.
【図２】 図２の（ａ）は、本発明のマスター情報担体
の構造の一例の模式的平面図、（ｂ）は、（ａ）の一点
鎖線Ｉ−Ｉに沿って切断した模式的断面図である。FIG. 2A is a schematic plan view of an example of the structure of the master information carrier of the present invention, and FIG. 2B is a schematic cross section taken along a dashed line II of FIG. FIG.
【図３】 図３は、マスター情報担体の表面に形成され
たプリフォーマット情報信号に対応する強磁性薄膜パタ
ーンの一例を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing an example of a ferromagnetic thin film pattern corresponding to a preformat information signal formed on the surface of a master information carrier.
【図４】 図４の（ａ）〜（ｄ）は、図１に示すマスタ
ー情報担体の製造方法における工程を示す模式図であ
る。4 (a) to 4 (d) are schematic views showing steps in a method for manufacturing the master information carrier shown in FIG. 1.
【図５】 図５の（ｅ）〜（ｈ）は、図１に示すマスタ
ー情報担体の製造方法における工程を示す模式図であ
る。5 (e) to 5 (h) are schematic views showing steps in a method for manufacturing the master information carrier shown in FIG. 1.
【図６】 図６の（ａ）は、本発明のマスター情報担体
の構造の一例の模式的平面図、（ｂ）は、（ａ）の一点
鎖線Ｉ−Ｉに沿って切断した模式的断面図である。6A is a schematic plan view of an example of the structure of the master information carrier of the present invention, and FIG. 6B is a schematic cross section taken along a dashed line II of FIG. FIG.
【図７】 図７の（ａ）〜（ｅ）は、図６に示すマスタ
ー情報担体の製造方法における工程を示す模式図であ
る。7 (a) to 7 (e) are schematic views showing steps in a method for manufacturing the master information carrier shown in FIG. 6.
【図８】 図８は、本発明のマスター情報担体の構造の
一例の模式的断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional view of an example of the structure of the master information carrier of the present invention.
【図９】 図９の（ａ）〜（ｄ）は、図８に示すマスタ
ー情報担体の製造方法における工程を示す模式図であ
る。9 (a) to 9 (d) are schematic views showing steps in a method for manufacturing the master information carrier shown in FIG. 8.
１１、２１、４１、５１、６１、７１、８１ マスター
情報担体 １２、２２、４２、５２、６２、７２、８２ 強磁性薄
膜パターンが形成されている領域（パターン形成領域） １３、２３、５３、７３、８３ 強磁性薄膜パターンが
形成されていない領域（非パターン形成領域） １４ 強磁性薄膜パターンが形成されている領域の外縁
部 １５、７５ 強磁性薄膜パターンが形成されていない領
域の外縁部 ２４、４７、７４、８７ パターン形成領域の外縁部に
施された面取り部 ２５、４８ 非パターン形成領域の外縁部に施された面
取り部 ４３、４５、６３、８５ レジスト層 ４４ 反応性イオンガス ４６、６４、８６ エッチング液 ４９、６６、８８ パターン形成領域の表面 ５０、６７ 非パターン形成領域の表面 ５４、６５ 傾斜壁面 ５５ パターン形成領域の外縁部 ５６ 非パターン形成領域の外縁部11, 21, 41, 51, 61, 71, 81 Master information carrier 12, 22, 42, 52, 62, 72, 82 Regions where ferromagnetic thin film patterns are formed (pattern forming regions) 13, 23, 53, 73, 83 Region where no ferromagnetic thin film pattern is formed (non-pattern forming region) 14 Outer edge of region where ferromagnetic thin film pattern is formed 15, 75 Outer edge of region where ferromagnetic thin film pattern is not formed 24 , 47, 74, 87 chamfered portions provided on the outer edge of the pattern forming region 25, 48 chamfered portions provided on the outer edge of the non-pattern forming region 43, 45, 63, 85 resist layer 44 reactive ion gas 46, 64, 86 Etching solution 49, 66, 88 Surface of pattern forming area 50, 67 Surface of non-pattern forming area 54, 65 Inclined wall 55 Pattern Outer edge of the outer edge portion 56 a non-patterned region of the emission formation region
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜田 泰三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB07 CB04 CB07 DA03 DA04 FA09 5D112 AA02 AA05 AA24 BA02 GA20 GA27 GA30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Taizo Hamada 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture F-term in Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (reference) 5D006 BB01 BB07 CB04 CB07 DA03 DA04 FA09 5D112 AA02 AA05 AA24 BA02 GA20 GA27 GA30
Claims (11)
に対応する強磁性材料の薄膜パターンが形成され、前記
薄膜パターンが形成されていない領域の少なくとも一部
分の表面高さを、前記薄膜パターンが形成されている領
域の表面高さよりも低くしたマスター情報担体におい
て、前記薄膜パターンが形成されている領域の外縁部の
少なくとも一部分および前記薄膜パターンが形成されて
いない領域の外縁部の少なくとも一部分が面取りされて
いることを特徴とするマスター情報担体。1. A thin film pattern of a ferromagnetic material corresponding to a preformat information signal is formed on a surface of a base, and a surface height of at least a part of a region where the thin film pattern is not formed is formed by forming the thin film pattern. In the master information carrier lower than the surface height of the area where the thin film pattern is formed, at least a part of the outer edge of the area where the thin film pattern is formed and at least a part of the outer edge of the area where the thin film pattern is not formed are chamfered. A master information carrier.
に対応する強磁性材料の薄膜パターンが形成され、前記
薄膜パターンが形成されていない領域の少なくとも一部
分の表面高さを、前記薄膜パターンが形成されている領
域の表面高さよりも低くしたマスター情報担体におい
て、前記薄膜パターンが形成されている領域の外縁部に
おいて、少なくとも一部分が面取りされていることを特
徴とするマスター情報担体。2. A thin film pattern of a ferromagnetic material corresponding to a preformat information signal is formed on a surface of a base, and a surface height of at least a part of a region where the thin film pattern is not formed is formed by forming the thin film pattern. A master information carrier having a height lower than the surface height of a region where the thin film pattern is formed, wherein at least a portion is chamfered at an outer edge portion of the region where the thin film pattern is formed.
７０°である請求項１または請求項２のいずれか１項に
記載のマスター情報担体。3. The angle of inclination of the chamfered portion is 20 to
The master information carrier according to claim 1, wherein the angle is 70 °.
に対応する強磁性材料の薄膜パターンが形成され、前記
薄膜パターンが形成されていない領域の少なくとも一部
分の表面高さを、前記薄膜パターンが形成されている領
域の表面高さよりも低くしたマスター情報担体におい
て、前記薄膜パターンが形成されている領域と前記薄膜
パターンが形成されていない領域を繋ぐ壁面が傾斜壁面
であり、傾斜壁面の傾斜角が９０°未満であるマスター
情報担体。4. A thin film pattern of a ferromagnetic material corresponding to a preformat information signal is formed on a surface of a base, and a surface height of at least a part of a region where the thin film pattern is not formed is formed by forming the thin film pattern. In the master information carrier made lower than the surface height of the region where the thin film pattern is formed, the wall connecting the region where the thin film pattern is formed and the region where the thin film pattern is not formed is an inclined wall, and the inclination angle of the inclined wall is 90 degrees. Master information carrier that is less than °.
請求項４に記載のマスター情報担体。5. The master information carrier according to claim 4, wherein the inclination angle of the inclined wall surface is 20 to 70 °.
たはそれらと等価な方位であるシリコン基板である請求
項１〜５のいずれか１項に記載のマスター情報担体。6. The master information carrier according to claim 1, wherein the substrate is a silicon substrate whose surface has a crystal orientation of (100) or an orientation equivalent thereto.
造方法であって、 １）基体に強磁性材料の薄膜パターンを形成する工程、 ２）薄膜パターンが形成されている領域の基体表面に第
１のレジスト層を形成する工程、 ３）前記第１のレジスト層をエッチングマスクとして、
反応性ガスによる反応性イオンエッチングを行い、薄膜
パターンが形成されていない領域である凹部領域、およ
び薄膜パターンが形成されている領域である凸部領域を
形成する工程、 ４）前記第１のレジスト層を除去する工程、 ５）第２のレジスト層を、凸部領域の表面の少なくとも
一部の外縁部を除く領域に形成する工程、ならびに ６）前記第２のレジスト層をエッチングマスクとしてエ
ッチング液による結晶異方性エッチングを行う工程を含
むマスター情報担体の製造方法。7. The method for producing a master information carrier according to claim 1, wherein: 1) a step of forming a thin film pattern of a ferromagnetic material on the base; 2) a step of forming a thin film pattern on a surface of the base in a region where the thin film pattern is formed. Forming a first resist layer, 3) using the first resist layer as an etching mask,
A step of performing a reactive ion etching with a reactive gas to form a concave region where a thin film pattern is not formed and a convex region where a thin film pattern is formed, 4) the first resist Removing the layer; 5) forming a second resist layer in a region excluding at least a part of the outer edge of the surface of the convex region; and 6) etching solution using the second resist layer as an etching mask. A method for producing a master information carrier, comprising a step of performing a crystal anisotropic etching by the method.
造方法であって、 １）基体に強磁性材料の薄膜パターンを形成する工程、 ２）薄膜パターンが形成されている領域の基体表面に第
１のレジスト層を形成する工程、 ３）前記第１のレジスト層をエッチングマスクとして、
反応性ガスによる反応性イオンエッチングを行い、薄膜
パターンが形成されていない領域である凹部領域、およ
び薄膜パターンが形成されている領域である凸部領域を
形成する工程、 ４）前記第１のレジスト層を除去する工程、 ５）第２のレジスト層を、凸部領域の表面の少なくとも
一部の外縁部を除く領域、および凹部領域の表面を覆う
ように凹部領域の深さの一部に形成する工程、ならびに ６）前記第２のレジスト層をエッチングマスクとしてエ
ッチング液による結晶異方性エッチングを行う工程を含
むマスター情報担体の製造方法。8. The method for producing a master information carrier according to claim 2, wherein: 1) a step of forming a thin film pattern of a ferromagnetic material on the base; 2) a step of forming a thin film pattern on the surface of the base in a region where the thin film pattern is formed. Forming a first resist layer, 3) using the first resist layer as an etching mask,
A step of performing a reactive ion etching with a reactive gas to form a concave region where a thin film pattern is not formed and a convex region where a thin film pattern is formed, 4) the first resist Removing the layer; 5) forming a second resist layer at a part of the depth of the concave region so as to cover the region excluding at least a part of the outer edge of the surface of the convex region and the surface of the concave region; And 6) a method for producing a master information carrier, comprising the step of: performing a crystal anisotropic etching with an etchant using the second resist layer as an etching mask.
造方法であって、 １）基体に強磁性材料の薄膜パターンを形成する工程 ２）薄膜パターンが形成されている領域の基体表面にレ
ジスト層を形成する工程、および、 ３）前記レジスト層をエッチングマスクとしてエッチン
グ液による結晶異方性エッチングを行う工程を含むマス
ター情報担体の製造方法。9. The method for manufacturing a master information carrier according to claim 4, wherein: 1) a step of forming a thin film pattern of a ferromagnetic material on the base; 2) a resist on a surface of the base in a region where the thin film pattern is formed. Forming a layer; and 3) performing a crystal anisotropic etching with an etchant using the resist layer as an etching mask.
ウム）水溶液、ＥＰＷ（エチレンジアミン−ピロカテコ
ール−水）、ヒドラジンおよびＴＭＡＨ（テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド）から選択される少な
くとも１種の液である請求項７〜９のいずれか一項に記
載のマスター情報担体の製造方法。10. The etching solution according to claim 1, wherein the etching solution is at least one solution selected from an aqueous solution of KOH (potassium hydroxide), EPW (ethylenediamine-pyrocatechol-water), hydrazine and TMAH (tetramethylammonium hydroxide). The method for producing a master information carrier according to any one of claims 7 to 9.
またはそれらと等価な方位であるシリコン基板である請
求項７〜１０のいずれか一項に記載のマスター情報担体
の製造方法。11. The substrate according to claim 1, wherein the crystal orientation of the surface is (100).
The method for manufacturing a master information carrier according to any one of claims 7 to 10, wherein the master information carrier is a silicon substrate having an orientation equivalent to them.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14964599A JP3581799B2 (en) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | Master information carrier and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14964599A JP3581799B2 (en) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | Master information carrier and method of manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000339670A true JP2000339670A (en) | 2000-12-08 |
| JP3581799B2 JP3581799B2 (en) | 2004-10-27 |
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ID=15479764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3581799B2 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7046476B1 (en) | 2005-01-10 | 2006-05-16 | Hitachi Global Storage Technologies | Method apparatus and system for accessing discontinuous media tracks |
| US7319568B2 (en) | 2004-07-16 | 2008-01-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording media, magnetic recording apparatus, and stamper |
| US7623311B2 (en) | 2005-03-18 | 2009-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Recording media, recording and reproducing apparatus, and method for recording and reproducing |
| US7738213B2 (en) | 2005-06-10 | 2010-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic disk medium, reticle and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US7746587B2 (en) | 2006-03-06 | 2010-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording apparatus and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US8097351B2 (en) | 2005-02-03 | 2012-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording apparatus |
| JP2014056641A (en) * | 2008-05-27 | 2014-03-27 | Seagate Technology Internatl | Method for generating master recording medium |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008282512A (en) | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing device |
-
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7319568B2 (en) | 2004-07-16 | 2008-01-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording media, magnetic recording apparatus, and stamper |
| US7046476B1 (en) | 2005-01-10 | 2006-05-16 | Hitachi Global Storage Technologies | Method apparatus and system for accessing discontinuous media tracks |
| US8097351B2 (en) | 2005-02-03 | 2012-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording apparatus |
| US7623311B2 (en) | 2005-03-18 | 2009-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Recording media, recording and reproducing apparatus, and method for recording and reproducing |
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| JP2014056641A (en) * | 2008-05-27 | 2014-03-27 | Seagate Technology Internatl | Method for generating master recording medium |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3581799B2 (en) | 2004-10-27 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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