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JP2000332001A - プラズマ反応用ガス及びその製造方法 - Google Patents

プラズマ反応用ガス及びその製造方法

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JP2000332001A
JP2000332001A JP11143562A JP14356299A JP2000332001A JP 2000332001 A JP2000332001 A JP 2000332001A JP 11143562 A JP11143562 A JP 11143562A JP 14356299 A JP14356299 A JP 14356299A JP 2000332001 A JP2000332001 A JP 2000332001A
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俊達 平山
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俊郎 山田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 オクタフルオロシクロペンテンからなる優れ
たエッチング性能を有するプラズマ反応用ガス及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 ガスの全量に対して、オクタフルオロシ
クロペンテンの純度が９９．９容量％以上であり、かつ
残余の微量ガス成分として含まれる窒素と酸素の合計量
が２００容量ｐｐｍ以下の高純度で均一なプラズマ反応
用ガス。この高純度プラズマ反応用ガスは、粗オクタフ
ルオロシクロペンテンを特定のプロセスで処理すること
により製造でき、プラズマエッチング、プラズマＣＶ
Ｄ、プラズマアッシングなどに有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
分野などにおいて有用なプラズマ反応用ガスに関する。
さらに詳しくは、高純度なオクタフルオロシクロペンテ
ンからなるプラズマ反応用ガス及びその改良された製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＶＬＳＩ（超集積回路）、ＵＬＳ
Ｉ（超々集積回路）等にみられるように、半導体装置の
高集積化および高性能化が進展するに伴い、これら装置
の製造工程に用いられるプラズマ反応用ガスについて
も、技術的要求がますます厳しくなり、均一で高純度な
ガスが求められている。
【０００３】ところで、プラズマ反応用ガスとしては、
これまで四フッ化炭素ガスなど飽和のフルオロカーボン
類が主に用いられてきたが、飽和パーフルオロカーボン
類は大気寿命が数千年以上と極めて長く、地球温暖化へ
の悪影響が指摘されている。このような観点から、種々
の新しい含フッ素化合物が代替物として開発されている
が、不飽和結合を有し大気寿命が格段に短いオクタフル
オロシクロペンテン（Ｃ５ Ｆ８ ）は、各種半導体装
置の製造分野において有望なプラズマ反応用ガスとして
注目されている。
【０００４】しかしながら、例えば、１，２−ジクロロ
ヘキサフルオロシクロペンテンをフッ化カリウムと反応
させて得られた粗生成物を、工業的に通常用いられる方
法で精留したオクタフルオロシクロペンテンを、酸化シ
リコンに代表されるシリコン化合物層のドライエッチン
グに適用すると、エッチング条件によってはエッチング
速度やフォトレジストおよびポリシリコンなどの保護膜
に対する選択性が十分満足できるとは言い難く、さらに
はエッチングが高速度で均一に行われないという問題が
あった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の上記のよう
な問題点に鑑み、本発明の目的は、被エッチング材料へ
の高い選択性と優れたエッチング速度を有するプラズマ
反応用ガス及びその製造方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために、オクタフルオロシクロペンテンの
プラズマ反応、とりわけ該ガス中に含まれる不純物とプ
ラズマ反応の性能について鋭意検討を加えたところ、あ
る種の不純物の存在がプラズマ反応に大きく影響するこ
とを見出した。また、プラズマ反応に影響する特定の不
純物を効率よく除去して極めて高純度なオクタフルオロ
シクロペンテンを得る方法の確立にも成功して、本発明
を完成させるに到った。
【０００７】かくして、本発明によれば、オクタフル
オロシクロペンテンからなるプラズマ反応用ガスであっ
て、該プラズマ反応用ガスの全量に対して、オクタフル
オロシクロペンテンの純度が９９．９容量％以上であ
り、かつ残余の微量ガス成分として含まれる窒素ガスと
酸素ガスの合計量が２００容量ｐｐｍ以下であることを
特徴とするプラズマ反応用ガス（請求項１）、水分含
量が２０重量ｐｐｍ以下である前記に記載のプラズマ
反応用ガス（請求項２）、ドライエッチング、ケミカ
ル・ベーパー・デポジッション、またはアッシングのい
ずれかであるプラズマ反応に用いることを特徴とする前
記またはに記載のプラズマ反応用ガス（請求項
３）、
【０００８】オクタフルオロシクロペンテンを主成分
とする反応粗生成物を、０属の不活性ガス中で精留する
ことを特徴とする、上記またはに記載のプラズマ反
応用ガスの製造方法（請求項４）、オクタフルオロシ
クロペンテンを主成分とする反応粗生成物を、純度９
９．９容量％以上に精留する第1工程、次いで残留する
微量不純物を除去する第２工程、からなることを特徴と
する前記またはに記載のプラズマ反応用ガスの製造
方法（請求項５）が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】プラズマ反応用ガス 本発明のプラズマ反応用ガスは、ガスの全量に対してオ
クタフルオロシクロペンテンの純度が９９．９容量％以
上であることが必須であり、かつ残余の微量ガス成分と
して含まれる窒素ガスと酸素ガスの合計量が２００容量
ｐｐｍ以下であることを特徴とする。
【００１０】オクタフルオロシクロペンテンの純度は、
ガスの全量に対して、好ましくは９９．９５容量％以上
であり、より好ましくは９９．９８容量％以上である。
また、窒素ガスと酸素ガスの合計量は、ガスの全量に対
して、好ましくは１５０容量ｐｐｍ以下、より好ましく
は１００容量ｐｐｍ以下である。さらに、上記に加えて
水分含量を２０重量ｐｐｍ以下とすることは、本発明の
目的を達成するうえで有利であるので推奨される。
【００１１】前記の「プラズマ反応用ガス」とは、後述
する本発明に固有のプラズマ反応用ガスの製造方法、又
はその他の方法によって製造され、任意の容器に充填さ
れて半導体装置の製造工程などのプラズマ反応に供され
るガスをいう。さらに前記の任意の容器中へ本発明の目
的を阻害しない別種のプラズマ反応用ガスや希釈ガスを
添加した混合ガス、また前記の任意の容器から本発明の
ガスを取り出し、本発明の目的を阻害しない別種のプラ
ズマ反応ガスや希釈ガスと併せて別の容器に充填した混
合ガスなども実質的に包含するものである。
【００１２】前記の「オクタフルオロシクロペンテンの
純度」は、内部標準物質法によるガスクロマトグラフィ
ー分析（以下、ＧＣ分析という。）で測定した重量基準
の百分率（％）から導かれる容量基準の純度である。
「窒素ガスと酸素ガスの合計量」は、ＧＣ分析で測定し
た窒素ガスおよび酸素ガスの容量基準の含有量（ｐｐ
ｍ）の合計である。なお、これらの容量基準はモル基準
ということもできる。「水分の含量」は、通常、カール
フィッシャー法で測定される重量基準の水分の含有量
（ｐｐｍ）である。
【００１３】本発明のプラズマ反応用ガスを構成する
「オクタフルオロシクロペンテン」は、常圧の沸点が２
７℃の既知物質であり、公知の方法により製造すること
ができる。その代表的な例として、本発明者らの別の出
願に係る特開平９−９５４５８には、１，２−ジクロロ
ヘキサフルオロシクロペンテンを窒素気流下、ＤＭＦ中
でフッ化カリウムと反応させながら、反応器に装備した
精留塔から生成物を抜出すことにより、純度９９．８〜
９９．９８％のオクタフルオロシクロペンテンが得られ
ることが開示される（同公報実施例１〜２）。また、こ
のオクタフルオロシクロペンテンは、医薬、農薬、液
晶、ポリマーの原料として有用であることが記載され
る。
【００１４】ちなみに、本発明者らの研究によれば、前
記の製法においてオクタフルオロシクロペンテンを沸点
以下（２７℃以下）に冷却して液体として取り扱うと、
大気中の空気（窒素、酸素）や生産設備内の窒素ガス等
が、液状のオクタフルオロシクロペンテンと接触して、
非常に速やかに溶解する。
【００１５】例えば、液中に溶存する窒素ガスと酸素ガ
スとの合計量は、２０℃において５００〜７００容量ｐ
ｐｍ、 −２０℃では数１０００ｐｐｍに達することも
しばしばある。また、溶解ガスを一旦除去しても、保存
環境が窒素雰囲気下あるいは空気中である場合には、窒
素や酸素が再溶解して、速やかに元の状態に戻る。
【００１６】また、本発明者らの別の知見によれば、上
記のような液状のオクタフルオロシクロペンテンをボン
ベに充填して、再びオクタフルオロシクロペンテンをガ
ス状で抜出すとき、液中に溶存する窒素ガスや酸素ガス
が気化ガス中に濃縮される。従って、ガスの抜出し中
に、窒素ガスや酸素ガスの含有量が経時的に著しく変動
することになる。
【００１７】さらに、オクタフルオロシクロペンテンよ
り沸点が高い水分が含まれる場合や、オクタフルオロシ
クロペンテン以外の有機物成分が含まれる場合には、容
器からガスを取り出すに応じて、それらの含有量が増加
することになる。なお、前記の「オクタフルオロシクロ
ペンテン以外の有機物成分」とは、オクタフルオロシク
ロペンテンの製造工程で極めて微量に随伴する反応原
料、反応中間体、副生成物であり、具体的には１，２−
ジクロロヘキサフルオロシクロペテン、１−クロロヘプ
タフルオロシクロペンテン、クロロノナフルオロシクロ
ペンタン、パーフルオロシクロペンタジエン、パーフル
オロブタジエン、パーフルオロシクロブテン、パーフル
オロシクロペンタンなどが例示される。
【００１８】以上に述べたような従来の製造方法で得ら
れる「オクタフルオロシクロペンテン」を、半導体装置
のドライエッチング工程において、プラズマ反応用ガス
として使用すると、本発明の目的を達成することは不可
能である。
【００１９】その第１の理由は、窒素、酸素、水分、前
記の塩素含有化合物などの不純物は、プラズマ反応装置
内で解離して、各種の遊離基（エッチング種）を発生さ
せるため、オクタフルオロシクロペンテンのプラズマ反
応に大きく影響することである。第２の理由は、窒素ガ
ス含有量が一定値以上になると、オクタフルオロシクロ
ペンテンのプラズマ反応そのものが、遊離基への分解か
ら重合へと変化して、重合析出物が生成することであ
る。第３の理由は、オクタフルオロシクロペンテンを容
器から抜き出すとき、窒素ガス、酸素ガス、水分、前記
の塩素含有化合物の揮発量が経時的に大きく変動して、
プラズマ反応を一定条件下に安定して行うことが困難に
なることである。
【００２０】一方、本発明のプラズマ反応用ガスは、ガ
スの全量に対してオクタフルオロシクロペンテンの純度
が９９．９容量％以上であり、かつ残余の微量ガス成分
として含まれる窒素ガスと酸素ガスの合計量が２００容
量ｐｐｍ以下であることを特徴とするものであって、上
記３つの理由のいずれに該当することもなく、本発明の
目的を達成することができる。また、本発明のプラズマ
反応用ガスは、上記に加えて水分含量を２０重量ｐｐｍ
以下にすると、本発明の目的をより一層明確に達成する
ことができる。
【００２１】プラズマ反応用ガスの利用の形態 本発明のプラズマ反応用ガスは、ドライエッチング、ケ
ミカル・ペーパー・デポジッション（以下、ＣＶＤとい
う。）、またはアッシングのいずれかであるプラズマ反
応に特に好適に用いられるが、それらに制限されるもの
ではない。
【００２２】ドライエッチング 本発明のプラズマ反応用ガスを用いる「ドライエッチン
グ」とは、半導体装置の製造工程などで用いられる被エ
ッチング基体上に極めて高集積化された微細パターンを
食刻する技術をいう。被エッチング基体とは、例えばガ
ラス基板、シリコン単結晶ウエハー、ガリウム−ヒ素な
どの基板上に被エッチング材料の薄膜層を備えたもので
ある。
【００２３】被エッチング材料としては、例えば、酸化
シリコン、窒化シリコン、アルミニウム、タングステ
ン、モリブデン、タンタル、チタン、クロム、酸化クロ
ム、金などが挙げられる。被エッチング基体としては、
酸化シリコンまたはアルミニウム薄膜を備えたシリコン
ウエハーが好適に用いられる。被エッチング材料が酸化
シリコンの場合、その上に設ける保護膜の好ましい例と
しては、フォトレジストおよびポリシリコンが挙げられ
る。
【００２４】本発明のドライエッチングにおいては、エ
ッチングの際に照射するプラズマとして、通常１０１０
イオン／ｃｍ３ 以上の高密度領域のものを発生せしめ
る。特に、１０１０〜１０１３オン／ｃｍ３程度の密度
が、より高性能を発現し、微細なパターンを形成するう
えで好ましい。プラズマ発生装置としては、従来より用
いられている平行平板タイプやマグネトロンタイプの反
応性イオンエッチング方式によるドライエッチングで
は、一般的に、上記のような高密度領域のプラズマを実
現するには不適である。上記のような高密度領域のプラ
ズマを実現するための方法としては、ヘリコン波方式や
高周波誘導方式が推奨される。
【００２５】エッチング時の圧力は、特別な範囲を選択
する必要はなく、一般的には、真空に脱気したエッチン
グ装置内に、前記のエッチングガスを１０〜１０−５Ｔ
ｏｒｒ程度の圧力になるように導入する。好ましくは１
０−２〜１０−３Ｔｏｒｒである。
【００２６】エッチング時における被エッチング基体の
到達温度は、通常０〜３００℃、好ましくは６０〜２５
０℃、より好ましくは８０〜２００℃の範囲である。基
体の温度は冷却等により制御しても、制御しなくてもよ
い。エッチング処理の時間は１０秒〜１０分程度である
が、本発明のプラズマ反応用ガスは、概して、高速エッ
チングが可能なので、生産性向上の見地からも１０秒〜
３分が好ましい。
【００２７】ＣＶＤ 本発明のプラズマ反応用ガスを用いる「ＣＶＤ」とは、
プラズマ放電によりオクタフルオロシクロペンテンを活
性化ならびに重合させ、各種の被処理物表面に薄いポリ
マー膜を形成せしめることをいう。ポリマー膜が生成す
る過程は必ずしも明確ではないが、放電解離条件下でオ
クタフルオロシクロペンテンが分解するとともに、開環
または付加して重合するものと考えられる。プラズマＣ
ＶＤは、前記ドライエッチングと発生させるプラズマの
密度等の条件を変更するほか、本発明のプラズマ反応用
ガスに別種の第二成分を加えることによっても達成され
る。
【００２８】被処理物は特に限定されないが、半導体製
造分野、電子電気分野、精密機械分野、その他の分野で
絶縁性、はっ水性、耐腐食性、耐酸性、潤滑性、光の反
射防止性等の機能または性質が要求される物品や部材の
表面である。好ましくは半導体製造分野、電子電気分野
の絶縁性が要求される物品や部材の表面である。プラズ
マＣＶＤは、半導体装置の製造工程における絶縁膜や絶
縁材料層の形成に特に好適に用いられる。その具体例と
しては、アルミニウム系金属配線上における層間絶縁
膜、素子を保護する最終パッシベーション膜の形成など
が挙げられる。
【００２９】プラズマＣＶＤの手法としては、従来から
知られている、例えば特開平９−２３７７８３号公報に
記載されている手法をとることができる。プラズマ発生
条件としては、通常、高周波（ＲＦ）出力１０Ｗ〜１０
ｋＷ、被処理物温度０〜５００℃、圧力０．１ｍＴｏｒ
ｒ〜１００Tｏｒｒが採用される。生成する膜の厚さ
は、通常０．０１〜１０μｍの範囲である。プラズマＣ
ＶＤに用いる装置としては、平行平板ＣＶＤ装置が一般
的であるが、マイクロ波ＣＶＤ装置、ＥＣＲ−ＣＶＤ装
置、および高密度プラズマＣＶＤ装置（ヘリコン波方
式、高周波誘導方式）を用いることができる。
【００３０】また、プラズマ反応用ガスの解離促進およ
び被処理物の損傷低減を目的として低圧水銀ランプなど
による紫外線照射を行ったり、被処理物および反応空間
に超音波を照射することができる。
【００３１】アッシンング 本発明のプラズマ反応用ガスを用いる「アッシング」と
は、プラズマ放電によりオクタフルオロシクロペンテン
を活性化させて、エッチング装置やＣＶＤ装置のチャン
バー内にある汚染物質を灰化除去することをいう。ま
た、エッチングやＣＶＤの被処理物表面にある汚染物質
を活性種で除去すること、さらには被処理物の表面を活
性種で研磨して平坦化することなどをもいう。
【００３２】特に好適には、チャンバー内に堆積した不
要なポリマー成分の除去、半導体装置基板の酸化膜除
去、半導体装置のレジスト剥離に用いられる。プラズマ
アッシングでは、プラズマ分解による活性種の発生が必
要であり、そのためのプラズマ反応条件が適宜選択され
る。
【００３３】プラズマ反応用ガスの製造方法 本発明のプラズマ反応用ガスの製造方法は特に限定され
ないが、以下に説明する本発明に固有の製造方法によ
り、とりわけ好適に製造することができる。これら２つ
の製造方法に共通に用いられる「オクタフルオロシクロ
ペンテンを主成分とする反応粗生成物（以下、反応粗生
成物という。）」の合成方法は、特に限定されるもので
はない。
【００３４】例えば、パークロロシクロペンテンをフッ
化カリウムでフッ素化する方法、パークロロシクロペン
テンまたはパークロロシクロペンタジエンをアンチモン
やクロムを主体とする触媒存在下にフッ化水素によりフ
ッ素化して得られるクロロシクロペンテン類をフッ化カ
リウムでフッ素化する方法、クロロノナフルオロシクロ
ペンタンを脱塩化フッ素化する方法などが挙げられる。
これらの方法の中では、高価なフッ化カリウムの使用量
を抑制でき、また、一旦導入したフッ素原子を脱離する
等の無駄が少ないことから、１−クロロヘキサフルオロ
シクロペンテンをフッ化カリウムでフッ素化する方法が
好ましい。
【００３５】前記反応粗生成物は、通常９０容量％以上
の純度で得ることができる。これは主反応が塩素原子を
フッ素原子に置換する反応であることから、反応粗生成
物と反応中間体や反応原料との沸点差が大きく、蒸留等
で分離しやすいことによるものである。本発明の製造方
法を有利に実施するには、原料である反応粗生成物の純
度は９５容量％以上である。好ましくは９７容量％以
上、より好ましくは９８容量％以上、もっとも好ましく
は９９容量％以上である。
【００３６】反応粗生成物に含まれる不純物は、用いた
出発原料によっても異なるが、例えば、１，２−ジクロ
ロヘキサフルオロシクロペンテン、１−クロロヘプタフ
ルオロシクロペンテン、クロロノナフルオロシクロペン
タン、パーフルオロシクロペンタジエン、パーフルオロ
ブタジエン、パーフルオロシクロブテン、パーフルオロ
シクロペンタン、炭素数４あるいは５の含酸素フルオロ
５員環化合物類等などが挙げられる。なお、前記の炭素
数４あるいは５の含酸素フルオロ５員環化合物類は、そ
の生成機構が明らかでない。
【００３７】また、空気や生産設備内の窒素ガス等と液
状のオクタフルオロシクロペンテンが接触して溶解した
窒素ガスおよび酸素ガス等も不純物として挙げられる。
さらには反応溶媒や吸湿性が高いフッ化カリウム（フッ
素化剤）などに由来する水分なども不純物として挙げら
れる。
【００３８】前記不純物を除去して高純度なプラズマ反
応用ガスを得る本発明の第１の製造方法は、前記反応粗
生成物を０族の不活性ガス中で精留することを特徴とす
る。０族の不活性ガスは特に限定されず、周期表第０族
に属するヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノン、ラドンなどが挙げられる。好ましくはヘリウ
ム、ネオン、アルゴンである。オクタフルオロシクロペ
ンテンへの溶解性が低い点と工業的な入手の容易性から
はヘリウム、アルゴンがより好ましく、ヘリウムがもっ
とも好ましい。０族の不活性ガスは単独または２種以上
を併用することができる。
【００３９】精留法は特に限定されないが、前記０族の
不活性ガス中で精留することが必須である。精留塔の理
論段数は、オクタフルオロシクロペンテンと沸点が近い
類縁化合物を効率よく除去するためには、通常３０段以
上であり、好ましくは５０段以上である。精留時の圧力
は、通常、ゲージ圧で−０．５気圧以上、好ましくは常
圧以上〜１０気圧以下である。還流比は特に限定されな
い。精留塔部の能力に見合った還流比を適宜選択できる
が、通常２以上、好ましくは５以上の還流比である。精
留は回分式、連続式のいずれでもよく、また、抽出用溶
剤を加えて抽出蒸留を行ってもよい。
【００４０】留分の抜き出しは、前記精留塔塔頂部の温
度を管理することにより行うことができる。塔頂部の温
度は、プラズマ反応用ガスの沸点（圧力により固有に決
まる）付近に設定すればよい。反応粗生成物に含まれる
水分は、初留分として共沸除去されるので、本留分中の
水分は２０重量ｐｐｍ以下にすることができる。有機性
の不純物は、オクタフルオロシクロペンテンとの沸点差
を利用して除去される。
【００４１】また、精留前に精留装置全体を０族の不活
性ガスで置換すること、留分の抜出し前に全還流させ冷
却凝縮器の冷却を中断して仕込み液中の溶存ガスを外部
へ追い出すこと、精留中に０族の不活性ガスを精留装置
へ流通させること、などにより窒素ガス及び酸素ガスが
除去される。精留で得られる本留分は、通常、０族の不
活性ガス雰囲気下にボンベなどに充填される。
【００４２】このように本発明の第１の製造方法は、窒
素ガス、酸素ガス、水分、有機性不純物の除去を同時に
行える点で効率的である。本製造方法によると、極めて
高純度なプラズマ反応用ガス、すなわち、ガスの全量に
対してオクタフルオロシクロペンテンの純度が９９．９
容量％以上であり、かつ残余の微量ガス成分として含ま
れる窒素ガスと酸素ガスの合計量が２００容量ｐｐｍ以
下のプラズマ反応用ガスを得ることができる。
【００４３】また、本発明の第１の製造方法によると、
ガスの全量に対してオクタフルオロシクロペンテンの純
度が９９．９容量％以上であり、かつ残余の微量ガス成
分として含まれる窒素ガスと酸素ガスの合計量が２００
容量ｐｐｍ以下であり、かつ水分含量が２０重量ｐｐｍ
以下のプラズマ反応用ガスも製造することもできる。
【００４４】本発明の第２の製造方法は、反応粗生成物
を純度９９．９容量％以上に精留する第1工程、次いで
残留する微量不純物を除去する第２工程、からなるプロ
セスであることを特徴とする。
【００４５】本発明の第２の製造方法の第１工程は、反
応粗生成物に含まれるオクタフルオロシクロペンテンを
純度９９．９容量％以上に精留することが必須である。
好ましくは９９．９５容量％以上、より好ましくは９
９．９８容量％以上である。この精留の方法は特に限定
されないが、例えば、前記本発明の第１の製造方法で説
明したような方法に準じて行うことができる。しかしな
がら、０族の不活性ガス中で精留することは、本第１工
程では必ずしも必要ではなく、窒素ガスなどの共存下に
行ってもよい。その理由は、後述する第２工程で窒素ガ
スなどを除去できるからである。
【００４６】この第１工程の精留を実施することによ
り、反応粗生成物に含まれる水分は、蒸留の初留分とし
て共沸除去されるので、本留分に含有される水分は２０
重量ｐｐｍ以下にすることができる。また、有機性の不
純物の大部分もオクタフルオロシクロペンテンとの沸点
差を利用して精留により除去できるので、オクタフルオ
ロシクロペンテンの純度を９９．９容量％以上にするこ
とが可能である。所望により前記精留に加えて、その前
処理工程として乾燥剤、分子ふるい、吸着剤などを用い
て、予め水分や有機性の不純物の除去を行ってもよい。
【００４７】第２工程である「残余の微量不純物を除去
する工程」とは、通常、前記第１工程で得られる生成物
から窒素ガスと酸素ガスを、その合計量が２００容量ｐ
ｐｍ以下に除去する工程いう。また、所望により、これ
に加えて前記第１工程の精留で除けなかった微量の有機
性の不純物を除去する工程を実施してもよい。
【００４８】残余の微量不純物である窒素ガスと酸素ガ
スとを除去する方法は、特に限定されないが、０族の
不活性ガス中で加熱還流する方法、０族の不活性ガス
中で単蒸留する方法、低温下に減圧して脱気する方
法、が推奨される。〜は単独で行っても、いずれか
２つ以上を組合せて実施してもよい。さらに前記〜
の方法に加えて、それらの前後において、微量の有機性
不純物を除去するために、分子ふるい、吸着剤と接触
させる方法を実施してもよい。これら〜の方法を以
下に具体的に説明する。
【００４９】０族の不活性ガス中で加熱還流する方法 前記したようにオクタフルオロシクロペンテンは常温で
液体であり、また、速やかに空気（窒素及び酸素）を溶
解する性質があるため、空気を遮断して０族の不活性ガ
ス中で加熱還流することは、窒素ガス及び酸素ガスを除
去するのに極めて有効である。加熱還流に用いる０族の
不活性ガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴンなど
を例示できるが、オクタフルオロシクロペンテンへの溶
解性の少ない点と入手の容易性からヘリウム、アルゴン
が好ましく、ヘリウムがより好ましい。
【００５０】この加熱還流は、予め装置全体を脱気して
０族の不活性ガスに置換しておくこと、還流中は系内に
０族の不活性ガスを流通せしめることが望ましいが、先
ず窒素ガスや酸素ガスを含む気体中で加熱還流して、オ
クタフルオロシクロペンテンの蒸気により窒素や酸素を
系外へ追い出しておき、その後、装置内を０族の不活性
ガス雰囲気として加熱還流することもできる。加熱して
発生するオクタフルオロシクロペンテンの蒸気は、上部
のコンデンサーにより冷却され、液化して下部の加熱容
器へ還流するが、蒸気の散逸を防止する観点からは、コ
ンデンサーの冷媒温度は、通常５℃以下、好ましくは０
℃以下、より好ましくは−２０℃以下である。
【００５１】加熱還流により除去された窒素ガスや酸素
ガスがコンデンサーの液化部（凝縮部）周辺に存在する
と、再溶解する可能性があるので、０族の不活性ガス雰
囲気下での還流途中に一旦コンデンサーの冷却を止め
て、蒸気の一部を窒素ガスや酸素ガスと共に系外へ放出
して、完全に窒素ガスや酸素ガスを系外に追い出す方法
も効果的であり推奨される。
【００５２】加熱還流するときの圧力は、オクタフルオ
ロシクロペンテンの沸点が２７℃であるので、常圧以上
であればよいが、液中の溶存する気体を効率よく追い出
すためには加圧方式は効率的ではなく、常圧下の還流が
望ましい。加熱方式は、通常の蒸留や加熱反応の方法に
準じて行えばよく、ジャケット加熱、リボイラー加熱、
内部コイル加熱等の種々の方式を用いることができる。
加熱還流時間は、被還流物の仕込量や還流量、コンデン
サーの能力により適宜設定すればよいが、通常1時間以
上、好ましくは３時間以上である。
【００５３】０族の不活性ガス中で単蒸留する方法 前記の０族の不活性ガス中で所定時間の加熱還流を継
続した後、コンデンサー内で冷却凝縮する液を元の加熱
釜（容器）に戻すことなく、別の受器に分取すること
も、加熱による劣化等を防止する観点から有効である。
この方式は、０族の不活性ガス中で単蒸留する方法と言
うことができる。操作内容は前記の加熱還流だけを行う
場合に準じればよく、特殊な装置や操作は不要である。
【００５４】低温下に減圧して脱気する方法 この方法は、前記第１工程で得られる窒素ガスや酸素ガ
スを含んだ精留留分を低温下に減圧し、気体成分を除去
するものである。操作温度は、常温以下であればよい
が、常温〜０℃では減圧する際にオクタフルオロシクロ
ペンテンが揮発して系外に消失する量が多くなるため、
０℃以下が好ましい。さらに好ましくは−２０℃以下で
ある。また、減圧ラインに深冷トラップを設けてオクタ
フルオロシクロペンテンの回収を行うことが望ましい。
操作圧力は、通常５〜２００ｍｍＨｇ、好ましくは２０
〜５０ｍｍＨｇである。
【００５５】本方法においては、減圧脱気する液全体を
振とうさせたり、超音波を当てることにより、さらに効
率的な脱気ができる。減圧脱気する時間は長い程良い
が、オクタフルオロシクロペンテンの蒸発ロスを考慮す
ると、通常１０秒〜５分、好ましくは３０秒〜２分であ
る。また、減圧脱気を断続的に数回繰り返し行うことも
有効である。減圧後はそのまま容器を密閉したり、０族
の不活性ガスを注入して常圧に戻すことにより、窒素ガ
スや酸素ガスとの接触を遮断することができる。
【００５６】分子ふるい、吸着剤と接触させる方法 この方法は、前記〜の方法のいずれかと組合せて、
オクタフルオロシクロペンテン中に微量含まれる含塩素
化合物や含酸素化合物を除去し、極めて高純度なプラズ
マ反応用ガスを製造するのに有用である。前記含酸素化
合物としては、ガスクロマトグラフィー質量分析法によ
り、分子式がＣ５ Ｆ８ Ｏ、Ｃ４ Ｆ ６ Ｏ と推定
される化合物が例示される。これらの除去には、分子ふ
るい（モレキュラーシーブ）やアルミナ、活性炭などの
吸着剤と接触させる方法が有効である。
【００５７】用いられる分子ふるいは特に限定されな
い。多くの種類が市販されているので適宜選択できる
が、モレキュラーシーブ３Ａ、１３Ｘ（和光純薬工業
（株）製）などが好ましく、モレキュラーシーブ１３Ｘ
がさらに好ましい。アルミナとしては、アルミナ水和物
の加熱脱水により生成する結晶性の低い活性アルミナが
好ましく、例えば、アルミナ触媒Ｎ６１１Ｎ（日揮化学
（株）製）を例示することができる。
【００５８】活性炭としては、木材、のこくず、木炭、
やし殼炭、パーム核炭、素灰などを原料とする植物質
系、泥炭、亜炭、褐炭、瀝青炭、無煙炭などを原料とす
る石炭系、石油残渣、硫酸スラッジ、オイルカーボンな
どを原料とする石油系あるいは合成樹脂を原料とするも
のなどが挙げられる。中でも粒状活性炭（破砕炭）（キ
シダ化学（株）製）が好ましい。
【００５９】以上に説明した第１工程すなわち反応粗生
成物に含まれるオクタフルオロシクロペンテンを純度９
９．９容量％以上に精留する工程、そして第２工程すな
わち残留する微量不純物（窒素ガス、酸素ガスなど）を
除去する工程、を組合せたプロセスにより、ガスの全量
に対してオクタフルオロシクロペンテンの純度が９９．
９容量％以上であり、かつ残余の微量ガス成分として含
まれる窒素ガスと酸素ガスの合計量が２００容量ｐｐｍ
以下のプラズマ反応用ガスを得ることができる。
【００６０】また、ガスの全量に対してオクタフルオロ
シクロペンテンの純度が９９．９容量％以上であり、か
つ残余の微量ガス成分として含まれる窒素ガスと酸素ガ
スの合計量が２００容量ｐｐｍ以下であり、かつ水分含
量が２０重量ｐｐｍ以下であるプラズマ反応用ガスも得
ることができる。
【００６１】さらには、ガスの全量に対してオクタフル
オロシクロペンテンの純度が９９．９５容量％以上であ
り、かつ残余の微量ガス成分として含まれる窒素ガスと
酸素ガスの合計量が２００容量ｐｐｍ以下のプラズマ反
応用ガスを得ることができる。また、ガスの全量に対し
てオクタフルオロシクロペンテンの純度が９９．９５容
量％以上であり、かつ残余の微量ガス成分として含まれ
る窒素ガスと酸素ガスの合計量が２００容量ｐｐｍ以下
であり、かつ水分含量が２０重量ｐｐｍ以下であるプラ
ズマ反応用ガスも製造することが可能である。
【００６２】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例によってその範囲を限
定されるものではない。
【００６３】なお、実施例中のオクタフルオロシクロペ
ンテンの純度（％）、窒素ガス、酸素ガスの含有量（ｐ
ｐｍ）は、特にことわりのない限りＧＣ分析で求めた容
量基準の値である。また、水分の含有量（ｐｐｍ）はカ
ールフィシャー法による重量基準の値である。
【００６４】オクタフルオロシクロペンテンのＧＣ分析
は、機器：ヒューレットパッカード社製ＨＰ６８９０、
カラム：Ｕｌｔｒａ Ａｌｌｏｙ＋−１（ｓ）（長さ５
０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚１．５μｍ）、カラム温
度：１０分間８０℃に固定、その後２０分間で２００℃
に昇温、インジェクション温度：２００℃、キャリアー
ガス：ヘリウム（流量１ｍｌ／分）、検出器：ＦＩＤ、
内部標準物質：ｎ−ブタンで行った。
【００６５】酸素ガスと窒素ガスのＧＣ分析は、機器：
島津製ＧＣ−９Ａ、カラム：Ｐａｃｋｅｄ Ｃｏｌｕｍ
ｎ Ｊ ＧＣ−９Ａ（長さ２ｍ、内径３ｍｍ、充填剤Ｕ
ｎｉｂｅａｄｓ Ｃ ６０／８０）、カラム温度：４０
℃、インジェクション温度：１５０℃、キャリアーガ
ス：ヘリウム（流量５０ｍｌ／分）、検出器：ＴＣＤ、
で行った。
【００６６】参考例１（オクタフルオロシクロペンテン
の調製例） 窒素気流下、滴下ロート、精留塔、温度計、攪拌装置を
備えた２００ｍｌの四つ口フラスコにフッ化カリウム３
０ｇ（０．５１６モル）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド５０ｍｌを仕込んだ。精留塔塔頂部に備え付けられた
ジムロート冷却器に−２０℃の冷媒を流し、精留塔の大
気開放ラインに留分トラップを設けて−７０℃ に冷却
した。滴下ロートに１，２−ジクロロ−３，３，４，
４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン５０．２ｇ
（０．２０５モル）を仕込んだ。０．５時間かけてフラ
スコ内の反応液の温度が１３５℃ になるまで昇温し
た。
【００６７】昇温開始後、０．０７モル／時間の速度で
滴下ロートから原料を逐次滴下した。塔頂部の温度が生
成物の沸点（２７℃）に安定したのを確認して、その
０．７時間（昇温開始より１．５時間）後に留分の抜き
出しを開始した。初めの３時間は０．０７モル／時間で
抜き出し、その後、塔頂部の温度が２７℃から徐々に上
昇を始めるまでの間（昇温開始より約７時間）、留分の
抜き出しを行ったところ、オクタフルオロシクロペンテ
ン３８．２４ｇ（０．１８モル）を得た。収率は８７．
８％、ＧＣ分析の純度は９９．８２％であった。
【００６８】実施例１（高純度プラズマ反応用ガスの製
造） １リットルのガラス製丸底フラスコに、前記参考例１に
準じて調製した純度９９．８３％のオクタフルオロシク
ロペンテン７１３ｇ及び沸騰石を仕込み、フラスコにス
ルーザーパック精留塔（理論段数５５段）を装備した。
この時、仕込んだオクタフルオロシクロペンテンの液部
の窒素ガス含有量は４３６ｐｐｍ、酸素ガス含有量は７
１ｐｐｍであった。
【００６９】精留塔のコンデンサー上部からヘリウムを
２０ｍｌ／分の流量で導入して、精留塔内部をヘリウム
で置換した。コンデンサーには５℃の冷却水を循環さ
せ、丸底フラスコをオイルバスに浸し、６５℃まで昇温
して１時間全還流させた。１時間後、冷却水の循環を停
止し、オクタフルオロシクロペンテンの蒸気をコンデン
サー上部まで上昇させて、約３分間、蒸気を系外に抜出
した。その後、冷却水の循環を再開し、ヘリウムを常時
流した状態で１時間全還流状態にした。次に還流比４
０：１で留分を抜き出し、予めヘリウムで置換した受器
に捕集した。純度９９．９８容量％のオクタフルオロシ
クロペンテンを６４３ｇ（収率：９０．２％）得た。
【００７０】上記の精留留分を空気が混入しないように
耐圧密閉容器に充填し、液部と気相部をそれぞれサンプ
リングして酸素ガスと窒素ガスの含有量をＧＣ分析し
た。その結果、液部の酸素ガスは検出限界以下（１０ｐ
ｐｍ以下）、窒素ガスは３９ｐｐｍであった。気相部の
酸素ガスは１７ｐｐｍ、窒素ガスは６８ｐｐｍであっ
た。また、液部に含まれる水分をカールフィシャー法で
測定した結果、水分含量は７重量ｐｐｍであった。
【００７１】比較例１ 前記実施例１のヘリウムを窒素に変更した以外は、同様
の精留操作をして純度９９．９７％のオクタフルオロシ
クロペンテンを蒸留収率約９０％で得た。この留分を耐
圧密閉容器に充填し、液部と気相部をそれぞれサンプリ
ングして酸素ガスと窒素ガスの含有量をＧＣ分析した。
その結果、液部の酸素ガスは１５ｐｐｍ、窒素ガスは３
３０ｐｐｍであった。また、気相部の酸素ガスは５３ｐ
ｐｍ、窒素ガスは５３８ｐｐｍであった。
【００７２】参考例２（オクタフルオロシクロペンテン
の調製） 前記参考例１と同様の反応装置にフッ化カリウム３６．
９ｇ（０．６３５モル）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド７５ｍｌを仕込み、精留塔塔頂部に装備したジムロー
ト冷却器に−１０℃ の冷媒を流し、留分トラップを−
７０℃ に冷却した。滴下ロートに１，２−ジクロロ-
３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテ
ン６１．７％、１，２，３−トリクロロ−３，４，４，
５，５−ペンタフルオロシクロペンテン３０．９％、
１，２，３，５−テトラクロロ−３，４，４，５−テト
ラフルオロシクロペンテン７．１％、１，２，３，３，
５−ペンタクロロ−４，４，５−トリフルオロシクロペ
ンテン０．３％からなる混合物を５１．６ｇ仕込んだ。
【００７３】０．５時間かけてフラスコ内の温度が１３
５℃ になるまで昇温し、その後３時間にわたって継続
的に原料の滴下を行った。塔頂部の温度が生成物の沸点
（２７℃）に安定したことを確認して、その時点から塔
頂部の温度が上昇を始めるまでの間（反応開始から約７
時間）、生成物留分の抜き出しを行って、ＧＣ分析純度
９９．８６％のオクタフルオロシクロペンテン４０．４
ｇを得た。
【００７４】実施例２（高純度プラズマ反応用ガスの製
造） 第１工程：前記参考例２に準じて調製したオクタフルオ
ロシクロペンテン約８００ｇ（純度９９．８９％）を、
窒素雰囲気下で理論段数５５段相当の精留塔を用いて、
塔頂部温度２７℃、還流比４０：１で精留した結果、純
度９９．９８％のオクタフルオロシクロペンテンを約９
０％の蒸留収率で得た。
【００７５】第２工程：還流用コンデンサー、３方活栓
を付した１リットル丸底フラスコに沸騰石と前記第１工
程で得られたオクタフルオロシクロペンテン６９５ｇを
仕込んだ。還流用コンデンサーに５℃の冷却水を循環さ
せ、三方活栓の一方よりヘリウムを２０ｍｌ／分の流量
で導入して、フラスコおよびコンデンサーの気相部分を
３分間ヘリウムで置換した。その後、丸底フラスコを４
０℃の湯浴に浸し、オクタフルオロシクロペンテンを加
熱還流させた。その間、ヘリウムは常時還流装置内に供
給して、系内をヘリウム雰囲気に保った。
【００７６】２０分後にコンデンサーの冷却水の循環を
停止させ、オクタフルオロシクロペンテンの蒸気を三方
活栓から約１分間抜出した後、冷却水の循環を再開させ
て還流状態に戻した。さらに２０分後、先の操作をもう
一度繰り返して２０分経過した後に湯浴を外して室温ま
で冷却させた。回収したオクタフルオロシクロペンテン
は６７１ｇ、ロス分は２４ｇであった。還流実施前と還
流実施後の液相部と気相部の窒素ガスおよび酸素ガスの
含有量をＧＣ分析した結果を表１に示す。また、カール
フィシャー法で還流実施後の液部の水分を測定した結
果、水分含量は５重量ｐｐｍであった。
【００７７】
【表１】
【００７８】実施例３（高純度プラズマ反応用ガスの製
造） 第１工程：前記実施例２の第１工程と同様にして純度９
９．９８％のオクタフルオロシクロペンテンを１．２ｋ
ｇ得た。 第２工程：上記第１工程で得られたオクタフルオロシク
ロペンテン１ｋｇを０℃に冷却しながら、アルミナ触媒
Ｎ６１１Ｎ（日揮化学（株）製）１００ｍｌ相当を充填
した１５０ｍｌのテフロンカラム中を、送液ポンプを用
いて空間速度１０／時間にて循環させた。５時間後、オ
クタフルオロシクロペンテンの純度を分析した結果、９
９．９９％であった。
【００７９】これを前記実施例２の第２工程と同じ装置
を用い、アルゴンガス雰囲気下で同様に加熱還流操作を
行った。得られた生成物を耐圧密閉容器に充填し、その
液部を分取してカールフィッシャー法で水分を分析した
結果、水分含量は４重量ｐｐｍであった。また、気相部
の酸素ガスは検出限界以下（１０ｐｐｍ以下）、窒素ガ
スは４１ｐｐｍであった。
【００８０】実施例４（高純度プラズマ反応用ガスの製
造） 第１工程：前記実施例２の第１工程と同様である。 第２工程：ヘリウムガスライン、温度計、攪拌装置、ク
ライゼン式単蒸留カラム、冷却器、受器を備えた２００
ｍｌの四つ口フラスコに、純度９９．９８％のオクタフ
ルオロシクロペンテン１３５ｇを仕込み、受器を0℃に
冷却した。ヘリウム雰囲気下、フラスコを湯浴で３５〜
４０℃に加熱して単蒸留を行った。単蒸留を途中で停止
して、留出留分４４ｇの留分とフラスコ中の残分７１ｇ
を得た。この留出留分と残分に含まれる酸素ガスと窒素
ガスをＧＣ分析した結果を、処理前の仕込み液と比較し
て表２に示す。
【００８１】
【表２】
【００８２】参考例３（オクタフルオロシクロペンテン
への窒素ガスの溶解性試験） 前記実施例１に準じて調製した窒素ガス含有量７０ｐｐ
ｍのオクタシクロペンテンを１００ｍｌのナスフラスコ
３個に約５０ｍｌずつ空気中で分注した。ナスフラスコ
の口を開放して空気と接触させた状態で、−２０℃、０
℃、２０℃の温度条件で静置した。９０分後、それぞれ
の溶存窒素ガス量を測定した結果、−２０℃で静置した
液は約２４３０ｐｐｍ、0℃の液は約１９３０ｐｐｍ、
２０℃の液は約６４０ｐｐｍであった。この結果より、
空気中の窒素ガスは速やかにオクタフルオロシクロペン
テンに溶解することが分かる。
【００８３】実施例５〜１３（高純度プラズマ反応ガス
によるドライエチング） ヘリコン波方式によるプラズマエッチング装置（Ｉ−４
１００ＳＨ型、アネルバ社製）中に、酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ２ ）膜、フォトレジスト（ＰＲ）膜、ポリシリコ
ン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜の何れかを表面に形成した直径
１５０ｍｍのシリコンウエハをセットし、系内を真空に
した後、前記実施例１で製造した高純度プラズマ反応用
ガスを流量５０ｓｃｃｍにて導入した。系内の圧力を５
ｍＴｏｒｒに維持し、プラズマ発生の電気エネルギーを
変えて表３記載のプラズマ密度の異なった条件で実験を
行った。
【００８４】ウエハの温度はことさら制御しなかった
が、全ての実施例において約１３０℃まで上昇した。エ
ッチング時間は１５〜６０秒の範囲内で選択した。エッ
チング速度の測定は、ウエハーの中心、およびウエハの
直径に沿った中心から両側へ３５ｍｍおよび６５ｍｍの
測定点の計５点で行った。このときの各測定ポイントで
のエッチング速度（ウエハ直径上の上記５つの測定点に
おけるエッチング速度を、順次エッチング速度−１〜エ
ッチング速度−５とした）を測定した。
【００８５】また、同一エッチング条件での酸化シリコ
ン（ＳｉＯ２ ）、フォトレジスト（ＰＲ）、ポリシリ
コン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）のエッチング速度の比較によ
り、エッチングの対フォトレジスト選択性および対ポリ
シリコン選択性を評価した。選択性は以下の式より算出
した。エッチング条件および評価結果を表３に示す。選
択性＝（酸化シリコンの平均エッチング速度）／（フォ
トレジストまたはポリシリコンの平均エッチング速度）
【００８６】
【表３】
【００８７】比較例２〜１０ プラズマ反応用ガスを、前記比較例１で製造したものに
代えたほかは、前記実施例５〜１３と同様にドライエッ
チングを行った。その結果を表４に示すが、前記実施例
５〜１３と比べると、被エッチング材料の選択性が大き
く低下した。
【００８８】
【表４】
【００８９】実施例１４（高純度プラズマ反応用ガスに
よるＣＶＤ絶縁膜の形成） 基板として一部アルミ蒸着したシリコン酸化膜ウエハを
用い、プラズマＣＶＤ装置として平行平板型プラズマＣ
ＶＤを用い、そして前記実施例２で製造した高純度プラ
ズマ反応用ガスを使用して、次の条件により絶縁膜のプ
ラズマＣＶＤを施した。高純度プラズマ反応用ガスの流
量：４０ｓｃｃｍ、アルゴンの流量：４００ｓｃｃｍ、
圧力：２５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ出力（周波数は１３．５
６ＭＨｚ）：４００Ｗ、基板温度：２６０℃。上記条件
で処理して基板上に厚さ０．５μｍの膜を得た。この膜
はボイドの発生もなく緻密で均一であり、基板への密着
性も良好であった。膜の被誘電率は２．４であった。
【００９０】比較例１１ 高純度プラズマ反応用ガスに代えて比較例１で製造した
ガスを用いたほかは、前記実施例１４と同様に実験を行
った。厚さ約０．４μｍの膜が形成されたが、表面にボ
イドが発生し不均一であった。
【００９１】
【発明の効果】本発明のオクタフルオロシクロペンテン
からなるプラズマ反応用ガスは、各実施例の結果から明
らかなように、極めて高純度で均一である。従って、プ
ラズマ反応を高い精度をもって再現性よく実施すること
ができ、半導体装置の高集積化、高密度化、大口径化な
どの技術的要求に対応できるという効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 充 神奈川県川崎市川崎区夜光一丁目２番１号 日本ゼオン株式会社総合開発センター内 Ｆターム(参考） 5F004 AA01 AA11 AA14 AA15 BA04 BA20 BB05 BB11 BD01 BD04 CA02 CA03 CA04 DA00 DB00 DB03 DB07 DB09 DB10 DB16 EB02 EB03 5F045 AA08 AA09 AA10 AA13 AB39 AC02 AD04 AE19 AE21 AE23 AE25 AF08 AF10 BB02 BB03 CB04 CB05 EH13

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 オクタフルオロシクロペンテンからなる
    プラズマ反応用ガスであって、該プラズマ反応用ガスの
    全量に対して、オクタフルオロシクロペンテンの純度が
    ９９．９容量％以上であり、かつ残余の微量ガス成分と
    して含まれる窒素ガスと酸素ガスの合計量が２００容量
    ｐｐｍ以下であることを特徴とするプラズマ反応用ガ
    ス。
  2. 【請求項２】 水分含量が２０重量ｐｐｍ以下であるこ
    とを特徴とする請求項１記載のプラズマ反応用ガス。
  3. 【請求項３】 ドライエッチング、ケミカル・ベーパー
    ・デポジッション、またはアッシングのいずれかである
    プラズマ反応に用いることを特徴とする請求項１または
    ２記載のプラズマ反応用ガス。
  4. 【請求項４】 オクタフルオロシクロペンテンを主成分
    とする反応粗生成物を、０属の不活性ガス中で精留する
    ことを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ反応
    用ガスの製造方法。
  5. 【請求項５】 オクタフルオロシクロペンテンを主成分
    とする反応粗生成物を、純度９９．９容量％以上に精留
    する第1工程、次いで残留する微量不純物を除去する第
    ２工程、からなることを特徴とする請求項１または２記
    載のプラズマ反応用ガスの製造方法。
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