JP2000331931A - 真空室内の可動サポートおよびリソグラフィ投影装置への可動サポートの応用 - Google Patents
真空室内の可動サポートおよびリソグラフィ投影装置への可動サポートの応用Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】真空室内における汚染物質および総脱ガスの制
限で緩和回避する 【解決手段】 真空室内で物体テーブルが、真空室の対
向壁部にある細長いスロットを貫通して延びる細長いビ
ームにより支持されている。直交する２方向への細長い
ビームの移動は、ビームを横方向および長手方向に移動
して行う。細長いスロットは、ガスベアリングによって
支持されるスライディングプレートでシールされてい
る。ビームは、バランスマスとビームとの間で作動する
リニアモータ３４により、長手方向に駆動される。ま
た、ビームは、バランスマス３５，３６とスライディン
グプレートとの間で作動するリニアモータにより横方向
に駆動される。２つのバランスマスは、それぞれ独立し
ているか、または一体になっている。
限で緩和回避する 【解決手段】 真空室内で物体テーブルが、真空室の対
向壁部にある細長いスロットを貫通して延びる細長いビ
ームにより支持されている。直交する２方向への細長い
ビームの移動は、ビームを横方向および長手方向に移動
して行う。細長いスロットは、ガスベアリングによって
支持されるスライディングプレートでシールされてい
る。ビームは、バランスマスとビームとの間で作動する
リニアモータ３４により、長手方向に駆動される。ま
た、ビームは、バランスマス３５，３６とスライディン
グプレートとの間で作動するリニアモータにより横方向
に駆動される。２つのバランスマスは、それぞれ独立し
ているか、または一体になっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部から真空室へ
動作の伝達を行うことができる、真空室内の物体のサポ
ート機構に関し、特に、放射投影ビームを供給する放射
システムと、マスクを保持するマスクホルダを備えた第
１の物体テーブルと、基板を保持する基板ホルダを備え
た第２の物体テーブルと、マスクの被照射部分を基板の
目標部分に結像する投影システムとを具備するリソグラ
フィ投影装置への上記のような機構の応用に関する。
動作の伝達を行うことができる、真空室内の物体のサポ
ート機構に関し、特に、放射投影ビームを供給する放射
システムと、マスクを保持するマスクホルダを備えた第
１の物体テーブルと、基板を保持する基板ホルダを備え
た第２の物体テーブルと、マスクの被照射部分を基板の
目標部分に結像する投影システムとを具備するリソグラ
フィ投影装置への上記のような機構の応用に関する。
【０００２】
【従来の技術】説明を簡単にするために、以下、投影シ
ステムを「レンズ」と呼ぶが、この言葉は、例えば屈折
光学系、反射光学系、反射屈折光学系、帯電粒子光学系
など、様々なタイプの投影システムを含め、広義に解釈
するものとする。放射システムも、放射投影ビームを案
内、誘導、あるいは制御する原理のいずれかに従って作
動する要素を含み、このような要素も、以下、集合的
に、あるいは単体として「レンズ」と呼ぶ。また、第１
および第２の物体テーブルを、それぞれ「マスクテーブ
ル」、「基板テーブル」と呼ぶ場合がある。さらに、リ
ソグラフィ装置は、２つ以上のマスクテーブルおよび／
または２つ以上の基板テーブルを有するタイプの装置で
ある。このような「多ステージ」装置においては、追加
のテーブルを並列に使用するか、あるいは１つまたは複
数のステージで予備手順を実施し、これに対して１つま
たは複数のその他のステージを露光に使用する。例えば
国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５およびＷＯ９８／４
０７９１に、２ステージリソグラフィ装置の説明があ
る。
ステムを「レンズ」と呼ぶが、この言葉は、例えば屈折
光学系、反射光学系、反射屈折光学系、帯電粒子光学系
など、様々なタイプの投影システムを含め、広義に解釈
するものとする。放射システムも、放射投影ビームを案
内、誘導、あるいは制御する原理のいずれかに従って作
動する要素を含み、このような要素も、以下、集合的
に、あるいは単体として「レンズ」と呼ぶ。また、第１
および第２の物体テーブルを、それぞれ「マスクテーブ
ル」、「基板テーブル」と呼ぶ場合がある。さらに、リ
ソグラフィ装置は、２つ以上のマスクテーブルおよび／
または２つ以上の基板テーブルを有するタイプの装置で
ある。このような「多ステージ」装置においては、追加
のテーブルを並列に使用するか、あるいは１つまたは複
数のステージで予備手順を実施し、これに対して１つま
たは複数のその他のステージを露光に使用する。例えば
国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５およびＷＯ９８／４
０７９１に、２ステージリソグラフィ装置の説明があ
る。
【０００３】リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回
路（ＩＣ）の製造に使用できる。このような場合、マス
ク（レチクル）は、ＩＣの個々の層に対応した回路パタ
ーンを含み、このパターンを、感光材料（レジスト）の
層で覆った基板（シリコンウェーハ）上の目標エリア
（ダイ）に結像することができる。一般に、１枚のウェ
ーハは、隣接するダイのネットワーク全体を含み、この
ダイは、レチクルを介して１度に１つずつ照射を受け
る。あるタイプのリソグラフィ投影装置において、１度
にレチクルパターン全体をダイ上に露光することによ
り、各ダイに対する照射を行う。このような装置は、一
般にウェーハステッパと呼ばれる。一般に、ステップア
ンドスキャン装置と呼ばれる別の装置では、所与の基準
方向（「走査」方向）に投影ビームの下でレチクルパタ
ーンを徐々に走査して、各ダイに対する照射を行い、こ
れと同期して、この方向に平行または非平行なウェーハ
テーブルの走査を行う。一般に、投影システムは、拡大
係数Ｍ（一般に１より小）を備えているため、ウェーハ
テーブルの走査を行う速度ｖは、レチクルテーブルを走
査する速度のＭ倍となる。本明細書に述べるリソグラフ
ィ装置については、国際特許出願ＷＯ９７／３３２０５
からさらに情報を得ることができる。
路（ＩＣ）の製造に使用できる。このような場合、マス
ク（レチクル）は、ＩＣの個々の層に対応した回路パタ
ーンを含み、このパターンを、感光材料（レジスト）の
層で覆った基板（シリコンウェーハ）上の目標エリア
（ダイ）に結像することができる。一般に、１枚のウェ
ーハは、隣接するダイのネットワーク全体を含み、この
ダイは、レチクルを介して１度に１つずつ照射を受け
る。あるタイプのリソグラフィ投影装置において、１度
にレチクルパターン全体をダイ上に露光することによ
り、各ダイに対する照射を行う。このような装置は、一
般にウェーハステッパと呼ばれる。一般に、ステップア
ンドスキャン装置と呼ばれる別の装置では、所与の基準
方向（「走査」方向）に投影ビームの下でレチクルパタ
ーンを徐々に走査して、各ダイに対する照射を行い、こ
れと同期して、この方向に平行または非平行なウェーハ
テーブルの走査を行う。一般に、投影システムは、拡大
係数Ｍ（一般に１より小）を備えているため、ウェーハ
テーブルの走査を行う速度ｖは、レチクルテーブルを走
査する速度のＭ倍となる。本明細書に述べるリソグラフ
ィ装置については、国際特許出願ＷＯ９７／３３２０５
からさらに情報を得ることができる。
【０００４】リソグラフィ装置では、ウェーハ上に結像
可能なフィーチャのサイズは、投影放射の波長によって
制限される。よりデバイス密度が高い集積回路、したが
ってより作動速度の速い集積回路を製造するには、より
小さいフィーチャを結像できることが望ましい。現在、
大半のリソグラフィ投影装置では、水銀ランプまたはエ
キシマレーザから生成される紫外線を利用しているが、
１３ｎｍ前後とより波長の短い放射を利用することが提
案されている。このような放射を超紫外線（ＥＵＶ）あ
るいはソフトエックス線と称し、線源として考えられる
ものに、レーザプラズマ線源あるいは、電子ストレイジ
リング（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｔｏｒａｇｅ ｒｉｎ
ｇ）から出るシンクロトロン放射などがある。シンクロ
トロン放射を利用したリソグラフィ投影装置の概要構造
については、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ Ｖｏｌ．
３２ Ｎｏ．２４ ６９２０〜６９２９ページ（１９９
３年）にあるＪＢ Ｍｕｒｐｈｙらの論文「Ｓｙｎｃｈ
ｒｏｔｒｏｎ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｓｏｕｒｃｅｓ
ａｎｄ ｃｏｎｄｅｎｓｅｒｓ ｆｏｒ ｐｒｏｊｅｃ
ｔｉｏｎ ｘ−ｒａｙ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」に記
載されている。
可能なフィーチャのサイズは、投影放射の波長によって
制限される。よりデバイス密度が高い集積回路、したが
ってより作動速度の速い集積回路を製造するには、より
小さいフィーチャを結像できることが望ましい。現在、
大半のリソグラフィ投影装置では、水銀ランプまたはエ
キシマレーザから生成される紫外線を利用しているが、
１３ｎｍ前後とより波長の短い放射を利用することが提
案されている。このような放射を超紫外線（ＥＵＶ）あ
るいはソフトエックス線と称し、線源として考えられる
ものに、レーザプラズマ線源あるいは、電子ストレイジ
リング（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｔｏｒａｇｅ ｒｉｎ
ｇ）から出るシンクロトロン放射などがある。シンクロ
トロン放射を利用したリソグラフィ投影装置の概要構造
については、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ Ｖｏｌ．
３２ Ｎｏ．２４ ６９２０〜６９２９ページ（１９９
３年）にあるＪＢ Ｍｕｒｐｈｙらの論文「Ｓｙｎｃｈ
ｒｏｔｒｏｎ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｓｏｕｒｃｅｓ
ａｎｄ ｃｏｎｄｅｎｓｅｒｓ ｆｏｒ ｐｒｏｊｅｃ
ｔｉｏｎ ｘ−ｒａｙ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」に記
載されている。
【０００５】その他に提案されている放射には、電子ビ
ームやイオンビームなどがある。ＥＵＶの場合と共通し
て、この種のビームの場合も、マスク、基板、光学コン
ポーネントを含むビーム経路を高真空に保たなければな
らない。これはビームの吸収および／または散乱を防止
することであり、帯電粒子ビームの場合、吸収、散乱の
防止には、通常、約１０-6未満の総圧力が必要である。
ウェーハの表面に炭素の層を付着させると、ウェーハが
汚れ、ＥＵＶ放射の光学要素が駄目になる可能性があ
り、その結果、一般に炭化水素の分圧を１０-8または１
０-9ミリバール以下に保たなければならないことにもな
る。あるいは、ＥＵＶ放射を利用した装置の場合、通
常、ほぼ真空と見なされる１０-3または１０-4ミリバー
ルの総真空圧が必要になる。
ームやイオンビームなどがある。ＥＵＶの場合と共通し
て、この種のビームの場合も、マスク、基板、光学コン
ポーネントを含むビーム経路を高真空に保たなければな
らない。これはビームの吸収および／または散乱を防止
することであり、帯電粒子ビームの場合、吸収、散乱の
防止には、通常、約１０-6未満の総圧力が必要である。
ウェーハの表面に炭素の層を付着させると、ウェーハが
汚れ、ＥＵＶ放射の光学要素が駄目になる可能性があ
り、その結果、一般に炭化水素の分圧を１０-8または１
０-9ミリバール以下に保たなければならないことにもな
る。あるいは、ＥＵＶ放射を利用した装置の場合、通
常、ほぼ真空と見なされる１０-3または１０-4ミリバー
ルの総真空圧が必要になる。
【０００６】リソグラフィにおける電子ビームの使用に
関するその他の情報は、例えば、ＵＳ５０７９１２２、
ＵＳ５２６０１５１、ＥＰ−Ａ０９６５８８８から得ら
れる。
関するその他の情報は、例えば、ＵＳ５０７９１２２、
ＵＳ５２６０１５１、ＥＰ−Ａ０９６５８８８から得ら
れる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような高真空で作
業を行うと、真空にする必要があるコンポーネントおよ
び真空室のシール、特に外部から真空室内のコンポーネ
ントに動作を伝達する装置のいずれかの部分の周囲にあ
るシールに、きわめてわずらわしい条件が加わる。真空
室内のコンポーネントについては、汚染物質および総脱
ガス、すなわち材料そのものおよび材料表面で吸収され
るガスからの脱ガスをできるだけ減少させるか、排除す
る材料を使用する。このような制限を緩和したり、回避
できることがきわめて望ましい。
業を行うと、真空にする必要があるコンポーネントおよ
び真空室のシール、特に外部から真空室内のコンポーネ
ントに動作を伝達する装置のいずれかの部分の周囲にあ
るシールに、きわめてわずらわしい条件が加わる。真空
室内のコンポーネントについては、汚染物質および総脱
ガス、すなわち材料そのものおよび材料表面で吸収され
るガスからの脱ガスをできるだけ減少させるか、排除す
る材料を使用する。このような制限を緩和したり、回避
できることがきわめて望ましい。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、動作を
伝達して、真空室の外部から、真空室内の物体テーブル
の位置を制御させる、真空室を有するリソグラフィ投影
装置の物体テーブルの改良型サポート機構を提供するこ
とである。
伝達して、真空室の外部から、真空室内の物体テーブル
の位置を制御させる、真空室を有するリソグラフィ投影
装置の物体テーブルの改良型サポート機構を提供するこ
とである。
【０００９】本発明によれば、上記およびその他の目的
は、放射投影ビームを供給する放射システムと、マスク
を保持するマスクホルダを備えた第１の物体テーブル
と、基板を保持する基板ホルダを備えた第２の物体テー
ブルとマスクの被照射部分を基板の目標部分に結像する
投影システムとを具備するリソグラフィ投影装置であっ
て、前記第１および第２の物体テーブルの少なくとも一
方を取り囲む壁部を備えた真空室であって、前記真空室
の壁部が、少なくとも１つの壁部開口部を備える真空室
と、前記壁部開口部を貫通して延びる細長いビームであ
って、前記ビームの一部が、真空室内の前記一方の物体
テーブルを支持する前記真空室内に延び、前記ビームの
一部が前記真空室の外部に延び、したがって、前記真空
室外部の前記ビームの移動により、前記真空室内の前記
物体テーブルが移動する細長いビームと、前記壁部開口
部を封止し、しかも前記ビームを移動させるシールと、
前記ビームを移動し、前記真空室内で前記物体テーブル
を移動する位置決め手段とを特徴とするリソグラフィ投
影装置において達成される。
は、放射投影ビームを供給する放射システムと、マスク
を保持するマスクホルダを備えた第１の物体テーブル
と、基板を保持する基板ホルダを備えた第２の物体テー
ブルとマスクの被照射部分を基板の目標部分に結像する
投影システムとを具備するリソグラフィ投影装置であっ
て、前記第１および第２の物体テーブルの少なくとも一
方を取り囲む壁部を備えた真空室であって、前記真空室
の壁部が、少なくとも１つの壁部開口部を備える真空室
と、前記壁部開口部を貫通して延びる細長いビームであ
って、前記ビームの一部が、真空室内の前記一方の物体
テーブルを支持する前記真空室内に延び、前記ビームの
一部が前記真空室の外部に延び、したがって、前記真空
室外部の前記ビームの移動により、前記真空室内の前記
物体テーブルが移動する細長いビームと、前記壁部開口
部を封止し、しかも前記ビームを移動させるシールと、
前記ビームを移動し、前記真空室内で前記物体テーブル
を移動する位置決め手段とを特徴とするリソグラフィ投
影装置において達成される。
【００１０】現在のリソグラフィ装置は、クリーンルー
ム環境で使用するように設計されており、したがって、
従来、装置が処理するウェーハの可能な汚染源を減らす
ために、なんらかの手順を実行していた。しかし、従来
のウェーハ、マスク、および搬送ステージの構成は、大
変複雑であり、センサおよびドライブの構成に多数のコ
ンポーネントを使用している。このようなステージに
は、多数の信号ケーブル、制御ケーブル、およびその他
のユーティリティも設ける必要がある。真空室外にでき
るだけ多数のコンポーネントおよび機能を配置するとい
う原理を採用することにより、本発明は、そのような多
数のコンポーネントを真空対応にする、あるいは真空対
応の同等品で代用するという困難でこまごまとした作業
を省くものである。したがって適切な機械式フィードス
ルーに革新的なシール構成を設けることにより、本発明
では、多数のコンポーネントの大半を耐真空性にしなく
ても済むようになる。同様に、本発明は、振動に敏感な
コンポーネントを真空室の壁部からできるだけ絶縁する
ことにより、特に強力なポンプを設けた場合に、真空装
置内で不可避の振動を低減する障害を回避するものであ
る。
ム環境で使用するように設計されており、したがって、
従来、装置が処理するウェーハの可能な汚染源を減らす
ために、なんらかの手順を実行していた。しかし、従来
のウェーハ、マスク、および搬送ステージの構成は、大
変複雑であり、センサおよびドライブの構成に多数のコ
ンポーネントを使用している。このようなステージに
は、多数の信号ケーブル、制御ケーブル、およびその他
のユーティリティも設ける必要がある。真空室外にでき
るだけ多数のコンポーネントおよび機能を配置するとい
う原理を採用することにより、本発明は、そのような多
数のコンポーネントを真空対応にする、あるいは真空対
応の同等品で代用するという困難でこまごまとした作業
を省くものである。したがって適切な機械式フィードス
ルーに革新的なシール構成を設けることにより、本発明
では、多数のコンポーネントの大半を耐真空性にしなく
ても済むようになる。同様に、本発明は、振動に敏感な
コンポーネントを真空室の壁部からできるだけ絶縁する
ことにより、特に強力なポンプを設けた場合に、真空装
置内で不可避の振動を低減する障害を回避するものであ
る。
【００１１】本発明の好ましい実施形態では、開口部
が、ビームを横方向および長手方向に移動することによ
り、物体または物体テーブルが、直交する２つの方向に
移動可能となる、スライディングプレートで封止した細
長いスロットを具備している。長手方向の移動について
は、ビームをリニアモータで直接移動し、横方向の動き
について、スライディングプレートを介してビームを駆
動することが好ましい。リニアモータは、分離または結
合されているバランスマスに対抗して作動することが好
ましい。
が、ビームを横方向および長手方向に移動することによ
り、物体または物体テーブルが、直交する２つの方向に
移動可能となる、スライディングプレートで封止した細
長いスロットを具備している。長手方向の移動について
は、ビームをリニアモータで直接移動し、横方向の動き
について、スライディングプレートを介してビームを駆
動することが好ましい。リニアモータは、分離または結
合されているバランスマスに対抗して作動することが好
ましい。
【００１２】また、本発明は、エネルギーに敏感な層で
少なくとも一部を覆われた基板を設ける段階と、パター
ンを含むマスクを設ける段階と、放射投影ビームを利用
して、エネルギーに対して敏感な材料の層の目標エリア
にマスクパターンの少なくとも一部の像を投影する段階
とを備えるデバイス製造方法であって、像を投影する段
階で、少なくとも１つの壁部開口部を有する壁部を備え
た真空室内に収容した物体テーブルにマスクおよび基板
の少なくとも一方を取り付け、前記物体テーブルが、前
記壁部開口部を貫通して延びる細長いビームにより支持
され、前記ビームの一部は、真空室内の前記物体テーブ
ルを支持する前記真空室に延び、前記ビームの一部は前
記真空室外に延び、したがって、前記真空室外の前記ビ
ームの移動により、前記真空室内の前記物体が移動し、
前記壁部開口部が、前記ビームの移動させるシールによ
り封止され、前記物体テーブルが、前記ビームを移動
し、前記真空室内に前記物体テーブルを移動する位置決
め手段により、位置決めされることを特徴とするデバイ
ス製造方法を提供する。
少なくとも一部を覆われた基板を設ける段階と、パター
ンを含むマスクを設ける段階と、放射投影ビームを利用
して、エネルギーに対して敏感な材料の層の目標エリア
にマスクパターンの少なくとも一部の像を投影する段階
とを備えるデバイス製造方法であって、像を投影する段
階で、少なくとも１つの壁部開口部を有する壁部を備え
た真空室内に収容した物体テーブルにマスクおよび基板
の少なくとも一方を取り付け、前記物体テーブルが、前
記壁部開口部を貫通して延びる細長いビームにより支持
され、前記ビームの一部は、真空室内の前記物体テーブ
ルを支持する前記真空室に延び、前記ビームの一部は前
記真空室外に延び、したがって、前記真空室外の前記ビ
ームの移動により、前記真空室内の前記物体が移動し、
前記壁部開口部が、前記ビームの移動させるシールによ
り封止され、前記物体テーブルが、前記ビームを移動
し、前記真空室内に前記物体テーブルを移動する位置決
め手段により、位置決めされることを特徴とするデバイ
ス製造方法を提供する。
【００１３】本発明によるリソグラフィ投影装置を利用
した製造方法においては、マスクにあるパターンは、エ
ネルギーに対して敏感な材料の層（レジスト）により少
なくとも一部を覆われた基板に結像される。この結像段
階の前に、基板に対して、プライミング、レジストコー
ティング、ソフトベークなどの様々な手順を実施する。
露光後、基板に、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハー
ドベーク、結像フィーチャの測定／検査など、その他の
手順を実施する。この一連の手順を基本として、デバイ
ス、例えばＩＣの各層をパターン化する。続いて、この
ようにパターン化された層に、エッチング、イオン注入
（ドーピング）、金属化、酸化、化学機械的研磨など、
各層の仕上げを目的とした各種処理を行う。複数の層が
必要な場合は、新しい層それぞれについて、手順全体ま
たは手順を一部変更したものを繰り返す。最終的に、デ
バイスの配列が基板（ウェーハ）上にできる。これらの
デバイスを、ダイシング、ソーイングなどの方法で相互
に分離し、次にピンなどに接続したキャリアに各デバイ
スを搭載する。これらの方法に関するさらに詳しい情報
は、例えば、Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔの「Ｍｉｃ
ｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ： Ａ Ｐｒａ
ｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉ
ｔｉｏｎ，ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉ
ｎｇ Ｃｏ．，１９９７，ＩＳＢＮ０−０７−０６７２
５０−４から得ることができる。
した製造方法においては、マスクにあるパターンは、エ
ネルギーに対して敏感な材料の層（レジスト）により少
なくとも一部を覆われた基板に結像される。この結像段
階の前に、基板に対して、プライミング、レジストコー
ティング、ソフトベークなどの様々な手順を実施する。
露光後、基板に、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハー
ドベーク、結像フィーチャの測定／検査など、その他の
手順を実施する。この一連の手順を基本として、デバイ
ス、例えばＩＣの各層をパターン化する。続いて、この
ようにパターン化された層に、エッチング、イオン注入
（ドーピング）、金属化、酸化、化学機械的研磨など、
各層の仕上げを目的とした各種処理を行う。複数の層が
必要な場合は、新しい層それぞれについて、手順全体ま
たは手順を一部変更したものを繰り返す。最終的に、デ
バイスの配列が基板（ウェーハ）上にできる。これらの
デバイスを、ダイシング、ソーイングなどの方法で相互
に分離し、次にピンなどに接続したキャリアに各デバイ
スを搭載する。これらの方法に関するさらに詳しい情報
は、例えば、Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔの「Ｍｉｃ
ｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ： Ａ Ｐｒａ
ｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉ
ｔｉｏｎ，ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉ
ｎｇ Ｃｏ．，１９９７，ＩＳＢＮ０−０７−０６７２
５０−４から得ることができる。
【００１４】本明細書では、特にＩＣの製造における本
発明による装置の利用について述べているが、このよう
な装置には、その他にも多数の用途が考えられるものと
明確に理解されたい。例えば、本発明による装置は、集
積光学システム、磁気ドメインメモリの誘導および検出
パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドな
どの製造に使用できる。当業者は、このような別の用途
においては、本明細書で使用している「レチクル」、
「ウェーハ」、あるいは「ダイ」といった用語を、より
一般的な用語である「マスク」、「基板」、「目標エリ
ア」にそれぞれ置き換えるものと考える。
発明による装置の利用について述べているが、このよう
な装置には、その他にも多数の用途が考えられるものと
明確に理解されたい。例えば、本発明による装置は、集
積光学システム、磁気ドメインメモリの誘導および検出
パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドな
どの製造に使用できる。当業者は、このような別の用途
においては、本明細書で使用している「レチクル」、
「ウェーハ」、あるいは「ダイ」といった用語を、より
一般的な用語である「マスク」、「基板」、「目標エリ
ア」にそれぞれ置き換えるものと考える。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、例示的な実施形態および添
付の略図を参照して、本発明およびこれに付随する利点
について説明する。
付の略図を参照して、本発明およびこれに付随する利点
について説明する。
【００１６】実施形態１ 図１は、本発明によるリソグラフィ投影装置１を模式的
に示す図である。図に示すように、この装置では反射コ
ンポーネントを使用しているが、このようなコンポーネ
ントは、透過性であってもよい。装置は、以下の要素を
備えている。 ・放射投影ビームＰＢを供給する放射システムＬＡ、Ｉ
Ｌ（例えば、ＵＶまたはＥＵＶ放射、電子、またはイオ
ン）、 ・マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するマスクホ
ルダを備え、品目ＰＬに対して正確にマスクを位置決め
する第１の位置決め手段ＰＭに接続されている第１の物
体テーブル（マスクテーブル）ＭＴ、 ・基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコンウェーハ）を
保持する基板ホルダを備え、品目ＰＬに対して正確に基
板を位置決めする第２の位置決め手段ＰＷに接続されて
いる第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴ、 ・基板Ｗの目標部分Ｃ（ダイ）にマスクＭＡの被照射部
分を結像する投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例え
ば、屈折または反射屈折システム、ミラーグループ、あ
るいはフィールドディフレクタの配列）。
に示す図である。図に示すように、この装置では反射コ
ンポーネントを使用しているが、このようなコンポーネ
ントは、透過性であってもよい。装置は、以下の要素を
備えている。 ・放射投影ビームＰＢを供給する放射システムＬＡ、Ｉ
Ｌ（例えば、ＵＶまたはＥＵＶ放射、電子、またはイオ
ン）、 ・マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するマスクホ
ルダを備え、品目ＰＬに対して正確にマスクを位置決め
する第１の位置決め手段ＰＭに接続されている第１の物
体テーブル（マスクテーブル）ＭＴ、 ・基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコンウェーハ）を
保持する基板ホルダを備え、品目ＰＬに対して正確に基
板を位置決めする第２の位置決め手段ＰＷに接続されて
いる第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴ、 ・基板Ｗの目標部分Ｃ（ダイ）にマスクＭＡの被照射部
分を結像する投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例え
ば、屈折または反射屈折システム、ミラーグループ、あ
るいはフィールドディフレクタの配列）。
【００１７】放射システムは、放射ビームを生成する放
射源ＬＡ（例えば、ストレイジリングまたはシンクロト
ロンの電子ビームの経路の周囲に設けたアンジュレータ
またはウィグラ、プラズマ源、電子またはイオンビーム
源）を具備している。例えば合成ビームＰＢの誘導およ
び／または視準を行ったり、および／または合成ビーム
を断面全体にわたって均一な強度にするために、照明シ
ステムＩＬに含まれる様々な光学コンポーネントに沿っ
てこのビームを通す。
射源ＬＡ（例えば、ストレイジリングまたはシンクロト
ロンの電子ビームの経路の周囲に設けたアンジュレータ
またはウィグラ、プラズマ源、電子またはイオンビーム
源）を具備している。例えば合成ビームＰＢの誘導およ
び／または視準を行ったり、および／または合成ビーム
を断面全体にわたって均一な強度にするために、照明シ
ステムＩＬに含まれる様々な光学コンポーネントに沿っ
てこのビームを通す。
【００１８】次にビームＰＢは、マスクテーブルＭＴの
マスクホルダに保持されているマスクＭＡに当たる。マ
スクＭＡにより選択的に反射された（あるいはマスクＭ
Ａを透過した）ビームＰＢは、「レンズ」ＰＬを通過す
る。このレンズは、基板Ｗの目標エリアＣにビームＰＢ
を集中させる。位置決め手段ＰＷおよび干渉移動測定手
段ＩＦにより、基板テーブルＷＴを正確に移動して、例
えばビームＰＢの経路内で様々な目標エリアＣを位置決
めすることができる。同様に、位置決め手段ＰＭおよび
干渉移動測定手段ＩＦを利用して、例えば、マスクライ
ブラリからマスクＭＡを機械的に回収した後、あるいは
走査動作中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを
正確に位置決めできる。一般に、物体テーブルＭＴ、Ｗ
Ｔの移動は、ロングストロークモジュール（粗位置決
め）とショートストロークモジュール（精密位置決め）
によって行われる。これらのモジュールは、図１に明示
していない。
マスクホルダに保持されているマスクＭＡに当たる。マ
スクＭＡにより選択的に反射された（あるいはマスクＭ
Ａを透過した）ビームＰＢは、「レンズ」ＰＬを通過す
る。このレンズは、基板Ｗの目標エリアＣにビームＰＢ
を集中させる。位置決め手段ＰＷおよび干渉移動測定手
段ＩＦにより、基板テーブルＷＴを正確に移動して、例
えばビームＰＢの経路内で様々な目標エリアＣを位置決
めすることができる。同様に、位置決め手段ＰＭおよび
干渉移動測定手段ＩＦを利用して、例えば、マスクライ
ブラリからマスクＭＡを機械的に回収した後、あるいは
走査動作中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを
正確に位置決めできる。一般に、物体テーブルＭＴ、Ｗ
Ｔの移動は、ロングストロークモジュール（粗位置決
め）とショートストロークモジュール（精密位置決め）
によって行われる。これらのモジュールは、図１に明示
していない。
【００１９】図示した装置は、異なる２つのモードで使
用できる。 ・ステップモードでは、マスクテーブルＭＴをほぼ静止
状態に保ち、マスクの像全体を１回（例えば、「フラッ
シュ」１回）で目標エリアＣに投影する。次に、ビーム
ＰＢにより別の目標エリアＣが照射されるように、基板
テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向にずらす。 ・走査モードでは、上記とほぼ同じ流れとなるが、ただ
し、所与の目標エリアＣを１回の「フラッシュ」に露光
することはない。露光する代わりに、マスクテーブルＭ
Ｔが、所与の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、Ｘ
方向）に移動可能になっており、したがって、投影ビー
ムＰＢがマスクの像を走査し、同時に、基板テーブルＷ
Ｔが、ＭをレンズＰＬの倍率（例えばＭ＝１／４または
１／５）として速度Ｖ＝Ｍｖで同一方向または反対方向
に移動する。このようにして、分解能を犠牲にすること
なく、相対的に大きな目標エリアＣを露光することがで
きる。
用できる。 ・ステップモードでは、マスクテーブルＭＴをほぼ静止
状態に保ち、マスクの像全体を１回（例えば、「フラッ
シュ」１回）で目標エリアＣに投影する。次に、ビーム
ＰＢにより別の目標エリアＣが照射されるように、基板
テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向にずらす。 ・走査モードでは、上記とほぼ同じ流れとなるが、ただ
し、所与の目標エリアＣを１回の「フラッシュ」に露光
することはない。露光する代わりに、マスクテーブルＭ
Ｔが、所与の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、Ｘ
方向）に移動可能になっており、したがって、投影ビー
ムＰＢがマスクの像を走査し、同時に、基板テーブルＷ
Ｔが、ＭをレンズＰＬの倍率（例えばＭ＝１／４または
１／５）として速度Ｖ＝Ｍｖで同一方向または反対方向
に移動する。このようにして、分解能を犠牲にすること
なく、相対的に大きな目標エリアＣを露光することがで
きる。
【００２０】実施形態２ 図２Ａおよび図２Ｂに、本発明の第２の実施形態による
リソグラフィ装置２のウェーハステージを示す。
リソグラフィ装置２のウェーハステージを示す。
【００２１】ウェーハＷを支持する精密ステージ１４、
すなわちショートストロークステージ１４は、壁部１１
に囲まれた真空室Ｖ内に保持されている。装置使用中、
真空室Ｖは、適切なタイプの真空ポンプ（図示せず）に
より、十分な真空状態に保たれる。精密ステージ１４
は、それを移動させるように水平チューブ３１に取り付
けられており、このチューブは、真空室の壁部に画定さ
れた細長い水平スロット１１ａを介して、真空室Ｖの幅
全体にわたって延びている。チューブは、周囲に精密ス
テージ１４をクランプした連続部材、または精密ステー
ジの反対側に取り付けられ、そこから延びている２本の
半チューブで形成されている。
すなわちショートストロークステージ１４は、壁部１１
に囲まれた真空室Ｖ内に保持されている。装置使用中、
真空室Ｖは、適切なタイプの真空ポンプ（図示せず）に
より、十分な真空状態に保たれる。精密ステージ１４
は、それを移動させるように水平チューブ３１に取り付
けられており、このチューブは、真空室の壁部に画定さ
れた細長い水平スロット１１ａを介して、真空室Ｖの幅
全体にわたって延びている。チューブは、周囲に精密ス
テージ１４をクランプした連続部材、または精密ステー
ジの反対側に取り付けられ、そこから延びている２本の
半チューブで形成されている。
【００２２】精密ステージ１４のロングストロークのＸ
方向移動は、チューブ３１を長手方向に並進させること
によって行われ、このためチューブ３１は、Ｘ方向ロン
グストローク移動の範囲全体を通じて真空室の外部に突
出するだけの十分な長さになっている。
方向移動は、チューブ３１を長手方向に並進させること
によって行われ、このためチューブ３１は、Ｘ方向ロン
グストローク移動の範囲全体を通じて真空室の外部に突
出するだけの十分な長さになっている。
【００２３】チューブ３１が横方向に並進すると、精密
ステージ１４のロングストロークＹ方向移動が行われ
る。チューブの２つの端部に、別々に制御可能なドライ
ブを設けることにより、回転ψ2の制御も行うことがで
きる。
ステージ１４のロングストロークＹ方向移動が行われ
る。チューブの２つの端部に、別々に制御可能なドライ
ブを設けることにより、回転ψ2の制御も行うことがで
きる。
【００２４】したがって、スロット１１ａには、所望の
Ｙ制御およびψ2制御が可能な十分な長さが必要であ
る。スロット１１ａは、中央貫通穴３２ａを備えた細長
いプレートであるスライダ３２により封止され、中央貫
通穴を介してチューブ３１が突出している。スライダ３
２は、ロングストローク移動の範囲全体にわたってスロ
ットがシールされるように、Ｙ方向ロングストローク移
動の範囲の少なくとも２倍に必要なベアリングおよび真
空シールの幅を加えただけ、スロット１１ａよりも長く
なっている。
Ｙ制御およびψ2制御が可能な十分な長さが必要であ
る。スロット１１ａは、中央貫通穴３２ａを備えた細長
いプレートであるスライダ３２により封止され、中央貫
通穴を介してチューブ３１が突出している。スライダ３
２は、ロングストローク移動の範囲全体にわたってスロ
ットがシールされるように、Ｙ方向ロングストローク移
動の範囲の少なくとも２倍に必要なベアリングおよび真
空シールの幅を加えただけ、スロット１１ａよりも長く
なっている。
【００２５】本発明の本実施形態では、チューブをＡｌ
2Ｏ3を焼結して製造し、外径が１６０ｍｍ、内径が１４
０ｍｍとなっている。ＳｉＣフォームなど、その他の適
切な材料も使用できる。チューブの「活性」長さ、すな
わちスライダ３２のサポートと精密ステージ１４との間
の長さは、平均で６５０ｍｍであり、総チューブ質量
は、ロングストロークモータ部分を含めて、約３０ｋｇ
である。加速度２ｍ／秒 -2で偏向が４μｍ程度の場合、
このチューブが、質量５０ｋｇの精密ステージを支持す
ることは簡単に計算できる。チューブの共振周波数は、
１５０Ｈｚ程度である。
2Ｏ3を焼結して製造し、外径が１６０ｍｍ、内径が１４
０ｍｍとなっている。ＳｉＣフォームなど、その他の適
切な材料も使用できる。チューブの「活性」長さ、すな
わちスライダ３２のサポートと精密ステージ１４との間
の長さは、平均で６５０ｍｍであり、総チューブ質量
は、ロングストロークモータ部分を含めて、約３０ｋｇ
である。加速度２ｍ／秒 -2で偏向が４μｍ程度の場合、
このチューブが、質量５０ｋｇの精密ステージを支持す
ることは簡単に計算できる。チューブの共振周波数は、
１５０Ｈｚ程度である。
【００２６】図２Ｂに示すように、チューブ３１のＸ方
向移動度は、チューブ３１の一端に取り付けてあり、Ｘ
バランスマス３５に設けた磁石（図示せず）に対抗して
作動するリニアモータ３４によって行われる。Ｙ1およ
びＹ2ドライブは、Ｙバランスマス３６に対抗して作動
することにより、スライダ３２を駆動するように構成さ
れ、Ｙバランスマス３６に対してＸバランスマス３５を
駆動するように、第３のドライブＹ3が設けられてい
る。ねじり力を減少させるために、Ｘ方向可動マスのマ
ス３７の中心、すなわち精密ステージ１４、チューブ３
１、バランスマス３５、および関連コンポーネントは、
Ｙ方向可動マスのマス３８の中心、すなわちスライダ３
２およびＹバランスマス３６と同心になっている。
向移動度は、チューブ３１の一端に取り付けてあり、Ｘ
バランスマス３５に設けた磁石（図示せず）に対抗して
作動するリニアモータ３４によって行われる。Ｙ1およ
びＹ2ドライブは、Ｙバランスマス３６に対抗して作動
することにより、スライダ３２を駆動するように構成さ
れ、Ｙバランスマス３６に対してＸバランスマス３５を
駆動するように、第３のドライブＹ3が設けられてい
る。ねじり力を減少させるために、Ｘ方向可動マスのマ
ス３７の中心、すなわち精密ステージ１４、チューブ３
１、バランスマス３５、および関連コンポーネントは、
Ｙ方向可動マスのマス３８の中心、すなわちスライダ３
２およびＹバランスマス３６と同心になっている。
【００２７】Ｘ方向リニアモータ３４により、磁石に対
してＹ方向に０．１ｍｍ程度の遊びができる。したがっ
て、Ｙ1、Ｙ2ドライブよりもはるかに大きな力を発生し
なければならないＹ3ドライブは、Ｙ1およびＹ2ドライ
ブの１μｍの精度が犠牲にならないようにするために、
０．１ｍｍ程度の精度でＸバランスマス３５を位置決め
するだけですむ。その他の方法としては、Ｘ方向につい
て剛性が高く、Ｙ方向について剛性が低い柔軟な要素を
介してサポートチューブ３１にＸ方向モータ３４を接続
することができる。
してＹ方向に０．１ｍｍ程度の遊びができる。したがっ
て、Ｙ1、Ｙ2ドライブよりもはるかに大きな力を発生し
なければならないＹ3ドライブは、Ｙ1およびＹ2ドライ
ブの１μｍの精度が犠牲にならないようにするために、
０．１ｍｍ程度の精度でＸバランスマス３５を位置決め
するだけですむ。その他の方法としては、Ｘ方向につい
て剛性が高く、Ｙ方向について剛性が低い柔軟な要素を
介してサポートチューブ３１にＸ方向モータ３４を接続
することができる。
【００２８】図３は、ＸバランスマスとＹバランスマス
を組み合わせて１つのバランスマス３９にした別のバラ
ンスマス構成を示す図である。この場合、Ｘ方向リニア
モータ３４の磁石４０は、各ロングストローク移動範囲
のモータの寸法に等しい側部を備えたエリア上に設けら
れている。この構成では、制御システムが、ψ2位置の
変化にともなうモータ性能の変動を考慮するとともに、
設定点の一定の組み合わせについて発生する恐れがある
バランスマスの連続的回転を防止する。
を組み合わせて１つのバランスマス３９にした別のバラ
ンスマス構成を示す図である。この場合、Ｘ方向リニア
モータ３４の磁石４０は、各ロングストローク移動範囲
のモータの寸法に等しい側部を備えたエリア上に設けら
れている。この構成では、制御システムが、ψ2位置の
変化にともなうモータ性能の変動を考慮するとともに、
設定点の一定の組み合わせについて発生する恐れがある
バランスマスの連続的回転を防止する。
【００２９】上記すべての構成において、スライダ３２
は、真空室の壁部から離れて支持され、この壁部に対し
て移動できなければならない。したがって、本発明で
は、スロット１１ａの周囲に差をつけてガス（空気）を
排気したベアリング２１を設けており、このスロットに
は、圧力差によって壁部開口部のエリアにかかる力があ
らかじめ荷重を加える。以下、このガスベアリング２１
について、図４およびヨーロッパ特許出願９９２０１１
９３．２、表題「Ｇａｓ−Ｂｅａｒｉｎｇｓ ｆｏｒ
ｕｓｅ ｉｎ Ｖａｃｕｕｍ Ｃｈａｍｂｅｒｓ ａｎ
ｄ ｔｈｅｉｒＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｉｎ Ｌｉｔ
ｈｏｇｒａｐｈｉｃ Ａｐｐａｒａｔｕｓ」と、同じ表
題の同時出願（出願参照番号：Ｐ−０１３３．０１０）
とを参照してさらに詳しく述べる。これらの出願を参照
により本明細書に組み込む。スライダ３２とチューブ３
１の間に、別のガスベアリング２１を設けてチューブを
支持し、チューブに駆動力を伝達している。
は、真空室の壁部から離れて支持され、この壁部に対し
て移動できなければならない。したがって、本発明で
は、スロット１１ａの周囲に差をつけてガス（空気）を
排気したベアリング２１を設けており、このスロットに
は、圧力差によって壁部開口部のエリアにかかる力があ
らかじめ荷重を加える。以下、このガスベアリング２１
について、図４およびヨーロッパ特許出願９９２０１１
９３．２、表題「Ｇａｓ−Ｂｅａｒｉｎｇｓ ｆｏｒ
ｕｓｅ ｉｎ Ｖａｃｕｕｍ Ｃｈａｍｂｅｒｓ ａｎ
ｄ ｔｈｅｉｒＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｉｎ Ｌｉｔ
ｈｏｇｒａｐｈｉｃ Ａｐｐａｒａｔｕｓ」と、同じ表
題の同時出願（出願参照番号：Ｐ−０１３３．０１０）
とを参照してさらに詳しく述べる。これらの出願を参照
により本明細書に組み込む。スライダ３２とチューブ３
１の間に、別のガスベアリング２１を設けてチューブを
支持し、チューブに駆動力を伝達している。
【００３０】ショートストロークステージ１４に制御信
号、測定信号、およびその他の「ユーティリティ」を供
給するケーブル（図示せず）は、サポートチューブ３１
の内部空洞に通すことができる。
号、測定信号、およびその他の「ユーティリティ」を供
給するケーブル（図示せず）は、サポートチューブ３１
の内部空洞に通すことができる。
【００３１】真空室の壁部１１とスライダ３２の一部を
通る断面図である図４に模式的に示すように、スライダ
３２は、（例えば）５μｍの一定間隙ｇを維持できるよ
うにするガスベアリング２１により、真空室の壁部から
離れて保持されている。５〜１０μｍの範囲の間隙が適
当である用途もある。エアフィード２１１を介して、数
大気圧のクリーンエア（またはその他のガス、例えばＮ
2）を連続的に供給し、高圧領域２１４を生成する。供
給される空気は、外部および真空室Ｖに向かって流れる
が、真空室に空気が存在することは、当然ながら望まし
くない。大気圧への解放経路が、溝２１２を介して設け
られている。空気ベアリングを形成する空気が、許容で
きない漏れとなって真空室Ｖに流れ込むのをさらに防止
するために、真空コンジット２１３を介して空気をポン
プで排出している。望ましい場合は、解放経路２１２か
らも、ポンプで空気を排出してよい。真空室Ｖに流れ込
む残留漏空気１を、このようにして許容レベル以下に抑
えることができる。
通る断面図である図４に模式的に示すように、スライダ
３２は、（例えば）５μｍの一定間隙ｇを維持できるよ
うにするガスベアリング２１により、真空室の壁部から
離れて保持されている。５〜１０μｍの範囲の間隙が適
当である用途もある。エアフィード２１１を介して、数
大気圧のクリーンエア（またはその他のガス、例えばＮ
2）を連続的に供給し、高圧領域２１４を生成する。供
給される空気は、外部および真空室Ｖに向かって流れる
が、真空室に空気が存在することは、当然ながら望まし
くない。大気圧への解放経路が、溝２１２を介して設け
られている。空気ベアリングを形成する空気が、許容で
きない漏れとなって真空室Ｖに流れ込むのをさらに防止
するために、真空コンジット２１３を介して空気をポン
プで排出している。望ましい場合は、解放経路２１２か
らも、ポンプで空気を排出してよい。真空室Ｖに流れ込
む残留漏空気１を、このようにして許容レベル以下に抑
えることができる。
【００３２】この実施形態では、エアフィード２１１お
よび真空コンジット２１３の下部と、膨張室２１２と
が、シールの周囲の長さ全体にわたって延びる細長い溝
になっている。溝に沿い、間隔をおいてエアフィードパ
イプ２１１ａおよび真空パイプ２１３ａが設けられてい
る。
よび真空コンジット２１３の下部と、膨張室２１２と
が、シールの周囲の長さ全体にわたって延びる細長い溝
になっている。溝に沿い、間隔をおいてエアフィードパ
イプ２１１ａおよび真空パイプ２１３ａが設けられてい
る。
【００３３】本実施形態の変形例において、ガスベアリ
ングとなるエアフィードは、それぞれ独立している。各
エアフィードパイプの端部には、多孔質のプラグを詰め
た円筒状の拡張部分がある。多孔質のプラグは、グラフ
ァイト製であることが好ましい。グラファイト製になっ
ていると、真空壁部１１の下部表面１１ｂを機械仕上げ
した後、プラグを拡張部分に配置し、滑らかにきさげ仕
上げすることができる。
ングとなるエアフィードは、それぞれ独立している。各
エアフィードパイプの端部には、多孔質のプラグを詰め
た円筒状の拡張部分がある。多孔質のプラグは、グラフ
ァイト製であることが好ましい。グラファイト製になっ
ていると、真空壁部１１の下部表面１１ｂを機械仕上げ
した後、プラグを拡張部分に配置し、滑らかにきさげ仕
上げすることができる。
【００３４】上記のガスベアリングの変形例ではどちら
の場合でも、エアフィード２１１と真空室Ｖとの間に真
空溝２１３を１つ設けている。その他の変形例では、２
つ以上の真空溝を設け、真空室Ｖに近いほうの真空溝を
より高い真空レベルまで、ポンプで真空引きしてもよ
い。
の場合でも、エアフィード２１１と真空室Ｖとの間に真
空溝２１３を１つ設けている。その他の変形例では、２
つ以上の真空溝を設け、真空室Ｖに近いほうの真空溝を
より高い真空レベルまで、ポンプで真空引きしてもよ
い。
【００３５】上記のように、本実施形態では、スライダ
３２を駆動して、Ｙ位置決めの精度を最大限に高めてい
る。図５は、この場合のドライブ構成の部分側面図であ
る。スライダ３２は、Ｙ方向へ移動させる従来のガスベ
アリングフィート４４で、マウント４３上に支持されて
いる。サポート４０（スライダ３２の上下にそれぞれ１
つ）に取り付けたリニアモータ４１によって起動力が生
成される。サポートは、スライダ３２の上面および下面
に取り付けた磁石配列４２に対抗して働く。マウント４
３およびモータサポート４０は、バランスマス３５、３
６、または３９の延長である。
３２を駆動して、Ｙ位置決めの精度を最大限に高めてい
る。図５は、この場合のドライブ構成の部分側面図であ
る。スライダ３２は、Ｙ方向へ移動させる従来のガスベ
アリングフィート４４で、マウント４３上に支持されて
いる。サポート４０（スライダ３２の上下にそれぞれ１
つ）に取り付けたリニアモータ４１によって起動力が生
成される。サポートは、スライダ３２の上面および下面
に取り付けた磁石配列４２に対抗して働く。マウント４
３およびモータサポート４０は、バランスマス３５、３
６、または３９の延長である。
【００３６】スライダ３２の変形を最小限度に抑えるた
めに、このスライダは、図６に示すように、サンドイッ
チ構造をしたプレート１２０から製造される。上部およ
び下部スキンプレート１２１、１２３は、例えば、厚さ
をそれぞれｔ1、ｔ3として、焼結したＡｌ2Ｏ3の無垢プ
レートから形成される。サンドイッチ充填物１２２の厚
さはｔ2であり、図６Ａに示すようにグリッド構造のＡ
ｌ2Ｏ3壁部１２２ａ、あるいは図６Ｂに示すように最密
中空ガラス円筒１２２ｂなど、各種材料製になってい
る。その他の材料としては、例えばガラスフォームやセ
ラミックフォームなどがある。各変形例において、サン
ドイッチ充填物の主な機能は、２枚のスキンプレート１
２１、１２３の間で剪断力を伝達することであり、した
がって、選択した材料および構造の弾性率Ｅは、高くな
ければならない。
めに、このスライダは、図６に示すように、サンドイッ
チ構造をしたプレート１２０から製造される。上部およ
び下部スキンプレート１２１、１２３は、例えば、厚さ
をそれぞれｔ1、ｔ3として、焼結したＡｌ2Ｏ3の無垢プ
レートから形成される。サンドイッチ充填物１２２の厚
さはｔ2であり、図６Ａに示すようにグリッド構造のＡ
ｌ2Ｏ3壁部１２２ａ、あるいは図６Ｂに示すように最密
中空ガラス円筒１２２ｂなど、各種材料製になってい
る。その他の材料としては、例えばガラスフォームやセ
ラミックフォームなどがある。各変形例において、サン
ドイッチ充填物の主な機能は、２枚のスキンプレート１
２１、１２３の間で剪断力を伝達することであり、した
がって、選択した材料および構造の弾性率Ｅは、高くな
ければならない。
【００３７】焼結Ａｌ2Ｏ3グリッド構造充填物を備えた
プレート１２０の場合、プレートの長さ、剛性、および
質量は、空間係数Δによって決まる。空間係数は、グリ
ッド構造の総断面積をプレートの総断面積で割った値で
あり、剪断および曲げ変形の方程式の補正に使用され
る。
プレート１２０の場合、プレートの長さ、剛性、および
質量は、空間係数Δによって決まる。空間係数は、グリ
ッド構造の総断面積をプレートの総断面積で割った値で
あり、剪断および曲げ変形の方程式の補正に使用され
る。
【００３８】本発明によれば、サンドイッチプレート１
２０が、連続的な側壁部１２４を備えているか、サンド
イッチ充填物１２２の縁部が、内部を密閉するように封
止されている。内部を封止する前に、比較的高い真空レ
ベルまで内部の排気を行う。これにより、サンドイッチ
構造にあらかじめ応力がかかり、１枚のスキンプレート
を真空室の封止として使用した場合、サンドイッチ構造
を薄層に分離させる傾向があるスキンプレート前後の圧
力差を防止する。プレートは、プレートの寿命期間全体
を通して、内部の真空が十分に高い状態を保つ構造にす
るか、バルブを設け、必要に応じて内部を再排気できる
ようにする。
２０が、連続的な側壁部１２４を備えているか、サンド
イッチ充填物１２２の縁部が、内部を密閉するように封
止されている。内部を封止する前に、比較的高い真空レ
ベルまで内部の排気を行う。これにより、サンドイッチ
構造にあらかじめ応力がかかり、１枚のスキンプレート
を真空室の封止として使用した場合、サンドイッチ構造
を薄層に分離させる傾向があるスキンプレート前後の圧
力差を防止する。プレートは、プレートの寿命期間全体
を通して、内部の真空が十分に高い状態を保つ構造にす
るか、バルブを設け、必要に応じて内部を再排気できる
ようにする。
【００３９】この排気したサンドイッチ構造は、本発明
のスライダよりも用途が広く、特に、スライド式か固定
式かに関わりなく、真空室の壁部、または壁部の一部と
して利用すると便利である。
のスライダよりも用途が広く、特に、スライド式か固定
式かに関わりなく、真空室の壁部、または壁部の一部と
して利用すると便利である。
【００４０】スライダにおいては、Ｚ方向の曲げ剛性が
非常に重要である。Ｙ方向に若干曲げて真空室の壁部１
１またはスライダ３２のベアリングの変形にスライダ３
２を追従させても問題ない。真空室の壁部１１の開口部
１１ａは、「レーストラック」形状、すなわち直線的な
側部を備え、端部は、チューブ３１の曲率に対応して湾
曲している。したがってガスベアリング２１は「レース
トラック形状」でもある。１６０ｍｍのチューブ直径お
よび各側部ごとに６５ｍｍの真空シール間隙を収容する
ように、「レーストラック」形状のガスベアリング２１
のＺ方向スパンは、２００ｍｍのスロット高さを配慮し
て３６５ｍｍになっている。厚さ１２ｍｍの外部プレー
ト１２１、１２３を備えたＡｌ2Ｏ3サンドイッチプレー
ト１２０、および空間係数がΔ＝０．０７の、グリッド
構造１２２の充填物の偏向は、総重量８２ｋｇの場合、
ベアリングが２μｍ未満で最大となる。剛性が同じ無垢
プレートの重量は、約１５０ｋｇとなる。
非常に重要である。Ｙ方向に若干曲げて真空室の壁部１
１またはスライダ３２のベアリングの変形にスライダ３
２を追従させても問題ない。真空室の壁部１１の開口部
１１ａは、「レーストラック」形状、すなわち直線的な
側部を備え、端部は、チューブ３１の曲率に対応して湾
曲している。したがってガスベアリング２１は「レース
トラック形状」でもある。１６０ｍｍのチューブ直径お
よび各側部ごとに６５ｍｍの真空シール間隙を収容する
ように、「レーストラック」形状のガスベアリング２１
のＺ方向スパンは、２００ｍｍのスロット高さを配慮し
て３６５ｍｍになっている。厚さ１２ｍｍの外部プレー
ト１２１、１２３を備えたＡｌ2Ｏ3サンドイッチプレー
ト１２０、および空間係数がΔ＝０．０７の、グリッド
構造１２２の充填物の偏向は、総重量８２ｋｇの場合、
ベアリングが２μｍ未満で最大となる。剛性が同じ無垢
プレートの重量は、約１５０ｋｇとなる。
【００４１】図２Ａおよび２Ｂにおいて、スライダ３２
は、真空室の壁部１１の必須部分として形成されたガス
ベアリングによって支持されている。したがって、ベア
リングの偏向を５μｍ以下に抑えるには、壁部が鋼製で
あるものとして、最小約１５０ｍｍの厚さの壁部が必要
となる。変形例において、ガスベアリング３２は、図７
に立面図を示した独立したベアリング支持部材４５に設
けられている。ベアリングサポート４５は、「レースト
ラック」形状になっており、このサポートには真空シー
ル代４６および中央開口部４５ａを取り囲むガスベアリ
ング２１による負荷がかかる。中央開口部は、真空室壁
部の細長いスロット１１ａに適合している。ベアリング
サポート４５は、３つのサポートパッド４７を介して真
空室の壁部に取り付けられている。サポートパッドの配
置は、例えば有限要素解析を利用して決定する。偏向を
約４μｍ以下に抑えるには、厚さ１２０ｍｍのベアリン
グサポート４５で十分なことは、有限要素解析からも明
らかである。薄膜またはベローズを設けて、ベアリング
サポート４５と真空室の壁部１１の間に真空シールを形
成している。また、薄膜あるいはベローズは、ベアリン
グサポートの剛性を高めるように構成することができ
る。
は、真空室の壁部１１の必須部分として形成されたガス
ベアリングによって支持されている。したがって、ベア
リングの偏向を５μｍ以下に抑えるには、壁部が鋼製で
あるものとして、最小約１５０ｍｍの厚さの壁部が必要
となる。変形例において、ガスベアリング３２は、図７
に立面図を示した独立したベアリング支持部材４５に設
けられている。ベアリングサポート４５は、「レースト
ラック」形状になっており、このサポートには真空シー
ル代４６および中央開口部４５ａを取り囲むガスベアリ
ング２１による負荷がかかる。中央開口部は、真空室壁
部の細長いスロット１１ａに適合している。ベアリング
サポート４５は、３つのサポートパッド４７を介して真
空室の壁部に取り付けられている。サポートパッドの配
置は、例えば有限要素解析を利用して決定する。偏向を
約４μｍ以下に抑えるには、厚さ１２０ｍｍのベアリン
グサポート４５で十分なことは、有限要素解析からも明
らかである。薄膜またはベローズを設けて、ベアリング
サポート４５と真空室の壁部１１の間に真空シールを形
成している。また、薄膜あるいはベローズは、ベアリン
グサポートの剛性を高めるように構成することができ
る。
【００４２】サポートパッド４７の代わりに、比較的剛
性が低い、均質な弾性サポートを設けることもできる。
弾性サポートの剛性が低いほど好ましいが、ベアリング
サポートにかかる大気圧の負荷により、ベアリングサポ
ートは真空室の壁部の方へ移動する。一般に、このよう
な移動の許容量は、わずかに１０分の数ミリである。ベ
アリングサポートにかかる総大気圧負荷が２６．５ｋＮ
の場合、総サポート剛性は、１．３×１０8Ｎｍ-1以上
必要である。平坦でない真空室壁部がベアリングサポー
トに与える影響は、弾性サポートにより減少する。した
がってこの変形例では、真空室の壁部を０．０１ｍｍ程
度の平坦度に仕上げるだけでよい。
性が低い、均質な弾性サポートを設けることもできる。
弾性サポートの剛性が低いほど好ましいが、ベアリング
サポートにかかる大気圧の負荷により、ベアリングサポ
ートは真空室の壁部の方へ移動する。一般に、このよう
な移動の許容量は、わずかに１０分の数ミリである。ベ
アリングサポートにかかる総大気圧負荷が２６．５ｋＮ
の場合、総サポート剛性は、１．３×１０8Ｎｍ-1以上
必要である。平坦でない真空室壁部がベアリングサポー
トに与える影響は、弾性サポートにより減少する。した
がってこの変形例では、真空室の壁部を０．０１ｍｍ程
度の平坦度に仕上げるだけでよい。
【００４３】図８の部分断面図に、ベアリングサポート
４５’を支持する別の手段を示す。この構成では、圧力
負荷が、例えば２つの連続する空圧式チューブ４８によ
って補償される。この空圧式チューブは、ベアリングサ
ポート４５’の周囲全体を取り囲んでいる。間隔を置い
て配置した３本のバー４９（１つだけ図示）が、真空室
の壁部１１の平面内で、この壁部に対してベアリングサ
ポート４５を固定する追加サポートになっている。真空
室Ｖは、真空シール５０により封止されており、このシ
ールは、Ｏリング５０ａを介して、真空室の壁部１１お
よびベアリングサポート４５’に対するシールを行う。
この構成によれば、剛性がはっきりしたサポートが得ら
れ、真空室の壁部が平坦でないためにベアリングサポー
ト４５に影響がでることはほとんどない。
４５’を支持する別の手段を示す。この構成では、圧力
負荷が、例えば２つの連続する空圧式チューブ４８によ
って補償される。この空圧式チューブは、ベアリングサ
ポート４５’の周囲全体を取り囲んでいる。間隔を置い
て配置した３本のバー４９（１つだけ図示）が、真空室
の壁部１１の平面内で、この壁部に対してベアリングサ
ポート４５を固定する追加サポートになっている。真空
室Ｖは、真空シール５０により封止されており、このシ
ールは、Ｏリング５０ａを介して、真空室の壁部１１お
よびベアリングサポート４５’に対するシールを行う。
この構成によれば、剛性がはっきりしたサポートが得ら
れ、真空室の壁部が平坦でないためにベアリングサポー
ト４５に影響がでることはほとんどない。
【００４４】上記のベアリングサポート構成の適用は、
上記の装置に限定されるものでないことに注意された
い。真空室の壁部にある、任意の形状あるいはサイズの
開口部周囲にベアリングを設ける必要がある装置におい
て、上記のベアリングサポートを使用し、利点を得るこ
とができる。
上記の装置に限定されるものでないことに注意された
い。真空室の壁部にある、任意の形状あるいはサイズの
開口部周囲にベアリングを設ける必要がある装置におい
て、上記のベアリングサポートを使用し、利点を得るこ
とができる。
【００４５】実施形態３ 図９に、本発明によるリソグラフィ装置３の第３の実施
形態のウェーハステージを破断図にして示す。この実施
形態のコンセプトは、上記の第２の実施形態に類似して
いるが、精密ステージ１４を支持するのに、２本のチュ
ーブ３３１ａと３３１ｂを利用している。これにより、
ウェーハステージの高さおよびチューブ３３１ａおよび
３３１ｂの直径も減少する。すなわち、スロット１１ａ
を狭くすることができるが、その長さが延長しなければ
ならない。この実施形態において、スライダ３３２は、
真空室の壁部１１への差し込みにあるガスベアリング３
２１によって支持されている。また、チューブ３３１ａ
および３３１ｂを支持し、Ｘ方向への並進を可能にする
ためにも、ガスベアリングが設けてある。
形態のウェーハステージを破断図にして示す。この実施
形態のコンセプトは、上記の第２の実施形態に類似して
いるが、精密ステージ１４を支持するのに、２本のチュ
ーブ３３１ａと３３１ｂを利用している。これにより、
ウェーハステージの高さおよびチューブ３３１ａおよび
３３１ｂの直径も減少する。すなわち、スロット１１ａ
を狭くすることができるが、その長さが延長しなければ
ならない。この実施形態において、スライダ３３２は、
真空室の壁部１１への差し込みにあるガスベアリング３
２１によって支持されている。また、チューブ３３１ａ
および３３１ｂを支持し、Ｘ方向への並進を可能にする
ためにも、ガスベアリングが設けてある。
【００４６】精密ステージ１４に制御信号およびその他
の「ユーティリティ」を伝えるケーブル２０は、チュー
ブ３３１ａおよび３３１ｂの一方または両方を貫通して
いる。
の「ユーティリティ」を伝えるケーブル２０は、チュー
ブ３３１ａおよび３３１ｂの一方または両方を貫通して
いる。
【００４７】実施形態４ 上記の実施形態において、精密ステージ１４の両側の真
空室壁部にあるサポートチューブまたはチューブの正味
断面積は同じである。したがって、Ｘ方向では、精密ス
テージに正味圧力はかからない。しかし、垂直なマスク
あるいはウェーハと併用する、本発明の実施形態では、
サポートチューブまたはチューブを垂直に配設し、少な
くとも真空室の壁部を貫通する長さ部分において、下部
チューブの断面積を大きくしてある。これにより、精密
ステージおよびサポートチューブなどの重量を補償する
ように構成可能な正味上向き圧力が得られる。
空室壁部にあるサポートチューブまたはチューブの正味
断面積は同じである。したがって、Ｘ方向では、精密ス
テージに正味圧力はかからない。しかし、垂直なマスク
あるいはウェーハと併用する、本発明の実施形態では、
サポートチューブまたはチューブを垂直に配設し、少な
くとも真空室の壁部を貫通する長さ部分において、下部
チューブの断面積を大きくしてある。これにより、精密
ステージおよびサポートチューブなどの重量を補償する
ように構成可能な正味上向き圧力が得られる。
【００４８】以上、好ましい実施形態と関連して、本発
明の説明を行ったが、本発明は、上記の説明により限定
されるものではないものと理解されたい。特にリソグラ
フィ装置のウェーハステージと関連して、本発明の説明
を行ったが、本発明は、リソグラフィ装置のマスクステ
ージあるいはロングストロークのマニピュレータを真空
室に貫通させる必要がある装置にも同様に適用できる。
明の説明を行ったが、本発明は、上記の説明により限定
されるものではないものと理解されたい。特にリソグラ
フィ装置のウェーハステージと関連して、本発明の説明
を行ったが、本発明は、リソグラフィ装置のマスクステ
ージあるいはロングストロークのマニピュレータを真空
室に貫通させる必要がある装置にも同様に適用できる。
【図１】本発明の第１の実施形態によるリソグラフィ投
影装置を示す図である。
影装置を示す図である。
【図２Ａ】本発明の第２の実施形態によるリソグラフィ
投影装置のウェーハステージの断面図である。
投影装置のウェーハステージの断面図である。
【図２Ｂ】ドライブ構成を示す、図２Ａのウェーハステ
ージの平面図である。
ージの平面図である。
【図３】別のドライブ構成を示す、図２Ａのウェーハス
テージの平面図である。
テージの平面図である。
【図４】図２Ａのウェーハステージで使用する、差をつ
けてガスを排気したベアリングの断面図である。
けてガスを排気したベアリングの断面図である。
【図５】Ｙ方向のドライブ構成を示す、図２Ａのウェー
ハステージの部分側面図である。
ハステージの部分側面図である。
【図６】本発明で有用な別のスライダの断面図である。
【図６Ａ】図６のスライダの別の充填物の平面図であ
る。
る。
【図６Ｂ】図６のスライダの別の充填物の平面図であ
る。
る。
【図７】図２Ａのウェーハステージで有用なスライダベ
アリングサポートの平面図である。
アリングサポートの平面図である。
【図８】スライダベアリングサポート別の搭載構成の断
面図である。
面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態によるリソグラフィ投
影装置のウェーハステージの部分断面見取図である。
影装置のウェーハステージの部分断面見取図である。
１ リソグラフィ投影装置 ＬＡ、ＩＬ 放射システム ＭＡ マスク ＭＴ 第１の物体テーブル ＰＢ 放射投影ビーム ＰＬ 投影システム ＰＬ 物体 ＰＭ 第１の位置決め手段 Ｗ 基板 ＷＴ、ＰＷ 第２の物体テーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘルマヌス マチアス ヨアネス レネ、 ソエメルス オランダ国 ミエルロ、ファーナッケル 70 (72)発明者 ヤコブ、フイユフインケル オランダ国 エイントホーフェン、ノール ト ブラバントラーン 146 (72)発明者 ヨハネス コルネリス、ドリーセン オランダ国 エイントホーフェン、ルイク ラーン 35 (72)発明者 ミハエル ヨツェファ マチュース、レン ケンス オランダ国 ゲレーン、ダッセンクイラー ン 84 (72)発明者 アドリアヌス ゲラルドウス、ボウワー オランダ国 ヌエネン、デ フロス 35
Claims (27)
- 【請求項１】 放射投影ビームを供給する放射システム
と、 マスクを保持するマスクホルダを設けた第１の物体テー
ブルと、 基板を保持する基板ホルダを設けた第２の物体テーブル
と、 基板の目標部分にマスクの被照射部分を結像する投影シ
ステムとを具備し、 前記第１および第２の物体テーブルの少なくとも一方を
取り囲む壁部を備える真空室であって、前記真空室壁部
が少なくとも１つの壁部開口部を備える真空室と、 前記壁部開口部を貫通して延びる細長いビームであっ
て、前記ビームの一部が、前記真空室内に延びて、前記
真空室内の前記一方の物体テーブルを支持し、前記ビー
ムの一部が前記真空室外に延び、したがって、前記真空
室外の前記ビームが移動すると前記真空室内の前記物体
テーブルが移動する細長いビームと、 前記ビームを移動させながら前記壁部開口部を封止する
シールと、 前記ビームを移動させ、前記真空室内で前記物体テーブ
ルを移動する位置決め手段とを特徴とするリソグラフィ
投影装置。 - 【請求項２】 前記真空室が、対向する壁部に２つの壁
部開口部を備え、第１および第２のビーム端部が前記真
空室外にあり、前記ビームの中間部分が前記真空室内に
あるように前記細長いビームが前記両方の壁部開口部を
貫通して延びる請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記各壁部開口部が、細長いスロットを
備え、したがって、前記ビームが、前記スロットに沿っ
て横方向に移動可能であるとともに、長手方向に前記ス
ロットに出入り可能であり、前記位置決め手段が、前記
ビームを横方向および長手方向に移動し、直交する２方
向に前記物体テーブルを位置決めするようになっている
請求項１または請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記シールが、スライディングシールプ
レート、および前記スライディングプレートと前記真空
室壁部との間に設けたベアリングを具備し、前記スライ
ディングシールプレートを移動させる請求項３に記載の
装置。 - 【請求項５】 前記ベアリングが、前記真空室の壁部に
対して所定のクリアランスを維持するガスベアリング
と、前記ガスベアリングと前記真空室壁部との間に配設
され、前記ガスベアリングから前記真空室へのガスの漏
れを減少させる排気手段とを具備する請求項４に記載の
装置。 - 【請求項６】 前記各壁部開口部を取り囲む前記真空室
壁部に設けたベアリング支持部材をさらに具備し、前記
ガスベアリングが、前記ベアリング支持部材に設けられ
ている請求項５に記載の装置。 - 【請求項７】 前記ベアリング支持部材が、間隔を置い
て配置した３つの位置で前記真空室壁部に取り付けら
れ、各ベアリング支持部材が、前記ベアリング支持部材
と前記真空室壁部の間を真空封止するために、ベローズ
シールまたは薄膜シールをさらに具備する請求項６に記
載の装置。 - 【請求項８】 前記各ベアリング支持部材が、弾性サポ
ートにより、前記真空室壁部に取り付けられ、前記弾性
サポートの剛性が、前記ベアリング支持部材の剛性より
もはるかに低い請求項６に記載の装置。 - 【請求項９】 真空室壁部に垂直なベアリング支持部材
に力を加える低剛性サポートによって、および前記真空
室壁部に対して平行な、前記ベアリング支持部材の移動
を抑制する機械式リンケージによって、前記各ベアリン
グ支持部材が、前記真空室壁部に取り付けられている請
求項６に記載の装置。 - 【請求項１０】 前記低剛性サポートが、前記壁部開口
部を取り囲む、前記垂直な力を加えるのに十分な圧力の
ガスで満たされた少なくとも１つの連続したチューブを
具備し、前記機械式リンケージが、前記ベアリング支持
部材を前記真空室壁部に接続する、間隔を置いて配置し
た複数のタイロッドを具備する請求項９に記載の装置。 - 【請求項１１】 前記スライディングシールプレート
が、プレート開口部を備え、前記細長いビームが、前記
プレート開口部を貫通して延びるとともに、前記プレー
ト開口部にぴったり収まり、したがって、前記ビーム
が、前記プレートに対して長手方向に移動可能で、横方
向には拘束され、前記位置決め手段が、前記ビームに作
用して前記ビームを長手方向に移動させるＸ方向モータ
と、前記スライディングシールプレートに作用して前記
ビームを横方向に移動させるＹ方向モータとを具備する
請求項４から請求項１０までのいずれか一項に記載の装
置。 - 【請求項１２】 前記Ｘ方向モータおよび前記Ｙ方向モ
ータが、それぞれＸ方向、Ｙ方向バランスマスに対抗し
て作動し、装置がさらに、Ｘ方向およびＹ方向バランス
マスの間で作動し、前記Ｙ方向モータによる前記スライ
ディングシールプレートの移動と同期してＸ方向および
Ｙ方向バランスマスを移動させるバランスマスモータを
具備する請求項１１に記載の装置。 - 【請求項１３】 前記Ｘ方向およびＹ方向モータが、１
つのバランスマスに対抗して作動する請求項１１に記載
の装置。 - 【請求項１４】 前記各スライディングプレートが、封
止された外被および多孔質内層を有するサンドイッチ構
造を具備し、前記内層の空隙が排気されている請求項４
から請求項１３までのいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項１５】 前記多孔質内層が、横断壁部のグリッ
ド、中空円筒の配列、セラミックフォーム、およびグラ
スフォームから成るグループから選択されている請求項
１４に記載の装置。 - 【請求項１６】 前記ビームが、前記真空質内に概して
垂直に延び、前記ビームにかかる正味圧力が、前記ビー
ムの重量および前記ビームが支持する総質量にほぼ拮抗
するような形状になっている請求項１から請求項１５ま
でのいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項１７】 前記物体または物体テーブルを支持す
る、横方向に間隔を置いて配置した２つの平行なビーム
を備える請求項１から請求項１６までのいずれか一項に
記載の装置。 - 【請求項１８】 前記各ビームが、例えば焼結Ａｌ2Ｏ3
で形成された中空チューブを備える請求項１から請求項
１７までのいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項１９】 エネルギーに敏感な材料の層により、
少なくとも一部を覆われた基板を設ける段階と、 パターンを含むマスクを設ける段階と、 放射投影ビームを利用して、エネルギーに敏感な材料層
の目標エリアにマスクパターンの少なくとも一部の像を
投影する段階とを備えるデバイス製造方法であって、 像の投影段階において、少なくとも１つの壁部開口部を
備えた壁部を有する真空室内に収容した物体テーブルに
マスクおよび基板の少なくとも一方を取り付け、 前記物体テーブルが、前記壁部開口部を貫通して延びる
細長いビームにより支持され、前記ビームの一部が、前
記真空室内の前記物体テーブルを支持する前記真空室内
に延び、前記ビームの一部が前記真空室外に延び、した
がって、前記真空室外の前記ビームが移動すると、前記
真空室内の前記物体が移動し、 前記壁部開口部が、前記ビームを移動させるシールによ
り封止され、 前記物体テーブルが、前記ビームを移動し、前記物体テ
ーブルを前記真空室内で移動させる位置決め手段により
位置決めされることを特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１９の方法に従って製造したデ
バイス。 - 【請求項２１】 遠隔操作可能な物体を収容する真空室
を含む真空装置であって、 第１および第２の壁部開口部を具備する真空室と、 第１および第２のビーム端部と中間部分とを具備する細
長いビームであって、前記ビームの前記中間部分が、前
記真空室内の前記物体を支持する前記真空室を横切って
延び、前記第１および第２のビーム端部が、前記第１お
よび第２の壁部開口部を貫通して延び、さらに前記真空
室外に延び、したがって、前記真空室外の前記ビームが
移動すると、前記真空室内の前記物体が移動する細長い
ビームと、 前記ビームを移動させながら前記開口部を封止するシー
ルとを具備することを特徴とする真空装置。 - 【請求項２２】 前記物体の対応する移動を行うよう
に、前記ビームが長手方向に移動可能になっている請求
項２１に記載の装置。 - 【請求項２３】 Ｘ方向モータおよびＸ方向バランスマ
スをさらに具備し、前記ビームが、前記ビームと前記Ｘ
方向バランスマスとの間で作動する前記Ｘ方向モータに
より、長手方向に移動可能になっている請求項２２に記
載の装置。 - 【請求項２４】 前記壁部開口部が細長いスロットを具
備し、前記物体に対応して移動するように、前記ビーム
が前記スロットに沿って横方向に移動可能になっている
請求項２１、請求項２２、または請求項２３に記載の装
置。 - 【請求項２５】 前記壁部開口部が、前記ビームに接続
した第１および第２のスライディングシールプレートに
よりそれぞれ封止され、前記各スライディングシールプ
レートが、前記ビームの移動範囲にわたって壁部開口部
をそれぞれ覆うような大きさになっている請求項２４に
記載の装置。 - 【請求項２６】 前記各スライディングシールプレート
が、プレート開口部を備え、前記ビームが、前記プレー
ト開口部を貫通し、前記プレート開口部にぴったりと収
容され、したがって、前記ビームが、前記スライディン
グシールプレートに対して前記プレート開口部を介して
長手方向に移動し、前記スライディングシールプレート
が移動すると前記ビームが横方向に移動する請求項２５
に記載の装置。 - 【請求項２７】 前記ビームを支持し、前記ビームを長
手方向に移動させるように前記プレート開口部にガスベ
アリングを設けた請求項２６に記載の装置。
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