JP2000323302A - チップ形ｐｔｃサーミスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 素子に過電流が流れた際の素子の抵抗値上昇
率を大きくでき、耐圧を上げることができるチップ形Ｐ
ＴＣサーミスタを提供することを目的とする。 【解決手段】 直方体形状をなし、かつＰＴＣ特性を有
する導電性ポリマ１１の第１面に設けた第１の主電極１
２ａおよび第１の副電極１２ｂと、前記導電性ポリマ１
１の第１面に対向する第２面に設けた第２の主電極１２
ｃおよび第２の副電極１２ｄと、少なくとも前記導電性
ポリマ１１の側面全面に設けられた第１、第２の側面電
極１３ａ，１３ｂとを備え、前記第１の主電極１２ａに
おける前記第１の側面電極１３ａとの接続部に近接する
部分と、前記第２の主電極１２ｃにおける前記第２の側
面電極１３ｂとの接続部に近接する部分のいずれか一
方、もしくは両方に切り欠き部１４を設けたものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、正の温度係数（Ｐ
ositive Ｔemperature Ｃoefficient、以下「ＰＴＣ」
と記す）特性を有する導電性ポリマを用いたチップ形Ｐ
ＴＣサーミスタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＰＴＣサーミスタは過電流保護素子とし
て使用でき、電気回路に過電流が流れると、ＰＴＣ特性
を有する導電性ポリマが自己発熱し、導電性ポリマが熱
膨張し高抵抗に変化し、電流を安全な微小領域まで減衰
させるものである。

【０００３】以下、従来のチップ形ＰＴＣサーミスタに
ついて説明する。

【０００４】従来のチップ形ＰＴＣサーミスタとして
は、特表平９−５０３０９７号公報に示されているよう
に、ＰＴＣ特性を示す抵抗材料から成り、第１面、第２
面を有し、かつ第１面と第２面との間を通る開口部を設
けたＰＴＣ抵抗素子と、前記開口部の内部に位置し、か
つＰＴＣ抵抗素子の第１面と第２面との間を通り、前記
ＰＴＣ抵抗素子に固定される横方向の導電部材と、前記
ＰＴＣ抵抗素子の第１面に固定され、前記横方向の導電
部材に物理的かつ電気的に接続される第１層状導電部材
とを有するチップ形ＰＴＣサーミスタが開示されてい
る。図１８（ａ）は従来のチップ形ＰＴＣサーミスタを
示す断面図であり、図１８（ｂ）は同上面図である。図
１８（ａ）（ｂ）において、１はＰＴＣ特性を有する導
電性ポリマよりなる抵抗体であり、２ａ，２ｂ，２ｃ，
２ｄは金属箔よりなる電極であり、３ａ，３ｂはスルー
ホールによる開口部であり、４ａ，４ｂはスルーホール
による開口部３ａ，３ｂの内部に形成され、電極２ａと
２ｄおよび電極２ｂと２ｃを電気的に接続するめっきに
よる導電部材である。

【０００５】また、本発明者らは、上記従来のチップ形
ＰＴＣサーミスタに対して、実装時のはんだ付け部の外
観検査が容易で、かつフローはんだ付けを可能とするた
めに、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前記導電性
ポリマの第１面に位置する第１の主電極および第１の副
電極と、前記導電性ポリマの第１面に対向する第２面に
位置する第２の主電極と第２の副電極と、前記導電性ポ
リマの一方の側面および対向する側面に形成された第１
および第２の側面電極とを有するチップ形ＰＴＣサーミ
スタを開発した。

【０００６】図１９（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明者らが
開発したチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図、断面図お
よび分解斜視図である。

【０００７】図１９（ａ）（ｂ）（ｃ）において、５は
ポリエチレン等の高分子材料と、カーボンブラック等の
導電性粒子との混合物からなるＰＴＣ特性を有するシー
ト状の導電性ポリマである。６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは
金属箔よりなる電極であり、７ａ，７ｂは電極６ａと６
ｄおよび６ｂと６ｃを電気的に接続するめっきによる側
面電極である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、過電流
が流れた際のチップ形ＰＴＣサーミスタは導電性ポリマ
５が自己発熱（発熱エネルギーＰ＝Ｉ²×Ｒ、Ｉ：電
流、Ｒ：ＰＴＣサーミスタ抵抗値）によって膨張し、高
抵抗値に変化するが、上記従来の本発明者らが開発した
チップ形ＰＴＣサーミスタの構造では、電極６ａ，６ｃ
によって、シート状の導電性ポリマ５の電流経路である
厚み方向への膨張が阻害され、これにより導電性ポリマ
５本来の抵抗値上昇能力までＰＴＣサーミスタ抵抗値上
昇率を大きくできない。この結果、消費電力を（Ｐ＝Ｖ
²／Ｒ、Ｖ：印加電圧）を一定に保つようにバランスの
とれる抵抗値上昇域が低下することで耐電圧を上げるこ
とができないという問題点を有していた。

【０００９】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、過電流が流れた際に抵抗値上昇率を大きくでき、耐
電圧を上げることができるチップ形ＰＴＣサーミスタを
提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のチップ形ＰＴＣサーミスタは、ＰＴＣ特性を
有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマに接して設け
られた第１の主電極と、前記導電性ポリマを介して前記
第１の主電極に対向して設けられた第２の主電極と、前
記第１の主電極と電気的に接続する第１の電極と、前記
第２の主電極と電気的に接続する第２の電極と、前記第
１の主電極または前記第２の主電極の少なくとも一方に
設けられた変位抑制解除手段を有すことを特徴としてい
る。

【００１１】この構成によれば、導電性ポリマに過電流
が流れた際の導電性ポリマの抵抗値上昇率を大きくで
き、チップ形ＰＴＣサーミスタの耐電圧を上げることが
できるものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポ
リマに接して設けられた第１の主電極と、前記導電性ポ
リマを介して前記第１の主電極に対向して設けられた第
２の主電極と、前記第１の主電極と電気的に接続する第
１の電極と、前記第２の主電極と電気的に接続する第２
の電極と、前記第１の主電極または前記第２の主電極の
少なくとも一方に設けられた変位抑制解除手段を有す構
成である。

【００１３】この構成によれば、第１の主電極または第
２の主電極に変位抑制解除手段を設けたので、チップ形
ＰＴＣサーミスタ素子に過電流が流れた際には、導電性
ポリマが厚み方向へ膨張し易くなり、これにより、導電
性ポリマの比抵抗値が増大して抵抗値上昇率を大きくす
ることができるため、チップ形ＰＴＣサーミスタ自身の
抵抗値上昇性能も向上し、耐電圧を上げることができる
という作用を有するものである。

【００１４】請求項２に記載の発明は、ＰＴＣ特性を有
する導電性ポリマと、前記導電性ポリマに接して設けら
れた第１の主電極と、前記導電性ポリマを介して前記第
１の主電極に対向して設けられた第２の主電極と、前記
導電性ポリマの内部に位置し前記第１の主電極および前
記第２の主電極の間に設けられた奇数個の内層主電極
と、前記第１の主電極および前記第２の主電極と電気的
に接続する第１の電極と、前記第１の主電極と直接対向
する内層主電極と電気的に接続する第２の電極とを有
し、前記奇数個の内層主電極は交互に前記第１の電極ま
たは前記第２の電極と電気的に接続し、前記第１の主電
極、前記第２の主電極または前記内層主電極の少なくと
も一つに設けられた変位抑制解除手段を有すものであ
る。

【００１５】この構成の場合も請求項１に記載の発明と
同様の技術的背景により同様の作用を有する。

【００１６】請求項３に記載の発明は、ＰＴＣ特性を有
する導電性ポリマと、前記導電性ポリマに接して設けら
れた第１の主電極と、前記導電性ポリマを介して前記第
１の主電極に対向して設けられた第２の主電極と、前記
導電性ポリマの内部に位置し前記第１の主電極および前
記第２の主電極の間に設けられた偶数個の内層主電極
と、前記第１の主電極と電気的に接続する第１の電極
と、前記第２の主電極と電気的に接続する第２の電極と
を有し、前記第１の主電極と直接対向する内層主電極は
前記第２の電極と電気的に接続し、前記偶数個の内層主
電極は交互に前記第１の電極または前記第２の電極と電
気的に接続し、前記第１の主電極、前記第２の主電極ま
たは前記内層主電極の少なくとも一つに設けられた変位
抑制解除手段を有すものである。

【００１７】本発明も請求項１に記載の発明と同様の技
術的背景により同様の作用を有する。

【００１８】請求項４に記載の発明は、請求項１、２ま
たは３のいずれかに記載のＰＴＣサーミスタであって、
変位抑制解除手段が設けられた位置は、前記変位抑制解
除手段が設けられた第１の主電極、第２の主電極または
内層主電極に隣接する第１の主電極、第２の主電極また
は内層主電極の先端部に対向した位置であるものであ
る。

【００１９】この構成によれば、導電性ポリマがより膨
張しやすい構成となるので、導電性ポリマの抵抗値上昇
率をより大きくすることができるため、耐電圧をさらに
上げることができるという作用を有するものである。

【００２０】請求項５に記載の発明は、請求項１、２ま
たは３のいずれかに記載のＰＴＣサーミスタであって、
変位抑制解除手段は、隣接する第１の主電極、第２の主
電極または内層主電極にそれぞれ設けられ、一の変位抑
制解除手段が配置された位置は、前記一の変位抑制解除
手段に隣接する他の一の変位抑制解除手段が配置された
位置に対し、前記第１の主電極と平行な面上で回転対称
にあることを特徴とするものである。

【００２１】この構成により、請求項１に記載の発明と
同様な効果を奏する。変位抑制解除手段を回転対称な位
置に配置するので、導電性ポリマの膨張によるＰＴＣサ
ーミスタの変形を平均化することができ、信頼性の向上
を図る作用を有す。

【００２２】請求項６に記載の発明は、請求項１、２ま
たは３のいずれかに記載のチップ形ＰＴＣサーミスタで
あって、変位抑制解除手段は第１の主電極、第２の主電
極または内層主電極に設けた孔であることを特徴とする
ものである。

【００２３】この構成により、請求項１に記載の発明と
同様な作用を有する。

【００２４】請求項７に記載の発明は、請求項１から３
のいずれかに記載のチップ形ＰＴＣサーミスタ変位抑制
解除手段であって、第１の主電極、第２の主電極または
内層主電極に設けた切り欠きであることを特徴とするも
のである。

【００２５】この構成により、請求項１に記載の発明と
同様な作用を有する。

【００２６】請求項８に記載の発明は、請求項１から３
のいずれかに記載のチップ形ＰＴＣサーミスタであっ
て、第１の主電極の延長上に前記第１の主電極と電気的
に独立して設けられるとともに第２の電極と接続された
第１の副電極を有すことを特徴とするものである。

【００２７】この構成により、請求項１に記載の発明と
同様の作用を有する。

【００２８】請求項９に記載の発明は、請求項１、２、
３、６または７のいずれかに記載のチップ形ＰＴＣサー
ミスタであって、第１の電極は導電性ポリマの一方の側
面に設けられた第１の側面電極であり、第２の電極は前
記導電性ポリマの他方の側面に設けられた第２の側面電
極であることを特徴とするものである。

【００２９】この構成により、請求項１に記載の発明と
同様な作用を有する。

【００３０】請求項１０に記載の発明は、請求項１から
３のいずれかに記載のチップ形ＰＴＣサーミスタであっ
て、第１の電極は導電性ポリマの内部に設けられた第１
の内部貫通電極であり、第２の電極は前記導電性ポリマ
の内部に設けられた第２の内部貫通電極であることを特
徴とするものである。

【００３１】この構成により、請求項１に記載の発明と
同様の作用を有する。

【００３２】請求項１１に記載の発明は、請求項１から
３のいずれかに記載のチップ形ＰＴＣサーミスタであっ
て、第１の電極は導電性ポリマの一方の側面に設けられ
た第１の側面電極および前記導電性ポリマの内部に設け
られた第１の内部貫通電極であり、第２の電極は前記導
電性ポリマの他方の側面に設けられた第２の側面電極お
よび前記導電性ポリマの内部に設けられた第２の内部貫
通電極であることを特徴とするものである。

【００３３】この構成により、請求項１に記載の発明と
同様の作用を有する。

【００３４】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて図面を
参照しながら説明する。

【００３５】図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけ
るチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図、図１（ｂ）は構
成部材の分解斜視図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ−Ａ
線断面図である。

【００３６】図１（ａ）（ｂ）（ｃ）において、１１は
結晶性ポリマである高密度ポリエチレンと導電性粒子で
あるカーボンブラック等との混合物からなる直方体形状
をしたＰＴＣ特性を有する導電性ポリマである。１２ａ
は前記導電性ポリマ１１の第１面に位置する第１の主電
極であり、１２ｂは前記第１の主電極１２ａと同じ面に
位置し、かつ前記第１の主電極１２ａと独立した第１の
副電極である。ここで、第１の主電極１２ａと同じ面と
は、第１の主電極１２ａの延長上に位置することを意味
し、第１の主電極１２ａと独立したとは、第１の主電極
１２ａと電気的に直接接続されていないことを意味する
が、導電性ポリマ１１を介して通電することを排する意
ではない。１２ｃは前記導電性ポリマ１１の第１面に対
向する第２面に位置する第２の主電極であり、１２ｄは
前記第２の主電極１２ｃと同じ面に位置し、かつ前記第
２の主電極１２ｃと独立した第２の副電極であり、それ
ぞれ銅あるいはニッケル等の金属箔からなる。１３ａは
前記導電性ポリマ１１の一方の側面全面および前記第１
の主電極１２ａの端縁部と前記第２の副電極１２ｄとに
回り込むように設けられ、かつ前記第１の主電極１２ａ
と前記第２の副電極１２ｄとを電気的に接続するニッケ
ルめっき層からなる第１の側面電極であり、１３ｂは前
記第１の側面電極１３ａに対向する前記導電性ポリマ１
１の他方の側面全面および前記第２の主電極１２ｃの端
縁部と前記第１の副電極１２ｂとに回り込むように設け
られ、かつ前記第２の主電極１２ｃと前記第１の副電極
１２ｂとを電気的に接続するニッケルめっき層からなる
第２の側面電極である。１４は第１の主電極１２ａおよ
び第２の主電極１２ｃに設けた切り欠き部である。１５
ａ，１５ｂは前記導電性ポリマ１１の第１面と第２面の
最外層に設けられたエポキシ混合アクリル系樹脂からな
る第１、第２の保護コートである。

【００３７】以上のように構成された本発明の実施の形
態１におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて、次に
その製造方法について図面を参照しながら説明する。

【００３８】図２（ａ）〜（ｃ）および図３（ａ）〜
（ｄ）は、本発明の実施の形態１におけるチップ形ＰＴ
Ｃサーミスタの製造方法を示す工程図である。

【００３９】まず、結晶化度７０〜９０％の高密度ポリ
エチレン４２重量％と、ファーネス法で製造した平均粒
径５８ｎｍ、比表面積３８ｍ²／ｇのカーボンブラック
５７重量％と、酸化防止剤１重量％とを約１７０℃に加
熱した２本熱ロールにより約２０分間混合し、そして前
記混合物を２本熱ロールからシート状で取り出し、図２
（ａ）に示す厚みが約０．１６ｍｍのシート状の導電性
ポリマ２１を作製した。尚、図２の導電性ポリマ２１
は、完成時には図１の導電性ポリマ１１を形成するもの
である。

【００４０】次に、約８０μｍの電解銅箔に金型プレス
によりパターン形成を行い、図２（ｂ）に示す電極２２
を作製した。ここで電極２２は、完成時には第１の主電
極１２ａ、第１の副電極１２ｂ、第２の主電極１２ｃ、
第２の副電極１２ｄを形成するものである。

【００４１】図２（ｂ）の２３は、図１において第１の
主電極１２ａと第２の主電極１２ｃのいずれか一方、も
しくは両方に、第１の側面電極１３ａおよび第２の側面
電極１３ｂとの接続部に近接して設けた切り欠き部に相
当するものである。図２（ｂ）の２４は後工程で個片状
に分割したときに主電極と副電極を独立させるためのギ
ャップを形成する溝であり、２５は個片状に分割すると
きに、電解銅箔を切断する部分を減らし、分割時の電解
銅箔のダレやバリを少なくするための溝である。

【００４２】次に、図２（ｃ）に示すように、シート状
の導電性ポリマ２１の上下に電極２２を重ね、温度１７
５℃、真空度約２０Ｔｏｒｒ、面圧力約７５ｋｇｆ／ｃ
ｍ²で約１分間の真空熱プレスにより加熱加圧成形し、
一体化した図３（ａ）に示す第１のシート２６を作製し
た。

【００４３】その後、一体化した第１のシート２６を熱
処理（１１０℃〜１２０℃で１時間）した後、電子線照
射装置内で電子線を約４０Ｍｒａｄ照射し、高密度ポリ
エチレンの架橋を行った。

【００４４】次に、図３（ｂ）に示すように、ダイシン
グにより、細長い一定間隔の貫通溝２７を所望のチップ
形ＰＴＣサーミスタの長手方向の幅を残して形成した。

【００４５】次に、図３（ｃ）に示すように、貫通溝２
７を形成した第１のシート２６の上下面に貫通溝２７の
周辺を除いて、エポキシ混合アクリル系のＵＶ硬化と熱
硬化との併用硬化型樹脂をスクリーン印刷し、ＵＶ硬化
炉で片面ずつ仮硬化し、その後、熱硬化炉で両面同時に
本硬化を行って保護コート２８を形成した。

【００４６】次に、図３（ｃ）に示すように第１のシー
ト２６の保護コート２８が形成されていない部分と貫通
溝２７の内壁に、スルファミン酸ニッケル浴中で約４０
分間、電流密度約４Ａ／ｄｍ²の条件で、約２０μｍの
ニッケルめっき層からなる側面電極２９を形成した。

【００４７】その後、図３（ｃ）に示す第１のシート２
６をダイシングにより個片に分割し、図３（ｄ）に示す
本発明のチップ形ＰＴＣサーミスタ３０を作製した。

【００４８】次に、本発明の実施の形態１においてチッ
プ形ＰＴＣサーミスタの十分な抵抗値上昇率を得るため
に、導電性ポリマ１１の両面に設けられた第１、第２の
主電極１２ａ，１２ｃのいずれか一方、もしくは両方
に、第１の側面電極１３ａと第２の側面電極１３ｂのい
ずれか一方もしくは両方との接続部に近接して切り欠き
部１４を設ける必要性について説明する。

【００４９】本発明のチップ形ＰＴＣサーミスタは、面
実装部品として基板上に実装し、過電流が流れた場合に
自己発熱によって、導電性ポリマ１１が膨張して比抵抗
値が増大し、過電流を微小な値まで低下させるものであ
る。従来のチップ形ＰＴＣサーミスタにおいては、図１
９に示すように導電性ポリマ５の両面を電極６ａと電極
６ｃで挟んだ構造となっているため、導電性ポリマ５は
厚み方向に膨張しにくいものである。そこで、図１に示
す第１、第２の主電極１２ａ，１２ｃのいずれか一方、
もしくは両方に、第１の側面電極１３ａと第２の側面電
極１３ｂのいずれか一方もしくは両方との接続部に近接
して切り欠き部１４を設けると、この切り欠き部１４の
存在により、金属箔の切り欠き部１４で挟まれた部分の
変形が容易になり導電性ポリマ１１は厚み方向へ膨張し
やすい構造となる。その結果、導電性ポリマ１１の持つ
膨張性能を十分に引出すことができ、チップ形ＰＴＣサ
ーミスタの抵抗値上昇率の向上が可能となる。それ故、
印加電圧がより大きい場合においても消費電力を一定に
保ち、破壊することなく過電流を抑制することができ、
耐電圧の大きいチップ形ＰＴＣサーミスタを実現させる
ことが可能となる。

【００５０】本発明の実施の形態１に記載した製造方法
で、第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃに第
１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接
続部に近接して切り欠き部１４を設けたサンプルと、切
り欠き部１４を設けないサンプルをそれぞれ作製した。

【００５１】第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１
２ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３
ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４を設けたことに
よる抵抗値上昇率の違いを確認するために、以下の試験
を行った。

【００５２】試験は前述した第１の主電極１２ａおよび
第２の主電極１２ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２
の側面電極１３ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４
を設けたサンプルと、切り欠き部１４を設けないサンプ
ルをそれぞれ５個ずつプリント基板に実装し、恒温槽の
中に置いた。恒温槽の温度を２５℃から１５０℃まで２
℃／分で上昇させ各温度でサンプルの抵抗値を測定し
た。図４に第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２
ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂ
との接続部に近接して切り欠き部１４を設けたサンプル
と、切り欠き部１４を設けないサンプルの抵抗／温度特
性の一例を示す。第１の主電極１２ａおよび第２の主電
極１２ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極
１３ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４を設けた場
合には、切り欠き部１４を設けない場合と比較して、１
２５℃到達時の抵抗値が大きくなっていることが確認で
きた。

【００５３】なお、本発明の実施の形態１においては、
第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃに第１の
側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接続部
に近接して切り欠き部１４を設けた場合について説明し
たが、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の主電極
１２ａおよび第２の主電極１２ｃに第１の側面電極１３
ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して孔
１６を設けた場合においても、本発明の実施の形態１と
同様の効果が得られるものである。

【００５４】また、本発明の実施の形態１においては、
第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃの両方
に、第１の側面電極１３ａまたは第２の側面電極１３ｂ
との接続部に近接して切り欠き部１４あるいは孔１６を
設けた場合について説明したが、第１の主電極１２ａと
第２の主電極１２ｃのいずれか一方に、第１の側面電極
１３ａまたは第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接し
て切り欠き部１４を設け、かつ他方に少なくとも１個以
上の孔１６を設けた場合においても、本発明の実施の形
態１と同様の効果が得られるものである。

【００５５】尚、実施の形態１では、第１の主電極１２
ａと電気的に接続する第１の電極として第１の側面電極
１３ａを用いたが、導電性ポリマ１１の側面全面に設け
られた電極に限られず、側面の一部に設けられた電極で
あっても良い。また、図６に示すように導電性ポリマ１
１の内部に設けられた第１の内部貫通電極１７ａであっ
てもよい。図６は、図１と同じ構成要素には同じ符号を
付している。図６（ａ）は中央部での断面図であり、図
６（ｂ）は平面図である。さらに第１の側面電極１３ａ
と第１の内部貫通電極１７ａの両方を有する構造であっ
てもよい。同様に第２の電極においても第２の側面電極
１３ｂの形状に限られず、図６に示す第２の内部貫通電
極１７ｂであってもよいし、第２の側面電極１３ｂと第
２の内部貫通電極１７ｂの両方を有する構造であっても
良い。

【００５６】また、第１の副電極１２ｂおよび第２の副
電極１２ｄがない構成であっても、ＰＴＣサーミスタに
過電流が流れても導電性ポリマ１１の厚み方向への膨張
を妨げるものではなく本発明の目的を達成するが、これ
らを設けることで信頼性の向上を図ることができる。

【００５７】また、本実施の形態では、変位抑制解除手
段として、第１の主電極１２ａに切り欠き部または孔を
設けたものとしたが、第１の主電極１２ａの一部分の強
度を他の部分より弱くする構成であればよい。第２の主
電極１２ｃも同様である。

【００５８】さらに、変位抑制解除手段の位置は、第１
の主電極１２ａのいずれに設けても効果は奏するが、第
２の主電極１２ｂの先端と対向する部分から第１の側面
電極１３ａと接続している部分までの間に設けるとより
大きな効果が得られる。第２の主電極１２ｃに設けた変
位抑制解除手段についても同様である。

【００５９】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて図面を
参照しながら説明する。

【００６０】図７（ａ）は本発明の実施の形態２におけ
るチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図、図７（ｂ）は構
成部材の分解斜視図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＡ−Ａ
線断面図である。

【００６１】図７（ａ）（ｂ）（ｃ）において、３１は
結晶性ポリマである高密度ポリエチレンと導電性粒子で
あるカーボンブラック等との混合物からなる直方体形状
をしたＰＴＣ特性を有する導電性ポリマである。３２ａ
は前記導電性ポリマ３１の第１面に位置する第１の主電
極であり、３２ｂは前記第１の主電極３２ａと同じ面に
位置し、かつ前記第１の主電極３２ａと独立した第１の
副電極であり、３２ｃは前記導電性ポリマ３１の第１面
に対向する第２面に位置する第２の主電極であり、３２
ｄは前記第２の主電極３２ｃと同じ面に位置し、かつ前
記第２の主電極３２ｃと独立した第２の副電極であり、
それぞれ銅あるいはニッケル等の金属箔からなる。３３
ａは前記導電性ポリマ３１の一方の側面全面および前記
第１の主電極３２ａの端縁部と前記第２の主電極３２ｃ
の端縁部とに回り込むように設けられ、かつ前記第１の
主電極３２ａと前記第２の主電極３２ｃとを電気的に接
続するニッケルめっき層からなる第１の側面電極であ
り、３３ｂは前記第１の側面電極３３ａに対向する前記
導電性ポリマ３１の他方の側面全面および前記第２の副
電極３２ｄと前記第１の副電極３２ｂとに回り込むよう
に設けられ、かつ前記第２の副電極３２ｄと前記第１の
副電極３２ｂとを電気的に接続するニッケルめっき層か
らなる第２の側面電極である。３４ａは前記導電性ポリ
マ３１の内部に位置して前記第１、第２の主電極３２
ａ，３２ｃに平行に設けられ、第２の側面電極３３ｂと
電気的に接続された内層主電極、３４ｂは前記内層主電
極３４ａと同じ面に位置し、かつこの内層主電極３４ａ
と独立し、第１の側面電極３３ａと電気的に接続された
内層副電極であり、これらは銅あるいはニッケル等の金
属箔からなるものである。３５は第１の主電極３２ａお
よび第２の主電極３２ｃに設けた切り欠き部である。３
６ａ，３６ｂは前記導電性ポリマ３１の第１面と第２面
の最外層に設けられたエポキシ混合アクリル系樹脂から
なる第１、第２の保護コートである。

【００６２】以上のように構成された本発明の実施の形
態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて、次に
その製造方法について図面を参照しながら説明する。

【００６３】図８（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態
２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す
工程図である。

【００６４】本発明の実施の形態１と同様に、まず、シ
ート状の導電性ポリマ４１および電極４２を作製する。
次に図８（ａ）に示すようにシート状の導電性ポリマ４
１および電極４２を交互に重ね、加熱加圧成形して図８
（ｂ）に示す第１のシート４６を作製する。以下、本発
明の実施の形態１と同様に製造し、本発明のチップ形Ｐ
ＴＣサーミスタを作製した。

【００６５】次に、本発明の実施の形態２においてチッ
プ形ＰＴＣサーミスタの十分な抵抗値上昇率を得るため
に、導電性ポリマ３１の両面に設けられた第１、第２の
主電極３２ａ，３２ｃのいずれか一方、もしくは両方
に、第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠
き部３５を設ける必要性について説明する。

【００６６】本発明の実施の形態２に記載した製造方法
で、第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃに第
１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３
５を設けたサンプルと、切り欠き部３５を設けないサン
プルをそれぞれ作製した。

【００６７】第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３
２ｃに第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り
欠き部３５を設けたことによる抵抗値上昇率の違いを確
認するために、本発明の実施の形態１と同様、サンプル
をそれぞれ５個ずつプリント基板に実装し、恒温槽中で
２５℃から１５０℃まで２℃／分で上昇させ各温度でサ
ンプルの抵抗値を測定した。その結果、第１の主電極３
２ａおよび第２の主電極３２ｃに第１の側面電極３３ａ
との接続部に近接して切り欠き部３５を設けた場合に
は、切り欠き部３５を設けない場合と比較して、１２５
℃到達時の抵抗値が大きくなっていることが確認でき
た。

【００６８】なお、本発明の実施の形態２においては、
第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃに第１の
側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３５を
設けた場合について説明したが、図９（ａ）〜（ｃ）に
示すように、さらに内層主電極３４ａに第２の側面電極
３３ｂとの接続部に近接して切り欠き部３５ａを設けた
場合においても、本発明の実施の形態２と同様の効果が
得られるものである。

【００６９】また、本発明の実施の形態２においては、
第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃに第１の
側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３５を
設けた場合について説明したが、図１０（ａ）〜（ｃ）
に示すように、第１の主電極３２ａと第２の主電極３２
ｃに第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して孔３７
を設けるか、あるいは図１１（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に、第１の主電極３２ａ、第２の主電極３２ｃおよび内
層主電極３４ａに、第１の側面電極３３ａおよび第２の
側面電極３３ｂとの接続部に近接して孔３７，３７ａを
設けた場合においても、本発明の実施の形態２と同様の
効果が得られるものである。

【００７０】そしてまた、本発明の実施の形態２におい
ては、第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃの
両方に、第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切
り欠き部３５あるいは孔３７を設けた場合について説明
したが、第１の主電極３２ａと第２の主電極３２ｃのい
ずれか一方に、第１の側面電極３３ａとの接続部に近接
して切り欠き部３５を設け、かつ他方に少なくとも１個
以上の孔３７を設けた場合においても、本発明の実施の
形態２と同様の効果が得られるものである。

【００７１】さらに本発明の実施の形態２においては、
導電性ポリマ３１の内部に位置して、１個の内層主電極
３４ａと１個の内層副電極３４ｂを設けたものについて
説明したが、３個、５個という具合に奇数の内層主電極
と奇数の内層副電極を導電性ポリマの内部に位置して設
けたものにも、本発明の実施の形態２で示した構造が適
用できるものである。

【００７２】そして３個以上の奇数の内層主電極と内層
副電極を設けた場合、３個以上の奇数の内層主電極に形
成される切り欠き部３５と孔３７は、どちらか一方にす
るか、あるいは両方を適宜組み合わせた場合において
も、本発明の実施の形態２と同様の効果が得られるもの
である。

【００７３】さらにまた、本発明の実施の形態２におい
ては、内層副電極３４ｂを形成したものについて説明し
たが、内層副電極３４ｂを形成していないものにも適用
でき、この場合も、本発明の実施の形態２と同様の効果
が得られるものである。

【００７４】尚、本実施の形態においても実施の形態１
と同様に、第１の電極は第１の側面電極３３ａに限られ
ず、導電性ポリマ３１の側面全面に設けられたものでな
くても良く、側面の一部に設けられたものや、図６に示
す内部貫通電極のようなものであっても良いし、側面電
極と内部貫通電極の両方を有するものであっても良い。

【００７５】また、変位抑制解除手段は、切り欠きまた
は孔に限らず、第１の主電極３２ａの一部の強度を他の
部分より弱くする構成であればよいのも実施の形態１と
同様である。

【００７６】さらに、変位抑制解除手段の位置も、実施
の形態１と同様に、第１の主電極３２ａに設けた変位抑
制解除手段はこれに隣接する第１の内層主電極３４ａの
先端部から第１の主電極と第１の側面電極３３ａの間に
設けるとより大きな効果が得られる。第２の側面電極３
３ｂ、内層主電極３４ａについても同様である。

【００７７】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて図面を
参照しながら説明する。

【００７８】図１２（ａ）は本発明の実施の形態３にお
けるチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図、図１２（ｂ）
は構成部材の分解斜視図、図１２（ｃ）は図１２（ａ）
のＡ−Ａ線断面図である。

【００７９】図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）において、５１
は結晶性ポリマである高密度ポリエチレンと導電性粒子
であるカーボンブラック等との混合物からなる直方体形
状をしたＰＴＣ特性を有する導電性ポリマである。５２
ａは前記導電性ポリマ５１の第１面に位置する第１の主
電極であり、５２ｂは前記第１の主電極５２ａと同じ面
に位置し、かつ前記第１の主電極５２ａと独立した第１
の副電極であり、５２ｃは前記導電性ポリマ５１の第１
面に対向する第２面に位置する第２の主電極であり、５
２ｄは前記第２の主電極５２ｃと同じ面に位置し、かつ
前記第２の主電極５２ｃと独立した第２の副電極であ
り、それぞれ銅あるいはニッケル等の金属箔からなる。
５３ａは前記導電性ポリマ５１の一方の側面全面および
前記第１の主電極５２ａの端縁部と前記第２の副電極５
２ｄとに回り込むように設けられ、かつ前記第１の主電
極５２ａと前記第２の副電極５２ｄとを電気的に接続す
るニッケルめっき層からなる第１の側面電極であり、５
３ｂは前記第１の側面電極５３ａに対向する前記導電性
ポリマ５１の他方の側面全面および前記第２の主電極５
２ｃの端縁部と前記第１の副電極５２ｂとに回り込むよ
うに設けられ、かつ前記第２の主電極５２ｃと前記第１
の副電極５２ｂとを電気的に接続するニッケルめっき層
からなる第２の側面電極である。５４ａは前記導電性ポ
リマ５１の内部に位置して前記第１、第２の主電極５２
ａ，５２ｃに平行に設けられ、第２の側面電極５３ｂと
電気的に接続された第１の内層主電極、５４ｂは前記第
１の内層主電極５４ｃと同じ面に位置し、かつこの第１
の内層主電極５４ａと独立し、第１の側面電極５３ａと
電気的に接続された第１の内層副電極であり、５４ｃは
前記導電性ポリマ５１の内部に位置して前記第１、第２
の主電極５２ａ，５２ｃに平行に設けられ、第１の側面
電極５３ａと電気的に接続された第２の内層主電極、５
４ｄは前記第２の内層主電極５４ｃと同じ面に位置し、
かつこの第２の内層主電極５４ｃと独立し、第２の側面
電極５３ｂと電気的に接続された第２の内層副電極であ
り、これらは銅あるいはニッケル等の金属箔からなるも
のである。５５は第１の主電極５２ａおよび第２の主電
極５２ｃに設けた切り欠き部である。５６ａ，５６ｂは
前記導電性ポリマ５１の第１面と第２面の最外層に設け
られたエポキシ混合アクリル系樹脂からなる第１、第２
の保護コートである。

【００８０】以上のように構成された本発明の実施の形
態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて、次に
その製造方法について図面を参照しながら説明する。

【００８１】図１３（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形
態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示
す工程図である。

【００８２】本発明の実施の形態１と同様に、まず、シ
ート状の導電性ポリマ６１および電極６２を作製する。
次に本発明の実施の形態１と同様に、シート状の導電性
ポリマ６１の上下に電極６２を重ね、真空熱プレスによ
り加熱加圧成形して一体化した図１３（ａ）に示す第１
のシート６６を作製し、その後、この第１のシート６６
の両側に、シート状の導電性ポリマ６１と電極６２を電
極６２が最外層にくるように交互に積層し、加熱加圧成
形して図１３（ｂ）に示す第２のシート６７を作製す
る。以下、本発明の実施の形態１と同様に製造し、本発
明のチップ形ＰＴＣサーミスタを作製した。

【００８３】次に、本発明の実施の形態３においてチッ
プ形ＰＴＣサーミスタの十分な抵抗値上昇率を得るため
に、導電性ポリマ５１の両面に設けられた第１、第２の
主電極５２ａ，５２ｃのいずれか一方、もしくは両方
に、第１の側面電極５３ａと第２の側面電極５３ｂのい
ずれか一方もしくは両方との接続部に近接して切り欠き
部５５を設ける必要性について以下の比較サンプルを用
いて説明する。

【００８４】本発明の実施の形態３に記載した製造方法
で、第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃに第
１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接
続部に近接して切り欠き部５５を設けたサンプルと、切
り欠き部５５を設けないサンプルをそれぞれ作製した。

【００８５】第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５
２ｃに第１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３
ｂとの接続部に近接して切り欠き部５５を設けたことに
よる抵抗値上昇率の違いを確認するために、本発明の実
施の形態１と同様、サンプルをそれぞれ５個ずつプリン
ト基板に実装し、恒温槽中で２５℃から１５０℃まで２
℃／分で上昇させ各温度でサンプルの抵抗値を測定し
た。その結果、第１の主電極５２ａおよび第２の主電極
５２ｃに第１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５
３ｂとの接続部に近接して切り欠き部５５を設けた場合
には、切り欠き部５５を設けない場合と比較して、１２
５℃到達時の抵抗値が大きくなっていることが確認でき
た。

【００８６】なお、本発明の実施の形態３においては、
第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃに、第１
の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接続
部に近接して切り欠き部５５を設けた場合について説明
したが、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、さらに第
１の内層主電極５４ａおよび第２の内層主電極５４ｃ
に、第２の側面電極５３ｂおよび第１の側面電極５３ａ
との接続部に近接して切り欠き部５５ａ，５５ｂを設け
た場合においても、本発明の実施の形態３と同様の効果
が得られるものである。

【００８７】また、本発明の実施の形態３においては、
第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃに、第１
の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接続
部に近接して切り欠き部５５を設けた場合について説明
したが、図１５（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の主
電極５２ａと第２の主電極５２ｃに、第１の側面電極５
３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接続部に近接して
孔５７を設けるか、あるいは図１６（ａ）〜（ｃ）に示
すように、第１の主電極５２ａ、第２の主電極５２ｃ、
第１の内層主電極５４ａおよび第２の内層主電極５４ｃ
に、第１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂ
との接続部に近接して孔５７，５７ａを設けた場合にお
いても、本発明の実施の形態３と同様の効果が得られる
ものである。

【００８８】そしてまた、本発明の実施の形態３におい
ては、第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃの
両方に、第１の側面電極５３ａまたは第２の側面電極５
３ｂとの接続部に近接して切り欠き部５５あるいは孔５
７を設けた場合について説明したが、第１の主電極５２
ａと第２の主電極５２ｃのいずれか一方に、第１の側面
電極５３ａまたは第２の側面電極５３ｂとの接続部に近
接して切り欠き部５５を設け、かつ他方に少なくとも１
個以上の孔５７を設けた場合においても、本発明の実施
の形態３と同様の効果が得られるものである。

【００８９】さらに本発明の実施の形態３においては、
導電性ポリマ５１の内部に位置して、１個の内層主電極
５４ａと第１の内層副電極５４ｂおよび第２の内層主電
極５４ｃと第２の内層副電極５４ｄを設けたものについ
て説明したが、４個、６個という具合に偶数の内層主電
極と偶数の内層副電極を導電性ポリマの内部に位置して
設けたものにも、本発明の実施の形態３で示した構造が
適用できるものである。

【００９０】そして２個以上の偶数の内層主電極と内層
副電極を設けた場合、２個以上の偶数の内層主電極に形
成される切り欠き部５５と孔５７は、どちらか一方にす
るか、あるいは両方を適宜組み合わせた場合において
も、本発明の実施の形態３と同様の効果が得られるもの
である。

【００９１】さらにまた、本発明の実施の形態３におい
ては、第１の内層副電極５４ｂおよび第２の内層副電極
５４ｄを形成したものについて説明したが、第１の内層
副電極５４ｂおよび第２の内層副電極５４ｄを形成して
いないものにも適用でき、この場合も、本発明の実施の
形態３と同様の効果が得られるものである。

【００９２】また、変位抑制解除手段の形状は、図１７
のようなものであってもよい。５８ａ〜５８ｄはそれぞ
れ第１の主電極５２ａ、第２の主電極５２ｃ、第１の内
層主電極５４ａ、第２の内層主電極５４ｃに設けられた
変位抑制解除手段としての切り欠き部である。図１２に
示した切り欠き部５５は紙面の前後方向の両側から設け
られているのに対し、図１７の切り欠き部５８ａ〜５８
ｄは片側から設けられている。言い換えると、図１２の
第１の主電極５２ａは切り欠き部５５を設けることで中
央部のみ残した形状となっているのに対し、図１７の第
１の主電極５２ａは切り欠き部５８ａを設けることで片
側の端のみ残した形状となる。従って、図１７の第１の
主電極５２ａの方がより変形し易い形状であり、導電性
ポリマ５１の膨張を抑制する力は小さいものとなる。よ
って、過電流が流れた時の抵抗値上昇をより大きくする
ことができる。尚、第１の主電極５２ａだけでなく、第
２の主電極５２ｃ、第１の内層主電極５４ａ、第２の内
層主電極５４ｃについても同様である。また、このよう
な変位抑制解除手段の形状は、実施の形態１、実施の形
態２のチップ形ＰＴＣサーミスタにおいても同様に用い
ることができる。

【００９３】さらに、図１７の変位抑制解除手段は、第
１の主電極５２ａに設けられた切り欠き部５８ａと、こ
れと隣接する第１の内層主電極５４ａに設けられた切り
欠き部５８ｃとは、回転対称の位置にある。さらに、切
り欠き部５８ｃと、これに隣接する第２の内層主電極５
４ｃに設けられた切り欠き部５８ｄも回転対称の位置に
あり、切り欠き部５８ｄと切り欠き部５８ｂも同様な関
係にある。ここで回転対称の基準となる回転軸は第１の
主電極５２ａ、導電性ポリマ５１、第１の内層主電極５
４ａ等を積層する方向である。言い換えると第１の主電
極５２ａと平行な面上で回転対称となる関係に切り欠き
部５８ａ，５８ｃはある。

【００９４】ここで、第１の主電極５２ａの中の切り欠
き部５８ａより先端方向（第１の側面電極５３ａと離れ
る方向）にある部分で、導電性ポリマ５１の膨張による
変位が最も少ないのは切り欠き部５８ａに近接する近傍
部５９ａであり、最も大きいのが近傍部５９ａから最も
離れた先端部５９ｂとなる。

【００９５】同様に、第１の内層主電極５４ａ、第２の
内層主電極５４ｃ、第２の主電極５２ｃの中で、最も変
位が大きくなるのはそれぞれ近傍部５９ｃ，５９ｅ，５
９ｇであり、小さいのは先端部５９ｄ，５９ｆ，５９ｈ
である。

【００９６】このように、近傍部５９ａ，５９ｃ，５９
ｅ，５９ｇと先端部５９ｂ，５９ｄ，５９ｆ，５９ｈを
導電性ポリマ５１を介して交互に対向させる構成にして
いるので、チップ形ＰＴＣサーミスタ全体としての変位
はある程度平均化される。これにより信頼性が向上す
る。

【００９７】即ち、例えば図１７において、切り欠き部
５８ｃ，５８ｂを手前に形成した場合、言い換えると、
第１の内層主電極５４ａ、第２の主電極５２ｃをＡ−Ａ
を対称線として反転させた場合、紙面手前側の導電性ポ
リマ５１は紙面奥側のそれよりも膨張し易くなる。これ
によりチップ形ＰＴＣサーミスタの紙面手前側の変位は
大きくなるのに対し奥側の変位は小さいものとなり、全
体として不均一な変形が生じる。

【００９８】これにより、第１の側面電極５３ａを紙面
手前側では上へ、紙面奥側では下へ回転させようとする
力が働くので、第１の側面電極５３ａと第１の主電極５
２ａの接続の信頼性が低下する。

【００９９】本実施の形態の構成にすると、このような
課題も解決することができる。

【０１００】尚、実施の形態１や実施の形態２において
も変位抑制解除手段の配置を回転対称にすることで同様
の効果を奏する。

【０１０１】また、本実施の形態において第１の主電極
５２ａ、第１の副電極５２ｂ、第２の主電極５２ｃ、第
２の副電極５２ｄ、第１の内層主電極５４ａ、第１の内
層副電極５４ｂ、第２の内層主電極５４ｃ、第２の内層
副電極５４ｄを金属箔で形成した場合について説明した
が、導電性材料をスパッタリング、溶射、めっきによっ
て形成した場合、また、導電材料をスパッタリングまた
は溶射した後に、めっきすることにより形成した場合、
あるいは、導電性シートで構成した場合、金属粉、金属
酸化物、導電性を有する窒化物若しくは炭化物、カーボ
ンのいずれかを含む導電性シートで構成した場合、金属
網と金属粉、金属酸化物、導電性を有する窒化物若しく
は炭化物、カーボンのいずれかを含む導電性シートで形
成した場合についても、同様の効果が得られる。なお、
実施の形態１、２においても同様である。

【０１０２】

【発明の効果】以上のように本発明のチップ形ＰＴＣサ
ーミスタは、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前記
導電性ポリマに接して設けられた第１の主電極と、前記
導電性ポリマを介して前記第１の主電極に対向して設け
られた第２の主電極と、前記第１の主電極と電気的に接
続する第１の電極と、前記第２の主電極と電気的に接続
する第２の電極と、前記第１の主電極または前記第２の
主電極の少なくとも一方に設けられた変位抑制解除手段
を有すものである。

【０１０３】この構成により、過電流が流れた際には、
導電性ポリマが電流経路である厚み方向へ膨張し易くな
り、これにより、導電性ポリマの比抵抗値が増大して抵
抗値上昇率を大きくすることができるため、チップ形Ｐ
ＴＣサーミスタに過電流が流れた際の抵抗値上昇性能も
向上し耐電圧を上げることができるという効果を有する
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の実施の形態１におけるチップ形
ＰＴＣサーミスタの斜視図 （ｂ）同チップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜
視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図２】（ａ）〜（ｃ）本発明の実施の形態１における
チップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図

【図３】（ａ）〜（ｄ）同チップ形ＰＴＣサーミスタの
製造方法を示す工程図

【図４】第１および第２の主電極に切り欠き部を設けた
場合と設けない場合の抵抗と温度の関係の測定結果を示
す特性図

【図５】（ａ）本発明の実施の形態１におけるチップ形
ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図 （ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構
成部材の分解斜視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図６】（ａ）本発明の実施の形態１におけるチップ形
ＰＴＣサーミスタの変形例を示す断面図 （ｂ）同変形例の平面図

【図７】（ａ）本発明の実施の形態２におけるチップ形
ＰＴＣサーミスタの斜視図 （ｂ）本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサ
ーミスタの構成部材の分解斜視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図８】（ａ）（ｂ）本発明の実施の形態２におけるチ
ップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図

【図９】（ａ）本発明の実施の形態２におけるチップ形
ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図 （ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構
成部材の分解斜視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図１０】（ａ）本発明の実施の形態２におけるチップ
形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図 （ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構
成部材の分解斜視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図１１】（ａ）本発明の実施の形態２におけるチップ
形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図 （ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構
成部材の分解斜視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図１２】（ａ）本発明の実施の形態３におけるチップ
形ＰＴＣサーミスタの斜視図 （ｂ）同チップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜
視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図１３】（ａ）（ｂ）本発明の実施の形態３における
チップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図

【図１４】（ａ）本発明の実施の形態３におけるチップ
形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図 （ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構
成部材の分解斜視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図１５】（ａ）本発明の実施の形態３におけるチップ
形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図 （ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構
成部材の分解斜視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図１６】（ａ）本発明の実施の形態３におけるチップ
形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図 （ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構
成部材の分解斜視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図１７】（ａ）本発明の実施の形態３におけるチップ
形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図 （ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構
成部材の分解斜視図 （ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図

【図１８】（ａ）従来のチップ形ＰＴＣサーミスタの断
面図 （ｂ）同チップ形ＰＴＣサーミスタの上面図

【図１９】（ａ）従来のチップ形ＰＴＣサーミスタの斜
視図 （ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図 （ｃ）従来のチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分
解斜視図

【符号の説明】

１１，３１，５１ 導電性ポリマ １２ａ，３２ａ，５２ａ 第１の主電極 １２ｂ，３２ｂ，５２ｂ 第１の副電極 １２ｃ，３２ｃ，５２ｃ 第２の主電極 １２ｄ，３２ｄ，５２ｄ 第２の副電極 １３ａ，３３ａ，５３ａ 第１の側面電極 １３ｂ，３３ｂ，５３ｂ 第２の側面電極 １４，３５，３５ａ，５５，５５ａ，５５ｂ 切り欠き
部 １６，３７，３７ａ，５７，５７ａ 孔 １７ａ 第１の内部貫通電極 １７ｂ 第２の内部貫通電極 ３４ａ，５４ａ 第１の内層主電極 ３４ｂ，５４ｂ 第１の内層副電極 ５４ｃ 第２の内層主電極 ５４ｄ 第２の内層副電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 光 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 池田 隆志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 池内 揮好 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E034 AA07 AB01 AC10 DA02 DB05 DC01 DC03 DC05 DC09 DC10 DE17

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前
   記導電性ポリマに接して設けられた第１の主電極と、前
   記導電性ポリマを介して前記第１の主電極に対向して設
   けられた第２の主電極と、前記第１の主電極と電気的に
   接続する第１の電極と、前記第２の主電極と電気的に接
   続する第２の電極と、前記第１の主電極または前記第２
   の主電極の少なくとも一方に設けられた変位抑制解除手
   段を有すことを特徴とするチップ形ＰＴＣサーミスタ。
2. 【請求項２】 ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前
   記導電性ポリマに接して設けられた第１の主電極と、前
   記導電性ポリマを介して前記第１の主電極に対向して設
   けられた第２の主電極と、前記導電性ポリマの内部に位
   置し前記第１の主電極および前記第２の主電極の間に設
   けられた奇数個の内層主電極と、前記第１の主電極およ
   び前記第２の主電極と電気的に接続する第１の電極と、
   前記第１の主電極と直接対向する内層主電極と電気的に
   接続する第２の電極とを有し、前記奇数個の内層主電極
   は交互に前記第１の電極または前記第２の電極と電気的
   に接続し、前記第１の主電極、前記第２の主電極または
   前記内層主電極の少なくとも一つに設けられた変位抑制
   解除手段を有すことを特徴とするチップ形ＰＴＣサーミ
   スタ。
3. 【請求項３】 ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前
   記導電性ポリマに接して設けられた第１の主電極と、前
   記導電性ポリマを介して前記第１の主電極に対向して設
   けられた第２の主電極と、前記導電性ポリマの内部に位
   置し前記第１の主電極および前記第２の主電極の間に設
   けられた偶数個の内層主電極と、前記第１の主電極と電
   気的に接続する第１の電極と、前記第２の主電極と電気
   的に接続する第２の電極とを有し、前記第１の主電極と
   直接対向する内層主電極は前記第２の電極と電気的に接
   続し、前記偶数個の内層主電極は交互に前記第１の電極
   または前記第２の電極と電気的に接続し、前記第１の主
   電極、前記第２の主電極または前記内層主電極の少なく
   とも一つに設けられた変位抑制解除手段を有すことを特
   徴とするチップ形ＰＴＣサーミスタ。
4. 【請求項４】 変位抑制解除手段が設けられた位置は、
   前記変位抑制解除手段が設けられた第１の主電極、第２
   の主電極または内層主電極に隣接する第１の主電極、第
   ２の主電極または内層主電極の先端部に対向した位置で
   あることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載
   のチップ形ＰＴＣサーミスタ。
5. 【請求項５】 変位抑制解除手段は、隣接する第１の主
   電極、第２の主電極または内層主電極にそれぞれ設けら
   れ、一の変位抑制解除手段が配置された位置は、前記一
   の変位抑制解除手段に隣接する他の一の変位抑制解除手
   段が配置された位置に対し、前記第１の主電極と平行な
   面上で回転対称にあることを特徴とする請求項１、２ま
   たは３のいずれかに記載のチップ形ＰＴＣサーミスタ。
6. 【請求項６】 変位抑制解除手段は第１の主電極、第２
   の主電極または内層主電極に設けた孔であることを特徴
   とする請求項１、２または３のいずれかに記載のチップ
   形ＰＴＣサーミスタ。
7. 【請求項７】 変位抑制解除手段は第１の主電極、第２
   の主電極または内層主電極に設けた切り欠きであること
   を特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のチップ
   形ＰＴＣサーミスタ。
8. 【請求項８】 第１の主電極の延長上に前記第１の主電
   極と電気的に独立して設けられるとともに第２の電極と
   接続された第１の副電極を有すことを特徴とする請求項
   １から３のいずれかに記載のチップ形ＰＴＣサーミス
   タ。
9. 【請求項９】 第１の電極は導電性ポリマの一方の側面
   に設けられた第１の側面電極であり、第２の電極は前記
   導電性ポリマの他方の側面に設けられた第２の側面電極
   であることを特徴とする請求項１、２、３、６または７
   のいずれかに記載のチップ形ＰＴＣサーミスタ。
10. 【請求項１０】 第１の電極は導電性ポリマの内部に設
    けられた第１の内部貫通電極であり、第２の電極は前記
    導電性ポリマの内部に設けられた第２の内部貫通電極で
    あることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載
    のチップ形ＰＴＣサーミスタ。
11. 【請求項１１】 第１の電極は導電性ポリマの一方の側
    面に設けられた第１の側面電極および前記導電性ポリマ
    の内部に設けられた第１の内部貫通電極であり、第２の
    電極は前記導電性ポリマの他方の側面に設けられた第２
    の側面電極および前記導電性ポリマの内部に設けられた
    第２の内部貫通電極であることを特徴とする請求項１か
    ら３のいずれかに記載のチップ形ＰＴＣサーミスタ。