JP2000305255A - Pellicle for fluorine excimer laser lithography - Google Patents
Pellicle for fluorine excimer laser lithographyInfo
- Publication number
- JP2000305255A JP2000305255A JP11604699A JP11604699A JP2000305255A JP 2000305255 A JP2000305255 A JP 2000305255A JP 11604699 A JP11604699 A JP 11604699A JP 11604699 A JP11604699 A JP 11604699A JP 2000305255 A JP2000305255 A JP 2000305255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- fluorine
- excimer laser
- lithography
- perfluoro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はリソグラフィー用ペ
リクル、特にフッ素エキシマレーザー光に対して優れた
光透過率を有し、高解像度を実現するフッ素エキシマレ
ーザーリソグラフィー用ペリクルに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pellicle for lithography, and more particularly to a pellicle for fluorine excimer laser lithography having excellent light transmittance to fluorine excimer laser light and realizing high resolution.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、LSI、超LSIなどの半導体装
置あるいは液晶表示板などの製造においては、半導体ウ
エハーあるいは液晶用原板に光を照射してパターニング
しているが、この場合に用いる露光原版にゴミが付着し
ていると、このゴミが光を吸収したり、反射してしまう
ため、転写したパターニングが変形したり、エッジがが
さついたりしてしまい、寸法、品質、外観などが損なわ
れ、半導体装置や液晶表示板などの性能や製造歩留まり
の低下を来すという問題があった。2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of semiconductor devices such as LSIs and VLSIs, or liquid crystal display panels, semiconductor wafers or liquid crystal original plates are irradiated with light to perform patterning. If dust adheres, the dust absorbs or reflects light, so the transferred pattern may be deformed or edges may be roughened, resulting in loss of dimensions, quality, appearance, etc. There has been a problem that the performance of the device and the liquid crystal display panel and the production yield are lowered.
【0003】このため、これらの作業は通常クリーンル
ームで行われるが、このクリーンルーム内でも露光原版
を常に清浄に保つことが難しいので、その対策として露
光原版表面にゴミをよけ、露光用の光をよく通過させる
ペリクルを貼着する方法が行われている。この方法によ
れば、ゴミは露光原版表面に直接付着せず、ペリクル膜
上に付着するため、リソグラフィー時に焦点を露光原版
のパターン上に合わせておけば、ペリクル上のゴミは焦
点ずれとなり、転写したパターニングになんら影響しな
い。[0003] For this reason, these operations are usually performed in a clean room. However, it is difficult to keep the exposure master clean at all times even in this clean room. A method of attaching a pellicle that allows it to pass well is used. According to this method, dust does not directly adhere to the surface of the exposure original plate but adheres to the pellicle film.Therefore, if the focus is adjusted on the pattern of the exposure original plate during lithography, the dust on the pellicle becomes out of focus and is transferred. It has no effect on the patterned pattern.
【0004】従来、これらのペリクルは光をよく通過さ
せるニトロセルロース、酢酸セルロースもしくはフッ素
系重合体などからなる透明なペリクル膜をアルミニウ
ム、ステンレス等からなるペリクル枠の上部にペリクル
膜の良溶媒を塗布し、風乾して接着する(特開昭58-219
023 号公報参照)か、アクリル樹脂やエポキシ樹脂もし
くはフッ素樹脂などの接着剤で接着し(米国特許第4861
402 号明細書、特公昭63-27707号公報参照、特開平7-16
8345号公報参照)、ペリクル枠の下部にポリブテン樹
脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂等からなる粘着剤層を設け、さらに、粘着剤層を保護
する離型層(セパレータ)を接着して構成されている。Conventionally, these pellicles are formed by coating a transparent pellicle film made of nitrocellulose, cellulose acetate, a fluoropolymer, or the like, which allows light to pass through well, onto a pellicle frame made of aluminum, stainless steel, or the like with a good solvent for the pellicle film. And then air-dry and adhere (JP-A-58-219
No. 023) or bonded with an adhesive such as an acrylic resin, an epoxy resin or a fluororesin (US Pat.
No. 402, JP-B-63-27707, JP-A-7-16
No. 8345), an adhesive layer made of a polybutene resin, a polyvinyl acetate resin, an acrylic resin, a silicone resin or the like is provided below the pellicle frame, and a release layer (separator) for protecting the adhesive layer is adhered. It is configured.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】近年、リソグラフィー
の解像度に対する要求は次第に高くなってきており、そ
の解像度を実現するために、徐々に波長の短い光が光源
として用いられるようになってきている。具体的には紫
外光[g線(436nm ),I 線(365nm )]から現在は遠
紫外光[KrF エキシマレーザー(248nm )]へと移行し
ており、近い将来には真空紫外光[ArF エキシマレーザ
ー(193nm )]が使用されるようになり、更に、今後は
より高い解像度を実現するためフッ素エキシマレーザー
(158nm )が使用される可能性が大きい。In recent years, the demand for the resolution of lithography has been gradually increased, and in order to realize the resolution, light having a gradually shorter wavelength has been used as a light source. Specifically, ultraviolet light [g-line (436 nm), I-ray (365 nm)] has now shifted to far ultraviolet light [KrF excimer laser (248 nm)], and vacuum ultraviolet light [ArF excimer] will be used in the near future. Lasers (193 nm)] have been used, and it is highly likely that a fluorine excimer laser (158 nm) will be used in the future in order to achieve higher resolution.
【0006】KrFエキシマレーザーおよびArF エキシマ
レーザー用のペリクル膜の材料には、エーテル結合を含
有する非晶質フッ素系重合体として、パーフルオロブテ
ニルビニルエーテルの重合体あるいは70モル% 未満のパ
ーフルオロ-2,2- ジメチル-1,3- ジオキソールと30モル
% を超えるテトラフルオロエチレンとの共重合体などの
非晶質フッ素系共重合体が使用されている。これらの非
晶質フッ素系共重合体は193nm 以上の波長域において高
い透過率を有し、KrF エキシマレーザーおよびArF エキ
シマレーザーを照射しても、実用に耐えうる耐光性を有
している。[0006] The material of the pellicle film for the KrF excimer laser and the ArF excimer laser is, as an amorphous fluorine-containing polymer containing an ether bond, a polymer of perfluorobutenyl vinyl ether or less than 70 mol% of perfluoro- 2,2-dimethyl-1,3-dioxole and 30 mol
% Or more, such as a copolymer with tetrafluoroethylene. These amorphous fluorine-based copolymers have high transmittance in a wavelength region of 193 nm or more, and have light resistance that can withstand practical use even when irradiated with a KrF excimer laser or an ArF excimer laser.
【0007】しかし、これらはフッ素エキシマレーザー
光に対しては透過率が低く、実用化が困難であった。そ
して、現在に至るまで、フッ素エキシマレーザーの照射
に対し高い透過率を有し、実用に耐えうる耐光性を有す
るフッ素エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクルは
未だ知られていない。However, these have low transmittance to the fluorine excimer laser light, and have been difficult to put to practical use. Until now, a pellicle for fluorine excimer laser lithography, which has a high transmittance with respect to irradiation of a fluorine excimer laser and has light resistance that can endure practical use, has not yet been known.
【0008】このような現状に鑑み、発明者はフッ素エ
キシマレーザー(波長:158nm )に対して光透過率が高
く、実用に耐え得る耐光性を有するリソグラフィー用ペ
リクルについて鋭意研究を重ね本発明を完成した。In view of this situation, the inventor has conducted intensive studies on a pellicle for lithography which has a high light transmittance with respect to a fluorine excimer laser (wavelength: 158 nm) and has light resistance that can withstand practical use and completed the present invention. did.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、70〜10
0 モル% のパーフルオロ-2,2- ジメチル-1,3- ジオキソ
ールを含有する含フッ素ラジカル重合性モノマー混合物
を共重合してなる非晶質フッ素系共重合体をペリクル膜
原料とするフッ素エキシマレーザーリソグラフィー用ペ
リクルである。That is, the present invention provides 70 to 10
Fluorine excimer using an amorphous fluorine-based copolymer obtained by copolymerizing a fluorine-containing radically polymerizable monomer mixture containing 0 mol% of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole as a pellicle film raw material This is a pellicle for laser lithography.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
発明者は、前記した問題点を解決すべくフッ素エキシマ
レーザーリソグラフィー用ペリクル膜の光透過性につい
て鋭意検討した結果、パーフルオロ-2,2- ジメチル-1,3
- ジオキソールの重合体からなる非晶質フッ素系重合体
あるいはパーフルオロ-2,2- ジメチル-1,3- ジオキソー
ルを70% 以上含有する含フッ素ラジカル重合性モノマー
混合物の共重合体からなる非晶質フッ素系共重合体を原
料とするペリクル膜が、フッ素エキシマレーザー光に対
して高い透過率を示すことを見出した。このペリクル膜
を使用してフッ素エキシマレーザー光に対して高い透過
率を示すリソグラフィー用ペリクルを得ることができる
ことを見出し、本発明を完成した。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The inventors have conducted intensive studies on the light transmittance of the pellicle film for fluorine excimer laser lithography in order to solve the above-mentioned problems, and found that perfluoro-2,2-dimethyl-1,3
-Amorphous fluorinated polymer consisting of dioxole polymer or amorphous consisting of copolymer of fluorinated radical polymerizable monomer mixture containing at least 70% of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole It has been found that a pellicle film made of a porous fluorine-based copolymer as a raw material shows a high transmittance to fluorine excimer laser light. Using this pellicle film, they found that a pellicle for lithography exhibiting a high transmittance to a fluorine excimer laser beam could be obtained, and completed the present invention.
【0011】本発明において、パーフルオロ-2,2- ジメ
チル-1,3- ジオキソールと共重合し得る含フッ素ラジカ
ル重合性モノマーとしては、テトラフルオロエチレン、
トリフルオロエチレン、ジフルオロエチレン、フッ化ビ
ニリデン、ヘキサフルオロプロピレンなどが使用可能で
あるが、なかでも特にテトラフルオロエチレンが好まし
い。含フッ素ラジカル重合性モノマー混合物中のパーフ
ルオロ-2,2- ジメチル-1,3-ジオキソールの含有量は、7
0モル%より低いとこれをペリクル膜原料として含有す
るフッ素エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクルの
フッ素エキシマレーザー光に対する透過率が低下するた
め、70〜100 モル%が必要とされるが、より好ましくは
85〜100 モル%である。本発明においては、パーフルオ
ロ-2,2- ジメチル-1,3- ジオキソールの含有量が100 モ
ル%の場合が単独重合体となる。In the present invention, the fluorine-containing radically polymerizable monomer copolymerizable with perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole includes tetrafluoroethylene,
Trifluoroethylene, difluoroethylene, vinylidene fluoride, hexafluoropropylene and the like can be used, and among them, tetrafluoroethylene is particularly preferred. The content of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole in the fluorine-containing radical polymerizable monomer mixture is 7
If the amount is less than 0 mol%, the transmittance of the pellicle for fluorine excimer laser lithography containing this as a pellicle film raw material to the fluorine excimer laser light decreases, so that 70 to 100 mol% is required, but it is more preferable.
85 to 100 mol%. In the present invention, the case where the content of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole is 100 mol% is a homopolymer.
【0012】本発明における非晶質フッ素系共重合体を
原料としてペリクル膜を得る方法は、従来公知の方法が
適用できる。これは例えば、平滑な基板の上に非晶質フ
ッ素系共重合体溶液を滴下し、スピンコート法により均
一化し、その後溶媒を蒸発させ、基板から薄膜を剥離さ
せれば得ることができる。本発明においてペリクル膜の
厚さは、0.1 μm よりも薄いと強度が不足し、一方10μ
m よりも厚くなると光透過率が低下する恐れがあるの
で、0.1 〜10μm の範囲が好ましく、0.5 〜5 μm がさ
らに好ましい。In the present invention, a conventionally known method can be applied to a method for obtaining a pellicle film using an amorphous fluorine-based copolymer as a raw material. This can be obtained, for example, by dropping an amorphous fluorine-based copolymer solution on a smooth substrate, homogenizing the solution by spin coating, evaporating the solvent, and peeling the thin film from the substrate. In the present invention, if the thickness of the pellicle film is less than 0.1 μm, the strength is insufficient, while 10 μm
If the thickness is larger than m, the light transmittance may decrease. Therefore, the thickness is preferably in the range of 0.1 to 10 μm, and more preferably 0.5 to 5 μm.
【0013】図1 は本発明のフッ素エキシマレーザーリ
ソグラフィー用ペリクルの一例の断面図である。これに
より本発明のフッ素エキシマレーザーリソグラフィー用
ペリクルの構成を説明する。図1 に示すように、本発明
のフッ素エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル
は、ペリクル膜(1)、ペリクル枠(3)、接着剤層
(2)および粘着剤層(4)からなり、このペリクルは
露光用基板(5)に粘着剤層(4)を介して接着され
る。そして、ペリクル膜(1)は本発明における非晶質
フッ素系共重合体からなり、ペリクル枠(3)は従来公
知のアルミニウム、ステンレス等からなる。接着剤層
(2)、粘着剤層(4)はそれぞれペリクル膜(1)と
ペリクル枠(3)および露光用基板(5)とペリクル枠
(3)を接着できる材料であればよいが、例えば、接着
剤層(2)にはアクリル樹脂やエポキシ樹脂もしくはフ
ッ素樹脂などの接着剤が好適であり、粘着剤層(4)に
はポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂等からなる粘着剤が好適である。ま
た、露光用基板(5)は、レチクル、フォトマスクなど
の名称で呼ばれているが、一般的にリソグラフィーに供
されるものであればいかなるものであってもかまわな
い。FIG. 1 is a sectional view of an example of a pellicle for fluorine excimer laser lithography of the present invention. The configuration of the pellicle for fluorine excimer laser lithography of the present invention will be described below. As shown in FIG. 1, the pellicle for fluorine excimer laser lithography of the present invention comprises a pellicle film (1), a pellicle frame (3), an adhesive layer (2) and an adhesive layer (4). To the substrate for use (5) via the pressure-sensitive adhesive layer (4). The pellicle film (1) is made of the amorphous fluorine-based copolymer of the present invention, and the pellicle frame (3) is made of conventionally known aluminum, stainless steel or the like. The adhesive layer (2) and the pressure-sensitive adhesive layer (4) may be made of any material that can bond the pellicle film (1) and the pellicle frame (3) and the exposure substrate (5) and the pellicle frame (3). The adhesive layer (2) is preferably made of an adhesive such as an acrylic resin, an epoxy resin or a fluororesin, and the adhesive layer (4) is made of a polybutene resin, a polyvinyl acetate resin, an acrylic resin, a silicone resin, or the like. Adhesives are preferred. The substrate for exposure (5) is called by a name such as a reticle and a photomask, but may be any substrate that is generally used for lithography.
【0014】以上のように、本発明のフッ素エキシマレ
ーザーリソグラフィー用ペリクルは、フッ素エキシマレ
ーザー光に対して優れた透過率を示す。従って、露光時
に基板、例えばシリコンウエハに与えられるエネルギー
が多くなり、エネルギー的に有利である。As described above, the pellicle for fluorine excimer laser lithography of the present invention exhibits an excellent transmittance to a fluorine excimer laser beam. Therefore, the energy given to the substrate, for example, a silicon wafer at the time of exposure increases, which is advantageous in terms of energy.
【0015】さらに、本発明のフッ素エキシマレーザー
リソグラフィー用ペリクルは、従来不可能であったフッ
素エキシマレーザー光を照射しても高い透過率を示すと
ともに、その透過率を損なうことがないのでその性能が
持続し、従ってペリクルの寿命が長い。以上のことから
本発明のフッ素エキシマレーザーリソグラフィー用ペリ
クルは極めて有用である。Further, the pellicle for fluorine excimer laser lithography of the present invention exhibits a high transmittance even when irradiated with a fluorine excimer laser beam, which was impossible in the past, and does not impair the transmittance. Persistence, and therefore long pellicle life. From the above, the pellicle for fluorine excimer laser lithography of the present invention is extremely useful.
【0016】以下に本発明の実施例を示すが、本発明は
これらに限定されるものではない。Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these.
【実施例】(実施例1)85 モル%のパーフルオロ-2,2-
ジメチル-1,3- ジオキソールと15モル%のテトラフル
オロエチレンとの共重合体をフッ素系溶媒・IL-263
[(株)トクヤマ製商品名]に溶解し、2 重量%の溶液
とした。次いでこの溶液を表面研磨したシリコン基板上
に滴下し、スピンコーターを用いて基板を回転させ、次
いで、基板を180 ℃で10分間加熱し、膜厚1 μmの透明
膜を形成した。次いで、シリコン基板から薄膜を剥離さ
せペリクル膜とした。次に、アルミ製のペリクル枠の上
端面にフッ素樹脂接着剤・サイトップCTX-A [旭硝子
(株)製商品名]を塗布し、下端面にはシリコーン樹脂
粘着剤・X-40-3004A[信越化学工業(株)製商品名]を
塗布した。次いで、ペリクル枠の上端面に、前記ペリク
ル膜を貼り付け、ペリクル枠の外周に沿って不要の膜を
切断することによりリソグラフィー用ペリクルを完成さ
せた。得られたリソグラフィー用ペリクルのフッ素エキ
シマレーザー光に対する透過率を測定したところ93%で
あった。 (実施例2)実施例1と同じパーフルオロ-2,2- ジメチ
ル-1,3- ジオキソール重合体をフッ素系溶媒(前出)に
溶解し、1 重量%の溶液とした。次いで、この溶液を表
面研磨したシリコン基板上に滴下し、スピンコーターを
用いて基板を回転させ、次いで、基板を180 ℃で10分間
加熱し、膜厚1 μmの透明膜を形成した。次いで、シリ
コン基板から薄膜を剥離させペリクル膜とした。次い
で、実施例1と同様にして、リソグラフィー用ペリクル
を完成させた。得られたリソグラフィー用ペリクルのフ
ッ素エキシマレーザー光に対する透過率を測定したとこ
ろ95%であった。EXAMPLES Example 1 85 mol% of perfluoro-2,2-
A copolymer of dimethyl-1,3-dioxole and 15 mol% of tetrafluoroethylene was converted to a fluorinated solvent, IL-263.
[Tokuyama Co., Ltd.] to give a 2% by weight solution. Next, this solution was dropped onto a silicon substrate whose surface was polished, the substrate was rotated using a spin coater, and then the substrate was heated at 180 ° C. for 10 minutes to form a transparent film having a thickness of 1 μm. Next, the thin film was peeled off from the silicon substrate to form a pellicle film. Next, a fluororesin adhesive, Cytop CTX-A (trade name, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) is applied to the upper end surface of the aluminum pellicle frame, and a silicone resin adhesive, X-40-3004A [ Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product name]. Next, the pellicle film was attached to the upper end surface of the pellicle frame, and unnecessary films were cut along the outer periphery of the pellicle frame to complete the pellicle for lithography. The transmittance of the obtained pellicle for lithography to a fluorine excimer laser beam was 93%. Example 2 The same perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole polymer as in Example 1 was dissolved in a fluorine-based solvent (described above) to obtain a 1% by weight solution. Next, this solution was dropped on a silicon substrate whose surface was polished, the substrate was rotated using a spin coater, and then the substrate was heated at 180 ° C. for 10 minutes to form a 1 μm-thick transparent film. Next, the thin film was peeled off from the silicon substrate to form a pellicle film. Next, in the same manner as in Example 1, a pellicle for lithography was completed. When the transmittance of the obtained pellicle for lithography to a fluorine excimer laser beam was measured, it was 95%.
【0017】(比較例1)65 モル%のパーフルオロ-2,
2- ジメチル-1,3- ジオキソールと35モル%のテトラフ
ルオロエチレンとの共重合体をフッ素系溶媒(前出)に
溶解し、5 重量%の溶液とした。次いで、この溶液を表
面研磨したシリコン基板上に滴下し、スピンコーターを
用いて基板を回転させ、次いで、基板を180 ℃で10分間
加熱し、膜厚1 μmの透明膜を形成した。次いで、シリ
コン基板から薄膜を剥離させペリクル膜とした。次い
で、実施例1と同様にして、リソグラフィー用ペリクル
を完成させた。得られたリソグラフィー用ペリクルのフ
ッ素エキシマレーザー光に対する透過率を測定したとこ
ろ58%であった。Comparative Example 1 65 mol% of perfluoro-2,
A copolymer of 2-dimethyl-1,3-dioxole and 35 mol% of tetrafluoroethylene was dissolved in a fluorinated solvent (described above) to obtain a 5% by weight solution. Next, this solution was dropped on a silicon substrate whose surface was polished, the substrate was rotated using a spin coater, and then the substrate was heated at 180 ° C. for 10 minutes to form a transparent film having a thickness of 1 μm. Next, the thin film was peeled off from the silicon substrate to form a pellicle film. Next, in the same manner as in Example 1, a pellicle for lithography was completed. The transmittance of the obtained pellicle for lithography to a fluorine excimer laser beam was 58%.
【0018】(比較例2)パーフルオロブテニルビニル
エーテルの重合体・サイトップCTX [旭硝子社製商品
名]をフッ素系溶媒(前出)に溶解し、5 重量%の溶液
とした。次いで、この溶液を表面研磨したシリコン基板
上に滴下し、スピンコーターを用いて基板を回転させ、
次いで、基板を180 ℃で10分間加熱し膜厚1 μmの透明
膜を形成した。次いで、シリコン基板から薄膜を剥離さ
せ、ペリクル膜とした。次いで、実施例1と同様にし
て、リソグラフィー用ペリクルを完成させた。得られた
リソグラフィー用ペリクルのフッ素エキシマレーザー光
に対する透過率を測定したところ2%であった。(Comparative Example 2) A polymer of perfluorobutenyl vinyl ether, Cytop CTX [trade name, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.] was dissolved in a fluorinated solvent (described above) to prepare a 5% by weight solution. Next, this solution was dropped on a silicon substrate whose surface was polished, and the substrate was rotated using a spin coater,
Next, the substrate was heated at 180 ° C. for 10 minutes to form a transparent film having a thickness of 1 μm. Next, the thin film was peeled off from the silicon substrate to form a pellicle film. Next, in the same manner as in Example 1, a pellicle for lithography was completed. When the transmittance of the obtained pellicle for lithography to a fluorine excimer laser beam was measured, it was 2%.
【0019】[0019]
【表1】 [Table 1]
【0020】(表1)に示す結果から明らかなように、
従来から使用されていた非晶質含フッ素共重合体を原料
とするペリクル膜からなるペリクルはフッ素エキシマレ
ーザー光に対して透過率が低く、実用化が困難であっ
た。しかし、本発明の70〜100 モル%のパーフルオロ-
2,2- ジメチル-1,3- ジオキソールを含有する含フッ素
ラジカル重合性モノマー混合物を共重合してなる非晶質
フッ素系共重合体を原料とするペリクル膜からなるペリ
クルは、フッ素エキシマレーザー光に対しても非常に高
い透過率を示した。従って、本発明のフッ素エキシマレ
ーザーリソグラフィー用ペリクルは十分に実用性を有す
ることが解った。As is clear from the results shown in Table 1,
A pellicle formed of a pellicle film using an amorphous fluorine-containing copolymer as a raw material, which has been conventionally used, has a low transmittance with respect to a fluorine excimer laser beam, and has been difficult to put into practical use. However, from 70 to 100 mol% of perfluoro-
A pellicle consisting of a pellicle film made of an amorphous fluorine-based copolymer obtained by copolymerizing a fluorine-containing radically polymerizable monomer mixture containing 2,2-dimethyl-1,3-dioxole is a fluorine excimer laser beam. Also showed very high transmittance. Therefore, it was found that the pellicle for fluorine excimer laser lithography of the present invention has sufficient practicality.
【0021】[0021]
【発明の効果】本発明の、70〜100 モル%のパーフルオ
ロ-2,2- ジメチル-1,3- ジオキソールを含有する含フッ
素ラジカル重合性モノマー混合物を共重合してなる非晶
質フッ素系共重合体を原料とするペリクル膜からなるペ
リクルを用いることにより、初めて、フッ素エキシマレ
ーザーリソグラフィーの実用化が可能になる。According to the present invention, an amorphous fluoropolymer obtained by copolymerizing a fluorine-containing radically polymerizable monomer mixture containing 70 to 100 mol% of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole. By using a pellicle composed of a pellicle film made of a copolymer, fluorine excimer laser lithography can be put to practical use for the first time.
【図1】本発明のフッ素エキシマレーザーリソグラフィ
ー用ペリクルの一例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a pellicle for fluorine excimer laser lithography of the present invention.
(1)ペリクル膜、 (2)接着剤層、 (3)ペリクル枠、 (4)粘着剤層、 (5)露光用基板。 (1) pellicle film, (2) adhesive layer, (3) pellicle frame, (4) adhesive layer, (5) substrate for exposure.
Claims (2)
メチル-1,3- ジオキソールを含有する含フッ素ラジカル
重合性モノマー混合物を共重合してなる非晶質フッ素系
共重合体をペリクル膜原料とするフッ素エキシマレーザ
ーリソグラフィー用ペリクル。An amorphous fluorine-based copolymer obtained by copolymerizing a fluorine-containing radically polymerizable monomer mixture containing 70 to 100 mol% of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole. Pellicle for fluorine excimer laser lithography as a pellicle film material.
中のパーフルオロ-2,2-ジメチル-1,3- ジオキソールの
含有量が85〜100 モル%である請求項1 記載のフッ素エ
キシマレーザーリソグラフィー用ペリクル。2. The pellicle for fluorine excimer laser lithography according to claim 1, wherein the content of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxol in the fluorine-containing radical polymerizable monomer mixture is 85 to 100 mol%. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11604699A JP2000305255A (en) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | Pellicle for fluorine excimer laser lithography |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11604699A JP2000305255A (en) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | Pellicle for fluorine excimer laser lithography |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000305255A true JP2000305255A (en) | 2000-11-02 |
Family
ID=14677379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11604699A Pending JP2000305255A (en) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | Pellicle for fluorine excimer laser lithography |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000305255A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001037044A1 (en) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Ultraviolet and vacuum ultraviolet transparent polymer compositions and their uses |
JP2007004039A (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Pellicle |
US7504192B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-03-17 | Sematech Inc. | Soft pellicle for 157 and 193 nm and method of making same |
JP2009151335A (en) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Pellicle for lithography |
US7604904B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography |
US7709180B2 (en) | 2003-12-19 | 2010-05-04 | Sematech, Inc. | Soft pellicle and method of making same |
EP2592474A1 (en) * | 2010-07-08 | 2013-05-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle film |
-
1999
- 1999-04-23 JP JP11604699A patent/JP2000305255A/en active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001037044A1 (en) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Ultraviolet and vacuum ultraviolet transparent polymer compositions and their uses |
US7604904B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography |
US7504192B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-03-17 | Sematech Inc. | Soft pellicle for 157 and 193 nm and method of making same |
US7709180B2 (en) | 2003-12-19 | 2010-05-04 | Sematech, Inc. | Soft pellicle and method of making same |
US7732120B2 (en) | 2003-12-19 | 2010-06-08 | Sematech Inc. | Method for making soft pellicles |
JP2007004039A (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Pellicle |
JP2009151335A (en) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Pellicle for lithography |
EP2592474A1 (en) * | 2010-07-08 | 2013-05-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle film |
EP2592474A4 (en) * | 2010-07-08 | 2013-11-27 | Mitsui Chemicals Inc | Pellicle film |
US8815476B2 (en) | 2010-07-08 | 2014-08-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle membrane |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3089153B2 (en) | Pellicle for lithography | |
JP5478463B2 (en) | Pellicle for lithography | |
JP5189614B2 (en) | Pellicle, method of attaching the pellicle, mask with pellicle and mask | |
JP2008065258A (en) | Pellicle for lithography | |
JP2008256925A (en) | Pellicle | |
JP2023160866A (en) | Pellicle frame, pellicle, photomask with pellicle, exposure method, semiconductor manufacturing method, and liquid crystal display manufacturing method | |
JP2938636B2 (en) | Pellicle for lithography | |
JP2011076042A (en) | Pellicle | |
TW202321834A (en) | Pellicle frame, pellicle, photomask with pellicle, exposure method, method of manufacturing a pattern, and method of manufacturing a semiconductor device | |
JPH0667409A (en) | Pellicle for lithography | |
JP2017116697A (en) | Pellicle for EUV exposure | |
JP2002182373A (en) | Pellicle, method for producing the same and photomask | |
US7604904B2 (en) | Pellicle for lithography | |
JP2000305255A (en) | Pellicle for fluorine excimer laser lithography | |
JP2009151335A (en) | Pellicle for lithography | |
JP4185233B2 (en) | Pellicle for lithography | |
JP4144971B2 (en) | Pellicle for lithography | |
JP2007293036A (en) | Pellicle for lithography | |
JP3186844B2 (en) | Pellicle and manufacturing method thereof | |
JPH08123013A (en) | Pellicle and bonding method thereof | |
JP4873565B2 (en) | Pellicle for lithography | |
JP2001022052A (en) | Pellicle for lithography | |
JP3562790B2 (en) | Pellicle | |
JPH04237055A (en) | Pellicle structural body | |
JP7307281B2 (en) | Pellicle, original exposure plate, exposure apparatus, method for manufacturing pellicle, and method for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071029 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080305 |