JP2000304638A - センサチップの接合構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイアフラム部に接着剤が付着しにくいた
め、感度特性や作業性の向上を図ることができるセンサ
チップの接合構造を提供すること。 【解決手段】 このセンサチップ６では、チップ下面Ｓ
１にてエッチング穴１１が開口している。エッチング穴
１１の底部はダイアフラム部６ｂになっている。センサ
チップ６は接着剤１０を介して被接合面Ｓ２上にボンデ
ィングされる。エッチング穴１１の開口縁に対応する被
接合面Ｓ２上の所定箇所には、接着剤１０を逃がす凹状
構造１５が設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、センサチップの接
合構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、圧力センサチップを利用した加速
度センサパッケージが各種提案されている。この種のパ
ッケージに用いられる圧力センサチップは、チップ下面
にて開口するエッチング穴を有している。そのエッチン
グ穴の底部は肉薄のダイアフラム部になっている。同セ
ンサチップは、例えばリードフレームのダイパッド上に
接着剤を用いてダイボンディングされる。なお、チップ
接合用の接着剤としては、熱応力や硬化収縮応力を下げ
る目的で、いわゆるシリコーン系の軟接着剤などがよく
用いられる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来技術で
は、ダイボンディング工程の際に接着剤がエッチング凹
部の内側壁を這い上がり、ダイアフラム部の裏面側に付
着してしまうことがある。特に、エッチング穴の断面形
状がテーパ状であると、這い上がり現象がいっそう顕著
になり、接着剤が付着する確率も高くなる。接着剤を均
一に広げるためにセンサチップを水平方向にスクラブし
たときも同様である。

【０００４】そして、ダイアフラム部の裏面側に接着剤
が付着した場合、重量増加によってダイアフラム部の動
きが鈍くなり、感度特性が悪化してしまう。また、感度
特性の製品ごとのばらつきが大きくなり、規格値から外
れた製品が増えてしまうおそれがある。

【０００５】よって、従来では、這い上がり現象の発生
を未然に防ぐために、接着剤の塗布量を厳密に調整する
必要があり、極めて作業性が悪かった。本発明は上記の
課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイア
フラム部に接着剤が付着しにくいため、感度特性や作業
性の向上を図ることができるセンサチップの接合構造を
提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、チップ下面にて開口
するエッチング穴の底部がダイアフラム部になっている
センサチップを、接着剤を介して被接合面上にボンディ
ングした構造において、前記エッチング穴の開口縁に対
応する前記被接合面上の所定箇所に、前記接着剤を逃が
す凹状構造を設けたことを特徴とするセンサチップの接
合構造をその要旨とする。

【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１におい
て、前記接着剤を逃がす凹状構造は、前記エッチング穴
の開口縁のほぼ全周にわたって形成されたエッチング溝
であるとした。

【０００８】請求項３に記載の発明は、請求項２におい
て、前記エッチング穴の開口は長方形状であって、長方
形の長辺に対応する第１側壁が前記被接合面に対してな
す角度は、長方形の短辺に対応する第２側壁が前記被接
合面に対してなす角度よりも垂直に近く、前記エッチン
グ溝において前記第２側壁に対応する部分の幅は、前記
第１側壁に対応する部分の幅よりも相対的に大きいとし
た。

【０００９】請求項４に記載の発明は、チップ下面にて
開口するエッチング穴の底部がダイアフラム部になって
いるセンサチップを、接着剤を介して被接合面上にボン
ディングした構造において、前記接着剤を逃がす凹状構
造を前記チップ下面に設けたことを特徴とするセンサチ
ップの接合構造をその要旨とする。

【００１０】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項１〜４に記載の発明によると、被接合面上の
所定箇所に凹状構造を設けたことにより、開口縁付近に
存在する接着剤は、エッチング穴を這い上がろうとする
前に凹状構造の内部に逃がされてしまう。その結果、這
い上がり現象が抑制され、ダイアフラム部に接着剤が付
着しにくくなる。従って、感度特性が向上するととも
に、接着剤塗布量の厳密な調整が不要になることで作業
性も向上する。

【００１１】請求項２に記載の発明によると、エッチン
グ穴の開口縁のほぼ全周にわたって凹状構造を形成して
おくことにより、這い上がり現象が確実に抑制される。
また、エッチング溝であれば、幅狭にしたときでも精度
よく形成可能である。

【００１２】請求項３に記載の発明の作用を説明する。
第1側壁が被接合面に対してなす角度は、第２側壁が被
接合面に対してなす角度よりも垂直に近い。従って、接
着剤の這い上がり現象は、第１側壁よりも第２側壁のほ
うに起こりやすいということができる。この構成では、
長方形の短辺に対応する箇所が第２側壁であるため、這
い上がり現象の起こりやすい箇所がそもそも少なくなっ
ている。しかも、エッチング溝において第２側壁に対応
する部分の幅を、第１側壁に対応する部分の幅よりも相
対的に大きくしている。よって、第２側壁に対応する部
分のほうが、第１側壁に対応する部分に比べて構造的に
接着剤を逃がしやすく、従って這い上がり現象を抑制す
る作用が高くなっている。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明のセンサチップの接
合構造を、圧力センサチップ６を利用した加速度センサ
パッケージ１に具体化した一実施の形態を、図１〜図６
に基づき詳細に説明する。

【００１４】図１，図２には、本実施形態の加速度セン
サパッケージ１が示されている。このパッケージ１は、
ＤＩＰタイプのプラスティックモールドパッケージの形
態を採っている。即ち、プラスティックからなるモール
ド材２によって、リードフレーム３をモールドした構成
となっている。このリードフレーム３は、圧力センサチ
ップ６の搭載用のダイパッド４と、信号処理用ＩＣチッ
プ７の搭載用のダイパッド５とを有している。ダイパッ
ド４の中央部には、円形状の背圧孔４ａが設けられてい
る。ダイパッド４の上面（即ち被接合面Ｓ２）には、圧
力センサチップ６がダイボンディングされている。もう
一方のダイパッド５の上面には、信号処理用のＩＣチッ
プ７がダイボンディングされている。リードフレーム３
のインナーリード部３ａはダイパッド４，５を包囲して
いる。リードフレーム３のアウターリード部３ｂはモー
ルド材２から突出している。アウターリード部３ｂは、
外部接続端子として使用されるようになっている。

【００１５】モールド材２の一部には有底筒状のゲル収
容部８が形成されている。前記ダイパッド４は、ゲル収
容部８の底面中央部に位置している。そして、このゲル
収容部８内の空間８ａには、ゲル状のシリコーン封止材
９が充填されている。その結果、ダイパッド４に搭載さ
れた圧力センサチップ６が封止されている。なお、シリ
コーン封止材９は加速度を圧力センサチップ６に伝達す
る媒体としての役割も果たす。

【００１６】図１，図２，図４に概略的に示されるよう
に、圧力センサチップ６は、略正方形状の外形を呈して
いる。本実施形態の圧力センサチップ６は、シリコン単
結晶からなる＜１１０＞基板を用いて形成されたもので
ある。圧力センサチップ６は、穴部としてのエッチング
穴１１を備えている。エッチング穴１１は、圧力センサ
チップ６の下面Ｓ１において開口している。エッチング
穴１１の底部は、肉薄のダイアフラム部６ｂになってい
る。ダイアフラム部６ｂでない部分は、肉厚の基部６ａ
となっている。ダイアフラム部６ｂの表面側には、不純
物拡散等の手法によって複数の歪みゲージ１２が形成さ
れている。これらの歪みゲージ１２は１つのブリッジ回
路を構成している。ブリッジ回路からの出力信号は、信
号処理用のＩＣチップ７において処理された後にパッケ
ージ外部に出力される。そして、圧力センサチップ６の
基部６ａは、リードフレーム３のダイパッド４に対し
て、軟接着剤の一種であるシリコーン系接着剤１０を介
してダイボンドされている。

【００１７】図４に示される圧力センサチップ６の場
合、エッチング穴１１の開口は長方形状になっている。
エッチング穴１１の長手方向（即ち長方形の長辺の延び
る方向）は、圧力センサチップ６の対角線に対して平行
である。エッチング穴１１は２組の側壁１３，１４をそ
の内部に有している。第１の側壁１３は長方形状をなす
開口の長辺に対応する位置にあり、互いに向きあってい
る。第１の側壁１３はシリコン単結晶の＜１１１＞面に
属している。第２の側壁１４は長方形状をなす開口の短
辺に対応する位置にあり、同様に互いに向きあってい
る。第２の側壁１４はシリコン単結晶の＜１１１＞面に
属している。

【００１８】エッチング穴１１の開口における長辺の長
さは、短辺の長さの約１．５倍以上、好ましくは２倍以
上であることがよい。本実施形態では、長辺の長さが短
辺の長さの約３倍となるように設計されている。短辺に
対する長辺の長さの比を大きく設定するほど、開口縁の
トータル長さに占める第２側壁１４の長さの割合が小さ
くなり、這い上がり現象が起こりやすい箇所が少なくな
るからである。

【００１９】第１側壁１３がダイパッド４の上面Ｓ２に
対してなす角度θ１は、第２側壁１４がダイパッド４の
上面Ｓ２に対してなす角度θ２よりも大きいことが好ま
しい。例えば、θ１を６０°〜９０°程度に設定し、θ
２を３０°〜６０°程度に設定することがよい。具体的
にいうと、本実施形態では、第１側壁１３が上面Ｓ２に
対してなす角度θ１を約９０°に設定し、第２側壁１４
が上面Ｓ２に対してなす角度θ２を約４５°に設定して
いる。

【００２０】図３，図５，図６に示されるように、この
ダイパッド４は、接着剤１０を逃がすための凹状構造で
ある溝１５を備えている。前記溝１５はエッチングによ
って形成されたものであって、ダイパッド４の上面Ｓ２
においてエッチング穴１１の開口縁に対応する箇所に存
在する。また、エッチング溝１５は、エッチング穴１１
の開口縁の全周にわたって形成されている。従って、こ
のエッチング溝１５は、エッチング穴１１の開口形状と
略等しい形状（即ち長方形状）となっている。背圧孔４
ａはエッチング溝１５によって包囲されている。

【００２１】エッチング溝１５において第１側壁１３に
対応する部分の幅Ｗ１は、少なくとも第２側壁１４に対
応する部分の幅Ｗ２よりも相対的に大きくなっているこ
とが望ましい。より具体的には、Ｗ１はＷ２の１．０倍
〜１．５倍であることがよく、特には１．５倍〜２．０
倍であることがよい。なお、エッチング溝１５の幅Ｗ
１，Ｗ２を広く設定しすぎると、逆に接着剤１０の量が
不足してしまい、ダイパッド４から圧力センサチップ６
が剥離しやすくなるおそれがある。本実施形態では、Ｗ
１を０．１５ｍｍに設定しかつＷ２を０．１０ｍｍに設
定している。

【００２２】また、エッチング溝１５において第１側壁
１３に対応する部分の深さは、第２側壁１４に対応する
部分の深さと同程度に設定されている。本実施形態で
は、エッチング溝１５の深さを、リードフレーム３の厚
さの半分以下の値（約０．１ｍｍ）に設定している。

【００２３】次に、図１のパッケージ１を製造する手順
の一例を簡単に説明する。まず、４２アロイ等の導電性
金属板をプレス加工またはエッチング加工することによ
って、所定パターンを備えるリードフレーム３を製造す
る。プレス加工を採用した場合には、このとき同時にダ
イパッド４の上面Ｓ２にエッチング溝１５を形成してお
く。エッチング加工を採用した場合には、従来公知のハ
ーフエッチ法により前記上面Ｓ２にエッチング溝１５を
形成しておく。

【００２４】リードフレーム製造工程の後、従来公知の
方法によりダイパッド５上に接着剤を塗布する。塗布方
法としては転写法またはディスペンス法がある。前記塗
布工程の後、リードフレーム３をダイボンダにセットし
て、ＩＣチップ７をダイパッド５上にダイボンディング
する。この後、接着剤を熱硬化させ、ＩＣチップ７をダ
イパッド５上に完全に接着する。

【００２５】ダイボンディング工程の後、リードフレー
ム３をワイヤボンダにセットして、第１回めのワイヤボ
ンディングを行う。その結果、複数本のボンディングワ
イヤを介して、ＩＣチップ７がインナーリード部３ａに
電気的に接続される。

【００２６】第１回めのワイヤボンディング工程の後、
リードフレーム３を成形用金型内にセットして、モール
ド材２によるモールドを行う。モールドを行うと、ＩＣ
チップ７は完全にモールド材２の中に封入されてしま
う。一方、ダイパッド４の周囲にはゲル収容部８が形成
される。

【００２７】モールド工程の後、上記従来公知の方法に
より、ダイパッド４上に液状（即ち未硬化状態）のシリ
コーン系接着剤１０を所定厚さに塗布する。シリコーン
系接着剤１０は、ダイパッド４の上面Ｓ２においてエッ
チング溝１５よりも外周側となる領域に矩形状に塗布さ
れることがよい。このとき、塗布厚は数十μｍ程度に設
定される。塗布工程の後、リードフレーム３をダイボン
ダにセットして、圧力センサチップ６をダイパッド４上
に載せる。その際、エッチング穴１１の開口縁とエッチ
ング溝１５とが合致するように位置合わせする。そし
て、必要に応じて圧力センサチップ６を水平方向に沿っ
てスクラブし、接着剤１０を接着界面に充分に行き渡ら
せるようにする。

【００２８】上記のように圧力センサチップ６をダイパ
ッド４上に仮固定した後、シリコーン系接着剤１０を所
定温度に加熱して熱硬化させる。このような熱硬化処理
を行うと、接着剤１０の流動性が失われて弾性体化す
る。その結果、圧力センサチップ６がダイパッド４に対
して軟接着される。

【００２９】ダイボンディング工程後、リードフレーム
３をワイヤボンダにセットして、第２回めのワイヤボン
ディングを行う。その結果、複数本のボンディングワイ
ヤを介して、圧力センサチップ６がインナーリード部３
ａに電気的に接続される。

【００３０】第２回めのワイヤボンディング工程の後、
ゲル収容部８内にシリコーン封止材９を充填し、圧力セ
ンサチップ６をそのシリコーン封止材９によって完全に
封止する。そして、ゲル充填工程の後、アウターリード
部３ｂを略Ｌ字状に屈曲させるリードフォーミング工程
を実施する。勿論、それ以前の時点においてリードフォ
ーミング工程を実施しても構わない。以上の結果、図１
に示す所望の加速度センサパッケージ１を得ることがで
きる。

【００３１】従って、本実施形態によれば以下のような
効果を得ることができる。 （１）このパッケージ１は、ダイパッド４の上面Ｓ２に
おいてエッチング穴１１の開口縁に対応する箇所に、接
着剤１０を逃がすためのエッチング溝１５を設けてい
る。そして、このような圧力センサチップ６の接合構造
を備えたものでは、開口縁付近に存在する接着剤１０
が、エッチング穴１１を這い上がる前にエッチング構１
５の内部に逃がされてしまう。その結果、這い上がり現
象が抑制され、ダイアフラム部６ｂの裏面側に接着剤１
０が付着しにくくなる。従って、ダイアフラム部６ｂの
動作性悪化が回避され、結果として感度特性が向上す
る。このため、高性能の加速度センサパッケージ１を実
現することができる。また、感度特性の製品ごとのばら
つきが小さくなるため、規格値から外れた製品が従来に
比べて発生しにくくなる。別の言い方をすると、良品率
が向上する。

【００３２】さらに、このような圧力センサチップ６の
接合構造を採用した場合、接着剤塗布量の厳密な調整が
不要になる。よって、ダイボンディング工程における作
業性も向上し、ひいては低コスト化にもつながる。

【００３３】（２）本実施形態のパッケージ１では、エ
ッチング溝１５が、チップ下面Ｓ１側ではなくダイパッ
ド４の上面Ｓ２側に設けられている。従って、チップサ
イズの大型化を伴わずに、低コストかつ比較的簡単に凹
状構造を形成することが可能である。

【００３４】（３）このパッケージ１では、接着剤１０
を逃がすためのエッチング溝１５を、エッチング穴１１
の開口縁の全周にわたって形成しているため、這い上が
り現象をより確実に抑制することができる。また、エッ
チングによって形成される溝１５であれば、幅Ｗ１，Ｗ
２を０．１０ｍｍ〜０．１５ｍｍというように狭く設定
したときでも、溝１５を精度よく形成できるという利点
がある。従って、チップサイズが小さくなった場合であ
っても、それに合わせて幅狭のエッチング溝１５を高精
度に形成することができる。つまり、パッケージ１の小
型化に充分対応することができる。

【００３５】（４）このパッケージ１の場合、第1側壁
１３がダイパッド４の上面Ｓ２に対してなす角度θ１
は、第２側壁１４が上面Ｓ２に対してなす角度θ２より
も垂直に近くなっている。従って、接着剤１０の這い上
がり現象は、第１側壁１３よりも第２側壁１４のほうに
起こりやすい。しかし、長方形の短辺に対応する箇所が
第２側壁１４になっている本実施形態では、這い上がり
現象の起こりやすい箇所がそもそも少なくなっている。
具体的にいうと、長辺の長さは短辺の長さの約３倍であ
ることから、開口縁のトータル長さに占める第２側壁１
４の長さの割合は１／４程度にすぎない。

【００３６】しかも、エッチング溝１５において第２側
壁１４に対応する部分の幅Ｗ２は、第１側壁１３に対応
する部分の幅Ｗ１の１．５倍の大きさに設定されてい
る。よって、第２側壁１４に対応する部分のほうが、第
１側壁１３に対応する部分に比べて構造的に接着剤１０
を逃がしやすくなっている。従って、当該部分において
這い上がり現象を抑制する作用は高くなっている。

【００３７】以上のことからも明らかなように、本パッ
ケージ１の接続構造によれば、這い上がり現象に起因す
る接着剤１０のダイアフラム部６ｂへの付着が確実に防
止される。勿論、このことは感度特性及び作業性のさら
なる向上に貢献する。

【００３８】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。 ・ 図７に示される別例では、エッチング溝２１の幅が
どの部分についても等しくなっている。即ち、エッチン
グ溝２１において第１側壁１３に対応する部分の幅Ｗ１
は、第２側壁１４に対応する部分の幅Ｗ２と等しくても
よく、または幅Ｗ２より相対的に小さくてもよい。

【００３９】・ 図８に示される別例のように、第２側
壁１４に対応する位置にのみエッチング溝２２を形成し
てもよい。つまり、エッチング溝２２は、必ずしもエッ
チング穴１１の開口縁の全周にわたって形成されなくて
もよい。別の言いかたをすると、エッチング溝２２は連
続的なものでなくてもよく、不連続的なものであっても
構わない。

【００４０】・ 図９に示される別例のように、圧力セ
ンサチップ６のチップ下面Ｓ１側にエッチング溝２３を
設けてもよい。このような構成であっても、這い上がり
現象が抑制され、ダイアフラム部６ｂの裏面側に接着剤
１０が付着しにくくなる。従って、感度特性や作業性の
向上を図ることができる。なお、このようなチップ下面
Ｓ１側のエッチング溝２３を、実施形態や図７，８の別
例のものにつき、併せて設けるようにしてもよい。

【００４１】・ エッチング溝１５，２１，２２，２３
において第２側壁１４に対応する部分の深さを、第１側
壁１３に対応する部分の深さよりも深く設定するように
してもよい。このような構成にした場合であっても、第
２側壁１４に対応する部分のほうが、第１側壁１３に対
応する部分に比べて接着剤１０が逃がされやすくなる。

【００４２】・ エッチング溝１５，２１，２２は、リ
ードフレーム３のような導電体に形成されることのみに
限定されるわけではなく、例えばプリント配線板を構成
する樹脂製基材やセラミック基板等のような絶縁体に形
成されても勿論よい。

【００４３】・ 接着剤１０を逃がすための凹状構造
は、実施形態や別例のようなエッチング溝１５，２１，
２２，２３のみに限定されず、例えば研削加工によって
形成される研削溝や、プレス加工によって形成される型
押し溝等であっても構わない。

【００４４】・ 接着剤１０を逃がすための凹状構造
は、実施形態や別例のように溝状である必要はなく、例
えば単なる穴部等であってもよい。 ・ 本発明の接合構造を具体化するにあたり、シリコー
ン系接着剤１０以外の軟接着剤を用いてもよく、さらに
は軟接着剤ではない通常の接着剤を用いてもよい。

【００４５】・ 圧力センサチップ６以外のセンサチッ
プを用いた場合であっても、エッチング穴１１の底部に
ダイアフラム部６ａを有するものであれば、本発明の接
合構造を適用することが可能である。

【００４６】次に、特許請求の範囲に記載された技術的
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１） チップ下面にて開口するエッチング穴の底部が
ダイアフラム部になっているシリコン製の圧力センサチ
ップを、軟接着剤を介してリードフレームのダイパッド
上にボンディングした構造を備えるセンサパッケージに
おいて、前記エッチング穴の開口縁に対応する前記ダイ
パッド上の箇所に、前記軟接着剤を逃がす凹状構造を設
けたことを特徴とするセンサパッケージ。従って、この
技術的思想１に記載の発明によれば、ダイアフラム部に
軟接着剤が付着しにくいため感度特性や作業性の向上が
図られ、装置の高性能化を実現できる。

【００４７】（２） 技術的思想１において、前記パッ
ケージは加速度センサパッケージであること。 （３） 請求項１乃至４のいずれか１つにおいて、前記
接着剤は軟接着剤（例えばシリコーン系接着剤等）であ
ること。

【００４８】（４） 請求項２，３において、前記エッ
チング穴の開口は略矩形状であって、矩形の長辺に対応
する第１側壁が前記被接合面に対してなす角度は、矩形
の短辺に対応する第２側壁が前記被接合面に対してなす
角度よりも垂直に近く、前記エッチング溝において前記
第２側壁に対応する部分の深さは、前記第１側壁に対応
する部分の深さよりも相対的に深いこと。従って、この
技術的思想４に記載の発明によれば、第２側壁に対応す
る部分のほうが、第１側壁に対応する部分に比べて構造
的に接着剤を逃がしやすく、這い上がり現象を抑制する
作用が高くなる。

【００４９】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜４に記
載の発明によれば、ダイアフラム部に接着剤が付着しに
くいため、感度特性や作業性の向上を図ることができる
センサチップの接合構造を提供することができる。

【００５０】請求項２に記載の発明によれば、這い上が
り現象を確実に抑制することができるとともに、小型化
にも対応可能な構造とすることができる。請求項３に記
載の発明によれば、這い上がり現象に起因する接着剤の
付着が確実に防止されるため、感度特性及び作業性のさ
らなる向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した一実施形態における加速度
センサパッケージの一部破断平面図。

【図２】同加速度センサパッケージの断面図。

【図３】ダイパッドの平面図。

【図４】圧力センサチップの底面図。

【図５】図１のＡ−Ａ線断面図。

【図６】図１のＢ−Ｂ線断面図。

【図７】別例のダイパッドの平面図。

【図８】別例のダイパッドの平面図。

【図９】別例の圧力センサチップ及びダイパッドの拡大
断面図。

【符号の説明】

６…センサチップとしての圧力センサチップ、６ｂ…ダ
イアフラム部、１０…接着剤としてのシリコーン系接着
剤、１１…エッチング穴、１３…第１側壁、１４…第２
側壁、１５，２１，２２，２３…凹状構造としてのエッ
チング溝、Ｓ１…チップ下面、Ｓ２…被接合面としての
ダイパッドの上面、θ１，θ２…角度、Ｗ１，Ｗ２…エ
ッチング溝の幅。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】チップ下面にて開口するエッチング穴の底
   部がダイアフラム部になっているセンサチップを、接着
   剤を介して被接合面上にボンディングした構造におい
   て、前記エッチング穴の開口縁に対応する前記被接合面
   上の所定箇所に、前記接着剤を逃がす凹状構造を設けた
   ことを特徴とするセンサチップの接合構造。
2. 【請求項２】前記接着剤を逃がす凹状構造は、前記エッ
   チング穴の開口縁のほぼ全周にわたって形成されたエッ
   チング溝であることを特徴とする請求項１に記載のセン
   サチップの接合構造。
3. 【請求項３】前記エッチング穴の開口は長方形状であっ
   て、長方形の長辺に対応する第１側壁が前記被接合面に
   対してなす角度は、長方形の短辺に対応する第２側壁が
   前記被接合面に対してなす角度よりも垂直に近く、前記
   エッチング溝において前記第２側壁に対応する部分の幅
   は、前記第１側壁に対応する部分の幅よりも相対的に大
   きいことを特徴とする請求項２に記載のセンサチップの
   接合構造。
4. 【請求項４】チップ下面にて開口するエッチング穴の底
   部がダイアフラム部になっているセンサチップを、接着
   剤を介して被接合面上にボンディングした構造におい
   て、前記接着剤を逃がす凹状構造を前記チップ下面に設
   けたことを特徴とするセンサチップの接合構造。