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JP2000302858A - 光記録媒体用成形材料 - Google Patents

光記録媒体用成形材料

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Publication number
JP2000302858A
JP2000302858A JP11113585A JP11358599A JP2000302858A JP 2000302858 A JP2000302858 A JP 2000302858A JP 11113585 A JP11113585 A JP 11113585A JP 11358599 A JP11358599 A JP 11358599A JP 2000302858 A JP2000302858 A JP 2000302858A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
molding material
optical recording
recording medium
carbon atoms
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11113585A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyoshi Ogawa
典慶 小川
Mitsuhiko Masumoto
光彦 増本
Noriaki Honda
典昭 本田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority to JP11113585A priority Critical patent/JP2000302858A/ja
Publication of JP2000302858A publication Critical patent/JP2000302858A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成形性および低複屈折性に優れた光記録媒体
用成形材料を提供する。 【解決手段】 1,1'−ビ─2-ナフトールから誘導され
た構造、及び4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエ
チリデン)]ビスフェノールから誘導された構造を有する
ポリカーボネートであって、の構造単位が全構造単位
中5 〜40mol%であり、かつ極限粘度が0.30〜0.50dl/gで
あるポリカーボネートからなる光記録媒体用成形材料。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク、レーザーディスク、光カード、MOディスクなどの
光記録媒体を製造するのに好適な成形性とともに複屈折
の低減されたポリカーボネート樹脂光記録媒体用成形材
料に関する。
【0002】
【従来の技術】ビスフェノールA型ポリカーボネート
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸法安定性な
どの特徴を生かして、最近は光ディスク用基盤材料とし
て広く用いられるようになった。しかしながら、光ディ
スク用にポリカーボネートを用いる場合いくつかの問題
点があった。
【0003】光ディスク基盤としての性能のうち、情報
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。
【0004】これらの複屈折低減を目的とした様々なポ
リカーボネート樹脂材料が開発されている。(特開昭6
0−215020、特開昭62−181115)しかし
ながら、近年、高密度化が進む光ディスク分野におい
て、これらの材料では複屈折対策が十分とは言えなかっ
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた成形
性と低複屈折性を両立した光記録媒体用成形材料を提供
することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の2種類の
ビスフェノール類より誘導された共重合ポリカーボネー
ト樹脂は、低複屈折性と良好な成形性を兼ね備えた良質
の光記録媒体成形材料となることを見いだし、本発明を
完成するに至った。
【0007】
【発明の実施の形態】即ち、本発明は、一般式(A)お
よび一般式(B)で表される構造単位を有し、一般式
(A)の構造単位が全構造単位中 5〜40mol%であり、か
つ極限粘度が0.30〜0.50dl/gであるポリカーボネートか
らなる光記録媒体用成形材料である。
【0008】
【化4】
【0009】
【化5】
【0010】更に、具体的には、本発明のポリカーボネ
ートは、1,1'−ビ−2-ナフトール及び4,4'-[1,3-フェニ
レンビス(1-メチルエチリデン)]ビスフェノールと炭酸
エステル形成化合物とを反応させて得られるのもであ
る。
【0011】炭酸エステル形成化合物としては、例えば
ホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−p−トリル
カーボネート、フェニル−p−トリルカーボネート、ジ
−p−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボ
ネートなどのビスアリルカーボネートが挙げられる。こ
れらの化合物は2種類以上併用して使用することも可能
である。
【0012】本発明のポリカーボネートは、ビスフェノ
ールAからポリカーボネートを製造する際に用いられて
いる公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの
直接反応(ホスゲン法)、あるいは二価フェノールとビ
スアリールカーボネートとのエステル交換反応(エステ
ル交換法)などの方法を採用することができる。
【0013】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、本発明における一般式
(A)を誘導する1,1'−ビ−2-ナフトール及び一般式
(B)を誘導する4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチル
エチリデン)]ビスフェノールとホスゲンとを反応させ
る。酸結合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナト
リウム及び水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化
物などが用いられる。また、溶媒としては、例えば、塩
化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン、キシレン
などが用いられる。さらに、縮重合反応を促進するため
に、トリエチルアミンのような第三級アミン触媒および
第四級アンモニウム塩などの触媒を、また重合度調節に
は、フェノール、p-t-ブチルフェノール、p-クミルフェ
ノール、一般式(C)で表されるフェノール類等の一官
能基化合物を分子量調節剤として加える。
【0014】
【化6】 (式中、R1 は炭素数4〜20のアルキル基を示し、R
2 〜R3 は各々独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル
基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数1〜6のアル
コキシ基又は炭素数6〜12のアリール基を表す。Zは
エステル基、エーテル基、カルボニル基を表すか、単に
結合を表す。)
【0015】更に、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイ
ドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フロログルシ
ン、イサチンビスフェノール、1,1,1-トリス(4-ヒドロ
キシフェニル)エタン、α,α',α"-トリス(4-ヒドロ
キシフェニル)-1,3,5-トリイソプロピルベンゼンなど分
岐化剤を小量添加してもよい。反応は通常0〜150
℃、好ましくは5〜40℃の範囲とするのが適当であ
る。反応時間は反応温度によって左右されるが、通常
0.5分〜10時間、好ましくは1分〜2時間である。
また、反応中は、反応系のpHを10以上に保持すること
が望ましい。
【0016】一方後者のエステル交換法においては、1,
1'−ビ−2-ナフトール、4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-
メチルエチリデン)]ビスフェノール及びビスアリール
カーボネートとを混合し、減圧下で高温において反応さ
せる。この時、p-t-ブチルフェノール、p-クミルフェノ
ール、一般式(C)で表されるフェノール類等の一官能
基化合物を分子量調節剤として加えてもよい。反応は通
常150〜350℃、好ましくは200〜300℃の範
囲の温度において行われ、また減圧度は最終的には1mm
Hg以下にすることがこのが好ましく、エステル交換反応
により生成した該ビスアリールカーボネートから由来す
るフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反応温
度や減圧度などによって左右されるが、通常1〜6時間
程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰
囲気下で行うことが好ましく。また、所望に応じ、酸化
防止剤や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
【0017】本発明の分子量調節剤としては、流動性改
良に効果の期待できる一般式(C)で表される一価フェ
ノールが好ましく、具体的には、n-ブチルフェノール、
オクチルフェノール、ノニルフェノール、デカニルフェ
ノール、テトラデカニルフェノール、ヘプタデカニルフ
ェノール、オクタデカニルフェノール等の長鎖アルキル
置換フェノール;ヒドロキシ安息香酸ブチル、ヒドロキ
シ安息香酸オクチル、ヒドロキシ安息香酸ノニル、ヒド
ロキシ安息香酸デカニル、ヒドロキシ安息香酸ヘプタデ
カニル等のヒドロキシ安息香酸長鎖アルキルエステル;
ブトキシフェノール、オクチルオキシフェノール、ノニ
ルオキシフェノール、デカニルオキシフェノール、テト
ラデカニルオキシフェノール、ヘプタデカニルオキシフ
ェノール、オクタデカニルオキシフェノール等の長鎖ア
ルキルオキシフェノール類が例示される。
【0018】ホスゲン法とエステル交換法では、一般式
(A)構造を誘導する化合物および一般式(B)構造を
誘導する化合物の反応性を考慮した場合、ホスゲン法の
方が好ましい。
【0019】本発明においてホスゲン法を採用する場合
は、ホスゲン吹き込み終了後に反応を効率よく行うため
第四級アンモニウム塩を少量添加することが好ましい。
具体的には、テトラメチルアンモニウムクロライド、ト
リメチルベンジルアンモニウムクロライド、トリエチル
ベンジルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラ−n−ブチルアンモニウムア
イオダイドなどが例示され、これらのうちトリメチルベ
ンジルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジルア
ンモニウムクロライドが好ましい。この第四級アンモニ
ウム塩は、使用される全ビスフェノール類に対して、一
般に0.0005〜5mol%使用されることが好ましい。第四級
アンモニウム塩の添加後、3〜10分後に、トリエチル
アミンのような三級アミン及び分子量調節剤を添加して
重合させることが好ましい。三級アミンの添加量は、全
ビスフェノール類に対して、0.01〜1.0mol% である。ま
た、分子量調節剤の添加量は、全ビスフェノール類に対
して、 3〜10mol%である。
【0020】これらの反応で合成されたポリカーボネー
ト重合体は、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成
形、湿式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光
記録媒体用成形材料としては、容易に押出、射出成形が
できることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形で
は極限粘度が0.30〜0.50dl/gの範囲であることが好まし
い。
【0021】また、本発明の一般式(A)の構造単位は
成形性、耐熱性、低複屈折性を考慮すると全構造単位中
5〜40mol%が好ましい。一般式(A)の構造単位が 5mo
l%未満では、複屈折性改善効果は小さく、40mol%を超え
るとガラス転移温度上昇により成形条件が狭くなるため
成形不良や分子配向による複屈折増加をおこしやすい。
【0022】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、射出成形で成形することが好ましく、その際
の流動性は大きすぎても小さすぎても成形性に問題が生
じる。例えば高化式フローテスター(280 ℃、160kgf/c
m2、ノズル径1mm ×10mm)測定で、15〜90×10-2cc/sec
の範囲が好ましい。15×10-2cc/sec未満では、流動性が
悪く金型への充填不良やフローマークが生じる場合があ
り、90×10-2cc/secを越えると金型剥離不良やソリを生
じやすい。
【0023】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径50μm以上のダストが実質上検出されず、直
径0.5〜50μmのダストが3×104 以下、無機お
よび有機残留塩素が2ppm以下、残留アルカリ金属が
2ppm以下、残存水酸基200ppm以下、残存窒素
量5ppm以下、残存モノマー20ppm以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。
【0024】光記録媒体用ポリカーボネート成形材料は
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤;シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤;ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤;ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から一般の光記録媒体用ポリカーボネートと性
能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可能
である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形温
度は、流動性の観点から280 〜360 ℃が好ましい。
【0025】
【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定
されるものではない。
【0026】実施例1 8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液58リットルに、1,1'−
ビ−2-ナフトール2.86Kg(以下BNP と略称、10mol )と
4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビ
スフェノール10.38Kg (以下BPM と略称、30mol )及び
ハイドロサルファイト10gを加え溶解した。これにメチ
レンクロライド36リットルを加え、15℃に保ちながら撹拌し
つつ、ホスゲン5kg を50分かけて吹き込んだ。吹き込み
終了後、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド5g
(0.022mol)を加え5分間激しく撹拌して反応液を乳化さ
せ、次にp-ターシャルブチルフェノール300g(以下PTBP
と略称、2.0mol)を加え、さらに20mlのトリエチルアミ
ン(0.14mol) を加え、約1時間撹拌し重合させた。重合
液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和し、
洗液の導電率が10μS以下になるまで水洗を繰り返した
後、精製樹脂液を得た。得られた精製樹脂液を、強攪拌
されている45℃の温水に樹脂液をゆっくり滴下し、溶
媒を除去しつつ重合物を固形化した。固形物を濾過後、
乾燥して白色粉末状重合体を得た。この重合体は、塩化
メチレンを溶媒とする濃度0.5g/dlの溶液の温度20℃に
おける極限粘度[η]は0.36dl/gであった。得られた上
記重合体を赤外線吸収スペクトルより分析した結果、17
70cm-1付近の位置にカルボニル基による吸収、1240cm-1
付近の位置にエーテル結合による吸収が認められ、カー
ボネート結合を有することが確認された。また、3650〜
3200cm-1の位置に水酸基由来の吸収はほとんど認められ
なかった。このポリカーボネート中のモノマーをGPC
分析で測定した場合、いずれのモノマーも20ppm 以下で
あった。これらを総合した結果、この重合体は下記構造
単位からなるポリカーボネート重合体と認められた。
【0027】
【化7】
【0028】得られたポリカーボネート粉末にステアリ
ン酸モノグリセリド300ppmを添加し、50μm ポリマーフ
ィルターを付けたベント付き50mm押出機にて300
℃で押出し、溶融ペレット化を行った。得られたペレッ
トを樹脂温度350℃で、金型温度100℃、及び射出
圧29.4MPaの条件で、外径120mm、厚さ1.
2mmの円盤を射出成形し、2日間室内放置後30度斜
め入射時の複屈折を測定した。押出ペレットについて流
れ値(Q値)を測定し、成形流動性の目安とした。ま
た、ポリカーボネート粉末を用いて、50μm厚キャスト
フィルムを作成し、300 〜1100g の荷重をかけ、光弾性
感度を測定した。結果を表1に示した。
【0029】実施例2 BNP を4,58Kg(16mol )、BPM を8.3kg(24mol)に変更
し、PTBPの代わりにp-ヘプタデカニルフェノール664g
(以下PHPDP と略称、2.0mol)に変更した以外は、実施
例1と同様に行った。得られた重合体の極限粘度[η]
は0.37dl/gで、赤外吸収スペクトル分析等よりこの重合
体は下記構造単位からなるポリカーボネート重合体と認
められた。結果を表1に示した。
【0030】
【化8】
【0031】実施例3 BNP を1.14Kg(4mol)、BPM を12.46kg (36mol )に変
更し、PTBPを240g(1.6mol)に変更した以外は実施例1
と同様に行った。得られた重合体の極限粘度[η]は0.
49dl/gで、赤外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記
構造単位を有するポリカーボネート重合体と認められ
た。結果を表1に示した。
【0032】
【化9】
【0033】実施例4 BNP を2.29Kg(8mol)、BPM を11.07kg (32mol )に変
更し、1,1,1-トリス(4-ヒドロキシフェニル)エタン24
g (0.08mol )を追加した以外は実施例1と同様に行っ
た。得られた重合体の極限粘度[η]は0.40dl/gで、赤
外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造単位を有
するポリカーボネート重合体と認められた。結果を表1
に示した。
【0034】
【化10】
【0035】比較例1 実施例1のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパン(以下
BPAと略称)型ポリカーボネート(三菱瓦斯化学(株)
製H−4000、[η]=0.35dl/g)を用いて実施例1
と同様の試験を行った。結果を表1に示した。
【0036】比較例2 BNP を用いず、BPM のみ13.84Kg(40mol)用いPTBPを288g
(1.92mol) に変更した以外は、実施例1と同様に行っ
た。得られた重合体の極限粘度[η]は0.35dl/gで、赤
外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造単位を有
するポリカーボネート重合体と認められた。結果を表1
に示した。
【0037】
【化11】
【0038】比較例3 BPM を用いず、BNP のみ11.44Kg(40mol)用いた以外は実
施例1と同様に行った。BNP の反応性が悪く、未反応モ
ノマーが大量に発生した。極限粘度0.25dl/gで、強度不
足により成形できなかった。
【0039】
【表1】
【0040】〔表1の説明〕 複屈折:(株)溝尻光学工業製、自動エリフ゜ソメータ-使用。
測定波長:632.8nm。 光弾性感度:50μm厚のキャストフィルムに300 〜1100
g の荷重をかけ、エプソンメーター波長:632.8nmにて光
弾性感度を測定した。 流れ値(Q値):島津製作所(株)製高化式フローテス
ター使用。280 ℃、160kgf/cm2、ノズル径1mm ×10mm条
件での単位時間あたりの流量。(単位×10-2cc/sec) BNP :1,1'-ビ−2-ナフトール BPM :4,4'-[1,3−フェニレンビス(1-メチルエチリデ
ン)]ビスフェノール BNP 濃度:式(A)構造単位の全構造単位に対する割合
(mol%)。 BPM 濃度:式(B)構造単位の全構造単位に対する割合
(mol%)。 極限粘度:0.5g/100cc ジクロロメタン樹脂溶液を20
℃、ハギンズ定数0.45で極限粘度[η](dl/g)を求め
た。
【0041】
【発明の効果】本発明より、優れた成形性、低複屈折性
を両立した光記録媒体用成形材料を提供できる。特に、
高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスク
および光磁気ディスクに好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J029 AA09 AB01 AB02 AB04 AC02 AD01 AD10 AE04 AE05 BB16A BC09 HA01 HC01 JA091 JB191 JC031 JC091 JC221 KB25 KE09 5D029 KA07 KC07

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(A)および一般式(B)で表さ
    れる構造単位を有し、一般式(A)の構造単位が全構造
    単位中 5〜40mol%であり、かつ極限粘度が0.30〜0.50dl
    /gであるポリカーボネートからなる光記録媒体用成形材
    料。 【化1】 【化2】
  2. 【請求項2】 1,1'−ビ−2-ナフトール及び4,4'-[1,3-
    フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスフェノー
    ルを、炭酸エステル形成化合物と反応させてなる請求項
    1記載の光記録媒体用成形材料。
  3. 【請求項3】 分子末端が一般式(C)で表される一価
    フェノールより誘導された請求項1記載の光記録媒体用
    成形材料。 【化3】 (式中、R1 は炭素数4〜20のアルキル基を示し、R
    2 〜R3 は各々独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル
    基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数1〜6のアル
    コキシ基又は炭素数6〜12のアリール基を表す。Zは
    エステル基、エーテル基、カルボニル基を表すか、単に
    結合を表す。)
  4. 【請求項4】 アルカリ水溶液と有機溶媒存在下で、1,
    1'−ビ−2-ナフトール及び4,4'-[1,3-フェニレンビス
    (1-メチルエチリデン)]ビスフェノールにホスゲンを
    吹き込んだ後、第四級アンモニウム塩を添加し重縮合反
    応を開始させ、次に分子量調節剤となる一価フェノール
    を添加し、さらに三級アミン重合触媒を添加し、重縮合
    を促進せしめることを特徴とする請求項1記載の光記録
    媒体用成形材料の製造方法。
  5. 【請求項5】 第四級アンモニウム塩が、トリエチルベ
    ンジルアンモニウムクロライド、トリメチルベンジルア
    ンモニウムクロライドである請求項4記載の光記録媒体
    用成形材料の製造方法。
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