JP2000301711A - Surface treatment method, production of ink jet recording medium and ink jet recording medium - Google Patents
Surface treatment method, production of ink jet recording medium and ink jet recording mediumInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、空隙構造を有する
基体およびその製造技術に関し、より詳しくはインクジ
ェット記録方式を用いて高画質の画像を形成するのに有
効な記録媒体、そしてその製造技術に関するものであ
る。より詳しくは、紙やプラスチックフィルムなどを支
持体とする基体に対し、大気圧もしくはその近傍の圧力
下で放電プラズマ処理を施してインク受像性能を向上さ
せる技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate having a void structure and a technique for manufacturing the same, and more particularly, to a recording medium effective for forming a high-quality image using an ink jet recording method, and a technique for manufacturing the same. Things. More specifically, the present invention relates to a technique for improving the ink receiving performance by subjecting a substrate having a support such as paper or a plastic film to a discharge plasma treatment at or near atmospheric pressure.
【0002】[0002]
【従来の技術】広義のインクジェット方式には、例えば
バブルジェット方式、ピエゾ電極方式などが含まれるも
のであるが、これは静電記録方式によるレーザープリン
ターに比べて装置・ランニングコストともに安価である
ため、広く民生用として販売されており、盛んに開発が
行われている。2. Description of the Related Art The ink jet system in a broad sense includes, for example, a bubble jet system, a piezo electrode system, and the like. It is widely sold for consumer use and is under active development.
【0003】周知の通り、インクジェット方式はインク
を微細な孔から噴射し、記録媒体に衝突させて画像を形
成する技術である。なお本明細書中では、インク滴が記
録媒体の受像面に到達して画像が形成される際の挙動を
表現するのに「衝突」または「到達」あるいは「着弾」
という語を同義で用いるものとする。また、インクジェ
ット方式で画像を形成するに際して、特に文字データで
なく画像データなどを形成する場合、記録媒体は、イン
ク滴噴射装置(プリンタヘッドとも言う)から噴射され
たインクを正しい位置に着弾させ、受像面の面方向には
にじみがないように、迅速且つ充分に吸収させることを
求められる。As is well known, the ink jet method is a technique in which an image is formed by ejecting ink from fine holes and colliding with a recording medium. In the present specification, “collision”, “arrival”, or “landing” is used to express the behavior when an ink droplet reaches an image receiving surface of a recording medium to form an image.
Is used synonymously. Further, when forming an image by an ink jet method, particularly when forming image data instead of character data, the recording medium causes ink ejected from an ink droplet ejecting device (also called a printer head) to land on a correct position, It is required to absorb light quickly and sufficiently so that there is no blur in the surface direction of the image receiving surface.
【0004】このようなインクジェット方式の記録媒体
としては、普通紙が用いられることが多いが、インクの
開発により、布などにも印刷が可能となっている。また
インクの微粒子化・多色化、あるいは印字ヘッドの精密
な位置制御による高画質化に伴い、多品種少量生産や、
少部数の印刷にもインクジェット方式が導入され始めて
いる。[0004] Plain paper is often used as such an ink jet recording medium. However, the development of ink has made it possible to print on cloth and the like. In addition, along with finer and multi-colored ink, or higher image quality by precise position control of the print head,
Inkjet systems have also begun to be introduced for printing small numbers of copies.
【0005】さて最近では1200dpi以上の精細な印刷が
可能なインクジェットプリンタが販売されており、この
ような機種は単に精細な印刷をするのみでなく、高速印
刷機能も兼ね備えている。[0005] Recently, ink jet printers capable of printing at a high resolution of 1200 dpi or more have been sold. Such models not only perform fine printing but also have a high-speed printing function.
【0006】すなわちインクジェットプリンタは高画質
化・高速化が求められており、それはプリンタのみなら
ず、プリンタを駆動するソフトウェアに始まり、イン
ク、記録媒体にまで研究開発が及んでいる。例えば現在
の民生品では、1999年1月現在、最小6pl(1兆
分の6リットル)という粒子が採用されているものがあ
る。[0006] That is, the ink jet printer is required to have high image quality and high speed. The research has been conducted not only on the printer but also on the software for driving the printer, and also on the ink and the recording medium. For example, as of January 1999, some of the current consumer products employ particles as small as 6 pl (6 liters per trillion).
【0007】そして同時に、記録媒体そのものを高画質
化に寄与させるための専用印刷紙が提案され、その専用
記録紙の需要も高まってきている。At the same time, special printing paper for contributing to higher image quality of the recording medium itself has been proposed, and the demand for the special recording paper has been increasing.
【0008】上述の通り、インクジェット方式は、イン
クを記録媒体に噴射して衝突させる方式のため、記録媒
体がインクのにじみやすいものである場合は画像の鮮鋭
性が低下するし、逆にインクとの親和性が低かったり、
インクをはじいてしまうと像形成が不可能になる。As described above, the ink jet system is a system in which ink is ejected onto a recording medium and collides with the recording medium. Therefore, when the recording medium is liable to bleed the ink, the sharpness of an image is reduced. Has low affinity,
If the ink is repelled, image formation becomes impossible.
【0009】これまでに提案され、あるいは販売されて
いる専用記録紙は、基材となる紙・プラスチックフィル
ム(PET、PE、PP、PENなど)の表面にゼラチ
ン・PVAなどの有機質または無機質(シリカ等)を主
成分とする機能層を塗布することにより形成し、インク
の受像性能を向上させたものである。[0009] Special recording papers proposed or sold so far include organic or inorganic (silica) materials such as gelatin and PVA on the surface of paper or plastic film (PET, PE, PP, PEN, etc.) as a base material. ) Is formed by applying a functional layer containing (i.e., the same) as a main component, thereby improving the image receiving performance of the ink.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかし塗布による方法
のみでは、空隙内部の「ぬれ」などの表面物性をコント
ロールすることは極めて困難である。また、インクは各
メーカーや製品ごとによって品種・品質・性能に差があ
るため、インクとの相性なども考慮に入れると万能な塗
布層の処方を決定することは困難であるし、またこれを
適宜変更してインク受像性能をコントロールすることも
容易ではない。However, it is extremely difficult to control surface properties such as "wetting" inside the voids only by a coating method. In addition, since there is a difference in the type, quality, and performance of each ink from each manufacturer and product, it is difficult to determine the prescription of a universal coating layer, taking into account the compatibility with the ink. It is not easy to control the ink receiving performance by changing it appropriately.
【0011】また、印刷後の接着・転写の問題がある。
これは印刷したインクがちょうど接着剤のように働いて
しまう現象である。具体的には印刷物を密着させて重ね
た場合、受像面が他の紙面などにくっついてしまい、こ
れを無理にはがした場合、印刷像が転写するか、甚だし
くは剥がれたり破れたりする現象である。There is also a problem of adhesion and transfer after printing.
This is a phenomenon where the printed ink works just like an adhesive. Specifically, when the printed matter is closely adhered and overlapped, the image receiving surface sticks to other paper surface etc.If this is forcibly peeled, the printed image will be transferred or severely peeled or torn. is there.
【0012】さらに印刷速度向上によって、インクの噴
射ピッチ(時間間隔)が短くなったため、「位置ずれ」
発生の問題が生じてきている。これは受像面に着弾した
インク滴が、受像面から面内にしみ込む速度が遅い場
合、図13のように、先に着弾して紙面にしみ込みきっ
ていないインク滴に、次に着弾したインクが引き寄せら
れてしまい、本来意図した位置からずれてしまう現象で
ある。この結果、本来あるべきなのにインクがない(イ
ンク滴が狙い通りの位置に着弾しない)場所が生じ、色
彩性が著しく劣化する。[0012] Further, the ink ejection pitch (time interval) is shortened due to the improvement of the printing speed.
An outbreak problem is emerging. This is because, when the speed at which the ink droplets landed on the image receiving surface penetrates into the surface from the image receiving surface is low, as shown in FIG. Is attracted and deviates from the originally intended position. As a result, there is a place where there should be no ink where it should be (ink drops do not land at a target position), and the chromaticity is significantly deteriorated.
【0013】さらに受像性能を向上させたことによる逆
効果も生じている。それは第1に「汚れ」の問題であ
り、例えば手指によって受像面に触れた場合、汚れ・指
紋が付いたり、吸湿によって受像層が膨潤し、像が乱れ
る等の点である。第2には「横にじみ」の増大である。
これは受像面に着弾したインクが面方向に広がってしま
い、隣り合って着弾したインクと混じり合い、不要な混
色を生じてしまう問題である。[0013] Further, an adverse effect is also brought about by improving the image receiving performance. The first is the problem of "dirt". For example, when the image receiving surface is touched with a finger, dirt and fingerprints are attached, and the image receiving layer swells due to moisture absorption, and the image is disturbed. The second is an increase in “lateral bleeding”.
This is a problem in that the ink that has landed on the image receiving surface spreads in the surface direction, mixes with the ink that has landed adjacently, and causes unnecessary color mixing.
【0014】これは受像性能を向上させると共に顕在化
する問題点であるが、現在のところ有効な解決策が見い
だされておらず、各社とも手探りで記録媒体を開発して
いる状況である。例えば特開平10-193783号公報に記載
されている技術の場合、密な構造の受像層を形成し、そ
の表面を親水化させる技術を提案しているが、表面のみ
の親水化はいたずらに面方向の広がりを助長するのみで
あり、逆に品質を低下させてしまう。Although this is a problem that becomes more apparent as the image receiving performance is improved, no effective solution has been found at present, and each company is developing a recording medium by groping. For example, in the case of the technology described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-193783, a technique of forming an image receiving layer having a dense structure and making the surface hydrophilic has been proposed. It only promotes the spread in the direction, and conversely reduces the quality.
【0015】そこで本願発明者らは検討の結果、噴射さ
れたインクが受像面に対してしみこみやすいこと、換言
すれば記録媒体の厚さ方向(深さ方向とも言う)の吸水
能力(容量、速度の両方の観点)が重要な要素であるこ
とを解明し、具体的には空隙構造の内部を親水化させ、
受像面の吸水効率・吸水速度を向上させることによって
隣り合って着弾するインク滴(ドットとも言う)同士の
干渉を抑制し、インクジェット方式の記録性能を向上さ
せることができる点を見いだした。Therefore, the inventors of the present application have studied and found that the ejected ink easily permeates the image receiving surface, in other words, the water absorbing capacity (capacity, speed) in the thickness direction (also referred to as the depth direction) of the recording medium. ) Is an important element, specifically, hydrophilizing the inside of the void structure,
It has been found that by improving the water absorption efficiency and the water absorption speed of the image receiving surface, interference between ink droplets (also referred to as dots) that land adjacently can be suppressed, and the recording performance of the ink jet system can be improved.
【0016】さらに親水化とは逆に、最表面を撥水化す
ることにより、紙面の汚れ等の対策として有効であるこ
とも見いだした。Further, it has been found that, contrary to the hydrophilicity, by making the outermost surface water-repellent, it is effective as a measure against stains on the paper surface.
【0017】そしてインクジェット記録媒体として大変
有効であるのは表層が親水化され、表面のみが撥水化さ
れているものが高い受像能力を有することを見いだし
た。It has been found that an ink jet recording medium that is very effective has a high image receiving ability when the surface layer is made hydrophilic and only the surface is made water-repellent.
【0018】しかし塗布層の膜物性を変化させて受像性
能を向上させる方法については上述の通り安価でインク
の性能に応じて切り替えが容易、かつ効果的な手段がみ
つかっていない。また受像性能向上にともなう「汚れ」
の顕在化、「横にじみ」の増大についても、受像性能と
相反する課題であるため、両者を両立させうる解決策は
提案されていない。However, as described above, no effective means has been found for changing the film physical properties of the coating layer to improve image receiving performance, which is inexpensive, easy to switch in accordance with the performance of the ink, and effective. "Dirt" associated with improved image receiving performance
And the increase of “horizontal bleeding” are also issues that conflict with the image receiving performance, and no solution has been proposed that can achieve both.
【0019】ところで、支持体の表面性改質について
は、様々な技術が提案されている。例えば塗布を行うに
あたって、接着性(膜付き)を向上させるため表面処理
については、コロナ放電処理・真空グロー放電処理・火
炎処理をはじめ、最近提案されている大気圧プラズマ表
面処理技術等がある。特に最後の大気圧プラズマ処理に
ついては特開平3−143930号、特開平4−745
25号、特公平2−48626号、特公平6−7230
8号、特公平7−48480号公報等に詳しく記載され
ており、その特徴は大気圧あるいはその近傍の圧力下、
アルゴンガスもしくはヘリウムガスを主成分とする雰囲
気中で放電を行いプラズマを発生させて、このプラズマ
により支持体に表面処理を行う点である。Various techniques have been proposed for modifying the surface properties of the support. For example, when performing coating, surface treatments for improving adhesion (with a film) include corona discharge treatment, vacuum glow discharge treatment, flame treatment, and recently proposed atmospheric pressure plasma surface treatment technology. Particularly, the last atmospheric pressure plasma treatment is described in JP-A-3-143930 and JP-A-4-745.
No. 25, No. 2-48626, No. 6-7230
No. 8, Japanese Patent Publication No. 7-48480, and the like.
Discharge is performed in an atmosphere containing argon gas or helium gas as a main component to generate plasma, and the plasma is used to perform a surface treatment on the support.
【0020】本願発明者らは、これらのような表面改質
技術が、インク受像層の受像性能を大幅に改善し、さら
に「汚れ」の問題・「位置ずれ」の発生も解決すること
を確認し、本願発明を成すに至った。The inventors of the present invention have confirmed that such a surface modification technique can significantly improve the image receiving performance of the ink image receiving layer, and can also solve the problem of "dirt" and the occurrence of "position shift". Thus, the present invention has been accomplished.
【0021】しかし、プラズマ処理は、プラズマの発生
条件が厳しいことや、そのコントロールが難しい問題が
ある。However, the plasma processing has problems that the conditions for generating plasma are severe and that the control thereof is difficult.
【0022】さらにプラズマ処理においては反応ガス中
の水分が官能基付与に寄与するが、付与効率向上のため
に水分の割合を多くすると、電源の出力低下や、放電不
安定化を生じるという問題があった。Further, in the plasma treatment, the moisture in the reaction gas contributes to the addition of the functional group. However, when the proportion of the water is increased to improve the efficiency of the application, the output of the power supply is reduced and the discharge becomes unstable. there were.
【0023】これに対し検討の結果、特にプラズマ処理
におけるプラズマのコントロールについてインク受像層
の改善に非常に効果がある条件を見い出した。On the other hand, as a result of the study, it was found out that conditions for controlling the plasma in the plasma treatment were very effective in improving the ink receiving layer.
【0024】すなわち本願発明の第1の課題は、表面改
質方法を用いてインクジェット方式に用いる記録媒体の
受像性能を向上させることにある。That is, a first object of the present invention is to improve the image receiving performance of a recording medium used in an ink jet system by using a surface modification method.
【0025】本願発明の第2の課題は、表面改質方法を
用いてインクジェット方式に用いる記録媒体の「汚れ」
の問題を低減・解消させることにある。A second object of the present invention is to provide a recording medium used in an ink jet system using a surface modification method.
The problem is to reduce and eliminate the problem.
【0026】本願発明の第3の課題は、表面改質方法を
用いてインクジェット方式に用いる記録媒体の「横にじ
み」の発生を低減・解消させることにある。A third object of the present invention is to reduce or eliminate the occurrence of "horizontal bleeding" of a recording medium used in an ink jet system by using a surface modification method.
【0027】本願発明の第4の課題は、表面改質方法に
用いるプラズマの発生条件を好適なものにすることにあ
る。A fourth object of the present invention is to make suitable conditions for generating plasma used in the surface modification method.
【0028】[0028]
【課題を解決するための手段】(1)空隙構造を有する
表面層を備えた支持体上に対し、プラズマ処理を行うこ
とを特徴とする支持体の表面処理方法。 (2)前記プラズマ処理によって前記支持体に官能基を
付与することを特徴とする(1)の表面処理方法。 (3)前記プラズマ処理によって前記空隙を粗面化する
ことを特徴とする(1)の表面処理方法。 (4)前記プラズマ処理を、不活性ガスを主体とする雰
囲気下で発生させることを特徴とする(1)の表面処理
方法。 (5)前記空隙を有する表面層は、前記支持体の表層で
あることを特徴とする(1)の表面処理方法。 (6)前記空隙を有する表面層は、前記支持体上に設け
られた塗布層であることを特徴とする(1)の表面処理
方法。 (7)前記プラズマ処理によって前記空隙の内部及び/
又は表層を親水化させることを特徴とする(1)の表面
処理方法。 (8)前記プラズマ処理によって前記空隙の少なくとも
表層の撥水性を向上させることを特徴とする(1)の表
面処理方法。 (9)前記プラズマ処理をコロナ放電により行うことを
特徴とする(7)記載の表面処理方法。 (10)前記プラズマ処理を火炎により行うことを特徴
とする(7)記載の表面処理方法。 (11)前記プラズマ処理を真空または大気圧下または
大気圧近傍の圧力下でグロー放電によって行うことを特
徴とする(7)または(8)記載の表面処理方法。 (12)前記プラズマ処理を行う雰囲気が絶対湿度で、
0.005 [kg−水蒸気/kg−乾きガス]以上である
ことを特徴とする(1)の処理方法。 (13)前記プラズマ処理によって親水化処理を行った
後、撥水化処理を行うことを特徴とする(1)記載の表
面処理方法。 (14)前記支持体をプラズマ処理を行うためのガス雰
囲気中に存在させ、前記空隙構造に前記ガスを充満させ
たのち、前記プラズマ処理を行うことを特徴とする
(1)記載の表面処理方法。 (15)前記支持体はインクジェット記録媒体であるこ
とを特徴とする(1)記載の表面処理方法。 (16)(1)ないし(14)の表面処理方法を用いて
製造したことを特徴とするインクジェット記録媒体。 (17)パルス化された電界中で発生させたプラズマを
用いて、空隙構造を有する表面層を備えた支持体に対し
てプラズマ処理を行うことを特徴とする支持体の表面処
理方法。 (18)前記プラズマが発生する雰囲気の絶対湿度が、
0.005 [kg−水蒸気/kg−乾きガス]以上である
ことを特徴とする(17)の表面処理方法。 (19)前記プラズマ処理によって前記支持体に官能基
を付与することを特徴とする(17)の表面処理方法。 (20)前記プラズマ処理によって前記空隙を粗面化す
ることを特徴とする(17)の表面処理方法。 (21)前記空隙を有する表面層は、前記支持体の表層
であることを特徴とする(17)の表面処理方法。 (22)前記空隙を有する表面層は、前記支持体上に設
けられた塗布層であることを特徴とする(17)の表面
処理方法。 (23)前記表面改質によって前記空隙の内部及び/又
は表層を親水化させることを特徴とする(17)の表面
処理方法。 (24)前記表面改質によって前記空隙の少なくとも表
層を撥水化させることを特徴とする(17)の表面処理
方法。 (25)前記プラズマ処理をグロー放電によって行うこ
とを特徴とする(17)記載の表面処理方法。 (26)前記プラズマ処理を大気圧下または大気圧近傍
の圧力下で行うことを特徴とする(17)記載の表面処
理方法。 (27)前記プラズマ処理を大気下で行うことを特徴と
する(17)記載の表面処理方法。 (28)前記プラズマ処理を、30体積%以上の反応ガ
スを含んだ雰囲気下で発生させることを特徴とする(1
7)の表面処理方法。 (29)前記プラズマ処理を行う雰囲気が絶対湿度で、
0.005 [kg−水蒸気/kg−乾きガス]以上である
ことを特徴とする(17)の処理方法。 (30)前記プラズマ処理によって親水化処理を行った
後、撥水化処理を行うことを特徴とする(17)記載の
表面処理方法。 (31)前記支持体はインクジェット記録媒体であるこ
とを特徴とする(17)記載の表面処理方法。 (32)(17)ないし(30)の表面処理方法を用い
て製造したことを特徴とするインクジェット記録媒体。 (33)連続搬送される支持体に対し、前処理を行い、
次いで塗布液を前記支持体に塗布してから乾燥して機能
層を形成した後、該機能層に後処理を施すことを連続的
に一貫工程で行うこと特徴とするインクジェット記録媒
体の製造方法。 (34)前記前処理はプラズマ処理であることを特徴と
する(33)記載のインクジェット記録媒体の製造方
法。 (35)前記前処理はコロナ放電処理であることを特徴
とする(33)記載のインクジェット記録媒体の製造方
法。 (36)前記後処理はプラズマ処理であることを特徴と
する(33)記載のインクジェット記録媒体の製造方
法。 (37)前記プラズマ処理は、パルス化された電界中で
発生させたプラズマを用いて行うことを特徴とする(3
3)のインクジェット記録媒体の製造方法。 (38)前記プラズマが発生する雰囲気の絶対湿度が、
0.005 [kg−水蒸気/kg−乾きガス]以上である
ことを特徴とする(33)の表面処理方法。Means for Solving the Problems (1) A method for treating the surface of a support, wherein a plasma treatment is performed on the support having a surface layer having a void structure. (2) The surface treatment method according to (1), wherein a functional group is provided to the support by the plasma treatment. (3) The surface treatment method according to (1), wherein the gap is roughened by the plasma treatment. (4) The surface treatment method according to (1), wherein the plasma treatment is generated in an atmosphere mainly containing an inert gas. (5) The surface treatment method according to (1), wherein the surface layer having voids is a surface layer of the support. (6) The surface treatment method according to (1), wherein the surface layer having the voids is a coating layer provided on the support. (7) The inside of the gap and / or
Alternatively, the surface treatment method according to (1), wherein the surface layer is made hydrophilic. (8) The surface treatment method according to (1), wherein the water repellency of at least a surface layer of the gap is improved by the plasma treatment. (9) The surface treatment method according to (7), wherein the plasma treatment is performed by corona discharge. (10) The surface treatment method according to (7), wherein the plasma treatment is performed by a flame. (11) The surface treatment method according to (7) or (8), wherein the plasma treatment is performed by glow discharge under vacuum or under atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure. (12) The atmosphere in which the plasma processing is performed is absolute humidity,
(1) The treatment method according to (1), wherein the amount is not less than 0.005 [kg-steam / kg-dry gas]. (13) The surface treatment method according to (1), wherein a water-repellent treatment is performed after the hydrophilic treatment is performed by the plasma treatment. (14) The surface treatment method according to (1), wherein the support is present in a gas atmosphere for performing a plasma treatment, and the plasma treatment is performed after the gap structure is filled with the gas. . (15) The surface treatment method according to (1), wherein the support is an ink jet recording medium. (16) An ink jet recording medium manufactured by using the surface treatment method of (1) to (14). (17) A method for treating a surface of a support, comprising performing plasma treatment on a support having a surface layer having a void structure using plasma generated in a pulsed electric field. (18) The absolute humidity of the atmosphere in which the plasma is generated is
(17) The surface treatment method according to (17), wherein the amount is not less than 0.005 [kg-steam / kg-dry gas]. (19) The surface treatment method according to (17), wherein a functional group is imparted to the support by the plasma treatment. (20) The surface treatment method according to (17), wherein the gap is roughened by the plasma treatment. (21) The surface treatment method according to (17), wherein the surface layer having voids is a surface layer of the support. (22) The surface treatment method according to (17), wherein the surface layer having voids is a coating layer provided on the support. (23) The surface treatment method according to (17), wherein the inside and / or the surface layer of the void is made hydrophilic by the surface modification. (24) The surface treatment method according to (17), wherein at least a surface layer of the void is made water-repellent by the surface modification. (25) The surface treatment method according to (17), wherein the plasma treatment is performed by glow discharge. (26) The surface treatment method according to (17), wherein the plasma treatment is performed under an atmospheric pressure or a pressure near the atmospheric pressure. (27) The surface treatment method according to (17), wherein the plasma treatment is performed in the atmosphere. (28) The plasma processing is performed in an atmosphere containing 30% by volume or more of a reaction gas.
7) The surface treatment method. (29) The atmosphere for performing the plasma processing is an absolute humidity,
(17) The treatment method according to (17), wherein the amount is not less than 0.005 [kg-steam / kg-dry gas]. (30) The surface treatment method according to (17), wherein after performing the hydrophilic treatment by the plasma treatment, a water-repellent treatment is performed. (31) The surface treatment method according to (17), wherein the support is an ink jet recording medium. (32) An inkjet recording medium manufactured by using the surface treatment method according to any one of (17) to (30). (33) Pretreating the continuously transported support,
A method for producing an ink jet recording medium, comprising: applying a coating liquid to the support, drying the coating to form a functional layer, and performing post-processing on the functional layer in a continuous process. (34) The method for manufacturing an ink jet recording medium according to (33), wherein the pretreatment is a plasma treatment. (35) The method for producing an ink jet recording medium according to (33), wherein the pretreatment is a corona discharge treatment. (36) The method for producing an ink jet recording medium according to (33), wherein the post-treatment is a plasma treatment. (37) The plasma processing is performed by using plasma generated in a pulsed electric field (3).
3) The method for producing an ink jet recording medium. (38) The absolute humidity of the atmosphere in which the plasma is generated is
(33) The surface treatment method according to (33), wherein the amount is not less than 0.005 [kg-steam / kg-dry gas].
【0029】また換言すれば、本願発明は、次のような
表現をして記述することもできる。 (1)支持体上に、空隙構造を有する空隙層を備えた基
材の改質方法において、前記基材に対し、プラズマ処理
を施すことを特徴とする基材の改質方法。 (2)前記プラズマ処理によって前記基材に官能基を付
与することを特徴とする(1)の表面処理方法。 (3)前記プラズマ処理によって前記空隙を粗面化する
ことを特徴とする(1)の基材の改質方法。 (4)前記空隙層は、粒子を含有し、前記プラズマ処理
により、前記粒子を粗面化する。 (5)前記プラズマ処理を、不活性ガスを主体とする雰
囲気下で発生させる。 (6)前記空隙層は、前記支持体から最も離れた位置に
備えられている。 (7)前記空隙層は、前記支持体上に、塗布により設け
られた層である。 (8)前記プラズマ処理により、前記空隙層の内部およ
び空隙層の表層の少なくとも一方が親水化される。 (9)前記プラズマ処理により、前記空隙層の表層が撥
水化される。 (10)プラズマ処理をコロナ放電により行うことを特
徴とする (11)前記プラズマ処理を真空または大気圧下または
大気圧近傍の圧力下でグロー放電によって行う。 (12)前記プラズマ処理によって親水化処理を行った
後、撥水化処理を行う。 (13)前記プラズマ処理を施すステップの前に、前記
基材をガス雰囲気中に存在させ、前記空隙構造に前記ガ
スを導入させる。 (14)前記基材は、インクジェットペーパーである。 (15)前記プラズマ処理は、パルス化された電界中で
発生させたプラズマを用いて施される。 (16)前記プラズマ処理を施すステップは、ガスをプ
ラズマ状態にするステップと、プラズマ状態になったガ
スを前記空隙構造に導入するステップとを有する。 (17)前記プラズマ処理を施すステップの前に、前記
空隙構造にガスを導入させるステップを有し、前記プラ
ズマ処理は、前記空隙構造にガスが導入された前記基材
に対して放電を行うことにより施される。 (18)支持体上に空隙構造を有する空隙層を備えたイ
ンクジェットペーパーの製造方法において、前記空隙層
に、プラズマ処理を施す。 (19)(18)の方法において、前記プラズマ処理を
施す前に、前記支持体上に空隙層を形成する。In other words, the present invention can be described by expressing the following expressions. (1) A method for modifying a base material provided with a void layer having a void structure on a support, wherein the substrate is subjected to a plasma treatment. (2) The surface treatment method according to (1), wherein a functional group is provided to the substrate by the plasma treatment. (3) The method for modifying a base material according to (1), wherein the gap is roughened by the plasma treatment. (4) The void layer contains particles, and the particles are roughened by the plasma treatment. (5) The plasma treatment is generated in an atmosphere mainly composed of an inert gas. (6) The gap layer is provided at a position farthest from the support. (7) The gap layer is a layer provided by coating on the support. (8) By the plasma treatment, at least one of the inside of the gap layer and the surface layer of the gap layer is hydrophilized. (9) The surface of the void layer is made water-repellent by the plasma treatment. (10) The plasma processing is performed by corona discharge. (11) The plasma processing is performed by glow discharge under vacuum or under or near atmospheric pressure. (12) After performing the hydrophilic treatment by the plasma treatment, a water-repellent treatment is performed. (13) Before the step of performing the plasma treatment, the base material is present in a gas atmosphere, and the gas is introduced into the void structure. (14) The base material is an inkjet paper. (15) The plasma treatment is performed using plasma generated in a pulsed electric field. (16) The step of performing the plasma treatment includes a step of bringing a gas into a plasma state and a step of introducing the gas in a plasma state into the void structure. (17) before the step of performing the plasma processing, the method includes a step of introducing a gas into the void structure, wherein the plasma processing discharges the base material into which the gas has been introduced into the void structure. It is performed by. (18) In the method for producing an ink jet paper having a gap layer having a gap structure on a support, the gap layer is subjected to a plasma treatment. (19) In the method of (18), a void layer is formed on the support before performing the plasma treatment.
【0030】[0030]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明するが、本願発明はこの形態に限られるものでは
ない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these embodiments.
【0031】図15は、本実施形態のプラズマ処理前の
基材の断面図である。支持体上にゼラチン層などの下引
層を設け、その上に空隙を有する受像層(機能層)を設
けている。FIG. 15 is a cross-sectional view of the substrate before the plasma processing according to the present embodiment. An undercoat layer such as a gelatin layer is provided on a support, and an image receiving layer (functional layer) having voids is provided thereon.
【0032】なお、本明細書においては、受像層の最上
部を「表層」と呼び、空隙層内部の粒子の表面を「表
面」と呼ぶものとする。In the present specification, the uppermost part of the image receiving layer is referred to as “surface layer”, and the surface of the particles inside the void layer is referred to as “surface”.
【0033】本発明に用いる、空隙構造を有する基材の
支持体には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンから選
ばれるフィルム及び紙等が用いられる。As the support of the substrate having a void structure used in the present invention, a film and paper selected from polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene are used.
【0034】特にインクジェット用記録媒体を製造する
場合には、例えばパルプ原紙の両面にPPの層を形成し
た支持体面上に、ゼラチンの薄膜を塗布し、さらにその
上に主にシリカとPVAとを分散した水系塗布液を単層
あるいは多層塗布し、乾燥することによって受像層(機
能層)を形成した記録媒体を作成し、この受像層にプラ
ズマ処理を行うことにより、受像性能を向上させる。層
構成については同じ成分の塗布液を重層塗布したもので
も良いし、必要に応じて塗布液の組成、膜厚、層数を選
択可能である。また、受像層は塗布により形成すること
が好ましいが、他の方法により形成しても構わない。In particular, when an ink jet recording medium is manufactured, for example, a thin gelatin film is coated on a support having a PP layer formed on both sides of a pulp base paper, and silica and PVA are mainly coated thereon. The recording medium in which the image receiving layer (functional layer) is formed by applying the dispersed aqueous coating liquid in a single layer or a multi-layer, and drying, and performing plasma treatment on the image receiving layer, thereby improving the image receiving performance. With respect to the layer constitution, a coating liquid having the same components may be applied in a multi-layer coating, or the composition, film thickness and number of layers of the coating liquid can be selected as necessary. The image receiving layer is preferably formed by coating, but may be formed by another method.
【0035】受像層形成のための塗布については従来か
ら感光材料の製造などに適用するための技術が提案され
ており、これらの技術を応用することができる。例え
ば、ファウンテン型、エクストルージョン型、ワイヤー
バー型、ブレード型、スライドホッパー型、カーテン型
等、適宜好ましい方法を選択することができる。とくに
広幅の支持体に対し、高速で重層薄膜塗布を行う場合、
スライドホッパー型、カーテン型の技術を用いることが
好ましい。With respect to coating for forming an image receiving layer, techniques have been proposed for application to the production of photosensitive materials and the like, and these techniques can be applied. For example, a suitable method such as a fountain type, an extrusion type, a wire bar type, a blade type, a slide hopper type, and a curtain type can be appropriately selected. Especially when applying a multilayer thin film on a wide support at high speed,
It is preferable to use a slide hopper type or curtain type technology.
【0036】受像層は、シリカとPVAとによって構成
されており、具体的にはシリカ粒子の上にPVAの被膜
が形成され、この粒子が空隙を有した状態で多数凝結し
ている。そしてインクジェットのインク滴が受像層に到
達すると、この空隙にインクがしみこんで画像が形成さ
れる。The image receiving layer is composed of silica and PVA. Specifically, a PVA film is formed on silica particles, and a large number of these particles are aggregated in a state having voids. Then, when the ink droplets of the ink jet reach the image receiving layer, the ink penetrates into the gap to form an image.
【0037】この受像層に対して親水性を付与するよう
にプラズマ処理を施したものは、シリカ表面のPVA被
膜に対して極性官能基(アミノ基、カルボキシル基、水
酸基、カルボニル基など)が多数付与されるため、イン
クの吸水効率・吸水速度が向上する。さらに受像層内部
のシリカ表面のPVA被膜の表面がエッチングによって
細かく粗面化される(アンカー効果)ため、粒子間に形
成されている空隙の表面積が増大し、この点も吸水効率
・吸水速度の向上に寄与する。さらに親水化とは逆に、
受像層の最表面(表層)を撥水化処理することにより、
インク滴が受像面の面方向(横方向ともいう)に広がる
ことを抑制し、図14に示すように「横にじみ」を防止
することができる。When the image receiving layer is subjected to a plasma treatment so as to impart hydrophilicity, the PVA coating on the silica surface has a large number of polar functional groups (amino groups, carboxyl groups, hydroxyl groups, carbonyl groups, etc.). As a result, the water absorption efficiency and water absorption speed of the ink are improved. Furthermore, the surface of the PVA coating on the silica surface inside the image receiving layer is finely roughened by etching (anchor effect), so that the surface area of voids formed between the particles increases, which is also a factor in water absorption efficiency and water absorption rate. Contribute to improvement. Furthermore, contrary to hydrophilization,
By subjecting the outermost surface (surface layer) of the image receiving layer to a water-repellent treatment,
Spreading of ink droplets in the surface direction of the image receiving surface (also referred to as the lateral direction) can be suppressed, and “lateral bleeding” can be prevented as shown in FIG.
【0038】このように、付与する性質及びその程度
(プラズマ処理の寄与度)については、電界強度、プラ
ズマ処理ガス条件(反応ガス濃度、ガス封入条件、気圧
等)、放電条件、後述する湿度条件などを変化させるこ
とにより、適宜コントロールすることができる。すなわ
ち必要に応じて親水性・撥水性付与の度合を自由に変化
させることができる。具体的には親水性・撥水性が向上
する受像層の深さ、厚さ、親水性・撥水性向上の度合な
どをÅ〜サブμmの厚さ範囲で自由に制御できる。この
ため多種多様な市場需要に対応でき、品種切換・多品種
少量生産に適している。As described above, regarding the properties to be imparted and the degree thereof (degree of contribution of plasma processing), electric field strength, plasma processing gas conditions (reaction gas concentration, gas enclosing conditions, atmospheric pressure, etc.), discharge conditions, and humidity conditions to be described later It can be controlled as appropriate by changing the parameters. That is, the degree of imparting hydrophilicity and water repellency can be freely changed as needed. More specifically, the depth and thickness of the image receiving layer having improved hydrophilicity and water repellency, the degree of improvement in hydrophilicity and water repellency, and the like can be freely controlled in the thickness range of Å to sub μm. For this reason, it can respond to a variety of market demands and is suitable for variety switching and multi-product small-lot production.
【0039】親水性処理について具体的に説明すると、
受像層内部の空隙をターゲットに処理を行う場合、放電
に必要な反応ガスを空隙に充分に封入することが効果的
であるので、ガスをパージ(充填)する時間を長くする
ことが好ましい。これは支持体をガス室に停滞させる方
法でも良いし(オフラインパージとも言う)、オンライ
ンでガスパージ工程を経る方法でも良い。ガスパージ以
外の方法では、小さい分子のガスを反応ガスとして採用
することが好ましい。分子サイズが小さいガスを使用し
た場合、反応ガスが短時間で迅速に空隙に入り込みやす
く、特にHe等を採用する事が好ましい。空隙に封入さ
れた反応ガスは簡単に外部に出ることはなく、プラズマ
処理に消費されるので、空隙の表面改質効果、つまり粒
子の表面改質効果を高める。The specific description of the hydrophilic treatment is as follows.
In the case where the processing is performed on the voids inside the image receiving layer as a target, it is effective to sufficiently fill the voids with the reaction gas necessary for discharge, and therefore it is preferable to lengthen the time for purging (filling) the gas. This may be a method of retaining the support in the gas chamber (also referred to as off-line purging) or a method of performing a gas purging step online. In a method other than the gas purge, it is preferable to employ a gas of a small molecule as a reaction gas. When a gas having a small molecular size is used, the reaction gas easily enters the void in a short time, and it is particularly preferable to use He or the like. The reaction gas sealed in the gap does not easily go out and is consumed in the plasma treatment, so that the effect of modifying the surface of the gap, that is, the effect of modifying the surface of the particles is enhanced.
【0040】撥水性処理について具体的に説明すると、
処理用ガスとしてフッ素含有化合物ガスを用いることに
より、基材表面(表層)にフッ素含有基を形成させて表
面エネルギーを低くし、撥水性表面を得ることができ
る。上記フッ素元素含有化合物としては、4フッ化炭
素、6フッ化炭素、6フッ化プロピレン、8フッ化シク
ロブタン等のフッ素-炭素化合物、1塩化3フッ化炭素
等のハロゲン-炭素化合物、6フッ化硫黄等のフッ素-硫
黄化合物等が挙げられる。安全上の観点から有害ガスで
あるフッ化水素を生成しない4フッ化炭素、6フッ化炭
素、6フッ化プロピレン、8フッ化シクロブタンを用い
ることが好ましい。The water-repellent treatment will be described specifically.
By using a fluorine-containing compound gas as the processing gas, a fluorine-containing group can be formed on the substrate surface (surface layer) to lower the surface energy and obtain a water-repellent surface. Examples of the fluorine element-containing compound include fluorine-carbon compounds such as carbon tetrafluoride, carbon hexafluoride, propylene hexafluoride, and cyclobutane octafluoride; halogen-carbon compounds such as carbon trifluoride and carbon trifluoride; And fluorine-sulfur compounds such as sulfur. From the viewpoint of safety, it is preferable to use carbon tetrafluoride, carbon hexafluoride, propylene hexafluoride and cyclobutane octafluoride, which do not generate hydrogen fluoride which is a harmful gas.
【0041】次にパルス化された電界で発生させたプラ
ズマを用いた処理について説明する。プラズマ処理は、
主に反応ガス中で電界を生ぜしめることによってプラズ
マを発生させるものであるが、この電界をパルス式の電
界にさせることにより、とくにプラズマ強度が強く、均
一になるので、処理物に対する改質効果が大きい。Next, a process using plasma generated by a pulsed electric field will be described. Plasma processing is
Plasma is generated mainly by generating an electric field in the reaction gas. By converting this electric field into a pulse-type electric field, the plasma intensity is particularly strong and uniform, so the reforming effect on the processed material Is big.
【0042】処理室内に配置された電極にパルス化され
た電界を印加することにより、放電プラズマを発生させ
るが、パルス波形は例えば図2に示す例が挙げられる
が、これに限定されず、特開平10−130851号公
報の図1(a)〜(d)のパルス波形であってもよい。図
2において、縦軸はパルス電圧、横軸は時間である。A discharge plasma is generated by applying a pulsed electric field to the electrodes arranged in the processing chamber. The pulse waveform is, for example, an example shown in FIG. 2, but is not limited thereto. The pulse waveforms shown in FIGS. 1A to 1D of Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-130851 may be used. In FIG. 2, the vertical axis represents the pulse voltage, and the horizontal axis represents time.
【0043】かかるパルス化された電界を印加すること
により発生した放電プラズマを表面処理に用いると、空
気中であっても十分表面処理機能がある。When the discharge plasma generated by applying such a pulsed electric field is used for surface treatment, it has a sufficient surface treatment function even in air.
【0044】パルス電界の周波数は、5k〜100kH
zの範囲が好ましい。The frequency of the pulse electric field is 5 to 100 kHz.
The range of z is preferred.
【0045】一つのパルス電界が印加される時間は1μ
s〜1000μsであることが好ましい。一つのパルス
電界が印加される時間というのは、図2における一つの
パルス波形のパルスが印加される時間である。The time for applying one pulse electric field is 1 μm.
It is preferably s to 1000 μs. The time during which one pulse electric field is applied is the time during which a pulse having one pulse waveform in FIG. 2 is applied.
【0046】対向電極に印加する電圧の大きさは、特に
限定されないが、電極に印加した時の電界強度が1〜1
00kV/cmとなる範囲になるようにすることが好ま
しい。The magnitude of the voltage applied to the counter electrode is not particularly limited, but the electric field strength when applied to the electrode is 1 to 1
It is preferable to set the range to be 00 kV / cm.
【0047】次に雰囲気の湿度をコントロールして、プ
ラズマの発生度合・処理強度を変化させる技術について
説明する。Next, a technique for controlling the humidity of the atmosphere to change the degree of plasma generation and the processing intensity will be described.
【0048】上述の通り、プラズマ処理は空気中の水分
(H2O)が反応ガスとして寄与するが、この割合が多
いと従来の電源では出力低下したり、又は放電不安定化
(プラズマ処理の不均一化)を生じていた。As described above, in the plasma treatment, the moisture (H 2 O) in the air contributes as a reaction gas, but if this ratio is large, the output of the conventional power supply decreases or the discharge becomes unstable (the plasma treatment becomes unstable). (Uniformity).
【0049】これに対してパルス化電界を用いてプラズ
マを発生させることにより、H2Oが豊富にある雰囲気
下における放電(均一なプラズマ発生)が可能となり、
上記の様な問題点を解決できる。On the other hand, by generating a plasma using a pulsed electric field, discharge (uniform plasma generation) in an atmosphere rich in H 2 O becomes possible.
The above problems can be solved.
【0050】特にH2OはO2やCO2に比べて、プラズ
マ発生時の副産物であるオゾンの発生が少ない上、表面
改質効果もあることから非常に有効である。In particular, H 2 O is very effective because it produces less ozone, which is a by-product of plasma generation, and has a surface modification effect, as compared with O 2 and CO 2 .
【0051】また、雰囲気に存在する水分の割合は絶対
湿度で0.005[kg−水蒸気/kg−乾きガス]以上
が好ましいが、より好ましくは0.009[kg−水蒸
気/kg−乾きガス]以上、更に好ましくは0.012
[kg−水蒸気/kg−乾きガス]以上である。The moisture content in the atmosphere is preferably at least 0.005 [kg-steam / kg-dry gas] in absolute humidity, more preferably 0.009 [kg-steam / kg-dry gas]. Above, more preferably 0.012
It is more than [kg-steam / kg-dry gas].
【0052】絶対湿度は定温度湿度図表(湿り線図とも
いわれる)を参照して求めることができる。The absolute humidity can be determined with reference to a constant temperature / humidity chart (also called a wetness chart).
【0053】また「0.005[kg−水蒸気/kg−乾
きガス]以上」とは、例えば(1)温度20℃の時は、
相対湿度35%以上、(2)温度25℃の時は、相対湿
度25%以上、(3)温度30℃の時は、相対湿度19
%以上を示すものである。Further, "0.005 [kg-steam / kg-dry gas] or more" means, for example, (1) at a temperature of 20 ° C.
(2) When the temperature is 25 ° C., the relative humidity is 25% or more; (3) When the temperature is 30 ° C., the relative humidity is 19
% Or more.
【0054】次に、連続的な処理を行う技術について説
明する。Next, a technique for performing continuous processing will be described.
【0055】表面改質処理する対象である基材は、受像
層を塗布によって形成されているが、前処理を行ってか
ら、連続的に塗布、後処理を行うことにより、一貫工程
で無駄なく表面処理加工されたインクジェット記録媒体
を得ることができる。The base material to be subjected to the surface modification treatment is formed by coating the image receiving layer. However, by performing the pre-treatment, and then continuously performing the coating and the post-treatment, it is possible to eliminate waste in an integrated process. An inkjet recording medium that has been subjected to a surface treatment can be obtained.
【0056】具体的には図12に記載されているよう
に、連続搬送される支持体を最初に前処理工程を通過さ
せながら前処理を行う。More specifically, as shown in FIG. 12, the pre-treatment is performed while first passing the continuously transported support through the pre-treatment step.
【0057】前処理工程は塗布液が支持体へ乗り移りや
すくするするための工程であり、具体的にはプラズマ処
理、コロナ放電処理などを用いることが好ましい。また
ゼラチンなどを塗布し、ゼラチン層を形成しても良い。The pretreatment step is a step for facilitating the transfer of the coating solution to the support. Specifically, it is preferable to use a plasma treatment, a corona discharge treatment or the like. Alternatively, gelatin or the like may be applied to form a gelatin layer.
【0058】この前処理工程を経た後、支持体は塗布工
程へ搬送される。塗布工程では、予め調製された受像層
用の塗布液が支持体に塗布される。塗布方式はカーテン
方式、スライドホッパー方式をはじめ、適宜好適な方式
を適用できる。After the pretreatment step, the support is transported to the coating step. In the coating step, a coating solution for the image receiving layer prepared in advance is applied to the support. As a coating method, a suitable method such as a curtain method and a slide hopper method can be applied.
【0059】この塗布工程においては、先の前処理工程
で支持体表面が改質されていることにより、液付き性
(膜付き性ともいう)が改善され、高速且つ薄膜の塗布
が可能になっている。In this coating step, the surface of the support is modified in the preceding pretreatment step, so that the liquid-adhering property (also referred to as film-adhering property) is improved, and high-speed and thin-film coating becomes possible. ing.
【0060】次に搬送される支持体は乾燥工程に入る。
この工程では塗布された塗布液を急速に乾燥させること
ができるように、ドライヤーの条件(温風の温度、吹き
出し量、吹き出し口の形状・大きさ・位置など)が設定
されている。The next transported support enters a drying step.
In this step, the conditions of the dryer (temperature of hot air, blowout amount, shape, size, position of blowout port, etc.) are set so that the applied coating solution can be rapidly dried.
【0061】乾燥工程を経てインク受像層が形成された
支持体(すなわち基材)は、後処理工程へ搬送される。
この後処理工程では上述してきた空隙の表面改質処理
(すなわち、受像層の空隙を形成する粒子の表面改質処
理)を施され、インク受像性能が向上する。この後処理
工程では、上述の通りプラズマ発生のために雰囲気や湿
度条件、反応ガスなどを適宜選択、適用できる。The support (namely, the substrate) on which the ink image receiving layer has been formed through the drying step is transported to the post-processing step.
In this post-processing step, the above-described surface modification of the voids (that is, the surface modification of the particles forming the voids of the image receiving layer) is performed, and the ink image receiving performance is improved. In this post-processing step, as described above, the atmosphere, humidity conditions, reaction gas, and the like for generating plasma can be appropriately selected and applied.
【0062】また、後処理工程では、プラズマ処理工程
を複数設けても良い。例えば先に親水化処理を行って受
像層の吸水能力を高め、次に撥水化処理を主に受像層の
うちの表層に行って表面汚れ対策及び横方向(面方向)
のにじみ対策を行うこともできる。In the post-processing step, a plurality of plasma processing steps may be provided. For example, a hydrophilic treatment is first performed to increase the water absorbing capacity of the image receiving layer, and then a water repellent treatment is mainly performed on the surface layer of the image receiving layer to prevent surface contamination and to prevent lateral (plane) direction.
You can also take measures to prevent bleeding.
【0063】このように連続的に一貫処理されることに
より、効率よくインクジェット記録媒体を製造できる。As described above, the ink jet recording medium can be manufactured efficiently by the continuous and continuous processing.
【0064】また、この図では図示していないが、塗布
工程と乾燥工程との前にセット工程を設けることもでき
る。塗布工程で塗布される塗布液が水系であって、バイ
ンダーを含有するものである場合、塗布後に直接乾燥工
程に入ると、乾燥風によって塗膜が乱れてしまうため、
いったん冷風によって塗膜を固め、後に乾燥を行うもの
である。Although not shown in this figure, a setting step may be provided before the coating step and the drying step. When the coating liquid applied in the coating step is water-based and contains a binder, when directly entering the drying step after coating, the coating film is disturbed by the drying air,
The coating is once hardened by cold air and then dried.
【0065】以下、具体的な処理装置について説明す
る。Hereinafter, a specific processing apparatus will be described.
【0066】図1は第1の方法及び装置を説明するため
の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram for explaining the first method and apparatus.
【0067】図1において、1は連続搬送される長尺状
の支持体であり、2は大気圧もしくはその近傍の圧力
下、連続的にプラズマ処理する処理部であり、3、4は
一対の電極である。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a long support which is continuously conveyed, reference numeral 2 denotes a processing unit which continuously performs plasma processing under atmospheric pressure or a pressure close thereto, and reference numerals 3 and 4 denote a pair of processing units. Electrodes.
【0068】処理部2は第1の方法を実施するために大
気開放状態になっており、処理室を構成しておらず、一
対の電極3、4の間に形成される間隙が処理部を構成す
る。The processing section 2 is open to the atmosphere in order to carry out the first method, does not constitute a processing chamber, and a gap formed between the pair of electrodes 3 and 4 serves as a processing section. Constitute.
【0069】処理部2には大気圧もしくはその近傍の圧
力下に自然に存在する空気があればよいが、空気の流れ
を付けたり、あるいはその流れを規制したり、整流する
ための遮蔽板やニップロールを付加することもできる。
また発生した副産物(例えばガス等)を排出、廃棄する
ための廃棄ダクトを設けることもできる。The processing section 2 only needs to have air that exists naturally under the atmospheric pressure or a pressure close to the atmospheric pressure. However, a shield plate for adding or regulating the flow of air, or for rectifying the flow of air is used. A nip roll can be added.
Further, a disposal duct for discharging and discarding generated by-products (for example, gas) can be provided.
【0070】処理部2において表面処理されると、支持
体表面への塗布性及び塗膜の膜付き性が向上し、官能基
の付与性が向上し、更に光学的、電気的、機械的等の機
能を有する表面が形成され、塗布性の向上という点でみ
れば、かかる表面処理後はすぐに塗布することが、処理
面の経時劣化を防ぐ点で好ましい。When the surface treatment is carried out in the treatment section 2, the coating property on the support surface and the coating property of the coating film are improved, the functional group imparting property is improved, and optical, electrical, mechanical, etc. From the viewpoint of improving the applicability, a surface having the above function is formed, and it is preferable to apply immediately after the surface treatment in order to prevent the treated surface from deteriorating with time.
【0071】図示の例で、一対の電極3、4は金属電極
3A、4Aと固体誘電体3B、4Bで構成され、金属電
極3A、4Aは銀、金、銅、ステンレス、アルミニウ
ム、等の通電可能な材料を固体誘電体3B、4Bに貼り付
けるのが一般的であるが、固体誘電体3B、4Bにメッ
キ、蒸着、コーティング、溶射等で付けることもでき
る。In the illustrated example, the pair of electrodes 3 and 4 are composed of metal electrodes 3A and 4A and solid dielectrics 3B and 4B, and the metal electrodes 3A and 4A are energized by silver, gold, copper, stainless steel, aluminum, or the like. Generally, a possible material is attached to the solid dielectrics 3B and 4B, but the solid dielectrics 3B and 4B can be attached by plating, vapor deposition, coating, thermal spraying, or the like.
【0072】固体誘電体3B、4Bとしては、気密性の高
い高耐熱性のセラミックを焼結した焼結型セラミックス
を用いることも好ましい。焼結型セラミックスの材質と
しては例えばアルミナ系、ジルコニア系、窒化珪素系、
炭化珪素系のセラミックスである。アルミナセラミック
スの厚みは1mm程度が好ましい。また、体積固有抵抗
は108Ω・cm以上が好ましい。As the solid dielectrics 3B and 4B, it is preferable to use a sintered ceramic obtained by sintering a highly airtight and high heat resistant ceramic. As the material of the sintered ceramics, for example, alumina, zirconia, silicon nitride,
It is a silicon carbide ceramic. The thickness of the alumina ceramic is preferably about 1 mm. The volume resistivity is preferably 10 8 Ω · cm or more.
【0073】焼結型セラミックスとして、アルミナ系焼
結型セラミックスを用いる場合、純度99.6%以上の
アルミナ系焼結型セラミックスを用いることが、電極の
耐久性を上げる点で好ましい。純度99.6%以上のア
ルミナ系焼結型セラミックスに関しては、本出願人が先
に提案した発明(特願平9−367413号)を参考に
できる。When an alumina-based sintered ceramic is used as the sintered ceramic, it is preferable to use an alumina-based sintered ceramic having a purity of 99.6% or more from the viewpoint of increasing the durability of the electrode. Regarding the alumina-based sintered ceramics having a purity of 99.6% or more, the invention (Japanese Patent Application No. 9-369413) previously proposed by the present applicant can be referred to.
【0074】この焼結型セラミックスを用いた電極の製
造方法は耐熱性の高いセラミックスを焼結させて焼結型
セラミックスを作り、その焼結型セラミックスにメッ
キ、蒸着、溶射またはコーティング等して金属電極を付
着させる。In the method of manufacturing an electrode using this sintered ceramic, a sintered ceramic having high heat resistance is sintered to produce a sintered ceramic, and the sintered ceramic is plated, vapor-deposited, sprayed or coated to form a metal. Attach electrodes.
【0075】また固体誘電体3B、4Bとしては、特願平
10−300984号に記載の低温ガラスライニングを
用いることもできる。As the solid dielectrics 3B and 4B, a low-temperature glass lining described in Japanese Patent Application No. 10-300984 can be used.
【0076】金属電極3A、4Aは固体誘電体3B、4Bに
よって全部が被覆されていてもよいし、一部が被覆され
るだけでもよい。The metal electrodes 3A and 4A may be entirely covered with the solid dielectrics 3B and 4B, or may be only partially covered.
【0077】電極間の間隙は、対向する固体誘電体3B
と4Bの表面間の距離で、0.3〜10mmの範囲が好
ましく、より好ましくは1〜10mmの範囲、さらに好
ましくは3mmである。また、図1では一対の電極3、
4のように平板電極を用いてあるが、一方もしくは双方
の電極を円筒電極、ロール状電極としてもよく、あるい
はガスフロー型の曲面電極を用いてもよい。かかる電極
の詳細は第2の方法及び装置の説明で詳述する。The gap between the electrodes is equal to that of the opposing solid dielectric 3B.
And the distance between the surfaces of 4B is preferably in the range of 0.3 to 10 mm, more preferably in the range of 1 to 10 mm, and still more preferably 3 mm. In FIG. 1, a pair of electrodes 3,
Although a flat plate electrode is used as shown in FIG. 4, one or both of the electrodes may be a cylindrical electrode or a roll electrode, or a gas flow type curved electrode may be used. Details of such an electrode will be described in the description of the second method and apparatus.
【0078】この一対の電極3、4のうち一方の電極3
に高周波電源5が接続され、他方の電極4はアース6に
より接地されており、一対の電極3、4間にパルス化さ
れた電界を印加できるように構成されている。One electrode 3 of the pair of electrodes 3 and 4
Is connected to a high-frequency power supply 5 and the other electrode 4 is grounded by an earth 6, so that a pulsed electric field can be applied between the pair of electrodes 3 and 4.
【0079】第1の方法において、表面処理前に、予め
基材表面(表層)の除電処理を行い、更にゴミ除去を行
うことは、表面処理の均一性が更に向上するので好まし
い。除電手段としては、通常のブロアー式、接触式以外
に、複数の正負イオン生成用除電電極と基材を挟むよう
にイオン吸引電極を対向させた除電装置と、その後正負
の直流式除電装置を設けた高密度除電システム(特開平
7−263173号)を用いることも好ましい。またこ
のときの支持体帯電量は±500V以下が好ましい。ま
た除電処理後のゴミ除去手段としては、非接触式のジェ
ット風式減圧型ゴミ除去装置(特開平7−60211
号)等が好ましいが、これに限定される訳ではない。In the first method, it is preferable that before the surface treatment, the substrate surface (surface layer) is subjected to a static elimination treatment in advance and dust is further removed because the uniformity of the surface treatment is further improved. As the static elimination means, in addition to a normal blower type and a contact type, a static eliminator in which a plurality of positive and negative ion generating static elimination electrodes and an ion suction electrode are opposed to sandwich the base material, and then a positive and negative DC type static elimination device are provided. It is also preferable to use a high-density static elimination system (JP-A-7-263173). At this time, the charge amount of the support is preferably ± 500 V or less. As the dust removing means after the static elimination process, a non-contact type jet-type decompression type dust removing device (JP-A-7-60211)
No.) is preferred, but is not limited thereto.
【0080】本発明の第1の方法及び装置において、大
気圧近傍の圧力下とは、100〜800Torrの圧力
下であり、好ましくは700〜780Torrの範囲で
ある。In the first method and apparatus according to the present invention, the pressure under the atmospheric pressure means a pressure of 100 to 800 Torr, preferably 700 to 780 Torr.
【0081】この方法では、上記対向する電極間にパル
ス化された電界を印加することにより、放電プラズマを
発生させるが、パルス波形は例えば図2に示す例が挙げ
られるが、これに限定されず、特開平10−13085
1号公報の図1の(a)〜(d)のパルス波形であっても
よい。図2において、縦軸はパルス電圧、横軸は時間で
ある。In this method, a discharge plasma is generated by applying a pulsed electric field between the opposing electrodes. The pulse waveform is, for example, an example shown in FIG. 2, but is not limited thereto. JP-A-10-13085
The pulse waveforms shown in FIGS. 1A to 1D of Japanese Patent Publication No. 1 may be used. In FIG. 2, the vertical axis represents the pulse voltage, and the horizontal axis represents time.
【0082】かかるパルス化された電界を印加すること
により発生した放電プラズマを表面処理に用いると、空
気中であっても十分表面処理機能がある。When the discharge plasma generated by applying such a pulsed electric field is used for surface treatment, it has a sufficient surface treatment function even in air.
【0083】パルス電界の周波数は、5k〜100kH
zの範囲が好ましい。The frequency of the pulse electric field is 5 to 100 kHz.
The range of z is preferred.
【0084】一つのパルス電界が印加される時間は1μ
s〜1000μsであることが好ましい。一つのパルス
電界が印加される時間というのは、図2における一つの
パルス波形のパルスが印加される時間である。The time for applying one pulse electric field is 1 μm.
It is preferably s to 1000 μs. The time during which one pulse electric field is applied is the time during which a pulse having one pulse waveform in FIG. 2 is applied.
【0085】対向電極に印加する電圧の大きさは、特に
限定されないが、電極に印加した時の電界強度が1〜1
00kV/cmとなる範囲になるようにすることが好ま
しい。The magnitude of the voltage applied to the counter electrode is not particularly limited, but the electric field strength when applied to the electrode is 1 to 1
It is preferable to set the range to be 00 kV / cm.
【0086】対向電極に印加する電源の出力は、3〜4
0kW/m2が好ましく、さらには10kW/m2程度が
より好ましい。The output of the power supply applied to the counter electrode is 3 to 4
0 kW / m 2 is preferable, and about 10 kW / m 2 is more preferable.
【0087】また支持体にプラズマ処理を施す時間につ
いては、処理室の長さに応じて支持体の搬送速度を制御
することにより調節できるが、0.3〜60sec
(秒)が好ましく、さらには3sec程度がより好まし
い。The time for performing the plasma treatment on the support can be adjusted by controlling the transfer speed of the support according to the length of the processing chamber.
(Sec) is more preferable, and about 3 sec is more preferable.
【0088】次に第2の方法及び装置について説明す
る。Next, a second method and apparatus will be described.
【0089】図3は第2の方法及び装置の一実施の形態
を示す概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of the second method and apparatus.
【0090】同図に示すように、連続搬送される長尺状
の支持体1を大気圧もしくはその近傍の圧力下、連続的
にプラズマ処理するための処理部2が前記支持体1の入
口2Bと出口2Bを有する間仕切りされた処理室によっ
て構成されている。以下、処理部を処理室として説明す
る。As shown in the figure, a processing unit 2 for continuously plasma-treating a continuously transported long support 1 under atmospheric pressure or a pressure close to the atmospheric pressure is provided by an inlet 2B of the support 1. And a partitioned processing chamber having an outlet 2B. Hereinafter, the processing unit will be described as a processing chamber.
【0091】処理室2には対向する平板電極3、4が設
けられている。この平板電極の構成は第1の方法及び装
置で使用したものと同一でよい。The processing chamber 2 is provided with opposed flat plate electrodes 3 and 4. The configuration of the plate electrode may be the same as that used in the first method and apparatus.
【0092】図示の例では、処理室2に隣接して基材の
入口側に予備室10が設けられ、その予備室10に隣接
して予備室11が設けられている。支持体の出口側にも
処理室2に隣接して予備室12が設けられている。In the illustrated example, a preliminary chamber 10 is provided adjacent to the processing chamber 2 on the inlet side of the base material, and a preliminary chamber 11 is provided adjacent to the preliminary chamber 10. A preliminary chamber 12 is also provided adjacent to the processing chamber 2 on the outlet side of the support.
【0093】予備室を設ける場合、図示のように、基材
1の入口側に二つ、出口側に一つを設ける態様であって
もよいが、これに限定されず、支持体1の出入口側に一
つづつ設ける態様、入口側に二つ設け、出口側に設けな
い態様、あるいは入口側に二つ以上、出口側に二つ以上
設ける態様でもよい。In the case of providing a spare chamber, as shown in the drawing, an embodiment in which two are provided on the inlet side of the base material 1 and one is provided on the outlet side may be used. One side may be provided, two sides may be provided on the inlet side, and no side may be provided on the outlet side, or two or more sides may be provided on the inlet side and two or more sides may be provided on the outlet side.
【0094】いずれの態様であっても、処理室内の気圧
が、該処理室と隣接する予備室の気圧より高いことが必
要であり、好ましくは0.03mmAq以上高いことで
ある。このように処理室と予備室の間でも圧力差を設け
ることによって、外部空気の混入を防止し、反応ガスの
有効使用が可能となり、表面処理効果も更に向上する。In any of the embodiments, the pressure in the processing chamber needs to be higher than the pressure in the preliminary chamber adjacent to the processing chamber, and is preferably 0.03 mmAq or more. By providing a pressure difference between the processing chamber and the spare chamber in this way, mixing of external air is prevented, the reactive gas can be used effectively, and the surface treatment effect is further improved.
【0095】また処理室に隣接して入口側に二つ以上、
出口側に二つ以上予備室を設けた場合、その予備室と隣
り合う予備室の間の気圧は、処理室に近い側の予備室の
気圧が高く設定されることが好ましく、0.03mmA
q以上高く設定されることが好ましい。このように複数
の予備室同士の間でも圧力差を設けることによって、外
部空気の混入をより効果的に防止し、反応ガスの有効使
用がより可能となり、表面処理効果も更に向上する。Further, two or more at the entrance side adjacent to the processing chamber,
When two or more preparatory chambers are provided on the outlet side, the pressure between the preparatory chamber and the adjacent preparatory chamber is preferably set to be higher than that of the preparatory chamber close to the processing chamber, and is preferably 0.03 mmA.
It is preferable to be set higher than q. By providing a pressure difference between the plurality of spare chambers as described above, the mixing of external air is more effectively prevented, the reactive gas can be used more effectively, and the surface treatment effect is further improved.
【0096】予備室には、処理ガスの少なくとも1成分
を有していることが反応ガスの効率的な使用と表面処理
効果の向上の観点から好ましい。It is preferable that the spare chamber contains at least one component of the processing gas from the viewpoint of efficient use of the reaction gas and improvement of the surface treatment effect.
【0097】更に予備室を複数設けて圧力差を設けるに
は、減圧手段15を設けることが好ましい。この減圧手
段としては吸引ファンあるいは真空ポンプ等が挙げられ
る。Further, in order to provide a plurality of spare chambers and provide a pressure difference, it is preferable to provide a pressure reducing means 15. Examples of the pressure reducing means include a suction fan and a vacuum pump.
【0098】処理室と予備室、予備室同士の部屋には間
仕切りされていることが必要であり、かかる間仕切り手
段としては、図示のように、入口側にニップロール7、
7、出口側にニップロール8、8を設ける態様も好まし
い。It is necessary that the processing chamber and the preparatory chamber and the room between the preparatory chambers be partitioned, and the partitioning means includes a nip roll 7 at the entrance side as shown in the figure.
7. An embodiment in which nip rolls 8 and 8 are provided on the outlet side is also preferable.
【0099】かかるニップロールは、基材に対して接触
しながら閉鎖ないし間仕切りする機能を有するが、部屋
同士を完全に間仕切りできないので、本発明の様な圧力
差を設ける手段が有効に機能するのである。Although such a nip roll has a function of closing or partitioning while being in contact with the base material, since the rooms cannot be completely partitioned, the means for providing a pressure difference as in the present invention effectively functions. .
【0100】また間仕切り手段としては、基材に対して
所定の間隙を保ち、且つ非接触である態様であってもよ
い。かかる態様としては図示しないエアーカーテン方式
等を採用できる。また後述する図10及び図11に示す
装置を用いることも好ましい。なお予備室を設けない場
合には、処理室と外部の間に間仕切りがされればよい。Further, the partition means may be a mode in which a predetermined gap is maintained with respect to the base material and the partition is not in contact with the base material. As such an embodiment, an air curtain system (not shown) or the like can be employed. It is also preferable to use the apparatus shown in FIGS. 10 and 11 described below. In the case where no spare chamber is provided, a partition may be provided between the processing chamber and the outside.
【0101】図3において、図1と同一の符号の部位は
同一の構成であるので、その説明を省略する。 図3に
示す装置を用いて処理するには、先ず搬送される基材1
が処理室2内に入り、その処理室2内でパルス化された
電界が印加される。かかる印加によって基材の表面がプ
ラズマ処理され、表面処理される。In FIG. 3, the portions denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 have the same configuration, and the description thereof will be omitted. In order to process using the apparatus shown in FIG.
Enters the processing chamber 2, and a pulsed electric field is applied in the processing chamber 2. With this application, the surface of the base material is subjected to plasma treatment, and the surface is treated.
【0102】第2の方法においては、かかる表面処理の
際に、処理室2に封入する処理ガス中の反応ガスの割合
が30%以上であること、及び処理室2内の気圧が外圧
より高いことが好ましい。In the second method, at the time of such surface treatment, the ratio of the reaction gas in the processing gas sealed in the processing chamber 2 is 30% or more, and the pressure in the processing chamber 2 is higher than the external pressure. Is preferred.
【0103】処理室2内の気圧を外圧より高くすること
によって、外部からの気体が処理室2内に進入しないた
め、必要に応じ、特定の処理したい(基材に導入させた
い)元素を持つガスのみを該処理室内に高純度で封入さ
せることができ、より効率的な処理ができる。また、処
理ガス中の反応ガスの割合が30%以上であることによ
って、不活性ガスの量を減らし、低コストで効率的な処
理を行うことができる。Since the gas from the outside does not enter the processing chamber 2 by setting the pressure in the processing chamber 2 higher than the external pressure, a specific element to be processed (to be introduced into the base material) is provided as necessary. Only gas can be sealed in the processing chamber with high purity, and more efficient processing can be performed. Further, when the ratio of the reaction gas in the processing gas is 30% or more, the amount of the inert gas can be reduced, and efficient processing can be performed at low cost.
【0104】本発明では、処理室2の気圧が外圧より
0.03mmAq以上高い態様によって、更に最低限の
気密性で最大限の効果を上げることができる。In the present invention, the maximum effect can be obtained with a further minimum airtightness by the mode in which the pressure in the processing chamber 2 is higher than the external pressure by 0.03 mmAq or more.
【0105】更に表面処理前に、予め基材表面の除電処
理を行い、更にゴミ除去を行うことによって、表面処理
の均一性が更に向上するので好ましい。除電手段及び除
電処理後のゴミ除去手段としては、前述の第1の方法の
ところで説明した手段と同様の手段を採用できる。Further, before the surface treatment, the surface of the base material is preferably subjected to a static elimination treatment and dust is further removed, so that the uniformity of the surface treatment is further improved. As the charge removing unit and the dust removing unit after the charge removing process, the same unit as the unit described in the first method can be employed.
【0106】処理室2に封入する処理ガス中の反応ガス
の割合は30%以上であるが、かかる反応ガスとして
は、窒素(N2)ガス、水素(H2)ガス、アンモニア
(NH3)ガス、フッ素ガス、水蒸気等があり、例えば
アミノ基、カルボキシル基、水酸基、カルボニル基等の
極性官能基ないし化学的活性基を付与できるガスであれ
ばよい。特に親水化処理を行う場合には、OH基を入れ
ることがより好ましいため、アルコール、H2O、O
2、CO2等を主に用いることが好ましい。撥水化処理
を行う場合にはフッ素含有化合物(フッ素、有機フルオ
ロ化合物など)等を用いることが好ましい。また反応ガ
スとしては、酸素元素含有化合物(酸素、オゾン、水、
一酸化炭素、二酸化炭素の他、メタノール等のアルコー
ル、アセトン等のケトン、アルデヒド類等)、窒素元素
含有化合物(窒素、アンモニア、一酸化窒素、二酸化窒
素等の窒素含有無機物、アミン系化合物、その他窒素含
有有機物等)等を用いることもできる。The proportion of the reaction gas in the processing gas sealed in the processing chamber 2 is not less than 30%. Examples of the reaction gas include nitrogen (N 2 ) gas, hydrogen (H 2 ) gas, and ammonia (NH 3 ). There are gas, fluorine gas, water vapor and the like, and any gas which can provide a polar functional group such as an amino group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group or a chemically active group may be used. In particular, when performing a hydrophilization treatment, it is more preferable to insert an OH group, so that alcohol, H 2 O, O
2, it is preferable to mainly use CO2 and the like. When performing the water-repellent treatment, it is preferable to use a fluorine-containing compound (such as fluorine and an organic fluoro compound). As the reaction gas, a compound containing an oxygen element (oxygen, ozone, water,
In addition to carbon monoxide and carbon dioxide, alcohols such as methanol, ketones such as acetone, aldehydes, etc., nitrogen-containing compounds (nitrogen-containing inorganic substances such as nitrogen, ammonia, nitric oxide, nitrogen dioxide, amine compounds, etc.) Nitrogen-containing organic substances) can also be used.
【0107】処理ガス中の反応ガス以外のガスとして、
不活性ガスを用いることができる。不活性ガスとして
は、アルゴン(Ar)ガス、ネオン(Ne)ガス、ヘリ
ウム(He)ガス、クリプトン(Kr)ガス、キセノン
(Xe)ガスなどがある。As a gas other than the reaction gas in the processing gas,
An inert gas can be used. Examples of the inert gas include argon (Ar) gas, neon (Ne) gas, helium (He) gas, krypton (Kr) gas, and xenon (Xe) gas.
【0108】本発明において、処理室2内に導入するに
先立ち、予め不活性ガスと反応性ガスとを混合した処理
ガスを使用することが好ましいが、各ガスを独立して導
入しても、処理室2内の電極3と4の間の雰囲気が、上
述した反応ガスの割合になっていればよい。In the present invention, prior to the introduction into the processing chamber 2, it is preferable to use a processing gas in which an inert gas and a reactive gas are mixed in advance. It is sufficient that the atmosphere between the electrodes 3 and 4 in the processing chamber 2 has the above-described ratio of the reaction gas.
【0109】以上説明した態様に用いた電極は平板電極
であるが、これに代えて電極を円筒型電極、ロール型電
極、又はガスフロー型曲面電極とすることも好ましい。Although the electrodes used in the embodiments described above are flat electrodes, it is also preferable to use cylindrical electrodes, roll electrodes, or gas flow type curved electrodes instead.
【0110】はじめに円筒型電極を用いた例を説明す
る。First, an example using a cylindrical electrode will be described.
【0111】図4は、第2の装置の他の好ましい形態を
示す概略構成図であり、同図に示す形態は、図3に示す
形態で用いた平板電極に代えて、円筒型電極を用いた例
である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing another preferred embodiment of the second apparatus. The embodiment shown in FIG. 4 uses a cylindrical electrode in place of the plate electrode used in the embodiment shown in FIG. This is an example.
【0112】なお、図4に示す符号のうち、図3に示す
符号と同一の部位は同一の構成であるので、その説明を
省略する。Note that, of the reference numerals shown in FIG. 4, the same components as those shown in FIG. 3 have the same configuration, and therefore, description thereof will be omitted.
【0113】本実施の形態では、複数の円筒の電極3を
基材1の両面側に併設している。併設の方法は図示のよ
うにチドリ状に配置してもよいが、対向させて配置する
こともできる。電極間間隙Lは基材1の上側の電極の最
下端と下側の電極の最上端との距離で表される。電極間
の間隔は均等でもよいし、そうでなくてもよい。In this embodiment, a plurality of cylindrical electrodes 3 are provided on both sides of the substrate 1. As shown in the drawing, the juxtaposition method may be such that the juxtaposition is made, but the juxtaposition method may be adopted. The inter-electrode gap L is represented by the distance between the lowermost end of the upper electrode of the substrate 1 and the uppermost end of the lower electrode. The spacing between the electrodes may or may not be uniform.
【0114】円筒電極は内部に導電性金属が配置され、
外部に誘電体が配置された二重管構造であり、導電性金
属と誘電体の構成は前述の構成を採用できるし、また、
セラミックパイプの中に金属管や棒を挿入することもで
きる。The cylindrical electrode has a conductive metal disposed inside,
It has a double-tube structure in which a dielectric is disposed outside, and the configuration of the conductive metal and the dielectric can adopt the above-described configuration.
A metal tube or rod can be inserted into the ceramic pipe.
【0115】なお、20、21、22は搬送ロールであ
る。Reference numerals 20, 21, and 22 denote transport rolls.
【0116】かかる円筒電極を用いることにより、電極
間にガスを導入し易くなることによって、反応ガスと電
極との接触効率が上昇し、その結果、表面処理効果も向
上する。また構造的にも簡便で、互換性に優れ、低コス
トでの処理が可能となる。また基材の高速搬送において
も優れた効果を発揮する。By using such a cylindrical electrode, the gas can be easily introduced between the electrodes, so that the contact efficiency between the reaction gas and the electrode is increased, and as a result, the surface treatment effect is also improved. In addition, the structure is simple, the compatibility is excellent, and the processing can be performed at low cost. Also, excellent effects are exhibited in high-speed transport of the substrate.
【0117】次にロール型電極を用いた例を説明する。Next, an example using a roll type electrode will be described.
【0118】図5〜図8は、第2の装置の他の好ましい
形態を示す概略構成図であり、同図に示す形態は図3に
示す形態で用いた平板電極に代えて、ロール型電極を用
いた例であるなお、図5〜図8に示す符号のうち、図3
に示す符号と同一の部位は同一の構成であるので、その
説明を省略する。FIGS. 5 to 8 are schematic structural views showing another preferred embodiment of the second device. The embodiment shown in FIG. 5 is different from the plate electrode used in the embodiment shown in FIG. Note that among the reference numerals shown in FIGS. 5 to 8, FIG.
Since the same parts as those indicated by reference numerals have the same configuration, description thereof will be omitted.
【0119】図5(a)、(b)に示す形態は、一方の
電極3は円筒状のロール型電極であり、自ら回転し、基
材1がその表面に接触しながら搬送される。この電極は
ロール状の導電性金属の表面に誘電体が設けられてい
る。In the form shown in FIGS. 5A and 5B, one electrode 3 is a cylindrical roll-type electrode, which rotates by itself, and is transported while the substrate 1 is in contact with the surface thereof. This electrode is provided with a dielectric on the surface of a roll-shaped conductive metal.
【0120】一方、電極4はロール型電極の曲面に平行
な曲面を有する曲面電極である。On the other hand, the electrode 4 is a curved electrode having a curved surface parallel to the curved surface of the roll type electrode.
【0121】この電極3、4を図示のように配置し、曲
面電極4側から、図示しない供給口から供給されたガス
を矢符で示すように図示しない複数の孔から噴出する。
ガスの噴出方向は、図5(a)に示すようにロールの半
径方向でもよいが、図5(b)に示すようにロールの接
線方向でもよい。またガスの噴出孔は丸孔でもスリット
でもよい。The electrodes 3 and 4 are arranged as shown in the figure, and a gas supplied from a supply port (not shown) is blown out from a plurality of holes (not shown) from the curved electrode 4 side as shown by arrows.
The gas ejection direction may be the radial direction of the roll as shown in FIG. 5A, or may be the tangential direction of the roll as shown in FIG. 5B. The gas ejection hole may be a round hole or a slit.
【0122】複数の孔からガスが噴出されると、そのガ
スによって搬送されている基材1の表面に十分行き渡
り、安定した放電を可能にする。また一方のロール電極
で基材を接触支持しているので、曲面電極は基材により
近接でき、表面処理が安定し、処理効果が向上する。ま
たロール電極は回転しているので、基材の搬送の際に傷
をつけるこがない。図3に示す形態と比較するとニップ
ロールの数を減少できる効果もある。またこの形態は、
基材の高速搬送においても優れた効果を発揮する。When gas is ejected from the plurality of holes, the gas sufficiently spreads over the surface of the base material 1 being carried by the gas, thereby enabling stable discharge. Further, since the base material is in contact with and supported by one of the roll electrodes, the curved electrode can be brought closer to the base material, the surface treatment is stabilized, and the treatment effect is improved. Further, since the roll electrode is rotating, no damage is caused when the substrate is transported. There is also an effect that the number of nip rolls can be reduced as compared with the embodiment shown in FIG. Also, this form
Excellent effects are exhibited even in high-speed transport of substrates.
【0123】図6に示す形態は、複数のロール型電極と
曲面電極の組合せで、処理室を形成した例であり、実際
的な装置を提供するものである。またこの形態は基材の
高速搬送においても優れた効果を発揮する。The embodiment shown in FIG. 6 is an example in which a processing chamber is formed by a combination of a plurality of roll electrodes and curved electrodes, and provides a practical apparatus. In addition, this mode exhibits an excellent effect even in high-speed transport of a substrate.
【0124】図7に示す形態は、ロール型電極と複数の
円筒型電極の組み合わせた例であり、図8に示す例は図
7に示す形態の装置を複数設けて実用的な装置を構成し
た例である。なお、図7、図8に示す符号のうち、図3
に示す符号と同一の部位は同一の構成であるので、その
説明を省略する。またこれらの形態は基材の高速搬送に
おいても優れた効果を発揮する。The embodiment shown in FIG. 7 is an example in which a roll-type electrode and a plurality of cylindrical electrodes are combined, and the example shown in FIG. 8 is provided with a plurality of devices in the form shown in FIG. It is an example. It should be noted that among the reference numerals shown in FIGS.
Since the same parts as those indicated by reference numerals have the same configuration, description thereof will be omitted. These forms also exhibit excellent effects in high-speed transport of a substrate.
【0125】次にガスフロー型曲面電極を用いた例を説
明する。Next, an example using a gas flow type curved electrode will be described.
【0126】図9は、第2の装置の他の好ましい形態を
示す概略構成図であり、同図に示す形態は図3に示す形
態で用いた平板電極に代えて、曲面電極を用いた例であ
る。FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing another preferred embodiment of the second apparatus. The embodiment shown in FIG. 9 is an example in which a curved electrode is used in place of the flat plate electrode used in the embodiment shown in FIG. It is.
【0127】なお、図9に示す符号のうち、図3に示す
符号と同一の部位は同一の構成であるので、その説明を
省略する。[0127] Of the reference numerals shown in FIG. 9, the same parts as those shown in FIG. 3 have the same configuration, and therefore description thereof will be omitted.
【0128】本実施の形態の電極3、4は基材1の表面
と平行であり、基材1の搬送方向と直行する方向から見
たときに、対向する面の断面形状が、曲面となっている
曲面電極である。The electrodes 3 and 4 of the present embodiment are parallel to the surface of the substrate 1, and when viewed from a direction perpendicular to the direction of transport of the substrate 1, the cross-sectional shape of the facing surface is a curved surface. Curved electrode.
【0129】この電極3、4を複数(図9においては、
3つ)搬送方向に並べることにより、搬送されている基
材1が蛇行するように構成されている。従って、図示し
ない供給口から供給されたガスを矢符で示すように図示
しない複数の孔から噴出される。噴出は均等に成される
ようにすることが好ましい。ガスの噴出孔は丸孔でもス
リットでもよい。A plurality of electrodes 3 and 4 (in FIG. 9,
3) By arranging them in the transport direction, the substrate 1 being transported is configured to meander. Therefore, gas supplied from a supply port (not shown) is ejected from a plurality of holes (not shown) as indicated by arrows. Preferably, the jets are evenly distributed. The gas ejection holes may be round holes or slits.
【0130】複数の孔からガスが噴出されると、そのガ
スによって搬送されている基材1はその間隙が約10m
m以下に設定された一対の電極3、4に非接触で搬送さ
れる。かかる態様は一対の電極間に直接ガスを噴出する
のでガスの拡散を促進し、安定した放電を可能にする。
また基材1の両面を同時に処理することができ、処理効
率に優れる。When gas is ejected from the plurality of holes, the gap of the base material 1 carried by the gas is about 10 m.
m and is transported in a non-contact manner to a pair of electrodes 3 and 4 set to be equal to or less than m. In such an embodiment, the gas is directly ejected between the pair of electrodes, so that the diffusion of the gas is promoted and a stable discharge is enabled.
In addition, both surfaces of the substrate 1 can be processed simultaneously, and the processing efficiency is excellent.
【0131】この形態では基材1を蛇行搬送することに
より、直線的な搬送(図3に示す搬送)に比較し、安定
した搬送ができ、そのため電極間隙をさらに狭めること
が可能で、放電効果も増加する。またこの形態は基材の
高速搬送においても優れた効果を発揮する。In this embodiment, the substrate 1 is conveyed in a meandering manner, so that the substrate can be transported more stably as compared with the linear transport (transportation shown in FIG. 3). Also increase. In addition, this mode exhibits an excellent effect even in high-speed transport of a substrate.
【0132】なお、図示の形態では蛇行搬送している
が、非接触搬送が可能な形態であれば、更に種々の改良
形態を採り得る。In the illustrated embodiment, the sheet is conveyed in a meandering manner. However, various other modified forms can be adopted as long as non-contact conveyance is possible.
【0133】以上説明した装置において、基材が同伴し
て来る空気を遮断する効果を更に向上させるために図1
0及び図11に示す装置を用いることも好ましいことで
ある。In the apparatus described above, in order to further improve the effect of blocking the air entrained by the substrate, FIG.
It is also preferable to use the apparatus shown in FIG.
【0134】図10はガス流ブレード装置の拡大図であ
る。ガス流ブレード装置は搬送ロール30の上を搬送し
ている基材1の表面とスリット部31との間隙dを微調
整出来るようになっており、ガス流ブレード装置の内部
(図では右側)から放出ガス32が加圧された状態でス
リット31から基材表面に、放出角度を基材1の搬送方
向と逆方向に取って放出するが、好ましくはその角度は
60〜90゜が好ましい。ガスはスリットからの放出の
みでもよいが、放出されたガスが基材1の搬送方向と逆
方向に減圧吸引しガスの流れ33とする方が一層効果的
に処理が出来る。スリット31の幅は小さい方がよく、
2.0mm以下が好ましい。この態様は図1の装置にも
適用できる。処理室と予備室、予備室と他の予備室の間
仕切りに適用できる。FIG. 10 is an enlarged view of the gas flow blade device. The gas flow blade device can finely adjust the gap d between the surface of the base material 1 being conveyed on the conveyance roll 30 and the slit portion 31 and can be adjusted from the inside (the right side in the figure) of the gas flow blade device. The release gas 32 is released from the slit 31 to the surface of the base material in a pressurized state with the release angle taken in a direction opposite to the transport direction of the base material 1, and the angle is preferably 60 to 90 °. The gas may be released only from the slit, but the more effective treatment can be achieved by reducing the pressure of the released gas in a direction opposite to the direction of transport of the substrate 1 to form a gas flow 33. The smaller the width of the slit 31, the better
2.0 mm or less is preferable. This embodiment can also be applied to the device of FIG. It can be applied to the partition between the processing room and the spare room, and between the spare room and other spare rooms.
【0135】図11は、機密性を高めるフィルム状のブ
レードを設置した装置の一部の拡大図である。基材1の
通過する間隙以外の隙間の機密性を、フィルム状のブレ
ード43を、間仕切りにロールを使用している箇所、例
えば搬送ロール41、フリーロール42の背側に擦らせ
てタッチさせることによって高められる。41と42が
対になってニップロールであってもよく、また基材1の
上側にロールがない場合には搬送ロール41だけでもよ
い。FIG. 11 is an enlarged view of a part of an apparatus provided with a film-like blade for increasing the security. Touching the confidentiality of gaps other than the gaps through which the base material 1 passes by rubbing the film-shaped blade 43 against a location where a roll is used as a partition, for example, the back side of the transport roll 41 and the free roll 42. Enhanced by. The nip rolls 41 and 42 may be paired, or if there is no roll above the substrate 1, the transport roll 41 alone may be used.
【0136】次に、第3の方法および装置について説明
する。Next, a third method and apparatus will be described.
【0137】図16では、基材1が、二つの対面する誘電
体間を搬送されるのではなく、誘電体の外側を搬送され
る。そして、二つの対面する誘電体の面と基材の面とは
直交している。この二つの対面する誘電体間にガスを導
入する。ガスは、空気でも良い。そして、二つの対面す
る誘電体間に導入されたガスに電界を印加することによ
り、放電プラズマを発生させ、その放電プラズマを基材
に導入する。このような構成とすることで、基材に電界
が直接印加されることによる基材へのダメージが低減で
きる。さらに、本構成によれば、プラズマを発生させる
ための二つの対面する誘電体間に基材が介在しないた
め、電場を作りやすく、ガスのプラズマ化される比率を
高くすることができるので、より効率的に、かつより優
れた表面改質効果を得ることができる。In FIG. 16, the substrate 1 is conveyed outside the dielectric, instead of being conveyed between two facing dielectrics. The two opposing dielectric surfaces are orthogonal to the substrate surface. Gas is introduced between the two facing dielectrics. The gas may be air. Then, an electric field is applied to the gas introduced between the two facing dielectrics to generate a discharge plasma, and the discharge plasma is introduced into the base material. With such a configuration, damage to the base material due to direct application of an electric field to the base material can be reduced. Furthermore, according to this configuration, since the base material does not intervene between the two facing dielectrics for generating plasma, an electric field can be easily generated, and the ratio of gas to be converted into plasma can be increased. Efficient and more excellent surface modification effects can be obtained.
【0138】また、同様に、図17のように、図16とは発
生させる電界の向きを変えても良い。Similarly, as shown in FIG. 17, the direction of the generated electric field may be changed from that in FIG.
【0139】図18は、図17の構成の一実施形態である。FIG. 18 shows an embodiment of the configuration of FIG.
【0140】外気から遮断された部屋において、放電プ
ラズマが生成される構成となっており、その部屋の中へ
基材が搬送手段である搬送ローラにより連続搬送される
ことにより、基材へ放電プラズマが導入されることにな
る。また、ニップロール対は、部屋の入口(基材が部屋
に入るための口)において、部屋への外気の導入および
放電プラズマの外への排出を低減する役割も果たしてい
る。また、部屋の出口(基材が部屋から出るための口)
においても、入口と同様に部屋への外気の導入および放
電プラズマの外への排出を低減する役割を果たすニップ
ロール対が設けられている。A discharge plasma is generated in a room that is cut off from the outside air, and the substrate is continuously transported into the room by a transport roller as transport means, so that the discharge plasma is generated on the substrate. Will be introduced. The nip roll pair also plays a role in reducing the introduction of outside air into the room and the discharge of discharge plasma out of the room at the entrance of the room (the opening through which the substrate enters the room). In addition, the exit of the room (the mouth for the substrate to exit the room)
Also, a nip roll pair is provided which plays a role of reducing the introduction of outside air into the room and the discharge of discharge plasma to the outside as in the case of the inlet.
【0141】また、本装置には、放電プラズマを循環さ
せる循環パイプと、プラズマ化されていないガスを導入
するためのフレッシュガス導入パイプとが設けられてい
る。循環パイプは、部屋に設けられたガス吸引口から吸
引された放電プラズマを、固体誘電体対間の入口側に設
けられたガス排出口から排出できるように、放電プラズ
マを循環させるためのパイプである。ガス排出口から排
出された放電プラズマは、再び、固体誘電体対間でプラ
ズマ化され、基材へ導入される。また、フレッシュガス
導入パイプは、ガスボンベに収容されているプラズマ化
されていないガスを固体誘電体対間の入口側に設けられ
たガス排出口から排出できるように、ガスを導入するた
めのパイプである。ガス排出口から排出されたプラズマ
化されていないガスは、固体誘電体対間でプラズマ化さ
れ、基材へ導入される。Further, the present apparatus is provided with a circulation pipe for circulating discharge plasma and a fresh gas introduction pipe for introducing non-plasmaized gas. The circulation pipe is a pipe for circulating the discharge plasma so that the discharge plasma sucked from the gas suction port provided in the room can be discharged from the gas discharge port provided on the inlet side between the pair of solid dielectrics. is there. The discharge plasma discharged from the gas discharge port is turned into plasma again between the solid dielectric pairs and introduced into the base material. In addition, the fresh gas introduction pipe is a pipe for introducing a gas so that the non-plasmaized gas contained in the gas cylinder can be discharged from the gas discharge port provided on the inlet side between the solid dielectric pair. is there. The non-plasmaized gas discharged from the gas discharge port is converted into plasma between the solid dielectric pairs and introduced into the base material.
【0142】このように、放電プラズマを循環させ再利
用し、かつプラズマ化されていないガスも導入して放電
プラズマとし、利用することにより、ガスの無駄を低減
でき、より効率的に、かつより優れた表面改質効果を得
ることができる。As described above, the discharge plasma is circulated and reused, and the non-plasmaized gas is introduced into the discharge plasma to be used. Thus, the waste of the gas can be reduced, and more efficiently and more efficiently. An excellent surface modification effect can be obtained.
【0143】次に、第4の方法および装置について説明
する。Next, a fourth method and apparatus will be described.
【0144】図19は、密閉された部屋内に設けられたプ
ラズマ処理装置を示している。FIG. 19 shows a plasma processing apparatus provided in a closed room.
【0145】連続搬送される基材は、接地されたローラ
と電極との間にできる電場により電界を印加される。そ
して、電界の直前(電極の直前)の基材の搬送経路上
に、ガスを噴射させるスリットを有するノズルを備えた
ガス射出手段が設けられている。An electric field is applied to a continuously transported base material by an electric field generated between a grounded roller and an electrode. Further, a gas injection unit having a nozzle having a slit for injecting gas is provided on the transport path of the base material immediately before the electric field (immediately before the electrode).
【0146】以上のような構成において、連続搬送され
る基材は、ガス射出手段のスリットから噴射されるガス
が内部に導入される。そして、その直後に、電極とロー
ラとの間にできた電場により、基材内部に導入されたガ
スがプラズマ化されることにより、プラズマ処理を施さ
れることになる。[0146] In the above-described structure, the gas which is injected from the slit of the gas injection means is introduced into the continuously transported substrate. Immediately thereafter, the gas introduced into the inside of the base material is turned into plasma by an electric field generated between the electrode and the roller, so that plasma processing is performed.
【0147】このように、噴射されたガスを基材へ導入
した直後に、プラズマ処理を施すことにより、よりガス
が基材へ導入されやすくなるので、効率よくプラズマ処
理を施すことができ、優れた表面改質効果を得ることが
できる。As described above, by performing the plasma treatment immediately after the injected gas is introduced into the base material, the gas can be more easily introduced into the base material. The surface modification effect can be obtained.
【0148】なお、ノズル形状は、スリット型または多
孔質型が好ましい。また、ガスを射出する際のノズル内
部の圧力は、15mmAq以上であることが、基材へのガス導
入の効率化において好ましい。ノズル先端と基材との距
離は、5mm以下であり、かつ、ノズル先端でのガス風速
が15m/sec以上であることが、基材へのガス導入の効率
化において好ましい。The nozzle shape is preferably a slit type or a porous type. Further, it is preferable that the pressure inside the nozzle at the time of injecting the gas is 15 mmAq or more in order to improve the efficiency of gas introduction into the base material. The distance between the nozzle tip and the substrate is preferably 5 mm or less, and the gas wind velocity at the nozzle tip is preferably 15 m / sec or more in order to improve the efficiency of gas introduction into the substrate.
【0149】次に、本発明の表面処理された基材は、上
記の全ての方法及び装置によって処理された基材を含む
ものである。Next, the surface-treated substrate of the present invention includes a substrate treated by any of the above methods and apparatuses.
【0150】本発明の表面処理の際のプラズマの発生
は、Optical Emission Spectr
oscopy法(略してOES)、あるいはPhoto
electoron Spectroscopy法(光
電子分光法)(略してPES)の測定により知ることが
出来る。The generation of plasma during the surface treatment of the present invention is based on the Optical Emission Spectr.
oscopy method (OES for short) or Photo
Electron Spectroscopy (Photoelectron Spectroscopy) (PES) can be used for measurement.
【0151】本発明の放電プラズマ処理により基材表面
に発現する活性基については光電子分光法(ESCA)
により知ることが出来る。例えばVG社製ESCALA
B−200Rが使用できる。The active groups appearing on the substrate surface by the discharge plasma treatment of the present invention were determined by photoelectron spectroscopy (ESCA).
You can know by. For example, VG ESCALA
B-200R can be used.
【0152】以下、本発明を適用できる基材について説
明する。Hereinafter, a substrate to which the present invention can be applied will be described.
【0153】本発明においては、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン及び
ポリプロピレンから選ばれるフィルム及び紙などの上に
PVA中にシリカを分散した塗布液を塗布した基材を用
いることが好ましい。In the present invention, it is preferable to use a substrate obtained by applying a coating solution in which silica is dispersed in PVA on a film or paper selected from polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene.
【0154】[0154]
【実施例】 以下の条件の装置を用いて、基材にプラズ
マ処理を施した。(1)電源 条件(1) 神鋼電機社製高周波電源 SPG50−2
5000 条件(2) ハイデン研究所社製 インパ
ルス式高周波高圧電源PHF―6K (2)処理室 図3に示すタイプの処理室を備えた装置(ガスパージで
ない条件の場合は処理室を密閉せずに使用) 処理室
容積 2000cm3 電極面積250mm×50
0mm 誘電体 アルミナセラミックス1mm厚
電極間gap 3mm (3)放電条件 周波数 50kHz 出力 10kW/m2 処理時間 3sec (4)処理ガス条件 条件(1)ガスパージAr80%、O220% 条件(2)ガスパージAr40%、O260% 条件(3)ガスパージAr50%、CF450% 条件(4)ガスパージO2100% 条件(5)ガスパージN2100% 条件(6)大気下放電(ガスパージ無し) (5)使用する基材 パルプ原紙の両面にポリプロピレンを5μmづつ塗布し
たコニカRCペーパーの上に、ゼラチン層を下引き層と
して塗布し、さらにPVA中にシリカを分散した塗布液
を4層にわたって塗布・乾燥したものを基材として使用
した(以下、コニカ製インクジェットペーパー、コニカ
製QP、あるいは単にインクジェットペーパーともい
う)。 (実施例1)処理装置内にインクジェットペーパー(コ
ニカ製QP)をおき、上記条件で放電した。処理したイ
ンクジェットペーパーにFIBRO社(スウェーデン)
製の接触角測定器DAT1100MkIIを用いて液滴
を一定量(EPSON製PMIC1C、濃マゼンタ色、
2μL)滴下し、表層表面に残った残存する液体積が
0.5μLになるまでの時間を測定した。結果を以下に
示す。EXAMPLES A substrate was subjected to plasma treatment using an apparatus under the following conditions. (1) Power supply condition (1) High frequency power supply SPG50-2 manufactured by Shinko Electric Co., Ltd.
5000 Conditions (2) Impulse high-frequency high-voltage power supply PHF-6K manufactured by Heiden Laboratories (2) Processing chamber Equipment equipped with a processing chamber of the type shown in Fig. 3 (Unless the gas purge is used, use without closing the processing chamber. ) Processing chamber volume 2000cm 3 Electrode area 250mm × 50
0 mm Dielectric Alumina ceramics 1 mm thickness Gap between electrodes 3 mm (3) Discharge conditions Frequency 50 kHz Output 10 kW / m 2 Processing time 3 sec (4) Processing gas conditions Conditions (1) Gas purge Ar 80%, O 2 20% Conditions (2) Gas purge Ar 40 %, O 2 60% Condition (3) Gas purge Ar 50%, CF 4 50% Condition (4) Gas purge O 2 100% Condition (5) Gas purge N 2 100% Condition (6) Atmospheric discharge (no gas purge) (5) Substrate to be used A gelatin layer was applied as a subbing layer on Konica RC paper in which polypropylene was applied on both sides of a pulp base paper by 5 μm each, and a coating solution in which silica was dispersed in PVA was applied and dried over four layers. Was used as a substrate (hereinafter, Konica inkjet paper, Konica QP, or simply Also referred to as click-jet paper). (Example 1) Ink jet paper (QP made by Konica) was placed in a processing apparatus and discharged under the above conditions. FIBRO (Sweden) for treated inkjet paper
A fixed amount of liquid droplets (PMIC1C manufactured by EPSON, dark magenta color,
2 μL) was dropped, and the time required for the remaining liquid volume remaining on the surface of the surface layer to reach 0.5 μL was measured. The results are shown below.
【0155】[0155]
【表1】 [Table 1]
【0156】表層表面に残ったインクの量が0.5μL
になれば、隣接して着弾するドットの横にじみ現象が緩
和され、実質的に横にじみがなくなるが、未処理のまま
だとこの値をクリアするのに4秒以上必要としている。When the amount of ink remaining on the surface of the surface layer is 0.5 μL
In this case, the horizontal bleeding phenomenon of dots that land adjacently is alleviated, and the horizontal bleeding is substantially eliminated. However, if it is left unprocessed, it takes 4 seconds or more to clear this value.
【0157】これに対してプラズマ処理を施したものは
皆一様に時間が短くなり、吸収速度が向上していること
がわかる。On the other hand, it can be seen that all the samples subjected to the plasma treatment have a shorter time, and the absorption rate is improved.
【0158】特に本願2から3によって示されるよう
に、パージ時間を長くするほど改質効果が向上する。In particular, as shown by the present inventions 2 and 3, the longer the purge time, the better the reforming effect.
【0159】さらにパルス型電源を用いる場合は、ガス
パージを行わずとも、大きな表面改質効果が得られる。Further, when a pulse type power supply is used, a large surface modification effect can be obtained without performing gas purging.
【0160】総じて、隣接して着弾するドット同士の干
渉を実質的に避けることのできなかったインクジェット
ペーパーが、プラズマ処理をすることでインク吸収速度
が画期的に速くなり、画像形成能力が向上したことがわ
かる。 (実施例2)電源部分を春日電機社製コロナ電源AGI
―020型電源に変え、それ以外は上記本願1と同じ条
件でプラズマ処理を行った結果、2.3secとなり、
未処理のものより画像形成能力が向上することが確認で
きた。 (実施例3)処理装置内にインクジェットペーパー(コ
ニカ製QP)をおき、ガス条件(3)で5分間のガスパ
ージ後、実施例1の本願1と同じ条件で放電した。処理
したインクジェットペーパーにFIBRO社(スウェー
デン)製の接触角測定器DAT1100MkIIを用い
て液滴を一定量(EPSON製PMIC1C、濃マゼン
タ色、2μL)滴下し、インクの着弾径広がり度合いを
観察した。In general, ink jet paper, for which it was impossible to substantially avoid interference between dots that land adjacent to each other, is significantly improved in ink absorption speed by plasma processing, thereby improving image forming ability. You can see that it was done. (Example 2) Corona power supply AGI manufactured by Kasuga Electric Co., Ltd.
The plasma processing was performed under the same conditions as in the above-mentioned application 1 except that the power supply was changed to -020 type power supply.
It was confirmed that the image forming ability was improved as compared with the untreated one. (Example 3) Ink jet paper (QP made by Konica) was placed in a processing apparatus, and after a gas purge for 5 minutes under the gas condition (3), discharge was performed under the same conditions as in the first application of Example 1. Using a contact angle measuring device DAT1100MkII manufactured by FIBRO (Sweden), a predetermined amount of droplets (PMIC1C manufactured by EPSON, dark magenta color, 2 μL) was dropped onto the treated inkjet paper, and the degree of spread of the landing diameter of the ink was observed.
【0161】[0161]
【表2】 [Table 2]
【0162】これより、インク着弾後の広がり(横にじ
み)がプラズマ処理をすることで良化することが確認で
きる。 (実施例4)実施例1においてガス条件(4)にてプラ
ズマ処理した(本願5の条件で処理した)インクジェッ
トペーパーを、さらにガス条件はAr90%、CF41
0%でプラズマ処理した結果、吸水速度及びにじみ耐性
とも良好な結果を得た。From this, it can be confirmed that the spread (horizontal bleeding) after ink landing is improved by performing the plasma treatment. (Example 4) Ink jet paper subjected to the plasma treatment (treated under the conditions of the present application 5) under the gas condition (4) in the first embodiment, and further, the gas condition is Ar 90%, CF 4 1
As a result of the plasma treatment at 0%, good results were obtained in both the water absorption rate and the bleeding resistance.
【0163】[0163]
【表3】 [Table 3]
【0164】(実施例5)減圧可能なパージ室内に、4
00mm巾、300m巻きのインクジェットペーパー
(コニカ製QP)を設置、内圧20Torrを保ちつつ
ガス条件(4)でガス封入した。5分後、インクジェッ
トペーパーをパージ室内から取り出し、約10分間かけ
て処理ラインから繰り出し、処理室内を搬送させて通過
させながら上記条件で放電処理した。処理したインクジ
ェットペーパーにFIBRO社(スウェーデン)製の接
触角測定器DAT1100MkIIを用いて液滴を一定
量(EPSON製PMIC1C、濃マゼンタ色、2μ
L)滴下した結果、ほぼ実施例1本願7と同じ結果を得
た。 (実施例6)処理装置内にインクジェットペーパー(コ
ニカ製QP)をおき、ガス封入1時間後上記条件で放電
した。また処理ガスの湿度条件を変えてプラズマ処理し
た。処理したインクジェットペーパーにFIBRO社
(スウェーデン)製の接触角測定器DAT1100Mk
IIを用いて液滴を一定量(EPSON製PMIC1
C、濃マゼンタ色、2μL)滴下し、表面に残った残存
する液体積が0.5μLになるまでの時間を測定した。
結果を以下に示す。(Embodiment 5) In a purge chamber capable of reducing pressure, 4
00mm width, 300m roll inkjet paper
(QP made by Konica) was installed, and gas was sealed under the gas condition (4) while maintaining the internal pressure at 20 Torr. After 5 minutes, the inkjet paper was taken out of the purge chamber, taken out of the processing line for about 10 minutes, and discharged under the above conditions while being transported and passed through the processing chamber. Using a contact angle measuring device DAT1100MkII manufactured by FIBRO (Sweden), apply a fixed amount of droplets (PMIC1C manufactured by EPSON, dark magenta color, 2 μm) to the treated inkjet paper.
L) As a result of dropping, almost the same results as in Example 1 Application 7 were obtained. (Example 6) Ink jet paper (QP made by Konica) was placed in a processing apparatus, and after one hour of gas charging, discharge was performed under the above conditions. Further, the plasma processing was performed while changing the humidity condition of the processing gas. A contact angle measuring instrument DAT1100Mk manufactured by FIBRO (Sweden) is applied to the treated inkjet paper.
A fixed amount of droplets using the II (PMIC1 manufactured by EPSON)
C, dark magenta color, 2 μL) was dropped, and the time until the volume of the liquid remaining on the surface became 0.5 μL was measured.
The results are shown below.
【0165】[0165]
【表4】 [Table 4]
【0166】これより、湿度条件を変化させることによ
り、受像性能をさらに向上させることがわかる。 (実施例7)実施例1における装置(電極、誘電体)を、
基材にほぼ垂直になるように図18のように配置させ、電
極間に一定流量の混合ガスを導入して電極間を放電し、
活性化させたガスを基材に吹き当てた。処理室、電源、
放電条件、処理ガス条件、使用する基材に関する条件
は、実施例1と同様である。なお、誘電体から基材まで
の距離d(基材に最も近い誘電体の位置から基材までの
距離)は、2mmであり、処理室内部の内圧は、3mmAqであ
る。そして、実施例1と同様に、処理したインクジェッ
トペーパーにFIBRO社製の接触角測定器DAT1100MkIIを用
いて液滴を一定量(EPSON製PMIC1C、濃マゼンタ色、2μ
L)滴下し、表面に残った残存する液体積が0.5μLにな
るまでの時間を測定した。結果を表5に示す。From this, it is understood that the image receiving performance is further improved by changing the humidity condition. (Example 7) The device (electrode, dielectric) in Example 1 was replaced with
Arranged as shown in FIG. 18 so as to be almost perpendicular to the base material, a constant flow of a mixed gas is introduced between the electrodes to discharge between the electrodes,
The activated gas was blown against the substrate. Processing room, power supply,
The discharge conditions, the processing gas conditions, and the conditions relating to the base material used are the same as in Example 1. Note that the distance d from the dielectric to the substrate (the distance from the position of the dielectric closest to the substrate to the substrate) is 2 mm, and the internal pressure inside the processing chamber is 3 mmAq. Then, in the same manner as in Example 1, a fixed amount of droplets (EPSON PMIC1C, dark magenta color, 2 μm) were applied to the treated inkjet paper using a contact angle measuring device DAT1100MkII manufactured by FIBRO.
L) Dropping was performed, and the time required for the remaining liquid volume remaining on the surface to reach 0.5 μL was measured. Table 5 shows the results.
【0167】[0167]
【表5】 [Table 5]
【0168】このように、本実施例においては、基材に
対するダメージを低減しながら、優れた表面改質効果を
得ることができる。As described above, in this embodiment, an excellent surface modification effect can be obtained while reducing damage to the substrate.
【0169】さらに、ガス排出口A(二つの誘電体によ
り形成されるスリットのうちプラズマガスが排出される
口)のgapを0.3mmとし、かつ、処理室内部の内圧を30mm
Aqとすることにより、噴流となったガスを基材に吹き当
てた以外は、新規例(表5の新規例)と同条件で行
った実験結果を表7に示す。Further, the gap of the gas discharge port A (the port of the slit formed by the two dielectrics through which the plasma gas is discharged) is set to 0.3 mm, and the internal pressure inside the processing chamber is set to 30 mm.
Table 7 shows the results of experiments performed under the same conditions as in the new example (new example in Table 5) except that the gas that was jetted was blown onto the base material by setting it to Aq.
【0170】[0170]
【表6】 [Table 6]
【0171】このように、噴流となったガスを基材に吹
きつけることにより、空隙内部まで効率よく、かつ優れ
た表面改質効果を得ることができる。 (実施例9)図19の装置を用いて、処理した結果を表6に
示す。なお、使用電源は、条件(1)、ガス条件は
(1)、その多条件は、実施例1と同様とする。そして、
実施例1と同様に、処理したインクジェットペーパーにF
IBRO社製の接触角測定器DAT1100MkIIを用いて液滴を一
定量(EPSON製PMIC1C、濃マゼンタ色、2μL)滴下し、
表面に残った残存する液体積が0.5μLになるまでの時間
を測定した。As described above, by spraying the gas that has been jetted onto the base material, it is possible to obtain an efficient and excellent surface modification effect up to the inside of the void. (Example 9) Table 6 shows the results of processing using the apparatus of FIG. The power source used is condition (1), the gas condition is (1), and the multiple conditions are the same as in the first embodiment. And
As in Example 1, F was applied to the treated inkjet paper.
Using a contact angle measuring device DAT1100MkII manufactured by IBRO, a fixed amount of droplets (PMIC1C manufactured by EPSON, dark magenta, 2 μL) was dropped.
The time until the volume of the remaining liquid remaining on the surface became 0.5 μL was measured.
【0172】[0172]
【表7】 [Table 7]
【0173】このように、本実施例においては、ガス噴
流を吹きつけることにより、パージ時間が必要なく、さ
らに、空隙内部に効率的にガスを封入できるので、処理
時間を短縮しながら、より優れた表面改質効果を得るこ
とができる。As described above, in the present embodiment, by blowing the gas jet, the purging time is not required, and the gas can be efficiently sealed in the gap. The surface modification effect can be obtained.
【0174】[0174]
【発明の効果】本発明によれば、コストが安く、生産性
に優れた基材の表面処理方法及びその装置並びに表面処
理した基材を提供すること及び、基材の高速搬送におい
ても、基材表面の改質効果を得ることができる。According to the present invention, it is possible to provide a method and apparatus for treating a surface of a substrate which is inexpensive and excellent in productivity, and to provide a substrate which has been subjected to a surface treatment. The effect of modifying the material surface can be obtained.
【0175】特にインクジェット記録媒体の受像性能を
劇的に改善し、高精細画像の記録を可能とすることがで
きる。In particular, it is possible to dramatically improve the image receiving performance of an ink jet recording medium and to record a high-definition image.
【0176】またパルス型の電源を用いることにより、
大気下でもプラズマ処理が可能であり、処理効率を向上
させることができる。Also, by using a pulse type power supply,
Plasma treatment can be performed even in the atmosphere, and treatment efficiency can be improved.
【0177】さらに処理ガス中の湿度をコントロールす
る事により、処理効率、親水性、疎水性性質の付与度合
をも調節でき、様々な性能のインクジェット記録媒体を
製造することが可能になる。Further, by controlling the humidity in the processing gas, the processing efficiency, the degree of imparting hydrophilicity and hydrophobicity can be adjusted, and an ink jet recording medium having various performances can be manufactured.
【0178】そしてインクジェット記録媒体の製造を連
続した一貫工程で行うことにより、高速且つ効率の良い
表面改質を行うことができる。By performing the production of the ink jet recording medium in a continuous and continuous process, the surface modification can be performed at high speed and with high efficiency.
【図1】本発明の第1の方法及び装置の一形態を示す概
略構成図FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of a first method and apparatus of the present invention.
【図2】パルス波の一形態を示す図FIG. 2 is a diagram showing one form of a pulse wave.
【図3】本発明の第1の方法及び装置の一形態を示す概
略構成図FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of the first method and apparatus of the present invention.
【図4】円筒型電極を用いた形態を示す概略構成図FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing an embodiment using a cylindrical electrode.
【図5】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an embodiment using a roll-type electrode.
【図6】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing an embodiment using a roll-type electrode.
【図7】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an embodiment using a roll-type electrode.
【図8】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a mode using a roll-type electrode.
【図9】ガスフロー型曲面電極を用いた形態を示す概略
構成図FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing an embodiment using a gas flow type curved electrode.
【図10】気密保持向上のための装置例を示す概略構成
図FIG. 10 is a schematic diagram showing an example of an apparatus for improving airtightness.
【図11】気密保持向上のための他の装置例を示す概略
構成図FIG. 11 is a schematic configuration diagram showing another example of an apparatus for improving airtightness.
【図12】本願発明の連続処理工程を示す工程図FIG. 12 is a process chart showing a continuous processing step of the present invention.
【図13】横にじみの発生した着弾状態を示す図FIG. 13 is a view showing a landing state in which lateral bleeding has occurred;
【図14】横にじみの発生しない着弾状態を示す図FIG. 14 is a view showing a landing state in which lateral bleeding does not occur.
【図15】基材の断面を示す図FIG. 15 is a diagram showing a cross section of a base material.
【図16】ガスを基材に吹き付ける状態を示す図FIG. 16 is a diagram showing a state in which gas is blown onto a base material.
【図17】ガスを基材に吹き付ける状態を示す図FIG. 17 is a diagram showing a state in which gas is blown onto a base material.
【図18】ガスを循環させる形態を示す図FIG. 18 is a view showing a mode of circulating gas.
【図19】ロール近傍に配置したガスノズルを示す図FIG. 19 is a view showing a gas nozzle arranged near a roll.
【図20】ガスノズルの形状を示した図FIG. 20 is a view showing a shape of a gas nozzle.
1 :基材 2 :処理部乃至処理室 3、4:電極 5 :電源 6 :アース 7、8:ニップロール 15:減圧手段 12:予備室 1: substrate 2: processing section to processing chamber 3, 4: electrode 5: power supply 6: ground 7, 8: nip roll 15: decompression means 12: preliminary chamber
Claims (38)
上に対し、プラズマ処理を行うことを特徴とする支持体
の表面処理方法。1. A method for treating a surface of a support, comprising performing a plasma treatment on a support having a surface layer having a void structure.
官能基を付与することを特徴とする請求項1の表面処理
方法。2. The surface treatment method according to claim 1, wherein a functional group is imparted to the support by the plasma treatment.
面化することを特徴とする請求項1の表面処理方法。3. The surface treatment method according to claim 1, wherein said voids are roughened by said plasma treatment.
とする雰囲気下で発生させることを特徴とする請求項1
の表面処理方法。4. The method according to claim 1, wherein the plasma processing is performed in an atmosphere mainly composed of an inert gas.
Surface treatment method.
の表層であることを特徴とする請求項1の表面処理方
法。5. The surface treatment method according to claim 1, wherein the surface layer having voids is a surface layer of the support.
上に設けられた塗布層であることを特徴とする請求項1
の表面処理方法。6. The surface layer having voids is a coating layer provided on the support.
Surface treatment method.
内部及び空隙層の表層の少なくとも一方を親水化させる
ことを特徴とする請求項1の表面処理方法。7. The surface treatment method according to claim 1, wherein at least one of the inside of the gap layer and the surface layer of the gap layer is made hydrophilic by the plasma treatment.
なくとも表層の撥水性を向上させることを特徴とする請
求項1の表面処理方法。8. The surface treatment method according to claim 1, wherein the water repellency of at least a surface layer of the void is improved by the plasma treatment.
うことを特徴とする請求項7記載の表面処理方法。9. The surface treatment method according to claim 7, wherein the plasma treatment is performed by corona discharge.
とを特徴とする請求項7記載の表面処理方法。10. The surface treatment method according to claim 7, wherein the plasma treatment is performed by a flame.
下または大気圧近傍の圧力下でグロー放電によって行う
ことを特徴とする請求項7または8記載の表面処理方
法。11. The surface treatment method according to claim 7, wherein the plasma treatment is performed by glow discharge under vacuum, atmospheric pressure, or a pressure near atmospheric pressure.
湿度で、0.005 [kg−水蒸気/kg−乾きガス]以
上であることを特徴とする請求項1の処理方法。12. The processing method according to claim 1, wherein the atmosphere in which the plasma processing is performed has an absolute humidity of 0.005 [kg-steam / kg-dry gas] or more.
を行った後、撥水化処理を行うことを特徴とする請求項
1記載の表面処理方法。13. The surface treatment method according to claim 1, wherein a water-repellent treatment is performed after the hydrophilic treatment is performed by the plasma treatment.
のガス雰囲気中に存在させ、前記空隙構造に前記ガスを
充満させたのち、前記プラズマ処理を行うことを特徴と
する請求項1記載の表面処理方法。14. The surface according to claim 1, wherein the support is present in a gas atmosphere for performing a plasma treatment, and the plasma treatment is performed after the gap structure is filled with the gas. Processing method.
であることを特徴とする請求項1記載の表面処理方法。15. The surface treatment method according to claim 1, wherein the support is an ink jet recording medium.
用いて製造したことを特徴とするインクジェット記録媒
体。16. An ink jet recording medium manufactured by using the surface treatment method according to claim 1. Description:
ラズマを用いて、空隙構造を有する表面層を備えた支持
体に対してプラズマ処理を行うことを特徴とする支持体
の表面処理方法。17. A method for treating a surface of a support, comprising performing plasma treatment on a support having a surface layer having a void structure using plasma generated in a pulsed electric field.
湿度が、0.005 [kg−水蒸気/kg−乾きガス]以
上であることを特徴とする請求項17の表面処理方法。18. The surface treatment method according to claim 17, wherein the absolute humidity of the atmosphere in which the plasma is generated is 0.005 [kg-steam / kg-dry gas] or more.
に官能基を付与することを特徴とする請求項17の表面
処理方法。19. The surface treatment method according to claim 17, wherein a functional group is imparted to the support by the plasma treatment.
粗面化することを特徴とする請求項17の表面処理方
法。20. The surface treatment method according to claim 17, wherein the gap is roughened by the plasma treatment.
体の表層であることを特徴とする請求項17の表面処理
方法。21. The surface treatment method according to claim 17, wherein the surface layer having voids is a surface layer of the support.
体上に設けられた塗布層であることを特徴とする請求項
17の表面処理方法。22. The surface treatment method according to claim 17, wherein the surface layer having voids is a coating layer provided on the support.
及び/又は表層を親水化させることを特徴とする請求項
17の表面処理方法。23. The surface treatment method according to claim 17, wherein the inside and / or the surface layer of the void is made hydrophilic by the surface modification.
くとも表層を撥水化させることを特徴とする請求項17
の表面処理方法。24. The method according to claim 17, wherein at least a surface layer of the void is made water-repellent by the surface modification.
Surface treatment method.
て行うことを特徴とする請求項17記載の表面処理方
法。25. The surface treatment method according to claim 17, wherein the plasma treatment is performed by glow discharge.
気圧近傍の圧力下で行うことを特徴とする請求項17記
載の表面処理方法。26. The surface treatment method according to claim 17, wherein the plasma treatment is performed under an atmospheric pressure or a pressure near the atmospheric pressure.
を特徴とする請求項17記載の表面処理方法。27. The surface treatment method according to claim 17, wherein the plasma treatment is performed in the atmosphere.
の反応ガスを含んだ雰囲気下で発生させることを特徴と
する請求項17の表面処理方法。28. The surface treatment method according to claim 17, wherein the plasma treatment is performed in an atmosphere containing a reaction gas of 30% by volume or more.
湿度で、0.005 [kg−水蒸気/kg−乾きガス]以
上であることを特徴とする請求項17の処理方法。29. The processing method according to claim 17, wherein the atmosphere in which the plasma processing is performed has an absolute humidity of 0.005 [kg-steam / kg-dry gas] or more.
を行った後、撥水化処理を行うことを特徴とする請求項
17記載の表面処理方法。30. The surface treatment method according to claim 17, wherein a water-repellent treatment is performed after the hydrophilic treatment is performed by the plasma treatment.
であることを特徴とする請求項17記載の表面処理方
法。31. The surface treatment method according to claim 17, wherein the support is an ink jet recording medium.
を用いて製造したことを特徴とするインクジェット記録
媒体。32. An ink jet recording medium manufactured by using the surface treatment method according to claim 17.
を行い、次いで塗布液を前記支持体に塗布してから乾燥
して機能層を形成した後、該機能層に後処理を施すこと
を連続的に一貫工程で行うこと特徴とするインクジェッ
ト記録媒体の製造方法。33. A pre-treatment is performed on a continuously transported support, and then a coating solution is applied to the support, dried to form a functional layer, and post-processed on the functional layer. Is carried out continuously and in a continuous process.
を特徴とする請求項33記載のインクジェット記録媒体
の製造方法。34. The method according to claim 33, wherein the pre-processing is a plasma processing.
とを特徴とする請求項33記載のインクジェット記録媒
体の製造方法。35. The method according to claim 33, wherein the pretreatment is a corona discharge treatment.
を特徴とする請求項33記載のインクジェット記録媒体
の製造方法。36. The method according to claim 33, wherein the post-processing is a plasma processing.
電界中で発生させたプラズマを用いて行うことを特徴と
する請求項33記載のインクジェット記録媒体の製造方
法。37. The method according to claim 33, wherein the plasma processing is performed using plasma generated in a pulsed electric field.
湿度が、0.005 [kg−水蒸気/kg−乾きガス]以
上であることを特徴とする請求項33の表面処理方法。38. The surface treatment method according to claim 33, wherein the absolute humidity of the atmosphere in which the plasma is generated is 0.005 [kg-steam / kg-dry gas] or more.
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