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JP2000227603A - Liquid crystal display device and transparent conductive substrate suitable for the same - Google Patents

Liquid crystal display device and transparent conductive substrate suitable for the same

Info

Publication number
JP2000227603A
JP2000227603A JP11337568A JP33756899A JP2000227603A JP 2000227603 A JP2000227603 A JP 2000227603A JP 11337568 A JP11337568 A JP 11337568A JP 33756899 A JP33756899 A JP 33756899A JP 2000227603 A JP2000227603 A JP 2000227603A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
layer
cured resin
resin layer
silicon compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11337568A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toru Hanada
亨 花田
Isao Shiraishi
功 白石
Hitoshi Mikoshiba
均 御子柴
Toshiaki Yatabe
俊明 谷田部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Teijin Ltd filed Critical Teijin Ltd
Priority to JP11337568A priority Critical patent/JP2000227603A/en
Publication of JP2000227603A publication Critical patent/JP2000227603A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive substrate having excellent durability, chemical resistance, gas barrier property, good transparency, optical isotropy and interlayer adhesion property, and having high insulating surface resistance when a transparent conductive layer is etched. SOLUTION: This transparent conductive substrate consists of a laminated film including a transparent polymer substrate (S) and a hardened resin layer (U), and a transparent conductive layer (E) disposed in contact with the hardening resin layer (U) of the laminated film. The substrate has the following properties. (a) The transmittance for whole rays is >=80%, (b) the transparent polymer substrate (S) is 0.01 to 1.0 mm thick, (c) the retardation of the transparent polymer substrate (S) is <=20 nm, (d) the transparent conductive layer (E) is 1 nm to 1 μm thick, and (e) the surface of the hardened resin layer (U) in contact with the transparent conductive layer (E) has >=1.0×1013 Ω/unit sq. surface resistance under conditions of at 50 deg.C and 30% RH, and >=1.0×1012 Ω/unit sq. surface resistance at 50 deg.C and 90% RH.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高度な信頼性を有
する液晶表示素子、及び該液晶表示素子を構成する電極
基板として有用な透明導電性基板に関するものである。
この透明導電性基板は高いガスバリヤ性と高温高湿下に
おいて高い安定性を有するので、該液晶表示素子のほ
か、光導電性感光体、面発光体、EL素子などのフラッ
トパネルディスプレイ分野における電極基板として好適
に用いることができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a highly reliable liquid crystal display device and a transparent conductive substrate useful as an electrode substrate constituting the liquid crystal display device.
Since this transparent conductive substrate has high gas barrier properties and high stability under high temperature and high humidity, in addition to the liquid crystal display element, an electrode substrate in a flat panel display field such as a photoconductive photoreceptor, a surface light emitter, and an EL element. Can be suitably used.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示素子等のフラットパネル
ディスプレイ分野において、耐破損性の向上、軽量化、
薄型化の要望から、透明高分子からなるフィルム上に、
酸化インジウム、酸化錫、或いは錫−インジウム合金の
酸化物等の半導体膜、金、銀、パラジウム合金の酸化膜
等の金属膜、該半導体膜と該金属膜とを組み合わせて形
成された膜を透明導電層として設けた透明導電性基板を
液晶表示素子の電極基板として用いる検討が続けられて
いる。かかる基板には、パネルの組立て工程における、
電極のパターニングや配向膜の積層時及び各種洗浄時に
おいて使用される各種有機溶媒、酸、アルカリに対する
高い耐薬品性が要求されている。また通常、パネルの液
晶セル内部に発生する気泡に対する信頼性を向上させる
ために高いガスバリヤー性が要求されている。このガス
バリヤー性については、例えばWO94/23332号
公報、特許第2796573号公報、特許第27901
44号公報に、透明高分子基板にビニルアルコール系ポ
リマーや塩化ビニリデン系ポリマーなどの有機ガスバリ
ヤー層、及び酸化珪素や酸化アルミニウムなどの無機ガ
スバリヤー層が積層された基板が記載されている。しか
し、これら有機または無機のガスバリヤー層を1層で用
いたり、それらを複数積層したり、さらには有機及び無
機のガスバリヤー層を組み合わせて用いた場合でも、従
来用いられているガラス基板と同等のガスバリヤー性、
特に水蒸気バリヤー性を達成することは困難である。実
際このような基板を使用したパネルを高温高湿環境下に
長時間放置すると、液晶セル内部に水蒸気が入り込み、
液晶セルの対向する2枚の電極間及び基板の面内におけ
る隣り合う2つの電極間のインピーダンスが低下し、画
像にじみやクロストークといったパネルの表示欠陥が発
生しやすくなるという問題があった。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of flat panel displays such as liquid crystal display elements, improvement of breakage resistance, weight reduction,
Due to the demand for thinner, on a film made of transparent polymer,
A semiconductor film such as an oxide of indium oxide, tin oxide, or tin-indium alloy, a metal film such as an oxide film of gold, silver, or a palladium alloy, and a film formed by combining the semiconductor film and the metal film are transparent. The use of a transparent conductive substrate provided as a conductive layer as an electrode substrate of a liquid crystal display element has been studied. In such a substrate, in a panel assembling process,
High chemical resistance to various organic solvents, acids, and alkalis used during patterning of electrodes, lamination of alignment films, and various washings is required. In addition, a high gas barrier property is usually required to improve the reliability of bubbles generated inside the liquid crystal cell of the panel. Regarding this gas barrier property, for example, WO 94/23332, JP 2796573, and JP 27901
No. 44 describes a substrate in which an organic gas barrier layer such as a vinyl alcohol polymer or a vinylidene chloride polymer and an inorganic gas barrier layer such as silicon oxide or aluminum oxide are laminated on a transparent polymer substrate. However, even when these organic or inorganic gas barrier layers are used as a single layer, a plurality of such layers are stacked, or a combination of organic and inorganic gas barrier layers is used, the same as a conventionally used glass substrate is used. Gas barrier properties of
In particular, it is difficult to achieve steam barrier properties. In fact, when a panel using such a substrate is left for a long time in a high-temperature, high-humidity environment, water vapor enters the liquid crystal cell,
There has been a problem that the impedance between two opposing electrodes of the liquid crystal cell and between two adjacent electrodes in the plane of the substrate is reduced, and display defects such as image bleeding and crosstalk are likely to occur on the panel.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、信頼
性の高い新規な液晶表示素子を提供することにある。本
発明の他の目的は、高温高湿環境下に長時間放置しても
表示品位の劣化が生じにくい液晶表示素子に好適な透明
導電性基板を提供することにある。本発明のさらに他の
目的は、ガスバリヤー性に優れた新規な透明導電性基板
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a novel and highly reliable liquid crystal display device. Another object of the present invention is to provide a transparent conductive substrate suitable for a liquid crystal display element in which display quality is hardly deteriorated even when left for a long time in a high temperature and high humidity environment. Still another object of the present invention is to provide a novel transparent conductive substrate having excellent gas barrier properties.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解決すべく鋭意検討した結果、かかる問題点は透明
導電層の下地層の表面絶縁抵抗の湿度依存性と透明導電
性基板のガスバリヤー性とを制御することにより解決で
きることを見出し本発明を完成するに至った。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, the above-mentioned problems are due to the humidity dependence of the surface insulation resistance of the underlayer of the transparent conductive layer and the transparent conductive substrate. It has been found that the above problem can be solved by controlling the gas barrier property of the present invention, and the present invention has been completed.

【0005】すなわち本発明は、2つの電極基板と該電
極基板間に配置された液晶層とを有する液晶表示素子で
あって、該電極基板は、(i)透明高分子基板(S)、
硬化樹脂層(U)及び透明導電層(E)を含んでなり、
(ii)硬化樹脂層(U)と透明導電層(E)とは接して積
層されており、(iii)該硬化樹脂層(U)の該透明導電
層(E)と接する表面は、50℃30%RH環境下にお
ける表面抵抗値が1.0×1013Ω/□以上であり、5
0℃90%RH環境下における表面抵抗値が1.0×1
12Ω/□以上であることを特徴とする液晶表示素子に
よって達成される。
That is, the present invention relates to a liquid crystal display device having two electrode substrates and a liquid crystal layer disposed between the electrode substrates, wherein the electrode substrate comprises: (i) a transparent polymer substrate (S);
A cured resin layer (U) and a transparent conductive layer (E),
(ii) the cured resin layer (U) and the transparent conductive layer (E) are laminated in contact with each other; (iii) the surface of the cured resin layer (U) in contact with the transparent conductive layer (E) is at 50 ° C. The surface resistance under a 30% RH environment is 1.0 × 10 13 Ω / □ or more,
Surface resistance value is 1.0 × 1 under 0 ° C. 90% RH environment
It is attained by a liquid crystal display element characterized by being at least 0 12 Ω / □.

【0006】また本発明は、透明高分子基板(S)及び
硬化樹脂層(U)を含んでなる積層フィルムと積層該フ
ィルムの硬化樹脂層(U)に接して配置された透明導電
層(E)とからなり、かつ下記(a)〜(e)を満たす
透明導電性基板によって達成される。 (a)全光線透過率が80%以上 (b)透明高分子基板(S)の厚さは0.01〜1.0
mm (c)透明高分子基板(S)のリターデーションが20
nm以下 (d)透明導電層(E)の厚さは1nm〜1μm (e)硬化樹脂層(U)の透明導電層(E)と接する表
面は、50℃30%RH環境下における表面抵抗値が
1.0×1013Ω/□以上であり、50℃90%RH環
境下における表面抵抗値が1.0×1012Ω/□以上
The present invention also provides a laminated film comprising a transparent polymer substrate (S) and a cured resin layer (U), and a transparent conductive layer (E) disposed in contact with the cured resin layer (U) of the laminated film. This is achieved by a transparent conductive substrate comprising the following (a) to (e). (A) The total light transmittance is 80% or more. (B) The thickness of the transparent polymer substrate (S) is 0.01 to 1.0.
mm (c) The retardation of the transparent polymer substrate (S) is 20
nm or less (d) The thickness of the transparent conductive layer (E) is 1 nm to 1 μm. (e) The surface of the cured resin layer (U) in contact with the transparent conductive layer (E) has a surface resistance value of 50 ° C. and 30% RH. Is 1.0 × 10 13 Ω / □ or more, and the surface resistance under a 50 ° C. 90% RH environment is 1.0 × 10 12 Ω / □ or more.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】本発明の液晶表示素子は、2つの
電極基板と該電極基板間に配置された液晶層とから主と
して構成される。代表例を図1に示す。この電極基板
は、透明高分子基板(S)上にガスバリヤー層(X)及
び硬化樹脂層(U)を有するガスバリヤ性に優れた積層
フィルムの上に、該硬化樹脂層(U)に接して透明導電
層(E)が配置されてなる透明導電性基板である。この
透明導電性基板を電極基板とすることによって、高温高
湿環境下に長時間放置しても表示品位の劣化が生じにく
い信頼性の高い液晶表示素子が提供される。この透明導
電性基板も本発明の一つである。かかる透明導電性基板
の代表例を図2に示す。透明導電層(E)27、硬化樹
脂層(U)29、透明高分子基板(S)31、硬化樹脂
層(B)33、ガスバリヤー層(X)35、硬化樹脂層
(C)37がこの順で接して設けられている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A liquid crystal display device according to the present invention mainly comprises two electrode substrates and a liquid crystal layer disposed between the electrode substrates. A representative example is shown in FIG. This electrode substrate is in contact with the cured resin layer (U) on a laminated film having excellent gas barrier properties having a gas barrier layer (X) and a cured resin layer (U) on a transparent polymer substrate (S). It is a transparent conductive substrate on which the transparent conductive layer (E) is disposed. By using this transparent conductive substrate as an electrode substrate, a highly reliable liquid crystal display element that is unlikely to cause deterioration in display quality even when left in a high-temperature and high-humidity environment for a long time is provided. This transparent conductive substrate is also one of the present invention. FIG. 2 shows a typical example of such a transparent conductive substrate. The transparent conductive layer (E) 27, the cured resin layer (U) 29, the transparent polymer substrate (S) 31, the cured resin layer (B) 33, the gas barrier layer (X) 35, and the cured resin layer (C) 37 They are provided in contact in order.

【0008】このような透明導電性基板は、全体の吸水
率が2%以下、かつ全光線透過率が80%以上であり低
吸水性で透明性が良好である。したがって、高い信頼性
とガスバリヤ性が期待される液晶表示素子の電極基板と
してはもちろん、光導電性感光体、面発光体、EL素子
などのフラットパネルディスプレイ分野における電極基
板としても好適に用いることができる。
[0008] Such a transparent conductive substrate has a low water absorption and good transparency with a total water absorption of 2% or less and a total light transmittance of 80% or more. Therefore, it can be suitably used not only as an electrode substrate of a liquid crystal display element, which is expected to have high reliability and gas barrier properties, but also as an electrode substrate in a flat panel display field such as a photoconductive photoreceptor, a surface light emitter, and an EL element. it can.

【0009】[透明高分子基板(S)]透明高分子基板
(S)を構成する材料としては、透明性、耐熱性が良い
透明高分子であれば特に限定されない。このような透明
高分子としては、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリカ
ーボネート系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリスルホ
ン、ポリエーテルスルホン、ポリアリルスルホン等のポ
リスルホン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース
トリアセテート等のアセテート系樹脂、ポリアクリレー
ト系樹脂、各種熱硬化樹脂等が好ましい。なかでも、上
記透明性、耐熱性、及び光学異方性が比較的少ないとい
う観点から、ポリカーボネート系樹脂またはポリアリレ
ート系樹脂を主成分とするフィルムまたはシートがより
好ましい。そして、ポリカーボネート系樹脂は、流延法
によって得られるものが表面の平坦性に優れ、光学的等
方性に優れることから特に好適である。
[Transparent Polymer Substrate (S)] The material constituting the transparent polymer substrate (S) is not particularly limited as long as it is a transparent polymer having good transparency and heat resistance. Examples of such a transparent polymer include polyester resins, polycarbonate resins, polyarylate resins, polysulfone resins such as polysulfone, polyethersulfone and polyallylsulfone, polyolefin resins, and acetate resins such as cellulose triacetate. , Polyacrylate resins, various thermosetting resins and the like are preferable. Among them, a film or a sheet containing a polycarbonate-based resin or a polyarylate-based resin as a main component is more preferable from the viewpoint of the above-mentioned transparency, heat resistance, and relatively low optical anisotropy. The polycarbonate resin obtained by the casting method is particularly preferable because it has excellent surface flatness and excellent optical isotropy.

【0010】ポリカーボネート系樹脂としては、例えば
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(ビ
スフェノールA)、下記式[I]
As the polycarbonate resin, for example, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane (bisphenol A), the following formula [I]

【0011】[0011]

【化1】 Embedded image

【0012】で表わされるビスフェノールをビスフェノ
ール成分とするポリカーボネート樹脂が挙げられる。こ
こで、R1、R2、R3およびR4は同一または異なり水素
原子あるいはメチル基であり、Xは炭素数5〜10のシ
クロアルキレン基、炭素数7〜15のアラアルキレン
基、炭素数1〜5のハロアルキレン基である。
A polycarbonate resin containing the bisphenol represented by the formula (II) as a bisphenol component is exemplified. Here, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same or different and are a hydrogen atom or a methyl group, and X is a cycloalkylene group having 5 to 10 carbon atoms, an araalkylene group having 7 to 15 carbon atoms, 1 to 5 haloalkylene groups.

【0013】Xの具体例は、シクロアルキレン基として
1,1−シクロペンチレン、1,1−シクロヘキシレ
ン、1,1−(3,3,5−トリメチル)シクロヘキシ
レン、ノルボルナン−2,2−ジイル、トリシクロ
[5.2.1.02,6]デカン−8、8’−ジイル、特
に原料の入手のし易さから1,1−シクロヘキシレン、
1,1−(3,3,5−トリメチル)シクロヘキシレン
が好適に用いられる。また、アラアルキレン基として
は、フェニルメチレン、ジフェニルメチレン、1,1−
(1−フェニル)エチレン、9,9−フルオレニレンが
挙げられる。またハロアルキレン基としては、2,2−
ヘキサフルオロプロピレン、2,2−(1,1,3,3
−テトラフルオロ−1,3−ジシクロ)プロピレン等が
好適に用いられる。これらは一種でもよいし二種以上で
もよい。なかでも、耐熱性と液晶表示素子に要求される
光学特性の観点から、1,1−(3,3,5−トリメチ
ル)シクロヘキシレンまたは9,9−フルオレニレンが
好ましい。
Specific examples of X include 1,1-cyclopentylene, 1,1-cyclohexylene, 1,1- (3,3,5-trimethyl) cyclohexylene, norbornane-2,2- Diyl, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8,8′-diyl, especially 1,1-cyclohexylene, because of availability of raw materials.
1,1- (3,3,5-trimethyl) cyclohexylene is preferably used. As the aralkylene group, phenylmethylene, diphenylmethylene, 1,1-
(1-phenyl) ethylene, 9,9-fluorenylene. As the haloalkylene group, 2,2-
Hexafluoropropylene, 2,2- (1,1,3,3
-Tetrafluoro-1,3-dicyclo) propylene and the like are preferably used. These may be one kind or two or more kinds. Among them, 1,1- (3,3,5-trimethyl) cyclohexylene or 9,9-fluorenylene is preferable from the viewpoint of heat resistance and optical characteristics required for a liquid crystal display device.

【0014】上記ビスフェノール成分は2種類以上組み
合わせて用いることができる。
The above bisphenol components can be used in combination of two or more.

【0015】かかるポリカーボネート系樹脂は、共重合
体であってもよく、2種類以上併用して用いてもよい。
The polycarbonate resin may be a copolymer or a combination of two or more.

【0016】かかるポリカーボネート系樹脂としては、
ビスフェノール成分が(i)ビスフェノールAであるホ
モポリマー、(ii)ビスフェノールAと、上記式[I]に
おいてXが1,1−(3,3,5−トリメチル)シクロ
ヘキシレンまたは9,9−フルオレニレンであるビスフ
ェノールとからなる共重合体がさらに好ましい。かかる
共重合体の組成は、好ましくはビスフェノールAが10
〜90モル%である。
As such a polycarbonate resin,
(I) a homopolymer in which the bisphenol component is bisphenol A, (ii) bisphenol A, and in the above formula [I], X is 1,1- (3,3,5-trimethyl) cyclohexylene or 9,9-fluorenylene. A copolymer comprising a certain bisphenol is more preferred. The composition of such a copolymer is preferably bisphenol A of 10%.
~ 90 mol%.

【0017】透明高分子基板(S)の厚さは0.01〜
1.0mmの範囲のフィルムまたはシートであることが
好ましい。厚さが0.01mmよりも小さいと充分な剛
性がなくパネル加工時に変形しやすく取り扱いが難し
い。また、1.0mmよりも大きいと変形は生じにくく
なるが、液晶表示素子を組み立てた際に、二重像が顕著
になり表示品位が損なわれる。好ましい厚さは0.02
〜0.7mmの範囲である。
The thickness of the transparent polymer substrate (S) is 0.01 to
Preferably, the film or sheet has a thickness of 1.0 mm. When the thickness is smaller than 0.01 mm, the panel does not have sufficient rigidity and is easily deformed at the time of panel processing, and is difficult to handle. On the other hand, if it is larger than 1.0 mm, deformation is unlikely to occur, but when the liquid crystal display element is assembled, a double image becomes conspicuous and display quality is impaired. The preferred thickness is 0.02
It is in the range of 0.7 mm.

【0018】透明導電性基板は、液晶表示パネル用の電
極基板として用いる場合には、以下の優れた光学等方
性、透明性、非吸水性を有することがより好ましい。 (i)リターデーション値が30nm以下(好ましくは
20nm以下) (ii)遅相軸のバラツキが±30度以内(好ましくは±
15度以内) (iii)全光線透過率が80%以上(好ましくは85%
以上) (iv)吸水率が2%以下(好ましくは1%以下) ここで、リターデーション値は、公知の測定装置を用い
て測定した波長590nmにおける複屈折の屈折率の差
△nと膜厚dとの積△n・dで表されるものである。
When the transparent conductive substrate is used as an electrode substrate for a liquid crystal display panel, it preferably has the following excellent optical isotropy, transparency, and non-water absorption. (I) Retardation value is 30 nm or less (preferably 20 nm or less) (ii) Variation of the slow axis is within ± 30 degrees (preferably ±
(Iii) The total light transmittance is 80% or more (preferably 85%)
(Iv) The water absorption is 2% or less (preferably 1% or less) Here, the retardation value is the difference Δn between the refractive index of birefringence at a wavelength of 590 nm measured using a known measuring device and the film thickness. This is expressed by the product △ n · d with d.

【0019】透明高分子基板は、吸水率が低いものが好
ましい。吸水率が高いと、高温高湿耐久試験で基板が水
を含み、透明導電層の下地の表面抵抗が下がるため、パ
ネルの表示欠陥が発生しやすくなる。このような問題
は、後述のガスバリヤー層の積層によりかなり抑制する
ことができるが、高度な高温高湿信頼性を得るために
は、透明高分子基板の吸水率は0.7%以下であること
がより好ましい。
The transparent polymer substrate preferably has a low water absorption. When the water absorption is high, the substrate contains water in the high-temperature and high-humidity durability test, and the surface resistance of the base of the transparent conductive layer is reduced, so that display defects of the panel are likely to occur. Such a problem can be considerably suppressed by laminating a gas barrier layer described later, but in order to obtain high reliability at high temperature and high humidity, the water absorption of the transparent polymer substrate is 0.7% or less. Is more preferable.

【0020】[ガスバリヤー層(X)]上記透明導電性
基板を液晶表示素子用の電極基板として用いる場合は、
上記透明高分子基板の少なくとも一方の面に有機または
無機のガスバリヤー層(X)の少なくとも一層を積層す
ることが重要である。有機のガスバリヤー層としては、
例えばポリビニルアルコール、ビニルアルコール−エチ
レン共重合体等のビニルアルコール系高分子、ポリアク
リロニトリル、アクリロニトリル−アクリル酸メチル共
重合体やアクリロニトリル−スチレン共重合体などのア
クリロニトリル系高分子、あるいはポリ塩化ビニリデン
などのポリマーが挙げられる。この有機のガスバリヤー
層は通常、これらポリマーを有機溶媒に溶かしたコーテ
ィング組成物を、透明高分子基板(S)上に湿式塗工す
ることにより形成することができる。塗工方法として
は、例えばリバースロールコート法、マイクログラビア
コート法、ダイレクトグラビアコート法、キスコート
法、ダイコート法等の公知の方法を用いることができ
る。また、適当な有機溶媒でコーティング組成物の希釈
を行うことにより、塗液粘度の調製やガスバリヤー層の
膜厚を調製することができる。
[Gas Barrier Layer (X)] When the above transparent conductive substrate is used as an electrode substrate for a liquid crystal display element,
It is important to laminate at least one organic or inorganic gas barrier layer (X) on at least one surface of the transparent polymer substrate. As an organic gas barrier layer,
For example, polyvinyl alcohol, vinyl alcohol-based polymers such as vinyl alcohol-ethylene copolymers, acrylonitrile-based polymers such as polyacrylonitrile, acrylonitrile-methyl acrylate copolymer and acrylonitrile-styrene copolymer, or polyvinylidene chloride and the like Polymers. The organic gas barrier layer can be usually formed by wet-coating a coating composition obtained by dissolving these polymers in an organic solvent on the transparent polymer substrate (S). As a coating method, for example, a known method such as a reverse roll coating method, a microgravure coating method, a direct gravure coating method, a kiss coating method, and a die coating method can be used. Further, by diluting the coating composition with an appropriate organic solvent, it is possible to adjust the viscosity of the coating liquid and the thickness of the gas barrier layer.

【0021】有機のガスバリヤー層は、本発明の透明導
電性基板から透明導電層を除去した後の透明導電性基板
全体の高温高湿環境下の水蒸気透過度ができるだけ小さ
くなるように、使用する材料に応じて膜厚を調整すれば
よいが、通常1〜50μmが好ましい。
The organic gas barrier layer is used so that the water vapor permeability of the entire transparent conductive substrate after removing the transparent conductive layer from the transparent conductive substrate of the present invention in a high-temperature and high-humidity environment is as small as possible. The film thickness may be adjusted according to the material, but usually 1 to 50 μm is preferable.

【0022】また、無機のガスバリヤー層としては、例
えば珪素、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ジルコ
ニウム、チタン、イットリウム、タンタルからなる群か
ら選ばれる1種または2種以上の金属を主成分とする金
属酸化物、珪素、アルミニウム、ホウ素の金属窒化物ま
たはこれらの混合物を挙げることができる。この中で
も、ガスバリヤー性、透明性、表面平滑性、屈曲性、膜
応力、コスト等の点から珪素原子数に対する酸素原子数
の割合が1.5〜2.0の珪素酸化物を主成分とする金
属酸化物が良好である。珪素酸化物の珪素原子数に対す
る酸素原子数の割合は、X線光電子分光法、X線マイク
ロ分光法、オージェ電子分光法、ラザホード後方散乱法
などにより分析、決定される。この割合が1.5よりも
小さくなると、透明性が低下することから、1.5〜
2.0が好ましい。更に上記珪素酸化物中に、酸化マグ
ネシウム及び/又はフッ化マグネシウムを全体の重量に
対して5〜30重量%含有すると、透明性をより高くす
ることができる。これら無機のガスバリヤー層は例えば
スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プ
ラズマCVD法等の気相中より材料を堆積させて膜形成
する気相堆積法により作製することができる。なかで
も、特に優れたガスバリヤー性が得られるという観点か
ら、スパッタリング法が好ましい。
The inorganic gas barrier layer may be formed, for example, of a metal oxide containing one or more metals selected from the group consisting of silicon, aluminum, magnesium, zinc, zirconium, titanium, yttrium, and tantalum. , Metal nitrides of silicon, aluminum, and boron, or mixtures thereof. Among them, a gas barrier property, transparency, surface smoothness, flexibility, film stress, the ratio of the number of oxygen atoms to the number of silicon atoms is 1.5 to 2.0 from the viewpoint of cost and the like. Metal oxide is good. The ratio of the number of oxygen atoms to the number of silicon atoms in the silicon oxide is analyzed and determined by X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray microspectroscopy, Auger electron spectroscopy, Rutherford backscattering, or the like. When this ratio is smaller than 1.5, the transparency is reduced.
2.0 is preferred. Further, when magnesium oxide and / or magnesium fluoride is contained in the silicon oxide in an amount of 5 to 30% by weight based on the total weight, the transparency can be further increased. These inorganic gas barrier layers can be formed by a vapor deposition method of depositing a material from a gas phase such as a sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or a plasma CVD method to form a film. Among them, the sputtering method is preferred from the viewpoint that particularly excellent gas barrier properties can be obtained.

【0023】無機のガスバリヤー層の膜厚は、2nm〜
1μmの範囲が好ましい。金属酸化物層の厚みが2nm
未満では均一に膜を形成することは困難であり、膜が形
成されない部分が発生するため気体透過度が大きくな
る。一方、1μmよりも厚くなると透明性を欠くだけで
なく、透明導電性基板を屈曲させた際に、ガスバリヤー
層にクラックが発生して気体透過度が上昇する。特に、
後述するようにXを、(P)または(Q)からなる硬化
樹脂層(B)、(C)でサンドイッチするように挟み込
むとXは5〜200nm、好ましくは5〜50nmと薄
くしても、高いガスバリヤー性を得ることができる。
The thickness of the inorganic gas barrier layer is from 2 nm to
A range of 1 μm is preferred. The thickness of the metal oxide layer is 2 nm
If it is less than 1, it is difficult to form a uniform film, and a portion where the film is not formed occurs, so that the gas permeability increases. On the other hand, when the thickness is more than 1 μm, not only is the transparency lacking, but also when the transparent conductive substrate is bent, cracks are generated in the gas barrier layer to increase the gas permeability. In particular,
As described later, when X is sandwiched between the cured resin layers (B) and (C) made of (P) or (Q) so that X is as thin as 5 to 200 nm, preferably 5 to 50 nm, High gas barrier properties can be obtained.

【0024】本発明によれば、透明導電性基板におい
て、透明高分子基板(S)の硬化樹脂層(U)が積層さ
れている面と反対側に、(S)よりも吸水率が大きい硬
化樹脂層(B)を積層すると、高温高湿環境下に長時間
放置しても表示劣化がいっそう生じ難いパネルが得られ
る。ここで、該(B)層としては、後述する(P)また
は(Q)などの珪素含有樹脂、エポキシ樹脂、メラミン
樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂等の熱硬化性樹脂、
紫外線硬化性アクリル樹脂等の放射線硬化性樹脂、を挙
げることができる。
According to the present invention, in the transparent conductive substrate, on the side opposite to the surface on which the cured resin layer (U) of the transparent polymer substrate (S) is laminated, the cured resin having a higher water absorption than (S). By laminating the resin layer (B), a panel can be obtained in which display degradation hardly occurs even when left in a high temperature and high humidity environment for a long time. Here, as the (B) layer, a thermosetting resin such as a silicon-containing resin (P) or (Q) described later, an epoxy resin, a melamine resin, a urethane resin, an alkyd resin,
A radiation curable resin such as an ultraviolet curable acrylic resin can be used.

【0025】さらに、液晶表示素子に求められる、極め
て高度のガスバリヤ性を達成するためには、ガスバリヤ
ー層(X)として上記珪素酸化物を主成分とする金属酸
化物を用い、そして珪素含有樹脂からなる硬化樹脂層
(B)及び珪素含有樹脂からなる硬化樹脂層(C)を、
(X)を挟み込むように(X)に接して設けることが好
ましい。該珪素含有樹脂としてはビニルアルコール含有
ポリシロキサン樹脂(P)又は有機ポリシロキサン樹脂
(Q)が好ましく、硬化樹脂層(B)または(C)の少
なくとも一方が(P)であることがより好ましい。この
ような層構成にすることにより、膜厚が薄い珪素酸化物
を主成分とする金属酸化物を用いても基板全体の気体透
過度を小さくでき、特に、水蒸気透過度を0.1g/m
2/day以下にすることが可能である。
Further, in order to achieve a very high gas barrier property required for a liquid crystal display device, the above-mentioned metal oxide containing silicon oxide as a main component is used as a gas barrier layer (X). Cured resin layer (B) composed of a silicon-containing resin and a cured resin layer (C) composed of
It is preferable that (X) is provided in contact with (X) so as to sandwich it. As the silicon-containing resin, a vinyl alcohol-containing polysiloxane resin (P) or an organic polysiloxane resin (Q) is preferable, and at least one of the cured resin layers (B) and (C) is more preferably (P). With such a layer structure, the gas permeability of the entire substrate can be reduced even when a metal oxide mainly composed of a silicon oxide having a small thickness is used, and in particular, the water vapor permeability is reduced to 0.1 g / m 2.
2 / day or less.

【0026】該ビニルアルコール含有ポリシロキサン樹
脂(P)は、ビニルアルコール系ポリマーと、エポキシ
基含有珪素化合物およびアミノ基含有珪素化合物を含む
コーティング組成物を用いて得ることができる。
The vinyl alcohol-containing polysiloxane resin (P) can be obtained by using a coating composition containing a vinyl alcohol polymer and a silicon compound containing an epoxy group and a silicon compound containing an amino group.

【0027】ここでビニルアルコール系ポリマーとは、
ビニルアルコールをモノマー成分として50モル%以上
含有するビニルアルコール共重合体、またはビニルアル
コールのホモポリマーをいう。このビニルアルコール共
重合体としては、例えばビニルアルコール−酢酸ビニル
共重合体、ビニルアルコールビニルブチラール共重合
体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、あるいは分
子内にシリル基を有するポリビニルアルコールが挙げら
れる。なかでも、エチレン−ビニルアルコール共重合体
を用いると、耐薬品性、耐水性、耐久性にいっそう優れ
たビニルアルコール含有ポリシロキサン樹脂(P)が得
られる。
Here, the vinyl alcohol-based polymer is
A vinyl alcohol copolymer containing 50 mol% or more of vinyl alcohol as a monomer component, or a homopolymer of vinyl alcohol. Examples of the vinyl alcohol copolymer include a vinyl alcohol-vinyl acetate copolymer, a vinyl alcohol vinyl butyral copolymer, an ethylene-vinyl alcohol copolymer, and a polyvinyl alcohol having a silyl group in a molecule. Among them, when an ethylene-vinyl alcohol copolymer is used, a vinyl alcohol-containing polysiloxane resin (P) having further excellent chemical resistance, water resistance and durability can be obtained.

【0028】該ビニルアルコール系ポリマーは、水、ア
ルコール、ジメチルイミダゾリン等の有機溶媒に溶解し
てコーティング組成物の成分とする。例えば、エチレン
−ビニルアルコール共重合体は、水とプロパノールを主
成分とする混合溶媒に溶解してコーティング組成物の成
分として用いるのがよい。
The vinyl alcohol-based polymer is dissolved in an organic solvent such as water, alcohol, dimethylimidazoline or the like to form a component of the coating composition. For example, the ethylene-vinyl alcohol copolymer is preferably dissolved in a mixed solvent containing water and propanol as main components and used as a component of the coating composition.

【0029】エポキシ基含有珪素化合物はエポキシ基及
びアルコキシシリル基を有する珪素化合物、その(部
分)加水分解物、その(部分)縮合物、及びこれらの混
合物からなる群から選ばれ、例えば下記式[II]で表さ
れる。
The silicon compound containing an epoxy group is selected from the group consisting of a silicon compound having an epoxy group and an alkoxysilyl group, a (partly) hydrolyzate thereof, a (partly) condensate thereof, and a mixture thereof. II].

【0030】[0030]

【数3】 X−R11−Si(R12n(OR133ーn [II] ここで、R11は炭素数1〜4のアルキレン基、R12及び
13は炭素数1〜4のアルキル基、Xはグリシドキシ基
またはエポキシシクロヘキシル基であり、nは0または
1である。
X-R 11 -Si (R 12 ) n (OR 13 ) 3 -n [II] wherein R 11 is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and R 12 and R 13 are 1 to 3 carbon atoms. And X is a glycidoxy group or an epoxycyclohexyl group, and n is 0 or 1.

【0031】特に好ましいエポキシ基含有珪素化合物と
しては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルト
リメトキシシランである。これらの化合物は単独で用い
ても、2種以上を併用してもよい。
Particularly preferred silicon compounds containing an epoxy group are 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane and 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

【0032】アミノ基含有珪素化合物はアミノ基及びア
ルコキシシリル基を有する珪素化合物、その(部分)加
水分解物、その(部分)縮合物、及びこれらの混合物か
らなる群から選ばれ、例えば下記式[III]で表され
る。
The amino group-containing silicon compound is selected from the group consisting of a silicon compound having an amino group and an alkoxysilyl group, a (partial) hydrolyzate thereof, a (partial) condensate thereof, and a mixture thereof. III].

【0033】[0033]

【数4】 Y−HN−R14−Si(R15m(OR163-m [III] ここで、R14は炭素数1〜4のアルキレン基、R15及び
16は炭素数1〜4のアルキル基、Yは水素原子または
アミノアルキル基であり、mは0または1である。
Y—HN—R 14 —Si (R 15 ) m (OR 16 ) 3-m [III] where R 14 is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and R 15 and R 16 are carbon atoms. 1-4 alkyl groups, Y is a hydrogen atom or an aminoalkyl group, and m is 0 or 1.

【0034】この中で特に好ましいアミノ基含有珪素化
合物は3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、N−メチル−3−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピル
メチルジエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−
3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−ア
ミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシ
ランである。これらの化合物は単独で用いても、2種以
上を併用してもよい。
Of these, particularly preferred amino group-containing silicon compounds are 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-methyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, and 3-aminopropylmethyldiethoxysilane. , N- (2-aminoethyl)-
3-aminopropyltrimethoxysilane and N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

【0035】なお、本発明におけるエポキシ基含有珪素
化合物ならびにアミノ基含有珪素化合物の(部分)加水
分解物及びその(部分)縮合物は、上述のエポキシ基含
有珪素化合物ならびにアミノ基含有珪素化合物の一部ま
たは全部が加水分解したもの、該加水分解物の一部又は
全部が縮合反応した縮合物、及び該縮合物と加水分解し
ていない原料のエポキシ基含有珪素化合物ならびにアミ
ノ基含有珪素化合物とが縮合したものであり、これらは
いわゆるゾルゲル反応させることにより得られるもので
ある。ここで加水分解物は、例えば塩酸等の無機酸、酢
酸等の有機酸などの酸性水溶液または水と混合すること
により得られる。また、コーティング液は、保存安定性
ならびに塗工安定性を考慮して、アルコール系、エステ
ル系、エーテル系、ケトン系、セロソルブ系等の各種有
機溶媒で希釈されていることが好ましい。
In the present invention, the (partial) hydrolyzate of the epoxy group-containing silicon compound and the amino group-containing silicon compound and the (partial) condensate thereof are one of the above-mentioned epoxy group-containing silicon compound and amino group-containing silicon compound. A part or all of which is hydrolyzed, a condensate in which part or all of the hydrolyzate is subjected to a condensation reaction, and an epoxy group-containing silicon compound and an amino group-containing silicon compound of a raw material that is not hydrolyzed with the condensate These are condensation products, which are obtained by a so-called sol-gel reaction. Here, the hydrolyzate is obtained by mixing with an aqueous acidic solution such as an inorganic acid such as hydrochloric acid, an organic acid such as acetic acid, or water. The coating liquid is preferably diluted with various organic solvents such as alcohols, esters, ethers, ketones, and cellosolves in consideration of storage stability and coating stability.

【0036】エポキシ基含有珪素化合物とアミノ基含有
珪素化合物の混合比率は、エポキシ基モル当量換算量E
p、アミノ基モル当量換算量Apの比率で1/6<Ep
/Ap<6/1の範囲内が好ましい。混合比がこの範囲
から外れる場合、密着性、耐熱性、耐溶剤性、耐水性、
耐久性が低下する。この様なエポキシ基含有珪素化合物
とアミノ基含有珪素化合物の混合物をポリビニルアルコ
ール系ポリマーに混合するに際し、硬化後の重量比率で
20重量%以上、95重量%未満となるように混合す
る。20重量部よりも少ない場合は、耐水性、耐薬品性
に劣る傾向となり、95重量%以上ではガスバリヤー性
が低下する傾向となる。ここで、エポキシ基含有珪素化
合物とアミノ基含有珪素化合物との混合物の硬化後の重
量は、X−R11−Si(R12)nO(3-n)/2とY−HN
−R14−Si(R15m(3-m)/2で示される重量基準で
ある。ここでこの重量換算式は、各々の珪素化合物中の
アルコキシシリル基の全てが加水分解ならびに縮合反応
したことを仮定して上記のように定義した。
The mixing ratio of the silicon compound containing an epoxy group and the silicon compound containing an amino group is expressed by a molar equivalent of an epoxy group E
1/6 <Ep in the ratio of p, amino equivalent molar equivalent conversion amount Ap
/ Ap <6/1 is preferable. If the mixing ratio is out of this range, adhesion, heat resistance, solvent resistance, water resistance,
The durability decreases. When such a mixture of the epoxy group-containing silicon compound and the amino group-containing silicon compound is mixed with the polyvinyl alcohol-based polymer, they are mixed so that the weight ratio after curing becomes 20% by weight or more and less than 95% by weight. When the amount is less than 20 parts by weight, water resistance and chemical resistance tend to be inferior, and when it is 95% by weight or more, gas barrier properties tend to decrease. Here, the weight after curing of the mixture of an epoxy group-containing silicon compound and an amino group-containing silicon compound, X-R 11 -Si (R 12) nO (3-n) / 2 and Y-HN
-R 14 is a weight represented by -Si (R 15) m O ( 3-m) / 2. Here, this weight conversion formula was defined as above, assuming that all of the alkoxysilyl groups in each silicon compound had undergone hydrolysis and condensation reactions.

【0037】特に、該ポリビニルアルコール含有ポリシ
ロキサン樹脂を前述の珪素酸化物を主成分とする金属酸
化物からなるガスバリヤー層の少なくも一方の面に接し
て積層することで、ガスバリヤー性がいっそう向上す
る。
In particular, by laminating the polyvinyl alcohol-containing polysiloxane resin in contact with at least one surface of a gas barrier layer composed of the above-described metal oxide containing silicon oxide as a main component, the gas barrier property is further improved. improves.

【0038】上記コーティング組成物中には、ビニルア
ルコール系ポリマー、エポキシ基含有珪素化合物、アミ
ノ基含有珪素化合物の他に、有機溶媒、酢酸等の触媒、
安定剤、レベリング剤を含有することができる。該組成
物中の酢酸の濃度としては、コーティング組成物中のア
ミノ基及びまたはイミノ基のモル濃度の0.2〜5モル
当量倍の範囲で添加するのが好ましい。また、作業性を
考慮して、また得られる硬化物層の膜厚を勘案して有機
溶媒、安定剤、レベリング剤の量を調整すればよい。
The coating composition contains a vinyl alcohol polymer, an epoxy group-containing silicon compound, an amino group-containing silicon compound, an organic solvent, a catalyst such as acetic acid, and the like.
It may contain stabilizers and leveling agents. The concentration of acetic acid in the composition is preferably in the range of 0.2 to 5 molar equivalent times the molar concentration of amino groups and / or imino groups in the coating composition. In addition, the amounts of the organic solvent, the stabilizer, and the leveling agent may be adjusted in consideration of workability and the thickness of the obtained cured product layer.

【0039】この組成物を(S)等の基材上に塗布し、
ついでこれを加熱等によって硬化反応させることにより
(P)を得ることができる。加熱温度は通常室温以上
(S)のガラス転移温度以下で行う。この加熱によっ
て、エポキシ基含有珪素化合物とアミノ基含有珪素化合
物のいわゆるゾルゲル反応が進行し、ビニルアルコール
系ポリマーも一部または全部が反応し硬化膜が得られ
る。
This composition is coated on a substrate such as (S),
Then, by subjecting this to a curing reaction by heating or the like, (P) can be obtained. The heating temperature is usually not lower than room temperature and not higher than the glass transition temperature of (S). By this heating, a so-called sol-gel reaction of the epoxy group-containing silicon compound and the amino group-containing silicon compound proceeds, and a part or all of the vinyl alcohol-based polymer reacts to obtain a cured film.

【0040】該ポリビニルアルコール含有ポリシロキサ
ン樹脂(P)の膜厚は、概して0.01〜20μmの範
囲から適宜選択することができる。
The thickness of the polyvinyl alcohol-containing polysiloxane resin (P) can be appropriately selected generally from the range of 0.01 to 20 μm.

【0041】有機ポリシロキサン樹脂(Q)は、エポキ
シ基含有珪素化合物およびアミノ基含有珪素化合物を含
むコーティング組成物を用いて得ることができる。
The organic polysiloxane resin (Q) can be obtained by using a coating composition containing a silicon compound containing an epoxy group and a silicon compound containing an amino group.

【0042】上記有機ポリシロキサン樹脂(Q)として
は、下記式(IV)で表される有機ケイ素化合物ないしは
その加水分解物をいわゆるゾルゲル反応させることによ
り得られるものが好ましい。
The organic polysiloxane resin (Q) is preferably obtained by subjecting an organosilicon compound represented by the following formula (IV) or a hydrolyzate thereof to a so-called sol-gel reaction.

【0043】[0043]

【数5】 R17 a18 bSiX4ーaーb [IV]Equation 5] R 17 a R 18 b SiX 4-a over b [IV]

【0044】ここで、R17は炭素数1〜10の有機基で
あり、R18は炭素数1〜6の炭化水素基またはハロゲン
化炭化水素基であり、Xは加水分解性基であり、aおよ
びbは0または1である。上記式(3)で示される有機
ケイ素化合物の例としては、例えばテトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ジメ
チルジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキ
シシラン、(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル
トリメトキシシラン、(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリエトキシシラン、アミノメチルトリエト
キシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、
3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−アミノメ
チル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−
(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、N−メチルアミノプロピルト
リメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキ
シシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。これらの
化合物は単独で又は2種以上を併せて用いることができ
る。中でも、上記式(1)のエポキシ基含有珪素化合物
と上記式(2)のアミノ基含有珪素化合物との混合物を
主成分とすることが好適である。ここで、エポキシ基含
有珪素化合物とアミノ基含有珪素化合物の混合比率は、
エポキシ基モル当量換算量Eq、アミノ基モル当量換算
量Aqの比率で5/95<Eq/Aq<95/5の範囲
内で用いることが、耐薬品性、層間密着性の点で好まし
い。特に、該有機ポリシロキサン系樹脂層の上に前記珪
素酸化物を主成分とする金属酸化物からなるガスバリヤ
ー層を形成することで、ガスバリヤ性がいっそう向上す
る。
Here, R 17 is an organic group having 1 to 10 carbon atoms, R 18 is a hydrocarbon group or a halogenated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, X is a hydrolyzable group, a and b are 0 or 1. Examples of the organosilicon compound represented by the above formula (3) include, for example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl Trimethoxysilane, (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, aminomethyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane,
3-aminopropyltriethoxysilane, N-aminomethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-
(2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane and the like can be mentioned. These compounds can be used alone or in combination of two or more. Among them, it is preferable to use a mixture of the epoxy group-containing silicon compound of the above formula (1) and the amino group-containing silicon compound of the above formula (2) as a main component. Here, the mixing ratio of the epoxy group-containing silicon compound and the amino group-containing silicon compound is
It is preferable in terms of chemical resistance and interlayer adhesion that the ratio of the epoxy group molar equivalent conversion amount Eq and the amino group molar equivalent conversion amount Aq be within the range of 5/95 <Eq / Aq <95/5. In particular, by forming a gas barrier layer made of a metal oxide containing silicon oxide as a main component on the organic polysiloxane-based resin layer, the gas barrier property is further improved.

【0045】有機ポリシロキサン系樹脂(Q)は、上記
(P)と同様の方法で製造することができる。該有機ポ
リシロキサン系樹脂(Q)の膜厚は、概して0.01〜
20μmの範囲から適宜選択することができる。
The organic polysiloxane resin (Q) can be produced in the same manner as in the above (P). The thickness of the organic polysiloxane resin (Q) is generally 0.01 to
It can be appropriately selected from the range of 20 μm.

【0046】[硬化樹脂層(U)]硬化樹脂層(U)
は、その上に透明導電層(E)を積層して用いる。かか
る(U)は、50℃30%RH環境下で1.0×1013
Ω/□かつ50℃90%RH環境下で1.0×1012Ω
/□以上の表面抵抗を有するので、長時間にわたり液晶
パネルの表示欠陥が発生せず、高い安定性を有し高信頼
性の液晶表示素子を提供できる。50℃90%RHにお
ける表面抵抗が1×1012Ω/□未満の透明導電性基板
を用いて液晶パネルを作製した場合、パネルの高温高湿
耐久試験にて表示にじみやクロストークといったパネル
の表示欠陥が発生しやすくなる。
[Cured resin layer (U)] Cured resin layer (U)
Is used by laminating a transparent conductive layer (E) thereon. This (U) is 1.0 × 10 13 at 50 ° C. and 30% RH environment.
Ω / □ and 1.0 × 10 12 Ω in a 50 ° C. 90% RH environment
Since it has a surface resistance of // or more, a display defect of the liquid crystal panel does not occur for a long time, and a highly stable and highly reliable liquid crystal display device can be provided. When the surface resistance at 50 ° C. 90% RH is to produce a liquid crystal panel using a 1 × 10 12 Ω / □ under the transparent conductive substrate, a display panel such as display bleeding and crosstalk at high temperature and high humidity durability test of the panel Defects are more likely to occur.

【0047】該硬化樹脂層(U)は、極性基、吸水性、
イオン性不純物をできるだけ低減させることが好まし
い。水酸基、アミノ基、アミド基、カルボニル基等の極
性基が多く、吸水性が高く、イオン性不純物の汚染が多
くなるほど、表面抵抗の低下が著しくなる。ただし、あ
る程度の極性基が存在しないと、透明導電性基板の層間
密着性が確保できなくなる。吸水性については、硬化樹
脂層の構造や製膜条件により変化し、高密度に架橋して
いるものがより好ましい。また生産性の観点から短時間
の熱処理で十分な特性が得られる熱硬化性樹脂がより好
ましい。また、イオン性不純物等の汚染については、硬
化樹脂層(U)の原料の精製は勿論のこと透明導電性基
板の製造工程での汚染をできるだけ低減させる必要があ
る。また、特に高周波駆動で表示を行う液晶パネルに対
しては硬化樹脂層(U)の誘電率をできるだけ低くする
ことがより好ましい。
The cured resin layer (U) has a polar group, a water absorbing property,
It is preferable to reduce ionic impurities as much as possible. The more polar groups such as hydroxyl group, amino group, amide group, carbonyl group and the like, the higher the water absorption, and the more the contamination with ionic impurities, the more the surface resistance decreases. However, if some polar groups do not exist, the interlayer adhesion of the transparent conductive substrate cannot be ensured. The water absorption varies depending on the structure of the cured resin layer and the film forming conditions, and it is more preferable that the resin is crosslinked at a high density. Further, from the viewpoint of productivity, a thermosetting resin capable of obtaining sufficient properties by a short-time heat treatment is more preferable. Contamination such as ionic impurities needs to be reduced as much as possible in the process of manufacturing the transparent conductive substrate as well as the purification of the raw material of the cured resin layer (U). In addition, it is more preferable that the dielectric constant of the cured resin layer (U) be as low as possible, particularly for a liquid crystal panel that performs display by high frequency driving.

【0048】かかる硬化樹脂層(U)としては、耐薬品
性、透明性、良好な層間密着性を有する必要があり、例
えば、珪素含有樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウ
レタン樹脂、アルキド樹脂等の熱硬化性樹脂、紫外線硬
化性アクリル樹脂等の放射線硬化性樹脂を挙げることが
できる。
The cured resin layer (U) must have chemical resistance, transparency, and good interlayer adhesion. For example, the cured resin layer (U) may be made of silicon-containing resin, epoxy resin, melamine resin, urethane resin, alkyd resin, etc. A radiation-curable resin such as a thermosetting resin and an ultraviolet-curable acrylic resin can be used.

【0049】本発明によれば、かかる硬化樹脂層(U)
が、赤外線吸収スペクトルにおいて、3500cm-1
近にピークを有するO−H伸縮振動に基づく吸収の吸光
度(a)と、3000cm-1付近にピークを有するC−
H伸縮振動に基づく吸収の吸光度(b)と、1600c
-1付近にピークを有する−NH2面内変角振動に基づ
く吸収の吸光度(c)と、1130cm-1付近にピーク
を有するSi−Oに由来する吸光度(d)が下記式
(1)、(2)及び(3)を満たす珪素含有樹脂からな
ると、透明電極層をエッチング等により除去した後の
(U)表面の絶縁抵抗が高温高湿環境下において極めて
高い。そのため、透明導電性基板を電極基板として用い
る場合に、エッチング等により作成された回路パターン
において、基板面内の隣り合う電極間の距離を短くして
も充分な絶縁性が確保できる。その結果、高温高湿環境
に対する信頼性が高くて高精細な液晶表示素子を得るこ
とが可能となる。
According to the present invention, such a cured resin layer (U)
There has in the infrared absorption spectrum, the absorbance of absorption based on O-H stretching vibration having a peak near 3500 cm -1 and (a), a peak near 3000 cm -1 C-
Absorbance (b) of absorption based on H stretching vibration and 1600c
The absorbance (c) of absorption based on -NH 2 in- plane bending vibration having a peak near m -1 and the absorbance (d) derived from Si-O having a peak near 1130 cm -1 are represented by the following formula (1). , (2) and (3), the insulation resistance of the (U) surface after the transparent electrode layer is removed by etching or the like is extremely high in a high-temperature and high-humidity environment. Therefore, when a transparent conductive substrate is used as an electrode substrate, sufficient insulation can be ensured in a circuit pattern formed by etching or the like, even if the distance between adjacent electrodes on the substrate surface is reduced. As a result, it is possible to obtain a liquid crystal display device having high reliability and high definition in a high-temperature, high-humidity environment.

【0050】[0050]

【数6】 0.01<(a)/(b)<1.0 (1) 0.01<(c)/(b)<0.5 (2) 0.01<(d)/(b)<2.0 (3)(6) 0.01 <(a) / (b) <1.0 (1) 0.01 <(c) / (b) <0.5 (2) 0.01 <(d) / (b) ) <2.0 (3)

【0051】なお、C−H伸縮振動に由来する吸光度
(b)は、同じ結合の伸縮振動が隣接したときは、対称
と非対称の二つの吸収が認められるが、吸光度が最も大
きいC−H伸縮振動を(b)とする。また、上記特性の
他、硬化樹脂層(U)は透明導電層との密着性に優れて
いる。その結果、液晶表示パネル製造工程で必要とされ
る酸、アルカリ、NMP等の薬品に対する耐性が良好で
ある。上記式(1)、(2)及び(3)を満たさない場
合は、これらの良好な特性は同時には得ることは難し
い。
As for the absorbance (b) derived from the C—H stretching vibration, when the stretching vibration of the same bond is adjacent, two symmetric and asymmetric absorptions are recognized, but the C—H stretching with the largest absorbance is observed. Let the vibration be (b). In addition to the above characteristics, the cured resin layer (U) has excellent adhesion to the transparent conductive layer. As a result, resistance to chemicals such as acids, alkalis, and NMP required in a liquid crystal display panel manufacturing process is good. When the above-mentioned formulas (1), (2) and (3) are not satisfied, it is difficult to obtain these good characteristics at the same time.

【0052】この様な珪素含有樹脂を与えるものとして
は、前記のポリビニルアルコール含有ポリシロキサン樹
脂(P)、有機ポリシロキサン樹脂(Q)が好ましい。
ここで、ポリシロキサン系樹脂(P)の場合は、エポキ
シ基含有珪素化合物とアミノ基含有珪素化合物の混合比
率を、エポキシ基モル当量換算量UEp、アミノ基モル
当量換算量Uapとしたとき、50/50<UEp/U
Ap<95/5の範囲内にし、エポキシ基含有珪素化合
物とアミノ基含有珪素化合物の混合物をポリビニルアル
コール系ポリマーに混合するに際し、硬化後の固形分の
重量比率で50重量%以上となるように混合するのがさ
らに好ましい。また、有機ポリシロキサン系樹脂(Q)
の場合は、エポキシ基を有するアルコキシシランとアミ
ノ基を有するアルコキシシランの混合比率を、エポキシ
基モル当量換算量UEq、アミノ基モル当量換算量UA
qとしたとき、50/50≦UEq/UAq≦95/5
の範囲内で混合するのがさらに好ましい。特に好ましい
範囲は65/35≦UEq/UAq≦85/15であ
る。
[0052] The above-mentioned polyvinyl alcohol-containing polysiloxane resin (P) and the organic polysiloxane resin (Q) are preferred as materials giving such a silicon-containing resin.
Here, in the case of the polysiloxane resin (P), when the mixing ratio of the epoxy group-containing silicon compound and the amino group-containing silicon compound is expressed as an epoxy group molar equivalent conversion amount UEp and an amino group molar equivalent conversion amount Uap, 50 / 50 <UEp / U
When the mixture of the epoxy group-containing silicon compound and the amino group-containing silicon compound is mixed with the polyvinyl alcohol-based polymer, the weight ratio of the solid content after curing becomes 50% by weight or more. Mixing is more preferred. In addition, the organic polysiloxane resin (Q)
In the case of, the mixing ratio of the alkoxysilane having an epoxy group and the alkoxysilane having an amino group is determined by converting the epoxy group molar equivalent conversion amount UEq and the amino group molar equivalent conversion amount UA
When q, 50/50 ≦ UEq / UAq ≦ 95/5
It is more preferable to mix them within the range. A particularly preferred range is 65/35 ≦ UEq / UAq ≦ 85/15.

【0053】エポキシ系樹脂は耐溶剤性の観点からノボ
ラック型のエポキシ樹脂が好ましい。かかるエポキシ系
樹脂を硬化させる硬化剤としては、公知の物が適用でき
る。例えば、アミン系、ポリアミノアミド系、酸及び酸
無水物、イミダゾール、メルカプタン、フェノール樹脂
等の硬化剤が用いられる。なかでも、耐溶剤性、光学特
性、熱特性等より、酸無水物及び酸無水物構造を含むポ
リマーまたは脂肪族アミン類が好ましく用いられ、更に
好ましくは酸無水物及び酸無水物構造を含むポリマーで
ある。さらに、反応速度を上げるために公知の第三アミ
ン類やイミダゾール類等の硬化触媒を適量加えることが
好ましい。
The epoxy resin is preferably a novolak type epoxy resin from the viewpoint of solvent resistance. As the curing agent for curing the epoxy resin, a known agent can be applied. For example, a curing agent such as an amine-based, polyaminoamide-based, acid and acid anhydride, imidazole, mercaptan, and phenol resin is used. Among them, polymers having an acid anhydride and an acid anhydride structure or aliphatic amines are preferably used from the viewpoint of solvent resistance, optical properties, thermal properties, etc., and more preferably a polymer having an acid anhydride and an acid anhydride structure It is. Further, it is preferable to add an appropriate amount of a known curing catalyst such as a tertiary amine or imidazole in order to increase the reaction rate.

【0054】放射線硬化性樹脂は、紫外線や電子線等の
放射線を照射することにより硬化が進行する樹脂を指
し、具体的には分子あるいは単体構造内にアクリロイル
基、メタクリロイル基、ビニル基等の不飽和二重結合を
含む樹脂のことである。これらの中でも特に反応性の面
から、アクリロイル基を含むアクリル系樹脂が好まし
い。該放射線硬化性樹脂は一種類の樹脂を用いても、数
種の樹脂を混合して用いてもかまわないが、耐溶剤性の
観点から分子あるいは単位構造内に2個以上のアクリロ
イル基を有するアクリル系樹脂を用いることが好まし
い。こうした多官能アクリレート樹脂としては、例えば
ウレタンアクリレート、エステルアクリレート、エポキ
シアクリレート等が挙げられるが、これらに限定される
のではない。特に、高温高湿環境下での表面絶縁抵抗を
高くするという観点から、下記式(V)および/または
(VI)の単位を含み、少なくとも2個以上のアクリロイ
ル基を有するアクリル樹脂が好ましい。
The radiation-curable resin refers to a resin that cures when irradiated with radiation such as ultraviolet light or an electron beam. Specifically, the radiation-curable resin has an acryloyl group, a methacryloyl group, a vinyl group, etc. A resin containing a saturated double bond. Among these, an acrylic resin containing an acryloyl group is particularly preferable from the viewpoint of reactivity. The radiation-curable resin may use one kind of resin or a mixture of several kinds of resins, but has two or more acryloyl groups in the molecule or unit structure from the viewpoint of solvent resistance. It is preferable to use an acrylic resin. Such polyfunctional acrylate resins include, for example, urethane acrylate, ester acrylate, epoxy acrylate, and the like, but are not limited thereto. In particular, from the viewpoint of increasing the surface insulation resistance in a high-temperature and high-humidity environment, an acrylic resin containing units of the following formulas (V) and / or (VI) and having at least two or more acryloyl groups is preferable.

【0055】[0055]

【化2】 Embedded image

【0056】この様なエポキシ系樹脂ならびに放射線硬
化性樹脂には、更なる密着性、耐溶剤性を付与する目的
で公知のアルコキシシランの加水分解物やシランカップ
リング剤を混合してもよい。紫外線硬化法を用いる場合
には、前述の放射線硬化性樹脂に公知の光反応開始剤を
適量添加する。
A known hydrolyzate of an alkoxysilane or a silane coupling agent may be mixed with such an epoxy resin or radiation curable resin for the purpose of imparting further adhesion and solvent resistance. When the ultraviolet curing method is used, an appropriate amount of a known photoreaction initiator is added to the radiation-curable resin.

【0057】上記硬化樹脂層(U)の膜厚は、概して
0.01〜20μm、好ましくは0.03〜10μmの
範囲から適宜選択することができる。
The thickness of the cured resin layer (U) can be appropriately selected in a range of generally 0.01 to 20 μm, preferably 0.03 to 10 μm.

【0058】上記硬化樹脂層(U)は、硬化性樹脂を有
機溶媒に混合した組成物を、基材上に塗布し、加熱また
は紫外線を照射し、硬化反応させる従来の方法によって
製造することができる。特に、珪素含有樹脂として
(P)、(Q)を用いる場合は、上記した方法によって
製造することが出来る。
The cured resin layer (U) can be produced by a conventional method in which a composition obtained by mixing a curable resin in an organic solvent is applied onto a substrate, and the composition is cured by heating or irradiation with ultraviolet rays. it can. In particular, when (P) or (Q) is used as the silicon-containing resin, it can be produced by the above-described method.

【0059】[積層フィルム]本発明によれば、上記透
明高分子基板(S)及び硬化樹脂層(U)を含んでなる
積層フィルムはさらにガスバリヤー層(X)を含み、そ
して該硬化樹脂層(U)に接して透明導電層(E)を配
置することにより、上記優れた特性を有するガスバリヤ
性が良好な透明導電性基板を与える。すなわち、かかる
積層フィルムは、U層の表面が高温高湿度下においても
高い抵抗値を示すとともに、ガスバリヤー性が良好で、
吸水率が2%以下である。特に、40℃90%RH環境
下における水蒸気透過度が1g/m2/day以下、好ま
しくは0.1g/m2/day以下であり、さらに(U)
の表面は高温高湿環境下において高い絶縁抵抗を示す。
[Laminated Film] According to the present invention, the laminated film comprising the transparent polymer substrate (S) and the cured resin layer (U) further comprises a gas barrier layer (X). By disposing the transparent conductive layer (E) in contact with (U), a transparent conductive substrate having the above-mentioned excellent properties and good gas barrier properties is provided. That is, such a laminated film, the surface of the U layer shows a high resistance value even under high temperature and high humidity, and good gas barrier properties,
The water absorption is 2% or less. In particular, the water vapor permeability under an environment of 40 ° C. and 90% RH is 1 g / m 2 / day or less, preferably 0.1 g / m 2 / day or less, and (U)
Has a high insulation resistance under a high temperature and high humidity environment.

【0060】[透明導電層(E)]透明導電層(E)と
しては、公知の金属膜、金属酸化物膜等が適用できる
が、中でも、透明性、導電性、機械的特性の点から、金
属酸化物膜が好ましい。例えば、不純物としてスズ、テ
ルル、カドミウム、モリブテン、タングステン、フッ
素、亜鉛、ゲルマニウム等を添加した酸化インジウム、
酸化カドミウム及び酸化スズ、不純物としてアルミニウ
ムを添加した酸化亜鉛、酸化チタン等の金属酸化物膜が
挙げられる。中でも酸化スズから主としてなり、酸化亜
鉛を2〜15重量%含有した酸化インジウムの薄膜が、
透明性、導電性が優れており、好ましく用いられる。
[Transparent Conductive Layer (E)] As the transparent conductive layer (E), a known metal film, metal oxide film and the like can be applied. Among them, from the viewpoint of transparency, conductivity and mechanical properties, Metal oxide films are preferred. For example, indium oxide to which tin, tellurium, cadmium, molybdenum, tungsten, fluorine, zinc, germanium, etc. are added as impurities,
Metal oxide films such as cadmium oxide and tin oxide, zinc oxide to which aluminum is added as an impurity, and titanium oxide are given. Above all, a thin film of indium oxide mainly composed of tin oxide and containing 2 to 15% by weight of zinc oxide,
It is excellent in transparency and conductivity, and is preferably used.

【0061】上記透明導電層(E)の膜厚は目的の表面
抵抗に応じて設定されるが、1nm〜1μm、好ましく
は10nm〜500nmである。
The thickness of the transparent conductive layer (E) is set according to the desired surface resistance, and is 1 nm to 1 μm, preferably 10 nm to 500 nm.

【0062】本発明の透明導電性基板は、硬化樹脂層
(B)及び(C)として(P)、(Q)を用いた場合、
例えば(E)/(S)/(X)、(E)/(X)/
(S)/(X)、(E)/(S)/(P)/(X)/
(Q)、(E)/(S)/(Q)/(X)/(P)、
(E)/(S)/(P)/(X)/(P)、(E)/
(P)/(X)/(Q)/(S)/(P)/(X)/
(Q)、(E)/(P)/(X)/(Q)/(S)/
(Q)/(X)/(P)、(E)/(P)/(X)/
(Q)/(S)/(P)/(X)/(P)、(E)/
(Q)/(X)/(P)/(S)/(P)/(X)/
(Q)、(E)/(Q)/(X)/(P)/(S)/
(Q)/(X)/(P)、(E)/(Q)/(X)/
(P)/(S)/(P)/(X)/(P)、(E)/
(P)/(X)/(P)/(S)/(P)/(X)/
(Q)、(E)/(P)/(X)/(P)/(S)/
(Q)/(X)/(P)、(E)/(P)/(X)/
(P)/(S)/(P)/(X)/(P)、(E)/
(U)/(S)/(X)、(E)/(U)/(X)/
(S)/(X)、(E)/(U)/(S)/(P)/
(X)/(Q)、(E)/(U)/(S)/(Q)/
(X)/(P)、(E)/(U)/(S)/(P)/
(X)/(P)、(E)/(U)/(P)/(X)/
(Q)/(S)/(P)/(X)/(Q)、(E)/
(U)/(P)/(X)/(Q)/(S)/(Q)/
(X)/(P)、(E)/(U)/(P)/(X)/
(Q)/(S)/(P)/(X)/(P)、(E)/
(U)/(Q)/(X)/(P)/(S)/(P)/
(X)/(Q)、(E)/(U)/(Q)/(X)/
(P)/(S)/(Q)/(X)/(P)、(E)/
(U)/(Q)/(X)/(P)/(S)/(P)/
(X)/(P)、(E)/(U)/(P)/(X)/
(P)/(S)/(P)/(X)/(Q)、(E)/
(U)/(P)/(X)/(P)/(S)/(Q)/
(X)/(P)、(E)/(U)/(P)/(X)/
(P)/(S)/(P)/(X)/(P)、の順で積層
された透明導電性基板が好ましい。この中でも特に、
(E)/(U)/(S)/(P)/(X)/(Q)、
(E)/(U)/(S)/(Q)/(X)/(P)、
(E)/(U)/(S)/(P)/(X)/(P)、の
構成の透明導電性基板を用いて作製した液晶表示素子
は、ガスバリアー層(X)が一層しか積層されていない
にも関わらず、高温高湿環境下に長時間放置しても表示
劣化が生じ難い。そして、液晶表示素子の組立て工程に
おいて、電極のパターニングや配向膜の積層、また各種
洗浄工程において各種有機溶媒ならびに酸、アルカリに
対する耐薬品性が良好で、良好な層間密着性が得られる
ので好ましい。
In the transparent conductive substrate of the present invention, when (P) and (Q) are used as the cured resin layers (B) and (C),
For example, (E) / (S) / (X), (E) / (X) /
(S) / (X), (E) / (S) / (P) / (X) /
(Q), (E) / (S) / (Q) / (X) / (P),
(E) / (S) / (P) / (X) / (P), (E) /
(P) / (X) / (Q) / (S) / (P) / (X) /
(Q), (E) / (P) / (X) / (Q) / (S) /
(Q) / (X) / (P), (E) / (P) / (X) /
(Q) / (S) / (P) / (X) / (P), (E) /
(Q) / (X) / (P) / (S) / (P) / (X) /
(Q), (E) / (Q) / (X) / (P) / (S) /
(Q) / (X) / (P), (E) / (Q) / (X) /
(P) / (S) / (P) / (X) / (P), (E) /
(P) / (X) / (P) / (S) / (P) / (X) /
(Q), (E) / (P) / (X) / (P) / (S) /
(Q) / (X) / (P), (E) / (P) / (X) /
(P) / (S) / (P) / (X) / (P), (E) /
(U) / (S) / (X), (E) / (U) / (X) /
(S) / (X), (E) / (U) / (S) / (P) /
(X) / (Q), (E) / (U) / (S) / (Q) /
(X) / (P), (E) / (U) / (S) / (P) /
(X) / (P), (E) / (U) / (P) / (X) /
(Q) / (S) / (P) / (X) / (Q), (E) /
(U) / (P) / (X) / (Q) / (S) / (Q) /
(X) / (P), (E) / (U) / (P) / (X) /
(Q) / (S) / (P) / (X) / (P), (E) /
(U) / (Q) / (X) / (P) / (S) / (P) /
(X) / (Q), (E) / (U) / (Q) / (X) /
(P) / (S) / (Q) / (X) / (P), (E) /
(U) / (Q) / (X) / (P) / (S) / (P) /
(X) / (P), (E) / (U) / (P) / (X) /
(P) / (S) / (P) / (X) / (Q), (E) /
(U) / (P) / (X) / (P) / (S) / (Q) /
(X) / (P), (E) / (U) / (P) / (X) /
A transparent conductive substrate laminated in the order of (P) / (S) / (P) / (X) / (P) is preferable. Among them,
(E) / (U) / (S) / (P) / (X) / (Q),
(E) / (U) / (S) / (Q) / (X) / (P),
The liquid crystal display device manufactured using the transparent conductive substrate having the configuration of (E) / (U) / (S) / (P) / (X) / (P) has only one gas barrier layer (X). Despite not being laminated, display degradation hardly occurs even when left for a long time in a high temperature and high humidity environment. Then, in the assembling process of the liquid crystal display element, it is preferable because it has good chemical resistance to various organic solvents and acids and alkalis in various patterning processes and lamination of an alignment film and various washing processes, and good interlayer adhesion can be obtained.

【0063】なお、本発明の効果を低下させない範囲内
で、各層間の密着性を強化するための各種アンダーコー
ト層の積層等の化学処理、あるいはコロナ処理、プラズ
マ処理、UV照射等の物理的処理法をおこなってもよ
い。特に、(U)と(S)との間に、アンカー層として
硬化樹脂層(A)を用いると、接着性がさらに高まり好
ましい。かかる硬化樹脂層(A)としては、ウレタン樹
脂が好適である。
In addition, chemical treatment such as lamination of various undercoat layers for enhancing adhesion between layers, or physical treatment such as corona treatment, plasma treatment, UV irradiation, etc., within a range not to decrease the effect of the present invention. A processing method may be performed. In particular, it is preferable to use the cured resin layer (A) as the anchor layer between (U) and (S) because the adhesiveness is further increased. As such a cured resin layer (A), a urethane resin is preferable.

【0064】また、本発明の透明導電性基板をフィルム
ロール状で取り扱う場合は、透明導電層が積層された面
と反対の面にフィルムに滑り性を付与する層を設けたり
あるいは、ナーリング処理も有効である。
When the transparent conductive substrate of the present invention is handled in the form of a film roll, a layer for imparting slipperiness to the film may be provided on the surface opposite to the surface on which the transparent conductive layer is laminated, or a knurling treatment may be performed. It is valid.

【0065】更に、本発明の透明導電性基板には、例え
ばこれを用いて作成した液晶表示素子にカラー表示機能
を付与する目的で、カラーフィルター層を設けてもよ
い。カラーフィルターは、染色法、顔料分散法、電着
法、印刷法等の公知の技術で形成できる。該カラーフィ
ルター層は、透明導電性基板の透明導電層(E)と硬化
樹脂層(U)の層間以外の層間、または透明導電層
(E)が積層されている面と反対の最外面に形成すると
液晶パネルの動作信頼性が確保しやすくなるので好まし
い。
Further, a color filter layer may be provided on the transparent conductive substrate of the present invention, for example, for the purpose of imparting a color display function to a liquid crystal display device produced using the same. The color filter can be formed by a known technique such as a dyeing method, a pigment dispersion method, an electrodeposition method, and a printing method. The color filter layer is formed on a layer other than the layer between the transparent conductive layer (E) and the cured resin layer (U) of the transparent conductive substrate, or on the outermost surface opposite to the surface on which the transparent conductive layer (E) is laminated. This is preferable because the operation reliability of the liquid crystal panel can be easily secured.

【0066】[0066]

【発明の効果】本発明の透明導電性基板は、透明性、光
学等方性、耐薬品性、層間密着性、ガスバリヤー性に優
れ、しかも高温高湿環境下に長時間放置しても表示品位
の劣化が生じにくい液晶パネルを与え得る透明導電性基
板として極めて有用である。したがって、かかる透明導
電性基板を電極基板とした液晶表示素子は、長期にわた
って安定性に優れ、表示品位が良好である。
The transparent conductive substrate of the present invention is excellent in transparency, optical isotropy, chemical resistance, interlayer adhesion, gas barrier property, and displays even when left for a long time in a high temperature and high humidity environment. It is extremely useful as a transparent conductive substrate capable of providing a liquid crystal panel in which deterioration of quality is unlikely to occur. Therefore, a liquid crystal display device using such a transparent conductive substrate as an electrode substrate has excellent stability over a long period of time and good display quality.

【0067】[0067]

【実施例】以下、実施例を挙げ、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明は、かかる実施例に限定されるも
のではない。なお、実施例中、部および%は、特に断ら
ない限り重量基準である。また、実施例中における各種
の測定は、下記のとおり行った。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples. In the examples, parts and% are by weight unless otherwise specified. Various measurements in the examples were performed as described below.

【0068】表面抵抗:透明導電性基板の透明導電層全
体をエッチングにより完全に除去し、透明導電性基板に
おける透明導電層の下地層である硬化樹脂層(U)の表
面抵抗を測定した。50℃30%RHの表面抵抗R30
ならびに50℃90%RHにおける表面抵抗R90は、
KEITHLEY製の8009 RESISTIVIT
Y TEST FIXTUREとKEITHLEY製の
6517A型とを用いて測定した。また、エッチングは
10%塩酸水溶液を用いて行った。
Surface resistance: The entire transparent conductive layer of the transparent conductive substrate was completely removed by etching, and the surface resistance of the cured resin layer (U) which was the underlayer of the transparent conductive layer on the transparent conductive substrate was measured. 50 ° C., 30% RH surface resistance R30
And the surface resistance R90 at 50 ° C. and 90% RH is
8009 RESISTIVIT made by Keithley
The measurement was performed using Y TEST FIXTURE and Model 6517A manufactured by Keithley. Etching was performed using a 10% hydrochloric acid aqueous solution.

【0069】水蒸気バリヤー性:MOCON社製、パー
マトランW1Aを用いて、40℃、90%RH雰囲気下
における水蒸気透過度を測定した。
Water vapor barrier property: Permtran W1A manufactured by MOCON was used to measure the water vapor permeability under an atmosphere of 40 ° C. and 90% RH.

【0070】吸水率:ASTM D570に準拠した方
法で、透明高分子基板(S)、透明導電性基板全体、硬
化樹脂層(B)の吸水率をそれぞれ測定した。
Water absorption: The water absorption of the transparent polymer substrate (S), the entire transparent conductive substrate, and the cured resin layer (B) were measured by a method according to ASTM D570.

【0071】赤外線吸収スペクトル:透明導電性基板の
透明導電層(E)をエッチングにより完全に除去したサ
ンプルの表面から透明導電層(E)の下地層である硬化
樹脂層(B)を削り取った。これを、吸着水を除去する
目的で60℃DRYの条件で1時間乾燥させた後、KB
r法にて赤外線吸収スペクトルを測定した。なお、測定
サンプルはKBrを100重量部に対して試料を0.3
重量部の割合で混合した。測定装置はパーキンエルマー
製のFT−IRを用いた。3500cm-1付近にピーク
を有する0−H伸縮振動に帰属される吸収の吸光度
(a)と、3000cm-1付近にピークを有するC−H
伸縮振動に帰属される吸収の吸光度(b)と、1600
cm-1付近にピークを有する−NH2面内変角振動に帰
属される吸収の吸光度(c)と、1100cm-1付近に
ピークを有するSi−Oに由来する吸収の吸光度(d)
を測定した。
Infrared absorption spectrum: The cured resin layer (B) as an underlayer of the transparent conductive layer (E) was scraped off the surface of the sample from which the transparent conductive layer (E) of the transparent conductive substrate was completely removed by etching. This was dried for 1 hour under the condition of 60 ° C. DRY for the purpose of removing adsorbed water.
The infrared absorption spectrum was measured by the r method. The measurement sample was 0.3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of KBr.
The parts were mixed in parts by weight. The measuring device used was FT-IR manufactured by PerkinElmer. C-H with 3500 cm -1 absorbance of the absorption attributed to the 0-H stretching vibration having a peak near the (a), a peak near 3000 cm -1
Absorbance (b) of absorption attributed to stretching vibration and 1600
cm -1 absorbance of absorption attributed to -NH 2 plane deformation vibration having a peak near the (c), the absorbance of absorption derived from Si-O having a peak near 1100 cm -1 (d)
Was measured.

【0072】透明性:通常の分光光度計を用い波長55
0nmの平行光線の光線透過率を測定した。
Transparency: Wavelength 55 using an ordinary spectrophotometer
The light transmittance of a parallel light of 0 nm was measured.

【0073】光学等方性:日本分光製の多波長複屈折率
測定装置M−150を用い、波長590nmの光に対す
るリタデーション値を測定した。
Optical Isotropy: The retardation value for light having a wavelength of 590 nm was measured using a multi-wavelength birefringence measuring apparatus M-150 manufactured by JASCO.

【0074】層間密着性:ASTM D2196−68
に準拠した方法により、透明導電性基板を構成する各々
の層間の密着性を評価した。
Interlayer adhesion: ASTM D2196-68
The adhesion between the respective layers constituting the transparent conductive substrate was evaluated by a method conforming to the above.

【0075】液晶パネル信頼性:図1に示すような液晶
表示素子を作製し評価した。上側の積層フィルム11及
び下側の積層フィルム13が対向して配設され、これら
積層フィルム11、13の周縁部がシール材15でシー
ルされるとともにギャップ材21が分散されて液晶セル
17が形成され、この液晶セル17の中には液晶物質1
9を封入した。そして、この液晶セル17を挟むように
偏光板を配設してSTN型液晶表示素子を構成した。上
側積層フィルム11にはパターニングされた透明導電層
23が設けられて本発明の透明導電性基板が構成されて
いる。下側積層フィルム13はパターニングされていな
い透明導電層23が設けられて本発明の透明導電性基板
が構成されている。それぞれの積層フィルムの内面上に
は配向膜25が形成されている。
Liquid crystal panel reliability: A liquid crystal display device as shown in FIG. 1 was prepared and evaluated. The laminated film 11 on the upper side and the laminated film 13 on the lower side are disposed so as to face each other. The periphery of the laminated films 11 and 13 is sealed with the sealing material 15 and the gap material 21 is dispersed to form the liquid crystal cell 17. The liquid crystal cell 17 contains liquid crystal substance 1
9 was enclosed. Then, a polarizing plate was disposed so as to sandwich the liquid crystal cell 17, thereby forming an STN type liquid crystal display element. The upper transparent film 11 is provided with a patterned transparent conductive layer 23 to constitute the transparent conductive substrate of the present invention. The lower laminated film 13 is provided with an unpatterned transparent conductive layer 23 to constitute the transparent conductive substrate of the present invention. An alignment film 25 is formed on the inner surface of each laminated film.

【0076】透明導電性基板は、透明導電層にフォトリ
ソグラフィー法により160×100ドット用の表示電
極を形成した。ついで、該電極面に1000Åの配向膜
を形成し、ツイスト各が220°となるようにラビング
処理を施した。次いで6.5μmのプラスチックビーズ
をギャップ剤として電極面のうち面に分散密度150個
/mm2となるように分散し、エポキシ接着剤により電
極面を内側にして2枚の透明導電性基板を貼り合せてセ
ルを作製した。次いで、このセルにカイラルネマチック
液晶を含有するネマチック液晶を注入口より注入した
後、加圧法によりセルギャップを均一化し、注入口を封
入した。次にセルの両側に偏光板を貼り液晶パネルを得
た。こうして得られた液晶パネルを50℃90%RH環
境下に250hr放置し、液晶セルのインピーダンス低
下の有無を調べた。
On the transparent conductive substrate, display electrodes for 160 × 100 dots were formed on the transparent conductive layer by photolithography. Next, an orientation film of 1000 ° was formed on the electrode surface, and rubbing treatment was performed so that each twist was 220 °. Next, plastic beads of 6.5 μm are used as a gap agent and dispersed on the surface of the electrode so as to have a dispersion density of 150 / mm 2, and two transparent conductive substrates are attached with the electrode surface inside using an epoxy adhesive. Together, a cell was produced. Next, a nematic liquid crystal containing a chiral nematic liquid crystal was injected into the cell from the injection port, the cell gap was made uniform by a pressure method, and the injection port was sealed. Next, polarizing plates were attached to both sides of the cell to obtain a liquid crystal panel. The liquid crystal panel thus obtained was left under an environment of 50 ° C. and 90% RH for 250 hours, and it was examined whether or not the impedance of the liquid crystal cell was reduced.

【0077】なお、後掲の化合物名は以下の略号を用い
た。 BisA-PC:2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン(ビスフェノールA;BisA)をビスフェノール成
分とするポリカーボネート BisA/BCF-PC:ビスフェノールAと9,9−ビス(4−
ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン(BCF)
をビスフェノール成分とするポリカーボネート共重合体 BisA/IP-PC:ビスフェノールAと3,3,5−トリメチ
ル−1,1−ジ(4−フェノール)シクロヘキシリデン
(IP)をビスフェノール成分とするポリカーボネート共重
合体 PES:ポリエーテルスルフォン ITO:インジウム−スズ酸化物(Indium tin oxide) ECHETMOS:2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エ
チルトリメトキシシラン APTMOS:3−アミノプロピルトリメトキシシラン EVOH:エチレンビニルアルコール共重合体(クラレ製
「エバール」) DCPA:ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート
(共栄社化学社製「ライトアクリレートDCP−A」) EA:エポキシアクリレート(昭和高分子製「リポキシR
800系」) UA:ウレタンアクリレート(新中村化学製「NKオリ
ゴU−15HA」) PhR:フェノキシ樹脂(Phenoxy Associates 製「PAP
HEN」) PI:ポリイソシアネート(日本ポリウレタン工業製
「コロネート」)
The following abbreviations were used for the compound names described below. BisA-PC: polycarbonate containing 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane (bisphenol A; BisA) as a bisphenol component BisA / BCF-PC: bisphenol A and 9,9-bis (4-
(Hydroxy-3-methylphenyl) fluorene (BCF)
BisA / IP-PC containing bisphenol A as a bisphenol component: bisphenol A and 3,3,5-trimethyl-1,1-di (4-phenol) cyclohexylidene
Polycarbonate copolymer containing (IP) as a bisphenol component PES: Polyethersulfone ITO: Indium tin oxide ECHETMOS: 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane APTMOS: 3-amino Propyltrimethoxysilane EVOH: Ethylene vinyl alcohol copolymer (“EVAL” manufactured by Kuraray) DCPA: Dimethylol tricyclodecane diacrylate (“Light acrylate DCP-A” manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) EA: Epoxy acrylate (manufactured by Showa Polymer) "Ripoxy R
UA: Urethane acrylate (“NK Oligo U-15HA” manufactured by Shin-Nakamura Chemical) PhR: Phenoxy resin (“PAP manufactured by Phenoxy Associates”)
HEN ") PI: Polyisocyanate (" Coronate "manufactured by Nippon Polyurethane Industry)

【0078】[実施例1]ビスフェノール成分がBisAの
みからなる平均分子量37,000でTgが155℃の
ポリカーボネート(BisA-PC)をメチレンクロライドに
20重量%になるように溶解した。そしてこの溶液をダ
イコーティング法により厚さ175μmのポリエステル
フィルム上に流延した。次いで、乾燥炉で残留溶媒濃度
が13重量%になるまで乾燥し、ポリエステルフィルム
から剥離した。そして、得られたポリカーボネートフィ
ルムを温度120℃の乾燥炉で縦横の張力をバランスさ
せながら、該フィルム中の残留溶媒濃度が0.08重量
%になるまで乾燥させた。
[Example 1] Polycarbonate (BisA-PC) having an average molecular weight of 37,000 and a Tg of 155 ° C, in which the bisphenol component consists solely of BisA, was dissolved in methylene chloride so as to be 20% by weight. Then, this solution was cast on a polyester film having a thickness of 175 μm by a die coating method. Next, it was dried in a drying oven until the residual solvent concentration became 13% by weight, and was peeled off from the polyester film. Then, the obtained polycarbonate film was dried in a drying oven at a temperature of 120 ° C. while balancing the longitudinal and horizontal tensions until the residual solvent concentration in the film became 0.08% by weight.

【0079】こうして得られた透明高分子基板(S)
は、厚みが100μm、波長550nmにおける光線透
過率は91%であった。
The thus obtained transparent polymer substrate (S)
Had a thickness of 100 μm and a light transmittance at a wavelength of 550 nm of 91%.

【0080】次に、ポリビニルアルコール含有ポリシロ
キサン樹脂層(P)を形成するコーティング組成物を以
下のように調整した。
Next, a coating composition for forming the polyvinyl alcohol-containing polysiloxane resin layer (P) was prepared as follows.

【0081】成分(P1)EVOH100部を、水72
0部、n−プロパノール1080部の混合溶媒に加熱溶
解させ、均一溶液を得た。この溶液にレベリング剤(東
レダウコーニング社製「SH30PA」を0.1部、酢
酸39部加えた後、成分(P2)ECHETMOS21
1部を加え10分間撹拌した。更にこの溶液に成分(P
3)APTMOS77部を加えて3時間撹拌しコーティ
ング組成物を得た。
Component (P1) 100 parts of EVOH was added to water 72
The mixture was heated and dissolved in a mixed solvent of 0 part and 1080 parts of n-propanol to obtain a homogeneous solution. 0.1 parts of a leveling agent (SH30PA manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.) and 39 parts of acetic acid were added to this solution, and then the component (P2)
One part was added and stirred for 10 minutes. Further, the components (P
3) 77 parts of APTMOS was added and stirred for 3 hours to obtain a coating composition.

【0082】コーティング組成物の組成は、(P1)/
[(P2)+(P3)]=1/2,(P2)/(P3)
=2/1とした。このコーティング組成物を、上述の透
明高分子基板(S)の片面上にコーティングし、130
℃3分熱処理を行い、厚みが0.05μmの(P)層を
形成した。
The composition of the coating composition is (P1) /
[(P2) + (P3)] = 1/2, (P2) / (P3)
= 2/1. This coating composition was coated on one side of the transparent polymer substrate (S) described above,
A heat treatment was performed at 3 ° C. for 3 minutes to form a (P) layer having a thickness of 0.05 μm.

【0083】次に、(B)層上に、DCマグネトロンス
パッタリング法により、厚さ250ÅのSiO2膜から
なるガスバリヤー層(X)を積層した。
Next, a gas barrier layer (X) made of a 250 ° -thick SiO 2 film was laminated on the layer (B) by DC magnetron sputtering.

【0084】さらに、ポリシロキサン樹脂(Q)を与え
るコーティング組成物を以下のように調整した。
Further, the coating composition for providing the polysiloxane resin (Q) was prepared as follows.

【0085】水720重量部、2−プロパノール108
0重量部の混合溶媒に、酢酸88重量部を加えた後、
(Q1)ECHETMOS640重量部と(Q2)AP
TMOS154重量部を順次加えて3時間攪拌しコーテ
ィング組成物を得た。コーティング組成物の組成は、
(Q1)/(Q2)=3/1である。このコーティング
組成物を、(P)ならびに(X)が積層されたフィルム
の両面にコーティングし、130℃3分熱処理を行い、
厚みが2μmの(Q)層を形成した。
720 parts by weight of water, 2-propanol 108
After adding 88 parts by weight of acetic acid to 0 parts by weight of the mixed solvent,
(Q1) 640 parts by weight of ECHEMOS and (Q2) AP
154 parts by weight of TMOS were sequentially added and stirred for 3 hours to obtain a coating composition. The composition of the coating composition is
(Q1) / (Q2) = 3/1. This coating composition is coated on both sides of a film on which (P) and (X) are laminated, and heat-treated at 130 ° C. for 3 minutes,
A (Q) layer having a thickness of 2 μm was formed.

【0086】ついで、該フィルムの(X)が積層された
面と反対側の面に、DCマグネトロンスパッタリング法
により、厚さ130nmのITO膜からなる透明導電層
(E)を設けることにより透明導電性基板を得た。得ら
れた透明導電性基板の評価結果は表1に示すように良好
であった。
Next, a transparent conductive layer (E) made of an ITO film having a thickness of 130 nm is provided on the surface of the film opposite to the surface on which (X) is laminated by a DC magnetron sputtering method. A substrate was obtained. The evaluation results of the obtained transparent conductive substrate were good as shown in Table 1.

【0087】さらに、本発明の透明導電性基板を用いて
作製した液晶表示素子は80℃、1000時間の高温保
存試験において配向劣化等の目視不良を全く示さず、消
費電流も初期値の20%以内の増加であり、高い信頼性
を示した。
Further, the liquid crystal display device manufactured using the transparent conductive substrate of the present invention did not show any visual defects such as alignment deterioration and the like in a high-temperature storage test at 80 ° C. for 1000 hours, and the current consumption was 20% of the initial value. Within the range, showing high reliability.

【0088】[実施例2]基板の構成を(E)/(U)
/(S)/(Q)/(X)/(P)にする以外は、実施
例1と同様にして透明導電性基板を得た。得られた透明
導電性基板の評価結果は表1に示すように良好であっ
た。
[Embodiment 2] The configuration of the substrate was changed to (E) / (U)
Except for / (S) / (Q) / (X) / (P), a transparent conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results of the obtained transparent conductive substrate were good as shown in Table 1.

【0089】[実施例3]基板の構成を(E)/(U)
/(S)/(P)/(X)/(P)にする以外は、実施
例1と同様にして透明導電性基板を得た。得られた透明
導電性基板の評価結果は表1に示すように良好であっ
た。
[Embodiment 3] The structure of the substrate was changed to (E) / (U)
Except for / (S) / (P) / (X) / (P), a transparent conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results of the obtained transparent conductive substrate were good as shown in Table 1.

【0090】[実施例4]BisA/BCF=1/1(モル
比)でTgが225℃のポリカーボネート共重合体(Bi
sA/BCF-PC)からなる厚み150μmの透明高分子基板
(S)を用いる以外は、実施例2と同様にして透明導電
性基板を得た。得られた透明導電性基板の評価結果は表
1に示すように良好であった。
Example 4 Polycarbonate copolymer (BiA / BCF = 1/1 (molar ratio) and Tg of 225 ° C.)
A transparent conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 2 except that a transparent polymer substrate (S) made of sA / BCF-PC) having a thickness of 150 μm was used. The evaluation results of the obtained transparent conductive substrate were good as shown in Table 1.

【0091】[0091]

【表1】 [Table 1]

【0092】[実施例5]BisA/IP=2/3(モル比)
でTgが205℃のポリカーボネート共重合体(BisA/I
P-PC)からなる厚み200μmの透明高分子基板(S)
を用いる以外は、実施例2と同様にして透明導電性基板
を得た。得られた透明導電性基板の評価結果は表2に示
すように良好であった。
Example 5 BisA / IP = 2/3 (molar ratio)
And a polycarbonate copolymer having a Tg of 205 ° C (BisA / I
(P-PC) 200 µm thick transparent polymer substrate (S)
A transparent conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 2 except for using. The evaluation results of the obtained transparent conductive substrate were good as shown in Table 2.

【0093】[実施例6](P)層ならびに(U)層
を、以下のように調整したコーティング組成物を用いて
積層した以外は、実施例5と同様にして透明導電性基板
を得た。実施例1と同様に行い、成分(P1)EVOH
の均一溶液を得た。この溶液に実施例1で用いたレベリ
ング剤0.1部、及び酢酸28部加えた後、成分(P
2)ECHETMOS229部を加え10分間撹拌し
た。更にこの溶液に成分(P3)APTMOS56部を
加えて3時間撹拌しコーティング組成物を得た。コーテ
ィング組成物の組成は、(P1)/[(P2)+(P
3)]=1/2,(P2)/(P3)=3/1である。
得られた透明導電性基板の評価結果は表2に示すように
良好であった。
Example 6 A transparent conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 5, except that the (P) layer and the (U) layer were laminated using a coating composition adjusted as follows. . In the same manner as in Example 1, component (P1) EVOH
Was obtained. After 0.1 part of the leveling agent used in Example 1 and 28 parts of acetic acid were added to this solution, the components (P
2) 229 parts of ECHETMOS were added and stirred for 10 minutes. Further, 56 parts of the component (P3) APTMOS was added to this solution and stirred for 3 hours to obtain a coating composition. The composition of the coating composition is (P1) / [(P2) + (P
3)] = 1/2, (P2) / (P3) = 3/1.
The evaluation results of the obtained transparent conductive substrate were good as shown in Table 2.

【0094】[実施例7]ガスバリヤー層(X)とし
て、蒸着法により形成したフッ化マグネシウムを10重
量%含有した珪素酸化物からなる層(厚み1000Å)
にした以外は、実施例6と同様にして透明導電性基板を
得た。得られた透明導電性基板の評価結果は表2に示す
ように良好であった。
Example 7 As a gas barrier layer (X), a layer made of silicon oxide containing 10% by weight of magnesium fluoride formed by a vapor deposition method (thickness: 1000 °).
A transparent conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 6, except that the above procedure was repeated. The evaluation results of the obtained transparent conductive substrate were good as shown in Table 2.

【0095】[0095]

【表2】 [Table 2]

【0096】[実施例8]硬化樹脂層(U)を、以下の
ような方法にて厚み4μmで積層した以外は、実施例2
と同様にして透明導電性基板を得た。DCPAを10重
量部、EAを10重量部、UAを10重量部、1−メト
キシ−2−プロパノールを30重量部、開始剤として1
−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを2重量部
を混合しコーティング組成物を得た。この組成物をコー
ティングし、60℃1分間加熱した後、高圧水銀灯を用
いて硬化樹脂層(U)を形成した。得られた透明導電性
基板の評価結果は表3に示すように良好であった。
Example 8 Example 2 was repeated except that the cured resin layer (U) was laminated to a thickness of 4 μm by the following method.
In the same manner as in the above, a transparent conductive substrate was obtained. 10 parts by weight of DCPA, 10 parts by weight of EA, 10 parts by weight of UA, 30 parts by weight of 1-methoxy-2-propanol, 1 part as an initiator
2 parts by weight of -hydroxycyclohexyl phenyl ketone was mixed to obtain a coating composition. After coating this composition and heating at 60 ° C. for 1 minute, a cured resin layer (U) was formed using a high-pressure mercury lamp. The evaluation results of the obtained transparent conductive substrate were good as shown in Table 3.

【0097】[実施例9]硬化樹脂層(U)を、以下の
ような方法にて厚み4μmで積層した以外は、実施例2
と同様にして透明導電性基板を得た。DCPAを20重
量部、UAを10重量部、1−メトキシ−2−プロパノ
ールを30重量部、開始剤として1−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフェニルケトンを2重量部を混合しコーティン
グ組成物を得た。この組成物をコーティングし、60℃
1分間加熱した後、高圧水銀灯を用いて硬化樹脂層
(U)を形成した。得られた透明導電性基板の評価結果
は表3に示すように良好であった。
Example 9 Example 2 was repeated except that the cured resin layer (U) was laminated to a thickness of 4 μm by the following method.
In the same manner as in the above, a transparent conductive substrate was obtained. 20 parts by weight of DCPA, 10 parts by weight of UA, 30 parts by weight of 1-methoxy-2-propanol, and 2 parts by weight of 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone as an initiator were mixed to obtain a coating composition. Coat this composition,
After heating for 1 minute, a cured resin layer (U) was formed using a high-pressure mercury lamp. The evaluation results of the obtained transparent conductive substrate were good as shown in Table 3.

【0098】[実施例10]Sと(X)層との間に
(Q)層を設けない以外は、実施例2と同様にして透明
導電性基板を得た。得られた透明導電性基板の評価結果
は表3に示すように、(S)基板と(X)層の層間密着
性がやや不十分であるものの、この基板を用いて作成し
た液晶パネルの信頼性も比較的良好であった。
Example 10 A transparent conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 2 except that the (Q) layer was not provided between the S and (X) layers. As shown in Table 3, the evaluation results of the obtained transparent conductive substrate showed that although the interlayer adhesion between the (S) substrate and the (X) layer was slightly insufficient, the reliability of the liquid crystal panel formed using this substrate was low. The properties were also relatively good.

【0099】[実施例11](P)層を設けない以外
は、実施例2と同様にして透明導電性基板を得た。得ら
れた透明導電性基板の評価結果は表3に示すように比較
的良好であった。
Example 11 A transparent conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 2 except that the (P) layer was not provided. The evaluation results of the obtained transparent conductive substrate were relatively good as shown in Table 3.

【0100】[0100]

【表3】 [Table 3]

【0101】[比較例1](P)層ならびに(U)層
を、以下のように調整したコーティング組成物を用いて
積層した以外は、実施例1と同様にして透明導電性基板
を得た。水720重量部、2−プロパノール1080重
量部の混合溶媒に、酢酸353重量部を加えた後、(Q
1) ECHETMOS478重量部と(Q2) APTMOS706重
量部を順次加えて3時間攪拌しコーティング組成物を得
た。コーティング組成物の組成は、(Q1)/(Q2)
=1/2である。得られた透明導電性基板の評価結果は
表4に示すように、透明導電層(E)の下地の層の50
℃90%RHにおける表面絶縁抵抗が低く、この基板を
用いて作製した液晶パネルの信頼性も悪かった。
[Comparative Example 1] A transparent conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the (P) layer and the (U) layer were laminated using a coating composition adjusted as follows. . After adding 353 parts by weight of acetic acid to a mixed solvent of 720 parts by weight of water and 1080 parts by weight of 2-propanol, (Q
1) 478 parts by weight of ECHETMOS and 706 parts by weight of (Q2) APTMOS were sequentially added and stirred for 3 hours to obtain a coating composition. The composition of the coating composition is (Q1) / (Q2)
= 1 /. As shown in Table 4, the evaluation result of the obtained transparent conductive substrate was 50% of the underlayer of the transparent conductive layer (E).
The surface insulation resistance at a temperature of 90 ° C. and a relative humidity of 90% was low, and the reliability of a liquid crystal panel manufactured using this substrate was poor.

【0102】[比較例2]透明高分子基板(S)として
熔融押出し成形法により作製した200μmのPESを
用いた以外は実施例8と同様にして透明導電性基板を得
た。得られた透明導電性基板の評価結果は表4に示すよ
うに、基板の吸水率が高く、この基板を用いて作製した
液晶パネルの信頼性も悪かった。
Comparative Example 2 A transparent conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 8, except that a 200 μm PES produced by a melt extrusion molding method was used as the transparent polymer substrate (S). As shown in Table 4, the evaluation results of the obtained transparent conductive substrate showed that the water absorption of the substrate was high and the reliability of the liquid crystal panel manufactured using this substrate was poor.

【0103】[0103]

【表4】 [Table 4]

【0104】産業上の利用可能性 以上のように、本発明の液晶表示素子は、透明導電層の
下層に位置する、高温高湿環境下において優れた絶縁特
性を有する硬化樹脂層を含む透明導電性基板を電極基板
として用いるので、長期にわたり表示品位の劣化が生じ
にくく非常に高い信頼性を有するものである。そして該
透明導電性基板はガスバリヤー性も良好であり、光導電
性感光体、面発光体、EL素子などのフラットパネルデ
ィスプレイ分野における電極基板として好適に用いるこ
とができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the liquid crystal display element of the present invention comprises a transparent conductive layer including a cured resin layer located under the transparent conductive layer and having excellent insulating properties under a high temperature and high humidity environment. Since the conductive substrate is used as the electrode substrate, the display quality is hardly deteriorated for a long time, and the substrate has very high reliability. The transparent conductive substrate has good gas barrier properties, and can be suitably used as an electrode substrate in the field of flat panel displays such as a photoconductive photoreceptor, a surface light emitter, and an EL element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示素子の具体例を模式的に示す
断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a specific example of a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】本発明の透明導電性基板の具体例を模式的に示
す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a specific example of the transparent conductive substrate of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、13・・・積層フィルム 15・・・シール材 17・・・液晶セル 19・・・液晶物質 21・・・ギャップ材 23・・・透明導電層 25・・・配向膜 27・・・透明導電層(E) 29・・・硬化樹脂層(U) 31・・・透明高分子基板(S) 33・・・硬化樹脂層(B) 35・・・ガスバリヤー層(X) 37・・・硬化樹脂層(C) 11, 13 laminated film 15 sealing material 17 liquid crystal cell 19 liquid crystal material 21 gap material 23 transparent conductive layer 25 alignment film 27 transparent Conductive layer (E) 29: Cured resin layer (U) 31: Transparent polymer substrate (S) 33: Cured resin layer (B) 35: Gas barrier layer (X) 37: Cured resin layer (C)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 御子柴 均 東京都日野市旭が丘4丁目3番2号 帝人 株式会社東京研究センター内 (72)発明者 谷田部 俊明 東京都日野市旭が丘4丁目3番2号 帝人 株式会社東京研究センター内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hitoshi Mikoshiba 4-3-2 Asahigaoka, Hino-shi, Tokyo Teijin Incorporated Tokyo Research Center (72) Inventor Toshiaki Yatabe 4-2-2 Asahigaoka, Hino-shi, Tokyo Teijin Tokyo Research Center Co., Ltd.

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 2つの電極基板と該電極基板間に配置さ
れた液晶層とを有する液晶表示素子であって、該電極基
板は、(i)透明高分子基板(S)、硬化樹脂層(U)
及び透明導電層(E)を含んでなり、(ii)硬化樹脂層
(U)と透明導電層(E)とは接して積層されており、
(iii)該硬化樹脂層(U)の該透明導電層(E)と接す
る表面は、50℃30%RH環境下における表面抵抗値
が1.0×1013Ω/□以上であり、50℃90%RH
環境下における表面抵抗値が1.0×1012Ω/□以上
であることを特徴とする液晶表示素子。
1. A liquid crystal display device having two electrode substrates and a liquid crystal layer disposed between the electrode substrates, wherein the electrode substrate comprises: (i) a transparent polymer substrate (S), a cured resin layer ( U)
And (ii) the cured resin layer (U) and the transparent conductive layer (E) are laminated in contact with each other,
(iii) The surface of the cured resin layer (U) in contact with the transparent conductive layer (E) has a surface resistance value of 1.0 × 10 13 Ω / □ or more in a 50 ° C. and 30% RH environment, 90% RH
A liquid crystal display device having a surface resistance value of 1.0 × 10 12 Ω / □ or more in an environment.
【請求項2】 該電極基板はさらにガスバリヤー層
(X)を含み、吸水率が2%以下であり、かつ40℃9
0%RH環境下における水蒸気透過度が1g/m2/da
y以下である請求項1記載の液晶表示素子。
2. The electrode substrate further includes a gas barrier layer (X), has a water absorption of 2% or less, and has a temperature of 40 ° C.
Water vapor permeability of 1 g / m 2 / da under 0% RH environment
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein y is equal to or less than y.
【請求項3】 硬化樹脂層(U)は、赤外線吸収スペク
トルにおける3500cm-1付近に存在するO−H伸縮
振動に帰属される吸光度(a)と、3000cm-1付近
に存在するC−H伸縮振動に帰属される吸光度(b)
と、1600cm-1付近に存在する−NH2面内変角振
動に帰属される吸光度(c)と、1100cm-1付近に
存在するSi−Oに由来する吸光度(d)が下記式
(1)、(2)および(3)の関係を満たす珪素含有硬
化樹脂層である請求項1または2記載の液晶表示素子。 【数1】 0.01<(a)/(b)<1.0 (1) 0.01<(c)/(b)<0.5 (2) 0.01<(d)/(b)<2.0 (3)
3. The cured resin layer (U) has an absorbance (a) attributed to OH stretching vibration near 3500 cm −1 in an infrared absorption spectrum and a C—H stretching near 3000 cm −1. Absorbance attributed to vibration (b)
And the absorbance (c) attributed to the -NH 2 in- plane bending vibration near 1600 cm −1 and the absorbance (d) derived from Si—O near 1100 cm −1 are represented by the following formula (1). 3. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the liquid crystal display element is a silicon-containing cured resin layer satisfying the relationship of (2), (2) and (3). ## EQU1 ## 0.01 <(a) / (b) <1.0 (1) 0.01 <(c) / (b) <0.5 (2) 0.01 <(d) / (b) ) <2.0 (3)
【請求項4】 硬化樹脂層(U)は、ビニルアルコール
系ポリマー、エポキシ基含有珪素化合物及びアミノ基含
有珪素化合物を含むコーティング組成物から得ることが
できるビニルアルコール含有ポリシロキサン樹脂(P)
であるか、又はエポキシ基含有珪素化合物とアミノ基含
有珪素化合物を含むコーティング組成物から得ることが
できる有機ポリシロキサン樹脂(Q)からなる請求項1
〜3のいずれかに記載の液晶表示素子。
4. The cured resin layer (U) is a vinyl alcohol-containing polysiloxane resin (P) obtainable from a coating composition containing a vinyl alcohol-based polymer, an epoxy group-containing silicon compound and an amino group-containing silicon compound.
Or an organic polysiloxane resin (Q) obtainable from a coating composition containing a silicon compound containing an epoxy group and a silicon compound containing an amino group.
4. The liquid crystal display device according to any one of items 1 to 3.
【請求項5】 電極基板はさらに硬化樹脂層(B)を含
み、透明高分子基板(S)、硬化樹脂層(B)、ガスバ
リヤー層(X)及び硬化樹脂層(C)の順で接して構成
されている請求項2〜4のいずれかに記載の液晶表示素
子。
5. The electrode substrate further comprises a cured resin layer (B), and the transparent polymer substrate (S), the cured resin layer (B), the gas barrier layer (X) and the cured resin layer (C) are contacted in this order. The liquid crystal display device according to any one of claims 2 to 4, wherein
【請求項6】 硬化樹脂層(B)は、ビニルアルコール
系ポリマー、エポキシ基含有珪素化合物及びアミノ基含
有珪素化合物を含むコーティング組成物から得ることが
できるビニルアルコール含有ポリシロキサン樹脂(P)
又はエポキシ基含有珪素化合物とアミノ基含有珪素化合
物を含むコーティング組成物から得ることができる有機
ポリシロキサン樹脂(Q)からなり、そして硬化樹脂層
(C)は前記(P)又は(Q)からなる、請求項5記載
の液晶表示素子。
6. The cured resin layer (B) is a vinyl alcohol-containing polysiloxane resin (P) obtainable from a coating composition containing a vinyl alcohol-based polymer, an epoxy group-containing silicon compound and an amino group-containing silicon compound.
Or, it is composed of an organic polysiloxane resin (Q) obtainable from a coating composition containing a silicon compound containing an epoxy group and a silicon compound containing an amino group, and the cured resin layer (C) is composed of the above (P) or (Q) A liquid crystal display device according to claim 5.
【請求項7】 ガスバリヤー層(X)は、珪素原子数に
対する酸素原子数の割合が1.5〜2.0の珪素酸化物
を主成分とする金属酸化物からなる、請求項2〜6のい
ずれかに記載の液晶表示素子。
7. The gas barrier layer (X) is made of a metal oxide containing silicon oxide as a main component and having a ratio of the number of oxygen atoms to the number of silicon atoms of 1.5 to 2.0. A liquid crystal display device according to any one of the above.
【請求項8】 透明高分子基板(S)は、ポリカーボネ
ートまたはポリアリレートを主成分とし、全光線透過率
が80%以上であり、かつリターデーションが20nm
以下である請求項1〜7のいずれかに記載の液晶表示素
子。
8. The transparent polymer substrate (S) contains polycarbonate or polyarylate as a main component, has a total light transmittance of 80% or more, and has a retardation of 20 nm.
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
【請求項9】 電極基板の透明導電層(E)と硬化樹脂
層(U)との層間以外の層間、または透明導電層(E)
が積層されている面と反対の最外面にカラーフィルター
層を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに
記載の液晶表示素子。
9. An interlayer other than the interlayer between the transparent conductive layer (E) and the cured resin layer (U) of the electrode substrate, or the transparent conductive layer (E).
The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 8, further comprising a color filter layer on the outermost surface opposite to the surface on which is laminated.
【請求項10】 透明高分子基板(S)及び硬化樹脂層
(U)を含んでなる積層フィルムと該積層フィルムの硬
化樹脂層(U)に接して配置された透明導電層(E)と
からなり、かつ下記(a)〜(e)を満たす透明導電性
基板。 (a)全光線透過率が80%以上 (b)透明高分子基板(S)の厚さは0.01〜1.0
mm (c)透明高分子基板(S)のリターデーションが20
nm以下 (d)透明導電層(E)の厚さは1nm〜1μm (e)硬化樹脂層(U)の透明導電層(E)と接する表
面は、50℃30%RH環境下における表面抵抗値が
1.0×1013Ω/□以上であり、50℃90%RH環
境下における表面抵抗値が1.0×1012Ω/□以上
10. A laminated film comprising a transparent polymer substrate (S) and a cured resin layer (U) and a transparent conductive layer (E) arranged in contact with the cured resin layer (U) of the laminated film. And a transparent conductive substrate satisfying the following (a) to (e). (A) The total light transmittance is 80% or more. (B) The thickness of the transparent polymer substrate (S) is 0.01 to 1.0.
mm (c) The retardation of the transparent polymer substrate (S) is 20
nm or less (d) The thickness of the transparent conductive layer (E) is 1 nm to 1 μm. Is 1.0 × 10 13 Ω / □ or more, and the surface resistance under a 50 ° C. 90% RH environment is 1.0 × 10 12 Ω / □ or more.
【請求項11】 積層フィルムはさらに金属酸化物、金
属窒化物またはこれらの混合物からなるガスバリヤー層
(X)を有し、かつ下記(f)〜(g)を満たす請求項
10記載の透明導電性基板。 (f)吸水率が2%以下 (g)ガスバリヤー層(X)の厚さは5〜200nm
11. The transparent conductive film according to claim 10, wherein the laminated film further has a gas barrier layer (X) made of a metal oxide, a metal nitride or a mixture thereof, and satisfies the following (f) to (g). Substrate. (F) The water absorption is 2% or less (g) The thickness of the gas barrier layer (X) is 5 to 200 nm
【請求項12】 硬化樹脂層(U)は、赤外線吸収スペ
クトルにおける3500cm-1付近に存在するO−H伸
縮振動に帰属される吸光度(a)と、3000cm-1
近に存在するC−H伸縮振動に帰属される吸光度(b)
と、1600cm-1付近に存在する−NH2面内変角振
動に帰属される吸光度(c)と、1100cm-1付近に
存在するSi−Oに由来する吸光度(d)が下記式
(1)、(2)および(3)の関係を満たす珪素含有硬
化樹脂層である請求項10または11記載の透明導電性
基板。 【数2】 0.01<(a)/(b)<1.0 (1) 0.01<(c)/(b)<0.5 (2) 0.01<(d)/(b)<2.0 (3)
12. The cured resin layer (U) has an absorbance (a) attributed to O—H stretching vibration near 3500 cm −1 in the infrared absorption spectrum and a C—H stretching near 3000 cm −1. Absorbance attributed to vibration (b)
And the absorbance (c) attributed to the -NH 2 in- plane bending vibration near 1600 cm -1 and the absorbance (d) derived from Si-O near 1100 cm -1 are represented by the following formula (1). The transparent conductive substrate according to claim 10, wherein the transparent conductive substrate is a silicon-containing cured resin layer that satisfies the relationships of (2) and (3). ## EQU2 ## 0.01 <(a) / (b) <1.0 (1) 0.01 <(c) / (b) <0.5 (2) 0.01 <(d) / (b) ) <2.0 (3)
【請求項13】 硬化樹脂層(U)は、放射線硬化性樹
脂、又はビニルアルコール系ポリマー、エポキシ基含有
珪素化合物及びアミノ基含有珪素化合物を含むコーティ
ング組成物から得ることができるビニルアルコール含有
ポリシロキサン樹脂(P)、又はエポキシ基含有珪素化
合物とアミノ基含有珪素化合物を含むコーティング組成
物から得ることができる有機ポリシロキサン樹脂(Q)
である請求項10〜12のいずれかに記載の透明導電性
基板。
13. The cured resin layer (U) is a vinyl alcohol-containing polysiloxane obtainable from a radiation-curable resin or a coating composition containing a vinyl alcohol-based polymer, an epoxy group-containing silicon compound and an amino group-containing silicon compound. Organic polysiloxane resin (Q) obtainable from resin (P) or a coating composition containing an epoxy group-containing silicon compound and an amino group-containing silicon compound (Q)
The transparent conductive substrate according to claim 10, wherein:
【請求項14】 積層フィルムは、40℃90%RH環
境下における水蒸気透過度が0.1g/m2/day以下
である請求項10〜13のいずれかに記載の透明導電性
基板。
14. The transparent conductive substrate according to claim 10, wherein the laminated film has a water vapor permeability of 0.1 g / m 2 / day or less at 40 ° C. and 90% RH.
【請求項15】 透明高分子基板(S)の硬化樹脂層
(U)が配置された側の反対側に、(S)に接して硬化
樹脂層(B)が配置されており、そして(B)の吸水率
が(S)の吸水率よりも大きい請求項10〜14のいず
れかに記載の透明導電性基板。
15. A cured resin layer (B) is disposed on the transparent polymer substrate (S) on the side opposite to the side on which the cured resin layer (U) is disposed, in contact with (S), and (B) The transparent conductive substrate according to any one of claims 10 to 14, wherein the water absorption of ()) is higher than the water absorption of (S).
【請求項16】 透明高分子基板(S)の吸水率が1%
以下である、請求項15記載の透明導電性基板。
16. The transparent polymer substrate (S) has a water absorption of 1%.
The transparent conductive substrate according to claim 15, wherein:
【請求項17】 硬化樹脂層(B)は、ビニルアルコー
ル系ポリマー、エポキシ基含有珪素化合物及びアミノ基
含有珪素化合物を含むコーティング組成物から得ること
ができるビニルアルコール含有ポリシロキサン樹脂
(P)又はエポキシ基含有珪素化合物とアミノ基含有珪
素化合物を含むコーティング組成物から得ることができ
る有機ポリシロキサン樹脂(Q)からなる請求項15ま
たは16記載の透明導電性基板。
17. The cured resin layer (B) may be a vinyl alcohol-containing polysiloxane resin (P) or an epoxy resin obtained from a coating composition containing a vinyl alcohol-based polymer, an epoxy group-containing silicon compound and an amino group-containing silicon compound. 17. The transparent conductive substrate according to claim 15, comprising an organic polysiloxane resin (Q) obtainable from a coating composition containing a group-containing silicon compound and an amino group-containing silicon compound.
【請求項18】 積層フィルムはさらに珪素含有樹脂か
らなる硬化樹脂層(C)を含み、かつガスバリヤー層
(X)は硬化樹脂層(B)及び硬化樹脂層(C)と接し
て配置されている請求項15〜17のいずれかに記載の
透明導電性基板。
18. The laminated film further includes a cured resin layer (C) made of a silicon-containing resin, and the gas barrier layer (X) is disposed in contact with the cured resin layer (B) and the cured resin layer (C). The transparent conductive substrate according to claim 15.
【請求項19】 珪素含有樹脂は、ビニルアルコール系
ポリマー、エポキシ基含有珪素化合物及びアミノ基含有
珪素化合物を含むコーティング組成物から得ることがで
きるビニルアルコール含有ポリシロキサン樹脂(P)又
はエポキシ基含有珪素化合物とアミノ基含有珪素化合物
を含むコーティング組成物から得ることができる有機ポ
リシロキサン樹脂(Q)である請求項18記載の透明導
電性基板。
19. The silicon-containing resin is a vinyl alcohol-containing polysiloxane resin (P) or an epoxy group-containing silicon obtainable from a coating composition containing a vinyl alcohol-based polymer, an epoxy group-containing silicon compound and an amino group-containing silicon compound. 19. The transparent conductive substrate according to claim 18, which is an organic polysiloxane resin (Q) obtainable from a coating composition containing a compound and an amino group-containing silicon compound.
【請求項20】 ガスバリヤー層(X)は厚さが5〜5
0nmの範囲にある請求項19記載の透明導電性基板。
20. The gas barrier layer (X) having a thickness of 5 to 5
20. The transparent conductive substrate according to claim 19, which is in a range of 0 nm.
【請求項21】 ガスバリヤー層(X)は、珪素原子数
に対する酸素原子数の割合が1.5〜2.0の珪素酸化
物を主成分とする金属酸化物からなる、請求項11〜2
0のいずれかに記載の透明導電性基板。
21. The gas barrier layer (X) is made of a metal oxide containing silicon oxide as a main component and having a ratio of the number of oxygen atoms to the number of silicon atoms of 1.5 to 2.0.
0. The transparent conductive substrate according to any one of the above items.
【請求項22】 透明高分子基板(S)は、ポリカーボ
ネートまたはポリアリレートを主成分とし、全光線透過
率が80%以上であり、かつリターデーションが20n
m以下である請求項10〜21のいずれかに記載の透明
導電性基板。
22. The transparent polymer substrate (S) contains polycarbonate or polyarylate as a main component, has a total light transmittance of 80% or more, and has a retardation of 20 n.
The transparent conductive substrate according to any one of claims 10 to 21, which is not more than m.
【請求項23】 硬化樹脂層(U)と透明高分子基板
(S)の間に、硬化樹脂層(A)が(U)及び(S)と
接するように配置されている請求項10〜22のいずれ
かに記載の透明導電性基板。
23. The cured resin layer (A) is disposed between the cured resin layer (U) and the transparent polymer substrate (S) so as to be in contact with (U) and (S). The transparent conductive substrate according to any one of the above.
【請求項24】 透明導電性基板の透明導電層(E)と
硬化樹脂層(U)との層間以外の層間、または透明導電
層(E)が積層されている面と反対の最外面にカラーフ
ィルター層を有することを特徴とする請求項10〜23
のいずれかに記載の透明導電性基板。
24. A color on a layer other than the layer between the transparent conductive layer (E) and the cured resin layer (U) of the transparent conductive substrate, or on the outermost surface opposite to the surface on which the transparent conductive layer (E) is laminated. It has a filter layer, The Claims 10-23 characterized by the above-mentioned.
The transparent conductive substrate according to any one of the above.
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