JP2000212271A - 成形性、安定性、及び透明性が良好な芳香族ポリカ―ボネ―ト樹脂 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 添加剤をなるべく使用しないで、ポリカーボ
ネートの成形加工時の成形性、滞留安定性、熱安定性、
色相安定性及び環境耐久性を向上させ、色相に優れた芳
香族ポリカーボネート樹脂を提供する。 【解決手段】 特定溶融粘度安定性を有し、一定濃度の
末端水酸基を有するポリカーボネートであって、末端水
酸基に対し特定割合の下記（Ａ）−Ｉ、（Ａ）−II、ま
たは（Ａ）−ＩＩＩ （式中Ｘ、Ｙ、Ｚは酸素原子、あるいは硫黄原子を、Ｒ
^１からＲ²³はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい
炭素数１から１０炭化水素基であり、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、
ｓ、およびｔは０または１〜４の正の整数を表わす。）
で表わされる群からなる構造単位を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特定の構造単位を
有するポリカーボネート樹脂に関する。さらに詳しくは
レンズ、プリズム、光ディスク、シート、フィルムなど
の透明性、色相安定性を要求される用途に好適な成形
性、環境安定性の良好な芳香族ポリカーボネート樹脂に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ポリカーボネート樹脂は、光学特性、電
気特性、寸法安定性に優れ、しかも自己消火性を有し、
且つ耐衝撃性、破断強度などの機械的特性に優れ、しか
も耐熱性、透明性などにも優れた性質を持っており、こ
のため広範な用途に、大量に使用されている。とりわけ
その透明性を生かし、レンズ、プリズム、光ディスク、
シート、フィルム等に大量に使用されている。

【０００３】特にレンズや光ディスクのような光学樹脂
用途に於いては、優れた透明性、及び色相が要求され、
成形時の滞留安定性、具体的には、熱安定性、色相安定
性、さらに成形性、及び湿熱耐久性などの環境安定性な
どが要求される。

【０００４】このため成形時ポリカーボネートに耐熱安
定剤などの各種添加剤を添加して、成形時の滞留安定性
を高める提案が従来より多数なされている。これらの添
加剤が、それぞれ一応の効果を有することは従来良く知
られた事実である。

【０００５】しかしながら、かかる添加剤を含有する樹
脂組成物は、成形加工時に添加剤が、プレートアウトを
生じるという重大な問題を発生する事がある。したがっ
て特にレンズ、光ディスクなどの光学用途においては、
添加剤を成るべく使用しないで、滞留安定性の優れた樹
脂を開発することが長く待望されてきた。

【０００６】このような熱、色相安定性、湿熱耐久性に
対し末端水酸基が悪影響を及ぼすことは例えば特開昭６
１−８７７２４号公報、特開昭６１−８７７２５号公報
に指摘されている通りである。

【０００７】このためポリマー製造プロセスの特徴上、
ポリカーボネート分子中の末端水酸基数が本質的に多
い、溶融重合法、あるいは固相重合法においては、とり
わけ熱意を持ってポリカーボネート樹脂末端の水酸基を
減少せしめる方法が各種提案されているが水酸末端基減
少には限界がある事も又よく知られている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】添加剤をなるべく使用
しないで、ポリカーボネートの成形加工時の成形性、滞
留安定性、熱安定性、色相安定性及び環境耐久性を向上
させ、色相に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂を提供
することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、特定溶融粘
度安定性を有し、一定濃度の末端水酸基を有するポリカ
ーボネートであって、末端水酸基に対し特定割合の下記
（Ａ）−Ｉ、（Ａ）−II、または（Ａ）−ＩＩＩ

【００１０】

【化３】

【００１１】（式中Ｘ、Ｙ、Ｚは酸素原子、あるいは硫
黄原子を、Ｒ^１からＲ²³はそれぞれ独立に置換基を有し
ていてもよい炭素数１から１０炭化水素基であり、ｍ、
ｎ、ｐ、ｑ、ｓ、およびｔは０または１〜４の正の整数
を表わす。）で表わされる群からなる構造単位を有する
芳香族ポリカーボネート樹脂が、成形性、耐熱、色相安
定性を達成しうる事を発見し本発明に到達した。

【００１２】即ち本発明の樹脂は、芳香族ジヒドロキシ
化合物とカーボネート結合形成性化合物とを反応して成
る、主たる繰り返し単位が次式（１）

【００１３】

【化４】

【００１４】（Ｒ'¹，Ｒ'²，Ｒ'³，Ｒ'⁴はそれぞれ独立
に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、アラルキル
基又はアリール基であり、Ｗはアルキリデン基、アルキ
レン基、シクロアルキリデン基、シクロアルキレン基、
フェニル基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、ス
ルホキシド基、またはスルホン基である。）で表わさ
れ、一定濃度の末端水酸基を有する芳香族ポリカーボネ
ートであって、上記式（Ａ）−Ｉ、（Ａ）−II、または
（Ａ）−IIIで表わされる構造単位を末端水酸基に対し
て特定量有し、かつ溶融粘度安定性を０．５％以下とす
る事により、芳香族ポリカーボネート樹脂の成形性、安
定性、透明性を良化させるものである。

【００１５】末端水酸基の濃度は、上記芳香族ポリカー
ボネート樹脂において３〜５０ｅｑ／ｔｏｎさらに好ま
しくは３〜４０ｅｑ／ｔｏｎさらに好ましくは３〜２５
ｅｑ／ｔｏｎである。

【００１６】（Ａ）−Ｉ、（Ａ）−II、または（Ａ）−
III成分は上記芳香族ポリカーボネート樹脂において、
式（Ａ）−Ｉ、（Ａ）−II、または（Ａ）−IIIで表さ
れる構造単位Ｙモル／ｔｏｎ、末端水酸基Ｘｅｑ／ｔｏ
ｎとしたとき、下記

【００１７】

【数２】Ｙ／Ｘ＊１００＝Ｋ で表わされるＫ値が２〜５０の値を有することを特徴と
する。

【００１８】かかる量比で式（Ａ）−Ｉ、（Ａ）−II、
または（Ａ）−IIIで表される構造を有することによ
り、成形性（金型汚れ性、離型性；以下単に成形性と略
称する）、及び滞留安定性の向上が実現される。末端水
酸基に対する式（Ａ）−Ｉ〜IIIで表される構造の量に
関し、Ｋ値が２より少ないと、成形性他の有効な効果が
発現されないし、また他方かかる構造をＫ値で５０以上
導入しても、格別大きな効果を生むわけでもない。逆に
あまりに過剰にかかる構造を導入すると、まず第一にコ
ストの点で不利になるとともに、耐熱性の低下を招くこ
とも有り好ましくない。Ｋ値は好ましくは２〜５０であ
り、さらに好ましくは２〜３０である。特に好ましくは
２〜２５である。

【００１９】本発明のポリカーボネート樹脂は上記式
（Ａ）−Ｉ〜IIIで表される特定構造を保有する事によ
り成形加工時の成形性、滞留安定性に優れている。従っ
て耐熱安定剤などの添加剤の使用は、特別な場合に限定
しうるし、その場合でも剤添加の水準を低いレベルに押
さえうるし、さらに添加剤のプレートアウト、あるいは
分解などの悪影響を低い水準に押さえることができると
いう予期せぬ効果も見出した。このため成形加工時の金
型汚れを著しく低減させうる効果をもあわせて発現す
る。

【００２０】

【発明の実施形態】本発明の樹脂において式（Ａ）−Ｉ
〜IIIで表される構造をポリカーボネート分子中への導
入する方法は従来公知の方法を使用して、好適に実施し
うる。たとえばポリカーボネート製造時、下記一般式
（Ｂ）−Ｉ、（Ｂ）−II、または（Ｂ）−ＩＩＩ

【００２１】

【化５】

【００２２】で表わされるジヒドロキシ化合物の所定量
を原料とともに公知方法に従い、共重合しても良い。そ
の際には、（Ｂ）−Ｉ〜ＩＩＩで表わされるジヒドロキ
シ化合物と下記式（２）

【００２３】

【化６】

【００２４】（Ｒ'¹，Ｒ'²，Ｒ'³，Ｒ'⁴はそれぞれ独立
に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、アラルキル
基又はアリール基であり、Ｗはアルキリデン基、アルキ
レン基、シクロアルキリデン基、シクロアルキレン基、
フェニル基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、ス
ルホキシド基、またはスルホン基である。）で表される
ジヒドロキシ化合物を反応系に別々に添加してもよい
し、あるいは前もって（Ｂ）−Ｉ〜IIIで表わされるジ
ヒドロキシ化合物と上記式（２）で表されるジヒドロキ
シ化合物を前もって混合し、所定量の（Ｂ）−Ｉ〜III
を含有する芳香族ジヒドロキシ化合物を予め調整してお
いて使用することも好ましい。

【００２５】一般式（Ｂ）−Ｉ〜IIIで示されるジヒド
ロキシ化合物としては具体的には以下のごとき化合物が
例示される。これら化合物は単独であるいは数種類混合
して使用しうる。

【００２６】

【化７】

【００２７】

【化８】

【００２８】

【化９】

【００２９】

【化１０】

【００３０】本発明でいう芳香族ポリカーボネートとは
主たる繰り返し単位が、芳香族ジヒドロキシ化合物とカ
ーボネート結合形成性化合物との反応生成物であり、主
たる繰り返し単位が下記一般式（１）

【００３１】

【化１１】

【００３２】（Ｒ'¹，Ｒ'²，Ｒ'³，Ｒ'⁴はそれぞれ独立
に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、アラルキル
基又はアリール基であり、Ｗはアルキリデン基、アルキ
レン基、シクロアルキリデン基、シクロアルキレン基、
アリール基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、ス
ルホキシド基、またはスルホン基である。）であらわさ
れるものであり、界面重合法等のホスゲン法あるいは溶
融重合法、固相重合法のいずれの方法でも製造可能であ
る。

【００３３】かかる芳香族ジヒドロキシ化合物としては
下記一般式（２）に示される化合物が好ましく用いられ
る。

【００３４】

【化１２】

【００３５】（Ｒ'¹，Ｒ'²，Ｒ'³，Ｒ'⁴はそれぞれ独立
に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、アラルキル
基又はアリール基であり、Ｗはアルキリデン基、アルキ
レン基、シクロアルキリデン基、シクロアルキレン基、
フェニル基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、ス
ルホキシド基、またはスルホン基である。）

【００３６】このような芳香族ジヒドロキシ化合物
（２）としては、具体的にはビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチ
ルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−
３，５−ジクロロフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパ
ン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、
４，４−ジヒドロキシフェニル−１，１−ｍ−ジイソプ
ロピルベンゼン、４，４−ジヒドロキシフェニル−９，
９−フルオレンなどのビス（４−ヒドロキシアリール）
アルカン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１−メチル−１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−４−（ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メチル−シクロヘキサン、４−［１−〔３−（４−
ヒドロキシフェニル）−４−メチルシクロヘキシル〕−
１−ネチルエチル］−フェノール、４，４−〔１−メチ
ル−４−（１−メチルエチル）−１，３−シクロヘキサ
ンジイル〕ビスフェノール、２，２，２，２−テトラヒ
ドロ−３，３，３，３−テトラメチル−１，１−スピロ
ビス−〔１Ｈ−インデン〕−６，６−ジオールなどのビ
ス（ヒドロキイシアリール）シクロアルカン類、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒド
ロキシ−３，５−ジクロロフェニル）エーテル、４，４
−ジヒドロキシ−３，３−ジメチルフェニルエーテルな
どのジヒドロキシアリールエーテル類、４，４−ジヒド
ロキシジフェニルスルフィド、４，４−ジヒドロキシ−
３，３−ジメチルジフェニルスルフィドなどのジヒドロ
キシジアリールスルフィド類、４，４−ジヒドロキシジ
フェニルスルホキシド、４，４−ジヒドロキシ−３，３
−ジメチルジフェニルスルホキシドなどのジヒドロキシ
ジアリールスルスルホキシド類、４，４−ジヒドロキシ
ジフェニルスルホン、４，４−ジヒドロキシ−３，３−
ジメチルジフェニルスルホン、などのジヒドロキシジア
リールスルホン類、４，４−ジヒドロキシジフェニル−
３，３−イサチンなどのジヒドロキシジアリールイサチ
ン類、３，６−ジヒドロキシ−９，９−ジメチルキサン
テンなどのジヒドロキシジアリールキサンテン類、レゾ
ルシン、３−メチルレソルシン、３−エチルレゾルシ
ン、３−ブチルレゾルシン、３−ｔ−ブチルレゾルシ
ン、３−フェニルレゾルシン、３−クミルレゾルシン、
ヒドロキノン、２−メチルヒドロキノン、２−エチルヒ
ドロキノン、２−ブチルヒドロキノン、２−ｔ−ブチル
ヒドロキノン、２−フェニルヒドロキノン、２−クミル
ヒドロキノンなどのジヒドロキシベンゼン類、４，４’
−ジヒドロキシジフェニル、３，３’−ジクロロ−４，
４’−ジヒドロキシジフェニル等ジヒドロキシジフェニ
ル類が挙げられる。

【００３７】中でも２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、がモノマーとしての安定性、更にはそ
れに含まれる不純物の量が少ないものの入手が容易であ
る点、等より好ましいものとしてあげられる。

【００３８】本発明の芳香族ポリカーボネート中には、
ガラス転移温度の制御、あるいは流動性の向上、あるい
は、屈折率のアップ、あるいは複屈折の低減等、光学的
性質の制御等を目的として各種モノマーを必要に応じ
て、一種あるいは２種以上を含有させることも可能なこ
とは言うまでもない。

【００３９】これらの具体例としては、たとえば脂肪族
ジヒドロキシ化合物類、例えばエチレングリコール、
１，４−ブタンジオール、１，４−シクロヘキサンジメ
タノール、、２，２−ジメチルー１，３−プロパンジオ
ール、１，１０−デカンジオール、ジエチレングリコー
ル、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコー
ル、、ポリテトラメチレングリコール等、あるいはジカ
ルボン酸類、たとえばコハク酸、イソフタル酸、２，６
−ナフタレンジカウボン酸、アジピン酸、シクロヘキサ
ンジカルボン酸、テレフタル酸、、あるいはオキシ酸類
例えばｐ−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシー２ー
ナフトエ酸、乳酸等が挙げられる。

【００４０】ホスゲン法ではカーボネート結合形成性化
合物としては、ホスゲンなどのハロゲン化カルボニル、
ハロホーメート化合物があげられる。かかるカーボネー
ト結合形成性化合物と上記（２）式で示される芳香族ジ
ヒドロキシ化合物、および上記（Ｂ）−Ｉ〜III式であ
らわされるジヒドロキシ化合物とを、さらに所望により
各種の末端封止剤を加えて公知の方法で反応せしめるこ
とにより（１）式であらわされる主たる繰り返し単位構
造を有し、（Ａ）−Ｉ〜III式であらわされる構造を有
するポリカーボネート樹脂を製造することができる。

【００４１】また溶融重合法ではカーボネート結合形成
性化合物としては芳香族炭酸エステルが、具体的にはジ
フェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、、ビス
（２−クロロフェニル）カーボネート、ｍ−クレシルカ
ーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（４−フェ
ニルフェニル）カーボネート等が挙げられる。

【００４２】その他ジメチルカーボネート、ジエチルカ
ーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシル
カーボネート等も所望により使用できることは当然であ
る。これらの内ジフェニルカーボネートが、反応性、得
られる樹脂の着色に対する安定性、更にはコストの点よ
り好ましいものとしてあげられる。

【００４３】溶融重合法では、かかる炭酸エステルと上
記（２）式で示される芳香族ジヒドロキシ化合物と上記
ジヒドロキシ化合物（Ｂ）−Ｉ〜IIIを、公知の方法で
反応せしめることにより（１）式で表わされる繰り返し
単位構造を有し、上記（Ａ）−Ｉ〜III式であらわされ
る構造を有するポリカーボネート樹脂を製造することが
できる。

【００４４】固相重合法では、上述のホスゲン法または
溶融重合法で製造される分子量の小さなポリカーボネー
トオリゴマーを結晶化させ、高温（所望により減圧）
下、固体状態で重合を進める事により、上記式（Ａ）−
Ｉ〜IIIで示される構造を有し、上記（１）式で示され
る主たる繰り返し単位構造を有するポリカーボネート樹
脂とすることができる。

【００４５】また上記のようなポリカーボネートの製造
方法において、ホスゲン、炭酸ジエステルとともにジカ
ルボン酸、ジカルボン酸ハライド、ジカルボン酸、エス
テル等のジカルボン酸誘導体を使用することによりポリ
エステルカーボネートを製造できる。

【００４６】かかるジカルボン酸あるいはジカルボン酸
誘導体としては、テレフタル酸、イソフタル酸、テレフ
タル酸クロリド、イソフタル酸クロリド、テレフタル酸
ジフェニル、イソフタル酸ジフェニルなどの芳香族ジカ
ルボン酸類、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、スベ
リン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカン二酸、ドデ
カンニ酸、アジピン酸クロリド、スベリン酸クロリド、
アゼライン酸クロリド、セバシン酸クロリド、アゼライ
ン酸ジフェニル、セバシン酸ジフェニル、デカン二酸ジ
フェニル、ドデカンニ酸ジフェニル、などの脂肪族ジカ
ルボン酸類、シクロプロパンジカルボン酸、１，２−シ
クロブタンジカルボン酸、１，３−シクロブタンジカル
ボン酸、１，２−シクロペンタンジカルボン酸、１，３
−シクロペンタンジカルボン酸、１，２−シクロヘキサ
ンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン
酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、シクロプロ
パンジカルボン酸クロリド、１，２−シクロブタンジカ
ルボン酸クロリド、１，３−シクロブタンジカルボン酸
クロリド、１，２−シクロペンタンジカルボン酸クロリ
ド、１，３−シクロペンタンジカルボン酸クロリド、
１，２−シクロヘキサンジカルボン酸クロリド、１，３
−シクロヘキサンジカルボン酸クロリド、１，４−シク
ロヘキサンジカルボン酸クロリド、シクロプロパンジカ
ルボン酸ジフェニル、１，２−シクロブタンジカルボン
酸ジフェニル、１，３−シクロブタンジカルボン酸ジフ
ェニル、１，２−シクロペンタンジカルボン酸ジフェニ
ル、１，３−シクロペンタンジカルボン酸ジフェニル、
１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジフェニル、１，
３−シクロヘキサンジカルボン酸ジフェニル、１，４−
シクロヘキサンジカルボン酸ジフェニルなどの脂環式ジ
カルボン酸類を挙げることができる。

【００４７】また一般式（１）であらわされる繰り返し
単位構造を有するポリカーボネートを製造するとき、上
記のジヒドロキシ化合物とともに、一分子中に３個以上
の官能基を有する多官能化合物を併用することもでき
る。このような多官能化合物としてはフェノール性水酸
基、カルボキシル基を有する化合物が好ましく使用され
る。

【００４８】具体的には例えば；１，１，１−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２’、２''−
トリス（４−ヒドロキシフェニル）ジイソプロピルベン
ゼン、α−メチル−α、α’、α''−トリス（４−ヒド
ロキシフェニル）−１，４−ジエチルベンゼン、α、
α’、α''−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，
３，５−トリイソプロピルベンゼン、フロログリシン、
４，６ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシ
フェニル）−ヘプタン−２、１，３，５−トリス（４−
ヒドロキシフェニル）ベンベン、２，２−ビス〔４，４
−（４、４−ジヒドロキシフェニル）−シクロヘキシ
ル〕−プロパン、トリメリット酸、１，３，５−ベンゼ
ントリカルボン酸、ピロメリット酸などがあげられる。

【００４９】これらのうち１，１，１−トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタン、α、α’、α''−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプ
ロピルベンゼンなどが好ましく使用できる。

【００５０】多官能化合物を併用するとき、たとえばポ
リカーボネートの溶融粘度を上げる目的では、多官能化
合物は、芳香族ジヒドロキシ化合物に１モルに対して
０．０３モル以下、好ましくは０．００００５〜０．０
２モル、さらに好ましくは０．０００１〜０．０１モル
の範囲で選択され使用される。

【００５１】本発明におけるポリカーボネートを製造す
る方法において、前述したホスゲン法では、触媒として
３級アミン、４級アンモニウム塩、３級ホスフィン、４
級ホスホニウム塩、含窒素複素環化合物及びその塩、イ
ミノエーテルおよびその塩、アミド基を有する化合物な
どが使用される。

【００５２】このホスゲン法では反応の際生じる塩酸な
どのハロゲン化水素の捕捉剤として多量のアルカリ金属
化合物あるいはアルカリ土類金属化合物が使用されるの
で、製造後のポリマー中に、こうした不純物が残留しな
いように十分な洗浄、精製をする事が好ましい。

【００５３】溶融重合法、固相重合法では触媒系につい
ては、アルカリ金属化合物を含有する触媒系が好ましく
使用されるが、アルカリ金属としてのその使用量を芳香
族ジヒドロキシ化合物１モルに対し１＊１０^-8から５＊
１０^-6当量に押さえておく事が重要である。

【００５４】ポリカーボネート樹脂中の触媒系由来のア
ルカリ金属元素量をかかる量範囲において使用すること
によりポリカーボネートの製造を効率的に生産性よく実
施しうるとともに得られたポリカーボネートの物性も本
発明の目的を達成するために好ましいものとなる。

【００５５】触媒として本発明に使用されるアルカリ金
属化合物としては、たとえばアルカリ金属の水酸化物、
炭化水素化合物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、
亜硫酸塩、シアン酸塩チオシアン酸塩、ステアリン酸
塩、水素化硼素塩、安息香酸塩燐酸水素化物、ビスフェ
ノール、フェノールの塩等が挙げられる。

【００５６】具体例としては水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸
水素カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢酸ナトリ
ウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、硝酸ナトリウム、
硝酸カリウム、硝酸ルビジウム、硝酸リチウム、亜硝酸
ナトリウム、亜硝酸カリウム、亜硝酸ルビジウム、亜硝
酸リチウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜硫
酸リチウム、シアン酸ナトリウム、シアン酸カリウム、
シアン酸リチウム、チオシアン酸ナトリウム、チオシア
ン酸カリウム、チオシアン酸リチウム、チオシアン酸セ
シウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウ
ム、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸セシウム、水
素化ホウソナトリウム、水素化ホウソカリウム、水素化
ホウソリチウム、フェニル化硼素ナトリウム、安息香酸
ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、リ
ン酸水素ジナトリウム、リン酸水素ジカリウム、リン酸
水素ジリチウム、ビスフェノールＡのジナトリウム塩、
ジカリウム塩、ジリチウム塩、モノナトリウム塩、モノ
カリウム塩、ナトリウムカリウム塩、ナトリウムリチウ
ム塩、フェノールのナトリウム塩、カリウム塩、リチウ
ム塩などが挙げられる。

【００５７】触媒として使用されるアルカリ金属化合物
は、芳香族ジヒドロキシ化合物、１モルに対し、アルカ
リ金属元素として１＊１０^-8〜５＊１０^-6当量の範囲で
使用される。上記範囲を逸脱すると、得られるポリカー
ボネートの諸物性に悪影響を及ぼしたり、またエステル
交換反応が十分に進行せず、高分子量のポリカーボネー
トが得られない等の問題があり、好ましくない。

【００５８】これらのうち含窒素塩基性化合物の具体例
としてはたとえばテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド（Ｍｅ₄ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド（Ｅｔ₄ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウムヒ
ドロキシド（Ｂｕ₄ＮＯＨ）、ベンジルトリメチルアン
モニウムヒドロキシド（φ−ＣＨ₂（Ｍｅ）₃ＮＯＨ）、
ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなど
のアルキル、アリール、アルキルアリール基などを有す
るアンモニウムヒドロキシド類、テトラメチルアンモニ
ウムアセテート、テトラエチルアンモニウムフェノキシ
ド、テトラブチルアンモニウム炭酸塩、ベンジルトリメ
チルアンモニウム安息香酸塩ヘキサデシルトリメチルア
ンモニウムエトキシドなどのアルキル、アリール、アル
キルアリール基などを有する塩基性アンモニウム塩、ト
リエチルアミン、トリブチルアミン、ジメチルベンジル
アミン、ヘキサデシルジメチルアミンなどの第三級アミ
ン、あるいはテｔラメチルアンモニウムボロハイドライ
ド（Ｍｅ₄ＮＢＨ₄）、テｔラブチルアンモニウムボロハ
イドライド（Ｂｕ₄ＮＢＨ₄）、テトラブチルアンモニウ
ムテトラフェニルボレート（Ｂｕ₄ＮＢＰｈ₄）、テトラ
メチルアンモニウムトラフェニルボレート（Ｍｅ₄ＮＢ
Ｐｈ₄）などの塩基性塩などを挙げることができる。

【００５９】また含りん塩基性化合物の具体例としては
たとえばテトラメチルホスホニウムヒドロキシド（Ｍｅ
₄ＰＯＨ）、テトラエチルホスホニウムヒドロキシド
（Ｅｔ₄ＰＯＨ）、テトラブチルホスホニウムヒドロキ
シド（Ｂｕ₄ＰＯＨ）、ベンジルトリメチルホスホニウ
ムヒドロキシド（φ−ＣＨ₂（Ｍｅ）₃ＰＯＨ）、ヘキサ
デシルトリメチルホスホニウムヒドロキシドなどのアル
キル、アリール、アルキルアリール基などを有するホス
ホニウムヒドロキシド類、あるいはテトラメチルホスホ
ニウムボロハイドライド（Ｍｅ₄ＰＢＨ₄）、テトラブチ
ルホスホニウムボロハイドライド（Ｂｕ₄ＰＢＨ₄）、テ
トラブチルホスホニウムテトラフェニルボレート（Ｂｕ
₄ＰＢＰｈ₄）、テトラメチルホスホニウムトラフェニル
ボレート（Ｍｅ₄ＰＢＰｈ₄）などの塩基性塩などを挙げ
ることができる。

【００６０】上記含窒素塩基性化合物及びまたは含りん
塩基性化合物は、塩基性窒素原子あるいは塩基性リン原
子が芳香族ジヒドロキシ化合物、１モルに対し、１＊１
０^-5〜５＊１０^-4当量となる割合で用いるのが好まし
い。

【００６１】より好ましい使用割合は同じ基準に対し２
＊１０^-5〜５＊１０^-4当量となる割合である。特に好ま
しい割合は同じ基準に対し５＊１０^-5〜５＊１０^-4当量
となる割合である。

【００６２】又本発明においては所望により触媒として
使用するアルカリ金属化合物として、（ア）周期律表第
１４族元素のアート錯体アルカリ金属塩又は（イ）周期
律表第１４族元素のオキソ酸のアルカリ金属塩を用いる
ことができる。ここで周期律表第１４族の元素とは、ケ
イ素、ゲルマニウム、スズのことをいう。

【００６３】かかるアルカリ金属化合物を重縮合反応の
触媒として用いることにより、重縮合反応を迅速にかつ
十分に進めることができる利点を有する。又重縮合反応
中に進行する分岐反応のような好ましくない副反応を低
いレベルに押さえることができる。

【００６４】ここで（ア）の周期律表第１４族元素のア
ート錯体アルカリ金属塩としては、特開平７−２６８０
９１号公報に記載のものをいうが、具体的にはＮａＧｅ
（ＯＭｅ）₅、ＮａＧｅ（ＯＥｔ）₅、ＮａＧｅ（ＯＰ
ｈ）₅、ＬｉＧｅ（ＯＭｅ）₅、ＬｉＧｅ（ＯＢｕ）₅、
ＬｉＧｅ（ＯＰｈ）₅ＮａＳｎ（ＯＭｅ）₃、ＮａＳｎ
（ＯＥｔ）₂（ＯＭｅ）、ＮａＳｎ（ＯＭｅ）₅、ＮａＳ
ｎ（ＯＰｈ）₅などを挙げることができる。

【００６５】又（イ）周期律表第１４族元素のオキソ酸
のアルカリ金属塩としてはたとえばケイ酸、スズ酸、ゲ
ルマニウム（II）酸、ゲルマニウム（IV）酸のアルカリ
金属塩を好ましいものとしてあげることができる。

【００６６】これらの具体例としてはオリトケイ酸モノ
ナトリウム、オリトケイ酸ジナトリウム、オリトケイ酸
テトラナトリウム、、モノスズ酸ジナトリウム、モノス
ズ酸テトラナトリウム、ゲルマニウム（II）酸モノナト
リウム（ＮａＨＧｅＯ₂）、オルトゲルマニウム（IV）
酸モノリチウム（ＬｉＨ₃ＧｅＯ₄）オルトゲルマニウム
（IV）酸ジナトリウム、オルトゲルマニウム（IV）酸ジ
ナトリウム、オルトゲルマニウム（IV）酸テトラナトリ
ウム、ジゲルマニウム（IV）酸ジナトリウム、（Ｎａ₂
Ｇｅ₂Ｏ₅）、ペンタゲルマニウム（IV）酸ジナトリウ
ム、（Ｎａ₂Ｇｅ₅Ｏ₁₁）を挙げることができる。

【００６７】本発明の重縮合反応には、上記触媒といっ
しょに、必要により周期律表第１４属元素のオキソ酸、
酸化物および同元素のアルコキシド、フェノキシドより
成る群から選ばれる少くとも、一種の化合物を助触媒と
して共存させることができる。

【００６８】これらの助触媒を特定の割合で用いること
により末端の封鎖反応、重縮合反応速度を損なうことな
く重縮合反応中に生成しやすい分岐反応、主鎖開裂反応
や、成形加工時における装置内での異物の生成、焼けと
いった好ましくない現象を効果的に抑止できる。

【００６９】周期律表第１４族のオキソ酸としては、た
とえばケイ酸、スズ酸、ゲルマニウム酸を挙げることが
できる。

【００７０】周期律表第１４族の酸化物としては、一酸
化珪素、二酸化珪素、二酸化スズ、一酸化ゲルマニウ
ム、二酸化ゲルマニウム、シリコンテトラメトキシド、
シリコンテトラブトキシド、シリコンテトラフェノキシ
ド、テトラエトキシスズ、テトラノニルオキシスズ、テ
トラドデシルオキシスズ、テトラフェノキシスズ、テト
ラメトキシゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウ
ム、テトラオクチルオキシゲルマニウム、テトラフェノ
キシゲルマニウム、およびこれらの縮合体を挙げること
ができる。

【００７１】助触媒は重縮合反応触媒中のアルカリ金属
元素１モル原子当たり、周期律表第１４族の元素が５０
モル原子以下となる割合で存在せしめるのが好ましい。
同金属元素が５０モル原子を超える割合で助触媒を用い
ると、重縮合反応速度が遅くなり好ましくない。助触媒
は、重縮合反応触媒のアルカリ金属元素１モル原子当た
り助触媒としての周期律表第１４族の元素が０．１〜３
０モル原子となる割合で存在せしめるのが更に好まし
い。

【００７２】本発明芳香族ポリカーボネート樹脂におい
て、末端水酸基濃度が全末端基に対し３〜５０ｅｑ／ｔ
ｏｎ含有する、溶融粘度安定性が０．５％以下のものが
使用されるが、さらに本発明の目的を達成する好ましい
実施態様においては上記芳香族ポリカーボネート樹脂に
おいて、末端水酸基濃度が好ましくは３〜４０ｅｑ／ｔ
ｏｎ、さらに好ましくは３〜３０ｅｑ／ｔｏｎであるこ
とが好ましい。

【００７３】水酸末端基濃度を上記範囲内にするには、
ホスゲン法においては分子量調節剤として使用される末
端封止剤により必然的に上記範囲内に収まるが、反応プ
ロセスの特徴上、水酸末端基が多く生成する溶融重合
法、あるいは固相重合法においては、特別の水酸末端基
減少策を講じる必要がある。

【００７４】例えば、１）重合原料仕込みモル比制御
法；重合反応仕込み時のジフェニルカーボネート／ビス
フェノールＡのモル比を高めることにより、たとえば重
合反応装置の特徴を考え１．０３から１．１０の間に設
定する。あるいは２）末端封止法；重合反応終了時点に
おいて例えば、米国特許第５６９６２２２号明細書記載
の方法に従い、サリリチル酸エステル系化合物によりＯ
Ｈ末端基を封止することにより達成される。

【００７５】サリチル酸エステル系化合物の使用量は封
止反応前の末端水酸基、１化学当量当たり０．８〜１０
モル、より好ましくは０．８〜５モル、特に好ましくは
０．９〜２モルの範囲である。かかる量比で添加するこ
とにより、末端水酸基の８０％以上を好適に封止するこ
とができる。又本封止反応を行う時、上記特許記載の触
媒を使用するのが好ましい。

【００７６】これらサリチル酸エステルとしては具体的
には；２−メトキシカルボニルフェニル−フェニルカー
ボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−２’−メ
チルフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフ
ェニル−４’−エチルフェニルカーボネート、２−メト
キシカルボニルフェニル−３’−ブチルフェニルカーボ
ネート、２−メトキシカルボニルフェニル−４’−ドデ
シルフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフ
ェニル−４’−ヘキサデシルフェニルカーボネート、２
−メトキシカルボニルフェニル−２’，４’−ジブチル
フェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニ
ル−ジノニルフェニルカーボネート、２−メトキシカル
ボニルフェニル−シクロヘキシルフェニルカーボネー
ト、２−メトキシカルボニルフェニル−ビフェニルカー
ボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−クミルフ
ェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル
−２’−メトキシフェニルカーボネート、２−メトキシ
カルボニルフェニル−４’−ブトキシフェニルカーボネ
ート、２−メトキシカルボニルフェニル−４’−クミル
オキシフェニルカーボネート、ジ（２−メトキシカルボ
ニルフェニル）カーボネート、２−メトキシカルボニル
フェニル−２−エトキシフェニルカーボネート、２−メ
トキシカルボニルフェニル−２’−（Ｏ−メトキシカル
ボニルフェニル）オキシクミルフェニルカーボネートの
ごとき２−メトキシカルボニルフェニルアリールカーボ
ネート類、２−メトキシカルボニルフェニル−メチルカ
ーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−ブチル
カーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−セチ
ルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−ラ
ウリルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル
−２’−エトキシカルボニルエチルカーボネート、２−
メトキシカルボニルフェニル−２’−（Ｏ−メトキシカ
ルボニルフェニル）オキシカルボニルエチルカーボネー
トのごとき２−メトキシカルボニルフェニル−アルキル
カーボネート類、２−エトキシカルボニルフェニル−フ
ェニルカーボネート、２−エトキシカルボニルフェニル
−プロピルフェニルカーボネート、２−エトキシカルボ
ニルフェニル−ヘキシルフェニルカーボネート、２−エ
トキシカルボニルフェニル−ジブチルフェニルカーボネ
ート、２−エトキシカルボニルフェニル−ジノニルフェ
ニルカーボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−
シクロヘキシルフェニルカーボネート、２−エトキシカ
ルボニルフェニル−クミルフェニルカーボネート、２−
エトキシカルボニルフェニル−４’−エトキシカルボニ
ルフェニルカーボネート、２−エトキシカルボニルフェ
ニル−４’−クミルオキシフェニルカーボネート−２−
エトキシカルボニルフェニル−カーボネート、ジ（２−
エトキシカルボニルフェニル）カーボネートのごとき２
−エトキシカルボニルフェニル−アリールカーボネート
類、２−エトキシカルボニルフェニル−メチルカーボネ
ート、２−エトキシカルボニルフェニル−オクチルカー
ボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−２’−メ
トキシカルボニルエチルカーボネート、２−エトキシカ
ルボニルフェニル−カーボネート、２−エトキシカルボ
ニルフェニル−２−（Ｏ−エトキシカルボニルフェニ
ル）オキシカルボニルエチルカーボネートのごとき２−
エトキシカルボニルフェニル−アルキルカーボネート
類、（２−メトキシカルボニルフェニル）ベンゾエー
ト、（２−メトキシカルボニルフェニル）−４−メチル
ベンゾエート、（２−メトキシカルボニルフェニル）−
４−ブチルベンゾエート、（２−メトキシカルボニルフ
ェニル）−４−クミルベンゾエート、（２−メトキシカ
ルボニルフェニル）−４−ブトキシベンゾエート、（２
−メトキシカルボニルフェニル）−２−メトキシカルボ
ニルベンゾエート、（２−メトキシカルボニルフェニ
ル）−４−メトキシカルボニルベンゾエート、（２−メ
トキシカルボニルフェニル）−４−エトキシカルボニル
ベンゾエート、３−（Ｏ−メトキシカルボニルフェニ
ル）オキシカルボニル安息香酸（２’−メトキシカルボ
ニルフェニル）エステル、４−（Ｏ−エトキシカルボニ
ルフェニル）オキシカルボニル安息香酸（２’−メトキ
シカルボニルフェニル）エステルのごとき、芳香族カル
ボン酸の（２’−メトキシカルボニルフェニル）エステ
ル、（２−エトキシカルボニルフェニル）ベンゾエー
ト、（２−エトキシカルボニルフェニル）−４−メチル
ベンゾエート、（２−エトキシカルボニルフェニル）−
４−ブチルベンゾエート、（２−エトキシカルボニルフ
ェニル）−４−ノニルベンゾエート、（２−エトキシカ
ルボニルフェニル）−４−クミルベンゾエート、（２−
エトキシカルボニルフェニル）−４−メトキシベンゾエ
ート、（２−エトキシカルボニルフェニル）−４−ノニ
ルオキシベンゾエート、（２−エトキシカルボニルフェ
ニル）−４−クミルオキシベンゾエート、（２−エトキ
シカルボニルフェニル）−４−エトキシカルボニルベン
ゾエートのごとき芳香族カルボン酸の（２’−エトキシ
カルボニルフェニル）エステル、（２−メトキシカルボ
ニルフェニル）アセテート、（２−メトキシカルボニル
フェニル）ステアレート、（２−メトキシカルボニルフ
ェニル）オレート、（２−エトキシカルボニルフェニ
ル）シクロヘキサンカルボン酸エステル、ビス（２−メ
トキシカルボニルフェニル）サクシネート、ビス（２−
メトキシカルボニルフェニル）アジペートのごとき脂肪
族カルボン酸エステルが挙げられる。

【００７７】本発明ポリカーボネートは溶融粘度安定性
０．５％以下のものが使用されるが、ポリカーボネート
の溶融粘度安定性を０．５％以下にするためには、重縮
合反応後、より好ましくは、末端封止反応終了後のポリ
カーボネート樹脂に対し溶融粘度安定剤（Ｄ）を特定量
を添加すること等により達成しうる。溶融粘度安定性の
劣ったポリカーボネート樹脂においては、成形加工時の
安定性不良に加えて、高湿条件化および成型品の長期使
用時の機械的物性の安定性不良とりわけ耐衝撃性の悪化
＝低下が著しく、実用性に耐えないものとなってしま
う。

【００７８】溶融粘度安定剤について 本発明で使用する溶融粘度安定剤は、（Ｄ）−１；スル
ホン酸ホスホニウム塩、アンモニウム塩及びまたは
（Ｄ）−２；スルホン酸、及びあるいはスルホン酸低級
エステルである。（Ｄ）−１；スルホン酸ホスホニウム
塩、アンモニウム塩としては；

【００７９】

【化１３】Ａ¹−（ＳＯ₃Ｘ¹）_m・・・・（Ｉ） （ここでＡ¹は置換基を有していてもよいｍ価の炭化水
素基であり、Ｘ¹はアンモニウム、またはホスホニウム
カチオンである。ｍは１〜４の整数である。） ここでアンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオンと
しては

【００８０】

【化１４】⁺ Ｎ（Ｒ''¹）（Ｒ''²）（Ｒ''³）（Ｒ''⁴）・・・・（Ｉａ）⁺ Ｐ（Ｒ''¹）（Ｒ''²）（Ｒ''³）（Ｒ''⁴）・・・・（Ｉｂ） （式中Ｒ''¹〜Ｒ''⁴は互いに独立に水素原子、または一
価の炭化水素基である。）で表わされるカチオンを挙げ
ることができる。

【００８１】

【化１５】⁺Ｘ²−Ａ²−ＳＯ₃ ^-・・・・（II） （ここでＡ²は２価の炭化水素基であり、⁺Ｘ²はアンモ
ニウム、またはホスホニウムカチオンである。）ここで
アンモニウム、またはホスホニウムカチオンとしては

【００８２】

【化１６】 −Ｎ⁺（Ｒ''⁵）（Ｒ''⁶）（Ｒ''⁷）・・・・（IIａ） −Ｐ⁺（Ｒ''⁵）（Ｒ''⁶）（Ｒ''⁷）・・・・（IIｂ） （ここでＲ''⁵〜Ｒ''⁷は互いに独立に水素原子、または
一価の炭化水素基である。）で表わされるカチオンを挙
げることができる。

【００８３】

【化１７】 Ａ³−（⁺Ｘ³）_n・（Ｒ−ＳＯ₃ ^-）_n・・・・（III） （ここでＡ³はｎ価の炭化水素基であり、Ｘ³はアンモニ
ウム、またはホスホニウムカチオンである。Ｒは一価の
炭化水素基、ｎは２〜４の整数である。ここでアンモニ
ウム、またはホスホニウムカチオンとしては、上記（II
ａ）（IIｂ）で表わされる物を挙げることができる。）

【００８４】上記式（Ｉ）で表わされる化合物の具体的
な例としては、たとえば；オクチルスルホン酸テトラブ
チルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラホスホニ
ウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム
塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、
ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム
塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホ
ニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラオクチル
ホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラメチルアンモ
ニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラエチルアンモニウ
ム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルアンモ
ニウム塩、^-ＳＯ₃−（ＣＨ₂）₃−Ｐ⁺（Ｃ₂Ｈ₅）₃、^-Ｓ
Ｏ₃−（ＣＨ₂）₁₅−Ｐ⁺（Ｃ₄Ｈ₉）₃、^-ＳＯ₃−（Ｃ
Ｈ₂）₁₅−Ｎ⁺（Ｃ₄Ｈ₉）_3、｛（Ｃ₄Ｈ₉）₃Ｐ⁺−（Ｃ
Ｈ₂）₁₀−Ｐ⁺（Ｃ₄Ｈ₉）₃｝、（ＣＨ₃−Ｃ₆Ｈ₄−Ｓ
Ｏ₃ ^-）₂等々である。

【００８５】（Ｄ）−２；のスルホン酸、スルホン酸低
級エステルとしてはベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエン
スルホン酸のごとき芳香族スルホン酸、ドデシルスルホ
ン酸、ヘキサデシルスルホン酸、ノニルスルホン酸、等
の脂肪族スルホン酸、ベンゼンスルホン酸メチル、ベン
ゼンスルホン酸エチル、ベンゼンスルホン酸ブチル、ベ
ンゼンスルホン酸オクチル、ベンゼンスルホン酸フェニ
ル、ｐ−トルエンスルホン酸メチル、ｐ−トルエンスル
ホン酸エチル、ｐ−トルエンスルホン酸ブチル、ｐ−ト
ルエンスルホン酸オクチル、ｐ−トルエンスルホン酸フ
ェニル、ドデシルスルホン酸メチル、ヘキサデシルスル
ホン酸エチル、ノニルスルホン酸プロピル、デシルスル
ホン酸ブチル等が例示される。好ましくはスルホン酸そ
のものより、エステル化合物が使用される。

【００８６】かかる溶融粘度安定剤は、ホスゲン法で製
造されたポリカーボネートに対しても有効であるが、特
に溶融重合法、あるいは固相重合法で製造したポリカー
ボネートに対し、ポリカーボネート樹脂中残存する塩基
性アルカリ金属化合物、すなわち塩基性アルカリ金属化
合物触媒のアルカリ金属元素、１化学当量あたり、
（Ｄ）−１の化合物においては０．７〜１００化学当量
を好ましくは０．８〜３０化学当量を、さらに好ましく
は、０．９〜２０化学当量を、特に好ましくは０．９〜
１０化学当量を使用する。（Ｄ）−２の化合物において
は０．７〜２０化学当量、好ましくは０．８〜１０化学
当量を、さらに好ましくは０．９〜５化学当量使用する
ことにより、ポリカーボネート樹脂の溶融粘度安定性を
０．５％以下に押さえることができる。

【００８７】（Ｄ）−２の溶融粘度安定剤を使用した場
合、溶融粘度安定処理を施したポリカーボネート樹脂に
対し減圧処理を加えるのが好ましい。かかる減圧処理を
するに際し、処理装置の形式は特に制限されるものでは
ない。他方（Ｄ）−１の溶融粘度安定剤を使用した場合
はかかる減圧処理を加える必要はない。

【００８８】減圧処理は、縦形槽型反応器、横形槽型反
応器あるいはベント付き１軸、あるいは２軸押し出し機
において０．０５〜６０ｍｍＨｇ、好ましくは０．０５
〜１００ｍｍＨｇの減圧下、減圧処理を行う。減圧処理
時間は、槽型反応器においては５分〜３時間、２軸押し
出し機を使用した場合５秒〜１５分程度、処理温度は２
４０℃から３５０℃で実施できる。減圧処理は押し出し
機にてペレタイズと同時に行うこともできる。上記のよ
うな減圧処理を行うことにより、ポリカーボネート中に
残存する原料モノマー低減されるかまたは完全に除去さ
れる。

【００８９】かくして得られるポリカーボネート樹脂
は、優れた成形性、滞留安定性を有し、熱的、色相安定
性がとりわけ良好で、他の耐熱安定剤を添加しなくて
も、耐熱安定性が良好で、たとえば金型汚れを低減でき
る利点を有する。本発明ポリカーボネート樹脂は特にレ
ンズ、光ディスクなどの光学用途に好適である。

【００９０】本発明のポリカーボネート樹脂は耐熱安定
剤他の安定剤を添加する必要はないが、本発明の目的を
損なわない限り、所望により以下のごとき通常の耐熱安
定剤を添加することができる。かかる安定剤としては具
体的には、たとえばリン系安定剤、フェノール系安定
剤、有機チオエーテル系安定剤、ヒンダードアミン系安
定剤などを挙げることができる。

【００９１】リン系安定剤としては；リン酸、亜燐酸、
次亜燐酸、ピロリン酸、ポリリン酸、燐酸エステル、亜
燐酸エステルなどを用いる事ができる。

【００９２】発明で使用するリン系酸化防止剤としては
例えば、ビス（２，３−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペン
タエリスリチルジホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔ
−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリチルジ
ホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリ
チルジホスファイト、ジフェニルデシルホスファイト、
ジフェニルイソオクチルホスファイト、フェニルジイソ
オクチルホスファイト、２−エチルヘキシルジフェニル
ホスファイト、テトラフェニルプロピレングリコールジ
ホスファイト、テトラ（トリデシル）−４，４’−イソ
プロピリデンジフェニルジホスファイト、２，２−メチ
レンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチル
ホスファイト、２−｛｛２，４，８，１０−テトラキス
（１，１−ジメチルエチル）ジベンゾ｛ｄ、ｆ｝｛１，
３，２｝ジオキサフォスフェピン−６−イル｝オキシ｝
−Ｎ，Ｎ−ビス｛２−｛｛２，４，８，１０−テトラキ
ス（１，１ジメチルエチル）ジベンゾ｛ｄ，ｆ｝｛１，
３，２｝ジオキサフォスフェピン−６−イル｝オキシ｝
−エチル｝エタナミン等のアリールアルキルホスファイ
ト類、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイ
ト、トリブチルホスファイト、トリメオクチルホスファ
イト、トリノニルホスファイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクタデシルホスファイト、ジステアリルペン
タエリスチルジホスファイト、ビス（トリデシル）ペン
タエリスリチルジホスファイト、トリス（２−クロロエ
チル）ホスファイト、トリス（２，３−ジクロロプロピ
ル）ホスファイト等のトリアルキルホスファイト類、ト
リシクロヘキシルホスファイト等のトリシクロアルキル
ホスファイト類、トリフェニルホスファイト、トリクレ
ジルホスファイト、トリス（エチルフェニル）ホスファ
イト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホス
ファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、ト
リス（ヒドロキシフェニル）ホスファイト等のトリアリ
ールホスファイト類、水添ビスフェノールーＡ、ペンタ
エリスリチルホスファイトポリマー、トリエチルホスフ
ェート、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフ
ェート、トリデシルホスフェート、トリオクタデシルホ
スフェート、ジステアリルペンタエリスリチルジホスフ
ェート、トリス（２−クロロエチル）ホスフェート、ト
リス（２，３−ジクロロプロピル）ホスフェート等のト
リアルキルホスフェート類、トリシクロヘキシルホスフ
ァイト等のトリシクロアルキルホスフェート類、トリフ
ェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリ
ス（エチルフェニル）ホスフェート、トリス（２，４−
ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスフェート、トリス（ノニ
ルフェニル）ホスフェート、トリス（ヒドロキシフェニ
ル）ホスフェート等のトリアリールホスフェート類、テ
トラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４
−ビフェニレンジホスホナイト、４，４’−フェニレン
ジホスフィン酸テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフ
ェニル等のホスホナイト類等が挙げられる。

【００９３】これらは単独で使用してもよいし、２種以
上を混合して使用してもよい。これらのうち亜燐酸エス
テルが好ましく、中でも芳香族亜燐酸エステルが好まし
く、特に、トリス〔２，４−ジｔ−ブチルフェニル〕ホ
スファイト、あるいは、ビス（２，４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ペンタエリスリチルジフォスファイトが好ましく
用いられる。

【００９４】フェノール系安定剤としてはたとえば、ｎ
−オクタデシル−３−（４’−ヒドロキシ−３’、５’
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）プロピオネート、テトラキ
ス｛メチレン−３−（３’、５’−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネート｝メタン、１，
１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ
−ブチルフェニル）ブタン、ジステアリル（４−ヒドロ
キシ−３−メチル−５−ｔ−ブチルベンジル）マロネー
ト、トリエチレグリコールービス｛３−（３−ｔ−ブチ
ル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ート｝、１，６−ヘキサンジオール−ビス｛３−（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネート｝、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６
−（４−ヒドロキシフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル
−アニリノ）−１，３，５−トリアジン、ペンタエリス
リチルーテトラキス｛３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート｝、２，２−
チオジエチレンビス｛３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート｝、２，２−
チオビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド）、３，５−
ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルフォスフォネ
ートジエチルエステル、１，３，５−トリメチル−２，
４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシベンジル）ベンゼン、ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシベンジルスレウホン酸エチル）カル
シウム、トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシベンジル）−イソシアヌレート、２，４−ビス
｛（オクチルチオ）メチル｝−Ｏ−クレゾール、イソオ
クチル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート、２，５，７，８−テトラ
メチル−２（４’、８’、１２’−トリメチルトリデシ
ル）クロマン−６−オール、Ｎ，Ｎ’−ビス｛３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオニル｝ヒドラジン、４−ヒドロキシメチル−
２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール等が挙げられる。こ
れらは単独で使用してもよいし２種以上を混合して使用
してもよい。

【００９５】有機チオエーテル系安定剤としては、たと
えばジラウリルチオジプロピオネート、ジステアリルチ
オジプロピオネート、ジミリスチル−３，３−チオジプ
ロピオネート、ｌジトリデシル−３，３−チオプロピオ
ネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−（β−ラ
ウリルーチオプロピオネート）などを挙げることができ
る。これらは単独で使用しても良いし２種以上混合して
用いても良いまたヒンダードアミン系安定剤としてはた
とえば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピ
ペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペ
ンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−〔２−
｛３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオニルオキシ｝エチル〕−４−｛３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオニルオキシ｝−２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジン、８−ベンジルー７，７，９，９−テトラメ
チル−３−オクチル−１，２，３−トリアザスピロ
〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイ
ルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、
２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジ
ル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス（１，２，２，６，
６−ペンタメチル−４−ピペリジル）、テトラキス
（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）
１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレートなどを
挙げることができる。これらは単独で用いても良いし、
２種以上混合して使用しても良い。

【００９６】これらの耐熱安定剤は樹脂成分１００重量
部あたり０．０００１〜５重量部、好ましくは０．００
０５〜１重量部、さらに好ましくは０．００１〜０．５
重量部の量で使用できる。

【００９７】また酸性物質補足剤として、分子中にエポ
キシ基を一個以上保有する化合物を使用しても良い。

【００９８】これらの酸性物質補足剤としてはたとえば
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、フェニルグリ
シジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ｔ−ブチ
ルフェニルグリシジルエーテル、３，４−エポキシシク
ロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキシルカ
ルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロ
ヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルクロヘ
キシルカルボキシレート、２，３，−エポキシシクロヘ
キシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカ
ルボキシレート、４−（３，４−エポキシ−５−メチル
シクロヘキシル）ブチル−３’，４’−エポキシシクロ
ヘキシルカルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘ
キシルエチレンオキシド、シクロヘキシルメチル−３，
４−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、３，４
−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチルメチル−
６’−メチルシクロヘキシルカルボキシレート、ビスフ
ェノールＡジグリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジ
ルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステ
ル、ビスエポキシジシクロペンタジエニルエーテル、エ
ポキシ化ポリブタジエン、３，４−ジメチル−１，２−
エポキシシクロヘキサン、３−メチル−５−ｔ−ブチル
−１，２−エポキシシクロヘキサン、オクタデシル−
２，２−ジメチル−３，４−エポキシシクロヘキシルカ
ルボキシレート、Ｎ−ブチル−２，２−ジメチル−３，
４−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、シクロ
ヘキシル−２−メチル−３，４−エポキシシクロヘキシ
ルカルボキシレート、２−エチルヘキシル−３，４−エ
ポキシシクロヘキシルカルボキシレート、４，５−エポ
キシ無水テトラヒドロフタル酸などをあげる事ができ
る。

【００９９】これらのうち脂環式エポキシ化合物が好ま
しく使用できる。特に３，４−エポキシシクロヘキシル
メチル−３，４−エポキシシクロヘキシルカルボキシレ
ートが好ましく使用できる。このようなエポキシ化合物
は、樹脂成分に対して１〜２０００ｐｍ、好ましくは１
０〜１０００ｐｐｍの量で添加される。これらは単独で
用いても良いし、２種以上を混合して使用しても良い。

【０１００】さらに本発明で使用する離型剤としては従
来公知の一般的なものが良好に使用できる。例えば、脂
肪族カルボン酸とアルコールよりなる脂肪酸エステル系
離形剤が好ましく使用できる。例えば飽和、または不飽
和の脂肪族モノ、ジあるいはトリカルボン酸とエタノー
ル、ブタノール、あるいはステアリルアルコール等の飽
和、または不飽和の一価のアルコール、エチレングリコ
ール、１，４−ブテンジオール、あるいはジエチレング
リコール等の飽和、または不飽和の２価のアルコール、
グリセロール等の飽和、または不飽和の３価のアルコー
ル、ペンタエリスリトール等の飽和、または不飽和の４
価のアルコールまたは５価以上の等の飽和、または不飽
和の多価アルコールとのエステルが挙げられるが、これ
らに限定される物ではない。なおここで脂肪族カルボン
酸とは脂環式のカルボン酸をも包含する。好ましくは下
記式

【０１０１】

【化１８】Ｃ_NＨ_2N+1−ＣＯＯＨ、 又は、 ＨＯＯＣ−Ｃ_NＨ_2N−ＣＯＯＨ （ここでＮは５〜３４の整数である）で表わされる脂肪
酸と次式

【０１０２】

【化１９】Ｃ_N’Ｈ_2N'+1−ＣＨ₂ＯＨ、 （Ｒ'''¹）（Ｒ'''²）Ｃ（ＣＨ₂ＯＨ）_2、 （ＨＯＣＨ₂）₄−Ｃ、 （Ｒ'''³）（ＣＨ₂ＯＨ）₂Ｃ−Ｒ'''⁴−Ｃ（ＣＨ₂Ｏ
Ｈ）₂（Ｒ'''⁵）、 （ＨＯＣＨ₂）₃−Ｃ−Ｒ'''⁶−Ｃ−（ＣＨ₂ＯＨ）₃、 ＨＯＣＨ₂−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ₃）−ＣＨ₂−（ＣＨ₂Ｏ
Ｈ） （式中Ｎ’は１〜２０の整数であり、Ｒ'''¹、Ｒ'''²は
それぞれ独立に炭素数１〜１０の置換基を有していても
よいアルキル基又はＲ'''¹とＲ'''²が結合して５又は６
員環を形成しており、Ｒ³およびＲ⁵はそれぞれ独立して
炭素数１〜４の置換基を有していてもよいアルキル基、
Ｒ'''⁴、Ｒ'''⁶は炭素数１〜４のアルキレン基又は−
（ＣＨ２）_N''−Ｏ−（ＣＨ₂）_N''−（ここでＮ^''は１
〜４の整数）のいずれかにより表わされる）アルコール
とのエステルを使用する。

【０１０３】上記式で表わされるカルボン酸の具体例と
してはステアリン酸、吉草酸、カプロン酸、カプリン
酸、ラウリン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン
酸セロチン酸、メリシン酸、テトラトリアコンタン酸、
グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸等を挙げる事が
できる。

【０１０４】又上記式で表わされるアルコールの具体例
としては、グリセリン、２，２−ジヒドロキシペルフル
オロプロパノール、ネオペンチレングリコール、ペンタ
エリスリトール、ジトリメチロールプロパン、ジペンタ
エリスリトール等を挙げることができる。

【０１０５】具体的には、ペンタエリスリトールテトラ
ステアレート、ペンタエリスリトールトリステアレー
ト、ペンタエリスリトールモノラウレート、グリセロー
ルトリベヘネート、グリセロールジラウレート、グリセ
ロールモノステアレート、トリメチロールプロパントリ
カプレート、トリメチロールプロパンジオレート、トリ
メチロールプロパンモノステアレート、炭化水素系離形
剤としては、天然、合成パラフィンワックス類、ポリエ
チレンワックス、フルオロカーボン類をあげることがで
きる。

【０１０６】脂肪酸系離形剤としては、ステアリン酸、
ヒドロキシステアリン酸、などの高級脂肪酸、オキシ脂
肪酸、などをあげることができる。脂肪酸アミド系離形
剤としてはステアリン酸アミド、エチレンビスステリル
アミドなどの脂肪酸アミド、エルカ酸アミド、等のアル
キレンビス脂肪酸アミド類をあげることができる。

【０１０７】アルコール系離形剤としては、ステアリル
アルコール、セチルアルコールなどの脂肪族アルコー
ル、多価アルコール、ポリグリコール、ポリグリセロー
ル類などをあげることができる。その他ポリシロキサン
類も使用可能である。

【０１０８】本発明所望の目的を達成するため従来公知
の各種添加剤を使用できる。例えば光安定剤としての２
−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェ
ニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（３、５
−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾト
リアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニ
ル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−
ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−
（３、５−ジ−ｔ−ペンチル−２−ヒドロキシフェニ
ル）ベンゾトリアゾール、２−｛２−ヒドロキシ−３−
（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドメチル）
フェニル｝ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール
系化合物、２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシベンゾ
フェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノ
ン等のベンゾフェノン系化合物、２、４−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
ベンボエート等のベンゾエート系化合物が挙げられる。

【０１０９】紫外線吸収剤としては、例えばエチル２−
シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート等のシアノア
クリレート系化合物が挙げられる。

【０１１０】これらの光安定剤、紫外線吸収剤は樹脂成
分１００重量部に対し通常０．００１〜５重量部、好ま
しくは０．０５〜１．０重要部、さらに好ましくは０．
０１〜０．５重量部の量で用いることができる。これら
の剤は単独で用いても良いし混合して使用しても良い。

【０１１１】クエンチャーとしては例えばニッケルジブ
チルジチオカーバメート、｛２，２’−チオビス（４−
ｔ−オクチルフェノラート）｝−２−エチルヘキシルア
ミンニッケル等のニッケル系クエンチャーが挙げられ
る。

【０１１２】金属不活性化剤としては例えば、Ｎ，Ｎ’
−｛３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオニル｝ヒドラジン等の化合物が挙げら
れる。

【０１１３】金属石鹸としては例えばステアリン酸カル
シウム、ステアリン酸ニッケル等の化合物が挙げられ
る。

【０１１４】又造核剤としては例えばジ（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）ホスホン酸ナトリウム、ジベンジリデンソ
ウビトール、メチレンビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフ
ェノールアッシドホスフェート）ナトリウム塩等のソリ
ビトール系、リン酸塩系化合物が挙げられる。

【０１１５】帯電防止剤としては例えば（βーラウラミ
ドプロピル）トリメチルアンモニウムスルフェート等の
第４級アンモニウム塩系、アルキルホスフェート系化合
物が挙げられる。

【０１１６】難燃剤としては例えばトリス（２−クロロ
エチル）ホスフェートなどの含ハロゲンリン酸エステル
類、ヘキサブロモシクロドデカン、デカブロモフェニル
オキシドなどのハロゲン化物、三酸化アンチモン、五酸
化アンチモン、水酸化アルミニウムなどの金属無機化合
物類、これらの混合物が挙げられる。

【０１１７】また本発明の樹脂においては所望により有
機、あるいは無機の染料、顔料等の着色剤を使用でき
る。

【０１１８】無機系着色剤としては；具体的には、二酸
化チタン、ベンガラなどの酸化物、アルミナホワイトな
どの水酸化物、硫化亜鉛などの硫化物、セレン化物、紺
青などのフェロシアン化物、ジンククロメート、モリブ
デンレッドなどのクロム酸塩、硫酸バリウムなどの硫酸
塩、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、群青などの珪酸塩、
マンガンバイオレットなどのリン酸塩、カーボンブラッ
クなどの炭素、ブロンズ粉やアルミニウム粉などの金属
着色剤などが挙げられる。

【０１１９】有機系着色剤としては、ナフトールグリー
ンＢなどのニトロソ系、ナフトールイエローＳなどのニ
トロ系、リソールレッドやボルド−１０Ｂ、ナフトール
レッド、クロモフタールイエローなどのアゾ系、フタル
シアニンブルーやファストスカイブルーなどのフタロシ
アニン系、インダントロンブルーやキナクリドンバイオ
レット、ジオクサジンバイオレットなどの縮合多環系着
色剤などが挙げられる。

【０１２０】これら着色剤は単独で使用しても良いし、
あるいは混合で使用しても良い。これら着色剤は樹脂成
分１００重量部あたり通常１＊１０^-6〜５重量部、好ま
しくは１＊１０^-6〜３重量部、さらに好ましくは１＊１
０^-5〜１重量部の量で用いることができる。

【０１２１】

【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明は、これらの実施例に限定されるものではない。

【０１２２】［分析］ １）ポリカーボネートの固有粘度［η］；塩化メチレン
中、２０℃ウベローデ粘度管にて測定した。固有粘度よ
り粘度平均分子量は次式より計算した。

【０１２３】

【数３】〔η〕＝１．２３ＭＷ^0.83

【０１２４】２）末端基濃度；サンプル０．０２ｇを
０．４ｍｌのクロロホルムに溶解し、２０℃で１Ｈ−Ｎ
ＭＲ（日本電子社製ＥＸ−２７０）を用いて、末端水酸
基、（Ａ）構造末端基及び末端フェニル基濃度を測定し
た。

【０１２５】３）溶融粘度安定性；レオメトリックス社
のＲＡＡ型流動解析装置を用い窒素気流下、剪断速度１
ｒａｄ／ｓｅｃ．３００℃で測定した溶融粘度の変化の
絶対値を３０分間測定し、１分当たりの変化率を求め
た。ポリカーボネート樹脂組成物の長期安定性が良好で
あるためには、この値が０．５％を超えてはならない。

【０１２６】４）色相（カラー；Ｌ／ａ／ｂ値）及び黄
色度ＹＩ；５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍの平板を住友重
機（株）製ネオマットＮ１５０／７５射出成形機により
シリンダー温度２８０℃成形サイクル３．５秒で成形
し、平板のＬ／ａ／ｂ値及びＸ、Ｙ、Ｚ値を日本電色
（株）製Ｚ−１００１ＤＰ色差計により測定した。ＹＩ
値は次式により求めた。

【０１２７】

【数４】ＹＩ＝（１００／Ｙ）＊（１．２７７Ｘ−１．
０６０Ｚ）

【０１２８】５）透明性；平板の全光線透過率を日本電
色（株）製ＮＤＨ−Σ８０により測定した。全光線透過
率が高いほど透明性がよいことを示す。

【０１２９】６）ヘーズ；平板のヘーズを日本電色
（株）製ＮＤＨ−Σ８０により測定した。ヘーズが高い
ほど濁りが少ないことを示す。

【０１３０】７）湿熱耐久性；耐衝撃性：アイゾット衝
撃強度ＡＳＴＭＤ−７９０（ノッチ付き）による。厚さ
１／８インチの試験片を８５℃＊９０％ＲＨの恒温、恒
湿槽中、１０００ｈｒ保持後アイゾット衝撃強度の保持
率を求めた。

【０１３１】８）滞留安定性；５０ｍｍ×５０ｍｍ×５
ｍｍの平板を名機製作所（株） Ｍ５０Ｂ射出成形機に
よりシリンダー温度３５０℃成形サイクル２０秒、金型
温度７５℃、射出圧３００Ｋｇ、型締め力５０トンで成
形した、この成形品につき色相ＹＩを測定、さらに樹脂
同温度で１５分間シリンダー内に滞留させた後成形を行
い色相ＹＩ、光透過率を測定、滞留前後のＹＩ値の変化
量ΔＹＩを求めた。

【０１３２】ＹＩ、ΔＹＩ；ゲィスク用途（分子量＝約
１５０００のもの）で目視で黄色味をあまり感じないＹ
Ｉ値１．５以下をＯＫとした。初期ＹＩがＯＫでもΔＹ
Ｉが大で滞留後のＹＩが１．５を超えるものはＮＧと判
定、汎用グレードではＹＩ値の限界を２．０とした。

【０１３３】光線透過率；ポリカーボネート本来の９０
％台のものをＯＫ、この値を大きく割り込む８０％台の
ものをＮＧと判定した。

【０１３４】９）ディスクの成形性；金型汚れ；（ＤＶ
Ｄ基板の作成）得られたポリカーボネート組成物ペレッ
トを使用し、東芝機械社製ＩＳ８０ＥＰＮ、成形機を使
用し、 型締め力；５０トン、 射出速度；２５０ＣＭ³／秒、 射出圧力；１５００Ｋｇ／ＣＭ²； 金型材質；ジュラルミン２０２４； 成形温度；３８０℃、 金型温度；１１５℃ 冷却時間；５秒 ケビティ部；無電解ニッケルメッキ の条件で径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのＤＶＤ基板１
０Ｋ枚を作成した。なお成形時スプルー部とディスクが
切断され成形機内にスプルー部が残った組成物ロットは
成形性不良、と判断した。

【０１３５】金型汚れ性については、１０Ｋ枚成形時ス
タンパの汚れを目視、判定した。 ◎；良好汚れ認めがたし ○；良好汚れ極めて小 △；不良汚れやや認められる ×；不良汚れ明瞭に認められる

【０１３６】１０）汎用グレード品の成形性、及金型汚
れ性；５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍの平板を名機製作所
（株）Ｍ５０Ｂ射出成形機によりシリンダー温度２８０
℃成形サイクル２０秒、金型温度７５℃、射出圧３００
Ｋｇ、型締め力５０トンで１Ｋショット成形した、この
時成形品が金型より良好に離型ロットをＯｋロットと判
定した。又金型汚れ性については１Ｋ枚成形時金型の汚
れを目視判定した。 ◎；良好汚れ認めがたし ○；良好汚れ極めて小 △；不良汚れやや認められる ×；不良汚れ明瞭に認められる

【０１３７】［ポリマーの製造例１：実施例１〜４、比
較例１〜２］ホスゲン吹き込み管、温度計及び攪拌機を
設けた、容量５００ｌの反応槽に、ビスフェノールＡ５
０，２８０ｇ（２２１モル）、表１中記載の種類、量の
ジヒドロキシ化合物（Ｂ）、７．２％水酸化ナトリウム
水溶液、２２１ｌ（水酸化ナトリウム４１９モル）及
び、ハイドロサルファイトナトリウム９８ｇ（０．５６
モル）を仕込んで溶解し、攪拌下、塩化メチレン１２７
ｌ及び４８．５％水酸化ナトリウム水溶液８，０７０ｇ
（水酸化ナトリウム、９８モル）を加えた後、ホスゲン
２５，０８０ｇ（２５．３モル）を２５℃で１８０分か
けて加え、ホスゲン化反応を行った。

【０１３８】ホスゲン化終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェノール１，７５１ｇ（１１．７モル）、及び４８．５
％水酸化ナトリウム水溶液、８，０４０ｇ（９７モル）
及び触媒としてトリエチルアミン、１８１ｍｌ（１．３
モル）を加え、３３℃に保持し２時間攪拌して反応を終
了させた。反応混合液より、塩化メチレン層を分離し、
水洗を５回繰り返し精製して、粘度平均分子量１５，３
００のポリカーボネート樹脂を得た。該ポリカーボネー
ト中、トリス（２，４ジーｔ−ブチルフェニル）フォス
ファイト５０ｐｐｍ及びペンタエリスリチルテトラステ
アレート５００ｐｐｍを添加１軸押し出し機で混練し、
ペレット化した。このポリマーの物性を表１中に示す。

【０１３９】［ポリマーの製造例２：実施例５、比較例
３］ホスゲン吹き込み管、温度計及び攪拌機を設けた、
容量５００ｌの反応槽に、表１中記載の種類、量のジヒ
ドロキシ化合物を含有するビスフェノールＡ５０，２８
０ｇ（２２１モル）、７．２％水酸化ナトリウム水溶
液、２２１ｌ（水酸化ナトリウム４１９モル）及び、ハ
イドロサルファイトナトリウム９８ｇ（０．５６モル）
を仕込んで溶解し、攪拌下、塩化メチレン、１２７ｌ及
び４８．５％水酸化ナトリウム水溶液、８，０７０ｇ
（水酸化ナトリウム９８モル）を加えた後、ホスゲン２
５，０８０ｇ（２５３モル）を２５℃で１８０分かけて
加え、ホスゲン化反応を行った。

【０１４０】ホスゲン化終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェノール９３０ｇ（６．２モル）及び４８．５％水酸化
ナトリウム水溶液、８，０４０ｇ（９７モル）及び触媒
としてトリエチルアミン１８１ｍｌ（１．３モル）を加
え、３３℃に保持し２時間攪拌して反応を終了させた。
反応混合液より、塩化メチレン層を分離し、水洗を５回
繰り返し精製して、粘度平均分子量２５，１００のポリ
カーボネート樹脂を得た。該ポリカーボネート中トリス
（２，４−ジｔ−ブチルフェニル）フォスファイト；１
００ｐｐｍ及びペンタエリスリチルーテトラキス〔３−
（３，５−ジーｔ−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート〕５００ｐｐｍを添加１軸押し出し機で
混練し、ペレット化した。このポリマーの物性を表１中
に示す。

【０１４１】［ポリマーの製造例３、４：実施例６、比
較例４］製造例２において重合後、水洗を回数を３回と
した以外同様の処理を行ったところ溶融粘度安定性０．
８％のポリカーボネートが得られた。（ちなみに該ポリ
カーボネート中イオンクロマト分析の結果、Ｎａイオン
がＰＣ繰り返し単位１モル当たり１１＊１０^-6含有され
ていた。） 製造例４においては、上記安定剤のほかに該ポリマー１
Ｋｇ当たりドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホ
スホニウム塩（以下ＤＢＳＰと略称）０．０３ｇを添
加、混練ペレット化した。結果を表１中に示す。

【０１４２】［ポリマーの製造例５、６：実施例７〜１
６、比較例５〜７］ ビスフェノールＡ；２２．８Ｋｇ、ジフェニルカーボネ
ート；２２．０Ｋｇ重量部及び表中記載のジヒドロキシ
化合物の所定量と重合触媒としてＮａＯＨ０．００４
ｇ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド；０．９１
ｇを攪拌装置，蒸留塔及及び、減圧装置を備えた反応槽
に仕込み、窒素置換した後、１４０℃で溶解した。３０
分間攪拌後、内温を１８０℃に昇温し，内圧１００ｍｍ
Ｈｇで３０分間反応させ、生成するフェノールを溜去し
た。

【０１４３】ついで内温を２００℃に昇温しつつ徐々に
減圧し５０ｍｍＨｇで３０分間フェノールを溜去しつつ
反応させた。さらに２２０℃、３０ｍｍＨｇまで徐々に
昇温、減圧し、同温度、同圧力条件下で３０分間反応さ
せ、さらに２４０℃、１０ｍｍＨｇ，２６０℃、１ｍｍ
Ｈｇ２６０℃，１ｍｍＨｇ以下にまで上記と同じ手順で
昇温，減圧を繰り返し反応を続行した。

【０１４４】最終的に同温、同圧で重合反応を継続し重
合反応装置の攪拌電力より判断し、ポリカーボネートの
粘度平均分子量が１５３００（製造例５）、あるいは２
５１００（製造例６）になった時点で、ポリマーの一部
を採取し粘度平均分子量、末端水酸基濃度を測定しつつ
粘度平均分子量１５，３００（水酸末端基濃度１１０ｅ
ｑ／ｔｏｎｎ）、２５，１００の（水酸末端基濃度７０
ｅｑ／ｔｏｎｎ）樹脂を製造した。前者はディスク成形
用途に、後者は一般成形品用として評価した。

【０１４５】［末端封止反応，触媒不活性化］該ポリカ
ーボネート１Ｋｇ当たり表中記載量の末端封止剤（２ー
メトキシカルボニルフェニルーフェニルーカーボネー
ト；以下ＳＡＭ−ＤＰＣと略称する。）を常圧下２７０
℃で添加した。その後２７０℃，１ｍｍＨｇ以下で５分
間末端封止反応を継続した。

【０１４６】その後表２、３中の溶融粘度安定化剤ＤＢ
ＳＰ；０．００３４ｇ（Ｎａ触媒の１．５倍当量）を添
加し、同温、同圧にて１０分間混合攪拌し，触媒を失
活、不活性化した。得られたポリカーボネートの分子
量、末端水酸基濃度、（Ａ）−I〜III構造濃度、溶融粘
度安定性を表２、３中に示す。

【０１４７】［安定剤の添加］上記ポリマー１Ｋｇ当た
りポリマーの製造例５においては、トリス（２，４ジー
ｔ−ブチルフェニル）フォスファイト；０．０５ｇ及び
ペンタエリスリチルテトラステアレート０．５ｇを又ポ
リマーの製造例６においてはトリス（２，４−ジｔ−ブ
チルフェニル）フォスファイト；０．１ｇ及びペンタエ
リスリチルーテトラキス〔３−（３，５−ジーｔ−ブチ
ルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕０．５
ｇを添加し２軸ルーダーで押しだしチップ化した。

【０１４８】［ポリマーの製造例７、８：比較例８］ポ
リマーの製造例５においてＤＢＳＰを使用しないものを
ポリマーの製造例７、又ポリマーの製造例６においてＤ
ＢＳＰを使用しないものをポリマーの製造例８とした。

【０１４９】

【表１】

【０１５０】表中のジヒドロキシ化合物（Ｂ）の番号
は、明細書中に示したジヒドロキシ化合物（Ｂ）の番号
である。

【０１５１】

【表２】

【０１５２】表中のジヒドロキシ化合物（Ｂ）の番号
は、明細書中に示したジヒドロキシ化合物（Ｂ）の番号
である。

【０１５３】

【表３】

【０１５４】表中のジヒドロキシ化合物（Ｂ）の番号
は、明細書中に示したジヒドロキシ化合物（Ｂ）の番号
である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 裕一 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 (72)発明者 佐々木 勝司 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 Ｆターム(参考） 4J029 AA08 AA09 AB01 AC02 AD03 AD10 AE03 AE04 AE05 BA02 BA03 BA05 BA10 BB04A BB04B BB05A BB05B BB10A BB12A BB12C BB13A BB13B BD07A BD09A BD09B BD09C BF09 BF11 BF14A BF25 BG07X BG08X BG24X BH01 BH02 CA02 CA04 CA05 CA06 CB05A CB06A CC06A CD03 DA13 DA15 DB06 DB07 DB11 DB13 EA05 EB05A EC06A FC12 FC14 FC33 HA01 HA07 HB01 HB02 HB09 HC01 HC02 HC04A HC05A HC05B JA091 JA121 JA161 JA191 JA251 JA281 JA301 JB131 JB171 JB201 JC021 JC031 JC091 JC093 JC121 JC221 JC353 JC363 JC373 JC451 JC631 JC633 JC731 JF021 JF031 JF041 JF051 KB03 KB05 KE02 KE05 KH08

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネー
   ト結合形成性化合物とを反応して成る、主たる繰り返し
   単位が下記一般式（１） 【化１】 （Ｒ'¹，Ｒ'²，Ｒ'³，Ｒ'⁴はそれぞれ独立に水素原子、
   炭素数１〜１０のアルキル基、アラルキル基又はアリー
   ル基であり、Ｗは炭素数１〜１０のアルキリデン基、ア
   ルキレン基、シクロアルキリデン基、シクロアルキレン
   基、アリール基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原
   子、スルホキシド基、またはスルホン基である。）で表
   わされる芳香族ポリカーボネートにおいて、下記構造式
   （Ａ）−Ｉ、（Ａ）−II、または（Ａ）−ＩＩＩ 【化２】 （式中Ｘ、Ｙ、Ｚは酸素原子、または硫黄原子を、Ｒ^１
   からＲ²³はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい炭
   素数１から１０の炭化水素基であり、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、
   ｓ、およびｔは０または１〜４の正の整数を表わす。）
   で表わされる群からなる構造単位を有する芳香族ポリカ
   ーボネート樹脂であって、溶融粘度安定性が０．５％以
   下であり、末端水酸基濃度が３〜５０ｅｑ／ｔｏｎであ
   り、かつ末端水酸基Ｘ（ｅｑ／ｔｏｎ）、上記式（Ａ）
   −Ｉ、（Ａ）−II、または（Ａ）−IIIで表される構造
   Ｙ（モル／ｔｏｎ）としたとき下記 【数１】Ｙ／Ｘ＊１００＝Ｋ で表わされるＫ値が２〜５０の値を有することを特徴と
   する成形性、安定性、透明性良好な芳香族ポリカーボネ
   ート樹脂。
2. 【請求項２】 上記芳香族ポリカーボネート樹脂が、
   ア）塩基性窒素化合物及び／又は塩基性リン化合物１０
   〜５００μ化学当量／芳香族ジヒドロキシ化合物１モ
   ル、かつイ）アルカリ金属化合物０．０５〜１μ化学当
   量／芳香族ジヒドロキシ化合物１モルを含有するエステ
   ル交換触媒の存在下、溶融重合されたものであることを
   特徴とする請求項１記載の成形性、安定性、透明性良好
   な芳香族ポリカーボネート樹脂。