JP2000204478A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法Info
- Publication number
- JP2000204478A JP2000204478A JP11316328A JP31632899A JP2000204478A JP 2000204478 A JP2000204478 A JP 2000204478A JP 11316328 A JP11316328 A JP 11316328A JP 31632899 A JP31632899 A JP 31632899A JP 2000204478 A JP2000204478 A JP 2000204478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate processing
- slip sheet
- detecting
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 473
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 100
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 86
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 155
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 76
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 57
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 25
- 241000282472 Canis lupus familiaris Species 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000233855 Orchidaceae Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L Zinc carbonate Chemical compound [Zn+2].[O-]C([O-])=O FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
- G21K5/10—Irradiation devices with provision for relative movement of beam source and object to be irradiated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Controlling Rewinding, Feeding, Winding, Or Abnormalities Of Webs (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板処理中の合紙の搬送異常に伴うトラブルを
解消し、良好な被処理基板を歩留まり良く得る。 【解決手段】帯状基板と合紙とを交互に巻いたロールを
有する基板送り出しボビンから該合紙を合紙巻き取りボ
ビンに巻き取りながら、該帯状基板を連続的に送り出す
基板送り出し室と、前記帯状基板に処理を施す基板処理
室と、該帯状基板と合紙送り出しボビンから送り出され
た合紙とを基板巻き取りボビンに交互に巻きとる基板巻
き取り室と、を少なくとも有する基板処理装置におい
て、前記基板送り出し室における合紙の搬送異常を検知
する機構と、前記基板巻き取り室における合紙の搬送異
常を検知する機構と、の少なくとも一方を有することを
特徴とする基板処理装置を提供する。
解消し、良好な被処理基板を歩留まり良く得る。 【解決手段】帯状基板と合紙とを交互に巻いたロールを
有する基板送り出しボビンから該合紙を合紙巻き取りボ
ビンに巻き取りながら、該帯状基板を連続的に送り出す
基板送り出し室と、前記帯状基板に処理を施す基板処理
室と、該帯状基板と合紙送り出しボビンから送り出され
た合紙とを基板巻き取りボビンに交互に巻きとる基板巻
き取り室と、を少なくとも有する基板処理装置におい
て、前記基板送り出し室における合紙の搬送異常を検知
する機構と、前記基板巻き取り室における合紙の搬送異
常を検知する機構と、の少なくとも一方を有することを
特徴とする基板処理装置を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置及び
基板処理方法に関する。本発明は、処理前後の基板が合
紙とともにロール状に巻き取られていることを前提とし
た基板処理装置及び基板処理方法に関する。本発明は、
ＣＶＤ装置及びＣＶＤ方法を包含する。また、本発明
は、光起電力素子の製造装置及び製造方法を包含する。
基板処理方法に関する。本発明は、処理前後の基板が合
紙とともにロール状に巻き取られていることを前提とし
た基板処理装置及び基板処理方法に関する。本発明は、
ＣＶＤ装置及びＣＶＤ方法を包含する。また、本発明
は、光起電力素子の製造装置及び製造方法を包含する。
【０００２】
【従来の技術】近年、太陽電池による太陽光発電の実用
化に向けて様々な研究開発が行われている。太陽電池を
電力需要を賄うものとして確立させるためには、使用す
る太陽電池の光電変換効率が十分に高く、信頼性に優れ
たものであり、且つ大量生産が可能であることが要求さ
れる。アモルファスシリコン（以下ａ−ｓｉと記載）太
陽電池は、結晶系Ｓｉ等を用いて作成される太陽電池と
比較して、低コストで生産可能で量産性に富んでいるこ
となどから注目されている。その理由は原料ガスとして
シラン等の容易に入手できるガスを使用し、これをグロ
ー放電分解して、金属シートや樹脂シート等の比較的安
価な帯状基板上に半導体膜等の堆積膜の形成が可能なた
めである。そして、ａ−Ｓｉ太陽電池の生産方法、生産
装置について各種の提案がなされている。半導体層の成
膜生産装置については、量産性を著しく向上させること
ができるロール・ツー・ロール方式の連続プラズマＣＶ
Ｄ装置が、米国特許第４，４００，４０９号明細書に開
示されている。この方法によれば、長尺の帯状部材を基
板として、基板を基板の長手方向に連続搬送させながら
複数のグロー放電領域において所望の半導体層を堆積形
成することにより、半導体接合を有する素子を連続形成
することができるとされている。また、このような機能
性薄膜を連続的に作成する方法において、長尺の帯状基
板の始端から終端までの全体にわたって、高品位で、再
現性良く、更に歩留り良く形成する手法として、帯状基
板の成膜面に基板保護シートをはさみ込む方法が米国特
許第４，４８５，１２５号明細書に開示されている。ま
た、半導体膜製造工程において、帯状基板に半導体膜を
順次積層する前の帯状基板をボビンから送り出す工程及
び半導体膜を順次積層した後の帯状基板を巻き取る工程
で、帯状基板とステアリングローラーの物理的接触を生
じないように両者の間に例えば、樹脂、化学繊維、グラ
スウール等の合紙をはさみ込む方法が特開平９−８２６
５２号公報に開示されている。この方法によれば、帯状
基板の裏側からダスト等の形が転写されることが解消さ
れ、帯状基板表面が凹凸になってしまうことを解消でき
るとされている。
化に向けて様々な研究開発が行われている。太陽電池を
電力需要を賄うものとして確立させるためには、使用す
る太陽電池の光電変換効率が十分に高く、信頼性に優れ
たものであり、且つ大量生産が可能であることが要求さ
れる。アモルファスシリコン（以下ａ−ｓｉと記載）太
陽電池は、結晶系Ｓｉ等を用いて作成される太陽電池と
比較して、低コストで生産可能で量産性に富んでいるこ
となどから注目されている。その理由は原料ガスとして
シラン等の容易に入手できるガスを使用し、これをグロ
ー放電分解して、金属シートや樹脂シート等の比較的安
価な帯状基板上に半導体膜等の堆積膜の形成が可能なた
めである。そして、ａ−Ｓｉ太陽電池の生産方法、生産
装置について各種の提案がなされている。半導体層の成
膜生産装置については、量産性を著しく向上させること
ができるロール・ツー・ロール方式の連続プラズマＣＶ
Ｄ装置が、米国特許第４，４００，４０９号明細書に開
示されている。この方法によれば、長尺の帯状部材を基
板として、基板を基板の長手方向に連続搬送させながら
複数のグロー放電領域において所望の半導体層を堆積形
成することにより、半導体接合を有する素子を連続形成
することができるとされている。また、このような機能
性薄膜を連続的に作成する方法において、長尺の帯状基
板の始端から終端までの全体にわたって、高品位で、再
現性良く、更に歩留り良く形成する手法として、帯状基
板の成膜面に基板保護シートをはさみ込む方法が米国特
許第４，４８５，１２５号明細書に開示されている。ま
た、半導体膜製造工程において、帯状基板に半導体膜を
順次積層する前の帯状基板をボビンから送り出す工程及
び半導体膜を順次積層した後の帯状基板を巻き取る工程
で、帯状基板とステアリングローラーの物理的接触を生
じないように両者の間に例えば、樹脂、化学繊維、グラ
スウール等の合紙をはさみ込む方法が特開平９−８２６
５２号公報に開示されている。この方法によれば、帯状
基板の裏側からダスト等の形が転写されることが解消さ
れ、帯状基板表面が凹凸になってしまうことを解消でき
るとされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜を
ロール・ツー・ロール方式により連続的に長時間にわた
って成膜する場合、成膜面に合紙がはさみ込まれたロー
ル状の帯状基板をボビンから送り出しながら合紙を巻き
取る工程においては、帯状基板と合紙の付着力が合紙の
融着や静電吸着等によって非常に強かった場合には、合
紙がステアリングローラーに引き込まれ、合紙が帯状基
板とステアリングローラー間にはさまる形となり、そこ
で合紙が破断したり、そのまま基板の裏面上に乗っかっ
た状態で基板送り出し室と隣接する第一の成膜室内へ引
き込まれる恐れがある。また、合紙巻き取りボビンシャ
フトの回転が成膜を繰り返し長時間行うが故のベアリン
グの老朽化等により不調となり、合紙が基板から剥され
る速度よりも巻き取る速度が遅くなった場合、合紙は徐
々に弛み始め、やがて基板の裏面上に乗っかった形で前
述同様基板送り出し室と隣接する第一の成膜室内へ引き
込まれる恐れがある。合紙が通常通り巻き取られないと
帯状基板の搬送自体に異常をきたし、更に合紙が第一の
成膜室内へ引き込まれると第一成膜室の加熱ヒーターの
熱により、合紙の材質によっては成膜室の壁等に蒸着さ
れたり、成膜室内で溶けたり、燃えたりする可能性があ
り、成膜装置に大きな損害をもたらす。
ロール・ツー・ロール方式により連続的に長時間にわた
って成膜する場合、成膜面に合紙がはさみ込まれたロー
ル状の帯状基板をボビンから送り出しながら合紙を巻き
取る工程においては、帯状基板と合紙の付着力が合紙の
融着や静電吸着等によって非常に強かった場合には、合
紙がステアリングローラーに引き込まれ、合紙が帯状基
板とステアリングローラー間にはさまる形となり、そこ
で合紙が破断したり、そのまま基板の裏面上に乗っかっ
た状態で基板送り出し室と隣接する第一の成膜室内へ引
き込まれる恐れがある。また、合紙巻き取りボビンシャ
フトの回転が成膜を繰り返し長時間行うが故のベアリン
グの老朽化等により不調となり、合紙が基板から剥され
る速度よりも巻き取る速度が遅くなった場合、合紙は徐
々に弛み始め、やがて基板の裏面上に乗っかった形で前
述同様基板送り出し室と隣接する第一の成膜室内へ引き
込まれる恐れがある。合紙が通常通り巻き取られないと
帯状基板の搬送自体に異常をきたし、更に合紙が第一の
成膜室内へ引き込まれると第一成膜室の加熱ヒーターの
熱により、合紙の材質によっては成膜室の壁等に蒸着さ
れたり、成膜室内で溶けたり、燃えたりする可能性があ
り、成膜装置に大きな損害をもたらす。
【０００４】一方、機能性薄膜を順次堆積した後の帯状
基板をボビンに巻き取りながら新たな合紙を帯状基板の
成膜面に巻き込む工程においては、合紙送り出しボビン
シャフトの回転が不調となり、基板がボビンに巻き取ら
れていく速度よりも合紙を送り出す速度が速くなった場
合、合紙は徐々に弛み始め、やがて基板の裏面上に乗っ
かった形でステアリングローラーヘ引き込まれ破断する
恐れがある。合紙が成膜途中で破断した状態で気付かず
にそのまま成膜を継続すると、合紙が破断した時点以降
に巻き取られた帯状基板の成膜面には合紙が巻き込まれ
ておらず、機能性薄膜の歩留り及び特性までも著しく低
下させる原因となる。
基板をボビンに巻き取りながら新たな合紙を帯状基板の
成膜面に巻き込む工程においては、合紙送り出しボビン
シャフトの回転が不調となり、基板がボビンに巻き取ら
れていく速度よりも合紙を送り出す速度が速くなった場
合、合紙は徐々に弛み始め、やがて基板の裏面上に乗っ
かった形でステアリングローラーヘ引き込まれ破断する
恐れがある。合紙が成膜途中で破断した状態で気付かず
にそのまま成膜を継続すると、合紙が破断した時点以降
に巻き取られた帯状基板の成膜面には合紙が巻き込まれ
ておらず、機能性薄膜の歩留り及び特性までも著しく低
下させる原因となる。
【０００５】同様の問題は薄膜を成膜する場合に限ら
ず、帯状の基板を利用する基板処理装置全般に生じうる
ものである。ここで基板処理装置の例としては、スパッ
タリング装置、蒸着装置、ＣＶＤ装置、メッキ装置、塗
布装置等の成膜装置やエッチング装置、洗浄装置等が挙
げられる。
ず、帯状の基板を利用する基板処理装置全般に生じうる
ものである。ここで基板処理装置の例としては、スパッ
タリング装置、蒸着装置、ＣＶＤ装置、メッキ装置、塗
布装置等の成膜装置やエッチング装置、洗浄装置等が挙
げられる。
【０００６】そこで本発明は、上記した課題を解決し
て、連続的に長時間にわたって行われる基板処理中の合
紙の搬送異常に伴うトラブルが解消された基板処理装置
及び基板処理方法を提供すること、特に、歩留りの向上
した良好な特性を有する機能性堆積膜の形成装置及び形
成方法を提供すること、とりわけ薄膜太陽電池等の光起
電力素子の優れた形成装置及び形成方法を提供すること
を目的とするものである。なお、本明細書で付着とは合
紙と基板とが接触している状態であり、本発明はこのよ
うな接触（付着）を検知、防止することを目的とする。
特に本発明は、合紙が基板に接触（付着）した状態で搬
送されることを防止することを目的とする。
て、連続的に長時間にわたって行われる基板処理中の合
紙の搬送異常に伴うトラブルが解消された基板処理装置
及び基板処理方法を提供すること、特に、歩留りの向上
した良好な特性を有する機能性堆積膜の形成装置及び形
成方法を提供すること、とりわけ薄膜太陽電池等の光起
電力素子の優れた形成装置及び形成方法を提供すること
を目的とするものである。なお、本明細書で付着とは合
紙と基板とが接触している状態であり、本発明はこのよ
うな接触（付着）を検知、防止することを目的とする。
特に本発明は、合紙が基板に接触（付着）した状態で搬
送されることを防止することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、帯状基板と合
紙とを交互に巻いたロールを有する基板送り出しボビン
から該合紙を合紙巻き取りボビンに巻き取りながら、該
帯状基板を連続的に送り出す基板送り出し室と、前記帯
状基板に処理を施す基板処理室と、を少なくとも有する
基板処理装置において、前記基板送り出し室における合
紙の搬送異常を検知する機構を有することを特徴とする
基板処理装置を提供する。
紙とを交互に巻いたロールを有する基板送り出しボビン
から該合紙を合紙巻き取りボビンに巻き取りながら、該
帯状基板を連続的に送り出す基板送り出し室と、前記帯
状基板に処理を施す基板処理室と、を少なくとも有する
基板処理装置において、前記基板送り出し室における合
紙の搬送異常を検知する機構を有することを特徴とする
基板処理装置を提供する。
【０００８】また、本発明は、帯状基板に処理を施す基
板処理室と、該帯状基板と合紙送り出しボビンから送り
出された合紙とを基板巻き取りボビンに交互に巻き取る
基板巻き取り室と、を少なくとも有する基板処理装置に
おいて、前記基板巻き取り室における合紙の搬送異常を
検知する機構を有することを特徴とする基板処理装置を
提供する。
板処理室と、該帯状基板と合紙送り出しボビンから送り
出された合紙とを基板巻き取りボビンに交互に巻き取る
基板巻き取り室と、を少なくとも有する基板処理装置に
おいて、前記基板巻き取り室における合紙の搬送異常を
検知する機構を有することを特徴とする基板処理装置を
提供する。
【０００９】さらに、本発明は、帯状基板と合紙とを交
互に巻いたロールを有する基板送り出しボビンから該合
紙を合紙巻き取りボビンに巻き取りながら、該帯状基板
を連続的に送り出す基板送り出し室と、前記帯状基板に
処理を施す基板処理室と、該帯状基板と合紙送り出しボ
ビンから送り出された合紙とを基板巻き取りボビンに交
互に巻きとる基板巻き取り室と、を少なくとも有する基
板処理装置において、前記基板送り出し室における合紙
の搬送異常を検知する機構と、前記基板巻き取り室にお
ける合紙の搬送異常を検知する機構と、の少なくとも一
方を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。
また、本発明は、基板送り出し室内に設けられた帯状基
板と合紙とを交互に巻いたロールを有する基板送り出し
ボビンから、該合紙を合紙巻き取りボビンに巻き取りな
がら、該帯状基板を連続的に送り出す基板送り出し工程
と、基板処理室内で前記帯状基板に処理を施す基板処理
工程と、を少なくとも有する基板処理方法において、合
紙の搬送異常を検知する手段によって前記基板送り出し
室における合紙の搬送異常を検知することを特徴とする
基板処理方法を提供する。
互に巻いたロールを有する基板送り出しボビンから該合
紙を合紙巻き取りボビンに巻き取りながら、該帯状基板
を連続的に送り出す基板送り出し室と、前記帯状基板に
処理を施す基板処理室と、該帯状基板と合紙送り出しボ
ビンから送り出された合紙とを基板巻き取りボビンに交
互に巻きとる基板巻き取り室と、を少なくとも有する基
板処理装置において、前記基板送り出し室における合紙
の搬送異常を検知する機構と、前記基板巻き取り室にお
ける合紙の搬送異常を検知する機構と、の少なくとも一
方を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。
また、本発明は、基板送り出し室内に設けられた帯状基
板と合紙とを交互に巻いたロールを有する基板送り出し
ボビンから、該合紙を合紙巻き取りボビンに巻き取りな
がら、該帯状基板を連続的に送り出す基板送り出し工程
と、基板処理室内で前記帯状基板に処理を施す基板処理
工程と、を少なくとも有する基板処理方法において、合
紙の搬送異常を検知する手段によって前記基板送り出し
室における合紙の搬送異常を検知することを特徴とする
基板処理方法を提供する。
【００１０】さらに、本発明は、基板処理室内で帯状基
板に処理を施す基板処理工程と、基板巻き取り室内に設
けられた基板巻き取りボビンに、前記帯状基板と合紙送
り出しボビンから送り出された合紙とを交互に巻き取る
基板巻き取り工程と、を少なくとも有する基板処理方法
において、合紙の搬送異常を検知する手段によって前記
基板巻き取り室における合紙の搬送異常を検知すること
を特徴とする基板処理方法を提供する。加えて、本発明
は、基板送り出し室内に設けられた帯状基板と合紙とを
交互に巻いたロールを有する基板送り出しボビンから、
該合紙を合紙巻き取りボビンに巻き取りながら、該帯状
基板を連続的に送り出す基板送り出し工程と、基板処理
室内で前記帯状基板に処理を施す基板処理工程と、基板
巻き取り室内に設けられた基板巻き取りボビンに、前記
帯状基板と合紙送り出しボビンから送り出された合紙と
を交互に巻きとる基板巻き取り工程と、を少なくとも有
する基板処理方法において、合紙の搬送異常を検知する
手段によって前記基板送り出し室及び／又は前記基板巻
き取り室における合紙の搬送異常を検知することを特徴
とする基板処理方法を提供する。
板に処理を施す基板処理工程と、基板巻き取り室内に設
けられた基板巻き取りボビンに、前記帯状基板と合紙送
り出しボビンから送り出された合紙とを交互に巻き取る
基板巻き取り工程と、を少なくとも有する基板処理方法
において、合紙の搬送異常を検知する手段によって前記
基板巻き取り室における合紙の搬送異常を検知すること
を特徴とする基板処理方法を提供する。加えて、本発明
は、基板送り出し室内に設けられた帯状基板と合紙とを
交互に巻いたロールを有する基板送り出しボビンから、
該合紙を合紙巻き取りボビンに巻き取りながら、該帯状
基板を連続的に送り出す基板送り出し工程と、基板処理
室内で前記帯状基板に処理を施す基板処理工程と、基板
巻き取り室内に設けられた基板巻き取りボビンに、前記
帯状基板と合紙送り出しボビンから送り出された合紙と
を交互に巻きとる基板巻き取り工程と、を少なくとも有
する基板処理方法において、合紙の搬送異常を検知する
手段によって前記基板送り出し室及び／又は前記基板巻
き取り室における合紙の搬送異常を検知することを特徴
とする基板処理方法を提供する。
【００１１】前記合紙の搬送異常を検知する機構が、前
記基板送り出し室内の基板送り出しボビンと合紙巻き取
りボビンとの間の合紙の撓みを検知する手段及び／又は
前記基板巻き取り室内の合紙送り出しボビンと基板巻き
取りボビンとの間の合紙の弛みを検知する手段であるこ
とが好適である。また、前記合紙の搬送異常を検知する
機構が、前記基板と前記合紙との付着を検知する手段で
あることも好適である。前記合紙の搬送異常を検知する
機構が、前記合紙巻き取りボビン及び／又は前記合紙送
り出しボビンの回転異常を検知する手段であることも好
適である。前記搬送異常を検知する機構が、光学的セン
サー、物理的センサー、合紙巻き取りボビンの回転異常
検知器のいずれかを有することも好適であり、具体的に
は、レーザーセンサー又はリミットスイッチを有するこ
とができる。前記合紙が前記ロール以外の部分で前記基
板に接触しないようにする機構を有することがさらに好
ましい。かかる機構の具体例としては、トレイ、メッシ
ュ、棒状部材が挙げられる。かかる機構と合紙の搬送異
常を検知する機構とが同一部材となるようにしてもよ
い。基板処理としては、成膜、プラズマを用いた基板処
理、基板加熱を伴う処理が好適である。好適な処理の具
体例としては、プラズマＣＶＤ、スパッタリングが挙げ
られる。
記基板送り出し室内の基板送り出しボビンと合紙巻き取
りボビンとの間の合紙の撓みを検知する手段及び／又は
前記基板巻き取り室内の合紙送り出しボビンと基板巻き
取りボビンとの間の合紙の弛みを検知する手段であるこ
とが好適である。また、前記合紙の搬送異常を検知する
機構が、前記基板と前記合紙との付着を検知する手段で
あることも好適である。前記合紙の搬送異常を検知する
機構が、前記合紙巻き取りボビン及び／又は前記合紙送
り出しボビンの回転異常を検知する手段であることも好
適である。前記搬送異常を検知する機構が、光学的セン
サー、物理的センサー、合紙巻き取りボビンの回転異常
検知器のいずれかを有することも好適であり、具体的に
は、レーザーセンサー又はリミットスイッチを有するこ
とができる。前記合紙が前記ロール以外の部分で前記基
板に接触しないようにする機構を有することがさらに好
ましい。かかる機構の具体例としては、トレイ、メッシ
ュ、棒状部材が挙げられる。かかる機構と合紙の搬送異
常を検知する機構とが同一部材となるようにしてもよ
い。基板処理としては、成膜、プラズマを用いた基板処
理、基板加熱を伴う処理が好適である。好適な処理の具
体例としては、プラズマＣＶＤ、スパッタリングが挙げ
られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、上記した構成により、
前記基板送り出し室においては前記帯状基板と前記合紙
の融着や静電吸着等をステアリングローラーの手前で検
知したり、合紙の弛みを検知し、合紙の巻き取り異常に
起因して起こる合紙が基板送り出し室と隣接する基板処
理室内へ引き込まれるのを未然に防ぐことができ、合紙
の搬送異常に伴う前記ロール・ツー・ロール型基板処理
装置への損害を無くすことが出来る。また、前記基板巻
き取り室においては合紙の送り出し異常に起因するステ
アリング等の基板巻き取り室内部品による合紙の破断が
原因で起こる合紙切れを検知し、そこで一旦基板搬送を
中止することにより、合紙が破断された時点以降の処理
済み基板の歩留り及び特性の低下を未然に防止できる。
本発明は、これにより、基板処理時の歩留り、及び処理
済み基板の特性を向上させることができる基板処理装置
及び基板処理方法を提供する。特に、本発明は、歩留り
の向上した良好な特性を有する機能性堆積膜の形成装置
及び形成方法、とりわけ薄膜太陽電池等の光起電力素子
の優れた形成装置及び形成方法を実現することができ
る。
前記基板送り出し室においては前記帯状基板と前記合紙
の融着や静電吸着等をステアリングローラーの手前で検
知したり、合紙の弛みを検知し、合紙の巻き取り異常に
起因して起こる合紙が基板送り出し室と隣接する基板処
理室内へ引き込まれるのを未然に防ぐことができ、合紙
の搬送異常に伴う前記ロール・ツー・ロール型基板処理
装置への損害を無くすことが出来る。また、前記基板巻
き取り室においては合紙の送り出し異常に起因するステ
アリング等の基板巻き取り室内部品による合紙の破断が
原因で起こる合紙切れを検知し、そこで一旦基板搬送を
中止することにより、合紙が破断された時点以降の処理
済み基板の歩留り及び特性の低下を未然に防止できる。
本発明は、これにより、基板処理時の歩留り、及び処理
済み基板の特性を向上させることができる基板処理装置
及び基板処理方法を提供する。特に、本発明は、歩留り
の向上した良好な特性を有する機能性堆積膜の形成装置
及び形成方法、とりわけ薄膜太陽電池等の光起電力素子
の優れた形成装置及び形成方法を実現することができ
る。
【００１３】以下に、本発明における合紙の搬送異常内
容及び合紙の搬送異常を検知する機構について具体的に
説明する。本発明の基板処理装置は、合紙とともにロー
ル状に巻かれた帯状の基板を巻き出した後に基板処理を
行う機構と、処理済みの基板を合紙とともにロール状に
巻き取る機構、の少なくとも一方を有する基板処理装置
を包含する。本発明の好適な基板処理装置はいわゆるロ
ール・ツー・ロール型の基板処理装置である。本発明の
基板処理装置の例としては、スパッタリング装置蒸着装
置、ＣＶＤ装置、メッキ装置、塗布装置等の成膜装置や
エッチング装置、洗浄装置等が挙げられる。本発明の基
板処理方法は、合紙とともにロール状に巻かれた帯状の
基板を巻き出した後に基板処理を行う工程と、処理済の
基板を合紙とともにロール状に巻き取る工程、の少なく
とも一方を有する基板処理方法を包含する。本発明の基
板処理方法の例としては、スパッタリング方法、蒸着方
法、ＣＶＤ方法、メッキ方法、塗布方法等の成膜方法や
エッチング方法、洗浄方法等が挙げられる。本発明は特
に成膜装置又は成膜方法、とりわけ半導体膜等の機能性
堆積膜の形成装置又は形成方法に適用した場合に有効で
ある。合紙の搬送異常は、成膜された膜の特性に多大な
悪影響を及ぼすおそれが大きいからである。また、合紙
の搬送異常はプラズマにも大きな影響を与えるおそれが
あるので、本発明は、プラズマを用いた基板処理装置又
は基板処理方法に好適に適用される。さらに本発明は加
熱プロセスを有する基板処理又は基板処理方法に好適に
適用される。
容及び合紙の搬送異常を検知する機構について具体的に
説明する。本発明の基板処理装置は、合紙とともにロー
ル状に巻かれた帯状の基板を巻き出した後に基板処理を
行う機構と、処理済みの基板を合紙とともにロール状に
巻き取る機構、の少なくとも一方を有する基板処理装置
を包含する。本発明の好適な基板処理装置はいわゆるロ
ール・ツー・ロール型の基板処理装置である。本発明の
基板処理装置の例としては、スパッタリング装置蒸着装
置、ＣＶＤ装置、メッキ装置、塗布装置等の成膜装置や
エッチング装置、洗浄装置等が挙げられる。本発明の基
板処理方法は、合紙とともにロール状に巻かれた帯状の
基板を巻き出した後に基板処理を行う工程と、処理済の
基板を合紙とともにロール状に巻き取る工程、の少なく
とも一方を有する基板処理方法を包含する。本発明の基
板処理方法の例としては、スパッタリング方法、蒸着方
法、ＣＶＤ方法、メッキ方法、塗布方法等の成膜方法や
エッチング方法、洗浄方法等が挙げられる。本発明は特
に成膜装置又は成膜方法、とりわけ半導体膜等の機能性
堆積膜の形成装置又は形成方法に適用した場合に有効で
ある。合紙の搬送異常は、成膜された膜の特性に多大な
悪影響を及ぼすおそれが大きいからである。また、合紙
の搬送異常はプラズマにも大きな影響を与えるおそれが
あるので、本発明は、プラズマを用いた基板処理装置又
は基板処理方法に好適に適用される。さらに本発明は加
熱プロセスを有する基板処理又は基板処理方法に好適に
適用される。
【００１４】（１）合紙の弛み異常 ここでは、導電性帯状部材（基板）を巻き出し、その上
に機能性薄膜を順次堆積した後に合紙をはさみ込んでロ
ール状に巻き取るロール・ツー・ロール型プラズマＣＶ
Ｄ装置における基板巻き取り室を代表例にとって説明す
る。但し、以下に述べる合紙の弛み異常を検知する手段
は基板巻き取り室にのみ適用しうるものではなく、基板
送り出し室に適用することによっても同様の効果が得ら
れる。図１に本例の基板巻き取り室内の模式的概略図を
示す。図１において、１０１は基板巻き取り室、１０２
は帯状基板、１０３は合紙、１０４は基板巻き取りボビ
ン、１０５は合紙送り出しボビン、１０６はステアリン
グローラー、１０７はガスゲート、１０８は排気管、１
０９はレーザーセンサー投光部、１１０はレーザーセン
サー受光部、１１１は弛んだ合紙が帯状基板に接触する
のを防止する機構たるトレイである。
に機能性薄膜を順次堆積した後に合紙をはさみ込んでロ
ール状に巻き取るロール・ツー・ロール型プラズマＣＶ
Ｄ装置における基板巻き取り室を代表例にとって説明す
る。但し、以下に述べる合紙の弛み異常を検知する手段
は基板巻き取り室にのみ適用しうるものではなく、基板
送り出し室に適用することによっても同様の効果が得ら
れる。図１に本例の基板巻き取り室内の模式的概略図を
示す。図１において、１０１は基板巻き取り室、１０２
は帯状基板、１０３は合紙、１０４は基板巻き取りボビ
ン、１０５は合紙送り出しボビン、１０６はステアリン
グローラー、１０７はガスゲート、１０８は排気管、１
０９はレーザーセンサー投光部、１１０はレーザーセン
サー受光部、１１１は弛んだ合紙が帯状基板に接触する
のを防止する機構たるトレイである。
【００１５】本例においては、帯状基板１０２には、幅
３５５．６ｍｍ、長さ１０００ｍ、厚さ０．１５ｍｍの
ＳＵＳ４３０ ２Ｄ基板を使用し、搬送方向に張力８０
ｋｇをかけながら搬送速度１２７０ｍｍ／ｍｉｎで移動
させた。また、合紙１０３には、幅３５５．６ｍｍ、長
さ１０００ｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリイミドを使用
し、図１の１０３の点線に示すような基板の成膜面に巻
き込む様な形で設置した。機能性薄膜を順次堆積した後
の帯状基板を基板巻き取りボビン１０４に巻き取りなが
ら新たな合紙１０３を帯状基板の成膜面に巻き込む工程
において、成膜を連続的に長時間にわたって操り返し行
っていると、合紙送り出しボビン１０５のシャフトの回
転がベアリングの老朽化等の原因で不調となり、基板が
基板巻き取りボビン１０４に巻き取られていく速度より
も合紙を巻き込んでいく速度が遅くなった場合、合紙は
徐々に弛み始め、図１の１０３の実線に示すような状態
になる。
３５５．６ｍｍ、長さ１０００ｍ、厚さ０．１５ｍｍの
ＳＵＳ４３０ ２Ｄ基板を使用し、搬送方向に張力８０
ｋｇをかけながら搬送速度１２７０ｍｍ／ｍｉｎで移動
させた。また、合紙１０３には、幅３５５．６ｍｍ、長
さ１０００ｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリイミドを使用
し、図１の１０３の点線に示すような基板の成膜面に巻
き込む様な形で設置した。機能性薄膜を順次堆積した後
の帯状基板を基板巻き取りボビン１０４に巻き取りなが
ら新たな合紙１０３を帯状基板の成膜面に巻き込む工程
において、成膜を連続的に長時間にわたって操り返し行
っていると、合紙送り出しボビン１０５のシャフトの回
転がベアリングの老朽化等の原因で不調となり、基板が
基板巻き取りボビン１０４に巻き取られていく速度より
も合紙を巻き込んでいく速度が遅くなった場合、合紙は
徐々に弛み始め、図１の１０３の実線に示すような状態
になる。
【００１６】そこで、図１に示すような位置に２つのレ
ーザーセンサー（投光部と受光部）を設置し、弛んだ合
紙が２つのレーザーセンサー間を横切ると警報が発令さ
れると共に不図示の表示パネルに異常内容が表示され、
更に０．５秒以上レーザーセンサー間を横切る状態が継
続されると全放電炉の放電と基板の搬送及び合紙の回転
を同時に停止させるようにした。
ーザーセンサー（投光部と受光部）を設置し、弛んだ合
紙が２つのレーザーセンサー間を横切ると警報が発令さ
れると共に不図示の表示パネルに異常内容が表示され、
更に０．５秒以上レーザーセンサー間を横切る状態が継
続されると全放電炉の放電と基板の搬送及び合紙の回転
を同時に停止させるようにした。
【００１７】本例では合紙の搬送異常検知手段（弛み検
知手段）としてレーザーセンサーを用いたが、その他に
もレーザー以外を用いた光学的センサーあるいは、検出
部に合紙が接触したことを検知するリミットスイッチ等
の物理的センサーを用いることができる。
知手段）としてレーザーセンサーを用いたが、その他に
もレーザー以外を用いた光学的センサーあるいは、検出
部に合紙が接触したことを検知するリミットスイッチ等
の物理的センサーを用いることができる。
【００１８】また、合紙の搬送異常検知手段としてのセ
ンサーの設置位置は、合紙送り出しボビンと基板巻き取
りボビンの間の合紙搬送経路の下方であって、合紙の正
常な搬送を妨げない位置であることが好ましい。このよ
うなセンサーを後述する図２に示すような基板送り出し
室内に設置する場合には、その設置位置は、基板送り出
しボビンと合紙巻き取りボビンの間の合紙搬送経路の下
方であって、合紙の正常な搬送を妨げない位置であるこ
とが好ましい。このような位置にセンサーを設置した場
合、合紙が存在すべきでない位置に合紙が存在すること
を検知することになるが、逆に合紙が存在すべき場所に
合紙が存在していないことを検知する構成としてもよ
い。その例としては、合紙送り出しボビンと基板巻き取
りボビンの間（若しくは基板送り出しボビンと合紙巻き
取りボビンとの間）の合紙の搬送経路を挟むようにレー
ザーセンサー投光部とレーザーセンサー受光部を配置す
る構成が挙げられる。
ンサーの設置位置は、合紙送り出しボビンと基板巻き取
りボビンの間の合紙搬送経路の下方であって、合紙の正
常な搬送を妨げない位置であることが好ましい。このよ
うなセンサーを後述する図２に示すような基板送り出し
室内に設置する場合には、その設置位置は、基板送り出
しボビンと合紙巻き取りボビンの間の合紙搬送経路の下
方であって、合紙の正常な搬送を妨げない位置であるこ
とが好ましい。このような位置にセンサーを設置した場
合、合紙が存在すべきでない位置に合紙が存在すること
を検知することになるが、逆に合紙が存在すべき場所に
合紙が存在していないことを検知する構成としてもよ
い。その例としては、合紙送り出しボビンと基板巻き取
りボビンの間（若しくは基板送り出しボビンと合紙巻き
取りボビンとの間）の合紙の搬送経路を挟むようにレー
ザーセンサー投光部とレーザーセンサー受光部を配置す
る構成が挙げられる。
【００１９】本発明の好ましい態様は、合紙が帯状基板
に接触するのを防止する機構（本例のトレイ１１１）を
有する。かかる機構の具体例としてはトレイの他にメッ
シュ、棒状部材等が挙げられる。また、かかる機構を物
理的センサーと一体化させる等して、かかる機構に搬送
異常検知手段の役割を兼ねさせてもよい。これにより、
弛んだ合紙が基板の裏面上に乗っかった形でステアリン
グローラー１０６へ引き込まれ破断されるのを回避でき
る。 （２）合紙の付着異常 ここでは、成膜面に合紙をはさみ込んだロール状の導電
性帯状部材を巻き出し、その上に機能性薄膜を順次堆積
させるロール・ツー・ロール型プラズマＣＶＤ装置にお
ける基板送り出し室を代表例にとって説明する。また、
基板巻き取り室の例についても後述する。図２に本発明
の基板送り出し室内の模式的概略図を示す。図２におい
て、２０１は基板送り出し室、２０２は帯状基板、２０
３は合紙、２０４は基板送り出しボビン、２０５は合紙
巻き取りボビン、２０６はステアリングローラー、２０
７はガスゲート、２０８は排気管、２０９はレーザーセ
ンサー投光部、２１０はレーザーセンサー受光部、２１
１はリミットスイッチである。帯状基板上に機能性薄膜
を順次堆積する前の帯状基板を送り出しながら合紙を巻
き取る工程において、帯状基板２０２と合紙２０３の付
着力が合紙の融着や静電吸着等によって非常に強かった
場合には、通常は図２の２０３の点線に示す状態にある
べき合紙は図２の２０３の実線に示すような状態とな
り、合紙がステアリングローラー２０６に引き込まれ、
合紙が基板とステアリングローラー間にはさまれる形と
なり、そこで合紙が破断されたり、そのまま基板の裏面
上に乗っかった状態で基板送り出し室２０１と隣接する
不図示の第一の放電炉内へ引き込まれる恐れがある。
に接触するのを防止する機構（本例のトレイ１１１）を
有する。かかる機構の具体例としてはトレイの他にメッ
シュ、棒状部材等が挙げられる。また、かかる機構を物
理的センサーと一体化させる等して、かかる機構に搬送
異常検知手段の役割を兼ねさせてもよい。これにより、
弛んだ合紙が基板の裏面上に乗っかった形でステアリン
グローラー１０６へ引き込まれ破断されるのを回避でき
る。 （２）合紙の付着異常 ここでは、成膜面に合紙をはさみ込んだロール状の導電
性帯状部材を巻き出し、その上に機能性薄膜を順次堆積
させるロール・ツー・ロール型プラズマＣＶＤ装置にお
ける基板送り出し室を代表例にとって説明する。また、
基板巻き取り室の例についても後述する。図２に本発明
の基板送り出し室内の模式的概略図を示す。図２におい
て、２０１は基板送り出し室、２０２は帯状基板、２０
３は合紙、２０４は基板送り出しボビン、２０５は合紙
巻き取りボビン、２０６はステアリングローラー、２０
７はガスゲート、２０８は排気管、２０９はレーザーセ
ンサー投光部、２１０はレーザーセンサー受光部、２１
１はリミットスイッチである。帯状基板上に機能性薄膜
を順次堆積する前の帯状基板を送り出しながら合紙を巻
き取る工程において、帯状基板２０２と合紙２０３の付
着力が合紙の融着や静電吸着等によって非常に強かった
場合には、通常は図２の２０３の点線に示す状態にある
べき合紙は図２の２０３の実線に示すような状態とな
り、合紙がステアリングローラー２０６に引き込まれ、
合紙が基板とステアリングローラー間にはさまれる形と
なり、そこで合紙が破断されたり、そのまま基板の裏面
上に乗っかった状態で基板送り出し室２０１と隣接する
不図示の第一の放電炉内へ引き込まれる恐れがある。
【００２０】そこで、図２に示すようなステアリングロ
ーラー上部の位置にリミットスイッチを設置し、基板と
付着した合紙がリミットスイッチを叩くと警報が発令さ
れると共に不図示の表示パネルに異常内容が表示され、
更に０．５秒以上リミットスイッチを叩く状態が継続さ
れると全放電炉の放電と基板の搬送及び合紙の回転を同
時に停止させる。これにより、基板と合紙の付着に伴う
合紙の破断や合紙が基板送り出し室と隣接する第一の放
電炉内へ引き込まれるのを回避でき、成膜装置に大きな
損害を与えないで済むことになる。
ーラー上部の位置にリミットスイッチを設置し、基板と
付着した合紙がリミットスイッチを叩くと警報が発令さ
れると共に不図示の表示パネルに異常内容が表示され、
更に０．５秒以上リミットスイッチを叩く状態が継続さ
れると全放電炉の放電と基板の搬送及び合紙の回転を同
時に停止させる。これにより、基板と合紙の付着に伴う
合紙の破断や合紙が基板送り出し室と隣接する第一の放
電炉内へ引き込まれるのを回避でき、成膜装置に大きな
損害を与えないで済むことになる。
【００２１】また、何らかの理由で合紙が破断し本来巻
き取られるべき合紙が基板に付着した状態で搬送される
ことが予想される場合には、前記リミットスイッチに代
えて、あるいはこれに加えて基板の反射光を検知する光
センサー等を設けて、基板表面に異物（合紙）が付着し
ていることを検知するのが好ましい。
き取られるべき合紙が基板に付着した状態で搬送される
ことが予想される場合には、前記リミットスイッチに代
えて、あるいはこれに加えて基板の反射光を検知する光
センサー等を設けて、基板表面に異物（合紙）が付着し
ていることを検知するのが好ましい。
【００２２】図１、図２に示すような基板搬送経路を有
する装置に、このような基板の反射光を検知する光セン
サーを設置する場合、光センサーからの投光部からの出
射光が基板に照射され反射光が光センサーの受光部に入
射するように設置する。その設置位置としては、基板送
り出し室においては、ガスゲート２０７近傍の基板搬送
経路（ガスゲートに基板が搬入される直前）の上方が、
処理室に合紙が侵入するのを防止する観点から好まし
く、基板送り出しボビン２０４とステアリングローラー
２０６との間の基板搬送経路の右方が、合紙がステアリ
ングローラーに巻き込まれて破断するのを防止する観点
から好ましく、これら２箇所に光センサーを設置するこ
とがより好ましい。また、基板巻き取り室においてはス
テアリングローラー１０６近傍の基板搬送経路（ステア
リングローラーに基板が到達する直前）の上方が好まし
い。 （３）合紙ボビンの回転異常 ここでは、成膜面に合紙をはさみ込んだロール状の導電
性帯状部材を巻き出して、その上に機能性薄膜を順次堆
積させた後に再び合紙をはさみ込んでロール状に巻き取
るロール・ツー・ロール型プラズマＣＶＤ装置における
基板送り出し室及び基板巻き取り室において、外部（大
気圧側）から図１、図２に示した合紙送り出しボビン１
０５、合紙巻き取りボビン２０５の回転異常を検知する
手段について説明する。なお、本発明における回転異常
とは、逆転、停止等を含む急激な回転数の変化のことで
ある。図３に本発明の合紙ボビン１０５、２０５の回転
系の模式的概略図を示す。図３において、３０１はチャ
ンバー壁、３０２は合紙ボビン、３０３は真空磁気シー
ルフラシジ、３０４はカップリング、３０５はクラッ
チ、３０６はカップリング、３０７は合紙モーター、３
０８は近接センサー、３０９はドグである。図３に示す
通り、合紙ボビン３０２の回転異常を大気圧側（室外）
から検知する手段として、真空磁気シールフランジ３０
３とクラッチ３０５の間に配設されたカップリング３０
４に２つの識別可能な形状を有するドグ３０９を設置
し、またドグが設置されたカップリングの真下に近接セ
ンサー３０８を設置した。図４に合紙ボビンの回転異常
を検知する回転異常検知器の原理図を示す。
する装置に、このような基板の反射光を検知する光セン
サーを設置する場合、光センサーからの投光部からの出
射光が基板に照射され反射光が光センサーの受光部に入
射するように設置する。その設置位置としては、基板送
り出し室においては、ガスゲート２０７近傍の基板搬送
経路（ガスゲートに基板が搬入される直前）の上方が、
処理室に合紙が侵入するのを防止する観点から好まし
く、基板送り出しボビン２０４とステアリングローラー
２０６との間の基板搬送経路の右方が、合紙がステアリ
ングローラーに巻き込まれて破断するのを防止する観点
から好ましく、これら２箇所に光センサーを設置するこ
とがより好ましい。また、基板巻き取り室においてはス
テアリングローラー１０６近傍の基板搬送経路（ステア
リングローラーに基板が到達する直前）の上方が好まし
い。 （３）合紙ボビンの回転異常 ここでは、成膜面に合紙をはさみ込んだロール状の導電
性帯状部材を巻き出して、その上に機能性薄膜を順次堆
積させた後に再び合紙をはさみ込んでロール状に巻き取
るロール・ツー・ロール型プラズマＣＶＤ装置における
基板送り出し室及び基板巻き取り室において、外部（大
気圧側）から図１、図２に示した合紙送り出しボビン１
０５、合紙巻き取りボビン２０５の回転異常を検知する
手段について説明する。なお、本発明における回転異常
とは、逆転、停止等を含む急激な回転数の変化のことで
ある。図３に本発明の合紙ボビン１０５、２０５の回転
系の模式的概略図を示す。図３において、３０１はチャ
ンバー壁、３０２は合紙ボビン、３０３は真空磁気シー
ルフラシジ、３０４はカップリング、３０５はクラッ
チ、３０６はカップリング、３０７は合紙モーター、３
０８は近接センサー、３０９はドグである。図３に示す
通り、合紙ボビン３０２の回転異常を大気圧側（室外）
から検知する手段として、真空磁気シールフランジ３０
３とクラッチ３０５の間に配設されたカップリング３０
４に２つの識別可能な形状を有するドグ３０９を設置
し、またドグが設置されたカップリングの真下に近接セ
ンサー３０８を設置した。図４に合紙ボビンの回転異常
を検知する回転異常検知器の原理図を示す。
【００２３】図４に示すように、２つのドグ（ドグＡ、
ドグＢ）は９０°の位置関係になるように設置されてお
り、合紙ボビンの回転速度と同速度で回転する。また、
近接センサーは常に固定されている。図４において、ド
グＡが近接センサーを通過してから次にドグＢが近接セ
ンサーを通過するまでの時間をｔAB、ドグＢが近接セン
サーを通過してから次にドグＡが近接センサーを通過す
るまでの時間をｔBAと定義すると、ｔBA−（ｔAB×２）
の値が負となった時、合紙ボビンが逆転したと検知す
る。前記値が正の時は合紙ボビンは正常に回転している
と判断する。一方 を停止検知時間としてタイマーセットし、前記停止検知
時間がタイムアップするか或いはドグＡ、Ｂが近接セン
サーを通過しない時、合紙ボビンの回転が停止したと検
知する。また、誤動作を避けるために、帯状基板の搬送
開始後６０秒間は合紙ボビンの回転異常を検知しないよ
うにした。言い換えれば搬送速度が安定してから合紙ボ
ビンの回転異常を検知するようにした。更に、帯状基板
が通常搬送されている時以外は合紙ボビンの回転異常を
検知しないようにした。
ドグＢ）は９０°の位置関係になるように設置されてお
り、合紙ボビンの回転速度と同速度で回転する。また、
近接センサーは常に固定されている。図４において、ド
グＡが近接センサーを通過してから次にドグＢが近接セ
ンサーを通過するまでの時間をｔAB、ドグＢが近接セン
サーを通過してから次にドグＡが近接センサーを通過す
るまでの時間をｔBAと定義すると、ｔBA−（ｔAB×２）
の値が負となった時、合紙ボビンが逆転したと検知す
る。前記値が正の時は合紙ボビンは正常に回転している
と判断する。一方 を停止検知時間としてタイマーセットし、前記停止検知
時間がタイムアップするか或いはドグＡ、Ｂが近接セン
サーを通過しない時、合紙ボビンの回転が停止したと検
知する。また、誤動作を避けるために、帯状基板の搬送
開始後６０秒間は合紙ボビンの回転異常を検知しないよ
うにした。言い換えれば搬送速度が安定してから合紙ボ
ビンの回転異常を検知するようにした。更に、帯状基板
が通常搬送されている時以外は合紙ボビンの回転異常を
検知しないようにした。
【００２４】合紙ボビンの回転異常を検知すると、警報
が発令されると共に不図示の表示パネルに異常内容が表
示され、更に１秒以上異常状態が継続されると全放電炉
の放電と基板の搬送及び合紙の回転を同時に停止させ
る。これにより、合紙ボビンの回転異常に伴う合紙の破
断や合紙が基板送り出し室と隣接する第一の放電炉内へ
引き込まれるのを回避でき、成膜装置に大きな損害を与
えないで済むことになる。なお、本例では回転異常検知
器を大気圧側（室外）に設けたが、真空側（室内）に設
けることも可能である。本発明では、（１）〜（３）で
述べた各種の手段、機構等を適宜組み合わせて用いるこ
ともできる。
が発令されると共に不図示の表示パネルに異常内容が表
示され、更に１秒以上異常状態が継続されると全放電炉
の放電と基板の搬送及び合紙の回転を同時に停止させ
る。これにより、合紙ボビンの回転異常に伴う合紙の破
断や合紙が基板送り出し室と隣接する第一の放電炉内へ
引き込まれるのを回避でき、成膜装置に大きな損害を与
えないで済むことになる。なお、本例では回転異常検知
器を大気圧側（室外）に設けたが、真空側（室内）に設
けることも可能である。本発明では、（１）〜（３）で
述べた各種の手段、機構等を適宜組み合わせて用いるこ
ともできる。
【００２５】
【実施例】以下に、本発明の実施例として薄膜太陽電池
の形成装置について説明するが、本発明はこれらの実施
例により限定されるものではない。 ［実施例１］実施例１では、図１で示した基板巻き取り
室に２つのレーザーセンサーを用いた合紙の弛み検知機
構、及び基板巻き取り室側の合紙送り出しボビンの回転
系に図３で示した合紙ボビンの回転異常検知機構を設
け、図５に示すようなロール・ツー・ロール型ＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置により、図６に示すシングル型ア
モルファスシリコン太陽電池における裏面反射層６０
２、６０３を形成した。まず、オーカイト及び純水で十
分に脱脂、洗浄したステンレス帯状基板５０２（幅３５
５．６ｍｍ、厚み０．１５ｍｍ、長さ１０００ｍ、合紙
無し）がロール状に巻かれた基板送り出しボビン５０３
を基板送り出し室５０１にセットし、基板巻き取り室５
０６には空の基板巻き取りボビン５０８と合紙５０７
（幅３５５．６ｍｍ、厚み０．０５ｍｍ、長さ１０００
ｍ、材質：アルミニウムを蒸着したポリエステルフィル
ム）がロール状に巻かれた合紙送り出しボビン５０９と
をセットした。なお、５０４は合紙巻き取りボビン、５
０５はステアリングローラーである。
の形成装置について説明するが、本発明はこれらの実施
例により限定されるものではない。 ［実施例１］実施例１では、図１で示した基板巻き取り
室に２つのレーザーセンサーを用いた合紙の弛み検知機
構、及び基板巻き取り室側の合紙送り出しボビンの回転
系に図３で示した合紙ボビンの回転異常検知機構を設
け、図５に示すようなロール・ツー・ロール型ＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置により、図６に示すシングル型ア
モルファスシリコン太陽電池における裏面反射層６０
２、６０３を形成した。まず、オーカイト及び純水で十
分に脱脂、洗浄したステンレス帯状基板５０２（幅３５
５．６ｍｍ、厚み０．１５ｍｍ、長さ１０００ｍ、合紙
無し）がロール状に巻かれた基板送り出しボビン５０３
を基板送り出し室５０１にセットし、基板巻き取り室５
０６には空の基板巻き取りボビン５０８と合紙５０７
（幅３５５．６ｍｍ、厚み０．０５ｍｍ、長さ１０００
ｍ、材質：アルミニウムを蒸着したポリエステルフィル
ム）がロール状に巻かれた合紙送り出しボビン５０９と
をセットした。なお、５０４は合紙巻き取りボビン、５
０５はステアリングローラーである。
【００２６】続いて、不図示の真空ポンプで圧力が０．
０１パスカル以下になるまで減圧した。その後、金属反
射層堆積室５１３と透明酸化物層堆積室５１４に各々の
ガス導入管５３１〜５３５から、不活性ガスとしてアル
ゴンガスを各々５０ｓｃｃｍ供給した。この状態で、不
図示の排気バルブの開度を調整して、真空室内の圧力を
０．３パスカルに保った。次に、ヒーターユニット５２
６〜５３０により、基板の裏面に熱電対を接触させて２
５０℃になるように温度制御して加熱した。続いて、帯
状基板に張力６０ｋｇをかけ、搬送速度１２７０ｍｍ／
ｍｉｎで搬送を開始した。金属反射層用のターゲット５
２０には純度９９．９９重量％のアルミニウムを使用
し、カソード電極５１５に直流電源５３７より２ｋＷの
直流電力を印加することにより、基板６０１（５０２）
上に０．２μｍの厚みのアルミニウムの金属反射層６０
２を堆積した。また、透明酸化物層用のターゲット５２
１〜５２４には酸化亜鉛（ＺｎＯ）を使用し、カソード
電極５１６〜５１９に直流電源５３８〜５４１より１．
５ｋＷの直流電力を印加することにより、１．０μｍの
厚みの酸化亜鉛の透明酸化物層６０３を堆積した。な
お、５４２〜５５０は基板搬送用のマグネットローラ
ー、５２５はガスゲート、５３６はゲートガス導入管で
ある１回（１ロール）の成膜時間は約１０時間であり、
基板巻き取り室５０６に設置したレーザーセンサー５１
１（投光部）、５１２（受光部）による合紙の弛み検知
機構、及び基板巻き取り室側の合紙送り出しボビン５０
９の回転系に設けた図３に示した合紙ボビンの回転異常
（逆転、停止）検知機構により、合紙の搬送異常を監視
したが、１回の成膜の間では一度も異常は発生しなかっ
た。そこで、１００ロール（約１０００時間）にわたっ
て合紙の搬送異常を監視した所、合紙の弛みによる搬送
異常が検知された。異常が検知された際、全放電炉の放
電と基板の搬送及び合紙の回転が同時に停止し、基板巻
き取り室における不図示のビューイングポートより基板
巻き取り室内を観察した所、弛んだ合紙はステアリング
ローラー５１０の手前で止まっており、合紙の破断等は
起こっていなかった。その結果、本発明の合紙の搬送異
常を検知する機構は、合紙の搬送異常に伴う成膜装置ト
ラブルを未然に防止するのに有効な手段であることが実
証された。
０１パスカル以下になるまで減圧した。その後、金属反
射層堆積室５１３と透明酸化物層堆積室５１４に各々の
ガス導入管５３１〜５３５から、不活性ガスとしてアル
ゴンガスを各々５０ｓｃｃｍ供給した。この状態で、不
図示の排気バルブの開度を調整して、真空室内の圧力を
０．３パスカルに保った。次に、ヒーターユニット５２
６〜５３０により、基板の裏面に熱電対を接触させて２
５０℃になるように温度制御して加熱した。続いて、帯
状基板に張力６０ｋｇをかけ、搬送速度１２７０ｍｍ／
ｍｉｎで搬送を開始した。金属反射層用のターゲット５
２０には純度９９．９９重量％のアルミニウムを使用
し、カソード電極５１５に直流電源５３７より２ｋＷの
直流電力を印加することにより、基板６０１（５０２）
上に０．２μｍの厚みのアルミニウムの金属反射層６０
２を堆積した。また、透明酸化物層用のターゲット５２
１〜５２４には酸化亜鉛（ＺｎＯ）を使用し、カソード
電極５１６〜５１９に直流電源５３８〜５４１より１．
５ｋＷの直流電力を印加することにより、１．０μｍの
厚みの酸化亜鉛の透明酸化物層６０３を堆積した。な
お、５４２〜５５０は基板搬送用のマグネットローラ
ー、５２５はガスゲート、５３６はゲートガス導入管で
ある１回（１ロール）の成膜時間は約１０時間であり、
基板巻き取り室５０６に設置したレーザーセンサー５１
１（投光部）、５１２（受光部）による合紙の弛み検知
機構、及び基板巻き取り室側の合紙送り出しボビン５０
９の回転系に設けた図３に示した合紙ボビンの回転異常
（逆転、停止）検知機構により、合紙の搬送異常を監視
したが、１回の成膜の間では一度も異常は発生しなかっ
た。そこで、１００ロール（約１０００時間）にわたっ
て合紙の搬送異常を監視した所、合紙の弛みによる搬送
異常が検知された。異常が検知された際、全放電炉の放
電と基板の搬送及び合紙の回転が同時に停止し、基板巻
き取り室における不図示のビューイングポートより基板
巻き取り室内を観察した所、弛んだ合紙はステアリング
ローラー５１０の手前で止まっており、合紙の破断等は
起こっていなかった。その結果、本発明の合紙の搬送異
常を検知する機構は、合紙の搬送異常に伴う成膜装置ト
ラブルを未然に防止するのに有効な手段であることが実
証された。
【００２７】［実施例２］実施例２では、図７に示すよ
うなロール・ツー・ロール型プラズマＣＶＤ装置におい
て、基板送り出し室７０１に図１で示した２つのレーザ
ーセンサーを用いた合紙の弛み検知機構、図２で示した
合紙の付着検知機構及び図３で示した合紙巻き取りボビ
ン７０５の回転系に合紙ボビンの回転異常検知機構を設
け、更に基板巻き取り室７１０に合紙の弛み検知機構及
び合紙送り出しボビン７１３の回転系に合紙ボビンの回
転異常検知機構を設け、図６に示すシングル型アモルフ
ァスシリコン太陽電池における半導体層６０４〜６０８
を形成した。まず、裏面反射層が成膜され且つ成膜面に
材質がアルミニウムを蒸着したポリエステルフィルムか
らなる合紙７０３をはさみ込んだ帯状基板７０２をロー
ル状に巻いた基板送り出しボビン７０４と空の合紙巻き
取りボビン７０５とを基板送り出し室７０１にセット
し、基板巻き取り室７１０には空の基板巻き取りボビン
７１２と合紙７１１（幅３５５．６ｍｍ、厚み０．０５
ｍｍ、長さ１０００ｍ、材質：ポリイミドフィルム）が
ロール状に巻かれた合紙送り出しボビン５０９と、をセ
ットした。なお、７０６、７１４はステアリングローラ
ーである。
うなロール・ツー・ロール型プラズマＣＶＤ装置におい
て、基板送り出し室７０１に図１で示した２つのレーザ
ーセンサーを用いた合紙の弛み検知機構、図２で示した
合紙の付着検知機構及び図３で示した合紙巻き取りボビ
ン７０５の回転系に合紙ボビンの回転異常検知機構を設
け、更に基板巻き取り室７１０に合紙の弛み検知機構及
び合紙送り出しボビン７１３の回転系に合紙ボビンの回
転異常検知機構を設け、図６に示すシングル型アモルフ
ァスシリコン太陽電池における半導体層６０４〜６０８
を形成した。まず、裏面反射層が成膜され且つ成膜面に
材質がアルミニウムを蒸着したポリエステルフィルムか
らなる合紙７０３をはさみ込んだ帯状基板７０２をロー
ル状に巻いた基板送り出しボビン７０４と空の合紙巻き
取りボビン７０５とを基板送り出し室７０１にセット
し、基板巻き取り室７１０には空の基板巻き取りボビン
７１２と合紙７１１（幅３５５．６ｍｍ、厚み０．０５
ｍｍ、長さ１０００ｍ、材質：ポリイミドフィルム）が
ロール状に巻かれた合紙送り出しボビン５０９と、をセ
ットした。なお、７０６、７１４はステアリングローラ
ーである。
【００２８】続いて、不図示の真空ポンプで各半導体層
堆積室であるＲＦｎ型半導体層７１７、ＲＦｉ型半導体
層堆積室７１８、ＭＷｉ型半導体層堆積室７１９、ＲＦ
ｉ型半導体層堆積室７２０、ＲＦｐ型半導体層堆積室７
２１が１ｍＴｏｒｒ以下になるまで減圧した。その後、
ガスゲート７２７〜７３２にヘリウムガスを各１５０ｓ
ｃｃｍずつ流し、不図示の排気調整バルブを介して各半
導体層堆積室を１Ｔｏｒｒに保持し、ヒーターユニット
７３３〜７３７により、基板温度が３００℃になるよう
に温度制御して加熱し、この状態で４時間ベーキングを
行って不純物ガスを脱離させ、更に各半導体層堆積室に
おける成膜温度に温度変更した後１時間加熱した。次
に、ヘリウムガスを停止し、各半導体層堆積室にガス導
入管７４２〜７４６から各々の原料ガスを導入した。ま
た、各ガスゲート７２７〜７３２にはガスゲートガス導
入管７４７〜７５２から水素ガスを各々１０００ｓｃｃ
ｍずつ流した。続いて、帯状基板に張力８０ｋｇをか
け、搬送速度１２７０ｍｍ／ｍｉｎで搬送を開始した。
堆積室であるＲＦｎ型半導体層７１７、ＲＦｉ型半導体
層堆積室７１８、ＭＷｉ型半導体層堆積室７１９、ＲＦ
ｉ型半導体層堆積室７２０、ＲＦｐ型半導体層堆積室７
２１が１ｍＴｏｒｒ以下になるまで減圧した。その後、
ガスゲート７２７〜７３２にヘリウムガスを各１５０ｓ
ｃｃｍずつ流し、不図示の排気調整バルブを介して各半
導体層堆積室を１Ｔｏｒｒに保持し、ヒーターユニット
７３３〜７３７により、基板温度が３００℃になるよう
に温度制御して加熱し、この状態で４時間ベーキングを
行って不純物ガスを脱離させ、更に各半導体層堆積室に
おける成膜温度に温度変更した後１時間加熱した。次
に、ヘリウムガスを停止し、各半導体層堆積室にガス導
入管７４２〜７４６から各々の原料ガスを導入した。ま
た、各ガスゲート７２７〜７３２にはガスゲートガス導
入管７４７〜７５２から水素ガスを各々１０００ｓｃｃ
ｍずつ流した。続いて、帯状基板に張力８０ｋｇをか
け、搬送速度１２７０ｍｍ／ｍｉｎで搬送を開始した。
【００２９】その後、各半導体層堆積室のカソード電極
７２２、７２３、７２５、７２６には高周波電源７５３
〜７５６から所定の高周波（ＲＦ）電力を印加し、半導
体層堆積室７２４には不図示のマイクロ波発振器及び高
周波発振器よりマイクロ波電力及びＲＦバイアスを印加
し、帯状基板の裏面反射層上に連続して図６に示すａ−
ＳｉからなるＲＦｎ型層６０４、ａ−ＳｉからなるＲＦ
ｉ型層６０５、ａ−ＳｉＧｅからなるＭＷｉ型層６０
６、ａ−ＳｉからなるＲＦｉ型層６０７、μｃ−Ｓｉか
らなるＲＦｐ型層６０８を堆積した。なお、７５７〜７
７０は基板搬送用のマグネットローラーである。
７２２、７２３、７２５、７２６には高周波電源７５３
〜７５６から所定の高周波（ＲＦ）電力を印加し、半導
体層堆積室７２４には不図示のマイクロ波発振器及び高
周波発振器よりマイクロ波電力及びＲＦバイアスを印加
し、帯状基板の裏面反射層上に連続して図６に示すａ−
ＳｉからなるＲＦｎ型層６０４、ａ−ＳｉからなるＲＦ
ｉ型層６０５、ａ−ＳｉＧｅからなるＭＷｉ型層６０
６、ａ−ＳｉからなるＲＦｉ型層６０７、μｃ−Ｓｉか
らなるＲＦｐ型層６０８を堆積した。なお、７５７〜７
７０は基板搬送用のマグネットローラーである。
【００３０】実施例１同様、１回（１ロール）の成膜時
間は約１０時間であり、基板送り出し室７０１に設置し
たレーザーセンサー７０７（投光部）、７０８（受光
部）による合紙の弛み検知機構、リミットスイッチ７０
９による合紙の融着検知機構、及び基板送り出し室側の
合紙巻き取りボビン７０５の回転系に図３で示した合紙
ボビンの回転異常検知機構、及び基板巻き取り室７１０
に設置したレーザーセンサー７１５（投光部）、７１６
（受光部）による合紙の弛み検知機構、及び基板巻き取
り室側の合紙送り出しボビン７１３の回転系に図３で示
した合紙ボビンの回転異常検知機構合紙の搬送異常を監
視したが、１回の成膜の間では一度も異常は発生しなか
った。そこで、１００ロール（約１０００時間）にわた
って合紙の搬送異常を監視した所、基板送り出し室にお
いて基板とアルミニウムを蒸着したポリエステルフィル
ム合紙の融着による合紙の搬送異常が検知された。異常
が検知された際、全放電炉の放電と基板の搬送及び合紙
の回転が同時に停止し、基板送り出し室における不図示
のビューイングポートより基板送り出し室内を観察した
所、合紙はステアリングローラー７０６の手前で止まっ
ており、合紙の破断等は起こっていなかった。また、合
紙の融着が検知された時とは別の成膜時に、基板送り出
し室において合紙の弛みによる搬送異常が検知された。
異常が検知された際、全放電炉の放電と基板の搬送及び
合紙の回転が同時に停止し、基板送り出し室における不
図示のビューイングポートより基板送り出し室内を観察
した所、合紙は基板送り出し室と基板送り出し室と隣接
する第一の放電炉７１７との間のガスゲート７２７の入
口手前で止まっており、合紙は第一の放電炉へ引き込ま
れてはいなかった。その結果、本発明の合紙の搬送異常
を検知する機構は、合紙の搬送異常に伴う成膜装置トラ
ブルを未然に防止するのに有効な手段であることが実証
された。なお、本実施例で得られた半導体層を有する基
板上に、透明導電層６０９、グリッド電極６１０を設け
たところ良好な光起電力素子が得られた。
間は約１０時間であり、基板送り出し室７０１に設置し
たレーザーセンサー７０７（投光部）、７０８（受光
部）による合紙の弛み検知機構、リミットスイッチ７０
９による合紙の融着検知機構、及び基板送り出し室側の
合紙巻き取りボビン７０５の回転系に図３で示した合紙
ボビンの回転異常検知機構、及び基板巻き取り室７１０
に設置したレーザーセンサー７１５（投光部）、７１６
（受光部）による合紙の弛み検知機構、及び基板巻き取
り室側の合紙送り出しボビン７１３の回転系に図３で示
した合紙ボビンの回転異常検知機構合紙の搬送異常を監
視したが、１回の成膜の間では一度も異常は発生しなか
った。そこで、１００ロール（約１０００時間）にわた
って合紙の搬送異常を監視した所、基板送り出し室にお
いて基板とアルミニウムを蒸着したポリエステルフィル
ム合紙の融着による合紙の搬送異常が検知された。異常
が検知された際、全放電炉の放電と基板の搬送及び合紙
の回転が同時に停止し、基板送り出し室における不図示
のビューイングポートより基板送り出し室内を観察した
所、合紙はステアリングローラー７０６の手前で止まっ
ており、合紙の破断等は起こっていなかった。また、合
紙の融着が検知された時とは別の成膜時に、基板送り出
し室において合紙の弛みによる搬送異常が検知された。
異常が検知された際、全放電炉の放電と基板の搬送及び
合紙の回転が同時に停止し、基板送り出し室における不
図示のビューイングポートより基板送り出し室内を観察
した所、合紙は基板送り出し室と基板送り出し室と隣接
する第一の放電炉７１７との間のガスゲート７２７の入
口手前で止まっており、合紙は第一の放電炉へ引き込ま
れてはいなかった。その結果、本発明の合紙の搬送異常
を検知する機構は、合紙の搬送異常に伴う成膜装置トラ
ブルを未然に防止するのに有効な手段であることが実証
された。なお、本実施例で得られた半導体層を有する基
板上に、透明導電層６０９、グリッド電極６１０を設け
たところ良好な光起電力素子が得られた。
【００３１】（参考例）本参考例では、合紙の搬送異常
を検知する機構を設けないで帯状基板上に半導体層を堆
積させた場合と同様の状態を現出した点が実施例２と異
なる。即ち、ここでは搬送異常を検知する機構を設けな
いことに相当する手段として、異常が検知された際、全
放電炉の放電と基板の搬送及び合紙の回転が同時に停止
するシーケンスを適用しないで、警報の発令及び不図示
の表示パネルに異常内容を表示させるのみとした。基板
送り出し室において、合紙の弛み異常が検知され、警報
が発令されてから１０秒後にオペレーターが全放電炉の
放電と基板の搬送及び合紙の回転を停止させた後、基板
送り出し室における不図示のビューイングポートより基
板送り出し室内を観察した所、合紙は基板上に乗っかっ
た状態で基板送り出し室と基板送り出し室と隣接する第
一の放電炉との間のガスゲートに入り込んでおり、装置
をリークして第一の放電炉内を観察した所、合紙は放電
炉内中央付近まで入り込んでおり、ヒーターユニットの
熱により合紙は溶けて更にチャンバー壁等に合紙のアル
ミニウムが付着していた。本参考例からも判るように、
本発明の合紙の搬送異常を検知する機構は、ロール・ツ
ー・ロール型基板処理装置において必要不可欠であり、
合紙の搬送異常に伴う成膜装置トラブルを未然に防止す
るのに有効な手段である。
を検知する機構を設けないで帯状基板上に半導体層を堆
積させた場合と同様の状態を現出した点が実施例２と異
なる。即ち、ここでは搬送異常を検知する機構を設けな
いことに相当する手段として、異常が検知された際、全
放電炉の放電と基板の搬送及び合紙の回転が同時に停止
するシーケンスを適用しないで、警報の発令及び不図示
の表示パネルに異常内容を表示させるのみとした。基板
送り出し室において、合紙の弛み異常が検知され、警報
が発令されてから１０秒後にオペレーターが全放電炉の
放電と基板の搬送及び合紙の回転を停止させた後、基板
送り出し室における不図示のビューイングポートより基
板送り出し室内を観察した所、合紙は基板上に乗っかっ
た状態で基板送り出し室と基板送り出し室と隣接する第
一の放電炉との間のガスゲートに入り込んでおり、装置
をリークして第一の放電炉内を観察した所、合紙は放電
炉内中央付近まで入り込んでおり、ヒーターユニットの
熱により合紙は溶けて更にチャンバー壁等に合紙のアル
ミニウムが付着していた。本参考例からも判るように、
本発明の合紙の搬送異常を検知する機構は、ロール・ツ
ー・ロール型基板処理装置において必要不可欠であり、
合紙の搬送異常に伴う成膜装置トラブルを未然に防止す
るのに有効な手段である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、基板処理装置に、合紙の搬送異常を検知する機構を
設けることによって、連続的に長時間にわたって行われ
る基板処理中の合紙の搬送異常に伴うトラブルを未然に
防止することができ、装置への損害を無くすことができ
ると共に合紙の破断等に起因するトラブルが未然に防止
された基板処理装置及び基板処理方法を提供することが
でき、特に歩留りの向上した良好な特性を有する機能性
堆積膜の形成装置及び形成方法、とりわけ薄膜太陽電池
等の光起電力素子の優れた形成装置及び形成方法を実現
することができる。
は、基板処理装置に、合紙の搬送異常を検知する機構を
設けることによって、連続的に長時間にわたって行われ
る基板処理中の合紙の搬送異常に伴うトラブルを未然に
防止することができ、装置への損害を無くすことができ
ると共に合紙の破断等に起因するトラブルが未然に防止
された基板処理装置及び基板処理方法を提供することが
でき、特に歩留りの向上した良好な特性を有する機能性
堆積膜の形成装置及び形成方法、とりわけ薄膜太陽電池
等の光起電力素子の優れた形成装置及び形成方法を実現
することができる。
【図１】本発明の装置の一例の一部である基板巻き取り
室内の模式的概略図である。
室内の模式的概略図である。
【図２】本発明の装置の一例の一部である基板送り出し
室内の模式的概略図である。
室内の模式的概略図である。
【図３】本発明の装置に用いられ得る合紙ボビン回転系
の模式的概略図である。
の模式的概略図である。
【図４】本発明の装置に用いられ得る合紙ボビンの回転
異常を検知する原理図である。
異常を検知する原理図である。
【図５】本発明の装置の一例であるロール・ツー・ロー
ル型ＤＣマグネトロンスパッタ装置の概略図である。
ル型ＤＣマグネトロンスパッタ装置の概略図である。
【図６】シングル型アモルファスシリコン太陽電池の模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図７】本発明の装置の一例であるロール・ツー・ロー
ル型プラズマＣＶＤ装置の概略図である。
ル型プラズマＣＶＤ装置の概略図である。
１０１：基板巻き取り室 １０２：帯状基板 １０３：合紙 １０４：基板巻き取りボビン １０５：合紙送り出しボビン １０６：ステアリングローラー １０７：ガスゲート １０８：排気管 １０９：レーザーセンサー投光部 １１０：レーザーセンサー受光部 １１１：トレイ ２０１：基板送り出し室 ２０２：帯状基板 ２０３：合紙 ２０４：基板送り出しボビン ２０５：合紙巻き取りボビン ２０６：ステアリングローラー ２０７：ガスゲート ２０８：排気管 ２０９：レーザーセンサー投光部 ２１０：レーザーセンサー受光部 ２１１：リミットスイッチ ３０１：チャンバー壁 ３０２：合紙ボビン ３０３：真空磁気シールフランジ ３０４：カップリング ３０５：クラッチ ３０６：カップリング ３０７：合紙モーター ３０８：近接センサー ３０９：ドグ ４０１：近接センサー ４０２：ドグＡ ４０３：ドグＢ ５０１：基板送り出し室 ５０２：帯状基板 ５０３：基板送り出しボビン ５０４：合紙巻き取りボビン ５０５：ステアリングローラー ５０６：基板巻き取り室 ５０７：合紙 ５０８：基板巻き取りボビン ５０９：合紙送り出しボビン ５１０：ステアリングローラー ５１１：レーザーセンサー投光部 ５１２：レーザーセンサー受光部 ５１３：金属反射層堆積室 ５１４：透明酸化物層堆積室 ５１５〜５１９：カソード電極 ５２０〜５２４：ターゲット ５２５：ガスゲート ５２６〜５３０：ヒーターユニット ５３１〜５３６：ガス導入管 ５３７〜５４１：直流電源 ５４２〜５５０：マグネットローラー ６０１：基板 ６０２：金属反射層 ６０３：透明酸化物層 ６０４：ａ−ＳｉからなるＲＦｎ型半導体層 ６０５：ａ−ＳｉからなるＲＦｉ型半導体層 ６０６：ａ−ＳｉＧｅからなるＭＷｉ型半導体層 ６０７：ａ−ＳｉからなるＲＦｉ型半導体層 ６０８：μｃ−ＳｉからなるＲＦｐ型半導体層 ６０９：透明導電層 ６１０：グリッド電極 ７０１：基板送り出し室 ７０２：帯状基板 ７０３：合紙 ７０４：基板送り出しボビン ７０５：合紙巻き取りボビン ７０６：ステアリングローラー ７０７：レーザーセンサー投光部 ７０８：レーザーセンサー受光部 ７０９：リミットスイッチ ７１０：基板巻き取り室 ７１１：合紙 ７１２：基板巻き取りボビン ７１３：合紙送り出しボビン ７１４：ステアリングローラー ７１５：レーザーセンサー投光部 ７１６：レーザーセンサー受光部 ７１７：ＲＦｎ型半導体層堆積室 ７１８：ＲＦｉ型半導体層堆積室 ７１９：ＭＷｉ型半導体層堆積室 ７２０：ＲＦｉ型半導体層堆積室 ７２１：ＲＦｐ型半導体層堆積室 ７２２，７２３，７２５，７２６：カソード電極 ７２４：マイクロ波放電箱 ７２７〜７３２：ガスゲート ７３３〜７３７：ヒーターユニット ７３８〜７４１：ガスヒーター ７４２〜７５２：ガス導入管 ７５３〜７５６：高周波発振器 ７５７〜７７０：マグネットローラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芳里 直 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 森山 公一朗 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 金井 正博 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (90)
- 【請求項１】帯状基板と合紙とを交互に巻いたロールを
有する基板送り出しボビンから該合紙を合紙巻き取りボ
ビンに巻き取りながら、 該帯状基板を連続的に送り出す基板送り出し室と、 前記帯状基板に処理を施す基板処理室と、 を少なくとも有する基板処理装置において、 前記基板送り出し室における合紙の搬送異常を検知する
機構を有することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】前記合紙の搬送異常を検知する機構が、前
記基板送り出し室内の基板送り出しボビンと合紙巻き取
りボビンとの間の合紙の弛みを検知する手段であること
を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３】前記合紙の搬送異常を検知する機構が、前
記基板と前記合紙との付着を検知する手段であることを
特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項４】前記合紙の搬送異常を検知する機構が、前
記合紙巻き取りボビンの回転異常を検知する手段である
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項５】前記搬送異常を検知する機構が、光学的セ
ンサー、物理的センサー、合紙巻き取りボビンの回転異
常検知器のいずれかを有することを特徴とする請求項１
に記載の基板処理装置。 - 【請求項６】前記搬送異常を検知する機構が、レーザー
センサーを有することを特徴とする請求項１に記載の基
板処理装置。 - 【請求項７】前記搬送異常を検知する機構が、リミット
スイッチを有することを特徴とする請求項１に記載の基
板処理装置。 - 【請求項８】前記合紙が前記ロール以外の部分で前記基
板に接触しないようにする機構を有することを特徴とす
る請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項９】前記合紙が基板に接触しないようにする機
構と前記合紙の搬送異常を検知する機構とが同一部材で
あることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。 - 【請求項１０】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構が、トレイ、メッシュ、棒状部材のいずれかを有す
る請求項８に記載の基板処理装置。 - 【請求項１１】前記基板処理室が、成膜室であることを
特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項１２】前記基板処理室が、プラズマを用いた基
板処理を行う室であることを特徴とする請求項１に記載
の基板処理装置。 - 【請求項１３】前記基板処理室が、基板加熱機構を有す
ることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項１４】前記基板処理室が、プラズマＣＶＤ処理
室であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装
置。 - 【請求項１５】前記基板処理室が、スパッタリング処理
室であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装
置。 - 【請求項１６】帯状基板に処理を施す基板処理室と、 該帯状基板と合紙送り出しボビンから送り出された合紙
とを基板巻き取りボビンに交互に巻きとる基板巻き取り
室と、 を少なくとも有する基板処理装置において、 前記基板巻き取り室における合紙の搬送異常を検知する
機構を有することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１７】前記合紙の搬送異常を検知する機構が、
前記基板巻き取り室内の合紙送り出しボビンと基板巻き
取りボビンとの間の合紙の弛みを検知する手段であるこ
とを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。 - 【請求項１８】前記合紙の搬送異常を検知する機構が、
前記基板と前記合紙との付着を検知する手段であること
を特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。 - 【請求項１９】前記合紙の搬送異常を検知する機構が、
前記合紙送り出しボビンの回転異常を検知する手段であ
ることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。 - 【請求項２０】前記搬送異常を検知する機構が、光学的
センサー、物理的センサー、合紙巻き取りボビンの回転
異常検知器のいずれかを有することを特徴とする請求項
１６に記載の基板処理装置。 - 【請求項２１】前記搬送異常を検知する機構が、レーザ
ーセンサーを有することを特徴とする請求項１６に記載
の基板処理装置。 - 【請求項２２】前記搬送異常を検知する機構が、リミッ
トスイッチを有することを特徴とする請求項１６に記載
の基板処理装置。 - 【請求項２３】前記合紙が前記ロール以外の部分で前記
基板に接触しないようにする機構を有することを特徴と
する請求項１６に記載の基板処理装置。 - 【請求項２４】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構と前記合紙の搬送異常を検知する機構とが同一部材
であることを特徴とする請求項２３に記載の基板処理装
置。 - 【請求項２５】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構が、トレイ、メッシュ、棒状部材のいずれかを有す
る請求項２３に記載の基板処理装置。 - 【請求項２６】前記基板処理室が、成膜室であることを
特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。 - 【請求項２７】前記基板処理室が、プラズマを用いた基
板処理を行う室であることを特徴とする請求項１６に記
載の基板処理装置。 - 【請求項２８】前記基板処理室が、基板加熱機構を有す
ることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。 - 【請求項２９】前記基板処理室が、プラズマＣＶＤ処理
室であることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理
装置。 - 【請求項３０】前記基板処理室が、スパッタリング処理
室であることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理
装置。 - 【請求項３１】帯状基板と合紙とを交互に巻いたロール
を有する基板送り出しボビンから該合紙を合紙巻き取り
ボビンに巻き取りながら、該帯状基板を連続的に送り出
す基板送り出し室と、前記帯状基板に処理を施す基板処
理室と、 該帯状基板と合紙送り出しボビンから送り出された合紙
とを基板巻き取りボビンに交互に巻きとる基板巻き取り
室と、 を少なくとも有する基板処理装置において、 前記基板送り出し室における合紙の搬送異常を検知する
機構と、前記基板巻き取り室における合紙の搬送異常を
検知する機構と、の少なくとも一方を有することを特徴
とする基板処理装置。 - 【請求項３２】前記合紙の搬送異常を検知する機構が、
前記基板送り出し室内の基板送り出しボビンと合紙巻き
取りボビンとの間の合紙の弛みを検知する手段及び／又
は前記基板巻き取り室内の合紙送り出しボビンと基板巻
き取りボビンとの間の合紙の撓みを検知する手段である
ことを特徴とする請求項３１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３３】前記合紙の搬送異常を検知する機構が、
前記基板と前記合紙との付着を検知する手段であること
を特徴とする請求項３１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３４】前記合紙の搬送異常を検知する機構が、
前記合紙巻き取りボビン及び／又は前記合紙送り出しボ
ビンの回転異常を検知する手段であることを特徴とする
請求項３１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３５】前記搬送異常を検知する機構が、光学的
センサー、物理的センサー、合紙巻き取りボビンの回転
異常検知器のいずれかを有することを特徴とする請求項
３１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３６】前記搬送異常を検知する機構が、レーザ
ーセンサーを有することを特徴とする請求項３１に記載
の基板処理装置。 - 【請求項３７】前記搬送異常を検知する機構が、リミッ
トスイッチを有することを特徴とする請求項３１に記載
の基板処理装置。 - 【請求項３８】前記合紙が前記ロール以外の部分で前記
基板に接触しないようにする機構を有することを特徴と
する請求項３１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３９】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構と前記合紙の搬送異常を検知する機構とが同一部材
であることを特徴とする請求項３８に記載の基板処理装
置。 - 【請求項４０】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構が、トレイ、メッシュ、棒状部材のいずれかを有す
る請求項３８に記載の基板処理装置。 - 【請求項４１】前記基板処理室が、成膜室であることを
特徴とする請求項３１に記載の基板処理装置。 - 【請求項４２】前記基板処理室が、プラズマを用いた基
板処理を行う室であることを特徴とする請求項３１に記
載の基板処理装置。 - 【請求項４３】前記基板処理室が、基板加熱機構を有す
ることを特徴とする請求項３１に記載の基板処理装置。 - 【請求項４４】前記基板処理室が、プラズマＣＶＤ処理
室であることを特徴とする請求項３１に記載の基板処理
装置。 - 【請求項４５】前記基板処理室が、スパッタリング処理
室であることを特徴とする請求項３１に記載の基板処理
装置。 - 【請求項４６】基板送り出し室内に設けられた帯状基板
と合紙とを交互に巻いたロールを有する基板送り出しボ
ビンから、該合紙を合紙巻き取りボビンに巻き取りなが
ら、該帯状基板を連続的に送り出す基板送り出し工程
と、 基板処理室内で前記帯状基板に処理を施す基板処理工程
と、 を少なくとも有する基板処理方法において、 合紙の搬送異常を検知する手段によって前記基板送り出
し室における合紙の搬送異常を検知することを特徴とす
る基板処理方法。 - 【請求項４７】前記合紙の搬送異常を検知する工程が、
前記基板送り出し室内の基板送り出しボビンと合紙巻き
取りボビンとの間の合紙の弛みを検知する工程であるこ
とを特徴とする請求項４６に記載の基板処理方法。 - 【請求項４８】前記合紙の搬送異常を検知する工程が、
前記基板と前記合紙との付着を検知する工程であること
を特徴とする請求項４６に記載の基板処理方法。 - 【請求項４９】前記合紙の搬送異常を検知する工程が、
前記合紙巻き取りボビンの回転異常を検知する工程であ
ることを特徴とする請求項４６に記載の基板処理方法。 - 【請求項５０】前記搬送異常を検知する工程で、光学的
センサー、物理的センサー、合紙巻き取りボビンの回転
異常検知器のいずれかを用いることを特徴とする請求項
４６に記載の基板処理方法。 - 【請求項５１】前記搬送異常を検知する工程で、レーザ
ーセンサーを用いることを特徴とする請求項４６に記載
の基板処理方法。 - 【請求項５２】前記搬送異常を検知する工程で、リミッ
トスイッチを用いることを特徴とする請求項４６に記載
の基板処理方法。 - 【請求項５３】前記合紙が前記ロール以外の部分で前記
基板に接触しないようにする機構を用いることを特徴と
する請求項４６に記載の基板処理方法。 - 【請求項５４】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構が前記合紙の搬送異常を検知する手段を兼ねている
ことを特徴とする請求項５３に記載の基板処理方法。 - 【請求項５５】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構として、トレイ、メッシュ、棒状部材のいずれかを
用いる請求項５３に記載の基板処理方法。 - 【請求項５６】前記基板処理が、成膜であることを特徴
とする請求項４６に記載の基板処理方法。 - 【請求項５７】前記基板処理が、プラズマを用いた基板
処理であることを特徴とする請求項４６に記載の基板処
理方法。 - 【請求項５８】前記基板処理が、基板加熱工程を有する
ことを特徴とする請求項４６に記載の基板処理方法。 - 【請求項５９】前記基板処理が、プラズマＣＶＤ処理で
あることを特徴とする請求項４６に記載の基板処理方
法。 - 【請求項６０】前記基板処理が、スパッタリング処理で
あることを特徴とする請求項４６に記載の基板処理方
法。 - 【請求項６１】基板処理室内で帯状基板に処理を施す基
板処理工程と、基板巻き取り室内に設けられた基板巻き
取りボビンに、前記帯状基板と合紙送り出しボビンから
送り出された合紙とを交互に巻きとる基板巻き取り工程
と、を少なくとも有する基板処理方法において、合紙の
搬送異常を検知する手段によって前記基板巻き取り室に
おける合紙の搬送異常を検知することを特徴とする基板
処理方法。 - 【請求項６２】前記合紙の搬送異常を検知する工程が、
前記基板巻き取り室内の合紙送り出しボビンと基板巻き
取りボビンとの間の合紙の弛みを検知する工程であるこ
とを特徴とする請求項６１に記載の基板処理方法。 - 【請求項６３】前記合紙の搬送異常を検知する工程が、
前記基板と前記合紙との付着を検知する工程であること
を特徴とする請求項６１に記載の基板処理方法。 - 【請求項６４】前記合紙の搬送異常を検知する工程が、
前記合紙送り出しボビンの回転異常を検知する工程であ
ることを特徴とする請求項６１に記載の基板処理方法。 - 【請求項６５】前記搬送異常を検知する工程で、光学的
センサー、物理的センサー、合紙送り出しボビンの回転
異常検知器のいずれかを用いることを特徴とする請求項
６１に記載の基板処理方法。 - 【請求項６６】前記搬送異常を検知する工程で、レーザ
ーセンサーを用いることを特徴とする請求項６１に記載
の基板処理方法。 - 【請求項６７】前記搬送異常を検知する工程で、リミッ
トスイッチを用いることを特徴とする請求項６１に記載
の基板処理方法。 - 【請求項６８】前記合紙が前記ロール以外の部分で前記
基板に接触しないようにする機構を用いることを特徴と
する請求項６１に記載の基板処理方法。 - 【請求項６９】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構が前記合紙の搬送異常を検知する手段を兼ねている
ことを特徴とする請求項６８に記載の基板処理方法。 - 【請求項７０】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構として、トレイ、メッシュ、棒状部材のいずれかを
用いる請求項６８に記載の基板処理方法。 - 【請求項７１】前記基板処理が、成膜であることを特徴
とする請求項６１に記載の基板処理方法。 - 【請求項７２】前記基板処理が、プラズマを用いた基板
処理であることを特徴とする請求項６１に記載の基板処
理方法。 - 【請求項７３】前記基板処理が、基板加熱工程を有する
ことを特徴とする請求項６１に記載の基板処理方法。 - 【請求項７４】前記基板処理が、プラズマＣＶＤ処理で
あることを特徴とする請求項６１に記載の基板処理方
法。 - 【請求項７５】前記基板処理が、スパッタリング処理で
あることを特徴とする請求項６１に記載の基板処理方
法。 - 【請求項７６】基板送り出し室内に設けられた帯状基板
と合紙とを交互た巻いたロールを有する基板送り出しボ
ビンから、該合紙を合紙巻き取りボビンに巻き取りなが
ら、該帯状基板を連続的に送り出す基板送り出し工程
と、 基板処理室内で前記帯状基板に処理を施す基板処理工程
と、 基板巻き取り室内に設けられた基板巻き取りボビンに、
前記帯状基板と合紙送り出しボビンから送り出された合
紙とを交互に巻きとる基板巻き取り工程と、 を少なくとも有する基板処理方法において、 合紙の搬送異常を検知する手段によって前記基板送り出
し室及び／又は前記基板巻き取り室における合紙の搬送
異常を検知することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項７７】前記合紙の搬送異常を検知する工程が、
前記基板送り出し室内の基板送り出しボビンと合紙巻き
取りボビンとの間の合紙の弛みを検知する工程及び／又
は前記基板巻き取り室内の合紙送り出しボビンと基板巻
き取りボビンとの間の合紙の撓みを検知する工程である
ことを特徴とする請求項７６に記載の基板処理方法。 - 【請求項７８】前記合紙の搬送異常を検知する工程が、
前記基板と前記合紙との付着を検知する工程であること
を特徴とする請求項７６に記載の基板処理方法。 - 【請求項７９】前記合紙の搬送異常を検知する工程が、
前記合紙巻き取りボビン及び／又は前記合紙送り出しボ
ビンの回転異常を検知する工程であることを特徴とする
請求項７６に記載の基板処理方法。 - 【請求項８０】前記搬送異常を検知する工程で、光学的
センサー、物理的センサー、合紙巻き取りボビン又は合
紙送り出しボビンの回転異常検知器、のいずれかを用い
ることを特徴とする請求項７６に記載の基板処理方法。 - 【請求項８１】前記搬送異常を検知する工程で、レーザ
ーセンサーを用いることを特徴とする請求項７６に記載
の基板処理方法。 - 【請求項８２】前記搬送異常を検知する工程で、リミッ
トスイッチを用いることを特徴とする請求項７６に記載
の基板処理方法。 - 【請求項８３】前記合紙が前記ロール以外の部分で前記
基板に接触しないようにする機構を用いることを特徴と
する請求項７６に記載の基板処理方法。 - 【請求項８４】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構が前記合紙の搬送異常を検知する手段を兼ねている
ことを特徴とする請求項８３に記載の基板処理方法。 - 【請求項８５】前記合紙が基板に接触しないようにする
機構として、トレイ、メッシュ、棒状部材のいずれかを
用いる請求項８３に記載の基板処理方法。 - 【請求項８６】前記基板処理が、成膜であることを特徴
とする請求項７６に記載の基板処理方法。 - 【請求項８７】前記基板処理が、プラズマを用いた基板
処理であることを特徴とする請求項７６に記載の基板処
理方法。 - 【請求項８８】前記基板処理が、基板加熱工程を有する
ことを特徴とする請求項７６に記載の基板処理方法。 - 【請求項８９】前記基板処理が、プラズマＣＶＤ処理で
あることを特徴とする請求項７６に記載の基板処理方
法。 - 【請求項９０】前記基板処理が、スパッタリング処理で
あることを特徴とする請求項７６に記載の基板処理方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11316328A JP2000204478A (ja) | 1998-11-11 | 1999-11-08 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US09/439,609 US6602347B1 (en) | 1998-11-11 | 1999-11-12 | Apparatus and method for processing a substrate |
| US10/425,652 US6833155B2 (en) | 1998-11-11 | 2003-04-30 | Apparatus and method for processing a substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-336524 | 1998-11-11 | ||
| JP33652498 | 1998-11-11 | ||
| JP11316328A JP2000204478A (ja) | 1998-11-11 | 1999-11-08 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000204478A true JP2000204478A (ja) | 2000-07-25 |
Family
ID=26568621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11316328A Abandoned JP2000204478A (ja) | 1998-11-11 | 1999-11-08 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6602347B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000204478A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602347B1 (en) * | 1998-11-11 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for processing a substrate |
| JP2007129005A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Athlete Fa Kk | 基板供給装置、基板巻取装置、基板処理システム、基板供給方法および基板巻取方法 |
| WO2012118037A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 機能性フィルムの製造方法および製造装置 |
| JP2014205898A (ja) * | 2013-04-16 | 2014-10-30 | 東レエンジニアリング株式会社 | 真空製膜装置 |
| KR101797243B1 (ko) | 2011-03-31 | 2017-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 연속 증착 장치 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7807232B2 (en) * | 2006-01-18 | 2010-10-05 | Sigma Laboratories Of Arizona, Llc | Inline passivation of vacuum-deposited aluminum on web substrate |
| KR20040046571A (ko) * | 2002-11-27 | 2004-06-05 | 주식회사 피앤아이 | 이온빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치 |
| US20050005846A1 (en) * | 2003-06-23 | 2005-01-13 | Venkat Selvamanickam | High throughput continuous pulsed laser deposition process and apparatus |
| US8083907B1 (en) * | 2003-09-26 | 2011-12-27 | University Of South Florida | Hydrogen storage nano-foil and method of manufacture |
| JP4653419B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2011-03-16 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 真空処理装置 |
| JP2006024775A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、該装置の制御方法及び該方法を実行するプログラム |
| JP4430718B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2010-03-10 | 三井造船株式会社 | 原子層成膜装置 |
| JP4691131B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2011-06-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタ成膜方法、電子素子の製造方法、スパッタ装置 |
| CN101818331B (zh) * | 2009-02-26 | 2013-10-09 | 富士胶片株式会社 | 功能性膜和用于制备功能性膜的方法 |
| JP5371680B2 (ja) * | 2009-10-15 | 2013-12-18 | 富士フイルム株式会社 | 機能性フィルムの製造方法 |
| US9067381B2 (en) * | 2010-02-19 | 2015-06-30 | Fujifilm Corporation | Manufacturing method of functional film and functional film |
| CN102569120B (zh) * | 2011-12-28 | 2014-08-06 | 苏州幸福新能源科技有限责任公司 | 太阳能背板立式检测机 |
| JP5958092B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-07-27 | ソニー株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| TWI453295B (zh) * | 2012-10-12 | 2014-09-21 | Iner Aec Executive Yuan | 氣體隔離腔及其電漿鍍膜裝置 |
| DE102014113041A1 (de) * | 2013-09-19 | 2015-03-19 | Von Ardenne Gmbh | Anordnung und Verfahren zum Transport bandförmiger Substrate in einer Vakuumbeschichtungsanlage |
| SE539005C2 (en) * | 2015-05-05 | 2017-03-14 | Methods and arrangements for a solar cell device | |
| US20210126247A1 (en) * | 2019-10-28 | 2021-04-29 | Applied Materials, Inc. | Dielectric coated lithium metal anode |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2991550A (en) * | 1956-05-25 | 1961-07-11 | American Mach & Foundry | Metal foil coated with dielectric material and method of forming |
| US4400409A (en) | 1980-05-19 | 1983-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making p-doped silicon films |
| US4485125A (en) | 1982-03-19 | 1984-11-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for continuously producing tandem amorphous photovoltaic cells |
| JPS5984516A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Hitachi Ltd | 薄膜パタ−ンの連続形成装置 |
| DE3419944C1 (de) * | 1984-05-15 | 1985-11-21 | Aktiengesellschaft für industrielle Elektronik AGIE Losone bei Locarno, Losone, Locarno | Vorrichtung zum Fuehren einer draht- oder bandfoermigen Schneidelektrode an einer Werkzeugmaschine |
| US4728406A (en) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for plasma - coating a semiconductor body |
| JPH03249638A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Ushio Inc | フイルム露光装置におけるフイルム巻取方法 |
| JPH04343240A (ja) * | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Shinkawa Ltd | テープ搬送装置 |
| US5919310A (en) | 1991-10-07 | 1999-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Continuously film-forming apparatus provided with improved gas gate means |
| JPH0982652A (ja) | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Canon Inc | 半導体薄膜の形成方法および形成装置 |
| JPH10158848A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-16 | Canon Inc | 半導体薄膜の形成方法および装置 |
| JP2000204478A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-07-25 | Canon Inc | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP3956177B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2007-08-08 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 薄膜太陽電池の製造装置 |
| JP2001352149A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Hitachi Chem Co Ltd | マルチワイヤ配線板用の布線装置およびマルチワイヤ配線板の製造方法 |
-
1999
- 1999-11-08 JP JP11316328A patent/JP2000204478A/ja not_active Abandoned
- 1999-11-12 US US09/439,609 patent/US6602347B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-30 US US10/425,652 patent/US6833155B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602347B1 (en) * | 1998-11-11 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for processing a substrate |
| US6833155B2 (en) | 1998-11-11 | 2004-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for processing a substrate |
| JP2007129005A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Athlete Fa Kk | 基板供給装置、基板巻取装置、基板処理システム、基板供給方法および基板巻取方法 |
| JP4699177B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2011-06-08 | アスリートＦａ株式会社 | 基板巻取装置および基板巻取方法 |
| WO2012118037A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 機能性フィルムの製造方法および製造装置 |
| KR101797243B1 (ko) | 2011-03-31 | 2017-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 연속 증착 장치 |
| JP2014205898A (ja) * | 2013-04-16 | 2014-10-30 | 東レエンジニアリング株式会社 | 真空製膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6602347B1 (en) | 2003-08-05 |
| US6833155B2 (en) | 2004-12-21 |
| US20030194482A1 (en) | 2003-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000204478A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| KR100269936B1 (ko) | 퇴적막형성방법및장치 | |
| JP5182610B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造装置 | |
| JP2009209381A (ja) | 成膜装置、ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 | |
| JP2002020863A (ja) | 堆積膜の形成方法及び形成装置、及び基板処理方法 | |
| JP2009049028A (ja) | 薄膜太陽電池の製造装置 | |
| JPH11236669A (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
| JP4949695B2 (ja) | 光電変換装置の製造装置および光電変換装置の製造方法 | |
| JP4562152B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP3754855B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2865971B2 (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JP4416569B2 (ja) | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 | |
| JP2801498B2 (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JP5169068B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造装置 | |
| JP2006028609A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| JP6624981B2 (ja) | 基材搬送処理装置 | |
| JP3578293B2 (ja) | 機能性堆積膜の連続的形成方法およびその装置 | |
| JP4857456B2 (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH09107116A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JP2011195899A (ja) | 成膜装置 | |
| JP2001036106A (ja) | 薄膜太陽電池の製造装置 | |
| JPH11131243A (ja) | 堆積膜の連続形成方法及び連続形成装置 | |
| JP2004068126A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2017155298A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH06260421A (ja) | 機能性堆積膜の連続形成方法および連続形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060502 |