JP2000285515A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2000285515A JP2000285515A JP11276329A JP27632999A JP2000285515A JP 2000285515 A JP2000285515 A JP 2000285515A JP 11276329 A JP11276329 A JP 11276329A JP 27632999 A JP27632999 A JP 27632999A JP 2000285515 A JP2000285515 A JP 2000285515A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ジッタ特性の悪化、信号の振幅の低下、バース
ト欠陥の発生などの繰り返しオーバーライトによる劣化
が少なく、保存耐久性に優れ、高線速、高密度の記録条
件においても良好な消去特性が得られ書換可能相変化光
記録媒体を提供すること。 【解決手段】記録層に光を照射することによって、情報
の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去
が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、基板上
に少なくとも記録層および反射層がこの順で積層されて
いる光記録媒体であって、記録層に接するように、元素
周期律表における第２周期から第６周期の３Ａ族から６
Ｂ族のいずれかに属する元素Ｍと窒素とが化合した物質
を必須成分として含有する層を設け、前記物質中の窒素
含有量が化学量論比未満であることを特徴とする光記録
媒体。
ト欠陥の発生などの繰り返しオーバーライトによる劣化
が少なく、保存耐久性に優れ、高線速、高密度の記録条
件においても良好な消去特性が得られ書換可能相変化光
記録媒体を提供すること。 【解決手段】記録層に光を照射することによって、情報
の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去
が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、基板上
に少なくとも記録層および反射層がこの順で積層されて
いる光記録媒体であって、記録層に接するように、元素
周期律表における第２周期から第６周期の３Ａ族から６
Ｂ族のいずれかに属する元素Ｍと窒素とが化合した物質
を必須成分として含有する層を設け、前記物質中の窒素
含有量が化学量論比未満であることを特徴とする光記録
媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相
変化型光記録媒体に関するものである。
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相
変化型光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。これらの光記録媒体
は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時
は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短
時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分
は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の
記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率
は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可
能である。また、消去時には、記録マーク部分にレーザ
ー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温
度に加熱することによって、アモルファス状態の記録マ
ークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
術は、以下のごときものである。これらの光記録媒体
は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時
は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短
時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分
は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の
記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率
は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可
能である。また、消去時には、記録マーク部分にレーザ
ー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温
度に加熱することによって、アモルファス状態の記録マ
ークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
【０００３】これらの書換可能相変化型光記録媒体の記
録層の材料としては、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5などの合金（N.Y
amada et al.Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1987 p
61-66）が知られている。これらＴｅ合金を記録層とし
た光記録媒体では、結晶化速度が速く、照射パワーを変
調するだけで、円形の１ビームによる高速のオーバーラ
イトが可能である。これらの記録層を使用した光記録媒
体では、通常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する
誘電体層をそれぞれ１層ずつ設け、記録時に記録層に変
形、開口が発生することを防いでいる。さらに、光ビー
ム入射方向と反対側の誘電体層に、光反射性のＡｌなど
の金属反射層を積層して設け、光学的な干渉効果により
再生時の信号コントラストを改善する技術が知られてい
る。
録層の材料としては、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5などの合金（N.Y
amada et al.Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1987 p
61-66）が知られている。これらＴｅ合金を記録層とし
た光記録媒体では、結晶化速度が速く、照射パワーを変
調するだけで、円形の１ビームによる高速のオーバーラ
イトが可能である。これらの記録層を使用した光記録媒
体では、通常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する
誘電体層をそれぞれ１層ずつ設け、記録時に記録層に変
形、開口が発生することを防いでいる。さらに、光ビー
ム入射方向と反対側の誘電体層に、光反射性のＡｌなど
の金属反射層を積層して設け、光学的な干渉効果により
再生時の信号コントラストを改善する技術が知られてい
る。
【０００４】前述の従来の書換可能相変化型光記録媒体
における課題は、以下のようなものである。すなわち、
従来のディスク構造では、オーバーライトの繰り返しに
伴い、ジッタ特性の悪化、セクター記録の開始端、終了
端の記録波形の劣化、信号の振幅の低下（コントラスト
の低下）などが生じる。この原因として記録層の物質移
動による記録層の膜厚の変化や、記録層に接する誘電体
層中の物質が記録層中に拡散し光学特性に変化をもたら
すことなどが考えられている。また、保護層のクラック
の成長によるバースト欠陥が生じることもある。
における課題は、以下のようなものである。すなわち、
従来のディスク構造では、オーバーライトの繰り返しに
伴い、ジッタ特性の悪化、セクター記録の開始端、終了
端の記録波形の劣化、信号の振幅の低下（コントラスト
の低下）などが生じる。この原因として記録層の物質移
動による記録層の膜厚の変化や、記録層に接する誘電体
層中の物質が記録層中に拡散し光学特性に変化をもたら
すことなどが考えられている。また、保護層のクラック
の成長によるバースト欠陥が生じることもある。
【０００５】記録層に接する誘電体層中の物質が記録層
中に拡散し光学特性に変化をもたらすことを防止するた
め、記録層に接する層としてＧｅ−Ｎを用いる技術（Ph
ase-Change Optical Disk Having a Nitride Interface
Layer, N.Yamada et al.Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37
p2104-2110 ）が知られているが、このままでは、すで
に信号が記録してあるディスクを長期間放置した後オー
バーライトを行うと（以降オーバーライトシェルフと呼
ぶ）、消去特性が低下し、ジッタ特性が悪化しエラーと
なってしまう問題や記録層とそれに接する層間の剥離に
より長期間放置後の記録再生特性の大幅な劣化がおきる
などの問題があった。このためディスクの保存耐久性に
難点があった。
中に拡散し光学特性に変化をもたらすことを防止するた
め、記録層に接する層としてＧｅ−Ｎを用いる技術（Ph
ase-Change Optical Disk Having a Nitride Interface
Layer, N.Yamada et al.Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37
p2104-2110 ）が知られているが、このままでは、すで
に信号が記録してあるディスクを長期間放置した後オー
バーライトを行うと（以降オーバーライトシェルフと呼
ぶ）、消去特性が低下し、ジッタ特性が悪化しエラーと
なってしまう問題や記録層とそれに接する層間の剥離に
より長期間放置後の記録再生特性の大幅な劣化がおきる
などの問題があった。このためディスクの保存耐久性に
難点があった。
【０００６】また 記録層に接する層としてＺｎＳとＳ
ｉＯ2の混合層を用いる技術が一般に広く知られている
（T.Ohta et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 19
89 p49-50 ）が、この技術にも上記と同様の問題があっ
た。
ｉＯ2の混合層を用いる技術が一般に広く知られている
（T.Ohta et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 19
89 p49-50 ）が、この技術にも上記と同様の問題があっ
た。
【０００７】さらには、より一層の高密度化、高速化が
求められる中で、相変化型光記録媒体においても高密度
化や高速化が検討されているが、これに伴い消去特性の
低下という問題が生じる。このことがマーク長記録にお
いては安定した記録、再生の障害となり、高密度化、高
線速化の達成を困難にしている。
求められる中で、相変化型光記録媒体においても高密度
化や高速化が検討されているが、これに伴い消去特性の
低下という問題が生じる。このことがマーク長記録にお
いては安定した記録、再生の障害となり、高密度化、高
線速化の達成を困難にしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、第１
にジッタ特性の悪化、セクターの始終端劣化、コントラ
ストの低下、バースト欠陥の発生などの、繰り返しオー
バーライトによる劣化が少ないこと、第２に優れたオー
バーライトシェルフ特性と優れた記録マークの長期保存
性（アーカイバル特性）が両立できること、第３に長期
間放置後の層間の剥離がないこと、第４に高線速、高密
度の記録条件においても消去特性が良好であることを特
徴とする書換可能相変化型光記録媒体を提供することに
ある。
にジッタ特性の悪化、セクターの始終端劣化、コントラ
ストの低下、バースト欠陥の発生などの、繰り返しオー
バーライトによる劣化が少ないこと、第２に優れたオー
バーライトシェルフ特性と優れた記録マークの長期保存
性（アーカイバル特性）が両立できること、第３に長期
間放置後の層間の剥離がないこと、第４に高線速、高密
度の記録条件においても消去特性が良好であることを特
徴とする書換可能相変化型光記録媒体を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は記録層に光を照
射することによって、情報の記録、消去、再生が可能で
あり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相
変化により行われ、基板上に少なくとも記録層および反
射層がこの順で積層されている光記録媒体であって、記
録層に接するように、元素周期律表における第２周期か
ら第６周期の３Ａ族から６Ｂ族のいずれかに属する元素
Ｍ１と窒素とが化合した物質を必須成分として含有する
層を設け、前記物質中の窒素含有量が化学量論比未満で
あることを特徴とする光記録媒体である。
射することによって、情報の記録、消去、再生が可能で
あり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相
変化により行われ、基板上に少なくとも記録層および反
射層がこの順で積層されている光記録媒体であって、記
録層に接するように、元素周期律表における第２周期か
ら第６周期の３Ａ族から６Ｂ族のいずれかに属する元素
Ｍ１と窒素とが化合した物質を必須成分として含有する
層を設け、前記物質中の窒素含有量が化学量論比未満で
あることを特徴とする光記録媒体である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明が解決しようとする課題で
ある繰り返しオーバーライトによる劣化、すなわちジッ
タ特性の悪化、セクタ始終端の劣化、振幅の低下は記録
層材料の物質移動や、誘電体層中の硫黄の記録層中への
拡散などが原因であると考えられている。また、オーバ
ーライトシェルフ特性の悪化は、消去特性の劣化が原因
である。これは、記録マーク（非晶層）を長時間放置す
ることにより、原子配列等の状態が変化するか、もしく
は誘電体層と記録層が反応するなどの理由が考えられ
る。さらにまた、高線速化、高密度化を実現するにあた
り、消去特性の低下という問題が生じるのは、記録層が
結晶化温度以上に保持される時間が短くなることなどが
原因であると考えられる。
ある繰り返しオーバーライトによる劣化、すなわちジッ
タ特性の悪化、セクタ始終端の劣化、振幅の低下は記録
層材料の物質移動や、誘電体層中の硫黄の記録層中への
拡散などが原因であると考えられている。また、オーバ
ーライトシェルフ特性の悪化は、消去特性の劣化が原因
である。これは、記録マーク（非晶層）を長時間放置す
ることにより、原子配列等の状態が変化するか、もしく
は誘電体層と記録層が反応するなどの理由が考えられ
る。さらにまた、高線速化、高密度化を実現するにあた
り、消去特性の低下という問題が生じるのは、記録層が
結晶化温度以上に保持される時間が短くなることなどが
原因であると考えられる。
【００１１】本発明者らは鋭意研究を行うことにより、
元素周期律表における第２周期から第６周期の３Ａ族か
ら６Ｂ族に属する元素Ｍ１と窒素の化合した物質からな
る層を記録層に接するように設け、この層中の元素Ｍ１
と窒素の組成比を特別に変化させることにより、繰り返
しオーバーライトによる劣化、オーバーライトシェルフ
特性の悪化、高線速、高密度における消去特性の低下な
どの問題が改良できることを見出した。
元素周期律表における第２周期から第６周期の３Ａ族か
ら６Ｂ族に属する元素Ｍ１と窒素の化合した物質からな
る層を記録層に接するように設け、この層中の元素Ｍ１
と窒素の組成比を特別に変化させることにより、繰り返
しオーバーライトによる劣化、オーバーライトシェルフ
特性の悪化、高線速、高密度における消去特性の低下な
どの問題が改良できることを見出した。
【００１２】すなわち、本発明の光記録媒体の構成部材
の代表的な層構成は、透明基板上に第１誘電体層、元素
周期律表における第２周期から第６周期の３Ａ族から６
Ｂ族に属する元素Ｍ１と窒素の化合した物質からなる
層、記録層、第２誘電体層、反射層をこの順に積層した
ものである。但しこれに限定するものではなく、例え
ば、さらに元素周期律表における第２周期から第６周期
の３Ａ族から６Ｂ族に属する元素Ｍ２と窒素の化合した
物質からなる層を、第２誘電体層の代わりに用いたり、
第２誘電体層と記録層の間の層としても好ましく用いる
ことができる。
の代表的な層構成は、透明基板上に第１誘電体層、元素
周期律表における第２周期から第６周期の３Ａ族から６
Ｂ族に属する元素Ｍ１と窒素の化合した物質からなる
層、記録層、第２誘電体層、反射層をこの順に積層した
ものである。但しこれに限定するものではなく、例え
ば、さらに元素周期律表における第２周期から第６周期
の３Ａ族から６Ｂ族に属する元素Ｍ２と窒素の化合した
物質からなる層を、第２誘電体層の代わりに用いたり、
第２誘電体層と記録層の間の層としても好ましく用いる
ことができる。
【００１３】本発明の光記録媒体では、元素周期律表に
おける第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属す
る元素Ｍ１と窒素の化合した物質からなる層中の窒素含
有量が化学量論比未満であることが必要である。元素Ｍ
１の濃度が記録層に近い側で高くなっていることが好ま
しい。これには以下のような効果がある。
おける第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属す
る元素Ｍ１と窒素の化合した物質からなる層中の窒素含
有量が化学量論比未満であることが必要である。元素Ｍ
１の濃度が記録層に近い側で高くなっていることが好ま
しい。これには以下のような効果がある。
【００１４】第１に、記録層の物質移動を抑制し、また
誘電体層から記録層への原子の拡散を防ぐことにより繰
り返しオーバーライトによる劣化を改良することができ
る。第２に、オーバーライトシェルフ特性の悪化を改良
できる。これは、長期間放置しても、記録マーク（非晶
質）の原子配列が変化したり誘電体層と記録層が反応し
たりすることを防ぐ効果があるためであると考えられ
る。第３に、長期間放置後にも記録層とそれに接する層
間の剥離が起きないようにすることができる。これは、
記録層に接する元素周期律表における第２周期から第６
周期の３Ａ族から６Ｂ族に属する元素Ｍ１と窒素の化合
した物質からなる層界面の元素Ｍの濃度を高めることに
より記録層との結合を強めることによりもたらされるも
のと考えられる。第４に、高線速、高密度の記録条件に
おける消去特性の低下を改善する。これは元素周期律表
における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属
する元素Ｍ１と窒素の化合した物質からなる層が結晶化
を促進する、もしくは阻害しないため、記録層が短時間
で結晶化できるようになるためであると考えられる。
誘電体層から記録層への原子の拡散を防ぐことにより繰
り返しオーバーライトによる劣化を改良することができ
る。第２に、オーバーライトシェルフ特性の悪化を改良
できる。これは、長期間放置しても、記録マーク（非晶
質）の原子配列が変化したり誘電体層と記録層が反応し
たりすることを防ぐ効果があるためであると考えられ
る。第３に、長期間放置後にも記録層とそれに接する層
間の剥離が起きないようにすることができる。これは、
記録層に接する元素周期律表における第２周期から第６
周期の３Ａ族から６Ｂ族に属する元素Ｍ１と窒素の化合
した物質からなる層界面の元素Ｍの濃度を高めることに
より記録層との結合を強めることによりもたらされるも
のと考えられる。第４に、高線速、高密度の記録条件に
おける消去特性の低下を改善する。これは元素周期律表
における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属
する元素Ｍ１と窒素の化合した物質からなる層が結晶化
を促進する、もしくは阻害しないため、記録層が短時間
で結晶化できるようになるためであると考えられる。
【００１５】元素Ｍ１としては異なる元素を混合して用
いてもよく、クロムもしくはゲルマニウムが上記の１か
ら４の効果において優れており、かつ容易に製造できと
いう点で好ましい。さらには、ゲルマニウムは上記１か
ら４の効果に優れるが高価であるため、クロムと混合し
て用いることが経済性の点から好ましい。
いてもよく、クロムもしくはゲルマニウムが上記の１か
ら４の効果において優れており、かつ容易に製造できと
いう点で好ましい。さらには、ゲルマニウムは上記１か
ら４の効果に優れるが高価であるため、クロムと混合し
て用いることが経済性の点から好ましい。
【００１６】元素周期律表における第２周期から第６周
期の３Ａ族から６Ｂ族に属する元素Ｍ１と窒素の化合し
た物質からなる層の記録層との界面の元素Ｍ１の濃度を
高めることは記録層との結合を強める効果や、記録層の
結晶化速度を高める効果があることから好ましいが、膜
の熱的、化学的安定性の点から窒素と化合を進めておく
ことが好ましい。そのため、膜厚方向での元素Ｍと窒素
の濃度分布において、記録層に接する側の元素Ｍ１の濃
度を高く、すなわち窒素濃度を低くし、記録層とは反対
側界面方向の元素Ｍ１の濃度を低く、すなわち窒素濃度
を高くすることが重要である。
期の３Ａ族から６Ｂ族に属する元素Ｍ１と窒素の化合し
た物質からなる層の記録層との界面の元素Ｍ１の濃度を
高めることは記録層との結合を強める効果や、記録層の
結晶化速度を高める効果があることから好ましいが、膜
の熱的、化学的安定性の点から窒素と化合を進めておく
ことが好ましい。そのため、膜厚方向での元素Ｍと窒素
の濃度分布において、記録層に接する側の元素Ｍ１の濃
度を高く、すなわち窒素濃度を低くし、記録層とは反対
側界面方向の元素Ｍ１の濃度を低く、すなわち窒素濃度
を高くすることが重要である。
【００１７】さらに本発明において、特に元素Ｍ１にク
ロムもしくはゲルマニウムを用いる場合は前述の効果と
して高いものを得るために、記録層に接する界面のクロ
ムもしくはゲルマニウムの原子数をｍr、窒素の原子数
をｎr、記録層とは反対側界面のゲルマニウムの原子数
をｍoと窒素の原子数をｎoとしたとき、５×ｍo／ｎo＞
ｍr／ｎr＞ ｍo／ｎoとすることが好ましい。クロム
もしくはゲルマニウムの原子数ｍと窒素の原子数ｎの比
は、剥離が起きにくいという観点からｍ＞ｎであること
が好ましい。さらには、繰り返し記録時にバーストエラ
ーが発生しにくいという点から０．６ｍ＞ｎがより好ま
しい。また、０．０１ｍ＞ｎでは、オーバーライト特性
が悪くなるため好ましくない。
ロムもしくはゲルマニウムを用いる場合は前述の効果と
して高いものを得るために、記録層に接する界面のクロ
ムもしくはゲルマニウムの原子数をｍr、窒素の原子数
をｎr、記録層とは反対側界面のゲルマニウムの原子数
をｍoと窒素の原子数をｎoとしたとき、５×ｍo／ｎo＞
ｍr／ｎr＞ ｍo／ｎoとすることが好ましい。クロム
もしくはゲルマニウムの原子数ｍと窒素の原子数ｎの比
は、剥離が起きにくいという観点からｍ＞ｎであること
が好ましい。さらには、繰り返し記録時にバーストエラ
ーが発生しにくいという点から０．６ｍ＞ｎがより好ま
しい。また、０．０１ｍ＞ｎでは、オーバーライト特性
が悪くなるため好ましくない。
【００１８】元素Ｍ１と窒素が化合した物質からなる層
の厚さとしては、連続膜が得やすいことや光学的な条件
を考慮して、０．５ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好まし
い。記録特性の観点から、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下で
あることがより好ましく、この範囲の中でも生産性や成
膜の容易さの点から、６ｎｍ以上であることがさらによ
り好ましい。
の厚さとしては、連続膜が得やすいことや光学的な条件
を考慮して、０．５ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好まし
い。記録特性の観点から、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下で
あることがより好ましく、この範囲の中でも生産性や成
膜の容易さの点から、６ｎｍ以上であることがさらによ
り好ましい。
【００１９】第１誘電体層の材質としては、記録光波長
において実質的に透明であり、かつその屈折率が、透明
基板の屈折率より大きく、記録層の屈折率より小さいも
のが好ましい。具体的にはＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、などの金属の酸化物の薄膜、
Ｓｉ、Ｇｅなどの窒化物の薄膜、Ｚｒ、Ｈｆなどの窒化
物の薄膜、およびこれらの化合物の混合物の膜が耐熱性
が高いことから好ましい。特に、ＺｎＳとＳｉＯ2の混
合物からなる膜は、繰り返しオーバーライトによる劣化
が起きにくいことから好ましい。特に、ＺｎＳとＳｉＯ
2 と炭素の混合物は、膜の残留応力が小さいこと、記
録、消去の繰り返しによっても、記録感度、キャリア対
ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの劣化が起きにくいこ
とからも好ましい。膜の厚さは光学的な条件や生産性の
点から、１０〜５００ｎｍが好ましい。
において実質的に透明であり、かつその屈折率が、透明
基板の屈折率より大きく、記録層の屈折率より小さいも
のが好ましい。具体的にはＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、などの金属の酸化物の薄膜、
Ｓｉ、Ｇｅなどの窒化物の薄膜、Ｚｒ、Ｈｆなどの窒化
物の薄膜、およびこれらの化合物の混合物の膜が耐熱性
が高いことから好ましい。特に、ＺｎＳとＳｉＯ2の混
合物からなる膜は、繰り返しオーバーライトによる劣化
が起きにくいことから好ましい。特に、ＺｎＳとＳｉＯ
2 と炭素の混合物は、膜の残留応力が小さいこと、記
録、消去の繰り返しによっても、記録感度、キャリア対
ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの劣化が起きにくいこ
とからも好ましい。膜の厚さは光学的な条件や生産性の
点から、１０〜５００ｎｍが好ましい。
【００２０】本発明の記録層としては、とくに限定する
ものではないが、Ｇｅ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金など
がある。多数回の記録の書換が可能であることから、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎ
ｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が好ましい。特
に、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数回
の記録に優れることから好ましい。
ものではないが、Ｇｅ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金など
がある。多数回の記録の書換が可能であることから、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎ
ｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が好ましい。特
に、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数回
の記録に優れることから好ましい。
【００２１】本発明の記録層の組成は、優れたオーバー
ライトシェルフ特性と優れた記録マークの長期保存性
（アーカイバル特性）を両立させるために、下記式
（Ｉ）からなることが好ましい。 ｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）x（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）1-x｝1-y-zＳｂyＡz （Ｉ） 式中、Ａは、元素周期律表における第２周期から第６周
期の３Ａ族から６Ｂ族に属するＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く
元素を表し、すなわちＡｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、
Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂから選ばれた少なくとも一
種を表す。
ライトシェルフ特性と優れた記録マークの長期保存性
（アーカイバル特性）を両立させるために、下記式
（Ｉ）からなることが好ましい。 ｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）x（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）1-x｝1-y-zＳｂyＡz （Ｉ） 式中、Ａは、元素周期律表における第２周期から第６周
期の３Ａ族から６Ｂ族に属するＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く
元素を表し、すなわちＡｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、
Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂから選ばれた少なくとも一
種を表す。
【００２２】また、式中、ｘ、ｙ、ｚは数を表し、かつ
次の関係を満たす。 ０．２≦ｘ≦０．８、０．０１≦ｙ≦０．０７、ｚ＝０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．８、０≦ｙ≦０．０７、０
＜ｚ≦０．２。
次の関係を満たす。 ０．２≦ｘ≦０．８、０．０１≦ｙ≦０．０７、ｚ＝０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．８、０≦ｙ≦０．０７、０
＜ｚ≦０．２。
【００２３】ｘ＜０．２では、コントラストが小さくな
り過ぎ、十分な信号強度を得られないことがあり、ｘ＞
０．８の場合は、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪
化し、線速５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長０．７μｍ以
下の条件で、ダイレクトオーバーライトが困難になるこ
とがある。ｚ＝０かつ、ｙ＜０．０１の場合は、アモル
ファスの安定性が低く、アーカイバル特性が悪くなる。
ｙ＞０．０７の場合、長期保存後のオーバーライトが困
難になることがある。ｚ＞０．２の場合、結晶化速度が
遅くなり、消去特性が悪化し、線速５ｍ／ｓ以上かつ最
短マーク長０．７μｍ以下の条件で、ダイレクトオーバ
ーライトが困難になったり、相分離により繰り返し特性
が大きく劣化したり、長期保存後のオーバーライトが困
難になることがあり、ｚ＝０の場合はアモルファスの安
定性が低く、アーカイバル特性が悪くなることがある。
り過ぎ、十分な信号強度を得られないことがあり、ｘ＞
０．８の場合は、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪
化し、線速５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長０．７μｍ以
下の条件で、ダイレクトオーバーライトが困難になるこ
とがある。ｚ＝０かつ、ｙ＜０．０１の場合は、アモル
ファスの安定性が低く、アーカイバル特性が悪くなる。
ｙ＞０．０７の場合、長期保存後のオーバーライトが困
難になることがある。ｚ＞０．２の場合、結晶化速度が
遅くなり、消去特性が悪化し、線速５ｍ／ｓ以上かつ最
短マーク長０．７μｍ以下の条件で、ダイレクトオーバ
ーライトが困難になったり、相分離により繰り返し特性
が大きく劣化したり、長期保存後のオーバーライトが困
難になることがあり、ｚ＝０の場合はアモルファスの安
定性が低く、アーカイバル特性が悪くなることがある。
【００２４】元素周期律表における第２周期から第６周
期の３Ａ族から６Ｂ族に属する元素Ｍ１と窒素の化合し
た物質からなる層を記録層に接するように設け、さらに
元素周期律表における第２周期から第６周期の３Ａ族か
ら６Ｂ族に属する元素Ｍ２と窒素の化合した物質からな
る層を記録層に接するように設けた場合は、記録層の結
晶化速度がより速くなり、アモルファスの安定特性が変
化するため、必要な組成範囲が、下記式（ＩＩ）の範囲
であることが好ましい。ここでＭ２はＭ１に使用可能な
元素と同じ範囲の元素から選択されるものであり、Ｍ２
はＭ１と同じであっても異なっていてもよい。 ｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）x（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）1-x｝1-y-zＳｂyＡz （ＩI） （式中、Ａは、元素周期律表における第２周期から第６
周期の３Ａ族から６Ｂ族に属するＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除
く元素を表し、ｘ、ｙ、ｚは数を表し、かつ次の関係を
満たす。 ０．２≦ｘ≦０．９５、０．０２≦ｙ≦０．０７、ｚ＝
０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０７、
０．００１≦ｚ≦０．２）ｘ＜０．２では、コントラス
トが小さくなり過ぎ、十分な信号強度を得られないこと
があり、ｘ＞０．８の場合は、結晶化速度が遅くなり、
消去特性が悪化し、線速５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長
０．７μｍ以下の条件で、ダイレクトオーバーライトが
困難になることがある。ｚ＝０かつ、ｙ＜０．０２の場
合は、アモルファスの安定性が低く、アーカイバル特性
が悪くなる。ｙ＞０．０７の場合、長期保存後のオーバ
ーライトが困難になることがある。ｚ＞０．２の場合、
結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、線速５ｍ／
ｓ以上かつ最短マーク長０．７μｍ以下の条件で、ダイ
レクトオーバーライトが困難になったり、相分離により
繰り返し特性が大きく劣化したり、長期保存後のオーバ
ーライトが困難になることがあり、ｚ≦０．００１の場
合はアモルファスの安定性が低く、アーカイバル特性が
悪くなることがある。
期の３Ａ族から６Ｂ族に属する元素Ｍ１と窒素の化合し
た物質からなる層を記録層に接するように設け、さらに
元素周期律表における第２周期から第６周期の３Ａ族か
ら６Ｂ族に属する元素Ｍ２と窒素の化合した物質からな
る層を記録層に接するように設けた場合は、記録層の結
晶化速度がより速くなり、アモルファスの安定特性が変
化するため、必要な組成範囲が、下記式（ＩＩ）の範囲
であることが好ましい。ここでＭ２はＭ１に使用可能な
元素と同じ範囲の元素から選択されるものであり、Ｍ２
はＭ１と同じであっても異なっていてもよい。 ｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）x（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）1-x｝1-y-zＳｂyＡz （ＩI） （式中、Ａは、元素周期律表における第２周期から第６
周期の３Ａ族から６Ｂ族に属するＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除
く元素を表し、ｘ、ｙ、ｚは数を表し、かつ次の関係を
満たす。 ０．２≦ｘ≦０．９５、０．０２≦ｙ≦０．０７、ｚ＝
０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０７、
０．００１≦ｚ≦０．２）ｘ＜０．２では、コントラス
トが小さくなり過ぎ、十分な信号強度を得られないこと
があり、ｘ＞０．８の場合は、結晶化速度が遅くなり、
消去特性が悪化し、線速５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長
０．７μｍ以下の条件で、ダイレクトオーバーライトが
困難になることがある。ｚ＝０かつ、ｙ＜０．０２の場
合は、アモルファスの安定性が低く、アーカイバル特性
が悪くなる。ｙ＞０．０７の場合、長期保存後のオーバ
ーライトが困難になることがある。ｚ＞０．２の場合、
結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、線速５ｍ／
ｓ以上かつ最短マーク長０．７μｍ以下の条件で、ダイ
レクトオーバーライトが困難になったり、相分離により
繰り返し特性が大きく劣化したり、長期保存後のオーバ
ーライトが困難になることがあり、ｚ≦０．００１の場
合はアモルファスの安定性が低く、アーカイバル特性が
悪くなることがある。
【００２５】また、上記記録層組成範囲と記録特性の関
係は、DVD Specifications for Rewritable Disc/ Part
1.Physical Specifications Ver. 1.0に記載されてい
る規格に則ったディスク及び評価方法に於いて、上記の
傾向がより明瞭に現れる。
係は、DVD Specifications for Rewritable Disc/ Part
1.Physical Specifications Ver. 1.0に記載されてい
る規格に則ったディスク及び評価方法に於いて、上記の
傾向がより明瞭に現れる。
【００２６】本発明の記録層の厚さとしては、５ｎｍ以
上４０ｎｍ以下であることが好ましい。記録層の厚さが
上記よりも薄い場合は、繰返しオーバーライトによる記
録特性の劣化が著しかったり、再生信号振幅を大きくす
ることが困難であったり、再生信号ノイズ比を大きくす
ることが困難であったりする傾向となり、また、記録層
の厚さが上記よりも厚い場合は、繰返しオーバーライト
による記録層の移動が起りやすくジッタの悪化が激しく
なる傾向となる。特に、マーク長記録を採用する場合
は、ピットポジション記録の場合に比べ、記録、消去に
よる記録層の移動が起こりやすく、これを防ぐため、記
録時の記録層の冷却をより大きくする必要があり、記録
層の厚さは１０ｎｍ〜３５ｎｍがより好ましく、キャリ
ア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの記録特性に優れ
ることから、より好ましくは１０ｎｍ〜２６ｎｍであ
る。
上４０ｎｍ以下であることが好ましい。記録層の厚さが
上記よりも薄い場合は、繰返しオーバーライトによる記
録特性の劣化が著しかったり、再生信号振幅を大きくす
ることが困難であったり、再生信号ノイズ比を大きくす
ることが困難であったりする傾向となり、また、記録層
の厚さが上記よりも厚い場合は、繰返しオーバーライト
による記録層の移動が起りやすくジッタの悪化が激しく
なる傾向となる。特に、マーク長記録を採用する場合
は、ピットポジション記録の場合に比べ、記録、消去に
よる記録層の移動が起こりやすく、これを防ぐため、記
録時の記録層の冷却をより大きくする必要があり、記録
層の厚さは１０ｎｍ〜３５ｎｍがより好ましく、キャリ
ア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの記録特性に優れ
ることから、より好ましくは１０ｎｍ〜２６ｎｍであ
る。
【００２７】本発明の第２誘電体層の材質は、第１誘電
体層の材料としてあげたものと同様のものでも良いし、
異種の材料であってもよい。厚さは、３ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下が好ましい。第２誘電体層の厚さが上記より薄い
と、クラック、穴等の欠陥を生じ、繰り返し耐久性が低
下する傾向となり、また、第２誘電体層の厚さが、上記
より厚いと記録層の冷却度が低くなる傾向となる。第２
誘電体層の厚さは記録層の冷却に関し、より直接的に影
響が大きく、より良好な消去特性や、繰り返し耐久性を
得るために、また、特にマーク長記録の場合に良好な記
録・消去特性を得るために、３０ｎｍ以下がより効果的
である。光を吸収し、記録、消去に効率的に熱エネルギ
ーとして用いることができることから、透明でない材料
から形成されることも好ましい。例えば、ＺｎＳとＳｉ
Ｏ2と炭素の混合物は、膜の残留応力が小さいこと、記
録、消去の繰り返しによっても、記録感度、キャリア対
ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの劣化が起きにくいこ
とからも好ましい。
体層の材料としてあげたものと同様のものでも良いし、
異種の材料であってもよい。厚さは、３ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下が好ましい。第２誘電体層の厚さが上記より薄い
と、クラック、穴等の欠陥を生じ、繰り返し耐久性が低
下する傾向となり、また、第２誘電体層の厚さが、上記
より厚いと記録層の冷却度が低くなる傾向となる。第２
誘電体層の厚さは記録層の冷却に関し、より直接的に影
響が大きく、より良好な消去特性や、繰り返し耐久性を
得るために、また、特にマーク長記録の場合に良好な記
録・消去特性を得るために、３０ｎｍ以下がより効果的
である。光を吸収し、記録、消去に効率的に熱エネルギ
ーとして用いることができることから、透明でない材料
から形成されることも好ましい。例えば、ＺｎＳとＳｉ
Ｏ2と炭素の混合物は、膜の残留応力が小さいこと、記
録、消去の繰り返しによっても、記録感度、キャリア対
ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの劣化が起きにくいこ
とからも好ましい。
【００２８】反射層の材質としては、光反射性を有する
金属、合金、および金属と金属化合物の混合物などがあ
げられる。具体的には、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの
高反射率の金属や、それを主成分とした合金、Ａｌ、Ｓ
ｉなどの窒化物、酸化物、カルコゲン化物などの金属化
合物が好ましい。Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこ
れらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝
導率を高くできることから特に好ましい。特に、材料の
価格が安くできることから、ＡｌやＡｇを主成分とする
合金が好ましい。Ａｌを主成分とする場合は、耐腐食性
が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚ
ｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種以上の金属
を合計で０．５原子％以上５原子％以下添加した合金が
好ましい。さらに、耐腐食性が良好でかつヒロックなど
の発生が起こりにくいことから、添加元素を合計で０．
５原子％以上５原子％未満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合
金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈ
ｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ
−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを
主成分とする合金で構成することが好ましい。これらＡ
ｌ合金のうちでも、次式で表される組成を有するＡｌ−
Ｈｆ−Ｐｄ合金は、特に優れた熱安定性を有するため、
多数回の記録、消去の繰り返しにおいて、記録特性の劣
化を少なくすることができる。 ＰｄjＨｆkＡｌ1-j-k ０．００１＜ｊ＜０．０１ ０．００５＜ｋ＜０．１０ ここで、ｊ、ｋは各元素の原子の数（各元素のモル数）
を表す。
金属、合金、および金属と金属化合物の混合物などがあ
げられる。具体的には、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの
高反射率の金属や、それを主成分とした合金、Ａｌ、Ｓ
ｉなどの窒化物、酸化物、カルコゲン化物などの金属化
合物が好ましい。Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこ
れらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝
導率を高くできることから特に好ましい。特に、材料の
価格が安くできることから、ＡｌやＡｇを主成分とする
合金が好ましい。Ａｌを主成分とする場合は、耐腐食性
が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚ
ｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種以上の金属
を合計で０．５原子％以上５原子％以下添加した合金が
好ましい。さらに、耐腐食性が良好でかつヒロックなど
の発生が起こりにくいことから、添加元素を合計で０．
５原子％以上５原子％未満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合
金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈ
ｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ
−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを
主成分とする合金で構成することが好ましい。これらＡ
ｌ合金のうちでも、次式で表される組成を有するＡｌ−
Ｈｆ−Ｐｄ合金は、特に優れた熱安定性を有するため、
多数回の記録、消去の繰り返しにおいて、記録特性の劣
化を少なくすることができる。 ＰｄjＨｆkＡｌ1-j-k ０．００１＜ｊ＜０．０１ ０．００５＜ｋ＜０．１０ ここで、ｊ、ｋは各元素の原子の数（各元素のモル数）
を表す。
【００２９】上述した反射層の厚さとしては、いずれの
合金からなる場合にもおおむね１０ｎｍ以上３００ｎｍ
以下、さらに好ましくは３０〜２００ｎｍとするのが好
しい。
合金からなる場合にもおおむね１０ｎｍ以上３００ｎｍ
以下、さらに好ましくは３０〜２００ｎｍとするのが好
しい。
【００３０】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行うことが好まし
く、このような透明基板材料としては、ガラス、ポリカ
ーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフ
ィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげら
れる。特に、光学的複屈折率が小さく、吸湿性が小さ
く、成形が容易であることからポリカーボネート樹脂、
アモルファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行うことが好まし
く、このような透明基板材料としては、ガラス、ポリカ
ーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフ
ィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげら
れる。特に、光学的複屈折率が小さく、吸湿性が小さ
く、成形が容易であることからポリカーボネート樹脂、
アモルファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
【００３１】基板の厚さとしては、特に限定されるもの
ではないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。
０．０１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビームで
記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ
をこえる場合は、対物レンズの開口数を大きくすること
が困難になり、照射光ビームスポットサイズが大きくな
るため、記録密度を上げることが困難になる。
ではないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。
０．０１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビームで
記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ
をこえる場合は、対物レンズの開口数を大きくすること
が困難になり、照射光ビームスポットサイズが大きくな
るため、記録密度を上げることが困難になる。
【００３２】基板はフレキシブルなものであってもよい
し、リジットなものであっても良い。フレキシブルな基
板は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジ
ットな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用す
る。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、
２枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアー
インシデント構造、密着張合わせ構造としてもよい。
し、リジットなものであっても良い。フレキシブルな基
板は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジ
ットな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用す
る。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、
２枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアー
インシデント構造、密着張合わせ構造としてもよい。
【００３３】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
があげられ、特に半導体レーザー光は、光源が小型化で
きること、消費電力が小さいこと、変調が容易であるこ
とから好ましい。
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
があげられ、特に半導体レーザー光は、光源が小型化で
きること、消費電力が小さいこと、変調が容易であるこ
とから好ましい。
【００３４】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。あるいは、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の
記録マークを形成しても良い。消去はレーザー光照射に
よって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、も
しくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行
うことができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の
変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記
録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好まし
い。また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時は
やや弱くし、１回の光ビームの照射により書換を行う１
ビーム・オーバーライトは、書換の所用時間が短くなる
ことから好ましい。
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。あるいは、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の
記録マークを形成しても良い。消去はレーザー光照射に
よって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、も
しくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行
うことができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の
変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記
録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好まし
い。また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時は
やや弱くし、１回の光ビームの照射により書換を行う１
ビーム・オーバーライトは、書換の所用時間が短くなる
ことから好ましい。
【００３５】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。第１誘電体層、クロムもしくはゲルマニウ
ムと窒素の化合物からなる層、記録層、第２誘電体層、
反射層などを基板上に形成する方法としては、真空中で
の薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティン
グ法、スパッタリング法などがあげられる。特に組成、
膜厚のコントロールが容易であることから、スパッタリ
ング法が好ましい。また、ターゲットと真空槽内に導入
したガスとを反応させる反応性スパッタリングは層厚さ
方向の組成制御を行いやすくすることができるため、好
ましく用いることができる。反応性スパッタリングにお
いて、ゲルマニウムターゲットやクロムターゲットを用
いて窒素ガスと反応させて層を形成する場合、膜堆積中
に真空槽内の窒素分圧や、ターゲットへの投入電力を時
間的に変化させること方法やこれらを一定にしながらも
膜成長表面での窒素との反応量を実効的に時間的に変化
させる高速堆積法などにより、膜厚方向でのクロムもし
くはゲルマニウムと窒素量比を変化させることができ
る。また、ゲルマニウムターゲットやクロムターゲット
を用いて成膜を行う場合、ターゲットに導電性があるた
め装置コスト高周波電源を用いる場合より低くできる直
流電源を用いることができる。形成する記録層などの厚
さの制御は、水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
いて述べる。第１誘電体層、クロムもしくはゲルマニウ
ムと窒素の化合物からなる層、記録層、第２誘電体層、
反射層などを基板上に形成する方法としては、真空中で
の薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティン
グ法、スパッタリング法などがあげられる。特に組成、
膜厚のコントロールが容易であることから、スパッタリ
ング法が好ましい。また、ターゲットと真空槽内に導入
したガスとを反応させる反応性スパッタリングは層厚さ
方向の組成制御を行いやすくすることができるため、好
ましく用いることができる。反応性スパッタリングにお
いて、ゲルマニウムターゲットやクロムターゲットを用
いて窒素ガスと反応させて層を形成する場合、膜堆積中
に真空槽内の窒素分圧や、ターゲットへの投入電力を時
間的に変化させること方法やこれらを一定にしながらも
膜成長表面での窒素との反応量を実効的に時間的に変化
させる高速堆積法などにより、膜厚方向でのクロムもし
くはゲルマニウムと窒素量比を変化させることができ
る。また、ゲルマニウムターゲットやクロムターゲット
を用いて成膜を行う場合、ターゲットに導電性があるた
め装置コスト高周波電源を用いる場合より低くできる直
流電源を用いることができる。形成する記録層などの厚
さの制御は、水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
【００３６】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層を形成した後、傷、変形の防止など
のため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物
などの誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの保護層な
どを必要に応じて設けてもよい。
囲において、反射層を形成した後、傷、変形の防止など
のため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物
などの誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの保護層な
どを必要に応じて設けてもよい。
【００３７】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 （分析，測定方法）反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発
光分析（セイコー電子工業（株）製、ＳＰＳ４０００）
により確認した。クロムもしくはゲルマニウムと窒素の
化合物からなる層の層厚さ方向の組成分布はＸ線光電子
分光分析（ＳＳＩ社製、ＳＳＸ−１００）により調べ
た。記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚は、水晶
振動子膜厚計によりモニターした。また各層の厚さは、
走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察すること
により測定した。
光分析（セイコー電子工業（株）製、ＳＰＳ４０００）
により確認した。クロムもしくはゲルマニウムと窒素の
化合物からなる層の層厚さ方向の組成分布はＸ線光電子
分光分析（ＳＳＩ社製、ＳＳＸ−１００）により調べ
た。記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚は、水晶
振動子膜厚計によりモニターした。また各層の厚さは、
走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察すること
により測定した。
【００３８】スパッタリングにより成膜した光記録媒体
は、記録を行う前にあらかじめ波長８３０ｎｍの半導体
レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期
化した。次に、記録トラックに線速度６ｍ／秒の条件
で、対物レンズの開口数０．６、半導体レーザの波長６
６０ｎｍの光学ヘッドを有する光ディスク評価装置を使
用して、８／１６変調のランダムパターンをマーク長記
録によって１万回オーバーライトした。この時、記録レ
ーザー波形は、マルチパルスを用いた。また、この時の
ウィンドウ幅は、３４ｎｓとした（この場合の最短マー
ク長は０．６３μｍであった）。記録パワー、消去パワ
ーは各ディスクで最適なパワーにした。
は、記録を行う前にあらかじめ波長８３０ｎｍの半導体
レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期
化した。次に、記録トラックに線速度６ｍ／秒の条件
で、対物レンズの開口数０．６、半導体レーザの波長６
６０ｎｍの光学ヘッドを有する光ディスク評価装置を使
用して、８／１６変調のランダムパターンをマーク長記
録によって１万回オーバーライトした。この時、記録レ
ーザー波形は、マルチパルスを用いた。また、この時の
ウィンドウ幅は、３４ｎｓとした（この場合の最短マー
ク長は０．６３μｍであった）。記録パワー、消去パワ
ーは各ディスクで最適なパワーにした。
【００３９】ジッタはタイムインターバルアナライザに
より測定した。信号波形の振幅の低下、バースト欠陥の
有無はオシロスコープにより観察した。
より測定した。信号波形の振幅の低下、バースト欠陥の
有無はオシロスコープにより観察した。
【００４０】（実施例１）毎分３０回転で回転させてい
る、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．４８μｍピッ
チの案内溝付きのポリカーボネート製基板（ランド幅
０．７４μｍ、グルーブ幅０．７４μｍ）上に、以下の
スパッタリング成膜を行った。まず、真空容器内を１×
１０-3Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス
零囲気中でＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをス
パッタし、基板上に膜厚９５ｎｍの第１誘電体層を形成
した。次にＮ2ガスを５０％混合したＡｒガス雰囲気中
でクロムをスパッタし、厚さ２ｎｍのクロムと窒素から
なる層を形成した。続いて、第１誘電体層と同様の条件
で、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットをスパッ
タして、厚さ１９ｎｍの組成Ｇｅ17.1Ｓｂ27.6Ｔｅ55.3
［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0.349（Ｓｂ0.4Ｔｅ
0.6）0.651｝0.979Ｓｂ0.021］の記録層を得た。さらに
第２誘電体層として第１誘電体層と同じＺｎＳ・ＳｉＯ
2を１５ｎｍ形成し、この上にＡl97.5Ｃｒ2.5合金をス
パッタして膜厚１１０ｎｍの反射層を形成した。このデ
ィスクを真空容器より取り出した後、この反射層上にア
クリル系紫外線硬化樹脂（大日本インキ（株）製ＳＤ−
１０１）をスピンコートし、紫外線照射により硬化させ
て膜厚３μｍの樹脂層を形成し、次にスクリーン印刷機
を用いて遅効性の紫外線効果効果樹脂を塗布し、紫外線
を照射した後、同様に作製したディスク２枚を貼り合わ
せて本発明の光記録媒体を得た。
る、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．４８μｍピッ
チの案内溝付きのポリカーボネート製基板（ランド幅
０．７４μｍ、グルーブ幅０．７４μｍ）上に、以下の
スパッタリング成膜を行った。まず、真空容器内を１×
１０-3Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス
零囲気中でＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをス
パッタし、基板上に膜厚９５ｎｍの第１誘電体層を形成
した。次にＮ2ガスを５０％混合したＡｒガス雰囲気中
でクロムをスパッタし、厚さ２ｎｍのクロムと窒素から
なる層を形成した。続いて、第１誘電体層と同様の条件
で、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットをスパッ
タして、厚さ１９ｎｍの組成Ｇｅ17.1Ｓｂ27.6Ｔｅ55.3
［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0.349（Ｓｂ0.4Ｔｅ
0.6）0.651｝0.979Ｓｂ0.021］の記録層を得た。さらに
第２誘電体層として第１誘電体層と同じＺｎＳ・ＳｉＯ
2を１５ｎｍ形成し、この上にＡl97.5Ｃｒ2.5合金をス
パッタして膜厚１１０ｎｍの反射層を形成した。このデ
ィスクを真空容器より取り出した後、この反射層上にア
クリル系紫外線硬化樹脂（大日本インキ（株）製ＳＤ−
１０１）をスピンコートし、紫外線照射により硬化させ
て膜厚３μｍの樹脂層を形成し、次にスクリーン印刷機
を用いて遅効性の紫外線効果効果樹脂を塗布し、紫外線
を照射した後、同様に作製したディスク２枚を貼り合わ
せて本発明の光記録媒体を得た。
【００４１】このディスクのクロムと窒素からなる層の
厚さ方向の組成分布を調べたところ、クロムと窒素の原
子組成比は記録層界面付近で８：２では、第１誘電体層
界面付近では８：３であった。
厚さ方向の組成分布を調べたところ、クロムと窒素の原
子組成比は記録層界面付近で８：２では、第１誘電体層
界面付近では８：３であった。
【００４２】１万回オーバーライト後のジッタを測定し
たところ、３．０６ｎｓであり、ウインドウ幅の９％と
実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１０回
オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化が
なく、バースト欠陥も見られなかった。また、このディ
スクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレートを
測定したところ２．５×１０-5であった。記録した状態
のまま、大気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、３．０×１０-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、４．１×１０-5とほとんど変化がない
ことが確認できた。この時のジッタは、３．４２ｎｓと
ウィンドウ幅の１０％と良好な値であった。層間剥離が
発生していないことも目視で確認した。
たところ、３．０６ｎｓであり、ウインドウ幅の９％と
実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１０回
オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化が
なく、バースト欠陥も見られなかった。また、このディ
スクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレートを
測定したところ２．５×１０-5であった。記録した状態
のまま、大気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、３．０×１０-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、４．１×１０-5とほとんど変化がない
ことが確認できた。この時のジッタは、３．４２ｎｓと
ウィンドウ幅の１０％と良好な値であった。層間剥離が
発生していないことも目視で確認した。
【００４３】（比較例１）クロムをＮ2ガスを５０％混
合したＡｒガス雰囲気中でスパッタする代わりに、Ｃｒ
ＮをＡｒガスでスパッタした以外は実施例１と同様にし
てディスクを作製した。このディスクのクロムと窒素か
らなる層の組成比はクロムと窒素でほぼ１：１であり、
膜厚さ方向の組成分布は一定であった。このディスクを
大気中、８０℃の条件で１００時間放置したところ、層
間剥離が認められた。
合したＡｒガス雰囲気中でスパッタする代わりに、Ｃｒ
ＮをＡｒガスでスパッタした以外は実施例１と同様にし
てディスクを作製した。このディスクのクロムと窒素か
らなる層の組成比はクロムと窒素でほぼ１：１であり、
膜厚さ方向の組成分布は一定であった。このディスクを
大気中、８０℃の条件で１００時間放置したところ、層
間剥離が認められた。
【００４４】（実施例２）クロムをスパッタして作製し
た層の厚さを１０ｎｍとした他は実施例１と同様にして
ディスクを作製した。１万回オーバーライト後のジッタ
を測定したところ、３．１６ｎｓであり、ウインドウ幅
の９．３％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振
幅は、１０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほ
とんど変化がなく、バースト欠陥も見られなかった。
た層の厚さを１０ｎｍとした他は実施例１と同様にして
ディスクを作製した。１万回オーバーライト後のジッタ
を測定したところ、３．１６ｎｓであり、ウインドウ幅
の９．３％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振
幅は、１０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほ
とんど変化がなく、バースト欠陥も見られなかった。
【００４５】また、このディスクに１回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測定したところ２．８×１
０-5であった。記録した状態のまま、大気中、８０℃の
条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、３．３×１０-5とほと
んど変化がなかった。さらに、この部分を１回オーバー
ライトしたところ、バイトエラーレートは、４．８×１
０-5とほとんど変化がないことが確認できた。この時の
ジッタは、３．５７ｎｓとウィンドウ幅の１０．５％と
良好な値であった。層間剥離が発生していないことも目
視で確認した。クロムと窒素からなる層の厚さ方向の組
成分布を調べたところ、クロムと窒素の原子組成比は記
録層界面付近で８：２で、第１誘電体層界面付近では
８：３であった。
の時のバイトエラーレートを測定したところ２．８×１
０-5であった。記録した状態のまま、大気中、８０℃の
条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、３．３×１０-5とほと
んど変化がなかった。さらに、この部分を１回オーバー
ライトしたところ、バイトエラーレートは、４．８×１
０-5とほとんど変化がないことが確認できた。この時の
ジッタは、３．５７ｎｓとウィンドウ幅の１０．５％と
良好な値であった。層間剥離が発生していないことも目
視で確認した。クロムと窒素からなる層の厚さ方向の組
成分布を調べたところ、クロムと窒素の原子組成比は記
録層界面付近で８：２で、第１誘電体層界面付近では
８：３であった。
【００４６】（実施例３）クロムをスパッタして形成し
た層の厚さを２０ｎｍとした他は実施例１と同様にして
ディスクを作製した。１万回オーバーライト後のジッタ
を測定したところ、３．１９ｎｓであり、ウインドウ幅
の９．４％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振
幅は、１０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほ
とんど変化がなく、バースト欠陥も見られなかった。
た層の厚さを２０ｎｍとした他は実施例１と同様にして
ディスクを作製した。１万回オーバーライト後のジッタ
を測定したところ、３．１９ｎｓであり、ウインドウ幅
の９．４％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振
幅は、１０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほ
とんど変化がなく、バースト欠陥も見られなかった。
【００４７】また、このディスクに１回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測定したところ２．５×１
０-5であった。記録した状態のまま、大気中、８０℃の
条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、３．５×１０-5とほと
んど変化がなかった。さらに、この部分を１回オーバー
ライトしたところ、バイトエラーレートは、４．８×１
０-5とほとんど変化がないことが確認できた。この時の
ジッタは、３．６７ｎｓとウィンドウ幅の１０．８％と
良好な値であった。層間剥離が発生していないことも目
視で確認した。このディスクのクロムと窒素からなる層
の厚さ方向の組成分布を調べたところ、クロムと窒素の
原子組成比は記録層界面付近で８：３．５で、第１誘電
体層界面付近では８：３であった。
の時のバイトエラーレートを測定したところ２．５×１
０-5であった。記録した状態のまま、大気中、８０℃の
条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、３．５×１０-5とほと
んど変化がなかった。さらに、この部分を１回オーバー
ライトしたところ、バイトエラーレートは、４．８×１
０-5とほとんど変化がないことが確認できた。この時の
ジッタは、３．６７ｎｓとウィンドウ幅の１０．８％と
良好な値であった。層間剥離が発生していないことも目
視で確認した。このディスクのクロムと窒素からなる層
の厚さ方向の組成分布を調べたところ、クロムと窒素の
原子組成比は記録層界面付近で８：３．５で、第１誘電
体層界面付近では８：３であった。
【００４８】（実施例４）クロムの代わりにゲルマニウ
ムを用いて層を形成した他は、実施例１とほぼ同様にし
てディスクを作製した。１万回オーバーライト後のジッ
タを測定したところ、３．０３ｎｓであり、ウインドウ
幅の８．９％と実用上十分小さいと確認できた。信号の
振幅は、１０回オーバーライト後の信号の振幅と比べて
ほとんど変化がなく、バースト欠陥も見られなかった。
ムを用いて層を形成した他は、実施例１とほぼ同様にし
てディスクを作製した。１万回オーバーライト後のジッ
タを測定したところ、３．０３ｎｓであり、ウインドウ
幅の８．９％と実用上十分小さいと確認できた。信号の
振幅は、１０回オーバーライト後の信号の振幅と比べて
ほとんど変化がなく、バースト欠陥も見られなかった。
【００４９】また、このディスクに１回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測定したところ２．３×１
０-5であった。記録した状態のまま、大気中、８０℃の
条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、２．３×１０-5と変化
がなかった。さらに、この部分を１回オーバーライトし
たところ、バイトエラーレートは、４．３×１０-5とほ
とんど変化がないことが確認できた。この時のジッタ
は、３．３３ｎｓとウィンドウ幅の９．８％と良好な値
であった。層間剥離が発生していないことも目視で確認
した。このディスクのゲルマニウムと窒素からなる層の
厚さ方向の組成分布を調べたところ、ゲルマニウムと窒
素の原子組成比は記録層界面付近で７：２で、保護層界
面付近では７：３であった。
の時のバイトエラーレートを測定したところ２．３×１
０-5であった。記録した状態のまま、大気中、８０℃の
条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、２．３×１０-5と変化
がなかった。さらに、この部分を１回オーバーライトし
たところ、バイトエラーレートは、４．３×１０-5とほ
とんど変化がないことが確認できた。この時のジッタ
は、３．３３ｎｓとウィンドウ幅の９．８％と良好な値
であった。層間剥離が発生していないことも目視で確認
した。このディスクのゲルマニウムと窒素からなる層の
厚さ方向の組成分布を調べたところ、ゲルマニウムと窒
素の原子組成比は記録層界面付近で７：２で、保護層界
面付近では７：３であった。
【００５０】（実施例５）ゲルマニウムをスパッタして
形成した層の厚さ８ｎｍとした他は実施例４と同様にし
てディスクを作製した。１万回オーバーライト後のジッ
タを測定したところ、２．９９ｎｓとウインドウ幅の
８．８％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅
は、１０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほと
んど変化がなく、バースト欠陥も見られなかった。
形成した層の厚さ８ｎｍとした他は実施例４と同様にし
てディスクを作製した。１万回オーバーライト後のジッ
タを測定したところ、２．９９ｎｓとウインドウ幅の
８．８％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅
は、１０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほと
んど変化がなく、バースト欠陥も見られなかった。
【００５１】また、このディスクに１回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測定したところ２．４×１
０-5であった。記録した状態のまま、大気中、８０℃の
条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、２．４×１０-5と変化
がなかった。さらに、この部分を１回オーバーライトし
たところ、バイトエラーレートは、４．１×１０-5とほ
とんど変化がないことが確認できた。この時のジッタ
は、３．３４ｎｓとウィンドウ幅の９．８％と良好な値
であった。層間剥離が発生していないことも目視で確認
した。このディスクのゲルマニウムと窒素からなる層の
厚さ方向の組成分布を調べたところ、ゲルマニウムと窒
素の原子組成比は記録層界面付近で７：２で、第１誘電
体層界面付近では７：３であった。
の時のバイトエラーレートを測定したところ２．４×１
０-5であった。記録した状態のまま、大気中、８０℃の
条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、２．４×１０-5と変化
がなかった。さらに、この部分を１回オーバーライトし
たところ、バイトエラーレートは、４．１×１０-5とほ
とんど変化がないことが確認できた。この時のジッタ
は、３．３４ｎｓとウィンドウ幅の９．８％と良好な値
であった。層間剥離が発生していないことも目視で確認
した。このディスクのゲルマニウムと窒素からなる層の
厚さ方向の組成分布を調べたところ、ゲルマニウムと窒
素の原子組成比は記録層界面付近で７：２で、第１誘電
体層界面付近では７：３であった。
【００５２】（実施例６）毎分３０回転で回転させてい
る、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．４８μｍピッ
チの案内溝付きのポリカーボネート製基板（ランド幅
０．７４μｍ、グルーブ幅０．７４μｍ）上に、以下の
スパッタリング成膜を行った。まず、真空容器内を１×
１０-3Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス
零囲気中でＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをス
パッタし、基板上に膜厚９５ｎｍの第１誘電体層を形成
した。次にＮ2ガスを４０％混合したＡｒガス雰囲気中
でクロムペレットを載せたゲルマニウムターゲットをス
パッタし、厚さ８ｎｍのゲルマニウムとクロムと窒素か
らなる層を形成した。続いて、第１誘電体層と同様の条
件で、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットをスパ
ッタして、厚さ１９ｎｍの組成Ｇｅ17.1Ｓｂ27.6Ｔｅ
55.3の記録層を得た。さらに第２誘電体層として第１誘
電体層と同じＺｎＳ・ＳｉＯ2を１５ｎｍ形成し、この
上にＡl97.5Ｃｒ2.5合金をスパッタして膜厚１１０ｎｍ
の反射層を形成した。このディスクを真空容器より取り
出した後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂
（大日本インキ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコート
し、紫外線照射により硬化させて膜厚３μｍの樹脂層を
形成し、次にスクリーン印刷機を用いて遅効性の紫外線
効果効果樹脂を塗布し、紫外線を照射した後、同様に作
製したディスク２枚を貼り合わせて本発明の光記録媒体
を得た。
る、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．４８μｍピッ
チの案内溝付きのポリカーボネート製基板（ランド幅
０．７４μｍ、グルーブ幅０．７４μｍ）上に、以下の
スパッタリング成膜を行った。まず、真空容器内を１×
１０-3Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス
零囲気中でＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをス
パッタし、基板上に膜厚９５ｎｍの第１誘電体層を形成
した。次にＮ2ガスを４０％混合したＡｒガス雰囲気中
でクロムペレットを載せたゲルマニウムターゲットをス
パッタし、厚さ８ｎｍのゲルマニウムとクロムと窒素か
らなる層を形成した。続いて、第１誘電体層と同様の条
件で、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットをスパ
ッタして、厚さ１９ｎｍの組成Ｇｅ17.1Ｓｂ27.6Ｔｅ
55.3の記録層を得た。さらに第２誘電体層として第１誘
電体層と同じＺｎＳ・ＳｉＯ2を１５ｎｍ形成し、この
上にＡl97.5Ｃｒ2.5合金をスパッタして膜厚１１０ｎｍ
の反射層を形成した。このディスクを真空容器より取り
出した後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂
（大日本インキ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコート
し、紫外線照射により硬化させて膜厚３μｍの樹脂層を
形成し、次にスクリーン印刷機を用いて遅効性の紫外線
効果効果樹脂を塗布し、紫外線を照射した後、同様に作
製したディスク２枚を貼り合わせて本発明の光記録媒体
を得た。
【００５３】１万回オーバーライト後のジッタを測定し
たところ、３．０６ｎｓとウインドウ幅の９％と実用上
十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１０回オーバ
ーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化がなく、
バースト欠陥も見られなかった。
たところ、３．０６ｎｓとウインドウ幅の９％と実用上
十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１０回オーバ
ーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化がなく、
バースト欠陥も見られなかった。
【００５４】また、このディスクに１回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測定したところ２．３×１
０-5であった。記録した状態のまま、大気中、８０℃の
条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、２．３×１０-5と変化
がなかった。さらに、この部分を１回オーバーライトし
たところ、バイトエラーレートは、４．０×１０-5とほ
とんど変化がないことが確認できた。この時のジッタ
は、３．３９ｎｓであり、ウィンドウ幅の１０％と良好
な値であった。層間剥離が発生していないことも目視で
確認した。
の時のバイトエラーレートを測定したところ２．３×１
０-5であった。記録した状態のまま、大気中、８０℃の
条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、２．３×１０-5と変化
がなかった。さらに、この部分を１回オーバーライトし
たところ、バイトエラーレートは、４．０×１０-5とほ
とんど変化がないことが確認できた。この時のジッタ
は、３．３９ｎｓであり、ウィンドウ幅の１０％と良好
な値であった。層間剥離が発生していないことも目視で
確認した。
【００５５】このディスクのゲルマニウムとクロムと窒
素からなる層の厚さ方向の組成分布を調べたところ、ゲ
ルマニウムとクロムと窒素の原子組成比は記録層界面付
近で２０：５：３で、第１誘電体層界面付近では２０：
５：５であった。
素からなる層の厚さ方向の組成分布を調べたところ、ゲ
ルマニウムとクロムと窒素の原子組成比は記録層界面付
近で２０：５：３で、第１誘電体層界面付近では２０：
５：５であった。
【００５６】（実施例７）記録層の組成をＧｅ19.1Ｓｂ
26.9Ｔｅ54.0［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）
0. 396（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.604｝0.964Ｓｂ0.036］とし
た以外は実施例６と同様にしてディスクを作製し、記録
特性の評価を行ったところ、実施例６とほぼ同様の結果
を得た。
26.9Ｔｅ54.0［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）
0. 396（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.604｝0.964Ｓｂ0.036］とし
た以外は実施例６と同様にしてディスクを作製し、記録
特性の評価を行ったところ、実施例６とほぼ同様の結果
を得た。
【００５７】（実施例８）記録層の組成をＧｅ21.0Ｓｂ
25.2Ｔｅ53.8［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）
0. 434（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.566｝0.967Ｓｂ0.033］とし
た以外は実施例６と同様にしてディスクを作製し、記録
特性の評価を行ったところ、実施例６とほぼ同様の結果
を得た。
25.2Ｔｅ53.8［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）
0. 434（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.566｝0.967Ｓｂ0.033］とし
た以外は実施例６と同様にしてディスクを作製し、記録
特性の評価を行ったところ、実施例６とほぼ同様の結果
を得た。
【００５８】（実施例９）記録層の組成をＧｅ15.5Ｓｂ
28.8Ｔｅ55.7［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）
0. 316（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.684｝0.980Ｓｂ0.020］とし
た以外は実施例６と同様にしてディスクを作製し、記録
特性の評価を行ったところ、実施例６とほぼ同様の結果
を得た。
28.8Ｔｅ55.7［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）
0. 316（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.684｝0.980Ｓｂ0.020］とし
た以外は実施例６と同様にしてディスクを作製し、記録
特性の評価を行ったところ、実施例６とほぼ同様の結果
を得た。
【００５９】（実施例１０）記録層の組成をＧｅ18.0Ｓ
ｂ26.8Ｔｅ54.8Ｎｂ0.4［すなわち［｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ
0.5）0.371（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.629｝0.973Ｓｂ0.023
Ｎｂ0.004］とした以外は実施例６と同様にしてディス
クを作製し、記録特性の評価を行ったところ、実施例６
とほぼ同様の結果を得た。
ｂ26.8Ｔｅ54.8Ｎｂ0.4［すなわち［｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ
0.5）0.371（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.629｝0.973Ｓｂ0.023
Ｎｂ0.004］とした以外は実施例６と同様にしてディス
クを作製し、記録特性の評価を行ったところ、実施例６
とほぼ同様の結果を得た。
【００６０】（実施例１１）記録層の組成をＧｅ18.0Ｓ
ｂ26.2Ｔｅ55.4Ａｇ0.006［すなわち［｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ
0.5）0.366（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.634｝0.978Ｓｂ0.016
Ａｇ0.006］とした以外は実施例６と同様にしてディス
クを作製し、記録特性の評価を行ったところ、実施例６
とほぼ同様の結果を得た。
ｂ26.2Ｔｅ55.4Ａｇ0.006［すなわち［｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ
0.5）0.366（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.634｝0.978Ｓｂ0.016
Ａｇ0.006］とした以外は実施例６と同様にしてディス
クを作製し、記録特性の評価を行ったところ、実施例６
とほぼ同様の結果を得た。
【００６１】（実施例１２）実施例１のクロムの代わり
にアルミニウム、チタン、ジルコニウムの各を用いて層
を形成した他は、実施例１と同様にしてディスクを作製
し、同様の記録特性評価を行ったところ、実施例１とほ
ぼ同様の結果が得られた。すなわち、１万回オーバーラ
イト後のジッタを測定したところ、全てのディスクがウ
インドウ幅の９％と実用上十分小さいと確認できた。ま
た、全てのディスクについて信号の振幅は、１０回オー
バーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化がな
く、バースト欠陥も見られなかった。また、これらのデ
ィスクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレート
を測定したところ各のディスクについてそれぞれ２．５
×１０-5、２．８×１０-5、２．９×１０-5であった。
にアルミニウム、チタン、ジルコニウムの各を用いて層
を形成した他は、実施例１と同様にしてディスクを作製
し、同様の記録特性評価を行ったところ、実施例１とほ
ぼ同様の結果が得られた。すなわち、１万回オーバーラ
イト後のジッタを測定したところ、全てのディスクがウ
インドウ幅の９％と実用上十分小さいと確認できた。ま
た、全てのディスクについて信号の振幅は、１０回オー
バーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化がな
く、バースト欠陥も見られなかった。また、これらのデ
ィスクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレート
を測定したところ各のディスクについてそれぞれ２．５
×１０-5、２．８×１０-5、２．９×１０-5であった。
【００６２】（実施例１３）毎分３０回転で回転させて
いる、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．４８μｍピ
ッチの案内溝付きのポリカーボネート製基板（ランド幅
０．７４μｍ、グルーブ幅０．７４μｍ）上に、以下の
スパッタリング成膜を行った。まず、真空容器内を１×
１０-3Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス
零囲気中でＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをス
パッタし、基板上に膜厚９３ｎｍの第１誘電体層を形成
した。次に、クロムターゲットを窒素５０％、アルゴン
５０％の混合ガスでスパッタして厚さ２ｎｍの層を作製
した。続いて、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲッ
トをスパッタして、厚さ１９ｎｍの組成Ｇｅ33.9Ｓｂ15
.6Ｔｅ50.5［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0.710（Ｓ
ｂ0.4Ｔｅ0.6）0.290｝0. 955Ｓｂ0.045］の記録層を得
た。さらに、クロムターゲットを窒素４０％、アルゴン
６０％の混合ガスでスパッタして厚さ２ｎｍの層を作製
した。続いて、第２誘電体層として第１誘電体層と同じ
ＺｎＳ・ＳｉＯ2を１３ｎｍ形成し、この上にＡｌ97.5
Ｃｒ2.5合金をスパッタして膜厚１１０ｎｍの反射層を
形成した。このディスクを真空容器より取り出した後、
この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本イン
キ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫外線照
射により硬化させて膜厚３μｍの樹脂層を形成し、次に
スクリーン印刷機を用いて遅効性の紫外線効果効果樹脂
を塗布し、紫外線を照射した後、同様に作製したディス
ク２枚を貼り合わせて本発明の光記録媒体を得た。
いる、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．４８μｍピ
ッチの案内溝付きのポリカーボネート製基板（ランド幅
０．７４μｍ、グルーブ幅０．７４μｍ）上に、以下の
スパッタリング成膜を行った。まず、真空容器内を１×
１０-3Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス
零囲気中でＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをス
パッタし、基板上に膜厚９３ｎｍの第１誘電体層を形成
した。次に、クロムターゲットを窒素５０％、アルゴン
５０％の混合ガスでスパッタして厚さ２ｎｍの層を作製
した。続いて、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲッ
トをスパッタして、厚さ１９ｎｍの組成Ｇｅ33.9Ｓｂ15
.6Ｔｅ50.5［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0.710（Ｓ
ｂ0.4Ｔｅ0.6）0.290｝0. 955Ｓｂ0.045］の記録層を得
た。さらに、クロムターゲットを窒素４０％、アルゴン
６０％の混合ガスでスパッタして厚さ２ｎｍの層を作製
した。続いて、第２誘電体層として第１誘電体層と同じ
ＺｎＳ・ＳｉＯ2を１３ｎｍ形成し、この上にＡｌ97.5
Ｃｒ2.5合金をスパッタして膜厚１１０ｎｍの反射層を
形成した。このディスクを真空容器より取り出した後、
この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本イン
キ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫外線照
射により硬化させて膜厚３μｍの樹脂層を形成し、次に
スクリーン印刷機を用いて遅効性の紫外線効果効果樹脂
を塗布し、紫外線を照射した後、同様に作製したディス
ク２枚を貼り合わせて本発明の光記録媒体を得た。
【００６３】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ３．９×１０-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、４．８×１０-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、２．０×１０-4と実用上問題がないと
確認できた。この時のジッタは、３．４ｎｓであり、ウ
ィンドウ幅の１０．０％と良好な値であった。
バイトエラーレートを測ったところ３．９×１０-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、４．８×１０-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、２．０×１０-4と実用上問題がないと
確認できた。この時のジッタは、３．４ｎｓであり、ウ
ィンドウ幅の１０．０％と良好な値であった。
【００６４】（実施例１４）記録層の組成をＧｅ34.1Ｓ
ｂ15.3Ｔｅ50.6［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0. 706
（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.294｝0.980Ｓｂ0.035］とした以
外は、実施例１３と同様にして６層構成のディスクを作
製した。
ｂ15.3Ｔｅ50.6［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0. 706
（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.294｝0.980Ｓｂ0.035］とした以
外は、実施例１３と同様にして６層構成のディスクを作
製した。
【００６５】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ６．８×１０-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、１．３×１０-4とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、４．９×１０-4と実用上問題がないと
確認できた。この時のジッタは、３．６ｎｓであり、ウ
ィンドウ幅の１０．６％と良好な値であった。
バイトエラーレートを測ったところ６．８×１０-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、１．３×１０-4とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、４．９×１０-4と実用上問題がないと
確認できた。この時のジッタは、３．６ｎｓであり、ウ
ィンドウ幅の１０．６％と良好な値であった。
【００６６】（実施例１５）記録層の組成をＧｅ36.2Ｓ
ｂ13.0Ｔｅ50.8［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0. 747
（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.253｝0.968Ｓｂ0.032］とした以
外は、実施例１３と同様にして６層構成のディスクを作
製した。
ｂ13.0Ｔｅ50.8［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0. 747
（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.253｝0.968Ｓｂ0.032］とした以
外は、実施例１３と同様にして６層構成のディスクを作
製した。
【００６７】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ２．９×１０-4であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、４．９×１０-4と実用上問題が無いことを確認し
た。さらに、この部分を１回オーバーライトしたとこ
ろ、バイトエラーレートは、４．４×１０-4と実用上問
題がないと確認できた。この時のジッタは、４．０ｎｓ
であり、ウィンドウ幅の１１．８％であった。
バイトエラーレートを測ったところ２．９×１０-4であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、４．９×１０-4と実用上問題が無いことを確認し
た。さらに、この部分を１回オーバーライトしたとこ
ろ、バイトエラーレートは、４．４×１０-4と実用上問
題がないと確認できた。この時のジッタは、４．０ｎｓ
であり、ウィンドウ幅の１１．８％であった。
【００６８】（実施例１６）記録層の組成をＧｅ39.6Ｓ
ｂ10.2Ｔｅ50.2［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0. 818
（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.182｝0.969Ｓｂ0.031］とした以
外は、実施例１３と同様にして６層構成のディスクを作
製した。
ｂ10.2Ｔｅ50.2［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0. 818
（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.182｝0.969Ｓｂ0.031］とした以
外は、実施例１３と同様にして６層構成のディスクを作
製した。
【００６９】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ１．５×１０-3であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、１．９×１０-3となった。さらに、この部分を１回
オーバーライトしたところ、バイトエラーレートは、
２．２×１０-3と、オーバーライト前後でエラーレート
が悪化することはなかった。この時のジッタは、４．３
ｎｓであり、ウィンドウ幅の１２．６％であった。
バイトエラーレートを測ったところ１．５×１０-3であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、１．９×１０-3となった。さらに、この部分を１回
オーバーライトしたところ、バイトエラーレートは、
２．２×１０-3と、オーバーライト前後でエラーレート
が悪化することはなかった。この時のジッタは、４．３
ｎｓであり、ウィンドウ幅の１２．６％であった。
【００７０】（実施例１７）記録層の組成をＧｅ27.0Ｓ
ｂ20.0Ｔｅ53.0［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0. 555
（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.445｝0.973Ｓｂ0.027］とした以
外は、実施例１３と同様にして６層構成のディスクを作
製した。
ｂ20.0Ｔｅ53.0［すなわち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0. 555
（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）0.445｝0.973Ｓｂ0.027］とした以
外は、実施例１３と同様にして６層構成のディスクを作
製した。
【００７１】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ２．９×１０-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、４．１×１０-4と少し上昇が見られらた。さらに、
この部分を１回オーバーライトしたところ、バイトエラ
ーレートは、６．７×１０-5と、オーバーライト前後で
エラーレートが悪化することはなかった。この時のジッ
ターは、３．２ｎｓであり、ウインドウ幅の９．４％で
あった。 （実施例１８）記録層の組成をＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5［すな
わち（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0.444（Ｓｂ0. 4Ｔ
ｅ0.6）0.556］とした以外は、実施例１３と同様にして
６層ディスクを得た。
バイトエラーレートを測ったところ２．９×１０-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、４．１×１０-4と少し上昇が見られらた。さらに、
この部分を１回オーバーライトしたところ、バイトエラ
ーレートは、６．７×１０-5と、オーバーライト前後で
エラーレートが悪化することはなかった。この時のジッ
ターは、３．２ｎｓであり、ウインドウ幅の９．４％で
あった。 （実施例１８）記録層の組成をＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5［すな
わち（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0.444（Ｓｂ0. 4Ｔ
ｅ0.6）0.556］とした以外は、実施例１３と同様にして
６層ディスクを得た。
【００７２】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ３．０×１０-5であ
った。記録した状態のまま、８０℃、相対湿度８０％の
条件で２０時間放置した。この後、同じ部分のバイトエ
ラーレートを測定したところ、２×１０-2となってい
た。再生波形を観察したところ、振幅が低下しており、
非晶部の一部が結晶化しているものと推定された。
バイトエラーレートを測ったところ３．０×１０-5であ
った。記録した状態のまま、８０℃、相対湿度８０％の
条件で２０時間放置した。この後、同じ部分のバイトエ
ラーレートを測定したところ、２×１０-2となってい
た。再生波形を観察したところ、振幅が低下しており、
非晶部の一部が結晶化しているものと推定された。
【００７３】また、記録層の組成をＧｅ1Ｓｂ2Ｔｅ
4［すなわち（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0.287（Ｓｂ0.4Ｔ
ｅ0.6）0.714］としても、８０℃、相対湿度８０％の条
件で２０時間放置すると、バイトエラーレートが４．１
×１０-4から、８×１０-2に変化した。 （実施例１９）記録層の組成をＧｅ0.5Ｔｅ0.5［すなわ
ち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）1.00（Ｓｂ0. 4Ｔｅ0.6）0.00｝
1.00Ｓｂ0.00］とした以外は、実施例１３と同様にして
６層ディスクを作製した。
4［すなわち（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0.287（Ｓｂ0.4Ｔ
ｅ0.6）0.714］としても、８０℃、相対湿度８０％の条
件で２０時間放置すると、バイトエラーレートが４．１
×１０-4から、８×１０-2に変化した。 （実施例１９）記録層の組成をＧｅ0.5Ｔｅ0.5［すなわ
ち｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）1.00（Ｓｂ0. 4Ｔｅ0.6）0.00｝
1.00Ｓｂ0.00］とした以外は、実施例１３と同様にして
６層ディスクを作製した。
【００７４】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ２×１０-2であっ
た。
バイトエラーレートを測ったところ２×１０-2であっ
た。
【００７５】（実施例２０）毎分３０回転で回転させて
いる、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．４８μｍピ
ッチの案内溝付きのポリカーボネート製基板（ランド幅
０．７４μｍ、グルーブ幅０．７４μｍ）上に、以下の
スパッタリング成膜を行った。まず、真空容器内を１×
１０-3Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス
零囲気中でＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをス
パッタし、基板上に膜厚９５ｎｍの第１誘電体層を形成
した。次にＮ2ガスを８．２％混合したＡｒガス雰囲気
中でチタンをスパッタし、厚さ２ｎｍのＴｉＮ0.87層を
形成した。続いて、第１誘電体層と同様の条件で、Ｇ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットをスパッタし
て、厚さ１９ｎｍの組成Ｇｅ17.1Ｓｂ27.6Ｔｅ55.3の記
録層を得た。さらに第２誘電体層として第１誘電体層と
同じＺｎＳ-ＳｉＯ2を１５ｎｍ形成し、この上にＡｌ
97.5Ｃｒ2.5合金をスパッタして膜厚１１０ｎｍの反射
層を形成した。このディスクを真空容器より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫外
線照射により硬化させて膜厚３μｍの樹脂層を形成し、
次にスクリーン印刷機を用いて遅効性の紫外線効果効果
樹脂を塗布し、紫外線を照射した後、同様に作製したデ
ィスク２枚を貼り合わせて本発明の光記録媒体を得た。
いる、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．４８μｍピ
ッチの案内溝付きのポリカーボネート製基板（ランド幅
０．７４μｍ、グルーブ幅０．７４μｍ）上に、以下の
スパッタリング成膜を行った。まず、真空容器内を１×
１０-3Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス
零囲気中でＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをス
パッタし、基板上に膜厚９５ｎｍの第１誘電体層を形成
した。次にＮ2ガスを８．２％混合したＡｒガス雰囲気
中でチタンをスパッタし、厚さ２ｎｍのＴｉＮ0.87層を
形成した。続いて、第１誘電体層と同様の条件で、Ｇ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットをスパッタし
て、厚さ１９ｎｍの組成Ｇｅ17.1Ｓｂ27.6Ｔｅ55.3の記
録層を得た。さらに第２誘電体層として第１誘電体層と
同じＺｎＳ-ＳｉＯ2を１５ｎｍ形成し、この上にＡｌ
97.5Ｃｒ2.5合金をスパッタして膜厚１１０ｎｍの反射
層を形成した。このディスクを真空容器より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫外
線照射により硬化させて膜厚３μｍの樹脂層を形成し、
次にスクリーン印刷機を用いて遅効性の紫外線効果効果
樹脂を塗布し、紫外線を照射した後、同様に作製したデ
ィスク２枚を貼り合わせて本発明の光記録媒体を得た。
【００７６】１万回オーバーライト後のジッタを測定し
たところ、３．０２ｎｓであり、ウインドウ幅の８．９
％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１
０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変
化がなく、バースト欠陥も見られなかった。また、この
ディスクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレー
トを測定したところ１．５×１０-5であった。記録した
状態のまま、大気中、８０℃の条件で１００時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、２．５×１０-5とほとんど変化がなかった。さ
らに、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイ
トエラーレートは、３．１×１０-5とほとんど変化がな
いことが確認できた。この時のジッタは、３．３８ｎｓ
とウィンドウ幅の９．９％と良好な値であった。層間剥
離が発生していないことも目視で確認した。
たところ、３．０２ｎｓであり、ウインドウ幅の８．９
％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１
０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変
化がなく、バースト欠陥も見られなかった。また、この
ディスクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレー
トを測定したところ１．５×１０-5であった。記録した
状態のまま、大気中、８０℃の条件で１００時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、２．５×１０-5とほとんど変化がなかった。さ
らに、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイ
トエラーレートは、３．１×１０-5とほとんど変化がな
いことが確認できた。この時のジッタは、３．３８ｎｓ
とウィンドウ幅の９．９％と良好な値であった。層間剥
離が発生していないことも目視で確認した。
【００７７】さらに記録層と第２誘電体層の間に、厚さ
２ｎｍのＴｉＮ0.87の第２境界層を設けたディスクも作
製し、記録特性を評価した。１万回オーバーライト後の
ジッタを測定したところ、２．９５ｎｓであり、ウイン
ドウ幅の８．７％と実用上十分小さいと確認できた。信
号の振幅は、１０回オーバーライト後の信号の振幅と比
べてほとんど変化がなく、バースト欠陥も見られなかっ
た。また、このディスクに１回記録を行い、その時のバ
イトエラーレートを測定したところ１．３×１０-5であ
った。記録した状態のまま、９０℃、相対湿度８０％℃
の条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイ
トエラーレートを測定したところ、１．５×１０-5とほ
とんど変化がなかった。さらに、この部分を１回オーバ
ーライトしたところ、バイトエラーレートは、１．９×
１０-5とほとんど変化がないことが確認できた。この時
のジッタは、３．１１ｎｓとウィンドウ幅の９．２％と
良好な値であった。層間剥離が発生していないことも目
視で確認した。 （実施例２１）Ｎ2ガスを８．２％混合したＡｒガス雰
囲気中でチタンをスパッタするかわりに、Ｎ2ガスを
４．８％混合したＡｒガス雰囲気中でチタンをスパッタ
し、厚さ２ｎｍのＴｉＮ0.45層を形成した以外は実施例
２０と同様にしてディスクを作製した。このディスクに
１回記録を行い、その時のバイトエラーレートを測定し
たところ１．８×１０-5であった。記録した状態のま
ま、９０℃、相対湿度８０％の条件で１００時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、２．１×１０-5とほとんど変化がなかった。さ
らに、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイ
トエラーレートは、６．３×10-2であった。層間剥離が
発生していないことも目視で確認した。 （比較例２）Ｎ2ガスを８．２％混合したＡｒガス雰囲
気中でチタンをスパッタするかわりに、ＴｉＮをＡｒガ
スでスパッタした以外は実施例１と同様にしてディスク
を作製した。このディスクのチタンと窒素からなる層の
組成比はチタンと窒素でほぼ１：１であり、膜厚さ方向
の組成分布は一定であった。このディスクを大気中、８
０℃の条件で１００時間放置したところ、層間剥離が認
められた。
２ｎｍのＴｉＮ0.87の第２境界層を設けたディスクも作
製し、記録特性を評価した。１万回オーバーライト後の
ジッタを測定したところ、２．９５ｎｓであり、ウイン
ドウ幅の８．７％と実用上十分小さいと確認できた。信
号の振幅は、１０回オーバーライト後の信号の振幅と比
べてほとんど変化がなく、バースト欠陥も見られなかっ
た。また、このディスクに１回記録を行い、その時のバ
イトエラーレートを測定したところ１．３×１０-5であ
った。記録した状態のまま、９０℃、相対湿度８０％℃
の条件で１００時間放置した。この後、同じ部分のバイ
トエラーレートを測定したところ、１．５×１０-5とほ
とんど変化がなかった。さらに、この部分を１回オーバ
ーライトしたところ、バイトエラーレートは、１．９×
１０-5とほとんど変化がないことが確認できた。この時
のジッタは、３．１１ｎｓとウィンドウ幅の９．２％と
良好な値であった。層間剥離が発生していないことも目
視で確認した。 （実施例２１）Ｎ2ガスを８．２％混合したＡｒガス雰
囲気中でチタンをスパッタするかわりに、Ｎ2ガスを
４．８％混合したＡｒガス雰囲気中でチタンをスパッタ
し、厚さ２ｎｍのＴｉＮ0.45層を形成した以外は実施例
２０と同様にしてディスクを作製した。このディスクに
１回記録を行い、その時のバイトエラーレートを測定し
たところ１．８×１０-5であった。記録した状態のま
ま、９０℃、相対湿度８０％の条件で１００時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、２．１×１０-5とほとんど変化がなかった。さ
らに、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイ
トエラーレートは、６．３×10-2であった。層間剥離が
発生していないことも目視で確認した。 （比較例２）Ｎ2ガスを８．２％混合したＡｒガス雰囲
気中でチタンをスパッタするかわりに、ＴｉＮをＡｒガ
スでスパッタした以外は実施例１と同様にしてディスク
を作製した。このディスクのチタンと窒素からなる層の
組成比はチタンと窒素でほぼ１：１であり、膜厚さ方向
の組成分布は一定であった。このディスクを大気中、８
０℃の条件で１００時間放置したところ、層間剥離が認
められた。
【００７８】
【発明の効果】本発明によれば初期および長期保存後の
良好な記録特性を有する光記録媒体が得られる。
良好な記録特性を有する光記録媒体が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA14 EA23 EA31 EA36 EA40 FA01 FA11 FA12 FA21 FA25 FA27 FA28 FB04 FB05 FB08 FB09 FB12 FB16 FB20 FB22 FB30 5D029 JA01 JB45 NA07
Claims (9)
- 【請求項１】 記録層に光を照射することによって、情
報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消
去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、基板
上に少なくとも記録層および反射層がこの順で積層され
ている光記録媒体であって、記録層に接するように、元
素周期律表における第２周期から第６周期の３Ａ族から
６Ｂ族のいずれかに属する元素Ｍ１と窒素とが化合した
物質を必須成分として含有する層を設け、前記物質中の
窒素含有量が化学量論比未満であることを特徴とする光
記録媒体。 - 【請求項２】 記録層が下記式（Ｉ） ｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）x（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）1-x｝1-y-zＳｂyＡz （Ｉ） （式中、Ａは、元素周期律表における第２周期から第６
周期の３Ａ族から６Ｂ族に属するＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除
く元素を表し、ｘ、ｙ、ｚは数を表し、かつ次の関係を
満たす。 ０．２≦ｘ≦０．８、０．０１≦ｙ≦０．０７、ｚ＝０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．８、０≦ｙ≦０．０７、０
＜ｚ≦０．２）からなり、５ｍ／ｓ以上の線速度での最
短マーク長０．７μｍ以下のマーク長記録に用いること
を特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 元素Ｍ１と窒素との組成比が均一でなく
かつ元素Ｍの濃度が記録層に近い側で高くなっているこ
とを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 元素Ｍ１がクロムもしくはゲルマニウム
であることを特徴とする請求項３記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 クロムもしくはゲルマニウムの原子数ｍ
と窒素の原子数ｎが、ｍ＞ｎであることを特徴とする請
求項４記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 クロムもしくはゲルマニウムと窒素が化
合した物質からなる層を基板と記録層の間に設けたこと
を特徴とする請求項４記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 基板と記録層の間、記録層と反射層の間
の少なくとも一方に、ＺｎＳとＳｉＯ2を含む誘電体層
を設けたことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項８】 元素Ｍ１と窒素が化合した物質からなる
層の平均層厚さが、０．５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項９】 基板上に少なくとも、記録層に接する元
素Ｍ１と窒素とが化合しており、かつ窒素含有量が化学
量論比未満である物質からなる層、記録層、記録層に接
する層であって元素Ｍ２と窒素とが化合しており、かつ
窒素含有量が化学量論比未満である物質からなる層を有
する光記録媒体であって、前記Ｍ１とＭ２が元素周期律
表における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族の
いずれかに属する元素であり、前記記録層が下記式（Ｉ
Ｉ）、 ｛（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）x（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）1-x｝1-y-zＳｂyＡz （ＩＩ） （式中、Ａは、元素周期律表における第２周期から第６
周期の３Ａ族から６Ｂ族に属するＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除
く元素を表し、ｘ、ｙ、ｚは数を表し、かつ次の関係を
満たす。 ０．２≦ｘ≦０．９５、０．０２≦ｙ≦０．０７、ｚ＝
０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０７、
０．００１≦ｚ≦０．２）からなることを特徴とする請
求項１記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11276329A JP2000285515A (ja) | 1998-11-10 | 1999-09-29 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31921298 | 1998-11-10 | ||
| JP11-20534 | 1999-01-28 | ||
| JP10-319212 | 1999-01-28 | ||
| JP2053499 | 1999-01-28 | ||
| JP11276329A JP2000285515A (ja) | 1998-11-10 | 1999-09-29 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000285515A true JP2000285515A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=27283086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11276329A Pending JP2000285515A (ja) | 1998-11-10 | 1999-09-29 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000285515A (ja) |
-
1999
- 1999-09-29 JP JP11276329A patent/JP2000285515A/ja active Pending
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